KR20160024647A - Grid device for preventing scattering of radiation, and method for manufacturing the same - Google Patents

Grid device for preventing scattering of radiation, and method for manufacturing the same Download PDF

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KR20160024647A
KR20160024647A KR1020140111730A KR20140111730A KR20160024647A KR 20160024647 A KR20160024647 A KR 20160024647A KR 1020140111730 A KR1020140111730 A KR 1020140111730A KR 20140111730 A KR20140111730 A KR 20140111730A KR 20160024647 A KR20160024647 A KR 20160024647A
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radiation
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조수제
문종국
정연복
이지영
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주식회사 오피트
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Abstract

According to the present invention, a grid device for preventing scattering of radiation and a manufacturing method thereof are disclosed. According to the present invention, the grid device for preventing scattering of radiation comprises a substrate in which a plurality of microholes having predetermined patterns is formed. The substrate is a glass or ceramic substrate and a radiation shielding material is coated on surfaces of the micro holes. Therefore, the present invention has simple manufacturing processes to reduce manufacturing costs.

Description

방사선 산란 방지용 그리드 장치 및 그 제조 방법{GRID DEVICE FOR PREVENTING SCATTERING OF RADIATION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a grid device for preventing scattering of radiation, and a manufacturing method thereof. [0002]

본 발명은 방사선 영상 장치용 그리드 장치 및 상기 그리드 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a grid apparatus for a radiation imaging apparatus and a method of manufacturing the grid apparatus.

방사선(예컨대, 엑스선)을 이용한 영상 장치는 의료 분야에서 많이 활용되고 있다. Imaging devices using radiation (e.g., X-rays) are widely used in the medical field.

의료분야의 엑스선(x-ray) 촬영은 광범위한 의료 행위의 기본 요소 중 하나로, 엑스선 촬영은 검사하고자 하는 인체 부위에 엑스선을 조사하여 투과된 엑스선으로 상을 만들어 인체 내부의 상태 또는 병변을 알아내는 진단 방사선 검사방법이다. 이는 엑스선이 인체를 투과할 때 조직마다 흡수량이 다른 것을 이용한 것인데 엑스선은 인체를 통과하면서 일부가 흡수될 뿐만 아니라 일부는 산란되어 상을 흐리게 한다. X-ray imaging in the medical field is one of the basic elements of a wide range of medical activities. X-ray imaging involves radiographing X-rays on the body part to be examined, It is a radiation examination method. This is because when the x-ray penetrates the human body, the amount of absorption is different from tissue to tissue. The x-ray is partially absorbed while passing through the human body, and some parts are scattered and blurred.

엑스레이 그리드(X-ray grid)는 산란된 엑스선에 의하여 상이 흐려지는 것을 방지하기 위하여 사용되며 피사체(인체)와 필름 사이에 배치된다. An X-ray grid is used to prevent images from being blurred by scattered x-rays and is placed between the subject (human body) and the film.

그러나 피사체를 통과하여 피사체의 정보를 가진 엑스레이는 검출기에 도달하기 전에 자체 산란으로 인해 정보가 손실되는 문제가 발생하고 있다. 이러한 산란광을 차단하고, 산란되지 않은 엑스레이만을 선별하여 투과시키는 구조물로서 사용되는 것이 엑스레이 그리드이다.However, there is a problem that the x-ray having the information of the object passing through the subject loses information due to self-scattering before reaching the detector. An x-ray grid is used as a structure to block scattered light and selectively transmit only unscattered x-rays.

종래 기술에 따른 엑스레이 그리드는 납 시트와 알루미늄 시트를 에폭시 등으로 접착시킨 것을 소정의 두께로 잘라서 일렬로 특정한 각도로 붙여서 만들어진다.An X-ray grid according to the prior art is made by cutting a lead sheet and an aluminum sheet with an epoxy or the like to a predetermined thickness and attaching the lead sheet and the aluminum sheet at a certain angle in a line.

이와 같이 만들어지는 종래 기술에 따른 엑스레이 그리드는 제조공정이 지나치게 길고 만들려는 형상에 제한이 많다. 또 현재 가장 얇은 납 시트의 경우 20um정도에 불과하므로, 인치당 라인수가 증가됨에 따라, 대응할 수 있는 제품이 역시 제한되게 된다.The X-ray grid according to the prior art thus manufactured has an excessively long manufacturing process and has many limitations on the shape to be made. Also, since the current thinnest lead sheet is only about 20um, as the number of lines per inch increases, a product that can cope with is also limited.

