KR20160023577A - Method of forming an encapsulation layer for an organic electroluminescence device - Google Patents

Method of forming an encapsulation layer for an organic electroluminescence device Download PDF

Info

Publication number
KR20160023577A
KR20160023577A KR1020150116667A KR20150116667A KR20160023577A KR 20160023577 A KR20160023577 A KR 20160023577A KR 1020150116667 A KR1020150116667 A KR 1020150116667A KR 20150116667 A KR20150116667 A KR 20150116667A KR 20160023577 A KR20160023577 A KR 20160023577A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
organic
forming
layer
laminated
Prior art date
Application number
KR1020150116667A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
노보루 야스모토
아키오 나이토
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160023577A publication Critical patent/KR20160023577A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H01L51/5237—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
    • H01L21/31056—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching the removal being a selective chemical etching step, e.g. selective dry etching through a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H01L51/0017—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L2251/56—

Abstract

The purpose of the present invention is to remove inconvenience because of selective formation of an inorganic layer by using a hard mask when an encapsulation layer, wherein organic and inorganic layers are stacked, is formed. As a solution of the inconvenience, a method for forming the encapsulation layer of an organic electroluminescent (EL) device is configured to form the encapsulation layer on a substrate (1) wherein a plurality of the organic EL devices (2) are formed, and the encapsulation layer has a structure, wherein the organic layer (11) and the inorganic layer (12) are stacked to cover an area corresponding to the organic EL device. The method comprises: a step of forming a staked layer (13) by alternately forming the organic layer (11) and the inorganic layer (12) on an entire surface of the substrate (1); a step of removing an area of the stacked layer, excepting the area (13) corresponding to the organic EL device, through dry etching; and a step of completing the encapsulation layer (16) by forming a shielding inorganic layer (15) which covers the remaining stacked layer (14) to shield side ends of the stacked layer (13) and the organic layer (12).

Description

유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법{METHOD OF FORMING AN ENCAPSULATION LAYER FOR AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for forming an organic EL device encapsulation film,

본 발명은 유기 EL 소자 봉지막(封止膜)의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming an organic EL device encapsulation film.

유기 EL 소자를 이용한 유기 EL 표시 장치는, 저소비 전력이고, 자연 발광형이며, 유기 발광 재료에 유래하는 다채로운 색조의 발광이 얻어지기 때문에, 차세대의 표시 장치로서 주목받고 있다.An organic EL display device using an organic EL element has attracted attention as a next generation display device because it has a low power consumption, is a spontaneous emission type, and emits light of various colors derived from an organic light emitting material.

유기 EL 소자는, 기판 상에 매트릭스 형상으로 마련된 복수의 소자형성 영역에, 발광층인 유기 EL층과 전극층 등이 적층된 상태로 형성된다. 유기 EL층을 형성하는 유기 화합물은, 일반적으로 수분이나 산소 등에 의해 열화하기 쉽기 때문에, 유기 EL층 계면으로의 수분이나 산소 등의 혼입을 방지하는 것을 목적으로 하여, 유기 EL 소자에 대응하는 영역에, 유기 EL층에 영향을 미치지 않는 정도의 온도로 봉지막을 형성하는 것이 실행되고 있다.An organic EL element is formed in a state in which an organic EL layer as an emitting layer, an electrode layer, and the like are laminated on a plurality of element formation regions provided in a matrix on a substrate. The organic compound forming the organic EL layer is generally susceptible to deterioration due to moisture or oxygen. For the purpose of preventing moisture, oxygen and the like from entering the interface of the organic EL layer, , A sealing film is formed at a temperature not affecting the organic EL layer.

유기 EL 소자의 봉지막으로서는, 무기막과 유기막을 적층한 것이 이용되고 있다. 특허문헌 1에서는, 패턴 형성을 위한 하드 마스크를 이용하여 유기막과 무기막을 성막하여, 유기 EL 소자에 수분이나 산소가 침입하는 것을 방지하는 기술이 제안되어 있다.As an encapsulating film of an organic EL device, a laminate of an inorganic film and an organic film is used. Patent Document 1 proposes a technique of forming an organic film and an inorganic film by using a hard mask for pattern formation to prevent moisture and oxygen from intruding into the organic EL element.

일본 공개 특허 제 2007-5189 호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-5189

그러나, 상기 기술과 같이, 봉지막에 이용되는 유기막을 하드 마스크를 이용하여 선택적으로 성막하는 경우에는, 성막 시에 하드 마스크에 대량의 퇴적물[데포(depot)]이 형성되고, 그것이 파티클이 되어서 제품의 양품률을 저하시켜버린다. 또한, 이와 같이 하드 마스크에 퇴적물이 형성되기 쉬우므로, 하드 마스크를 빈번하게 교환할 필요가 있어, 가동율의 저하 및 런닝 코스트(running cost)의 상승을 초래한다. 더욱이, 이러한 하드 마스크를 이용하여 선택 성막을 실행하는 경우, 마스크 하방으로의 성막 입자의 회입(回入) 등이 생기고, 또한 중심과 단부의 불균일이 하드 마스크에 의해 조장되기 때문에, 균일한 성막을 실행하는 것이 어렵다. 이러한 불균일은 기판의 대형화에 따라 현저해진다.However, when the organic film used for the sealing film is selectively formed using a hard mask as in the above-described technique, a large amount of sediment (depot) is formed in the hard mask at the time of film formation, Thereby lowering the yield rate. In addition, since deposits are likely to be formed in the hard mask, it is necessary to frequently replace the hard mask, resulting in a decrease in the operating rate and an increase in the running cost. Furthermore, when the selective film formation is performed using such a hard mask, deposition of the film-forming particles toward the lower portion of the mask occurs, and the uniformity of the center and the end portions is promoted by the hard mask. It is difficult to execute. Such unevenness becomes remarkable as the substrate becomes larger.

