KR20160014259A

KR20160014259A - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR20160014259A
Application number: KR1020140096248A
Authority: KR
Inventors: 김빈
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-07-29
Filing date: 2014-07-29
Publication date: 2016-02-11
Also published as: KR102230692B1

Abstract

According to one embodiment of the present invention, provided are an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same. A thin film transistor comprising an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode is formed in a display region of a substrate. An anode comprises a plurality of conducting layers, and is electrically connected to the thin film transistor. A pad electrode is formed in a pad region of the substrate, and has a first pad electrode and a second pad electrode on the first pad electrode. A protective conducting layer is formed to cover a side surface of a second pad. The protective conducting layer is formed to cover the side surface of the second pad, and reduces corrosion of the second pad electrode. Therefore, provided are a pad unit with more improved reliability, and the organic light emitting display device including the pad unit.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 개선된 신뢰성을 갖는 패드 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display including a pad electrode having improved reliability and a method of manufacturing the organic light emitting display.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.The organic light emitting diode (OLED) is a self-emissive type display device, and unlike a liquid crystal display (LCD), a separate light source is not required, so that it can be manufactured in a light and thin shape. Further, the organic light emitting display device is not only advantageous from the viewpoint of power consumption by low voltage driving, but also excellent in color implementation, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and is being studied as a next generation display.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자에서 발광된 광의 방출 방향에 따라 탑 에미션(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치, 바텀 에미션(bottom emission) 방식의 유기 발광 표시 장치 및 양면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치로 구분된다. The OLED display may be classified into a top emission type organic emission display device, a bottom emission type organic emission display device, and a two-sided emission type organic emission display device according to the emitting direction of light emitted from the organic light emitting device. Display device.

탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에 있어서 애노드는 반사 특성이 우수하고 적절한 일함수를 가지는 도전 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 그러나, 이러한 특성들을 동시에 만족하는 적용가능한 단일 물질이 현재 존재하지 않기 때문에, 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치의 애노드는 도전층의 다층 구조로 구성되며, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)층, 은 합금(Ag alloy)층 및 ITO층이 적층된 구조로 구성된다. 따라서, 유기 발광 소자의 유기 발광층으로부터 발광된 광이 은 합금층에서 반사됨으로써, 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치가 구현된다.In the top emission type organic light emitting display, it is preferable that the anode is formed of a conductive material having an excellent reflection characteristic and an appropriate work function. However, since an applicable single material satisfying these characteristics does not exist at present, the anode of the organic EL display of the top emission type is composed of a multilayer structure of a conductive layer, for example, ITO (Indium Tin Oxide) Layer, an Ag alloy layer, and an ITO layer. Accordingly, light emitted from the organic light emitting layer of the organic light emitting element is reflected by the silver alloy layer, thereby realizing a top emission type organic light emitting display.

한편, 일반적인 유기 발광 표시 장치의 패드 전극은 외부 모듈과 본딩되어(bonded) 외부 모듈로부터 전기적 신호가 입력되거나 외부 모듈로 전기적 신호가 출력되는 전극이다. 일반적인 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치의 패드 전극의 최상층은 애노드와 동일한 물질로 형성된다. 구체적으로, 패드 전극은 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 형성된 전극 상에 애노드와 동일한 물질로 형성된 전극이 형성된 구조로 이루어진다. Meanwhile, a pad electrode of a general organic light emitting display is bonded to an external module, and an electric signal is inputted from an external module or an electric signal is outputted to an external module. The uppermost layer of the pad electrode of the general top emission type organic light emitting display is formed of the same material as the anode. Specifically, the pad electrode has a structure in which an electrode formed of the same material as the anode is formed on the electrode formed of the same material as the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor.

여기서, 패드 전극의 최상층인 애노드와 동일한 물질로 형성된 층은 애노드 형성 시에 동시에 형성된다. 구체적으로, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질이 적층된 상태에서 에칭 공정을 진행하여 애노드 및 패드 전극의 최상층이 형성된다. 따라서, 패드 전극의 최상층도 ITO층, 은 합금층 및 ITO층이 적층된 구조로 구성되며, 은 합금층의 경우 측면이 외부에 노출된 상태가 되며, 측면이 노출된 은 합금층에 데미지가 발생하여 유기 발광 표시 장치의 구동 불량이 발생될 수 있다.Here, the layer formed of the same material as the anode, which is the uppermost layer of the pad electrode, is formed simultaneously with the formation of the anode. Specifically, an uppermost layer of the anode and the pad electrode is formed by performing an etching process in a state where the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are laminated. Therefore, the uppermost layer of the pad electrode also has a structure in which the ITO layer, the silver alloy layer and the ITO layer are laminated. In the case of the silver alloy layer, the side faces are exposed to the outside, So that a driving failure of the organic light emitting display device may occur.

구체적으로, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 검사를 위해, 유기 발광 소자들이 형성된 패널을 고온 챔버에 일정 시간 보관한다. 이 경우, 챔버 내의 고온에 기인하여 패드 전극의 은 합금 층에 데미지가 발생하고, 패드 전극이 외부 모듈과 접촉되지 않아 유기 발광 표시 장치가 정상적으로 구동되지 않는 구동 불량 현상이 발생할 수 있다. Specifically, to inspect the reliability of the organic light emitting display, the panel in which the organic light emitting elements are formed is stored in the high temperature chamber for a certain period of time. In this case, the silver alloy layer of the pad electrode is damaged due to the high temperature in the chamber, and the pad electrode is not brought into contact with the external module, so that the driving failure phenomenon in which the OLED display is not normally driven may occur.

또한, 패드 전극의 은 합금층이 외부에 노출되게 되면, 은 합금층은 수분 및 공기와 반응할 수 있다. 이러한 경우, 은 합금층과 ITO층 사이에 갈바닉 현상(galvanic effect)이 발생하게 되는데, 갈바닉 현상은 기전력의 차이가 나는 두 물질이 동시에 부식성 용액(corrosive solution)에 노출될 때 나타나는 현상으로 기전력(electromotive force: EMF)이 큰 물질이 부식되어 패드 전극이 절연성을 갖게 된다. 따라서, 패드 전극이 외부 모듈과 접촉되지 않아 유기 발광 표시 장치가 정상적으로 구동되지 않는 구동 불량 현상이 발생할 수 있다. Further, when the silver alloy layer of the pad electrode is exposed to the outside, the silver alloy layer can react with moisture and air. In this case, a galvanic effect occurs between the silver alloy layer and the ITO layer. The galvanic phenomenon occurs when two substances having different electromotive force are simultaneously exposed to a corrosive solution. The electromotive force (electromotive force) force: EMF) is corroded to make the pad electrode insulative. Therefore, the pad electrode is not brought into contact with the external module, so that a driving failure phenomenon in which the organic light emitting display device is not normally driven may occur.

또한, 모듈 공정에서 패드 전극이 고온 고압의 조건 하에 있을 수 있는데, 이러한 고온 고압의 조건 하에서 외부로 노출된 은 합금층의 측면에 수분이 가해지면 은 합금층에 마이그레이션(migration) 현상이 발생하게 된다. 이에 따라 은 합금층 중 일부가 성장하게 되고, 인접하는 패드 전극들이 단락(short)되어 유기 발광 표시 장치가 정상적으로 구동되지 않는 구동 불량 현상이 발생할 수 있다.In addition, in the module process, the pad electrode may be under a high temperature and high pressure condition. When water is added to the side of the silver alloy layer exposed to the outside under the conditions of such high temperature and high pressure, a migration phenomenon occurs in the silver alloy layer . As a result, a part of the silver alloy layer grows, and adjacent pad electrodes are short-circuited, so that a driving failure phenomenon in which the organic light emitting display device is not normally driven may occur.

이에 따라, 패드 전극의 최상층인 애노드와 동일한 물질로 형성된 층을 사용하지 않고, 패드 전극을 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로만 구성하는 방식도 고려되었다. 그러나, 일반적으로 소스 전극 및 드레인 전극으로 사용되는 금속 물질들은 애노드를 형성하기 위한 에칭 공정에서 사용되는 에천트(etchant)에 의해 유실될 수 있다는 문제가 있다. Accordingly, a method has been considered in which the pad electrode is composed of only the same material as the source electrode and the drain electrode without using a layer formed of the same material as the anode, which is the uppermost layer of the pad electrode. However, there is a problem that metal materials used as a source electrode and a drain electrode in general can be lost by an etchant used in an etching process for forming an anode.

