KR20160072187A - 저-잡음 조셉슨 접합-기반 방향성 증폭기 - Google Patents

저-잡음 조셉슨 접합-기반 방향성 증폭기 Download PDF

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KR20160072187A
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바리그 아브도
카트리나 슬리와
루이지 프룬지오
로버트 존 3세 숄코프
미쉘 데보렛
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예일 유니버시티
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Abstract

저-잡음 방향성 증폭기는 제1 포트, 제2 포트, 제1 커플러 및 제2 커플러를 포함한다. 제1 포트는 제1 커플러에 결합된다. 저-잡음 방향성 증폭기는 또한 적어도 2개의 위상 보존 증폭기, 제1 커플러 및 제2 커플러에 접속된 제1 위상 보존 증폭기, 및 제1 커플러 및 제2 커플러에 접속된 제2 위상 보존 증폭기를 포함한다.

Description

저-잡음 조셉슨 접합-기반 방향성 증폭기{LOW-NOISE JOSEPHSON JUNCTION-BASED DIRECTIONAL AMPLIFIER}
정부 지원
본 발명은 미국 육군 연구소에 의해 수여된 W911NF-09-01-0514 하의 정부 지원으로 제작되었다. 정부는 본 발명에 소정 권리를 갖는다.
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2013년 10월 15일자로 출원된 미국 가출원 제61/891,226호(발명의 명칭: "LOW-NOISE JOSEPHSON JUNCTION-BASED DIRECTIONAL AMPLIFIER")의 유익을 주장하며, 그 내용 전체는 참고로 본 명세서에 편입된다.
양자 정보 프로세싱은 정보 프로세싱 능력을 확장하도록 양자 역학 속성을 사용한다. 예컨대, 정보 전송의 보안이 강화될 수 있고, 통신 채널에 인코딩된 정보의 양은 증가될 수 있고, 소정 계산을 수행하는데 필요한 연산의 수가 감축될 수 있다. 정보가 하나 이상의 비트로 저장되는 관용적 정보 프로세싱에서처럼, 양자 정보는 "큐비트"(qubit)라고 알려져 있는 하나 이상의 양자 비트로 저장된다. 큐비트는 광자 분극, 전자 스핀, 핵 스핀, 또는 전하, 에너지 또는 전류 방향과 같은 초전도 조셉슨 접합의 다양한 속성과 같이 2-상태 양자 역학 시스템에서 물리적으로 구현될 수 있다.
초전도 조셉슨 접합의 플라즈마 발진에 기반하는 큐비트의 하나의 유형은 "트랜스몬"이라고 알려져 있는 회로이다. 양자 상태 초기화, 양자 게이트 연산 및 양자 측정과 같은, 트랜스몬 상의 연산은, 트랜스몬으로 마이크로파 광자를 송신 및 수신함으로써 구현될 수 있다. 마이크로파 광자 검출기는 트랜스몬으로부터 수신된 광자를 측정하도록 사용되고 그것은 높은 양자 효율 및 저잡음을 갖는 검출을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
이하는 본 출원의 일부 실시형태의 비-한정적 개요이다.
일부 실시형태는 제1 포트 및 제2 포트; 제1 커플러 및 제2 커플러로서, 제1 포트 및 제2 포트는 제1 커플러에 결합되는 제1 커플러 및 제2 커플러; 제1 커플러 및 제2 커플러에 접속된 제1 위상 보존 증폭기; 및 제1 커플러 및 제2 커플러에 접속된 제2 위상 보존 증폭기를 포함하는 저-잡음 방향성 증폭기에 관한 것이다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 포트는 적어도 하나의 입력 신호를 수신하도록 구성된 입력 포트이고 제2 포트는 적어도 하나의 신호를 출력하도록 구성된 출력 포트이다.
일부 실시형태에 있어서, 저-잡음 방향성 증폭기는 또한 저온 부하에 결합된 제3 포트 및 저온 부하에 결합된 제4 포트를 포함한다.
일부 실시형태에 있어서, 저-잡음 방향성 증폭기는 4개보다 적은 포트를 포함한다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 커플러는 3㏈ 커플러이다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 위상 보존 증폭기의 반사 이득 진폭은 제2 위상 보존 증폭기의 반사 이득 진폭과 동일하고 투과 이득 진폭은 제2 위상 보존 증폭기의 투과 이득 진폭과 동일하다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 위상 보존 증폭기의 반사 이득 진폭은 1보다 크거나 같고 그리고 제2 커플러의 투과 진폭의 역보다 작다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 위상 보존 증폭기 및 제2 위상 보존 증폭기는 각각 조셉슨 파라메트릭 컨버터(JPC)이다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 위상 보존 증폭기의 펌프 신호의 위상은 제2 위상 보존 증폭기의 펌프 신호의 위상과 다르다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 위상 보존 증폭기의 펌프 신호의 위상과 제2 위상 보존 증폭기의 펌프 신호의 위상 간 차이는 파이 나누기 2 라디안이다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 위상 보존 증폭기의 펌프 신호의 위상과 제2 위상 보존 증폭기의 펌프 신호의 위상 간 차이는 저-잡음 방향성 증폭기가 비-가역적인지 결정한다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 포트로부터 제2 포트로 신호의 전달은 제1 위상 보존 증폭기 및 제2 위상 보존 증폭기에 펌프가 인가되지 않을 때 실질적으로 100%이다.
일부 실시형태에 있어서, 저-잡음 방향성 증폭기는 비-가역적이고 서큘레이터를 포함하지 않는다.
일부 실시형태에 있어서, 저-잡음 방향성 증폭기는 집적 회로의 적어도 일부분이다.
일부 실시형태는 저-잡음 방향성 증폭기 및 저-잡음 방향성 증폭기가 큐비트의 상태를 측정하도록 구성되게 저-잡음 방향성 증폭기에 결합된 큐비트를 포함하는 집적 회로에 관한 것이다. 저-잡음 방향성 증폭기는 제1 포트 및 제2 포트; 제1 커플러 및 제2 커플러로서, 제1 포트 및 제2 포트는 제1 커플러에 결합되는 제1 커플러 및 제2 커플러; 제1 커플러 및 제2 커플러에 접속된 제1 위상 보존 증폭기; 및 제1 커플러 및 제2 커플러에 접속된 제2 위상 보존 증폭기를 포함한다.
일부 실시형태에 있어서, 저-잡음 방향성 증폭기는 양자 잡음 한계에서 큐비트의 상태를 측정하도록 구성된다.
일부 실시형태에 있어서, 큐비트는 복수의 큐비트 중 하나이고; 그리고 저-잡음 방향성 증폭기는 복수의 저-잡음 방향성 증폭기 중 하나이고, 복수의 저-잡음 방향성 증폭기의 각각의 저-잡음 방향성 증폭기는 복수의 큐비트 중 적어도 하나에 접속된다.
일부 실시형태는 마이크로파 신호를 증폭하는 방법에 관한 것이다. 그 방법은 방향성 증폭기의 입력 포트에서 신호를 수신하는 단계; 증폭된 신호를 생성하도록 제1 파라메트릭 증폭기도 그리고 제2 파라메트릭 증폭기도 사용하여 신호의 적어도 일부를 증폭하는 단계; 및 증폭된 신호를 방향성 증폭기의 출력 포트로 전송하여 출력하는 단계를 포함한다.
일부 실시형태에 있어서, 그 방법은 증폭하는 단계 이전에 신호를 적어도 2개의 부분으로 분기하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시형태에 있어서, 제1 파라메트릭 증폭기는 제1 위상을 갖는 제1 마이크로파 펌프를 사용하여 펌핑되고; 그리고 제2 파라메트릭 증폭기는 제2 위상을 갖는 제2 마이크로파 펌프를 사용하여 펌핑되되, 제1 위상과 제2 위상 간 차이는 파이/2 라디안이다.
본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면과 함께 읽혀져야 하는 이하의 상세한 설명으로부터 더 쉽게 이해되고 청구범위로부터 명백해질 것이다.
