KR20160003511A - Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20160003511A
KR20160003511A KR1020140082059A KR20140082059A KR20160003511A KR 20160003511 A KR20160003511 A KR 20160003511A KR 1020140082059 A KR1020140082059 A KR 1020140082059A KR 20140082059 A KR20140082059 A KR 20140082059A KR 20160003511 A KR20160003511 A KR 20160003511A
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Abstract

A method for manufacturing a semiconductor light emitting element according to the present invention includes: a step for growing a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer on a substrate in order; a step for partitioning the second conductivity type semiconductor layer into multiple semiconductor layers by etching at least a portion of the second conductivity type semiconductor layer; a step for laminating masks on the partitioned semiconductor layers; and a step for isolating multiple semiconductor light emitting elements on the substrate by an etching process after laminating the masks. In the isolation step, the masks are formed to cover a portion of the partitioned semiconductor layers, in order to etch at least a portion of the partitioned semiconductor layers.

Description

반도체 발광 소자 및 이의 제조방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 발명은 반도체 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 디스플레이 장치에 적용되는 반도체 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor light emitting device applied to a display device.

최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다. In recent years, display devices having excellent characteristics such as a thin shape and a flexible shape in the field of display technology have been developed. On the other hand, major displays that are commercialized today are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes).

그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.However, in the case of LCD, there is a problem that the reaction time is not fast and the implementation of flexible is difficult. In the case of AMOLED, there is a weak point that the lifetime is short, the mass production yield is not good, and the degree of flexible is weak.

한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. 이 경우에도, 플렉서블 디스플레이가 고해상도를 요구함에 따라 반도체 발광소자의 발광면적을 증가시키는 방안이 고려될 수 있다.Light emitting diodes (LEDs) are well-known semiconductor light emitting devices that convert current into light. In 1962, red LEDs using GaAsP compound semiconductors were commercialized, Has been used as a light source for a display image of an electronic device including a communication device. Accordingly, a method of solving the above problems by implementing a flexible display using the semiconductor light emitting device can be presented. Also in this case, as the flexible display requires a high resolution, a method of increasing the light emitting area of the semiconductor light emitting element can be considered.

본 발명의 일 목적은 발광면적이 보다 증가된 반도체 발광소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a flexible display device using a semiconductor light emitting device in which a light emitting area is increased.

본 발명의 일 목적은 고해상도의 플렉서블 디스플레이 장치에 적용가능한 반도체 발광소자의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device applicable to a flexible display device of high resolution.

본 발명에 따른 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판상에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 차례로 성장시키는 단계와, 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부를 식각하여, 상기 제2도전형 반도체층을 복수의 반도체층으로 구획하는 단계와, 상기 복수의 반도체층에 마스크를 적층하는 단계, 및 상기 마스크를 적층한 후에, 식각을 통하여 상기 기판상에서 복수의 반도체 발광소자를 서로 고립(isolation)하는 단계를 포함한다. 상기 고립(isolation)하는 단계에서 상기 복수의 반도체층의 적어도 일부가 식각되도록, 상기 마스크는 상기 복수의 반도체층의 일부분을 덮도록 형성된다.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention includes the steps of sequentially growing a first conductivity type semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type semiconductor layer on a substrate; etching at least a part of the second conductivity type semiconductor layer A step of dividing the second conductive semiconductor layer into a plurality of semiconductor layers, a step of laminating a mask on the plurality of semiconductor layers, and a step of stacking the plurality of semiconductor light emitting elements And isolating each other from each other. The mask is formed to cover a part of the plurality of semiconductor layers so that at least a part of the plurality of semiconductor layers is etched in the isolating step.

실시 예에 있어서, 상기 복수의 반도체층은 상기 마스크에 의하여 덮이는 제1영역과, 상기 마스크에 의하여 덮이지 않는 제2영역으로 구획된다. 상기 제2영역은 상기 고립(isolation)하는 단계에서 식각될 수 있다. In an embodiment, the plurality of semiconductor layers are partitioned into a first region covered by the mask and a second region not covered by the mask. The second region may be etched in the isolating step.

상기 마스크를 적층하는 단계에서 상기 제1도전형 반도체층은 상기 마스크에 의하여 덮이지 않는 노출영역을 포함하며, 상기 식각에 의하여 상기 노출영역이 완전히 제거된 후에도 상기 제2영역에 대한 식각은 유지될 수 있다. 상기 제2영역은 상기 고립(isolation)하는 단계에서 완전히 제거될 수 있다.In the step of laminating the mask, the first conductivity type semiconductor layer includes an exposed region that is not covered by the mask, and the etch for the second region is maintained even after the exposed region is completely removed by the etching . The second region may be completely removed in the isolation step.

실시 예에 있어서, 상기 복수의 반도체 발광소자에서 상기 제1도전형 반도체층의 단부와 제2도전형 반도체층의 단부는 서로 동일평면상에 배치되어 상기 복수의 반도체 발광소자의 일측면을 형성한다. 상기 제1영역과 제2영역의 경계는 상기 일측면에 대응하도록 위치할 수 있다.In an embodiment, the ends of the first conductivity type semiconductor layer and the ends of the second conductivity type semiconductor layer of the plurality of semiconductor light emitting devices are disposed on the same plane to form one side of the plurality of semiconductor light emitting devices . The boundary between the first region and the second region may be positioned to correspond to the one side surface.

실시 예에 있어서, 상기 복수의 반도체층은 상기 식각에 의하여 복수의 라인으로 분리된다. 상기 마스크는 상기 복수의 라인과 수직한 방향으로 형성되는 복수의 마스크 라인을 구비할 수 있다. 상기 복수의 반도체층은 적어도 일부가 상기 복수의 마스크 라인의 사이에서 노출될 수 있다.In an embodiment, the plurality of semiconductor layers are separated into a plurality of lines by the etching. The mask may include a plurality of mask lines formed in a direction perpendicular to the plurality of lines. At least a portion of the plurality of semiconductor layers may be exposed between the plurality of mask lines.

실시 예에 있어서, 상기 복수의 라인은 서로 교차하는 제1라인과 제2라인을 포함한다. 상기 마스크는 상기 제1라인 및 제2라인을 함께 덮도록 형성될 수 있다.In an embodiment, the plurality of lines include a first line and a second line intersecting with each other. The mask may be formed to cover the first line and the second line together.

본 발명에 따른 반도체 발광소자는, 제1도전형 반도체층과, 상기 제1도전형 반도체층과 중첩되는 제2도전형 반도체층, 및 상기 제2도전형 반도체층과 상기 제1도전형 반도체층의 사이들에 각각 형성되는 활성층을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층의 적어도 일측면과 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일측면은 서로 동일평면상에 형성될 수 있다.A semiconductor light emitting device according to the present invention includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer overlapping the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer, And an active layer formed between the first electrode and the second electrode. At least one side of the first conductivity type semiconductor layer and at least one side of the second conductivity type semiconductor layer may be formed on the same plane.

실시 예에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층의 서로 만나는 양변은 상기 제2도전형 반도체층의 서로 만나는 양변과 동일위치에 배치된다. 상기 일측면들이 상기 동일평면상에서 형성되는 것은, 기판상에서 복수의 반도체 발광소자를 서로 고립(isolation)하는 과정에서 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부가 상기 제1도전형 반도체층과 함께 식각됨에 의하여 구현될 수 있다.In an exemplary embodiment, the opposite sides of the first conductivity type semiconductor layer that face each other are disposed at the same positions as the opposite sides of the second conductivity type semiconductor layer that meet with each other. The one side surfaces are formed on the same plane because at least a part of the second conductivity type semiconductor layer is etched together with the first conductivity type semiconductor layer in a process of isolating a plurality of semiconductor light emitting devices from each other on a substrate .

