KR20160024872A - 위조-방지 서명 - Google Patents

위조-방지 서명 Download PDF

Info

Publication number
KR20160024872A
KR20160024872A KR1020157036048A KR20157036048A KR20160024872A KR 20160024872 A KR20160024872 A KR 20160024872A KR 1020157036048 A KR1020157036048 A KR 1020157036048A KR 20157036048 A KR20157036048 A KR 20157036048A KR 20160024872 A KR20160024872 A KR 20160024872A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signature
substrate
layers
layer
ald
Prior art date
Application number
KR1020157036048A
Other languages
English (en)
Inventor
마르코 푸다스
Original Assignee
피코순 오와이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피코순 오와이 filed Critical 피코순 오와이
Publication of KR20160024872A publication Critical patent/KR20160024872A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06QINFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q30/00Commerce
    • G06Q30/018Certifying business or products
    • G06Q30/0185Product, service or business identity fraud
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
    • DTEXTILES; PAPER
    • D21PAPER-MAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE
    • D21HPULP COMPOSITIONS; PREPARATION THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASSES D21C OR D21D; IMPREGNATING OR COATING OF PAPER; TREATMENT OF FINISHED PAPER NOT COVERED BY CLASS B31 OR SUBCLASS D21G; PAPER NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D21H21/00Non-fibrous material added to the pulp, characterised by its function, form or properties; Paper-impregnating or coating material, characterised by its function, form or properties
    • D21H21/14Non-fibrous material added to the pulp, characterised by its function, form or properties; Paper-impregnating or coating material, characterised by its function, form or properties characterised by function or properties in or on the paper
    • D21H21/40Agents facilitating proof of genuineness or preventing fraudulent alteration, e.g. for security paper
    • D21H21/44Latent security elements, i.e. detectable or becoming apparent only by use of special verification or tampering devices or methods
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/08Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means
    • G06K19/10Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F3/00Labels, tag tickets, or similar identification or indication means; Seals; Postage or like stamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Finance (AREA)
  • Accounting & Taxation (AREA)
  • Development Economics (AREA)
  • Economics (AREA)
  • Entrepreneurship & Innovation (AREA)
  • Marketing (AREA)
  • Strategic Management (AREA)
  • General Business, Economics & Management (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)

Abstract

위조-방지 서명을 제품에 인가하는 방법, 그리고 위조-방지 서명이 제공된다. 상기 방법은 기판 및 서명의 유형을 선택하는 단계 그리고 원자층 증착 (atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 상기 기판 상에 상기 선택된 유형의 서명을 형성하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 서명을 형성하는 것은 분석 방법을 이용하여 탐지되도록 구성된 미리 정해진 특성을 가진 적어도 하나의 레이어를 원자층 증착 (ALD)에 의해 상기 기판 상에 인가하는 것을 포함한다.

