KR20160049880A - Cavity type low pass filter - Google Patents

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Abstract

The purpose of the present invention is to provide a cavity-shaped low-pass filter which can reduce a full length comparatively and can increase a degree of freedom in design, thereby facilitating manufacture. The cavity-shaped low-pass filter according to the present invention comprises: L (inductance) elements composed in the structure of a transmission line having an inductance component and composed to be connected in a row; a housing having grooves formed at positions corresponding to at least part of the installation space of the L elements, connection points between the L elements, and points corresponding to the input and output of all the L elements; and C (capacitance) elements composed of structures for forming capacitance combining surfaces by facing the inner surfaces of the grooves, and connected directly or indirectly to at least part of the connection points between the L elements and the points corresponding to the input and output of all the L elements.

Description

캐비티 타입의 저대역 통과 필터{CAVITY TYPE LOW PASS FILTER} Cavity type low pass filter (CAVITY TYPE LOW PASS FILTER)

본 발명은 무선 통신 시스템에 사용되는 무선 신호 처리 장치에 관한 것으로서, 특히 캐비티 타입의 저대역 통과 필터(LPF: Low Pass Filter)에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wireless signal processing apparatus used in a wireless communication system, and more particularly to a cavity-type low pass filter (LPF).

통상적으로, 저대역 통과 필터(이하 '필터'로 약칭할 수 있음)는 회로적으로, 신호의 입력포트 및 출력포트 사이에서 직렬 연결되는 복수의 L(인덕턴스 성분) 소자와 상기 복수의 L 소자들 간의 연결 지점과 접지단 사이에 연결되는 복수의 C(커패시턴스 성분) 소자의 배열 구조를 가진다. Typically, a low pass filter (hereinafter abbreviated as " filter ") comprises a plurality of L (inductance component) elements serially connected between input and output ports of a signal and a plurality of L And a plurality of C (capacitance component) elements connected between the connection point and the ground terminal.

저역 통과 필터는 구조적으로 인쇄회로기판 타입과 캐비티 타입으로 구분할 수 있다. 인쇄회로기판 타입의 저역 통과 필터는 인쇄회로기판에 개별적으로 장착될 수 있는 통상적인 전자 회로 부품인 커패시터와 인덕터를 이용하여 구현할 수도 있으며, 또는 L 소자와 C 소자에 해당하는 박막 금속 패턴을 인쇄회로기판 상에 형성하여 구현할 수도 있다. The low-pass filter can be structurally divided into a printed circuit board type and a cavity type. The low-pass filter of the printed circuit board type can be implemented using capacitors and inductors, which are common electronic circuit components that can be individually mounted on a printed circuit board, or a thin metal pattern corresponding to the L element and the C element, Or may be formed on a substrate.

캐비티 타입의 저역 통과 필터는 통상 금속 재질의 하우징과 커버를 통해 캐비티가 형성되는 상자 구조로 형성된다. 상기 상자 내부에서 해당 하우징 및 커버의 내면과 대면하여 커패시턴스 결합 면을 가지는 복수의 금속 재질의 구조물이C 소자로서 구비된다. 또한, 상기 복수의 금속 구조물 사이를 연결하는 금속 재질의 핀이 L 소자로서 구비된다. 이러한 캐비티 타입의 필터는 인쇄회로기판 타입의 필터와 비교하여, 그 특성이 우수하고, 고전력 장비에 적합하므로, 예를 들어, 이동통신 시스템에서 기지국이나 중계기 등에 널리 적용되고 있다.  The cavity-type low-pass filter is formed of a box structure in which a cavity is formed through a metal housing and a cover. And a plurality of metal structures having a capacitance coupling surface facing the inner surface of the housing and the cover inside the box are provided as C elements. Further, a metal pin connecting the plurality of metal structures is provided as an L element. Such a cavity type filter is superior to a printed circuit board type filter in its characteristics and is suitable for high power equipment and is widely applied to a base station, a repeater, and the like in a mobile communication system, for example.

도 1은 종래의 캐비티 타입의 저대역 통과 필터의 사시도이며, 도 2는 도 1의 내부 측면 구조도이며, 도 3은 도 1의 등가 회로도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래의 저대역 통과 필터는 알루미늄(합금) 등의 금속 재질의 하우징(12)과 커버(12)를 통해 캐비티가 형성되는 상자 구조로 형성된다. 도 1 및 도 2의 예에서는 가로로 길게 늘여진 직사각형 상자 구조로 형성됨이 도시되고 있다. 상자 구조의 길이방향의 양단에 해당하는 부위에는 각각 입력포트(142) 및 출력포트(144)가 형성될 수 있으며, 입력포트(142) 및 출력포트(144) 사이에 C소자들(C1, C2, C3, C4, C5, C6)과 L소자들(L1, L2, L3, L4, L5)이 서로 교대로 형성된다. 이때, 서로 교대로 형성되는 C소자들(C1-C6)과 L소자들(L1-L5)은 기구적으로는 일렬로 연결되게 구성된다. Fig. 1 is a perspective view of a conventional low-pass filter of a cavity type, Fig. 2 is an inner side structural view of Fig. 1, and Fig. 3 is an equivalent circuit diagram of Fig. 1 to 3, the conventional low-pass filter is formed of a box-like structure in which a cavity is formed through a housing 12 made of a metal such as aluminum (alloy) and a cover 12. In the example of FIG. 1 and FIG. 2, a rectangular box structure elongated in a transverse direction is shown. An input port 142 and an output port 144 may be respectively formed at portions corresponding to both ends of the box structure in the longitudinal direction and C elements C 1 and C 2 may be provided between the input port 142 and the output port 144. , C3, C4, C5, and C6 and the L elements L1, L2, L3, L4, and L5 are alternately formed. At this time, the C elements (C1-C6) and the L elements (L1-L5) alternately formed are structured to be connected in series in terms of mechanism.

