JP4995606B2 - Passive components - Google Patents
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Description
本発明は、受動部品に関し、例えば複数の共振回路が直列接続されたローパスフィルタ等に用いて好適な受動部品に関する。 The present invention relates to a passive component, for example, a passive component suitable for use in a low-pass filter or the like in which a plurality of resonance circuits are connected in series.
最近の移動通信や携帯電話等では、送信と受信とを単一のアンテナで共用化するようにしている。 In recent mobile communications and mobile phones, transmission and reception are shared by a single antenna.
具体的に、送信と受信とで異なる周波数の信号を用いる場合には、送信信号を通過させる帯域通過フィルタと、受信信号を通過させる帯域通過フィルタを組み合わせたデュプレクサをアンテナに接続し、アンテナを共有化するようにしている。 Specifically, when signals with different frequencies are used for transmission and reception, a duplexer that combines a band-pass filter that passes the transmission signal and a band-pass filter that passes the reception signal is connected to the antenna, and the antenna is shared. It tries to become.
また、送信と受信とで同じ周波数を用いる場合には、スイッチ回路を用いて送信と受信とを時間軸上で切り換えることで、アンテナの共有化を図るようにしている。 When the same frequency is used for transmission and reception, antenna sharing is achieved by switching between transmission and reception on the time axis using a switch circuit.
そして、前記送受信装置においては、特に送信特性を向上させるために、例えば送受切換器の送信側にローパスフィルタを接続するようにしている。 In the transmission / reception apparatus, in order to improve the transmission characteristics in particular, a low-pass filter is connected to the transmission side of the transmission / reception switch, for example.
ところで、送受信装置の送信側に接続されるローパスフィルタとしては、一般に、小型化を図ることができるセラミック誘電体基板を使用したものが採用される。 By the way, as a low-pass filter connected to the transmission side of the transmission / reception apparatus, a filter using a ceramic dielectric substrate that can be miniaturized is generally employed.
従来、セラミック誘電体基板を使用したローパスフィルタとして、通過帯域の2倍及び3倍に減衰極を持ち、減衰極を多くのパラメータにて調整可能で、しかも、全体の形状を小型化できる1〜3GHz前後の高周波の周波数帯において好適に使用されるローパスフィルタが提案されている(例えば特許文献1)。 Conventionally, as a low-pass filter using a ceramic dielectric substrate, it has attenuation poles twice and three times the passband, the attenuation pole can be adjusted with many parameters, and the overall shape can be reduced in size. A low-pass filter that is suitably used in a high frequency band around 3 GHz has been proposed (for example, Patent Document 1).
また、上下の方向性がなく、上下が入れ替わって実装されても、電気的特性が変化しない構造のローパスフィルタが提案されている(例えば特許文献2)。 In addition, a low-pass filter has been proposed that has a structure that does not have vertical directionality and that does not change electrical characteristics even when the upper and lower sides are mounted interchangeably (for example, Patent Document 2).
ところで、従来のセラミック誘電体基板を使用したローパスフィルタは、単に減衰極を増やすだけの構成や、上下が入れ替わって実装されても、電気的特性が変化しない構造を提供するものであり、多段のローパスフィルタにおいて、通過帯域近傍の減衰極を形成する共振回路のQ値を高くする手法について何ら工夫がなされていない。 By the way, a conventional low-pass filter using a ceramic dielectric substrate provides a structure that simply increases the number of attenuation poles, or a structure in which the electrical characteristics do not change even when mounted upside down. In the low-pass filter, no contrivance has been made for a method of increasing the Q value of the resonance circuit that forms the attenuation pole in the vicinity of the pass band.
すなわち、例えば複数のコイルパターンを有する高次のローパスフィルタにおいては、複数のコイルパターンを1つの誘電体基板に収めるために、誘電体基板の上部、下部、中央部というようにランダムに形成する場合が考えられる。 That is, for example, in a high-order low-pass filter having a plurality of coil patterns, in order to fit a plurality of coil patterns on one dielectric substrate, the upper, lower, and central portions of the dielectric substrate are randomly formed. Can be considered.
誘電体基板の上部及び下部には、シールド電極が形成されていることから、複数のコイルパターンをランダムに配置すると、シールド電極の近傍に形成されるコイルパターンが存在することになり、該コイルパターンを有する共振回路のQ値が悪化する。共振回路のQ値が悪化すると、挿入損失が大きくなり、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができないという問題がある。 Since the shield electrode is formed on the upper and lower portions of the dielectric substrate, when a plurality of coil patterns are randomly arranged, there is a coil pattern formed in the vicinity of the shield electrode. The Q value of the resonance circuit having When the Q value of the resonance circuit deteriorates, there is a problem that the insertion loss increases, and the passband is widened and a steep attenuation characteristic cannot be obtained.
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、複数のコイルパターンを有する高次のローパスフィルタを構成した場合であっても、挿入損失が大きくなることを抑えて、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる受動部品を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such a problem, and even when a high-order low-pass filter having a plurality of coil patterns is configured, an increase in insertion loss is suppressed, and An object of the present invention is to provide a passive component capable of obtaining a wide band and a steep attenuation characteristic.
