KR101607160B1 - Single crystal growing apparatus - Google Patents

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Abstract

실시예는 서로 다른 직경을 갖는 복수의 단열판을 포함하고, 복수의 단열판은 원통 형상의 측면, 측면의 상부에서 외곽으로 연장되어 돌출되는 상부 돌출부 및 측면의 하부에서 내부로 연장되어 돌출된 하부 돌출부를 포함하는 단열 부재 및 이를 포함하는 단결정 성장 장치를 제공하며, 가변형인 단열부재로 인하여 단결정 성장 중에도 도가니의 상승 위치에 관계없이 챔버 내의 공간의 단열 효과를 증대시킬 수 있다.The embodiments include a plurality of heat insulating plates having different diameters, wherein the plurality of heat insulating plates have a cylindrical side surface, an upper protruding portion protruding from the upper portion of the side surface to the outside, and a lower protruding portion protruding inward from the lower portion of the side surface And a single crystal growth apparatus including the single crystal member. The heat insulating effect of the space in the chamber can be increased regardless of the rising position of the crucible even during single crystal growth due to the variable heat insulating member.

Description

단결정 성장 장치{SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS}{SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS}

실시예는 가변형의 단열 부재 및 이를 포함하는 단결정 성장 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a variable type heat insulating member and a single crystal growing apparatus including the same.

일반적으로 실리콘 단결정을 제조하는 방법으로서, 플로우팅존 (FZ: Floating Zone)법 또는 초크랄스키(CZ:CZochralski)법이 많이 이용되고 있다. FZ 법을 적용하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 경우, 대구경의 실리콘 웨이퍼를 제조하기 어려울 뿐만 아니라 공정 비용이 매우 비싼 문제가 있기 때문에, CZ 법에 의하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 것이 일반화되어 있다.In general, as a method for manufacturing a silicon single crystal, a Floating Zone (FZ) method or a CZ (CZochralski) method is widely used. In the case of growing a silicon single crystal ingot by applying the FZ method, it is difficult to manufacture a silicon wafer of a large diameter and there is a problem in that the process cost is very high. Therefore, it is general to grow a silicon single crystal ingot by the CZ method.

CZ 법에 의하면, 석영 도가니에 다결정 실리콘을 장입하고, 흑연 발열체를 가열하여 이를 용융시킨 후, 용융 결과 형성된 실리콘 용융액에 씨드(seed) 결정을 침지시키고, 용융액 계면에서 결정화가 일어나도록 하여 씨드 결정을 회전하면서 인상시킴으로써 단결정 실리콘 잉곳이 성장된다. 이후, 성장된 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이싱(slicing), 에칭(etching) 및 연마(polishing) 하여 웨이퍼 형태로 만든다.According to the CZ method, polycrystalline silicon is charged into a quartz crucible, the graphite heating body is heated to melt it, and then seed crystals are immersed in the silicon melt formed as a result of melting and crystallization occurs at the interface of the melt, The single crystal silicon ingot is grown by rotating the silicon ingot. Thereafter, the grown silicon single crystal ingot is sliced, etched and polished into a wafer shape.

도 1은 CZ법을 이용하는 종래의 단결정 성장장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a conventional single crystal growing apparatus using the CZ method.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 단결정 성장 장치는 챔버(10) 내부인 핫존(hot zone) 내에 배치되는 구조물로서, 실리콘 융액(SM)이 담겨지는 도가니(30)와 도가니(30)의 하부에 배치되고 회전구동장치(미도시)에 결합되어 도가니를 지지하며 도가니가 회전 및 승강 되도록 하는 지지대(50)를 포함한다.1, a conventional single crystal growing apparatus is a structure disposed in a hot zone inside a chamber 10 and includes a crucible 30 in which a silicon melt SM is placed and a lower crucible 30 in a crucible 30 (Not shown) to support the crucible and to rotate and lift the crucible.

또한, 도가니(30)의 외주면에는 실리콘을 용융시키기 위하여 열에너지를 공급하는 히터(70)가 배치되며, 히터(70)와 챔버(10) 사이 즉 히터(70)의 측면에는 열이 챔버(10) 측면으로 방출되지 않도록 하는 단열부재(90)가 배치되게 된다.A heater 70 for supplying heat energy is disposed on the outer circumferential surface of the crucible 30 and a heat is applied to the side surface of the heater 70 between the heater 70 and the chamber 10, The heat insulating member 90 is disposed so as not to be discharged to the side.

종래의 단결정 성장 장치의 경우, 단결정 잉곳(I)을 성장시키는 공정 중에는 챔버(10) 상부의 가스 공급관(미도시)을 통해 계속적으로 불활성 가스, 예를 들어 아르곤(Ar) 가스가 공급되고, 이는 챔버 내부에서 순환하여 챔버 하부에 배치되는 배기관(60)으로 배출되게 된다.In the conventional single crystal growth apparatus, an inert gas such as argon (Ar) gas is continuously supplied through a gas supply pipe (not shown) above the chamber 10 during the step of growing the single crystal ingot I, Circulated in the chamber and discharged to the exhaust pipe 60 disposed in the lower portion of the chamber.

즉, 도 1에 개략적으로 도시한 바와 같이, 단결정 성장 공정 중 챔버(10) 내부에서는 일정한 가스의 유동 흐름이 발생하게 된다.That is, as shown schematically in FIG. 1, a constant flow of gas occurs in the chamber 10 during the single crystal growth process.