첨부 도면은 축척대로 그려지도록 의도된 것은 아니다. 도면에 있어서, 다양한 도면에서 예시되는 각각의 똑같은 또는 거의 똑같은 컴포넌트는 유사한 참조 부호로 표현된다. 명확을 기하기 위하여, 모든 도면마다 모든 컴포넌트마다 참조 부호가 부여되어 있지 않을 수 있다. 도면에 있어서:
도 1은 일부 실시형태에 따른 집적 회로의 도식도;
도 2 는 일부 실시형태에 따른 저-잡음 방향성 증폭기의 도식적 예시도;
도 3은 일부 실시형태에 따른 조셉슨 파라메트릭 컨버터의 예시도;
도 4a는 일부 실시형태에 따른 무분로 조셉슨 링 변조기의 도식적 예시도;
도 4b는 일부 실시형태에 따른 분로 조셉슨 링 변조기의 도식적 예시도;
도 5는 일부 실시형태에 따라 파가 방향성 증폭기를 통해 취할 수 있는 경로의 예시도;
도 6a는 일부 실시형태에 따라 방향성 증폭기를 통한 파의 제1 경로의 예시도;
도 6b는 일부 실시형태에 따라 방향성 증폭기를 통한 파의 제2 경로의 예시도;
도 6c는 일부 실시형태에 따라 방향성 증폭기를 통한 파의 제3 경로의 예시도;
도 6d는 일부 실시형태에 따라 방향성 증폭기를 통한 파의 제4 경로의 예시도; 및
도 7은 일부 실시형태에 따라 신호를 증폭하는 방법의 예시도.
커패시터 및 인덕터로 형성된 것들과 같은 관용적 분산 전자 회로는 가역적이며, 회로 쪽으로 도로 재지향되는 출력 신호가 출력 신호를 생성한 입력 신호와 동일한 경로를 따라 입력 포트로 전송되어 출력될 것임을 의미한다. 이러한 가역적 거동은 광학에서는 헬름홀츠 가역성이라고 알려져 있다. 가역성은 소스와 관찰자의 상호교환, 또는 입력 및 출력 포트를 갖는 회로의 경우에는, 입력 포트와 출력 포트의 상호교환 하의 시스템의 대칭성이다. 본 발명자는 저레벨의 마이크로파 방사를 검출하기 위한 마이크로파 증폭기에서의 잡음의 감축은 증가되는 강도에 따른 연구 하에 회로의 최종 스테이지로부터 유래하는 잡음이 다시 디바이스에 이르게 될 수 있으므로 가역성의 원리에 의해 제한된다는 것을 알아보고 인식하였다. 그 문제는 특히, 초전도 큐비트에 대해 그런 것처럼, 극저온에서 디바이스 상에 행해지는 측정에 중요할 수 있고, 전자장치의 최종 스테이지는 실온에서 동작하며, 관용적 초전도 큐비트 시스템이 어떻게 동작하는가이다. 결과적으로, 본 발명자는 회로의 가역성을 깨뜨리는 하나 이상의 디바이스를 배치하는 것이 저온 디바이스에 도달하는 실온 회로로부터의 잡음을, 그 밸브-유사 속성에 의해, 방지하도록 회로 내에서 사용될 수 있다는 것을 알아보고 인식하였다. 신호를 증폭하고 비-가역적인 디바이스는 "방향성" 증폭기라고 지칭된다.
본 발명자는 마이크로파 전자장치에서의 관용적 비-가역적 컴포넌트가 높은 자계에서 페라이트의 사용에 기반한다는 것을 더 알아보고 인식하였다. 페라이트-기반 비-가역적 컴포넌트의 일례는 서큘레이터이다. 이들 컴포넌트는 덩치가 크고 집적 회로 내에 편입하기가 어려울 수 있다. 결과적으로, 단일 칩 상에 초전도 큐비트와 관용적 페라이트-기반 비-가역적 컴포넌트를 집적하는 것이 어려울 수 있다. 더욱, 비-가역적 거동을 야기하는 페라이트로부터 산출된 자계는 초전도 디바이스의 성능에 악영향을 미칠 수 있는데 재료의 초전도성은 보통의 자계에서도 그 유용한 속성 중 많은 것을 상실하기 때문이다. 따라서, 본 발명자는 비-가역성이 페라이트의 자계에 기반하지 않고 대신에 집적 회로에 형성될 수 있는 컴포넌트를 사용하여 생성되는 비-가역적 디바이스에 대한 필요성이 있음을 알아보고 인식하였다.
일부 실시형태는, 하나 이상의 입력 신호로 능동적으로 제어되는 하나 이상의 디바이스로 비-가역적 마이크로파 컴포넌트를 생성하기 위한 기술인, "능동적 비-가역성"의 원리에 기반하는 비-가역적 마이크로파 회로 컴포넌트에 관한 것이다. 예컨대, 능동적 비-가역성은 사용된 펌프 신호의 위상에 민감한, 파라메트릭 상향-변환 및 하향-변환과 같은, 위상 감지 기술에 기반할 수 있다. 예컨대, 신호가 우선 더 높은 주파수로 상향-변환되고 그 후 결과적 신호가 원래 주파수로 다시 하향-변환되면, 총 프로세스 위상은 2개의 주파수 변환 단계에서 사용된 2개의 펌프 신호 간 위상차에 종속하는 총 위상만큼 신호를 편이시킨다. 이러한 총 위상 편이는 2개의 주파수 변환 펌프 간 위상 그래디언트의 방향에 종속한다.
일부 실시형태는 전술한 위상 편이 기술을 2개의 부가적 기술과 조합한다: 1) 수신된 신호 상의 총 이득을 산출하도록 상향-변환 및 하향-변환 프로세스를 배열하고, 2) 위상에서의 비-가역성을 진폭에서의 비-가역성으로 변환하는 파 간섭을 생성하도록 특정 특성을 갖는 빔-스플리터(때로는 커플러라고 지칭됨)를 구성한다. 그러한 실시형태의 결과는 디바이스를 통해 하나의 방향으로 가는 신호는 증폭될 것인 반면 디바이스를 통해 반대 방향으로 진행하는 신호는 실질적으로 동일한 채로 남아있을 것이다. 결과적 디바이스는 "방향성 증폭기"라고 지칭되는 비-가역적 증폭기이다. 일부 실시형태에 있어서, 컴포넌트의 배열에 의해 생성된 피드백 루프 때문에, 피드백이 안정적임을 보장하도록, 예컨대, 커플러 또는 손실 있는 채널을 통하여 하나 이상의 손실이 도입된다. 예컨대, 상향-변환 및 하향-변환 프로세스의 반사-이득 진폭(r)은 백 커플러의 투과 계수(α)의 역보다 더 작을 수 있다. 따라서, 역방향 이득 진폭은 상향-변환과 하향-변환 프로세스 간 도입된 손실의 양이 증가됨에 따라 증가될 수 있다. 그렇지만, 손실의 도입에도 불구하고, 실시형태는 양자 한계에서 또는 그 가까이에서 수행할 수 있는 능력을 가지며, 증폭 프로세스 동안 신호에 부가된 잡음의 양이 양자 역학의 원리에 의해 부가될 필요가 있는 잡음의 최소 양에 또는 그 가까이에 있음을 의미한다. 본 출원의 곳곳에서 사용되는 바와 같이, "저-잡음"은 양자 잡음 한계에서 또는 그 가까이에서 동작하는 디바이스를 지칭한다.