本発明に係る受動部品は、入力端子と出力端子との間にそれぞれ共振周波数が異なる複数のLC共振回路が直列接続され、前記入力端子と該入力端子に隣接する入力側LC共振回路との接点と接地との間、隣接するLC共振回路間の接点と接地との間、前記出力端子と該出力端子に隣接する出力側LC共振回路との接点と接地との間にそれぞれ接地コンデンサが接続され、前記複数のLC共振回路が、それぞれ1つのコイルと1つのコンデンサとを有する並列共振回路である受動部品において、複数の誘電体層が積層されて構成され、側面に前記入力端子及び前記出力端子が形成され、上部に第1シールド電極が形成され、下部に第2シールド電極が形成された誘電体基板内のうち、前記第1シールド電極と前記第2シールド電極で挟まれた領域に、直列接続された前記複数のLC共振回路が形成され、各前記LC共振回路は、1つの前記コイルを構成する複数のコイル形成用電極と、1つの前記コンデンサを構成する複数のコンデンサ形成用電極にて構成され、複数の前記コイル形成用電極は、複数の誘電体層にわたって形成され、各前記接地コンデンサは、前記第1シールド電極及び前記第2シールド電極のうち、少なくとも一方のシールド電極と該シールド電極と誘電体層を挟んで対向する接地コンデンサ電極にて構成され、前記複数のLC共振回路のうち、通過帯域に最も近い共振周波数を有する1つのLC共振回路の少なくともコイルが、前記第1シールド電極と前記第2シールド電極で挟まれた前記領域中、他のLC共振回路のコイルよりも、前記第1シールド電極及び前記第2シールド電極から最も遠い位置に形成されていることを特徴とする。なお、LC共振回路は、コイル(L)とコンデンサ(C)で構成された集中定数回路を示す。 In the passive component according to the present invention, a plurality of LC resonance circuits having different resonance frequencies are connected in series between an input terminal and an output terminal, and a contact point between the input terminal and the input-side LC resonance circuit adjacent to the input terminal. A grounding capacitor is connected between the output terminal and the output side LC resonance circuit adjacent to the output terminal and the ground, between the contact between the output LC terminal and the ground, and between the contact between the adjacent LC resonance circuit and the ground. In the passive component in which each of the plurality of LC resonance circuits is a parallel resonance circuit having one coil and one capacitor, a plurality of dielectric layers are stacked, and the input terminal and the output terminal are formed on side surfaces. Of the dielectric substrate in which the first shield electrode is formed in the upper portion and the second shield electrode is formed in the lower portion, and is sandwiched between the first shield electrode and the second shield electrode. A plurality of LC resonance circuits connected in series are formed in a region, and each LC resonance circuit is formed with a plurality of coil forming electrodes constituting one coil and a plurality of capacitors forming one capacitor. Each of the coil forming electrodes is formed over a plurality of dielectric layers , and each of the grounding capacitors is at least one shield electrode of the first shield electrode and the second shield electrode. And at least a coil of one LC resonance circuit having a resonance frequency closest to a pass band among the plurality of LC resonance circuits, the ground capacitor electrode facing the shield electrode and the dielectric layer. In the region sandwiched between the first shield electrode and the second shield electrode, the first shield electrode and the coil of the other LC resonance circuit are more effective than the coil of the other LC resonance circuit. Characterized in that it is formed in the farthest position from the second shield electrode. The LC resonance circuit indicates a lumped constant circuit composed of a coil (L) and a capacitor (C).
これにより、LC共振回路を前記第1シールド電極及び前記第2シールド電極から最も遠い位置に形成することで、該LC共振回路を構成する電極(例えばコイル形成用電極やコンデンサ形成用電極等)が第1シールド電極や第2シールド電極の影響を受けにくくなり、該LC共振回路のQ値が向上する。そのため、高いQ値を有するLC共振回路を通過帯域近傍の減衰極に使用することと等価となり、誘電体基板内に複数のLC共振回路を形成することによって挿入損失が大きくなることを抑制することができ、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる。 Thus, by forming the LC resonance circuit at a position farthest from the first shield electrode and the second shield electrode, the electrodes constituting the LC resonance circuit (for example, a coil forming electrode, a capacitor forming electrode, etc.) It becomes difficult to be influenced by the first shield electrode and the second shield electrode, and the Q value of the LC resonance circuit is improved. Therefore, it is equivalent to using an LC resonant circuit having a high Q value for the attenuation pole near the passband, and suppressing a large insertion loss by forming a plurality of LC resonant circuits in the dielectric substrate. Thus, the passband can be widened and a steep attenuation characteristic can be obtained.
しかも、前記LC共振回路は、コイルを構成するコイル形成用電極とコンデンサを構成するコンデンサ形成用電極とを有する並列共振回路である。この場合、前記コイル形成用電極は、複数の誘電体層にわたって形成され、そのうちの1つ以上のコイル形成用電極に前記コンデンサ形成用電極が形成されている。これにより、小型化及び低背化を促進させることができる。 Moreover, the LC resonant circuit, Ru parallel resonant circuit der and a capacitor forming electrodes constituting the coil-forming electrodes and the capacitor constituting the coil. In this case, the coil-forming electrodes are formed over a plurality of dielectric layers, wherein that have capacitor forming electrodes is formed in one or more coils forming electrodes of them. Thereby, size reduction and height reduction can be promoted.
また、本発明において、前記複数の接地コンデンサ電極のうち、前記入力端子と前記入力側LC共振回路との接点と接地との間に接続される入力側接地コンデンサを構成する接地コンデンサ電極は、前記入力側LC共振回路を構成する前記複数のコンデンサ形成用電極のうち、前記第1シールド電極寄りに形成された前記コンデンサ形成用電極と前記第1シールド電極との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に形成され、前記複数の接地コンデンサ電極のうち、前記出力端子と前記出力側LC共振回路との接点と接地との間に接続される出力側接地コンデンサを構成する接地コンデンサ電極は、前記出力側LC共振回路を構成する前記複数のコンデンサ形成用電極のうち、前記第2シールド電極寄りに形成された前記コンデンサ形成用電極と前記第2シールド電極との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に形成されていてもよい。この場合、浮遊容量を低減する効果を奏し、設計の自由度も向上する。
また、本発明において、前記複数の接地コンデンサ電極のうち、通過帯域に最も近い共振周波数を有する1つのLC共振回路と、該1つのLC共振回路に隣接する一方のLC共振回路との接点と接地との間に接続される第1接地コンデンサを構成する接地コンデンサ電極は、前記1つのLC共振回路を構成する前記複数のコンデンサ形成用電極のうち、前記第1シールド電極寄りに形成された前記コンデンサ形成用電極と前記第1シールド電極との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に形成され、前記複数の接地コンデンサ電極のうち、前記1つのLC共振回路と、該1つのLC共振回路に隣接する他方のLC共振回路との接点と接地との間に接続される第2接地コンデンサを構成する接地コンデンサ電極は、前記1つのLC共振回路を構成する前記複数のコンデンサ形成用電極のうち、前記第2シールド電極寄りに形成された前記コンデンサ形成用電極と前記第2シールド電極との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に形成されていてもよい。
In the present invention, among the plurality of ground capacitor electrodes, a ground capacitor electrode constituting an input side ground capacitor connected between a contact point between the input terminal and the input side LC resonance circuit and ground is Among the plurality of capacitor forming electrodes constituting the input side LC resonance circuit, the capacitor forming electrode formed near the first shield electrode and the first shield electrode, and the capacitor A ground which is formed at a position corresponding to the forming electrode and constitutes an output-side grounded capacitor connected between a contact between the output terminal and the output-side LC resonance circuit and the ground among the plurality of grounded capacitor electrodes The capacitor electrode is formed before the second shield electrode among the plurality of capacitor forming electrodes constituting the output-side LC resonance circuit. A between the capacitor forming electrode and the second shield electrode, and may be formed at a position corresponding to the capacitor forming electrodes. In this case, there is an effect of reducing stray capacitance, and the degree of freedom in design is also improved.