[관련기술문헌][Related Technical Literature]

1. 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 (특허출원번호 제 10-2011-0139530호)1. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same (Patent Application No. 10-2011-0139530)

이에, 본 발명의 발명자들은 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서 패드 전극에 발생될 수 있는 데미지를 방지하기 위한 새로운 패드 전극 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention invented an organic light emitting display having a novel pad electrode structure for preventing damages that may be generated on a pad electrode in a top emission type organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 패드 전극에 데미지가 발생하거나 부식 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing an organic light emitting display device, which can prevent damages or corrosion of the pad electrode.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 개선된 신뢰성을 갖는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having improved reliability and a method of manufacturing an organic light emitting display device.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 기판의 표시 영역에 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터가 형성된다. 애노드는 복수의 도전층으로 이루어지고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 기판의 패드 영역에 패드 전극이 형성되고, 패드 전극은 제1 패드 전극 및 제1 패드 전극 상의 제2 패드 전극을 갖는다. 보호 도전층은 제2 패드의 측면을 덮도록 형성된다. 보호 도전층은 제2 패드의 측면을 덮도록 형성되어, 제2 패드 전극의 부식을 저감할 수 있고, 이에 따라 보다 향상된 신뢰성을 갖는 패드부 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치가 제공될 수 있다.An organic light emitting display according to an embodiment of the present invention is provided. A thin film transistor including an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode is formed in a display region of a substrate. The anode comprises a plurality of conductive layers and is electrically connected to the thin film transistor. A pad electrode is formed in a pad region of the substrate, and the pad electrode has a first pad electrode and a second pad electrode on the first pad electrode. The protective conductive layer is formed to cover the side surface of the second pad. The protective conductive layer is formed to cover the side surface of the second pad, thereby reducing the corrosion of the second pad electrode. Accordingly, a pad portion having improved reliability and an organic light emitting display including the pad portion can be provided.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 보호 도전층은 투명 도전성 산화물, 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(Mo alloy) 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the protective conductive layer is formed of one of a transparent conductive oxide, molybdenum (Mo), and molybdenum alloy (Mo alloy).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 패드 전극은 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 형성되고, 제2 패드 전극은 애노드와 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the first pad electrode is formed of the same material as the source electrode and the drain electrode, and the second pad electrode is formed of the same material as the anode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드는 하부 ITO(Indium Tin Oxide)층, 은 합금(Ag alloy)층 및 상부 ITO층이 적층된 구조로 형성된 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the anode includes a lower ITO (Indium Tin Oxide) layer, a silver alloy layer, and an upper ITO layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 보호 도전층은 제2 패드 전극 중 은 합금층과 동일한 물질로 형성된 부분이 공기 또는 수분과 접촉하는 것을 차단하는 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, the protective conductive layer is characterized in that a portion of the second pad electrode formed of the same material as the silver alloy layer is prevented from being in contact with air or moisture.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드는 하부 폴리 ITO(Poly-ITO)층, 은 합금층 및 상부 폴리 ITO층이 적층된 구조로 형성된 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the anode includes a lower poly ITO (poly-ITO) layer, a silver alloy layer, and an upper poly ITO layer formed in a laminated structure.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 소스 전극 및 드레인 전극은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조인 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, the source electrode and the drain electrode are characterized in that a copper (Cu) layer is stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 보호 도전층은 제2 패드 전극의 측면 및 제2 패드 전극의 상면의 적어도 일부를 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the protective conductive layer is formed to cover at least a part of the side surface of the second pad electrode and the upper surface of the second pad electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 애노드를 덮도록 형성된 더미(dummy)층을 더 포함하고, 더미층은 보호 도전층과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, an OLED display further includes a dummy layer formed to cover the anode, and the dummy layer is formed of the same material as the protective conductive layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미층은 투명 도전성 산화물로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the dummy layer is formed of a transparent conductive oxide.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 제1 패드 전극의 엣지를 덮도록 형성된 패시베이션층을 더 포함하고, 제2 패드 전극은 패시베이션층에 형성된 컨택홀을 통해 제1 패드 전극과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, an OLED display further includes a passivation layer formed to cover an edge of the first pad electrode, and the second pad electrode is electrically connected to the first pad electrode through a contact hole formed in the passivation layer .

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법이 제공된다. 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 표시 영역 및 패드 영역을 갖는 기판을 제공하는 단계, 기판의 표시 영역에 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터 및 기판의 패드 영역에 패드 전극의 제1 패드 전극을 형성하는 단계, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고 복수의 도전층으로 이루어진 애노드 및 제1 패드 전극 상에 패드 전극의 제2 패드 전극을 형성하는 단계 및 제2 패드 전극의 측면을 덮도록 보호 도전층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 제2 패드의 측면을 덮는 보호 도전층을 형성하여, 제2 패드 전극이 공기 또는 수분과 반응하여 변형되는 것을 최소화할 수 있다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is provided. A method of manufacturing an organic light emitting display includes providing a substrate having a display region and a pad region, a thin film transistor having an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode in a display region of the substrate, Forming a first pad electrode, forming a second pad electrode of the pad electrode on the anode and the first pad electrode electrically connected to the thin film transistor and composed of a plurality of conductive layers, Thereby forming a protective conductive layer. In the method of fabricating an OLED display device according to an embodiment of the present invention, a protective conductive layer covering the side surface of the second pad may be formed to minimize the deformation of the second pad electrode due to reaction with air or moisture.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 보호 도전층과 동일한 물질로 이루어지고 애노드를 덮는 더미층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 보호 도전층을 형성하는 단계 및 더미층을 형성하는 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display, the method including forming a dummy layer made of the same material as the protective conductive layer and covering the anode, And the forming step are performed simultaneously.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 박막 트랜지스터 및 제1 패드 전극을 형성하는 단계는 제1 패드 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 동시에 동일한 물질로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the step of forming the thin film transistor and the first pad electrode includes forming the first pad electrode, the source electrode, and the drain electrode simultaneously from the same material.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드 및 제2 패드 전극을 형성하는 단계는 애노드와 제2 패드 전극을 동시에 동일한 물질로 형성하는 단계인 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, the step of forming the anode and the second pad electrode may include simultaneously forming the anode and the second pad electrode from the same material.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 보호 도전층을 형성하는 단계 이전에 애노드 및 제2 패드 전극을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating an organic light emitting display, the method further comprising annealing the anode and the second pad electrode prior to forming the protective conductive layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 2항에 있어서, 보호 도전층을 형성하는 단계는 제2 패드 전극의 측면 및 제2 패드 전극의 상면의 적어도 일부를 덮도록 보호 도전층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, in the step of forming the protective conductive layer, forming the protective conductive layer to cover at least a part of the side surface of the second pad electrode and the upper surface of the second pad electrode .

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 패드 전극의 은 합금층이 외부에 노출되어 패드 전극이 데미지를 입거나 부식되는 것을 최소화할 수 있다.The present invention can minimize the damage or corrosion of the pad electrode due to the exposure of the silver alloy layer of the pad electrode to the outside.

또한, 본 발명은 패드 전극의 신뢰성을 개선하고, 나아가 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 개선할 수 있다.Further, the present invention can improve the reliability of the pad electrode and further improve the reliability of the organic light emitting display.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II', II''-II'''에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.1 is a schematic plan view of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to II-II ', II "- II''' of FIG.
3 to 5 are schematic cross-sectional views of an organic light emitting diode display according to various embodiments of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 7A to 7D are schematic process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
8A to 8D are schematic process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. An element or layer is referred to as being another element or layer "on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or wholly and technically various interlocking and driving are possible and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II', II''-II'''에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 박막 트랜지스터(120), 유기 발광 소자(130), 패드 전극(150) 및 보호 도전층(140)을 포함한다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 기판(110)의 패드 영역(PA) 및 표시 영역(DA)만을 개략화하여 도시하였다. 본 명세서에서 유기 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치인 것으로 설명한다.1 is a schematic plan view of an OLED display according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to II-II ', II "- II' '' of FIG. 1 and 2, an OLED display 100 includes a substrate 110, a thin film transistor 120, an organic light emitting diode 130, a pad electrode 150, and a protective conductive layer 140 . In FIG. 1, only the pad area PA and the display area DA of the substrate 110 are schematically illustrated for convenience of explanation. In this specification, the organic light emitting display 100 is a top emission organic light emitting display.

기판(110)은 유기 발광 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 지지하고 보호한다. 기판(110)은 절연 물질로 구성될 수 있고, 예를 들어, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다. The substrate 110 supports and protects various components of the OLED display 100. The substrate 110 may be formed of an insulating material, for example, glass or plastic, but it is not limited thereto and may be formed of various materials.

