KR20160047907A - Wafer transfer apparatus - Google Patents

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KR20160047907A
KR20160047907A KR1020140144436A KR20140144436A KR20160047907A KR 20160047907 A KR20160047907 A KR 20160047907A KR 1020140144436 A KR1020140144436 A KR 1020140144436A KR 20140144436 A KR20140144436 A KR 20140144436A KR 20160047907 A KR20160047907 A KR 20160047907A
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Abstract

A wafer transfer apparatus is disclosed. The wafer transfer apparatus comprises a support unit supporting a wafer. The support unit has at least one inlet in a front side and a rear side respectively. According to the present invention, provided is the wafer transfer apparatus which can transfer a wafer without bending it while transferring it.

Description

웨이퍼 이송 장치{Wafer transfer apparatus}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer transfer apparatus for transferring wafers.

웨이퍼(wafer)란 실리콘 등의 반도체 소재를 매우 얇은 두께의 원형 판으로 가공한 것이다. 집적 회로 등에 사용되는 경우 웨이퍼는 20 내지 30cm 직경에 대략 750μm 두께로 가공된다. 웨이퍼는 반도체 소자의 기재(substrate) 역할을 하여 다양한 초소형 전자(microelectronic) 구조들이 웨이퍼 상에 혹은 웨이퍼 내에 형성될 수 있게 한다.A wafer is a semiconductor material such as silicon processed into a very thin circular plate. When used in an integrated circuit or the like, the wafer is processed to a thickness of approximately 750 [mu] m with a diameter of 20 to 30 cm. The wafer serves as a substrate for semiconductor devices, allowing a variety of microelectronic structures to be formed on or in the wafer.

반도체 소자들을 제조하는 경우, 웨이퍼에는 동일한 초소형 전자 구조들이 다수 형성되고, 그 후 웨이퍼는 다수의 사각형 다이들로 커팅된다. 이러한 공정을 다이 커팅(die-cutting) 혹은 다이싱(dicing)이라 한다. 이와 같이 제조되는 마이크로미터 단위의 초소형 반도체 소자들은 오늘날 소비되는 소형 전자기기를 생산함에 있어 필수적이라 할 수 있다.When manufacturing semiconductor devices, a number of identical microelectronic structures are formed in the wafer, and then the wafer is cut into a plurality of square dies. This process is called die-cutting or dicing. The micrometer-scale semiconductor devices manufactured in this manner are indispensable for producing small electronic devices consumed today.

이러한 실리콘 웨이퍼들은 로봇 암 및 로봇 암에 장착된 척(chuck) 등에 의하여 반송(搬送)되고 웨이퍼 카세트(cassette)에 보관될 수 있다. 실리콘 웨이퍼는 생산하는 데 많은 비용이 소요되고, 매우 미세한 두께를 가지며, 매우 정교한 구조들이 가공되므로, 웨이퍼를 다룰 때 주의가 필요하다.These silicon wafers can be transported by a chuck mounted on a robot arm and a robot arm and stored in a wafer cassette. Silicon wafers are expensive to produce, have very fine thicknesses, and require very careful handling when handling wafers, as very sophisticated structures are fabricated.

또한, 실리콘 웨이퍼는 특정 공정을 수행한 후 얇아지는 현상으로 인해 웨이퍼를 이송하는 이송하는 도중에 웨이퍼가 휘는 현상이 발생하게 된다. In addition, the silicon wafer has a phenomenon in which the wafer bends during the transfer of the wafer due to the phenomenon that the silicon wafer becomes thin after performing the specific process.

본 발명은 웨이퍼 이송 도중에 웨이퍼의 휨 현상 없이 웨이퍼를 이송할 수 있는 웨이퍼 이송 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a wafer transfer apparatus capable of transferring a wafer without warpage of the wafer during wafer transfer.

또한, 본 발명은 웨이퍼에 필름을 부착한 후 진공 패드면으로 웨이퍼를 흡착하는 경우 필름에 자국이 생겨서 필름을 부착한 공정 이후 웨이퍼는 코팅처리된 진공 흡착면으로 웨이퍼를 흡착하여 이송함으로써 필름에 자국이 생기는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 이송 장치를 제공하기 위한 것이다.In addition, in the present invention, when a wafer is adsorbed onto a vacuum pad surface after attaching a film to a wafer, the wafer is adsorbed and transferred to the vacuum adsorption surface after the step of adhering the film to the film, Which is capable of preventing the occurrence of wafer defects.

본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼 이송 도중에 웨이퍼의 휨 현상 없이 웨이퍼를 이송할 수 있는 웨이퍼 이송 장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer transfer apparatus capable of transferring a wafer without warpage of the wafer during wafer transfer.