In the present invention, a contact point between one LC resonance circuit having a resonance frequency closest to the pass band and the one LC resonance circuit adjacent to the one LC resonance circuit among the plurality of ground capacitor electrodes and the ground. The ground capacitor electrode constituting the first ground capacitor connected between the capacitor and the capacitor is formed close to the first shield electrode among the plurality of capacitor forming electrodes constituting the one LC resonance circuit. Between the forming electrode and the first shield electrode and at a position corresponding to the capacitor forming electrode, and among the plurality of ground capacitor electrodes, the one LC resonance circuit, The ground capacitor electrode constituting the second ground capacitor connected between the contact point of the other LC resonance circuit adjacent to one LC resonance circuit and the ground is One of the plurality of capacitors forming electrodes constituting the LC resonance circuit, a between the second said capacitor forming electrode formed in the shield electrode nearer to the second shield electrode, and the capacitor formed It may be formed at a position corresponding to the electrode for use.
以上説明したように、本発明に係る受動部品によれば、複数のコイルパターンを有する高次のローパスフィルタを構成した場合であっても、挿入損失が大きくなることを抑えて、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる。 As described above, according to the passive component according to the present invention, even when a high-order low-pass filter having a plurality of coil patterns is configured, an increase in insertion loss is suppressed, and a wide passband is achieved. And steep attenuation characteristics can be obtained.
以下、本発明に係る受動部品の実施の形態例について図1〜図8を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of passive components according to the present invention will be described with reference to FIGS.
先ず、本実施の形態に係る受動部品の回路構成は、図1に示すように、入力端子12と出力端子14との間に3つの並列共振回路(第1並列共振回路16A、第2並列共振回路16B及び第3並列共振回路16C)が直列に接続され、入力端子12とGND(グランド)間に第1コンデンサC1が接続され、第1並列共振回路16Aと第2並列共振回路16Bとの接点とGND間に第2コンデンサC2が接続され、第2並列共振回路16Bと第3並列共振回路16Cとの接点とGND間に第3コンデンサC3が接続され、出力端子14とGND間に第4コンデンサC4が接続されて構成されている。
First, as shown in FIG. 1, the circuit configuration of the passive component according to the present embodiment includes three parallel resonance circuits (a first
第1並列共振回路16Aは、第11コイルL11と第11コンデンサC11とが並列に接続されて構成され、第2並列共振回路16Bは、第12コイルL12と第12コンデンサC12とが並列に接続されて構成され、第3並列共振回路16Cは、第13コイルL13と第13コンデンサC13とが並列に接続されて構成されている。
The first parallel
そして、第1の具体例に係る受動部品(以下、第1受動部品10Aと記す)は、図2に示すように、複数の誘電体層(誘電体層S1〜S14:図3参照)が積層、焼成一体化された誘電体基板20を有する。誘電体基板20は、その上面20uに第1シールド電極22Aが形成され、第14誘電体層S14(図3参照)の主面に第2シールド電極22Bが形成されている。第1シールド電極22Aと第2シールド電極22Bは、誘電体基板20の第1側面20aと第2側面20b(第1側面20aと反対側の面)で接続されている。また、誘電体基板20の第3側面20cに入力端子12が形成され、第4側面20d(第3側面20cの反対側の面)に出力端子14が形成されている。
Then, as shown in FIG. 2, the passive component according to the first specific example (hereinafter referred to as the first
誘電体基板20は、図3に示すように、上から順に、第1誘電体層S1〜第14誘電体層S14が積み重ねられて構成されている。これらの第1誘電体層S1〜第14誘電体層S14は、1枚あるいは複数枚の層にて構成される。
As shown in FIG. 3, the
そして、第4誘電体層S4の主面には、第1並列共振回路16Aの第11コンデンサC11を形成するための第11コンデンサ形成用電極24aと第11コイルL11を形成するための第11コイル形成用電極26aとが電気的に接続された第11電極パターン28aが形成されている。
The eleventh coil for forming the eleventh
第5誘電体層S5の主面には、第1並列共振回路16Aの第11コンデンサC11を形成するための第21コンデンサ形成用電極30aと第11コイルL11を形成するための第21コイル形成用電極32aとが電気的に接続された第21電極パターン34aが形成されている。
On the main surface of the fifth dielectric layer S5, a 21st
同様に、第7誘電体層S7の主面には、第2並列共振回路16Bの第12コンデンサC12を形成するための第12コンデンサ形成用電極24bと第12コイルL12を形成するための第12コイル形成用電極26bとが電気的に接続された第12電極パターン28bが形成されている。
Similarly, on the main surface of the seventh dielectric layer S7, the twelfth