Description

위조-방지 서명{Anti-counterfeit signature}
본 발명은 원자층 증착 (atomic layer deposition)에 일반적으로 관련된다. 더 상세하게는, 본 발명은 원자층 증착에 의해, 제품상에 식별 가능한 서명을 제공하는 방법에 관련된다.
점점 증가하는 경쟁적인 세계 시장에서, 제조된 제품들의 불법적인 복제들 및 위조품들이 판매를 위해 정기적으로 제공된다.
따라서, 바-코드와 같이 간단하며 눈에 보이는 것으로부터 복잡하며 "눈에 보이지 않는 (invisible)", 예를 들면, DNA 타간트 (taggant)들까지 범위인 이용 가능한 여러 위조-방지 기술들이 존재한다. 이런 마커들 또는 서명들 모두의 목적은 정부, 제조자, 최종 사용자들 또는 소비자들에 의해 아이템의 인증을 가능하게 하기 위한 것이다
종래 기술의 위조-방지 서명들은 제품에 적용하기 힘들 수 있으며 그리고/또는 값이 비쌀 수 있다. 또한, 상기 서명들의 구조는 정밀하고 간단한 방식으로 제어하기 어렵다. 또한, 특히 DNA-분자들의 시퀀스들처럼 보이지 않고 복잡한 서명들은 제거될 수 있으며, 뜻밖에 손상될 수 있으며 또는 나중에 추가될 수 있으며, 그리고 그것들을 분석하는 것은 시간을 소비하게 하고, 어려우며 그리고/또는 매우 특별한 장비 및/또는 실험실 환경을 필요로 한다.
상기 코드가 변경될 때에, 종래 기술의 위조-방지 방법들 대부분은 각 제품에 대해 개별적인 서명을 필요로 한다.
본 발명의 목적은, 원자층 증착에 의해 코팅 구조를 제공하여, 이하에서 설명되는 것과 같이 본 발명의 상이한 모습들에 따른 제품의 표면상에 복제하는 것이 어려운 식별 가능한 서명, 마커 또는 코드를 형성하도록 하는 방법 및 장치를 이용하여, 종래 기술의 위조-방지 서명 방식들의 불리함을 개선시키는 것이다.
본 발명의 첫 번째 예시의 모습에 따른 방법에 제공되며, 상기 방법은:
기판 및 서명의 유형을 선택하는 단계; 및
원자층 증착 (atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 상기 기판 상에 상기 선택된 유형의 서명을 형성하는 단계를 포함하며,
여기에서 상기 서명을 형성하는 것은 분석 방법을 이용하여 탐지되도록 구성된 미리 정해진 특성을 가진 적어도 하나의 레이어를 원자층 증착 (ALD)에 의해 상기 기판 상에 인가하는 것을 포함한다.
상기 서명을 형성하는 것은 여러 레이어들의 적층 구조를 상기 기판 상에 원자층 증착에 의해 인가하는 것을 포함할 수 있으며, 각 레이어는 원자층 증착 (ALD)에 의한 상기 기판 상에서 분석 방법을 이용하여 탐지되도록 구성된 특성을 가진다.
여러 레이어들의 상기 적층 구조를 인가하는 것은 상이한 미리 정의된 특성들을 가진 여러 레이어들을 인가하는 것을 포함할 수 있다.
여러 레이어들의 상기 적층 구조를 인가하는 것은 상이한 물질들을 포함하는 여러 레이어들을 인가하는 것을 포함할 수 있다.
기판을 선택하는 것은 상기 서명이 상기 제품에 직접 인가되는지 또는 분리된 기판 상에 인가되는지를 선택하는 것을 포함할 수 있다.
상기 방법은 상기 분리된 기판이 선택된다면 상기 서명이 제품에 부착되는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은 상기 제품으로부터 상기 기판을 제거하는 것을 가능하게 하도록 구성된 레이어로 상기 기판을 덮는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 분리된 기판은 그레인 (grain), 구체 (sphere), 파티클 (particle), 필라멘트 (filament) 및 나노튜브 (nanotube) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 미리 정의된 특성은 상기 레이어의 두께, 상기 레이어 재질의 동위 원소 (isotope) 비율, 레이어의 재질의 상대적인 비율, 상기 레이어의 광학적 특성, 상기 레이어의 전기적 특성, 그리고 상기 레이어의 자기적 (magnetic) 특성 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 분석 방법은 투과 분광 (transmission spectroscopy), 반사 분광 (reflection spectroscopy), 형광 분광 (fluorescence spectroscopy), 광학 분광 (optical spectroscopy), 원자력 현미경 (atomic force microscopy (AFM)), 스캐닝 터널링 현미경 (scanning tunneling microscopy (STM)), 컴퓨터 단층촬영 현미경 (computed tomography microscopy (CTM)), 집속 이온 빔 (focused ion beam (FIB)), 비행시간 탄성 반동 검파 분석 (time-of-flight elastic recoil detection analysis (TOF-ERDA)) 그리고 확산 반사율 분광 (diffuse reflectance spectroscopy (DRS)) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 방법은 3차원 구조를 제공하기 위해서 상기 증착된 레이어 또는 레이어들의 일부를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 예시의 모습에 따라, 상기 제1 예의 모습의 방법을 이용하여 증착된 위조-방지 서명이 제공된다.