이러한 챔버(10) 내에서 발생하는 불활성 가스의 대류 현상으로 도가니 하부와 챔버 사이의 공간에서 데워진 열은 가스의 유동 흐름에 의하여 배출되는 가스와 함께 배기구를 통하여 챔버 외부로 배출되게 되며, 이에 따라 챔버 내의 열 손실이 일어나는 문제가 발생하게 된다.The convection of the inert gas generated in the chamber 10 causes the heated heat in the space between the lower portion of the crucible and the chamber to be discharged to the outside of the chamber through the exhaust port together with the gas discharged by the flow of the gas, There is a problem that heat loss occurs in the heat exchanger.

실시예는 단결정 성장 공정 진행 시 도가니와 챔버의 바닥면 사이에 형성되는 공간의 단열을 통하여 열효율을 개선할 수 있는 단열 부재와 이를 포함하는 단결정 성장 장치를 제공하고자 한다.An embodiment provides an insulating member capable of improving thermal efficiency through heat insulation of a space formed between a crucible and a bottom surface of a chamber during a single crystal growth process, and a single crystal growth apparatus including the same.

실시예는 서로 다른 직경을 갖는 복수의 단열판을 포함하고, 상기 복수의 단열판은 원통형상의 측면, 상기 측면의 상부에서 외곽으로 연장되어 돌출되는 상부 돌출부 및 상기 측면의 하부에서 내부로 연장되어 돌출된 하부 돌출부를 포함하는 단열 부재를 제공한다.An embodiment includes a plurality of heat insulating plates having different diameters, the plurality of heat insulating plates including a cylindrical side surface, an upper protruding portion protruding from an upper portion of the side surface to protrude outwardly, and a lower protruding portion A heat insulating member comprising a protrusion is provided.

상기 복수의 단열판은 제1 직경을 가지는 제1 단열판; 상기 제1 직경보다 작은 제2 직경을 가지는 제2 단열판을 포함하고, 상기 제1 단열판의 상기 하부 돌출부 상에 상기 제2 단열판의 상기 상부 돌출부가 배치될 수 있다.The plurality of heat insulating plates include a first heat insulating plate having a first diameter; And a second heat insulating plate having a second diameter smaller than the first diameter, and the upper protruding portion of the second heat insulating plate may be disposed on the lower protruding portion of the first heat insulating plate.

상기 제1 단열판의 내경은 상기 제2 단열판의 외경과 상기 상부 돌출부 폭의 합 이상일 수 있다.The inner diameter of the first heat insulating plate may be equal to or greater than the sum of the outer diameter of the second heat insulating plate and the width of the upper protruding portion.

상기 제1 단열판의 상기 하부 돌출부의 폭과 상기 제2 단열판의 상기 상부 돌출부의 폭은 동일할 수 있다.The width of the lower protrusion of the first heat insulating plate and the width of the upper protrusion of the second heat insulating plate may be the same.

상기 복수의 단열판의 상기 측면의 높이는 서로 동일할 수 있다.The height of the side surfaces of the plurality of heat insulating plates may be equal to each other.

상기 복수의 단열판은 그라파이트 또는 CCM(Carbon Composite Material)을 포함할 수 있다.The plurality of insulating plates may include graphite or a carbon composite material (CCM).

다른 실시예는 챔버; 상기 챔버 내에 배치되는 도가니; 상기 도가니를 지지하는 지지대; 및 상기 도가니와 상기 챔버의 바닥면 사이에 배치되는 실시예의 단열 부재; 를 포함하는 단결정 성장 장치를 제공한다.Another embodiment includes a chamber; A crucible disposed within the chamber; A support table for supporting the crucible; And a heat insulating member of an embodiment disposed between the crucible and the bottom surface of the chamber; Crystal growth apparatus.

상기 단열 부재의 높이는 상기 도가니와 상기 챔버의 바닥면 사이의 간격 이하일 수 있다.The height of the heat insulating member may be less than a distance between the crucible and the bottom surface of the chamber.

상기 복수의 단열판의 직경은 상기 지지대의 직경보다 크고 상기 도가니의 직경 이하일 수 있다.The diameter of the plurality of heat insulating plates may be larger than the diameter of the support base and smaller than the diameter of the crucible.

상기 복수의 단열판 중 가장 큰 직경을 갖는 상기 단열판은 상기 도가니의 바닥과 연결될 수 있다.The heat insulating plate having the largest diameter among the plurality of heat insulating plates may be connected to the bottom of the crucible.

상기 복수의 단열판 중 가장 큰 직경을 갖는 상기 단열판은 상기 상부 돌출부에 결합부를 더 포함할 수 있다.The heat insulating plate having the largest diameter among the plurality of heat insulating plates may further include a coupling portion in the upper projecting portion.

상기 단열 부재는 상기 도가니와 상기 챔버의 바닥면 사이에서 상하방향으로 가변적인 높이를 가질 수 있다.The heat insulating member may have a variable height in the vertical direction between the crucible and the bottom surface of the chamber.

상기 도가니와 상기 챔버의 바닥면 사이의 간격이 커질수록 상기 단열 부재의 상기 복수의 단열판은 직경이 작아지는 순서로 연결되어 순차적으로 펼쳐질 수 있다.As the distance between the crucible and the bottom surface of the chamber becomes larger, the plurality of heat insulating plates of the heat insulating member can be sequentially connected in the order of decreasing diameter.

