KR20160070662A - 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 - Google Patents

아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 Download PDF

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Abstract

발광 효율 및 발광 수명을 향상시키는 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 아민 유도체는 하기의 화학식 1로 나타내어진다.
[화학식 1]
Figure pat00022

Description

아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자{AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자에 관한 것이다.
최근, 유기 일렉트로루미네센스(Organic Electroluminescence: 유기 EL) 표시 장치의 개발이 진행되고 있다. 또한, 유기 EL 표시 장치에 사용되는 자발광형의 발광 소자인 유기 EL 소자(Organic Electroluminescence Device)의 개발도 활발하게 행해지고 있다.
유기 EL 소자의 구조로서는 예를 들어, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극을 순서대로 적층한 구조가 알려져 있다. 이와 같은 유기 EL 소자에서는 양극 및 음극으로부터 각각 주입된 정공 및 전자가 발광층에서 재결합함으로써 여기자를 생성하고, 이어서, 생성된 여기자가 기저 상태로 천이함으로써 발광이 이루어진다.
여기서, 유기 EL 소자의 성능을 향상시키기 위해, 적층된 각 층의 재료로서 여러 가지 화합물이 검토되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 내지 3에서는, 아미노기 주위에 부피가 큰 치환기를 배치한 화합물이 기재되어 있고, 제안된 화합물을 사용함으로써, 유기 EL 소자의 수명을 연장시키는 기술이 개시되어 있다.
JP 2007-91719 A WO 2013-87142 A US 2014-138632 A
그러나, 특허문헌 1 내지 3에서 개시된 화합물을 사용한 유기 EL 소자에서는 발광 효율이 저하된다는 문제점이 있었다. 또한, 유기 EL 소자에 있어서, 종래 검토되어온 화합물은 어느 하나의 특성을 향상시키는 한편으로 다른 특성을 저하시켜 버리는 것이 많았다. 따라서, 다른 특성들을 저하시키지 않고, 유기 EL 소자의 성능을 향상시키는 것이 가능한 재료 화합물의 개발이 요구되고 있다.
특히, 본 발명은 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있는 신규한 아민 유도체 및 그 아민 유도체를 포함하는 유기 EL 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 하기의 화학식 1로 표시되는 아민 유도체가 제공된다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
X1 내지 X12는 각각 독립적이며 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 15 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 또는 임의의 인접한 치환기와 결합하여서 형성된 축합 고리기이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적이며, 피레닐기를 제외하는 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기이고,
A는 할로겐 원자이다.
상기의 일 실시예의 아민 유도체를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
또한, Ar1 및 Ar2에 있어서, 상기 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 아릴기로서는, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸큐페닐기, 섹시페닐기, 플루오레닐기, 트리페닐렌기, 비페닐렌기, 벤조플루오란테닐기, 크리세닐(chrysenyl)기, 페닐나프틸기, 나프틸페닐기 및 페닐안트라세닐기 등일 수 있다.
상술한 일 실시예의 아민 유도체를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 더 향상시킬 수 있다.
상기 Ar1 및 Ar2에 있어서, 상기 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 헤테로아릴기는 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 디벤조실롤릴기, 페닐디벤조퓨라닐기, 페닐디벤조티에닐기 또는 페닐카르바졸릴기일 수 있다.
상술한 일 실시예의 아민 유도체를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
상기 Ar1 및 Ar2 중의 적어도 어느 하나는 치환 또는 무치환의 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 디벤조실롤릴기 또는 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기 또는 디벤조실롤릴기로 치환된 아릴기일 수 있다.
상술한 일 실시예의 아민 유도체를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
상기 A는 불소 원자일 수 있다.
상술한 일 실시예의 아민 유도체를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 더 향상시킬 수 있다.
상기 X1 내지 X12는 서로 독립적이며, 수소 원자, 중수소 원자, 메틸기, 페닐기 또는 임의의 인접한 치환기와 결합하여 형성된 축합 고리기일 수 있다.
상술한 일 실시예의 아민 유도체를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예로는 상기 아민 유도체를 발광층 중에 포함하는 유기 일렉트로루미네센스(유기 EL) 소자가 제공된다.
일 실시예의 경우 발광 효율 및 발광 수명이 향상된 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예로는 상기 아민 유도체를 양극과 발광층 사이에 배치된 적어도 어느 하나 이상의 층에 포함하는 유기 EL 소자가 제공된다.
상술한 일 실시예의 경우 발광 효율 및 발광 수명이 향상된 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.
본 발명에 의하면, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 소자의 일 예를 나타내는 모식도이다.
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써, 중복 설명을 생략한다.
<본 발명의 일 실시 형태에 따른 아민 유도체>
먼저, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 아민 유도체에 대해서 설명한다. 일 실시예에 따른 아민 유도체는 유기 EL 소자의 정공 수송 재료로서 적합하게 사용하는 것이 가능한 하기의 화학식 1로 표시되는 화합물이다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에 있어서, X1 내지 X12는 서로 독립적이며, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 15 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 또는 임의의 인접한 치환기와 결합하여 형성된 축합 고리기이다.
또한, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적이며, 피레닐(Pyrenyl)기를 제외하는 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기이고, A는 할로겐 원자이다.
여기서, 화학식 1로 나타내어지는 아민 유도체는 Ar1, Ar2 및 그 치환기가 피레닐기가 아닌 화합물이다. 후술하는 실시예에서 설명되는 바와 같이, Ar1, Ar2 및 그 치환기가 피레닐기인 경우, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명이 저하되는 문제를 가질 수 있다.