1. 대한민국 공개특허공보 제10-2001-0044474호(2001. 06. 05)1. Korean Patent Publication No. 10-2001-0044474 (June 05, 2001) 2. 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0009811호(2012. 02. 02)2. Korean Patent Publication No. 10-2012-0009811 (Feb. 02, 2012)

본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 제조 공정이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있는 방사선 산란 방지용 그리드 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a grid for preventing radiation scattering and a method of manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법은 기판에 소정 패턴을 가지는 복수의 마이크로 홀들(holes)을 형성하는 단계; 및 상기 마이크로 홀들 사이의 격벽의 표면에 방사선 차폐 물질을 코팅하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a radiation scattering grid, including: forming a plurality of micro holes having a predetermined pattern on a substrate; And coating a surface of the barrier rib between the microholes with a radiation shielding material.

상기 방사선 차폐 물질은 납, 금, 텅스텐, 구리, 니켈, 및 은 중 하나 이상을 포함하는 다층막 또는 합금일 수 있다.The radiation shielding material may be a multilayer film or an alloy including at least one of lead, gold, tungsten, copper, nickel, and silver.

상기 방사선 차폐물질의 코팅 두께는 5~20um 사이일 수 있다.The coating thickness of the radiation shielding material may be between 5 and 20 um.

상기 기판은 감광성 유리 기판일 수 있다.The substrate may be a photosensitive glass substrate.

상기 복수의 마이크로 홀들을 형성하는 단계는 상기 감광성 유리에 상기 마이크로 홀들을 형성할 영역을 표시하는 그리드 패턴을 형성하고, 상기 그리드 패턴에 따라 상기 영역을 레이저로 노광하는 단계; 상기 레이저로 노광된 상기 유리를 열처리하여 상기 영역을 결정화하는 단계; 및 상기 결정화된 영역을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. The forming of the plurality of micro holes may include forming a grid pattern on the photosensitive glass to form the microholes, and exposing the region to laser according to the grid pattern; Heat-treating the glass exposed by the laser to crystallize the region; And removing the crystallized region.

상기 마이크로 홀들의 벽면에 방사선 차폐 물질을 코팅하는 단계는 무전해도금, 전기도금 및 기상화학증착법 중 하나 이상이 적용될 수 있다. The step of coating the wall surface of the microholes with a radiation shielding material may be carried out by one or more of electroless plating, electroplating, and vapor-phase chemical vapor deposition.

본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드 장치는 상기 방법에 의해 제조될 수 있다.A grid apparatus for preventing radiation scattering according to an embodiment of the present invention can be manufactured by the above method.

본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드 장치는 The grid device for radiation scattering prevention according to the embodiment of the present invention

소정 패턴을 가지는 복수의 마이크로 홀들(holes)이 형성된 기판을 포함한다.And a substrate on which a plurality of micro holes having predetermined patterns are formed.

상기 기판은 유리 또는 세라믹(ceramics) 기판이고, 상기 복수의 마이크로 홀들 사이의 격벽의 종횡비가 10 내지 40 이며, 상기 격벽의 표면에 방사선 차폐 물질이 코팅된다.The substrate is a glass or ceramics substrate, the aspect ratio of the barrier between the plurality of microholes is 10 to 40, and the surface of the barrier is coated with a radiation shielding material.