본 발명에 따르면, 고립(isolation)하는 단계에서 P형 반도체층의 적어도 일부를 N형 반도체층을 함께 식각함에 따라, P형 반도체층의 모서리를 N형 반도체층의 모서리와 동일선상에 위치시킬 수 있다. 이를 통하여, Mesa 과정에서 형성된 측면과 Isolation 과정 후에 형성된 측면이 단차없이 연결되는 칩구조가 구현될 수 있다.According to the present invention, at least a part of the P-type semiconductor layer is etched together with the N-type semiconductor layer in the isolating step, so that the edge of the P-type semiconductor layer can be positioned on the same line as the edge of the N- have. Through this, a chip structure in which a side formed in the mesa process and a side formed after the isolation process are connected without steps can be realized.

또한, P형 반도체층의 면적이 증가함에 따라, 발광영역의 크기가 증가되며, 따라서 디스플레이 장치에서 고해상도의 구현이 가능하게 된다.In addition, as the area of the P-type semiconductor layer increases, the size of the light emitting region increases, thus enabling a high-resolution implementation in a display device.

또한, P형 반도체층의 면적이 증가함에 따라, P형 반도체층의 전기적 연결을 위한 접촉면적이 증가할 수 있다. 이를 통하여, 전도성 접착층과 P 전극과의 전기적 연결이 보다 용이하게 이루어질 수 있다.Also, as the area of the P-type semiconductor layer increases, the contact area for electrical connection of the P-type semiconductor layer may increase. Through this, the electrical connection between the conductive adhesive layer and the P electrode can be made easier.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명이 적용되기 전에 반도체 발광 소자의 모습을 나타내는 단면도 및 사시도이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제조방법에 의하여 구현되는 반도체 발광소자의 모습을 나타내는 단면도 및 사시도이다.
도 12a 및 도 12b는 도 10a의 반도체 발광소자와 도 11a의 반도체 발광소자의 특성을 평가한 그래프이다.
도 13은 도 11a의 반도체 발광소자가 구비된 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 14는 도 11a 및 도 11b에 도시된 반도체 발광소자를 제조하는 제조방법을 나타내는 개념도이다.
도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 제조방법의 변형예들을 나타내는 개념도들이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
Fig. 2 is a partially enlarged view of part A of Fig. 1, and Figs. 3a and 3b are cross-sectional views taken along line BB and CC of Fig.
4 is a conceptual diagram showing a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3A.
FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along the line CC of Fig.
9 is a conceptual diagram showing a vertical semiconductor light emitting device of FIG.
10A and 10B are a cross-sectional view and a perspective view showing a state of a semiconductor light emitting device before the present invention is applied.
11A and 11B are a cross-sectional view and a perspective view showing a state of the semiconductor light emitting device realized by the manufacturing method of the present invention.
12A and 12B are graphs showing characteristics of the semiconductor light emitting device of FIG. 10A and the semiconductor light emitting device of FIG. 11A.
13 is a cross-sectional view of a display device having the semiconductor light emitting device of FIG. 11A.
14 is a conceptual view showing a manufacturing method of manufacturing the semiconductor light emitting device shown in Figs. 11A and 11B.
15A to 15C are conceptual diagrams showing variations of the manufacturing method of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. In addition, it should be noted that the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in the present specification by the attached drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it is understood that it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between There will be.

본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The display device described in this specification includes a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation device, a slate PC, , A Tablet PC, an Ultra Book, a digital TV, a desktop computer, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiments described herein may be applied to a device capable of being displayed, even in the form of a new product to be developed in the future.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.

도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. According to the illustrated example, the information processed in the control unit of the display device 100 may be displayed using a flexible display.

플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.The flexible display includes a display that can be bent, twistable, collapsible, and curlable, which can be bent by an external force. For example, a flexible display can be a display made on a thin, flexible substrate that can be bent, bent, folded or rolled like paper while maintaining the display characteristics of conventional flat panel displays.

상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 R,G, B의 조합에 의해 형성되는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.In a state where the flexible display is not bent (for example, a state having an infinite radius of curvature, hereinafter referred to as a first state), the display area of the flexible display is flat. In the first state, the display area may be a curved surface in a state of being bent by an external force (for example, a state having a finite radius of curvature, hereinafter referred to as a second state). As shown in the figure, the information displayed in the second state may be time information output on the curved surface. Such visual information is realized by independently controlling the emission of a sub-pixel arranged in a matrix form. The unit pixel means a minimum unit for implementing one color formed by a combination of R, G, and B.

상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.The unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as one type of semiconductor light emitting device for converting a current into light. The light emitting diode is formed in a small size, so that it can serve as a unit pixel even in the second state.

이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a flexible display implemented using the light emitting diode will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3은 도 2의 라인 B-B를 따라 취한 단면도이며, 도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.FIG. 2 is a partially enlarged view of a portion A in FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2, FIG. 4 is a conceptual view showing a flip chip type semiconductor light emitting device in FIG. Are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.

도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 2, 3A and 3B, a display device 100 using a passive matrix (PM) semiconductor light emitting device as a display device 100 using a semiconductor light emitting device is illustrated. However, the example described below is also applicable to an active matrix (AM) semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.The display device 100 includes a substrate 110, a first electrode 120, a conductive adhesive layer 130, a second electrode 140, and a plurality of semiconductor light emitting devices 150.

기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The substrate 110 may be a flexible substrate. For example, to implement a flexible display device, the substrate 110 may comprise glass or polyimide (PI). In addition, any insulating material such as PEN (polyethylene naphthalate) and PET (polyethylene terephthalate) may be used as long as it is insulating and flexible. In addition, the substrate 110 may be either a transparent material or an opaque material.

상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.The substrate 110 may be a wiring substrate on which the first electrode 120 is disposed, so that the first electrode 120 may be positioned on the substrate 110.

도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.The insulating layer 160 may be disposed on the substrate 110 on which the first electrode 120 is located and the auxiliary electrode 170 may be disposed on the insulating layer 160. In this case, a state in which the insulating layer 160 is laminated on the substrate 110 may be one wiring substrate. More specifically, the insulating layer 160 is formed of a flexible material such as polyimide (PI), polyimide (PET), or PEN, and is integrally formed with the substrate 110 to form a single substrate.

보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.The auxiliary electrode 170 is an electrode that electrically connects the first electrode 120 and the semiconductor light emitting device 150 and is disposed on the insulating layer 160 and corresponds to the position of the first electrode 120. For example, the auxiliary electrode 170 may be in the form of a dot and may be electrically connected to the first electrode 120 by an electrode hole 171 passing through the insulating layer 160. The electrode hole 171 may be formed by filling a via hole with a conductive material.

본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.Referring to these drawings, the conductive adhesive layer 130 is formed on one surface of the insulating layer 160, but the present invention is not limited thereto. For example, a layer having a specific function may be formed between the insulating layer 160 and the conductive adhesive layer 130, or a structure in which the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110 without the insulating layer 160 It is also possible. In the structure in which the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110, the conductive adhesive layer 130 may serve as an insulating layer.

상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive adhesive layer 130 may be a layer having adhesiveness and conductivity. To this end, the conductive adhesive layer 130 may be mixed with a substance having conductivity and a substance having adhesiveness. Also, the conductive adhesive layer 130 has ductility, thereby enabling the flexible function in the display device.

이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).As an example, the conductive adhesive layer 130 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like. The conductive adhesive layer 130 may be formed as a layer having electrical insulation in the horizontal X-Y direction while permitting electrical interconnection in the Z direction passing through the thickness. Accordingly, the conductive adhesive layer 130 may be referred to as a Z-axis conductive layer (hereinafter, referred to as a conductive adhesive layer).

상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only a specific part of the anisotropic conductive film has conductivity due to the anisotropic conductive medium. Hereinafter, the anisotropic conductive film is described as being subjected to heat and pressure, but other methods may be used to partially conduct the anisotropic conductive film. In this method, for example, either the heat or the pressure may be applied, or UV curing may be performed.

또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.In addition, the anisotropic conduction medium can be, for example, a conductive ball or a conductive particle. According to the example, in the present example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only specific portions are conductive by the conductive balls. The anisotropic conductive film may be a state in which a plurality of particles coated with an insulating film made of a polymer material are contained in the core of the conductive material. In this case, the insulating film is broken by heat and pressure, . At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and the electrical connection in the Z-axis direction is partially formed by the height difference of the mating member adhered by the anisotropic conductive film.