이러한 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명의 저하는 피레닐기를 갖는 아민 유도체의 경우 유기 EL 소자의 구동 시에 피레닐기의 분자 간 상호 작용에 의해 엑시머가 형성되고, 분자 사이에서의 에너지 이동이 발생할 수 있기 때문이다. 즉, 피레닐기를 갖는 아민 유도체를 정공 수송 재료로서 사용한 경우, 엑시머 형성에 의해 분자 사이에서의 에너지 이동이 발생하여 발광층으로의 정공의 수송 효율을 저하시킬 수 있으며, 이로 인하여 발광 효율이 저하될 수 있다.
또한, 피레닐기를 갖는 아민 유도체의 경우는 분자량이 큰 피레닐기에 의해 열내성이 저하되고, 증착 프로세스에 의한 막 형성이 곤란하여 유기 EL 소자의 적층 재료로 적합하지 않다. 또한, 피레닐기를 갖는 아민 유도체는 피레닐기에 의해 전자 수송성이 높아지기 때문에, 피레닐기를 갖는 아민 유도체를 정공 수송층으로서 형성한 경우, 발광층으로부터의 전자 확산을 저지하는 기능이 저하될 수 있다. 이러한 특성으로 인하여 피레닐기를 갖는 아민 유도체는 유기 EL 소자의 발광 수명 및 발광 효율을 저하시킬 수 있어 정공 수송 재료로서 적합하지 않다.
또한, Ar1 및 Ar2에 적합한 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 아릴기로서는, 예를 들어, 페닐(phenyl)기, 나프틸(naphthyl)기, 안트라세닐기(anthracenyl), 페난트릴(phenanthryl)기, 비페닐(biphenyl)기, 터페닐(terphenyl)기, 쿼터페닐(quaterphenyl)기, 퀸큐페닐(quinquephenyl)기, 섹시페닐(sexiphenyl)기, 플루오레닐(fluorenyl)기, 트리페닐렌(triphenylene)기, 비페닐렌(biphenylene)기, 벤조플루오란테닐(benzofluorantenyl)기, 크리세닐(chrysenyl)기, 페닐나프틸기(phenylnaphthyl), 나프틸페닐기(naphthylphenyl), 및 페닐안트라세닐(phenylanthracenyl)기 등을 예시할 수 있다. 또한, Ar1 및 Ar2에 적합한 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 헤테로아릴기로서는 예를 들어, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 디벤조실롤릴기, 및 페닐디벤조퓨라닐기, 페닐디벤조티에닐기, 페닐카르바졸릴기 등을 예시할 수 있다.
또한, 화학식 1에 있어서, Ar1 및 Ar2의 적어도 어느 하나는 치환 또는 무치환의 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 디벤조실롤릴기, 또는 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기 혹은 디벤조실롤릴기로 치환된 아릴기인 것이 바람직하다. 이와 같은 아민 유도체를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
이것은 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기 또는 디벤조실롤릴기(즉, 디벤조헤테롤 고리를 갖는 치환기)에서는, 헤테로 원자에서 비페닐기를 가교함으로써, π 공액(conjugation)계가 확대되고, 캐리어가 발생할 때 생성되는 라디칼 양이온종을 안정화시킬 수 있기 때문인 것으로 생각된다. 그러므로, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체에서는, Ar1 및 Ar2의 적어도 어느 하나는 디벤조헤테롤 고리를 갖는 치환기인 것이 바람직하다.
또한, 화학식 1에 있어서, A는 불소 원자인 것이 바람직하다. 이와 같은 경우, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체는 유기 EL 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
이러한 유기 EL 소자의 발광 효율의 개선은 A가 불소 원자로 치환됨으로써, 아미노기가 갖는 질소 원자 주위의 부피가 증가하게 되고, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체의 에너지 준위가 높아질 수 있기 때문이다. 또한, A가 불소 원자로 치환된 경우, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체끼리의 분자간 거리가 작아지며 캐리어의 이동도가 보다 높아질 수 있어, 유기 EL 소자의 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 화학식 1에 있어서, X1 내지 X12는 서로 독립적이며, 제시된 모든 치환기일 수 있다. 예를 들어, X1 내지 X12는 수소 원자, 중수소 원자, 메틸기, 페닐기, 또는 임의의 인접한 치환기와 결합하여 형성된 축합 고리기일 수 있다.
예를 들어, X1 내지 X12가 취할 수 있는 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 아릴기로서는, 페닐(phenyl)기, 비페닐(biphenyl)기, 터페닐(terphenyl)기, 나프틸(naphthyl)기, 안트릴(anthryl)기, 페난트레닐(phenanthrenyl)기, 플루오레닐(fluorenyl)기, 인데닐(indenyl)기, 피레닐(pyrenyl)기, 플루오란테닐(fluoranthenyl)기, 트리페닐레닐(triphenylenyl)기 등을 들 수 있다.
또한, X1 내지 X12가 취할 수 있는 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 헤테로아릴기로서는, 예를 들어, 피라지닐(pyrazinyl)기, 피롤릴(pyrrolyl)기, 피리딜(pyridyl)기, 피리미딜(pyrimidyl)기, 피리다질(pyridazyl)기, 퓨라닐(furanyl)기, 피라닐(pyranyl)기, 티에닐(thienyl)기, 퀴놀릴(quinolyl)기, 이소퀴놀릴(isoquinolyl)기, 벤조퓨라닐(benzofuranyl)기, 벤조티에닐(benzothienyl)기, 인돌릴(indolyl)기, 벤조옥사졸릴(benzoxazolyl)기, 벤조티아졸릴(benzothiazolyl)기, 퀴녹살릴(quinoxalyl)기, 벤조이미다졸릴(benzoimidazolyl)기, 피라졸릴(pyrazolyl)기, 테트라 졸릴(tetrazolyl)기, 이미다졸릴(imidazolyl)기, 옥사졸릴(oxazolyl)기, 이소옥사졸릴(isoxazolyl)기, 티아졸릴(thiazolyl)기, 이소티아졸릴(isothiazolyl)기, 카르바졸릴(carbazolyl)기, 디벤조퓨라닐(dibenzofuranyl)기, 및 디벤조티에닐(dibenzothienyl)기 등을 들 수 있다.