기판(110)은 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA)을 갖는다. 표시 영역(DA)은 유기 발광 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(DA)에는 유기 발광 소자(130) 및 유기 발광 소자(130)를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치된다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 다양한 구동 소자 중 구동 박막 트랜지스터(120)만을 도시하였다. 패드 영역(PA)은 패드 전극(150)이 형성되는 영역으로서, 패드 전극(150)과 외부 모듈, 예를 들어, FPCB(Flexible Printed Circuit Board), COF(Chip On Film) 등이 접촉하는 영역이다. 패드 영역(PA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA) 일 측에 정의될 수도 있고, 표시 영역(DA)의 양 측에 정의될 수도 있다.The substrate 110 has a display area DA and a pad area PA. The display area DA is a region where an image is displayed in the organic light emitting display 100 and various driving elements for driving the organic light emitting element 130 and the organic light emitting element 130 are disposed in the display area DA . In FIG. 2, only the driving thin film transistor 120 among the various driving devices is shown for convenience of explanation. The pad area PA is a region in which the pad electrode 150 is formed and is an area where the pad electrode 150 and an external module such as a flexible printed circuit board (FPCB) or a chip on film (COF) . The pad area PA may be defined on one side of the display area DA as shown in Fig. 1, or may be defined on both sides of the display area DA.

기판(110) 상에 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 기판(110)의 표시 영역(DA)에 박막 트랜지스가 형성된다. 구체적으로, 기판(110) 상에 버퍼층(111)이 형성되고, 버퍼층(111) 상에 박막 트랜지스터(120)의 채널이 형성되는 액티브층(122)이 형성된다. 액티브층(122)은 도 2에 도시된 바와 같이 버퍼층(111) 상에 형성될 수도 있고, 버퍼층(111)이 사용되지 않는 경우 기판(110) 상에 바로 형성될 수도 있다. 액티브층(122) 상에 액티브층(122)과 게이트 전극(121)을 절연시키기 위하여 게이트 절연층(112)이 형성된다. 게이트 절연층(112) 상에는 게이트 전극(121)이 형성된다. 게이트 전극(121) 상에 층간 절연층(113)이 형성된다. 층간 절연층(113)은 기판(110) 전면에 형성되고, 액티브층(122)의 일부 영역을 개구시키는 컨택홀을 갖도록 형성된다. 층간 절연층(113) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성되고, 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 각각은 컨택홀을 통해 액티브층(122)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 상에 박막 트랜지스터(120)를 보호하기 위한 패시베이션층(114)이 형성된다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 박막 트랜지스터(120)가 코플래너(coplanar) 구조인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 박막 트랜지스터(120)는 인버티드 스태거드(inverted staggered) 구조로 형성될 수도 있다.A thin film transistor 120 is formed on a substrate 110. A thin film transistor is formed in the display area DA of the substrate 110. [ Specifically, a buffer layer 111 is formed on the substrate 110, and an active layer 122 on which a channel of the thin film transistor 120 is formed is formed on the buffer layer 111. The active layer 122 may be formed on the buffer layer 111 as shown in FIG. 2 or formed directly on the substrate 110 when the buffer layer 111 is not used. A gate insulating layer 112 is formed on the active layer 122 to isolate the active layer 122 and the gate electrode 121 from each other. A gate electrode 121 is formed on the gate insulating layer 112. An interlayer insulating layer 113 is formed on the gate electrode 121. An interlayer insulating layer 113 is formed on the entire surface of the substrate 110 and is formed to have a contact hole for opening a partial area of the active layer 122. A source electrode 123 and a drain electrode 124 are formed on the interlayer insulating layer 113 and each of the source electrode 123 and the drain electrode 124 is electrically connected to the active layer 122 through a contact hole . The source electrode 123 and the drain electrode 124 may be formed of various conductive materials, for example, a structure in which a copper (Cu) layer is stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer. A passivation layer 114 for protecting the thin film transistor 120 is formed on the source electrode 123 and the drain electrode 124. [ 2, the thin film transistor 120 has a coplanar structure for the sake of convenience. However, the thin film transistor 120 may be formed in an inverted staggered structure .

박막 트랜지스터(120) 상에 평탄화층(115)이 형성된다. 평탄화층(115)은 박막 트랜지스터(120) 상부를 평탄화하기 위한 절연층이다. 평탄화층(115)은 표시 영역(DA)에만 형성되고, 패드 영역(PA)에는 형성되지 않는다.A planarization layer 115 is formed on the thin film transistor 120. The planarization layer 115 is an insulating layer for planarizing the upper portion of the thin film transistor 120. The planarizing layer 115 is formed only in the display region DA and is not formed in the pad region PA.

평탄화층(115) 상에 유기 발광 소자(130)가 형성된다. 유기 발광 소자(130)는 애노드(137), 유기 발광층(138) 및 캐소드(139)를 포함한다. The organic light emitting device 130 is formed on the planarization layer 115. The organic light emitting device 130 includes an anode 137, an organic light emitting layer 138, and a cathode 139.

애노드(137)는 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 애노드(137)는 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 전기적으로 연결될 수도 있고, 도 2에 도시되지는 않았으나 애노드(137)는 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결될 수도 있다. The anode 137 is electrically connected to the thin film transistor 120. 2, the anode 137 may be electrically connected to the source electrode 123 of the thin film transistor 120, and the anode 137 may be connected to the drain of the thin film transistor 120, And may be electrically connected to the electrode 124.

애노드(137)는 복수의 도전층으로 이루어진다. 애노드(137)는 유기 발광층(138)에 정공(hole)을 전달하는 역할을 하는 상부 ITO층(133)을 포함한다. 다만, 상부 ITO층(133)의 재료는 ITO로 한정되지 않고, IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 일함수가 높은 다른 투명 도전성 산화물이 상부 ITO층(133)의 재료로 사용될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치이므로 유기 발광층(138)에서 발광된 광을 유기 발광 표시 장치(100) 상측으로 반사시키기 위한 반사층이 요구된다. 이에, 애노드(137)는 상부 ITO층(133)의 하면에 형성된 은 합금층(132)을 포함한다. 다만, 반사층은 은 합금층(132)으로 한정되지 않고, 반사율이 우수한 다른 도전성 물질이 반사층으로 사용될 수도 있다. The anode 137 is composed of a plurality of conductive layers. The anode 137 includes an upper ITO layer 133 serving to transfer holes to the organic light emitting layer 138. However, the material of the upper ITO layer 133 is not limited to ITO, and another transparent conductive oxide having a high work function such as IZO (Indium Zinc Oxide) may be used as the material of the upper ITO layer 133. Since the OLED display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention is a top emission type OLED display, a reflective layer for reflecting light emitted from the OLED 138 to the top of the OLED display 100 Is required. Thus, the anode 137 includes a silver alloy layer 132 formed on the lower surface of the upper ITO layer 133. However, the reflective layer is not limited to the silver alloy layer 132, and another conductive material having excellent reflectivity may be used as the reflective layer.

애노드(137)는 평탄화층(115)과의 접착력을 향상시키기 위해 하부 ITO층(131)을 더 포함한다. 애노드(137)가 은 합금층(132) 및 상부 ITO층(133)만으로 구성되더라도, 애노드로서의 기능은 수행할 수 있다. 그러나, 반사층 역할을 하는 은 합금층(132)은 유기 절연 물질로 일반적으로 형성되는 평탄화층(115)과의 접착력이 떨어지므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 애노드(137)가 하부 ITO층(131)을 더 포함하여 애노드(137)와 평탄화층(115) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 다만, 하부 ITO층(131)의 재료는 ITO로 한정되지 않고, IZO 등과 같은 일함수가 높은 다른 투명 도전성 산화물이 하부 ITO층(131)의 재료로 사용될 수도 있다.The anode 137 further includes a lower ITO layer 131 to improve adhesion with the planarization layer 115. Even if the anode 137 is composed of only the silver alloy layer 132 and the upper ITO layer 133, the function as the anode can be performed. However, since the silver alloy layer 132 serving as the reflective layer has a low adhesive force with the planarization layer 115, which is generally formed of an organic insulating material, in the OLED display 100 according to the embodiment of the present invention, The lower electrode 137 may further include a lower ITO layer 131 to improve the adhesion between the anode 137 and the planarization layer 115. However, the material of the lower ITO layer 131 is not limited to ITO, and another transparent conductive oxide having a high work function such as IZO may be used as the material of the lower ITO layer 131. [

평탄화층(115) 상에 뱅크층(116)이 형성된다. 뱅크층(116)은 애노드(137)의 엣지를 덮도록 형성될 수 있다. 뱅크층(116)에 의해 오픈된 애노드(137)의 일부 영역은 발광 영역으로 정의될 수 있다. A bank layer 116 is formed on the planarization layer 115. The bank layer 116 may be formed so as to cover the edge of the anode 137. A part of the region of the anode 137 opened by the bank layer 116 may be defined as a light emitting region.