第8誘電体層S8の主面には、第2並列共振回路16Bの第12コンデンサC12を形成するための第22コンデンサ形成用電極30bと第12コイルL12を形成するための第22コイル形成用電極32bとが電気的に接続された第22電極パターン34bが形成されている。
On the main surface of the eighth dielectric layer S8, the 22nd
さらに、第10誘電体層S10の主面には、第3並列共振回路16Cの第13コンデンサC13を形成するための第13コンデンサ形成用電極24cと第13コイルL13を形成するための第13コイル形成用電極26cとが電気的に接続された第13電極パターン28cが形成されている。
Further, on the main surface of the tenth dielectric layer S10, the thirteenth
第11誘電体層S11の主面には、第3並列共振回路16Cの第13コンデンサC13を形成するための第23コンデンサ形成用電極30cと第13コイルL13を形成するための第23コイル形成用電極32cとが電気的に接続された第23電極パターン34cが形成されている。
On the main surface of the eleventh dielectric layer S11, a twenty-third
なお、第11電極パターン28aの第11コイル形成用電極26aに入力端子12がリード電極60を介して電気的に接続され、第23電極パターン34cの第23コイル形成用電極32cに出力端子14がリード電極62を介して電気的に接続されている。
The
また、第2誘電体層S2の主面には、第11コンデンサ形成用電極24aに対応した箇所に、第11コンデンサ形成用電極24aと同電位であって、且つ、第1コンデンサC1を形成するための接地用の第1コンデンサ電極50aが形成され、第12コンデンサ形成用電極24bに対応した箇所に、第12コンデンサ形成用電極24bと同電位であって、且つ、第2コンデンサC2を形成するための接地用の第2コンデンサ電極50bが形成されている。同様に、第13誘電体層S13の主面には、第22コンデンサ形成用電極30bに対応した箇所に、第22コンデンサ形成用電極30bと同電位であって、且つ、第3コンデンサC3を形成するための接地用の第3コンデンサ電極50cが形成され、第23コンデンサ形成用電極30cに対応した箇所に、第23コンデンサ形成用電極30cと同電位であって、且つ、第4コンデンサC4を形成するための接地用の第4コンデンサ電極50dが形成されている。
Further, the first capacitor C1 having the same potential as the eleventh
具体的には、コ字状とされた第11コイル形成用電極26aの一端に第11コンデンサ形成用電極24aが接続され、第11コイル形成用電極26aの他端とコ字状とされた第21コイル形成用電極32aの一端とがビアホール64を介して電気的に接続され、第11コイル形成用電極26aとリード電極60との接続部分と第1コンデンサ電極50aとがビアホール52を介して電気的に接続されている。
Specifically, an eleventh capacitor-forming
また、第21コイル形成用電極32aの他端と第2コンデンサ電極50bとがビアホール54を介して電気的に接続され、第21コイル形成用電極32aの他端に近い部分に第21コンデンサ形成用電極30aが形成され、第21コイル形成用電極32aと第21コンデンサ形成用電極30aとの接続部分と、コ字状とされた第12コイル形成用電極26bの一端とがビアホール66を介して電気的に接続されている。
Also, the other end of the 21st
第12コイル形成用電極26bの一端に第12コンデンサ形成用電極24bが接続され、第12コイル形成用電極26bの他端と、コ字状とされた第22コイル形成用電極32bの一端とがビアホール68を介して電気的に接続され、第22コイル形成用電極32bの他端に近い部分に第22コンデンサ形成用電極30bが接続されている。
A twelfth
第22コイル形成用電極32bと第22コンデンサ形成用電極30bとの接続部分と、コ字状とされた第13コイル形成用電極26cの一端とがビアホール70を介して電気的に接続され、該一端と第3コンデンサ電極50cとがビアホール56を介して電気的に接続され、第13コイル形成用電極26cの一端に近い部分に第13コンデンサ形成用電極24cが接続され、第13コイル形成用電極26cの他端と、コ字状とされた第23コイル形成用電極32cの一端とがビアホール72を介して電気的に接続されている。
A connection portion between the 22nd
第23コイル形成用電極32cとリード電極62との接続部分と第4コンデンサ電極50dとがビアホール58を介して電気的に接続されている。
A connection portion between the twenty-third
ここで、第1受動部品10Aの回路構成を図1に示す回路との対応で説明する。
Here, the circuit configuration of the first
先ず、第2誘電体層S2の主面に形成された第1コンデンサ電極50aと第1誘電体層S1の主面(誘電体基板20の上面20u)に形成された第1シールド電極22Aにて第1コンデンサC1が形成され、第2コンデンサ電極50bと第1シールド電極22Aにて第2コンデンサC2が形成される。同様に、第13誘電体層S13の主面に形成された第3コンデンサ電極50cと第14誘電体層S14の主面に形成された第2シールド電極22Bにて第3コンデンサC3が形成され、第4コンデンサ電極50dと第2シールド電極22Bにて第4コンデンサC4が形成される。
First, the
第4誘電体層S4の主面に形成された第11コンデンサ形成用電極24aと、第5誘電体層の主面に形成された第21コンデンサ形成用電極30aにて第1並列共振回路16Aの第11コンデンサC11が形成され、第4誘電体層S4の主面に形成された第11コイル形成用電極26aとビアホール64と第5誘電体層S5の主面に形成された第21コイル形成用電極32aにて第1並列共振回路16Aの第11コイルL11が形成される。
The eleventh
同様に、第7誘電体層S7の主面に形成された第12コンデンサ形成用電極24bと、第8誘電体層S8の主面に形成された第22コンデンサ形成用電極30bにて第2並列共振回路16Bの第12コンデンサC12が形成され、第7誘電体層S7の主面に形成された第12コイル形成用電極26bとビアホール68と第8誘電体層S8の主面に形成された第22コイル形成用電極32bにて第2並列共振回路16Bの第12コイルL12が形成される。
Similarly, the twelfth
さらに、第10誘電体層S10の主面に形成された第13コンデンサ形成用電極24cと、第11誘電体層S11の主面に形成された第23コンデンサ形成用電極30cにて第3並列共振回路16Cの第13コンデンサC13が形成され、第10誘電体層S10の主面に形成された第13コイル形成用電極26cとビアホール72と第11誘電体層S11の主面に形成された第23コイル形成用電極32cにて第3並列共振回路16Cの第13コイルL13が形成される。
Further, the third parallel resonance is formed by the thirteenth
この第1受動部品10Aの周波数特性の例を図4に示す。この図4において、実線Aは通過特性を示し、実線Bは反射特性を示す。通過特性には3つの減衰極(第1減衰極P1〜第3減衰極P3)が形成されている。そのうち、通過帯域に最も近い第2減衰極P2(共振周波数fb)は、第2並列共振回路16Bによるもので、その他の第1減衰極P1(共振周波数fa)及び第3減衰極P3(共振周波数fc)は、それぞれ第1並列共振回路16A及び第3並列共振回路16Cによるものである。
An example of the frequency characteristic of the first
このように、第1受動部品10Aにおいては、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cのうち、通過帯域に近い共振周波数(第2減衰局P2)を有する第2並列共振回路16Bを、以下の位置に形成するようにしている。すなわち、例えば図5に示すように、誘電体基板20内のうち、第1シールド電極22Aと第2シールド電極22Bで挟まれた領域Za中、第1シールド電極22Aから最も遠い位置で、且つ、第2シールド電極22Bから最も遠い位置に、第2並列共振回路16Bを形成するようにしている。
Thus, in the first
ここで、遠い位置とは、この第1受動部品10Aでは、領域Zaに含まれる誘電体層の数が奇数枚(13枚:第1誘電体層S1〜第13誘電体層S13)であることから、領域Zaの積層方向中央部分に位置する第7誘電体層S7の主面と第8誘電体層S8の主面が該当する。
Here, the distant position means that in the first
これにより、第2並列共振回路16Bを構成する電極(例えば第12コンデンサ形成用電極24b、第12コイル形成用電極26b、第22コンデンサ形成用電極30b、第22コイル形成用電極32b等)が誘電体基板20の上部及び下部に形成された第1シールド電極22A及び第2シールド電極22Bの影響を受けにくくなり、該第2並列共振回路16BのQ値が向上する。そのため、高いQ値を有する第2並列共振回路16Bを通過帯域近傍の減衰極P2を形成するために使用することと等価となり、誘電体基板20内に第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cを形成することによって挿入損失が大きくなることを抑制することができる。その結果、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる。
As a result, the electrodes (for example, the twelfth
また、各コイル形成用電極(26a〜26c、32a〜32c)と各コンデンサ形成用電極(24a〜24c、30a〜30c)を別々の誘電体層に形成するのではなく、各コンデンサ形成用電極(24a〜24c、30a〜30c)が各コイル形成用電極(26a〜26c、32a〜32c)の周回内に配置され、且つ、それぞれ対応するコイル形成用電極(26a〜26c、32a〜32c)に接続されるようにしたので、各コイル形成用電極(26a〜26c、32a〜32c)にそれぞれ対応するコンデンサ形成用電極(24a〜24c、30a〜30c)が形成され、第1受動部品10Aの小型化及び低背化を促進させることができる。
Moreover, each coil formation electrode (26a-26c, 32a-32c) and each capacitor formation electrode (24a-24c, 30a-30c) are not formed in a separate dielectric layer, but each capacitor formation electrode ( 24a to 24c, 30a to 30c) are arranged in the circumference of each coil forming electrode (26a to 26c, 32a to 32c) and connected to the corresponding coil forming electrode (26a to 26c, 32a to 32c), respectively. Therefore, capacitor forming electrodes (24a-24c, 30a-30c) corresponding to the respective coil forming electrodes (26a-26c, 32a-32c) are formed, and the first
また、この第1受動部品10Aは、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cが形成された第4誘電体層S4〜第11誘電体層S11と、第1シールド電極22Aが形成された第1誘電体層S1との間において、第11コンデンサ形成用電極24aと対応した位置に、該第11コンデンサ形成用電極24aと同電位の第1コンデンサ電極50aを形成し、第12コンデンサ形成用電極24bと対応した位置に、該第12コンデンサ形成用電極24bと同電位の第2コンデンサ電極50bを形成するようにしている。さらに、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cが形成された第4誘電体層S4〜第11誘電体層S11と、第2シールド電極22Bが形成された第14誘電体層S14との間において、第22コンデンサ形成用電極30bと対応した位置に、該第22コンデンサ形成用電極30bと同電位の第3コンデンサ電極50cを形成し、第23コンデンサ形成用電極30cと対応した位置に、該第23コンデンサ形成用電極30cと同電位の第4コンデンサ電極50dを形成するようにしている。そのため、浮遊容量を低減する効果を奏し、設計の自由度も向上する。
Further, the first
次に、第2の具体例に係る受動部品(以下、第2受動部品10Bと記す)について図6を参照しながら説明する。この第2受動部品10Bは、図6に示すように、上述した第1受動部品10Aとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
Next, a passive component according to a second specific example (hereinafter referred to as a second
すなわち、誘電体基板20は、図6に示すように、上から順に、第1誘電体層S1〜第9誘電体層S9が積み重ねられて構成されている。これらの第1誘電体層S1〜第9誘電体層S9は、1枚あるいは複数枚の層にて構成される。第1誘電体層S1の主面(誘電体基板20の上面20u)に第1シールド電極22Aが形成され、第9誘電体層S9の主面に第2シールド電極22Bが形成されている。
That is, as shown in FIG. 6, the
そして、第4誘電体層S4の主面には、第11コンデンサ形成用電極24aと第11コイル形成用電極26aとが電気的に接続された第11電極パターン28aと、第12コンデンサ形成用電極24bと第12コイル形成用電極26bとが電気的に接続された第12電極パターン28bと、第13コンデンサ形成用電極24cと第13コイル形成用電極26cとが電気的に接続された第13電極パターン28cとが形成されている。
The main surface of the fourth dielectric layer S4 has an
この場合、第11電極パターン28aの第11コンデンサ形成用電極24aの一端に入力端子12が電気的に接続されている。また、第12電極パターン28bの第12コイル形成用電極26bと、第13電極パターン28cの第13コイル形成用電極26cとが一体的に接続されて、全体としてC状の電極パターンとなっている。
In this case, the
同様に、第6誘電体層S6の主面には、第21コンデンサ形成用電極30aと第21コイル形成用電極32aとが電気的に接続された第21電極パターン34aと、第22コンデンサ形成用電極30bと第22コイル形成用電極32bとが電気的に接続された第22電極パターン34bと、第23コンデンサ形成用電極30cと第23コイル形成用電極32cとが電気的に接続された第23電極パターン34cとが形成されている。
Similarly, on the main surface of the sixth dielectric layer S6, a
この場合、第23電極パターン34cの第23コンデンサ形成用電極30cの一端に出力端子14が電気的に接続されている。また、第21電極パターン34aの第21コイル形成用電極32aと、第22電極パターン34bの第22コイル形成用電極32bとが一体的に接続されて、全体としてC状の電極パターンとなっている。
In this case, the
さらに、第5誘電体層S5の主面には、コ字状の第31コイル形成用電極36aと、第32コイル形成用電極36bと、第33コイル形成用電極36cとが形成されている。