본 발명의 제3 예시의 모습에 따라, 상기 제2 예시의 모습의 위조-방지 서명을 증착하기 위한 원자층 증착 (atomic layer deposition, ALD) 리액터 (reactor)가 제공된다.
본 발명의 제4 예시의 모습에 따라, 본 발명의 컴퓨터 프로그램이 프로세스 상에서 실행될 때에, 제1 예시의 모습의 방법을 수행하기 위한 코드를 포함하는 상기 컴퓨터 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제5 예시의 모습에 따라, 제4 예시의 모습의 컴퓨터 프로그램을 포함하는 메모리 매체가 제공된다.
본 발명의 비-속박적 예시의 모습들 및 실시예들이 앞에서 설명되었다. 상기 실시예들은 본 발명의 구현들에서 활용될 수 있을 선택된 모습들 및 단계들을 설명하기 위해서만 이용되었다. 몇몇의 실시예들은 본 발명의 특정 예시의 모습들을 참조하여서만 제시될 수 있을 것이다. 대응하는 실시예들이 다른 예시의 모습들에 마찬가지로 적용될 수 있을 것이라는 것이 인정되어야 한다. 상기 실시예들의 어떤 적절한 조합들도 형성될 수 있을 것이다.
본 발명의 효과는 본 명세서의 해당되는 부분들에 개별적으로 명시되어 있다.
본 발명은 동반된 도면들을 예로서만 참조하여 이제 설명될 것이다.
도 1a는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 위조-방지 서명을 위에서 본 모습 및 측면 모습을 개략적으로 보여준다.
도 1b는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 위조-방지 서명을 위에서 본 모습 및 측면 모습을 개략적으로 보여준다.
도 1c는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 위조-방지 서명을 위에서 본 모습 및 측면 모습을 개략적으로 보여준다.
도 1d는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 위조-방지 서명을 위에서 본 모습 및 측면 모습을 개략적으로 보여준다.
도 1e는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 위조-방지 서명을 위에서 본 모습 및 측면 모습을 개략적으로 보여준다.
도 2는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 방법의 개략적인 흐름 도면을 보여준다.
도 3은 상이한 레이어들을 구비한 횡단면을 도시한 이미지를 전자 현미경을 이용하여 시각화하여 보여 준다.
원자층 에피택시 (Atomic Layer Epitaxy (ALE)) 방법은 1970년대 초반에 Dr. Tuomo Suntola에 의해 발명되었다. 그 방법에 대한 다른 통칭적인 이름이 원자층 증착 (Atomic Layer Deposition (ALD))이며 그리고 그것은 오늘날 ALE 대신에 사용된다. ALD는 적어도 하나의 기판으로의 적어도 두 개의 반응성 선구물질 종들의 연속적인 도입을 기초로 하는 특별한 화학적 증착 방법이다.
ALD 성장 메커니즘의 기본들은 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자들에게 알려져 있다. 연속적인 자체-포화 표면 반응에 의해 기판 표면들 상에 물질들을 증착시키기 위해서, 적어도 하나의 기판이 일시적으로 분리된 선구 물질 펄스들에 반응 챔버 내에서 노출된다. 이 적용의 맥락에서, ALD의 용어는 모든 적용 가능한 ALD 기반 기술 그리고 어떤 등가의 기술 또는, 예를 들면, MLD (Molecular Layer Deposition) 및 PEALD (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) 기술들과 같이 가깝게 관련된 기술들을 포함한다.
기본적인 ALD 증착 사이클은 펄스 A, 퍼지 (purge) A, 펄스 B 및 퍼지 B의 네 개의 연속적인 단계들로 구성된다. 펄스 A는 제1 선구물질 증기로 구성되며 그리고 펄스 B는 다른 선구물질 증기로 구성된다. 불활성 기체 및 진공 펌프는 퍼지 A 및 퍼지 B 동안에 반응 공간으로부터 기체 반응 부산물들 및 잔류 반응물질 (reactant) 분자들을 제거하기 위해서 사용되는 것이 일반적이다. 증착 시퀀스는 적어도 하나의 증착 사이클을 포함한다. 올바른 조건들에서 생성된 사이클은 특정 두께를 가진, 예를 들면, 1.0
Figure pct00001
