KR20160066872A - The antenna assembly for plasma process apparatus and the plasma process apparatus having same - Google Patents

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KR20160066872A KR1020140172209A KR20140172209A KR20160066872A KR 20160066872 A KR20160066872 A KR 20160066872A KR 1020140172209 A KR1020140172209 A KR 1020140172209A KR 20140172209 A KR20140172209 A KR 20140172209A KR 20160066872 A KR20160066872 A KR 20160066872A
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안민형
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Abstract

The present invention relates to an antenna assembly for a plasma processing apparatus and the plasma processing apparatus including the antenna assembly. The antenna assembly comprises: multiple antennas for generating plasma in a process space after high frequency power is applied, installed in an antenna installing part separated from the process space by a partition wall; and a compensation unit for compensating plasma generated in an area corresponding to a supporting axis in the process space, where at least one antenna is arranged adjacently to the supporting axis which supports the partition wall. By this composition, the present invention is capable of evenly generating plasma in the process space by compensating plasma generated in an area corresponding to the supporting axis in the process space by having the compensation unit.

Description

플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치{THE ANTENNA ASSEMBLY FOR PLASMA PROCESS APPARATUS AND THE PLASMA PROCESS APPARATUS HAVING SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an antenna assembly for a plasma processing apparatus, and a plasma processing apparatus including the same. [0002]

본 발명은 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리에 관한 것이며, 보다 상세하게는 복수의 안테나를 구비하고, 챔버 내의 공정 공간에 유도전계를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to an antenna assembly for a plasma processing apparatus, and more particularly to an antenna assembly for a plasma processing apparatus having a plurality of antennas and generating a plasma by using an induction field in a process space in a chamber to process a substrate will be.

플라즈마 처리장치는 반도체 웨이퍼를 비롯한 각종 전기, 전자 및 광학 등의 소자 제조공정에서 박막 등의 증착이나 식각 뿐만 아니라 기판 내부로의 이온주입이나 고분자 혹은 표면 개질 등에 폭 넓게 사용되고 있으며, 고밀도 플라즈마 소스는 이온주입, 에칭 및 적층과 같은 극소 전자 소자의 제조공정에 응용되는 것이 증가하고 있다. Plasma processing apparatuses are widely used not only for deposition and etching of thin films, but also for ion implantation into a substrate or for polymer or surface modification in various electrical, electronic and optical device manufacturing processes including semiconductor wafers. A high- There has been an increase in application to the manufacturing process of microelectronic devices such as injection, etching and lamination.

플라즈마 처리장치의 챔버 내에서 플라즈마의 균일성은 플라즈마를 발생시키기 위해 외부에서 인가되는 에너지원, 예를 들어 전기장, 자기장 등의 공간적 균일성에 의해 일차적으로 결정된다. 다시말해, 플라즈마를 발생시키기 위해 외부에서 공급되는 에너지원의 공간적 분포를 균일하게 하면 이에 대응하여 발생되는 플라즈마 또한 공간적으로 균일한 특성이 있게 된다.The uniformity of the plasma in the chamber of the plasma processing apparatus is primarily determined by the spatial uniformity of an energy source, such as an electric field, a magnetic field, etc. externally applied to generate the plasma. In other words, if the spatial distribution of the energy source supplied from the outside is uniformized to generate the plasma, the plasma generated in response to the plasma is also spatially uniform.

이와 같은 플라즈마를 발생시키기 위하여, 종래기술로서 대한민국 등록특허 100428428호에 개시된 바와 같이, 유도결합형 플라즈마 처리장치가 광범위하게 사용되고 있다. In order to generate such a plasma, an inductively coupled plasma processing apparatus is widely used as disclosed in Korean Patent No. 100428428 as a prior art.

그러나 이와같은 플라즈마 처리장치는 기판의 대형화에 따라 플라즈마 처리장치가 대형으로 제작되어 안테나 설치부와 공정 공간을 격리시키는 구조물을 지지하기 위한 지지축이 설치되며, 지지축에 대응하는 공정 공간에 발생하는 플라즈마가 지지축의 영향으로 불균일해 지는 문제점이 발생한다.However, in such a plasma processing apparatus, a plasma processing apparatus is manufactured in a large size in accordance with the enlargement of the substrate, and a support shaft for supporting a structure for isolating the antenna mounting unit from the process space is provided, There arises a problem that the plasma becomes uneven due to the influence of the support shaft.

대한민국 등록특허 제100428428호Korean Patent No. 100428428

본 발명은 종래의 지지축이 설치되는 플라즈마 처리장치의 공정 공간에 플라즈마가 불균일하게 발생하는 문제점을 해결하는 안테나 어셈블리 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an antenna assembly and a plasma processing apparatus including the same, which solve the problem that plasma is unevenly generated in a process space of a plasma processing apparatus provided with a conventional support shaft.

상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라, 고주파 전원을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 발생시키며, 공정 공간과 격벽에 의해 구분되는 안테나 설치부에 설치되는 복수의 안테나를 포함하여 구성되며, 복수의 안테나 중 적어도 하나는, 격벽을 지지하는 지지축의 주변에 배치되며, 공정 공간 중 지지축에 대응하는 영역에 발생되는 플라즈마를 보상하는 보상부를 포함하여 구성되는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus including a plurality of antennas installed in an antenna mounting section for receiving a high frequency power to generate a plasma in a process space, At least one of the antennas is provided around the support shaft supporting the partition, and includes a compensator for compensating for the plasma generated in the region corresponding to the support axis in the processing space.

한편, 보상부는 지지축을 둘러싸도록 구성될 수 있으며, 지지축의 외면과 소정 간격 이격되어 지지축을 둘러싸도록 구성될 수 있고, 지지축의 외면을 둘러싸는 균일한 두께의 도전성 부재로 구성될 수 있다.Meanwhile, the compensation unit may be configured to surround the support shaft, and may be configured to surround the support shaft at a predetermined distance from the outer surface of the support shaft, and may be formed of a conductive member having a uniform thickness surrounding the outer surface of the support shaft.

그리고 복수의 안테나는 각각 격벽과 나란한 방향으로 형성되는 바디부를 포함하여 구성되며, 격벽과 나란한 방향으로 보상부와 바디부가 연결되어 구성될 수 있고, 또한 보상부의 양측에 바디부가 연결될 수 있다.The plurality of antennas may include a body portion formed in a direction parallel to the partition wall. The compensation portion and the body portion may be connected to each other in parallel with the partition, and the body portion may be connected to both sides of the compensation portion.