또한, X1 내지 X12가 취할 수 있는 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기로서는, 예를 들어, 메틸(methyl)기, 에틸(ethyl)기, 프로필(propyl)기, 부틸(butyl)기, 옥틸(octyl)기, 데실(decyl)기, 펜타데실(pentadecyl)기 등의 직쇄 형상 알킬기 및 t- 부틸기 등의 분지 형상 알킬기 등을 들 수 있다.
여기서, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체는 유기 EL 소자에 있어서, 유기 EL 소자의 발광층과 양극 사이에 배치된 적어도 어느 하나 이상의 층에 포함될 수 있다. 구체적으로는, 화학식 1로 나타내는 아민 유도체는 유기 EL 소자의 정공 수송층 및 정공 주입층에 포함되는 것이 바람직하다.
단, 유기 EL 소자에 있어서, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체가 포함되는 층은 상기 예시에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체는 유기 EL 소자의 양극 및 음극 사이에 배치된 유기층 중의 어느 하나에 포함될 수 있고, 예를 들어 발광층에 포함될 수 있다.
특히, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체는 청색 발광 재료 또는 녹색 발광 재료를 포함하는 발광층을 갖는 유기 EL 소자의 정공 수송층에 포함될 수 있다. 화학식 1로 표시되는 아민 유도체가 이와 같은 유기 EL 소자의 정공 수송층에 포함된 경우, 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다.
이하에서는, 상술한 화학식 1로 표시되는 아민 유도체의 구체적인 예로서 화합물 1 내지 52의 구조식을 나타낸다. 단, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체가 이하에 제시된 화합물에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 2]
Figure pat00003
[화학식 3]
Figure pat00004
[화학식 4]
Figure pat00005
이상 설명한 바와 같이, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체는 정공 수송 재료로서 적합하게 사용될 수 있다. 또한, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체를 포함하는 유기 EL 소자는 발광 효율 및 발광 수명이 개선될 수 있다.
이상에서, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체에 대해서 상세하게 설명하였다.
<본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 소자>
일 실시형태에 따른 아민 유도체를 사용한 일 실시예의 유기 EL 소자에 대하여, 도 1을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1은 일 실시 형태에 따른 유기 EL 소자의 실시예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 일 실시예의 유기 EL 소자(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치된 제 1 전극(120), 제 1 전극(120) 상에 배치된 정공 주입층(130), 정공 주입층(130) 상에 배치된 정공 수송층(140), 정공 수송층(140) 상에 배치된 발광층(150), 발광층(150) 상에 배치된 전자 수송층(160), 전자 수송층(160) 상에 배치된 전자 주입층(170) 및 전자 주입층(170) 상에 배치된 제 2 전극(180)을 구비한다.
예를 들어, 상술한 일 실시예의 아민 유도체는 제 1 전극(120)과 발광층(150) 사이에 배치된 정공 주입층(130) 및 정공 수송층(140) 중 적어도 어느 하나의 층에 포함될 수 있다. 또한, 일 실시 형태에 따른 아민 유도체는 발광층(150)에 포함될 수도 있다.
기판(110)은 일반적인 유기 EL 소자에서 사용되는 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 글래스(glass) 기판, 반도체 기판 또는 투명한 플라스틱(plastic) 기판 등일 수 있다.
기판(110) 상에는 제 1 전극(120)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(120)은 양극일 수 있다. 또한, 제 1 전극(120)은 금속, 합금 또는 도전성 화합물 등 중 일 함수가 큰 재료로 투과형 전극으로서 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(120)은 투명하고, 도전성이 우수한 산화인듐주석(In2O3-SnO2:ITO), 산화인듐아연(In2O3-ZnO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 제 1 전극(120)은 상술한 재료로 형성될 수 있는 투명 도전막에 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al) 등을 적층한 반사형 전극으로서 형성될 수도 있다.
제 1 전극(120) 상에는, 정공 주입층(130)이 배치될 수 있다. 정공 주입층(130)은 제 1 전극(120)으로부터의 정공의 주입을 용이하게 하는 기능을 구비한 층이고, 예를 들어, 10 nm 이상 150 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
정공 주입층(130)은 화학식 1로 표시되는 아민 유도체로 형성될 수 있다. 또한, 정공 주입층(130)은 공지의 정공 주입 재료로 형성될 수도 있다. 정공 주입층(130)을 형성하는 공지의 정공 주입 재료로서는 예를 들어, 트리 페닐 아민 함유 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-이소프로필-4´-메틸디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)붕산염(PPBI), N, N´-디페닐-N, N´-비스-[4-(페닐-m-톨릴-아미노)-페닐]-비페닐-4, 4´-디아민(DNTPD), 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌 화합물, 4, 4´, 4˝-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민(m-MTDATA), N, N´-디(1-나프틸)-N, N´-디페닐벤지딘(NPB), 4, 4´, 4˝-트리스{N, N디아미노}트리페닐아민(TDATA), 4, 4´, 4˝-트리스(N, N-2-나프틸페닐아미노)트리페닐아민(2-TNATA), 폴리아닐린/도데실(dodecyl)벤젠설폰산(Pani/DBSA), 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트(sulfonate))(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캠퍼(camphor)설폰산(Pani/CSA), 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트(sulfonate))(PANI/PSS) 등을 예로서 들 수 있다.