다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, the anisotropic conductive film may be in a state in which a plurality of particles coated with a conductive material are contained in the insulating core. In this case, the conductive material is deformed (pressed) to the portion where the heat and the pressure are applied, so that the conductive material becomes conductive in the thickness direction of the film. As another example, it is possible that the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction and has conductivity in the thickness direction of the film. In this case, the conductive material may have a pointed end.

도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.According to the present invention, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of an insulating base member. More specifically, the insulating base member is formed of a material having adhesiveness, and the conductive ball is concentrated on the bottom portion of the insulating base member, and is deformed together with the conductive ball when heat and pressure are applied to the base member So that they have conductivity in the vertical direction.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not limited thereto. The anisotropic conductive film may be formed by randomly mixing conductive balls into an insulating base member or by forming a plurality of layers in which a conductive ball is placed in a double- ACF) are all available.

이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.The anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which a conductive ball is mixed with an insulating and adhesive base material. In addition, solutions containing conductive particles can be solutions in the form of conductive particles or nanoparticles.

다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.Referring again to FIG. 5, the second electrode 140 is located in the insulating layer 160, away from the auxiliary electrode 170. That is, the conductive adhesive layer 130 is disposed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are disposed.

절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. After the conductive adhesive layer 130 is formed in a state where the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are positioned in the insulating layer 160, the semiconductor light emitting device 150 is connected to the semiconductor light emitting device 150 in a flip chip form The semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 140.

도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.

예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-type semiconductor layer 155 in which a p-type electrode 156, a p-type electrode 156 are formed, an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155, And an n-type electrode 152 disposed on the n-type semiconductor layer 153 and the p-type electrode 156 on the n-type semiconductor layer 153 and 154 in the horizontal direction. In this case, the p-type electrode 156 may be electrically connected to the auxiliary electrode 170 by the conductive adhesive layer 130, and the n-type electrode 152 may be electrically connected to the second electrode 140.

다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring again to FIGS. 2, 3A and 3B, the auxiliary electrode 170 is elongated in one direction, and one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150. For example, the p-type electrodes of the right and left semiconductor light emitting elements may be electrically connected to one auxiliary electrode around the auxiliary electrode.

보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.More specifically, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the conductive adhesive layer 130 by heat and pressure, and the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the conductive adhesive layer 130 through the p- And only the portion between the n-type electrode 152 and the second electrode 140 of the semiconductor light emitting device 150 has conductivity and the semiconductor light emitting device does not have a conductive property because the semiconductor light emitting device is not press- The conductive adhesive layer 130 not only couples the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the semiconductor light emitting device 150 and the second electrode 140 but also forms an electrical connection.

또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. In addition, the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constitute a light emitting element array, and the phosphor layer 180 is formed in the light emitting element array.

발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 조합(또는 그룹화)되어 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting element array may include a plurality of semiconductor light emitting elements having different brightness values. Each of the semiconductor light emitting devices 150 is combined (or grouped) to form a unit pixel, and is electrically connected to the first electrode 120. For example, the first electrodes 120 may be a plurality of semiconductor light emitting devices, and the semiconductor light emitting devices may be electrically connected to any one of the plurality of first electrodes.

또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.Also, since the semiconductor light emitting devices are connected in a flip chip form, the semiconductor light emitting devices grown on the transparent dielectric substrate can be used. The semiconductor light emitting devices may be, for example, a nitride semiconductor light emitting device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size.

도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 반도체 발광 소자들을 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the barrier ribs 190 may be formed between the semiconductor light emitting devices 150. In this case, the barrier ribs 190 may separate the semiconductor light emitting devices from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 130. For example, by inserting the semiconductor light emitting device 150 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film can form the partition.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier 190 may have a reflection characteristic and a contrast may be increased without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.As another example, the barrier ribs 190 may be provided separately from the reflective barrier ribs. In this case, the barrier rib 190 may include a black or white insulation depending on the purpose of the display device. When a barrier of a white insulator is used, an effect of enhancing reflectivity may be obtained. When a barrier of a black insulator is used, a contrast characteristic may be increased while having a reflection characteristic.

형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다. The phosphor layer 180 may be located on the outer surface of the semiconductor light emitting device 150. For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and the phosphor layer 180 converts the blue (B) light into the color of a unit pixel. The phosphor layer 180 may be a red phosphor 181 or a green phosphor 182 constituting an individual pixel.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.That is, a red phosphor 181 capable of converting blue light into red (R) light can be laminated on the blue semiconductor light emitting element 151 at a position forming a red unit pixel, A green phosphor 182 capable of converting blue light into green (G) light may be laminated on the blue semiconductor light emitting element 151. [ In addition, only the blue semiconductor light emitting element 151 can be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, the unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can form one pixel. More specifically, phosphors of one color may be stacked along each line of the first electrode 120. Accordingly, one line in the first electrode 120 may be an electrode for controlling one color. In other words, red (R), green (G), and blue (B) may be arranged in order along the second electrode 140, thereby realizing a unit pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.However, the present invention is not limited thereto. Instead, the semiconductor light emitting device 150 and the quantum dot QD may be combined to form a unit pixel emitting red (R), green (G), and blue (B) Can be implemented.

또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, a black matrix 191 may be disposed between each of the phosphor layers to improve contrast. That is, the black matrix 191 can improve the contrast of light and dark.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied.

도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.5A, each of the semiconductor light emitting devices 150 includes gallium nitride (GaN), indium (In) and / or aluminum (Al) are added together to form a high output light Device.

이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.In this case, the semiconductor light emitting device 150 may be a red, green, and blue semiconductor light emitting device to form a unit pixel (sub-pixel), respectively. For example, red, green, and blue semiconductor light emitting elements R, G, and B are alternately arranged, and red, green, and blue unit pixels Form a single pixel, through which a full color display can be implemented.

도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(183), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 5B, the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W having a yellow phosphor layer for each individual device. In this case, a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 183, and a blue phosphor layer 183 may be provided on the white light emitting element W to form a unit pixel. Further, a unit pixel can be formed by using a color filter in which red, green, and blue are repeated on the white light emitting element W.

도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.Referring to FIG. 5C, a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 may be provided on the ultraviolet light emitting element UV. As described above, the semiconductor light emitting device can be used not only for visible light but also for ultraviolet (UV), and can be extended to a form of a semiconductor light emitting device in which ultraviolet (UV) can be used as an excitation source of the upper phosphor .

본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 150 is disposed on the conductive adhesive layer 130 and constitutes a unit pixel in the display device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 150 may be 80 mu m or less on one side and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20 X 80 μm or less.

또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.Also, even if a square semiconductor light emitting device 150 having a length of 10 m on one side is used as a unit pixel, sufficient brightness for forming a display device appears. Accordingly, when the unit pixel is a rectangular pixel having a side of 600 mu m and the other side of 300 mu m as an example, the distance of the semiconductor light emitting element becomes relatively large. Accordingly, in such a case, it becomes possible to implement a flexible display device having HD picture quality.

상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.The display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a novel manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG.

도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.

본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. The conductive adhesive layer 130 is formed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are disposed. A first electrode 120, an auxiliary electrode 170, and a second electrode 140 are formed on the wiring substrate, and the insulating layer 160 is formed on the first substrate 110 to form a single substrate (or a wiring substrate) . In this case, the first electrode 120 and the second electrode 140 may be arranged in mutually orthogonal directions. In addition, the first substrate 110 and the insulating layer 160 may include glass or polyimide (PI), respectively, in order to implement a flexible display device.

상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.The conductive adhesive layer 130 may be formed, for example, by an anisotropic conductive film, and an anisotropic conductive film may be applied to the substrate on which the insulating layer 160 is disposed.