나아가, 보상부는 내측으로 지지축이 통과하도록 단면이 고리형상으로 구성될 수 있으며, 보상부의 외경과 내경의 차이는 바디부의 수평 폭과 동일하게 구성될 수 있다. Furthermore, the compensating section may have a ring-shaped cross section such that the support shaft passes inward, and the difference between the outer diameter and the inner diameter of the compensating section may be equal to the horizontal width of the body section.

그리고 보상부의 단면의 형상은 바디부의 단면의 형상에 대응하여 구성될 수 있다.And the shape of the cross section of the compensation section can be configured corresponding to the shape of the cross section of the body section.

나아가 보상부 및 바디부는 수평 폭이 수직 폭보다 넓게 구성되거나, 보상부는 수평 폭이 수직 폭보다 넓게 구성되며, 바디부는 수평 폭이 수직 폭보다 좁게 구성되거나, 보상부는 수평 폭이 수직 폭보다 좁게 구성되며, 바디부는 수평 폭이 수직 폭보다 넓게 구성될 수 있다.Further, the compensating section and the body section may be configured such that the horizontal width is wider than the vertical width, or the compensating section is configured such that the horizontal width is wider than the vertical width, and the body section is configured such that the horizontal width is narrower than the vertical width, And the body portion may be configured such that the horizontal width is wider than the vertical width.

한편,보상부를 포함한 안테나는 복수로 구비되어 지지축의 주변에 배치되며, 보상부를 포함하지 않는 안테나는 복수의 보상부를 포함한 안테나의 내측 및 외측에 배치되어 구성될 수 있다.Meanwhile, the plurality of antennas including the compensation unit may be disposed around the support shaft, and the antenna not including the compensation unit may be disposed on the inner side and the outer side of the antenna including the plurality of compensation units.

추가적으로, 고주파 전원, 내부에 공정 공간이 형성되는 챔버, 공정 공간에 구비되어 기판이 안착되는 공간을 형성하는 스테이지, 공정 공간과 안테나 설치부를 구분하는 격벽, 격벽을 지지하는 지지축 및 전술한 안테나 어셈블리를 포함하는 플라즈마 처리장치가 제공된다. In addition, a high frequency power source, a chamber in which a process space is formed, a stage provided in the process space to form a space for mounting the substrate, a partition for separating the process space from the antenna installation unit, a support shaft for supporting the partition, And a plasma processing apparatus.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리에 의해 지지축 주변의 플라즈마를 보상하여 공정 공간에 플라즈마를 균일하게 발생시킬 수 있는 효과가 있다.The antenna assembly for a plasma processing apparatus according to the present invention has an effect of uniformly generating plasma in the process space by compensating plasma around the support axis.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 격벽 및 지지축을 도시한 도면이다.
도 3는 본 발명의 제1 실시예에 따른 안테나 설치부의 평면도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 안테나의 보상부에 대한 확대사시도이다.
도 4는 안테나의 보상부의 변형예를 도시한 확대 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 보상부의 변형예를 도시한 사시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a view showing a partition and a support shaft according to a first embodiment of the present invention.
3 is a plan view of an antenna mounting portion according to the first embodiment of the present invention.
3 is an enlarged perspective view of a compensator of an antenna according to the first embodiment.
4 is an enlarged perspective view showing a modified example of the compensating section of the antenna.
5 is a perspective view showing a modified example of the compensator according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리에 대하여, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 이하의 실시예의 설명에서 각각의 구성요소의 명칭은 당업계에서 다른 명칭으로 호칭될 수 있다. 그러나 이들의 기능적 유사성 및 동일성이 있다면 변형된 실시예를 채용하더라도 균등한 구성으로 볼 수 있다. 또한 각각의 구성요소에 부가된 부호는 설명의 편의를 위하여 기재된다. 그러나 이들 부호가 기재된 도면상의 도시 내용이 각각의 구성요소를 도면내의 범위로 한정하지 않는다. 마찬가지로 도면상의 구성을 일부 변형한 실시예가 채용되더라도 기능적 유사성 및 동일성이 있다면 균등한 구성으로 볼 수 있다. 또한 당해 기술분야의 일반적인 기술자 수준에 비추어 보아, 당연히 포함되어야 할 구성요소로 인정되는 경우, 이에 대하여는 설명을 생략한다.Hereinafter, an antenna assembly for a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the embodiments, the names of the respective components may be referred to as other names in the art. However, if there is a functional similarity and an equivalence thereof, the modified structure can be regarded as an equivalent structure. In addition, reference numerals added to respective components are described for convenience of explanation. However, the contents of the drawings in the drawings in which these symbols are described do not limit the respective components to the ranges within the drawings. Likewise, even if the embodiment in which the structure on the drawing is partially modified is employed, it can be regarded as an equivalent structure if there is functional similarity and uniformity. Further, in view of the level of ordinary skill in the art, if it is recognized as a component to be included, a description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 단면을 도시한 단면도이다. 여기서, 플라즈마 처리장치라 함은 공정 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 기판(s)을 처리하는 공정에 적용하는 장치를 의미하며, 기판 증착 장치, 기판 식각 장치, 이온 주입 장치 등 다양한 장치일 수 있다.1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. Here, the plasma processing apparatus means an apparatus applied to a process of generating a plasma using a process gas to process the substrate (s), and may be a variety of apparatuses such as a substrate deposition apparatus, a substrate etching apparatus, and an ion implantation apparatus.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버(10), 스테이지(40), 격벽(w) 및 플라즈마 발생모듈을 포함하여 구성할 수 있다.As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus according to the present embodiment may include a chamber 10, a stage 40, a partition wall w, and a plasma generation module.

챔버(10)는 다수의 벽면으로 둘러싸인 밀폐 구조로 형성되며, 플라즈마 처리장치의 외형을 구성한다. 챔버(10)의 내부는 크게 기판(s)이 수용되어 기판(s) 처리 공정이 수행되는 공정 공간(30) 및 후술할 안테나 어셈블리가 설치되는 안테나 설치부(20)로 구성될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 안테나 설치부(20)는 챔버(10) 내부의 상측에 형성되며, 안테나 설치부(20)의 하측에 공정 공간(30)이 위치할 수 있다.The chamber 10 is formed in a closed structure surrounded by a plurality of wall surfaces, and constitutes the outer shape of the plasma processing apparatus. The interior of the chamber 10 may include a processing space 30 in which a substrate s is received and a substrate s processing process is performed and an antenna mounting unit 20 in which an antenna assembly to be described later is installed. 1, the antenna mounting part 20 is formed on the upper side of the chamber 10, and the process space 30 can be located on the lower side of the antenna mounting part 20. As shown in FIG.

