KR101362362B1 - Bottom shield of crucible for manufacturing sapphire ingot - Google Patents
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Abstract
본 발명은 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드는 다수의 통공이 판면에 관통 형성되며, 사파이어 잉곳 성장로의 하부에 다층으로 중첩 배치되는 복수의 원형 단열 플레이트;와, 스페이서는 중앙에 관통홀이 형성되어 인접한 한 쌍의 원형 단열 플레이트의 통공 사이에 각각 개재되는 스페이서; 및, 상기 원형 단열 플레이트의 통공과 스페이서의 관통홀을 관통하여 복수의 원형 단열 플레이트를 고정하는 체결부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 사파이어 잉곳 성장로 내의 온도 분포의 형성에 영향을 주는 하부 실드의 형상 정밀도와 배치 정밀도의 확보를 용이하게 한 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드가 제공된다.The present invention relates to a lower shield of a growth furnace for sapphire ingot production, wherein the lower shield of the growth furnace for sapphire ingot production according to the present invention is formed with a plurality of holes penetrating through the plate, and is disposed in a plurality of layers overlapping the lower part of the sapphire ingot growth furnace. A plurality of circular insulating plates; and spacers having a through hole formed at a center thereof, the spacers being interposed between the through holes of the pair of adjacent circular insulating plates, respectively; And a fastening member configured to penetrate the through hole of the circular heat insulating plate and the through hole of the spacer to fix the plurality of circular heat insulating plates. Thereby, the lower shield of the growth path for sapphire ingot manufacture which made it easy to ensure the shape precision and arrangement | positioning precision of the lower shield which influences formation of the temperature distribution in a sapphire ingot growth path is provided.
Description
본 발명은 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 사파이어 잉곳 성장로 내의 온도 분포의 형성에 영향을 주는 하부 실드의 형상 정밀도와 배치 정밀도의 확보를 용이하게 한 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드에 관한 것이다. The present invention relates to a lower shield of a growth furnace for sapphire ingot production, and more particularly, to a sapphire ingot production growth facilitated to secure the shape and placement accuracy of the lower shield affecting the formation of the temperature distribution in the sapphire ingot growth furnace. To the lower shield of the furnace.
LED의 시장 규모는 중대형 LCD TV용 BLU, 자동차 전조등, 일반 조명분야의 급격한 성장에 따라 연간 50% 이상의 고성장을 이루고 있으며, 우리나라 또한 급속한 성장을 이루고 있다. 또한 조명용 LED는 기존의 형광등 및 백열등으로 대표되는 조명기구에 비해 약 10~15% 정도의 낮은 전력소모, 10만 시간 이상의 반영구적 수명, 환경 친화적 특성 등을 통해 에너지 소비 효율을 획기적으로 개선할 수 있기 때문에 일반 조명기구를 대체할 차세대 기술로 주목받고 있다. 이러한 LED 제조에 있어서 필수 소재가 GaN, GaAlN등 화합물 반도체 단결정 Epi층을 증착시킬 수 있는 사파이어 기판이다.The LED market is growing at over 50% annually due to the rapid growth of medium and large-sized LCD TV BLU, automotive headlights, and general lighting, and Korea is also rapidly growing. In addition, lighting LEDs can significantly improve energy consumption efficiency through power consumption of about 10 to 15%, semi-permanent life of more than 100,000 hours, and environmentally friendly characteristics compared to conventional lighting fixtures represented by fluorescent and incandescent lamps. Therefore, it is attracting attention as the next generation technology to replace general lighting fixtures. An essential material for manufacturing such an LED is a sapphire substrate capable of depositing a compound semiconductor single crystal Epi layer such as GaN or GaAlN.
사파이어 성장에 있어서 현재 상용화되고 있는 사파이어 단결정 성장 방법으로는 베르누이법, 브리지맨(Bridgman)법, 연단 한정 성장(EFG; Edge-Defined Film-Feed Growth)법, 쵸크랄스키법(Czochralski Method), 열교환법(HEM, Heat Exchange Method) 등이 있다.Current commercially available sapphire single crystal growth methods for sapphire growth include Bernoulli method, Bridgman method, Edge-Defined Film-Feed Growth method, Czochralski method and heat exchange. Heat Exchange Method (HEM).