의 두께를 가진 등각 (conformal) 레이어를 생성한다. 상기 증착 시퀀스가 원하는 두께의 얇은 필름이나 코팅을 생성할 때까지 증착 사이클들이 반복된다. 그러므로, 상기 필름 두께는 사이클들의 개수에 의해서 실질적으로 정확하게 정해진다. 증착 사이클은 또한 더욱 복잡할 수 있다. 예를 들면, 상기 사이클들은 제거 (purging) 단계들에 의해 분리된 셋 또는 그 이상의 반응물질 증기 펄스들을 포함할 수 있다. 모든 이 증착 사이클들은 로직 유닛이나 마이크로프로세서에 의해서 제어되는 시기가 정해진 증착 시퀀스를 형성한다. 또한, 상기 증착은 어떤 파트 (part) 또는 파티클 (particle)들에 대해 등각으로 간주될 수 있지만, PEALD에서 그것은 단일 표면에 대해 오직 대각 (diagonal)일 수만 있다. 상기 대각 증착은 생성될 또 다른 특정한 특징, 즉, 상기 파트의 단 하나의 방향에서만의 증착을 가능하게 한다.
도 1a는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 위조-방지 서명을 위에서 본 모습 및 측면 모습을 개략적으로 보여준다. 제품 (100), 예를 들면, 집적된 캡슐화된 개별 컴포넌트에게 위조-방지 서명, 또는 마크 (110)가 제공되며, 이 위조-방지 서명, 또는 마크는 이하에서는 서명으로 또한 언급된다.
상기 서명 (110)은 직접 상기 제품 위에 또는 제품 내에 제공되며, 예를 들면, 그 제품 (100)의 표면 위에 제공되며, 대안으로 상기 제품 (100)의 표면 밑에 제공되며, 또는 분리된 파트로서, 즉, 상기 제품 또는 그 제품의 포장에 부착된 분리된 기판 상에 제공된다.
상기 서명 (110)은 한 레이어 또는 레이어들, 즉, 원자층 증착 (ALD) 방법에 의해서 제조된 코팅을 포함한다. 예시의 실시예에서, 상기 레이어 또는 레이어들 각각은 탐지 가능한 개수의 사이클들을 포함하며, 그래서, 예를 들면, 특정 개수의 사이클들은 코드의 또는 코드 내의 특정 값에 대응하도록 하며, 예를 들면 100 - 120 사이클들이 예를 들면 하나와 같은 특정 값을 마크하도록 한다. 통상의 지식을 가진 자는 상기 서명이 원자층 증착으로 코팅될 수 있는 어떤 제품상에도 적용 가능하다는 것을 인정할 것이다. 예시의 실시예에서, 상기 서명 (110)은 상기 ALD 레이어들 (125)용의 기판을 더 포함한다. 도 3 내 광학 필터의 단면의 예는 실리콘 표면 상의 상이한 레이어들의 탐지 가능한 두께를 보여준다.
예시의 실시예에서, 일 실시예에 따른 상기 서명 (110)은 원자층 증착에 의한 레이어 또는 필름 (125)으로 코팅된 그레인 (grain), 구체 (sphere), 필라멘트 (filament), 파이버 (fibre), 나노와이어 (nanowire), 나노튜브 (nanotube) 또는 파티클 (particle), 즉, 실리콘이나 금속과 같은 적합한 기판 물질의 작은 조각 (120)을 포함한다. 일 실시예에서, 기판의 작은 조각은 맨눈으로는 볼 수 없으며, 그리고 이하에서 설명되는 적합한 방법을 이용해서만 발견되며 그리고/또는 분석된다. 상기 기판의 작은 조각은 상기 제품의 제조 동안에 또는 제조 후에 통상적인 수단을 이용하여 상기 제품에 부착된다. 예시의 실시예에서, 원자층 증착 (ALD) 방법으로 증착된 레이어 또는 레이어들을 포함하는 하나보다 많은 그레인이 제품이나 제품 포장에 내장되거나 또는 그렇지 않다면 부착된다.
비록 상기 그레인 (120)에 대한 하나의 코팅 레이어 (125)가 보이지만, 동일한 또는 상이한 재질의 여러 레이어들이 대안으로서 적용되며, 이는 예를 들어 이하에서 도 1b 및 도 1c를 참조하여 설명된다. 예시의 실시예에서, 상기 레이어 또는 레이어들은 금속 산화 물질 또는 금속 산화 물질들을 포함하며, 따라서 나노와이어 또는 파티클과 같은 상기 그레인 (120)은 상기 서명이 인가되고 있는 제품의 제조 및/또는 어셈블리 동안에 기계적인 그리고/또는 열적인 스트레스들에 극도로 잘 견딘다.
또한, 상기 레이어 또는 레이어들은 상기 그레인의 전체 표면을 덮을 필요는 없지만, 대신에 또는 추가로 레이어 또는 레이어들은 상기 그레인의 표면의 일부를 덮는다. 또한, 레이어의 두께는 추가의 실시예에서 균일하지 않다. 추가의 실시예에서, 상기 레이어들의 재질들 및/또는 광학적, 자기적 (magnetic), 전기적 또는 기계적인 특성들은 상기 레이어들 사이에서 그리고/또는 상기 레이어들 내에서 변한다.
추가의 실시예에서, 상기 그레인은, 예를 들면, 분해 (dissolving) 또는 용해 (melting)에 의해서 제거될 수 있는 레이어로 더 덮여지며, 그래서 상기 그레인은, 예를 들면, 검사 이후에 상기 제품으로부터 쉽게 제거될 수 있으며, 또는, 분석 이전에 상기 제품으로부터 제거될 수 있으며, 예를 들면, 상기 레이어를 적합한 액체를 이용하여 분해하고 그리고 그 결과 다음의 분석을 위해서 상기 그레인을 상기 액체 내부로 추출하여, 분석 이전에 상기 제품으로부터 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 레이어, 또는 추가의 레이어들은 UV 형광 현미경 (fluorescence microscopy)과 같은 방법을 통해서 자신을 탐지하는 것을 가능하게 하는 특성을 가지도록 구성된다. 예시의 추가 실시예에서, 상기 그레인은 자기적 (magnetic) 특성들을 가지며, 그래서 그 그레인이 자기적 인력을 이용해서, 예를 들면, 분석을 위해 특정 위치나 체적 내부로 쉽게 수집될 수 있도록 한다.