다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.A second substrate 112 corresponding to the positions of the auxiliary electrode 170 and the second electrodes 140 and having a plurality of semiconductor light emitting elements 150 constituting individual pixels is disposed on the semiconductor light emitting element 150 Are arranged so as to face the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140.

이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In this case, the second substrate 112 is a growth substrate for growing the semiconductor light emitting device 150, and may be a spire substrate or a silicon substrate.

상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.When the semiconductor light emitting device is formed in units of wafers, the semiconductor light emitting device can be effectively used in a display device by having an interval and a size at which a display device can be formed.

그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.Then, the wiring substrate and the second substrate 112 are thermally bonded. For example, the wiring board and the second substrate 112 may be thermocompression-bonded using an ACF press head. The wiring substrate and the second substrate 112 are bonded by the thermocompression bonding. Only the portion between the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 has conductivity due to the characteristics of the anisotropic conductive film having conductivity by thermocompression, The device 150 may be electrically connected. At this time, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the anisotropic conductive film, and partition walls may be formed between the semiconductor light emitting devices 150.

그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Then, the second substrate 112 is removed. For example, the second substrate 112 may be removed using a laser lift-off method (LLO) or a chemical lift-off method (CLO).

마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. Finally, the second substrate 112 is removed to expose the semiconductor light emitting devices 150 to the outside. If necessary, a transparent insulating layer (not shown) may be formed by coating a wiring substrate on which the semiconductor light emitting device 150 is coupled with silicon oxide (SiOx) or the like.

또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.Further, the method may further include forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor light emitting device 150. For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and a red phosphor or a green phosphor for converting the blue (B) A layer can be formed on one surface of the device.

이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.The manufacturing method and structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above can be modified into various forms. For example, a vertical semiconductor light emitting device may be applied to the display device described above. Hereinafter, the vertical structure will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In the modifications or embodiments described below, the same or similar reference numerals are given to the same or similar components as those of the previous example, and the description is replaced with the first explanation.

도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.8 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 7, and FIG. 9 is a conceptual view illustrating a vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8. FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention, to be.

본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.Referring to these drawings, the display device may be a display device using a passive matrix (PM) vertical semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.The display device includes a substrate 210, a first electrode 220, a conductive adhesive layer 230, a second electrode 240, and a plurality of semiconductor light emitting devices 250.

기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The substrate 210 is a wiring substrate on which the first electrode 220 is disposed. The substrate 210 may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any insulating and flexible material may be used.

제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The first electrode 220 is disposed on the substrate 210 and may be formed as a long bar electrode in one direction. The first electrode 220 may serve as a data electrode.

전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.A conductive adhesive layer 230 is formed on the substrate 210 on which the first electrode 220 is located. The conductive adhesive layer 230 may be formed of an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing a conductive particle, or the like, as in a display device using a flip chip type light emitting device. ) And the like. However, the present embodiment also exemplifies the case where the conductive adhesive layer 230 is realized by the anisotropic conductive film.

기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.If the semiconductor light emitting device 250 is connected to the semiconductor light emitting device 250 by applying heat and pressure after the anisotropic conductive film is positioned in a state where the first electrode 220 is positioned on the substrate 210, And is electrically connected to the electrode 220. In this case, the semiconductor light emitting device 250 may be disposed on the first electrode 220.

상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.As described above, the electrical connection is generated because heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film to partially conduct in the thickness direction. Therefore, in the anisotropic conductive film, it is divided into a portion 231 having conductivity in the thickness direction and a portion 232 having no conductivity.

또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive adhesive layer 230 realizes electrical connection as well as mechanical bonding between the semiconductor light emitting element 250 and the first electrode 220.

이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Thus, the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230, thereby forming individual pixels in the display device. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 250 may be 80 μm or less on one side and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20 X 80 μm or less.

상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 250 may have a vertical structure.

수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.A plurality of second electrodes 240 electrically connected to the vertical semiconductor light emitting device 250 are disposed between the vertical semiconductor light emitting devices in a direction crossing the longitudinal direction of the first electrode 220.

도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.9, the vertical type semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 256, a p-type semiconductor layer 255 formed on the p-type electrode 256, an active layer 254 formed on the p-type semiconductor layer 255 An n-type semiconductor layer 253 formed on the active layer 254 and an n-type electrode 252 formed on the n-type semiconductor layer 253. In this case, the p-type electrode 256 located at the bottom may be electrically connected to the first electrode 220 by the conductive adhesive layer 230, and the n-type electrode 252 located at the top may be electrically connected to the second electrode 240 As shown in FIG. Since the vertical semiconductor light emitting device 250 can arrange the electrodes up and down, it has a great advantage that the chip size can be reduced.

다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.Referring to FIG. 8 again, a phosphor layer 280 may be formed on one side of the semiconductor light emitting device 250. For example, the semiconductor light emitting device 250 is a blue semiconductor light emitting device 251 that emits blue (B) light, and a phosphor layer 280 for converting the blue (B) . In this case, the phosphor layer 280 may be a red phosphor 281 and a green phosphor 282 constituting individual pixels.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a red phosphor 281 capable of converting blue light into red (R) light can be laminated on the blue semiconductor light emitting element 251 at a position forming a red unit pixel, A green phosphor 282 capable of converting blue light into green (G) light may be laminated on the blue semiconductor light emitting element 251. In addition, only the blue semiconductor light emitting element 251 can be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, the unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can form one pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied to a display device to which a flip chip type light emitting device is applied, as described above.

다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다. The second electrode 240 is located between the semiconductor light emitting devices 250 and electrically connected to the semiconductor light emitting devices 250. For example, the semiconductor light emitting devices 250 may be disposed in a plurality of rows, and the second electrode 240 may be disposed between the columns of the semiconductor light emitting devices 250.

개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다. The second electrode 240 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 because the distance between the semiconductor light emitting devices 250 forming the individual pixels is sufficiently large.

제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The second electrode 240 may be formed as a long bar-shaped electrode in one direction and may be disposed in a direction perpendicular to the first electrode.

또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 240 and the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected by a connection electrode protruding from the second electrode 240. More specifically, the connection electrode may be an n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250. For example, the n-type electrode is formed as an ohmic electrode for ohmic contact, and the second electrode covers at least a part of the ohmic electrode by printing or vapor deposition. Accordingly, the second electrode 240 and the n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 can be electrically connected.

도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.According to the example, the second electrode 240 may be disposed on the conductive adhesive layer 230. A transparent insulating layer (not shown) containing silicon oxide (SiOx) or the like may be formed on the substrate 210 on which the semiconductor light emitting device 250 is formed. When the second electrode 240 is positioned after the transparent insulating layer is formed, the second electrode 240 is positioned on the transparent insulating layer. In addition, the second electrode 240 may be formed spaced apart from the conductive adhesive layer 230 or the transparent insulating layer.

만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.If a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is used for positioning the second electrode 240 on the semiconductor light emitting device 250, the problem that the ITO material has poor adhesion with the n-type semiconductor layer have. Accordingly, the present invention has an advantage in that the second electrode 240 is positioned between the semiconductor light emitting devices 250, so that a transparent electrode such as ITO is not used. Therefore, the light extraction efficiency can be improved by using a conductive material having good adhesiveness with the n-type semiconductor layer as a horizontal electrode without being bound by transparent material selection.

도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the barrier ribs 290 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250. That is, the barrier ribs 290 may be disposed between the vertical semiconductor light emitting devices 250 to isolate the semiconductor light emitting devices 250 forming the individual pixels. In this case, the barrier ribs 290 may separate the individual unit pixels from each other, and may be formed integrally with the conductive adhesive layer 230. For example, by inserting the semiconductor light emitting device 250 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film can form the partition.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier ribs 290 may have a reflection characteristic and a contrast may be increased without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.As another example, as the partition 190, a reflective barrier may be separately provided. The barrier ribs 290 may include black or white insulators depending on the purpose of the display device.