실시예에 따른 단열부재 및 이를 포함하는 단결정 성장 장치는 단열을 요하는 공간의 변화에 따라 가변적으로 변화될 수 있어 단결정 성장 장치의 챔버 내부의 열을 효율적으로 보존할 수 있으며, 또한 지지대 부분을 보호하여 산화물 증착 및 식각을 방지할 수 있다.The heat insulating member according to the embodiment and the single crystal growing apparatus including the same can be variably changed according to the change of the space requiring heat insulation to efficiently store the heat inside the chamber of the single crystal growing apparatus, So that oxide deposition and etching can be prevented.

도 1은 종래의 단결정 잉곳 성장 장치를 나타낸 도면이고,
도 2는 일 실시예의 단열 부재를 이루는 단열판의 사시도이고,
도 3은 일 실시예의 단열 부재를 이루는 단열판의 단면도이고,
도 4a 내지 도 4c는 단열 부재의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 단결정 성장 장치의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 일 실시예의 단열 부재를 이루는 단열판의 결합 방법의 실시예를 나타낸 도면이고,
도 7a 내지 도 7b는 단결정 성장 장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view showing a conventional single crystal ingot growing apparatus,
2 is a perspective view of a heat insulating plate constituting a heat insulating member in one embodiment,
3 is a cross-sectional view of a heat insulating plate constituting an insulating member of an embodiment,
4A to 4C are views showing an embodiment of the heat insulating member,
5 is a view showing an embodiment of a single crystal growing apparatus,
6 is a view showing an embodiment of a method of joining an insulating plate constituting an insulating member of an embodiment,
7A to 7B are views showing an embodiment of a single crystal growth apparatus.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of embodiments according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

일 실시예의 단열 부재는 서로 다른 직경을 갖는 복수의 단열판을 포함할 수 있다.The insulating member of one embodiment may include a plurality of insulating plates having different diameters.

도 2는 일 실시예의 단열 부재를 이루는 복수의 단열판 중 하나의 단열판에 대한 실시예를 나타낸 도면이다.2 is a view showing an embodiment of one of the plurality of heat insulating plates constituting the heat insulating member of one embodiment.

도 2에 도시된 바와 같이 단열판(100a)은 원통 형상의 측면(102)과 측면의 상부에서 외곽으로 연장되어 돌출되는 상부 돌출부(104) 및 측면의 하부에서 내부로 연장되어 돌출된 하부 돌출부(106)를 포함할 수 있다.2, the heat insulating plate 100a includes a cylindrical side surface 102 and an upper protruding portion 104 protruding from the upper portion of the side surface and extending outwardly therefrom and a lower protruding portion 106 ).

도 3은 단열 부재를 구성하는 단열판(100a)의 단면을 나타낸 도면이다.3 is a cross-sectional view of the heat insulating plate 100a constituting the heat insulating member.

단열판(100a)은 내부가 비어 있는 링 형상일 수 있으며, 단열판(100)의 측면은 일정한 두께(W)를 가질 수 있다. 예를 들어, 단열판(100a)의 측면 두께 W는 5mm 내지 10mm일 수 있다. 5mm보다 두께가 작아질 경우 파손 위험이 있을 수 있으며, 10mm 이상이 될 경우 단열 부재를 이루는 복수의 각 단열판의 두께가 두꺼워져 단열 부재가 형성하는 단열 영역의 전체 부피가 작아지는 문제가 발생할 수 있다.The heat insulating plate 100a may have a ring shape in which the inside is hollow, and the side surface of the heat insulating plate 100 may have a constant thickness W. For example, the lateral thickness W of the heat insulating plate 100a may be 5 mm to 10 mm. If the thickness is smaller than 5 mm, there is a risk of breakage. If the thickness is more than 10 mm, the thickness of each of the plurality of heat insulating plates constituting the heat insulating member becomes thick, and the total volume of the heat insulating region formed by the heat insulating member may become small .

도 3을 참조하면 단열 부재에 포함되는 단열판에서, 상부 돌출부(104)는 단열판의 측면의 외주면의 지름(D1)보다 외부로 더 돌출되어 형성될 수 있고, 하부 돌출부(106)는 단열판 측면의 내주면의 지름(d1)보다 내측으로 더 돌출되어 형성될 수 있다.3, the upper protruding portion 104 may protrude further than the outer diameter D1 of the side surface of the heat insulating plate, and the lower protruding portion 106 may be formed on the inner circumferential surface of the heat insulating plate, The diameter d1 of the protruding portion may be greater than the diameter d1 of the protruding portion.

도 4a는 복수의 단열판을 포함하는 단열 부재(100)의 일 실시예에 대한 사시도를 나타낸 것이다.4A is a perspective view of an embodiment of the heat insulating member 100 including a plurality of heat insulating plates.

단열 부재(100)는 링 형상을 가지며 동심원을 형성하는 복수의 단열판(100a, 100b, 100c)을 포함할 수 있으며, 복수의 단열판(100a, 100b, 100c)은 순차적으로 겹쳐질 수 있을 정도의 직경의 차이를 가지는 것일 수 있다. 복수의 단열판(100a, 100b, 100c)은 서로 연결되지 않은 독립적인 것으로, 단열이 필요한 영역의 부피에 따라 단열판이 추가되거나 제외될 수 있다.The heat insulating member 100 may include a plurality of heat insulating plates 100a, 100b, and 100c having a ring shape and forming a concentric circle, and the plurality of heat insulating plates 100a, 100b, and 100c may have a diameter . The plurality of heat insulating plates 100a, 100b, and 100c are independent of each other and may be added or removed depending on the volume of the heat insulating region.