그리고, 도 1에서는 도시되지 않았으나, 챔버(10)의 일측에는 기판(s)이 출입하기 위한 게이트 밸브(미도시)가 형성될 수 있으며, 기판(s) 처리 공정에 사용되는 공정 가스를 챔버(10) 내부의 공정 공간(30)으로 공급하고 외부로 배기하기 위한 가스 공급부(미도시) 및 가스 배기부(미도시)가 구비될 수 있다.Although not shown in FIG. 1, a gate valve (not shown) may be formed at one side of the chamber 10 to allow the substrate s to enter and exit, and a process gas used in the substrate (s) A gas supply unit (not shown) and a gas exhaust unit (not shown) for supplying the process gas into the process space 30 and exhausting the process gas to the outside can be provided.

격벽(w)은 챔버(10) 내에서 수평방향으로 수평지르며 챔버(10) 내부의 공간을 구획하며, 상측에 플라즈마 발생모듈이 설치되는 안테나 설치부(20) 및 기판(s)이 유입되어 처리하는 공정 공간(30)으로 구분된다.The partition wall w horizontally horizontally in the chamber 10 divides a space inside the chamber 10 and includes an antenna mounting portion 20 on which a plasma generating module is installed and a substrate s, And a process space (30).

한편, 공정 공간(30)의 내측에는 스테이지(40)가 구비된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 스테이지(40)는 기판(s)을 지지하도록 구성되며, 기판(s)은 스테이지(40)에 안착된 상태에서 처리가 이루어질 수 있다. 스테이지(40)에는 공정 공간(30) 상에 형성되는 플라즈마의 분포를 조절하기 위해 외부의 RF 전원부(60)와 연결 설치되는 바이어스 전극(50)이 형성될 수 있다. 또한, 도 1에 구체적으로 도시되어 있지는 않으나 스테이지(40)의 내부에는 히터(미도시)와 같은 온도 조절 부재가 구비되어 기판(s)의 처리 공정 중 기판(s)의 온도를 조절하도록 구성할 수 있다.On the other hand, a stage 40 is provided inside the process space 30. As shown in Fig. 1, the stage 40 is configured to support the substrate s, and the substrate s can be processed while being placed on the stage 40. Fig. A bias electrode 50 connected to an external RF power source unit 60 may be formed on the stage 40 to control the distribution of the plasma formed on the process space 30. 1, a temperature adjusting member such as a heater (not shown) may be provided inside the stage 40 to adjust the temperature of the substrate s during the processing of the substrate s .

플라즈마 발생모듈은 공정 공간(30) 내측으로 유도 전계를 발생시켜, 공정 공간(30) 내의 공정 가스를 플라즈마 상태로 전환시키기 위한 구성이다. 플라즈마 발생모듈은 고주파 전원(110), 정합부(IMB; Impedance Matching Box;120), 공진회로(미도시), 안테나 어셈블리를 포함하여 구성된다. 고주파 전원(110)은 플라즈마 처리장치 외부에 구비되어 고주파(radio frequency) 전력을 발생시켜 안테나(200)로 제공한다. 정합부(120)는 고주파 전원(110)과 안테나 어셈블리 사이에 전기적으로 연결되며, 고주파 전원(110) 측과 안테나(200) 사이에서 임피던스 정합을 수행할 수 있다. 이러한 정합부(120)는 가변 콘덴서 또는 가변 인덕터를 포함하는 회로로 구성되며, 가변 콘덴서 또는 가변 인덕터를 제어하는 방식으로 임피던스 정합을 수행한다. 다만, 이러한 고주파 전원(110) 및 정합부(120)의 구성은 널리 적용되고 있는 구성이므로 구체적인 설명은 생략한다.The plasma generation module is a structure for generating an induction electric field inside the process space 30 to convert the process gas in the process space 30 into a plasma state. The plasma generating module includes a high frequency power source 110, an Impedance Matching Box (IMB) 120, a resonance circuit (not shown), and an antenna assembly. The RF power supply 110 is provided outside the plasma processing apparatus to generate radio frequency power and provide it to the antenna 200. The matching unit 120 is electrically connected between the high frequency power source 110 and the antenna assembly and can perform impedance matching between the high frequency power source 110 and the antenna 200. The matching unit 120 is composed of a circuit including a variable capacitor or a variable inductor, and performs impedance matching in such a manner as to control the variable capacitor or the variable inductor. However, since the configuration of the high-frequency power source 110 and the matching unit 120 is widely applied, a detailed description thereof will be omitted.

공진회로(미도시)는 안테나 어셈블리와 연결되어 안테나(200)와의 직렬공진 또는 병렬공진을 이용하여 안테나 어셈블리에서의 출력을 높일 수 있도록 구성될 수 있다. 각각의 공진회로(미도시)는 각각의 안테나(200)와 연결되어 적어도 하나 이상의 콘덴서를 포함하여 고주파 전력이 인가되면 공진현상을 일으켜 출력을 높일 수 있도록 구성된다. 공진회로는 각각의 안테나(200)와 연결될 수 있으며, 복수의 안테나(200)와 연결되어 하나의 공진회로로 구성될 수 있다. 이와 같은 공진회로(미도시)의 구성도 널리 적용되고 있는 구성이므로 구체적인 설명은 생략한다.The resonance circuit (not shown) may be connected to the antenna assembly and configured to increase the output of the antenna assembly using series resonance or parallel resonance with the antenna 200. Each of the resonance circuits (not shown) is connected to the respective antennas 200, and includes at least one capacitor. When high frequency power is applied, resonance phenomenon occurs to increase the output. The resonance circuit may be connected to the respective antennas 200, and may be connected to the plurality of antennas 200 to constitute a single resonance circuit. Since the configuration of such a resonance circuit (not shown) is widely applied, a detailed description is omitted.

이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 및 안테나 어셈블리에 대하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the antenna assembly will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4. FIG.

도2 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 격벽(w) 및 지지축(23)을 도시한 절개사시도이다.2 is an exploded perspective view showing the partition wall w and the support shaft 23 according to the first embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이 격벽(w)에 의하여 챔버(10) 내측의 공간이 기판(s)이 처리되는 공정 공간(30)과 안테나 어셈블리가 설치되는 안테나 설치부(20)로 구별된다. 격벽(w)은 지지부재(22), 윈도우(21)를 포함하여 구성되며, 격벽(w)의 쳐짐을 방지하기 위하여 지지축(23)이 연결될 수 있다.A space inside the chamber 10 by the partition wall w is distinguished into a process space 30 in which the substrate s is processed and an antenna mounting unit 20 in which the antenna assembly is installed. The partition wall w includes a support member 22 and a window 21. A support shaft 23 may be connected to prevent the partition wall w from being squeezed.