정공 주입층(130) 상에는 정공 수송층(140)이 배치될 수 있다. 정공 수송층(140)은 정공을 수송하는 기능을 할 수 있으며, 예를 들어, 10 nm 이상 150 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 정공 수송층(140)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
정공 수송층(140)은 화학식 1로 표시되는 일 실시예의 아민 유도체로 형성될 수 있다. 또한, 화학식 1로 표시되는 아민 유도체가 다른 층(예를 들어, 정공 주입층(130) 등)에 포함되는 경우, 정공 수송층(140)은 공지의 정공 수송 재료로 형성될 수도 있다. 공지의 정공 수송 재료는, 예를 들어, 1, 1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]시클로헥산(TAPC), N-페닐카르바졸(N-phenyl carbazole), 폴리비닐카르바졸(polyvinyl carbazole) 등의 카르바졸 유도체, N, N´-비스(3-메틸페닐)-N, N´-디페닐-[1, 1-비페닐]-4, 4´-디아민(TPD), 4, 4´, 4˝-트리스(N-카르바졸릴)트리페닐아민(TCTA), N, N´-디(1-나프틸)-N, N´-디페닐벤지딘(NPB) 등일 수 있다.
정공 수송층(140) 상에는 발광층(150)이 배치될 수 있다. 발광층(150)은 형광, 인광 등에 의해 광을 방출하는 층이고, 예를 들어, 10 nm 이상 60 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 발광층(150)의 발광 재료로서는 공지의 발광 재료가 사용될 수 있다. 구체적으로 공지의 발광 재료인 플루오란텐(fluoranthene) 유도체, 스티릴(styryl) 유도체, 피렌(pyrene) 유도체, 아릴아세틸렌(arylacetylene) 유도체, 플루오렌(fluorene) 유도체, 페릴렌(perylene) 유도체, 크리센(chrysene) 유도체 등이 사용될 수 있다. 또한, 바람직하게는 발광층(150)의 발광 재료로 스티릴 유도체, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 안트라센 유도체가 사용될 수 있다.
예를 들어, 발광층(150)의 발광 재료로서 하기의 화학식 5로 나타내어지는 안트라센 유도체가 사용될 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00006
상기 화학식 5에 있어서,
Ar3은 서로 독립하여, 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1 이상 50 이하의 치환 또는 무치환의 알킬(alkyl)기, 고리 형성 탄소수 3 이상 50 이하의 치환 또는 무치환의 시클로알킬(cycloalkyl)기, 탄소수 1 이상 50 이하의 치환 또는 무치환의 알콕시(alkoxy)기, 탄소수 7 이상 50 이하의 치환 또는 무치환의 아랄킬(aralkyl)기, 고리 형성 탄소수 6 이상 50 이하의 치환 또는 무치환의 아릴옥시(aryloxy)기, 고리 형성 탄소수 6 이상 50 이하의 치환 또는 무치환의 아릴티오(arylthio)기, 탄소수 2 이상 50 이하의 치환 또는 무치환의 알콕시카르보닐(alkoxycarbonyl)기, 고리 형성 탄소수 6 이상 50 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 5 이상 50 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 무치환의 실릴(silyl)기, 카르복실(carboxyl)기, 할로겐(halogen) 원자, 시아노(cyano)기, 니트로(nitro)기, 또는 하이드록실(hydroxyl)기이고, n은 1 이상 10 이하의 정수이다.
예를 들어, Ar3은 서로 독립하여 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 플루오레닐기, 인데닐기, 피레닐기, 아세트나프테닐기, 플루오란테닐, 트리페닐레닐기, 피리딜기, 퓨라닐기, 피라닐기, 티에닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 벤조퓨라닐기, 벤조티에닐기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 퀴녹살릴(quinoxalyl)기, 벤조옥사졸릴기, 피라졸릴기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티에닐기 등일 수 있다. 또한, 바람직하게는 Ar3은 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카르바졸릴기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기 등일 수 있다.
상기 화학식 5로 표시되는 화합물은 예를 들어, 이하의 화학식 6에 제시된 구조식에 의해 나타내는 화합물 a-1~a-12일 수 있다. 단, 화학식 5로 표시되는 화합물이 이하의 화합물 a-1~a-12에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 6]
Figure pat00007
발광층(150)의 발광 재료는 예를 들어, 1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB),4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB),N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi) 등의 스티릴 유도체가 사용될 수 있다. 또한, 발광층(150)의 발광 재료로서, 예를 들어 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene(TBPe) 등의 페릴렌 유도체가 사용될 수 있고, 1,1-dipyrene,1,4-dipyrenylbenzene,1,4-bis(N,N-diphenylamino)pyrene 등의 피렌 유도체가 사용될 수 있다. 단, 본 발명의 실시예는 상기의 예시 화합물에 한정되는 것은 아니다.
발광층(150) 상에는 전자 수송층(160)이 배치될 수 있다. 전자 수송층(160)은 전자 수송 기능을 할 수 있으며, 예를 들어 15 nm 이상 50 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
전자 수송층(160)은 공지의 전자 수송 재료로 형성될 수 있다. 공지의 전자 수송 재료로서는 예를 들어, tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium(Alq3), 및 함질소 방향족 고리를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 함질소 방향족 고리를 갖는 화합물은 예를 들어, 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene과 같은 피리딘(pyridine) 고리를 포함하는 화합물, 2,4,6-tris(3´-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine과 같은 트리아진(triazine) 고리를 포함하는 화합물, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene과 같은 이미다졸(imidazole) 고리를 포함하는 화합물 등일 수 있다.
전자 수송층(160) 상에는 전자 주입층(170)이 배치될 수 있다. 전자 주입층(170)은 제 2 전극(180)으로부터의 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 할 수 있으며, 0.3 nm 이상 9 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 전자 주입층(170)은 전자 주입층(170)을 형성하는 재료로서 공지된 재료가 모두 사용될 수 있다. 예를 들어, 전자 주입층(170)은 리튬8-퀴놀리나토(Liq) 및 불화리튬(LiF) 등의 Li 착체, 염화나트륨(NaCl), 불화세슘(CsF), 산화리튬(Li2O) 또는 산화바륨(BaO) 등으로 형성될 수 있다.