제1 실시예에 따르면, 적어도 하나의 제1 흡입구가 형성되는 제1 레이어; 적어도 하나의 제2 흡입구가 형성되는 제2 레이어를 포함하되, 제1 흡입구 또는 제2 흡입구를 통한 진공 흡착을 통해 웨이퍼를 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치에 포함되는 지지부재가 제공될 수 있다.According to the first embodiment, a first layer in which at least one first suction port is formed; And a second layer on which at least one second suction port is formed, wherein the wafer is supported by vacuum suction through a first suction port or a second suction port, wherein a support member included in the wafer transfer apparatus can be provided .

상기 제1 흡입구와 상기 제2 흡입구는 각각 상이한 형상으로 형성될 수 있다.The first suction port and the second suction port may have different shapes.

상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어가 맞닿는 각면에는 상기 제1 흡입구와 상기 제2 흡입구가 연통되는 진공라인이 각각 형성될 수 있다.And a vacuum line through which the first inlet and the second inlet communicate with each other may be formed on each side of the first layer and the second layer.

상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어 사이에 배열되는 제3 레이어를 더 포함하되, 상기 제3 레이어에 의해 상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어에 형성된 진공라인이 밀폐될 수 있다.
And a third layer arranged between the first layer and the second layer, wherein the vacuum layer formed on the first layer and the second layer can be sealed by the third layer.

제2 실시예에 따르면, 웨이퍼를 지지하는 지지부를 포함하되, 상기 지지부는 전면과 후면에 각각 적어도 하나의 흡입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치가 제공될 수 있다.According to the second embodiment, there is provided a wafer transfer apparatus including a support for supporting a wafer, wherein the support includes at least one suction port on the front surface and a suction port on the rear surface, respectively.

상기 지지부내에 진공을 형성하기 위한 복수의 진공라인이 형성되되, 상기 진공라인은 상기 흡입구와 연통될 수 있다.A plurality of vacuum lines for forming a vacuum in the support portion are formed, and the vacuum line can communicate with the suction port.

상기 복수의 진공라인 중 어느 하나는 상기 전면에 형성된 흡입구와 연통되고, 상기 복수의 진공라인 중 다른 하나는 상기 후면에 형성된 흡입구와 연통될 수 있다.One of the plurality of vacuum lines communicates with an inlet formed on the front surface, and the other one of the plurality of vacuum lines communicates with an inlet formed on the rear surface.

상기 복수의 진공라인 중 하나의 진공라인을 선택하는 스위치를 더 포함하되,Further comprising a switch for selecting one of the plurality of vacuum lines,

상기 스위치에 의해 선택된 진공라인에 진공이 형성될 수 있다.A vacuum may be formed in the vacuum line selected by the switch.

상기 전면과 후면에 각각 형성되는 흡입구는 각각 상이한 형상이다.The suction ports formed on the front surface and the rear surface respectively have different shapes.

상기 전면과 상기 후면 중 어느 하나에 형성되는 흡입구는 복수의 홀이고, Wherein the suction port formed on one of the front surface and the rear surface is a plurality of holes,

상기 전면과 상기 후면 중 어느 하나에 형성되는 흡입구는 진공 패드일 수 있다.
The suction port formed on one of the front surface and the rear surface may be a vacuum pad.

제3 실시예에 따르면, 웨이퍼를 지지하는 지지부; 및 상기 지지부 내부에 연통된 진공라인을 통해 상기 웨이퍼가 진공흡착되도록 진공을 발생시키는 진공발생부를 포함하되, 상기 지지부는 전면과 후면에 상기 진공라인과 연통되는 적어도 하나의 흡입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치가 제공될 수 있다.According to a third embodiment, there is provided a wafer processing apparatus comprising: a support for supporting a wafer; And a vacuum generating unit for generating a vacuum so that the wafer is vacuum-adsorbed through a vacuum line communicated with the inside of the supporting unit, wherein the supporting unit includes at least one suction port communicating with the vacuum line on the front and rear surfaces, A wafer transfer device may be provided.

상기 복수의 진공라인 중 하나의 진공라인을 선택하는 스위치를 더 포함하되, 상기 스위치에 의해 선택된 진공라인에 진공이 형성될 수 있다.Further comprising a switch for selecting one of the plurality of vacuum lines, wherein a vacuum may be formed in the vacuum line selected by the switch.

제4 실시예에 따르면, 지지부의 일면에 형성된 제1 흡입구를 통해 웨이퍼를 진공흡착하여 이송하는 단계; 및 상기 지지부의 타면에 형성된 제2 흡입구를 통해 상기 웨이퍼를 진공흡착하여 카세트로 반송하는 단계를 포함하는 웨이퍼 이송 방법이 제공될 수 있다.According to the fourth embodiment, the step of transferring the wafer by vacuum suction through the first suction port formed on one side of the support part; And a step of vacuum-adsorbing the wafer through a second suction port formed on the other surface of the support and conveying the wafer to a cassette.