격벽(w)은 안테나 설치부(20) 측에 안테나(200)의 설치가 용이하도록 상면이 평평하게 구성되며, 공정 공간(30)에 노출된 하면 역시 평평하게 구성되어 기판(s)의 균일한 처리에 도움을 줄 수 있다.The partition wall w is configured such that the upper surface is flat so that the antenna 200 can be easily installed on the antenna mounting portion 20 side and the lower surface exposed to the process space 30 is also flat, It can help with the treatment.

지지부재(22)는 윈도우(21)가 설치되는 틀을 구성하며, 격벽(w)의 기본구조를 형성한다. 지지부재(22)는 2x2 격자형으로 구비되어 4개의 윈도우(21)가 설치될 수 있도록 구성된다. 도 2에 나타난 격벽의 단면을 살펴보면, 지지부재(22)의 각 격자에는 격자를 따라 내측으로 돌출된 단이 형성되어 윈도우(21)가 적재될 수 있도록 구성된다. 단 도 2에는 2x2 격자의 형태로 구성된 모습이 도시되었으나, 이는 일 예일 뿐 다양한 개수와 형상으로 구성될 수 있다.The support member 22 constitutes a frame in which the window 21 is installed and forms the basic structure of the partition wall w. The support member 22 is provided in a 2x2 grid shape so that four windows 21 can be installed. Referring to the cross-section of the partition shown in FIG. 2, the lattice of the support member 22 is formed with a step protruding inward along the lattice, so that the window 21 can be loaded. Although FIG. 2 shows a configuration in the form of a 2x2 grid, this is merely an example, and may be configured in various numbers and shapes.

윈도우(21)는 안테나 어셈블리가 배치되는 평면을 구성하며, 안테나 어셈블리로부터 발생된 유도 전계가 공정 공간(30)에 플라즈마를 발생시키도록 금속재질 또는 유전체로 구성될 수 있다. 윈도우(21)는 지지부재(22)의 내측에 돌출된 단에 대응하여 들어맞도록 가공되어 지지부재(22)의 격자 내측에 설치된다. 본 실시예에서는 4개의 윈도우(21)가 구비된 예가 나타나 있으나, 이는 일 예일 뿐, 지지부재(22)의 형상에 따라서 다양한 개수와 크기 및 형상으로 변경 될 수 있다.The window 21 constitutes a plane on which the antenna assembly is disposed and the induction electric field generated from the antenna assembly may be composed of a metal material or a dielectric material to generate plasma in the process space 30. [ The window 21 is machined to fit in correspondence with the step protruding to the inside of the support member 22 and installed inside the grid of the support member 22. [ In this embodiment, four windows 21 are provided, but this is only an example, and the number, the size, and the shape of the support member 22 can be changed according to the shape of the support member 22.

지지축(23)은 챔버(10)의 상측과 격벽(w)을 연결하여 격벽(w)이 쳐지지 않고 정해진 위치에 설치되도록 구성된다. 지지축(23)은 격벽(w)을 구성하는 지지부재(22)에 연결되어 격벽(w)을 지지하도록 구성된다. 지지축(23)은 격벽(w)의 무게가 분산되어 지지될 수 있도록 복수로 구성되어 4개의 지점에서 지지부재(22)와 연결된다. 지지축(23)은 원기둥 형상으로 구성되고 일반적인 금속재질로 구성될 수 있다. 다만 본 실시예에 나타난 지지축(23)의 개수와 연결부위, 연결방식 등은 격벽(w)을 지지하는 한 다양하게 변경되어 적용될 수 있다.The supporting shaft 23 connects the upper side of the chamber 10 and the partition wall w so that the partition wall w is not struck and is installed at a predetermined position. The support shaft 23 is connected to the support member 22 constituting the partition wall w and configured to support the partition wall w. The support shaft 23 is connected to the support member 22 at four points so that the weight of the partition wall w can be dispersed and supported. The support shaft 23 is formed in a cylindrical shape and can be made of a general metal material. However, the number of the support shafts 23, the connection part, the connection method, and the like shown in this embodiment can be variously modified as long as they support the partition wall w.

도3 은 제1 실시예의 안테나 설치부의 평면도이다.3 is a plan view of the antenna mounting portion of the first embodiment.

도시된 바와 같이, 안테나 어셈블리는 복수의 안테나(200)를 포함하여 구성되며, 안테나 설치부(20) 측의 격벽(w)에 인접하여 설치된다. 복수의 안테나(200)는 격벽(w)의 평면 중심부분을 중심으로 회전대칭으로 규칙적으로 배치될 수 있으며, 이는 공정 공간(30)에 플라즈마를 균일하게 발생시키기 위한 구성이다. 이에 대하여 차후에 상세히 설명하기로 한다.As shown in the figure, the antenna assembly includes a plurality of antennas 200, and is disposed adjacent to the partition wall w on the antenna mount 20 side. The plurality of antennas 200 may be regularly arranged rotationally symmetrically around the planar central portion of the partition wall w, which is a configuration for uniformly generating plasma in the process space 30. This will be described in detail later.

안테나(200)는 고주파 전력을 인가받아 공정 공간(30)에 유도전계를 형성하여, 공정 공간(30)에 투입된 화학물질을 플라즈마 상태로 전환시키기 위한 구성이다. The antenna 200 is configured to convert an applied chemical substance into the plasma state by forming an induction field in the process space 30 by receiving the high frequency power.

다시 도 3을 살펴보면, 각 안테나(200)는 안테나 설치부(20)의 평면 중심을 기준으로 한 점에서 시작하여 대략 90도 내지 180도 정도까지 회전방향으로 배치되며, 복수의 안테나(200)가 고르게 배치되므로 공정 공간(30)에 균일한 플라즈마를 발생킬 수 있다. 이와 같이 구성된 경우, 공정 공간(30)의 한 부분에 복수의 안테나(200)가 복합적으로 영향을 미칠 수 있게 되어 하나의 안테나에 편차가 발생한 경우라도 플라즈마를 균일하게 발생시킬 수 있게 된다.3, each of the antennas 200 is arranged in a rotation direction from about 90 degrees to 180 degrees, starting from a point about the center of the plane of the antenna mount 20, and a plurality of antennas 200 So that uniform plasma can be generated in the process space 30. In such a configuration, a plurality of antennas 200 can affect a part of the process space 30 in a complex manner, so that even when a deviation occurs in one antenna, the plasma can be uniformly generated.