본 발명의 실시예에 따르면, 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 공정이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the manufacturing process of the grid for preventing radiation scattering is simple and the manufacturing cost can be reduced.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 공정이 간단하여 다양한 제품에 적용가능하도록 구현될 수 있어, 대응할 수 있는 제품에 제한이 없다.In addition, according to the embodiment of the present invention, the manufacturing process of the grid for preventing radiation scattering is simple and can be applied to various products, and there is no limit to the products that can cope with.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 영상장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 방사선 산란 방지용 그리드를 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2에 도시된 그리드의 제1 부분 및 제2 부분의 일 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 4 및 도 5는 도 2에 도시된 그리드의 제1 부분의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 장치의 제조 방법을 좀 더 구체적으로 나타내는 흐름도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드를 제조하는 방법의 일 실시예를 순차적으로 나타낸 수직 단면도들이다.
1 is a view schematically showing a radiation imaging apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing the radiation scattering prevention grid shown in FIG. 1. FIG.
Figs. 3A and 3B are enlarged views showing an embodiment of a first portion and a second portion of the grid shown in Fig. 2, respectively. Fig.
Figs. 4 and 5 are enlarged views showing another embodiment of the first portion of the grid shown in Fig. 2. Fig.
6 is a flowchart schematically showing a method of manufacturing a grid according to an embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a grid apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 to 11 are vertical sectional views sequentially showing an embodiment of a method of manufacturing a grid according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.It is to be understood that the specific structural or functional descriptions of embodiments of the present invention disclosed herein are only for the purpose of illustrating embodiments of the inventive concept, But may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.

본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Embodiments in accordance with the concepts of the present invention are capable of various modifications and may take various forms, so that the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail herein. It should be understood, however, that it is not intended to limit the embodiments according to the concepts of the present invention to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, or alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로도 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are intended to distinguish one element from another, for example, without departing from the scope of the invention in accordance with the concepts of the present invention, the first element may be termed the second element, The second component may also be referred to as a first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises ", or" having ", or the like, specify that there is a stated feature, number, step, operation, , Steps, operations, components, parts, or combinations thereof, as a matter of principle.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not.

도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되거나, 층이 다른 층 또는 기판과 결합 또는 접착된다고 언급되는 경우에, 그것은 다른 층 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. When a layer is referred to as being "on" another layer or substrate, or when it is mentioned that a layer is bonded or bonded to another layer or substrate, it may be formed directly on another layer or substrate, May be intervening. Like numbers refer to like elements throughout the specification.

상단, 하단, 상면, 하면, 전면, 후면, 또는 상부, 하부 등의 용어는 구성요소에 있어 상대적인 위치를 구별하기 위해 사용되는 것이다. 예를 들어, 편의상 도면상의 위쪽을 상부, 도면상의 아래쪽을 하부로 명명하는 경우, 실제에 있어서는 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 상부는 하부로 명명될 수 있고, 하부는 상부로 명명될 수 있다.Terms such as top, bottom, top, bottom, front, rear, or top, bottom, etc. are used to distinguish relative positions in the components. For example, in the case of naming the upper part of the drawing as upper part and the lower part as lower part in the drawings for convenience, the upper part may be named lower part and the lower part may be named upper part without departing from the scope of right of the present invention .

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 영상장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 이를 참조하면, 방사선 영상장치는 방사선 조사기(1), 방사선 산란 방지용 그리드(이하, '그리드'라 축약함)(10) 및 방사선 검출기(3)를 포함한다.1 is a view schematically showing a radiation imaging apparatus according to an embodiment of the present invention. The radiation imaging apparatus includes a radiation irradiator 1, a radiation scattering prevention grid 10 (hereinafter abbreviated as 'grid'), and a radiation detector 3.

방사선 조사기(1)는 검사하고자 하는 대상(피사체, 예컨대, 인체 부위)(2)에 방사선(예컨대, 엑스선, 알파선, 베타선, 감마선 등)을 조사하기 위한 장치이다. 실시예에 따라, 방사선 조사기(1)는 엑스선(X-ray)을 조사할 수 있는 엑스선 조사기일 수 있다.The radiation irradiator 1 is a device for irradiating radiation (e.g., x-rays, alpha rays, beta rays, gamma rays, etc.) to an object (object, e.g. According to the embodiment, the radiation irradiator 1 may be an X-ray irradiator capable of irradiating an X-ray.

그리드(10)는 피사체(예컨대, 인체)(2)를 통과하여 피사체의 정보를 가진 방사선의 산란을 차단하고 산란되지 않은 방사선만을 선별적으로 투과시키는 장치로서, 피사체(2)와 방사선 검출기(3) 사이에 배치된다. 즉, 그리드(10)는 산란된 방사선에 의하여 상이 흐려지는 것을 방지하기 위하여 사용된다.The grid 10 is a device that passes through a subject (for example, a human body) 2 to block scattering of radiation having information of a subject and selectively transmit only non-scattered radiation. The grid 10 includes a subject 2 and a radiation detector 3 . That is, the grid 10 is used to prevent the image from being blurred by the scattered radiation.