만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.If the second electrode 240 is directly disposed on the conductive adhesive layer 230 between the semiconductor light emitting devices 250, the barrier ribs 290 may be formed between the vertical semiconductor light emitting device 250 and the second electrode 240 As shown in FIG. Therefore, individual unit pixels can be formed with a small size by using the semiconductor light emitting device 250, and the distance between the semiconductor light emitting device 250 can be relatively large enough so that the second electrode 240 can be electrically connected to the semiconductor light emitting device 250 ), And it is possible to realize a flexible display device having HD picture quality.

또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, a black matrix 291 may be disposed between the respective phosphors to improve the contrast. That is, this black matrix 291 can improve the contrast of light and dark.

상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 반도체 발광소자들이 단위 화소(또는 픽셀)를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.As described above, the semiconductor light emitting device 250 is disposed on the conductive adhesive layer 230, thereby forming individual pixels in the display device. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. Accordingly, a full color display in which semiconductor light emitting elements of red (R), green (G), and blue (B) are unit pixels (or pixels) can be realized by the semiconductor light emitting device.

도 4를 참조하여 전술한 바와 같이, 반도체 발광 소자는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153)을 구비한다. 이 경우에, 반도체 발광 소자의 제조과정을 살펴보면, p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층은 epitaxial하게 기판상에서 성장되며, Mesa 식각 과정과, Isolation 과정을 거치게 된다. 이후에, p형 반도체와 n형 반도체를 절연시키기 위해 SiO2, SiN과 같은 절연체 물질을 이용하여 Passivation layer를 형성하고, 전류 주입을 위한 P, N 전극용 금속막을 증착하게 된다. 이 경우에, Mesa 식각 과정후에 Isolation 과정이 이어지므로, p형 반도체층(155)의 측면과 n형 반도체층(153)의 측면은 단차를 가지게 된다.4, the semiconductor light emitting device includes a p-type semiconductor layer 155, an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155, an n-type semiconductor layer 153 formed on the active layer 154 ). In this case, the p-type semiconductor layer, the active layer, and the n-type semiconductor layer are epitaxially grown on the substrate, followed by a mesa etching process and an isolation process. Thereafter, a passivation layer is formed using an insulator material such as SiO 2 or SiN to isolate the p-type semiconductor and the n-type semiconductor, and a metal film for P and N electrodes for current injection is deposited. In this case, since the Isolation process is continued after the mesa etching process, the side surface of the p-type semiconductor layer 155 and the side surface of the n-type semiconductor layer 153 have a step.

본 발명에서는 상기 단차가 없어 발광면적이 보다 증가되는 반도체 발광소자의 구조 및 제조방법을 개시한다.The present invention discloses a structure and a manufacturing method of a semiconductor light emitting device in which the light emitting area is increased because there is no step difference.

이하, 발광면적이 보다 증가되는 반도체 발광소자의 구조 및 제조방법에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the structure and the manufacturing method of the semiconductor light emitting device in which the light emitting area is further increased will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 10a 및 도 10b는 본 발명이 적용되기 전에 반도체 발광 소자의 모습을 나타내는 단면도 및 사시도이고, 도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제조방법에 의하여 구현되는 반도체 발광소자의 모습을 나타내는 단면도 및 사시도이며, 도 12a 및 도 12b는 도 10a의 반도체 발광소자와 도 11a의 반도체 발광소자의 특성을 평가한 그래프이고, 도 13은 도 11a의 반도체 발광소자가 구비된 디스플레이 장치의 단면도이다.FIGS. 10A and 10B are a cross-sectional view and a perspective view showing a state of a semiconductor light emitting device before the present invention is applied, FIGS. 11A and 11B are a cross-sectional view and a perspective view showing a state of a semiconductor light emitting device realized by the manufacturing method of the present invention 12A and 12B are graphs for evaluating the characteristics of the semiconductor light emitting device of FIG. 10A and the semiconductor light emitting device of FIG. 11A, and FIG. 13 is a sectional view of a display device including the semiconductor light emitting device of FIG.

이하, 설명되는 반도체 발광소자는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식에 적용되는 것을 기준으로 설명한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다. Hereinafter, the semiconductor light emitting device will be described based on a passive matrix (PM) method. However, the example described below is also applicable to an active matrix (AM) semiconductor light emitting device.

도 10a, 도 10b, 도 11a 및 도 11b를 참조하면, 반도체 발광소자는 제1도전형 반도체층(353)과, 상기 제1도전형 반도체층(353)과 중첩되는 제2도전형 반도체층(355), 및 상기 제2도전형 반도체층(355)과 상기 제1도전형 반도체층(353)의 사이들에 각각 형성되는 활성층(미도시)을 포함한다. 또한, 상기 제1도전형 반도체층(353) 및 제2도전형 반도체층(355)에는 각각 전극용 금속막(352, 356)이 배치된다.10A, 10B, 11A, and 11B, a semiconductor light emitting device includes a first conductive semiconductor layer 353 and a second conductive semiconductor layer 353 overlapping the first conductive semiconductor layer 353 And an active layer (not shown) formed between the second conductive type semiconductor layer 355 and the first conductive type semiconductor layer 353, respectively. The first conductive semiconductor layer 353 and the second conductive semiconductor layer 355 are provided with electrode metal films 352 and 356, respectively.

도 10a 및 도 10b를 참조하면, 상기 제1도전형 반도체층(353)의 측면들(353')은 상기 제2도전형 반도체층(355)의 측면들(355')에 대하여 상대적으로 서로 다른 평면상에 형성된다.10A and 10B, the side surfaces 353 'of the first conductive type semiconductor layer 353 are relatively different from the side surfaces 355' of the second conductive type semiconductor layer 355 Plane.

이는 현재의 제조방법이, Mesa 식각 과정에서 제2도전형 반도체층(355)이 식각되고, 그 후의 Isolation 과정에서 제1도전형 반도체층(353)이 식각되는 과정으로 이루어지기 때문이다. 보다 구체적으로, Isolation 과정에서 마스크가 상기 제2도전형 반도체층(355)을 덮도록 형성되기에, 상기 제1도전형 반도체층(353)의 측면들(353')은 상기 제2도전형 반도체층(355)의 측면들(355')에 대하여 단차를 가지게 되는 것이다. 따라서, 상기 제2도전형 반도체층(355)의 면적이 작은 문제점이 존재한다.This is because the current manufacturing method is a process in which the second conductivity type semiconductor layer 355 is etched in the mesa etching process and the first conductivity type semiconductor layer 353 is etched in the subsequent isolation process. More specifically, since the mask is formed to cover the second conductive type semiconductor layer 355 in the isolation process, the side surfaces 353 'of the first conductive type semiconductor layer 353 are formed in the second conductive type semiconductor layer 353, And has a step with respect to the sides 355 'of the layer 355. Therefore, there is a problem that the area of the second conductivity type semiconductor layer 355 is small.

본 예시에서는 추후 상술한 제조방법을 통하여, 도 11a 및 도 11b와 같은 구조의 반도체 발광소자를 구현한다.In this example, the semiconductor light emitting device having the structure as shown in FIGS. 11A and 11B is implemented through the above-described manufacturing method.

도 11a 및 도 11b를 참조하면, 제1도전형 반도체층(353)의 적어도 일측면과 제2도전형 반도체층(355)의 적어도 일측면은 서로 동일평면상에 형성된다. 즉, 상기 제1도전형 반도체층(353)의 적어도 일측면은 인접하는 상기 제2도전형 반도체층(355)의 일측면에 대하여 단차가 없도록 형성되는 것이다. 이하, 이러한 구조는 Mesa와 Isolation 의 일체형 구조라 정의될 수 있다.11A and 11B, at least one side surface of the first conductivity type semiconductor layer 353 and at least one side surface of the second conductivity type semiconductor layer 355 are formed on the same plane. That is, at least one side surface of the first conductivity type semiconductor layer 353 is formed to have no step with respect to one side surface of the adjacent second conductivity type semiconductor layer 355. Hereinafter, such a structure can be defined as an integral structure of mesa and isolation.