도 4a를 참조하면, 복수의 단열판은 제1 직경(d1)을 가지는 제1 단열판(100a)과 제1 단열판(100a)의 제1 직경(d1)보다 작은 제2 직경(d2)을 갖는 제2 단열판(100b)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4A, a plurality of heat insulating plates are disposed between a first heat insulating plate 100a having a first diameter d1 and a second heat insulating plate 100b having a second diameter d2 that is smaller than the first diameter d1 of the first heat insulating plate 100a. And may include an insulating plate 100b.

도 4b와 4c는 복수의 단열판을 포함하는 단열 부재(100)의 일 실시예에 대한 단면도이다. 도 4b는 단열 부재(100)가 상하 방향으로 펼쳐지지 않은 경우를 나타낸 도면이며, 도 4c는 단열 부재(100)가 상하 방향으로 펼쳐진 경우의 단면을 나타낸 도면이다.4B and 4C are cross-sectional views of an embodiment of the heat insulating member 100 including a plurality of insulating plates. FIG. 4B is a view showing a case where the heat insulating member 100 is not spread in the vertical direction, and FIG. 4C is a view showing a cross section when the heat insulating member 100 is spreading in the vertical direction.

도 4b를 참조하면, 복수의 단열판(100a, 100b, 100c)에 있어서, 제1 단열판(100a)의 내경(d1)은 제2 단열판(100b)의 외경(D2)과 제2 단열판(100b)의 상부 돌출부(a2)의 폭의 합 이상일 수 있다. 예를 들어, 제1 단열판(100a)의 내경이 d1이고, 제2 단열판(100b)의 외경이 D2이고, 제2 단열판(100b)의 상부 돌출부의 폭이 a2일 때, d1≥D2+a2 일 수 있다.4b, the inner diameter d1 of the first heat insulating plate 100a is larger than the outer diameter D2 of the second heat insulating plate 100b and the outer diameter D2 of the second heat insulating plate 100b in the plurality of heat insulating plates 100a, 100b, May be equal to or greater than the sum of the widths of the upper projecting portions a2. For example, when the inner diameter of the first heat insulating plate 100a is d1, the outer diameter of the second heat insulating plate 100b is D2, and the width of the upper protruding portion of the second heat insulating plate 100b is a2, d1? D2 + .

도 4b 내지 도 4c를 참조하면, 제1 단열판(100a)의 하부 돌출부(b1) 상에 제2 단열판(100b)의 상부 돌출부(a2)가 배치될 수 있다. 복수의 단열판에 있어서, 제1 단열판(100a)의 하부 돌출부(b1)의 폭과 제2 단열판(100b)의 상부 돌출부(a2)의 폭은 동일할 수 있다.4B to 4C, the upper protrusion a2 of the second heat insulating plate 100b may be disposed on the lower protruding portion b1 of the first heat insulating plate 100a. In the plurality of heat insulating plates, the width of the lower protruding portion b1 of the first heat insulating plate 100a and the width of the upper protruding portion a2 of the second heat insulating plate 100b may be the same.

단열 부재(100)를 이루는 복수의 단열판(100a, 100b, 100c)의 측면의 높이는 서로 동일할 수 있다. 예를 들어, 도 4b를 참조하면, 복수의 단열판 각각의 측면 높이인 h1, h2 및 h3는 모두 동일할 수 있다. 따라서, 단열 부재(100)가 펼쳐지지 않은 도 4b의 경우에 있어서 단열 부재의 높이(H)는 각 단열판의 높이(h1 내지 h3)와 동일할 수 있다.The side surfaces of the plurality of heat insulating plates 100a, 100b and 100c constituting the heat insulating member 100 may have the same height. For example, referring to FIG. 4B, the lateral heights h1, h2, and h3 of each of the plurality of insulating plates may be the same. Therefore, in the case of Fig. 4B in which the heat insulating member 100 is not spread, the height H of the heat insulating member may be the same as the heights h1 to h3 of the heat insulating members.

복수의 단열판(100a, 100b, 100c)은 단열 성능을 개선하기 위하여 열전도성 및 내열성이 우수한 카본(carbon) 소재가 사용될 수 있다. 예를 들어, 복수의 단열판(100a, 100b, 100c)은 그라파이트(Graphite) 또는 CCM(Carbon Composite Material)을 포함할 수 있으나 실시예는 이에 국한되지 않는다.The plurality of heat insulating plates 100a, 100b, and 100c may be made of a carbon material having excellent thermal conductivity and heat resistance to improve the heat insulating performance. For example, the plurality of insulating plates 100a, 100b, and 100c may include graphite or a carbon composite material (CCM), but the embodiments are not limited thereto.

상술한 실시예들의 단열 부재는 복수의 단열판을 포함하여, 상하 방향으로 가변적으로 높이가 변경될 수 있어, 변화가 있는 공간의 단열에 효과적일 수 있다.The heat insulating member of the above-described embodiments includes a plurality of heat insulating plates, and the height can be variably changed in the vertical direction, so that the heat insulating member can be effective for heat insulation of the space having the change.

도 5는 단열 부재를 포함하는 단결정 성장 장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.5 is a view showing an embodiment of a single crystal growing apparatus including a heat insulating member.

실시예의 단결정 성장 장치는 챔버(10), 도가니(30), 도가니를 지지하는 지지대(50) 및 상술한 실시예들의 단열 부재(100)를 포함할 수 있다.The single crystal growth apparatus of the embodiment may include the chamber 10, the crucible 30, the support 50 for supporting the crucible, and the heat insulating member 100 of the above-described embodiments.

도 5를 참조하면, 챔버(10)는 내부에 캐비티(cavity)가 형성된 원통 형상일 수 있고, 챔버(10)의 상부에는 풀(Pull) 챔버(미도시)가 연통하여 배치될 수 있다.Referring to FIG. 5, the chamber 10 may have a cylindrical shape with a cavity formed therein, and a pull chamber (not shown) may be connected to the upper portion of the chamber 10.

도가니(30)는 챔버(10) 내의 중앙 영역에 배치될 수 있으며, 실리콘 용융액(SM)이 수용될 수 있도록 전체적으로 오목한 그릇의 형상일 수 있다. 또한, 상기 도가니(30)는, 상기 실리콘 용융액(SM)과 직접 접촉되는 석영 도가니(32)와, 상기 석영 도가니(32)의 외면을 둘러싸면서 상기 석영 도가니(32)를 지지하는 흑연 도가니(34)로 이루어질 수 있다.The crucible 30 may be disposed in a central region within the chamber 10 and may be in the form of a generally concave vessel so that the silicon melt SM can be received. The crucible 30 includes a quartz crucible 32 directly contacting the silicon melt SM and a graphite crucible 34 for supporting the quartz crucible 32 while surrounding the outer surface of the quartz crucible 32 ).

상기 도가니(30)의 측면에는 상기 도가니(30)를 향하여 열을 공급하기 위한 히터(70)가 배치될 수 있다. 히터(70)는 도가니(30)의 외주면과 소정 간격 이격 되어 도가니(30) 측부를 에워싸도록 원통형으로 배치될 수 있다. 또한, 히터(70)로 가열된 도가니(30)의 열을 보존하기 위하여 히터(70)와 챔버(10) 사이에 열차폐부(90)가 더 포함될 수 있다.A heater 70 for supplying heat toward the crucible 30 may be disposed on a side surface of the crucible 30. The heater 70 may be disposed in a cylindrical shape so as to surround the side of the crucible 30 at a predetermined distance from the outer circumferential surface of the crucible 30. The heat shielding portion 90 may further be interposed between the heater 70 and the chamber 10 to preserve the heat of the crucible 30 heated by the heater 70.

열차폐부(90)는 히터(70)의 측면에 배치되는 측면 열차폐부와, 상측에 구비되는 상측 열차폐부를 포함할 수 있다.The heat shielding portion 90 may include a side heat shielding portion disposed on a side surface of the heater 70 and an upper side heat shielding portion provided on the upper side.

실시예의 단결정 성장장치는 도가니(30)와 챔버(10)의 바닥면 사이에 상술한 실시예들의 단열 부재(100)를 포함할 수 있다.The single crystal growth apparatus of the embodiment may include the heat insulating member 100 of the above-described embodiments between the crucible 30 and the bottom surface of the chamber 10.

단열 부재(100)의 높이는 도가니와 챔버의 바닥면 사이의 간격 이하일 수 있다. 예를 들어, 단열 부재(100)의 높이가 H일 때, H는 도가니(30)와 챔버(10)의 바닥면 사이의 간격 T 이하일 수 있다.The height of the heat insulating member 100 may be equal to or less than the interval between the crucible and the bottom surface of the chamber. For example, when the height of the heat insulating member 100 is H, H may be less than the interval T between the crucible 30 and the bottom surface of the chamber 10.

단열 부재(100)에 포함되는 복수의 단열판의 직경은 지지대의 직경(B)보다 크고, 도가니의 외부 직경(A) 이하일 수 있다. 예를 들어, N개의 단열판을 포함하는 단열 부재(100)에서 가장 큰 직경을 가지는 단열판의 외부 직경(D1)은 도가니의 외부 직경(A) 이하일 수 있으며, 단열 부재에서 가장 작은 직경을 가지는 단열판의 내부 직경(dN)은 도가니 지지대의 직경(B)보다 클 수 있다.The diameter of the plurality of heat insulating plates included in the heat insulating member 100 may be larger than the diameter B of the support and may be equal to or smaller than the outer diameter A of the crucible. For example, in the heat insulating member 100 including N heat insulating plates, the outer diameter D1 of the heat insulating plate having the largest diameter may be equal to or smaller than the outer diameter A of the crucible, The inner diameter dN may be greater than the diameter B of the crucible support.

또한, 도 5는 단결정 잉곳 성장 공정의 초기 단계에서 단결정 잉곳 성장 장치에서의 단열 부재(100)의 배치 형상을 나타낸 도면이다. 복수의 단열판을 포함하는 단열 부재(100)는 상하 방향으로 펼쳐지지 않고, 복수의 단열판이 동일한 높이를 가지도록 플랫(flat)하게 도가니(30)와 챔버(10)의 바닥면 사이의 공간에 배치될 수 있다.5 is a diagram showing the arrangement shape of the heat insulating member 100 in the single crystal ingot growing apparatus in the initial stage of the single crystal ingot growing step. The heat insulating member 100 including the plurality of heat insulating plates is not spread in the vertical direction but is placed flat in the space between the crucible 30 and the bottom surface of the chamber 10 so that the heat insulating plates have the same height .

단열 부재(100)는 도가니(30)의 상승에 따라 상하 방향으로 펼쳐질 수 있다. 예를 들어, 단열 부재(100)의 상부, 즉 가장 큰 직경을 갖는 단열판(100a)의 상부는 도가니(30)의 바닥에 고정되고, 단열 부재(100)의 하부는 고정되지 않고 단열 부재(100)의 무게로 인하여 도가니의 상승에 따라 아래 방향으로 펼쳐질 수 있다.The heat insulating member 100 can be spread vertically as the crucible 30 rises. For example, the upper portion of the heat insulating member 100, that is, the upper portion of the heat insulating plate 100a having the largest diameter is fixed to the bottom of the crucible 30, the lower portion of the heat insulating member 100 is not fixed, Due to the weight of the crucible.

예를 들어, 단열 부재(100)를 이루는 복수의 단열판 중 가장 큰 직경을 가지는 단열판의 상부는 흑연 도가니(34)의 바닥면과 연결될 수 있다.For example, the upper portion of the heat insulating plate having the largest diameter among the plurality of heat insulating plates constituting the heat insulating member 100 may be connected to the bottom surface of the graphite crucible 34.

도 6은 단열판이 도가니의 바닥면에 결합되는 경우의 실시예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment in which the heat insulating plate is coupled to the bottom surface of the crucible.

도 6을 참조하면, 복수의 단열판 중 가장 큰 직경을 갖는 단열판(100a)은 상부 돌출부(104)에 결합부(108)를 더 포함할 수 있다. 가장 큰 직경을 갖는 단열판(100a)의 결합부(108)는 흑연 도가니(34)의 바닥면에 형성되며 결합부와 대응되는 홈에 결합될 수 있다.Referring to FIG. 6, the heat insulating plate 100a having the largest diameter among the plurality of heat insulating plates may further include a coupling portion 108 in the upper protruding portion 104. The coupling portion 108 of the heat insulating plate 100a having the largest diameter is formed on the bottom surface of the graphite crucible 34 and can be coupled to the corresponding groove of the coupling portion.

단열 부재(100)는 도 6에 도시된 결합부(108)에 의한 연결방법 이외에 접착제 등을 이용하여 도가니(30)의 바닥면에 부착될 수 있으나, 실시예는 이에 한정하지 않는다.The heat insulating member 100 may be attached to the bottom surface of the crucible 30 using an adhesive or the like in addition to the connecting method using the coupling portion 108 shown in FIG. 6, but the embodiment is not limited thereto.

실시예의 단결정 성장 장치에서 단열 부재(100)는 도가니(30)와 챔버(10)의 바닥면 사이에서 상하방향으로 가변적인 높이를 갖는 것일 수 있다.In the single crystal growth apparatus of the embodiment, the heat insulating member 100 may have a variable height in the vertical direction between the crucible 30 and the bottom surface of the chamber 10.

또한, 도가니와 챔버의 바닥면 사이의 간격이 커질수록 단열 부재를 이루는 복수의 단열판은 직경이 작아지는 순서로 서로 연결되어 순차적으로 펼쳐질 수 있다.In addition, as the distance between the crucible and the bottom surface of the chamber becomes larger, the plurality of heat insulating plates constituting the heat insulating member can be sequentially connected in the order of decreasing diameter.

도 7a는 단결정 잉곳 성장 공정이 진행되어 도가니가 상승된 경우에 있어서의 단결정 성장 장치에서의 단열 부재(100)의 배치 형상을 나타낸 도면이다.FIG. 7A is a diagram showing the arrangement shape of the heat insulating member 100 in the single crystal growing apparatus when the crucible is raised by the progress of the single crystal ingot growing step. FIG.

단결정 성장 공정이 진행되는 동안 잉곳(I)이 성장하면서 도가니(30)와 이를 지지하는 지지대(50)가 상승하게 되어 도가니(30)의 외부 바닥면과 챔버(10)의 바닥면 사이의 공간이 점차적으로 증가되게 된다.The ingot I grows while the single crystal growth process is in progress and the crucible 30 and the supporting table 50 supporting the crucible 30 are raised so that the space between the outer bottom surface of the crucible 30 and the bottom surface of the chamber 10 And gradually increases.

이러한 단결정 성장 공정이 진행되는 동안 단열 부재(100)는 도가니(30) 바닥에 연결되고 가장 큰 직경을 갖는 단열판(100a)을 포함하여, 직경이 작아지는 순서로 배치된 단열판이 순차적으로 펼쳐지게 되고, 따라서 도가니(30)의 외부 바닥과 챔버(10)의 바닥면 사이의 공간은 상하 방향으로 펼쳐진 단열 부재에 의하여 외부 영역과 구분되는 단열 공간이 만들어지게 된다.During the single crystal growth process, the heat insulating member 100 is connected to the bottom of the crucible 30 and includes the heat insulating plate 100a having the largest diameter, the heat insulating plates arranged in the order of decreasing diameter are sequentially unfolded, Therefore, the space between the outer bottom of the crucible 30 and the bottom of the chamber 10 is formed with a heat insulating space which is separated from the outer region by the heat insulating member spreading in the vertical direction.

즉, 잉곳(I) 성장에 따라 도가니(30)와 이를 지지하는 지지대(50)가 상승함에 따라 단열 부재(100)를 이루는 복수의 단열판이 상하 방향으로 펼쳐지게 되어 챔버(10) 내에서 비활성 가스 흐름의 영향을 받지 않는 단열 영역이 형성되게 된다.That is, as the crucible 30 and the supporter 50 supporting the crucible 30 grow as the ingot I grows, a plurality of heat insulating plates constituting the heat insulating member 100 are unfolded in the vertical direction, A heat insulating region which is not influenced by the heat insulating layer is formed.

이때, 단열 부재를 이루는 복수의 단열판 중 상대적으로 외곽에 배치되는 단열판의 하부 돌출부와 이와 이웃하여 배치되는 단열판의 상부 돌출부가 서로 맞물리면서 단열 부재(100)가 상하 방향으로 펼쳐지게 된다.At this time, the lower protrusion of the heat insulating plate disposed on the outer periphery of the plurality of heat insulating plates constituting the heat insulating member and the upper protruding portion of the heat insulating plate disposed adjacent thereto are interdigitated so that the heat insulating member 100 is vertically spread.

