KR20160018569A - 적어도 하나의 기체 배출물 흐름을 처리하기 위한 장치 및 대응하는 처리 방법 - Google Patents

적어도 하나의 기체 배출물 흐름을 처리하기 위한 장치 및 대응하는 처리 방법 Download PDF

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KR20160018569A
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Abstract

본 발명은 적어도 하나의 기체 흐름(14)을 처리하기 위한 장치에 관한 것으로서, 이 장치는 원추대형 또는 원통-원추 형상을 갖는, 그리고 전자 빔(18)으로 적어도 하나의 기체 흐름(14)을 처리함으로써 얻어지는 액체 생성물(26)의 중력에 의한 회수를 가능하게 하는 단일 반응기(10), 및 적어도 단일 반응기(10)의 상부에 배치되는 적어도 하나의 기체 흐름(14)을 위한 유입 수단(12), 실질적으로 기체 흐름의 유동 방향으로 배향되는 전자 빔(18)을 방출하는 수단(16), 반응기의 저부에 배치되는, 적어도 하나의 기체 배출물(14)로부터 상기 처리된 기체 생성물(22)을 위한 단일 반응기(10)로부터의 유출 수단(20), 및 액체 부산물(26)을 회수하기 위한 수단(24)을 포함한다. 본 발명은 또한 대응하는 처리 방법을 포함한다.

Description

적어도 하나의 기체 배출물 흐름을 처리하기 위한 장치 및 대응하는 처리 방법{DEVICE FOR TREATING AT LEAST ONE GASEOUS EFFLUENT STREAM AND CORRESPONDING TREATMENT METHOD}
본 발명은 적어도 하나의 기체 흐름, 더 구체적으로는 정화의 목적을 위해 오염된 기체 배출물의 흐름을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다.
많은 기체 배출물이 오염되어 있음은 공지되어 있다. 이것을 정화시키기 위해, 각각 기능을 갖는 다수의 반응기를 포함하는 라인 내에서 이 배출물을 처리하는 해결책이 종래 기술에 있다.
공지된 처리는 라인 내의 반응기들 중 하나의 반응기 내에서 기체 흐름을 고에너지의 전자 충격(bombardment)에 노출시키는 것이다.
기체를 적절한 시약과 조합하면, 기체 배출물 내에 함유된 분자, 특히 오염성 분자는 전자 충격에 의해 확실하게 이온화 및 여기된다. 제공되는 시약 및 전자 충격에 의해 생성되는 자유 라디칼은 기체 배출물의 오염성 화합물과 반응하여, 한편으로, 석출물 형태의 비오염성 생성물, 및 오염성 생성물이 제거된 기체 생성물을 제공한다.
따라서, 황 산화물 및 질소 산화물을 함유하는 기체로부터 암모늄 설페이트 및 암모늄 나이트레이트가 얻어진다. 이러한 기체는 제련소, 중유 산업, 소각로 또는 제강공장으로부터 얻어진다.
따라서 공지된 처리 라인은 시약을 도입하고, 시약을 전자 충격에 노출시키고, 생성물을 회수하기 위한 다수의 반응기를 포함한다.
이러한 유형의 구성을 개시하는 특허 출원 WO 2010/141306을 참조할 수 있다.
이러한 구성 하에서는 실제로 일련의 다수의 반응기가 존재한다. 또한 충격은 기체 흐름의 순환 방향에 수직이다. 그러나, 전자는 기체 흐름의 기체 분자와의 충돌 중에 에너지를 급속하게 상실한다는 것이 공지되어 있다.
그러므로 전자는 흐름의 상층에서는 매우 높은 에너지를 갖고, 하층에서는 보다 낮은 에너지를 갖는다.
따라서, 충격은 균일하지 않다.