일부 실시형태에 있어서, 2개의 조셉슨 파라메트릭 컨버터(JPC)는 저-잡음 방향성 증폭기를 제공하도록 함께 배선된다. 양자 역학의 원리에 의해, 어느 증폭이라도 적어도 최소 양의 잡음을 도입하여야 한다. 일부 실시형태에 있어서, 저-잡음 방향성 증폭기는 양자 역학에 의해 필요로 되는 최소 잡음에 또는 그 가까이에 있는 잡음을 도입할 수 있다. 이러한 최소 잡음은 절반 광자에 등가인 잡음이다. 실시형태는 하나 이상의 초전도 큐비트를 판독하도록 사용될 수 있으며, 여기에서 실시형태는 큐비트 측정에서 신호-대-잡음 비를 개선하면서 그 백-액션 잡음에 의해 상당히 큐비트의 성능을 저하시키지는 않도록 실험적으로 사용되었다. 구체적으로, 본 발명자는, 효율적, 저-잡음 판독 및 증폭 회로의 홀마크인, 초전도 큐비트의 양자 점프를 관찰하도록 적어도 하나의 실시형태를 사용하였다. 관용적으로, 초전도 큐비트에서 양자 점프의 관찰은 페라이트-기반 서큘레이터 및 아이솔레이터를 채용함으로써 행해졌다. 본 출원의 적어도 하나의 실시형태는 양자 점프가 그 전치-증폭 스테이지에서의 그러한 비-가역적 소자 없이 관찰될 수 있게 한다.
도 1은 일부 실시형태에 따른 집적 회로(칩(100))의 도식도를 보여주고 있다. 칩은 적어도 하나의 초전도 큐비트(101) 및 적어도 하나의 저-잡음 방향성 증폭기(103)를 포함한다. 단일 칩(100)은 복수의 초전도 큐비트(101) 및 복수의 방향성 증폭기(103)를 포함할 수 있다. 복수의 방향성 증폭기의 각각의 방향성 증폭기는 적어도 하나의 초전도 큐비트(101)에 접속된다. 칩(100)은 2개 이상의 초전도 큐비트가 서로 상호작용할 수 있게 되도록 복수의 초전도 큐비트를 함께 접속시키는 마이크로파 회로를 포함할 수 있다. 초전도 큐비트들 간 상호작용은, 예컨대, 양자 게이트를 구현하고 그리고/또는 2개 이상의 초전도 큐비트(101)를 얽도록 사용될 수 있다.
칩(100)은 적어도 하나의 제어 회로로부터 입력 마이크로파 신호를 수신할 수 있다. 적어도 하나의 제어 회로는 큐비트(101) 및/또는 저-잡음 방향성 증폭기(103)를 제어하도록 마이크로파 신호를 제공할 수 있다. 예컨대, 제어 회로는 하나 이상의 양자 제어 게이트를 구현하는 마이크로파 신호를 큐비트(101)에 보낼 수 있다. 제어 회로는 또한 저-잡음 방향성 증폭기(103)에서의 하나 이상의 파라메트릭 증폭기를 구동하는데 사용하기 위한 펌프 마이크로파를 송신할 수 있다. 일부 실시형태에 있어서, 적어도 하나의 제어 회로는 하나 이상의 부가적 저-잡음 방향성 증폭기를 포함할 수 있다. 그렇지만, 어느 적합한 제어 전자장치라도 사용될 수 있다.
일부 실시형태에 있어서, 칩(100)은 방향성 증폭기(103)로부터 증폭된 마이크로파 신호를 출력하기 위한 적어도 하나의 출력 포트를 갖는다. 출력 신호는 초전도 큐비트(101)의 상태의 측정된 값을 기록하도록 사용되는 부가적 증폭기 및/또는 검출 전자장치로 향할 수 있다. 어느 적합한 검출 전자장치라도 사용될 수 있다.
초전도 큐비트(101)는 적어도 하나의 조셉슨 접합을 포함하는 어느 적합한 디바이스라도 될 수 있다. 예컨대, 초전도 큐비트(101)는 전하 큐비트, 플럭스 큐비트, 위상 큐비트, 또는 트랜스몬 큐비트일 수 있다. 일부 실시형태에 있어서, 초전도 큐비트(101)는 마이크로파 공진기의 내부에 적어도 하나의 조셉슨 접합을 포함할 수 있다. 공진기는, 예컨대, 스트립 라인 공진기 또는 3-차원 캐비티일 수 있다.
저-잡음 방향성 증폭기(103)는 칩(100) 내에 집적될 수 있고 그리고 초전도 큐비트(101)에 도달하는 잡음 피드백을 감축하도록 비-가역적인 어느 적합한 방향성 증폭기라도 될 수 있다. 저-잡음 방향성 증폭기의 실시형태는 아래에서 더 상세히 논의된다.
일부 실시형태에 있어서, 전체 칩(100)은 잡음을 감축하도록 그리고 초전도체를 그 임계 온도 아래로 유지하도록 저온에서 유지된다. 예컨대, 칩(100)은 수십 내지 수백 밀리켈빈의 차수의 온도에서 희석 냉동기에 유지될 수 있다. 일부 실시형태에 있어서, 칩(100)의 온도는 열 잡음이 감축되고 그리고 큐비트(101)에 저장되고 방향성 증폭기(103)에 의해 증폭되는 양자 정보를 파괴할 수 없게 되도록 대략 10 밀리켈빈(절대 영 위 10 밀리-도)에서 유지될 수 있다. 칩(100)의 온도는 당업계에 알려져 있는 극저온 기술을 사용하여 이들 저온에서 유지될 수 있다. 예컨대, 액상 헬륨을 사용하는 희석 냉동기는 칩(100)을 선택된 온도로 냉각하도록 사용될 수 있다.
도 2는 일부 실시형태에 따른 저-잡음 방향성 증폭기(103)를 예시하고 있다. 방향성 증폭기(103)는 큐비트(101)와 같은 외부 디바이스에 접속하도록 사용될 수 있는 적어도 2개의 외부 포트 - 입력 포트로서 역할하는 제1 포트(200a) 및 출력 포트로서 역할하는 제2 포트(200b)를 갖는다. 부가적 외부 포트도 사용될 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 실시형태에 있어서, 2개의 부가적 "저온 부하" 포트, 포트(200c) 및 포트(200d)는 디바이스의 일부분이다. 그렇지만, 포트(200c, 2004)는 신호를 보내거나 수신하도록 사용되지 않는다 - 그것들은 그들 포트에 접속된 부하가 밀리켈빈 온도에서 유지된다는 점에서 "저온 부하"에 접속된다. 방향성 증폭기(103)는 또한 방향성 증폭기(103)의 제1 컴포넌트를 방향성 증폭기의 제2 컴포넌트에 접속시키기 위한 내부 포트를 포함할 수 있다. 예컨대, 포트(210a)는 프론트 커플러(201)를 제1 파라메트릭 증폭기(202)에 접속시키고, 포트(210b)는 프론트 커플러(201)를 제2 파라메트릭 증폭기(204)에 접속시키고, 포트(210c)는 제1 파라메트릭 증폭기(202)를 백 커플러(203)에 접속시키고, 포트(210d)는 제2 파라메트릭 증폭기를 백 커플러(203)에 접속시킨다. 형용사 "프론트"는 프론트 커플러(201)가 방향성 증폭기(103)를 외부 컴포넌트에 접속시키는 2개의 외부 포트(입력 포트(200a) 및 출력 포트(200b))를 제공한다는 사실을 지칭한다. 형용사 "백"은 백 커플러(203)가 방향성 증폭기(103)에 신호를 보내거나 그로부터 신호를 수신하는 어느 외부 컴포넌트에도 접속하지 않는다는 사실을 지칭한다.
도 2에 도시된 방향성 증폭기(103)의 실시형태는 4개의 주 컴포넌트를 포함한다: 제1 커플러(201)(프론트 커플러라고 지칭됨), 제2 커플러(203)(백 커플러라고 지칭됨), 파라메트릭 증폭기(202) 및 제2 파라메트릭 증폭기(204). 일부 실시형태에 있어서, 프론트 커플러(201)는 마이크로파 입력 신호에 대한 빔스플리터처럼 역할하는 대칭적 커플러이다. 예컨대, 프론트 커플러(201)는 증폭될 신호를 수신하도록 구성되는 입력 포트(200a)를 포함하고, 입력 신호를, 각각, 포트(210a, 210b)에 투과 또는 반사할 수 있다. 유사하게, 출력 포트(200b)는 증폭된 신호를 출력하도록 구성되는 한편, 방향성 증폭기(103)에 후속하는 외부 컴포넌트로부터의 반사 및/또는 잡음을 표현하는 신호는 출력 포트(200b)를 통하여 방향성 증폭기(103)에 의해 수신될 수 있고, 각각, 포트(210b, 210a)에 투과 또는 반사될 수 있다. 가역성에 기반하여, 방향성 증폭기(103)의 다른 부분으로부터 포트(210a, 210b)에 의해 수신된 어느 신호라도 신호를 입력 포트(200a)로든 출력 포트(200b)로든 투과 또는 반사하여 출력하는 것도 가능하다. 일부 실시형태는, 입력 포트(200a)를 통하여 신호를 수신하는 방향성 증폭기(103)의 전체 시스템에 대해, 입력 포트(200a)를 통하여 출력되는 신호의 확률 진폭이 실질적으로 영과 같게 되도록 구성된다. 확률 진폭의 이러한 감축은 방향성 증폭기(103)에 의해 측정/증폭되는 시스템(예컨대, 큐비트(101))으로의 피드백을 감축한다.