상기 제1 흡입구 및 상기 제2 흡입구는 상기 지재부 내부에 형성된 진공라인과 연통될 수 있다.The first suction port and the second suction port may communicate with a vacuum line formed inside the support member.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치를 제공함으로써, 웨이퍼 이송 도중에 웨이퍼의 휨 현상 없이 웨이퍼를 이송할 수 있다.By providing the wafer transfer apparatus according to one embodiment of the present invention, the wafer can be transferred without warpage of the wafer during wafer transfer.

또한, 본 발명은 웨이퍼에 필름을 부착한 후 진공 패드면으로 웨이퍼를 흡착하는 경우 필름에 자국이 생겨서 필름을 부착한 공정 이후 웨이퍼는 코팅처리된 진공 흡착면으로 웨이퍼를 흡착하여 이송함으로써 필름에 자국이 생기는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the present invention, when a wafer is adsorbed onto a vacuum pad surface after attaching a film to a wafer, the wafer is adsorbed and transferred to the vacuum adsorption surface after the step of adhering the film to the film, Can be prevented.

도 1은 제1 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 구조를 도시한 도면.
도 2는 도 1의 웨이퍼 이송 장치의 입면도를 도시한 도면.
도 3은 도 1의 웨이퍼 이송 장치의 지지부의 전면을 도시한 평면도.
도 4는 도 1의 웨이퍼 이송 장치의 지지부의 후면을 도시한 평면도.
도 5는 도 3의 지지부 전면의 투시도.
도 6은 도 4의 지지부 후면의 투시도.
도 7은 도 1의 지지부에 대한 투시도.
도 8은 웨이퍼 이송 장치의 웨이퍼 이송을 설명하기 위해 도시한 도면.1 is a view showing a structure of a wafer transfer apparatus according to a first embodiment;
Fig. 2 is an elevational view of the wafer transfer apparatus of Fig. 1; Fig.
3 is a plan view showing a front surface of a support portion of the wafer transfer apparatus of FIG.
Fig. 4 is a plan view showing a rear surface of a support portion of the wafer transfer apparatus of Fig. 1; Fig.
Figure 5 is a perspective view of the front of the support of Figure 3;
Figure 6 is a perspective view of the back side of the support of Figure 4;
Figure 7 is a perspective view of the support of Figure 1;
8 is a view for explaining wafer transfer of a wafer transfer apparatus;

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 구조를 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 이송 장치의 입면도를 도시한 도면이고, 도 3은 도 1의 웨이퍼 이송 장치의 지지부의 전면을 도시한 평면도이고, 도 4는 도 1의 웨이퍼 이송 장치의 지지부의 후면을 도시한 평면도이며, 도 5는 도 3의 지지부 전면의 투시도이고, 도 6은 도 4의 지지부 후면의 투시도이며, 도 7은 도 1의 지지부에 대한 투시도이고, 도 8은 제1 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 웨이퍼 이송을 설명하기 위해 도시한 도면이다.FIG. 1 is a view showing a structure of a wafer transfer apparatus according to a first embodiment, FIG. 2 is an elevational view of the wafer transfer apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a front view Fig. 5 is a perspective view of the front surface of the support portion of Fig. 3, Fig. 6 is a perspective view of the rear surface of the support portion of Fig. 4, Fig. 8 is a view for explaining wafer transfer of the wafer transfer apparatus according to the first embodiment. Fig.

도 3은 지지부(110)의 전면을 도시한 평면도이고, 도 4는 지지부(110)의 후면을 도시한 평면도FIG. 3 is a plan view showing the front surface of the support portion 110, FIG. 4 is a plan view showing the rear surface of the support portion 110,

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치(100)는 지지부(110), 스위치(115) 및 진공발생부(120)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, the wafer transfer apparatus 100 according to the first embodiment includes a support 110, a switch 115, and a vacuum generator 120.

지지부(110)는 웨이퍼 이송시 웨이퍼를 지지하도록 구성된다. 웨이퍼를 지지하기 위해, 지지부(110)에는 하나 이상의 흡입구(211, 231)를 포함할 수 있다. 또한, 지지부(110)는 지정된 공정(예를 들어, 코팅 공정)을 위해 웨이퍼를 이송시키고, 지정된 공정이 완료된 이후 웨이퍼를 카세트에 반송시키기 용이하도록 지지부(110)의 전면과 후면에 각각 적어도 하나의 흡입구(211, 231)를 포함할 수 있다.The support 110 is configured to support the wafer during wafer transfer. To support the wafer, the support 110 may include one or more inlets 211, 231. In addition, the support 110 may include at least one support member (not shown) on the front and back sides of the support 110 for facilitating transfer of the wafer for a designated process (e.g., a coating process) and subsequent transfer of the wafer to the cassette Suction ports 211 and 231, respectively.