따라서, 본 발명은, 유기 EL 소자에 대하여, 무기막과 유기막을 적층한 봉지막을 형성할 때에, 하드 마스크를 이용하여 유기막을 선택 성막하는 것에 의한 불편을 해소할 수 있는 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.Accordingly, the present invention is directed to a method for forming an organic EL element encapsulating film capable of eliminating the inconvenience of selectively depositing an organic film using a hard mask when forming a sealing film in which an inorganic film and an organic film are laminated, And to provide an image processing apparatus.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점은, 복수의 유기 EL 소자가 형성된 기판 상에, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역을 덮도록 무기막과 유기막이 적층된 구조의 봉지막을 형성하는 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법으로서, 적어도 상기 봉지막을 구성하는 상기 유기막을 형성할 때에, 상기 기판의 전체면에 성막한 후, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 제공한다.In order to solve the above problems, a first aspect of the present invention is to form a sealing film having a structure in which an inorganic film and an organic film are laminated so as to cover a region corresponding to the organic EL element on a substrate on which a plurality of organic EL elements are formed As a method for forming an organic EL element encapsulation film, at the time of forming the organic film constituting at least the encapsulation film, a film is formed on the entire surface of the substrate, and then a portion other than a region corresponding to the organic EL element is removed by dry etching Wherein the organic EL device encapsulation film is formed on the substrate.

상기 제 1 관점에 있어서, 상기 기판의 전체면에, 상기 무기막과 상기 유기막을 1회 이상 교대로 성막하여 적층막으로 하고, 상기 적층막의 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하도록 할 수 있다.In the first aspect, the inorganic film and the organic film are alternately deposited on the entire surface of the substrate to form a laminated film, and a portion of the laminated film other than the region corresponding to the organic EL element is subjected to dry etching As shown in FIG.

본 발명의 제 2 관점은, 복수의 유기 EL 소자가 형성된 기판 상에, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역을 덮도록 무기막과 유기막이 적층된 구조의 봉지막을 형성하는 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법으로서, 상기 기판의 전체면에 상기 무기막과 상기 유기막을 1회 이상 교대로 성막하여 적층막을 형성하는 공정과, 상기 적층막 중, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하는 공정과, 상기 적층막의 상기 유기막의 측단부면을 차폐하도록, 잔존한 적층막을 덮는 차폐 무기막을 형성하여, 봉지막을 완성시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 제공한다.A second aspect of the present invention is a method for forming an organic EL element encapsulation film forming a sealing film having a structure in which an inorganic film and an organic film are laminated so as to cover a region corresponding to the organic EL element on a substrate on which a plurality of organic EL elements are formed A step of forming a laminated film by alternately forming the inorganic film and the organic film on the entire surface of the substrate one or more times; and a step of forming a portion of the laminated film other than the region corresponding to the organic EL element by dry etching And a step of forming a shielding inorganic film covering the remaining laminated film so as to shield the side end face of the organic film of the laminated film so as to complete the sealing film. The present invention also provides a method for forming an organic EL element sealing film.

상기 제 2 관점에 있어서, 상기 적층막의 최하층은 무기막으로 할 수 있다. 또한, 상기 적층막의 최상층은 무기막이어도, 유기막이어도 좋다.In the second aspect, the lowermost layer of the laminated film may be an inorganic film. The uppermost layer of the laminated film may be an inorganic film or an organic film.

상기 제 1 관점 및 제 2 관점 중 어느 것에 있어서도, 상기 드라이 에칭은 에칭용의 하드 마스크를 이용한 플라즈마 에칭에 의해 실행할 수 있다.In both of the first and second aspects, the dry etching can be performed by plasma etching using a hard mask for etching.

본 발명에 따르면, 유기 EL 소자에 대응하는 영역을 덮도록 무기막과 유기막이 적층된 구조의 봉지막을 형성함에 있어서, 적어도 봉지막을 구성하는 유기막을 형성할 때에, 기판의 전체면에 성막한 후, 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하므로, 하드 마스크를 이용하여 유기막을 선택 성막할 필요가 없어, 하드 마스크를 이용하여 유기막을 선택 성막할 때에 있어서의, 파티클 발생, 고빈도로 마스크 교환할 필요성, 균일한 성막의 곤란성의 문제를 해소할 수 있다.According to the present invention, in forming an encapsulation film having a structure in which an inorganic film and an organic film are laminated so as to cover an area corresponding to the organic EL element, at least an organic film constituting the encapsulation film is formed, The portion other than the region corresponding to the organic EL element is removed by dry etching so that it is not necessary to selectively form the organic film by using the hard mask and the occurrence of particles, It is possible to solve the problem of the necessity of changing the mask with frequency and the difficulty of uniform film formation.

