KR20160051488A - 이종 레시피를 이용한 다이 본딩 장치 - Google Patents

이종 레시피를 이용한 다이 본딩 장치 Download PDF

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KR20160051488A
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정탁
채정민
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세메스 주식회사
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Abstract

다이 본딩 장치가 개시된다. 상기 장치는, 복수의 등급들을 갖는 다이들로 이루어진 웨이퍼를 지지하는 스테이지 유닛과, 상기 스테이지 유닛과 인접하게 배치되는 본딩 영역들로 제1 및 제2 기판들을 각각 이송하기 위한 제1 및 제2 기판 이송 유닛들과, 제1 레시피에 따라 상기 다이들을 순차적으로 픽업하여 상기 제1 기판 상에 본딩하기 위한 제1 본딩 유닛과, 상기 제1 레시피와 다른 제2 레시피에 따라 상기 다이들을 순차적으로 픽업하여 상기 제2 기판 상에 본딩하기 위한 제2 본딩 유닛을 포함한다.

Description

이종 레시피를 이용한 다이 본딩 장치{Apparatus for bonding dies using recipes different from each other}
본 발명의 이종 레시피를 이용한 다이 본딩 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 여러 등급의 반도체 다이들로 이루어진 웨이퍼에 대하여 서로 다른 레시피들을 각각 이용하는 서로 다른 다이 본딩 공정들을 동시에 수행할 수 있는 다이 본딩 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 상기와 같이 형성된 반도체 소자들은 다이싱 공정을 통해 분할될 수 있으며 다이 본딩 공정을 통해 기판 상에 본딩될 수 있다.
상기 다이 본딩 공정을 수행하기 위한 장치는 복수의 다이들로 분할된 웨이퍼를 지지하는 스테이지와 상기 스테이지에 인접하도록 위치된 본딩 영역으로 기판을 이송하기 위한 기판 이송 유닛과 상기 다이들을 레시피에 따라 픽업하여 상기 기판 상에 본딩하기 위한 본딩 유닛을 포함할 수 있다. 상기와 같은 다이 본딩 장치의 일 예는 대한민국 등록특허공보 제10-0929197호에 개시되어 있다.
한편 상기 다이싱 공정을 수행하기 전에 프로브 스테이션과 같은 검사 장치를 통해 상기 다이들에 대한 전기적인 특성 검사가 수행될 수 있으며, 상기 검사 공정의 결과에 따라 상기 다이들에는 복수의 등급들이 각각 부여될 수 있다. 예를 들면, 상기 웨이퍼가 5개의 등급들을 갖는 다이들로 이루어진 경우 1등급 및 2등급의 다이들은 다이 본딩 공정을 통해 반도체 장치로서 제조되고, 그 이하의 등급들을 갖는 다이들은 폐기 처리될 수 있다.
그러나, 최근 기판 상에 복수의 다이들을 주어진 레시피에 따라 적층하여 멀티칩 반도체 장치를 제조하는 경우 상대적으로 낮은 등급의 다이들도 사용될 수 있다. 상기와 같이 낮은 등급들을 갖는 다이들이 사용되는 경우 반도체 장치의 제조 수율이 향상될 수 있으나 다이 본딩 공정을 효율적으로 수행하기에는 어려움이 있다.