도 1 내지 도 3의 예에서는, 입력포트(142)에 제1 C소자(C1)가 연결되며, 이후 제1 L소자(L1), 제2 C소자(C2), 제2 L소자(L2), 제3 C소자(C3), 제 3L소자(L3), 제4 C소자(C4), 제4 L소자(L4), 제5 C소자(C5), 제5 L소자(L5), 제6 C소자(C6)가 차례로 일렬로 연결되며, 제6 C소자(C6)와 출력포트(144)가 연결된다. 1 to 3, the first C element C1 is connected to the input port 142 and then the first L element L1, the second C element C2, the second L element L2, The third C element C3, the third L element L3, the fourth C element C4, the fourth L element L4, the fifth C element C5, the fifth L element L5, C element C6 are connected in series and the sixth C element C6 and the output port 144 are connected.

C소자들(C1-C6)은 각각 눕혀진 원기둥 형태를 가지는 금속 재질의 구조물로 형성될 수 있는데, 원기둥의 곡면이 하우징(14) 및 커버(12)의 내면과 대면하여 커패시턴스 결합 면을 형성하도록 구성된다. 이때 각 C소자들(C1-C6) 별로 적절한 커패시턴스 값을 형성하기 위하여 원기둥의 높이가 적절히 서로 다르게 형성될 수 있다. L소자들(L1-L5)은 상기 C소자들(C1-C6) 사이에 설치되어, 상기 C소자들(C1-C6)을 연결하는 금속 재질의 핀 구조로 형성될 수 있다. The C elements (C1-C6) may be formed of a metal structure having a cylindrical shape, each of which is laid out so that the curved surface of the cylinder faces the inner surface of the housing 14 and the cover 12 to form a capacitance coupling surface . At this time, the heights of the cylinders may be appropriately different from each other in order to form an appropriate capacitance value for each of the C elements (C1-C6). The L devices L1 to L5 may be formed of a metallic fin structure which is provided between the C devices C1 to C6 and connects the C devices C1 to C6.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 도 1 및 도 2에 도시된 구조를 회로적으로 살펴보면, L소자들(L1-L5)은 입력포트(142) 및 출력포트(144) 사이에서 서로 직렬로 연결되게 설치된다. 또한, C소자들(C1-C6)은 각각의 L소자들(L1-L5) 사이의 연결 지점들 및 전체 L소자들(L1-L5)의 입력 및 출력 지점에서 각각 접지단과 연결되게 각각 하나씩 설치된다. 1 and 2, the L devices L1 to L5 are connected in series between the input port 142 and the output port 144, Respectively. The C elements C1 to C6 are respectively connected to the ground terminals at the connection points between the respective L elements L1 to L5 and at the input and output points of all the L elements L1 to L5, do.

상기와 같이 구성되는 저대역 통과 필터에서, 각각의 L소자는 저주파 대역만을 입력포트와 출력포트 사이에 통과시키는 역할을 하며, 각각의 C소자는 고주파 대역을 접지단으로 통과시켜 제거하는 역할을 한다. 이때, L소자들과 C소자들 각각은 해당 필터의 단(stage)을 형성한다. 통상 저대역 통과 필터는 요구되는 필터링 특성을 가지도록, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 다수의 L소자와 다수의 C소자들을 이용하여 멀티 단(multi stage) 구조로 구성된다. In the low-pass filter configured as described above, each L element serves to pass only a low frequency band between the input port and the output port, and each C element plays a role of passing the high frequency band through the ground terminal . At this time, each of the L elements and the C elements forms a stage of the corresponding filter. Usually, the low-pass filter has a multi-stage structure using a plurality of L elements and a plurality of C elements, as shown in Figs. 1 to 3, so as to have a required filtering characteristic.

또한, 상기 C소자들(C1-C6)과 L소자들(L1-L5)은 통상, 제품 특성 향상 및 제조 공정 간소화 등을 위하여, 하나의 모재를 다이캐스팅 방식으로 가공하여 전체적으로 일체형으로 형성된다. The C elements (C1-C6) and the L elements (L1-L5) are generally integrally formed by processing one base material by a die-casting method for improving the product characteristics and simplifying the manufacturing process.

그런데, 상기한 바와 같은 구조를 가지는 저대역 통과 필터는, C소자들과 L소자들이 기구적으로는 일렬로 연결되는 구성을 가지므로, 특히, 높은 단으로 구성할수록 요구되는 전장 길이가 상당히 늘어나게 되므로 제품 설계시 어려움이 있었다. However, since the low-pass filter having the above-described structure has a configuration in which the C elements and the L elements are mechanically connected in a line, the required length of the total length is considerably increased, There was a difficulty in designing the product.

또한, 통상적으로 저대역 통과 필터는 예를 들어, 무선 신호 처리 장비에서 하나의 부품으로서 다른 부품들과 일체형으로 제작될 경우가 많다. 이때, 상기한 저대역 통과 필터는 필터 및 하우징의 결합 구조를 가지므로, 해당 무선신호 처리 장비의 메인 하우징의 설계시에 저대역 통과 필터의 위치를 상기 메인 하우징의 커버 측에 설계하여야 하는 등 제품 설계시에 제약이 많았다. Also, low-pass filters are typically fabricated in one piece with other components, for example, as a component in a wireless signal processing device. Since the low-pass filter has a coupling structure of a filter and a housing, it is necessary to design the position of the low-pass filter at the cover side of the main housing when designing the main housing of the radio signal processing equipment. There were many constraints in designing.

또한, 통상적으로 필터 구조에서는 필터의 단수를 증가시키지 않으면서 스커트 특성을 개선하기 위해 노치(notch)(감쇠 극)를 형성하는 방안이 고려되고 있다. 통상 노치를 형성하기 위하여, 필터의 각 단이나, 필터의 단 간에 추가적인 보조 커패시턴스 소자 또는 인덕턴스 소자를 제공하는 방식이 제안되고 있는데, 상기한 바와 같이, C소자들과 L소자들이 기구적으로는 일렬로 연결되는 구성을 가지는 저대역 통과 필터에서 노치를 형성하는 것은 구현상 어려움이 많았다. In addition, in the filter structure, a method of forming a notch (attenuation pole) in order to improve the skirt characteristic without increasing the number of stages of the filter is considered. In order to form a normal notch, a method of providing an additional auxiliary capacitance element or an inductance element between each end of the filter and the end of the filter has been proposed. As described above, the C elements and the L elements are mechanically arranged in a line It is difficult to form a notch in a low-pass filter having a configuration that is connected to a low-pass filter.

