KR20150071850A - Gas discharge pipe and ingot growing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a gas discharge pipe installed in the lower part of a chamber to discharge gas in the chamber providing a predetermined space where an ingot growing process is performed to the outside. The gas discharge pipe has a hollow connecting the inner side and the outer side of the chamber and is formed as a left discharge pipe and a right discharge pipe by being divided by a horizontal surface including a shaft of the hollow. The gas discharge pipe includes a connection unit connecting an upper discharge pipe and the lower discharge pipe. The gas discharge pipe can be separated from and installed in the chamber without dividing a hot zone structure, thereby improving productivity of an ingot growing apparatus with shortened replacement time.

Description

가스배출관 및 이를 포함하는 잉곳성장장치 {Gas discharge pipe and ingot growing apparatus having the same} TECHNICAL FIELD The present invention relates to a gas discharge pipe and an ingot growing apparatus including the gas discharge pipe.

본 발명은 잉곳성장장치에서 발생한 가스를 배출하는 가스배출관에 관한 것이다.The present invention relates to a gas discharge pipe for discharging gas generated in an ingot growing apparatus.

전자 제품들에서 사용하는 대부분의 반도체 칩이나, 태양 전지 등을 대량으로 생산하기 위해서 일반적으로 웨이퍼를 기판으로 사용한다. In order to mass produce most semiconductor chips or solar cells used in electronic products, a wafer is generally used as a substrate.

이러한 웨이퍼는 주로 시드(seed)로부터 단결정 잉곳(single crystal ingot)을 성장시킨 후, 이를 얇은 두께로 슬라이싱(slicing)하여 만들며, 단결정 잉곳은 초크랄스키법(CZ법)으로 제조될 수 있다. Such wafers are mainly made by growing a single crystal ingot from a seed and then slicing the single crystal ingot to a thin thickness. The single crystal ingot can be manufactured by the Czochralski method (CZ method).

CZ법이란, 챔버 안에서 석영도가니에 실리콘을 넣고 석영도가니를 가열하여 실리콘을 용융시키킨 후, 종자 결정(seed crystal)을 실리콘 융액에 접촉시킨 상태에서 회전하면서 서서히 끌어올리면서 종자 단결정 표면에서 융액을 고체로 응고시킴에 따라 소정의 직경을 갖는 잉곳을 성장시키는 방법이다.The CZ method is a method in which silicon is placed in a quartz crucible in a chamber, the quartz crucible is heated to melt the silicon, the seed crystal is brought into contact with the silicon melt while being slowly pulled up while being rotated, And solidifying it into a solid, thereby growing an ingot having a predetermined diameter.

상술한 과정 중, 가스공급부(상온)에서 아르곤(Ar)이나 헬륨(He) 등과 같은 비활성 가스를 챔버 내로 공급함으로써, 챔버의 압력을 낮은 상태로 유지함과 동시에 잉곳 성장시 발생되는 산화물(SixOy) 등과 같은 이물질을 가스배출관을 통해 외부로 배출한다. In the process described above, an inert gas such as argon (Ar) or helium (He) is supplied into the chamber at a gas supply part (normal temperature) to maintain the pressure of the chamber at a low level. At the same time, The same foreign matter is discharged to the outside through the gas discharge pipe.

이때, 산화물이 가스배출관을 통과하는 동안 냉각됨에 따라 가스배출튜브의 내면에 증착되어 가스배출관이 막힐 우려가 있는데, 이와 같이 가스배출관이 막히게 되면 챔버 내에 존재하는 산화물이 원활하게 배출되지 않아서 단결정 잉곳이 불량하게 성장할 수 있다. At this time, as the oxide is cooled while passing through the gas discharge pipe, the gas discharge pipe may be deposited on the inner surface of the gas discharge tube. If the gas discharge pipe is clogged, the oxides present in the chamber are not discharged smoothly, It can grow poorly.

그러므로, 단결정 잉곳의 성장과정이 완료된 후에는 가스배출관을 챔버에서 분리한 후 증착된 산화물을 제거하는 공정을 수행한다. Therefore, after the growth process of the monocrystalline ingot is completed, the gas exhaust tube is separated from the chamber and the deposited oxide is removed.

그런데, 일반적인 잉곳성장장치의 경우, 가스배출관을 챔버에서 분리하기 위해서 챔버 내에 배치된 핫 존(hot zone) 구조물들을 모두 분리해야 한다. However, in the case of a general ingot growing apparatus, all of the hot zone structures disposed in the chamber must be separated to separate the gas discharge tube from the chamber.

즉, 가스배출관은 챔버 하부에 설치되어 있기 때문에, 분리시 챔버 중간에 배치된 구조물들에 걸리게 되므로, 구조물을 제거한 후에야 가스배출관을 분리하는 것이 가능하다. That is, since the gas discharge pipe is installed in the lower part of the chamber, it is caught by the structures disposed in the middle of the chamber at the time of separation, so that it is possible to separate the gas discharge pipe after removing the structure.

따라서, 가스배출관에 증착된 산화물을 제거하기까지 많은 시간과 노동력이 소요되었으며, 이러한 공정 진행 중에는 잉곳성장장치를 가동하지 못하여 생산효율이 저하되는 문제점이 발생한다. Therefore, it takes a lot of time and labor to remove the oxide deposited on the gas discharge pipe. In this process, the ingot growing apparatus can not be operated and the production efficiency is lowered.