애노드(137) 상에 유기 발광층(138)이 형성된다. 유기 발광층(138)은 뱅크층(116)에 의해 오픈된 애노드(137)의 일부 영역 상에 형성된다. 이 경우, 유기 발광층(138)은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층 중 하나일 수 있다. 도 2에 도시되지는 않았으나, 유기 발광층(138)은 백색 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 백색 유기 발광층은 표시 영역(DA)에서 기판(110) 전면 상에 형성될 수 있고, 컬러 필터가 추가적으로 사용될 수 있다.An organic light emitting layer 138 is formed on the anode 137. The organic light emitting layer 138 is formed on a part of the anode 137 opened by the bank layer 116. [ In this case, the organic light emitting layer 138 may be one of a red organic light emitting layer, a green organic light emitting layer, and a blue organic light emitting layer. Although not shown in FIG. 2, the organic light emitting layer 138 may be a white organic light emitting layer. In this case, a white organic light emitting layer may be formed on the front surface of the substrate 110 in the display area DA, and a color filter may additionally be used.

유기 발광층(138) 상에 캐소드(139)가 형성된다. 캐소드(139)는 유기 발광층(138)에 전자(electron)를 전달하기 위한 역할을 하고, 표시 영역(DA)에서 기판(110) 전면 상에 형성된다. 캐소드(139)는 일함수가 낮은 금속성 물질 또는 투명 도전성 산화물로 형성될 수 있다.A cathode 139 is formed on the organic light emitting layer 138. The cathode 139 serves to transfer electrons to the organic light emitting layer 138 and is formed on the front surface of the substrate 110 in the display area DA. The cathode 139 may be formed of a low work function metallic material or a transparent conductive oxide.

도 2를 참조하면, 패드 영역(PA)에서 기판(110) 상에 버퍼층(111) 및 층간 절연층(113)이 형성된다. 버퍼층(111)이 생략되는 경우, 기판(110) 상에 층간 절연층(113)이 바로 형성될 수도 있다. Referring to FIG. 2, a buffer layer 111 and an interlayer insulating layer 113 are formed on a substrate 110 in a pad region PA. If the buffer layer 111 is omitted, the interlayer insulating layer 113 may be directly formed on the substrate 110.

패드 전극(150)은 패드 영역(PA)에서 기판(110) 상에 형성된다. 구체적으로, 패드 전극(150)은 층간 절연층(113) 상에 형성된다. 패드 전극(150)은 복수의 도전층으로 구성된다. 도 2를 참조하면, 패드 전극(150)은 제1 패드 전극(151) 및 제1 패드 전극(151) 상의 제2 패드 전극(152)을 갖는다. A pad electrode 150 is formed on the substrate 110 in the pad region PA. Specifically, the pad electrode 150 is formed on the interlayer insulating layer 113. The pad electrode 150 is composed of a plurality of conductive layers. Referring to FIG. 2, the pad electrode 150 has a first pad electrode 151 and a second pad electrode 152 on the first pad electrode 151.

패드 전극(150)의 제1 패드 전극(151)은 표시 영역(DA)에 형성된 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 형성된다. 즉, 제1 도전층(153)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조로 형성될 수 있다. The first pad electrode 151 of the pad electrode 150 is formed of the same material as the source electrode 123 and the drain electrode 124 of the thin film transistor 120 formed in the display area DA. That is, the first conductive layer 153 may be formed by stacking a copper (Cu) layer on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer.

제1 패드 전극(151) 상에는 패시베이션층(114)이 형성된다. 구체적으로, 패시베이션층(114)은 제1 패드 전극(151)의 엣지를 덮도록 제1 패드 전극(151)의 엣지 상에 형성된다. 패시베이션층(114)은 컨택홀을 갖고, 패시베이션층(114)의 컨택홀은 제1 패드 전극(151)의 일부 영역을 오픈시킨다. A passivation layer 114 is formed on the first pad electrode 151. Specifically, the passivation layer 114 is formed on the edge of the first pad electrode 151 so as to cover the edge of the first pad electrode 151. The passivation layer 114 has a contact hole, and the contact hole of the passivation layer 114 opens a portion of the first pad electrode 151.

패드 전극(150)의 제2 패드 전극(152)은 표시 영역(DA)에 형성된 유기 발광 소자(130)의 애노드(137)와 동일한 물질로 형성된다. 즉, 제2 패드 전극(152)은 애노드(137)의 하부 ITO층(131)과 동일한 물질로 형성된 제1 도전층(153), 애노드(137)의 은 합금층(132)과 동일한 물질로 형성된 제2 도전층(154) 및 애노드(137)의 상부 ITO층(133)과 동일한 물질로 형성된 제3 도전층(155)을 포함한다. 제2 패드 전극(152)은 패시베이션층(114)에 형성된 컨택홀을 통해 제1 패드 전극(151)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 제1 패드 전극(151)의 엣지와 제2 패드 전극(152)의 엣지 사이에는 패시베이션층(114)이 배치된다.The second pad electrode 152 of the pad electrode 150 is formed of the same material as the anode 137 of the organic light emitting diode 130 formed in the display area DA. That is, the second pad electrode 152 is formed of the same material as the silver alloy layer 132 of the anode 137, the first conductive layer 153 formed of the same material as the lower ITO layer 131 of the anode 137, A second conductive layer 154 and a third conductive layer 155 formed of the same material as the upper ITO layer 133 of the anode 137. The second pad electrode 152 is electrically connected to the first pad electrode 151 through a contact hole formed in the passivation layer 114. Accordingly, a passivation layer 114 is disposed between the edge of the first pad electrode 151 and the edge of the second pad electrode 152.

패드 영역(PA)에서 제2 패드 전극(152)을 덮도록 보호 도전층(140)이 형성된다. 보호 도전층(140)은 제2 패드 전극(152)의 상면 및 측면을 덮도록 형성된다. 유기 발광 표시 장치(100)에서는 패드 전극(150)을 통해서 외부 신호가 유기 발광 소자(130) 및 박막 트랜지스터(120)로 전달되어야 하기 때문에, 패드 전극(150)은 공기 또는 수분에 노출되어도 문제가 없어야 한다. 그러나, 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치(100)에서 패드 전극(150)의 최상층을 애노드(137)와 동일한 물질로 형성하는 경우, 애노드(137)의 은 합금층(132)과 동일한 물질로 형성된 제2 패드 전극(152)의 제2 도전층(154)이 공기 또는 수분과 반응하여 데미지가 발생하거나 부식 현상이 발생할 수 있고, 이에 따라 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 불량이 발생할 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 패드 전극(150), 특히, 애노드(137)와 동일한 물질로 형성된 제2 패드 전극(152)의 제2 도전층(154)이 공기 또는 수분과 접촉하는 것을 차단하여, 제2 패드 전극(152)이 부식되는 것이 저감될 수 있다. 제2 패드 전극(152)의 부식을 저감시키기 위해, 보호 도전층(140)은 투명 도전성 산화물, 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(Mo alloy) 중 어느 하나와 같이 공기 또는 수분과 접촉하더라도 부식이 잘 되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 따라서, 패드 전극(150)의 신뢰성이 개선되고, 유기 발광 표시 장치(100)의 신뢰성 또한 개선될 수 있다.The protective conductive layer 140 is formed to cover the second pad electrode 152 in the pad region PA. The protective conductive layer 140 is formed to cover the upper surface and side surfaces of the second pad electrode 152. Since an external signal is transmitted to the organic light emitting diode 130 and the thin film transistor 120 through the pad electrode 150 in the organic light emitting display 100, the pad electrode 150 may be exposed to air or moisture, It should be absent. However, when the uppermost layer of the pad electrode 150 is formed of the same material as the anode 137 in the organic EL display 100 of the top emission type, the same material as the silver alloy layer 132 of the anode 137 The second conductive layer 154 of the formed second pad electrode 152 may react with air or moisture to cause damage or corrosion and may cause a failure in driving the organic light emitting display 100 . The organic light emitting display 100 according to an embodiment of the present invention includes the second conductive layer 154 of the second pad electrode 152 formed of the same material as the pad electrode 150, It is possible to prevent the second pad electrode 152 from being corroded by blocking the contact with the air or moisture. In order to reduce the corrosion of the second pad electrode 152, the protective conductive layer 140 may be in contact with air or moisture such as any one of a transparent conductive oxide, molybdenum (Mo), and molybdenum alloy Or < / RTI > Therefore, the reliability of the pad electrode 150 is improved, and the reliability of the organic light emitting display 100 can also be improved.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(300)는 도 1 및 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여 더미층(360)이 추가된 것만이 상이할 뿐, 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.3 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to another embodiment of the present invention. The OLED display 300 shown in FIG. 3 differs from the OLED display 100 shown in FIGS. 1 and 2 only in that a dummy layer 360 is added, So duplicate explanation is omitted.