도 1b는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 위조-방지 서명을 위에서 본 모습 및 측면 모습을 개략적으로 보여준다. 불연속적인 라인은 도 1b가 등각 코팅의 다른 횡단면을 보여준다는 것을 표시한다. 다시, 제품 (100), 예를 들면, 집적된 캡슐화된 개별 컴포넌트에게 위조-방지 서명, 또는 마크 (110)가 제공된다. 일 실시예에 따른 상기 서명 (110)은 상기 제품 (100) 상에, 또는 대안으로 상기 제품 (100) 상에 제공된 분리된 기판 상에, 원자층 증착에 의해서 증착된 레이어들 (112,114,116)을 포함한다. 다른 말로 하면, 상기 서명 (110)은 원자층 증착에 의해 증착된 적층 구조를 포함한다. 원자층 증착이 아주 얇은 레이어들을, 즉, 예를 들면 0.1 나노미터의 크기의 두께를 가진 레이어들을 생산할 수 있으며, 따라서 레이어들의 개수가 증가하는 것은 제품의 표면 토폴로지에 즉시 영향을 미치지 않으므로, 비록 세 개의 레이어들이 보이지만, 상기 레이어들의 개수는 그것으로 또는 어떤 특별한 개수로 제한되지 않는다. 상기 레이어들 (112,114,116)은 원자층 증착 (ALD)에 의해서 쉽게 생산되는 소위 적층 구조를 형성하며, 이는 상기 ALD 방법에 의해 가능해진 레이어의 두께와 같은 레이어 특성들에 대한 정밀한 제어로 인한 것이다.
도 1c는 상기 증착된 레이어들이 알려진 패터닝 방법들을 이용하여 한정된 영역으로 제한되는 실시예를 보여준다.
일 실시예에서, 상기 서명의 레이어들 (112,114,116)은 코드의 유형을 형성하며, 즉, 필요한 적합한 방법을 이용하여 독출되는 내부의 인코드된 정보를 포함한다. 상기 레이어 또는 레이어드 (layered) 특성들은 미리 정의되지 않으며 그리고 원자층 증착 (ALD) 방법을 변경하여 쉽게 제어된다. 상기 레이어 또는 레이어들의 상기 미리 정의된 특성 또는 특성들은 상기 서명이 검증되기를 바랄 때에 적합한 분석 방법을 이용하는 도구를 이용하여 탐지되도록 구성된다. 상기 코드는 예를 들면 상기 원자층 증착이 수행되는 상태들 및 소스 물질을 변경함으로써 생성된다. 그 정보는 예를 들면 상기 두께들, 상기 레이어들의 재질을 변경함으로써, 재질이나 재질들의 동위 원소 (isotope)의 비율들을 변경함으로써 또는 산화물 내 산소 비율과 같이 합성물 내 어떤 요소의 상대적인 비율을 변경함으로써 상기 서명 내에서 인코드된다. 추가의 실시예에서, 이전에 또한 설명되었듯이, 상기 레이어들의 재질들 및/또는 광학적, 자기적, 전기적 또는 기계적 특성들과 같은 특성들은 상기 레이어들 사이에서 그리고/또는 상기 레이어들 내에서 변한다. 예시의 실시예에서, 상기 코드는 예를 들면 레이어들에 의해서 형성되며, 그 레이어들은 상이한 두께들을 가지며, 각 두께는 상기 코드 내의 숫자 또는 문자와 같이 미리 정의된 값에 대응한다. 예로서, 상기 적층 구조는 도 3에서 보이는 것처럼 실리콘 기판 상의 Ta2O5 및 MgF2의 교번하는 레이어들을 포함한다.
통상의 지식을 가진 자는 비록 상기 적층 구조가 평평한 기판 상에 또는 제품의 평평한 표면상에 도시되었지만, 실시예에 따른 여러 레이어들을 포함한 상기 서명은 다양한 기판들 및 표면들에, 예를 들면, 도 1을 참조하여 이전에 설명된 것과 같은 기판에 쉽게 인가될 수 있다는 것을 인정한다.
도 1d는 본 발명의 예시의 실시예에 따른 위조-방지 서명을 위에서 본 모습 및 측면 모습을 개략적으로 보여준다. 다시, 제품 (100), 예를 들면, 집적 회로 (IC)에게 위조-방지 서명, 또는 마크 (110)가 제공된다. 실시예에 따른 상기 서명 (110)은 구조들 (130), 즉, 상기 서명의 부분들에서 제1 두께를 가지며 그리고 상기 서명의 부분들에서 제2 두께를 가지는 레이어를 포함한다. 다시 상기 서명은 상기 제품 (100)의 부분들 또는 상기 표면의 선택된 부분 상에, 또는 대안으로는 상기 제품 (100) 상에 제공된 분리된 기판 상에 원자층 증착에 의해서 증착된다. 상기 구조들 (130)은 내부에 인코드된 정보를 포함하는 바-코드 또는 QR-코드와 유사한 2차원 코드를 형성한다. 예시적인 실시예에서, 그 패턴은 포토레지스트 증착 및 에칭, 원자력 현미경 (atomic force microscopy (AFM)) 스크래칭, 버닝, 이온 빔 에칭, 전자 빔 에칭, 리소그래피 또는 나노리소그래피와 같은 얇은 막 패턴 생성의 알려진 방법들을 이용하여 생성된다.
도 1e는 에폭시 팩 실리콘 컴포넌트의 경우인 본 발명의 더욱 특별한 예시의 실시예를 보여준다. 실리콘이 상기 에폭시 내에 내장되며, 본딩 와이어들 및 리드프레임 (128)을 이용하여 연결들을 패키지 외부로 이끈다. 적어도 하나의 위조-방지 서명 파티클 (110)이 상기 표면 내부에 부분적으로 또는 표면상에 제공된다.