여기서, 제1도전형 반도체층(353)은 n형 반도체층이고, 제2도전형 반도체층(355)은 p형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. Here, the first conductive semiconductor layer 353 may be an n-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 355 may be a p-type semiconductor layer. However, the present invention is not limited thereto.

나아가, 도 11a를 참조하면, 상기 일체형 구조에서 상기 제1도전형 반도체층(353)의 서로 만나는 양변은 상기 제2도전형 반도체층(355)의 서로 만나는 양변과 동일위치에 배치된다. 이 경우에, 제1도전형 반도체층(353)의 3개의 변은 대응하는 제2도전형 반도체층(355)의 3개의 변과 동일 위치에 배치될 수 있다. 이러한 구조에 의하면, P형 반도체층의 모서리를 N형 반도체층의 모서리와 동일선상에 위치시킬 수 있으며, P형 전극의 크기가 증가될 수 있다. 11A, the opposite sides of the first conductivity type semiconductor layer 353 in the integrated structure are disposed at the same positions as the opposite sides of the second conductivity type semiconductor layer 355 that meet with each other. In this case, the three sides of the first conductivity type semiconductor layer 353 may be disposed at the same positions as the three sides of the corresponding second conductivity type semiconductor layer 355. According to this structure, the edge of the P-type semiconductor layer can be positioned in the same line as the edge of the N-type semiconductor layer, and the size of the P-type electrode can be increased.

도 12a 및 도 12b에 의하면, 상기 일체형 구조의 소자가 특성적인 관점의 문제가 없음을 확인할 수 있다. 즉, 상기 일체형 구조가 Mesa 과정에 의하여 형성되는 면과 Isolation 과정에 의하여 형성되는 면을 일체화함으로써 누설전류의 증가분이 있는지 또한 발광면적이 증가함으로써 소자의 광특성에 영향이 있는지 확인하다.12A and 12B, it can be seen that there is no problem from the viewpoint of characteristics of the integrated type structure element. That is, by integrating the surface of the integrated structure formed by the mesa process and the surface formed by the isolation process, it is confirmed whether there is an increase in the leakage current or an increase in the light emitting area, thereby influencing the optical characteristics of the device.

도 12a는 일체형 구조와 reference 구조(단차가 존재하는 구조)의 누설전류를 나타내는 그래프이다. 그래프에 나타나듯이 일체형 구조와 reference 구조는 모두 -5V에서 10~20nA 수준의 전류가 흐르는 것으로 보아, 누설전류는 양 구조가 동등한 수준이며, 소자의 특성 및 신뢰성에 영향을 주지 않는 수준임을 알 수 있다.12A is a graph showing leakage currents of an integral structure and a reference structure (a structure in which a step exists). As shown in the graph, current flows from 10V to 20nA at -5V in both monolithic structure and reference structure. It can be seen that the leakage current is equivalent to both structures and does not affect the characteristics and reliability of the device .

도 12b는 일체형 구조와 reference 구조의 광파워를 나타내는 그래프이다. 그래프에 의하면, 일체형 구조가 동일 파장대에서 reference 구조에 비하여 0.2~0.3mW 정도 증가함을 알 수 있다. 따라서, 일체형 구조의 반도체 발광소자는 신뢰성 있는 구조이며, 따라서 디스플레이 장치에 적용가능하다. 상기 일체형 구조의 반도체 발광소자는 P형 전극의 크기가 증가되므로 전도성 접착층과의 전기적 연결이 보다 유리하게 된다.12B is a graph showing the optical power of the integrated structure and the reference structure. According to the graph, it can be seen that the integrated structure increases by 0.2 ~ 0.3mW compared to the reference structure at the same wavelength band. Therefore, the semiconductor light emitting device of the integral structure is a reliable structure, and is therefore applicable to a display device. Since the size of the P-type electrode is increased in the semiconductor light emitting device having the integral structure, electrical connection with the conductive adhesive layer becomes more advantageous.

이하, 이러한 일체형 구조의 반도체 발광소자가 적용된 디스플레이 장치에 대하여 도 13을 참조하여 설명한다. Hereinafter, a display device to which such a semiconductor light emitting device with an integral structure is applied will be described with reference to FIG.

도 13을 참조하면, 앞서, 도 2에 살펴본 것과 같이, 상기 디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020)은, 도시된 것과 같이, 복수의 전극라인들을 포함할 수 있다. 이하 설명되는 각 구성에 대한 실시예 또는 변형예에서는 앞서 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. Referring to FIG. 13, the display device 1000 includes a substrate 1010, a first electrode 1020, a conductive adhesive layer 1030, a second electrode 1040, and a plurality of semiconductors And a light emitting element 1050. Here, the first electrode 1020 may include a plurality of electrode lines, as shown. In the embodiments or modifications of each configuration described below, the same or similar configurations are given the same or similar reference numerals, and the description thereof is replaced with the first description.

상기 기판(1010)은 제1전극(1020)에 포함된 복수의 전극라인들이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치할 수 있다. 또한, 상기 기판(1010) 상에는 제2전극(1040)이 배치된다. 예를 들어, 상기 기판(1010)은 복수의 레이어를 구비하는 배선기판이 되며, 상기 제1전극(1020)과 제2전극(1040)이 복수의 레이어에 각각 형성될 수 있다. 이 경우에 상기 배선기판은 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 디스플레이 장치에서 기판(1010)과 절연층(1060)이 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로 일체로 구성된 기판이 될 수 있다.The substrate 1010 may be a wiring substrate on which a plurality of electrode lines included in the first electrode 1020 are disposed, so that the first electrode 1020 may be positioned on the substrate 1010. A second electrode 1040 is disposed on the substrate 1010. For example, the substrate 1010 may be a wiring substrate having a plurality of layers, and the first electrode 1020 and the second electrode 1040 may be formed on a plurality of layers. In this case, in the display device described with reference to FIGS. 3A and 3B, the substrate 1010 and the insulating layer 1060 are made of insulating material such as polyimide (PI), polyimide, PET, PEN, As shown in FIG.

도시에 의하면 상기 제1전극(1020) 및 제2전극(1030)이 복수의 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된다. 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)이 각각 데이터 전극 및 스캔 전극의 역할을 함에 따라, 반도체 발광소자(1050)의 발광이 제어된다. 이 경우에, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 복수의 전극라인들 각각을 따라 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(또는 형광체부(이하, '형광체부'라 함, 1080))이 형성될 수 있다. The first electrode 1020 and the second electrode 1030 are electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 1050. The first electrode 1020 and the second electrode 1040 function as data electrodes and scan electrodes, respectively, so that the light emission of the semiconductor light emitting device 1050 is controlled. In this case, the plurality of semiconductor light emitting elements 1050 constitute a light emitting element array along each of the plurality of electrode lines, and the light emitting element array includes a phosphor layer (or a phosphor portion , 1080) may be formed.

이 경우에, 상기 제1전극(1020)은 제2전극과 동일평면상에 배치되는 보조전극(1070)을 매개로 상기 복수의 반도체 발광 소자(1050)와 연결될 수 있다. 상기 제1전극(1020) 및 제2전극(1030)과 복수의 반도체 발광 소자(1050)의 전기적 연결은 상기 기판(1010)의 일면에 배치되는 전도성 접착층(1030)에 의하여 이루어진다. In this case, the first electrode 1020 may be connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 via an auxiliary electrode 1070 disposed on the same plane as the second electrode. Electrical connection between the first electrode 1020 and the second electrode 1030 and the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 is performed by a conductive adhesive layer 1030 disposed on one surface of the substrate 1010.

상기 전도성 접착층(1030)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(1030)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(1030)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive adhesive layer 1030 may be a layer having adhesiveness and conductivity. To this end, the conductive adhesive layer 1030 may be mixed with a substance having conductivity and an adhesive property. The conductive adhesive layer 1030 also has ductility, thereby enabling the flexible function in the display device.