방사선 검출기(3)는 피사체(2) 및 그리드(10)를 통과하여 수신되는 방사선을 검출하는 장치이다. The radiation detector 3 is a device for detecting the radiation that is received through the subject 2 and the grid 10. [

도 2는 도 1에 도시된 방사선 산란 방지용 그리드를 나타내는 도면이다. 이를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드(10)는 기판(100)에 복수의 마이크로 홀들(110)이 일정 패턴으로 형성된다.FIG. 2 is a view showing the radiation scattering prevention grid shown in FIG. 1. FIG. Referring to FIG. 1, a radiation scattering prevention grid 10 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of microholes 110 formed in a predetermined pattern on a substrate 100.

기판(100)은 유리 기판 또는 세라믹(ceramics) 기판일 수 있다. 기판(100)이 유리 기판인 경우, 유리는 감광성 유리일 수 있다. 본 실시예에서는, 기판(100)은 유리 기판인 것으로 가정한다.The substrate 100 may be a glass substrate or a ceramics substrate. When the substrate 100 is a glass substrate, the glass may be a photosensitive glass. In this embodiment, it is assumed that the substrate 100 is a glass substrate.

패턴의 모양 및 마이크로 홀들(110)의 모양은 다양할 수 있다. 예컨대, 마이크로 홀의 모양은 원형 또는 임의의 다각형(예컨대, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형 등) 모양일 수 있다.The shape of the pattern and the shape of the microholes 110 may vary. For example, the shape of the microhole may be circular or any polygonal shape (e.g., triangular, rectangular, pentagonal, hexagonal, octagonal, etc.).

도 3a 및 도 3b는 각각 도 2에 도시된 그리드(10)의 제1 부분(11) 및 제2 부분(12)의 일 실시예를 나타내는 확대도이다. 도 3a 및 도 3b는 허니컴 패턴(즉, 육각형 모양의 패턴)을 가지는 마이크로 홀들(110a)의 실시예를 나타내나, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Figs. 3A and 3B are enlarged views showing an embodiment of a first portion 11 and a second portion 12 of the grid 10 shown in Fig. 2, respectively. 3A and 3B show an embodiment of the microholes 110a having a honeycomb pattern (i.e., a hexagonal pattern), but the embodiment of the present invention is not limited thereto.

도 4 및 도 5는 도 2에 도시된 그리드(10)의 제1 부분(11)의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다.Figs. 4 and 5 are enlarged views showing another embodiment of the first portion 11 of the grid 10 shown in Fig.

도 4는 원형 패턴을 가지는 마이크로 홀들(110b)의 실시예를 나타내고, 도 5는 사각형 패턴을 가지는 마이크로 홀들(110c)의 실시예를 나타낸다. Fig. 4 shows an embodiment of microholes 110b having a circular pattern, and Fig. 5 shows an embodiment of microholes 110c having a rectangular pattern.

마이크로 홀들(110)은 유리 기판을 관통하는 관통홀로서, 유리 기판에 미리 정해진 제조 방법(이에 대해서는 후술함)을 이용하여 특정 모양의 구멍을 뚫어 형성될 수 있다. 이와 같이 형성된 마이크로 홀들(110)의 사이에는 격벽(patition wall, 홀과 홀 사이의 간막이 벽)(150)이 형성된다. The micro holes 110 may be formed as a through hole passing through the glass substrate by drilling holes of a specific shape using a predetermined manufacturing method (to be described later) on the glass substrate. A partition wall (a partition wall between holes and holes) 150 is formed between the micro holes 110 thus formed.

마이크로 홀들(100) 사이에 형성되는 격벽(150)의 종횡비(aspect ratio)는 10~40 사이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The aspect ratio of the barrier ribs 150 formed between the microholes 100 may be between 10 and 40, but is not limited thereto.

격벽(150)의 종횡비는 격벽의 폭 대 높이의 비율을 의미한다. 예컨대, 격벽(150)의 폭이 10이고 격벽의 높이가 100이면 격벽의 종횡비는 10이고, 격벽의 폭이 10이고 격벽의 높이가 400이면 격벽의 종횡비는 40이다.The aspect ratio of the barrier ribs 150 means the ratio of the width to the height of the barrier ribs. For example, if the width of the barrier rib 150 is 10 and the height of the barrier rib is 100, the aspect ratio of the barrier rib is 10, the width of the barrier rib is 10, and the height of the barrier rib is 400.