또한, 기판의 전체면에 상기 무기막과 상기 유기막을 1회 이상 교대로 성막하여 적층막을 형성한 후, 적층막 중, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하고, 적층막의 유기막의 측단부면을 차폐하도록, 잔존한 적층막을 덮는 차폐 무기막을 형성하여, 봉지막을 완성시키므로, 하드 마스크를 이용하여 유기막을 선택 성막할 때에 있어서의 상기 문제를 해소할 수 있는 동시에, 유기막을 거쳐서의 수분이나 산소의 침입을 확실하게 방지할 수 있는 봉지막을 형성할 수 있다.Alternatively, the inorganic film and the organic film may be alternately formed one or more times on the entire surface of the substrate to form a laminated film, then a portion of the laminated film other than the region corresponding to the organic EL element is removed by dry etching, The shielding inorganic film is formed so as to cover the remaining lamination film so as to shield the side end face of the organic film of the laminated film so that the above problem in selecting the organic film by using the hard mask can be solved, It is possible to form a sealing film which can surely prevent the penetration of water or oxygen through the film.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도,
도 3은 종래의 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도,
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.1 is a flow chart for explaining a method of forming an organic EL element encapsulation film according to a first embodiment of the present invention,
2 is a process sectional view for explaining a method of forming an organic EL element encapsulation film according to the first embodiment of the present invention,
3 is a process sectional view for explaining a conventional method of forming an organic EL element encapsulating film,
4 is a process sectional view for explaining a method of forming an organic EL element encapsulation film according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

<제 1 실시형태>&Lt; First Embodiment >

우선, 제 1 실시형태에 대해서 설명한다.First, the first embodiment will be described.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도, 도 2는 그 공정 단면도이다.Fig. 1 is a flowchart for explaining a method of forming an organic EL element encapsulation film according to the first embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a process sectional view thereof.

봉지막을 형성하는 것에 앞서, 기판(1) 상에 유기 EL층으로 이루어지는 발광층을 포함하는 유기 EL 소자(2)를 복수 형성한다[공정 1, 도 2의 (a)].Prior to forming the sealing film, a plurality of organic EL elements 2 including a light emitting layer made of an organic EL layer are formed on the substrate 1 (Step 1, Fig. 2 (a)).

기판(1)의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리판, 세라믹스판, 플라스틱 필름, 금속판 등을 들 수 있다. 기판(1)에는 액자형상을 하는 뱅크(bank)(3)가 매트릭스 형상으로 형성되어 있고, 뱅크(3) 내에 유기 EL 소자(2)가 형성된다. 따라서, 복수의 유기 EL 소자(2)가 기판(1) 상에 섬형상으로 형성된다.The material of the substrate 1 is not particularly limited, and examples thereof include a glass plate, a ceramic span, a plastic film, and a metal plate. A bank 3 having a frame shape is formed in a matrix on the substrate 1 and the organic EL element 2 is formed in the bank 3. Therefore, a plurality of organic EL elements 2 are formed on the substrate 1 in an island shape.

유기 EL 소자(2)는, 유기 EL층으로 이루어지는 발광층과 그 상하에 마련된 전극을 적층하여 이루어지고, 기판(1)에 형성된 구동 회로(도시하지 않음) 상에 형성되어 있다.The organic EL element 2 is formed by laminating a light emitting layer composed of an organic EL layer and electrodes provided above and below it, and is formed on a driving circuit (not shown) formed on the substrate 1. [

유기 EL층은 전극으로부터 전자 및 정공이 주입되는 것이 가능하고, 주입된 전하가 이동하여 정공과 전자가 재결합해서 발광하는 것이 가능한 유기 발광 물질로 이루어진다. 유기 발광 물질로서는, 일반적으로 발광층에 이용되는 저분자 또는 고분자의 유기 물질이면 좋고, 특별히 한정되지 않는다.The organic EL layer is made of an organic luminescent material capable of injecting electrons and holes from the electrodes and capable of recombining holes and electrons to emit light by injected charge. The organic luminescent material may be an organic material of low molecular weight or high molecular weight generally used for the luminescent layer, and is not particularly limited.

이와 같이 유기 EL 소자(2)를 형성한 후, 봉지막을 형성함에 있어서는, 우선, 유기 EL 소자(2)를 포함하는 기판(1) 전체면에 무기막(11)을 성막하고, 다음에 유기막(12)을 성막하고, 이것을 반복하여, 봉지막의 주요부가 되는 적층막(13)을 형성한다[공정 2, 도 2의 (b)]. 이 때의 반복 횟수는 임의이고, 유기막(12)은 1층이어도 좋다. 단, 본 실시형태에서는, 적층막(13)의 최상층은 무기막(11)이다.In order to form the sealing film after the formation of the organic EL device 2 in this manner, the inorganic film 11 is first formed on the entire surface of the substrate 1 including the organic EL device 2, (Step 2, FIG. 2 (b)). [0050] Next, as shown in FIG. The number of repetitions is arbitrary, and the organic film 12 may be a single layer. However, in this embodiment, the uppermost layer of the laminated film 13 is the inorganic film 11.

