KR20160035448A - 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 51
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 24
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 18
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 12
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 11
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 7
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000005024 alkenyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 4
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 claims description 4
- RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(1,2,2-trifluoroethenoxy)ethene Chemical class FC(F)=C(F)OC(F)=C(F)F RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N Chalcone Natural products C=1C=CC=CC=1C(=O)C=CC1=CC=CC=C1 DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- WHEATZOONURNGF-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutadiene Chemical class C1=CC=C2C=CC2=C1 WHEATZOONURNGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001789 chalcones Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000005513 chalcones Nutrition 0.000 claims description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N cinnamic acid Chemical class OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 2
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 127
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 49
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 47
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 239000000047 product Substances 0.000 description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 18
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 18
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 11
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 0 CCC[C@]1C[C@](*)CC1 Chemical compound CCC[C@]1C[C@](*)CC1 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 7
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 4
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000000434 field desorption mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- GSXUPUISPMBFQA-UHFFFAOYSA-N (4-bromophenyl)methyl 4-bromobenzoate Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1COC(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 GSXUPUISPMBFQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical group C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWDMDPDGACOPSR-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-2-iodo-1-nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(Br)C=C1I VWDMDPDGACOPSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006443 Buchwald-Hartwig cross coupling reaction Methods 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005885 boration reaction Methods 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 2
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000006476 reductive cyclization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- AQLAAAOOVYXLCK-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-[(4-bromophenyl)methoxymethyl]benzene Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1COCC1=CC=C(Br)C=C1 AQLAAAOOVYXLCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCCUXODGPMAHRL-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=C(I)C=C1 UCCUXODGPMAHRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOBZJIFPQQZEDN-UHFFFAOYSA-N 3-iodobicyclo[4.2.0]octa-1(6),2,4-triene Chemical compound C1=C(I)C=C2CCC2=C1 HOBZJIFPQQZEDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDKVCMDWEXDCOD-UHFFFAOYSA-N B1(OC(C(O1)(C)C)(C)C)C2=CC=C(C=C2)NC3(CC=C(C=C3)C4=CC=C(C=C4)N(C5=CC=CC=C5)C6=CC=C(C=C6)C=C)C7=CC=CC=C7 Chemical compound B1(OC(C(O1)(C)C)(C)C)C2=CC=C(C=C2)NC3(CC=C(C=C3)C4=CC=C(C=C4)N(C5=CC=CC=C5)C6=CC=C(C=C6)C=C)C7=CC=CC=C7 CDKVCMDWEXDCOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFIODGDUKGQRDY-UHFFFAOYSA-N BrC1=CC(=C(C2=CC=CC=C12)[N+](=O)[O-])I Chemical compound BrC1=CC(=C(C2=CC=CC=C12)[N+](=O)[O-])I QFIODGDUKGQRDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHYALNMLQWVRV-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)c([s]c(C(C)(C)C)c1O)c1O Chemical compound CC(C)(C)c([s]c(C(C)(C)C)c1O)c1O GWHYALNMLQWVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNQJGBHFVUDAJW-UHFFFAOYSA-N [AlH3].C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical group [AlH3].C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 MNQJGBHFVUDAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N as-o-xylenol Natural products CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWNJZSGBZMLRBW-UHFFFAOYSA-N c1ccc2c(-c3c(cccc4)c4c(-c4cccc5c4cccc5)c4c3cccc4)cccc2c1 Chemical compound c1ccc2c(-c3c(cccc4)c4c(-c4cccc5c4cccc5)c4c3cccc4)cccc2c1 GWNJZSGBZMLRBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N iodobenzene Chemical compound IC1=CC=CC=C1 SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- HUMMCEUVDBVXTQ-UHFFFAOYSA-N naphthalen-1-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=C2C(B(O)O)=CC=CC2=C1 HUMMCEUVDBVXTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H10K50/14—Carrier transporting layers
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- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
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- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
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- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
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Abstract
본 발명은 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
Description
본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입재료 등으로 분류될 수 있다.
유기 전기 발광소자에 있어 가장 문제시되는 수명과 효율인데, 디스플레이가 대면적화되면서 이러한 효율이나 수명 문제는 반드시 해결해야 되는 상황이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다.
하지만 상기 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면 각 유기물층 간의 에너지 level 및 T1 값, 물질의 고유특성(mobility, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
또한, 최근 유기전기소자에 있어 정공수송층에서의 발광 문제를 해결하기 위해서는 반드시 정공수송층과 발광층 사이에 발광보조층(또는 제2 정공수송층)이 존재하여야 하며, 각각의 발광층(R, G, B)에 따른 서로 다른 발광보조층의 개발이 필요한 시점이다.
일반적으로 전자수송층에서 발광층으로 전자(electron)가 전달되고 정공(hole)이 정공수송층에서 발광층으로 전달되어 재조합(recombination)에 의해 엑시톤(exciton)이 생성된다. 하지만 정공수송층에 사용되는 물질의 경우 낮은 HOMO 값을 가져야 하기 때문에 대부분 낮은 T1 값을 가지며, 이로 인해 발광층에서 생성된 엑시톤(exciton)이 정공수송층으로 넘어가게 되어 결과적으로 발광층 내 전하불균형(charge unbalance)을 초래하여 정공수송층 계면에서 발광하게 된다.
정공수송층 계면에서 발광될 경우, 유기전기소자의 색순도 및 효율이 저하되고 수명이 짧아지는 문제점이 발생하게 된다. 따라서 높은 T1 값을 가지며, 정공 수송층 HOMO 에너지 준위와 발광층의 HOMO 에너지 준위 사이의 HOMO 준위를 갖는 발광보조층이 개발이 절실히 요구된다.
한편, 유기 전기 발광소자의 대면적화가 요구되고 있는 현 시점에서 용액공정에 의한 대면적 디스플레이 제조 또한 반드시 필요한 현실이다. 용액공정을 위한 재료로서 고분자재료가 많은 연구가 되었으나 가교결합이 없는 용액공정은 상부막의 형성시 사용되는 용매로 인해 하부막의 침식시켜 하부막을 손상시킨다. 이로써 소자의 특성저하 및 공정 수율의 저하 문제를 가져온다.
상부막의 형성시 하부막의 침식을 막기 위해서 가교결합이 필수적 요소로 적용 되며, 가교 결합이 가능한 구조의 화합물은 가교결합 전 유기 용매에 높은 용해도를 가지고 가교결합 후엔 유기용매에 낮은 용해도를 가져야 한다.
가교결합을 형성하는 방법으로는 크게 빛을 통한 가교결합과 열을 통한 가교결합법이 있다. 빛에 의한 가교결합은 낮은 온도에서 빠른 가교결합이 가능한 장점이 있지만 광개시제가 필요하고 이는 소자에서 불순물로 작용을 하여 특성저하를 가져오는 문제를 가져온다. 반면 열을 통한 가교결합은 장시간의 높은 온도가 요구되지만 소자의 특성을 향상시키는 것으로 알려져 있다.