유일한 해결책은 이들 전자를 충분한 양 및 충분한 에너지로 확산시킴으로써 전자가 적절한 방식으로 하층을 처리하도록 하는 것이지만, 그러면 반응기의 상부에서 쓸데없이 강한 전력 용량이, 그리고 반응기의 저부에서 에너지 손실이 존재하고, 이것은 언제나 비용을 수반한다.
또한 여러가지 상이한 용도에 대해, 특히 폴리머의 제조 시, 동일한 유형의 필요성이 존재한다. 이러한 방법의 과정에서, 전자 충격은 자유 라디칼의 생성을 유발할 수 있고, 및/또는 모노머를 활성화시킴으로써 모노머의 반응성을 향상시켜 더 완전하고 더 신속한 중합을 보장하거나, 촉매의 존재 하에서 그라프팅(grafting)을 가능하게 한다.
본 발명의 목적은 기체를 전자 빔에 의한 충격에 노출시킴으로써 단일 반응기 내에서 효과적인 기체 처리를 가능하게 하는 것이다.
이 목적을 위해, 적어도 하나의 기체 흐름, 특히 (원문대로) 청구항 1에 따른, 오염된 기체 배출물의 흐름을 처리하기 위한 장치가 제공된다.
본 발명에 따른 적어도 하나의 기체 흐름을 처리하기 위한 방법으로서 적어도 다음의 단계를 포함한다.
- 적어도 하나의 기체 흐름을 도입하는 단계,
- 적어도 하나의 시약을 도입하는 단계,
- 기체 흐름 및 적어도 하나의 시약을 전자 빔에 노출시키는 단계,
- 한편으로, 전자 빔에 의해 적어도 하나의 기체 흐름을 처리함으로써 얻어지는 생성물 또는 생성물들을, 그리고 다른 한편으로 처리된 기체 생성물을 분리시키는 단계를 포함하고, 이 단계는 본 발명에 따른 단일 반응기 내에서 실시된다.
이하, 도면에 관련된 특정의 실시형태에 따른 장치 및 방법을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 방법의 구현을 가능하게 하는 장치의 개략도(주로 측단면도)를 도시한다.
이하에 기재되는 장치는 오염된 기체 배출물의 흐름을 처리하기에 특히 적합한 반응기에 관한 것이지만, 예를 들면, 촉매의 존재 하에서 폴리머의 화학에서와 같이 기체성 화합물의 자유 라디칼을 활성화시키는 것이 필요한 다른 용도에서도 이용될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 장치는 단일 반응기(10), 단일 반응기(10) 내의 적어도 하나의 기체 흐름(14)의 유입 수단(12), 상기 반응기 내의 전자 빔(18)의 방출 수단(16), 및 전자 빔 처리된 기체 생성물(22)의 유출 수단(20)을 포함한다.
이 단일 반응기는 또한 액체 부산물(26)의 회수를 위한 수단을 포함하고, 이 수단은 상기 단일 반응기의 하부에 배치된다.
도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이 본 구성에서 적어도 하나의 기체 흐름의 유입 수단(12)은 단일 반응기(10)의 상부에 배치되고, 기체 생성물의 유출 수단(20)은 상기 단일 반응기(10)의 저부에 배치된다.
단일 반응기는 테이퍼형, 및 심지어 원통-원추형인 체임버(28)이다.
이러한 기하학적 형상은 반응기의 상부로부터 저부까지 온도 구배를 생성하는 장점이 있으므로 기체 배출물 내에 함유된 오염물질을 처리하는 효율을 최대화한다. 전자 빔에 의한 질소 산화물의 제거 수율은 높은 기체 배출물 온도(예를 들면, 100를 초과하는 온도)에 의해 증강되는 반면에 황 산화물의 더 우수한 제거 수율은 보다 낮은 온도(예를 들면, 60 미만의 온도)의 경우에 얻어진다.
바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 기체 흐름(14)은 유입 수단(12)을 통해 도입되고, 순환은 유출 수단(20)을 향해 실행되고, 따라서 화살표로 표시된 순환 방향(D)을 형성한다. 이 경우, 더욱 유리하게도 이 방향은 수직으로 배향된다.
유입 수단(12)은 상부 부분의 측면에 적어도 하나의 태핑(tapping)으로 이루어지지만, 이러한 유입 수단(12) 내에서 형성되는 선택적 액체가 중력의 작용 하에서 상기 단일 반응기(10) 내로 유동하도록 단일 반응기(10)를 향해 경사를 이룬다.
상기 반응기(10) 내의 전자 빔(18)의 방출 수단(16)은 이 반응기의 상부 부분에 배치된다. 빔(18)이 적어도 하나의 기체 흐름의 순환 방향, 즉 순환 방향(D)으로 배향되어야 하므로 방출된 전자 빔(18)은 본 발명을 위해 특정의 감도가 우수하게 배향되고, 이것은 높은 수율을 얻도록 30°의 허용범위로 실행된다.
빔(18)의 출력은, 한편으로, 처리될 기체 흐름의 성질에 따라, 그리고 다른 한편으로, 단일 반응기(10) 내에 도입되는 분자의 반응성에 따른다.
전자 빔(18)의 기하학적 형상은 반응기의 상부의 구역을 균일하고 균질하게 덮도록 반응기의 상부의 기하학적 형상에 적합된다.
하부에서, 액체 부산물(26)의 회수를 위한 수단(24)은 테이퍼형의 단일 반응기(10) 자체의 하부로 이루어진다. 따라서 반응기의 푸트(foot; 30)는 상부의 원추형의 연장부인 원통형인 것이 유리하다.
단일 반응기(10)는 이 반응기의 푸트에 형성되는 액체 배쓰(bath) 자체 내에 낮은 수집점(collecting point)을 생성하도록 반응기 베이스에 형성되는 수집용 웰(well; 32)을 포함할 수 있다.
상기 단일 반응기(10)의 저부에 배치되는 기체 생성물의 유출 수단(20)은 일반적으로 재순환 시스템을 향해 지향되거나, 오염된 기체 배출물의 처리에 적용하기 위한 외기에 노출된 샤프트(36)를 향해 지향되는 태핑(tapping; 34)을 포함한다. 예를 들면, 팬 형태의 순환 수단(38)은 기체 생성물(22)을 순환시키도록 삽입된다.
태핑(34)은, 기체 생성물에 의해 연행(entainment)되거나, 또는 예를 들면, 응결에 의해 형성되는 선택적인 액체가 중력에 의해 단일 반응기(10)의 내부를 향해 유동하도록 상방향으로 배향된다.
단일 반응기(10)는 또한 상기 반응기(10) 내에 시약의 도입을 가능하게 하는 이들 시약을 도입하기 위한 수단(40)을 구비한다. 이러한 도입 수단(40)은 적어도 하나의 태핑(42)의 형상을 취할 수 있다.
오염된 기체 배출물의 흐름을 처리하는 것에 적용되는 제시된 실시형태에서, 적어도 다음과 같은 태핑이 제공된다.
물의 주입을 위한 태핑(42-1),
암모니아의 주입을 위한 제 1 태핑(42-2),
암모니아의 제 2 태핑(42-3), 및
액체 배출물을 재순환시키기 위한 태핑(42-4).
태핑의 경우, 필요에 따라, 태핑은, 예를 들면, 이하에서 설명되는 바와 같이, 전자 충격의 효율을 더욱 증대시킬 수 있도록 유체를 분산 및 선택적으로 미분화하는 방식으로 노즐을 구비하는 확산 링의 형태로 단일 반응기(10)의 내측에 제공될 수 있다.
본 장치는 기체 생성물을 세척하기 위한 수단(44)에 의해 완성된다.
이러한 수단(44)은 기체 흐름의 유출구에 배치되는 물 분사용 노즐(46)로 구성될 수 있다.
반응기 유출구에서 액체 분무를 분사함으로써 기체 배출물을 세척하는 “커튼”을 제공하는 것이 가능하다.
유리하게, 염 내에 고도로 농축된 액체 부산물(26)의 제 1 획분(fraction)을 펌핑하기 위한 수단(48)이 또한 단일 반응기(10) 및 더 상세하게는 수집용 웰(32)과 결합된다.
이 목적을 위해 전용되는 태핑(42-4)을 통한 액체 부산물(26)의 제 2 획분의 재순환을 위해, 반응기의 저부에 부산물(26)의 배쓰의 상부에 위치되는 샘플링 태핑(42-5)을 구비하는 펌핑을 위한 수단(50)이 제공된다.
일반적으로, 본 장치는 처리 전 및 처리 중에 반응기 내의 반응, 반응 온도, 기체 흐름의 체류 시간을 안내 및 제어하기 위해 필요한 모든 요소와 관련된 펌프, 유동 센서, 압력 센서, 온도 센서 및 컴퓨터 수단을 포함하는 하우징에 의해 상징되는 자동 안내 시스템(52)을 포함한다. 이러한 기구류는 공지된 것으로 완전히 본 기술분야의 당업자의 이해 범위 내에 있고, 그 부품은 상업적으로 사용 또는 입수가 가능하므로 상세히 도시되어 있지 않다.
본 장치는 또한 염 내에 고도로 농축된 액체 생성물을 보관하기 위한 리저버(54)를 포함한다.
이하 본 장치와 함께 사용되는 방법을 설명한다.
이 방법은 적어도 다음의 일련의 단계로 이루어진다.
- 적어도 하나의 기체 흐름을 도입하는 단계,
- 오염된 기체 배출물 유형의 적어도 하나의 기체 흐름(14)을 처리하는 것을 목적으로 하는 방법의 경우에 적어도 하나의 시약, 특히 암모니아(NH4OH)를 도입하는 단계,
- 적어도 하나의 기체 흐름 및 적어도 하나의 시약을 전자 빔에 노출시키는 단계,
- 전자 빔에 의한 기체 흐름의 처리로부터 얻어지는 액체 생성물 또는 액체 생성물들, 및 이것에 대조되는 처리된 기체 생성물을 분리하는, 단일 반응기(10) 내에서 실시되는, 단계.
본 발명의 상세한 구현례에 따르면, 이 방법은, 오염된 기체 배출물로 이루어지는 적어도 하나의 기체 흐름(14)을 처리하는 경우에, 물 및 암모니아의 주입에 의한 처리를 제공한다. 암모니아는 기체 형태로 주입될 수도 있다.
따라서, 이러한 하나의 흐름만이 도입되는 경우, 기체 흐름(14)은 도입 수단(12)을 통해 유동한다. 이러한 도입 수단(12)은 빔의 방출 수단(16)에 의해 방출되는 전자 빔(18)을 교란시키지 않도록 측방향에 배치되지만, 구조에 기초하여, 이 수단은 단일 반응기(10) 내의 기체 흐름의 순환 방향(D)인 중심 방향으로 지향될 수 있다.
이 방법은 단일 반응기(10) 내에서 흐름의 순환 방향인 방향(D)의 전자 빔(18)의 방출을 제공하고, 전자 빔(18)의 방출 방향과 단일 반응기 내에서 흐름의 순환 방향(D) 사이의 입사 범위는 ±30°이다.
그 목적은 단일 반응기(10) 내의 기체 흐름의 순환 방향(D)에 본질적으로 평행하게 전자 빔(18)을 지향시키도록 하는 것이다.
실제로, 빔(18)이 반응기(10) 내의 기체 흐름(14)의 방향(D)에 평행할 수록 상기 빔(18)의 효율은 더욱 증가한다. 방출된 전자는 유입되는 기체 흐름과 접촉 시에 최대 출력을 갖고, 이것은 균질하게 발생된다.
또한, 전자는 흐름 방향으로 계속 이동하므로 반응기(10)에 수용된 기체 흐름(14)의 전체 높이에 걸쳐 기체 흐름(14) 및 시약의 분자와 충돌하고, 그 후 반응기의 벽에 충돌하고, 이에 대응하여 감쇄된다.
또한 도시된 구성에서 기체 분자에 의해 흡수되지 않는 전자는 단일 반응기(10)의 저부에서 액체 생성물(26)의 배쓰의 표면 상에 작용하여 상이한 분자 상에 임의의 반응을 지속한다.
따라서, 본 발명에 따른 방법의 개량에 따르면, 한편으로, 수집된 액체 생성물(26)은 도입 수단에 근접하여 기체 흐름(14)의 상부에 재주입되어 새로운 전자 충격을 받게 된다.
반응기 내의 모든 온도 구배 파라미터 뿐만 아니라 배쓰의 pH는 모니터링된다.
매연의 처리의 경우에, 현탁물 내의 그을음, 플라이애시(flyash) 및 기타 물질이 제거된다.
전자 빔(18)에 기체 배출물 SOx 및 NOx의 혼합물을 노출시키면, 휘발성 유기 화합물 및 다이옥신을 분해하고, 황 산화물 및 질소 산화물을 설페이트 및 암모늄 나이트레이트의 혼합물로 전환시키는 라디칼의 형성이 유발된다.
수집된 액체 생성물(26)을 위한 디캔팅(decanting)이 실시되고, 염 내에 농축된 생성물이 배쓰의 저부에서 발견되고, 이것은 소정의 배쓰 액위를 유지하도록, 그리고 재결합된 비오염성 생성물을 제거하도록 단일 반응기(10)로부터 제거된다.
이러한 생성물은 다른 용도 또는 임의의 다른 분리 처리를 위해 저장된다.
전자 충격을 받은, 그리고 여전히 기체 형태인 기체 생성물의 흐름은 도시된 경우에 대기 내로 배출된다.
매우 만족스러운 정화를 보장하기 위해, 기체 흐름은, 예를 들면, 분사수(spray-water) 세척 공정을 거치고, 세척된 배출물은 태핑의 경사로 인해 방향을 바꾸어 반응기로 향한다.
이러한 액체 배출물 자체는 또한 궁극적인 액체 배출물 형태에 도달할 때까지 단일 반응기(10) 내에서 처리된다.
개량된 방식에서, 상기 반응기의 벽의 부식을 제한하도록 단일 반응기(10)의 벽을 세척하는 것도 가능하다. 동시에, 이러한 세척은 벽의 퇴적물이 부착되는 것을 크게 제한한다.
이러한 방법은 수십만 정상(normal) 체적(m3/시간)을 처리하기 위해 대규모로 실시될 수 있다.
이러한 구성은 특히 에너지 수율 및 처리 효율의 다대한 향상을 동반하여 산업적인 면에서 유리하다.
또한, 유입되는 기체 흐름(14)의 분자는 균질하게 동일한 전력의 전자로 처리된다.
또한 단일 반응기(10)의 이러한 구성은 화학 및 폴리머 분야에서 효율 및 전환 수율을 증강시키기 위해, 특히 화합물을 활성화시킬 필요가 있거나 자유 라디칼을 생성할 필요가 있는 경우에 적합할 수 있다.
특히, 이것은 하나 이상의 액체, 고체 또는 분말상 시약을 첨가하거나 첨가함이 없이 기체 상태의 하나 이상의 화합물의 반응기 내에서 전자 빔(18)에 의한 처리로부터 얻어지는 하나 이상의 생성물의 합성을 가능하게 한다.
유리하게도, 단일 반응기(10) 내의 시약의 주입은 기체와 액체 사이의 접촉면을 증대시키기 위해 “안개(fog)”를 생성하도록 분무 형태로 실행된다.
그러므로 본 발명에 따른 습식상(wet phase)으로 배출물 또는 기체 흐름(14)을 처리하기 위한 단일 반응기(10)에 의해 다음의 공정이 가능하다.
- 배출물 또는 기체 흐름(14) 내에 함유된 화합물의 포획 및 이것의 액체상 내에서의 관리.
- 반응기(10) 내에서 액체 형태 또는 분말 형태(예를 들면, 암모니아성 용액, 분말 석회 또는 물)의 모든 유형의 시약의 주입.
- 반응기(10)의 저부 위치에 위치된 탱크 내에서 모든 수성 처리의 부산물 및/또는 고형물의 회수.
- 반응기(10)의 상부 부분을 향하여 반응기(10)의 저부 위치의 탱크에서 회수된 용액의 재주입. 탱크의 용액의 재순환은 이 용액을 처리하기 위한 부산물의 농도를 증가시킬 수 있으므로 시약의 투입을 최적화/제한할 수 있다.
- 물 분자와 가속된 전자의 상호작용에 의해 유발되는 폐수의 방사선분해를 위한 반응으로부터 얻어지는 다량의 활성 물질(산화성 라디칼 및 환원성 라디칼)의 형성. 이러한 활성 물질은 기체 배출물 내에 함유된 유기 분자(다이옥신, 폴리클로로비페닐, 휘발성 유기 화합물…)의 분해, 황 산화물 또는 질소 산화물의 산화, 금속의 환원을 유발하므로 VGS 방법에 의해 기체를 처리하는 효율의 원천이다. 특히 단일 반응기(10) 내의 수분량의 과포화에 의한 활성 물질의 생성의 최적화는 매우 유리하고, 소위 “건식” 방법 또는 “반습식” 방법으로 얻어지는 것에 비해 더 우수한 처리 성능 수준을 얻을 수 있다.
- 반응기(10) 내의 벽 및 노즐의 오손 및 부식을 방지하기 위한 지속적인 세척. 이러한 세척은 배출물 또는 기체 흐름(14) 내에 함유된 회분, 그을음, 및 기타 미립자의 회수를 가능하게 한다.
그러므로, 다른 특징에 따르면, 본 발명에 따른 방법은 적어도 하나의 액체 시약으로서 사용되는 폐수의 방사선분해에 의해 얻어지는 활성 물질의 생성이 단일 반응기(10) 내의 수분량의 과포화로 실행되는 것을 특징으로 한다.

Claims (15)

  1. 적어도 하나의 기체 흐름(14), 특히 오염된 기체 배출물의 흐름을 처리하기 위한 장치로서, 상기 장치는 상기 적어도 하나의 기체 흐름(14)의 전자 빔 처리에 의해 얻어지는 액체 생성물(26)의 중력에 의한 회수를 가능하게 하도록 테이퍼형 또는 원통-원추 형상을 갖는 단일 반응기(10), 및 적어도
    - 상기 단일 반응기(10)의 상부에 배치되는, 상기 단일 반응기(10) 내의 상기 적어도 하나의 기체 흐름(14)의 유입 수단(12),
    - 상기 반응기 내의 전자 빔(18)의 방출 수단(16) - 상기 빔은 본질적으로 상기 단일 반응기 내의 상기 기체 흐름의 순환 방향으로 배향됨 -,
    - 상기 반응기의 저부에 배치되는, 상기 적어도 하나의 기체 배출물(14)의 상기 전자 빔 처리된 기체 생성물(22)의 유출 수단(20), 및
    - 상기 단일 반응기(10)의 하부에 배치되는 액체 부산물(26)의 회수를 위한 수단(24)을 포함하는, 기체 흐름을 처리하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기체 흐름(14)의 유입 수단(12) 및 상기 기체 생성물(22)의 유출 수단(20)은 상기 단일 반응기(10) 내에서 30의 수직의 순환 방향(D)을 형성하도록 배치되는, 기체 흐름을 처리하기 위한 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 단일 반응기(10)는 적어도 하나의 시약을 공급하기 위한 수단(40)을 구비하는, 기체 흐름을 처리하기 위한 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 도입 수단(12) 및 상기 유출 수단(20)은 상기 단일 반응기(10)의 내부를 향해 배향된 유동 방향을 갖는 태핑(tapping)을 포함하는, 기체 흐름을 처리하기 위한 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 반응기(10)는 전자 빔(18)에 의해 처리된 기체 생성물(22)을 세척하기 위한 수단(44)을 포함하는, 기체 흐름을 처리하기 위한 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 반응기(10)는 상기 기체 흐름(14)의 전자 빔(18)에 의한 처리에 의해 얻어지는 상기 액체 생성물(26)을 회수하도록 설계된 액체 배쓰(bath)를 포함하는, 기체 흐름을 처리하기 위한 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 반응기(10)는 상기 액체 생성물(26)의 회수를 위한 수단(32) 및/또는 상기 단일 반응기(10) 내에 액체 생성물(26)의 재주입을 위한 수단(42-4, 42-5)을 포함하는, 기체 흐름을 처리하기 위한 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 반응기(10)는 또한 안내 수단(52)을 포함하는, 기체 흐름을 처리하기 위한 장치.
  9. 적어도 하나의 기체 흐름(14)을 처리하기 위한 방법으로서, 적어도
    - 적어도 하나의 기체 흐름(14)을 도입하는 단계,
    - 적어도 하나의 시약을 도입하는 단계,
    - 상기 적어도 하나의 기체 흐름(14) 및 상기 적어도 하나의 시약을 전자 빔(18)에 노출시키는 단계,
    - 한편으로, 전자 빔(8)에 의해 상기 적어도 하나의 기체 흐름(14)의 처리로부터 얻어진 액체 생성물 또는 액체 생성물들과, 다른 한편으로, 처리된 기체 생성물을 분리하는 단계를 포함하고,
    상기 단계들은 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 단일 반응기(10) 내에서 실시되는, 기체 흐름을 처리하기 위한 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전자 빔(18)은 상기 단일 반응기(10) 내에서 상기 기체 흐름의 순환 방향(D)으로 방출되는, 기체 흐름을 처리하기 위한 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기체 흐름(14)은 오염된 기체 배출물인, 기체 흐름을 처리하기 위한 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 방법은 적어도,
    - 오염된 기체 배출물 내에 적어도 하나의 액체 시약을 도입하는 단계,
    - 라디칼의 형성을 유발시키기 위해 상기 오염된 기체 배출물 및 상기 적어도 하나의 액체 시약의 혼합물을 상기 전자 빔(18)의 작용에 노출시키는 단계,
    - 한편으로, 배출된 상기 기체 생성물과, 다른 한편으로, 수집되어 얻어진 상기 액체 생성물을 분리시키는 단계를 포함하는, 기체 흐름을 처리하기 위한 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    암모니아 및 물이 상기 오염된 기체 배출물 내에 도입되고, 상기 기체 배출물 및 시약의 혼합물이 상기 전자 빔(18)에 노출되면 라디칼의 형성이 유발되고, 상기 라디칼은 상기 휘발성 유기 화합물 및 다이옥신을 분해하고, 상기 황 산화물 및 질소 산화물을 설페이트 및 암모늄 나이트레이트의 혼합물로 전환시키는, 기체 흐름을 처리하기 위한 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    적어도 하나의 액체 시약으로서 사용되는, 폐수의 방사선분해로부터 얻어지는 활성 물질의 생성은 상기 단일 반응기(10) 내의 수분량의 과포화 하에서 실행되는, 기체 흐름을 처리하기 위한 방법.
  15. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 반응기(10) 내의 상기 시약의 주입은 상기 기체와 상기 액체 사이의 접촉면을 증대시키는 “안개(fog)”를 생성하도록 분무 형태로 실행되는, 기체 흐름을 처리하기 위한 방법.
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