커플러(201, 203)는 어느 적합한 투과 및 반사 진폭이라도 가질 수 있다. 예컨대, 프론트 커플러(201)의 포트(200a)에 들어오는 신호에 대해, 프론트 커플러(201)의 "투과 진폭"은 신호가 내부 포트(210a)를 통하여 떠나갈 확률 진폭을 표현하고, 프론트 커플러(201)의 "반사 진폭"은 신호가 내부 포트(210b)를 통하여 떠나갈 확률 진폭을 표현한다. 일부 실시형태에 있어서, 프론트 커플러(201) 및 백 커플러(203)는 대칭적 커플러일 수 있으며, 투과 진폭과 반사 진폭이 같음을 의미한다. 예컨대, 프론트 커플러(201)의 입력 포트(1)에 들어오는 신호에 대한 투과 진폭은 1/sqrt(2)이고 프론트 커플러(201)의 입력 포트(1)에 들어오는 신호에 대한 반사 진폭은 i/sqrt(2)일 수 있으며, 여기에서 i = sqrt(-1)이다. 백 커플러(203)는 임의의 투과 진폭(α) 및 임의의 반사 진폭(iβ)을 가질 수 있으며, 여기에서 α 및 β는 둘 다 실수이다. 일부 실시형태에 있어서, 백 커플러는 또한 α=β=1/sqrt(2)이도록 대칭적 커플러일 수 있다. 대칭적 커플러는 때로는 3㏈ 커플러라고 지칭된다. 그렇지만, 실시형태는 프론트 커플러(201) 및 백 커플러(203)에 대한 어느 특정 투과 또는 반사 진폭으로도 한정되지 않는다. 백 커플러(203)는 어느 적합한 방식으로라도 구현될 수 있다. 예컨대, 백 커플러는 제1 파라메트릭 증폭기(202)와 제2 파라메트릭 증폭기(204)의 사이에 손실 있는 채널을 도입하도록 사용될 수 있으며, 그 경우 손실 있는 마이크로파 전송 접속이 하이브리드 커플러 대신에 사용될 수 있다.
파라메트릭 증폭기(202, 204)는 어느 적합한 위상-보존 증폭기라도 될 수 있다. 예컨대, 일부 실시형태에서는, 조셉슨 파라메트릭 컨버터(JPC)가 사용될 수 있다. JPC는 조셉슨 접합의 링에 기반하는 비-축퇴 위상-보존 증폭기이고, 아래에서 도 3 및 도 4와 연관하여 더 상세히 논의된다. 2개의 파라메트릭 증폭기(202, 204)는 3-파 혼합을 통하여 증폭을 수행하도록 코히어런트 펌프 신호를 이용한다. 일부 실시형태에 있어서, 각각의 증폭기에 대한 펌프의 위상은 같지 않고 서로 일정한 관계로 유지될 수 있다. 예컨대, 2개의 펌프 위상 간 차이는 일정하게 유지되며, 다음 공식에 의해 표현될 수 있다: Δφ = φ1 - φ2 = C, 여기에서 Δφ는 제1 증폭기(202)의 펌프 위상(φ1)과 제2 증폭기(204)의 제2 증폭기의 펌프 위상(φ2) 간 차이이다. 일부 실시형태에 있어서, Δφ = π/2로서, 증폭기(103)의 순방향 이득을 증가시킨다. 일부 실시형태에 있어서, 총 디바이스에 대한 반사 계수는 큐비트(101)와 같은 컴포넌트가 방향성 증폭기(103)로부터의 반사에 의해 교란되지 않도록 실질적으로 영이도록 튜닝될 수 있다. 다른 실시형태에서는, 비-영 반사 계수를 갖는 희생으로 방향성 증폭기(103)를 통한 역방향 이득이 무시가능하게 되도록 위상이 튜닝될 수 있다. 그러한 실시형태는 역방향 이득을 감축하는 것이 중요한 경우 및 대응하는 비-영 반사 계수가 시스템의 다른 컴포넌트에 대한 문제를 생성하지 않을 경우의 애플리케이션에서 유용할 수 있다.
도 3은 일부 실시형태에 따른 일례의 JPC(202)를 예시하고 있다. JPC(202)의 중심 소자는, 도 4와 연관하여 더 상세히 논의되는, 조셉슨 링 변조기(402)이다. 신호는 포트(301-303)를 통하여 JPC(202)로부터 입출력된다. JPC(202)가 마이크로파 주파수에 대한 파라메트릭 증폭기이기 때문에, 3-파 혼합을 구현하는 광학 파라메트릭 증폭기의 명명법이 채택된다. 따라서, 포트(301)는, 예컨대, JPC(202)에 의해 증폭될, 작은 강도를 갖는 마이크로파 방사를 포함할 수 있는, "신호 모드"에 대응하고; 포트(302)는 존재하는 마이크로파 방사가 없는 공백 모드(즉, 진공 상태)일 수 있는 "아이들러 모드"에 대응하고; 그리고 포트(303)는, 예컨대, 신호 모드에서의 마이크로파 방사의 강도보다 훨씬 더 큰 강도를 갖는 마이크로파 방사를 포함할 수 있는, "펌프 모드"에 대응한다. 펌프 모드에서의 마이크로파 방사는 신호 모드에서의 방사를 증폭하도록 에너지를 제공하는 것이다. 일부 실시형태에 있어서, 도 3의 포트(301)는 도 2의 포트(200a)에 대응하고 도 3의 포트(302)는 도 2의 포트(200b)에 대응한다. 이러한 식으로, 2개의 JPC(202, 204)의 아이들러 모드가 백 커플러(203)를 통하여 접속된다.
JPC(202)는 동작 주파수에서 반파를 지원하는 2개의 전송 라인 공진기를 포함한다, 예컨대, 공진기의 길이는 동작 파장의 절반의 길이와 실질적으로 같다. 예컨대, 스트립라인 공진기와 같은 어느 적합한 전송 라인 공진기라도 사용될 수 있다. 일부 실시형태에 있어서, JPC(202)는, 아이들러 모드의 파장이 신호 모드의 파장과는 다름을 의미하는, 비-축퇴 증폭을 수행한다. 비-축퇴 실시형태에 있어서, JPC(202)는 다른 주파수 - 신호와 연관된 제1 주파수(ωs) 및 아이들러와 연관된 제2 주파수(ωi)의 2개의 기본 모드를 지원한다. 모드는 JPC의 2개의 반파 마이크로스트립 공진기의 길이에 의해 결정될 수 있다. 이득을 적용하기 위해, 링은 합 주파수(ωp = ωs + ωi)에서의 코히어런트 비-공진 펌프(P)로 펌핑된다. 비-축퇴 실시형태에 있어서, 제1 전송 라인 공진기는 부분(321) 및 부분(322)을 포함하고, 부분(323) 및 부분(324)을 포함하고 더 긴 파장 신호 모드를 지원하는 제2 전송 라인 공진기보다 더 짧은 파장 아이들러 모드를 지원한다. 2개의 전송 라인 공진기는 조셉슨 링 변조기(JRM)가 배치되는 전압 노드에서 서로 교차한다.