상기와 같은 사파이어 단결정 성장기술의 종래 선행기술로는 일본 특허공개 2008-266078호와 일본 특허공개 2008-031019호, 일본 특허공개 2005-231958호가 있다. 일본 특허공개 2008-266078호는 불순물이 적은 고품질의 사파이어 단결정을 산화 지르코늄 단열재를 사용하여 인상법으로 제조하는 기술에 관한 것이다. 일본 특허공개 2008-031019호는 종자결정 회전속도, 인상거리등을 조절하면서 사파이어 단결정을 제조하는 방법에 관한 기술이다. 일본 특허공개 2005-231958호는 챔버내에 고주파 유도 코일, 내화성 도가니, 이리듐 도가니, 단열재, 내화성 도가니 지지통, 내화성 도가니 바닥부에 설치되는 히터의 구조로 되어있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 방법을 제공하고 있다.Conventional prior arts of such sapphire single crystal growth techniques include Japanese Patent Publication No. 2008-266078, Japanese Patent Publication No. 2008-031019, and Japanese Patent Publication No. 2005-231958. Japanese Patent Laid-Open No. 2008-266078 relates to a technique for producing high quality sapphire single crystals containing few impurities by pulling method using a zirconium oxide insulating material. Japanese Patent Laid-Open No. 2008-031019 describes a method for producing sapphire single crystal while adjusting seed crystal rotation speed, pulling distance and the like. Japanese Patent Laid-Open No. 2005-231958 provides a single crystal growth method characterized by a structure of a heater installed in a high frequency induction coil, a refractory crucible, an iridium crucible, an insulator, a refractory crucible support cylinder, and a refractory crucible bottom. have.
종래의 사파이어 단결정 성장기술과 관련된 국내 선행기술로는 특허등록 제10-0573525호, 실용신안 등록 제20-0331108호가 있다. 특허등록 제10-0573525호는 저면에 시드 결정이 배치되는 도가니와 도가니 주변에 설치된 히터를 내부로 구비하며, 진공펌프에 의해 내부에 진공 분위기가 조성되는 통상적인 단결정 성장로를 이용하여 열교환법에 의해 사파이어 단결정을 제조하기 위한 이중 냉각 시스템을 갖는 단결정 성장장치에 관한 것이다. 실용신안등록 제20-0331108호는 단열재가 밀폐상태로 충진되어 있는 성장로와, 상기 성장로의 내부에 설치되어 결정성장 산화물을 성장시키되, 그 산화물의 원활한 흐름을 가이드 하도록 원형기둥 형태의 도가니와 상기 도가니와 동심을 갖고 일정 간격 떨어지도록 설치된 가열히터와, 상기 도가니와 가열히터 사이에 설치되는 열분산판 및 상기 도가니의 하부에 설치되어 수냉관에 의해 분류 수냉되는 열교환기를 포함하여 구성된 특징을 갖는 단결정 성장로에 관한 기술이다.Domestic prior arts related to the conventional sapphire single crystal growth technology include Patent Registration No. 10-0573525 and Utility Model Registration No. 20-0331108. Patent Registration No. 10-0573525 has a crucible in which seed crystals are arranged on the bottom and a heater installed around the crucible, and uses a conventional single crystal growth furnace in which a vacuum atmosphere is formed inside by a vacuum pump. The present invention relates to a single crystal growth apparatus having a dual cooling system for producing sapphire single crystal. Utility Model Registration No. 20-0331108 is a growth furnace in which a heat insulating material is filled in a sealed state, and a crucible having a circular column shape to guide a smooth flow of the oxide, although it is installed inside the growth furnace to grow crystal growth oxide. A single crystal having a constitution comprising a heating heater concentric with the crucible and spaced apart from each other, a heat dissipation plate installed between the crucible and the heating heater, and a heat exchanger installed under the crucible and classified and cooled by a water cooling tube. It's a technology about growth paths.
하지만, 상기와 같은 단결정 성장 장치에 의해 결정 결함이 없는 사파이어 단결정을 얻기 위해서는, 결정의 성장로 내의 온도 분포에 가능한 한 변화가 생기지 않도록 하는 것이 필요하다.However, in order to obtain a sapphire single crystal free from crystal defects by the above single crystal growth apparatus, it is necessary to prevent a change in the temperature distribution in the crystal growth path as much as possible.
