KR20160028436A - 발광 소자 - Google Patents

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KR20160028436A
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차오-싱 첸
치엔-카이 청
신-마오 리우
추-린 야오
치엔-푸 황
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에피스타 코포레이션
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Abstract

발광 소자는 기판; 기판상에 위치하고 각각 하나의 제1 전극 구조를 갖는 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛; 및 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛 사이에 위치하고, 각각의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛은 플립 오버(flipped over) 방식을 통해 제2 전극 구조가 각각 인접한 상기 제1 발광 다이오드 유닛의 제1 전극 구조와 상대적으로 접합된다.

Description

발광 소자 {LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 소자 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)의 발광 원리와 구조는 종래의 광원과 서로 다르며, 전력소모량이 낮고, 소자 수명이 길며, 대기 시간(idling time)이 필요 없으며, 반응 속도가 빠르다는 장점이 있다. 게다가 부피가 작고, 진동에 잘 견디며, 대량 생산에 적합하고, 응용 요구에 따라 미니형 또는 어레이식 소자를 쉽게 제조할 수 있으므로, 예를 들면, 광학 디스플레이 장치, 레이저 다이오드, 교통 신호, 데이터 저장장치, 통신 장치, 조명 장치 및 의료 장치 등과 같은 시장에서 광범위하게 응용되고 있다.
일본공개특허 제2005-019874호, US 7,932,526 B2, US 5,212,706 B2, US 6,584,130 B2, TW 591811, US 4,211,586 B2, US 6,100,103 B2, US 7,064,354 B2, US 7,095,052 B2
본 발명은 종래의 두 개의 발광 소자의 발광 효율을 갖지만, 하나의 기판을 사용하여, 기판의 사용량을 줄여서, 제조 원가를 낮추는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 발광 소자를 제공하고, 상기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 각각 하나의 제1 전극 구조를 갖는 두 개의 서로 인접한 제1 발광 다이오드 유닛 - 상기 두 개의 제1 발광 다이오드 유닛 사이에 갭(gap)이 형성됨 - ; 상기 기판 상에 위치하고, 상기 갭 내에 설치되고, 하나의 제2 전극 구조를 가지고, 상기 제1 전극 구조와 상기 제2 전극 구조는 각각 제1 전기 전극 및 제2 전기 전극을 포함하는 제2 발광 다이오드 유닛; 및 도전 연결 구조를 포함하고, 상기 도전 연결 구조는 하나의 제1 전극 구조의 상기 제1 전기 전극 및 상기 제2 전극 구조의 상기 제2 전기 전극 사이에 설치되고, 상기 도전 연결 구조의 일부는 상기 갭 내에 위치하고, 상기 제1 전기 전극과 상기 제2 전기 전극은 상기 도전 연결 구조를 통해 전기적으로 연결된다.
본 발명에 의하면, 종래의 두 개의 발광 소자의 발광 효율을 갖지만, 하나의 기판을 사용하여, 기판의 사용량을 줄이므로, 제조 원가를 낮춘다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면을 보여준 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면을 보여준 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면을 보여준 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면을 보여준 개략도이다.
아래 도면을 결부하여 본 발명의 각 실시예를 설명한다. 먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예는 발광 소자(1)를 제공한다. 발광 소자(1)는 성장 기판(11)을 구비하고, 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(12)은 상기 기판에 직접적으로 에피텍시(epitaxy) 성장한다. 본 실시예에서 제1 발광 다이오드 유닛(12)은 3개이지만, 그 수량은 여기에 한정되지 않는다. 그 중, 각각의 제1 발광 다이오드 유닛(12)은 제1형 반도체층(121), 발광층(122) 및 제2형 반도체층(123)을 포함한다.