전송 라인 공진기의 각각의 부분은 각각의 결합 커패시터와 연관된다; 제1 전송 라인 공진기의 부분(321)은 결합 커패시터(331)와 연관되고, 제1 전송 라인 공진기의 부분(322)은 결합 커패시터(332)와 연관되고, 제2 전송 라인 공진기의 부분(323)은 결합 커패시터(333)와 연관되고, 그리고 제1 전송 라인 공진기의 부분(324)은 결합 커패시터(334)와 연관된다. 아이들러 모드와 연관된 결합 커패시터(331, 332)는 아이들러 모드와 연관된 포트(302)에 결합되고 결합 커패시터(333)는 신호 모드와 연관된 포트(301)에 결합된다. 결합 커패시터(334)는 그라운드(343) 또는 50Ω 저온 부하에 단락된다.
일부 실시형태에 있어서, 아이들러 모드와 펌프 모드는 180도 하이브리드 커플러(305)에서 혼합된다. 신호 방상의 주파수와 아이들러 방사의 주파수의 합과 같은 펌프 방사의 주파수는 JPC(202)와 공진하지 않는다. 도 3에는 예시되어 있지 않지만, 일부 실시형태에서는, 결합 커패시터(334)를 그라운드에 접속시키는 대신에, 신호 모드와 연관된 포트(301)가 50Ω 저온 부하와 함께 하이브리드 커플러 내에 입력될 수 있고, 하이브리드 커플러의 2개의 출력은 결합 커패시터(333) 및 결합 커패시터(334)에 접속된다.
JPC(202)는, 신호 모드에서의 방사를 증폭하는 3-파 혼합 프로세스를 초래하는 비선형성을 제공하는, 조셉슨 링 변조기(310)(JRM)에 기반한다. JRM(310)은 적어도 4개의 초전도 터널 접합(조셉슨 접합)을 포함하며, Φ0/2의 플럭스로 플럭스 바이어싱되고, 여기에서 Φ0 = h/2e는 양자 플럭스이다. 조셉슨 링 변조기(310)는 비선형 매체로서 역할하고 펌프 광자를 신호 및 아이들러 광자로 변환함으로써 주파수를 혼합한다. 구체적으로, 신호의 증폭은 신호 주파수(ωs)에서의 마이크로파 광자로 펌프(P)의 하향-변환을 통하여 달성된다. 신호 모드는 펌프 및 아이들러 모드로부터 잘 격리되어, 신호가 펌프 및 아이들러 광자로부터의 잡음으로부터 자유롭게 유지한다. JPC의 투과 이득 프로세스 동안 취득된 위상은 비-가역적이고 펌프(P)의 위상에 종속한다.
도 4a는 일부 실시형태에 따른 제1 JRM(400)의 도식도를 예시하고 있다. JRM(400)은 4개의 입/출력 포트(1 내지 4) 및 휘트스톤 브리지-유사 구성의 4개의 조셉슨 접합(410 내지 413)을 포함한다. 일부 실시형태에 있어서, 4개의 조셉슨 접합(410 내지 413)은 실질적으로 동일한 속성을 갖는다. 도 4b는 일부 실시형태에 따른 제2 JRM(401)의 도식도를 예시하고 있다. JRM(401)은 4개의 입/출력 포트(1-4), 휘트스톤 브리지-유사 구성의 4개의 조셉슨 접합(410 내지 413), 및 4개의 분로 조셉슨 접합(420 내지 423)을 포함한다. 분로 조셉슨 접합(420 내지 423)은 4개의 조셉슨 접합(410 내지 413)보다 더 클 수 있다. 분로 조셉슨 접합(410 내지 413)을 포함하는 것은 무분로 JRM(400)에 비해 JRM(401)의 유지력을 증가시킬 수 있다. JRM(400)에서도 그리고 JRM(401)에서도, 조셉슨 접합(410 내지 413)은 JPC(202)에 비선형성을 도입하는 것이다.
위에서는 마이크로스트립 공진기에 기반하는 특정 유형의 JPC가 예시되어 있지만, 일부 실시형태는 다른 유형의 JPC를 사용할 수 있다. 예컨대, JPC의 용량성 소자는 평행판 커패시터이고 인덕턴스는 조셉슨 접합의 인덕턴스에 의해 주로 지배되는, 용량성 및 유도성 분로 JPC, 및 특정 길이의 마이크로스트립보다는 공진기와 커패시터로부터 생성된 공진기에 기반하는 콤팩트 공진기 JPC. 더욱, 파라메트릭 증폭기(202, 204)는 JPC로 전혀 한정되지 않는다. 어느 적합한 위상-보존 증폭기라도 사용될 수 있다.
도 2가 방향성 증폭기(103)의 물리적 포트 및 접속을 예시하는 도식도인 반면, 도 5는 방향성 증폭기(103)의 도식적 표현으로서 각각의 라인은 파가 시스템을 통해 취할 수 있는 경로를 표현한다. 예컨대, 입력 포트(1)는 2개의 라인과 연관된다: 방향성 증폭기(103) 내로 흐르는 파를 표현하는 제1 라인 및 방향성 증폭기(103)로부터 다시 밖으로 흐르는 파를 표현하는 제2 라인. 도 5에서의 라인은 각각의 라인과 연관된 파 흐름의 방향을 표현하는 화살표로 마크 표시되어 있다.
도 5는 방향성 증폭기(103)의 동일한 주 컴포넌트는 물론 방향성 증폭기(103)에 들어가는 파에 대한 각각의 컴포넌트의 효과와 연관된 관련 있는 변수도 예시하고 있다. 예컨대, 프론트 커플러(201)에는 각각의 라인과 연관된 반사 진폭 및 투과 진폭으로 라벨이 붙어 있다. 프론트 커플러(201)가 대칭적(3㏈) 커플러이기 때문에, 포트(1)에 들어가고 포트(1')를 나가는 마이크로파에 대한 투과 진폭 및 포트(1')에 들어가고 포트(1)를 나가는 마이크로파에 대한 투과 진폭 및 포트(2)에 들어가고 포트(2')를 나가는 마이크로파에 대한 투과 진폭 및 포트(2')에 들어가고 포트(2)를 나가는 마이크로파에 대한 투과 진폭은 모두 1/sqrt(2)과 같다. 반면, 포트(1)에 들어가고 포트(2')를 나가는 마이크로파에 대한 반사 진폭, 포트(2')에 들어가고 포트(1)를 나가는 마이크로파에 대한 반사 진폭, 포트(2)에 들어가고 포트(1')를 나가는 마이크로파에 대한 반사 진폭, 및 포트(1')에 들어가고 포트(2)를 나가는 마이크로파에 대한 반사 진폭은 모두 i/sqrt(2)과 같으며, 여기에서 i=sqrt(-1)이다.
유사하게, 백 커플러(203)는 그 자신의 세트의 투과 진폭(α) 및 임의의 반사 진폭(iβ)과 연관되며, 여기에서 α 및 β는 둘 다 실수이다. 백 커플러(203)의 투과 및 반사 진폭은 아래에서 예시되는 바와 같이 소망 값으로 튜닝될 수 있다.
제1 파라메트릭 증폭기(202) 및 제2 파라메트릭 증폭기(204)는, 각각 r 및 s로 표시되는, 공진 주파수에서의 반사 이득 진폭 및 투과 이득 진폭과 각각 연관된다. 반사 및 투과 이득 진폭은 관계 r2 - s2 = 1를 충족한다. 이득 진폭은 복소수이고, 이득 진폭의 절대값 제곱은 신호가 파라메트릭 증폭기를 통해 투과되거나 그에 의해 반사될 때 경험할 실제 이득을 표현한다. 도 5에 도시된 것과 같은 일부 실시형태는 제1 파라메트릭 증폭기(202)에 대해서도 그리고 제2 파라메트릭 증폭기(204)에 대해서도 동일한 r 및 s를 사용하고 있지만, 실시형태는 동일한 이득 진폭을 갖는 것으로 한정되지 않는다. 다른 실시형태는 2개의 증폭기에 대해 다른 이득을 사용할 수 있다. r 및 s의 어느 적합한 값이라도 사용될 수 있다. 일부 실시형태에 있어서, 반사 이득 진폭(r)은 범위 1≤r<α-1 내인 것으로 한정된다. 이러한 범위 내의 반사 이득 진폭은 방향성 증폭기(103) 내에서의 더 안정한 피드백 루프를 초래할 수 있다.