따라서 본 발명의 목적은 전장 길이를 비교적 줄일 수 있으며, 설계 자유도를 증대할 수 있어서 보다 용이한 제작이 가능할 수 있는 캐비티 타입의 저대역 통과 필터를 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a cavity-type low-pass filter capable of relatively reducing the total length and increasing the degree of design freedom, thereby making it easier to manufacture.

본 발명의 다른 목적은 보다 효율적인 구조로 노치 특성을 줄 수 있는 캐비티 타입의 저대역 통과 필터를 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a cavity-type low-pass filter capable of providing a notch characteristic with a more efficient structure.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 캐비티(cavity) 타입의 저대역 통과 필터에 있어서; 인덕턴스(inductance) 성분을 가지는 전송 선로의 구조로 구성되며, 일렬로 연결되게 구성되는 L(인덕턴스) 소자들과; 상기 L소자들의 설치 공간과, 상기 L소자들 사이의 연결 지점들과 전체 L소자들의 입력 및 출력에 해당하는 지점들 중 적어도 일부에 대응되는 위치에 홈들을 형성하는 하우징(housing)과; 상기 홈들의 내면과 대면하여 커패시턴스(capacitance) 결합 면을 형성하는 구조물로 구성되며, 상기 L소자들 사이의 연결 지점들과 전체 L소자들의 입력 및 출력에 해당하는 지점들 중 적어도 일부와 직접 또는 간접적으로 연결되는 C(커패시턴스)소자들을 포함함을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a low-pass filter of a cavity type; L (inductance) elements composed of a transmission line structure having an inductance component and connected in series; A housing forming a groove at a position corresponding to at least a part of an installation space of the L devices, connection points between the L devices and input and output of all L devices; And a capacitance coupling surface facing the inner surfaces of the grooves, wherein the connection points between the L elements and at least some of the points corresponding to the inputs and outputs of the L elements are directly or indirectly (Capacitance) elements connected to the input terminal.

상기 C소자들 중 적어도 일부는, 인덕턴스를 추가적으로 제공하는 보조 L소자를 통해 상기 L소자들 사이의 연결 지점들과 전체 L소자들의 입력 및 출력에 해당하는 지점들 중 적어도 일부와 간접적으로 연결될 수 있다. At least some of the C devices may be indirectly coupled to connection points between the L devices and at least some of the points corresponding to the inputs and outputs of all L devices through an auxiliary L device that additionally provides inductance .

상기 홈들은 원형으로 형성되며, 상기 C소자들은 원기둥 형태로 형성되어, 상기 원기둥의 곡면이 상기 대응되는 원형의 홈들의 내면과 대면할 수 있다. The grooves are formed in a circular shape, and the C elements are formed in a cylindrical shape so that the curved surface of the cylinder faces the inner surface of the corresponding circular grooves.

상기 L소자들 및 상기 C소자들로 형성되는 필터 단들의 전체적인 구조는 가운데 지점을 중심으로 서로 대칭적으로 형성될 수 있다. The overall structure of the filter stages formed by the L devices and the C devices may be symmetrically formed around the center point.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 캐비티 타입의 저대역 통과 필터는 전장 길이를 비교적 줄일 수 있으며, 설계 자유도를 증대할 수 있어서 보다 용이한 제작이 가능하며, 보다 효율적인 구조로 노치 특성을 줄 수 있다. As described above, the cavity-type low-pass filter according to the present invention can relatively reduce the total length, increase the degree of freedom of design, and can be manufactured more easily, and can provide notch characteristics with a more efficient structure .

도 1은 종래의 캐비티 타입의 저대역 통과 필터의 사시도
도 2는 도 1의 내부 측면 구조도
도 3은 도 1의 등가 회로도
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐비티 타입의 저대역 통과 필터의 투과 사시도
도 5는 도 4의 내부 측면 구조도
도 6은 도 4의 등가 회로도
도 7은 도 4의 필터링 특성을 나타낸 그래프
도 8은 도 4의 필터의 일 변형 구조를 나타난 사시도
도 9는 도 4의 필터의 다른 변형 구조를 나타낸 내부 측면 구조도
1 is a perspective view of a conventional low-pass filter of a cavity type;
Fig. 2 is a side view of the inner side structure of Fig. 1
Fig. 3 is an equivalent circuit diagram of Fig.
4 is a perspective view of a cavity-type low-pass filter according to an embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a side view of the inner side structure of Fig. 4
Fig. 6 is an equivalent circuit diagram of Fig. 4
Fig. 7 is a graph showing the filtering characteristics of Fig. 4
FIG. 8 is a perspective view showing a modified structure of the filter of FIG.
Fig. 9 is an internal side structural view showing another modified structure of the filter of Fig. 4

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 하기 도면에서는 동일한 구성요소에 대해서는 가능한 동일한 참조부호를 부여하였다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same constituent elements are given the same reference numerals as possible.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐비티 타입의 저대역 통과 필터의 투과 사시도이며, 도 5는 도 4의 내부 측면 구조도, 도 6은 도 4의 등가 회로도이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 저대역 통과 필터는 알루미늄(합금) 등의 금속 재질의 하우징(22)(도 4의 예에서는 일점쇄선의 박스로 표시함)에 의해 캐비티(도 4의 예에서는 점선 박스로 표시함)가 형성되는 구조를 가진다. FIG. 4 is a perspective view of a cavity-type low-pass filter according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is an internal side view of FIG. 4, and FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of FIG. 4 to 6, a low-pass filter according to an embodiment of the present invention includes a metal housing 22 (indicated by a box of a single dotted line in the example of FIG. 4) made of aluminum Thereby forming a cavity (indicated by a dotted box in the example of Fig. 4).