Ether 연결기는(국내 공개특허 10-2012-0052765) 뛰어난 flexibility를 나타내어 용해도가 높아져 용액공정 재료로 적용되고 있다. 현재 용액공정으로 제조되는 유기전기소자에서 카바졸 코어를 중심으로 양쪽에 대칭적으로 Ether 연결기를 도입한 화합물(국내 공개특허 10-2012-0052765)의 경우 높은 용해도를 가지나 과도한 Ether 연결기의 도입으로 박막이 균일하게 형성되지 않고, 전자이동도에 비해 상대적으로 느린 정공이동도를 나타내어 결과적으로 고효율, 장수명의 유기전기발광소자 제조에 어려움이 있다.
상기와 같이 용액공정으로 제조되는 유기전기소자의 개발이 진행되어 왔으나 아직까지 안정되고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 이에 따라 새로운 재료의 개발이 절실히 요구되고 있다.
본 발명은 카바졸에 아민기가 연결기로 결합되어 있는 구조로서 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명은 유기용매에 의한 용해도가 우수하여 유기전기소자 제조시 용액공정이 가능하며, 박막형성시 균일한 박막특성을 보여 용액공정으로 제조된 유기전기소자에서 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층(즉 제2 정공수송층), 및 발광층 물질로 사용될 수 있고, 특히 단독으로 정공수송층, 발광보조층 및 발광층에서 사용되어 유기전기소자의 효율 상승, 구동전압 하강, 수명 상승 및 안정성 상승 효과를 나타내는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
카바졸에 아민기가 연결기로 결합되어 있는 화합물의 경우 연결기를 구성하는 종류 및/또는 개수에 따라 용해도 및 박막특성이 변하며, 카바졸 코어를 중심으로 구조적 대칭 유무에 따라 정공이동도(hole mobily)의 차이가 발생한다. 본 발명은 카바졸 코어를 중심으로 비대칭 구조이며 카바졸과 아민기 사이에 연결기를 포함하는 하기 화학식으로 표시되며 가교결합 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 화합물을 제공한다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다.
연결기를 구성하는 종류 및/또는 개수를 한정하여 보다 균일한 박막을 형성시키고, 카바졸 코어를 중심으로 비대칭구조의 도입을 통해 상대적으로 정공이동도를 빠르게 하여 낮은 구동전압을 구현할 수 있다. 상기와 같은 특성과 함께 본 발명 화합물에 가교결합 특성을 갖는 치환기를 도입함으로써 소자의 높은 발광효율 및 고내열성을 달성할 수 있고, 소자의 수명을 크게 향상 시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 바와 같이, 달리 언급하지 않는 한, 하기 용어의 의미는 하기와 같다.
본 명세서에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 브롬(Br), 염소(Cl) 또는 요오드(I)이다.
본 발명에 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수의 단일결합을 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 시클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐으로 치환된 알킬기를 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로알킬기"는 알킬기를 구성하는 탄소 원자 중 하나 이상이 헤테로원자로 대체된 것을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "알켄일기" 또는 "알킨일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "시클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알콕실기", "알콕시기", 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알켄옥실기", "알켄옥시기", "알켄일옥실기", 또는 "알켄일옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알켄일기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴옥실기" 또는 "아릴옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일 고리 또는 다중 고리의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 고리를 포함한다. 예컨대, 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트라센일기, 플루오렌기, 스파이로플루오렌기, 스파이로바이플루오렌기일 수 있다.
접두사 "아릴" 또는 "아르"는 아릴기로 치환된 라디칼을 의미한다. 예를 들어 아릴알킬기는 아릴기로 치환된 알킬기이며, 아릴알켄일기는 아릴기로 치환된 알켄일기이며, 아릴기로 치환된 라디칼은 본 명세서에서 설명한 탄소수를 가진다.
또한 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕실카르보닐기의 경우 알콕실기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로알킬"은 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 알킬을 의미한다. 본 발명에 사용된 용어 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 아릴기 또는 아릴렌기를 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 이웃한 작용기기가 결합하여 형성될 수도 있다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 헤테로지방족 고리 및 헤테로방향족 고리를 포함한다. 이웃한 작용기가 결합하여 형성될 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타낸다.
또한 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 SO2를 포함하는 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, "헤테로고리기"는 다음 화합물을 포함한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "지방족"은 탄소수 1 내지 60의 지방족 탄화수소를 의미하며, "지방족고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소 고리를 의미한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족고리 또는 탄소수 6 내지 60의 방향족고리 또는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.
전술한 헤테로화합물 이외의 그 밖의 다른 헤테로화합물 또는 헤테로라디칼은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "카르보닐"이란 -COR'로 표시되는 것이며, 여기서 R'은 수소, 탄소수 1 내지 20 의 알킬기, 탄소수 6 내지 30 의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 또는 이들의 조합인 것이다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "에테르"란 -R-O-R'로 표시되는 것이며, 여기서 R 또는 R'은 각각 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 또는 이들의 조합인 것이다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕실기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알켄일기, C2~C20의 알킨일기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하며, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 각각 다음과 같이 결합하며 이때 R1은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, 한편 벤젠 고리를 형성하는 탄소에 결합된 수소의 표시는 생략한다.
도 1은 본 발명에 일 실시예에 따른 유기전기소자에 대한 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전기소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 제 1전극(120), 제 2전극(180) 및 제 1전극(110)과 제 2전극(180) 사이에 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기물층을 구비한다. 이때, 제 1전극(120)은 애노드(양극)이고, 제 2전극(180)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
유기물층은 제 1전극(120) 상에 순차적으로 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함할 수 있다. 이때, 발광층(150)을 제외한 나머지 층들이 형성되지 않을 수 있다. 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(151), 버퍼층(141) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(160) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있을 것이다.
또한, 미도시하였지만, 본 발명에 따른 유기전기소자는 제 1전극과 제 2전극 중 적어도 일면 중 상기 유기물층과 반대되는 일면에 형성된 보호층 또는 광효율 개선층(Capping layer)을 더 포함할 수 있다.
상기 유기물층에 적용되는 본 발명에 따른 화합물은 정공주입층(130), 정공수송층(140), 전자수송층(160), 전자주입층(170), 발광보조층(151), 발광층(150)의 호스트 또는 도펀트 또는 광효율 개선층의 재료로 사용될 수 있을 것이다. 바람직하게는, 본 발명의 화합물은 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광보조층(151) 및 발광층(150)으로 사용될 수 있을 것이다.