예를 들면, 웨이퍼 상에 특정 등급의 다이들만 잔류되는 경우 또는 특정 등급의 다이들만 먼저 소진되는 경우가 발생될 수 있다. 이 경우 상기 웨이퍼를 언로드하고 이후 필요에 따라 다시 로드하는 등의 번거로움이 발생될 수 있으며, 결과적으로 상기 다이 본딩 공정에 소요되는 시간을 크게 증가시키는 문제점이 발생될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 다이 본딩 공정을 보다 효율적으로 수행하기 위하여 서로 다른 레시피들을 이용하는 다이 본딩 공정들을 동시에 수행할 수 있는 다이 본딩 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 다이 본딩 장치는, 복수의 등급들을 갖는 다이들을 포함하는 웨이퍼를 지지하는 스테이지 유닛과, 상기 스테이지 유닛과 인접하게 배치되는 본딩 영역들로 제1 및 제2 기판들을 각각 이송하기 위한 제1 및 제2 기판 이송 유닛들과, 제1 레시피에 따라 상기 다이들을 순차적으로 픽업하여 상기 제1 기판 상에 본딩하기 위한 제1 본딩 유닛과, 상기 제1 레시피와 다른 제2 레시피에 따라 상기 다이들을 순차적으로 픽업하여 상기 제2 기판 상에 본딩하기 위한 제2 본딩 유닛을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 및 제2 본딩 유닛들 각각은 상기 제1 및 제2 레시피들에 따른 제1 및 제2 멀티칩 반도체 장치들을 제조하기 위하여 상기 제1 및 제2 기판들 상에 상기 다이들을 적층 방식으로 본딩할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 및 제2 레시피는 상기 다이들의 등급, 적층 순서, 적층 개수 및 본딩 방향에 대한 정보를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 본딩 유닛은, 상기 다이들을 픽업하여 상기 제1 기판 상에 본딩하기 위한 제1 본딩 헤드와, 상기 제1 본딩 헤드를 수직 및 수평 방향으로 이동시키기 위한 제1 헤드 구동부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 본딩 유닛은, 상기 웨이퍼로부터 상기 다이들을 픽업하기 위한 제1 피커와, 상기 제1 피커에 의해 픽업된 다이를 지지하기 위한 제1 다이 스테이지를 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 본딩 헤드는 상기 제1 다이 스테이지 상에 지지된 다이를 픽업하여 상기 제1 기판 상에 본딩할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 다이 스테이지는 상기 다이들의 본딩 방향을 조절하기 위하여 회전 가능하게 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 본딩 유닛은, 상기 다이들을 픽업하여 상기 제2 기판 상에 본딩하기 위한 제2 본딩 헤드와, 상기 제2 본딩 헤드를 수직 및 수평 방향으로 이동시키기 위한 제2 헤드 구동부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 본딩 유닛은, 상기 웨이퍼로부터 상기 다이들을 픽업하기 위한 제2 피커와, 상기 제2 피커에 의해 픽업된 다이를 지지하기 위한 제2 다이 스테이지를 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 본딩 헤드는 상기 제2 다이 스테이지 상에 지지된 다이를 픽업하여 상기 제2 기판 상에 본딩할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 다이 스테이지는 상기 다이들의 본딩 방향을 조절하기 위하여 회전 가능하게 구성될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 기판 이송 유닛들은 제1 및 제2 기판들을 각각 본딩 영역들로 이송할 수 있으며, 제1 및 제2 본딩 유닛들은 서로 다른 제1 및 제2 레시피들에 따라 각각 다이 본딩 공정들을 수행할 수 있다.
결과적으로, 서로 다른 레시피들을 사용하는 다이 본딩 공정들을 효율적으로 수행할 수 있으며, 이에 따라 상기 다이 본딩 공정들에 소요되는 시간을 크게 단축시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 스테이지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치(100)는 이종의 레시피들을 이용하여 이종의 다이 본딩 공정들을 동시에 수행하기 위하여 사용될 수 있다. 특히, 상기 다이 본딩 장치(100)는 기판 상에 복수의 다이들을 적층하여 멀티칩 반도체 장치들을 제조하기 위하여 사용될 수 있다. 상기 이종의 레시피들은 상기 멀티칩 반도체 장치들을 제조하기 위하여 상기 다이들의 등급, 적층 순서, 적층 개수, 본딩 방향 등에 대한 정보를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 다이 본딩 장치(100)는 웨이퍼(10)를 지지하는 스테이지 유닛(110)과, 서로 다른 기판들(30, 40)을 각각 이송하기 위한 기판 이송 유닛들(120, 130)과, 상기 기판들(30, 40)에 대하여 서로 다른 레시피들을 이용하여 본딩 공정을 수행하기 위한 본딩 유닛들(140, 150)을 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼(10)는 복수의 등급들을 각각 갖는 다이들(20)을 포함할 수 있으며, 상기 다이들(20)의 등급들은 각 다이들의 전기적인 특성 검사에 따라 불량 다이들을 제외하고, 예를 들면, 1 등급부터 4 내지 5 등급까지 부여될 수 있다. 상기 웨이퍼(10)는 대략 원형 링 형태의 마운트 프레임(12)에 다이싱 테이프(14)를 통해 장착될 수 있으며, 상기 스테이지 유닛(110)은 상기 마운트 프레임(12)을 지지할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 스테이지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2를 참조하면, 상기 스테이지 유닛(110)은 상기 마운트 프레임(12)을 파지하는 클램프(112)와, 상기 다이싱 테이프(14)의 가장자리 부위를 지지하는 서포트 링(114)과, 상기 클램프(112)와 상기 서포트 링(114)이 장착되며 상기 웨이퍼(10) 아래에서 개구를 갖는 베이스 플레이트(116)를 포함할 수 있다. 상기 스테이지 유닛(110) 아래에는 상기 다이싱 테이프(14)로부터 상기 다이들(20)을 선택적으로 분리시키기 위한 다이 이젝트 유닛(118)이 배치될 수 있으며, 상기 스테이지 유닛(110)과 상기 다이 이젝트 유닛(118)은 상기 다이싱 테이프(14)로부터 상기 다이들(20)을 선택적으로 분리하기 위하여 각각 별도의 구동부들에 의해 이동 가능하게 구성될 수 있다.