또한, 웨이퍼의 전면에 코팅 공정을 수행한 후 웨이퍼를 반송시키는 경우, 웨이퍼 전면의 손상을 방지하기 위해, 지지부(110)의 후면에 적어도 하나의 흡입구(211, 231)를 형성하여 웨이퍼 후면을 지지하여 카세트에 반송시킬 수도 있다.In order to prevent damage to the front surface of the wafer when the wafer is transported after performing the coating process on the entire surface of the wafer, at least one suction port 211, 231 is formed on the rear surface of the support 110 to support the rear surface of the wafer And conveyed to a cassette.

도 2는 지지부(110)의 입면도를 도시한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 지지부(110)는 제1 레이어(210), 제2 레이어(220) 및 제3 레이어(230)를 포함한다.2 is a view showing an elevational view of the support portion 110. As shown in Fig. As shown in FIG. 2, the support 110 includes a first layer 210, a second layer 220, and a third layer 230.

제1 레이어(210)는 지지부(110)의 전면에 해당하는 레이어로, 제1 레이어(210)의 일면에는 적어도 하나의 흡입구(211)가 형성되며, 제1 레이어(210)의 타면에는 흡입구(211)가 연통되는 제1 진공라인(212)이 형성된다.The first layer 210 is a layer corresponding to the front surface of the support 110 and at least one suction port 211 is formed on one surface of the first layer 210. A suction port 211 is formed on the other surface of the first layer 210, The first vacuum line 212 communicating with the first vacuum line 212 is formed.

제1 레이어(210)에 형성되는 흡입구(211)는 특정 공정을 위해 카세트에 저장된 웨이퍼를 이송시, 웨이퍼의 앞면을 진공 흡착할 수 있다. The suction port 211 formed in the first layer 210 can vacuum-adsorb the front surface of the wafer when the wafer stored in the cassette is transferred for a specific process.

웨이퍼의 진공흡착을 위해 지지부(110)의 전면에 해당하는 제1 레이어(210)의 일면에는 적어도 하나의 진공 패드가 흡입구로서 형성될 수 있다.At least one vacuum pad may be formed as a suction port on one surface of the first layer 210 corresponding to the front surface of the support 110 for vacuum adsorption of the wafer.

또한, 제1 레이어(210)에 형성되는 흡입구(211)는 진공 패드 형상일 수 있다. 이로 인해, 제1 레이어(210)는 제2 레이어(220) 또는 제3 레이어(230)보다 상대적으로 두께가 두껍게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 레이어(210)의 두께는 3mm일 수 있다. In addition, the inlet 211 formed in the first layer 210 may be in the form of a vacuum pad. Accordingly, the first layer 210 may be formed to be relatively thicker than the second layer 220 or the third layer 230. For example, the thickness of the first layer 210 may be 3 mm.

제2 레이어(220)는 제1 레이어(210)와 제3 레이어(230)를 구분하는 파티션 기능을 수행함과 동시에 제1 레이어(210) 및 제3 레이어(230)에 각각 형성되는 진공라인을 밀폐시키는 역할을 할 수도 있다.The second layer 220 performs a partition function for separating the first layer 210 and the third layer 230 and at the same time forms a vacuum line formed in the first layer 210 and the third layer 230, It can also play a role.

제2 레이어(220)는 제1 레이어(210)와 제3 레이어(230) 사이에 배치되며, 제1 레이어(210)의 제1 진공라인(212)이 형성된 면과 제2 레이어(220)의 일면이 맞닿게 되며, 제3 레이어(230)의 제2 진공라인(232)이 형성된 면과 제2 레이어(220)의 타면이 맞닿게 된다.The second layer 220 is disposed between the first layer 210 and the third layer 230 and is disposed between the surface of the first layer 210 where the first vacuum line 212 is formed and the surface of the second layer 220 And the other surface of the second layer 220 is in contact with the surface of the third layer 230 on which the second vacuum line 232 is formed.

제3 레이어(230)는 지지부(110)의 후면에 해당하는 레이어로, 제3 레이어(230)의 일면에는 적어도 하나의 흡입구(231)가 형성되며, 제3 레이어(230)의 타면에는 흡입구(231)가 연통되는 제2 진공라인(232)이 형성된다.The third layer 230 is a layer corresponding to the rear surface of the support 110. At least one suction port 231 is formed on one surface of the third layer 230. A suction port 231 is formed on the other surface of the third layer 230, A second vacuum line 232 communicating with the second vacuum line 232 is formed.