무기막(11)은, 수분이나 산소를 봉지하는 기능을 갖는 것 외에, 절연성도 요구된다. 이러한 특성을 충족시키는 재료로서는, Al2O3, SiN, SiO2 등을 들 수 있다. 성막 수법은 특별히 한정되지 않지만, 화학적 증착법(CVD법), 원자층 퇴적법(ALD법), 스패터링 등의 물리적 증착법(PVD법)을 호적하게 이용할 수 있다. CVD법에는, 열 CVD, 플라즈마 CVD, 마이크로파 CVD 등 여러 가지의 것을 이용할 수 있다.The inorganic film 11 is required to be insulative in addition to having a function of sealing water or oxygen. Examples of the material that satisfies such characteristics include Al 2 O 3 , SiN, SiO 2 , and the like. The film forming method is not particularly limited, but physical vapor deposition (PVD) such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), and sputtering can be used advantageously. As the CVD method, various methods such as thermal CVD, plasma CVD, and microwave CVD can be used.

유기막(12)으로서는, 아크릴계의 모노머 등, 보통 이용되는 것을 들 수 있다. 성막 수법은 특별히 한정되지 않지만, 진공 증착법이나 플라즈마 CVD를 들 수 있다.As the organic film 12, acrylic type monomers and the like can be used. The film forming method is not particularly limited, and examples thereof include vacuum vapor deposition and plasma CVD.

적층막(13) 중, 봉지 성능을 담보하는 것은 주로 무기막(11)이지만, 무기막은 단단하고, 결함이 생기기 쉽기 때문에, 무기막(11)에 버퍼 기능을 갖는 유기막(12)을 적층한다.The organic film 12 having a buffer function is laminated on the inorganic film 11 because the inorganic film 11 is hard and the defect is likely to occur in the laminated film 13 that secures the sealing performance .

적층막(13)의 성막이 종료한 후, 적층막(13)의 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거한다[공정 3, 도 2의 (c), (d)]. 드라이 에칭에 있어서는, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이, 에칭 장치 내에 에칭용의 하드 마스크(20)를 장착하고, 적층막(13)의 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분만이 선택적으로 에칭되도록 한다. 이것에 의해, 도 2의 (d)에 도시하는 바와 같이, 적층막(13) 중 유기 EL 소자에 대응하는 영역만이 잔존 적층막(14)으로서 잔존한다. 이 때의 드라이 에칭으로서는, 통상의 플라즈마 에칭을 채용할 수 있다. 그 때의 플라즈마 형성 수법은 특별히 한정되지 않는다. 여기에서, 유기 EL 소자에 대응하는 영역이란, 유기 EL 소자를 덮기에 충분한 영역을 말한다. 본 실시형태와 같이 뱅크 내에 유기 EL 소자가 형성되는 경우는, 유기 EL 소자에 대응하는 영역에 뱅크가 포함되도록, 뱅크 외측의 유기 EL 소자에 인접하는 부분까지를 유기 EL 소자에 대응하는 영역으로 해도 좋다.After the film formation of the laminated film 13 is completed, the portion of the laminated film 13 other than the region corresponding to the organic EL element is removed by dry etching (Step 3, Figs. 2 (c) and 2 (d) . In the dry etching, as shown in FIG. 2 (c), a hard mask 20 for etching is mounted in the etching apparatus, and only a portion other than a region corresponding to the organic EL element of the laminated film 13 To be selectively etched. 2 (d), only the region of the laminated film 13 corresponding to the organic EL element remains as the remaining laminated film 14. In this case, as shown in Fig. As the dry etching at this time, normal plasma etching can be adopted. The plasma forming method at that time is not particularly limited. Here, the region corresponding to the organic EL element means an area sufficient to cover the organic EL element. In the case where the organic EL element is formed in the bank as in the present embodiment, even if the region adjacent to the organic EL element outside the bank is included in the region corresponding to the organic EL element so that the bank is included in the region corresponding to the organic EL element good.

그 후, 기판(1) 전체면에 유기막(12)의 측단부면을 차폐하기 위한 차폐 무기막(15)을 성막하고, 잔존 적층막(14)이 차폐 무기막(15)으로 덮인 구조의 봉지막(16)을 완성시킨다[공정 4, 도 2의 (e)]. 이 때의 차폐 무기막(15)의 성막 수법은 무기막(11)과 동일해도 좋다.Thereafter, the shielding inorganic film 15 for shielding the side end face of the organic film 12 is formed on the entire surface of the substrate 1, and the remaining laminated film 14 is covered with the shielding inorganic film 15 Thereby completing the film 16 (Step 4, Fig. 2 (e)). The method of forming the shielding inorganic film 15 at this time may be the same as that of the inorganic film 11. [

공정 3에 의해 에칭된 후의 잔존 적층막(14)은 유기막(12)의 측단부면이 노출하여 있고, 그것을 그대로 봉지막으로 하면 수평방향으로부터 유기막(12)을 거쳐서 수분이나 산소가 유기 EL층 계면에 침입하여 유기 EL층이 열화할 우려가 있지만, 본 실시형태에서는, 잔존 적층막(14)을 차폐 무기막(15)으로 덮으므로, 유기막(12)의 측단부면이 차폐 무기막(15)으로 차폐되고, 유기막(12)을 통해서 수분이나 산소 등이 유기 EL 소자측으로 침입하는 것이 방지된다.When the side surface of the organic film 12 is exposed in the remaining laminated film 14 after etching by the process 3 and if it is a sealing film as it is, moisture or oxygen is removed from the organic film 12 from the horizontal direction through the organic film 12, Since the remaining laminated film 14 is covered with the shielding inorganic film 15 in the present embodiment, the side end face of the organic film 12 is covered with the shielding inorganic film 15 And water, oxygen, and the like are prevented from entering the organic EL element side through the organic film 12.