이러한 예로서, 전도성 접착층(1030)은 전술한 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 기판(1010)에 보조전극(1070)과 제2전극(1040)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(1030)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(1050)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.As an example, the conductive adhesive layer 1030 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like. After the conductive adhesive layer 1030 is formed in a state where the auxiliary electrode 1070 and the second electrode 1040 are positioned on the substrate 1010 and the semiconductor light emitting device 1050 is connected in a flip chip form by applying heat and pressure The semiconductor light emitting device 1050 is electrically connected to the first electrode 1020 and the second electrode 1040.

보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(1030)의 내부로 반도체 발광 소자(1050)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(1050)의 P형 전극(1056)과 보조전극(1070) 사이의 부분과, n형 전극(1052)과 제2전극(1040) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 된다. 본 발명에서는 제2도전형 반도체층(355)의 폭(W1)이 제1도전형 반도체층(353)의 측면까지 연장되며, 이에 따라, P형 전극(1056)의 폭(W2)이 제1도전형 반도체층(353)에 인접한 위치까지 연장되므로, 전도성 접착층(1030)와의 접촉면적이 증가해 보다 신뢰성 높은 전류 흐름이 가능하게 된다. More specifically, the semiconductor light emitting element 1050 is press-fitted into the conductive adhesive layer 1030 by heat and pressure, and the semiconductor light emitting element 1050 is inserted into the conductive adhesive layer 1030 through the P- And only the portion between the n-type electrode 1052 and the second electrode 1040 is conductive. The width W1 of the second conductivity type semiconductor layer 355 extends to the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 353 so that the width W2 of the P type electrode 1056 is larger than the width The contact area with the conductive adhesive layer 1030 is increased, and a more reliable current flow is possible.

이는 일체형 구조에서 제1도전형 반도체층(353)의 적어도 일측면과 제2도전형 반도체층(355)의 적어도 일측면은 서로 동일평면상에 형성되기 때문이다. 이 경우에, 상기 일측면들이 상기 동일평면상에서 형성되는 것은, 기판상에서 복수의 반도체 발광소자를 서로 고립(isolation)하는 과정에서 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부가 상기 제1도전형 반도체층과 함께 식각됨에 의하여 구현된다. This is because at least one side of the first conductivity type semiconductor layer 353 and at least one side of the second conductivity type semiconductor layer 355 are formed on the same plane with each other in the integrated structure. In this case, since the one side surfaces are formed on the same plane, at least a part of the second conductivity type semiconductor layer is separated from the first conductivity type semiconductor layer by isolating a plurality of semiconductor light- As shown in FIG.

이하, 이러한 제조방법에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, this manufacturing method will be described in more detail.

이하에서는, 위에서 살펴본 일체형 구조의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 살펴본다. 도 14는 도 11a 및 도 11b에 도시된 반도체 발광소자를 제조하는 제조방법을 나타내는 개념도이다.Hereinafter, a method for manufacturing the above-described integrated-type semiconductor light emitting device will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 14 is a conceptual view showing a manufacturing method for manufacturing the semiconductor light emitting device shown in Figs. 11A and 11B.

도 14의 (a)를 참조하면, 먼저 기판상에 제1도전형 반도체층(353), 활성층(354) 및 제2도전형 반도체층(355)을 차례로 성장시킨다. 이 경우에, 기판(1012)은 반도체 발광 소자(1050)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다. 또한, 기판은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. Referring to FIG. 14A, a first conductive semiconductor layer 353, an active layer 354, and a second conductive semiconductor layer 355 are sequentially grown on a substrate. In this case, the substrate 1012 may be a growth substrate for growing the semiconductor light emitting device 1050, and may be a spire substrate or a silicon substrate. Further, the substrate may be formed of a carrier wafer, which is a material suitable for semiconductor material growth. And may include a conductive substrate or an insulating substrate, for example, a SiC substrate having higher thermal conductivity than a sapphire (Al2O3) substrate, or at least one of Si, GaAs, GaP, InP and Ga2O3 Can be used.

또한, 상기 제1도전형 반도체층(353)은 n형 반도체층이 되고, 제2도전형 반도체층(355)은 p형 반도체층이 될 수 있다. p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층은 epitaxial하게 기판상에서 성장한다.The first conductive semiconductor layer 353 may be an n-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 355 may be a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer, the active layer and the n-type semiconductor layer are epitaxially grown on the substrate.

다음은, p형 반도체와 n형 반도체를 분리하기 위한 식각 과정이 수행된다. 예를 들어, 도 14의 (b)를 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층(355)의 적어도 일부를 식각하여, 상기 제2도전형 반도체층(355)을 복수의 반도체층(355a, 355b)으로 구획한다.Next, an etching process for separating the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is performed. For example, referring to FIG. 14B, at least a part of the second conductive type semiconductor layer 355 may be etched to form the second conductive type semiconductor layer 355 in a plurality of semiconductor layers 355a and 355b ).

도시에 의하면, 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)은 상기 식각에 의하여 복수의 라인으로 분리된다. 즉, 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)은 각각 일방향을 따라 연장되는 라인 형상으로 이루어질 수 있다.According to the illustration, the plurality of semiconductor layers 355a and 355b are separated into a plurality of lines by the etching. That is, the plurality of semiconductor layers 355a and 355b may have a line shape extending in one direction.

이와 같이 스트라이프(stripe) 형태의 Mesa는 photolithography를 이용하여 패턴으로 형성될 수 있다. 이 후에, PR mask로 BCl3/Cl2/Ar Gas를 이용하여 건식 식각할 수 있다.Thus, a stripe-shaped mesa can be formed into a pattern using photolithography. After that, dry etching can be performed using BCl 3 / Cl 2 / Ar gas as a PR mask.

다음은, 각각의 반도체 발광소자를 기판상에서 분리하기 위한 Isolation 과정이 수행된다. 보다 구체적으로, 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)에 마스크(360)를 적층하고, 상기 마스크(360)를 적층한 후에, 식각을 통하여 상기 기판상에서 복수의 반도체 발광소자를 서로 고립(isolation)시킨다.Next, an isolation process for separating each semiconductor light emitting device on the substrate is performed. More specifically, after a mask 360 is stacked on the semiconductor layers 355a and 355b and the mask 360 is stacked, a plurality of semiconductor light emitting devices are isolated from each other on the substrate through etching, .

상기 마스크를 적층하는 단계에서 상기 제1도전형 반도체층(353)은 상기 마스크(360)에 의하여 덮이지 않는 노출영역을 포함하게 된다. 이러한 노출영역이 식각되어, 각각의 반도체 발광소자들의 사이에 이격공간을 형성하게 된다. 이러한 이격공간을 통하여 반도체 발광소자들은 서로에 대하여 고립시키도록, 상기 고립(isolation)하는 단계에서 상기 노출영역은 상기 기판이 드러날때까지 완전히 식각될 수 있다.In the step of laminating the mask, the first conductive type semiconductor layer 353 may include an exposed region that is not covered by the mask 360. These exposed regions are etched to form spaced spaces between the respective semiconductor light emitting elements. In the isolating step, the exposed regions may be completely etched until the substrate is exposed so that the semiconductor light emitting elements are isolated from each other through the spaced apart spaces.

여기서, 상기 마스크(360)는 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)이 형성하는 복수의 라인과 수직한 방향으로 형성되는 복수의 마스크 라인을 구비한다. 이 경우에, 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)은 적어도 일부가 상기 복수의 마스크 라인의 사이에서 노출된다. 이렇게 노출되는 부분이 상기 고립하는 단계에서 식각되어진다. 이와 같이, Mesa의 스트라이프 패턴과 겹쳐지도록 Isolation 패턴을 형성하고 PR mask로 Mesa에서와 동일하게 식각을 하게 된다.Here, the mask 360 includes a plurality of mask lines formed in a direction perpendicular to a plurality of lines formed by the plurality of semiconductor layers 355a and 355b. In this case, at least a part of the plurality of semiconductor layers 355a and 355b is exposed between the plurality of mask lines. The portions thus exposed are etched in the isolating step. In this way, an isolation pattern is formed so as to overlap with the stripe pattern of the mesa, and etching is performed in the same manner as Mesa with the PR mask.