제3 레이어(230)에 형성되는 흡입구(231)는 홀 형태로, 흡입구(231)는 제3 레이어(230)를 관통하여 형성되며, 제3 레이어(230)의 타면에 형성된 제2 진공라인(232)과 연통될 수 있다.The suction port 231 formed in the third layer 230 is formed in the shape of a hole and the suction port 231 is formed in the third layer 230. The suction port 231 is formed through the second layer 230 formed on the other surface of the third layer 230, 232, respectively.

이를 통해, 제3 레이어(230)에 형성된 흡입구(231)는 제2 진공라인(232)에 의해 진공상태가 유지되어 웨이퍼를 진공 흡착할 수 있다. Accordingly, the suction port 231 formed in the third layer 230 is maintained in a vacuum state by the second vacuum line 232 so that the wafer can be vacuum-adsorbed.

또한, 제3 레이어(230)에 형성되는 홀 형태의 흡입구(231)는 제1 레이어(210)에 형성되는 진공 패드 형상의 흡입구보다 진공 흡착이 세지 않을 수 있다. 이에 따라, 제3 레이어(230)는 웨이퍼의 진공 흡착을 용이하도록 하기 위해 제1 레이어(210)보다 많은 개수의 흡입구(231)가 형성될 수 있다.In addition, the hole-shaped suction port 231 formed in the third layer 230 may be less vacuum-sucked than the suction port formed in the first layer 210. Accordingly, the third layer 230 may have a larger number of suction ports 231 than the first layer 210 to facilitate vacuum adsorption of the wafer.

제3 레이어(230)에 형성되는 홀 형태의 흡입구(231)는 돌출되지 않은 형상으로, 제3 레이어(230)의 두께는 제1 레이어(210)보다 얇게 형성되며, 예를 들어, 1.5mm의 두께로 형성될 수 있다.The hole 231 formed in the third layer 230 is not protruded and the thickness of the third layer 230 is thinner than that of the first layer 210. For example, .

제2 레이어(220)는 제1 레이어(210)와 제3 레이어(230)를 파티션하는 기능을 수행하므로, 예를 들어, 0.5mm의 두께로 형성될 수 있다.The second layer 220 performs a function of partitioning the first layer 210 and the third layer 230, for example, and may be formed to have a thickness of 0.5 mm, for example.

또한, 제1 레이어(210) 및 제3 레이어(230)는 각기 형성되는 진공라인(212, 232)을 통한 진공 상태를 유지할 수 있도록 진공라인(212, 232)과 연통되는 진공홀이 각각 형성될 수 있으며, 진공홀을 통해 진공 상태를 발생시키는 장치와 연결되어 진공을 형성할 수 있다.The first layer 210 and the third layer 230 are formed with vacuum holes communicating with the vacuum lines 212 and 232 so as to maintain a vacuum state through the vacuum lines 212 and 232, And can be connected to a device that generates a vacuum through a vacuum hole to form a vacuum.

제1 진공라인(212)과 제2 진공라인(232)은 각 진공라인(212, 232)내에 진공을 형성시키는 진공발생부(120)와 연통될 수 있다. 또한, 진공발생부(120)는 제1 진공라인(212)과 제2 진공라인(232)을 통해 각각 연결된 지지부(110)의 전면과 후면의 흡입구(211, 231)에 진공흡착이 가능케 할 수 있다. 이를 통해, 지지부(110)는 당해 지지부(110)의 전면과 후면을 통해 웨이퍼를 보다 안정적으로 지지할 수 있다.The first vacuum line 212 and the second vacuum line 232 may communicate with the vacuum generating part 120 forming a vacuum in each of the vacuum lines 212 and 232. The vacuum generating unit 120 may be configured to allow vacuum adsorption to the suction ports 211 and 231 on the front and rear surfaces of the support unit 110 respectively connected to the first vacuum line 212 and the second vacuum line 232 have. Accordingly, the support portion 110 can more stably support the wafer through the front and rear surfaces of the support portion 110. [

도 1에서는 지지부(110)가 진공 흡착 방식을 이용하여 웨이퍼를 지지하는 것을 가정하여 이를 중심으로 기술하고 있다. 그러나, 웨이퍼를 지지하는 방식은 진공 흡착 방식 이외에도 다양한 전자기적 기계적 방법이 사용될 수 있음은 당연하다.In FIG. 1, it is assumed that the support 110 supports a wafer using a vacuum adsorption method. However, it goes without saying that a variety of electromagnetic and mechanical methods other than the vacuum adsorption method can be used as a method of supporting the wafer.

도 3은 지지부(110)의 전면을 도시한 평면도이고, 도 4는 지지부(110)의 후면을 도시한 평면도이다. FIG. 3 is a plan view showing a front surface of the support 110, and FIG. 4 is a plan view showing a rear surface of the support 110. FIG.