예를 들어, 도가니(30)가 상승함에 따라 단열 부재(100)에서 가장 외측에 배치되는 단열판, 즉 가장 큰 직경을 갖는 단열판(100a)의 하부 돌출부와 다음으로 큰 직경을 갖는 단열판의 상부 돌출부가 순차적으로 맞물리면서 단열 부재를 이루는 복수의 단열판이 이어져 단열 부재가 상하 방향으로 펼쳐지게 된다.For example, as the crucible 30 rises, the lower protruding portion of the heat insulating plate 100a having the largest diameter and the upper protruding portion of the heat insulating plate having the next larger diameter are disposed on the outermost side in the heat insulating member 100 A plurality of heat insulating plates constituting the heat insulating member are successively engaged to sequentially open the heat insulating members in the vertical direction.

따라서, 단열 부재(100)는 가장 외측에 배치되는 단열판으로부터 순차적으로 내측에 배치되는 단열판이 이웃하는 단열판과 서로 맞물리면서 펼쳐지게 되고 가장 내측에 배치된 단열판이 가장 마지막에 펼쳐지게 되는 가변적 높이를 갖는 가변형의 단열 부재일 수 있다.Therefore, in the heat insulating member 100, the heat insulating plate disposed inwardly from the outermost heat insulating plate sequentially spreads out while being engaged with the adjacent heat insulating plate, and the variable heat insulating plate having the variable height at which the innermost heat insulating plate is finally deployed .

도 7b는 단열 부재(100)가 상하 방향으로 모두 펼쳐진 경우의 단결정 성장 장치를 나타낸 도면이다. 예를 들어, 도 7b는 단결정 성장 장치에서 도가니(30)가 챔버(10) 내에서 최대로 상승 된 경우일 수 있다.7B is a view showing a single crystal growing apparatus in a case where the heat insulating member 100 is spread all the way up and down. For example, Fig. 7B may be the case where the crucible 30 in the single crystal growth apparatus is maximally raised in the chamber 10. Fig.

가장 내측에 배치되는 단열판 까지 모두 펼쳐지게 되면, 가장 내측의 단열판의 하부면이 챔버 바닥면에 닿게 되며, 이로 인하여 도가니(30)와 챔버(10) 바닥면 사이에서 단열 부재에 의하여 단열 영역이 형성되게 된다.The bottom surface of the innermost insulating plate is brought into contact with the bottom surface of the chamber so that a heat insulating region is formed by the heat insulating member between the crucible 30 and the bottom surface of the chamber 10 do.

단열 부재에 의하여 만들 어진 단열 영역은 지지대를 감싸도록 형성되며, 도가니 외부 바닥면에서 챔버 바닥면으로 갈수록 단면적이 단계적으로 작아지는 원통 형상이 연결된 형태의 영역일 수 있다.The heat insulating region formed by the heat insulating member may be formed to enclose the support and may be a cylindrical shape in which the sectional area gradually decreases from the outer bottom surface of the crucible to the bottom surface of the chamber.

실시예의 단결정 성장 장치의 경우 단결정 성장에 따라 도가니(30)가 상승함에 따라 도가니(30)의 하부와 챔버(10) 바닥면 사이의 공간이 늘어나게 되나, 가변성을 가지는 단열 부재(100)를 포함함으로써, 도가니(30)가 상승 되어 생기는 공간을 단열 부재로 보호할 수 있어 도가니(30)와 챔버(10) 바닥면 사이의 공간에서의 대류에 의한 열 손실을 막을 수 있는 효과가 있다.In the case of the single crystal growth apparatus of the embodiment, the space between the lower part of the crucible 30 and the bottom surface of the chamber 10 is increased as the crucible 30 is raised by the single crystal growth, It is possible to prevent the heat loss due to the convection in the space between the crucible 30 and the bottom surface of the chamber 10 because the space formed by the rising of the crucible 30 can be protected by the heat insulating member.

또한, 단결정 성장 공정에서 발생 된 산화물들이 챔버 내로 도입되는 비활성 가스 흐름에 따라 도가니 하부의 지지대에 부착되거나 이로 인하여 지지대가 식각되는 문제가 발생할 수 있으나, 실시예의 단결정 성장 장치의 경우 가변형의 단열 부재가 배치됨으로 인하여 도가니 하부의 핫존(Hot Zone) 영역의 구조물에서의 산화물의 증착 또는 이로 인한 식각 문제를 개선할 수 있다.In addition, the oxides generated in the single crystal growth process may adhere to the support of the crucible under the inert gas flow introduced into the chamber, or the support may be etched. However, in the case of the single crystal growth apparatus of the embodiment, It is possible to improve the deposition of the oxide in the structure of the hot zone region under the crucible or the etching problem caused thereby.