전자 주입층(170) 상에는 제 2 전극(180)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(180)은 음극일 수 있다. 제 2 전극(180)은 금속, 합금, 또는 도전성 화합물 등 중 일 함수가 작은 재료로 형성될 수 있으며, 또한 반사형 전극으로서 형성될 수 있다. 제 2 전극(180)은 예를 들어, 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca) 등의 금속, 또는 알루미늄-리튬(Al-Li), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등의 금속의 혼합물로 형성될 수도 있다. 또한, 제2 전극(180)은 상기 금속 재료의 20 nm 이하의 박막이나, 산화인듐주석, 산화인듐아연 등의 투명 도전성 막에 의해 투과형 전극으로서 형성될 수 있다.
또한, 상술한 각 층은 진공 증착법, 스퍼터(sputter)법, 각종 도포법 등 재료에 따른 공지의 적절한 성막 방법에 의해 형성될 수 있다. 제 1 전극(120) 및 제 2 전극(180) 사이에 배치된 각 유기층은 예를 들어, 각종 증착법, 각종 도포법 등으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(120) 및 제2 전극(180) 등의 각 금속층은 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터법 등으로 형성될 수 있다.
이상, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 소자(100)의 일 실시예에 대하여 설명하였다. 일 실시예의 유기 EL 소자(100)는 화학식 1로 표시되는 아민 유도체를 포함함으로써, 개선된 발광 효율 및 발광 수명을 나타낼 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 유기 발광 소자(100) 실시예의적층 구성은 상기 예시에 한정되지 않는다. 일 실시예의 유기 EL 소자(100)는 공지의 다른 적층 구조로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 유기 EL 소자(100)는 정공 주입층(130), 정공 수송층(140), 전자 수송층(160) 및 전자 주입층(170) 중 적어도 어느 하나의 층을 구비하지 않을 수 있다. 또한, 제시된 층 이외에 다른 층을 더 구비할 수도 있다. 유기 EL 소자(100)에 포함되는 각 층은 단층으로 형성될 수도 있고, 또한 복수의 층으로 형성될 수도 있다.
또한, 유기 EL 소자(100)는 3중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층(160)으로 확산되는 것을 방지하기 위해, 정공 수송층(140)과 발광층(150) 사이에 정공 저지층을 포함할 수도 있다. 정공 저지층은 예를 들어, 옥사디아졸(oxadiazole) 유도체, 트리아졸(triazole) 유도체, 또는 페난트롤린(phenanthroline) 유도체 등에 의해 형성될 수 있다.
<실시예>
이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체 및 그 아민 유도체를 포함하는 유기 EL 소자에 대해 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는 일 실시예로서, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 EL 발광 소자가 하기의 실시예에 한정되지 않는다.
[아민 유도체의 합성]
먼저, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체의 합성 방법에 대해서, 상기 화학식 2에서 예시한 화합물 2, 상기 화학식 3에서 예시한 화합물 14 및 28 및 화학식 4의 화합물 42의 합성 방법을 나타내어 구체적으로 설명한다. 단, 이하에 설명하는 아민 유도체의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 아민 유도체의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 반응식 1 내지 4에서 사용한 시약은 와코우 순수 화학 주식회사(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), 칸토 화학(KANTO KAGAKU) 주식회사 또는 도쿄 화성 공업 주식회사(TOKYO KASEI KOGYO CO. LTD.)에서 시판되고 있는 것을 사용하였다.
(화합물 2의 합성)
이하의 반응식 1에 의해, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체인 화합물 2를 합성하였다.
[화학식 7]
Figure pat00008
먼저, 아르곤(Ar) 분위기 하에서, 1L의 3구 플라스크(flask)에, 화합물 A(40g), 페닐보론산(phenylboronic acid)(36.2g), 테트라키스트리페닐포스핀파라듐(0)(Pd(PPh3)4)(34g), 탄산칼륨(K2CO3)(20.5g) 을 혼합하고, 톨루엔(toluene)(740 mL)과 에탄올(ethanol) 및 물의 혼합물(74 ml)의 혼합 용매 중에서 8 시간 가열 환류하였다. 공냉(air cooling) 후, 물을 더하여 유기층을 분리하고, 분리한 유기층으로부터 용매를 증류하였다. 획득된 조성 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(silicagel column chromatography) (디클로로메탄(dichloromethane)과 헥산(hexane)의 혼합 용매를 사용)으로 정제한 후, 톨루엔/헥산 혼합 용매로 재결정하고, 흰색 고체의 목적 화합물 B를 얻었다(37.9g, 수율 97%).
다음으로 아르곤 분위기 하에서 100 mL의 3 입구 플라스크에 화합물 B(2.0g), 화합물 C(4.0g), 비스(디벤질리덴아세톤)파라듐(0)(Pd(dba)2)(0.49g), 트리-tert-부틸포스핀((tBu)3P)(0.31g), 나트륨 tert-부톡시드(NaOtBu)(2.2g)을 더하여, 톨루엔(45mL) 중에서 6 시간 가열 환류 하였다. 공냉 후, 물을 더하여 유기층을 분리하고, 분리한 유기층으로부터 용매를 증류하였다. 얻어진 조성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제한 후, 톨루엔/헥산 혼합 용매로 재결정하고, 흰색 고체의 목적 화합물 2를 획득하였다(3.5g, 수율 82%).
얻어진 목적 화합물에 대하여, 1HNMR(1H Nuclear Magnetic Resonance) 측정을 시행하였으며, 측정된 케미칼 시프트(chemical shift) 값은 7.75-7.70(m, 6H), 7.67(s,1H),7.58(d,1H), 7.55-7.37(m,20H), 7.12-7.08(m,2H)이었다. 또한, 얻어진 목적 화합물에 대하여, FAB-MS(Fast Atom Bombardment-Mass Spectrometry)를 이용하여 측정하였으며, 측정된 분자량은 567이었다. 이들의 결과로부터 획득된 화합물이 화합물 2인 것을 확인할 수 있었다.