또한, 지지부(110)는 진공발생부(120)와 진공라인(212, 232)을 통해 연통된다. 진공발생부(120)에 의해 발생된 진공은 진공라인을 통해 지지부(110)의 흡입구(211, 231))와 연통되어 웨이퍼를 진공흡착되도록 한다.Further, the supporting portion 110 is communicated with the vacuum generating portion 120 through the vacuum lines 212 and 232. The vacuum generated by the vacuum generating unit 120 is communicated with the suction ports 211 and 231 of the supporting unit 110 through the vacuum line so that the wafer is vacuum-adsorbed.

스위치(115)는 지지부(110)내부에 형성된 복수의 진공라인(212, 232) 중 어느 하나의 진공라인이 진공 상태가 형성되도록 선택하기 위한 수단이다.The switch 115 is a means for selecting one of the plurality of vacuum lines 212 and 232 formed in the support 110 to be formed in a vacuum state.

즉, 지지부(110)의 전면 및 후면에 형성된 각 흡입구(211, 231)에 각각 연결되는 복수의 진공라인(212, 232) 중 스위치(115)에 의해 선택된 진공라인에 대해서만 진공 상태가 되며, 이를 통해 해당 스위치(115)에 의해 선택된 진공라인에 연통된 흡입구만 진공흡착이 가능하게 된다.That is, only the vacuum line selected by the switch 115 among the plurality of vacuum lines 212 and 232 connected to the suction ports 211 and 231 formed on the front surface and the rear surface of the support 110 is in a vacuum state, Only the suction port communicated with the vacuum line selected by the switch 115 becomes vacuum-adsorbable.

도 5에는 지지부(110)의 제1 레이어에 대한 투시도가 도시되어 있으며, 도 6에는 지지부(110)의 제3 레이어에 대한 투시도가 도시되어 있고, 도 7에는 지지부(110)에 대한 투시도가 도시되어 있다.5 is a perspective view of the first layer of the support 110, FIG. 6 is a perspective view of the third layer of the support 110, FIG. 7 is a perspective view of the support 110, .

도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 지지부(110)의 전면 및 후면은 각각 형성된 진공라인에 의해 흡입구가 각각 연통되어 있는 것을 알 수 있다.As shown in FIGS. 5 and 6, it can be seen that the suction ports are communicated by the vacuum lines formed on the front and rear surfaces of the support 110, respectively.

또한, 도 1에는 도시되어 있지 않으나, 지지부(110)는 당해 지지부(110)를 이동 가능하도록 하기 위한 본체부(미도시)에 결합될 수 있다. 웨이퍼를 지지하는 지지부(110)는 본체부에 결합되고, 본체부가 이동함에 따라 지지부(110) 또한 함께 이동할 수 있다. 다른 예를 들어, 본체부에 결합된 지지부(110)는 본체부를 기준으로 상대적으로 이동할 수 있도록 결합될 수도 있다.Although not shown in FIG. 1, the support 110 may be coupled to a body (not shown) for allowing the support 110 to move. The supporting portion 110 supporting the wafer is coupled to the main body portion, and the supporting portion 110 can also move together as the main body portion moves. For example, the support 110 coupled to the main body may be relatively movable relative to the main body.

예를 들어, 본체부는 본체부를 상하좌우 방향으로 이동시키고 임의의 축을 중심으로 회전시킴으로써 본체부에 결합된 지지부(110) 및 지지부(110)에 지지되는 웨이퍼를 이동 및 회전시키기 위한 로봇 암(미도시)에 장착될 수도 있다.For example, the main body includes a support portion 110 coupled to the main body portion by moving the main body portion in the up and down and left and right directions and rotating about an arbitrary axis, and a robot arm (not shown) for moving and rotating the wafer supported by the support portion 110 As shown in FIG.

도 8을 참조하여 제1 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치(100)를 이용하여 웨이퍼를 이송하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다. 전술한 바와 같이, 웨이어 이송 장치(100)의 지지부(110)의 전면에는 제1 흡입구가 형성되어 있으며, 지지부(110)의 후면에는 제2 흡입구가 각각 형성되어 있다.A method of transferring a wafer using the wafer transfer apparatus 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. As described above, the first suction port is formed on the front surface of the support portion 110 of the wafer transfer device 100, and the second suction port is formed on the rear surface of the support portion 110, respectively.

이해와 설명의 편의를 도모하기 위해 웨이퍼에 필름을 부착하는 공정을 수행하기 위해 웨이퍼를 작업 테이블(척)으로 이송하는 것을 가정하여 설명하기로 한다.In order to facilitate understanding and explanation, it is assumed that a wafer is transferred to a work table (chuck) in order to perform a process of attaching a film to the wafer.