또한, 핫 존 구조물들이 분리되거나 다시 설치될 때, 크랙(crack)이나 칩(chip)이 발생하여 핫 존 구조물이 훼손되어 교체되는 문제가 발생할 수 있다. Also, when the hot zone structures are separated or re-installed, a crack or a chip may be generated and the hot zone structure may be damaged and replaced.

그 뿐만 아니라, 핫 존 구조물들이 다시 설치될 때, 챔버 내의 환경이 달라져 이전 배치(batch)를 기준으로 설정된 공정제어조건으로 잉곳 성장공정을 진행하면 잉곳의 품질이 변동되는 문제가 발생한다.In addition, when the hot zone structures are installed again, the environment in the chamber is changed, and the quality of the ingot is fluctuated if the ingot growing process is performed under the process control conditions set on the basis of the previous batch.

본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 잉곳성장장치에서 가스배출관의 설치 및 분리를 용이하게 하여 잉곳의 품질 및 생산효율을 향상시키는 개선된 가스배출관 및 이를 포함하는 잉곳성장장치를 제공한다.The present invention provides an improved gas discharge pipe and an ingot growing apparatus including the same that improve the quality and production efficiency of the ingot by facilitating the installation and separation of the gas discharge pipe in the ingot growing apparatus.

본 발명의 가스배출관은 잉곳성장공정이 수행되는 소정의 공간을 제공하는 챔버의 기체를 외부로 배출하기 위하여, 상기 챔버의 하부에 설치된 가스배출관으로서, 상기 가스배출관은 상기 챔버의 내부와 외부를 연결하는 중공을 가지며, 상기 중공의 축을 포함하는 수평면에 대칭되도록 좌측 배출관과 우측 배출관으로 분할되고, 상기 중공의 축의 수직평면에 대칭되도록 상부 배출관과 하부 배출관으로 분할되며, 상기 상부 가스배출관과 하부 가스배출관을 연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 한다. The gas discharge pipe of the present invention is a gas discharge pipe installed at a lower portion of the chamber for discharging the gas of a chamber providing a predetermined space in which the ingot growing process is performed, The upper discharge pipe and the lower discharge pipe being divided into a left discharge pipe and a right discharge pipe so as to be symmetrical with respect to a horizontal plane including the hollow axis and symmetrical to a vertical plane of the hollow axis, And a connection part for connecting the connection part.

또한, 본 발명에 따른 잉곳성장장치는 잉곳의 성장공정이 수행되는 공간을 제공하고 밀폐된 챔버; 상기 챔버의 내부에 배치되어, 실리콘 멜트를 수용하는 석영도가니; 상기 실리콘 멜트에 시드를 침지하고 회전 및 인상하여 상기 잉곳을 성장시키는 인상수단; 상기 챔버의 바닥면과 소정의 거리로 이격되고, 상기 석영도가니의 외측을 둘러싸서 열을 가하는 히터; 및 상기 챔버의 바닥면을 관통하는 관통홀에 삽입되어, 상기 챔버의 기체를 외부로 배출하는 통로인 가스배출관;을 더 포함하고, 상기 가스배출관은 상기 챔버의 내부와 외부를 연결하는 중공을 가지며, 상기 중공의 축을 포함하는 수평면에 대칭되도록 좌측 배출관과 우측 배출관으로 분할되고, 상기 중공의 축의 수직평면에 대칭되도록 상부 배출관과 하부 배출관으로 분할되며, 상기 상부 가스배출관과 하부 가스배출관을 연결하는 연결부로 구성된 것을 특징으로 한다. In addition, the ingot growing apparatus according to the present invention provides a space in which the growing process of the ingot is performed, A quartz crucible disposed within the chamber to receive the silicon melt; A pulling means for immersing the seed in the silicon melt and rotating and pulling the seed to grow the ingot; A heater spaced apart from the bottom surface of the chamber by a predetermined distance and surrounding the outside of the quartz crucible to apply heat; And a gas discharge pipe inserted into the through hole passing through the bottom surface of the chamber and being a passage through which gas in the chamber is discharged to the outside, the gas discharge pipe having a hollow connecting the inside and the outside of the chamber And is divided into a left discharge pipe and a right discharge pipe so as to be symmetrical with respect to a horizontal plane including the hollow axis and divided into an upper discharge pipe and a lower discharge pipe so as to be symmetrical to a vertical plane of the hollow axis, .

본 실시예에 따른 가스배출관은 핫 존 구조물을 분리하지 않고 챔버에서 분리 및 설치가 가능하여, 가스배출관을 교체하기 위한 시간 및 노동력을 절감시킬 수 있다. 또한, 교체시간의 단축으로 잉곳성장장치의 생산효율이 향상될 수 있다. The gas discharge pipe according to the present embodiment can be separated and installed in the chamber without separating the hot zone structure, thereby saving time and labor for replacing the gas discharge pipe. In addition, the production efficiency of the ingot growing apparatus can be improved by shortening the replacement time.

그리고, 이중 구조로 가스배출관을 형성하고, 단열성이 우수한 소재를 사용하여 가스배출관과 챔버의 외부와의 열전달을 최소화할 수 있다. 따라서, 가스배출관의 온도를 높은 상태로 유지할 수 있으며, 그 결과 가스배출관에 증착되는 산화물의 양을 줄일 수 있다.In addition, a gas discharge pipe is formed by a double structure, and heat transfer between the gas discharge pipe and the outside of the chamber can be minimized by using a material having excellent heat insulation. Therefore, the temperature of the gas discharge pipe can be kept high, and as a result, the amount of oxide deposited on the gas discharge pipe can be reduced.

또한, 본 실시예의 가스배출관은 4개 이상으로 분할되어 산화물이 증착된 부분만 교체할 수 있으므로, 잉곳 생산원가를 감축할 수 있는 장점이 있다. In addition, since the gas discharge pipe of the present embodiment can be divided into four or more parts and only the portion where the oxide is deposited can be replaced, the cost of the ingot production can be reduced.

도 1은 본 실시예에 따른, 잉곳성장장치의 개략적인 모습을 나타낸다.
도 2는 산화물이 증착된 가스배출관의 내부를 나타낸다.
도 3은 본 실시예에 따른, 챔버에 설치된 가스배출관의 단면을 나타낸다.
도 4는 본 실시예에 따른, 가스배출관의 전면을 나타낸다.
도 5는 본 실시예에 따른, 가스배출관의 분리 사시도이다.
도 6은 본 실시예에 따른, 가스배출관이 분리되는 모습을 나타낸다. Fig. 1 shows a schematic view of an ingot growing apparatus according to this embodiment.
Figure 2 shows the interior of a gas discharge tube where an oxide is deposited.
Fig. 3 shows a cross section of a gas discharge tube installed in the chamber according to the present embodiment.
4 shows a front view of the gas discharge tube according to the present embodiment.
5 is an exploded perspective view of the gas discharge pipe according to the present embodiment.
6 shows a state in which the gas discharge pipe is separated according to the present embodiment.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

<< 실시예Example >>

도 1은 본 실시예에 따른, 잉곳성장장치의 개략적인 모습을 나타낸다. Fig. 1 shows a schematic view of an ingot growing apparatus according to this embodiment.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 잉곳성장장치는 챔버(10)와, 실리콘 융액을 수용하는 석영도가니(20)와, 상기 석영도가니에 열 에너지를 전달하는 히터(40)와, 상기 히터의 열을 외부와 차단하는 측면 열차폐체와, 상기 실리콘 융액으로부터 잉곳을 인상하기 위한 시드(seed)를 고정하는 시드 척(60)을 포함한다. 1, the ingot growing apparatus of the present embodiment includes a chamber 10, a quartz crucible 20 for containing a silicon melt, a heater 40 for transferring heat energy to the quartz crucible, And a seed chuck 60 for fixing a seed for pulling up the ingot from the silicon melt.

특히, 본 실시예의 잉곳성장장치에는 불활성 가스를 챔버(10)로 공급하여 내부 분위기를 제어하는 가스 공급부(80)와, 상기 챔버(10)의 기체의 배출통로로 불활성가스와 잉곳성장시 발생한 산화물(SixOy) 등을 챔버(10) 외부로 배출하는 가스배출관(200)을 더 포함한다.
Particularly, the ingot growing apparatus of the present embodiment includes a gas supply unit 80 for supplying an inert gas to the chamber 10 to control the internal atmosphere, and an inert gas generating unit (not shown) (SixOy) and the like to the outside of the chamber (10).

좀더 상세히 각 구성요소에 대하여 설명하면, 먼저, 상기 챔버(10)는 웨이퍼용 잉곳을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다.Describing each component in more detail, first, the chamber 10 provides a space in which predetermined processes for growing a wafer ingot are performed.

그리고, 상기 챔버(10) 내부에는 석영으로 구성된 내열성 용기로서 실리콘 융액을 수용하는 석영도가니(20)가 배치되고, 상기 석영도가니(20)의 외연에는 이를 지지하는 흑연도가니(30)가 마련된다. 상기 흑연도가니(30)의 하부에는 하중을 지지하기 위한 지지수단이 놓여지며, 이는 도가니 회전부가 연결된 받침대(pedestal)에 결합되어 회전과 동시에 승강될 수 있다. A quartz crucible 20 containing a silicon melt as a heat resistant container made of quartz is disposed in the chamber 10 and a graphite crucible 30 supporting the quartz crucible 20 is provided on the outer periphery of the quartz crucible 20. A supporting means for supporting a load is placed on the lower portion of the graphite crucible 30, which can be coupled to a pedestal connected to the crucible rotating portion and elevated and lowered simultaneously with rotation.

또한, 상기 석영도가니(20)에 담긴 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키기 위한 시드가 장착된 시드 척(60)은 시드 케이블에 연결되어 석영도가니(20) 상측에 배치되며, 시드 인상부(미도시)는 상기 시드 케이블의 권취양을 조절하여 시드 척(60)을 회전과 동시에 승강시킬 수 있다. 즉, 상기 시드 인상부는 시드 척(60)을 하강하여 시드를 실리콘 융액에 침지시킨 후 회전과 동시에 끌어올림으로써 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다. The seed chuck 60 having the seed for growing the ingot from the silicon melt contained in the quartz crucible 20 is connected to the seed cable and disposed on the quartz crucible 20. The seed chuck 60 is connected to the seed up- The seed chuck 60 can be moved up and down simultaneously with the rotation of the seed chuck 60 by adjusting the winding direction of the seed cable. That is, the seed lifting unit can lower the seed chuck 60, immerse the seed in the silicon melt, and then raise the seed chuck 60 at the same time as the rotation, thereby growing the monocrystalline ingot.

그리고, 상기 석영도가니(20)의 외측에는 다결정 실리콘(poly silicon)을 용융시키기 위하여 열 에너지를 공급하는 히터(40)가 배치되고, 상기 히터(40)의 외연으로는 열이 잉곳성장장치 측면으로 누출되지 않도록 단열하는 측면 열차폐체가 열차폐링과 측면 단열재로 구성된다. 예를 들어, 상기 석영도가니(20)를 둘러싸도록 중공을 갖는 원통형의 히터(40)가 석영도가니(20) 외측으로 소정의 거리만큼 이격되어 배치되고, 이와 마찬가지로, 상기 히터(40)를 둘러싸는 상기 측면 열차폐부(80)가 히터(40) 외측에 마련될 수 있다.
A heater 40 for supplying thermal energy is disposed on the outer side of the quartz crucible 20 to melt polysilicon and a heat is applied to the side of the ingot growing apparatus Side heat shields that are insulated to prevent leakage are composed of heat shielding and side insulation. For example, a cylindrical heater 40 having a hollow to surround the quartz crucible 20 is disposed outside the quartz crucible 20 by a predetermined distance, and likewise, The side heat shielding portion 80 may be provided outside the heater 40.

한편, 상기 가스 공급부(80)는 챔버(10)의 상부에서 아르곤(Ar)이나 헬륨(He) 등과 같은 불활성가스를 공급하여 하부로 유동시킴으로써, 챔버(10)를 낮은 압력으로 유지함과 동시에 공정에서 발생되는 이물질들을 배출한다. 도 1에서 화살표는 가스 공급부(80)가 공급한 불활성가스의 흐름을 나타낸다. The gas supply unit 80 supplies an inert gas such as argon or helium at the top of the chamber 10 to the bottom to maintain the chamber 10 at a low pressure, And discharges the generated foreign substances. In Fig. 1, the arrow indicates the flow of the inert gas supplied by the gas supply unit 80.

즉, 상부에서 공급된 불활성가스는 챔버(10)의 상부에서 하부로 흐르면서 잉곳 성장과정에서 발생된 이물질들과 함께 챔버(10) 하부에 설치된 가스배출관(200)을 통해 배출된다. In other words, the inert gas supplied from the upper part is discharged through the gas discharge pipe 200 installed at the lower part of the chamber 10 together with the foreign substances generated in the ingot growing process from the upper part to the lower part of the chamber 10.

그리고, 상기 가스배출관(200)은 챔버(10) 내부의 기체가 외부로 배출되는 통로로서, 챔버(10)의 하부에 설치된다.The gas exhaust pipe 200 is a passage through which the gas inside the chamber 10 is discharged to the outside, and is installed at the lower portion of the chamber 10.

예를 들어, 상기 챔버(10)의 바닥면(300)(Spilltray upper)에 외부와 연결되는 관통홀(100)이 마련되고, 상기 관통홀(100)에 대응되는 원통형의 가스배출관(200)은 관통홀(100)에 탈착 가능하게 삽입될 수 있다. For example, a through hole 100 connected to the outside is provided on a bottom surface 300 of the chamber 10, and a cylindrical gas discharge pipe 200 corresponding to the through hole 100 is provided. And can be inserted into the through hole 100 in a detachable manner.

이러한 가스배출관(200)은 외부의 진공펌프 또는 필터들과 연결된 파이프(미도시)와 연결되며, 이를 통해 챔버(10)의 기체를 외부로 배출할 수 있다.
The gas discharge pipe 200 is connected to a pipe (not shown) connected to an external vacuum pump or filters, and through which gas in the chamber 10 can be discharged.

도 2는 산화물이 증착된 가스배출관의 내부를 나타낸다. Figure 2 shows the interior of a gas discharge tube where an oxide is deposited.

그런데, 기체에 포함된 이물질은 외부로 배출시 냉각됨에 따라서 가스배출관(200)에 증착되어, 가스배출관(200)을 막을 수 있다. However, the foreign substances contained in the gas may be deposited on the gas discharge pipe 200 as it is cooled when discharged to the outside, thereby blocking the gas discharge pipe 200.

특히, 상기 가스배출관(200)의 상부(210)에서 하부(220)로 갈수록 온도가 급격히 낮아지면서, 공정에서 발생한 산화물들이 가스배출관(200)의 하부(220)에 집중적으로 증착될 수 있다. Particularly, as the temperature of the gas exhaust pipe 200 decreases from the upper portion 210 to the lower portion 220, the oxides generated in the process can be concentratedly deposited on the lower portion 220 of the gas exhaust pipe 200.

이와 같이 가스배출관(200)이 막혀 챔버(10) 내의 기체가 원활하게 배출되지 못하게 되면, 잉곳이 불량하게 성장될 수 있다. If the gas discharge pipe 200 is clogged and the gas in the chamber 10 can not be discharged smoothly, the ingot may be poorly grown.

따라서, 잉곳성장공정이 완료된 이후에는 가스배출관(200)을 챔버(10)에서 분리한 후 새로운 가스배출관(200)으로 교체하여 공정을 진행한다. Therefore, after the ingot growing process is completed, the gas discharge pipe 200 is separated from the chamber 10, and the new gas discharge pipe 200 is replaced with the new gas discharge pipe 200.

그런데, 가스배출관(200) 분리시 챔버(10) 내부의 협소한 공간에 때문에 내부 구조물들을 모두 제거해야 하므로, 교체 시간이 많이 걸리며 챔버(10) 내의 공정환경이 변경되는 문제점이 발생한다. However, when the gas exhaust pipe 200 is separated, all the internal structures must be removed due to the narrow space inside the chamber 10, so that it takes a long time to change and the process environment in the chamber 10 changes.

또한, 매 공정마다 가스배출관(200) 오염된 부분뿐만 아니라 전부를 교체해야되므로, 비용이 증가하는 문제점이 있다.
In addition, since not only the contaminated portion of the gas exhaust pipe 200 but also all of the gas exhaust pipes 200 need to be replaced for each process, the cost increases.

이하에서는 이러한 문제점을 극복하기 위하여, 챔버(10)에서 분리가 용이하고 오염된 구역만 교체 가능한 본 실시예의 가스배출관(200)에 대해 상세히 설명한다. In order to overcome such a problem, the gas discharge tube 200 of the present embodiment, which is easy to separate from the chamber 10 and can replace only a contaminated area, will be described in detail.

도 3은 본 실시예에 따른, 챔버에 설치된 가스배출관의 단면을 나타내고, 도 4는 가스배출관의 전면을 나타내며, 도 5는 가스배출관의 분리 사시도이다. FIG. 3 is a cross-sectional view of a gas discharge tube installed in the chamber according to the embodiment, FIG. 4 is a front view of the gas discharge tube, and FIG. 5 is an exploded perspective view of the gas discharge tube.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 챔버(10) 바닥면의 관통홀(100)에는 중공을 가지는 고정관(250)이 개재되며, 상기 고정관(250)의 중공에는 가스배출관(200)이 탈착 가능하게 삽입된다. 3 through 5, a hollow fixing tube 250 is disposed in the through hole 100 at the bottom of the chamber 10, and a gas exhaust tube 200 is detachably attached to the hollow of the fixing tube 250 .

이러한 가스배출관(200)은 중공을 갖는 원통 형상으로 가로 및 세로로 분할되어 복수개로 구성될 수 있다. The gas discharge pipe 200 may be divided into a plurality of pipes horizontally and vertically in a cylindrical shape having a hollow shape.

좀더 상세히, 상기 관통홀(100)의 중심축을 세로방향으로 정의할 때, 상기 가스배출관(200)은 중심축을 포함하는 수평면으로 잘려져 세로방향으로 한번 이상 분할될 수 있고, 중심축의 수직평면으로 잘려져 가로방향으로 한번 이상 분할될 수 있다.More specifically, when defining the central axis of the through-hole 100 in the longitudinal direction, the gas discharge tube 200 may be cut into a horizontal plane including the central axis and divided one or more in the vertical direction, Direction. &Lt; / RTI &gt;

본 실시예에서 가스배출관(200)은 세로방향으로 분할되어 2개의 반 원통형상을 가지는 좌측 배출관(210a, 220a, 240a)과 우측 배출관(210, 220, 240)으로 분할되며, 가로방향으로 분할되어 상부 배출관(210)과 하부 배출관(220)으로 나눠져, 최종적으로 4개로 분할된다. In the present embodiment, the gas discharge pipe 200 is divided into a longitudinal direction and divided into left discharge pipes 210a, 220a and 240a having two semi-cylindrical shapes and right discharge pipes 210, 220 and 240, And is divided into an upper discharge pipe 210 and a lower discharge pipe 220, and finally divided into four.

이하 설명에서는 우측 배출관(210, 220, 240)을 기준으로 가스배출관(200)의 형상을 설명하며, 좌측 배출관(210a, 220a, 240a)은 이에 대칭되는 형상으로 이해할 수 있다.
In the following description, the shape of the gas discharge pipe 200 will be described with reference to the right discharge pipes 210, 220 and 240, and the left discharge pipes 210a, 220a and 240a can be understood as symmetrical shapes.

상기 분할된 가스배출관(200)을 일거에 분리하기 위하여, 상부 배출관(210)과 하부 배출관(220)으로 분할된 가스배출관(200)을 연결하는 연결부(240)가 더 구비된다. A connection unit 240 for connecting the gas discharge pipe 200 divided into the upper discharge pipe 210 and the lower discharge pipe 220 is further provided to separate the divided gas discharge pipes 200.

이러한 연결부(240)는 반원통형상으로, 상부 배출관(210)의 상단에 걸쳐져 챔버(10) 바닥면(300)에 지지될 수 있도록 상부 외주연에는 직경방향으로 돌출된 상플랜지 형상의 방지턱(241)이 구성될 수 있다. The connecting portion 240 has a semi-cylindrical shape and an upper flange-shaped bending protrusion 241 protruding in the radial direction from the upper outer circumference so as to be supported by the bottom surface 300 of the chamber 10 over the upper end of the upper discharge pipe 210 ) Can be configured.

그리고, 상기 연결부(240)의 바디부(242)는 방지턱(241)에서 상부 배출관(210)의 안쪽 면을 따라서 하부 배출관(220)의 상부까지 연장된다. 이때, 상부 배출관(210)의 내면에는 바디부(242)가 안쪽으로 돌출되지 않도록 바디부(242)가 끼워질 수 있는 홈이 마련될 수 있다. The body portion 242 of the connection portion 240 extends from the protrusion 241 to the upper portion of the lower discharge pipe 220 along the inner surface of the upper discharge pipe 210. At this time, the inner surface of the upper discharge pipe 210 may be provided with a groove into which the body 242 can be fitted so that the body 242 does not protrude inward.

그리고, 상기 바디부(242)의 하부 외주연에는 하부 배출관(220)의 상부 홈(222)에 끼워지는 하플랜지 형상의 걸림부(243)가 형성된다. A lower flange-shaped latching portion 243 is formed at the lower outer periphery of the body portion 242 to fit into the upper groove 222 of the lower discharge pipe 220.

예를 들어, 하부 배출관(220)의 하단에서 20Cm 높이까지의 범위에서 산화물의 증착이 집중되므로, 하단에서 20cm 이상의 높이에 걸림부(243)에 대응되는 홈(222)이 형성되어, 상기 연결부(240)의 하단에 직경방향으로 돌출된 걸림부(243)는 상기 홈(222)에 끼워질 수 있다.For example, since deposition of the oxide is concentrated in the range from the lower end of the lower discharge pipe 220 to the height of 20 cm, a groove 222 corresponding to the latching portion 243 is formed at a height of 20 cm or more from the lower end, The engaging portion 243 protruding in the radial direction can be fitted into the groove 222.

이와 같이 상기 연결부(240)는 탈착 가능하게 상기 상부 배출관(210)과 하부 배출관(220)을 연결하여 일거에 가스배출관(200)을 챔버(10)에서 분리할 수 있도록 하며, 상기 방지턱(241)은 석영도가니(20)에서 유출된 실리콘 융액이 가스배출관(200) 내로 진입하는 것을 방지할 수 있다. The connection unit 240 connects the upper discharge pipe 210 and the lower discharge pipe 220 so that the gas discharge pipe 200 can be separated from the chamber 10, The silicon melt discharged from the quartz crucible 20 can be prevented from entering the gas discharge pipe 200.

한편, 상기 상부 배출관(210) 또는 하부 배출관(220)에는 한번 이상 직경을 줄인 후 관을 연장하여, 오목한 부분을 형성할 수 있다. 예를 들어, 하부 배출관(220)의 하단에 직경이 감소된 관(221)을 구성할 수 있다. 이는 실리콘 융액이 유출된 경우, 융액이 가스배출관(200)을 통해 외부로 유출되는 것을 막기 위함이다.
Meanwhile, the upper discharge pipe 210 or the lower discharge pipe 220 may have a diameter reduced by one or more, and then the pipe may be extended to form a concave portion. For example, a pipe 221 having a reduced diameter may be formed at the lower end of the lower discharge pipe 220. This is to prevent the melt from flowing out through the gas discharge pipe 200 when the silicon melt flows out.

도 6은 본 실시예에 따른, 가스배출관이 분리되는 모습을 대략적으로 나타낸다. 6 schematically shows a state in which the gas discharge pipe is separated according to the present embodiment.

분할된 가스배출관(200)은 연결부(240)에 의하여 결합된 상태로 챔버(10)의 하부 관통홀(100)에 개재된 고정관(250)의 중공에 삽입된다.The divided gas discharge pipe 200 is inserted into the hollow of the fixing pipe 250 interposed in the lower through hole 100 of the chamber 10 while being coupled by the connecting portion 240.

본 실시예의 가스배출관(200)은 세로방향으로 분할되어 있기 때문에, 반원통형상의 좌측 배출관(210a, 220a, 240a)과 우측 배출관(210, 220, 240)이 순서대로 삽입되어 고정관(250)내에서 원통형상의 가스배출관(200)으로 합쳐진다. Since the gas discharge pipe 200 of the present embodiment is divided in the vertical direction, the semi-cylindrical left discharge pipes 210a, 220a and 240a and the right discharge pipes 210, 220 and 240 are inserted in order, And merged into a cylindrical gas exhaust pipe 200.

이와 같이 세로로 분할된 가스배출관(200)은 좌우로 반원통형상을 갖기 때문에 가로 폭은 반으로 줄어든다. Since the vertically divided gas discharge pipe 200 has a semi-cylindrical shape in the lateral direction, the width of the gas discharge pipe 200 is reduced to half.

줄어든 상기 가스배출관(200)은 히터(40)와 같은 챔버(10) 내부 핫 존 구조물에 걸리지 않고 상측으로 이동가능하므로, 우측부터 차례대로 상측으로 이동되어 고정관(250)에서 분리될 수 있다. The reduced gas discharge pipe 200 can be moved upward from the right side without being caught by the internal hot zone structure of the chamber 10 such as the heater 40 and can be separated from the fixed pipe 250 by moving upward from the right side.

이때, 상부 배출관(210)과 하부 배출관(220)은 연결부(240)에 의해 체결되어 있으므로, 연결부(240)의 상부에서 돌출된 방지턱(241)을 잡고 상측으로 당기면 일거에 하부 배출관(220)까지 한번에 고정관(250)에서 꺼낼 수 있다. 즉, 도 6에 점선으로 도시된 바와 같이, 우측 가스배출관(200)은 상측으로 이동되어 분리될 수 있다. Since the upper discharge pipe 210 and the lower discharge pipe 220 are fastened to each other by the connecting portion 240, when the upper discharge pipe 210 and the lower discharge pipe 220 are gripped by the protrusion 241 protruding from the upper portion of the connecting portion 240, It can be removed from the fixing pipe 250 at one time. That is, as shown by the dotted line in FIG. 6, the right gas discharge pipe 200 can be moved upward and separated.

이후, 좌측 가스배출관(200)을 돌려 우측으로 돌려서 이동시킨 후 마찬가지로 상측으로 꺼냄으로써 가스배출관(200) 전체를 고정관(250)으로부터 분리할 수 있다. Thereafter, the left gas exhaust pipe 200 is turned and turned to the right side, and then the gas exhaust pipe 200 is similarly turned upward, so that the entire gas exhaust pipe 200 can be separated from the fixing pipe 250.

그리고, 분리된 가스배출관(200)은 세로 및 가로로 분할되어 4개 이상으로 분할되어 있으므로, 이물질에 오염된 부분만 교체한 후 나머지는 재사용할 수 있다.
Since the separated gas discharge pipe 200 is vertically and horizontally divided and divided into four or more parts, it is possible to reuse the remaining parts after replacing the contaminated part.

전술한 바와 같이. 본 실시예에 따른 가스배출관(200)은 히터(40)를 분리하지 않고 고정관(250)에서 가스배출관(200)을 분리 및 설치할 수 있다. 이를 통해, 공정이 완료된 이후 가스배출관(200)을 교체하기 위한 시간 및 노동력을 절감시킬 수 있다. 또한, 교체시간의 단축으로 잉곳성장장치의 생산효율이 향상될 수 있다. As described above. The gas discharge pipe 200 according to the present embodiment can separate and install the gas discharge pipe 200 from the fixing pipe 250 without separating the heater 40. [ This can save time and labor for replacing the gas exhaust pipe 200 after the process is completed. In addition, the production efficiency of the ingot growing apparatus can be improved by shortening the replacement time.

그리고, 상기 고정관(250)을 단열성이 우수한 소재로 구성하여, 가스배출관(200)과 관통홀(100) 내주면 사이의 열전달을 최소화할 수 있다. 따라서, 가스배출관(200)의 온도가 종래보다 높은 상태로 유지될 수 있으며, 그 결과 가스배출관(200)에 증착되는 산화물의 양을 줄일 수 있다.The fixing pipe 250 may be made of a material excellent in heat insulation, so that heat transfer between the gas discharge pipe 200 and the inner circumferential surface of the through hole 100 can be minimized. Accordingly, the temperature of the gas exhaust pipe 200 can be maintained higher than the conventional one, and as a result, the amount of the oxide deposited on the gas exhaust pipe 200 can be reduced.

특히, 본 실시예의 가스배출관(200)은 4개 이상으로 분할되어 산화물이 증착된 부분만 교체할 수 있으므로, 공정 진행에 필요한 원가를 감축할 수 있는 장점이 있다.
Particularly, since the gas discharge pipe 200 of this embodiment can be divided into four or more parts, and only the portion where the oxide is deposited can be replaced, the cost required for the process can be reduced.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.

10: 챔버
20: 석영도가니 30: 흑연도가니
40: 히터 60: 시드 척
80: 가스 공급부
100: 관통홀
200: 가스배출관
300: 챔버 바닥면10: chamber
20: quartz crucible 30: graphite crucible
40: heater 60: seed chuck
80: gas supply unit
100: Through hole
200: gas discharge pipe
300: chamber bottom surface

Claims (9)

잉곳성장공정이 수행되는 소정의 공간을 제공하는 챔버의 기체를 외부로 배출하기 위하여, 상기 챔버의 하부에 설치된 가스배출관으로서,
상기 가스배출관은 상기 챔버의 내부와 외부를 연결하는 중공을 가지며, 상기 중공의 축을 포함하는 수평면에 대칭되도록 좌측 배출관과 우측 배출관으로 분할되고, 상기 중공의 축의 수직평면에 대칭되도록 상부 배출관과 하부 배출관으로 분할되며, 상기 상부 가스배출관과 하부 가스배출관을 연결하는 연결부를 포함하는 가스배출관.A gas discharge pipe installed at a lower portion of the chamber for discharging the gas of the chamber providing the predetermined space in which the ingot growing process is performed,
Wherein the gas discharge pipe is divided into a left discharge pipe and a right discharge pipe so as to be symmetrical to a horizontal plane including the hollow shaft and to be symmetrical with respect to a vertical plane of the hollow axis, And a connection portion connecting the upper gas discharge pipe and the lower gas discharge pipe. 제 1 항에 있어서,
상기 연결부는 반원통형상으로 이루어지며, 상부에는 직경방향으로 돌출된 상플랜지가 형성된 가스배출관. The method according to claim 1,
Wherein the connecting portion has a semi-cylindrical shape, and an upper flange protruding in the radial direction is formed on the upper portion. 제 2 항에 있어서,
상기 연결부의 하부에는 직경방향으로 돌출된 하플랜지가 형성된 가스배출관.3. The method of claim 2,
And a lower flange protruding in a radial direction is formed at a lower portion of the connecting portion. 제 3 항에 있어서,
상기 상부 배출관에는 상기 연결부의 상플랜지와 하플랜지를 연결하는 바디부가 끼워질 수 있는 홈이 구비된 가스배출관.The method of claim 3,
And the upper discharge pipe is provided with a groove into which a body part connecting the upper flange and the lower flange of the connecting part can be fitted. 제 3 항에 있어서,
상기 하부 배출관에는 상기 하플랜지가 끼워질 수 있는 홈이 구비된 가스배출관. The method of claim 3,
Wherein the lower discharge pipe is provided with a groove into which the lower flange can be fitted. 제 5 항에 있어서,
상기 하부 배출관의 하단에는 직경이 줄어든 관이 추가로 연장되는 가스배출관.6. The method of claim 5,
And a tube having a reduced diameter is further extended at the lower end of the lower discharge pipe. 잉곳의 성장공정이 수행되는 공간을 제공하고 밀폐된 챔버;
상기 챔버의 내부에 배치되어, 실리콘 멜트를 수용하는 석영도가니;
상기 실리콘 멜트에 시드를 침지하고 회전 및 인상하여 상기 잉곳을 성장시키는 인상수단;
상기 챔버의 바닥면과 소정의 거리로 이격되고, 상기 석영도가니의 외측을 둘러싸서 열을 가하는 히터;
상기 챔버의 일측에서 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
상기 챔버의 바닥면을 관통하는 관통홀에 삽입되어, 상기 챔버의 기체를 외부로 배출하기 위한 통로인 가스배출관;을 더 포함하고,
상기 가스배출관은 상기 챔버의 내부와 외부를 연결하는 중공을 가지며, 상기 중공의 축을 포함하는 수평면에 대칭되도록 좌측 배출관과 우측 배출관으로 분할되고, 상기 중공의 축의 수직평면에 대칭되도록 상부 배출관과 하부 배출관으로 분할되며, 상기 상부 가스배출관과 하부 가스배출관을 연결하는 연결부로 구성된 잉곳성장장치.Providing a space in which the growing process of the ingot is carried out and having an enclosed chamber;
A quartz crucible disposed within the chamber to receive the silicon melt;
A pulling means for immersing the seed in the silicon melt and rotating and pulling the seed to grow the ingot;
A heater spaced apart from the bottom surface of the chamber by a predetermined distance and surrounding the outside of the quartz crucible to apply heat;
A gas supply unit for supplying an inert gas from one side of the chamber; And
And a gas discharge pipe inserted into the through hole passing through the bottom surface of the chamber and being a passage for discharging the gas of the chamber to the outside,
Wherein the gas discharge pipe is divided into a left discharge pipe and a right discharge pipe so as to be symmetrical to a horizontal plane including the hollow shaft and to be symmetrical with respect to a vertical plane of the hollow axis, And a connecting portion connecting the upper gas discharge pipe and the lower gas discharge pipe. 제 7 항에 있어서,
상기 관통홀에 삽입되어 고정되는 중공을 갖는 고정관을 더 포함하는 잉곳성장장치.8. The method of claim 7,
And a fixing pipe having a hollow inserted and fixed in the through-hole. 제 7 항에 있어서,
상기 좌측 배출관과 우측 배출관의 가로 폭은 상기 관통홀의 상측에 배치된 히터에 의하여 가려지지 않은 관통홀의 폭보다 좁게 형성된 잉곳성장장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the widths of the left discharge pipe and the right discharge pipe are narrower than the width of the through hole not covered by the heater disposed above the through-hole.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180089642A (en) * 2017-02-01 2018-08-09 에스케이실트론 주식회사 Ingot growing apparatus
CN112144105A (en) * 2020-09-24 2020-12-29 西安奕斯伟硅片技术有限公司 Combined exhaust pipe and single crystal furnace
KR20210134830A (en) * 2019-12-25 2021-11-10 크리스탈 그로스 ＆ 에너지 이큅먼트 인코포레이티드 Semiconductor silicon material consumable growth furnace and silicon material manufacturing method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102271709B1 (en) * 2020-10-07 2021-07-01 한화솔루션 주식회사 Gas handling apparatus for continuous Silicon Ingot grower

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002316896A (en) * 2001-04-13 2002-10-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd Manufacturing apparatus and manufacturing method for silicon single crystal
KR20060068233A (en) * 2004-12-16 2006-06-21 주식회사 실트론 Crystal pulling apparatus
JP2006169010A (en) * 2004-12-13 2006-06-29 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Apparatus and method for manufacturing semiconductor single crystal
KR100907908B1 (en) * 2007-11-06 2009-07-16 주식회사 실트론 Silicon Monocrystalline Ingot Production Equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002316896A (en) * 2001-04-13 2002-10-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd Manufacturing apparatus and manufacturing method for silicon single crystal
JP2006169010A (en) * 2004-12-13 2006-06-29 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Apparatus and method for manufacturing semiconductor single crystal
KR20060068233A (en) * 2004-12-16 2006-06-21 주식회사 실트론 Crystal pulling apparatus
KR100907908B1 (en) * 2007-11-06 2009-07-16 주식회사 실트론 Silicon Monocrystalline Ingot Production Equipment

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180089642A (en) * 2017-02-01 2018-08-09 에스케이실트론 주식회사 Ingot growing apparatus
KR20210134830A (en) * 2019-12-25 2021-11-10 크리스탈 그로스 ＆ 에너지 이큅먼트 인코포레이티드 Semiconductor silicon material consumable growth furnace and silicon material manufacturing method
CN112144105A (en) * 2020-09-24 2020-12-29 西安奕斯伟硅片技术有限公司 Combined exhaust pipe and single crystal furnace

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