한편, 동일한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합도 아주 중요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 장수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하여 발광층을 형성함으로써 각 유기물층 간의 에너지 레벨(level) 및 T1 값, 물질의 고유특성(mobility, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(120)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(180)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
WOLED(White Organic Light Emitting Device)는 고해상도 실현이 용이하고 공정성이 우수한 한편, 기존의 LCD의 칼라필터 기술을 이용하여 제조될 수 있는 이점이 있다. 주로 백라이트 장치로 사용되는 백색 유기발광소자에 대한 다양한 구조들이 제안되고 특허화되고 있다. 대표적으로, R(Red), G(Green), B(Blue) 발광부들을 상호평면적으로 병렬배치(side-by-side) 방식, R, G, B 발광층이 상하로 적층되는 적층(stacking) 방식이 있고, 청색(B) 유기발광층에 의한 전계발광과 이로부터의 광을 이용하여 무기형광체의 자발광(photo-luminescence)을 이용하는 색변환물질(color conversion material, CCM) 방식 등이 있는데, 본 발명은 이러한 WOLED에도 적용될 수 있을 것이다.
또한, 본 발명에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 화합물에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 측면에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며, R1, R2, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나로 표시되는 가교결합 형성기를 하나 이상 포함하여 가교결합 특성을 갖는다.
<화학식 1>
여기서, A 부분은 아래 화학식
a를 나타내고, B 부분은 아래 화학식 b를 나타내며, Z 부분은 아래 화학식 z-1 내지 z-4 중 어느 하나를 나타낸다.
<화학식 a> <화학식 b>
<화학식 z-1> <화학식 z-2>
<화학식 z-3> <화학식 z-4>
상기 화학식 1에서,
A는 화학식 a이고, B는 화학식 b이다.
Z는 화학식 z-1 내지 화학식 z-4이다.
o는 0 내지 4의 정수; p는 0 내지 3의 정수이다.
m 및 n 은 1 내지 8의 정수이다.
R1 및 R2는 서로 독립적으로 중수소; 삼중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; C6~C60의 방향족 고리와 C3~C60의 지방족 고리의 융합고리기; C2~C20의 알켄일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; -La-N(Ra)(Rb); 카르보닐기; -O-Si(Rc)3; RcO-Si(Rc)2-; C7~C60의 아릴알킬기; C2~C30의 알켄일옥실기; 에테르기; C8-C60의 알켄일아릴기; C3~C60의 사이클로알킬기; 실란기; 실록산기; C7~C60의 아릴알콕실기; C8~C60의 아릴알켄일기; 및 C2~C60의 알콕실카르보닐기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또는 R1 및 R2는, 상기 o 및 p가 2 이상인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며, 복수의 R1 및 R2가 각각 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 이 때, 고리를 형성하지 않는 R1 및 R2는 상기에서 정의된 것과 동일하게 정의될 수 있다. 이 경우 형성된 고리는 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리, C2~C60의 헤테로고리, C3~C60의 지환족고리, 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리 등일 수 있으며, 단일 고리 또는 다중 고리일 수 있을 뿐만 아니라 포화 또는 불포화 고리일 수 있다.
Ar1 내지 Ar3는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; C6~C60의 방향족 고리와 C3~C60의 지방족 고리의 융합고리기; C2~C20의 알켄일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; -La-N(Ra)(Rb); 카르보닐기; -O-Si(Rc)3; RcO-Si(Rc)2-; C7~C60의 아릴알킬기; C2~C30의 알켄일옥실기; 에테르기; C8-C60의 알켄일아릴기; C3~C60의 사이클로알킬기; 실란기; 실록산기; C7~C60의 아릴알콕실기; C8~C60의 아릴알켄일기; 및 C2~C60의 알콕실카르보닐기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
예컨대, R1, R2, Ar1 내지 Ar3는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 페난트릴기 등일 수 있다.
L1 및 L2는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1-C60의 알킬렌기, 및 C2~C60의 알켄일렌기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 La는 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 2가 융합고리기; 및 2가의 지방족 탄화수소기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로, C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C6~C60의 방향족 고리와 C3~C60의 지방족 고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Rc는 수소; C6~C20의 아릴기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C8-C20의 아릴알켄일기; C7~C20의 아릴알콕실기; 및 C2~C20의 알콕실카르보닐기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 R1, R2, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 비닐기(vinyl group), 아크릴로일(acryloyl group), 메타아크릴로일(methacyloyl group), 사이클릭이서(cyclic ethers), 실록산(siloxanes), 스타이렌(styrenes), 트리플로로비닐이서(trifluorovinyl ethers), 벤조사이클로부텐(benzocyclo-butenes), 신나메이트(cinnamates), 칼콘(chalcones), 및 옥세탄(oxetane)으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다.
여기서, 상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기, 카르보닐기, 아릴알킬기, 알켄일옥실기, 에테르기, 알켄일아릴기, 사이클로알킬기, 실란기, 실록산기, 아릴알콕실기, 아릴알켄일기, 및 알콕실카르보닐기, (알킬렌기 알켄일렌기)는 각각 중수소, 할로겐, 실란기, 실록산기, 붕소기, 게르마늄기, 시아노기, 니트로기, -Lb-N(Rd)(Re) (여기서 Lb, Rd 및 Re는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), C1~C20의 알킬싸이오기, C1~C20의 알콕실기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알켄일기, C2~C20의 알킨일기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, 플루오렌일기, C2~C20의 헤테로고리기, C3~C20의 시클로알킬기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알켄일기, 카르보닐기, 에테르기, C2~C20의 알콕실카르보닐기, C6~C30의 아릴옥시기, -O-Si(Rf)3, 및 RcO-Si(Rf)2- (여기서 Rf는 상기 Rc의 정의와 동일함)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1에서 상기 R1, R2, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 하기 화학식 h-1 내지 화학식 h-12 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
<화학식 h-1> <화학식 h-2> <화학식 h-3>
<화학식 h-4> <화학식 h-5> <화학식 h-6>
<화학식 h-7> <화학식 h-8> <화학식 h-9>
<화학식 h-10> <화학식 h-11> <화학식 h-12>
상기 화학식 h-7에서,
q는 1 내지 6의 정수이다.
