KR20160027324A - 화학적 기계적 연마 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학적 기계적 연마 장치를 제공한다. 화학적 기계적 연마 장치는 플레이튼, 상기 플레이튼 상의 연마 패드에 의해 웨이퍼가 연마되도록, 상기 연마 패드 상에서 상기 웨이퍼를 가압하는 연마 헤드, 상기 연마 헤드를 구동시키는 모터, 상기 모터와 상기 연마 헤드를 연결하는 스핀들, 상기 모터 및 상기 스핀들을 덮는 하우징 및 상기 하우징과 상기 연마패드 사이에 제공되어 파티클을 배출하는 트랩을 포함한다.

Description

화학적 기계적 연마 장치 {Chemical mechanical polishing apparatus}
본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 구체적으로 파티클을 배출하기 위한 트랩을 포함하는 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것이다.
집적 회로는 일반적으로 기판, 특히 실리콘 웨이퍼 상에 도체, 반도체 또는 절연체를 연속하여 증착함으로서 형성된다. 각각의 층이 증착된 후, 각 층은 회로 특성을 부여하기 위해 에칭된다. 일련의 층들이 연속적으로 증착되고 에칭됨에 따라, 웨이퍼의 노출면은 점점 거칠어진다. 웨이퍼의 노출면이 편평한 면이 되도록 주기적으로 기판면을 평활화시켜야 한다. 웨이퍼를 평활화시키기 위해 화학적 기계적 연마 방법이 사용된다. 일반적으로, 화학적 기계적 연마 장치에는 웨이퍼가 캐리어 또는 연마 헤드에 장착되어야 한다. 이후, 웨이퍼의 노출면은 회전 연마 패드에 대항하여 놓이게 된다. 캐리어는 웨이퍼에 압력을 가하여 웨이퍼를 연마 패드에 대하여 가압시킨다. 캐리어는 웨이퍼를 회전시킨다. 연마제 및 하나 이상의 화학 반응제를 포함하는 연마 슬러리가 패드와 웨이퍼 사이의 계면에 제공될 수 있다. 연마 헤드가 회전하면서 웨이퍼를 연마시킨다.
본 발명의 기술적 과제는 효과적으로 파티클을 배출하는 화학적 기계적 연마 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 화학적 기계적 연마 장치를 제공한다. 화학적 기계적 연마 장치는 플레이튼, 상기 플레이튼 상의 연마 패드에 의해 웨이퍼가 연마되도록, 상기 연마 패드 상에서 상기 웨이퍼를 가압하는 연마 헤드, 상기 연마 헤드를 구동시키는 모터, 상기 모터와 상기 연마 헤드를 연결하는 스핀들, 상기 모터 및 상기 스핀들을 덮는 하우징 및 상기 하우징과 상기 연마패드 사이에 제공되어 파티클을 배출하는 트랩을 포함한다.
일 예에 의하여, 상기 트랩은 상기 하우징의 바닥의 일측에서 상기 연마 패드의 가장자리 방향으로 연장되고, 아래로 경사진다.
일 예에 의하여, 상기 트랩은 상기 연마 패드의 밖으로 연장된다.
일 예에 의하여, 상기 트랩은 상기 스핀들이 관통하는 관통홀을 포함한다.
일 예에 의하여, 상기 트랩은 금속성 재질 또는 PVC재질로 구성된다.
일 예에 의하여, 상기 트랩의 상부면은 소수성으로 코팅된다.
일 예에 의하여, 상기 하우징 내부에 상기 스핀들 및 모터를 이동시키는 레일을 더 포함한다.
일 예에 의하여, 상기 하우징의 하부면은 상기 스핀들이 관통하고, 상기 스핀들이 이동되는 개구부 및 상기 스핀들에 고정결합되고, 상기 연마 패드와 평행하게 연장되는 차폐부를 포함하되, 상기 차폐부는 상기 개구부와 수직적으로 중첩된다.
일 에에 의하여, 상기 차폐부의 면적은 상기 개구부의 면적보다 크다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 연마 패드 상에 파티클이 떨어지지 않고 연마 패드 외부로 파티클을 배출하는 화학적 기계적 연마 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 연마 패드 상에 파티클이 떨어지지 않도록 하여 웨이퍼에 스크래치가 생기는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 화학적 기계적 연마 유닛을 나타내는 사시도이다.
도 2는 하우징의 상부가 제거된 카로우셀의 상면도이다.