순서에 따라 제2형 반도체층(123), 발광층(122), 제1형 반도체층(121)을 제1형 반도체층(121)의 표면이 노출될 때까지 부분 식각하고, 다시 노출된 제1형 반도체층(121) 및 제2형 반도체층(123) 상에 제1 전기 전극(13) 및 제2 전기 전극(14)을 각각 형성하고, 그 중 제1 전기 전극(13)과 제2 전기 전극(14)은 제1 발광 다이오드 유닛(12)의 제1 전극 구조를 구성한다. 그밖에 성장 기판(21) 상에 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(22)을 직접적으로 에피텍시 성장시킨다. 본 실시예에서 제2 발광 다이오드 유닛(22)은 2개이지만 그 수량은 여기에 한정되지 않는다. 그 중, 각각의 제2 발광 다이오드 유닛(22)은 제1형 반도체층(221), 발광층(222) 및 제2형 반도체층(223)을 포함한다. 순서에 따라 제2형 반도체층(223), 발광층(222), 제1형 반도체층(221)을 제1형 반도체층(221)의 표면이 노출될 때까지 부분 식각한다. 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 발광 효율을 증가시키기 위하여, 제2형 반도체층(223) 상에 각각 반사 구조(25)를 선택적으로 형성할 수 있는바, 예를 들면 금속 반사층 또는 분산 브래그 반사층(DBR, distributed Bragg reflector) 등이다. 그런 다음, 노출된 제1형 반도체층(221)의 표면 및 반사 구조(25)상에 각각 제1 전기 전극(23) 및 제2 전기 전극(24)을 형성하고, 그 중 제1 전기 전극(23)과 제2 전기 전극(24)은 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 제2 전극 구조를 구성한다. 다시 절단 단계에 의해 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛을 형성한다. 그 중 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛 사이에 복수 개의 갭(간극)이 형성되어 있고, 그 갭은 임의의 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 폭보다 작다.
각 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(22)은 플립 오버 방식을 통해 제2 전극 구조가 각각 인접한 상기 제1 발광 다이오드 유닛(12)의 제1 전극 구조와 상대적으로 연결되게 한다. 즉 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 제2 전기 전극(23)과 제1 발광 다이오드 유닛(12)의 제2 전기 전극(14)을 연결하고 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 제2 전기 전극(24)과 다른 제1 발광 다이오드 유닛(12)의 제1 전기 전극(13)을 연결함으로써 전기적 직렬 구조를 형성한다. 그런 다음 제2 발광 다이오드 유닛(22)과 성장 기판(11) 사이에 언더필(19)(underfill)을 형성하고, 상기 언더필(19)은 이방 도전성 접착제(Anisotropic Conductive Glue)인 절연 재료를 포함한다. 마지막에 형성된 발광 소자는 단일 칩으로서 변(邊)의 길이가 0.5mm ~ 5mm 사이에 있다. 그 중, 성장 기판(11,21)의 재질은 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 사파이어(sapphire), 탄화규소(silicon carbide), 실리콘(silicon), 산화리튬알루미늄(lithium aluminum oxide, LiAlO2), 산화아연(ZnO), 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(aluminum nitride) 등을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 제1 발광 다이오드 유닛(12) 및 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 재질은 알루미늄갈륨인듐인계 화합물(AlGaInP), 질화알루미늄갈륨인듐계 화합물(AlInGaN)을 포함할 수 있다. 그 중 임의의 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(12)의 발광층(122)이 방출하는 주파장(dominant wavelength)과 임의의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 발광층(222)이 방출하는 주파장은 대체로 동일하거나 또는 상이하며, 또한 각 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 발광층(222)이 방출하는 피크값 파장은 대체로 동일하거나 또는 상이하며, 각 제1 발광 다이오드 유닛(12)의 발광층(122)이 방출하는 피크값 파장은 서로 동일하다. 그밖에, 임의의 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(12) 및/또는 임의의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(22)의 측벽은 비수직 경사면이다(미도시).
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예는 발광 소자(2)를 제공한다. 그리고 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(32)을 직접적으로 에피텍시 성장시키는 성장 기판(31)을 제공한다. 본 실시예에서 제1 발광 다이오드 유닛(32)은 3개가 있으나, 그 수량에 한정하지 않는다. 그 중, 각각의 제1 발광 다이오드 유닛(32)은 제1형 반도체층(321), 발광층(322) 및 제2형 반도체층(323)을 포함한다. 순서에 따라 제2형 반도체층(323), 발광층(322), 제1형 반도체층(321)을 제1형 반도체층(321)의 표면이 노출될 때까지 부분 식각하고, 다시 노출된 제1형 반도체층(321)의 표면 및 제2형 반도체층(323) 상에 제1 전기 전극(33) 및 제2 전기 전극(34)을 형성하고, 그 중 제1 전기 전극(33)과 제2 전기 전극(34)은 제1 발광 다이오드 유닛(32)의 제1 전극 구조를 형성한 후, 다시 절단 단계를 통해 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛을 형성한다. 그밖에 성장 기판(41) 상에 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(42)을 직접적으로 에피텍시 성장시킨다. 본 실시예에서 제2 발광 다이오드 유닛(42)은 2개가 있으나, 그 수량에 한정하지 않는다. 그 중, 각각의 제2 발광 다이오드 유닛(42)은 제1형 반도체층(421), 발광층(422) 및 제2형 반도체층(423)을 포함한다. 순서에 따라 제2형 반도체층(423), 발광층(422), 제1형 반도체층(421)을 제1형 반도체층(421)의 표면이 노출될 때까지 부분 식각한다. 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 발광 효율을 향상시키기 위하여, 제2형 반도체층(423) 상에 반사 구조(45)를 각각 선택적으로 형성할 수 있는데, 예를 들면 금속 반사층 또는 분산 브래그 반사층(DBR, distributed Bragg reflector) 등이다. 그런 다음 노출된 제1형 반도체층(421)의 표면 및 반사 구조(45) 상에 제1 전기 전극(43) 및 제2 전기 전극(44)을 형성하고, 그 중 제1 전기 전극(43)과 제2 전기 전극(44)은 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 제2 전극 구조를 구성한다. 그리고 나서 다시 절단 단계를 통해 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛을 형성한다.