제1 파라메트릭 증폭기(202) 및 제2 파라메트릭 증폭기(204)는 또한 증폭기를 구동하도록 사용된 펌프의 위상에 의해 결정되는 위상과 각각 연관된다. 제1 파라메트릭 증폭기(202)는 제1 위상(φ1)을 갖고, 제2 파라메트릭 증폭기(202)는 제1 위상(φ2)을 갖는다. 제1 위상과 제2 위상 간 차이는 어느 값으로라도 설정될 수 있다. 예컨대, 일부 실시형태에 있어서, 제1 위상과 제2 위상 간 차이는 파이/2 라디안(또는 90도)과 같다, 즉, φ1 - φ2 = π/2이다.
궁극적으로 입력 포트(1)로부터 출력 포트(2)에 이르는 도 5에 예시된 방향성 증폭기(103)를 통한 4개의 경로가 있으며, 도 6a 내지 도 6d와 연관하여 예시될 것이다. 각각의 도면은 도 5에 예시된 바와 동일한 방향성 증폭기(103)를 도시하지만, 화살표가 증폭기(103)를 통한 특정 경로를 하이라이트 표시하고 있다.
도 6a에 예시된 제1 경로에 있어서, 포트(1)로 들어오는 신호는 프론트 커플러(201)를 통해 포트(1')로 투과 진폭(1/sqrt(2))으로 투과된다. 제1 파라메트릭 증폭기(202)에 도달 시, 신호는 다시 프론트 커플러(201)로, 이득 진폭(r)으로, 반사된다. 프론트 커플러(201)에서, 신호는 출력 포트(2)로 반사 진폭(i/sqrt(2))으로 반사되고, 거기서 신호는 디바이스(103)를 나간다.
도 6b에 예시된 제2 경로에 있어서, 포트(1)로 들어오는 신호는 프론트 커플러(201)에서 포트(2')로 반사 진폭(i/sqrt(2))으로 반사된다. 제2 파라메트릭 증폭기(204)에 도달 시, 신호는 다시 프론트 커플러(201)로 이득 진폭(r)으로 반사된다. 프론트 커플러(201)에서, 신호는 출력 포트(2)로 투과 진폭(1/sqrt(2))으로 투과되고, 거기서 신호는 디바이스(103)를 나간다.
도 6c에 예시된 제3 경로에 있어서, 포트(1)로 들어오는 신호는 프론트 커플러(201)를 통해 포트(1')로 투과 진폭(1/sqrt(2))으로 투과된다. 제1 파라메트릭 증폭기(202)에 도달 시, 신호는 제2 파라메트릭 증폭기(204)로 이득 진폭(s) 및 위상(φ1)으로 투과된다. 제2 파라메트릭 증폭기(204)에서, 신호는 프론트 커플러로 이득 진폭(s) 및 위상(φ2)으로 투과된다. 프론트 커플러(201)에서, 신호는 출력 포트(2)로 투과 진폭(1/sqrt(2))으로 투과되고, 거기서 신호는 디바이스(103)를 나간다.
도 6d에 예시된 제4 경로에 있어서, 포트(1)로 들어오는 신호는 프론트 커플러(201)에서 포트(2')로 반사 진폭(i/sqrt(2))으로 반사된다. 제2 파라메트릭 증폭기(204)에 도달 시, 신호는 제1 파라메트릭 증폭기(202)로 이득 진폭(s) 및 위상(φ2)으로 투과된다. 제1 파라메트릭 증폭기(202)에서, 신호는 프론트 커플러로 이득 진폭(s) 및 위상(φ1)으로 투과된다. 프론트 커플러(201)에서, 신호는 출력 포트(2)로 반사 진폭(1/sqrt(2))으로 반사되고, 거기서 신호는 디바이스(103)를 나간다.
이들 4개의 경로는 경로들이 서로 간섭하게 되도록 코히어런트 가산되어, 수신된 마이크로파 신호의 소망 증폭을 초래한다. 디바이스의 4개의 포트 중 어느 하나로 입력된 신호가 4개의 포트로부터 출력되는 출력 신호로 방향성 증폭기(103)에 의해 어떻게 변환되는지를 매핑하는 "산란 행렬"을 사용하여 방향성 증폭기(103)의 컴포넌트의 다양한 파라미터의 항으로 방향성 증폭기(103)의 효과를 표현하는 것이 가능하다. 그리하여, 산란 행렬(S)은 다음과 같이 정의된다:
Figure pct00001
여기에서 Sij는 포트(j)에 입력되어 포트(i)로부터 출력되는 신호에 대한 산란 진폭을 표현한다. 일부 실시형태에 있어서, 방향성 증폭기(103)의 모든 컴포넌트가 고려될 때, 산란 행렬은 아래에 예시된 형태로 단순화된다. 상기 실시형태에 있어서, 백 커플러의 투과 및 반사 진폭은 α = β = 1/sqrt(2)이도록 설정되고 2개의 파라메트릭 증폭기 간 위상차는 Δφ = π/2이도록 설정된다. 이러한 경우에 있어서, 방향성 증폭기(103)의 산란 행렬은 다음과 같이 단순화된다.
Figure pct00002
여기에서는 이하의 파라미터 정의가 사용된다:
Figure pct00003
위 식(2) 내지 식(6)은, 프론트 커플러 및 백 커플러 진폭이 고정되고 위상차가 고정될 때, 방향성 증폭기(103)의 전체 산란 행렬은 유일한 파라미터가 2개의 파라메트릭 증폭기의 투과 이득 진폭(s)이게 되도록 작성될 수 있음을 예시하고 있다. 그리하여, s = 0으로 설정함으로써 디바이스가 "오프"일 때 방향성 증폭기(103)가 어떻게 거동하는지 결정하는 것이 가능하다. 이것은 펌프 신호를 오프로 돌리거나 아니면 펌프 신호가 파라메트릭 증폭기(202, 204)에 들어가는 것을 방지함으로써 행해질 수 있다. 방향성 증폭기(103)가 오프일 때, 산란 행렬은 다음과 같이 축약된다:
Figure pct00004
식(7)의 산란 행렬은, 방향성 증폭기(103)가 오프로 돌려질 때, 입력 포트(1)로부터 출력 포트(2)로의 투과 진폭이 1임을 나타낸다. 따라서, 신호가 획득되는 포트(1)에 접속된 디바이스(예컨대, 초전도 큐비트(101))는 방향성 증폭기(103)를 접속해제함이 없이 대안의 측정 수단을 사용하여 또는 방향성 증폭기와 대안의 측정 수단 간을 스위칭하는 스위치를 사용하여 측정될 수 있다.
파라메트릭 증폭기가 물리적으로 가능한 많은 이득으로 펌핑되는 "높은 이득 한계"에서, s = 1이다. 식(5) 및 식(6)을 사용하여, s가 1에 접근함에 따라 이러한 높은 이득 한계에서 방향성 증폭기가 어떻게 행동하는지 결정하도록 산란 행렬의 아래로부터의 한계가 계산될 수 있다. 높은 이득 한계에 있어서:
Figure pct00005
그리하여, 방향성 증폭기에 대한 산란 행렬은 다음과 같이 된다:
Figure pct00006
그리하여, 높은 이득 한계에 있어서, 방향성 증폭기(103)의 포트(1)를 통하여 입력된 신호에 대한 이론상 이득은 무한대인 한편 디바이스의 역방향 이득은, 1에 매우 가까운, |S122 = 9/8로 제한된다. 따라서, 일부 실시형태에 있어서, 방향성 증폭기(103)는 잠재적으로 무제한 순방향 이득을 갖는 한편 디바이스를 통한 역방향 이득의 양을 제한한다. 또한, 입력 포트(1)와 출력 포트(2)는 S11 = S22 = 0이도록 완벽히 정합되며, 높은 이득 한계에서도 반사 신호가 없음을 나타낸다.