마이크로 홀들(110)의 벽면, 즉 격벽(150)의 표면에는 방사선 차폐 물질이 코팅된다.The surface of the wall of the microholes 110, that is, the surface of the partition 150, is coated with a radiation shielding material.

방사선 차폐 물질은 납, 금, 텅스텐, 구리, 니켈, 및 은 중 하나일 수도 있고, 또는 둘 이상을 포함하는 다층막이나 합금일 수 있다.The radiation shielding material may be one of lead, gold, tungsten, copper, nickel, and silver, or may be a multilayer film or an alloy including two or more.

예컨대, 마이크로 홀들이 형성된 유리 기판(100)을 니켈 도금 또는 금 도금함으로써, 마이크로 홀들(110)의 벽면에는 방사선 차폐 물질을 코팅할 수 있다.For example, the glass substrate 100 on which the microholes are formed may be nickel plated or gold plated to coat the wall surface of the microholes 110 with a radiation shielding material.

방사선 차폐물질의 코팅 두께는 5~20um 사이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유리는 감광성 유리일 수 있다. The coating thickness of the radiation shielding material may be between 5 and 20 um, but is not limited thereto. The glass may be photosensitive glass.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 장치의 제조 방법을 좀 더 구체적으로 나타내는 흐름도이다.FIG. 6 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a grid according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a grid apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드를 제조하는 방법의 일 실시예를 순차적으로 나타낸 수직 단면도들이다.8 to 11 are vertical sectional views sequentially showing an embodiment of a method of manufacturing a grid according to an embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 11을 참조하면, 유리(100)에 소정 패턴을 가지는 복수의 마이크로 홀들(110)을 형성한다(S10). 6 to 11, a plurality of microholes 110 having a predetermined pattern is formed on the glass 100 (S10).

이를 위하여, 감광성 유리 기판(100)이 마련될 수 있다. 감광성 유리(photosensitive glass)는 일반적으로 투명한 유리 상태(glassy state)이나, 노광 및 열처리 공정에 따라 결정 상태가 내부에 만들어지게 되어 불투명해질 수 있다. 감광성 유리 기판(100)은 유리 상태 또는 결정 상태의 감광성 유리를 포함할 수 있다.For this purpose, a photosensitive glass substrate 100 may be provided. A photosensitive glass is generally in a transparent glassy state, but it may become opaque due to a crystalline state formed therein by an exposure and a heat treatment process. The photosensitive glass substrate 100 may include a photosensitive glass in a glass state or in a crystalline state.

감광성 유리 기판(100)에 복수의 마이크로 홀들(110)을 형성하는 방법은 다양할 수 있다. The method of forming the plurality of microholes 110 in the photosensitive glass substrate 100 may be various.

일 실시예에서, 감광성 유리 기판(100)에 복수의 마이크로 홀들(110)을 형성하는 과정(S10)은 도 7에 도시된 S110 내지 S130 단계를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment, the step S10 of forming the plurality of micro holes 110 in the photosensitive glass substrate 100 may include S110 to S130 shown in FIG. 7, but the present invention is not limited thereto.

유리 상태의 감광성 유리 기판(100)에 마이크로 홀들(110)을 형성할 영역(이하, '마이크로 홀 영역'이라 함)(120)을 표시할 수 있다. 즉, 유리 기판(100)에 그리드 패턴을 그리거나, 패턴지(pattern sheet)를 붙여서 마이크로 홀 영역(120)을 구분할 수 있다. 그런 다음, 유리 기판(100)에서 마이크로 홀 영역(120)만을 레이저로 노광 처리한다(S110). (Hereinafter, referred to as a 'microhole area') 120 on which the microholes 110 are to be formed may be displayed on the photosensitive glass substrate 100 in a glass state. That is, the micro hole region 120 can be distinguished by drawing a grid pattern on the glass substrate 100 or attaching a pattern sheet. Then, in the glass substrate 100, only the microhole region 120 is exposed with a laser (S110).