도 3은 도 1의 화학적 기계적 연마 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함되는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 화학적 기계적 연마 유닛을 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 화학적 기계적 연마 유닛은 하부 머신 베이스(100) 및 카로우셀(500)을 포함한다.
하부 머신 베이스(100)는 이동 스테이션(110), 연마 스테이션(120) 및 세척 스테이션(130)을 포함한다. 이동 스테이션(110)은 3개의 연마 스테이션(120)과 같은 평면 상에 위치한다.
연마 스테이션(120)은 연마 패드(121), 플레이튼(122), 패드 컨디셔너(125) 및 슬러리 암(128)을 포함한다. 연마 패드(121)는 플레이튼(122) 상에 위치된다. 연마 패드(121)는 플레이튼(122)에 의해 지지된다. 연마 패드(121)는 공정진행 중 플레이튼(122)과 함께 회전될 수 있다. 연마 패드(121)는 일정 두께를 갖는 평판으로 제공된다. 연마 패드(121)는 웨이퍼(w)와 직접 접촉하여 웨이퍼(w)를 기계적으로 연마한다. 연마 패드(121)은 거친 표면의 상면을 가진다. 플레이튼(122)은 플레이튼 구동축(도시되지 않음)에 의해 구동 모터(도시되지 않음)에 연결될 수 있다. 일반적인 연마 공정에서, 구동 모터(미도시)는 분당 30 내지 200 회전수로 플레이튼(122)을 회전시키며, 보다 낮거나 높은 회전 속도가 사용될 수도 있다. 연마 패드(121) 및 플레이튼(122)의 직경은 웨이퍼(w)의 직경보다 대략 2배 크다.
패드 컨디셔너 장치(125)는 컨디셔너 헤드(124) 및 회전 암(126)을 포함한다. 컨디셔너 헤드(124)는 회전 암(126)과 독립적으로 회전한다. 회전 암(126)은 컨디셔너 헤드(124)를 지지하면서 컨디셔너 헤드(124)를 연마 패드(121) 상에 위치시킨다. 패드 컨디셔너(124)는 연마 패드(121)가 회전하는 동안 웨이퍼(w)가 효과적으로 연마되도록 연마 패드(121)의 상태를 유지시킨다. 연마 패드(121) 표면에 슬러리 암(128)에 의해 슬러리가 공급된다. 슬러리 암(128)은 슬러리 공급장치(미도시)와 연결된다. 슬러리는 반응제(산화 연마용 탈이온수), 마모 입자(산화 연마용 이산화규소) 및 화학 반응 촉매제(산화 연마용 수산화칼륨)를 포함한다. 슬러리는 연마 패드(121) 전체를 덮어서 적실 수 있도록 제공된다. 슬러리 암(128)은 복수개의 분사 노즐(미도시)을 포함할 수 있다. 분사 노즐(미도시)은 연마 공정의 마무리 단계에서 연마 패드(121)를 고압으로 세척한다.
세척 스테이션(130)은 인접하는 연마 스테이션(120)들 사이에 위치될 수 있다. 세척 스테이션(130)은 복수개가 제공될 수 있다. 세척 스테이션(130)은 웨이퍼(w)가 하나의 연마 스테이션(120)에서 다른 연마 스테이션(120)으로 이동할 때 웨이퍼(w)를 세척한다.
카로우셀(carousel, 500)은 연마 헤드 시스템(200) 및 중앙 기둥(300)을 포함한다. 카로우셀(500)은 하부 머신 베이스(100) 위에 위치한다. 카로우셀(500)은 중앙 기둥(300)에 의해 지지되고, 카로우셀 모터(미도시)에 의해 카로우셀 중심을 기준으로 회전된다.
카로우셀(500)은 4개의 연마 헤드 시스템(200)을 포함할 수 있다. 4개의 연마 헤드 시스템(200)은 카로우셀(500) 중심에 대해 동일한 각만큼 떨어져서 위치할 수 있다.
연마 헤드 시스템(200) 중 3개는 웨이퍼(w)를 수용하고 유지하며, 플레이튼(122) 상의 연마 패드(121)에 대항하여 웨이퍼(w)를 가압함으로써 웨이퍼(w)를 연마시킨다. 연마 헤드 시스템(200) 중 하나는 웨이퍼(w)를 수용하여 이동 스테이션(110)으로 웨이퍼(w)를 운반한다.