그 중, 성장 기판(31, 41)의 재질은 게르마늄(Ge), 갈륨비소(gallium arsenide, GaAs), 인화인듐(indium phosphide, InP), 사파이어(sapphire), 탄화규소(silicon carbide), 실리콘(silicon), 산화리튬알루미늄(lithium aluminum oxide, LiAlO2), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 질화갈륨(gallium nitride, GaN), 질화알루미늄(aluminum nitride) 등을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 제1 발광 다이오드 유닛(32) 및 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 재질은 알루미늄갈륨인듐인계 화합물, 질화알루미늄갈륨인듐계 화합물을 포함할 수 있다. 임의의 복수 개의 제1 발광 다이오드(32)의 발광층(322)이 방출하는 주파장(dominant wavelength)과 임의의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 발광층(422)이 방출하는 주파장은 대체로 동일하거나 상이(相異)하다. 또한 각각의 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 발광층(422)이 방출하는 피크값 파장은 대체로 동일하거나 상이하며, 각각의 제1 발광 다이오드 유닛(32)의 발광층(322)이 방출하는 피크값 파장은 대체로 동일하거나 상이(相異)하다. 임의의 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(32) 및/또는 임의의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 측벽은 비수직 경사면이다(미도시).
본 발명은 인쇄 회로 기판, 소프트 기판, 알루미늄 기판, 세라믹 기판 또는 구리 기판과 같은 지지 기판(30)을 제공한다. 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(32)은 이러한 지지 기판(30) 상에 형성되고, 또한 제1 전극 구조는 도전 연결 구조(36)와 지지 기판상의 회로(미도시)를 통해 전기적으로 연결된다. 그 중 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛 사이에는 복수 개의 갭이 있고, 그 갭은 임의의 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 폭보다 작다. 본 실시예에서, 상기 폭은 0.1mm ~ 2mm 사이에 있다. 그리고 이러한 복수 개의 갭에 제1 절연 구조(37)를 형성하여, 그 중 제1 절연 구조(37)의 높이는 임의의 제1 발광 다이오드 유닛의 높이보다 작거나 이와 같다. 또한 제1 발광 다이오드 유닛(32)과 인접한 제1 절연 구조(37)의 측벽에 제2 절연부재(35)를 형성한다. 그런 다음, 제1 절연 구조(37)와 제2 절연부재(35)의 사이에 또 하나의 도전 연결 구조(36)를 형성한다. 그 중 제1 절연 구조(37) 및 제2 절연부재(35)를 구성하는 재료는 동일하거나 동일하지 않다.
각각의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(42)은 플립 오버 방식을 통해 제2 전극 구조가 각각 인접하는 제1 발광 다이오드 유닛(32)의 제1 전극 구조와 상대적으로 연결되도록 한다. 즉, 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 제1 전기 전극(43)과 제1 발광 다이오드 유닛(32)의 제2 전기 전극(34)을 연결하고, 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 제2 전기 전극(44)과 다른 제1 발광 다이오드 유닛(32)의 제1 전기 전극(33)을 연결하여 전기적 직렬 연결을 형성한다. 다시 제2 발광 다이오드 유닛(42)과 제1 절연 구조(37) 사이에 언더필(uniderfill, 39)을 형성하는데, 상기 언더필은 절연 부재를 포함한다. 상기 절연 재료는 이방 도전성 접착제이거나 제1 절연 구조(37)의 구성 물질과 서로 동일하다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예는 발광 소자(3)를 제공한다. 그 중 제2 실시예와 다른 점은 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(32) 사이에 복수 개의 갭을 갖고 있으나, 그 갭이 임의의 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 폭보다 크다는 것이다. 본 실시예에서, 상기 폭은 0.25mm ~ 5mm 사이에 있다. 이러한 복수 개의 갭에 제1 절연 구조(37), 제2 절연 구조(35) 및 언더필(39)을 형성할 뿐만 아니라, 제1 절연 구조(37) 상에 복수 개의 연신 전극 구조(38)를 더 형성한다. 각각의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(42)은 플립 오버 방식을 통해 제2 전극 구조가 각각 인접한 제1 발광 다이오드 유닛(32)의 제1 전극 구조에 복수 개의 연신 전극 구조(38) 및 복수 개의 도전 연결 구조(36)를 통해 연결되도록 한다. 즉, 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 제1 전기 전극(43)과 제1 발광 다이오드 유닛(32)의 제2 전기 전극(34)이 복수 개의 연신 전극 구조(38) 및 복수 개의 도전 연결 구조(36)를 통해 연결되고, 제2 발광 다이오드 유닛(42)의 제2 전기 전극(44)과 다른 제1 발광 다이오드 유닛(32)의 제1 전기 전극(33)이 복수 개의 연신 전극 구조(38)를 통해 연결됨으로써 전기적 직렬 연결을 형성한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예는 발광 소자(4)를 제공한다. 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(52) 및 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(62)이 각각 기판(51, 61)에서 에피텍시 성장하는 단계, 구조, 성장 기판의 재료, 발광 다이오드 유닛의 구성 재료 등은 제2 실시예와 동일하다. 본 발명을 인쇄 회로 기판, 소프트 기판, 알루미늄 기판, 세라믹 기판 또는 구리 기판과 같은 지지 기판(50)을 제공한다. 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(52)은 이러한 지지 기판(50) 상에 형성되고, 그 제1 전극 구조중의 제1 전기 전극(53) 및 제2 전기 전극(54)은 도전 연결 구조(56)를 통해 각각 지지 기판상의 회로(미도시)와 전기적으로 연결된다. 그 중 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛 사이에 복수 개의 갭을 구비하고, 그 갭은 임의의 제2 발광 다이오드 유닛(62)의 폭보다 크다. 본 실시예에서, 이 폭은 0.25mm ~ 5mm 사이에 있다. 복수 개의 연신 전극 구조(58)는 복수 개의 갭 내에 형성되며, 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(62)은 플립 오버 방식을 통해 이러한 갭 내에 형성된다. 각각의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(62)은 그 제2 전극 구조가 각각 인접한 제1 발광 다이오드 유닛(52)의 제1 전극 구조와 복수 개의 연신 전극 구조(58) 및 도전 연결 구조(56)를 통해 연결되도록 한다. 즉, 제2 발광 다이오드 유닛(62)의 제1 전기 전극(63)과 제1 발광 다이오드 유닛(52)의 제2 전기 전극(54)이 연신 전극 구조(58) 및 도전 연결 구조(56)를 통해 연결되고 제2 발광 다이오드 유닛(62)의 제2 전극 구조(64)와 다른 제1 발광 다이오드 유닛(52)의 제1 전기 전극(53)이 연신 전극 구조(58) 및 도전 연결 구조(56)를 통해 연결됨으로써 전기적으로 직렬연결된다. 도전 연결 구조(56)와 제1 발광 다이오드 유닛 사이에 또 다른 제2 절연 구조(55)가 형성되고 제2 발광 다이오드 유닛(62)과 연신 전극 구조(58) 사이에 언더필(underfill, 59)이 형성되며, 상기 언더필은 이방 도전성 접착제인 절연 재료를 포함한다. 임의의 복수 개의 제1 발광 다이오드 유닛(52) 및/또는 임의의 복수 개의 제2 발광 다이오드 유닛(62)의 측벽은 비수직 경사면일 수 있다.
본 발명에 예시한 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐, 본 발명의 범위는 여기에 한정되지 않는다. 본 발명에 대한 임의의 현저한 수정 또는 변경은 모두 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않는다.
