KR20160030636A - 몰드 부재 - Google Patents

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강인석
유경종
채윤근
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 몰드 부재는, 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면을 포함하는 기판; 상기 일면 상에 배치되고, 제 1 패턴 및 제 2 패턴을 포함하는 수지층; 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 중 적어도 하나의 패턴 상에 배치되는 제 금속층; 및 상기 타면 상에 배치되는 반사층을 포함한다.

Description

몰드 부재{MOLD MEMBER}
실시에는 몰드 부재에 관한 것이다.
최근 다양한 전자 제품에서 디스플레이 장치에 표시된 화상에 손가락 또는 스타일러스(stylus) 등의 입력 장치를 접촉하는 방식으로 입력을 하는 터치 윈도우가 적용되고 있다.
이러한 터치 윈도우는 크게 저항막 방식의 터치 윈도우와 정전 용량 방식의 터치 윈도우로 구분될 수 있다. 저항막 방식의 터치 윈도우는 입력 장치의 압력에 의하여 유리와 전극이 단락되어 위치가 검출된다. 정전 용량 방식의 터치 윈도우는 손가락이 접촉했을 때 전극 사이의 정전 용량이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다.
저항막 방식의 터치 윈도우는 반복 사용에 의하여 성능이 저하될 수 있으며 스크래치(scratch)가 발생될 수 있다. 이에 의해 내구성이 뛰어나고 수명이 긴 정전 용량 방식의 터치 윈도우에 대한 관심이 높아지고 있다.
이러한 터치 윈도우는 기판 상에 전극을 배치하여 형성할 수 있으며, 일례로, 상기 전극은 메쉬 형상의 전극으로 형성될 수 있다.
이러한 메쉬 형상의 전극은 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 일례로, 기판 상에 수지층을 배치하고, 나노 패턴 및 마이크로 패턴을 가지는 몰드를 상기 수지층 상에 임프린팅하여 수지층 상에 나노 패턴 및 마이크로 패턴을 형성하고, 상기 나노 패턴 및 상기 마이크로 패턴 상에 전극 물질을 증착한 후, 나노 패턴의 전극 물질을 에치하여 형성할 수 있다.
이때, 수지층 상에 패턴을 형성하는 몰드에 이물질이 포함되거나 형상이 불균일한 경우, 수지층 상에 형성되는 패턴 내에 전극 물질 이외의 다른 물질이 포함될 수 있고, 균일한 형상의 메쉬 형상을 전극을 형성할 수 없어, 신뢰성이 저하될 수 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점으 해결할 수 있는 새로운 구조의 몰드 부재가 요구된다.
실시예는 향상된 신뢰성을 가지는 몰들 부재를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 몰드 부재는, 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면을 포함하는 기판; 상기 일면 상에 배치되고, 제 1 패턴 및 제 2 패턴을 포함하는 수지층; 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 중 적어도 하나의 패턴 상에 배치되는 제 금속층; 및 상기 타면 상에 배치되는 반사층을 포함한다.
실시예에 따른 몰드 부재는 최종 몰드 부재 제조시 최종 몰드 부재의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
즉, 실시예에 따른 몰드 부재는 반사층 역할을 하는 금속을 수지층이 배치되는 기판의 면과 반대되는 면에 배치된다.
종래에는 기판 상에 수지층을 배치한 후, 수지층 상에 반사층을 배치한 후에 패턴을 형성한 후, 패턴 상에 금속층을 배치하였다. 이어서, 상기 몰드 부재에 도금층을 형성한 후, 몰드 부재와 도금층을 분리할 때, 도금층과 금속층 이외에 반사층이 함께 이형되어 분리될 수 있다.
이에 따라, 도금층을 에칭하여 금속층을 제거한 후, 도금층 내에 반사층 물질이 잔류하게 되어 최종 몰드 부재에 불순물이 포함될 수 있고, 패턴 내의 반사층 물질에 의해 최종 몰드 부재의 패턴이 전체적으로 불균일해질 수 있었다.
따라서, 실시예에 따른 몰드 부재는 반사층 역할을 하는 금속을 수지층이 배치되는 기판의 면과 반대되는 면에 배치함으로써, 최종 몰드 제조시 최종 몰드에 잔류하는 반사층 물질을 제거할 수 있으므로, 최종 몰드 부재의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 몰드 부재의 단면을 도시한 도면이다.
도 2 내지 도 6은 실시예에 따른 몰드 부재의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 7 및 도 8은 실시예에 따른 몰드 부재를 이용하여 최종 몰드 부재가 형성되는 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9 내지 도 12는 실시예에 따른 최종 몰드 부재를 이용하여 전극 부재를 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 몰드 부재는 기판(100), 수지층(200), 금속층(300) 및 반사층(400)을 포함할 수 있다.