상기 화학식을 더욱 구체적으로 설명하면,
ⅰ) 화학식 h-2 
의 경우, 할로겐으로 치환된 알켄일옥실기, 할로알켄일옥실기, 또는 트리플로오로비닐에테르로 분류될 수 있으며,
ⅱ) 화학식 h-3 
의 경우, 할로알켄일옥시알킬, 또는 할로겐으로 치환된 에테르기로 분류될 수 있으며,
ⅲ) 화학식 h-4 
의 경우, 알켄일아릴기로 분류될 수 있으며,
ⅳ) 화학식 h-5 
의 경우, 할로알켄일옥실아릴기, 또는 에테르기로 분류될 수 있으며,
ⅴ) 화학식 h-6 
의 경우, 방향족고리와 지방족고리의 융합고리기로 분류될 수 있으며,
ⅵ) 화학식 h-8 
의 경우, 알켄일아릴알킬옥실기, 또는 알켄일아릴기로 치환된 알콕실기로 분류될 수 있으며,
ⅶ) 화학식 h-9 
의 경우, 방향족고리와 지방족고리의 융합고리기로 치환된 알킬옥실기, 또는 에테르기로 명명할 수 있으며,
ⅷ) 화학식 h-10 
의 경우, 알켄일아릴헤테로알킬기, 또는 에테르기로 분류될 수 있으며,
ⅸ) 화학식 h-11 
의 경우, 할로알켄일옥실기로 치환된 아릴헤테로알킬기, 또는 할로알켄일옥실기로 치환된 에테르기로 분류될 수 있으며
ⅹ) 화학식 h-12 
의 경우, 알켄일아릴헤테로알킬아릴기, 또는 에테르기로 치환된 아릴기로 분류될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 5로 표시될 수 있다.
<화학식 2>
<화학식 3>
<화학식 4>
<화학식 5>
상기 화학식 2 내지 5에서,
상기 R1, R2, Ar1 내지 Ar3, L1, L2, m, n, o 및 p는 상기 화학식 1에서 정의된 R1, R2, Ar1 내지 Ar3, L1, L2, m, n, o 및 p와 같을 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1의 B는 하기 화학식 b-1 내지 b-18 중 하나로 표시될 수 있다. .
<화학식 b-1> <화학식 b-2> <화학식 b-3>
<화학식 b-4> <화학식 b-5> <화학식 b-6>
<화학식 b-7> <화학식 b-8> <화학식 b-9>
<화학식 b-10> <화학식 b-11> <화학식 b-12>
<화학식 b-13> <화학식 b-14> <화학식 b-15>
<화학식 b-16> <화학식 b-17> <화학식 b-18>
상기 화학식 b-1 내지 화학식 b-18에서,
상기 R1, R2, Ar3, L1, L2, o 및 p는 상기 화학식 1에서 정의된 R1, R2, Ar3, L1, L2, o 및 p와 같을 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 1 내지 화학식 5로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나일 수 있다.
다른 실시예로서, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 유기전기소자용 화합물을 제공한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기전기소자를 제공한다.
이때, 유기전기소자는 제 1전극; 제 2전극; 및 상기 제 1전극과 제2전극 사이에 위치하는 유기물층;을 포함할 수 있으며, 유기물층은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있으며, 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기물층의 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나의 층에 함유될 수 있을 것이다. 특히 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층 및 발광층에 포함될 수 있다.
구체적으로, 상기 유기물층에 상기 화학식 2 내지 화학식 5로 표시되는 화합물 중 하나를 포함하는 유기전기소자를 제공할 수 있다. 일예로 상기 유기물층에 상기 개별 화학식(P-1 내지 P-66)로 표시되는 화합물을 포함하는 유기전기소자를 제공할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 상기 유기물층의 상기 정공주입층, 상기 정공수송층, 상기 발광보조층, 상기 발광층, 상기 전자수송층 및 상기 전자주입층 중 적어도 하나의 층에, 상기 화합물이 단독으로 함유되거나, 상기 화합물이 서로 다른 2종 이상의 조합으로 함유되거나, 상기 화합물이 다른 화합물과 2종 이상의 조합으로 함유된 것을 특징으로 하는 유기전기소자를 제공한다. 다시 말해서, 각각의 층들에는 화학식 1 내지 화학식 5에 해당하는 화합물이 단독으로 포함될 수 있고, 2종 이상의 화학식 1 내지 화학식 5의 화합물들의 혼합물이 포함될 수 있으며, 청구항 1항 내지 5항의 화합물과, 본 발명에 해당하지 않는 화합물과의 혼합물이 포함될 수 있다. 여기서 본 발명에 해당하지 않는 화합물은 단일의 화합물일 수 있고, 2종 이상의 화합물들일 수도 있다. 이때 상기 화합물이 다른 화합물과 2종 이상의 조합으로 함유될 경우 다른 화합물은 각 유기물층의 이미 알려진 화합물일 수도 있고, 앞으로 개발될 화합물 등일 수 있다. 이때 상기 유기물층에 함유된 화합물은 동종의 화합물로만 이루어질 수도 있지만, 화학식 1로 표시되는 이종의 화합물이 2이상 혼합된 혼합물일 수도 있다.
일예로, 상기 화합물 중 하나의 가교결합 형성기를 포함하는 화합물과 둘 이상의 가교결합 형성기를 포함하는 또 다른 화합물의 몰비율이 99:1 내지 1:99로 혼합된 것을 특징으로 하는 유기전기소자를 제공할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 본 발명은 상기 제 1전극의 일측면 중 상기 유기물층과 반대되는 일측 또는 상기 제 2전극의 일측면 중 상기 유기물층과 반대되는 일측 중 적어도 하나에 형성되는 광효율 개선층을 더 포함하는 유기전기소자를 제공한다.
이하에서, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성예 및 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
합성예
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물 (Final products)은 하기 반응식 1과 같이 Sub 1과 Sub 2를 반응시켜 합성되며, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 1>
(Z, R1, R2, Ar1 내지 Ar3, L1, L2, o 및 p는 상기 화학식 1에서 정의된 것과 동일함.)
I. Sub 1의 합성
상기 반응식 1의 Sub 1은 하기 반응식 2 및 반응식 3의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 2> L1이 단일결합인 경우
<반응식 3> L1이 단일결합이 아닌 경우
Sub 1에 속하는 구체적 화합물의 합성예는 다음과 같다.
1. Sub 1-9 합성예
<반응식 4>
출발물질인 4,4'-(oxybis(propane-3,1-diyl))bis(bromobenzene) (30.00 g, 72.78 mmol)과 N-(4-(((4-vinylbenzyl)oxy)methyl)naphthalen-1-yl)-9,9'-spirobi[fluoren]-2-amine (43.94 g, 72.78 mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene (360ml)으로 녹인 후에, Pd2(dba)3 (3.33 g, 3.63 mmol), 50% P(t-Bu)3 (1.76ml, 7.27 mmol), NaOt-Bu (20.98 g, 218.34 mmol)을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column하여 생성물 47.60 g (수율: 70%)를 얻었다.
2. Sub 1-14 합성예
<반응식 5>
출발물질인 1,3-bis(4-bromophenyl)propane (33.04 g, 93.33 mmol)에 N-(4-(bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trien-3-yl)phenyl)naphthalen-1-amine (30.00 g, 93.33 mmol), Pd2(dba)3 (2.56 g, 2.79 mmol), 50% P(t-Bu)3 (1.88ml, 4.66 mmol), NaOt-Bu (27.07 g, 279.99 mmol), toluene (300ml)을 상기 Sub 1-9 합성법을 사용하여 생성물 41.00 g (수율: 75%)를 얻었다.