예를 들어, 감광성 유리 기판(100)에 마이크로 홀 영역(120)을 표시하는 소정의 그리드 패턴을 그린 후, 그려진 그리드 패턴에 따라 마이크로 홀 영역(120)을 레이저로 노광 처리하여, 그리드 패턴을 형상화한다(S110).For example, after a predetermined grid pattern for displaying the microhole area 120 is drawn on the photosensitive glass substrate 100, the microhole area 120 is exposed with a laser according to the drawn grid pattern to form a grid pattern (S110).

도 8에서 참조부호 '120'이 마이크로 홀 영역(120)을 나타낸다. In FIG. 8, reference numeral 120 denotes a microhole region 120.

다음으로, 그리드 패턴이 형상화된 유리 기판(100)을 열처리하여 패턴 형상을 결정화할 수 있다(S120). 예컨대, 레이저 노광 처리된 유리 기판(100)을 열처리 장치에 넣어서 정해진 시간 동안 정해진 온도로 열 처리하여 마이크로 홀 영역(120)을 결정화할 수 있다(S120). Next, the pattern shape can be crystallized by heat-treating the glass substrate 100 on which the grid pattern is formed (S120). For example, the micro-hole region 120 can be crystallized by inserting the laser-exposed glass substrate 100 into a heat treatment apparatus and performing a heat treatment at a predetermined temperature for a predetermined period of time (S120).

상기 열처리 시의 온도는 섭씨 500도 이상, 예컨대, 550도 내지 800도(550°C ~ 800°C)일 수 있다. 섭씨 500도 부근에서 열처리하였을 때, 마이크로 홀 영역(120)은 준안정(meta-stable)한 결정 상태가 될 수 있고, 섭씨 800도 부근에서 열처리하였을 때, 마이크로 홀 영역(120)은 안정(stable)한 결정 상태가 될 수 있다. The temperature during the heat treatment may be 500 ° C or more, for example, 550 ° C to 800 ° C (550 ° C to 800 ° C). When the heat treatment is performed at about 500 degrees centigrade, the microhole region 120 can be in a meta-stable crystalline state. When the heat treatment is performed at about 800 degrees centigrade, the microhole region 120 is stable ) Can be a single crystal state.

도 9에서 참조부호 '121'이 결정화된 마이크로 홀 영역(120)을 나타낸다. 결정화된 마이크로 홀 영역(120)을 제외한 나머지 유리 기판(100)은 비결정 상태로 남아 있을 수 있다.In FIG. 9, reference numeral 121 denotes a crystallized microhole region 120. The glass substrate 100 other than the crystallized microhole region 120 may remain in the amorphous state.

다음으로, 유리 기판(100)에서 결정화된 마이크로 홀 영역(120)을 제거하여 실제 마이크로 홀들(110)을 형성할 수 있다(S130). 실시예에 따라, 에칭 공정을 통해 결정화된 마이크로 홀 영역(120)을 식각할 수 있다(S130). 예를 들어, 결정화된 마이크로 홀 영역(120)을 제거하기 위해 플루오르화수소(hydrogen fluoride; HF)를 포함하는 불산 수용액(예컨대, 7% 불산 수용액)을 이용할 수 있다. 이와 같은 에칭 공정을 통해 결정화된 마이크로 홀 영역(121)이 식각됨으로써, 유리기판(100)을 관통하는 마이크로 홀들(110)이 형성된다.Next, the microhole region 120 crystallized in the glass substrate 100 may be removed to form the actual microholes 110 (S130). According to an embodiment, the crystallized microhole region 120 may be etched through an etching process (S130). For example, a hydrofluoric acid aqueous solution (for example, a 7% hydrofluoric acid aqueous solution) containing hydrogen fluoride (HF) may be used to remove the crystallized microhole region 120. The crystallized microhole region 121 is etched through the etching process to form microholes 110 passing through the glass substrate 100.

상기와 같이 유리(100)에 소정 패턴을 가지는 복수의 마이크로 홀들(110)이 형성되면, 마이크로 홀들의 벽면에 방사선 차폐 물질을 코팅한다(S20). When a plurality of microholes 110 having a predetermined pattern are formed on the glass 100 as described above, a radiation shielding material is coated on the walls of the microholes (S20).

예컨대, 복수의 마이크로 홀들(110)이 형성된 유리 기판의 표면에 방사선 차폐 물질을 코팅한다(S20).For example, a surface of a glass substrate on which a plurality of microholes 110 are formed is coated with a radiation shielding material (S20).