한편, 기판(s)의 대형화에 따라 기판처리장치의 크기도 대형화되는 추세이며, 이에 따라, 챔버(10) 내측에 구비된 격벽(w)도 넓어지게 된다. 격벽(w)이 넓어질수록 중력에 의한 쳐짐이 발생하게 되어, 쳐짐을 방지하기 위해 챔버(10)와 격벽(w)을 연결하는 지지축(23)이 구비된다. 그러나 지지축(23)이 존재함으로써, 안테나(200)에서 발생되는 유도전계의 밀도에 영향을 주게 되며, 특히 지지축(23)이 연결되는 지점에 대응하는 공정 공간(30)에 발생되는 플라즈마 밀도가 달라져 기판(s)을 균일하게 처리할 수 없는 문제점이 발생한다. On the other hand, as the size of the substrate (s) increases, the size of the substrate processing apparatus tends to become larger. As a result, the partition walls w provided inside the chamber 10 are widened. As the partition wall w is widened, gravity is generated due to gravity, and a support shaft 23 connecting the chamber 10 and the partition wall w is provided to prevent stiction. However, the existence of the support shaft 23 affects the density of the induced electric field generated in the antenna 200, and in particular, the plasma density generated in the process space 30 corresponding to the point where the support shaft 23 is connected So that the substrate s can not be uniformly processed.

이때, 안테나(200)에 보상부(201)가 구비되어 지지축(23)의 위치에 대응하는 공정 공간(30)에 발생하는 플라즈마가 보상될 수 있다.  At this time, the compensating unit 201 is provided in the antenna 200, so that the plasma generated in the process space 30 corresponding to the position of the support shaft 23 can be compensated.

이하에서는 보상부(201)에 대하여 도4를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the compensation unit 201 will be described in detail with reference to FIG.

도 4는 제1 실시예의 보상부(201)를 확대하여 도시한 확대사시도이다.4 is an enlarged perspective view of the compensation unit 201 of the first embodiment.

도시된 바와 같이, 복수의 안테나(200)는 각각 격벽(w)과 나란한 방향으로 형성되는 바디부(202)를 포함하여 구성된다. 그리고 복수의 안테나(200)중 지지축(23)의 주변에 배치되는 안테나(200)는 공정 공간(30) 중 지지축(23)에 대응하는 영역에 발생되는 플라즈마를 보상하는 보상부(201)를 포함하여 구성된다.As shown in the figure, the plurality of antennas 200 includes a body part 202 formed in a direction parallel to the partition wall w. An antenna 200 disposed around the support shaft 23 of the plurality of antennas 200 includes a compensation unit 201 for compensating plasma generated in a region corresponding to the support shaft 23 among the process spaces 30, .

보상부(201)를 포함한 안테나(200)는 격벽(w)과 나란한 방향으로 보상부(201)와 바디부(202)가 연결되어 구성될 수 있고, 나아가 보상부(201)의 양측에 바디부(202)가 연결되어 구성될 수 있다. The antenna 200 including the compensation unit 201 may be configured such that the compensation unit 201 and the body unit 202 are connected to each other in a direction parallel to the partition wall w, (Not shown).

보상부(201)는 내측으로 지지축(23)이 통과하도록 단면이 고리형상으로 구성될 수 있으며, 보상부(201)는 지지축(23)을 둘러싸도록 구성될 수 있다. 지지축(23)이 원기둥 형상으로 구성된 경우, 보상부(201)의 형상은 이에 대응하여 원통형으로 이루어진다. 그러나 이는 일 예일 뿐, 다양한 형상으로 지지축(23)을 둘러싸는 형태로 적용될 수 있으며, 지지축(23)의 단면 형상 또한 다양하게 변형될 수 있다.The compensating unit 201 may have a ring-shaped cross section to allow the support shaft 23 to pass inward. The compensating unit 201 may be configured to surround the support shaft 23. When the support shaft 23 is formed into a columnar shape, the shape of the compensating section 201 is formed into a cylindrical shape corresponding thereto. However, this is merely an example, and it can be applied in the form of surrounding the support shaft 23 in various shapes, and the cross-sectional shape of the support shaft 23 can also be variously modified.

또한, 보상부(201)는 지지축(23)의 외면과 소정 간격 이격되어 지지축(23)을 둘러싸도록 구성될 수 있으며, 지지축(23)의 외면을 둘러싸는 균일한 두께로 구성될 수 있다. 이는 지지축(23)이 안테나(200)를 포함한 회로에 전기적으로 접촉되어 안테나(200)의 출력에 직접적인 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 구성이다. 다만, 보상부(201)가 지지축(23)과 접촉되더라도, 지지축(23)의 둘레에 절연처리를 하거나 절연체가 구비된 경우에는 이격된 것과 유사한 효과를 발휘할 수 있다.The compensation unit 201 may be configured to surround the support shaft 23 at a predetermined distance from the outer surface of the support shaft 23 and may have a uniform thickness surrounding the outer surface of the support shaft 23 have. This is a structure for preventing the support shaft 23 from being directly in contact with the circuit including the antenna 200 to directly affect the output of the antenna 200. [ However, even if the compensating unit 201 comes into contact with the support shaft 23, if the insulator is provided around the support shaft 23, an effect similar to that obtained when the insulator is provided can be exerted.

한편, 보상부(201)의 재질은 바디부(202)를 구성하는 재질과 동일한 도전성 부재로 구성될 수 있다.The material of the compensating unit 201 may be the same as the material of the body 202.

보상부(201)의 단면형상은 바디부(202)의 단면형상에 대응하여 구성되며, 바디부(202)의 단면의 수평 폭이 수직 폭보다 넓게 구성된 경우, 보상부(201)의 단면형상은 이에 대응하여 수평 폭이 수직 폭보다 넓게 구성될 수 있다. 이 경우, 바디부(202)의 수평 폭(D)과 보상부(201)의 수평 폭(d1,d2)의 합은 동일하게 구성될 수 있다. 이는 보상부(201)에서 지지축(23) 에 대응하는 공정 공간(30)의 플라즈마를 적절한 수준으로 보상하기 위한 구성이다. The sectional shape of the compensating section 201 corresponds to the sectional shape of the body part 202. When the horizontal width of the cross section of the body part 202 is configured to be wider than the vertical width, Correspondingly, the horizontal width can be made wider than the vertical width. In this case, the sum of the horizontal width D of the body 202 and the horizontal widths d1 and d2 of the compensating unit 201 may be the same. This is a configuration for compensating the plasma of the process space 30 corresponding to the support shaft 23 in the compensation unit 201 to an appropriate level.