(화합물 14의 합성)
또한, 이하의 반응식 2에 의해 본 실시 형태에 따른 아민 유도체인 화합물 14를 합성하였다.
[화학식 8]
Figure pat00009
먼저, 아르곤 분위기 하에서 100 mL의 3구 플라스크에 화합물 B(2.0g), 화합물 C(4.0g), 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)(Pd(dba)2)(0.49g), 트리-tert-부틸포스핀((tBu)3P)(0.31g), 나트륨 tert-부톡시드(NaOtBu)(2.2g)을 더하여, 톨루엔(45 mL) 중에서 6 시간 동안 가열 환류 하였다. 공냉(Air Cooling)한 후, 물을 더하여 유기층을 분리하고, 분리한 유기층으로부터 용매를 증류하였다. 얻어진 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제한 후, 톨루엔/헥산 혼합 용매로 재결정하여 흰색 고체의 목적 화합물 D를 얻었다(2.8g, 수율 90%).
다음으로 아르곤 분위기 하에서, 100 mL의 3구 플라스크에 화합물 D(2.0g), 화합물 E(1.4g), 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)(Pd(dba)2)(0.31g), 트리-tert-부틸포스핀((tBu)3P)(0.19g), 나트륨tert-부톡시드(NaOtBu)(1.4g)을 가하고, 톨루엔(30 mL) 중에서 6 시간 동안 가열 환류 하였다. 공냉한 후, 물을 더하여 유기층을 분리하고, 분리한 유기층으로부터 용매를 증류하였다. 얻어진 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제한 후, 톨루엔/헥산 혼합 용매로 재결정하고, 흰색 고체의 목적 화합물 14를 얻었다(2.5g, 수율 88%).
얻어진 목적 화합물에 대하여, 1HNMR 측정을 시행하였으며, 측정된 케미칼 시프트 값은 8.00(d, 1H), 7.87(d, 1H), 7.78(d,1H), 7.66(d,1H), 7.51-7.47(m,2H), 7.45-7.36(m,9H), 7.32-7.29(m,2H), 7.22-7.19(m,2H), 7.15-7.12(m,3H), 7.04(dd,1H), 7.00(d,2H) 이었다. 또한, 얻어진 목적 화합물에 대하여, FAB-MS를 이용하여 측정하였으며 측정된 분자량은 582이었다. 이러한 결과값으로부터 얻어진 목적 화합물이 화합물 14인 것을 확인할 수 있었다.
(화합물 28의 합성)
또한, 이하의 반응식 3에 의해, 일 실시예의 아민 유도체인 화합물 28을 합성하였다.
[화학식 9]
Figure pat00010
먼저, 아르곤 분위기 하에서, 100 mL의 3구 플라스크에 화합물 B(2.0g), 화합물 F(4.7g), 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)(Pd(dba)2)(0.31g), 트리-tert-부틸포스핀((tBu)3P)(0.19g), 나트륨tert-부톡시드(NaOtBu)(1.4g)을 더하여, 톨루엔(45 mL) 중에서 6 시간 동안 가열 환류 하였다. 공냉한 후, 물을 더하여 유기층을 분리하고, 분리한 유기층으로부터 용매를 증류하였다. 얻어진 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제한 후, 톨루엔/헥산 혼합 용매로 재결정하고, 흰색 고체의 목적 화합물 28을 얻었다(3.7g, 수율 79%).
얻어진 목적 화합물에 대하여, 1HNMR 측정을 시행하였으며, 측정된 케미칼 시프트 값은 8.01(d, 1H), 7.80(d, 1H), 7.78(d, 1H), 7.75(d, 1H), 7.51-7.47(m,2H), 7.45-7.36(m,7H), 7.34-7.30(m,2H), 7.26-7.22(m,2H), 7.10-7.06(m,3H), 7.05(dd,1H), 6.99(d,2H) 이었다. 또한, 얻어진 목적 화합물에 대하여, FAB-MS를 이용하여 측정하였으며, 측정된 분자량은 628이었다. 이러한 결과값으로부터 얻어진 목적 화합물이 화합물 28인 것을 확인할 수 있었다.
(화합물 42의 합성)
또한, 이하의 반응식 4에 의해, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체인 화합물 42를 합성하였다.
[화학식 10]
Figure pat00011
먼저 아르곤 분위기 하에서, 100 mL의 3구 플라스크에, 화합물 B(2.0g), 화합물 G(1.9g), 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)(Pd(dba)2)(0.49g), 트리-tert-부틸포스핀((tBu)3P)(0.31g), 나트륨 tert-부톡시드(NaOtBu)(2.2g)을 더하여, 톨루엔(45 mL) 중에서 6 시간 동안 가열 환류 하였다. 공냉한 후, 물을 더하여 유기층을 분리하고, 분리한 유기층으로부터 용매를 증류하였다. 얻어진 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제한 후, 톨루엔/헥산 혼합 용매로 재결정하고, 흰색 고체의 목적 화합물 H를 얻었다(2.8g, 수율 95%).
다음으로 아르곤 분위기 하에서, 100 mL의 3구 플라스크에, 화합물 H(2.0g), 화합물 I(2.1g), 비스(디벤질리덴아세톤)파라듐(0)(Pd(dba)2)(0.33g), 트리-tert-부틸포스핀((tBu)3P)(0.21g), 나트륨 tert-부톡시드(NaOtBu)(1.5g)을 더하여, 톨루엔(35 mL) 중에서 6 시간 동안 가열 환류 하였다. 공냉한 후, 물을 더하여 유기층을 분리하고, 분리한 유기층으로부터 용매를 증류하였다. 얻어진 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제한 후, 톨루엔/헥산 혼합 용매로 재결정하고, 흰색 고체의 목적 화합물 42를 얻었다(2.5g, 수율 86%).