상기 클램프(112)는 상기 다이싱 테이프(14)를 신장시키기 위하여 상기 다이싱 테이프(14)가 상기 서포트 링(114)에 의해 지지된 상태에서 상기 마운트 프레임(12)을 하방으로 이동시킬 수 있으며, 이에 의해 상기 다이들(20) 사이의 간격이 확장될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 다이 본딩 장치(100)는 다수의 웨이퍼들(10)이 수납된 카세트(50)가 로드되는 로드 포트를 포함할 수 있다. 상기 로드 포트는 상기 스테이지 유닛(110)과 인접하게 배치될 수 있으며, 상기 카세트(50)와 상기 스테이지 유닛(110) 사이에서 상기 웨이퍼(10)의 이송은 웨이퍼 이송 유닛(160)에 의해 수행될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 웨이퍼(10)의 이송을 위한 가이드 레일(미도시)이 상기 카세트(50)로부터 수평 방향으로 연장될 수 있으며, 상기 웨이퍼 이송 유닛(160)에 의해 이송된 웨이퍼(10)는 상기 스테이지 유닛(110)으로 전달될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 다이 본딩 장치(100)는 서로 다른 제1 기판(30)과 제2 기판(40)을 각각 상기 스테이지 유닛(110)에 인접하게 위치된 본딩 영역들(도 1에서 점선으로 표시된 영역들)로 이송하기 위한 제1 기판 이송 유닛(120)과 제2 기판 이송 유닛(130)을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 본딩 영역들에는 상기 제1 및 제2 기판들(30, 40)이 각각 놓여지는 본딩 스테이지들이 각각 배치될 수 있으며, 상기 본딩 스테이지들은 상기 제1 및 제2 기판들(30, 40)의 온도를 조절하기 위한 히터를 각각 포함할 수 있다.
상세히 도시되지는 않았으나, 상기 제1 기판 이송 유닛(120)은 상기 제1 기판(30)을 이송하기 위한 제1 이송 레일과 상기 제1 기판(30)을 파지하기 위한 제1 그리퍼 및 상기 제1 그리퍼를 상기 제1 이송 레일을 따라 이동시키기 위한 제1 그리퍼 구동부 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 이송 레일은 제1 본딩 영역을 경유하여 연장될 수 있으며, 상기 제1 본딩 영역으로 이송된 제1 기판(30)에 대하여 상기 제1 레시피에 따른 본딩 공정이 수행될 수 있다.
상기 제1 이송 레일의 일측에는 복수의 제1 기판들(30)이 수납된 매거진(50)이 배치될 수 있으며, 상기 제1 이송 레일의 타측에는 다이 본딩 공정이 수행된 제1 기판들(30)이 수납되는 매거진(52)이 배치될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 제1 기판 이송 유닛(120)은 상기 매거진(50)으로부터 상기 제1 기판을 인출하고, 상기 제1 기판을 상기 매거진(52)에 수납하기 위한 푸셔들을 포함할 수 있다.
상기 제2 이송 유닛(130)은 상기 제1 이송 유닛(120)과 평행하게 구성될 수 있으며, 제2 이송 레일과 제2 그리퍼 및 제2 그리퍼 구동부 등을 포함할 수 있다. 특히, 상기 제2 이송 유닛(130)은 상기 제1 이송 유닛(120)과 실질적으로 동일하게 구성될 수 있으며, 상기 제2 이송 유닛(130)의 일측 및 타측에도 각각 매거진(60, 62)이 배치될 수 있다.
상기 다이 본딩 장치(100)는 서로 다른 제1 레시피와 제2 레시피를 각각 이용하는 다이 본딩 공정들을 동시에 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 다이 본딩 장치(100)는 상기 제1 레시피에 따라 상기 다이들(20)을 순차적으로 픽업하여 상기 제1 기판(30)에 본딩하기 위한 제1 본딩 유닛(140)과, 상기 제2 레시피에 따라 상기 다이들(20)을 순차적으로 픽업하여 상기 제2 기판(40)에 본딩하기 위한 제2 본딩 유닛(150)을 포함할 수 있다.
상기 제1 본딩 유닛(140)은 상기 제1 레시피에 따라 상기 다이들(20)을 상기 제1 기판(30) 상에 적층 방식으로 본딩함으로써 상기 제1 레시피에 따른 제1 멀티칩 반도체 장치를 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 본딩 유닛(140)은 상기 웨이퍼(10)로부터 다이(20)를 픽업하여 상기 제1 기판(30) 상에 본딩하기 위한 제1 본딩 헤드와, 상기 제1 본딩 헤드를 수직 및 수평 방향으로 이동시키기 위한 제1 헤드 구동부를 포함할 수 있다.
상기 제2 본딩 유닛(150)은 상기 제2 레시피에 따라 상기 다이들(20)을 상기 제2 기판(40) 상에 적층 방식으로 본딩함으로써 상기 제2 레시피에 따른 제2 멀티칩 반도체 장치를 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 본딩 유닛(150)은 제2 본딩 헤드와 제2 헤드 구동부를 포함할 수 있으며, 상기 제1 본딩 유닛과 실질적으로 동일하게 구성될 수 있다.
일 예로서, 상기 제1 및 제2 헤드 구동부들은 직교 좌표 로봇 형태로 구성될 수 있다. 그러나, 상기 제1 및 제2 헤드 구동부들의 구성은 다양하게 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 본딩 유닛(140)은 상기 제1 레시피에 따라 상기 웨이퍼(10)로부터 상기 다이들(20)을 픽업하기 위한 제1 피커(170)와 상기 제1 피커(170)에 의해 픽업된 다이(20)를 지지하기 위한 제1 다이 스테이지(172)를 포함할 수 있으며, 상기 제2 본딩 유닛(150)은 상기 제2 레시피에 따라 상기 웨이퍼(10)로부터 상기 다이들(20)을 픽업하기 위한 제2 피커(180)와 상기 제2 피커(180)에 의해 픽업된 다이(20)를 지지하기 위한 제2 다이 스테이지(182)를 포함할 수 있다.
도시되지는 않았으나, 상기 제1 및 제2 피커들(170, 180)은 각각 제1 및 제2 피커 구동부들(미도시)과 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 피커 구동부들은 상기 제1 및 제2 피커들(170, 180)을 각각 수직 및 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로서, 상기 제1 및 제2 피커 구동부들은 직교 좌표 로봇 형태로 구성될 수 있으나, 이와 다르게 다양한 형태로 구성이 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.
상기 제1 본딩 헤드는 상기 제1 다이 스테이지(172) 상에 지지된 다이(20)를 픽업하여 상기 제1 기판(30) 상에 본딩할 수 있으며, 상기 제2 본딩 헤드는 상기 제2 다이 스테이지(182) 상에 지지된 다이(20)를 픽업하여 상기 제2 기판(40) 상에 본딩할 수 있다.
특히, 상기 제1 및 제2 다이 스테이지들(172, 182)은 상기 다이들(20)의 본딩 방향을 조절하기 위하여 회전 가능하게 구성될 수 있다. 일 예로서, 상기 제1 및 제2 다이 스테이지들(172, 182)은 각각 제1 및 제2 회전 구동부들(미도시)과 연결될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 회전 구동부들은 모터 등을 이용하여 구성될 수 있다. 그러나, 상기 제1 및 제2 회전 구동부들의 구성은 다양하게 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 기판 이송 유닛들(120, 130)은 제1 및 제2 기판들(30, 40)을 각각 본딩 영역들로 이송할 수 있으며, 제1 및 제2 본딩 유닛들(140, 150)은 서로 다른 제1 및 제2 레시피들에 따라 각각 다이 본딩 공정들을 수행할 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 레시피는 상대적으로 높은 등급의 다이들(20)을 상대적으로 낮은 등급의 다이들(20)보다 더 많이 요구할 수 있으며, 이와 반대로 상기 제2 레시피는 상대적으로 낮은 등급의 다이들(20)을 상대적으로 높은 등급의 다이들(20)보다 더 많이 요구할 수 있다.
결과적으로, 서로 다른 레시피들을 사용하는 다이 본딩 공정들을 효율적으로 수행할 수 있으며, 이에 따라 상기 다이 본딩 공정들에 소요되는 시간을 크게 단축시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 기판 20 : 반도체 다이
30 : 제1 기판 40 : 제2 기판
100 : 다이 본딩 장치 110 : 스테이지 유닛
120 : 제1 기판 이송 유닛 130 : 제2 기판 이송 유닛
140 : 제1 본딩 유닛 150 : 제2 본딩 유닛
170 : 제1 피커 172 : 제1 다이 스테이지
180 : 제2 피커 182 : 제2 다이 스테이지

Claims (9)

  1. 복수의 등급들을 갖는 다이들을 포함하는 웨이퍼를 지지하는 스테이지 유닛;
    상기 스테이지 유닛과 인접하게 배치되는 본딩 영역들로 제1 및 제2 기판들을 각각 이송하기 위한 제1 및 제2 기판 이송 유닛들;
    제1 레시피에 따라 상기 다이들을 순차적으로 픽업하여 상기 제1 기판 상에 본딩하기 위한 제1 본딩 유닛; 및
    상기 제1 레시피와 다른 제2 레시피에 따라 상기 다이들을 순차적으로 픽업하여 상기 제2 기판 상에 본딩하기 위한 제2 본딩 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 본딩 유닛들 각각은 상기 제1 및 제2 레시피들에 따른 제1 및 제2 멀티칩 반도체 장치들을 제조하기 위하여 상기 제1 및 제2 기판들 상에 상기 다이들을 적층 방식으로 본딩하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레시피는 상기 다이들의 등급, 적층 순서, 적층 개수 및 본딩 방향에 대한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 본딩 유닛은,
    상기 다이들을 픽업하여 상기 제1 기판 상에 본딩하기 위한 제1 본딩 헤드; 및
    상기 제1 본딩 헤드를 수직 및 수평 방향으로 이동시키기 위한 제1 헤드 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 본딩 유닛은,
    상기 웨이퍼로부터 상기 다이들을 픽업하기 위한 제1 피커; 및
    상기 제1 피커에 의해 픽업된 다이를 지지하기 위한 제1 다이 스테이지를 더 포함하며,
    상기 제1 본딩 헤드는 상기 제1 다이 스테이지 상에 지지된 다이를 픽업하여 상기 제1 기판 상에 본딩하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 다이 스테이지는 상기 다이들의 본딩 방향을 조절하기 위하여 회전 가능하게 구성되는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 본딩 유닛은,
    상기 다이들을 픽업하여 상기 제2 기판 상에 본딩하기 위한 제2 본딩 헤드; 및
    상기 제2 본딩 헤드를 수직 및 수평 방향으로 이동시키기 위한 제2 헤드 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 본딩 유닛은,
    상기 웨이퍼로부터 상기 다이들을 픽업하기 위한 제2 피커; 및
    상기 제2 피커에 의해 픽업된 다이를 지지하기 위한 제2 다이 스테이지를 더 포함하며,
    상기 제2 본딩 헤드는 상기 제2 다이 스테이지 상에 지지된 다이를 픽업하여 상기 제2 기판 상에 본딩하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2 다이 스테이지는 상기 다이들의 본딩 방향을 조절하기 위하여 회전 가능하게 구성되는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
KR1020140164550A 2014-10-31 2014-11-24 이종 레시피를 이용한 다이 본딩 장치 KR20160051488A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190034858A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 세메스 주식회사 다이 본딩 장치
KR20210153469A (ko) * 2020-06-10 2021-12-17 세메스 주식회사 기판 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR20230014321A (ko) * 2021-07-21 2023-01-30 세메스 주식회사 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190034858A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 세메스 주식회사 다이 본딩 장치
KR20210153469A (ko) * 2020-06-10 2021-12-17 세메스 주식회사 기판 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
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