도 3을 참조하면, 평탄화층(115) 상에서 애노드(137)를 덮도록 더미층(360)이 형성된다. 더미층(360)은 애노드(137)의 상면 및 측면 모두를 덮도록 형성된다. 더미층(360)이 애노드(137)를 덮도록 형성됨에 따라, 뱅크층(116)은 애노드(137)의 엣지 및 더미층(360)의 엣지를 덮도록 형성되고, 유기 발광층(138)은 더미층(360) 상에 형성된다.Referring to FIG. 3, a dummy layer 360 is formed on the planarization layer 115 to cover the anode 137. The dummy layer 360 is formed so as to cover both the upper surface and the side surface of the anode 137. The bank layer 116 is formed so as to cover the edge of the anode 137 and the edge of the dummy layer 360 and the organic light emitting layer 138 is formed so as to cover the edge of the dummy layer 360. The dummy layer 360 is formed to cover the anode 137, Layer 360 is formed.

더미층(360)은 투명 도전성 산화물로 형성된다. 도 3에 도시된 바와 같이 더미층(360)은 유기 발광층(138)과 접하도록 형성되므로, 유기 발광층(138)에 정공을 전달할 수 있어야 한다. 따라서, 더미층(360)은 일함수가 높은 물질인 투명 도전성 산화물로 형성된다. 더미층(360)은 보호 도전층(140)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 더미층(360)과 보호 도전층(140)이 동일한 물질로 형성되는 경우, 보호 도전층(140) 또한 투명 도전성 산화물로 형성된다. 더미층(360)과 보호 도전층(140)의 제조 공정에 대해서는 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 후술한다.The dummy layer 360 is formed of a transparent conductive oxide. 3, the dummy layer 360 is formed to be in contact with the organic light emitting layer 138, and thus it is necessary to be able to transfer holes to the organic light emitting layer 138. Therefore, the dummy layer 360 is formed of a transparent conductive oxide which is a material having a high work function. The dummy layer 360 may be formed of the same material as the protective conductive layer 140. When the dummy layer 360 and the protective conductive layer 140 are formed of the same material, the protective conductive layer 140 is also formed of a transparent conductive oxide. The manufacturing process of the dummy layer 360 and the protective conductive layer 140 will be described later with reference to FIGS. 7A to 7D.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에서는 보호 도전층(140)과 함께 애노드(137)를 덮도록 형성된 더미층(360)을 사용하여 패드 전극(150)에 대한 신뢰성을 향상시킴과 동시에 애노드(137)가 유기 발광 표시 장치 제조 공정 중에 손상되는 것을 최소화할 수 있다.The reliability of the pad electrode 150 can be improved by using the dummy layer 360 formed to cover the anode 137 together with the protective conductive layer 140 in the OLED display 300 according to another embodiment of the present invention. Thereby minimizing the damage of the anode 137 during the manufacturing process of the OLED display.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(400)는 도 1 및 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여 보호 도전층(440)의 형상만이 상이할 뿐, 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.4 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting diode display 400 shown in FIG. 4 differs from the organic light emitting diode display 100 shown in FIGS. 1 and 2 only in the shape of the protective conductive layer 440, So duplicate explanation is omitted.

도 4를 참조하면, 보호 도전층(440)은 패드 전극(150)의 제2 패드 전극(152)의 측면을 덮도록 형성된다. 구체적으로 보호 도전층(440)은 제2 패드 전극(152)의 측면 및 제2 패드 전극(152)의 상면의 적어도 일부를 덮도록 형성된다. 즉, 보호 도전층(440)은 제2 패드 전극(152)의 측면을 덮으나, 제2 패드 전극(152)의 상면을 선택적으로 덮도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the protective conductive layer 440 is formed to cover the side surface of the second pad electrode 152 of the pad electrode 150. Specifically, the protective conductive layer 440 is formed to cover at least a part of the side surface of the second pad electrode 152 and the upper surface of the second pad electrode 152. That is, the protective conductive layer 440 may cover the side surface of the second pad electrode 152, but may selectively cover the upper surface of the second pad electrode 152.

상술한 바와 같이, 패드 전극(150)의 제2 패드 전극(152)을 애노드(137)와 동일한 물질로 형성하는 경우, 제2 패드 전극(152)의 제1 도전층(153) 및 제3 도전층(155)과는 달리, 애노드(137)의 은 합금층(132)과 동일한 물질로 형성되는 제2 패드 전극(152)의 제2 도전층(154)은 공기 또는 수분과 반응하여 데미지가 발생하거나 부식 현상이 발생할 수 있다. 특히, 제2 패드 전극(152)의 제2 도전층(154)의 상면 및 하면은 ITO로 형성된 제2 패드 전극(152)의 제1 도전층(153) 및 제3 도전층(155)과 접하여 공기 또는 수분과 접촉하지 않는 반면, 제2 패드 전극(152)의 제2 도전층(154)의 측면은 공기 또는 수분과 접촉할 수 있다. 따라서, 제2 패드 전극(152)의 측면을 보호하는 것이 패드 전극(150)의 신뢰성을 향상시키는데 매우 중요하다. 이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)에서는 보호 도전층(440)이 제2 패드 전극(152)의 상면의 적어도 일부만을 덮는 반면 제2 패드 전극(152)의 측면을 모두 덮어 제2 패드 전극(152)의 제2 도전층(154)의 측면이 공기 또는 수분과 접촉하는 것을 차단할 수 있다.As described above, when the second pad electrode 152 of the pad electrode 150 is formed of the same material as the anode 137, the first conductive layer 153 and the third conductive layer 153 of the second pad electrode 152, The second conductive layer 154 of the second pad electrode 152 formed of the same material as the silver alloy layer 132 of the anode 137 reacts with air or moisture to cause damage Or corrosion may occur. Particularly, the upper and lower surfaces of the second conductive layer 154 of the second pad electrode 152 are in contact with the first conductive layer 153 and the third conductive layer 155 of the second pad electrode 152 formed of ITO While the side of the second conductive layer 154 of the second pad electrode 152 may be in contact with air or moisture. Therefore, it is very important to protect the side surface of the second pad electrode 152 to improve the reliability of the pad electrode 150. In the organic light emitting diode display 400 according to another embodiment of the present invention, the protective conductive layer 440 covers at least a part of the upper surface of the second pad electrode 152 while the side surface of the second pad electrode 152 So that the side surface of the second conductive layer 154 of the second pad electrode 152 can be prevented from being in contact with air or moisture.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 5에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)는 도 1 및 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여 애노드(537) 및 패드 전극(550)의 물질 특성만이 상이할 뿐, 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.5 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display 100 shown in FIG. 5 differs from the organic light emitting display 100 shown in FIGS. 1 and 2 only in the material properties of the anode 537 and the pad electrode 550, Other components are substantially the same, so duplicate descriptions are omitted.

도 5를 참조하면, 애노드(537)는 하부 폴리 ITO(Poly-ITO)층, 하부 폴리 ITO층(531) 상의 은 합금층(132) 및 상부 폴리 ITO층(533)이 적층된 구조로 형성된다. 여기서, 폴리 ITO층은 ITO층에 어닐링(annealing) 등의 공정을 수행하여 ITO층을 구성하는 ITO 물질이 폴리화된 층을 의미한다.5, the anode 537 is formed in a structure in which a lower poly ITO (poly-ITO) layer, a silver alloy layer 132 on the lower poly ITO layer 531, and an upper poly ITO layer 533 are stacked . Here, the poly ITO layer refers to a layer in which an ITO material constituting the ITO layer is formed by performing a process such as annealing on the ITO layer.

패드 전극(550)의 제2 패드 전극(552)은 표시 영역(DA)에 형성된 유기 발광 소자(530)의 애노드(537)와 동일한 물질로 형성된다. 즉, 제2 패드 전극(552)은 애노드(537)의 하부 폴리 ITO층(531)과 동일한 물질로 형성된 제1 도전층(553), 애노드(537)의 은 합금층(132)과 동일한 물질로 형성된 제2 도전층(154) 및 애노드(537)의 상부 폴리 ITO층(533)과 동일한 물질로 형성된 제3 도전층(555)을 포함한다. The second pad electrode 552 of the pad electrode 550 is formed of the same material as the anode 537 of the organic light emitting diode 530 formed in the display area DA. That is, the second pad electrode 552 is formed of the same material as the silver alloy layer 132 of the anode 537, the first conductive layer 553 formed of the same material as the lower poly ITO layer 531 of the anode 537, And a third conductive layer 555 formed of the same material as the upper poly ITO layer 533 of the anode 537. [

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)에서는 애노드(537)의 최상부층 및 최하부층이 폴리 ITO층으로 형성되고, 제2 패드 전극(552)의 최상부층 및 최하부층 또한 폴리 ITO층으로 형성된다. 따라서, 패드 전극(550)을 덮는 보호 도전층(140) 형성 시 애노드(537) 및 제2 패드 전극(552)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 제2 패드 전극(552)의 손상을 방지하는 것에 대한 보다 상세한 설명은 도 8a 내지 도 8d를 참조하여 후술한다.In the OLED display 500 according to another embodiment of the present invention, the uppermost layer and the lowermost layer of the anode 537 are formed of a poly ITO layer, and the uppermost layer and the lowermost layer of the second pad electrode 552 are also formed of poly ITO layer. Accordingly, when the protective conductive layer 140 covering the pad electrode 550 is formed, the anode 537 and the second pad electrode 552 can be prevented from being damaged. A more detailed description of preventing damage to the second pad electrode 552 will be described later with reference to FIGS. 8A to 8D.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다. 도 7a 내지 도 7d는 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(300)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들로서, 도 3을 참조하여 설명된 구성요소에 대한 중복 설명을 생략한다.6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. FIGS. 7A to 7D are schematic process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. 7A to 7D are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display 300 shown in FIG. 3, and overlapping descriptions of the components described with reference to FIG. 3 are omitted.

먼저, 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA)을 갖는 기판(110)을 제공하고(S60), 기판(110)의 표시 영역(DA)에 액티브층(122), 게이트 전극(121), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 구비하는 박막 트랜지스터(120)를 형성하고 기판(110)의 패드 영역(PA)에 패드 전극(150)의 제1 패드 전극(151)을 형성한다(S61).First, a substrate 110 having a display area DA and a pad area PA is provided (S60), and an active layer 122, a gate electrode 121, a source The thin film transistor 120 having the electrode 123 and the drain electrode 124 is formed and the first pad electrode 151 of the pad electrode 150 is formed in the pad region PA of the substrate 110 ).

도 7a를 참조하면, 기판(110)의 표시 영역(DA) 상에 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 버퍼층(111) 상에 액티브층(122)이 형성되고, 액티브층(122) 상에 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(121)이 형성된다. 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(121) 형성 시 기판(110) 전면 상에 게이트 절연층용 물질 및 게이트 전극용 물질이 형성되고, 그 후 게이트 절연층용 물질 및 게이트 전극용 물질을 동시에 패터닝하여 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(121)이 형성된다. 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(121) 상에 층간 절연층(113)이 형성된다. 층간 절연층(113)은 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA) 상에 형성된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 액티브층(122)과 전기적으로 연결되기 위한 컨택홀이 층간 절연층(113)에 형성된다. 그 후, 소스 전극 및 드레인 전극용 물질이 기판(110) 전면 상에 형성되고, 소스 전극 및 드레인 전극용 물질을 패터닝하여 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성된다. 이 때, 기판(110)의 패드 영역(PA) 상에 패드 전극(150)의 제1 패드 전극(151)이 형성된다. 즉, 기판(110) 전면에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극용 물질을 패터닝할 때에, 패드 영역(PA)에 패드 전극(150)의 제1 패드 전극(151)이 남도록 하여, 소스 전극(123), 드레인 전극(124) 및 패드 전극(150)의 제1 패드 전극(151)이 동시에 동일한 물질로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7A, a thin film transistor 120 is formed on a display area DA of a substrate 110. FIG. An active layer 122 is formed on the buffer layer 111 and a gate insulating layer 112 and a gate electrode 121 are formed on the active layer 122. [ A material for the gate insulating layer and a material for the gate electrode are formed on the entire surface of the substrate 110 when the gate insulating layer 112 and the gate electrode 121 are formed, and then the material for the gate insulating layer and the material for the gate electrode are patterned simultaneously, An insulating layer 112 and a gate electrode 121 are formed. An interlayer insulating layer 113 is formed on the gate insulating layer 112 and the gate electrode 121. An interlayer insulating layer 113 is formed on the display area DA and the pad area PA. A contact hole is formed in the interlayer insulating layer 113 so that the source electrode 123 and the drain electrode 124 are electrically connected to the active layer 122. Thereafter, a source electrode and a drain electrode material are formed on the entire surface of the substrate 110, and a source electrode 123 and a drain electrode 124 are formed by patterning the source and drain electrode materials. At this time, the first pad electrode 151 of the pad electrode 150 is formed on the pad region PA of the substrate 110. That is, when the source and drain electrode materials formed on the entire surface of the substrate 110 are patterned, the first pad electrode 151 of the pad electrode 150 is left in the pad area PA, and the source electrode 123, The drain electrode 124 and the first pad electrode 151 of the pad electrode 150 may be formed of the same material at the same time.

이어서, 박막 트랜지스터(120) 상에 박막 트랜지스터(120)를 보호하기 위한 패시베이션층(114)이 형성된다. 패시베이션층(114)은 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA) 모두에 형성된다. 패시베이션층(114) 형성 시 패시베이션층용 물질이 제1 패드 전극(151)을 덮도록 형성된 후, 패시베이션층용 물질을 패터닝하여 제1 패드 전극(151)의 상면을 오픈시키는 컨택홀이 패시베이션층(114)에 형성될 수 있다.Then, a passivation layer 114 for protecting the thin film transistor 120 is formed on the thin film transistor 120. [ A passivation layer 114 is formed on both the display area DA and the pad area PA. The passivation layer 114 is formed so that the passivation layer material covers the first pad electrode 151 and then the passivation layer 114 is patterned to expose the upper surface of the first pad electrode 151, As shown in FIG.

이어서, 패시베이션층(114) 상에 박막 트랜지스터(120) 상부를 평탄화하기 위한 평탄화층(115)이 형성된다. 평탄화층(115)은 기판(110)의 표시 영역(DA)에만 형성된다. 평탄화층(115) 형성 후 애노드(137)가 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 전기적으로 연결되기 위한 컨택홀이 평탄화층(115) 및 패시베이션층(114)에 형성된다. 즉, 평탄화층(115) 및 패시베이션층(114)에 동시에 컨택홀이 형성될 수 있다.A planarization layer 115 is then formed on the passivation layer 114 to planarize the thin film transistor 120. The planarization layer 115 is formed only in the display area DA of the substrate 110. [ A contact hole is formed in the planarization layer 115 and the passivation layer 114 so that the anode 137 is electrically connected to the source electrode 123 of the thin film transistor 120 after the planarization layer 115 is formed. That is, the contact holes may be formed in the planarization layer 115 and the passivation layer 114 at the same time.

이어서, 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결되고 복수의 도전층으로 이루어진 애노드(137)를 형성하고 제1 패드 전극(151) 상에 패드 전극(150)의 제2 패드 전극(152)을 형성한다(S62).An anode 137 is formed of a plurality of conductive layers electrically connected to the thin film transistor 120 and a second pad electrode 152 of the pad electrode 150 is formed on the first pad electrode 151 (S62).

애노드(137) 및 제2 패드 전극(152)을 형성하기 위해, 기판(110) 전면 상에 ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 순차적으로 형성한다. 즉, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질은 기판(110)의 표시 영역(DA)뿐만 아니라 기판(110)의 패드 영역(PA)에도 형성된다. 그 후, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 에칭하여 도 7b에 도시된 바와 같이 애노드(137) 및 제2 패드 전극(152)이 동시에 형성된다. 애노드(137)는 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 전기적으로 연결되도록 평탄화층(115) 상에 형성되고, 제2 패드 전극(152)은 제1 패드 전극(151)과 전기적으로 연결되도록 제1 패드 전극(151) 및 패시베이션층(114) 상에 형성된다.In order to form the anode 137 and the second pad electrode 152, an ITO material, a silver alloy material, and an ITO material are sequentially formed on the entire surface of the substrate 110. That is, the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are formed not only in the display area DA of the substrate 110, but also in the pad area PA of the substrate 110. Then, the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are etched to simultaneously form the anode 137 and the second pad electrode 152 as shown in FIG. 7B. The anode 137 is formed on the planarization layer 115 to be electrically connected to the source electrode 123 of the thin film transistor 120 and the second pad electrode 152 is electrically connected to the first pad electrode 151 Is formed on the first pad electrode 151 and the passivation layer 114 as much as possible.

이어서, 제2 패드 전극(152)의 측면을 덮도록 보호 도전층(140)을 형성한다(S63).Next, the protective conductive layer 140 is formed to cover the side surface of the second pad electrode 152 (S63).

보호 도전층(140)을 형성하기 위해, 기판(110) 전면 상에 보호 도전층용 물질을 형성한다. 즉, 보호 도전층용 물질은 기판(110)의 패드 영역(PA)뿐만 아니라 기판(110)의 표시 영역(DA)에도 형성된다. 그 후, 보호 도전층용 물질을 에칭하여 도 7c에 도시된 바와 같이 제2 패드 전극(152)의 측면 및 제2 패드 전극(152)의 상면을 덮는 보호 도전층(140)이 형성된다. 몇몇 실시예에서, 보호 도전층(140)은 도 4에 도시된 바와 같이 제2 패드 전극(152)의 상면의 일부 및 제2 패드 전극(152)의 측면을 덮도록 형성될 수도 있다.In order to form the protective conductive layer 140, a material for the protective conductive layer is formed on the entire surface of the substrate 110. That is, the material for the protective conductive layer is formed not only in the pad area PA of the substrate 110, but also in the display area DA of the substrate 110. Thereafter, the protective conductive layer 140 is formed by etching the material for the protective conductive layer to cover the side surfaces of the second pad electrode 152 and the upper surface of the second pad electrode 152 as shown in FIG. 7C. In some embodiments, the protective conductive layer 140 may be formed to cover a portion of the upper surface of the second pad electrode 152 and a side surface of the second pad electrode 152, as shown in FIG.

보호 도전층(140) 형성 시 애노드(137)를 덮는 더미층(360)이 보호 도전층(140)과 동시에 동일 물질로 형성될 수 있다. 즉, 기판(110)의 패드 영역(PA)뿐만 아니라 기판(110)의 표시 영역(DA)에 형성된 보호 도전층용 물질 에칭 시 애노드(137)를 덮도록 보호 도전층용 물질을 남기도록 하여, 도 7c에 도시된 바와 같이 애노드(137)를 덮는 더미층(360)이 보호 도전층(140)과 동시에 형성될 수 있다. 더미층(360)이 형성되는 경우, 보호 도전층용 물질은 투명 도전성 산화물일 수 있다.When forming the protective conductive layer 140, the dummy layer 360 covering the anode 137 may be formed of the same material at the same time as the protective conductive layer 140. That is, the material for the protective conductive layer formed in the display area DA of the substrate 110 as well as the pad area PA of the substrate 110 is left to cover the anode 137 when etching the material for the protective conductive layer, The dummy layer 360 covering the anode 137 may be formed simultaneously with the protective conductive layer 140 as shown in FIG. When the dummy layer 360 is formed, the material for the protective conductive layer may be a transparent conductive oxide.

도 7c에 도시되지는 않았으나, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 보호 도전층(140) 형성 시 더미층(360)이 형성되지 않을 수도 있다. 더미층(360)이 형성되지 않고 보호 도전층(140)만이 형성된 경우, 보호 도전층용 물질은 투명 도전성 산화물, 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 중 어느 하나일 수 있다.Although not shown in FIG. 7C, as described with reference to FIGS. 1 and 2, the dummy layer 360 may not be formed when the protective conductive layer 140 is formed. In the case where the dummy layer 360 is not formed and only the protective conductive layer 140 is formed, the material for the protective conductive layer may be any one of transparent conductive oxide, molybdenum, and molybdenum alloy.

이어서, 도 7d를 참조하면, 애노드(137)의 엣지를 덮도록 뱅크층(116)이 형성되고, 애노드(137) 상에 유기 발광층(138) 및 캐소드(139)가 순차적으로 형성된다.7D, a bank layer 116 is formed so as to cover the edge of the anode 137, and an organic light emitting layer 138 and a cathode 139 are sequentially formed on the anode 137. Then, as shown in FIG.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 애노드(137)와 동일한 물질로 형성된 제2 패드 전극(152)의 제2 도전층(154)이 공기 또는 수분과 접촉하는 것을 저감시키는 보호 도전층(140)을 형성하여, 패드 전극(150)이 부식되거나 데미지를 입는 것이 최소화될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(300)의 신뢰성이 개선될 수 있다. In the method of fabricating an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, the protection of the second conductive layer 154 of the second pad electrode 152 formed of the same material as the anode 137, By forming the conductive layer 140, corrosion or damage of the pad electrode 150 can be minimized, and the reliability of the OLED display 300 can be improved.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 보호 도전층(140) 형성시 애노드(137)를 덮는 더미층(360)이 동시에 형성된다. 보호 도전층(140) 형성 시 애노드(137) 상에 형성된 보호 도전층용 물질을 에칭하여 제거할 수도 있으나, 보호 도전층용 물질이 애노드(137)를 구성하는 물질과 동일한 물질일 경우, 애노드(137) 상에 형성된 보호 도전층용 물질을 정확히 제거하는 것이 어려울 수도 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 보호 도전층용 물질 제거 공정 시 보호 도전층(140)뿐만 아니라 더미층(360)도 형성하여, 보다 용이하게 구현되는 제조 공정이 제공될 수 있다.In the method of fabricating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, a dummy layer 360 covering the anode 137 is formed at the same time when the protective conductive layer 140 is formed. When the protective conductive layer 140 is formed, the material for the protective conductive layer formed on the anode 137 may be removed by etching. However, when the protective conductive layer is formed of the same material as the material of the anode 137, It may be difficult to accurately remove the material for the protective conductive layer formed on the substrate. Accordingly, in the method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention, a dummy layer 360 is formed as well as the protective conductive layer 140 in the process of removing the material for the protective conductive layer, .

도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다. 도 8a 내지 도 8d는 도 5에 도시된 유기 발광 표시 장치(500)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들로서, 도 5를 참조하여 설명된 구성요소에 대한 중복 설명을 생략한다. 이하에서는 중복 설명을 생략하기 위해, 도 7b에 도시된 바와 같은 애노드 및 패드 전극이 형성된 상태 이후의 공정을 중심으로 설명한다.8A to 8D are schematic process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. FIGS. 8A to 8D are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display 500 shown in FIG. 5, and overlapping descriptions of the components described with reference to FIG. 5 are omitted. Hereinafter, in order to omit redundant description, a description will be given centering on the process after the state in which the anode and the pad electrode are formed as shown in FIG. 7B.

도 8a를 참조하면, 보호 도전층(140)을 형성하기 이전에 애노드(537) 및 제2 패드 전극(552)을 어닐링할 수 있다. 즉, 기판(110)의 표시 영역(DA) 및 기판(110)의 패드 영역(PA)에 ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 형성한 후, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 에칭하여 애노드(537) 및 제2 패드 전극(552)이 동시에 형성한 후, 애노드(537) 및 제2 패드 전극(552)을 어닐링할 수 있다.Referring to FIG. 8A, the anode 537 and the second pad electrode 552 may be annealed prior to forming the protective conductive layer 140. That is, an ITO material, a silver alloy material, and an ITO material are formed on the display area DA of the substrate 110 and the pad area PA of the substrate 110, and then the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are etched After the anode 537 and the second pad electrode 552 are simultaneously formed, the anode 537 and the second pad electrode 552 can be annealed.

어닐링 공정이 완료되면, 도 8b에 도시된 바와 같이 애노드(537)의 하부 ITO층(131) 및 상부 ITO층(133)이 폴리화되어, 애노드(537)는 하부 폴리 ITO층(531), 은 합금층(132) 및 상부 폴리 ITO층(533)으로 구성된다. 또한, 제2 패드 전극(552)의 제1 도전층(553) 및 제3 도전층(555)이 폴리화되어, 제2 패드 전극(552)의 제1 도전층(553)은 하부 폴리 ITO층(531)과 동일한 물질로 형성되고, 제2 패드 전극(552)의 제3 도전층(555)은 상부 폴리 ITO층(533)과 동일한 물질로 형성된다. When the annealing process is completed, the lower ITO layer 131 and the upper ITO layer 133 of the anode 537 are polished such that the anode 537 is bonded to the lower poly ITO layer 531, An alloy layer 132 and an upper poly ITO layer 533. The first conductive layer 553 of the second pad electrode 552 and the third conductive layer 555 of the second pad electrode 552 are polished so that the first conductive layer 553 of the second pad electrode 552 is polished, And the third conductive layer 555 of the second pad electrode 552 is formed of the same material as the upper poly ITO layer 533. [

이어서, 제2 패드 전극(552)의 측면을 덮도록 보호 도전층(140)을 형성한다. 보호 도전층(140)은 도 8c에 도시된 바와 같이 패드 전극(550)의 제2 패드 전극(552)을 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 기판(110) 전면 상에 보호 도전층용 물질을 형성하고, 보호 도전층용 물질을 에칭하여 도 8c에 도시된 바와 같이 제2 패드 전극(552)의 측면 및 제2 패드 전극(552)의 상면을 덮는 보호 도전층(140)이 형성된다. Then, a protective conductive layer 140 is formed to cover the side surface of the second pad electrode 552. The protective conductive layer 140 may be formed to cover the second pad electrode 552 of the pad electrode 550 as shown in FIG. 8C. That is, a material for the protective conductive layer is formed on the front surface of the substrate 110, and the material for the protective conductive layer is etched to form the side surface of the second pad electrode 552 and the top surface of the second pad electrode 552, A protective conductive layer 140 is formed.

이어서, 도 8d를 참조하면, 애노드(537)의 엣지를 덮도록 뱅크층(116)이 형성되고, 애노드(537) 상에 유기 발광층(138) 및 캐소드(139)가 순차적으로 형성된다.8D, a bank layer 116 is formed so as to cover the edge of the anode 537, and an organic light emitting layer 138 and a cathode 139 are sequentially formed on the anode 537. [

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 애노드(537) 및 제2 패드 전극(552)에 대한 어닐링 공정을 수행하여, 애노드(537)는 폴리화된 ITO로 이루어지는 상부 폴리 ITO층(533)을 포함한다. 따라서, 보호 도전층(140) 형성을 위해 애노드(537) 상에 형성된 보호 도전층용 물질을 에칭하는 경우, 상부 폴리 ITO층(533)은 보호 도전층용 물질과 상이한 에칭 선택비를 갖게 되므로, 보호 도전층(140) 형성을 위해 애노드(537) 상에 형성된 보호 도전층용 물질을 에칭할 때 애노드(537)의 상부 폴리 ITO층(533)은 손상되지 않을 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 개선됨과 동시에, 보다 용이한 유기 발광 표시 장치 제조 방법이 제공될 수 있다.The anode 537 and the second pad electrode 552 are annealed to form an upper poly ITO layer made of poly-ITO, (533). Thus, when etching the material for the protective conductive layer formed on the anode 537 to form the protective conductive layer 140, the upper poly ITO layer 533 will have a different etch selectivity than the material for the protective conductive layer, The upper poly ITO layer 533 of the anode 537 may not be damaged when etching the material for the protective conductive layer formed on the anode 537 for the formation of the layer 140. [ Accordingly, the reliability of the organic light emitting display device is improved, and at the same time, a more easily manufactured method of manufacturing the organic light emitting display device can be provided.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100, 300, 400, 500: 유기 발광 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층
114: 패시베이션층
115: 평탄화층
116: 뱅크층
120: 박막 트랜지스터
121: 게이트 전극
122: 액티브층
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
130, 530: 유기 발광 소자
131: 하부 ITO층
531: 하부 폴리 ITO층
132: 은 합금층
133: 상부 ITO층
533: 상부 폴리 ITO층
137, 537: 애노드
138: 유기 발광층
139: 캐소드
140, 440: 보호 도전층
150, 550: 패드 전극
151: 제1 패드 전극
152, 552: 제2 패드 전극
153, 553: 제2 패드 전극의 제1 도전층
154: 제2 패드 전극의 제2 도전층
155, 555: 제2 패드 전극의 제3 도전층
360: 더미층
DA: 표시 영역
PA: 패드 영역100, 300, 400, 500: organic light emitting display
110: substrate
111: buffer layer
112: gate insulating layer
113: interlayer insulating layer
114: Passivation layer
115: planarization layer
116: bank layer
120: thin film transistor
121: gate electrode
122: active layer
123: source electrode
124: drain electrode
130, 530: organic light emitting element
131: Lower ITO layer
531: Lower poly ITO layer
132: Silver alloy layer
133: upper ITO layer
533: upper poly ITO layer
137, 537: anode
138: organic light emitting layer
139: cathode
140, 440: protective conductive layer
150, 550: pad electrode
151: first pad electrode
152, 552: the second pad electrode
153, 553: the first conductive layer of the second pad electrode
154: second conductive layer of the second pad electrode
155, 555: the third conductive layer of the second pad electrode
360: Dummy layer
DA: Display area
PA: pad area

Claims

A substrate having a display region and a pad region;
A thin film transistor located on the substrate in the display region and including an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
An anode electrically connected to the thin film transistor, the anode comprising a plurality of conductive layers;
A pad electrode located on the substrate in the pad region, the pad electrode having a first pad electrode and a second pad electrode on the first pad electrode; And
And a protective conductive layer formed to cover the side surface of the second pad electrode to reduce corrosion of the second pad electrode.

The method according to claim 1,
Wherein the protective conductive layer is made of one of a transparent conductive oxide, molybdenum (Mo), and molybdenum alloy (Mo alloy).

The method according to claim 1,
The first pad electrode is formed of the same material as the source electrode and the drain electrode,
And the second pad electrode is formed of the same material as the anode.

The method of claim 3,
Wherein the anode includes a lower ITO (Indium Tin Oxide) layer, a silver alloy layer, and an upper ITO layer.

5. The method of claim 4,
Wherein the protective conductive layer interrupts contact between the second pad electrode and a part formed of the same material as that of the silver alloy layer in contact with air or moisture.

The method of claim 3,
Wherein the anode comprises a laminated structure of a lower poly ITO (poly-ITO) layer, a silver alloy layer, and an upper poly ITO layer.

The method of claim 3,
Wherein the source electrode and the drain electrode have a structure in which a copper (Cu) layer is stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer.

The method according to claim 1,
Wherein the protective conductive layer is formed to cover at least a part of a side surface of the second pad electrode and an upper surface of the second pad electrode.

The method according to claim 1,
Further comprising a dummy layer formed to cover the anode,
Wherein the dummy layer is formed of the same material as the protective conductive layer.

10. The method of claim 9,
Wherein the dummy layer is formed of a transparent conductive oxide.

The method according to claim 1,
Further comprising a passivation layer formed to cover an edge of the first pad electrode,
Wherein the second pad electrode is electrically connected to the first pad electrode through a contact hole formed in the passivation layer.

Providing a substrate having a display area and a pad area;
Forming a thin film transistor having an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode in the display region of the substrate and a first pad electrode of the pad electrode in the pad region of the substrate;
Forming an anode electrically connected to the thin film transistor and including a plurality of conductive layers and a second pad electrode on the first pad electrode; And
And forming a protective conductive layer to cover the side surface of the second pad electrode.

13. The method of claim 12,
Further comprising forming a dummy layer made of the same material as the protective conductive layer and covering the anode,
Wherein the step of forming the protective conductive layer and the step of forming the dummy layer are simultaneously performed.

14. The method of claim 13,
Wherein the dummy layer is formed of a transparent conductive oxide.

13. The method of claim 12,
Wherein the forming of the thin film transistor and the first pad electrode comprises simultaneously forming the first pad electrode, the source electrode, and the drain electrode from the same material.

13. The method of claim 12,
Wherein the step of forming the anode and the second pad electrode comprises simultaneously forming the anode and the second pad electrode using the same material.

13. The method of claim 12,
Further comprising annealing the anode and the second pad electrode prior to forming the protective conductive layer.

13. The method of claim 12,
Wherein the step of forming the protective conductive layer is a step of forming the protective conductive layer so as to cover at least a part of a side surface of the second pad electrode and an upper surface of the second pad electrode. .