얻어진 목적 화합물에 대하여, 1HNMR 측정을 시행하였으며, 측정된 케미칼 시프트 값은, 8.55(d, 1H), 8.45(d, 1H), 8.32(d, 1H), 8.22(d, 1H), 8.15(d, 1H), 7.93(d, 1H), 7.81-7.37(m, 22H), 7.08-7.05(m, 2H) 이었다. 또한, 얻어진 목적 화합물에 대하여, FAB-MS를 이용하여 측정하였으며, 측정된 분자량은 648이었다. 이러한 결과값으로부터 얻어진 목적 화합물이 화합물 42인 것을 확인할 수 있었다.
[유기 EL 소자의 제작]
다음으로 진공 증착법을 사용하여, 일 실시예의 아민 유도체를 포함하는 일 실시예의 청색 발광의 유기 EL 소자를 제작하였다.
(실시예 1)
먼저 패터닝(patterning)한 후, 세정 처리를 실시한 ITO-유리 기판에 자외선 및 오존(O3)을 이용한 표면 처리를 실시하였다. 또한, ITO-글래스 기판에서 ITO 막(ITO막은 제 1 전극일 수 있다)의 두께는 150 nm일 수 있다. 표면 처리가 완료된 기판을 유기층 성막용 증착기에 투입하고, 10-4~10-5Pa의 진공도로 정공 주입층, 정공 수송층(HTL), 발광층 및 전자 수송층을 순서대로 증착하였다.
정공 주입층은 4,4´,4˝-트리스(N,N-2-나프틸페닐아미노)트리페닐아민(2-TNATA)으로 막 두께 60 nm로 형성하였다. 정공 수송층(Hole Transfer Layer : HTL) 은 앞서 설명한 화합물 2를 이용하여 막 두께 30nm 로 형성하였다. 또한, 발광층은 호스트(host) 재료로서 9,10-디(2-나프틸)안트라센(ADN)을 사용하고, 도펀트(dopant) 재료로서 2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌(TBP)을 사용하여 막 두께 25 nm로 형성하였다. 또한, 도펀트 재료의 도핑(doping) 양은 호스트 재료의 총 질량에 대해 3 질량%로 하였다. 또한, 전자 수송층은 Alq3로 막 두께 25 nm로 형성하였다.
이어서, 금속막형성 증착기로 기판을 옮기고, 10-4~10-5Pa의 진공도로 전자 주입층 및 제 2 전극을 증착하여 유기 EL 소자를 제작하였다. 또한, 전자 주입층은 LiF로 막 두께 1 nm로 형성하고, 제 2 전극은 알루미늄(Al)으로 막 두께 100 nm로 형성하였다.
(실시예 2)
정공 수송층(HTL)을 화합물 14로 형성한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다.
(실시예 3)
정공 수송층(HTL)을 화합물 28로 형성한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다.
(실시예 4)
정공 수송층(HTL)을 화합물 42로 형성한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다.
또한, 하기에 화합물 2, 14, 28, 42를 확인하기 위해 열거한다.
[화학식 11]
Figure pat00012
(비교예 1)
정공 수송층(HTL)을 하기의 화합물 53으로 형성한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다. 또한, 화합물 53은 정공 수송 재료로서 일반적인 아릴아민 유도체이다.
(비교예 2)
정공 수송층(HTL)을 하기의 화합물 54로 형성한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다. 또한, 화합물 54는 본 실시 형태에 따른 아민 유도체에 대해, A가 페닐기인 점이 다른 화합물이다.
(비교예 3)
정공 수송층(HTL)을 하기의 화합물 55로 형성한 것 이외에는 실시예 1과동일한 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다. 또한, 화합물 55는 피레닐기를 치환기로서 갖는 아민 유도체이다.
[화학식 12]
Figure pat00013
[평가 결과]
제작한 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 따른 유기 EL 소자의 평가 결과를 이하의 표 1에 나타낸다. 또한, 제작한 유기 EL 소자(100)의 전계 발광 특성의 평가에는 하마마츠 포토닉스(HAMAMATSU Photonics)사 제 C9920-11 휘도 배향 특성 측정 장치를 사용하였다. 또한, 하기의 표 1에서 나타내는 결과는 전류 밀도 10 mA/cm2로 측정하고, 발광 수명은1000 cd/m2의 휘도가 반감하기까지의 시간(LT50) 이다.
HTL 발광 효율(cd/A) 발광 수명 (LT50)[hrs]
실시예 1 화합물 2 8.0 1,500
실시예 2 화합물 14 7.8 2,300
실시예 3 화합물 28 8.1 2,500
실시예 4 화합물 42 7.9 2,000
비교예 1 화합물 53 5.0 1,200
비교예 2 화합물 54 5.8 1,400
비교예 3 화합물 55 4.0 1,000
표 1의 결과를 참조하면, 일 실시예의 아민 유도체를 정공 수송층(HTL)에 사용한 실시예 1 내지 4의 경우는 비교예 1 내지 3과 비교하여 발광 효율 및 발광 수명이 향상된 것을 알 수 있다.
예를 들어, 실시예 1 내지 4는 일반적인 정공 수송 재료인 화합물 53을 HTL에 사용한 비교예 1과 비교하여 발광 효율 및 발광 수명이 향상된 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 내지 4는 A가 할로겐 원자가 아닌 페닐기인 화합물 54를 HTL에 사용한 비교예 2와 비교하여 발광 효율이 개선된 것을 알 수 있다. 이는 실시예 1 내지 4의 경우 A에 할로겐 원자를 포함함으로써, 분자간 거리가 작아지고, 정공 이동도가 향상하기 때문일 수 있다. 또한, 실시예 1 내지 4는 피레닐기를 치환기로서 갖는 화합물 55를 HTL에 사용한 비교예 3과 비교하여 발광 효율 및 발광 수명이 향상되는 것을 알 수 있으며, 이는 실시예의 경우 분자간 상호 작용에 의한 엑시머 형성이 발생하지 않기 때문일 수 있다.