상기 서명의 상기 구조는 이전에 설명된 것처럼 기판 (120)에 또는 상기 제품의 표면에 레이어를 이루어, 즉, 적층 구조를 등각적으로 증착시킴으로써 생성되며 그리고 일 예시의 실시예에서 3차원 구조를 형성하기 위해서 증착된 상기 레이어 또는 상기 레이어들의 일부들을 연이어서 제거하거나 또는 횡단면을 제공하여 생성된다. 대안으로, 상기 구조는 상기 기판의 표면의 부분들을 나누어서 코팅하여 생성될 수 있을 것이다. 상기 레이어들의 부분들을 제거하는 것은 일 실시예에서 분해, 에칭 또는 용해와 같은 알려진 방법을 이용하여 수행된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 방법의 개략적인 흐름 도면을 보여준다. 단계 210에서, 위조-방지 서명을 위한 기판 그리고 서명의 유형이 선택된다. 이전에 설명된 것처럼 상기 서명은 직접적으로 인가되며, 즉, 제품 그 자체 위에 증착되며, 상기 서명은 분리된 기판 상에 증착되며, 또는 상기 서명은 코팅된 그레인처럼 ALD에 의해서 코팅된 분리된 기판을 포함한다. 서명의 유형은 이전에 설명된 예시의 실시예들, 또는 그것들의 조합에 따라서 선택된다. 단계 220에서 상기 선택된 서명 유형에 따라 상기 선택된 기판에 ALD 코팅이 인가된다. 분리된 기판 상에, 예를 들면, 분리된 파티클 또는 그레인 상에 서명이 인가된다면, 그 서명은 이전에 설명된 것처럼, 예를 들면 상기 서명 레이어를 구비한 코팅된 그레인을 상기 제품 내부에, 예를 들면, 에폭시 레이어 내에 내장시킴으로써, 단계 230에서 원하는 제품에 부착된다.
상기 서명을 분석하기 위해서, 즉, 검증하기 위해서, 상기 레이어 또는 레이어들은 적합한 도구들 및 상기 서명을 포함하는 제품상에 직접적으로 적용되거나 또는 상기 서명을 포함한 기판이 상기 제품으로부터 제거된 이후에 적용된 적합한 분석 방법을 이용하여 분석된다. 표면 또는 횡단면에 대각인 예시의 실시예에서, 재질 및 레이어 특성 측정의 적합한 분석 방법들은 예를 들면 투과 분광 (transmission spectroscopy), 반사 분광 (reflection spectroscopy), 형광 분광 (fluorescence spectroscopy), 광학 분광 (optical spectroscopy), 원자력 현미경 (atomic force microscopy (AFM)), 스캐닝 터널링 현미경 (scanning tunneling microscopy (STM)), 컴퓨터 단층촬영 현미경 (computed tomography microscopy (CTM)), 집속 이온 빔 (focused ion beam (FIB)), 비행시간 탄성 반동 검파 분석 (time-of-flight elastic recoil detection analysis (TOF-ERDA)) 그리고 확산 반사율 분광 (diffuse reflectance spectroscopy (DRS))과 같은 방법들을 포함한다.
특허 청구항들의 범위 및 해석을 제한하지 않으면서, 여기에서 설명된 하나 또는 그 이상의 실시예들의 특정 기술적인 효과들은 다음에서 열거된다: 한 가지 기술적인 효과는 비용-효율적인 위조-방지 서명이다. 다른 기술적인 효과는 쉽게 적용 가능한 위조-방지 서명을 제공한다는 것이다. 또 다른 기술적인 효과는 아주 다양한 제품들을 위해 적합한 서명을 공급하는 것이다. 다른 추가의 기술적인 효과는 향상된 유연성 및 변화성을 가진 위조-방지 서명을 제공한다는 것이다. 다른 추가의 기술적인 효과는 특성들이 쉽게 미리 정의되고 제어될 수 있는 위조-방지 서명을 제공한다는 것이다. 또한, 기술적인 효과는 많은 개수의 파티클들 상에 생성될 수 있는 위조-방지 서명을 제공하며, 그리고 그 파티클들은 많은 개수의 샘플들로 분할될 수 있어서 제품 시리즈들에 관련된 서명을 생성하는 비용이 낮아지게 만든다.
이전에 설명된 기능들 및 방법 단계들 중 몇몇은 상이한 순서로 그리고/또는 서로 동시에 수행될 수 있을 것이라는 것에 유의해야 한다. 또한, 상기 설명된 기능들 또는 방법 단계들 중 하나 또는 그 이상은 옵션일 수 있으며 또는 결합될 수 있을 것이다.
전술한 설명은 본 발명을 수행하기 위해서 발명자들이 숙고한 최선 모드의 완전한 그리고 정보를 제공하는 설명을 본 발명의 특별한 구현들 및 실시예들의 비-제한하는 예들로 제공한다. 그러나, 본 발명이 위에서 제시된 실시예들의 상세한 내용으로 제한되는 것이 아니며, 본 발명의 특징들로부터 벗어나지 않으면서 등가의 수단을 이용한 다른 실시예들에서 구현될 수 있다는 것은 본 발명이 속한 기술 분야에서의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백하다.
또한, 본 발명의 상기 설명된 실시예들의 몇몇의 특징들은 다른 특징들의 대응하는 사용이 없이도 유리하게 사용될 수 있다. 그처럼, 전술한 설명은 본 발명의 원칙들을 단지 예시하는 것으로 간주되어야만 하며, 그리고 본 발명의 제한으로서 간주되지 않아야 한다. 그래서, 본 발명의 범위는 첨부된 특허 청구항들에 의해서만 제한된다.