다만, 이와 같은 바디부(202)의 폭과 보상부(201) 폭의 관계는 일 예일 뿐, 지지축(23)의 두께, 격벽(w)의 두께가 다양하게 변형되는 경우에 공정 공간(30) 중 지지축(23)에 대응하는 공간에 발생하는 플라즈마가 적절하게 보상될 수 있도록 다양하게 변형될 수 있다. 따라서, 지지축(23)에 대응하는 공정 공간(30)의 영역에 발생하는 플라즈마 밀도가 너무 높거나 너무 낮은 경우, 보상부(201)의 형상 및 크기, 두께 등을 적절히 변형함으로써 적정한 수준으로 플라즈마를 보상하여 공정 공간(30) 전체에 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다. The relationship between the width of the body portion 202 and the width of the compensating portion 201 is only an example and the thickness of the support shaft 23 and the thickness of the partition wall w may be varied. The plasma generated in the space corresponding to the support shaft 23 can be appropriately compensated. Accordingly, when the plasma density generated in the region of the process space 30 corresponding to the support shaft 23 is too high or too low, the shape, size, thickness, etc. of the compensating unit 201 are appropriately modified, So that a uniform plasma can be generated in the entire process space 30.

이하에서는 보상부(201)의 변형 예에 대하여 이하에서 도 5를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a modified example of the compensation unit 201 will be described with reference to FIG.

도 5는 본 발명에 따른 보상부(201)의 변형예를 도시한 사시도이다.5 is a perspective view illustrating a modification of the compensation unit 201 according to the present invention.

본 변형예에서도 제1 실시예에서와 동일한 구성요소를 포함하여 구성될 수 있으며, 동일한 구성요소에 대하여는 중복설명을 피하기 위하여 자세한 설명을 생략한다. In this modified example, the same components as those in the first embodiment can be included, and a detailed description of the same components will be omitted in order to avoid redundant explanations.

도 5(a)에 도시된 바와 같이 바디부(202)의 형상은 수평 폭이 수직 폭보다 넓은 형태이나, 보상부(201)는 단면의 수평 폭보다 수직 폭이 넓은 원통형 형상으로 이루어질 수 있다. 지지축(23)에 대응되는 공정 공간(30) 중 플라즈마 밀도를 보상해야 하는 부분이 좁게 형성된 경우 보상부(201)는 이와 같이 수직 폭이 넓은 형태로 구성될 수 있다. As shown in FIG. 5A, the shape of the body 202 is larger than the vertical width, but the compensator 201 may have a cylindrical shape having a vertical width larger than the horizontal width of the end face. If the portion of the process space 30 corresponding to the support shaft 23 to be compensated for the plasma density is narrowly formed, the compensation unit 201 may have a wide vertical width.

또한, 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 보상부(201)의 구조는 단면의 형상이 바디부(202)의 단면의 형상에 대응하여 수직으로 긴 단면으로 구성을 갖도록 변형 될 수 있다. 바디부(202)의 수평 폭(D)은 보상부(201)의 두 부분의 수평 폭(d1, d2)의 합과 동일하도록 구성되어 있다. 이와 같이 구성되어 지지축(23)에 대응하는 공정 공간(30)에 적절한 수준으로 유도전계를 보상할 수 있게 되어 공간에 따른 구배 없이 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있게 된다.5 (b), the structure of the compensating section 201 may be modified such that the shape of the cross section has a vertically long cross section corresponding to the shape of the cross section of the body section 202. As shown in Fig. The horizontal width D of the body portion 202 is equal to the sum of the horizontal widths d1 and d2 of the two portions of the compensating portion 201. [ Thus, the induction field can be compensated to a proper level in the process space 30 corresponding to the support shaft 23, so that a uniform plasma can be generated without a gradient according to the space.

도 5(c)에는 도 5(a)와 반대로, 바디부(202)의 형상은 수직 폭이 수평 폭보다 길게 구성된 변형예이다. 보상부(201)의 단면의 형상은 수평 폭이 넓은 원반형으로 구성될 수 있으며, 지지축(23)에 대응하는 공정 공간(30) 중 넓은 부분의 플라즈마 밀도를 보상해야 하는 경우 보상부(201)는 이와 같이 수평 폭이 넓은 형태로 구성 될 수 있다. 5 (c) is a modification of the configuration of the body portion 202 in which the vertical width is longer than the horizontal width, as opposed to FIG. 5 (a). The shape of the cross section of the compensating unit 201 may be a disk having a wide horizontal width and the compensating unit 201 may be configured to compensate for the plasma density of a large part of the process space 30 corresponding to the support shaft 23. [ May have a wide horizontal width.

도 5(d)에는 바디부(202)의 수평방향 단면이 다각형으로 구성된 변형예이다. 도시된 바와 같이, 바디부(202)의 형상은 다각형상으로 구성될 수 있으며, 지지축(23)주변의 플라즈마 밀도가 보상되어야 하는 크기에 따라 다양한 형상 및 크기로 구성될 수 있다.5 (d) shows a modified example in which the horizontal section of the body portion 202 is formed of a polygon. As shown, the shape of the body part 202 may be polygonal, and may be configured in various shapes and sizes depending on the size of the plasma density around the support shaft 23 to be compensated.

다만 도 5에 도시된 바디부(202) 및 보상부(201)의 형상은 본 발명을 설명하기 위한 변형 예이며, 다양하게 변형이 가능하다.However, the shapes of the body 202 and the compensator 201 shown in FIG. 5 are modifications for explaining the present invention, and various modifications are possible.

이하에서는 본 실시예의 복수의 안테나(200)의 배치에 대하여 설명한다.Hereinafter, the arrangement of the plurality of antennas 200 in this embodiment will be described.

다시 도2를 살펴보면, 도시된 바와 같이, 안테나(200)는 복수개로 구성되며, 배치 영역에 따라 제1 안테나부(210), 제2 안테나부(220), 제3 안테나부(230)로 구성될 수 있다. 2, the antenna 200 includes a plurality of antennas, and may include a first antenna unit 210, a second antenna unit 220, and a third antenna unit 230 according to the arrangement area. .

제2 안테나부(220)는 전술한 지지축(23)과 가장 가까운 위치에 배치되며, 제1 안테나부(210)는 제2 안테나부(220)를 기준으로 평면의 내측에 배치되며, 제3 안테나부(230)는 제2 안테나부(220)의 외측에 배치된다. 즉, 제2 안테나부(220)는 제1 안테나부(210)와 제3 안테나부(230) 사이의 공간에 배치된다. 구별의 쉽도록 제2 안테나부에는 음영 처리되어 있다.The second antenna unit 220 is disposed nearest to the support shaft 23 and the first antenna unit 210 is disposed on the inner side of the plane with respect to the second antenna unit 220, The antenna unit 230 is disposed outside the second antenna unit 220. That is, the second antenna unit 220 is disposed in a space between the first antenna unit 210 and the third antenna unit 230. The second antenna portion is shaded to facilitate identification.