연마 헤드 시스템(200)은 연마 헤드(210), 스핀들(220), 모터(230) 및 하우징(250)을 포함한다. 연마 헤드(210)는 그 자체의 축선을 중심으로 독립적으로 회전하고, 하우징(250) 하부에 형성된 개구부(도 2의 430) 내에서 횡방향으로 왕복한다. 연마 헤드(210)는 플레이튼(122)의 회전방향과 동일한 방향으로 회전한다. 연마 헤드(210)는 대략적으로 원기둥 형상으로 제공될 수 있다. 연마 헤드(210)는 상하 영역별로 둘레가 상이하게 제공될 수 있다. 구체적으로, 연마 헤드(210) 하부는 상부보다 둘레가 넓게 제공된다. 연마 헤드(210)의 둘레는 스핀들(220)이 연결되는 부분까지 점점 작아진다.
스핀들(220)은 모터(230)를 연마 헤드(210)에 연결한다. 스핀들(220)은 원기둥 형상으로 제공될 수 있다. 각각의 연마 헤드(210)에는 하나의 스핀들(220)과 모터(230)가 제공된다. 모터(230)는 공정 진행 중에 연마 헤드(210)를 회전 시키는 동력을 제공한다.
하우징(250)은 스핀들(220) 및 모터(230)를 덮도록 제공된다. 하우징(250) 하면에는 하우징 지지판(255)이 제공된다. 하우징 지지판(255)은 방사형으로 연장하여 90°만큼 이격되어 있는 4개의 개구부(도 2의 430)를 포함한다. 개구부(도 2의 430)는 폐쇄된 단부 또는 개방된 단부일 수 있다.
도 2는 하우징(250)의 상부가 제거된 카로우셀(500)의 상면도이다. 도 2를 참조하면, 하우징 지지판(255) 상에는 연마 헤드 지지 슬라이드(410), 베어링 조립체(420) 및 오실레이터 모터(440)가 위치한다.
연마 헤드 지지 슬라이드(410)는 개구부(430) 따라 정렬되어 있다. 연마 헤드 지지 슬라이드(410)는 4개가 제공될 수 있다. 연마 헤드 지지 슬라이드(410)는 하우징 지지판(255) 상에서 방사형 경로를 따라 자유롭게 이동한다. 연마 헤드 지지 슬라이드(410)의 말단부에는 연마 헤드 지지 슬라이드(410)에 고정되어 있는 나사형 수용 캐비티 또는 너트가 배치된다.
베어링 조립체(420)는 레일(422), 파지부(미도시) 및 베어링 정지부(424)를 포함한다. 레일(422)은 하우징 지지판(255) 상에 위치한다. 레일(422)을 따라 연마 헤드 지지 슬라이드(410)가 이동된다.
파지부(미도시)는 연마 헤드 지지 슬라이드(410) 하면 상에 고정결합된다. 파지부(미도시)는 레일(422)을 파지한다. 파지부(미도시)는 하나의 연마 헤드 지지 슬라이드(410)에 두 개가 제공될 수 있다. 파지부(미도시)와 레일(422) 사이에는 두 개의 베어링(미도시)이 제공될 수 있다. 두 개의 베어링(미도시)은 레일(422)로부터 각각의 파지부(미도시)를 분리하여, 레일(422) 사이에서 파지부(미도시)가 자유롭고 부드럽게 이동할 수 있도록 한다. 따라서, 베어링 조립체(420)는 연마 헤드 지지 슬라이드(410)가 개구부(430)를 따라 자유롭게 움직일 수 있도록 한다.
베어링 정지부(424)는 레일(422)의 외측 단부에 고정설치된다. 베어링 정지부(424)는 연마 헤드 지지 슬라이드(410)가 레일(422)의 단부를 이탈하는 것을 방지한다.
오실레이터 모터(440)은 하우징 지지판(255)의 중심부에 위치한다. 오실레이터 모터(440)는 4개가 제공될 수 있다. 오실레이터 모터(440)가 리드스크류(450)를 회전시킬 때, 연마 헤드 지지 슬라이드(410)는 방사형으로 구동한다. 리드 스크류(86)는 연마 헤드 지지 슬라이드(410)의 나사형 캐비티 또는 너트에 수용된다.
4개의 오실레이터 모터(440)는 독립적으로 작동한다. 4개의 오실레이터 모터(440)는 4개의 연마 헤드 지지 슬라이드(410)를 하우징(250) 내의 개구부(430)를 통해 독립적으로 이동시킨다.
도 3은 도 1의 화학적 기계적 연마 장치의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 화학적 기계적 연마 장치는 플레이튼(122), 연마 패드(121), 연마 헤드(210), 하우징(250) 및 트랩(260)을 포함한다.
플레이튼(122)은 구동축(미도시)에 의해 구동 모터(미도시)에 연결될 수 있다. 플레이튼(122)은 구동 모터(미도시)에 의해 회전한다. 플레이튼(122)의 상에는 연마 패드(121)가 배치된다.
연마 헤드(210)는 연마 패드(121) 상에 배치된다. 연마 헤드(210)는 플레이튼(122) 상의 연마 패드(121)에 의해 웨이퍼(w)가 연마되도록 웨이퍼(w)를 가압한다. 연마 헤드(210)는 모터(230)에 연결된 스핀들(220)에 의해 횡방향으로 이동한다. 연마 헤드(210)는 회전 유닛(240)에 의해 적정 회전수로 회전한다. 연마 헤드(210)은 개구부(430)를 따라 횡방향으로 이동하면서 회전하여 웨이퍼(w)를 연마한다. 연마 헤드(210)에는 웨이퍼(w)를 진공으로 흡착하기 위한 유체 공급 장치들(미도시됨)이 연결될 수 있다.
하우징(250)은 내부에 스핀들(220), 모터(230), 레일(422) 및 회전 유닛(240) 을 포함한다. 스핀들(220)은 연마 헤드(210)와 모터(230)를 연결한다. 스핀들(220)은 레일(422)을 따라 움직인다. 레일(422)은 하우징(250) 측벽에 고정설치될 수 있다.
하우징(250)의 하부면은 개구부(430) 및 차폐부(225)를 포함한다. 개구부(430)는 스핀들(220)이 관통되어 이동되는 통로를 제공한다. 차폐부(225)는 스핀들(220)에 고정결합되고, 연마 패드(121)와 평행하게 연장된다. 차폐부(225)는 스핀들(220)과 레일(422)간의 마찰에 의해 발생하는 파티클을 차폐한다. 차폐부(225)는 개구부(430)와 수직적으로 중첩될 수 있다. 차폐부(225)의 면적은 개구부(430)의 면적보다 크게 제공된다. 차폐부(225)의 면적을 개구부(430)의 면적보다 크게 제공하여 하우징(250) 내부의 파티클이 하우징(250) 외부로 유출되는 것을 어렵게 한다.
트랩(260)은 연마 패드(121)와 하우징(250) 사이에 제공된다. 트랩(260)은 금속성 재질 또는 PVC재질로 구성될 수 있다. 트랩(260)은 하우징(250)의 개구부(430)를 통과한 파티클을 연마 패드(121) 밖으로 배출한다. 트랩(260)은 하우징(250)의 바닥의 일측에서 연마 패드(121)의 가장자리 방향으로 연장되고, 아래로 경사진 형태로 제공된다. 트랩(260)은 연마 패드(121)의 밖으로 연장된다. 트랩(260)은 바닥(262)과 측벽(264)을 포함한다. 트랩(260)의 측벽은 위로 연장된다. 트랩(260)의 측벽(264)을 통해 파티클은 일방향으로 배출될 수 있다.
트랩(260)의 상부면은 소수성으로 코팅될 수 있다. 트랩(260)으로 떨어진 파티클은 물로 세척되어 배출된다. 연마 공정 시에 발생하는 파티클은 금속성이다. 금속성 물질은 대부분 소수성 물질이다. 소수성 코팅을 통해 파티클이 트랩(260)의 상부면에서 쉽게 떨어지게 한다.
선택적으로, 트랩(260)의 상부면은 친수성으로 코팅될 수 있다. 웨이퍼(w) 연마 시에 발생된 파티클이 트랩(260)의 관통홀(도 4의 266)을 통해 트랩(260)의 상부면에 떨어질 수 있다. 웨이퍼(w)를 연마하기 위해 제공되는 슬러리의 종류에 따라 파티클의 성질이 다를 수 있으므로 친수성 코팅이 필요할 수 있다.
파티클이 연마 패드(121) 상에 떨어지면 파티클이 연마 공정 시에 연마 패드(121)와 웨이퍼(w) 사이에 유입될 수 있다. 유입된 파티클은 웨이퍼(w)에 스크래치를 유발할 수 있다. 트랩(260)을 통해 파티클을 연마 패드(121) 밖으로 배출하여 웨이퍼(w)의 결함을 방지할 수 있다.