Claims (15)

  1. 위조-방지 서명을 제품에 인가하는 방법으로:
    기판 및 서명의 유형을 선택하는 단계; 및
    원자층 증착 (atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 상기 기판 상에 상기 선택된 유형의 서명을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 서명을 형성하는 것은 분석 방법을 이용하여 탐지되도록 구성된 미리 정해진 특성을 가진 적어도 하나의 레이어를 원자층 증착 (ALD)에 의해 상기 기판 상에 인가하는 것을 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 서명을 형성하는 것은 여러 레이어들의 적층 구조를 상기 기판 상에 원자층 증착에 의해 인가하는 것을 포함하며,
    각 레이어는 원자층 증착 (ALD)에 의한 상기 기판 상에서 분석 방법을 이용하여 탐지되도록 구성된 특성을 가지는, 방법.
  3. 전술한 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    여러 레이어들의 상기 적층 구조를 인가하는 것은 상이한 미리 정의된 특성들을 가진 여러 레이어들을 인가하는 것을 포함하는, 방법.
  4. 전술한 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    여러 레이어들의 상기 적층 구조를 인가하는 것은 상이한 물질들을 포함하는 여러 레이어들을 인가하는 것을 포함하는, 방법.
  5. 전술한 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    기판을 선택하는 것은 상기 서명이 상기 제품에 직접 인가되는지 또는 분리된 기판 상에 인가되는지를 선택하는 것을 포함하는, 방법.
  6. 전술한 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분리된 기판이 선택된다면 상기 서명이 제품에 부착되는 단계를 더 포함하는, 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제품으로부터 상기 기판을 제거하는 것을 가능하게 하도록 구성된 레이어로 상기 기판을 덮는 단계를 더 포함하는, 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 분리된 기판은 그레인 (grain), 구체 (sphere), 파티클 (particle), 필라멘트 (filament) 및 나노튜브 (nanotube) 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
  9. 전술한 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미리 정의된 특성은 상기 레이어의 두께, 상기 레이어 재질의 동위 원소 (isotope) 비율, 레이어의 재질의 상대적인 비율, 상기 레이어의 광학적 특성, 상기 레이어의 전기적 특성, 그리고 상기 레이어의 자기적 (magnetic) 특성 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
  10. 전술한 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분석 방법은 투과 분광 (transmission spectroscopy), 반사 분광 (reflection spectroscopy), 형광 분광 (fluorescence spectroscopy), 광학 분광 (optical spectroscopy), 원자력 현미경 (atomic force microscopy (AFM)), 스캐닝 터널링 현미경 (scanning tunneling microscopy (STM)), 컴퓨터 단층촬영 현미경 (computed tomography microscopy (CTM)), 집속 이온 빔 (focused ion beam (FIB)), 비행시간 탄성 반동 검파 분석 (time-of-flight elastic recoil detection analysis (TOF-ERDA)) 그리고 확산 반사율 분광 (diffuse reflectance spectroscopy (DRS)) 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
  11. 전술한 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    3차원 구조를 제공하기 위해서 상기 증착된 레이어 또는 레이어들의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  12. 전술한 항들 중 어느 한 항의 방법으로 증착된 위조-방지 서명.
  13. 청구항 12의 위조-방지 서명을 증착하기 위한 원자층 증착 (atomic layer deposition, ALD) 리액터.
  14. 컴퓨터 프로그램으로서:
    상기 컴퓨터 프로그램이 프로세스 상에서 실행될 때에,
    제1항 내지 제11항 중 어느 하나의 방법을 수행하기 위한 코드를 포함하는 컴퓨터 프로그램.
  15. 제14항의 컴퓨터 프로그램을 포함하는 메모리 매체.
KR1020157036048A 2013-06-27 2013-06-27 위조-방지 서명 KR20160024872A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/FI2013/050714 WO2014207290A1 (en) 2013-06-27 2013-06-27 Anti-counterfeit signature