그리고, 본 실시형태에서는, 무기막(11) 및 유기막(12)을 기판(1) 전체면에 형성한 후, 불필요 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하는 수법을 채용하는 것에 의해, 이하에 설명하는 하드 마스크를 이용한 선택 성막의 수법에 비해서 여러 가지의 이점을 갖는다.In this embodiment, after the inorganic film 11 and the organic film 12 are formed on the entire surface of the substrate 1, the unnecessary portions are removed by dry etching, It has various advantages over the method of selective film formation using a hard mask.

선택적 성막의 수법은, 예를 들어 도 3에 도시하는 바와 같이 하여 실행된다. 즉, 도 3의 (a)에 도시하는, 도 2의 (a)와 동일한, 기판(1) 상에 유기 EL 소자(2)가 형성된 상태로, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 유기 EL 소자(2)를 포함하는 기판(1) 전체면에 무기막(11)을 성막한다. 다음에, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이, 성막 장치 내에 성막용의 하드 마스크(30)를 장착하고, 기판(1) 표면의 유기 EL 소자에 대응하는 영역에만 유기막(12)이 성막되도록 한다. 이러한 무기막(11)과 유기막(12)의 성막을 소정 횟수 반복하여[도 2의 (d), (e)], 적층막(23)을 형성한다. 최후에 기판(1) 전체면에 차폐 무기막(15)을 성막하고, 적층막(23)이 차폐 무기막(15)으로 덮인 구조의 봉지막(26)을 완성시킨다[도 3의 (f)].The selective deposition method is performed, for example, as shown in FIG. That is, in a state in which the organic EL element 2 is formed on the substrate 1, which is the same as that shown in Fig. 2A, as shown in Fig. 3 (a) The inorganic film 11 is formed on the entire surface of the substrate 1 including the organic EL element 2. [ 3 (c), a hard mask 30 for film formation is mounted in the film forming apparatus, and an organic film 12 is formed only in a region corresponding to the organic EL element on the surface of the substrate 1 Let it be the tabernacle. The lamination of the inorganic film 11 and the organic film 12 is repeated a predetermined number of times (Figs. 2 (d) and 2 (e)) to form the laminated film 23. Finally, the shielding inorganic film 15 is formed on the entire surface of the substrate 1, and the sealing film 26 having the structure in which the laminated film 23 is covered with the shielding inorganic film 15 is completed (Fig. 3 (f) ].

이와 같이, 종래에는, 기판(1) 표면의 유기 EL 소자에 대응하는 영역에 봉지막(26)의 일부가 되는 유기막(12)을 형성할 때에, 하드 마스크를 이용한 선택 성막의 수법을 이용하지만, 그것에 의해 이하와 같은 문제가 생기고 있었다.As described above, conventionally, when the organic film 12 to be a part of the sealing film 26 is formed in the region corresponding to the organic EL element on the surface of the substrate 1, a technique of selective film formation using a hard mask is used , Thereby causing the following problems.

[1] 성막 시에 하드 마스크에 대량의 퇴적물(데포)이 형성되고, 그것이 파티클이 되어 제품의 양품률을 저하시킨다.[1] A large amount of sediment (depot) is formed in the hard mask at the time of film formation, and it becomes a particle to lower the product yield of the product.

[2] 하드 마스크에 퇴적물이 형성되기 쉬우므로, 하드 마스크를 빈번하게 교환할 필요가 있어, 가동율의 저하 및 런닝 코스트의 상승을 초래한다.[2] Since deposits are likely to be formed in the hard mask, it is necessary to frequently replace the hard mask, which results in a decrease in the operating rate and an increase in the running cost.

[3] 하드 마스크를 이용하여 선택 성막을 실행하는 경우, 마스크 하방으로의 성막 입자의 회입 등이 생기고, 중심과 단부의 불균일이 하드 마스크에 의해 조장되기 때문에, 균일한 성막을 실행하는 것이 어렵다(특히 기판의 대형화에 따라 현저함).[3] When the selective film formation is performed using the hard mask, deposition of the film-forming particles toward the lower part of the mask occurs, and uniformity of the center and the end is promoted by the hard mask, so that it is difficult to perform uniform film formation Especially when the substrate size is increased).

이에 대하여, 본 발명에서는, 봉지막을 구성하는 유기막을 성막할 때에, 하드 마스크를 이용한 선택 성막의 수법을 이용하지 않고, 기판 전체면에 성막하고나서 드라이 에칭에 의해 불필요 부분을 제거하는 수법을 이용하므로, 이하와 같이 종래의 과제를 해소할 수 있다.On the other hand, in the present invention, when forming an organic film constituting an encapsulation film, a method of removing unnecessary portions by dry etching after forming a film on the entire surface of the substrate without using a selective film formation method using a hard mask , The conventional problems can be solved as follows.

[1] 성막 시에 하드 마스크에 퇴적물(데포)이 형성되는 일이 없어, 파티클의 발생도 없다.[1] No sediment (depot) is formed in the hard mask at the time of film formation, and no particles are generated.