그리하여 위의 실시형태는, 원칙적으로는, 순방향 이득에 대한 무제한 및 역방향 이득에 대한 9/8 한계를 갖는 양자-제한 동작을 할 수 있는 비-가역적 방향성 증폭기의 일 실시형태를 예시하고 있다.
다른 실시형태에서는, 방향성 증폭기(103)를 통한 역방향 이득(예컨대, 산란 행렬의 원소(S21))을 감축하는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 산란 행렬은 비-영 반사 계수를 갖는 희생으로 방향성 증폭기(103)를 통한 역방향 이득이 무시가능하게 되도록 튜닝될 수 있다. 그러한 실시형태는 역방향 이득을 감축하는 것이 중요한 경우 및 대응하는 비-영 반사 계수가 시스템의 다른 컴포넌트에 대한 문제를 생성하지 않을 경우의 애플리케이션에서 유용할 수 있다.
도 7은 일부 실시형태에 따라 신호를 증폭하는 방법(700)을 예시하고 있다. 단계(702)에서, 마이크로파 신호는 위에서 예시된 실시형태 중 일부에 따른 방향성 증폭기와 같은 방향성 증폭기의 입력 포트에서 수신된다. 단계(704)에서는, 수신된 마이크로파 신호가 하이브리드 커플러에서 2개의 부분으로 분기된다. 신호는 각각의 증폭기가 수신된 신호를 반사하는지 투과하는지에 기반하여 제1 파라메트릭 증폭기 및/또는 제2 파라메트릭 증폭기에서 부가적 부분으로 더 분기될 수 있다.
단계(706)에서는, 신호의 적어도 일부가 제1 파라메트릭 증폭기에 의해서도 그리고 제2 파라메트릭 증폭기에 의해서도 증폭된다. 일부 실시형태에 있어서, 제1 파라메트릭 증폭기는 제1 위상을 갖는 제1 마이크로파 펌프를 사용하여 펌핑되고 제2 파라메트릭 증폭기는 제2 위상을 갖는 제2 마이크로파 펌프를 사용하여 펌핑된다. 일부 실시형태에 있어서, 제1 위상과 제2 위상 간 차이는 파이/2 라디안이다.
저-잡음 방향성 증폭기의 실시형태가 위에서는 초전도 큐비트를 측정하도록 사용되는 것으로 예시되고 있지만, 실시형태는 다양한 애플리케이션에서 사용될 수 있다. 예컨대, 실시형태는 초전도 큐비트 상의 양자 게이트 연산을 초기화 및/또는 수행하도록 사용될 수 있다.
저-잡음 방향성 증폭기의 실시형태가 초전도 큐비트의 상태를 측정하도록 사용될 수 있기는 하지만, 실시형태는 다양한 애플리케이션에서 사용될 수 있다. 예컨대, 실시형태는 초전도 큐비트 상의 양자 게이트 연산을 초기화 및/또는 수행하도록 사용될 수 있다. 실시형태는 또한 양자 정보 프로세싱 밖의 애플리케이션을 가질 수 있다. 예컨대, 실시형태는, 레이더 신호의 검출 또는 천문학에서 사용되는 마이크로파 망원경과 같이, 저강도 마이크로파 방사의 검출이 수행되고 있는 어느 상황에서라도 사용될 수 있다.
저-잡음 방향성 증폭기의 적어도 하나의 실시형태의 수개의 태양을 그렇게 설명 및 예시하였지만, 다양한 개조, 수정 및 개선이 당업자에게는 쉽게 떠오를 것이라고 인식되는 것이다. 그러한 개조, 수정 및 개선은 본 개시의 일부분이라고 의도되며, 본 발명의 취지 및 범위 내에 있는 것으로 의도된다. 본 교시가 다양한 실시형태 및 예와 함께 예시되었기는 하지만, 본 교시가 그러한 실시형태 또는 예로 한정되려는 의도는 아니다. 반대로, 본 교시는, 당업자에 의해 인식될 바와 같은, 다양한 대안물, 수정물 및 균등물을 망라한다. 당업자는 설명된 모든 파라미터, 치수, 재료 및 구성이 비-한정적 예로서 제공되는 것임과, 실제의 파라미터, 치수, 재료 및/또는 구성은 본 발명의 교시가 사용되는 특정 애플리케이션 또는 애플리케이션들에 종속할 것임을 쉽게 인식할 것이다. 당업자는 또한 설명된 본 발명의 특정 실시형태에 대한 많은 균등물을 알아보거나, 또는 정례적인 것에 불과한 실험을 사용하여 확인할 수 있을 것이다. 그래서, 상기 실시형태는 단지 예로서 제시되는 것일 뿐임과, 본 발명의 범위 내에서, 본 발명의 실시형태는 구체적으로 설명 및 청구된 것과는 달리 실시될 수 있음이 이해되는 것이다. 본 개시의 발명의 실시형태는 설명된 각각의 개개의 특징, 시스템, 시스템 업그레이드 및/또는 방법에 관한 것일 수 있다. 부가적으로, 2개 이상의 그러한 특징, 시스템 및/또는 방법의 어느 조합이라도, 그러한 특징, 시스템, 시스템 업그레이드 및/또는 방법이 상호 모순되지 않으면, 본 개시의 본 발명의 범위 내에 포함된다.
더욱, 설명된 실시형태의 일부 이점이 나타나 있을 수 있기는 하지만, 모든 실시형태마다 모든 설명된 이점을 포함하지는 않을 것임을 인식하여야 한다. 일부 실시형태는 유익하다고 설명된 어느 특징도 구현하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 설명 및 도면은 단지 예에 의한 것일 뿐이다.
단수형 부정 관사는, 여기에서 사용될 때, 명확히 반대로 나타내지 않는 한, "적어도 하나"를 의미한다고 이해해야 한다.
구절 "및/또는"은, 여기에서 사용될 때, 그렇게 결합된 요소, 즉, 어떤 경우에서는 연접하여 존재하고 다른 경우에서는 이접하여 존재하는 요소 중 "어느 하나 또는 둘 다"를 의미한다고 이해하여야 한다. "및/또는"으로 열거된 다수의 요소는 동일한 방식으로, 즉, 그렇게 결합된 요소 중 "하나 이상"으로 해석되어야 한다. "및/또는" 절에 의해 구체적으로 식별된 요소 이외의 다른 요소가, 구체적으로 식별된 그들 요소와 관련되든 무관하든, 선택사항으로서 존재할 수 있다. 그리하여, 비-한정적 예로서, "A 및/또는 B"의 언급은, "포함하는"과 같은 제약을 두지 않는 언어와 함께 사용될 때, 일 실시형태에서는 A만(선택사항으로서는 B 이외의 요소를 포함); 다른 일 실시형태에서는 B만(선택사항으로서는 A 이외의 요소를 포함); 또 다른 일 실시형태에서는 A와 B 둘 다(선택사항으로서는 다른 요소를 포함) 등을 지칭할 수 있다.
여기에서 사용될 때, "또는"은 위에서 정의된 바와 같은 "및/또는"과 동일한 의미를 갖는다고 이해해야 한다. 예컨대, 목록에서의 항목을 구분할 때, "또는" 또는 "및/또는"은 포함적인 것으로, 즉, 소정 수 또는 목록의 요소 중, 적어도 하나를 포함하지만 또한 하나보다 많은 것, 및 선택사항으로서는 열거되지 않은 부가적 항목도 포함하는 것으로 해석되는 것이다. "중 단 하나" 또는 "중 정확히 하나"와 같이 명확히 반대로 나타낸 용어만이 소정 수 또는 목록의 요소 중 정확히 하나의 요소의 포함을 지칭할 것이다. 일반적으로, 사용되는 바와 같은 용어 "또는"은 "어느 하나", "중 하나", "중 단 하나" 또는 "중 정확히 하나"와 같은 배타적 용어가 따를 때 배타적 택일(즉, 하나 또는 다른 하나 그러나 둘 다는 아님")을 나타낸다고 해석될 뿐인 것이다.