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160024872A true KR20160024872A (ko) 2016-03-07

Family

ID=52141144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157036048A KR20160024872A (ko) 2013-06-27 2013-06-27 위조-방지 서명

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10600058B2 (ko)
EP (1) EP3014533A4 (ko)
JP (1) JP6411484B2 (ko)
KR (1) KR20160024872A (ko)
CN (1) CN105339523B (ko)
RU (1) RU2015155194A (ko)
SG (1) SG11201509725WA (ko)
TW (1) TWI643088B (ko)
WO (1) WO2014207290A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6732202B2 (ja) 2016-05-19 2020-07-29 Smc株式会社 電磁弁
JP6998941B2 (ja) * 2016-09-15 2022-01-18 アリラ インコーポレイテッド 製品認証のシステムおよび方法
CN107643269B (zh) * 2017-08-31 2020-02-04 深圳市中达瑞和科技有限公司 交叉字迹时序鉴别方法、系统及计算装置
US10618340B2 (en) 2018-05-16 2020-04-14 Viavi Solutions Inc. Security feature based on a single axis alignment of mirrors in a structured surface that forms a micro mirror array

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4864281A (en) * 1986-02-12 1989-09-05 E.A.S. Technologies, Inc. Ferromagnetic label for use in anti-theft surveillance system
US6216949B1 (en) * 1996-06-28 2001-04-17 Bundesdruckerei Gmbh Process for protecting products against forgery by means of machine-readable distinctive safety features
JP3329234B2 (ja) * 1997-06-20 2002-09-30 凸版印刷株式会社 偽造防止用フィルム及び偽造防止用転写箔
JP3707280B2 (ja) 1999-01-19 2005-10-19 東陶機器株式会社 衛生洗浄装置
GB0015873D0 (en) * 2000-06-28 2000-08-23 Rue De Int Ltd Optically variable security device
KR100400246B1 (ko) 2000-12-29 2003-10-01 주식회사 하이닉스반도체 고집적 디램용 셀 커패시터의 제조방법
US7085616B2 (en) * 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US7629017B2 (en) 2001-10-05 2009-12-08 Cabot Corporation Methods for the deposition of conductive electronic features
US7517791B2 (en) 2004-11-30 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2006186331A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
FI121750B (fi) * 2005-11-17 2011-03-31 Beneq Oy ALD-reaktori
EP2033132A4 (en) * 2006-06-23 2010-09-08 Semiconductor Energy Lab PERSONAL DATA MANAGEMENT SYSTEM AND NON-VOLATILE MEMORY CARD
US20080264563A1 (en) * 2007-04-26 2008-10-30 Joseph Kuczynski Apparatus and Method to Enable Easy Removal of One Substrate from Another for Enhanced Reworkability and Recyclability
AT509792A1 (de) * 2010-05-04 2011-11-15 Hueck Folien Gmbh Sicherheitselemente mit metallischen magnetschichten
JP5927305B2 (ja) * 2011-11-22 2016-06-01 ピコサン オーワイPicosun Oy 基板群を処理する原子層堆積反応炉およびその方法
EP2688011A1 (de) * 2012-07-19 2014-01-22 3S Simons Security Systems GmbH Mikropartikel, insbesondere Mikropartikel zur fälschungssicheren Kennzeichnung von Produkten
US8791023B2 (en) * 2012-08-31 2014-07-29 Eastman Kodak Company Patterned thin film dielectric layer formation

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201509725WA (en) 2015-12-30
CN105339523A (zh) 2016-02-17
US10600058B2 (en) 2020-03-24
EP3014533A1 (en) 2016-05-04
WO2014207290A1 (en) 2014-12-31
RU2015155194A (ru) 2017-08-01
JP2016535685A (ja) 2016-11-17
CN105339523B (zh) 2020-04-14
JP6411484B2 (ja) 2018-10-24
US20160140573A1 (en) 2016-05-19
EP3014533A4 (en) 2016-11-09
TWI643088B (zh) 2018-12-01
TW201506672A (zh) 2015-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Eom et al. General trends in core–shell preferences for bimetallic nanoparticles
Hawkeye et al. Glancing angle deposition: Fabrication, properties, and applications of micro-and nanostructured thin films
Hawkeye et al. Glancing angle deposition of thin films: engineering the nanoscale
Geier et al. Rapid and highly compact purification for focused electron beam induced deposits: a low temperature approach using electron stimulated H2O reactions
KR20160024872A (ko) 위조-방지 서명
JP6894457B2 (ja) 標的設計及び製造における誘導自己組織化方法
Wang et al. Ordered arrays of nanoporous gold nanoparticles
Alkemade et al. Imaging and Nanofabrication With the Helium Ion Microscope of the V an L eeuwenhoek Laboratory in D elft
Winkler et al. The nanoscale implications of a molecular gas beam during electron beam induced deposition
Spencer et al. Electron-induced surface reactions of η3-allyl ruthenium tricarbonyl bromide [(η3-C3H5) Ru (CO) 3Br]: Contrasting the behavior of different ligands
Mulders et al. Fabrication of pure gold nanostructures by electron beam induced deposition with Au (CO) Cl precursor: deposition characteristics and primary beam scattering effects
Mavropoulos et al. Exchange coupling in transition‐metal nanoclusters on Cu (001) and Cu (111) surfaces
González‐García et al. Structure of Glancing Incidence Deposited TiO2 Thin Films as Revealed by Grazing Incidence Small‐Angle X‐ray Scattering
CN106460167A (zh) 基于模板掩模的沉积方法及在制造载有多功能可追溯代码的标签上的应用
Junige et al. Area-selective atomic layer deposition of Ru on electron-beam-written Pt (C) patterns versus SiO2 substratum
Hui et al. Area-selective atomic layer deposition of metal oxides on DNA nanostructures and its applications
Shawrav et al. Electron Beam‐Induced CVD of Nanoalloys for Nanoelectronics
Liang et al. Femtosecond laser ablation of quantum dot films toward physical unclonable multilevel fluorescent anticounterfeiting labels
Rohdenburg et al. Combined Ammonia and Electron Processing of a Carbon-Rich Ruthenium Nanomaterial Fabricated by Electron-Induced Deposition
Lee et al. Vertical stacking of three-dimensional nanostructures via an aerosol lithography for advanced optical applications
Peeters et al. Tailoring iron (III) oxide nanomorphology by chemical vapor deposition: Growth and characterization
Popescu et al. Au–Ge bonding on a uniformly Au‐covered Ge (001) surface
Savan et al. Structure zone investigation of multiple principle element alloy thin films as optimization for nanoindentation measurements
Himpsel et al. Electronic states in magnetic nanostructures
EP2930662B1 (de) Strichcodeträgerpartikel, herstellung und verwendung

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid