KR20160016251A - Crucible and ingot growing apparutus having the same - Google Patents

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Abstract

실시예는 잉곳성장장치의 내부에 배치되고, 석영 도가니를 수용하는 흑연 도가니로서, 바닥면; 상기 바닥면의 외측 둘레에 배치되는 측벽; 상기 측벽과 상기 바닥면을 오목하게 연결하는 코너부; 및 상기 측벽, 상기 코너부 또는 상기 측벽 및 코너부의 외측면과 내측면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통구멍을 포함하는 것을 특징으로 한다.
제안되는 실시예에 의하면, 흑연 도가니에 형성된 슬릿(또는, 관통구멍)으로 석영 도가니와 흑연 도가니 사이에 스며든 가스를 배출시킴으로써, 흑연 도가니의 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.
나아가, 실시예의 흑연 도가니에 형성된 슬릿은 외측면과 내측면의 폭을 달리 형성하여, 좀더 원활하게 가스를 배출할 수 있고 석영 도가니의 변형을 방지할 수 있는 장점이 있다. An embodiment is a graphite crucible disposed inside of an ingot growing apparatus and containing a quartz crucible, comprising: a bottom surface; A side wall disposed on an outer periphery of the bottom surface; A corner portion concavely connecting the side wall and the bottom surface; And at least one through hole passing through the side wall, the corner portion, or the outer side surface and the inner side surface of the side wall and the corner portion.
According to the proposed embodiment, there is an advantage in that damage to the graphite crucible can be prevented by discharging the gas impregnated between the quartz crucible and the graphite crucible with slits (or through holes) formed in the graphite crucible.
Further, the slits formed in the graphite crucible of the embodiment have different widths from the outer side to the inner side so that gas can be discharged more smoothly and deformation of the quartz crucible can be prevented.

Description

흑연 도가니 및 이를 포함하는 잉곳성장장치 {Crucible and ingot growing apparutus having the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a graphite crucible, and a crucible and ingot growing apparats having the same.

실시예는 단결정 실리콘 잉곳을 생산하는 잉곳성장장치에 관한 것으로, 특히, 흑연 도가니의 수명을 보다 향상시킬 수 있는 잉곳성장장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ingot growing apparatus for producing a single crystal silicon ingot, and more particularly to an ingot growing apparatus capable of further improving the lifetime of a graphite crucible.

반도체 소자 제조용 실리콘 웨이퍼의 대구경화가 진행됨에 따라, 실리콘 웨이퍼의 대부분은 초크랄스키(CZ) 법에 의해 성장된 실리콘 단결정 잉곳으로부터 제조되고 있다.BACKGROUND ART [0002] As silicon wafers for semiconductor device fabrication continue to increase in size, most silicon wafers are produced from silicon single crystal ingots grown by the Czochralski (CZ) method.

CZ 방법에서는, 석영 도가니에 폴리실리콘을 장입하고, 이를 흑연 발열체에 의해 가열하여 용융시킨 후, 용융 결과 형성된 실리콘 융액에 종자 결정을 접촉시키고, 계면에서 결정화가 일어나도록 하여 종자 결정을 회전하면서 서서히 인상시킴으로써, 원하는 직경을 가진 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨다.In the CZ method, polysilicon is charged into a quartz crucible, heated by a graphite heating element to melt the crystal, and seed crystals are brought into contact with the silicon melt formed as a result of the melting so that crystallization occurs at the interface, Thereby growing a silicon single crystal ingot having a desired diameter.

그런데, 석영 도가니 내의 폴리 실리콘을 용융할 때와 단결정 성장 공정시, 석영 도가니를 지지하는 흑연 도가니의 상측 및 하측은 외부에 노출되어 있고 노출된 도가니의 열 전도율이 높아서 도가니의 상측 및 하측에서 많은 양의 열이 손실되는 문제점이 발생하였다. The upper and lower sides of the graphite crucible supporting the quartz crucible are exposed to the outside when the polysilicon in the quartz crucible is melted and during the single crystal growth step, and the heat conductivity of the exposed crucible is high, There is a problem that the heat of the heat exchanger is lost.

또한, 열의 손실을 보상하기 위하여 히터파워 상승시, 흑연 도가니의 상측과 하측 사이의 코너부에 열화가 집중되는 현상이 발생하였고, 이러한 열화로 인한 손상이 코너부에 집중적으로 발생하여, 흑연 도가니뿐만 아니라 석영 도가니의 수명이 짧아지는 문제점이 발생하였다. In addition, in order to compensate for heat loss, deterioration concentrates on the corner between the upper and lower sides of the graphite crucible when the heater power rises, and damage due to such deterioration occurs intensively at the corner portion, But the life of the quartz crucible is shortened.

또한, 실리콘 용융시, 실리콘 용융액과 석영 도가니가 반응하여 SiO 가스가 발생한다. 이 SiO 가스는 챔버 내에서 Ar 가스와 함께 진공 펌프에 의해 챔버 밖으로 배기되지만, 일부는 흑연 도가니와 석영 도가니의 틈으로 들어가 SiO와 흑연 도가니의 C가 반응하여 흑연 도가니의 SiC화가 진행된다. SiC와 C는 열팽창 계수가 현저히 달라서 흑연 도가니의 냉각/가열 동안에 열팽창 차이에 의한 응력이 발생하여 흑연 도가니는 내구성이 점점 취약해져 균열이 발생하게 된다.Further, when melting the silicon, the silicon melt and the quartz crucible react with each other to generate SiO gas. This SiO gas is exhausted out of the chamber by a vacuum pump together with Ar gas in the chamber, but a part of the SiO gas enters the gap between the graphite crucible and the quartz crucible, and SiO and the C of the graphite crucible react with each other to progress the SiC transformation of the graphite crucible. SiC and C are significantly different in thermal expansion coefficient, so that stress due to the difference in thermal expansion occurs during cooling / heating of the graphite crucible, so that the graphite crucible becomes durable and becomes cracked.

또한, 이 흑연 도가니의 SiC화 층과 석영 도가니의 SiO2가 반응하여 SiO와 CO 가스가 발생하게 되고, 이 가스들의 흐름에 의해 흑연 도가니에서 식각이 발생하게 된다.In addition, the SiC layer of the graphite crucible reacts with SiO 2 of the quartz crucible to generate SiO 2 and CO gas, and the graphite crucible is etched by the flow of these gases.

특히, 흑연 도가니의 코너부에서는 가스의 병목 현상이 발생하여 가스의 흐름이 집중적으로 발생하게 되고, 전술한 바와 같이 열화 또한 집중되어, 식각으로 인한 수평 방향의 균열(Crack)이 발생한다.Particularly, at the corner of the graphite crucible, a bottleneck of the gas occurs, and the flow of the gas is intensively generated. As described above, the deterioration also concentrates and cracks occur in the horizontal direction due to the etching.

이러한 흑연 도가니의 균열은 흑연 도가니의 수명을 단축시키고, 흑연 도가니의 안쪽에 위치하는 석영 도가니의 모양을 변형시켜 공정의 손실을 초래하게 된다.Such cracking of the graphite crucible shortens the lifetime of the graphite crucible and deforms the shape of the quartz crucible located inside the graphite crucible, resulting in a loss of the process.

실시예는, 종래에 흑연 도가니의 코너부에서 균열이 발생하는 것을 억제하여 흑연 도가니의 수명을 증대시키고 실리콘 단결정 잉곳의 성장 품질을 안정화 시키고자 한다.The embodiment attempts to suppress the occurrence of cracks at the corners of the graphite crucible in the past to increase the lifetime of the graphite crucible and to stabilize the growth quality of the silicon single crystal ingot.

실시예는 잉곳성장장치의 내부에 배치되고, 석영 도가니를 수용하는 흑연 도가니로서, 바닥면; 상기 바닥면의 외측 둘레에 배치되는 측벽; 상기 측벽과 상기 바닥면을 오목하게 연결하는 코너부; 및 상기 측벽, 상기 코너부 또는 상기 측벽 및 코너부의 외측면과 내측면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통구멍을 포함하는 것을 특징으로 한다.An embodiment is a graphite crucible disposed inside of an ingot growing apparatus and containing a quartz crucible, comprising: a bottom surface; A side wall disposed on an outer periphery of the bottom surface; A corner portion concavely connecting the side wall and the bottom surface; And at least one through hole passing through the side wall, the corner portion, or the outer side surface and the inner side surface of the side wall and the corner portion.

제안되는 실시예에 의하면, 흑연 도가니에 형성된 슬릿(또는, 관통구멍)으로 석영 도가니와 흑연 도가니 사이에 스며든 가스를 배출시킴으로써, 흑연 도가니의 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다. According to the proposed embodiment, there is an advantage in that damage to the graphite crucible can be prevented by discharging the gas impregnated between the quartz crucible and the graphite crucible with slits (or through holes) formed in the graphite crucible.

나아가, 실시예의 흑연 도가니에 형성된 슬릿은 외측면과 내측면의 폭을 달리 형성하여, 좀더 원활하게 가스를 배출할 수 있고 석영 도가니의 변형을 방지할 수 있는 장점이 있다.Further, the slits formed in the graphite crucible of the embodiment have different widths from the outer side to the inner side so that gas can be discharged more smoothly and deformation of the quartz crucible can be prevented.

도 1은 실시예에 따른 잉곳성장장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 흑연 도가니의 사시도이다.
도 3은 제 1 실시예에 따른 흑연 도가니로, 도 3(a)는 흑연 도가니의 사시도이고, 도 3(b)는 흑연도가니의 단면도이다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 흑연 도가니의 측면도이다.
도 5는 제 3 실시예에 따른 흑연 도가니의 사시도와, 사시도에서 x-y의 횡단면도를 확대한 모습을 나타낸다.
도 6은 제 3 실시예에 따라 형성된 흑연 도가니를 사용한 이후의 모습을 나타낸다.
도 7은 제 3 실시예에 따라 형성된 흑연 도가니 내부에 수용되었던 석영 도가니의 모습을 나타낸다.
도 8은 제 4 실시예에 따른 흑연 도가니의 사시도와, 사시도의 X-Y 부분의 횡단면을 확대한 모습을 나타낸다.
도 9는 제 5 실시예에 따른 슬릿의 횡단면을 나타낸다.
도 10은 제 6 실시예에 따른 슬릿의 횡단면을 나타낸다.
도 11은 제 7 실시예에 따른 슬릿의 횡단면을 나타낸다.
도 12는 제 4 실시예에 따른 슬릿을 형성하는 과정을 나타낸다.1 is a view showing an ingot growing apparatus according to an embodiment.
2 is a perspective view of a conventional graphite crucible.
Fig. 3 is a graphite crucible according to the first embodiment, Fig. 3 (a) is a perspective view of a graphite crucible, and Fig. 3 (b) is a cross-sectional view of a graphite crucible.
4 is a side view of the graphite crucible according to the second embodiment.
Fig. 5 shows a perspective view of a graphite crucible according to the third embodiment and an enlarged cross-sectional view of xy in a perspective view.
Fig. 6 shows the state after using the graphite crucible formed according to the third embodiment.
Fig. 7 shows a quartz crucible accommodated inside a graphite crucible formed according to the third embodiment.
8 shows a perspective view of a graphite crucible according to the fourth embodiment and an enlarged cross-sectional view of the XY part of the perspective view.
9 shows a cross-sectional view of the slit according to the fifth embodiment.
10 shows a cross-section of the slit according to the sixth embodiment.
11 shows a cross-sectional view of the slit according to the seventh embodiment.
12 shows a process of forming a slit according to the fourth embodiment.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

도 1은 실시예에 따른 잉곳성장장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an ingot growing apparatus according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 잉곳성장장치 내에는 실리콘 융액을 담는 석영 도가니(200)와, 이를 지지하는 흑연 도가니(100)와, 흑연 도가니(100)에 열을 가하는 히터부(300)와, 핫 존 구조물의 열을 외부와 단열하는 측면 단열부(600) 및 상부 단열부(700)와, 상기 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키는 시드를 수용하는 시드 척(800)과, 상기 시드 척(800) 회전 및 승강시키는 시드 케이블(900)을 포함할 수 있다. 1, the ingot growing apparatus according to the embodiment includes a quartz crucible 200 for holding a silicon melt, a graphite crucible 100 for supporting the quartz crucible 200, a heater unit 300 for applying heat to the graphite crucible 100, A side heat insulating part 600 and an upper heat insulating part 700 for insulating the heat of the hot zone structure from the outside, a seed chuck 800 for receiving a seed for growing an ingot from the silicon melt, 800 and a seed cable 900 for rotating and lifting.

또한, 실시예의 잉곳성장장치는 상기 흑연 도가니(100)를 지지하는 받침대(400)와, 받침대(400)에서 연장되 상기 도가니를 회전시키는 도가니 회전부(410)를 더 포함할 수 있다. The ingot growing apparatus of the embodiment may further include a pedestal 400 supporting the graphite crucible 100 and a crucible rotating part 410 extending from the pedestal 400 and rotating the crucible.

상기 흑연 도가니(100)는 재질이 흑연으로 이루어진 보울(bowl) 형태를 갖는 도가니를 지칭하나, 탄소복합재료로 구성된 도가니도 이에 포함되는 것으로 본다.The graphite crucible 100 refers to a crucible having a bowl shape made of graphite, but a crucible made of a carbon composite material is also considered to be included in the crucible.

상기 흑연 도가니(100) 아래 배치되는 샤프트인 상기 도가니 회전부(410)는 상기 흑연 도가니(100)를 지지하며 회전 및 상하 이동시킬 수 있다. The crucible rotating part 410, which is a shaft disposed under the graphite crucible 100, can support the graphite crucible 100 and rotate and move it up and down.

상기 흑연 도가니(100) 내측에 장입되어 지지되는 상기 석영 도가니(200)는 석영으로 이루어진 보울 형태로, 내부 공간에 다결정 실리콘을 수용할 수 있다. The quartz crucible 200, which is loaded and supported inside the graphite crucible 100, is in the form of a bowl made of quartz and can accommodate the polycrystalline silicon in the inner space.

상기 흑연 도가니(100)의 외측을 둘러싸도록 배치되는 히터부(300)는 상기 흑연 도가니(100) 측으로 열을 가하여, 상기 석영 도가니(200)에 수용된 다결정 실리콘을 용융시킬 수 있다. 이러한 상기 히터부(300)의 외측 둘레에는 측면 단열부(600)가 배치될 수 있고 상기 석영 도가니(200)의 외측 둘레 상측에는 상부 단열부(700)가 더 배치될 수 있다. 상기 측면 단열부(600)와 상부 단열부(700)는 핫존 구조물(예컨대, 석영 도가니, 흑연 도가니 및 히터부)을 단열하는 역할을 할 수 있다. The heater unit 300 arranged to surround the outside of the graphite crucible 100 may heat the graphite crucible 100 to melt the polycrystalline silicon contained in the quartz crucible 200. The side heat insulating part 600 may be disposed on the outer periphery of the heater part 300 and the upper heat insulating part 700 may be disposed on the upper side of the quartz crucible 200. The side heat insulating part 600 and the upper heat insulating part 700 may serve to insulate the hot zone structure (e.g., quartz crucible, graphite crucible, and heater part).

그리고, 상기 석영 도가니(200)의 상측에는 시드 척(800)과, 시드 척(800)과 연결된 시드 케이블(900)이 더 배치될 수 있다. 상기 시드 척(800)은 상기 실리콘 융액에 침지된 후 회전과 동시에 상승하여 잉곳을 성장시키기 위한 시드(seed)를 수용할 수 있으며, 상기 시드 케이블(900)은 시드 척(800)의 상단에 연결되어 상기 시드 척(800)을 회전과 동시에 승강시킬 수 있다. 상기 시드 케이블(800)이 시드 척(800)을 회전과 동시에 상승시킬 때, 상기 도가니 회전부(410)는 흑연 도가니(100)를 시드 척(800)과 반대 방향으로 회전시킴과 동시에 상승시킬 수 있다.
A seed chuck 800 and a seed cable 900 connected to the seed chuck 800 may further be disposed above the quartz crucible 200. The seed chuck 800 may be immersed in the silicon melt and then be raised simultaneously with rotation to receive a seed for growing the ingot. The seed cable 900 is connected to the upper end of the seed chuck 800 So that the seed chuck 800 can be moved up and down simultaneously with the rotation. The crucible rotation part 410 can rotate the graphite crucible 100 in the opposite direction to the seed chuck 800 and simultaneously raise the crucible 800 when the seed cable 800 raises the seed chuck 800 at the same time .

도 2는 종래의 흑연 도가니의 사시도이다. 2 is a perspective view of a conventional graphite crucible.

도 2를 참조하면, 실시예에 따른 흑연 도가니(100)는 보울 형태를 가질 수 있다. 좀더 상세히, 상기 흑연 도가니는 바닥면과 상기 바닥면의 외측 둘레에 배치되는 측벽과, 상기 측벽과 바닥면을 오목하게 연결하는 코너부를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the graphite crucible 100 according to the embodiment may have a bowl shape. More specifically, the graphite crucible may include a bottom surface, a side wall disposed on an outer periphery of the bottom surface, and a corner portion concavely connecting the side wall and the bottom surface.

실리콘을 용융할 때, 흑연 도가니(100)의 특정 부위에 열화가 집중될 수 있다. 또한, 상기 석영 도가니(200)와 실리콘 용융액이 반응하여 발생한 SiO2 와 같은 가스가 상기 흑연 도가니(100)와 석영 도가니(200) 사이 틈으로 들어가 흑연 도가니(100)를 손상시킬 수 있다. When silicon is melted, deterioration can be concentrated in a specific portion of the graphite crucible 100. A gas such as SiO 2 generated by the reaction of the quartz crucible 200 and the silicon melt may enter the gap between the graphite crucible 100 and the quartz crucible 200 to damage the graphite crucible 100.

특히, 상기 히터부(300)가 흑연 도가니(100)를 가열할 때, 상기 흑연 도가니(100)의 위치에 따라서 열 전달에 편차가 생기게 될 수 있으며, 상기 열 전달 편차로 인하여 흑연 도가니(100)의 코너부에 열화가 집중될 수 있다. Particularly, when the heater unit 300 heats the graphite crucible 100, heat transfer may be varied depending on the position of the graphite crucible 100, and due to the heat transfer deviation, The deterioration can be concentrated on the corner portion of the substrate.

도 2를 보면, 상기 흑연 도가니(100)의 코너부에 크랙(110)이 형성된 모습을 나타내며, 코너부를 확대한 도면을 보면, 크랙(110)으로 인하여 코너부의 두께가 얇아진 것을 확인할 수 있다. 상기 크랙(110)에 열화가 더욱 집중되고, SiO--2와 같은 가스가 더 밀집되어 식각이 가속화된다. 2, a crack 110 is formed at a corner portion of the graphite crucible 100, and a corner portion is enlarged. As a result, it can be seen that the corner 110 has a reduced thickness due to the crack 110. The deterioration is more concentrated in the crack 110, and the gas such as SiO 2 is denser and the etching is accelerated.

이러한 흑연 도가니(100)의 크랙(110)은 흑연 도가니의 수명을 단축시키고, 흑연 도가니의 안쪽에 위치하는 석영 도가니의 모양을 변형시켜 공정의 손실을 초래하게 된다.The crack 110 of the graphite crucible 100 shortens the lifespan of the graphite crucible and deforms the shape of the quartz crucible located inside the graphite crucible, resulting in a loss of the process.

이하에서는 흑연 도가니(100)에 발생되는 크랙(110)을 방지하기 위한 다양한 흑연 도가니의 구조를 실시예를 달리하여 설명한다.
Hereinafter, the structure of various graphite crucibles for preventing the crack 110 generated in the graphite crucible 100 will be described in different embodiments.

도 3은 제 1 실시예에 따른 흑연 도가니로, 도 3(a)는 흑연 도가니의 사시도이고, 도 3(b)는 흑연도가니의 단면도이다. Fig. 3 is a graphite crucible according to the first embodiment, Fig. 3 (a) is a perspective view of a graphite crucible, and Fig. 3 (b) is a cross-sectional view of a graphite crucible.

도 3(a)와 (b)를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 흑연 도가니(100)는 보울 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 흑연 도가니는 바닥면(105)과 상기 바닥면(105)의 외측 둘레에 배치되는 측벽(103)과, 상기 측벽과 바닥면(105)을 오목하게 연결하는 코너부(104)를 포함할 수 있다. 3 (a) and 3 (b), the graphite crucible 100 according to the first embodiment may have a bowl shape. For example, the graphite crucible includes a bottom surface 105, a side wall 103 disposed on the outer circumference of the bottom surface 105, a corner portion 104 concavely connecting the side wall and the bottom surface 105, . ≪ / RTI >

특히, 제 1 실시예의 흑연 도가니(100)의 코너부(104)에는 열화의 집중을 막고 SiO2와 같은 가스를 배출하기 위하여 적어도 하나 이상의 관통구멍(H)이 형성될 수 있다. In particular, at least one through hole H may be formed in the corner portion 104 of the graphite crucible 100 of the first embodiment to prevent concentration of deterioration and to discharge a gas such as SiO 2 .

좀더 구체적으로, 상기 코너부(104)의 외측면(101)과 내측면(102)을 연결하는 관통구멍(H)들이 등 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 이러한 상기 관통구멍(H)은 삼각, 사각, 다각, 원, 타원 등 다양한 형상을 가질 수 있다. More specifically, the through holes H connecting the outer surface 101 and the inner surface 102 of the corner portion 104 may be spaced apart at equal intervals. The through holes H may have various shapes such as triangular, square, polygonal, circular, and elliptical.

상기 관통구멍(H)들은 상기 흑연 도가니(100)와 석영 도가니 틈으로 스며든 가스를 상기 관통 구멍으로 배출시킬 수 있다. 따라서, 상기 관통구멍(H)을 이용한 실시예의 흑연 도가니(100)는 코너부(104)에 집중되는 크랙 형성을 억제할 수 있는 장점이 있다.
The through holes (H) can discharge the gas impregnated into the graphite crucible (100) and the quartz crucible gap into the through holes. Therefore, the graphite crucible 100 of the embodiment using the through hole H has an advantage that crack formation concentrated on the corner portion 104 can be suppressed.

도 4는 제 2 실시예에 따른 흑연 도가니(100)의 측면도이다. 4 is a side view of the graphite crucible 100 according to the second embodiment.

도 4를 참조하면, 제 2 실시예에 따른 흑연 도가니(100)는 보울 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 흑연 도가니(100)는 바닥면(105)과 상기 바닥면(105)의 외측 둘레에 배치되는 측벽(103)과, 상기 측벽(103)과 바닥면(105)을 오목하게 연결하는 코너부(104)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the graphite crucible 100 according to the second embodiment may have a bowl shape. For example, the graphite crucible 100 has a bottom surface 105 and side walls 103 disposed on the outer circumference of the bottom surface 105, and a bottom surface 105, And a corner portion 104 that is formed on the outer circumferential surface.

상기 코너부(104)에 집중되는 열화와 가스의 밀집을 방지하기 위하여, 제 2 실시예의 흑연 도가니(100)의 코너부(104)에는 코너부(104)의 외측면(101)과 내측면(102)을 관통하는 슬릿(130)(slit)이 가로방향으로 형성될 수 있다. The corner portion 104 of the graphite crucible 100 of the second embodiment is provided with the outer side surface 101 and the inner side surface 101 of the corner portion 104 in order to prevent the deterioration, A slit 130 (slit) may be formed in the transverse direction.

또한, 상기 슬릿(130)의 양 단부는 닫힌 구조로, 모따기 등에 의해 라운딩 되도록 형성되어, 단부에서 균열이 발생하는 것을 최소화할 수 있다. Both ends of the slit 130 are formed to have a closed structure and are rounded by a chamfer or the like, so that occurrence of cracks at the ends can be minimized.

그리고, 상기 슬릿(130)은 코너부(104)에 높이를 달리하여 2개 이상 형성될 수 있으며, 코너부(104)의 둘레를 따라서 등 간격으로 이격되어 2개 이상 형성될 수 있다. The slits 130 may be formed at two or more corners 104 at different heights, and may be formed at equal intervals along the circumference of the corners 104.

이러한 실시예의 흑연 도가니(100)는 슬릿(130)을 통해 가스가 밖으로 배출되어 가스의 흐름 집중을 분산시키고, 관통 구멍보다 넓은 영역에 걸쳐서 가스가 배출되기 때문에 흑연 도가니(100)의 식각 현상을 최소화 할 수 있다. 이렇게 흑연 도가니(100)의 변형이 최소화 됨으로써 석영 도가니 안의 실리콘 용융액의 높이가 일정하게 유지되어 실리콘 단결정 잉곳의 성장 품질을 안정화 시킬 수 있다.
In the graphite crucible 100 of this embodiment, the gas is discharged through the slit 130 to disperse the flow concentration of the gas, and the gas is discharged over a region larger than the through hole, thereby minimizing the etching phenomenon of the graphite crucible 100 can do. In this way, the deformation of the graphite crucible 100 is minimized, so that the height of the silicon melt in the quartz crucible is kept constant, and the growth quality of the silicon single crystal ingot can be stabilized.

도 5는 제 3 실시예에 따른 흑연 도가니(100)의 사시도와, 사시도에서 x-y의 횡단면도를 확대한 모습을 나타낸다. Fig. 5 shows a perspective view of the graphite crucible 100 according to the third embodiment and an enlarged cross-sectional view of x-y in a perspective view.

제 3 실시예에 따른 흑연 도가니(100)는 보울 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 흑연 도가니(100)는 바닥면(105)과 상기 바닥면(105)의 외측 둘레에 배치되는 측벽(103)과, 상기 측벽(103)과 바닥면(105)을 오목하게 연결하는 코너부(104)를 포함할 수 있다. The graphite crucible 100 according to the third embodiment may have a bowl shape. For example, the graphite crucible 100 has a bottom surface 105 and side walls 103 disposed on the outer circumference of the bottom surface 105, and a bottom surface 105, And a corner portion 104 that is formed on the outer circumferential surface.

특히, 제 3 실시예의 흑연 도가니(100)에는 외측면(101)과 내측면(102)을 관통하는 세로방향의 슬릿(140)(slit)이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 슬릿(140)은 흑연 도가니(100)의 측벽(103)에서 코너부(104)까지 연장되도록 형성될 수 있으며, 바닥면(105)까지 연장될 수도 있을 것이다. 또한, 상기 슬릿(140)의 양 단부는 닫힌 구조로, 모따기 등에 의해 라운딩 되도록 형성되어, 단부에서 균열이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.Particularly, in the graphite crucible 100 of the third embodiment, a slit 140 in the longitudinal direction passing through the outer side surface 101 and the inner side surface 102 can be formed. The slit 140 may extend from the side wall 103 of the graphite crucible 100 to the corner 104 and extend to the bottom surface 105. Both ends of the slit 140 are formed to have a closed structure and are rounded by a chamfer or the like, so that occurrence of cracks at the ends can be minimized.

이러한 상기 슬릿(140)의 세로길이(L)는 흑연 도가니(100) 몸체의 길이의 5% 내지 80%이거나, 50mm 내지 400mm의 사이의 길이일 수 있다. 상기 슬릿(140)의 세로길이(L)가 5% 이하 또는 50mm 이하라면 슬릿(140)의 면적이 줄어들어 가스를 배출이 어려워지고, 80% 이상이거나 400mm 이상일 때 슬릿(140)의 면적이 너무 커져 흑연 도가니(100)의 물리적 강도가 약해질 수 있다. 좀더 바람직하게는, 상기 슬릿(140)의 세로 길이는 70mm 내지 90mm 사이로 형성되어, 가스 흐름의 분산 효과를 높이면서 흑연 도가니(100)의 물리적 강도를 일정 수준 이상으로 유지할 수 있다. The longitudinal length L of the slit 140 may be between 5% and 80% of the length of the body of the graphite crucible 100 or between 50 and 400 mm. If the vertical length L of the slit 140 is 5% or less or 50 mm or less, the area of the slit 140 is reduced and the gas is difficult to discharge. When the slit 140 is 80% or more or 400 mm or more, The physical strength of the graphite crucible 100 can be weakened. More preferably, the longitudinal length of the slit 140 is between 70 mm and 90 mm, so that the physical strength of the graphite crucible 100 can be maintained above a certain level while enhancing the dispersing effect of the gas flow.

그리고, 상기 슬릿(140)의 폭(W)은 약 0.1mm 내지 약 10mm일 수 있다. 상기 슬릿(140)의 폭(W)이 0.1mm 이하로 형성될 경우 가스 배출이 어려워지고, 상기 슬릿(140)이 10mm 이상일 때 석영 도가니의 변형이 일어날 수 있다. 좀더 바람직하게는 상기 슬릿(140)의 폭(W)은 약 1mm 내지 3mm로 형성될 수 있다. The width W of the slit 140 may be about 0.1 mm to about 10 mm. When the width W of the slit 140 is less than 0.1 mm, the gas is difficult to be discharged. When the slit 140 is 10 mm or more, deformation of the quartz crucible may occur. More preferably, the width W of the slit 140 may be about 1 mm to 3 mm.

그리고, 상기 흑연 도가니(100)에는 측벽(103) 둘레를 따라서 등 간격으로 이격된 슬릿(140)이 적어도 2개 이상 배치될 수 있다. At least two slits 140 spaced apart from one another along the circumference of the side wall 103 may be disposed in the graphite crucible 100.

이러한 실시예의 흑연 도가니(100)는 슬릿(140)을 통해 가스가 밖으로 배출되어 가스의 흐름 집중을 분산시키고, 관통 구멍보다 넓은 영역에 걸쳐서 가스가 배출되기 때문에 흑연 도가니(100)의 식각 현상을 최소화 할 수 있다. 이렇게 흑연 도가니(100)의 변형이 최소화 됨으로써 석영 도가니 안의 실리콘 용융액의 높이가 일정하게 유지되어 실리콘 단결정 잉곳의 성장 품질을 안정화 시킬 수 있다.In the graphite crucible 100 of this embodiment, since the gas is discharged through the slit 140 to disperse the flow concentration of the gas, and the gas is discharged over a region larger than the through hole, the etching phenomenon of the graphite crucible 100 is minimized can do. In this way, the deformation of the graphite crucible 100 is minimized, so that the height of the silicon melt in the quartz crucible is kept constant, and the growth quality of the silicon single crystal ingot can be stabilized.

한편, 도 5의 확대도를 보면, 상기 슬릿(140)은 흑연 도가니(100)의 외측면(101)과 내측면(102)을 일정 폭(W)을 가지며 관통할 수 있다.
5, the slit 140 can pass through the outer side surface 101 and the inner side surface 102 of the graphite crucible 100 with a constant width W. In addition, as shown in FIG.

도 6은 제 3 실시예에 따라 형성된 흑연 도가니(100)를 사용한 이후의 모습을 나타내고, 도 7은 제 3 실시예에 따라 형성된 흑연 도가니(100) 내부에 수용되었던 석영 도가니의 모습을 나타낸다. Fig. 6 shows a state after using the graphite crucible 100 formed according to the third embodiment, and Fig. 7 shows a state of the quartz crucible that was accommodated in the graphite crucible 100 formed according to the third embodiment.

도 6을 보면, 제 3 실시예에 따라 형성된 흑연 도가니(100)의 내측면(102) 슬릿(140)을 보면, 슬릿(140) 주변에 식각이 과다하게 일어난 것을 알 수 있다. 반면, 흑연 도가니(100) 외측면(101)의 슬릿(140) 주변에는 식각이 일어나지 않은 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 6, it can be seen that when the slit 140 of the inner side 102 of the graphite crucible 100 formed according to the third embodiment is observed, excessive etching occurs around the slit 140. On the other hand, it can be seen that no etching occurs around the slit 140 of the outer surface 101 of the graphite crucible 100.

이는, 상기 슬릿(140)으로 가스 흐름이 집중되어, 그 주변에 식각이 집중적으로 발생된 것이다. 또한, 상기 슬릿(140)이 식각되어 슬릿(140)의 폭이 증가하게 되면, 도 7에 도시된 바와 같이 흑연 도가니(100)의 슬릿(140)에 대응되는 석영 도가니 부위에 변형이 발생됨을 알 수 있다. This is because the gas flow is concentrated on the slit 140 and etching is concentrated on the periphery thereof. 7, when the slit 140 is etched to increase the width of the slit 140, the deformation of the quartz crucible corresponding to the slit 140 of the graphite crucible 100 occurs, .

이러한 슬릿(140)의 주위의 식각 현상은 흑연 도가니(100)의 수명을 감소시키므로, 이하에서는 이를 방지할 수 있는 슬릿(140)의 다양한 구조를 실시예를 달리하여 설명한다. Since the etch phenomenon around the slit 140 reduces the lifetime of the graphite crucible 100, various structures of the slit 140 that can prevent the graphitic crucible 100 will be described below with reference to examples.

이하에서 설명하는 슬릿(140)(또는, 관통구멍)은 제 1 내지 제 3 실시예에 적용될 수 있으며, 동일한 개념의 구성에는 동일한 도면 부호를 부여하며, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
The slits 140 (or through holes) described below can be applied to the first to third embodiments, and the same reference numerals are assigned to the same concept, and a duplicate description will be omitted.

도 8은 제 4 실시예에 따른 흑연 도가니(100)의 사시도와, 사시도의 X-Y 부분의 횡단면을 확대한 모습을 나타낸다. 8 shows a perspective view of the graphite crucible 100 according to the fourth embodiment and an enlarged cross section of the X-Y part of the perspective view.

도 8은 제 3 실시예의 흑연 도가니(100)에서 슬릿(140) 구조만을 달리한 것으로, 제 3 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 다만, 제 4 실시예의 기술적 특징은 제 1 내지 제 2 실시예에도 적용될 수 있음은 당연하다. FIG. 8 is a graphite crucible 100 according to a third embodiment of the present invention, which differs from the graphite crucible 100 according to the third embodiment only in structure. However, it goes without saying that the technical features of the fourth embodiment can also be applied to the first to second embodiments.

도 6과 7을 보면 알 수 있듯이, 상기 슬릿(140)의 폭이 넓으면 이에 대응되는 석영 도가니의 부위에 변형이 일어남을 알 수 있다. 따라서, 흑연 도가니(100)에 형성되는 슬릿(140)은 가스의 흐름을 효율적으로 분산시키면서도 내측면(102)의 폭을 감소시킬 필요가 있다. 다만, 상기 슬릿(140)의 내측면(102) 폭을 감소시키기 위하여, 슬릿(140) 전체의 폭을 감소시킬 경우, 흑연 도가니(100)의 두께로 인하여 가공이 어려울 수 있고, 가스 흐름 분산에 어려움이 있을 수 있다. As can be seen from FIGS. 6 and 7, when the width of the slit 140 is wide, it can be seen that deformation occurs in the portion of the quartz crucible corresponding thereto. Therefore, the slit 140 formed in the graphite crucible 100 needs to reduce the width of the inner side surface 102 while efficiently dispersing the gas flow. However, if the entire width of the slit 140 is reduced in order to reduce the width of the inner surface 102 of the slit 140, it may be difficult to process due to the thickness of the graphite crucible 100, There may be difficulties.

도 8을 참조하면, 제 4 실시예의 슬릿(140)은 내측면(102)에 인접한 슬릿(140)의 폭과 외측면(101)에 인접한 슬릿(140)의 폭을 달리할 수 있다. Referring to FIG. 8, the slit 140 of the fourth embodiment may have a width of the slit 140 adjacent to the inner side 102 and a width of the slit 140 adjacent to the outer side 101 of the fourth embodiment.

제 4 실시예의 슬릿(140)은 흑연 도가니(100)의 외측면(101)에 인접한 제 1 홀(141)과, 내측면(102)에 인접한 제 2 홀(142)을 포함할 수 있으며, 제 1 홀(141)과 제 2 홀(142)의 크기는 다를 수 있다. 구체적으로, 상기 제 2 홀(142)의 크기는 제 1 홀(141)의 크기보다 작게 형성될 수 있다. The slit 140 of the fourth embodiment may include a first hole 141 adjacent the outer side 101 of the graphite crucible 100 and a second hole 142 adjacent the inner side 102, The size of the first hole 141 and the second hole 142 may be different. Specifically, the size of the second hole 142 may be smaller than the size of the first hole 141.

예를 들어, 상기 제 1 홀(141)의 폭은 5mm 이상으로 형성되고, 상기 제 2 홀(142)은 1mm 내지 5mm 사이로 형성될 수 있다. 상기 제 2 홀(142)의 폭이 1 mm 이하로 형성될 경우 가스 흐름 분산이 어려울 수 있다. 그리고, 상기 제 2 홀(142)의 폭이 5mm 이상으로 형성될 경우 제 2 홀(142) 주변에 식각으로 인하여 폭이 증가되고 석영 도가니 변형이 일어날 수 있다. 좀더 바람직하게, 상기 제 1 홀(141)의 폭은 1mm 내지 3mm 사이로 형성될 수 있다. For example, the first hole 141 may have a width of 5 mm or more, and the second hole 142 may have a width of 1 mm to 5 mm. If the width of the second hole 142 is 1 mm or less, it may be difficult to disperse the gas flow. If the width of the second hole 142 is 5 mm or more, the width of the second hole 142 may be increased due to etching around the second hole 142, and quartz crucible deformation may occur. More preferably, the width of the first hole 141 may be between 1 mm and 3 mm.

즉, 제 4 실시예의 슬릿(140)은 흑연 도가니(100)를 2 단계로 단차를 주어 관통함으로써, 흑연 도가니(100)의 내측면(102)에 슬릿(140)의 폭은 감소시키고 외측면(101)에 슬릿(140)의 폭은 증가시켜 가스 배출을 원활히 하면서, 내측면(102) 슬릿(140)에 대응되는 석영 도가니 변형을 방지할 수 있다.
That is, the slit 140 of the fourth embodiment reduces the width of the slit 140 on the inner side surface 102 of the graphite crucible 100 by allowing the graphite crucible 100 to pass through a step in two steps, 101 can increase the width of the slit 140 to smooth out the gas discharge while preventing the deformation of the quartz crucible corresponding to the slit 140 of the inner side 102.

도 9는 제 5 실시예에 따른 슬릿(140)의 횡단면을 나타낸다. 9 shows a cross-sectional view of a slit 140 according to a fifth embodiment.

도 9는 제 3 실시예의 흑연 도가니(100)에서 슬릿(140) 구조만을 달리한 것으로, 제 3 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 다만, 제 5 실시예의 기술적 특징은 제 1 내지 제 2 실시예에도 적용될 수 있음은 당연하다. FIG. 9 shows only the structure of the slit 140 in the graphite crucible 100 of the third embodiment, which is different from that of the third embodiment. However, it goes without saying that the technical features of the fifth embodiment can also be applied to the first and second embodiments.

제 5 실시예의 슬릿(140)은 내측면(102)에 인접한 슬릿(140)의 폭과 외측면(101)에 인접한 슬릿(140)의 폭을 달리할 수 있다. The slit 140 of the fifth embodiment may be different in the width of the slit 140 adjacent to the inner side 102 and the width of the slit 140 adjacent to the outer side 101. [

제 5 실시예의 슬릿(140)은 흑연 도가니(100)의 외측면(101)에 인접한 제 1 홀(143)과, 내측면(102)에 인접한 제 3 홀(145)과, 상기 제 1 홀(143)과 제 2 홀(145) 사이에 배치된 제 3 홀(145)을 포함할 수 있으며, 제 1 홀(143)과 제 2 홀(145)과 제 3홀의 크기는 다를 수 있다. 구체적으로, 상기 제 1 홀(143)의 크기는 제 2 홀(145)의 크기보다 크고, 상기 제 2 홀(145)의 크기는 제 3 홀(145)의 크기보다 클 수 있다. The slit 140 of the fifth embodiment includes a first hole 143 adjacent the outer surface 101 of the graphite crucible 100, a third hole 145 adjacent the inner side 102, 143 and the second hole 145. The size of the first hole 143, the second hole 145 and the third hole may be different. The size of the first hole 143 may be larger than that of the second hole 145 and the size of the second hole 145 may be larger than that of the third hole 145.

예를 들어, 상기 제 1 홀(143)의 폭은 5mm 이상으로 형성되고, 상기 제 2 홀(145)의 폭은 3mm 내지 5mm 사이로 형성될 수 있고, 제 3 홀(145)의 폭은 1mm 내지 3mm 사이로 형성될 수 있다. 상기 제 3 홀(145)의 폭이 1 mm 이하로 형성될 경우 가스 흐름 분산이 어려울 수 있다. 그리고, 상기 제 3 홀(145)의 폭이 3mm 이상으로 형성될 경우 제 2 홀(145) 주변에 식각으로 인하여 폭이 증가되고 석영 도가니 변형이 일어날 수 있다. For example, the first hole 143 may have a width of 5 mm or more, the second hole 145 may have a width of 3 mm to 5 mm, the third hole 145 may have a width of 1 mm to 5 mm, 3 mm. When the width of the third hole 145 is less than 1 mm, the gas flow dispersion may be difficult. If the third hole 145 is formed to have a width of 3 mm or more, the width of the second hole 145 may be increased due to the etching and the quartz crucible may be deformed.

즉, 제 5 실시예의 슬릿(140)은 흑연 도가니(100)를 3 단계로 단차를 주어 관통함으로써, 흑연 도가니(100)의 내측면(102)에 슬릿(140)의 폭은 감소시키고 외측면(101)에 슬릿(140)의 폭은 증가시켜 가스 배출을 원활히 하면서, 내측면(102) 슬릿(140)에 대응되는 석영 도가니 변형을 방지할 수 있다. That is, the slit 140 of the fifth embodiment reduces the width of the slit 140 on the inner side surface 102 of the graphite crucible 100 by allowing the graphite crucible 100 to pass through three steps, 101 can increase the width of the slit 140 to smooth out the gas discharge while preventing the deformation of the quartz crucible corresponding to the slit 140 of the inner side 102.

한편, 도 9와 달리, 상기 슬릿(140)은 4 단계 이상의 단차를 주어 관통할 수도 있을 것이다.
9, the slit 140 may pass through at least four steps.

도 10은 제 6 실시예에 따른 슬릿(140)의 횡단면을 나타낸다. 10 shows a cross-sectional view of a slit 140 according to a sixth embodiment.

도 10은 제 3 실시예의 흑연 도가니(100)에서 슬릿(140) 구조만을 달리한 것으로, 제 3 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 다만, 제 6 실시예의 기술적 특징은 제 1 내지 제 2 실시예에도 적용될 수 있음은 당연하다. FIG. 10 shows only the structure of the slit 140 in the graphite crucible 100 of the third embodiment, and the difference from the third embodiment will be mainly described. However, it goes without saying that the technical features of the sixth embodiment can also be applied to the first and second embodiments.

제 6 실시예의 슬릿(140)은 내측면(102)에 인접한 슬릿(140)의 폭과 외측면(101)에 인접한 슬릿(140)의 폭을 달리할 수 있다. 구체적으로, 상기 슬릿(140)의 폭은 외측면(101)에서 내측면(102)으로 갈수록 점차적으로(gradually) 감소될 수 있다. 이때, 상기 폭이 줄어드는 변화율은 일정할 수 있다. The slit 140 of the sixth embodiment may be different in the width of the slit 140 adjacent to the inner side 102 and the width of the slit 140 adjacent to the outer side 101. [ Specifically, the width of the slit 140 may gradually decrease from the outer surface 101 to the inner surface 102. At this time, the rate of decrease of the width may be constant.

즉, 상기 슬릿(140)의 폭은 외측면(101)에서 내측면(102)으로 갈수록 선형적(linear)하게 감소될 수 있다. 도 10을 보면, 상기 슬릿(140)의 폭은 외측면(101)으로 벌어진 부채꼴 형상을 가져, 틈 사이의 가스 배출을 원활하게 할 수 있다. That is, the width of the slit 140 can be linearly decreased from the outer surface 101 to the inner surface 102. 10, the width of the slit 140 has a fan-like shape widened by the outer surface 101, and gas discharge between the gaps can be smoothly performed.

그리고, 상기 외측면(101)의 슬릿(140)의 폭은 5mm 이상으로 형성되고, 상기 내측면(102)의 슬릿(140)의 폭은 1mm 내지 5mm 사이로 형성될 수 있다. 상기 내측면(102) 슬릿(140)의 폭이 1 mm 이하로 형성될 경우 가스 흐름 분산이 어려울 수 있고, 공정 상에 어려움이 있을 수 있다. 그리고, 상기 내측면(102)의 슬릿(140) 폭이 5mm 이상으로 형성될 경우 석영 도가니 변형이 일어날 수 있다. 좀더 바람직하게, 상기 내측면(102) 슬릿(140)의 폭은 1mm 내지 3mm 사이로 형성될 수 있다. The width of the slit 140 of the outer side surface 101 is 5 mm or more and the width of the slit 140 of the inner side surface 102 is 1 mm to 5 mm. When the width of the slit 140 of the inner side surface 102 is less than 1 mm, it may be difficult to disperse the gas flow and there may be a difficulty in the process. When the width of the slit 140 of the inner surface 102 is 5 mm or more, quartz crucible deformation may occur. More preferably, the width of the inner side 102 slit 140 may be between 1 mm and 3 mm.

즉, 제 6 실시예의 슬릿(140)은 흑연 도가니(100)를 크기를 줄여가며 관통함으로써, 흑연 도가니(100)의 내측면(102)에 슬릿(140)의 폭은 감소시키고 외측면(101)에 슬릿(140)의 폭은 증가시키도록 구성할 수 있다. 이러한 구조로, 가스 배출을 원활히 하면서, 내측면(102) 슬릿(140)에 대응되는 석영 도가니 변형을 방지할 수 있다.
That is, the slit 140 of the sixth embodiment reduces the size of the graphite crucible 100 and reduces the width of the slit 140 on the inner surface 102 of the graphite crucible 100, The width of the slit 140 can be increased. With this structure, deformation of the quartz crucible corresponding to the slit 140 of the inner side surface 102 can be prevented while smoothly discharging the gas.

도 11은 제 7 실시예에 따른 슬릿(140)의 횡단면을 나타낸다. 11 shows a cross-sectional view of the slit 140 according to the seventh embodiment.

도 11은 제 7 실시예의 흑연 도가니(100)에서 슬릿(140) 구조만을 달리한 것으로, 제 3 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 다만, 제 7 실시예의 기술적 특징은 제 1 내지 제 2 실시예에도 적용될 수 있음은 당연하다. FIG. 11 shows only the structure of the slit 140 in the graphite crucible 100 of the seventh embodiment, which is different from that of the third embodiment. However, it goes without saying that the technical features of the seventh embodiment are also applicable to the first and second embodiments.

제 7 실시예의 슬릿(140)은 내측면(102)에 인접한 슬릿(140)의 폭과 외측면(101)에 인접한 슬릿(140)의 폭을 달리할 수 있다. 구체적으로, 상기 슬릿(140)의 폭은 외측면(101)에서 내측면(102)으로 갈수록 점차적으로(gradually) 감소될 수 있다. 이때, 상기 폭이 줄어드는 변화율은 점점 커질 수 있다. 즉, 상기 슬릿(140)의 폭은 외측면(101)에서 내측면(102)으로 갈수록 비선형적(linear)으로 감소될 수 있다. The slit 140 of the seventh embodiment may be different in the width of the slit 140 adjacent to the inner side 102 and the width of the slit 140 adjacent to the outer side 101. [ Specifically, the width of the slit 140 may gradually decrease from the outer surface 101 to the inner surface 102. At this time, the rate of decrease of the width may gradually increase. That is, the width of the slit 140 can be reduced linearly from the outer surface 101 to the inner surface 102.

그리고, 상기 외측면(101)의 슬릿(140)의 폭은 5mm 이상으로 형성되고, 상기 내측면(102)의 슬릿(140)의 폭은 1mm 내지 5mm 사이로 형성될 수 있다. 상기 내측면(102) 슬릿(140)의 폭이 1 mm 이하로 형성될 경우 가스 흐름 분산이 어려울 수 있고, 공정 상에 어려움이 있을 수 있다. 그리고, 상기 내측면(102)의 슬릿(140) 폭이 5mm 이상으로 형성될 경우 석영 도가니 변형이 일어날 수 있다. 좀더 바람직하게, 상기 내측면(102) 슬릿(140)의 폭은 1mm 내지 3mm 사이로 형성될 수 있다. The width of the slit 140 of the outer side surface 101 is 5 mm or more and the width of the slit 140 of the inner side surface 102 is 1 mm to 5 mm. When the width of the slit 140 of the inner side surface 102 is less than 1 mm, it may be difficult to disperse the gas flow and there may be a difficulty in the process. When the width of the slit 140 of the inner surface 102 is 5 mm or more, quartz crucible deformation may occur. More preferably, the width of the inner side 102 slit 140 may be between 1 mm and 3 mm.

즉, 제 7 실시예의 슬릿(140)은 흑연 도가니(100)를 크기를 줄여가며 관통함으로써, 흑연 도가니(100)의 내측면(102)에 슬릿(140)의 폭은 감소시키고 외측면(101)에 슬릿(140)의 폭은 증가시키도록 구성할 수 있다. 이러한 구조로, 가스 배출을 원활히 하면서, 내측면(102) 슬릿(140)에 대응되는 석영 도가니 변형을 방지할 수 있다.
That is, the slit 140 of the seventh embodiment reduces the size of the graphite crucible 100 and reduces the width of the slit 140 on the inner surface 102 of the graphite crucible 100, The width of the slit 140 can be increased. With this structure, deformation of the quartz crucible corresponding to the slit 140 of the inner side surface 102 can be prevented while smoothly discharging the gas.

도 12는 제 4 실시예에 따른 슬릿(140)을 형성하는 과정을 나타낸다. 12 shows a process of forming the slit 140 according to the fourth embodiment.

도 12(a)를 보면, 먼저, 흑연 도가니(100)에서 슬릿(140)을 형성할 부분을 선택한다. Referring to FIG. 12 (a), first, a portion of the graphite crucible 100 where a slit 140 is to be formed is selected.

다음, 도 12(b)를 보면, 상기 흑연 도가니(100)의 외측면(101)에 5mm 정도의 폭을 갖는 리세스(recess)를 형성한다. Next, as shown in FIG. 12 (b), a recess having a width of about 5 mm is formed on the outer surface 101 of the graphite crucible 100.

이후, 도 12(c)를 보면, 상기 리세스의 하면에 상기 리세스 보다 작은 폭의 홀을 형성하여, 단차를 달리한 슬릿(140)을 형성할 수 있다. 12 (c), a hole having a width smaller than that of the recess may be formed on the bottom surface of the recess to form a slit 140 having a different step.

도 12에 도시된 바와 달리, 상기 흑연 도가니(100)의 내측면(102)에 작은 폭의 리세스를 형성한 후, 상기 리세스에 대응되는 흑연 도가니(100)의 외측면(101)에 리세스를 형성하여, 상기 내측면(102)의 리세스와 상기 외측면(101)의 리세스를 연결함으로써, 상기 슬릿(140)을 형성하는 것도 가능하다.
12, a small-width recess is formed in the inner side surface 102 of the graphite crucible 100, and then the recess 101 is formed on the outer surface 101 of the graphite crucible 100 corresponding to the recess, It is also possible to form the slits 140 by connecting the recesses of the inner side surfaces 102 and the outer side surfaces 101 by forming a sieve.

전술한 바와 같이, 실시예의 흑연 도가니(100)는 슬릿(140)(또는, 관통구멍)을 형성하여 석영 도가니와 흑연 도가니(100) 사이에 스며든 가스를 배출시킴으로써, 흑연 도가니(100)의 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다. As described above, the graphite crucible 100 of the embodiment forms the slit 140 (or the through hole) to discharge the gas impregnated between the quartz crucible and the graphite crucible 100, thereby preventing the damage of the graphite crucible 100 Can be prevented.

이때, 상기 흑연 도가니(100)에 형성된 슬릿(140)은 외측면(101)과 내측면(102)의 폭을 달리 형성하여, 좀더 원활하게 가스를 배출할 수 있고 석영 도가니의 변형을 방지할 수 있는 장점이 있다.
At this time, the slits 140 formed in the graphite crucible 100 are formed to have different widths of the outer side surface 101 and the inner side side 102, so that gas can be discharged more smoothly and deformation of the quartz crucible can be prevented There is an advantage.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (10)

잉곳성장장치의 내부에 배치되고, 석영 도가니를 수용하는 흑연 도가니로서,
바닥면;
상기 바닥면의 외측 둘레에 배치되는 측벽;
상기 측벽과 상기 바닥면을 오목하게 연결하는 코너부;
상기 측벽, 상기 코너부 또는 상기 측벽 및 코너부의 외측면과 내측면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통구멍을 포함하는 흑연 도가니.A graphite crucible disposed inside the ingot growing apparatus and containing a quartz crucible,
Bottom surface;
A side wall disposed on an outer periphery of the bottom surface;
A corner portion concavely connecting the side wall and the bottom surface;
And at least one through hole penetrating through the outer side surface and the inner side surface of the side wall, the corner portion, or the side wall and the corner portion. 제 1 항에 있어서,
상기 관통구멍은 상기 코너부에 외측면과 내측면을 관통하는 가로방향의 슬릿인 흑연 도가니.The method according to claim 1,
And the through hole is a slit in the transverse direction passing through the outer side surface and the inner side surface at the corner portion. 제 1 항에 있어서,
상기 관통구멍은 상기 측벽부터 상기 코너부까지 연장된 세로방향의 슬릿인 흑연 도가니.The method according to claim 1,
Wherein the through hole is a slit in the longitudinal direction extending from the side wall to the corner portion. 제 3 항에 있어서,
상기 외측면의 슬릿의 폭과 내측면의 슬릿의 폭은 서로 다른 흑연 도가니.The method of claim 3,
Wherein a width of the slit on the outer side and a width of the slit on the inner side are different from each other. 제 4 항에 있어서,
상기 슬릿의 폭은 외측면에서 내측면으로 갈수록 단계적으로 감소하는 흑연 도가니.5. The method of claim 4,
Wherein the width of the slit gradually decreases from the outer side to the inner side. 제 4 항에 있어서,
상기 슬릿의 폭은 외측면에서 내측면으로 갈수록 선형적으로 감소하는 흑연 도가니.5. The method of claim 4,
Wherein the width of the slit linearly decreases from the outer side to the inner side. 제 4 항에 있어서,
상기 슬릿의 폭은 외측면에서 내측면으로 갈수록 비선형적으로 감소하는 흑연 도가니. 5. The method of claim 4,
Wherein the width of the slit decreases non-linearly from the outer side toward the inner side. 제 7 항에 있어서,
상기 슬릿의 폭이 외측면에서 내측면으로 갈수록 감소하는 변화량은 점차 증가하는 흑연 도가니. 8. The method of claim 7,
And the amount of change in the width of the slit decreases from the outer side to the inner side gradually increases. 제 4 항에 있어서,
상기 슬릿의 외측면의 폭은 5mm 이상이고, 상기 슬릿의 내측면의 폭은 1mm 내지 5mm 사이인 흑연 도가니. 5. The method of claim 4,
Wherein a width of an outer side surface of the slit is 5 mm or more and a width of an inner side surface of the slit is 1 mm to 5 mm. 제 1항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 흑연 도가니를 포함하는 잉곳성장장치.

10. An ingot growing apparatus comprising a graphite crucible according to any one of claims 1 to 9.

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