Further, a U-shaped 31st
このうち、第31コイル形成用電極36aの一端と第11コイル形成用電極26aの一端とがビアホール38を介して電気的に接続され、第31コイル形成用電極36aの他端と第21コイル形成用電極32aの一端とがビアホール40を介して電気的に接続されている。
Among these, one end of the 31st
同様に、第32コイル形成用電極36bの一端と第12コイル形成用電極26bの一端とがビアホール42を介して電気的に接続され、第32コイル形成用電極36bの他端と第22コイル形成用電極32bの一端とがビアホール44を介して電気的に接続されている。
Similarly, one end of the thirty-second
さらに、第33コイル形成用電極36cの一端と第13コイル形成用電極26cの一端とがビアホール46を介して電気的に接続され、第33コイル形成用電極36cの他端と第23コイル形成用電極32cの一端とがビアホール48を介して電気的に接続されている。
Furthermore, one end of the thirty-third
また、第2誘電体層S2の主面には、第11コンデンサ形成用電極24aに対応した箇所に、第11コンデンサ形成用電極24aと同電位の第1コンデンサ電極50aが形成され、第12コンデンサ形成用電極24bに対応した箇所に、第12コンデンサ形成用電極24bと同電位の第2コンデンサ電極50bが形成されている。第1コンデンサ電極50aと第11コンデンサ形成用電極24aはビアホール52を介して電気的に接続され、第2コンデンサ電極50bと第12コンデンサ形成用電極24bはビアホール54を介して電気的に接続されている。第1コンデンサ電極50aと第2コンデンサ電極50bは、それぞれ第1シールド電極22Aに対して第1誘電体層S1を間に挟んで対向している。
Further, a
同様に、第8誘電体層S8の主面には、第22コンデンサ形成用電極30bに対応した箇所に、第22コンデンサ形成用電極30bと同電位の第3コンデンサ電極50cが形成され、第23コンデンサ形成用電極30cに対応した箇所に、第23コンデンサ形成用電極30cと同電位の第4コンデンサ電極50dが形成されている。第3コンデンサ電極50cと第22コンデンサ形成用電極30bはビアホール56を介して電気的に接続され、第4コンデンサ電極50dと第23コンデンサ形成用電極30cはビアホール58を介して電気的に接続されている。上述した第3コンデンサ電極50cと第4コンデンサ電極50dは、それぞれ第2シールド電極22Bに対して第8誘電体層S8を間に挟んで対向している。
Similarly, on the main surface of the eighth dielectric layer S8, a
ここで、第2受動部品10Bの回路構成を図1に示す回路との対応で説明する。
Here, the circuit configuration of the second
まず、第2誘電体層S2の主面に形成された第1コンデンサ電極50aと誘電体基板20の上面20uに形成された第1シールド電極22Aにて第1コンデンサC1が形成され、第2コンデンサ電極50bと第1シールド電極22Aにて第2コンデンサC2が形成される。同様に、第8誘電体層S8の主面に形成された第3コンデンサ電極50cと第9誘電体層S9の主面に形成された第2シールド電極22Bにて第3コンデンサC3が形成され、第4コンデンサ電極50dと第2シールド電極22Bにて第4コンデンサC4が形成される。
First, the first capacitor C1 is formed by the
第4誘電体層S4の主面に形成された第11コンデンサ形成用電極24aと、第6誘電体層S6の主面に形成された第21コンデンサ形成用電極30aにて第1並列共振回路16Aの第11コンデンサC11が形成され、第12コンデンサ形成用電極24bと第22コンデンサ形成用電極30bにて第2並列共振回路16Bの第12コンデンサC12が形成され、第13コンデンサ形成用電極24cと第23コンデンサ形成用電極30cにて第3並列共振回路16Cの第13コンデンサC13が形成される。
The first parallel
同様に、第4誘電体層S4の主面に形成された第11コイル形成用電極26aとビアホール38と第5誘電体層S5の主面に形成された第31コイル形成用電極36aとビアホール40と第6誘電体層S6の主面に形成された第21コイル形成用電極32aにて第1並列共振回路16Aの第11コイルL11が形成され、第12コイル形成用電極26bとビアホール42と第32コイル形成用電極36bとビアホール44と第22コイル形成用電極32bにて第2並列共振回路16Bの第12コイルL12が形成され、第13コイル形成用電極26cとビアホール46と第33コイル形成用電極36cとビアホール48と第23コイル形成用電極32cにて第3並列共振回路16Cの第13コイルL13が形成される。
Similarly, the eleventh
この第2受動部品10Bの周波数特性も図4と同様の特性を示し、通過帯域に最も近い第2減衰極P2(共振周波数fb)は、第2並列共振回路16Bによるもので、その他の第1減衰極P1(共振周波数fa)及び第3減衰極P3(共振周波数fc)は、それぞれ第1並列共振回路16A及び第3並列共振回路16Cによるものである。
The frequency characteristics of the second
このように、第2受動部品10Bにおいては、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cを、以下の位置に形成するようにしている。すなわち、例えば図7に示すように、誘電体基板20内のうち、第1シールド電極22Aと第2シールド電極22Bで挟まれた領域Za中、第1シールド電極22Aから最も遠い位置で、且つ、第2シールド電極22Bから最も遠い位置に、第2並列共振回路16Bを形成するようにしている。
Thus, in the second
ここで、遠い位置とは、この第2受動部品10Bでは、領域Zaに含まれる誘電体層の数が偶数枚(8枚:第1誘電体層S1〜第8誘電体層S8)であることから、領域Zaの積層方向中央部分に位置する第5誘電体層S5の主面、あるいは第4誘電体層S4〜第6誘電体層S6の各主面が該当する。
Here, the distant position means that in the second
これにより、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16C全てが誘電体基板20の上部及び下部に形成された第1シールド電極22A及び第2シールド電極22Bの影響を受けにくくなり、これら第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16CのQ値を向上させることができる。そのため、誘電体基板20内に第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cを形成することによって挿入損失が大きくなることを抑制することができ、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる。しかも、低背化を図ることができ、薄型の通信装置や電子機器に用いて好適となる。
As a result, all of the first parallel
特に、コイル長さ(物理長)を大きくとることができる第31コイル形成用電極36a、第32コイル形成用電極36b及び第33コイル形成用電極36cを、領域Za中、積層方向中央に位置する第5誘電体層S5の主面に形成するようにしたので、挿入損失の増大を効果的に抑制しながらも、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cのインダクタンス成分を大きくとることが可能となり、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cにおいて形成される第1減衰極P1〜第3減衰極P3の減衰量を大きくすることができ、しかも、急峻な通過特性を得ることができる。
In particular, the 31st