우선, 웨이퍼 이송 장치(100)는 지지부(110)의 전면에 형성된 제1 흡입구를 이용하여 카세트(웨이퍼 적재함)로부터 웨이퍼를 꺼낸다(810).First, the wafer transfer apparatus 100 takes out the wafer from the cassette (wafer loading box) using a first suction port formed on the front surface of the supporting unit 110 (810).

이때, 도 8의 815에 도시된 바와 같이, 지지부(110)의 전면에 형성된 제1 흡입구(진공 패드)를 이용하여 웨이퍼를 진공흡착하여 카세트로부터 꺼낼 수 있다.At this time, as shown in 815 of FIG. 8, the wafer may be vacuum-absorbed and taken out from the cassette by using a first suction port (vacuum pad) formed on the front surface of the support 110.

이어, 웨이퍼 이송 장치(100)는 웨이퍼를 작업 테이블(척)으로 이송한다. 이때, 웨이퍼 이송 장치(100)는 지지부(110)의 전면에 형성된 제1 흡입구를 통해 웨이퍼를 진공흡착하기 위해 진공을 발생시킨 후 웨이퍼를 작업 테이블(척)에 내려놓기 위해 진공 발생을 중단함으로써 진공흡입상태를 해제할 수 있다(도 8의 820).Then, the wafer transfer apparatus 100 transfers the wafer to the work table (chuck). At this time, the wafer transfer apparatus 100 generates a vacuum to vacuum-suck the wafer through the first suction port formed on the front surface of the support 110, and then stops generating the vacuum to place the wafer on the work table (chuck) The suction state can be released (820 in Fig. 8).

웨이퍼에 필름 부착 공정이 완료되면(도 8의 825), 웨이퍼 이송 장치(100)는 웨이퍼의 일면에 부착된 필름이 손상되는 것을 방지하기 위해, 지지부(110)의 후면에 형성된 제2 흡입구(코팅 처리된 흡입구)를 이용하여 웨이퍼를 진공흡착하여 잡는다(도 8의 830).When the process of attaching the film to the wafer is completed (825 of FIG. 8), the wafer transfer apparatus 100 is moved to the second suction port (coating) formed on the back surface of the support section 110 to prevent the film attached to one surface of the wafer from being damaged. Treated suction port) to hold the wafer by vacuum suction (830 of FIG. 8).

이어, 웨이퍼 이송 장치(100)는 웨이퍼를 반전시켜 카세트(웨이퍼 적재함)으로 이동(반송)시킨다(도 8의 835).Then, the wafer transfer apparatus 100 reverses the wafer and transfers (transfers) the wafer to a cassette (wafer loading box) (835 in FIG. 8).

그리고, 웨이퍼 이송 장치(100)는 웨이퍼를 카세트(웨이퍼 적재함)으로 이동시켜 적재한 후 진공 발생을 해제하여 진공흡입상태를 해제할 수 있다(도 8의 840).Then, the wafer transfer apparatus 100 moves the wafer to a cassette (wafer loading box), loads it, and releases the vacuum generation to release the vacuum suction state (840 in FIG. 8).

상술한 바와 같이, 지지부(110)의 전면 및 후면에 각각 흡입구가 형성되어 내부에 형성된 진공라인과 연통되어 지지부(100)의 전면 및 후면 각각을 통해 웨이퍼를 이송할 수 있으므로, 카세트에서 웨이퍼를 꺼낼때는 도 8에 도시된 바와 같이, 지지부(100)의 전면을 이용하여 웨이퍼의 전면을 진공흡착하여 이송할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 공정이 완료된 후 지지부(100)는 후면을 통해 웨이퍼를 진공흡착하여 카세트에 반송시킬 수 있다. 이를 통해, 웨이퍼 전면의 공정에 의해 가공된 부분이 손상되지 않도록 할 수 있는 이점이 있다.
As described above, since the suction port is formed on the front and rear surfaces of the support part 110 to communicate with the vacuum line formed therein, the wafer can be transferred through the front and rear surfaces of the support part 100, 8, the front surface of the wafer can be vacuum-adsorbed by using the front surface of the supporter 100. In this case, Further, after the wafer process is completed, the supporting portion 100 can vacuum-adsorb the wafer through the rear surface and transport it to the cassette. Thereby, there is an advantage that the processed portion on the wafer front surface can be prevented from being damaged.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood that the invention may be varied and varied without departing from the scope of the invention.