즉, 해당 온도 분포는 단열재의 형상 정밀도, 배치 정밀도에 의해서도 크게 영향을 받는 것이고, 그러한 정밀도가 낮은 만큼, 온도 구배를 포함한 온도 분포가 변화하고, 결정 성장의 재현성이 나빠진다.That is, the temperature distribution is greatly influenced by the shape accuracy and the placement accuracy of the heat insulator, and as such precision is low, the temperature distribution including the temperature gradient changes, and the reproducibility of crystal growth is poor.
통상적으로, 단열재의 재료로서 알루미늄 세라믹(Al2O3)과 지르코니아 세라믹(ZrO2)과 같은 세라믹이 사용된다.Typically, ceramics such as aluminum ceramics (Al 2 O 3) and zirconia ceramics (ZrO 2) are used as the material of the heat insulating material.
그러나, 이러한 재료로 이루어진 단열재에 열 쇼크(heat shock)가 가해지면, 크랙이 발생한다. 또한, 단열재는 고온하에서 서서히 분해되고, 산소를 발생하며, 카본이 승화되기 때문에, 세라믹이나 지르코니아는 사파이어 단결정 성장 장치의 단열재의 재료로서는 부적합하다.However, when heat shock is applied to the heat insulating material made of such a material, a crack occurs. In addition, since the heat insulating material gradually decomposes under high temperature, generates oxygen, and carbon is sublimed, ceramics and zirconia are not suitable as a material for the heat insulating material of the sapphire single crystal growth apparatus.
한편, 일본 특허공개 평7-277869호 공보에 개시된 카본 펠트(carbon felt)는 부드러운 재료이고, 고온하에서 크랙 발생의 문제점을 해결할 수 있다. 그러나, 내하중이 낮고, 하중에 의해 형상이 서서히 변형하기 때문에, 큰 카본 펠트를 다루는 것은 어렵다. 상술한 바와 같이, 성장로 내의 온도 분포가 변화하는 것에 의해 결정 성장의 재현성이 나빠지기 때문에, 변형을 방지하고 또한 배치 정밀도를 높일 필요가 있다.On the other hand, carbon felt disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-277869 is a soft material and can solve the problem of crack generation under high temperature. However, since the load resistance is low and the shape gradually deforms due to the load, it is difficult to handle a large carbon felt. As described above, since the reproducibility of crystal growth deteriorates due to the change in the temperature distribution in the growth furnace, it is necessary to prevent deformation and to increase the placement accuracy.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 사파이어 잉곳 성장로 내의 온도 분포의 형성에 영향을 주는 단열재의 형상 정밀도와 배치 정밀도의 확보를 용이하게 한 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve such a conventional problem, and to provide a sapphire ingot manufacturing growth path that facilitates securing the shape accuracy and placement accuracy of the heat insulating material that affects the formation of the temperature distribution in the sapphire ingot growth path. To provide a lower shield.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 다수의 통공이 판면에 관통 형성되며, 사파이어 잉곳 성장로의 하부에 다층으로 중첩 배치되는 복수의 원형 단열 플레이트;와, 스페이서는 중앙에 관통홀이 형성되어 인접한 한 쌍의 원형 단열 플레이트의 통공 사이에 각각 개재되는 스페이서; 및, 상기 원형 단열 플레이트의 통공과 스페이서의 관통홀을 관통하여 복수의 원형 단열 플레이트를 고정하는 체결부재;를 포함하는 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드에 의해 달성된다.According to the present invention, a plurality of through-holes are formed through the plate surface, a plurality of circular insulating plates are arranged in a multi-layer overlapping the lower part of the sapphire ingot growth path; And, as long as the spacer is formed through holes in the center adjacent A spacer interposed between the through holes of the pair of circular insulating plates; And a fastening member penetrating the through hole of the circular heat insulating plate and the through hole of the spacer to fix the plurality of circular heat insulating plates.
여기서, 상기 통공은 원형 단열 플레이트상의 서로 다른 직경을 갖는 적어도 두 개의 원주상에서 원형 단열 플레이트의 외주연으로부터 중심을 향하는 적어도 세 개의 방사형 직선라인과의 교차점에 각각 배치되는 것이 바람직하다.Here, the through holes are preferably disposed at intersections with at least three radial straight lines, which are directed toward the center from the outer periphery of the circular insulating plates on at least two circumferences having different diameters on the circular insulating plates.