また、各コイル形成用電極(26a〜26c、32a〜32c、36a〜36c)と各コンデンサ形成用電極(24a〜24c、30a〜30c)を別々の誘電体層に形成するのではなく、各コンデンサ形成用電極(24a〜24c、30a〜30c)が各コイル形成用電極(26a〜26c、32a〜32c)の周回内に配置され、且つ、それぞれ対応するコイル形成用電極(26a〜26c、32a〜32c)に接続されるようにしたので、コイル形成用電極(26a〜26c、32a〜32c)にそれぞれ対応するコンデンサ形成用電極(24a〜24c、30a〜30c)が形成され、第2受動部品10Bの小型化及び低背化を促進させることができる。
Moreover, each capacitor | condenser electrode (26a-26c, 32a-32c, 36a-36c) and each capacitor | condenser electrode (24a-24c, 30a-30c) are not formed in a separate dielectric layer, but each capacitor | condenser. The forming electrodes (24a to 24c, 30a to 30c) are arranged in the circumference of each coil forming electrode (26a to 26c, 32a to 32c), and the corresponding coil forming electrodes (26a to 26c, 32a to 32c) 32c), the capacitor forming electrodes (24a-24c, 30a-30c) respectively corresponding to the coil forming electrodes (26a-26c, 32a-32c) are formed, and the second
また、この第2受動部品10Bは、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cが形成された第4誘電体層S4〜第6誘電体層S6と、第1シールド電極22Aが形成された第1誘電体層S1との間において、第11コンデンサ形成用電極24aと対応した位置に、該第11コンデンサ形成用電極24aと同電位の第1コンデンサ電極50aを形成し、第12コンデンサ形成用電極24bと対応した位置に、該第12コンデンサ形成用電極24bと同電位の第2コンデンサ電極50bを形成するようにしている。さらに、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cが形成された第4誘電体層S4〜第6誘電体層S6と、第2シールド電極22Bが形成された第9誘電体層S9との間において、第22コンデンサ形成用電極30bと対応した位置に、該第22コンデンサ形成用電極30bと同電位の第3コンデンサ電極50cを形成し、第23コンデンサ形成用電極30cと対応した位置に、該第23コンデンサ形成用電極30cと同電位の第4コンデンサ電極50dを形成するようにしている。そのため、浮遊容量を低減する効果を奏し、設計の自由度も向上する。
Further, the second
さらに、この第2受動部品10Bにおいては、誘電体基板20を上面から見た場合に、第1並列共振回路16A〜第3並列共振回路16Cが並んで配置され、隣接する第1並列共振回路16Aと第2並列共振回路16B同士、隣接する第2並列共振回路16Bと第3並列共振回路16C同士は、それぞれコイル形成用電極の巻き方向が逆方向となっている。そのため、結合低減の効果があり、その結果、隣接するLC共振回路同士を近接させて配置することができ、第2受動部品10Bの小型化を促進させることができる。
Further, in the second
ここで、本実施の形態に係る受動部品10(第1受動部品10A及び第2受動部品10B)と従来例に係る受動部品の周波数特性を比較する。まず、従来例に係る受動部品は、図示しないが、コンデンサを形成するための電極群とコイルを形成するための電極群とが誘電体基板の積層方向に対してそれぞれ分離して形成された構成を有する。この従来例に係る受動部品の通過特性、特に、通過帯域近傍の特性は、図8の破線Cに示すような曲線を描く。この図8において、実線Aは、本実施の形態に係る受動部品10の通過特性を示す。
Here, the frequency characteristics of the passive component 10 (the first
この図8からもわかるように、例えば通過帯域近傍の周波数fdにおける従来例の減衰量は約−1.5dBであるが、本実施の形態の減衰量は約−1dBであり、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性が得られていることがわかる。 As can be seen from FIG. 8, for example, the attenuation of the conventional example at the frequency fd in the vicinity of the pass band is about −1.5 dB, but the attenuation of the present embodiment is about −1 dB, which is a wide band of the pass band. It can be seen that a steep attenuation characteristic is obtained.
他の実施の形態としては、コンデンサ形成用電極を、コイル形成用電極が形成されている誘電体層以外の誘電体層に形成するようにしてもよい。 As another embodiment, the capacitor forming electrode may be formed on a dielectric layer other than the dielectric layer on which the coil forming electrode is formed.
また、コンデンサ形成用電極をコイル形成用電極の周回外に形成するようにしてもよい。 The capacitor forming electrode may be formed outside the coil forming electrode.
上述の例では、コイル形成用電極で構成されるコイルの軸方向を誘電体基板の上下面の方向(横巻き状)としたが、該上下面の方向と直交する方向(縦巻き状)にしてもよい。 In the above example, the axial direction of the coil formed of the coil forming electrodes is the direction of the upper and lower surfaces of the dielectric substrate (horizontal winding), but the direction orthogonal to the direction of the upper and lower surfaces (vertical winding) is used. May be.
また、上述の例では、LC共振回路を並列共振回路としたが、その他、直列共振回路にしてもよい。 In the above example, the LC resonance circuit is a parallel resonance circuit, but may be a series resonance circuit.
なお、本発明に係る受動部品は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。 Note that the passive component according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can of course have various configurations without departing from the gist of the present invention.