3. Sub 1-21 합성예
<반응식 6>
출발물질인 4-bromobenzyl 4-bromobenzoate (30.00 g, 81.54 mmol)에 N-phenyl-4'-(((4-vinylbenzyl)oxy)methyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine (31.92 g, 81.54 mmol), Pd2(dba)3 (3.72 g, 4.07 mmol), 50% P(t-Bu)3 (1.97ml, 8.15 mmol), NaOt-Bu (9.02 g, 244.62 mmol), toluene (410ml)을 상기 Sub 1-9 합성법을 사용하여 생성물 38.84 g (수율: 70%)를 얻었다.
4. Sub 1-25 합성예
<반응식 7>
출발물질인 4,4'-(oxybis(methylene))bis(bromobenzene) (20.00 g, 56.17 mmol)과 N4,N4'-diphenyl-N4-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-N4'-(4-vinylphenyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine (35.98 g, 56.17 mmol)을 둥근바닥플라스크에 Toluene (280ml)과 물 (140ml)로 녹인 후에 K2CO3 (23.25 g, 168.51 mmol), Pd(PPh3)4 (3.25 g, 2.80 mmol)를 첨가하고 70℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column하여 생성물 31.50 g (수율: 71%)을 얻었다
5. Sub 1-52 합성예
<반응식 8>
출발물질인 1,3-bis(4-bromophenyl)propan-2-one (30.00 g, 81.50 mmol)에 N4-phenyl-N4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-N4-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-N4'-(4-vinylphenyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine (65.67 g, 81.50 mmol), K2CO3 (33.74 g, 244.5 mmol), Pd(PPh3)4 (4.71 g, 4.07 mmol), toluene (400ml), 물(200ml)을 상기 Sub 1-25 합성법을 사용하여 생성물 63.04 g (수율: 80%)을 얻었다
한편, Sub 1에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표 1은 Sub 1에 속하는 화합물의 FD-MS 값을 나타낸 것이다.
[표 1]
II. Sub 2의 합성
상기 반응식 1의 Sub 2 는 하기 반응식 9 및 반응식 10의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 9> L2가 단일결합이 아닌 경우
<화학식10> L2가 단일결합인 경우
Sub 2에 속하는 구체적 화합물의 합성예는 다음과 같다.
1. Sub 2-13의 합성예
<반응식 11>
(1) Sub 2-I-13의 합성
출발물질인 naphthalen-1-ylboronic acid (79.53 g, 462.40 mmol)과 4-bromo-2-iodo-1-nitrobenzene (227.44 g, 693.60 mmol)을 둥근바닥플라스크에 THF (1500ml)와 물 (750ml)로 녹인 후에, K2CO3 (191.73 g, 1387.20 mmol), Pd(PPh3)4 (26.72 g, 23.10 mmol)을 첨가하고 70℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 109.26 g (수율: 72%)를 얻었다.
(2) Sub 2-II-13의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-I-13 (109.26 g, 332.90 mmol)에 triphenylphosphine (218.32 g, 832.40 mmol), o-dichlorobenzene (1000ml)을 첨가하고 200℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 o-dichlorobenzene을 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 69.02 g (수율: 70%)를 얻었다.
(3) Sub 2-III-13의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-II-13 (69.02 g, 173.20 mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene (600ml)으로 녹인 후에, 3-iodobicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-triene (59.76 g, 259.80 mmol), Pd2(dba)3 (4.75 g, 5.19 mmol), 50% P(t-Bu)3 (3.50ml, 8.66 mmol), NaOt-Bu (72.35 g, 752.70 mmol)을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 49.66 g (수율: 72%)를 얻었다.
(4) Sub 2-IV-13의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-III-13 (49.66 g, 124.70 mmol)를 둥근바닥플라스크에 DMF (500ml)로 녹인 후에, Bis(pinacolato)diboron (34.83 g, 137.17 mmol), Pd(dppf)Cl2 (1.01 g, 1.24 mmol), KOAc (36.71 g, 374.1 mmol)를 첨가하고 90℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 DMF를 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 43.36 g (수율: 80%)를 얻었다.
(5) Sub 2-V-13의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-IV-13 (43.36 g, 97.36 mmol)과 1-bromo-4-iodobenzene (41.31 g, 146.04 mmol)을 둥근바닥플라스크에 THF (300ml)와 물 (150ml)로 녹인 후에, K2CO3 (40.36 g, 292.08 mmol), Pd(PPh3)4 (3.37 g, 2.92 mmol)를 첨가하고 80 ℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 38.28 g (수율: 82%)를 얻었다.
(6) Sub 2-13의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-V-13 (38.28 g, 88.69 mmol)를 둥근바닥플라스크에 DMF (300ml)로 녹인 후에, Bis(pinacolato)diboron (25.35 g, 97.55 mmol), Pd(dppf)Cl2 (0.72 g, 20.88 mmol), KOAc (26.10 g, 266.04 mmol)를 첨가하고 90 ℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 DMF를 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 35.05 g (수율: 83%)를 얻었다.
2. Sub 2-15의 합성예
<반응식 12>
(1) Sub 2-I-15의 합성
출발물질인 phenylboronic acid (30 g, 246.04 mmol)에 4-bromo-2-iodo-1-nitronaphthalene (92.99 g, 246.04 mmol), Pd(PPh3)4 (14.21 g, 12.30 mmol), K2CO3 (101.86 g, 738.12 mmol), THF (1200ml), 물 (600ml)을 상기 Sub 2-I-13 합성법을 사용하여 생성물 55.71 g (수율: 69%)를 얻었다.
(2) Sub 2-II-15의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-I-15 (55.71 g, 169.76 mmol)에 triphenylphosphine (111.31 g, 424.40 mmol), o-dichlorobenzene (850 ml)을 상기 Sub 2-II-13 합성법을 사용하여 생성물 35.19 g (수율: 70%)를 얻었다.
(3) Sub 2-III-15의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-II-15 (35.19 g, 118.88 mmol)에 1-iodo-4-(((4-vinylbenzyl)oxy)methyl)benzene (41.63 g, 118.88 mmol), Pd2(dba)3 (5.44 g, 5.94 mmol), 50% P(t-Bu)3 (2.88ml, 11.88 mmol), NaOt-Bu (13.16 g, 356.64 mmol), toluene (600ml)을 상기 Sub 2-III-13 합성법을 사용하여 생성물 46.22 g (수율: 75%)를 얻었다.
