KR20160017447A - Light emitting unit - Google Patents

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Abstract

Provided is a light emitting unit which comprises: a plurality of light emitting diode arrays disposed on a circuit board and emitting light within a range of a first wavelength region; and a wavelength conversion member disposed by being separated from the light emitting diodes, emitting light within the range of a second wavelength region after being excited by the light within the range of the first wavelength region, and including a plurality of regions with different thicknesses. According to an embodiment of the present invention, the light emitting unit is intended to vary a color temperature of light emitted from a light source depending on a service environment of lighting fixtures.

Description

발광 유닛{LIGHT EMITTING UNIT}[0001] LIGHT EMITTING UNIT [0002]

실시예는 발광 유닛에 관한 것으로, 보다 상세하게는 색온도를 조절할 수 있는 발광 유닛에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting unit, and more particularly, to a light emitting unit capable of adjusting a color temperature.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.GaN, and AlGaN are widely used for optoelectronics and electronic devices due to their advantages such as wide and easy bandgap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a semiconductor material of a 3-5 group or a 2-6 group compound semiconductor has been widely used in various fields such as red, green, blue and ultraviolet rays It can realize various colors, and it can realize efficient white light by using fluorescent material or color combination. It has low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps Affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 또는 다른 파장 영역의 광일 수 있다.In the light emitting device, electrons injected through the first conductive type semiconductor layer and holes injected through the second conductive type semiconductor layer meet with each other to emit light having an energy determined by an energy band inherent to the active layer. The light emitted from the active layer may be different depending on the composition of the material forming the active layer, and may be blue light, ultraviolet (UV) light, deep UV or other wavelength light.

발광소자 내지 발광소자 패키지에는 형광체가 필름 타입이나 몰딩부 내에 포함되어 배치되는데, 발광소자에서 방출된 제1 파장 영역의 광은 형광체를 여기하고, 형광체에서 제2 파장 영역의 광이 방출될 수 있다.In the light emitting device to the light emitting device package, the fluorescent material is included in the film type or molding part. The light of the first wavelength range emitted from the light emitting device excites the fluorescent material, and the light of the second wavelength range is emitted from the fluorescent material .

그러나, 종래의 발광소자 내지 발광소자 패키지는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional light emitting device or light emitting device package has the following problems.

발광소자가 특히 조명 장치의 광원으로 사용될 때, 주변 환경에 따라 색온도를 달리해야 할 경우도 있다. 예를 들면, 동일한 조명 장치가 사용되더라도 야외에서는 색온도를 따뜻하게 하고 실내에서는 색온도를 차갑게 할 필요가 있는데, 현재사용되는 조명 장치 내에서 동일한 발광소자 또는 발광소자 패키지를 사용하면 색온도를 달리하는 것이 어렵다.When the light emitting device is used as a light source of a lighting device in particular, the color temperature may have to be changed depending on the surrounding environment. For example, even if the same illuminating device is used, it is necessary to warm the color temperature in the outdoor and cool the color temperature in the room. It is difficult to change the color temperature by using the same light emitting device or light emitting device package in the currently used lighting device.

실시예는 조명 장치의 사용 환경에 따라, 광원에서 방출되는 광의 색온도를 달리하고자 한다.The embodiment attempts to vary the color temperature of the light emitted from the light source depending on the use environment of the lighting apparatus.

실시예는 회로 기판 상에 배치되고 제1 파장 영역의 광을 방출하는 복수 개의 발광소자 어레이; 및 상기 복수 개의 발광소자와 이격되어 배치되고, 상기 제1 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광을 방출하고, 두께가 다른 복수 개의 영역을 포함하는 파장 변환 부재를 포함하는 발광 유닛을 제공한다.An embodiment includes a plurality of light emitting device arrays disposed on a circuit board and emitting light in a first wavelength range; And a wavelength conversion member disposed apart from the plurality of light emitting devices and emitting a light of a second wavelength range by being excited by the light of the first wavelength range and including a plurality of regions having different thicknesses, .

파장 변환 부재는, 베이스 필름과 상기 베이스 필름 상에 배치된 형광체층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion member may include a base film and a phosphor layer disposed on the base film.

형광체층의 두께는, 상기 복수 개의 발광소자 어레이의 배열 방향과 나란한 방향에서 일정할 수 있다.The thickness of the phosphor layer may be constant in a direction parallel to the array direction of the plurality of light emitting device arrays.

형광체층의 두께는, 상기 복수 개의 발광소자 어레이의 배열 방향과 교차하는 방향에서 일정하지 않을 수 있다.The thickness of the phosphor layer may not be constant in a direction intersecting the arrangement direction of the plurality of light emitting element arrays.

형광체층의 두께는 점차 변할 수 있다.The thickness of the phosphor layer may gradually change.

형광체층의 두께는 계단식으로 변할 수 있다.The thickness of the phosphor layer can be changed stepwise.

파장 변환 부재는, 상기 발광소자 어레이와 교차하는 방향으로 직선 이동이 가능할 수 있다.The wavelength conversion member can be linearly movable in a direction intersecting with the light emitting element array.

파장 변환 부재는, 상기 발광소자 어레이에 대하여 회전 운동이 가능할 수 있다.The wavelength converting member may be capable of rotating with respect to the light emitting element array.

파장 변환 부재의 회전축은, 상기 각각의 발광소자의 중심과 비중첩될 수 있다.The rotation axis of the wavelength converting member may be non-overlapping with the center of each of the light emitting elements.

실시예에 따른 광원 유닛은 파장 변환 유닛의 이동 또는 회전에 따라, 형광체층이 여기되어 방출되는 광의 광량이 다를 수 있고, 따라서 광원 유닛으로부터 방출되는 광의 색온도가 달라질 수 있다.In the light source unit according to the embodiment, depending on the movement or rotation of the wavelength conversion unit, the light amount of light emitted by exciting the phosphor layer may be different, and thus the color temperature of light emitted from the light source unit may be changed.

도 1은 실시예에 따른 발광 유닛의 측단면도이고,
도 2는 도 1의 파장 변환 부재의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3a 및 도 3b는 도 1의 파장 변환 부재의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 4a 내지 도 4c는 도 2의 파장 변환 부재의 구성을 상세히 나타낸 도면이고,
도 5a 내지 도 5c는 도 3의 파장 변환 부재의 구성을 상세히 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자를 포함하는 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a side sectional view of a light emitting unit according to an embodiment,
Fig. 2 is a view showing an embodiment of the wavelength converting member of Fig. 1,
3A and 3B are views showing another embodiment of the wavelength converting member of FIG. 1,
4A to 4C are diagrams showing the details of the configuration of the wavelength converting member of FIG. 2,
5A to 5C are diagrams showing the details of the configuration of the wavelength converting member of FIG. 3,
6 is a view showing an embodiment of a lighting apparatus including a light emitting element.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of embodiments according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도 1은 실시예에 따른 발광 유닛의 측단면도이고, 도 2는 도 1의 파장 변환 부재의 일실시예를 나타낸 도면이고, 도 3a 및 도 3b는 도 1의 파장 변환 부재의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.Fig. 1 is a side sectional view of a light emitting unit according to an embodiment, Fig. 2 is a view showing an embodiment of the wavelength converting member of Fig. 1, and Figs. 3a and 3b are views showing another embodiment of the wavelength converting member of Fig. FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 발광 유닛은 회로 기판(100) 상의 발광소자 패키지(200)와, 상기 발광소자 패키지(200)와 이격되어 배치되는 파장 변환 부재(300)를 포함하여 이루어진다.1, the light emitting unit according to the embodiment includes a light emitting device package 200 on a circuit board 100 and a wavelength converting member 300 disposed apart from the light emitting device package 200 .

회로 기판(100)은 인쇄 회로 기판(printed circuit board)이나 FPCB(flexible printed circuit board) 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(200)는 상술한 인쇄 회로 기판(100)으로부터 전류를 공급받아 구동될 수 있으며, 파장 변환 부재(300)는 형광체(330)를 포함하고 있다.The circuit board 100 may be a printed circuit board or a flexible printed circuit board (FPCB), and the light emitting device package 200 may be driven by receiving a current from the printed circuit board 100 And the wavelength converting member 300 includes the fluorescent material 330. [

파장 변환 부재(300)는 두께가 고르지 않고 변할 수 있는데, 도 2는 도 1의 파장 변환 부재(300)의 'I' 방향에서의 측면도이다. 도 2에서는 파장 변환 부재(300)의 세 영역(A, B, C)에서 파장 변환 부재(300)의 두께가 다르고, 따라서 세 영역(A, B, C)에 배치된 형광체(330)의 개수 또한 다를 수 있다.2 is a side view in the 'I' direction of the wavelength converting member 300 of FIG. 1. In FIG. 2, the number of the phosphors 330 disposed in the three regions A, B, and C is different in the thickness of the wavelength converting member 300 in the three regions A, B, and C of the wavelength converting member 300 It can also be different.

도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예에서, 파장 변환 부재(400)는 중심축(410)과 중심축(410)의 둘레에 배치된 형광체층(420)으로 이루어지고, 중심축(410)은 형광체층(420)을 지지하는 베이스 필름일 수 있다.3A and 3B, the wavelength converting member 400 is composed of a phosphor layer 420 disposed around the central axis 410 and the central axis 410, And may be a base film for supporting the phosphor layer 420.

도 3b는 도 3a의 파장 변환 부재(400)의 'J' 방향에서의 측면도이다. 도 3b에서 베이스 필름인 중심축(410)의 둘레에 배치된 형광체층(420)의 두께가 일정하지 않으므로, 파장 변환 부재(400)의 각 영역에 배치된 형광체(430)의 개수도 다를 수 있다.3B is a side view in the 'J' direction of the wavelength converting member 400 of FIG. 3A. Since the thickness of the phosphor layer 420 disposed around the center axis 410 as the base film in FIG. 3B is not constant, the number of the phosphors 430 disposed in each region of the wavelength converting member 400 may be different .

도 4a 내지 도 4c는 도 2의 파장 변환 부재의 구성을 상세히 나타낸 도면이다.4A to 4C are views showing the details of the configuration of the wavelength converting member of FIG.

도 4a의 광원 유닛은 회로 기판과 발광소자 패키지와 파장 변환 부재를 포함하여 이루어진다. 회로 기판은 도전층(110)과 절연층(120)을 포함하여 이루어질 수 있고, 발광소자 패키지는 회로 기판(200) 상에 배치되며 발광소자(210)와 와이어(250) 및 몰딩부(250)를 포함하여 이루어질 수 있다.The light source unit of FIG. 4A includes a circuit board, a light emitting device package, and a wavelength converting member. The circuit board may include a conductive layer 110 and an insulating layer 120. The light emitting device package is disposed on the circuit board 200 and includes a light emitting device 210, a wire 250, a molding part 250, . ≪ / RTI >

발광소자(210)는 예를 들면 발광 다이오드일 수 있다. 발광소자(210)는 사파이어(Sapphire) 등으로 이루어진 기판 위에 언도프드 반도체층(un-GaN)과 제1 도전형 반도체층(n-GaN)과 활성층(MQW) 및 제2 도전형 반도체층(p-GaN)을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치된 수평형 발광소자이거나 수직형 발광소자 또는 플립 칩 발광소자일 수 있다.The light emitting device 210 may be, for example, a light emitting diode. The light emitting device 210 includes an un-formed semiconductor layer (un-GaN), a first conductive semiconductor layer (n-GaN), an active layer (MQW), and a second conductive semiconductor layer (p) on a substrate made of sapphire -GaN), a horizontal light emitting element in which a first electrode and a second electrode are respectively disposed on the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, a vertical light emitting element or a flip chip Emitting device.

발광소자(210)는 와이어(250)를 통하여 회로 기판의 도전층(110)에 전기적으로 연결될 수 있다. 발광소자(210)의 둘레에는 몰딩부(270)가 형성되어, 발광소자(210)와 와이어(250)를 보호할 수 있다.The light emitting device 210 may be electrically connected to the conductive layer 110 of the circuit board through the wire 250. A molding part 270 is formed around the light emitting device 210 to protect the light emitting device 210 and the wire 250.

상술한 회로 기판(100) 상에 복수 개의 발광소자 패키지(200)가 배치된 발광소자 어레이 상에는, 파장 변환 부재(300)가 배치되는데, 파장 변환 부재는 베이스 필름(310)과 형광체(330)를 포함하는 형광체층(320)을 포함하여 이루어질 수 있다.A wavelength conversion member 300 is disposed on a light emitting device array in which a plurality of light emitting device packages 200 are disposed on the circuit board 100. The wavelength converting member includes a base film 310 and a phosphor 330 And a phosphor layer 320 including a phosphor layer.

베이스 필름(310)은 몰딩부(270)의 상부와 기설정된 거리(d)만큼 이격될 수 있는데, 상술한 이격 거리(d)가 확보되면 파장 변환 부재(300)가 이동할 때 몰딩부(270)와 접촉하지 않을 수 있다.The base film 310 may be spaced apart from the upper portion of the molding part 270 by a predetermined distance d. When the distance d is secured, when the wavelength conversion member 300 moves, As shown in FIG.

베이스 필름(310)은 투광성 재료로 이루어지고, 형광체층(320)을 지지할 수 있다. 형광체층(140)은 형광체(330)를 포함하되, 발광소자(210)에서 방출되는 광을 확산시킬 수 있다.The base film 310 is made of a light-transmitting material and can support the phosphor layer 320. The phosphor layer 140 includes the phosphor 330 and is capable of diffusing light emitted from the light emitting device 210.

형광체층(320)의 주재료는 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 주원료로 하는 레진(올리고머 타입)을 이용할 수 있다. 이를테면, 합성 올리고머인 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 폴리아크릴인 폴리머 타입과 혼합된 것을 사용할 수 있다. 형광체층(320)은 상술한 조성에 저비점 희석형 반응성 모노머인 IBOA(isobornyl acrylate), HPA(Hydroxylpropyl acrylate, 2-HEA(2-hydroxyethyl acrylate) 등이 혼합된 모노머를 더 포함할 수 있으며, 첨가제로서 광개시제(이를 테면, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone 등) 또는 산화방지제 등을 혼합할 수 있다.The main material of the phosphor layer 320 may be a resin (oligomer type) having urethane acrylate oligomer as a main material. For example, a mixture of urethane acrylate oligomer, which is a synthetic oligomer, with a polymer type of polyacrylic can be used. The phosphor layer 320 may further include monomers in which the low boiling point dilution type reactive monomers IBOA (isobornyl acrylate), HPA (hydroxypropyl acrylate, 2-HEA (2-hydroxyethyl acrylate) A photoinitiator (such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone), or an antioxidant.

보다 상세하게는 형광체층(320)은 올리고머와 고분자 수지(polymer type)의 혼합물을 포함하는 합성수지로 이루어질 수 있으며, 특히 올리고머와 고분자 수지(polymer type)의 혼합물 20~42%, 모노머 30~63%, 첨가제 1.5~6% 의 조성으로 형성되는 조성물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 올리고머와 고분자 수지는, 우레탄 아킬레이트 올리고머 10~21%, 폴리아크릴 10~21%의 혼합물로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 모노머는 저비점 희성형 반응성 모노모로서, IBOA(isobornyl Acrylate) 10~21%, HPA(Hydroxypropyl Acrylate) 10~21%, 2-HEA (2-Hydroxyethyl Acrylate) 10~21%의 혼합물로 형성될 수 있으며, 첨가제는, 광개시제 1~5%를 첨가하여 광반응성을 개시하는 기능을 수행하게 할 수 있으며, 산화방지제 0.5~1%를 첨가하여 황변 현상을 개선할 수 있는 혼합물일 수 있다.More specifically, the phosphor layer 320 may be made of a synthetic resin containing a mixture of an oligomer and a polymer type. In particular, the phosphor layer 320 may comprise 20 to 42% of a mixture of an oligomer and a polymer type, 30 to 63% , 1.5 to 6% of an additive, and the like. At this time, the oligomer and the polymer resin may be formed of a mixture of 10 to 21% of urethane acylate oligomer and 10 to 21% of polyacryl. The monomer is formed as a mixture of 10 to 21% of IBOA (isobornyl acrylate), 10 to 21% of HPA (Hydroxypropyl Acrylate) and 10 to 21% of 2-HEA (2-Hydroxyethyl Acrylate) And the additive may be a mixture capable of initiating photoreactivity by adding 1 to 5% of a photoinitiator and capable of improving yellowing by adding 0.5 to 1% of an antioxidant.

상술한 조성물을 이용한 형광체층(320)은 아래의 공정으로 제조될 수 있다. 형광체층(320)은 우레탄 아크릴레이트 올리고모(urethane acrylate oligomer)를 주재료로 사용하며, 폴리아크릴(poly acryl)인 폴리머타입(polymer Type)과 혼합(blend)되어, UV 경화 파장 300~350㎛ 에서 주반응하며, 수은램프와 메탈(갈륨)램프를 사용하여 400㎛의 파장을, 폴리머타입(Polymer Type) 경화시 N2를 투입함으로써 일반 올리고머타입(oligomer Type) 과 함께 경화 발란스(balance)를 조절하여, 유연(Flexbile)하고, 점착력이 우수하며, PMMA 도광판의 굴절률을 유지 도광판의 한계를 극복할 수 있다.The phosphor layer 320 using the above-described composition can be manufactured by the following process. The phosphor layer 320 is made of a urethane acrylate oligomer as a main material and is blended with a polymer type of poly acryl and has a UV curing wavelength of 300 to 350 μm It reacts with a mercury lamp and a metal (gallium) lamp to control the curing balance with a general oligomer type by injecting N 2 at a wavelength of 400 μm when polymer type is cured. And it is possible to overcome the limit of the LGP by maintaining the refractive index of the PMMA light guide plate.

특히, 폴리머(Polymer)와 올리고머(oligomer)의 혼합(Hybrid)시 질소 퍼징을 하지 않으면, 내부 경화와 표면 경화 발란스로 인한 표면 주름 및 크랙(crack) 현상이 발생할 수 있으므로 , 이발명의 특징은 질소 퍼징을 해줌으로 인하여 , 일반 메탈 하일라이드등에서도 빠르게 경화를 할 수 있도록 함이 더욱 바람직하다. In particular, if nitrogen purging is not performed when a polymer and an oligomer are hybridized, surface wrinkles and cracks may occur due to internal hardening and surface hardening balance, It is more preferable to allow quick curing even in general metal halides and the like.

도시되지는 않았으나, 형광체층(320)은 상술한 조성 외에 발광소자(210)에서 방출되는 빛을 확산시키기 위하여 비드(bead)를 포함할 수 있고, 또한 형광체층(320)의 표면에 패턴이 형성될 수도 있다.Although not shown, the phosphor layer 320 may include a bead for diffusing light emitted from the light emitting device 210 in addition to the above-mentioned composition, and a pattern may be formed on the surface of the phosphor layer 320 .

형광체층(320)은 도 4a에 도시된 바와 같이 복수 개의 발광소자(210)의 배열 방향과 나란한 방향으로 두께가 일정하되, 도 4b에 도시된 바와 같이 복수 개의 발광소자(210) 어레이의 배열 방향과 교차하는 방향에서의 두께는 일정하지 않을 수 있다. 여기서, 교차하는 방향이라 함은 발광소자(210) 어레이의 배열 방향과 반드시 수직이 아닐 수도 있다.4A, the phosphor layer 320 has a uniform thickness in a direction parallel to the array direction of the plurality of light emitting devices 210, and the array direction of the plurality of light emitting devices 210 arrays 210 The thickness in the direction intersecting with the thickness direction may not be constant. Here, the intersecting direction may not necessarily be perpendicular to the array direction of the light emitting device 210 array.

도 4b는 도 4a의 파장 변환 부재의 'K' 방향에서의 측면도이다. 파장 변환 부재의 베이스 필름(310)의 두께는 일정하나, 형광체층(320)의 두께는 제1 방향에서의 두께(tL)와 제2 방향에서의 두께(tR)가 서로 다를 수 있다.4B is a side view in the 'K' direction of the wavelength converting member of FIG. 4A. The thickness of the base film 310 of the wavelength converting member is constant and the thickness of the phosphor layer 320 may be different from the thickness t L in the first direction and the thickness t R in the second direction.

그리고, 도 4c에 도시된 실시예는 도 4a의 파장 변환 부재의 다른 실시예의 'K' 방향에서의 측면도인데, 도 4b에 도시된 실시예에서 형광체층(320)의 두께가 제1 방향에서의 두께(tL)로부터 제2 방향에서의 두께(tR)로 갈수록 점차 증가한, 도 4c에 도시된 실시예에서는 형광체층(320)의 두께가 제1 방향에서의 두께(tL)로부터 제2 방향에서의 두께(tR)로 갈수록 계단식으로 증가하여 형광체층(320)의 표면이 단차를 이루고 있다.4C is a side view in the 'K' direction of another embodiment of the wavelength converting member of FIG. 4A. In the embodiment shown in FIG. 4B, the thickness of the phosphor layer 320 is larger than that of the wavelength converting member in the first direction In the embodiment shown in FIG. 4C, in which the thickness gradually increases from the thickness t L to the thickness t R in the second direction, the thickness of the phosphor layer 320 is changed from the thickness t L in the first direction to the thickness The thickness of the phosphor layer 320 increases stepwise in the direction of the thickness t R , and the surface of the phosphor layer 320 is stepped.

즉, 도 4c에서 형광체층(320)은 3개의 영역(R1, R2, R3)을 포함하고, 각각의 영역(R1, R2, R3)의 두께(t1, t2, t3)도 서로 다를 수 있다.That is, the phosphor layer 320 in Figure 4c are three areas (R 1, R 2, R 3) comprises a, and each region (R 1, R 2, R 3) thickness (t 1, t 2, t 3 may also be different.

도 4b와 도 4c에 도시된 실시예에서 파장 변환 부재(300)는 화살표로 도시된 방향으로 이동이 가능한데, 즉 도 4a의 발광소자(210) 어레이의 배열 방향과 교차하는 방향으로 이동이 가능하다.4B and 4C, the wavelength converting member 300 is movable in the direction shown by the arrows, that is, movable in a direction intersecting the array direction of the array of light emitting devices 210 of FIG. 4A .

따라서, 도 4b와 도 4c에서 발광소자(210)로부터 광이 방출될 때, 파장 변환 부재(300)의 이동에 따라 상술한 광이 진행하는 영역의 형광체(330)의 개수 내지 밀도가 다를 수 있다. 따라서, 형광체층(320)을 이동하면 발광소자(210)로부터 방출되는 제1 파장 영역의 광에 의하여 형광체(330)이 여기되는 빈도가 달라질 수 있고, 따라서 형광체층(330)으로부터 방출되는 제2 파장 영역의 광의 광량이 달라질 수 있다.Therefore, when the light is emitted from the light emitting device 210 in FIGS. 4B and 4C, the number and density of the phosphors 330 in the region where the light travels may vary depending on the movement of the wavelength converting member 300 . Accordingly, when the phosphor layer 320 is moved, the frequency of excitation of the phosphor 330 by the light in the first wavelength range emitted from the light emitting device 210 can be changed, The amount of light in the wavelength region can be changed.

상술한 바와 같이 실시예들에 따른 광원 유닛 내에서 파장 변환 유닛의 위치 변화에 따라, 형광체층이 여기되어 방출되는 광의 광량이 다를 수 있고, 따라서 광원 유닛으로부터 방출되는 광의 색온도가 달라질 수 있다.As described above, depending on the positional change of the wavelength conversion unit in the light source unit according to the embodiments, the phosphor layer may be excited and the amount of emitted light may be different, so that the color temperature of the light emitted from the light source unit may vary.

도 5a 내지 도 5c는 도 3의 파장 변환 부재의 구성을 상세히 나타낸 도면이다.5A to 5C are diagrams showing the details of the configuration of the wavelength converting member in Fig.

발광소자(210)와, 회로 기판을 이루는 도전층(110)과 절연층(120)의 구성은 도 4a 내지 도 4c에 도시된 실시예와 동일하되, 파장 변환 부재의 구성은 상이하다.The structures of the light emitting device 210, the conductive layer 110 and the insulating layer 120 constituting the circuit board are the same as in the embodiment shown in FIGS. 4A to 4C, but the structure of the wavelength converting member is different.

파장 변환 부재는 중심축(410)과 중심축(410)의 둘레에 배치된 형광체층(420)으로 이루어지고, 중심축(410)은 형광체층(420)을 지지하는 베이스 필름일 수 있고, 중심축(410)의 회전에 따라 형광체층(420)도 회전할 수 있다.The wavelength converting member is composed of a center axis 410 and a phosphor layer 420 disposed around the center axis 410. The center axis 410 may be a base film for supporting the phosphor layer 420, The phosphor layer 420 may also be rotated in accordance with the rotation of the shaft 410.

도 5b는 도 5a의 파장 변환 부재(400)의 'L' 방향에서의 측면도이다. 도 5b에서 베이스 필름인 중심축(410)의 둘레에 배치된 형광체층(420)의 두께가 일정하지 않으므로, 파장 변환 부재의 각 영역에 배치된 형광체(430)의 개수도 다를 수 있다.5B is a side view in the 'L' direction of the wavelength converting member 400 of FIG. 5A. 5B, since the thickness of the phosphor layer 420 disposed around the central axis 410, which is the base film, is not constant, the number of the phosphors 430 disposed in each region of the wavelength converting member may also be different.

즉, 형광체층(420)은 도 5a에 도시된 바와 같이 복수 개의 발광소자(210)의 배열 방향과 나란한 방향으로 두께가 일정하되, 도 5b에 도시된 바와 같이 복수 개의 발광소자(210) 어레이의 배열 방향과 교차하는 방향에서의 두께는 일정하지 않을 수 있다. 여기서, 교차하는 방향이라 함은 발광소자(210) 어레이의 배열 방향과 반드시 수직이 아닐 수도 있다.5A, the phosphor layer 420 has a uniform thickness in a direction parallel to the array direction of the plurality of light emitting devices 210, and the plurality of light emitting devices 210 The thickness in the direction intersecting the array direction may not be constant. Here, the intersecting direction may not necessarily be perpendicular to the array direction of the light emitting device 210 array.

도 5b에서 파장 변환 부재의 형광체층(420)의 두께는 반경(r)일 수 있고, 반경(r)은 일정하지 않을 수 있다. 그리고, 회전축(410)의 중심(C2)은 발광소자(210) 각각의 중심(C1)과 비중첩될 수 있는데, 즉, 발광소자(210) 각각의 중심(C1)이 회전축(410)의 중심(C2)과 수직 방향으로 일치하지 않아서 회전축(410)의 회전에 따라 발광소자(210)에서 방출되는 광이 도달하는 형광체(430)의 개수도 다를 수 있다.In Fig. 5B, the thickness of the phosphor layer 420 of the wavelength converting member may be a radius r, and the radius r may not be constant. Then, the center (C 2) is a light emitting element 210, there each center may be (C 1) and a non-overlapping, that is, the respective centers of the light-emitting element 210 (C 1), the axis of rotation (410 of the rotating shaft 410 ) center (which may also differ from the number of C 2) and the phosphors 430 for light to reach emitted by the light emitting device 210 according to the rotation of the rotating shaft 410 in the vertical direction of the mismatch.

그리고, 도 5c에 도시된 실시예는 도 5a의 파장 변환 부재의 다른 실시예의 'L' 방향에서의 측면도인데, 도 5b에 도시된 실시예에서 형광체층(320)의 반경(r)이 점차 변화하여, 도 5c에 도시된 실시예에서는 형광체층(420)의 두께가 계단식으로 변하여 형광체층(420)의 표면이 단차를 이루고 있다.5C is a side view in the 'L' direction of another embodiment of the wavelength converting member of FIG. 5A. In the embodiment shown in FIG. 5B, the radius r of the phosphor layer 320 gradually changes In the embodiment shown in FIG. 5C, the thickness of the phosphor layer 420 changes stepwise, so that the surface of the phosphor layer 420 is stepped.

즉, 도 5c에서 형광체층(420)은 서론 다른 반경(r1, r2, r3, r4)을 가지는 4개의 영역(R1, R2, R3, R4)으로 이루어질 수 있다. 그리고, 회전축(410)의 중심(C2)은 발광소자(210) 각각의 중심(C1)과 비중첩될 수 있음은 도 5b의 실시예와 동일할 수 있다.5C, the phosphor layer 420 may be composed of four regions R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 having different radii r 1 , r 2 , r 3 , and r 4 . The center C 2 of the rotation axis 410 may be overlapped with the center C 1 of each of the light emitting devices 210 in the same manner as the embodiment of FIG. 5B.

도 5b와 도 5c에 도시된 실시예에서 파장 변환 부재는 화살표로 도시된 방향으로 회전이 가능하고, 따라서 발광소자(210)로부터 광이 방출될 때, 파장 변환 부재의 회전에 따라 상술한 광이 진행하는 영역의 형광체(430)의 개수 내지 밀도가 다를 수 있다.In the embodiment shown in Figs. 5B and 5C, the wavelength converting member is rotatable in the direction shown by the arrow, and thus when the light is emitted from the light emitting element 210, the above- The number and density of the phosphors 430 in the traveling region may be different.

따라서, 형광체층(420)을 회전하면 발광소자(210)로부터 방출되는 제1 파장 영역의 광에 의하여 형광체(430)이 여기되는 빈도가 달라질 수 있고, 따라서 형광체층(430)으로부터 방출되는 제2 파장 영역의 광의 광량이 달라질 수 있다.Therefore, when the phosphor layer 420 is rotated, the frequency of excitation of the phosphor 430 by the light in the first wavelength range emitted from the light emitting device 210 can be changed, The amount of light in the wavelength region can be changed.

상술한 바와 같이 실시예들에 따른 광원 유닛 내에서 파장 변환 유닛의 회전에 따라, 형광체층이 여기되어 방출되는 광의 광량이 다를 수 있고, 따라서 광원 유닛으로부터 방출되는 광의 색온도가 달라질 수 있다.As described above, depending on the rotation of the wavelength conversion unit in the light source unit according to the embodiments, the phosphor layer may be excited and the amount of emitted light may be different, so that the color temperature of the light emitted from the light source unit may vary.

상술한 광원 유닛은 영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용되거나 조명장치의 광원으로 사용될 수 있는데, 이하에서는 상술한 광원 유닛이 배치된 조명장치를 설명한다.The light source unit described above can be used as a backlight unit of an image display device or as a light source of a lighting device. Hereinafter, a lighting device in which the above-described light source unit is disposed will be described.

도 6은 광원 유닛이 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment of a lighting apparatus in which a light source unit is arranged.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1200), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 광원 유닛일 수 있다.The lighting apparatus according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a heat sink 1200, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 may be the light source unit according to the above-described embodiments.

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1200)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1200)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may have a shape of a bulb or a hemisphere and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 can diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the heat discharger 1200. The cover 1100 may have an engaging portion that engages with the heat discharger 1200.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.The inner surface of the cover 1100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be formed larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is for sufficiently diffusing and diffusing light from the light source module 1200 and emitting it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 1100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 1100 may be formed by blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1200)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1200)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one side of the heat sink 1200. Accordingly, the heat from the light source module 1200 is conducted to the heat sink 1200. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1200)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the heat discharger 1200 and has guide grooves 1310 into which the plurality of light emitting device packages 1210 and the connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate of the light emitting device package 1210 and the connector 1250.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 1100 and returns toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1200)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1200)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1200)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact may be made between the heat discharger 1200 and the connection plate 1230. The member 1300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 1230 and the heat discharger 1200. The heat sink 1200 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to dissipate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 closes the receiving groove 1719 of the insulating portion 1710 of the inner case 1700. Therefore, the power supply unit 1600 housed in the insulating portion 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the projection 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electric signal provided from the outside and provides the electric signal to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is housed in the receiving groove 1719 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension unit 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide portion 1630 may be inserted into the holder 1500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 1650. The plurality of components may include, for example, a DC converter for converting an AC power supplied from an external power source to a DC power source, a driving chip for controlling driving of the light source module 1200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension portion 1670 is inserted into the connection portion 1750 of the inner case 1700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 1670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 1750 of the inner case 1700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 1670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 1800 .

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding part together with the power supply unit 1600 in the inner case 1700. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply providing part 1600 can be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 회로 기판 110: 도전층
120: 절연층 200: 발광소자 패키지
210: 발광소자 250: 와이어
270: 몰딩부 300, 400: 파장 변환 부재
310, 410: 베이스 필름 320, 420: 형광체층
230, 330: 형광체100: circuit board 110: conductive layer
120: insulating layer 200: light emitting device package
210: light emitting device 250: wire
270: molding part 300, 400: wavelength conversion element
310, 410: Base film 320, 420: Phosphor layer
230, 330: phosphor

Claims (9)

회로 기판 상에 배치되고 제1 파장 영역의 광을 방출하는 복수 개의 발광소자 어레이; 및
상기 복수 개의 발광소자와 이격되어 배치되고, 상기 제1 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광을 방출하고, 두께가 다른 복수 개의 영역을 포함하는 파장 변환 부재를 포함하는 발광 유닛.A plurality of light emitting device arrays disposed on a circuit board and emitting light in a first wavelength range; And
And a wavelength conversion member disposed apart from the plurality of light emitting elements and emitting a light of a second wavelength range by being excited by the light of the first wavelength range and including a plurality of regions having different thicknesses. 제1 항에 있어서,
상기 파장 변환 부재는, 베이스 필름과 상기 베이스 필름 상에 배치된 형광체층을 포함하는 발광 유닛.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength conversion member comprises a base film and a phosphor layer disposed on the base film. 제2 항에 있어서,
상기 형광체층의 두께는, 상기 복수 개의 발광소자 어레이의 배열 방향과 나란한 방향에서 고른 발광 유닛.3. The method of claim 2,
Wherein a thickness of the phosphor layer is uniform in a direction parallel to an arrangement direction of the plurality of light emitting element arrays. 제2 항에 있어서,
상기 형광체층의 두께는, 상기 복수 개의 발광소자 어레이의 배열 방향과 교차하는 방향에서 일정하지 않은 발광 유닛.3. The method of claim 2,
Wherein the thickness of the phosphor layer is not constant in a direction intersecting the arrangement direction of the plurality of light emitting element arrays. 제4 항에 있어서,
상기 형광체층의 두께는 점차 변하는 발광 유닛.5. The method of claim 4,
And the thickness of the phosphor layer gradually changes. 제4 항에 있어서,
상기 형광체층의 두께는 계단식으로 변하는 발광 유닛.5. The method of claim 4,
Wherein the thickness of the phosphor layer varies stepwise. 제4 항에 있어서,
상기 파장 변환 부재는, 상기 발광소자 어레이와 교차하는 방향으로 직선 이동이 가능한 발광 유닛.5. The method of claim 4,
Wherein the wavelength conversion member is capable of linearly moving in a direction intersecting with the light emitting element array. 제4 항에 있어서,
상기 파장 변환 부재는, 상기 발광소자 어레이에 대하여 회전 운동이 가능한 발광 유닛.5. The method of claim 4,
Wherein the wavelength conversion member is capable of rotating with respect to the light emitting element array. 제8 항에 있어서,
상기 파장 변환 부재의 회전축은, 상기 각각의 발광소자의 중심과 비중첩되는 발광 유닛.9. The method of claim 8,
And the rotation axis of the wavelength converting member is not overlapped with the center of each of the light emitting elements.
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