1, 2, 3, 4: 발광 소자
11, 21, 31, 41, 51, 61: 성장 기판
12, 32, 52: 제1 발광 다이오드 유닛
22, 42, 62: 제2 발광 다이오드 유닛
13, 33, 53: 제1 전극 구조의 제1 전기 전극
14, 34, 54: 제1 전극 구조의 제2 전기 전극
23, 43, 63: 제2 전극 구조의 제1 전기 전극
24, 44, 64: 제2 전극 구조의 제2 전기 전극
19, 39, 59: 언더필(underfill)
25, 45, 65: 반사 구조
30, 50: 지지 기판
35, 55: 제2 절연 구조
36, 56: 도전 연결 구조
37: 제1 절연 구조
38, 58: 연신 전극 구조
121, 221, 321, 421, 521, 621: 제1형 반도체층
122, 222, 322, 422, 522, 622: 발광층
123, 223, 323, 423, 523, 623: 제2형 반도체층

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하고, 각각 하나의 제1 전극 구조를 갖는 두 개의 서로 인접한 제1 발광 다이오드 유닛 - 상기 두 개의 제1 발광 다이오드 유닛 사이에 갭(gap)이 형성됨 - ;
    상기 기판 상에 위치하고, 상기 갭 내에 설치되고, 하나의 제2 전극 구조를 가지고 제2 발광 다이오드 유닛 - 상기 두 개의 제1 전극 구조와 상기 제2 전극 구조는 각각 제1 전기 전극 및 제2 전기 전극을 포함함 - ; 및
    도전 연결 구조
    를 포함하고,
    상기 도전 연결 구조는 상기 하나의 제1 전극 구조의 상기 제1 전기 전극 및 상기 제2 전극 구조의 상기 제2 전기 전극 사이에 설치되고, 상기 도전 연결 구조의 일부는 상기 갭 내에 위치하고, 상기 제1 전기 전극과 상기 제2 전기 전극은 상기 도전 연결 구조를 통해 전기적으로 연결되는, 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 제1 발광 다이오드 유닛 및 상기 제2 발광 다이오드 유닛은 각각,
    제1형 반도체층;
    제2형 반도체층; 및
    상기 제1형 반도체층과 상기 제2형 반도체층 사이에 형성된 발광층
    을 포함하고,
    상기 두 개의 제1 발광 다이오드 유닛 중 하나의 상기 제1형 반도체층이 상기 기판 및 상기 제1 전극 구조 사이에 위치하고, 상기 제2 발광 다이오드 유닛의 상기 제2 전극 구조가 상기 제1형 반도체층 및 상기 기판 사이에 위치하는, 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 도전 연결 구조는 하나의 제1 발광 다이오드 유닛의 일부 측벽을 커버하고, 상기 제1 발광 다이오드 유닛의 상기 제2형 반도체층의 상부 표면까지 연신되는, 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 발광 다이오드 유닛과 상기 기판 사이에 위치하는 언더필을 더 포함하고,
    상기 언더필은 절연 재료 또는 이방 도전성 접착제를 포함하고, 상기 언더필은 상기 갭 내에만 위치하는, 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 언더필은 상기 제2 발광 다이오드 유닛의 상기 제1 전기 전극 및 상기 제2 전기 전극 사이에만 위치하는, 발광소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 언더필 및 상기 기판 사이에 있는 제1 절연 구조를 더 포함하고,
    상기 제1 절연 구조의 높이는 하나의 제1 발광 다이오드 유닛의 높이보다 작거나 같고, 상기 제1 절연 구조는 상기 갭 내에 형성되는, 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 절연 구조 위 및 상기 제2 발광 다이오드 유닛 사이에 위치하는 연신 전극 구조를 더 포함하고,
    상기 제2 발광 다이오드 유닛의 상기 제2 전극 구조는, 상기 연신 전극 구조 및 상기 도전 연결 구조를 통해 상기 제1 발광 다이오드 유닛의 상기 제1 전극 구조와 전기적으로 연결되는, 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 제2 발광 다이오드 유닛 사이에 위치하고, 상기 갭 내에 위치하는 연신 전극 구조를 더 포함하고,
    상기 제2 발광 다이오드 유닛의 상기 제2 전극 구조는 상기 연신 전극 구조및 상기 도전 연결 구조를 통해 상기 제1 발광 다이오드 유닛의 상기 제1 전극 구조와 전기적으로 연결되는, 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 발광 다이오드 유닛 및 상기 연신 전극 구조 사이에 위치하는 반사구조를 더 포함하는 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 도전 연결 구조는 하나의 제1 발광 다이오드 유닛의 일부 측벽을 커버하는, 발광 소자.
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