(4) Sub 2-15의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-III-15 (46.22 g, 89.15 mmol)를 둥근바닥플라스크에 DMF (500ml)로 녹인 후에, Bis(pinacolato)diboron (24.90 g, 98.06 mmol), Pd(dppf)Cl2 (3.64 g, 4.45 mmol), KOAc (26.24 g, 374.1 mmol)를 첨가하고 90℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 DMF를 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 32.76 g (수율: 65%)를 얻었다.
3. Sub 2-21의 합성예
<반응식 13>
(1) Sub 2-I-21의 합성
출발물질인 phenylboronic acid (79.53 g, 246.04 mmol)에 4-bromo-2-iodo-1-nitrobenzene (80.67 g, 246.04 mmol), Pd(PPh3)4 (14.21 g, 12.30 mmol), K2CO3 (101.86 g, 738.12 mmol), THF (1200ml), 물 (600ml)을 상기 Sub 2-I-13 합성법을 사용하여 생성물 49.26 g (수율: 72%)를 얻었다.
(2) Sub 2-II-21의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-I-21 (49.26 g, 177.13 mmol)에 triphenylphosphine (116.47 g, 442.82 mmol), o-dichlorobenzene (885ml)을 상기 Sub 2-II-13 합성법을 사용하여 생성물 30.51 g (수율: 70%)를 얻었다.
(3) Sub 2-III-21의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-II-21 (30.51 g, 123.97 mmol)에 4-iodo-4'-(((4-vinylbenzyl)oxy)methyl)-1,1'-biphenyl (52.84 g, 123.97 mmol), Pd2(dba)3 (5.67 g, 6.19 mmol), 50% P(t-Bu)3 (3ml, 12.39 mmol), NaOt-Bu (13.72 g, 371.91 mmol), toluene (620ml)을 상기 Sub 2-III-13 합성법을 사용하여 생성물 50.62 g (수율: 75%)를 얻었다.
(4) Sub 2-21의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-III-21 (50.62g, 92.96 mmol)에 Bis(pinacolato)diboron (25.96 g, 102.25 mmol), Pd(dppf)Cl2 (3.75g, 4.64 mmol), KOAc (27.36 g, 278.88 mmol), DMF (500ml)를 상기 Sub 2-15 합성법을 사용하여 생성물 32.99 g (수율: 60%)를 얻었다.
4. Sub 2-23의 합성예
<반응식 14>
(1) Sub 2-I-23의 합성
출발물질인 (4'-((9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)(4'-vinyl-[1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)-[1,1'-biphenyl]-3-yl)boronic acid (50 g, 85.68 mmol)에 4-bromo-2-iodo-1-nitrobenzene (42.14 g, 128.52 mmol), Pd(PPh3)4 (4.94 g, 4.27 mmol), K2CO3 (35.47 g, 257.04 mmol), THF (400ml), 물 (200ml)을 상기 Sub 2-I-13합성법을 사용하여 생성물 27.62g (수율: 43%)를 얻었다.
(2) Sub 2-II-23의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-I-23 (27.62 g, 37.33 mmol)에 triphenylphosphine (24.47 g, 93.32 mmol), o-dichlorobenzene (100ml)을 Sub 2-II-13 합성법을 사용하여 생성물 16.38 g (수율: 62%)를 얻었다
(3) Sub 2-III-23의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-II-23 (16.38 g, 23.14 mmol)에 iodobenzene (4.72 g, 23.14 mmol), Pd2(dba)3 (1.05 g, 1.15 mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.56ml, 2.31 mmol), NaOt-Bu (6.71 g, 69.42 mmol), toluene (120ml)을 상기 Sub 2-III-13 합성법을 사용하여 생성물 16.86 g (수율: 93%)를 얻었다
(4) Sub 2-23의 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-III-23 (16.86 g, 21.51 mmol)에 Bis(pinacolato)diboron (6.00 g, 23.66 mmol), Pd(dppf)Cl2 (0.87 g, 1.07 mmol), KOAc (6.33 g, 64.53 mmol), DMF (120ml)를 상기 Sub 2-15 합성법을 사용하여 생성물 15.17 g (수율: 90%)를 얻었다
한편, Sub 2에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표 2는 Sub 2에 속하는 화합물의 FD-MS 값을 나타낸 것이다.
[표 2]
III. Product 합성
Sub 1 (1 당량)과 Sub 2 (1 당량)를 둥근바닥플라스크에 toluene과 물로 녹인 후에, Pd(PPh3)4 (0.04 당량), K2CO3 (3 당량)를 첨가하고 110℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column하여 최종 생성물 (final product)을 얻었다.
1. P-9 합성예
<반응식 15>
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-9 (20 g, 21.39 mmol)과 Sub 2-15 (12.09 g, 21.39 mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene (110ml)과 물(55ml)로 녹인 후에 K2CO3 (8.85 g, 64.17 mmol), Pd(PPh3)4 (1.23 g, 1.06 mmol)를 첨가하고 110oC에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4 로 건조하고 농축 한 후 생성된 화합물을 silicagel column하여 생성물 20.75 g (수율: 75%)을 얻었다.
2. P-14 합성예
<반응식 16>
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-14 (39.96 g, 67.21 mmol)에 Sub 2-13 (35.05 g, 67.21 mmol), Pd(PPh3)4 (3.10 g, 2.68 mmol), K2CO3 (27.86 g, 201.63 mmol), toluene (250ml), 물 (125ml)을 상기 P-9 합성법을 사용하여 생성물 43.90 g (수율: 72%)을 얻었다.
3. P-21 합성예
<반응식 17>
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-21 (20 g, 29.38 mmol)에 Sub 2-21 (17.37 g, 29.38 mmol), Pd(PPh3)4 (1.70 g, 1.47 mmol), K2CO3 (5.96 g, 43.23 mmol), toluene (200ml), 물 (100ml)을 상기 P-9 합성법을 사용하여 생성물 22.53g (수율: 72%)을 얻었다.
4. P-25 합성예
<반응식 18>
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-25 (14.41 g, 18.25 mmol)에 Sub 2-23 (15.17 g, 18.25 mmol), Pd(PPh3)4 (1.06 g, 0.92 mmol), K2CO3 (5.96 g, 43.23 mmol), toluene (200ml), 물 (100ml)을 상기 P-9 합성법을 사용하여 생성물 21.93 g (수율: 85%)을 얻었다.
5. P-55 합성예
<반응식 19>
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-52 (9.50 g, 12.03 mmol)에 Sub 2-23 (10 g, 12.03 mmol), Pd(PPh3)4 (0.70 g, 0.60 mmol), K2CO3 (4.98 g, 36.09 mmol), toluene (100ml), 물 (50ml)을 상기 P-9 합성법을 사용하여 생성물 15.31 g (수율: 80%)을 얻었다.
한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P-1 내지 P-66 의 FD-MS 값은 하기 표 3과 같다.