100: 웨이퍼 이송 장치
110: 지지부
115: 스위치
120: 진공발생부100: wafer transfer device
110: Support
115: Switch
120: Vacuum generator

Claims (15)

적어도 하나의 제1 흡입구가 형성되는 제1 레이어;
적어도 하나의 제2 흡입구가 형성되는 제2 레이어를 포함하되,
제1 흡입구 또는 제2 흡입구를 통한 진공 흡착을 통해 웨이퍼를 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치에 포함되는 지지부재.A first layer in which at least one first suction port is formed;
And a second layer on which at least one second suction port is formed,
And supports the wafer through vacuum suction through the first suction port or the second suction port. 제1 항에 있어서,
상기 제1 흡입구와 상기 제2 흡입구는 각각 상이한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치에 포함되는 지지부재.The method according to claim 1,
Wherein the first suction port and the second suction port are formed in different shapes, respectively. 제1 항에 있어서,
상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어가 맞닿는 각면에는 상기 제1 흡입구와 상기 제2 흡입구가 연통되는 진공라인이 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치에 포함되는 지지부재.The method according to claim 1,
And a vacuum line through which the first suction port and the second suction port communicate with each other is formed on each of surfaces of the first layer and the second layer which are in contact with each other. 제3 항에 있어서,
상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어 사이에 배열되는 제3 레이어를 더 포함하되,
상기 제3 레이어에 의해 상기 제1 레이어와 상기 제2 레이어에 형성된 진공라인이 밀폐되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치에 포함되는 지지부재.The method of claim 3,
And a third layer arranged between the first layer and the second layer,
And the vacuum line formed in the first layer and the second layer is sealed by the third layer. 웨이퍼를 지지하는 지지부를 포함하되,
상기 지지부는 전면과 후면에 각각 적어도 하나의 흡입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.And a support for supporting the wafer,
Wherein the support portion includes at least one suction port on the front surface and a suction port on the rear surface, respectively. 제5 항에 있어서,
상기 지지부내에 진공을 형성하기 위한 복수의 진공라인이 형성되되,
상기 진공라인은 상기 흡입구와 연통되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.6. The method of claim 5,
A plurality of vacuum lines for forming a vacuum in the support portion are formed,
And the vacuum line communicates with the suction port. 상기 복수의 진공라인 중 어느 하나는 상기 전면에 형성된 흡입구와 연통되고,
상기 복수의 진공라인 중 다른 하나는 상기 후면에 형성된 흡입구와 연통되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.Wherein one of the plurality of vacuum lines communicates with an inlet formed on the front surface,
And the other of the plurality of vacuum lines communicates with an inlet formed on the rear surface. 제6항에 있어서,
상기 복수의 진공라인 중 하나의 진공라인을 선택하는 스위치를 더 포함하되,
상기 스위치에 의해 선택된 진공라인에 진공이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.The method according to claim 6,
Further comprising a switch for selecting one of the plurality of vacuum lines,
And a vacuum is formed in the vacuum line selected by the switch. 제5 항에 있어서,
상기 전면과 후면에 각각 형성되는 흡입구는 각각 상이한 형상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the suction ports formed on the front surface and the rear surface have different shapes, respectively. 제5 항에 있어서,
상기 전면과 상기 후면 중 어느 하나에 형성되는 흡입구는 복수의 홀인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the suction port formed on one of the front surface and the rear surface is a plurality of holes. 제5 항에 있어서,
상기 전면과 상기 후면 중 어느 하나에 형성되는 흡입구는 진공 패드인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the suction port formed on one of the front surface and the rear surface is a vacuum pad. 웨이퍼를 지지하는 지지부; 및
상기 지지부 내부에 연통된 진공라인을 통해 상기 웨이퍼가 진공흡착되도록 진공을 발생시키는 진공발생부를 포함하되,
상기 지지부는 전면과 후면에 상기 진공라인과 연통되는 적어도 하나의 흡입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.A support for supporting the wafer; And
And a vacuum generator for generating a vacuum so that the wafer is vacuum-adsorbed through a vacuum line communicated with the interior of the support,
Wherein the support portion includes at least one suction port communicating with the vacuum line on the front and rear surfaces. 제12 항에 있어서,
상기 복수의 진공라인 중 하나의 진공라인을 선택하는 스위치를 더 포함하되,
상기 스위치에 의해 선택된 진공라인에 진공이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.13. The method of claim 12,
Further comprising a switch for selecting one of the plurality of vacuum lines,
And a vacuum is formed in the vacuum line selected by the switch. 지지부의 일면에 형성된 제1 흡입구를 통해 웨이퍼를 진공흡착하여 이송하는 단계; 및
상기 지지부의 타면에 형성된 제2 흡입구를 통해 상기 웨이퍼를 진공흡착하여 카세트로 반송하는 단계를 포함하는 웨이퍼 이송 방법.Transferring the wafer by vacuum suction through a first suction port formed on one surface of the support; And
And transferring the wafer to a cassette by vacuum suction through a second suction port formed on the other surface of the support portion. 제14 항에 있어서,
상기 제1 흡입구 및 상기 제2 흡입구는 상기 지재부 내부에 형성된 진공라인과 연통되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the first suction port and the second suction port communicate with a vacuum line formed inside the support member.
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