[2] 성막용 하드 마스크의 교환에 의한 가동율의 저하 및 런닝 코스트의 상승이 생기지 않는다.[2] A decrease in the operating rate and an increase in the running cost due to the replacement of the hard mask for film formation do not occur.

[3] 성막 시에 하드 마스크를 이용하지 않으므로, 균일한 성막이 가능하다.[3] Since a hard mask is not used at the time of film formation, uniform film formation is possible.

드라이 에칭 시에 에칭을 위한 하드 마스크를 이용하지만, 성막용의 하드 마스크와 같은 불편은 생기지 않는다. 즉, 에칭 시에는 하드 마스크에 퇴적물이 거의 형성되지 않기 때문에, 하드 마스크로부터의 파티클의 영향은 작고, 또한 마스크에의 플라즈마에 의한 손상(damage)이 생기지만, 그것에 의한 마스크의 교환 빈도는 성막용의 하드 마스크의 교환 빈도보다는 극히 적은 것으로 고려된다.A hard mask for etching is used at the time of dry etching, but inconvenience such as a hard mask for film formation does not occur. That is, since the deposits are hardly formed in the hard mask at the time of etching, the influence of the particles from the hard mask is small and the damage to the mask is caused by the plasma, Is considered to be extremely smaller than the exchange frequency of the hard mask of FIG.

또한, 본 실시형태에서는, 무기막(11)과 유기막(12)의 적층막(13)을 형성한 후, 드라이 에칭에 의해 일괄하여 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 제거하므로, 공정이 간략하다.In the present embodiment, after the laminated film 13 of the inorganic film 11 and the organic film 12 is formed, portions other than regions corresponding to the organic EL elements are collectively removed by dry etching, This is brief.

<제 2 실시형태>&Lt; Second Embodiment >

다음에, 제 2 실시형태에 대해서 설명한다.Next, a second embodiment will be described.

도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.4 is a process sectional view for explaining the method of forming the organic EL element encapsulation film according to the second embodiment of the present invention.

본 실시형태에서는, 도 2의 (a)와 마찬가지로, 기판(1) 상에 유기 EL층으로 이루어지는 발광층을 포함하는 유기 EL 소자(2)를 복수 형성한 후[도 4의 (a)], 봉지막을 형성함에 있어서, 유기 EL 소자(2)를 포함하는 기판(1) 전체면에 무기막(11)을 성막하고, 다음에 유기막(12)을 성막하고, 이것을 반복하여, 봉지막의 주요부가 되는 적층막(13')을 형성한다[도 4의 (b)]. 이 때의 반복 횟수는 임의이고, 유기막(12)은 1층이어도 좋다. 단, 본 실시형태에서는, 적층막(13')의 최상층은 유기막(12)이다.In this embodiment, a plurality of organic EL elements 2 including a light emitting layer made of an organic EL layer are formed on a substrate 1 (Fig. 4 (a)), In forming the film, the inorganic film 11 is formed on the entire surface of the substrate 1 including the organic EL element 2, and then the organic film 12 is formed. This is repeated to form the main part of the sealing film Thereby forming a laminated film 13 '(Fig. 4 (b)). The number of repetitions is arbitrary, and the organic film 12 may be a single layer. However, in the present embodiment, the uppermost layer of the laminated film 13 'is the organic film 12.

적층막(13')의 성막이 종료한 후, 적층막(13')의 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거한다[도 4의 (c), (d)]. 드라이 에칭에 있어서는, 제 1 실시형태와 마찬가지로 적층막(13')의 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분만이 선택적으로 에칭되도록 하고, 도 4의 (d)에 도시하는 바와 같이, 적층막(13') 중 유기 EL 소자에 대응하는 영역만이 잔존 적층막(14')으로서 잔존한다. 그 후, 기판(1) 전체면에 차폐 무기막(15)을 성막하고, 잔존 적층막(14')이 차폐 무기막(15)으로 덮인 구조의 봉지막(16')을 완성시킨다[도 4의 (e)].After the film formation of the laminated film 13 'is completed, portions of the laminated film 13' other than the regions corresponding to the organic EL elements are removed by dry etching (FIGS. 4 (c) and 4 (d)). In the dry etching, only the portion of the laminated film 13 'other than the region corresponding to the organic EL element is selectively etched in the same manner as in the first embodiment, and as shown in Fig. 4 (d) Only the region corresponding to the organic EL element in the region 13 'remains as the remaining laminated film 14'. Thereafter, the shielding inorganic film 15 is formed on the entire surface of the substrate 1 to complete the sealing film 16 'having a structure in which the remaining laminated film 14' is covered with the shielding inorganic film 15 (E) of FIG.