또한, 비페닐기를 헤테로 원자로 가교한 디벤조헤테롤구조를 갖는 화합물 14, 28, 42를 HTL에 사용한 실시예 2 내지 4는 확대된 π 공액(conjugation)계가 라디칼 양이온종을 안정화시키기 때문에, 실시예 1과 비교하여 발광 수명이 향상된 것을 알 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체는 디벤조헤테롤릴기를 갖는 것이 바람직한 것을 알 수 있다.
이상의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체는 상술한 화학식 1로 표시되는 구조를 가짐으로써, 그 아민 유도체를 포함하는 유기 EL 소자의 발광 효율 및 발광 수명을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 아민 유도체는 유기 EL 소자용 재료로서 적합하게 사용될 수 있고, 특히, 정공 수송 재료로서 보다 적합하게 사용될 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서 통상의 지식을 갖는 자이면 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각 종의 변경예 또는 수정예를 착안할 수 있는 것은 명확하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 해석된다.
100 : 유기 EL 소자 110 : 기판
120 : 제 1 전극 130 : 정공 주입층
140 : 정공 수송층 150 : 발광층
160 : 전자 수송층 170 : 전자 주입층
180 : 제 2 전극

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 아민 유도체.
    [화학식 1]
    Figure pat00014

    상기 화학식 1에 있어서,
    X1 내지 X12는 각각 독립적이며, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 15 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 또는 임의의 인접한 치환기와 결합하여 형성된 축합 고리기이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적이며, 피레닐기를 제외하는 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기이고,
    A는 할로겐 원자이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2에 있어서, 상기 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 아릴기는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸큐페닐기, 섹시페닐기, 플루오레닐기, 트리페닐렌기, 비페닐렌기, 벤조플루오란테닐기, 크리세닐기, 페닐나프틸기, 나프틸페닐기 및 페닐안트라세닐기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 아민 유도체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2에 있어서, 상기 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 헤테로아릴기는 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 디벤조실롤릴기, 페닐디벤조퓨라닐기, 페닐디벤조티에닐기 및 페닐카르바졸릴기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 아민 유도체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 치환 또는 무치환의 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 디벤조실롤릴기, 또는
    디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기 혹은 디벤조실롤릴기로 치환된 아릴기인 아민 유도체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 A는 불소 원자인 아민 유도체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 X1 내지 X12는 각각 독립적이며, 수소 원자, 중수소 원자, 메틸기, 페닐기, 또는 임의의 인접한 치환기와 결합하여 형성된 축합 고리기인 아민 유도체.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 아민 유도체는 하기 화학식 2의 화합물들로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 아민 유도체.
    [화학식 2]
    Figure pat00015
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 아민 유도체는 하기 화학식 3의 화합물들로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 아민 유도체.
    [화학식 3]
    Figure pat00016
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 아민 유도체는 하기 화학식 4의 화합물들로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 아민 유도체.
    [화학식 4]
    Figure pat00017
  10. 양극;
    상기 양극 상에 배치된 발광층; 및
    상기 양극과 상기 발광층 사이에 배치된 적어도 하나의 층; 을 포함하고,
    상기 발광층 또는 상기 적어도 하나의 층은 하기 화학식 1로 표시되는 아민 유도체를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
    [화학식 1]
    Figure pat00018

    상기 화학식 1에 있어서,
    X1 내지 X12는 각각 독립적이며, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 15 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기, 또는 임의의 인접한 치환기와 결합하여 형성된 축합 고리기이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적이며, 피레닐기를 제외하는 고리 형성 탄소수 6 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 고리 형성 탄소수 1 이상 36 이하의 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기이고,
    A는 할로겐 원자이다.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체는
    상기 Ar1 및 Ar2의 상기 아릴기가 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸큐페닐기, 섹시페닐기, 플루오레닐기, 트리페닐렌기, 비페닐렌기, 벤조플루오란테닐기, 크리세닐기, 페닐나프틸기, 나프틸페닐기 및 페닐안트라세닐기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체는
    상기 Ar1 및 Ar2의 상기 헤테로아릴기가 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 디벤조실롤릴기, 페닐디벤조퓨라닐기, 페닐디벤조티에닐기 및 페닐 카르바졸릴기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체는
    상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나가 치환 또는 무치환의 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 디벤조실롤릴기, 또는 디벤조퓨라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기 혹은 디벤조실롤릴기로 치환된 아릴기인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체의 상기 A는 불소 원자인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체의 상기 X1 내지 X12는 각각 독립적이며, 수소 원자, 중수소 원자, 메틸기, 페닐기, 또는 임의의 인접한 치환기와 결합하여 형성된 축합 고리기인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체는 하기 화학식 2의 화합물들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
    [화학식 2]
    Figure pat00019
  17. 제 10 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체는 하기 화학식 3의 화합물들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
    [화학식 3]
    Figure pat00020
  18. 제 10 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체는 하기 화학식 4의 화합물들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
    [화학식 4]
    Figure pat00021
  19. 제 10 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 층은 정공 주입층과 정공 수송층을 포함하고,
    상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체는 상기 정공 주입층 및 상기 정공 수송층 중 적어도 어느 하나에 포함되는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 양극 상에 상기 정공 주입층이 배치되고,
    상기 정공 주입층 상에 상기 정공 수송층이 배치되며,
    상기 화학식 1로 표시되는 상기 아민 유도체는 상기 정공 수송층에 포함되는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
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