도 4 및 도 5의 예에서는 하우징(22)에 의해 기본적으로, 캐비티가 가로로 길게 늘여진 직사각형 상자 구조로 형성됨이 도시되고 있는데, 캐비티에는 후술하는 바와 같이, 다수의 홈(G1, G2, G3, G4, G5, G6)이, 예를 들어, 캐비티의 하부에서 아래로 신장되는 형태로 추가로 형성되도록 하우징(22)이 구성된다. 하우징(22)의 길이방향의 양단에 해당하는 부위에는 각각 입력포트(222) 및 출력포트(224)가 형성될 수 있으며, 입력포트(222) 및 출력포트(224) 사이에 L소자들(L1, L2, L3, L4, L5)이 기구적으로 및 회로적으로 차례로 일렬로 연결되게 구성된다. 4 and 5, the housing 22 is basically formed with a rectangular box structure in which the cavity is elongated in the transverse direction. The cavity includes a plurality of grooves G1, G2 and G3 , G4, G5, G6) is further formed to extend downwardly from the bottom of the cavity, for example. An input port 222 and an output port 224 may be respectively formed at portions corresponding to both ends of the housing 22 in the longitudinal direction and L elements L1 , L2, L3, L4, L5) are mechanically and circuitly connected in series.

L소자들(L1-L5)은 예를 들어, 전체적으로 직선 형태로 연결될 수 있으며, 스트립라인과 유사한 전송 선로 구조로서, 일체형으로 구성될 수 있다. 각 L소자들(L1-L5)의 길이는 요구되는 인덕턴스 값을 가질 수 있도록 미리 적절히 설계된다. 이때 캐비티는 해당 L소자들(L1-L5)의 전기적 특성 및 설치 공간을 고려하여 적절한 사이즈로 설정된다. 도 4 및 도 5에서는, 각 L 소자들(L1-L5)의 형태, 길이, 굵기 등이 동일한 저주파 대역 통과 특성을 가지도록 동일하게 형성된 것으로 도시되고 있으나, 각 L 소자들(L1-L5)의 형태, 길이, 굵기 등은 적절히 (서로 달리) 설계되어, 이들의 인덕턴스 성분의 조합에 의해 전체적인 저대역 통과 특성을 형성하도록 구성할 수도 있다. The L devices (L1-L5) may be connected in a linear form as a whole, for example, and may have a transmission line structure similar to a strip line, and may be integrally formed. The length of each of the L elements L1 to L5 is suitably designed in advance so as to have a required inductance value. At this time, the cavity is set to an appropriate size in consideration of the electrical characteristics and installation space of the L devices (L1-L5). 4 and 5, the shape, length, thickness, and the like of each of the L elements L1 to L5 are formed to be the same so as to have the same low-frequency band pass characteristics. However, in each of the L elements L1 to L5 The shape, length, thickness, and the like may be appropriately (differently) designed so as to form an overall low-pass characteristic by a combination of the inductance components thereof.

또한, 각각의 L소자들(L1-L5) 사이의 연결지점들 및 전체 L소자들(L1-L5)의 입력 및 출력 지점 중 적어도 일부(도 4 및 도 5의 예에서는 전체 지점)에 대응되게, 예를 들어 원형의 홈들(G1-G6)이 형성된다. 홈들(G1-G6)은 각각 C소자들(C1, C2, C3, C4, C5, C6)이 설치되는 공간을 제공하기 위한 것으로서, C소자들(C1-C6)은 각각 원기둥 형태를 가지는 금속 재질의 구조물로 형성될 수 있는데, 원기둥의 곡면이 상기 대응되는 홈들(G1-G6)의 내면과 대면하여 커패시턴스 결합 면을 형성하도록 구성된다. 이때, 각 C소자들(C1-C6) 별로 적절한 커패시턴스 값을 형성하기 위하여 원기둥의 높이가 적절히 서로 다르게 형성될 수 있다. 도 4 및 도 5의 예에서는, 예를 들어, 제1 C소자(C1)가 제2 C소자(C2)에 비해 보다 그 길이가 더 짧으며, 이에 따라 제1 C소자(C1)가 제2 C소자(C2)에 비해 보다 작은 커패시턴스 갖도록 설계됨이 도시되고 있다. 이 외에도 C소자들(C1-C6)의 각각의 형상이나, 길이 또는 굵기 등은 요구되는 커패시턴스 값을 가질 수 있도록 적절히 (서로 달리) 설계될 수 있으며, 마찬가지로, 이와 대응되는 홈들(G1-G6)의 형상이나, 깊이, 직경 등도 적절히 (서로 달리) 설계될 수 있다.In addition, at least a part of the input points and the output points of all the L elements (L1 to L5) (all points in the examples of FIGS. 4 and 5) and the connection points between the respective L elements For example, circular grooves (G1-G6) are formed. The grooves G1-G6 are provided to provide a space for installing the C elements C1, C2, C3, C4, C5, and C6, respectively. The C elements C1- The curved surface of the cylinder facing the inner surfaces of the corresponding grooves G1-G6 to form a capacitance coupling surface. At this time, the heights of the cylinders may be appropriately different from each other in order to form an appropriate capacitance value for each of the C elements (C1-C6). In the example of FIGS. 4 and 5, for example, the first C element C1 is shorter in length than the second C element C2, so that the first C element C1 is the second And is designed to have a smaller capacitance than the C element C2. In addition, each shape, length or thickness of the C elements (C1-C6) can be designed appropriately (differently) so as to have a required capacitance value, and likewise, the corresponding grooves (G1-G6) The shape, depth, diameter and the like of the substrate can also be appropriately designed (different from each other).