각각의 안테나부(210,220,230)는 복수의 안테나(200)를 포함하여 구성되며, 본 실시예에서 제1 안테나부(210)는 4개의 안테나(200), 제2 안테나부(220)는 4개의 안테나(200), 제3 안테나부(230)는 8개의 안테나(200)를 포함하여 구성된다.Each of the antenna units 210, 220 and 230 includes a plurality of antennas 200. In this embodiment, the first antenna unit 210 includes four antennas 200 and the second antenna unit 220 includes four antennas 200, The second antenna unit 200, and the third antenna unit 230 include eight antennas 200.

제1 안테나부(210) 및 제2 안테나부(220)에 속한 복수의 안테나(200)는 평면형의 바디부(202)를 포함하여 구성되며, 안테나 어셈블리의 복수의 안테나(200)가 배치되는 형태가 나선형과 유사하게 배치될 수 있도록 각각의 안테나(200)는 굽은 형상으로 구성되어 배치될 수 있다. The plurality of antennas 200 belonging to the first antenna unit 210 and the second antenna unit 220 includes a flat body 202 and a plurality of antennas 200 of the antenna assembly Each of the antennas 200 can be arranged in a bent shape so that they can be arranged in a similar manner to the spiral shape.

제2 안테나부(220)에 속한 4개의 안테나(200)는 지지축(23)과 가장 가까운 위치에 배치된다. 제2 안테나부(220)에 속한 각 안테나(200)는 전술한 보상부(201)가 구비되어 지지축(23) 주변에 배치된다.The four antennas 200 belonging to the second antenna unit 220 are disposed at positions closest to the support shaft 23. [ Each of the antennas 200 belonging to the second antenna unit 220 is disposed around the support shaft 23 with the compensation unit 201 described above.

제3 안테나부(230)에 속한 8개의 안테나(200)는 제1 안테나부(210) 및 제2 안테나부(220)와 마찬가지로 회전방향으로 일정한 간격을 두어 배치되며, 대응되는 공정 공간(30)에 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 제1 안테나부(210), 제2 안테나부(220)보다 더 많은 수의 안테나(200)가 구비되며, 각각 균일하게 이격되어 배치되어 구성된다. 단, 본 실시예에서는 총 16개의 안테나(200)가 설치된 경우의 예를 들어 설명하였으나, 각 안테나부(210,220,230) 및 안테나(200)의 개수는 일 예일 뿐 다양하게 변형되어 적용이 가능하며, 플라즈마 처리장치에 구비된 지지축(23) 개수 및 설치위치에 따라 다양하게 변형될 수 있다.The eight antennas 200 belonging to the third antenna unit 230 are arranged at regular intervals in the rotation direction in the same manner as the first antenna unit 210 and the second antenna unit 220, A larger number of antennas 200 than the first antenna unit 210 and the second antenna unit 220 are provided to uniformly generate plasma. However, the number of the antenna units 210, 220, and 230 and the number of the antennas 200 may be variously modified and applied, The number of supporting shafts 23 provided in the processing apparatus, and the mounting position.

예를 들어, 격자형으로 구획된 공간에 복수의 안테나(200)가 각각 배치되는 경우, 각각의 안테나(200)에 전술한 보상부(201)가 구비될 수 있다. 구체적으로 3X3 또는 5X5 등의 형태로 구획된 공간에 각각 9개 25의 안테나(200)가 배치된 실시예에서도 지지축의 주변에 전술한 보상부(201)가 구비되어 공정 공간(30) 중 지지축(23)의 위치에 대응하는 영역에 발생된 플라즈마를 보상할 수 있다.For example, when a plurality of antennas 200 are disposed in a space partitioned into a lattice type, each of the antennas 200 may be provided with the compensation unit 201 described above. Specifically, in the embodiment in which nine to twenty-five antennas 200 are disposed in a space defined by 3X3 or 5X5, the compensation unit 201 described above is provided around the support shaft, It is possible to compensate for the plasma generated in the region corresponding to the position of the substrate 23.

한편, 전술한 제1 실시예는 플라즈마 처리장치의 상측에 안테나 설치부(20) 및 안테나 어셈블리의 설치된 실시예를 나타내었으나, 이는 일 예일 뿐, 플라즈마 발생모듈이 하측 또는 측면에 구비된 경우에도 적용이 가능하다.Although the first embodiment described above shows an embodiment in which the antenna mounting portion 20 and the antenna assembly are provided on the upper side of the plasma processing apparatus, this is merely an example. Even in the case where the plasma generating module is provided on the lower side or the side surface This is possible.

전술한 복수의 안테나(200)를 포함하여 플라즈마 처리장치 내에 설치되는 안테나 어셈블리는 지지축(23)이 구비된 경우 지지축(23) 주변에 플라즈마가 불균일해지는 문제점을 해결하기 위하여 보상부(201)를 포함하여 구성된다. 보상부(201)는 지지축(23)과 이격되어 지지축(23)을 둘러싸며 구성되어 안테나(200)에 고주파 전력이 인가되면, 바디부(202)는 공정 공간(30)에 유도전계를 발생시키며, 보상부(201)는 지지축(23)에 대응하는 공정 공간(30)에 유도전계를 보상하게 된다. 따라서 공정 공간(30) 중 지지축(23)에 대응하는 영역에 발생되는 플라즈마를 보상함으로써 공정 공간(30)내의 플라즈마를 균일하게 발생시키게 되며, 결국 기판(s)을 균일하게 처리할 수 있는 효과를 발휘한다.The antenna assembly including the plurality of antennas 200 described above is installed in the plasma processing apparatus in order to solve the problem that the plasma is uneven around the support shaft 23 when the support shaft 23 is provided, . The compensator 201 is spaced apart from the support shaft 23 and surrounds the support shaft 23. When the high frequency power is applied to the antenna 200, the body 202 supports the induction field in the process space 30 And the compensation unit 201 compensates the induced electric field in the process space 30 corresponding to the support shaft 23. [ Therefore, by compensating the plasma generated in the region corresponding to the support shaft 23 in the process space 30, the plasma in the process space 30 is uniformly generated. As a result, the effect of uniformly treating the substrate s .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징들이 변경되지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, . It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