일 실시예에서, 방사선 차폐 물질을 코팅하는 과정(S20)은 도 7에 도시된 S140 내지 S150 단계를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment, the step S20 of coating the radiation shielding material may include, but is not limited to, S140 through S150 shown in FIG.

먼저 마이크로 홀들(110)이 형성된 유리 기판(100)의 표면에 금속박막(120)을 형성할 수 있다(S140). 유리(100)의 표면을 바로 도금 처리하기는 쉽지 않다. 따라서, 도금 처리 전에 유리 기판(100) 및 마이크로 홀들(110)의 표면에 얇은 금속 박막을 입힌 후 도금 처리를 할 수 있다.First, the metal thin film 120 may be formed on the surface of the glass substrate 100 on which the microholes 110 are formed (S140). The surface of the glass 100 is not readily plated. Therefore, the surface of the glass substrate 100 and the microholes 110 can be plated with a thin metal film before the plating process.

실시예에 따라, 마이크로 홀들이 형성된 유리(100)의 표면 및 마이크로 홀들의 벽면에, 스퍼터링(sputtering) 방법으로 티타늄 박막 또는 구리 박막을 형성할 수 있다(S140). 그러나, 다른 방법에 의해 금속 박막이 형성될 수도 있다. According to the embodiment, a titanium thin film or a copper thin film may be formed on the surface of the glass 100 on which the microholes are formed and on the wall surface of the microholes by a sputtering method (S140). However, a metal thin film may be formed by another method.

예를 들어, 금속박막(120)은 물리 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)에 의해 형성될 수 있다. For example, the metal thin film 120 may be formed by physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD).

물리 증착법은 진공 속에서 가스화한 물질을 기본 표면에 피복하는 방법으로서, 진공 증착과 스퍼터링(sputtering) 방법으로 나뉜다. 진공 증착은 고 진공하에서 금속을 가열한 후 증발되는 금속 입자를 기판에 부착시켜 박막을 만드는 방식이다. 스퍼터링이란 물질에 이온 충격을 가하면 상기 물질을 구성하는 원자나 분자가 튀어나와 상기 물질 주위의 물체면에 부착하는 현상을 이용하여 물체면에 박막을 형성하는 공정을 의미한다. The physical vapor deposition method is a method of coating a gasified substance in a vacuum on a basic surface, and is divided into a vacuum deposition method and a sputtering method. Vacuum deposition is a method in which a metal is heated in a high vacuum and the evaporated metal particles are attached to a substrate to form a thin film. Sputtering refers to a process in which a thin film is formed on an object surface by using a phenomenon that an atom or molecule constituting the material protrudes and adheres to an object surface around the material when an ion impact is applied to the material.

화학 증착법은 제조공정에서 피복하는 기판 위에 원료가스를 흐르게 하여 외부 에너지를 가하여 화학결합, 원료가스 분해 등의 반응으로 박막을 형성하는 방법이다.The chemical vapor deposition method is a method in which a raw material gas is flowed on a substrate to be coated in the manufacturing process, external energy is applied to form a thin film by chemical coupling, decomposition of a raw material gas, or the like.

다음으로, 금속 박막이 형성된 유리 기판(100)을 금속 도금한다(S150).Next, the glass substrate 100 on which the metal thin film is formed is plated with metal (S150).

실시예에 따라 차폐 물질 코팅 공정(S20)은 하나 이상의 전기 도금 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속박막이 형성된 유리를 니켈, 금 등을 이용하여 무전해 도금한 후, 니켈, 은, 금 등을 이용하여 전해 도금할 수 있다.According to an embodiment, the shielding material coating process S20 may comprise one or more electroplating processes. For example, the glass on which the metal thin film is formed may be electroless-plated using nickel, gold or the like, and then electroplated using nickel, silver, gold, or the like.

상기와 같이, 방사선 차폐 물질은 납, 금, 텅스텐, 구리, 니켈, 및 은 중 하나 이상을 포함하는 다층막 또는 합금일 수 있다. As described above, the radiation shielding material may be a multilayer film or an alloy including at least one of lead, gold, tungsten, copper, nickel, and silver.