각각의 C소자들(C1-C6)은 L소자들(L1-L5)과의 연결 지점에서 솔더링이나 용접 방식으로 직접적으로 부착될 수도 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따라, 각각 보조 L소자들(Ln1, Ln2, Ln3, Ln4, Ln5, Ln6)을 통해 간접적으로 연결될 수도 있다. 보조 L소자들(Ln1-Ln6)은 도 6에 도시된 바와 같이, C 단에 추가적인 인덕턴스를 제공함으로써, 해당 필터에 노치 특성을 형성하기 위한 것이다. Each of the C elements C1 to C6 may be directly attached by soldering or welding at a connection point with the L elements L1 to L5. However, according to an embodiment of the present invention, (Ln1, Ln2, Ln3, Ln4, Ln5, Ln6). The auxiliary L devices Ln1 to Ln6 are for forming a notch characteristic in the corresponding filter by providing an additional inductance in the C-stage, as shown in Fig.

이러한 보조 L소자들(Ln1-Ln6)은, L소자들(L1-L5)과의 연결 지점과 C소자들(C1-C6) 사이에 설치되어, 상기 C소자들(C1-C6)을 L소자들(L1-L5)과의 연결 지점과 연결하는 금속 재질의 핀(pin) 구조로 형성될 수 있다. 각 보조 L소자들(Ln1-Ln6)의 형상이나, 길이 또는 굵기 등은 요구되는 인덕턴스 값을 가질 수 있도록 미리 적절히 (서로 달리) 설계될 수 있다. 도 4 및 도 5의 예에서는, 예를 들어, 제1 보조 L소자(Ln1)가 제2 보조 L소자(Ln2)에 비해 보다 그 길이가 길며, 굵기가 가늘며, 이에 따라 제1 보조 L소자(Ln1)가 제2 보조 L소자(Ln2)에 비해 보다 큰 인덕턴스 값을 갖도록 설계됨이 도시되고 있다. 보조 L소자들(Ln1-Ln6)은 L소자들(L1-L5)과의 상기 연결 지점과 솔더링이나 용접 방식으로 부착될 수 있다. The auxiliary L elements Ln1 to Ln6 are provided between the connection point with the L elements L1 to L5 and the C elements C1 to C6 to connect the C elements C1 to C6 to the L element And may be formed in a pin structure of a metal that is connected to a connection point between the first and second electrodes L1-L5. The shape, length or thickness of each of the auxiliary L devices Ln1 to Ln6 may be designed appropriately (differently) in advance so as to have a required inductance value. In the examples of FIGS. 4 and 5, for example, the first auxiliary L element Ln1 has a longer length and a smaller thickness than the second auxiliary L element Ln2, Ln1 is designed to have a larger inductance value than the second auxiliary L element Ln2. The auxiliary L devices Ln1-Ln6 may be soldered or welded to the connection point with the L devices L1-L5.

이러한 L소자들(L1-L5)과 C소자들(C1-C6)의 설치 방식은, 기구적인 구조로 살펴보면, L소자들(L1-L5) 사이에서 C소자들(C1-C6)이 측면으로 분기되게 설치되는 것으로 간주할 수 있다. 또한, 이때 C소자들(C1-C6)의 적어도 일부는 노치 특성을 형성하기 위해, 보조 L소자들(Ln1-Ln6)에 의해 간접적으로 설치되는 구조로 볼 수 있다. When the L elements L1 to L5 and the C elements C1 to C6 are arranged in a mechanical structure, the C elements C1 to C6 are arranged side by side between the L elements L1 to L5 It can be regarded as being installed in a branched manner. At this time, at least a part of the C elements (C1-C6) can be viewed as a structure indirectly installed by the auxiliary L elements (Ln1-Ln6) to form a notch characteristic.

즉, 도 4 내지 도 6의 예에서는, 입력포트(222)와 출력포트(224) 사이에 제1 내지 제5 L소자(L1-L5)가 하나의 라인으로 순차적으로 연결되게 구성된 후, 입력포트(222)와 제1 L소자(L1)의 연결 부위에 제1 C소자(C1)가 분기되게 연결되며, 제1 및 제2 L소자(L1, L2) 사이의 연결 부위에 제2 C소자(C2), 제2 및 제3 L소자(L2, L3) 사이의 연결 부위에 제3 C소자(C3), 제3 및 제4 L소자(L3, L4) 사이의 연결 부위에 제4 C소자(C4), 제4 및 제5 L소자(L4, L5) 사이의 연결 부위에 제5 C소자(C5)가 분기되게 연결되며, 제5 L소자(L5)와 출력포트(224)의 연결 부위에 제6 C소자(C6)가 분기되게 연결됨이 도시되고 있다. 4 to 6, the first through fifth L-elements L 1 through L 5 are sequentially connected to one line between the input port 222 and the output port 224, The first C element C1 is branched and connected to the connecting portion of the first L element L1 and the second L element L1 through the connecting portion between the first and second L elements L1 and L2, The third C element C3 is connected to the connection portion between the second and third L elements L2 and L3 and the fourth C element is connected to the connection portion between the third and fourth L elements L3 and L4, The fifth C element C5 is branched and connected to the connection portion between the fifth L element L5 and the output port 224 and the fifth L element L5 is connected to the connection portion between the fifth L element L4 and the fifth L element L4, And the sixth C element C6 is connected in a branched manner.

이때, 제1 내지 제6 C소자(C1-C6)는 제1 내지 제6 홈(G1-G6) 내에 위치하게 설치되며, 전체 필터 구조의 가운데 지점을 중심으로 서로 대칭적인 커패시턴스 값을 가지도록 설계될 수 있다. 즉, 제1 및 제6 C소자(C1, C6)가 서로 동일하며, 예를 들어, 가장 낮은 커패시턴스 값을 갖도록 설계되며, 제2 및 제5 C소자(C2, C5)가 서로 동일하며 중간 커패시턴스 값을 갖도록 설계되며, 제3 및 제4 C소자(C3, C4)가 서로 동일하며 가장 높은 커패시턴스 값을 갖도록 설계될 수 있다. At this time, the first to sixth C-elements (C1 to C6) are provided in the first to sixth grooves (G1 to G6), and are designed so as to have symmetrical capacitance values about the center point of the entire filter structure . That is, the first and sixth C elements C1 and C6 are equal to each other, for example, designed to have the lowest capacitance value, and the second and fifth C elements C2 and C5 are equal to each other and the intermediate capacitance And the third and fourth C elements C3 and C4 are designed to have the same value and have the highest capacitance value.

또한, 보조 L소자(Ln1-Ln6)의 길이도 상기 필터의 가운데 지점을 중심으로 서로 대칭적인 커패시턴스 값을 가지도록 적절히 (서로 달리) 설계될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제6 보조 L소자(Ln1, Ln6)가 서로 동일하며, 예를 들어, 가장 높은 인덕턴스 값을 갖도록 설계되며, 제2 및 제5 보조 L소자(Ln2, Ln5)가 서로 동일하며 중간 인덕턴스 값을 갖도록 설계되며, 제3 및 제4 보조 L소자(Ln3, Ln4)가 서로 동일하며 가장 낮은 인덕턴스 값(예를 들어, 0)을 갖도록 설계될 수 있다. 한편, 도 4 및 도 5의 예에서는 제3 및 제4 보조 L소자(Ln3, Ln4)에 대한 참조부호를 별도로 표시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로서, 인덕턴스 값이 0으로 설정될 경우에는, 기구적으로는, 실제로 보조 L소자를 설치하지 않으며, 해당 C소자는 L소자들과의 연결 지점에 직접 부착되는 구조임을 이해할 것이다. In addition, the lengths of the auxiliary L devices Ln1 to Ln6 can be appropriately (differently) designed to have symmetrical capacitance values about the center point of the filter. For example, the first and sixth auxiliary L devices Ln1 and Ln6 are equal to each other, and are designed to have the highest inductance value, for example, and the second and fifth auxiliary L devices Ln2 and Ln5 And the third and fourth auxiliary L devices Ln3 and Ln4 are equal to each other and have the lowest inductance value (for example, 0). 4 and 5, the reference symbols for the third and fourth auxiliary L devices Ln3 and Ln4 are separately shown. However, for convenience of explanation, when the inductance value is set to 0, Mechanically, it will be understood that the auxiliary L element is not actually installed, and that the C element is a structure directly attached to the connection point with the L elements.

이때, 마찬가지로 각 홈들(G1-G6)의 깊이도 서로 대칭적으로 적절히 달리 설계될 수 있다. 이와 같이, 해당 저대역 통과 필터의 각 단의 구조를 서로 대칭적으로 제작할 경우에는, 해당 저대역 통과 필터의 통과 대역(저대역)에서 균일한 특성을 갖도록 할 수 있다.  At this time, the depths of the grooves G1-G6 may be similarly designed differently symmetrically with respect to each other. In this way, when the structures of the respective stages of the low-pass filter are symmetrically produced, uniform characteristics can be obtained in the pass band (low band) of the low-band pass filter.

한편, 상기 도 4 및 도 5에서는, 제1 L소자(L1)와의 입력포트(222)와, 제5 L소자(L5)와 출력포트(224) 사이에 임피던스 매칭을 위한 미리 설정된 형태의 매칭 패널들(226, 228)이 추가적으로 설치됨이 도시되고 있다. 4 and 5, the input port 222 is connected to the first L element L1, and the fifth L element L5 and the output port 224 are connected to each other through a predetermined type of matching panel for impedance matching 226, 228 are additionally shown.

또한, 상기 도 4 및 도 5에서는 별도로 도시하지 않았으나, 상기 L소자들(L1-L5), C소자들(C1-C6) 또는 보조 L소자들(Ln1-Ln6)을 적절히 지지하기 위하여, 플라스틱 소재 등과 같은 절연 소재로서 적절한 형태로 제작되는 지지 구조물들이 추가로 설치될 수 있다. 예를 들어, 이러한 지지 구조물은 C소자들(C1-C6)을 감싸면서 해당 홈들(G1-G6) 내에 끼워지는 형태로 장착되는 구조를 가질 수 있다. 4 and 5, in order to appropriately support the L devices L1 to L5, the C devices C1 to C6, or the auxiliary L devices Ln1 to Ln6, Or the like may be additionally provided. For example, such a support structure may have a structure in which it is mounted so as to be fitted in the corresponding grooves G1-G6 while surrounding the C-elements C1-C6.

상기 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 저대역 통과 필터의 구조를 살펴보면, 종래의 구조는 L소자들과 C소자들이 기구적으로 예를 들어, 가로방향으로 일렬로 배치되는 구조임에 비해, 본 발명에 따른 구조는 예를 들어, L소자들은 가로방향으로 배치되나, C소자들은 각각 세로 방향으로 배치됨으로써, 종래와 비교하여 C소자들의 배치에 요구되는 가로방향의 길이(전장 길이)를 줄일 수 있게 된다. As shown in FIGS. 4 to 6, the structure of the low-pass filter according to an embodiment of the present invention includes a structure in which L elements and C elements are structured mechanically, for example, in the horizontal direction The structure according to the present invention is arranged such that the L elements are arranged in the lateral direction but the C elements are arranged in the longitudinal direction so that the lateral It is possible to reduce the length of the direction (total length).

또한, 도 4와 도 5에서는, 커버에 대한 도시를 생략하였는데, 실제 제품에서는 커버에 해당하는 구조가 하우징의 개방부를 밀폐하도록 구비될 수 있다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 따른 구조는 실제로 커버를 구비하지 않더라도, 그 필터링 동작에 큰 영향을 주지 않은 구조이다. 즉, 상기 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 종래의 저대역 통과 필터의 구조에서는 C소자들이 하우징과 커버와의 커패시턴스 커플링 작용을 하여야 하므로, 커버를 특정 영역에 필수적으로 구비하여야 했으나, 본 발명에서는 C소자들이 홈과 커패시턴스 커플링 작용을 하는 구조로서, 커버가 L, C소자에 미치는 영향이 적어 커버의 위치를 자유롭게 배치할 수 있는 이점이 있다. 이러한 본 발명에 따른 구조는 예를 들어, 무선 신호 처리 장비에서 하나의 부품으로서 다른 부품들과 일체형으로 제작될 경우에 해당 무선신호 처리 장비의 메인 하우징의 설계시에 저대역 통과 필터의 위치를 상기 메인 하우징의 커버 측에 설계할 필요가 없는 등 제품 설계시에 폭넓은 자유도를 제공할 수 있게 된다. In FIGS. 4 and 5, the illustration of the cover is omitted. In a practical product, a structure corresponding to the cover may be provided to seal the opening portion of the housing. However, the structure according to an embodiment of the present invention is a structure that does not greatly affect the filtering operation even if the structure is not provided with a cover. That is, in the structure of the conventional low-pass filter as shown in FIGS. 1 and 2, since the C elements must perform a capacitance coupling action between the housing and the cover, the cover must be provided in a specific region. However, The invention has a structure in which the C elements perform a groove-capacitance coupling action, and the effect of the cover on the L and C elements is small, so that the position of the cover can be freely arranged. The structure according to the present invention can be used, for example, as a component in a wireless signal processing equipment, when the main housing of the wireless signal processing equipment is designed as one unit with other components, It is not necessary to design the cover side of the main housing, and it is possible to provide a wide degree of freedom in product designing.

또한, 상기 도 4 내지 도 6에 도시된 구조에서와 같이, 본 발명에서는 C소자들은 각각 별로 별도의 보조 L소자의 설치가 용이한 구조로서, 종래의 C소자들과 L소자들이 기구적으로는 일렬로 연결되는 구조와 비교하여, 노치 특성을 형성하는데 매우 용이할 수 있다. Also, as in the structures shown in FIGS. 4 to 6, in the present invention, it is easy to install a separate auxiliary L element for each C element, and conventional C elements and L elements are mechanically Compared to a structure connected in series, it can be very easy to form the notch characteristic.

도 7은 도 4의 필터링 특성을 나타낸 그래프이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 저대역 통과 필터의 저대역 통과 특성을 볼 수 있다. 예를 들어, 도 7에서와 같이, 본 발명의 저대역 통과 필터는 약 2.7GHz 대역 이하에서 양호한 저대역 통과 특성을 가지며, 약 4.1GHz에서 약 90dB 이상 노치 특성이 형성됨이 도시되고 있다. 7 is a graph showing the filtering characteristics of FIG. Referring to FIG. 7, low-pass characteristics of a low-pass filter according to an embodiment of the present invention can be seen. For example, as shown in FIG. 7, the low-pass filter of the present invention has a good low-pass characteristic at about 2.7 GHz band or less and a notch characteristic of about 90 dB or more is formed at about 4.1 GHz.

상기와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 캐비티 타입의 저대역 통과 필터가 구성될 수 있으며, 한편, 발명에서는 이외에도 다양한 실시예나 변형예가 있을 수 있다. 예를 들어, 상기의 설명에서는 L소자들이 전체적으로 직선의 형태로 일렬로 연결되는 것으로 설명하였으나, L소자들의 전체 연결 형태는, 제품 설계시 요구되는 다양한 형태에 적응적인 형태를 가지도록, 적어도 일회 이상 절곡되는 형태(예를 들어, 'ㄱ'자, 'ㄷ'자, 'ㄹ'자 형태)로 일렬로 연결되게 구현될 수도 있다. As described above, the cavity-type low-pass filter according to the embodiments of the present invention can be configured. In addition, various other embodiments and modifications may be made. For example, in the above description, the L elements are described as being connected in a line in a linear form as a whole, but the entire connection form of the L elements may be at least one or more times And may be implemented so as to be connected in a form of being bent (for example, in the form of 'a', 'c', 'd').

도 8은 도 4의 필터의 일 변형 구조를 나타난 사시도로서, 도 8의 변형 구조에서는 L소자들(L1-L6)이 전체적으로 'ㄷ'자 형태로 연결된다. 또한, 이와 대응되게 하우징(22)을 비롯한, 다수의 홈(G1-G6)과, 다수의 C소자(C1-C6), 다수의 보조L소자(Ln1-Ln6) 등이 적절히 형성된다. 이때, 도 8에 도시된 필터 구조는 상기 회로적으로 상기 도 6에 도시된 바와 같이 동일한 회로일 수 있음을 이해할 것이다.FIG. 8 is a perspective view showing a modified structure of the filter of FIG. 4, and in the modified structure of FIG. 8, the L elements L1-L6 are connected in a 'C' shape as a whole. Correspondingly, a plurality of grooves G1-G6, a plurality of C elements C1-C6, a plurality of auxiliary L devices Ln1-Ln6, etc., including the housing 22, are suitably formed. At this time, it will be understood that the filter structure shown in Fig. 8 may be the same circuit as shown in Fig.

이와 같이, 도 8에 도시된 구조에서는, 입력포트(222)와 출력포트(224)가 하우징(22)에서 동일 면에 형성될 수 있다. 이는, 실제 제품 구현시에, 경우에 따라서 보다 적절한 구조를 제공할 수 있다.8, the input port 222 and the output port 224 may be formed on the same surface of the housing 22. [ This can provide a more appropriate structure in some cases in actual product implementation.

한편, 이와 더불어, 도 8에 도시된 예에서는 제3 L소자(L3)는 다른 L소자들(L1-L2, L4-5)에 비해 보다 그 길이가 더 길며, 그 굵기가 더 굵게(선로의 단면적이 더 넓게) 형성됨이 도시되고 있다. 이와 같이, 요구되는 인덕턴스 값을 가지도록, 해당 L 소자의 길이 및 굵기가 적절히 (다른 L소자들과는 달리) 설계될 수 있다.8, the third L element L3 is longer in length than the other L elements L1-L2 and L4-5 and has a larger thickness Sectional area is wider). Thus, the length and thickness of the L element can be designed appropriately (unlike other L elements) so as to have a required inductance value.

또한, 상기 설명에서는 원기둥 형태의 C소자들의 직경이 모두 동일한 것으로 설명하였으나, C소자들의 직경도 (적어도 일부는) 서로 달리 구현할 수 있으며, 마찬가지로 홈들의 내경도 서로 다르게 구성하여 원하는 커패시턴스 값을 얻도록 구성할 수 있다. 도 9는 도 4의 필터의 다른 변형 구조를 나타낸 내부 측면 구조도를 도시하고 있는데, 도 9에서는, 예를 들어, 제1 및 제6 C소자(C1, C6)가 다른 C 소자들(C2-C5)에 비해 그 직경이 더 작게 형성되며(이에 따라 보다 작은 커패시턴스 값을 가지며), 마찬가지로 제1 홈(G1) 및 제6 홈(G6)의 직경도 작게 형성됨이 도시되고 있다. 또한, 이외에도, C소자와 홈 중 어느 한쪽의 직경을 달리함으로써(즉 C소자와 홈과의 간격을 달리함으로써), 커패시턴스 값을 설정하는 것도 가능할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 다양한 변형 및 변경이 있을 수 있으며, 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 청구범위와 청구범위의 균등한 것에 의하여 정하여져야 할 것이다. In the above description, the diameters of the C-shaped C-shaped elements are all the same, but the diameters of the C-shaped elements can be different from each other (at least partly) Can be configured. 9 shows an inner side structural view showing another modified structure of the filter of Fig. 4. In Fig. 9, for example, the first and sixth C elements C1 and C6 are connected to the other C elements C2-C5 , The diameter of the first groove G1 and the diameter of the sixth groove G6 are similarly formed to be smaller (accordingly, they have a smaller capacitance value). In addition, it is also possible to set the capacitance value by changing the diameter of either the C element or the groove (that is, by changing the distance between the C element and the groove). Thus, various modifications and variations of the present invention can be made without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims and their equivalents.

Claims (10)

캐비티(cavity) 타입의 저대역 통과 필터에 있어서,
인덕턴스(inductance) 성분을 갖는 전송 선로의 구조로 구성되며, 일렬로 연결된 L(인덕턴스) 소자들과;
상기 L소자들의 설치 공간과, 상기 L소자들 사이의 연결 지점들과 전체 L소자들의 입력 및 출력에 해당하는 지점들 중 적어도 일부에 대응되는 위치에 홈들을 형성하는 하우징(housing)과;
상기 홈들의 내면과 대면하여 커패시턴스(capacitance) 결합 면을 형성하는 구조물로 구성되며, 상기 L소자들 사이의 연결 지점들과 전체 L소자들의 입력 및 출력에 해당하는 지점들 중 적어도 일부와 직접 또는 간접적으로 연결되는 C(커패시턴스) 소자들을 포함함을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
In a low-pass filter of a cavity type,
L (inductance) elements constituted by a transmission line structure having an inductance component and connected in series;
A housing forming a groove at a position corresponding to at least a part of an installation space of the L devices, connection points between the L devices and input and output of all L devices;
And a capacitance coupling surface facing the inner surfaces of the grooves, wherein the connection points between the L elements and at least some of the points corresponding to the input and output of all the L elements are directly or indirectly (Capacitance) elements connected to the input terminal of the low pass filter.
제1항에 있어서, 상기 C소자들 중 적어도 일부는,
인덕턴스를 추가적으로 제공하는 보조 L소자를 통해 상기 L소자들 사이의 연결 지점들과 전체 L소자들의 입력 및 출력에 해당하는 지점들 중 적어도 일부와 간접적으로 연결됨을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
The method of claim 1, wherein at least some of the C elements
And indirectly connected to at least some of the points corresponding to the input and output of all the L elements via connection points between the L elements via an auxiliary L element that additionally provides inductance.
제2항에 있어서,
상기 보조 L소자는 인덕턴스 성분을 갖는 핀(pin) 구조로 형성됨을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
3. The method of claim 2,
Wherein the auxiliary L device is formed in a pin structure having an inductance component.
제3항에 있어서,
상기 보조 L소자 중 적어도 하나 이상은 길이 또는 굵기가 나머지 다른 보조 L소자와 상이한 것을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
The method of claim 3,
At least one of the auxiliary L devices is different in length or thickness from the other auxiliary L devices.
제1항에 있어서,
상기 L소자 중 적어도 하나 이상은 길이 또는 굵기가 나머지 다른 L소자와 상이한 것을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
The method according to claim 1,
Wherein at least one of the L elements is different in length or thickness from the other L elements.
제1항에 있어서,
상기 복수의 C 소자는 원기둥 형태이며,
상기 복수의 홈은 상기 원기둥 형태의 C소자를 수용하여 상기 원기둥의 곡면이 홈의 내면과 마주하도록 형성된 것을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of C elements are cylindrical,
Wherein the plurality of grooves accommodate the C-shaped element in a cylindrical shape, and the curved surface of the cylinder faces the inner surface of the groove.
제6항에 있어서,
상기 복수의 C 소자 중 적어도 하나 이상은 길이방향의 길이 또는 상기 원기둥의 직경 중 적어도 하나가 나머지 다른 C 소자와 상이한 것을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
The method according to claim 6,
Wherein at least one of the plurality of C elements is different from the other C elements in at least one of a length in the longitudinal direction or a diameter of the cylinder.
제6항에 있어서,
상기 복수의 홈 중 적어도 하나 이상은 홈의 깊이 또는 직경 중 적어도 하나가 나머지 다른 홈과 상이한 것을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
The method according to claim 6,
Wherein at least one of the plurality of grooves has at least one of a depth and a diameter of the groove different from the other grooves.
제1항에 있어서,
상기 L소자들 및 상기 C소자들로 형성되는 필터 단들의 전체적인 구조는 가운데 지점을 중심으로 서로 대칭적으로 형성됨을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
The method according to claim 1,
Wherein the overall structure of the filter stages formed by the L devices and the C devices is formed symmetrically with respect to the center point.
제1항에 있어서,
상기 L소자들의 전체적인 연결 형태는, 적어도 일회 이상 절곡되는 형태로 일렬로 연결된 것을 특징으로 하는 저대역 통과 필터.
The method according to claim 1,
Wherein the overall connection form of the L devices is connected in series in at least one folded form.
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