또한, 상기 직선라인은 등간격으로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the straight line is preferably formed at equal intervals.
또한, 상기 체결부재는 통공 및 관통홀을 관통하는 삽입부와, 인접한 한 쌍의 삽입부의 일단부를 연결하는 연결부와, 상기 삽입부의 타단부에서 절곡되는 절곡부를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the fastening member preferably includes an insertion portion that penetrates through and through holes, a connecting portion connecting one end of an adjacent pair of insertion portions, and a bent portion bent at the other end of the insertion portion.
또한, 상기 체결부재는 직선라인 상의 인접한 한 쌍의 통공 및 관통홀을 관통하여 체결하는 것이 바람직하다.In addition, the fastening member is preferably fastened through a pair of adjacent through and through holes on a straight line.
또한, 상기 원형 단열 플레이트 및 체결부재는 몰리브덴 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the circular insulating plate and the fastening member is preferably made of molybdenum material.
본 발명에 따르면, 사파이어 잉곳 성장로 내의 온도 분포의 형성에 영향을 주는 하부 실드의 형상 정밀도와 배치 정밀도의 확보를 용이하게 한 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드가 제공된다.According to the present invention, there is provided a lower shield of a growth furnace for producing sapphire ingots, which facilitates securing the shape accuracy and placement accuracy of the lower shield that affects the formation of the temperature distribution in the sapphire ingot growth furnace.
또한, 하부 실드를 복수의 원형 단열 플레이트로 구성하고, 원형 단열 플레이트의 사이에 각각 스페이서를 배치하여 사이간격이 견고하게 유지되도록 함으로써 열충격에 의해 하부 실드의 형상이 임의로 변형되는 것을 방지할 수 있는 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드가 제공된다.In addition, the lower shield is composed of a plurality of circular insulating plates, and the spacers are disposed between the circular insulating plates, so that the intervals are maintained firmly, so that the shape of the lower shield can be prevented from being arbitrarily deformed by thermal shock. A bottom shield of the growth furnace for ingot manufacture is provided.
또한, 체결부재가 원형 단열 플레이트의 사이에 배치된 스페이서를 관통하여 체결함으로써, 체결부재의 체결압력을 균등하게 분산시키는 것과 동시에, 하부 실드의 형상이 변형되는 것을 방지할 수 있는 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드가 제공된다.In addition, the fastening member is fastened through the spacers disposed between the circular heat insulating plates, thereby uniformly distributing the fastening pressure of the fastening member and preventing the shape of the lower shield from being deformed. A lower shield of is provided.
도 1은 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 사시도,
도 2는 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 분해사시도,
도 3은 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 평단면도,
도 4는 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 정단면도이고,
도 5은 도 4의 "A"부분 확대도이다.1 is a perspective view of the lower shield of the growth furnace for producing sapphire ingot of the present invention,
Figure 2 is an exploded perspective view of the lower shield of the growth furnace for producing sapphire ingot of the present invention,
Figure 3 is a plan sectional view of the lower shield of the growth furnace for producing sapphire ingot of the present invention,
Figure 4 is a front sectional view of the lower shield of the growth furnace for producing sapphire ingot of the present invention,
5 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 4.
설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.Prior to the description, components having the same configuration are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment. In other embodiments, configurations different from those of the first embodiment will be described do.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the lower shield of the growth furnace for producing sapphire ingot according to the first embodiment of the present invention.
첨부도면 중 도 1은 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 사시도, 도 2는 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 분해사시도이다. 1 is a perspective view of a lower shield of the growth furnace for producing a sapphire ingot of the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view of the lower shield of the growth furnace for producing a sapphire ingot of the present invention.