10: 챔버 20: 안테나 설치부 30: 공정 공간
40: 스테이지 50: 바이어스 전극 60: RF 전원부
110: 고주파 전원 120: 정합부(Impedance Matching Box)
200: 안테나 201: 보상부 202: 바디부
210: 제1 안테나부 220: 제2 안테나부 230: 제3 안테나부
w: 격벽
21: 윈도우 22: 지지부재 23: 지지축
s: 기판10: chamber 20: antenna mounting part 30: process space
40: stage 50: bias electrode 60: RF power source
110: RF power supply 120: Impedance Matching Box
200: antenna 201: compensation unit 202:
210: first antenna unit 220: second antenna unit 230: third antenna unit
w: bulkhead
21: window 22: support member 23: support shaft
s: substrate

Claims (15)

고주파 전원을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 발생시키며, 상기 공정 공간과 격벽에 의해 구분되는 안테나 설치부에 설치되는 복수의 안테나를 포함하여 구성되며,
상기 복수의 안테나 중 적어도 하나는,
상기 격벽을 지지하는 지지축의 주변에 배치되며, 상기 공정 공간 중 상기 지지축에 대응하는 영역에 발생되는 플라즈마를 보상하는 보상부를 포함하여 구성되는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.And a plurality of antennas installed in an antenna mounting part which is divided by the process space and the partition wall,
Wherein at least one of the plurality of antennas comprises:
And a compensator disposed around the support shaft supporting the partition and compensating for plasma generated in a region corresponding to the support shaft among the process spaces. 제1 항에 있어서,
상기 보상부는 상기 지지축을 둘러싸도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.The method according to claim 1,
And the compensator is configured to surround the support shaft. 제2 항에 있어서,
상기 보상부는,
상기 지지축의 외면과 소정 간격 이격되어 상기 지지축을 둘러싸도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.3. The method of claim 2,
Wherein the compensation unit comprises:
Wherein the support shaft is spaced apart from the outer surface of the support shaft by a predetermined distance so as to surround the support shaft. 제2 항에 있어서,
상기 보상부는,
상기 지지축의 외면을 둘러싸는 균일한 두께의 도전성 부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.3. The method of claim 2,
Wherein the compensation unit comprises:
And a conductive member having a uniform thickness surrounding the outer surface of the support shaft. 제2 항에 있어서,
상기 복수의 안테나는,
각각 상기 격벽과 나란한 방향으로 형성되는 바디부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of antennas comprises:
And a body part formed in a direction parallel to the barrier ribs, respectively. 제5 항에 있어서,
상기 보상부를 포함하는 상기 안테나는,
상기 격벽과 나란한 방향으로 상기 보상부와 상기 바디부가 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.6. The method of claim 5,
Wherein the antenna including the compensator comprises:
And the compensating part and the body part are connected to each other in a direction parallel to the partition wall. 제6 항에 있어서,
상기 보상부의 양측에 상기 바디부가 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.The method according to claim 6,
And the body part is connected to both sides of the compensation part. 제5 항에 있어서,
상기 보상부는,
내측으로 상기 지지축이 통과하도록 단면이 고리형상으로 구성된 것 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.6. The method of claim 5,
Wherein the compensation unit comprises:
And an annular shape in section so that the support shaft passes through the inside of the antenna assembly. 제8 항에 있어서,
상기 보상부의 외경과 내경의 차이는 상기 바디부의 수평 폭과 동일하게 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.9. The method of claim 8,
Wherein a difference between an outer diameter and an inner diameter of the compensating portion is equal to a horizontal width of the body portion. 제5 항에 있어서,
상기 보상부의 단면의 형상은 상기 바디부의 단면의 형상에 대응하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.6. The method of claim 5,
Wherein the shape of the cross section of the compensating section corresponds to the shape of the cross section of the body section. 제10 항에 있어서,
상기 보상부 및 상기 바디부는
수평 폭이 수직 폭보다 넓게 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.11. The method of claim 10,
The compensation section and the body section
Wherein the horizontal width is larger than the vertical width. 제10 항에 있어서,
상기 보상부는 수평 폭이 수직 폭보다 넓게 구성되며, 상기 바디부는 수평 폭이 수직 폭보다 좁게 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.11. The method of claim 10,
Wherein the compensation unit is configured such that a horizontal width is larger than a vertical width, and the body unit has a horizontal width that is narrower than a vertical width. 제10 항에 있어서,
상기 보상부는 수평 폭이 수직 폭보다 좁게 구성되며, 상기 바디부는 수평 폭이 수직 폭보다 넓게 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.11. The method of claim 10,
Wherein the compensation unit is configured such that a horizontal width is narrower than a vertical width, and the body unit has a horizontal width larger than a vertical width. 제2 항에 있어서,
상기 보상부를 포함한 상기 안테나는,
복수로 구비되어 상기 지지축의 주변에 배치되며,
상기 보상부를 포함하지 않는 안테나는,
상기 복수의 보상부를 포함한 상기 안테나의 내측 및 외측에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나 어셈블리.3. The method of claim 2,
Wherein the antenna including the compensation unit comprises:
A plurality of support shafts disposed around the support shafts,
The antenna that does not include the compensating unit,
Wherein the plurality of compensators are disposed inside and outside the antenna including the plurality of compensators. 고주파 전원;
내부에 공정 공간이 형성되는 챔버;
상기 공정 공간에 구비되어 기판이 안착되는 공간을 형성하는 스테이지;
상기 공정 공간과 안테나 설치부를 구분하는 격벽;
상기 격벽을 지지하는 지지축; 및
상기 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 인가받아 상기 공정 공간에 플라즈마를 발생시키며, 상기 안테나 설치부의 내측에 설치되는 안테나 어셈블리를 포함하여 구성되며,
상기 안테나 어셈블리는,
복수의 안테나를 포함하여 구성되며, 상기 복수의 안테나 중 적어도 하나는 상기 격벽을 지지하는 지지축의 주변에 배치되며, 상기 공정 공간 중 상기 지지축에 대응하는 영역에 발생되는 플라즈마를 보상하는 보상부를 포함하여 구성되는 플라즈마 처리장치.High frequency power source;
A chamber in which a process space is formed;
A stage provided in the process space to form a space in which the substrate is seated;
A partition wall separating the process space from the antenna installation part;
A support shaft for supporting the partition wall; And
And an antenna assembly which receives high frequency power from the high frequency power source to generate plasma in the process space and is installed inside the antenna mounting part,
The antenna assembly includes:
Wherein at least one of the plurality of antennas is disposed around a support shaft supporting the partition and includes a compensation unit for compensating plasma generated in a region corresponding to the support shaft among the process spaces To the plasma processing apparatus.
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KR100428428B1 (en) 1996-04-12 2004-04-28 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 Plasma treatment device

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