10、10A、10B…受動部品 12…入力端子
14…出力端子 16A…第1並列共振回路
16B…第2並列共振回路 16C…第3並列共振回路
20…誘電体基板 22A…第1シールド電極
22B…第2シールド電極 24a…第11コンデンサ形成用電極
24b…第12コンデンサ形成用電極 24c…第13コンデンサ形成用電極
26a…第11コイル形成用電極 26b…第12コイル形成用電極
26c…第13コイル形成用電極 28a…第11電極パターン
28b…第12電極パターン 28c…第13電極パターン
30a…第21コンデンサ形成用電極 30b…第22コンデンサ形成用電極
30c…第23コンデンサ形成用電極 32a…第21コイル形成用電極
32b…第22コイル形成用電極 32c…第23コイル形成用電極
34a…第21電極パターン 34b…第22電極パターン
34c…第23電極パターン 36a…第31コイル形成用電極
36b…第32コイル形成用電極 36c…第33コイル形成用電極
50a…第1コンデンサ電極 50b…第2コンデンサ電極
50c…第3コンデンサ電極 50d…第4コンデンサ電極
DESCRIPTION OF
Claims (3)
複数の誘電体層が積層されて構成され、側面に前記入力端子及び前記出力端子が形成され、上部に第1シールド電極が形成され、下部に第2シールド電極が形成された誘電体基板内のうち、前記第1シールド電極と前記第2シールド電極で挟まれた領域に、直列接続された前記複数のLC共振回路が形成され、
各前記LC共振回路は、1つの前記コイルを構成する複数のコイル形成用電極と、1つの前記コンデンサを構成する複数のコンデンサ形成用電極にて構成され、
複数の前記コイル形成用電極は、複数の誘電体層にわたって形成され、
各前記接地コンデンサは、前記第1シールド電極及び前記第2シールド電極のうち、少なくとも一方のシールド電極と該シールド電極と誘電体層を挟んで対向する接地コンデンサ電極にて構成され、
前記複数のLC共振回路のうち、通過帯域に最も近い共振周波数を有する1つのLC共振回路の少なくともコイルが、前記第1シールド電極と前記第2シールド電極で挟まれた前記領域中、他のLC共振回路のコイルよりも、前記第1シールド電極及び前記第2シールド電極から最も遠い位置に形成されていることを特徴とする受動部品。 A plurality of LC resonance circuits having different resonance frequencies are connected in series between the input terminal and the output terminal, and are adjacent between the contact between the input terminal and the input side LC resonance circuit adjacent to the input terminal and the ground. A ground capacitor is connected between the contact between the LC resonance circuits and the ground, and between the contact between the output terminal and the output side LC resonance circuit adjacent to the output terminal and the ground, and the plurality of LC resonance circuits are In passive components that are parallel resonant circuits each having one coil and one capacitor,
A dielectric substrate in which a plurality of dielectric layers are stacked, the input terminal and the output terminal are formed on a side surface, a first shield electrode is formed on an upper portion, and a second shield electrode is formed on a lower portion. Among these, the plurality of LC resonance circuits connected in series are formed in a region sandwiched between the first shield electrode and the second shield electrode,
Each of the LC resonance circuits is composed of a plurality of coil forming electrodes constituting one of the coils and a plurality of capacitor forming electrodes constituting one of the capacitors,
The plurality of coil forming electrodes are formed over a plurality of dielectric layers ,
Each of the ground capacitors is composed of at least one shield electrode of the first shield electrode and the second shield electrode, and a ground capacitor electrode facing the shield electrode with a dielectric layer interposed therebetween,
Among the plurality of LC resonance circuits, at least a coil of one LC resonance circuit having a resonance frequency closest to the passband is another LC in the region sandwiched between the first shield electrode and the second shield electrode. A passive component, wherein the passive component is formed farthest from the first shield electrode and the second shield electrode than the coil of the resonance circuit.
前記複数の接地コンデンサ電極のうち、前記入力端子と前記入力側LC共振回路との接点と接地との間に接続される入力側接地コンデンサを構成する接地コンデンサ電極は、
前記入力側LC共振回路を構成する前記複数のコンデンサ形成用電極のうち、前記第1シールド電極寄りに形成された前記コンデンサ形成用電極と前記第1シールド電極との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に形成され、
前記複数の接地コンデンサ電極のうち、前記出力端子と前記出力側LC共振回路との接点と接地との間に接続される出力側接地コンデンサを構成する接地コンデンサ電極は、
前記出力側LC共振回路を構成する前記複数のコンデンサ形成用電極のうち、前記第2シールド電極寄りに形成された前記コンデンサ形成用電極と前記第2シールド電極との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に形成されていることを特徴とする受動部品。 The passive component according to claim 1,
Among the plurality of ground capacitor electrodes, a ground capacitor electrode constituting an input side ground capacitor connected between a contact point between the input terminal and the input side LC resonance circuit and ground,
Among the plurality of capacitor forming electrodes constituting the input side LC resonance circuit, between the capacitor forming electrode formed near the first shield electrode and the first shield electrode, and It is formed at a position corresponding to the capacitor forming electrode,
Among the plurality of ground capacitor electrodes, a ground capacitor electrode constituting an output side ground capacitor connected between a contact point between the output terminal and the output side LC resonance circuit and the ground,
Among the plurality of capacitor forming electrodes constituting the output side LC resonance circuit, between the capacitor forming electrode formed near the second shield electrode and the second shield electrode, and A passive component formed at a position corresponding to a capacitor forming electrode.
前記複数の接地コンデンサ電極のうち、通過帯域に最も近い共振周波数を有する1つのLC共振回路と、該1つのLC共振回路に隣接する一方のLC共振回路との接点と接地との間に接続される第1接地コンデンサを構成する接地コンデンサ電極は、
前記1つのLC共振回路を構成する前記複数のコンデンサ形成用電極のうち、前記第1シールド電極寄りに形成された前記コンデンサ形成用電極と前記第1シールド電極との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に形成され、
前記複数の接地コンデンサ電極のうち、前記1つのLC共振回路と、該1つのLC共振回路に隣接する他方のLC共振回路との接点と接地との間に接続される第2接地コンデンサを構成する接地コンデンサ電極は、
前記1つのLC共振回路を構成する前記複数のコンデンサ形成用電極のうち、前記第2シールド電極寄りに形成された前記コンデンサ形成用電極と前記第2シールド電極との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に形成されていることを特徴とする受動部品。 The passive component according to claim 2,
Of the plurality of ground capacitor electrodes, connected between the ground of one LC resonance circuit having a resonance frequency closest to the pass band and one LC resonance circuit adjacent to the one LC resonance circuit and the ground. The grounding capacitor electrode constituting the first grounding capacitor is
Among the plurality of capacitor forming electrodes constituting the one LC resonance circuit, between the capacitor forming electrode formed near the first shield electrode and the first shield electrode, and It is formed at a position corresponding to the capacitor forming electrode,
Of the plurality of ground capacitor electrodes, a second ground capacitor connected between the contact point of the one LC resonance circuit and the other LC resonance circuit adjacent to the one LC resonance circuit and the ground is formed. The ground capacitor electrode
Among the plurality of capacitor forming electrodes constituting the one LC resonance circuit, between the capacitor forming electrode formed near the second shield electrode and the second shield electrode, and A passive component formed at a position corresponding to a capacitor forming electrode.
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