따라서, 실시예의 단결정 성장 장치를 사용하는 경우 챔버 내의 열을 효율적으로 보존하여 단결정 성장 공정의 생산성을 향상시킬 수 있고, 챔버 내부 구조물들의 수명을 늘이는 효과도 기대할 수 있다.Therefore, in the case of using the single crystal growth apparatus of the embodiment, it is possible to efficiently store the heat in the chamber, to improve the productivity of the single crystal growth process, and to prolong the life of the chamber internal structures.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10 : 챔버 30 : 도가니
50 : 지지대 70 : 히터
90 : 열차폐부 100 : 단열 부재
100a, 100b, 100c : 단열판10: chamber 30: crucible
50: support 70: heater
90: heat shielding part 100: heat insulating member
100a, 100b, 100c:

Claims (13)

챔버;
상기 챔버 내에 배치되는 도가니;
상기 도가니를 지지하는 지지대; 및
상기 도가니와 상기 챔버의 바닥면 사이에 배치되는 단열 부재를 포함하고,
상기 단열 부재는
서로 다른 직경을 갖는 복수의 단열판을 포함하고,
상기 복수의 단열판은 원통형상의 측면,
상기 측면의 상부에서 외곽으로 연장되어 돌출되는 상부 돌출부 및
상기 측면의 하부에서 내부로 연장되어 돌출된 하부 돌출부를 포함하는 단결정 성장 장치.chamber;
A crucible disposed within the chamber;
A support table for supporting the crucible; And
And a heat insulating member disposed between the crucible and the bottom surface of the chamber,
The heat insulating member
A plurality of insulating plates having different diameters,
The plurality of heat insulating plates may have a cylindrical side surface,
An upper protrusion protruding from an upper portion of the side surface to an outer periphery;
And a lower protrusion protruding inward from a lower portion of the side surface. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 단열판은 제1 직경을 가지는 제1 단열판;
상기 제1 직경보다 작은 제2 직경을 가지는 제2 단열판을 포함하고,
상기 제1 단열판의 상기 하부 돌출부 상에 상기 제2 단열판의 상기 상부 돌출부가 배치되는 단결정 성장 장치.The apparatus of claim 1, wherein the plurality of heat insulating plates include: a first heat insulating plate having a first diameter;
And a second insulating plate having a second diameter smaller than the first diameter,
And the upper protrusion of the second heat insulating plate is disposed on the lower protruding portion of the first heat insulating plate. 제 2항에 있어서, 상기 제1 단열판의 내경은 상기 제2 단열판의 외경과 상기 상부 돌출부의 폭의 합 이상인 단결정 성장 장치.The single crystal growth apparatus according to claim 2, wherein an inner diameter of the first heat insulating plate is equal to or greater than a sum of an outer diameter of the second heat insulating plate and a width of the upper protruding portion. 제 2항에 있어서, 상기 제1 단열판의 상기 하부 돌출부의 폭과 상기 제2 단열판의 상기 상부 돌출부의 폭은 동일한 단결정 성장 장치.3. The single crystal growth apparatus according to claim 2, wherein a width of the lower protrusion of the first heat insulating plate is equal to a width of the upper protrusion of the second heat insulating plate. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 단열판의 상기 측면의 높이는 서로 동일한 단결정 성장 장치.The single crystal growth apparatus according to claim 1, wherein the side surfaces of the plurality of heat insulating plates have the same height. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 단열판은 그라파이트 또는 CCM(Carbon Composite Material)을 포함하는 단결정 성장 장치.The single crystal growth apparatus according to claim 1, wherein the plurality of insulating plates comprises graphite or a carbon composite material (CCM). 제 1항에 있어서, 상기 단열 부재의 높이는 상기 도가니와 상기 챔버의 바닥면 사이의 간격 이하인 단결정 성장 장치.The single crystal growth apparatus according to claim 1, wherein the height of the heat insulating member is equal to or smaller than a distance between the crucible and the bottom surface of the chamber. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 단열판의 직경은 상기 지지대의 직경보다 크고 상기 도가니의 직경 이하인 단결정 성장 장치.The single crystal growth apparatus according to claim 1, wherein the diameter of the plurality of heat insulating plates is larger than the diameter of the support base and is equal to or smaller than the diameter of the crucible. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 단열판 중 가장 큰 직경을 갖는 상기 단열판은 상기 도가니의 바닥과 연결되는 단결정 성장 장치.The single crystal growth apparatus of claim 1, wherein the insulating plate having the largest diameter among the plurality of insulating plates is connected to the bottom of the crucible. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 단열판 중 가장 큰 직경을 갖는 상기 단열판은 상기 상부 돌출부에 결합부를 더 포함하는 단결정 성장 장치.2. The single crystal growth apparatus of claim 1, wherein the heat insulating plate having the largest diameter among the plurality of heat insulating plates further comprises a coupling portion in the upper projection. 제 1항에 있어서, 상기 단열 부재는 상기 도가니와 상기 챔버의 바닥면 사이에서 상하방향으로 가변적인 높이를 갖는 단결정 성장 장치.The single crystal growth apparatus of claim 1, wherein the heat insulating member has a height that is variable in the vertical direction between the crucible and the bottom surface of the chamber. 제 1항에 있어서, 상기 도가니와 상기 챔버의 바닥면 사이의 간격이 커질수록 상기 단열 부재의 상기 복수의 단열판은 직경이 작아지는 순서로 연결되어 순차적으로 펼쳐지는 단결정 성장 장치.The single crystal growth apparatus according to claim 1, wherein as the distance between the crucible and the bottom surface of the chamber becomes larger, the plurality of heat insulating plates of the heat insulating member are sequentially connected in a decreasing order of diameter. 삭제delete
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100241542B1 (en) 1993-03-31 2000-02-01 이형도 Single crystal growth method and apparatus thereof
JP2003081688A (en) * 2001-06-25 2003-03-19 Dowa Mining Co Ltd Furnace and method for growing crystal
KR101362362B1 (en) 2012-01-02 2014-02-13 비아이신소재 주식회사 Bottom shield of crucible for manufacturing sapphire ingot

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