본 실시형태와 같이, 최상층이 유기막(12)인 적층막(13')을 이용해도, 잔존 적층막(14')을 차폐 무기막(15)으로 덮은 구조의 봉지막(16')이 얻어지기 때문에, 제 1 실시형태와 마찬가지로 유기막(12)의 측단부면이 차폐 무기막(15)으로 차폐되고, 유기막(12)을 통해서 수분이나 산소가 유기 EL 소자측으로 침입하는 것이 방지된다. 본 실시형태에서는, 적층막(13')의 최상층이 유기막(12)이지만, 최종적으로 적층막(13')을 차폐 무기막(15)으로 덮기 때문에, 봉지 효과는 충분하다.The sealing film 16 'having a structure in which the remaining laminated film 14' is covered with the shielding inorganic film 15 is obtained even when the laminated film 13 'in which the uppermost layer is the organic film 12 is used as in this embodiment The side end face of the organic film 12 is shielded by the shielding inorganic film 15 and moisture and oxygen are prevented from entering the organic EL element side through the organic film 12 as in the first embodiment. In this embodiment, the uppermost layer of the laminated film 13 'is the organic film 12, but since the laminated film 13' is finally covered with the shielding inorganic film 15, the sealing effect is sufficient.

그리고, 본 실시형태에서도, 무기막(11) 및 유기막(12)을 기판(1) 전체면에 형성한 후, 불필요 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하는 수법을 채용하는 것에 의해, 실시형태 1의 경우와 마찬가지로 종래의 하드 마스크를 이용한 선택 성막의 수법과 같은 불편을 생기게 하는 일이 없다.Also in this embodiment mode, after the inorganic film 11 and the organic film 12 are formed on the entire surface of the substrate 1, unnecessary portions are removed by dry etching, There is no inconvenience such as the conventional method of selective film formation using the hard mask.

본 실시형태에 있어서도, 무기막(11)과 유기막(12)의 적층막(13')을 형성한 후, 드라이 에칭에 의해 일괄하여 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 제거하므로, 공정이 간략하다.Also in this embodiment, after the laminated film 13 'of the inorganic film 11 and the organic film 12 is formed, portions other than regions corresponding to the organic EL elements are collectively removed by dry etching, This is brief.

<기타의 적용><Application of Others>

여전히, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 일없이 여러 가지 변형 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는, 무기막과 유기막의 적층막을 형성한 후에, 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 일괄하여 드라이 에칭했지만, 유기막을 성막할 때마다, 유기막의 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭해도 좋다.Still further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be modified in various ways. For example, in the above-described embodiment, after the laminated film of the inorganic film and the organic film is formed, the portions other than the region corresponding to the organic EL element are collectively subjected to dry etching. However, every time the organic film is formed, The portions other than the corresponding regions may be dry-etched.

1 : 기판 2 : 유기 EL 소자
3 : 뱅크 11 : 무기막
12 : 유기막 13, 13' : 적층막
14, 14' : 잔존 적층막 15 : 차폐 무기막
16, 16' : 봉지막1: substrate 2: organic EL element
3: bank 11: inorganic film
12: organic film 13, 13 ': laminated film
14, 14 ': Remaining laminated film 15: Shielding inorganic film
16, 16 ': sealing film

Claims (7)

복수의 유기 EL 소자가 형성된 기판 상에, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역을 덮도록 무기막과 유기막이 적층된 구조의 봉지막을 형성하는 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법에 있어서,
적어도 상기 봉지막을 구성하는 상기 유기막을 형성할 때에, 상기 기판의 전체면에 성막한 후, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는
유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법.A method for forming an encapsulating film of an organic EL device in which an encapsulation film having a structure in which an inorganic film and an organic film are laminated is formed on a substrate on which a plurality of organic EL elements are formed to cover an area corresponding to the organic EL element,
Characterized in that at the time of forming the organic film constituting at least the sealing film, a portion other than the region corresponding to the organic EL element is removed by dry etching after forming the film on the entire surface of the substrate
A method for forming an organic EL element encapsulation film. 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 전체면에, 상기 무기막과 상기 유기막을 1회 이상 교대로 성막하여 적층막으로 하고, 상기 적층막의 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는
유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법.The method according to claim 1,
The inorganic film and the organic film are alternately deposited on the entire surface of the substrate to form a laminated film and a portion of the laminated film other than the region corresponding to the organic EL element is removed by dry etching doing
A method for forming an organic EL element encapsulation film. 복수의 유기 EL 소자가 형성된 기판 상에, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역을 덮도록 무기막과 유기막이 적층된 구조의 봉지막을 형성하는 유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법에 있어서,
상기 기판의 전체면에 상기 무기막과 상기 유기막을 1회 이상 교대로 성막하여 적층막을 형성하는 공정과,
상기 적층막 중, 상기 유기 EL 소자에 대응하는 영역 이외의 부분을 드라이 에칭에 의해 제거하는 공정과,
상기 적층막의 상기 유기막의 측단부면을 차폐하도록, 잔존한 적층막을 덮는 차폐 무기막을 형성하여, 봉지막을 완성시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는
유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법.A method for forming an encapsulating film of an organic EL device in which an encapsulation film having a structure in which an inorganic film and an organic film are laminated is formed on a substrate on which a plurality of organic EL elements are formed to cover an area corresponding to the organic EL element,
Forming the inorganic film and the organic film on the entire surface of the substrate one or more times alternately to form a laminated film;
Removing a portion of the laminated film other than the region corresponding to the organic EL element by dry etching;
Forming a shielding inorganic film covering the remaining laminated film so as to shield the side end face of the organic film in the laminated film to complete the sealing film
A method for forming an organic EL element encapsulation film. 제 3 항에 있어서,
상기 적층막의 최하층은 무기막인 것을 특징으로 하는
유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법.The method of claim 3,
And the lowermost layer of the laminated film is an inorganic film
A method for forming an organic EL element encapsulation film. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 적층막의 최상층은 무기막인 것을 특징으로 하는
유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법.The method according to claim 3 or 4,
And the uppermost layer of the laminated film is an inorganic film
A method for forming an organic EL element encapsulation film. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 적층막의 최상층은 유기막인 것을 특징으로 하는
유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the uppermost layer of the laminated film is an organic film
A method for forming an organic EL element encapsulation film. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 드라이 에칭은 에칭용의 하드 마스크를 이용한 플라즈마 에칭에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는
유기 EL 소자 봉지막의 형성 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Characterized in that the dry etching is performed by plasma etching using a hard mask for etching
A method for forming an organic EL element encapsulation film.
KR1020150116667A 2014-08-21 2015-08-19 Method of forming an encapsulation layer for an organic electroluminescence device KR20160023577A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014168458A JP6486033B2 (en) 2014-08-21 2014-08-21 Method for forming organic EL element sealing film
JPJP-P-2014-168458 2014-08-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160023577A true KR20160023577A (en) 2016-03-03