도 4는 도 3의 평면도이다. 도 4를 참조하면, 연마 헤드(210)는 연마 패드(121) 상의 가장자리에 위치한다. 연마 헤드(210)는 개구부(도 3의 430)의 면적만큼 이동할 수 있다. 하우징(250)은 연마 헤드(210)의 면적보다 크게 제공될 수 있다. 트랩(260)은 연마 패드의 밖으로 연장된다. 트랩(260)은 스핀들(220)이 움직일 수 있도록 관통홀(266)을 포함한다. 관통홀(266)은 하우징(250)의 개구부(도 3의 430)와 동일한 면적으로 제공될 수 있다. 관통홀(266)은 개구부(도 3의 430)과 수직적으로 중첩될 수 있다. 하우징(250) 외부로 배출되는 파티클은 트랩(260)을 통해 연마 패드(121) 밖으로 배출된다. 이를 통해, 파티클이 연마 패드(121) 상에 떨어지는 것을 방지하고, 연마 패드(121) 상의 파티클로 인한 웨이퍼(w)의 스크레치를 방지할 수 있다.

Claims (9)

  1. 플레이튼;
    상기 플레이튼 상의 연마 패드에 의해 웨이퍼가 연마되도록, 상기 연마 패드 상에서 상기 웨이퍼를 가압하는 연마 헤드;
    상기 연마 헤드를 구동시키는 모터;
    상기 모터와 상기 연마 헤드를 연결하는 스핀들;
    상기 모터 및 상기 스핀들을 덮는 하우징; 및
    상기 하우징과 상기 연마패드 사이에 제공되어 파티클을 배출하는 트랩을 포함하는 화학적 기계적 연마 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랩은 상기 하우징의 바닥의 일측에서 상기 연마 패드의 가장자리 방향으로 연장되고, 아래로 경사진 화학적 기계적 연마 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 트랩은 상기 연마 패드의 밖으로 연장되는 화학적 기계적 연마 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랩은 상기 스핀들이 관통하는 관통홀을 포함하는 화학적 기계적 연마 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랩은 금속성 재질 또는 PVC재질로 구성된 화학적 기계적 연마 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랩의 상부면은 소수성으로 코팅된 화학적 기계적 연마 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징 내부에 상기 스핀들 및 모터를 이동시키는 레일을 더 포함하는 화학적 기계적 연마 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징은:
    상기 스핀들이 관통하고, 상기 스핀들이 이동되는 개구부; 및
    상기 스핀들에 고정결합되고, 상기 연마 패드와 평행하게 연장되는 차폐부를 포함하되,
    상기 차폐부는 상기 개구부와 수직적으로 중첩되는 화학적 기계적 연마 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 차폐부의 면적은 상기 개구부의 면적보다 큰 화학적 기계적 연마 장치.

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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10249707A (ja) * 1997-03-10 1998-09-22 Applied Materials Inc 化学的機械的研磨システム中で研磨パッドを調整する方法と装置
KR20010003267A (ko) * 1999-06-22 2001-01-15 윤종용 연마 헤드의 리테이너 링과 이를 구비한 화학기계적 연마장치
JP2002525885A (ja) * 1998-09-29 2002-08-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学的機械研磨用コンディショナ
US20050167048A1 (en) * 2003-10-24 2005-08-04 Applied Materials, Inc. Pad conditioning head for CMP process
KR20120099702A (ko) * 2009-11-03 2012-09-11 정인권 반도체 웨이퍼를 연마 및 세정하기 위한 장치 및 방법
KR20130083406A (ko) * 2012-01-12 2013-07-22 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10249707A (ja) * 1997-03-10 1998-09-22 Applied Materials Inc 化学的機械的研磨システム中で研磨パッドを調整する方法と装置
JP2002525885A (ja) * 1998-09-29 2002-08-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学的機械研磨用コンディショナ
KR20010003267A (ko) * 1999-06-22 2001-01-15 윤종용 연마 헤드의 리테이너 링과 이를 구비한 화학기계적 연마장치
US20050167048A1 (en) * 2003-10-24 2005-08-04 Applied Materials, Inc. Pad conditioning head for CMP process
KR20120099702A (ko) * 2009-11-03 2012-09-11 정인권 반도체 웨이퍼를 연마 및 세정하기 위한 장치 및 방법
KR20130083406A (ko) * 2012-01-12 2013-07-22 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치

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