[표 3]
한편, 상기에서는 화학식 1로 표시되는 본 발명의 예시적 합성예를 설명하였지만, 이들은 모두 Buchwald-Hartwig cross coupling 반응, PPh3-mediated reductive cyclization 반응 (J. Org. Chem. 2005, 70, 5014.), Miyaura boration 반응 및 Suzuki cross-coupling 반응 등에 기초한 것으로 구체적 합성예에 명시된 치환기 이외에 화학식 1에 정의된 다른 치환기 (R1, R2, Ar1 내지 Ar3, L1, L2 등의 치환기)가 결합되더라도 상기 반응이 진행된다는 것을 당업자라면 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 예컨데, 반응식 2에서 출발물질 -> Sub 1 반응은 Buchwald-Hartwig cross coupling 반응에 기초한 것이고, 반응식 9에서 Sub 2-I -> Sub 2-II 반응은 PPh3-mediated reductive cyclization 반응에 기초한 것이며, 반응식 9에서 Sub 2-III -> Sub 2-IV 및 Sub 2-V -> Sub 2로의 반응, 반응식 10에서 Sub 2-III -> Sub 2 반응등은 모두 Miyaura boration 반응에 기초한 것이다. 이어서, 반응식 3에서 출발물질 -> Sub 1 반응, 반응식 9에서 출발물질 -> Sub 2-I, Sub 2-II -> Sub 2-III, Sub 2-IV -> Sub 2-V 반응, 반응식 15 내지 반응식 19의 반응은 Suzuki cross-coupling 반응에 기초한 것으로, 이들에 구체적으로 명시되지 않은 치환기가 결합되더라도 상기 반응들이 진행할 것이다.
유기전기소자의 제조평가
[실시예 1]
기판 상에 ITO(Indium Tin Oxide)층의 발광 면적이 3mm X 3mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 상기 기판을 spin coater에 장착한 후 ITO층 위에 PEDOT : PSS를 50nm 두께로 스핀코팅(spin-coating)하였다. 그런 후에 150℃의 Hot plate에 10분간 건조시켜 용매를 제거한 다음, 정공수송물질인 본 발명의 화합물 P-1을 자일렌에 녹여 30nm 두께로 스핀코팅하였다. 그 다음 100℃의 Hot plate에 10분간 건조시킨 후, 200℃에서 30분간 가열하여 가교결합시켰다. 정공수송층 위에 발광층의 호스트 물질로 ADN을 도펀트 물질로 DPAVBi를 96:4 중량비로 도핑하여 자일렌에 녹인 용액을 30nm 두께로 스핀코팅하고 100℃의 Hot plate에 10분간 건조시킨 후, 진공 챔버에 장착하고 base pressure가 1X10-6torr가 되도록 한다. 이어서 정공저지층으로 (1,1'-비스페닐)-4-올레이토)비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄을 10nm 두께로 진공증착하고, 전자수송층으로 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄을 40nm 두께로 성막하였다. 이후, 전자주입층으로 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.5nm 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극으로 사용함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[실시예 2] 내지 [실시예 60]
정공수송층 물질로 본 발명의 화합물 P-1 대신 하기 표 4에 기재된 본 발명의 화합물 P-2 내지 P-66을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제조하였다.
[비교예 1]
정공수송층 물질로 본 발명의 화합물 P-1 대신 하기 비교화합물 1을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제조하였다.
<비교화합물 1>
[비교예 2]
정공수송층 물질로 본 발명의 화합물 P-1 대신 하기 비교화합물 2를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제조하였다.
<비교화합물 2>
본 발명의 실시예 1 내지 실시예 60 및 비교예 1 및 비교예 2에 의해 제조된 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정 결과 500cd/m2 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였으며, 그 측정 결과는 하기 표 4와 같다.
[표 4]
상기 표 4의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 화합물을 정공수송층 재료로 사용한 유기전기소자의 경우 비교화합물 1 및 비교화합물 2를 정공수송층 재료로 사용한 유기전기소자보다 발광효율이 향상되었을 뿐만 아니라 수명 등이 현저히 개선되었다.
카바졸 코어에 ether 연결기가 도입된 비교화합물 2의 경우, 비교화합물 1보다는 뛰어난 flexibility를 나타내어 높은 용해도를 보여 발광효율이 증대되는 것을 확인할 수 있으나, 박막이 균일하게 형성되지 않아 본 발명의 화합물보다는 효율이 감소되는 것을 확인할 수 있다.
또한 카바졸 코어를 중심으로 대칭적 구조인 비교화합물 1 및 비교화합물 2는 상대적으로 느린 정공 이동도를 가지는 반면 비대칭적 구조를 가지는 본 발명의 화합물의 경우 좀 더 빠른 정공이동도를 가짐으로써 결과적으로 구동전압이 낮아지고 이로인해 열적 데미지가 감소하여 수명이 향상되는 것을 확인 할 수 있다.
앞에서 설명한 특성(균일한 박막특성 및 빠른 정공이동도)을 종합해 보면 연결기를 구성하는 종류 및 개수에 따라 및/또는 카바졸 코어를 중심으로 구조적 대칭 유무에 따라 밴드 갭, 전기적 특성 및 계면 특성 등이 크게 변화될 수 있음을 나타내며, 이는 소자의 성능향상에 주요 인자로 작용하여 가교결합 특성을 가진 치환기가 도입된 본 발명의 화합물이 저전압, 높은 발광효율 및 높은 경화성을 가짐과 동시에 수명을 크게 향상 시킬 수 있어 용액공정재료로서 뛰어난 물질임을 보여준다.
아울러, 전술한 소자 제작의 평가 결과에서는 정공수송층 관점에서 소자 특성을 설명하였으나, 통상적으로 정공수송층으로 사용되는 재료들은 전술한 전자수송층, 전자주입층, 정공주입층, 발광층 및 발광보조층 등 유기전기소자의 유기물층으로 단일 또는 다른 재료와 혼합으로 사용될 수 있다. 따라서 전술한 이유로 본 발명의 화합물은 정공수송층 이외에 다른 유기물층, 예를 들어 전자수송층, 전자주입층, 정공주입층, 발광층 및 발광보조층 등에 단일 또는 다른 재료와 혼합으로 사용될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 유기전기소자
110: 기판
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극
Claims (11)
- 하기 화학식 1로 표시되며, R1, R2, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나로 표시되는 가교결합 형성기를 하나 이상 포함하여 가교결합 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 화합물.
<화학식 1>
<화학식 a> <화학식 b>
<화학식 z-1> <화학식 z-2>
<화학식 z-3> <화학식 z-4>
[상기 화학식 1에서,
A는 화학식 a이고, B는 화학식 b이고,
Z는 화학식 z-1 내지 화학식 z-4이며,
o는 0 내지 4의 정수; p는 0 내지 3의 정수이고,
m 및 n 은 1 내지 8의 정수이며,
R1 및 R2는 i) 서로 독립적으로 중수소; 삼중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는C2~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; C6~C60의 방향족 고리와 C3~C60의 지방족 고리의 융합고리기; C2~C20의 알켄일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; -La-N(Ra)(Rb); 카르보닐기; -O-Si(Rc)3; RcO-Si(Rc)2-; C7~C60의 아릴알킬기; C2~C30의 알켄일옥실기; 에테르기; C8-C60의 알켄일아릴기; C3~C60의 사이클로알킬기; 실란기; 실록산기; C7~C60의 아릴알콕실기; C8~C60의 아릴알켄일기; 및 C2~C60의 알콕실카르보닐기;로 이루어진 군에서 선택되고,
또는 ii) 상기 o 및 p가 2 이상인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며, 복수의 R1 및 R2가 각각 결합하여 고리를 형성할 수 있으며(단, 고리를 형성하지 않는 R1 및 R2는 각각 상기 i) 에서 정의된 것과 동일함),
Ar1 내지 Ar3는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는C2~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; C6~C60의 방향족 고리와 C3~C60의 지방족 고리의 융합고리기; C2~C20의 알켄일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; -La-N(Ra)(Rb); 카르보닐기; -O-Si(Rc)3; RcO-Si(Rc)2-; C7~C60의 아릴알킬기; C2~C30의 알켄일옥실기; 에테르기; C8-C60의 알켄일아릴기; C3~C60의 사이클로알킬기; 실란기; 실록산기; C7~C60의 아릴알콕실기; C8~C60의 아릴알켄일기; 및 C2~C60의 알콕실카르보닐기;로 이루어진 군에서 선택되고,
L1 및 L2는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1-C60의 알킬렌기, 및 C2~C60의 알켄일렌기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 La는 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 2가 융합고리기; 및 2가의 지방족 탄화수소기;로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로, C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C6~C60의 방향족 고리와 C3~C60의 지방족 고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Rc는 수소; C6~C20의 아릴기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C8-C20의 아릴알켄일기; C7~C20의 아릴알콕실기; 및 C2~C20의 알콕실카르보닐기;로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 R1, R2, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 비닐기(vinyl group), 아크릴로일(acryloyl group), 메타아크릴로일(methacyloyl group), 사이클릭이서(cyclic ethers), 실록산(siloxanes), 스타이렌(styrenes), 트리플로로비닐이서(trifluorovinyl ethers), 벤조사이클로부텐(benzocyclo-butenes), 신나메이트(cinnamates), 칼콘(chalcones), 및 옥세탄(oxetane)으로 구성된 군으로부터 선택되고,
여기서, 상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기, 카르보닐기, 아릴알킬기, 알켄일옥실기, 에테르기, 알켄아릴기, 사이클로알킬기, 실란기, 실록산기, 아릴알콕실기, 아릴알켄일기, 및 알콕실카르보닐기는 각각 중수소, 할로겐, 실란기, 실록산기, 붕소기, 게르마늄기, 시아노기, 니트로기, -Lb-N(Rd)(Re) (여기서 Lb, Rd 및 Re는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), C1~C20의 알킬싸이오기, C1~C20의 알콕실기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알켄일기, C2~C20의 알킨일기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, 플루오렌일기, C2~C20의 헤테로고리기, C3~C20의 시클로알킬기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알켄일기, 카르보닐기, 에테르기, C2~C20의 알콕실카르보닐기, C6~C30의 아릴옥시기, -O-Si(Rf)3, 및 RcO-Si(Rf)2- (여기서 Rf는 상기 Rc의 정의와 동일함)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다. - 제 1항에 있어서,
상기 R1, R2, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 하기 화학식 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
<화학식 h-1> <화학식 h-2> <화학식 h-3>
<화학식 h-4> <화학식 h-5> <화학식 h-6>
<화학식 h-7> <화학식 h-8> <화학식 h-9>
<화학식 h-10> <화학식 h-11> <화학식 h-12>
(상기 화학식 h-7에서, q는 1 내지 6의 정수임) - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물.
<화학식 2>
<화학식 3>
<화학식 4>
<화학식 5>
(상기 화학식 2 내지 5에서, 상기 R1, R2, Ar1 내지 Ar3, L1, L2, m, n, o 및 p는 제 1항에서 정의된 것과 동일함.) - 제 1항에 있어서,
상기 B는 하기 화학식 중 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물.
<화학식 b-1> <화학식 b-2> <화학식 b-3>
<화학식 b-4> <화학식 b-5> <화학식 b-6>
<화학식 b-7> <화학식 b-8> <화학식 b-9>
<화학식 b-10> <화학식 b-11> <화학식 b-12>
<화학식 b-13> <화학식 b-14> <화학식 b-15>
<화학식 b-16> <화학식 b-17> <화학식 b-18>
(상기 화학식 b-1 내지 화학식 b-18에서, 상기 R1, R2, Ar3, L1, L2, o 및 p는 제 1항에서 정의된 것과 동일함.) - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1전극;
제 2전극; 및
상기 제 1전극과 제 2전극 사이에 위치하는 유기물층;을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
상기 유기물층은 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 6항에 있어서,
상기 유기물층의 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층 및 발광층 중 적어도 하나의 층에 상기 화합물이 함유된 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 6항에 있어서,
상기 화합물 중 하나의 가교결합 형성기를 포함하는 화합물과 둘 이상의 가교결합 형성기를 포함하는 또 다른 화합물의 몰비율이 99:1 내지 1:99로 혼합된 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 6항에 있어서,
상기 유기물층은 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정 또는 롤투롤 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 6항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치. - 제 10항에 있어서,
상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 및 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140127070A KR102224495B1 (ko) | 2014-09-23 | 2014-09-23 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020140127070A KR102224495B1 (ko) | 2014-09-23 | 2014-09-23 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160035448A true KR20160035448A (ko) | 2016-03-31 |
| KR102224495B1 KR102224495B1 (ko) | 2021-03-09 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020140127070A KR102224495B1 (ko) | 2014-09-23 | 2014-09-23 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| CN111133014A (zh) * | 2018-02-28 | 2020-05-08 | 株式会社Lg化学 | 聚合物、包含其的涂覆组合物和使用其的有机发光元件 |
| CN112174875A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-01-05 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 空穴传输化合物及其制备方法与发光器件 |
| US11987665B2 (en) | 2018-11-13 | 2024-05-21 | Lg Chem, Ltd. | Polymer and organic light emitting device comprising same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120052765A (ko) * | 2010-11-16 | 2012-05-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 정공 수송 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
-
2014
- 2014-09-23 KR KR1020140127070A patent/KR102224495B1/ko active IP Right Grant
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| CN112174875B (zh) * | 2020-10-27 | 2023-12-05 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 空穴传输化合物及其制备方法与发光器件 |
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