상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 기판(100)은 소다라임유리(soda lime glass) 또는 알루미노실리케이트유리 등의 화학 강화유리를 포함하거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리 이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), COP 필름 또는 COC 필름 등의 플라스틱을 포함하거나 사파이어를 포함할 수 있다.
사파이어는 유전율 등 전기 특성이 매우 뛰어나 터치 반응 속도를 획기적으로 올릴수 있을 뿐 아니라 호버링(Hovering) 등 공간 터치를 쉽게 구현 할 수 있고 표면 강도가 높아 커버 기판으로도 적용 가능한 물질이다. 여기서, 호버링이란 디스플레이에서 약간 떨어진 거리에서도 좌표를 인식하는 기술을 의미한다.
상기 기판(100)은 양면을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 기판은(100)은 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면을 포함할 수 있다.
상기 수지층(200)은 상기 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 상기 기판(100)의 일면 상에 배치될 수 있다.
상기 수지층(200)은 열경화수지 또는 광경화수지를 포함할 수 있다. 상기 수지층(200)에는 패턴이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 수지층(200) 상에는 제 1 패턴(210) 및 제 2 패턴(220)이 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 수지층(200) 상에는 양각 형상의 제 1 패턴(210) 및 제 2 패턴(220)이 형성될 수 있다.
상기 제 1 패턴(210)과 상기 제 2 패턴(220)은 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패턴(210)은 상기 제 2 패턴(220)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패턴(210)은 나노미터(㎚) 단위의 크기를 가질 수 있고, 상기 제 2 패턴(220)은 마이크로미터(㎛)dml 크기를 가질 수 있다.
상기 반사층(400)은 상기 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층(400)은 상기 기판(100)의 타면 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 반사층(400)은 상기 수지층(200)이 배치되는 면과 반대되는 면 상에 배치될 수 있다.
상기 반사층(400)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층은 크롬(Cr) 등의 금속을 포함할 수 있다. 상기 반사층(400)은 상기 기판(100)의 전면 상에 될 수 있다.
상기 금속층(300)은 상기 수지층(200) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(300)은 상기 제 1 패턴(210) 및 상기 제 2 패턴(220) 상에 배치될 수 있다.
상기 금속층(300)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여, 실시예에 따른 몰드 부재의 제조 방법을 설명한다.
도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 수지층(200)을 배치할 수 있다. 자세하게, 상기 기판(100)의 일면 상에 상기 수지층(200)을 배치할 수 있다. 또한, 상기 상기 기판 상에 반사층(400)을 배치할 수 있다. 자세하게, 상기 기판(100)의 타면 즉, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 상기 반사층(400)을 배치할 수 있다.
이어서, 도 3을 참조하면, 상기 수지층(200) 상에 음각 몰드(M1)를 임프린팅할 수 있다. 이에 따라, 상기 수지층(200) 상에는 양각 패턴이 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 수지층(200) 상에는 나노미터 단위의 크기를 가지는 제 1 패턴(210)이 형성될 수 있다.
이어서, 도 4를 참조하면, 상기 제 1 패턴(210)이 형성된 상기 수지층(200) 상에 감광성 물질(500)을 도포할 수 있다. 예를 들어, 상기 수지층(200) 상에 포토레지스트(PR)를 도포할 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 상기 포토레지스트가 배치된 상기 수지층(200) 상에 상에 마스크를 배치한 후, 광을 조사할 수 있다. 이에 따라, 마이크로 단위의 크기를 가지는 복수 개의 감광성 물질 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 제 2 패턴(220)이 형성될 수 있다.
상기 반사층(400)은 조사되는 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 반사층(400)에 의해 균일한 크기를 가지는 복수 개의 제 2 패턴(220)이 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 수지층(200) 상에는 수지층(200)과 일체로 형성되는 제 1 패턴(210)과 상기 수지층(200) 상에 배치되는 감광성 물질을 포함하는 제 2 패턴(220)이 형성될 수 있다.
이어서, 도 6을 참조하면, 상기 수지층(200) 상에 금속층(300)을 배치할 수 있다. 자세하게, 상기 수지층(200)의 상기 제 1 패턴(210) 및 상기 제 2 패턴(220) 상에 금속층(300)을 증착 또는 도금할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패턴(210) 및 상기 제 2 패턴(220) 상에 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 증착 또는 도금할 수 있다.
이어서, 도 7 및 도 8을 참조하여, 실시예에 따른 몰드 부재를 이용하여 최종 몰드 부재가 형성되는 공정을 설명한다.