Family

ID=55422680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150116667A KR20160023577A (en) 2014-08-21 2015-08-19 Method of forming an encapsulation layer for an organic electroluminescence device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6486033B2 (en)
KR (1) KR20160023577A (en)
CN (1) CN105390622B (en)
TW (1) TWI658517B (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200007578A (en) * 2018-07-13 2020-01-22 주식회사 에스에프에이 Display glass deposition system and method therefor
KR20210017706A (en) * 2019-08-09 2021-02-17 순천향대학교 산학협력단 Manufacturing method for encapsulation layer using rapid thermal processing
CN114430012A (en) * 2020-10-29 2022-05-03 东京毅力科创株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescent panel

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6636865B2 (en) * 2016-06-24 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ Display device manufacturing method and display device
CN109860410A (en) * 2017-11-30 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and its packaging method, display device
CN110165074B (en) * 2019-04-30 2021-08-06 武汉天马微电子有限公司 Display panel and manufacturing method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005189A (en) 2005-06-24 2007-01-11 Tokki Corp Mask for forming organic film, sealing film forming device, as well as forming method of sealing film

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6866901B2 (en) * 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
JP4185341B2 (en) * 2002-09-25 2008-11-26 パイオニア株式会社 Multilayer barrier film structure, organic electroluminescence display panel, and manufacturing method
JP2005034831A (en) * 2003-07-01 2005-02-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd Multilayered barrier membrane and its production method
US20090075034A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Nobuhiro Nishita Patterning method and display device
JP2014002880A (en) * 2012-06-18 2014-01-09 Canon Inc Manufacturing method of organic el device
JP6186697B2 (en) * 2012-10-29 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 Organic EL device manufacturing method, organic EL device, and electronic apparatus
KR102037051B1 (en) * 2012-12-29 2019-10-28 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005189A (en) 2005-06-24 2007-01-11 Tokki Corp Mask for forming organic film, sealing film forming device, as well as forming method of sealing film

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200007578A (en) * 2018-07-13 2020-01-22 주식회사 에스에프에이 Display glass deposition system and method therefor
KR20210017706A (en) * 2019-08-09 2021-02-17 순천향대학교 산학협력단 Manufacturing method for encapsulation layer using rapid thermal processing
CN114430012A (en) * 2020-10-29 2022-05-03 东京毅力科创株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescent panel
KR20220057433A (en) * 2020-10-29 2022-05-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Organic el panel manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI658517B (en) 2019-05-01
TW201622020A (en) 2016-06-16
JP2016046035A (en) 2016-04-04
JP6486033B2 (en) 2019-03-20
CN105390622A (en) 2016-03-09
CN105390622B (en) 2018-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160023577A (en) Method of forming an encapsulation layer for an organic electroluminescence device
US9614185B2 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display device
TWI669835B (en) Light-emitting device
US10199438B2 (en) Top-emitting organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof and display device
KR101699093B1 (en) Organic el display panel and method of manufacturing same
JP5543441B2 (en) ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY DEVICE
US20150214504A1 (en) Organic electroluminescence display and method of manufacturing the same
JPWO2012017498A1 (en) Organic EL display panel and manufacturing method thereof
CN109616587B (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display device
KR102185577B1 (en) OLED substrate and its manufacturing method
CN109904346B (en) Display device, display panel and manufacturing method thereof
JP2009038243A (en) Organic el display device
US20190242003A1 (en) Thin film deposition apparatus and thin film deposition method using the same
CN110649078A (en) Substrate for display and display device
KR101835920B1 (en) Thin film encapsulation of organic light emitting diodes
JP5557653B2 (en) Thin film deposition apparatus and organic light emitting display device manufacturing method using the same
CN109037277B (en) Preparation method of OLED display panel, OLED display panel and display device
KR101676764B1 (en) The organic light emitting diode and the method for manufacturing that
JPWO2014162395A1 (en) Light emitting device
CN109103235B (en) Organic light emitting diode display panel, manufacturing method thereof and display device
US20160133869A1 (en) Display device and manufacturing method for the same
KR102086393B1 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing thereof
JP2008108680A (en) Manufacturing method of organic el element
KR20140087435A (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
JP2008240117A (en) Method for producing transparent conductive film, method for producing display, and sputtering system

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
AMND Amendment