도 11은 방사선 차폐 물질 코팅 공정(S20)이 완료된 후의 유리 기판을 도시한다. 도 11에 도시된 봐 같이, 유리 기판(100)의 표면 및 마이크로 홀들(100)의 벽면에는 방사선 차폐 물질(130)이 코팅되어 있다. 방사선 차폐물질의 코팅 두께는 5~20um 사이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Fig. 11 shows the glass substrate after the radiation shielding material coating step S20 is completed. As shown in FIG. 11, the surface of the glass substrate 100 and the wall surface of the microholes 100 are coated with the radiation shielding material 130. The coating thickness of the radiation shielding material may be between 5 and 20 um, but is not limited thereto.

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

방사선 조사기(1), 방사선 산란 방지용 그리드(10)
방사선 검출기(3), 유리 기판(100)
마이크로 홀들(110, 110a, 110b, 110c)
The radiation irradiator 1, the radiation scattering prevention grid 10,
The radiation detector 3, the glass substrate 100,
The microholes 110, 110a, 110b, 110c,

Claims (8)

소정 패턴을 가지는 복수의 마이크로 홀들(holes)이 형성된 기판을 포함하며,
상기 기판은 유리 또는 세라믹(ceramics) 기판이고,
상기 복수의 마이크로 홀들 사이의 격벽의 종횡비가 10 내지 40 이며,
상기 격벽의 표면에 방사선 차폐 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치.
And a substrate on which a plurality of microholes having a predetermined pattern are formed,
The substrate is a glass or ceramics substrate,
An aspect ratio of the partition walls between the plurality of microholes is 10 to 40,
And a surface of the barrier rib is coated with a radiation shielding material.
제1항에 있어서, 상기 방사선 차폐 물질은
납, 금, 텅스텐, 구리, 니켈, 및 은 중 하나 이상을 포함하는 다층막 또는 합금인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치.
The method of claim 1, wherein the radiation shielding material
Wherein the multilayered film or alloy is a multilayered film or an alloy including at least one of lead, gold, tungsten, copper, nickel, and silver.
제1항에 있어서,
상기 방사선 차폐물질의 코팅 두께가 5~20um 사이인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the coating thickness of the radiation shielding material is between 5 and 20 um.
제1항에 있어서, 상기 유리 기판은
감광성 유리 기판인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치.
The glass substrate according to claim 1, wherein the glass substrate
Wherein the substrate is a photosensitive glass substrate.
기판에 소정 패턴을 가지는 복수의 마이크로 홀들(holes)을 형성하는 단계; 및
상기 마이크로 홀들 사이의 격벽의 표면에 방사선 차폐 물질을 코팅하는 단계를 포함하는 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법.
Forming a plurality of micro holes having a predetermined pattern on a substrate; And
And coating a surface of the barrier rib between the microholes with a radiation shielding material.
제 5 항에 있어서, 상기 기판은 감광성 유리 기판이고,
상기 복수의 마이크로 홀들을 형성하는 단계는
상기 감광성 유리에 상기 마이크로 홀들을 형성할 영역을 표시하는 그리드 패턴을 형성하고, 상기 그리드 패턴에 따라 상기 영역을 레이저로 노광하는 단계;
상기 레이저로 노광된 상기 유리를 열처리하여 상기 영역을 결정화하는 단계; 및
상기 결정화된 영역을 제거하는 단계를 포함하는 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법.
6. The method of claim 5, wherein the substrate is a photosensitive glass substrate,
The step of forming the plurality of micro holes
Forming a grid pattern on the photosensitive glass to display a region for forming the microholes, and exposing the region to a laser according to the grid pattern;
Heat-treating the glass exposed by the laser to crystallize the region; And
And removing the crystallized region. ≪ Desc / Clms Page number 19 >
제 5 항에 있어서, 상기 격벽의 표면에 방사선 차폐 물질을 코팅하는 단계는
무전해도금, 전기도금 및 기상화학증착법 중 하나 이상이 사용되는 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법.
6. The method of claim 5, wherein coating the surface of the barrier ribs with a radiation shielding material
Wherein at least one of electroless plating, electroplating, and vapor-phase chemical vapor deposition is used.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된 방사선 산란 방지용 그리드 장치.A grid apparatus for radiation scattering prevention produced by the manufacturing method according to any one of claims 5 to 7.
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