도 7을 참조하면, 앞서 설명한 몰드 부재 상에 금속을 도금하여 도금층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰드 부재 상에 전기 도금(electroforming) 등의 방법에 의해 니켈(Ni) 등의 도금층을 도금할 수 있다.
이어서, 도 8을 참조하면, 상기 도금층과 상기 몰드 부재를 분리할 수 있다. 즉, 상기 도금층은 상기 몰드 부재 상에 배치되는 금속층과 함께 상기 몰드 부재와 분리될 수 있다.
이어서, 상기 도금층과 함께 분리된 금속층을 에칭하여 제거하여 최종 몰드 부재가 완성될 수 있다.
실시예에 따른 몰드 부재는 최종 몰드 부재 제조시 최종 몰드 부재의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
즉, 실시예에 따른 몰드 부재는 반사층 역할을 하는 금속을 수지층이 배치되는 기판의 면과 반대되는 면에 배치된다.
종래에는 기판 상에 수지층을 배치한 후, 수지층 상에 반사층을 배치한 후에 패턴을 형성한 후, 패턴 상에 금속층을 배치하였다. 이어서, 상기 몰드 부재에 도금층을 형성한 후, 몰드 부재와 도금층을 분리할 때, 도금층과 금속층 이외에 반사층이 함께 이형되어 분리될 수 있다.
이에 따라, 도금층을 에칭하여 금속층을 제거한 후, 도금층 내에 반사층 물질이 잔류하게 되어 최종 몰드 부재에 불순물이 포함될 수 있고, 패턴 내의 반사층 물질에 의해 최종 몰드 부재의 패턴이 전체적으로 불균일해질 수 있었다.
따라서, 실시예에 따른 몰드 부재는 반사층 역할을 하는 금속을 수지층이 배치되는 기판의 면과 반대되는 면에 배치함으로써, 최종 몰드 제조시 최종 몰드에 잔류하는 반사층 물질을 제거할 수 있으므로, 최종 몰드 부재의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 9 내지 도 12는 실시예에 따른 최종 몰드 부재를 이용하여 전극 부재를 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9를 참조하면, 전극 기판(1000) 상에 베이스 수지층(2000)을 배치할 수 있다.
이어서, 도 10을 참조하면, 상기 수지층 상에 최종 몰드 부재(M2)를 임프린팅하여 상기 베이스 수지층(2000) 상에 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 수지층(2000) 상에 나노 패턴(2100) 및 마이크로 패턴(2200)을 형성할 수 있다.
이어서, 도 11을 참조하면, 상기 나노 패턴(2100) 및 상기 마이크로 패턴(2200) 상에 전극 물질을 증착할 수 있다. 예를 들어, 상기 전극 물질은 금속을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 전극 물질(3000)은 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo). 금(Au), 티타튬(Ti) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
이어서, 도 12를 참조하면, 상기 나노 패턴(2100) 상에 배치되는 전극 물질을 제거하고, 상기 마이크로 패턴(2200) 상에 배치되는 전극 물질만을 남김으로써, 메쉬 형상을 가지는 전극 부재를 제조할 수 있다.
이때, 전극 물질을 에칭시 나노 패턴 및 마이크로 패턴과 상기 전극 물질의 접합 면적 차이에 따라 에칭 속도의 차이가 발생할 수 있다. 즉, 상기 마이크로 패턴과 전극 물질의 접합 면적이 상기 나노 패턴과 전극 물질의 접합 면적보다 크기 때문에, 마이크로 패턴 상에 형성되는 전극 물질의 에칭이 적게 일어나고, 동일한 에칭 속도에 따라, 마이크로 패턴 상에 형성된 전극 물질은 남게되고, 나노 패턴 상에 형성된 전극 물질은 에칭되어 제거됨에 따라 상기 기판 상에는 마이크로 패턴의 양각 메쉬 형상의 전극이 형성될 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (6)

  1. 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면을 포함하는 기판;
    상기 일면 상에 배치되고, 제 1 패턴 및 제 2 패턴을 포함하는 수지층;
    상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 중 적어도 하나의 패턴 상에 배치되는 제 금속층; 및
    상기 타면 상에 배치되는 반사층을 포함하는 몰드 부재.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 서로 다른 크기를 가지는 몰드 부재.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 패턴은 상기 제 2 패턴보다 작은 크기를 가지는 몰드 부재.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 금속층은 구리, 니켈 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 몰드 부재.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 반사층은 금속을 포함하는 몰드 부재.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 유리 또는 플라스틱을 포함하는 몰드 부재.
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