여기에서 사용될 때, 하나 이상의 요소의 목록의 언급에서 구절 "적어도 하나"는 요소의 목록에서의 요소 중 어느 하나 이상으로부터 선택된 적어도 하나의 요소를 의미하지만, 요소의 목록 내에 구체적으로 열거된 각각의 그리고 모든 요소마다 중 적어도 하나를 반드시 포함하지는 않고 요소의 목록에서의 요소의 어느 조합도 배제하지는 않는다고 이해하여야 한다. 이러한 정의는 또한 구절 "적어도 하나"가 지칭하는 요소의 목록 내 구체적으로 식별된 요소 이외의 요소가, 구체적으로 식별된 그들 요소와 관련되든 무관하든, 선택사항으로서 존재할 수 있음을 허용한다. 그리하여, 비-한정적 예로서, "A 및 B 중 적어도 하나"(또는, 등가적으로, "A 또는 B 중 적어도 하나", 또는, 등가적으로 "A 및/또는 B 중 적어도 하나")는, 일 실시형태에서는, B 없이, 선택사항으로서는 하나보다 많은 것을 포함하는, 적어도 하나의 A(및 선택사항으로서는 B 이외의 요소를 포함); 다른 일 실시형태에서는, A 없이, 선택사항으로서는 하나보다 많은 것을 포함하는, 적어도 하나의 B(및 선택사항으로서는 A 이외의 요소를 포함); 또 다른 일 실시형태에서는, 선택사항으로서는 하나보다 많은 것을 포함하는, 적어도 하나의 A와, 선택사항으로서는 하나보다 많은 것을 포함하는, 적어도 하나의 B(및 선택사항으로서는 다른 요소를 포함); 등을 지칭할 수 있다.
"포함하고 있는", "포함하는", "지니는", "갖는", "함유하는", "수반하는", "보유하는", "으로 구성된" 등과 같은 모든 연결구는 제약을 두지 않는 것으로, 즉, ..를 포함하지만 이것으로 제한되는 것은 아닌 것으로 이해해야 한다. 연결구 "으로 이루어진" 및 "으로 본질적으로 이루어진"만이, 각각, 폐쇄형 또는 반-폐쇄형 연결구인 것이다.

Claims (20)

  1. 저-잡음 방향성 증폭기로서,
    제1 포트 및 제2 포트;
    제1 커플러 및 제2 커플러로서, 상기 제1 포트 및 상기 제2 포트가 상기 제1 커플러에 결합되는, 상기 제1 커플러 및 상기 제2 커플러;
    상기 제1 커플러 및 상기 제2 커플러에 접속된 제1 위상 보존 증폭기; 및
    상기 제1 커플러 및 상기 제2 커플러에 접속된 제2 위상 보존 증폭기를 포함하는, 저-잡음 방향성 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 포트는 적어도 하나의 입력 신호를 수신하도록 구성된 입력 포트이고 상기 제2 포트는 적어도 하나의 신호를 출력하도록 구성된 출력 포트인, 저-잡음 방향성 증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 저온 부하에 결합된 제3 포트 및 저온 부하에 결합된 제4 포트를 더 포함하는, 저-잡음 방향성 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 저-잡음 방향성 증폭기는 4개보다 적은 포트를 포함하는, 저-잡음 방향성 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 커플러는 3㏈ 커플러인, 저-잡음 방향성 증폭기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 위상 보존 증폭기의 반사 이득 진폭은 상기 제2 위상 보존 증폭기의 반사 이득 진폭과 동일하고 투과 이득 진폭은 상기 제2 위상 보존 증폭기의 투과 이득 진폭과 동일한, 저-잡음 방향성 증폭기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 위상 보존 증폭기의 상기 반사 이득 진폭은 1보다 크거나 같고 그리고 상기 제2 커플러의 투과 진폭의 역보다 작은, 저-잡음 방향성 증폭기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 위상 보존 증폭기 및 상기 제2 위상 보존 증폭기는 각각 조셉슨 파라메트릭 컨버터(JPC)인, 저-잡음 방향성 증폭기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 위상 보존 증폭기의 펌프 신호의 위상은 상기 제2 위상 보존 증폭기의 펌프 신호의 위상과 다른, 저-잡음 방향성 증폭기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 위상 보존 증폭기의 상기 펌프 신호의 상기 위상과 상기 제2 위상 보존 증폭기의 상기 펌프 신호의 상기 위상 간 차이는 파이 나누기 2 라디안인, 저-잡음 방향성 증폭기.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제1 위상 보존 증폭기의 상기 펌프 신호의 상기 위상과 상기 제2 위상 보존 증폭기의 상기 펌프 신호의 상기 위상 간 차이는 상기 저-잡음 방향성 증폭기가 비-가역적인지 결정하는, 저-잡음 방향성 증폭기.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 포트로부터 상기 제2 포트로 신호의 전달은 상기 제1 위상 보존 증폭기 및 상기 제2 위상 보존 증폭기에 펌프가 인가되지 않을 때 실질적으로 100%인, 저-잡음 방향성 증폭기.
  13. 제1항에 있어서, 상기 저-잡음 방향성 증폭기는 비-가역적이고 서큘레이터를 포함하지 않는, 저-잡음 방향성 증폭기.
  14. 제1항에 있어서, 상기 저-잡음 방향성 증폭기는 집적 회로의 적어도 일부분인, 저-잡음 방향성 증폭기.
  15. 집적 회로로서,
    저-잡음 방향성 증폭기; 및
    상기 저-잡음 방향성 증폭기가 큐비트(qubit)의 상태를 측정하도록 구성되게끔 상기 저-잡음 방향성 증폭기에 결합된 상기 큐비트를 포함하되,
    상기 저-잡음 방향성 증폭기는,
    제1 포트 및 제2 포트;
    제1 커플러 및 제2 커플러로서, 상기 제1 포트 및 상기 제2 포트가 상기 제1 커플러에 결합되는, 상기 제1 커플러 및 상기 제2 커플러;
    상기 제1 커플러 및 상기 제2 커플러에 접속된 제1 위상 보존 증폭기; 및
    상기 제1 커플러 및 상기 제2 커플러에 접속된 제2 위상 보존 증폭기를 포함하는, 집적 회로.
  16. 제15항에 있어서, 상기 저-잡음 방향성 증폭기는 양자 잡음 한계에서 상기 큐비트의 상기 상태를 측정하도록 구성되는, 집적 회로.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 큐비트는 복수의 큐비트 중 하나이고; 그리고
    상기 저-잡음 방향성 증폭기는 복수의 저-잡음 방향성 증폭기 중 하나이고, 상기 복수의 저-잡음 방향성 증폭기의 각각의 저-잡음 방향성 증폭기는 상기 복수의 큐비트 중 적어도 하나에 접속되는, 집적 회로.
  18. 마이크로파 신호를 증폭하는 방법으로서,
    방향성 증폭기의 입력 포트에서 상기 신호를 수신하는 단계;
    증폭된 신호를 생성하도록 제1 파라메트릭 증폭기도 그리고 제2 파라메트릭 증폭기도 사용하여 상기 신호의 적어도 일부를 증폭하는 단계; 및
    상기 증폭된 신호를 상기 방향성 증폭기의 출력 포트로 전송하여 출력하는 단계를 포함하는, 마이크로파 신호를 증폭하는 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 증폭하는 단계 이전에 상기 신호를 적어도 2개의 부분으로 분기하는 단계를 더 포함하는, 마이크로파 신호를 증폭하는 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제1 파라메트릭 증폭기는 제1 위상을 갖는 제1 마이크로파 펌프를 사용하여 펌핑되고; 그리고
    상기 제2 파라메트릭 증폭기는 제2 위상을 갖는 제2 마이크로파 펌프를 사용하여 펌핑되되, 상기 제1 위상과 상기 제2 위상 간 차이는 파이/2 라디안인, 마이크로파 신호를 증폭하는 방법.
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