상기 도면에서 도시하는 바와 같은 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드는, 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부에 배치되어 핫존 하부로 열이 누출되는 것을 방지하는 것으로서, 원형 단열 플레이트(110)와, 스페이서(120)와, 체결부재(130) 및 베이스(140)를 포함하여 구성된다. The lower shield of the sapphire ingot production furnace for growth of the present invention as shown in the figure is disposed below the sapphire ingot production furnace to prevent heat from leaking to the bottom of the hot zone, the
상기 원형 단열 플레이트(110)는 사파이어 잉곳 성장로의 하부에 배치되는 것으로, 본 실시예에서는 여섯 개의 원형 단열 플레이트(110)가 상,하로 이격 배치되고, 성장로에 인접한 측에 배치되는 두 개의 원형 단열 플레이트(110)는 텅스텐 재질로 구성되고, 나머지 네 개의 원형 단열 플레이트(110)는 몰리브덴 재질로 구성되는 것으로 예를 들어 설명한다. The circular
한편, 상기 원형 단열 플레이트(110)의 판면에는 다수의 통공(111)이 수직방향으로 관통 형성되며, 상기 다수의 통공(111)은 원형 단열 플레이트(110)상의 서로 다른 직경을 갖는 두 개의 원주상에서 원형 단열 플레이트(110)의 외주연으로부터 중심을 향하도록 등간격으로 배치되는 여섯 개의 방사형 직선라인과의 교차점에 각각 배치된다.On the other hand, the plate surface of the circular heat
상기 스페이서(120)는 몰리브덴 재질로 이루어지는 원형기둥의 몸체 중앙에 관통홀(121)이 수직방향으로 형성된 것으로, 상기 복수의 원형 단열 플레이트(110)들의 통공(111) 사이에 각각 개재되어 원형 단열 플레이트(110)의 사이간격을 유지한다. The
상기 체결부재(130)는 몰리브덴 재질의 와이어로 이루어지며, 통공(111) 및 관통홀(121)에 관통 삽입되는 삽입부(131)와, 인접 배치되는 한 쌍의 삽입부(131)의 일단부를 연결하는 연결부(132)와, 상기 삽입부(131)의 타단부에서 절곡되는 절곡부(133)를 포함하여 구성된다.The
한편, 상기 체결부재(130)는 "ㄷ"자 형태로 1차 가공된 상태에서, 양단부의 삽입부(131)가 인접 배치된 한 쌍의 통공(111) 및 관통홀(121)의 일측으로부터 각각 삽입된 상태에서, 타측으로 노출된 삽입부(131)의 타단부를 절곡하여 절곡부(133)를 형성하는 2차 가공을 통해 복수의 원형 단열 플레이트(110)들의 사이에 스페이서(120)가 각각 개재된 상태로 복수의 원형 단열 플레이트(110)들을 체결하는 것도 가능할 것이다. On the other hand, the
상기 베이스(140)는 상기 복수의 원형 단열 플레이트(110)들의 하부에 배치되는 것으로, 판면에는 상기 원형 단열 플레이트(110)의 통공(111)에 대응하는 체결공(141)이 다수 형성된다.
The
지금부터는 상술한 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 제1실시예의 작동에 대하여 설명한다.The operation of the first embodiment of the lower shield of the growth furnace for producing sapphire ingots will now be described.
첨부도면 중 도 3은 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 정단면도이고, 도 4는 도 3의 "A"부분 확대도이고, 도 5는 본 발명 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드의 평단면도이다.3 is a front sectional view of the lower shield of the growth furnace for producing sapphire ingot of the present invention, FIG. 4 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 3, and FIG. 5 is a flat view of the lower shield of the growth furnace for producing sapphire ingot of the present invention. It is a cross section.
먼저, 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 하부 실드는 사파이어 잉곳 제조용 성장로(C)의 하부에 배치되는 것으로, 베이스(140)의 상측에 여섯 개의 원형 단열 플레이트(110)가 적층되고, 여섯 개의 원형 단열 플레이트(110)들의 판면에 형성된 통공(111) 사이 및 원형 단열 플레이트(110)의 통공(111)과 베이스(140)의 체결공(141) 사이에는 스페이서(120)가 배치되어 사이간격을 유지한다. 미설명부호 "H"는 성장로(C)의 측면을 감싸는 형태로 배치되는 히터이고, "S"는 히터(H)의 외측을 감싸는 사이드 실드이다. First, referring to FIGS. 3 and 4, the lower shield of the present invention is disposed below the growth path C for sapphire ingot manufacturing, and six
또한, 원형 단열 플레이트(110)들의 통공(111) 및 베이스(140)의 체결공(141)으로는 체결부재(130)의 삽입부(131)가 각각 삽입되며, 한 쌍의 삽입부(131)의 일단부를 연결하는 연결부(132)가 상측 원형 단열 플레이트(110)의 외측면에 지지된 상태에서, 삽입부(131)의 타단부에 형성된 절곡부(133)가 베이스(140)의 저면부에 밀착 지지되면서 복수의 원형 단열 플레이트(110)가 베이스(140)와 함께 밀착된 상태로 체결 고정된다. In addition, the
여기서, 상기 체결부재(130)의 삽입부(131)가 원형 단열 플레이트(110)의 통공(111) 사이에 배치된 스페이서(120)의 관통공(111)을 관통하여 다수의 원형 단열 플레이트(110)들을 체결하므로, 체결부재(130)의 체결력이 균등하게 분산 지지된다. 따라서, 종래와 같이 체결부재(130)의 체결력에 의해 원형 단열 플레이트(110)가 구부러지거나 다수의 원형 단열 플레이트(110)들의 조립상태가 변형되어 하부 실드의 형상 정밀도와 배치 정밀도가 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다. Here, the
또한, 도 5와 같이, 원형 단열 플레이트(110)의 판면에 형성되는 통공(111)은 원형 단열 플레이트(110)상의 서로 다른 직경을 갖는 두 개의 원주상에서 원형 단열 플레이트(110)의 외주연으로부터 중심을 향하도록 등간격으로 배치되는 여섯 개의 방사형 직선라인과의 교차점에 각각 배치된다.In addition, as shown in FIG. 5, the through
상기와 같이 다수의 통공(111)이 원형 단열 플레이트(110)의 중심으로부터 등간격으로 분산 형성되고, 이러한 통공(111)으로 체결부재(130)가 관통 체결되는 것이므로, 체결력이 원형 단열 플레이트(110) 전면적에 균등하게 작용하게 된다.
As described above, since the plurality of through
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.
110:원형 단열 플레이트, 111:통공,
120:스페이서, 121:관통홀,
130:체결부재, 131:삽입부, 132:연결부, 133:절곡부,
140:베이스, 141:체결공110: circular insulation plate, 111: through,
120: spacer, 121: through hole,
130: fastening member, 131: inserting portion, 132: connecting portion, 133: bent portion,
140: base, 141: fastener
Claims (6)
중앙에 관통홀이 형성되어 인접한 한 쌍의 원형 단열 플레이트의 통공 사이에 각각 개재되는 스페이서; 및,
상기 원형 단열 플레이트의 통공과 스페이서의 관통홀을 관통하여 복수의 원형 단열 플레이트를 고정하는 체결부재;를 포함하며,
상기 통공은 원형 단열 플레이트상의 서로 다른 직경을 갖는 적어도 두 개의 원주상에서 원형 단열 플레이트의 외주연으로부터 중심을 향하는 적어도 세 개의 방사형 직선라인과의 교차점에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드.A plurality of circular heat insulating plates having a plurality of through-holes formed in the plate surface, and overlapping and disposed in a plurality of layers below the sapphire ingot growth path;
A spacer formed at a center thereof and interposed between the through holes of the pair of adjacent circular insulating plates; And
And a fastening member configured to fix the plurality of circular insulating plates through the through holes of the circular insulating plates and the through holes of the spacers.
The through hole is disposed on the intersection of at least three radial straight lines toward the center from the outer periphery of the circular insulating plate on at least two circumferences of different diameters on the circular insulating plate, respectively. Lower shield.
상기 직선라인은 등간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드.3. The method of claim 2,
The lower shield of the growth path for the sapphire ingot production, characterized in that the straight line is formed at equal intervals.
상기 체결부재는 통공 및 관통홀을 관통하는 삽입부와, 인접한 한 쌍의 삽입부의 일단부를 연결하는 연결부와, 상기 삽입부의 타단부에서 절곡되는 절곡부를 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드.The method of claim 3, wherein
The fastening member includes an insertion part penetrating through the through hole and a through hole, a connection part connecting one end of an adjacent pair of insertion parts, and a bent part bent at the other end of the insertion part. Lower shield.
상기 체결부재는 직선라인 상의 인접한 한 쌍의 통공 및 관통홀을 관통하여 체결하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드.5. The method of claim 4,
The fastening member is a lower shield of the growth path for producing sapphire ingot, characterized in that through fastening through a pair of adjacent through and through holes on a straight line.
상기 원형 단열 플레이트 및 체결부재는 몰리브덴 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드.6. The method according to any one of claims 2 to 5,
The circular insulating plate and the fastening member is a lower shield of the growth furnace for sapphire ingot production, characterized in that made of molybdenum material.
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