보다 구체적으로, 상기 고립하는 단계에서 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)의 적어도 일부가 식각되도록, 상기 마스크(360)는 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)의 일부분을 덮도록 형성된다.More specifically, the mask 360 is formed to cover a portion of the plurality of semiconductor layers 355a and 355b such that at least a part of the plurality of semiconductor layers 355a and 355b is etched in the isolating step.

보다 구체적으로, 도 14의 (c)를 참조하면, 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)은 각각,상기 마스크(360)에 의하여 덮이는 제1영역(355c)과, 상기 마스크에 의하여 덮이지 않는 제2영역(355d)으로 구획된다. 상기 제2영역(355d)은 마스크(360)에 의하여 덮이지 않기에, 상기 고립(isolation)하는 단계에서 상기 제1도전형 반도체층(353)과 함께 식각된다. 즉, 상기 제2영역(355d)은 상기 고립(isolation)하는 단계에서 식각되는 것이다.More specifically, referring to FIG. 14C, the plurality of semiconductor layers 355a and 355b each include a first region 355c covered by the mask 360, And a second region 355d that is not formed. The second region 355d is not covered by the mask 360, and is etched together with the first conductive type semiconductor layer 353 in the isolation step. That is, the second region 355d is etched in the isolation step.

도 14의 (d)를 참조하면, 상기 식각에 의하여 상기 제1도전형 반도체층(353)의 노출영역이 완전히 제거된 후에도 상기 복수의 반도체층(355a, 355b)의 제2영역(355d)은 일부(R)가 잔존하게 된다. 본 예시에서, 상기 식각에 의하여 상기 제1도전형 반도체층(353)의 노출영역이 완전히 제거된 후에도 상기 제2영역(355d)에 대한 식각은 유지된다. 이와 같이, 상기 제2영역은, 도 14의 (e)와 같이, 상기 고립(isolation)하는 단계에서 완전히 제거된다. 14D, after the exposed region of the first conductive semiconductor layer 353 is completely removed by the etching, the second regions 355d of the plurality of semiconductor layers 355a and 355b Part (R) remains. In this example, even after the exposed region of the first conductive type semiconductor layer 353 is completely removed by the etching, the etching for the second region 355d is maintained. Thus, the second region is completely removed in the isolation step as shown in FIG. 14 (e).

즉, 6~8um의 반도체가 모두 식각이 되면 기판(사파이어)이 드러나게 되고, BCl3/Cl2/Ar Gas로 사파이어의 식각 속도는 GaN 대비 느리기 때문에 Mesa 공정에서 식각이 되지 않고, Isolation 공정에서 식각이 된 부분에서 단차가 사라지게 된다.In other words, substrate (sapphire) is exposed when 6 ~ 8um semiconductors are etched, etch rate of sapphire is slow compared to GaN by BCl3 / Cl2 / Ar gas. The step is removed from the part.

이와 같은 방법에 의하면, 상기 복수의 반도체 발광소자에서 상기 제1도전형 반도체층(353)의 단부와 제2도전형 반도체층(355)의 단부는 서로 동일평면상에 배치되어 상기 복수의 반도체 발광소자의 일측면을 형성하게 된다. 결론적으로, 상기 마스크에서 상기 제1영역(355c)과 제2영역(355d)의 경계가 상기 일측면에 대응하도록 위치하게 되는 것이다. According to this method, in the plurality of semiconductor light emitting devices, the ends of the first conductivity type semiconductor layer 353 and the ends of the second conductivity type semiconductor layer 355 are arranged on the same plane, Thereby forming one side surface of the device. As a result, the boundary between the first region 355c and the second region 355d in the mask is positioned to correspond to the one side surface.

이와 같은 구조에서는 칩(Chip)간의 Isolation과 Mesa 공정에서, Mesa 공정 후의 제2반도체층의 측면이 Isolation 공정후의 제1반도체층의 측면과 동일평면상에서 일체화되기에, 발광면적이 증가하게 된다. In this structure, in the isolation between the chips and the mesa process, the side surface of the second semiconductor layer after the mesa process is integrated on the same plane as the side surface of the first semiconductor layer after the isolation process, so that the light emitting area is increased.

즉, 본 발명에서는 수십 um 단위의 발광다이오드 제작에 있어 P-형 반도체, N-형 반도체를 분리하기 위한 Mesa 공정과 각각의 Chip을 분리하기 위한 Isolation 공정을 일체형으로 함으로써, Mesa 바깥쪽의 align을 위한 면적이 불필요해 소자의 발광 면적을 늘릴수 있다. That is, in the present invention, by making the mesa process for separating the P-type semiconductor and the N-type semiconductor and the isolation process for separating each chip into an integrated type in the manufacture of the light emitting diode of several tens of um, So that the light emitting area of the device can be increased.

또한, 상기 제1도전형 반도체층(353)과 상기 제2도전형 반도체층(355)에는 각각, 전류 주입을 위한 전극용 금속막(p형 전극 및 n형 전극)이 증착된다. In addition, a metal film (p-type electrode and n-type electrode) for the current injection is deposited on the first conductivity type semiconductor layer 353 and the second conductivity type semiconductor layer 355, respectively.

상기 반도체 발광소자들을 이용하여 디스플레이 장치를 구현하기 위하여, 이후에 기판(1012)을 배선기판에 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 기판(1012)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 기판(1012)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(1050)와 보조전극(1070) 및 제2전극(1040, 이상 도 13 참조)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(1050)의 p형 전극 및 n형 전극은 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우에, p형 전극의 면적이 종래보다 넓어지므로, 전류주입을 위한 접촉면적도 증가하게 된다.In order to implement a display device using the semiconductor light emitting devices, the substrate 1012 is thermally bonded to the wiring substrate. For example, the wiring board and the substrate 1012 can be thermocompressed by applying an ACF press head. The wiring substrate and the substrate 1012 are bonded by the thermocompression bonding. Only the portion between the semiconductor light emitting element 1050 and the auxiliary electrode 1070 and the second electrode 1040 (see FIG. 13) has conductivity due to the characteristics of the anisotropic conductive film having conductivity by thermocompression bonding, The electrodes and the p-type electrode and the n-type electrode of the semiconductor light emitting element 1050 can be electrically connected. In this case, since the area of the p-type electrode is wider than in the prior art, the contact area for current injection also increases.

마지막으로, 기판(1012)은, 예를 들어, 제2기판(1012)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거될 수 있다.Finally, the substrate 1012 may be removed, for example, by using a laser lift-off (LLO) or chemical lift-off (CLO) method for the second substrate 1012 .

상기에서 설명된 제조방법은, 본 발명의 다른 구조에도 응용될 수 있다. 이항, 이러한 본 발명의 변형예에 대하여 설명한다. 도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 제조방법의 변형예들을 나타내는 개념도들이다.The above-described manufacturing method can be applied to other structures of the present invention. Boundary, a modification of the present invention will be described. 15A to 15C are conceptual diagrams showing modifications of the manufacturing method of the present invention.

본 도면들을 참조하면, 복수의 반도체층의 복수의 라인은 서로 교차하는 제1라인(456a)과 제2라인(456b)을 포함한다(각 도면의 (a) 참조). 이 경우에, 마스크는 상기 제1라인(456a)과 제2라인(456b)을 함께 덮도록 형성된다. 예를 들어, 십자 형태로 Mesa를 식각한 후에, Mesa와 겹쳐지도록 Isolation이 형성된다. Referring to these drawings, a plurality of lines of the plurality of semiconductor layers include a first line 456a and a second line 456b intersecting each other (see (a) in each drawing). In this case, the mask is formed so as to cover the first line 456a and the second line 456b together. For example, after Mesa is etched in a cross shape, Isolation is formed to overlap Mesa.

도 15a의 (b)를 참조하면, 마스크(460)가 제1라인(456a)과 제2라인(456b)이 서로 만나는 교차부분에서 일측에 치우치도록 배치되면, 반도체 발광소자에서 p 도전형 반도체층(455)의 서로 만나는 양변과 n 도전형 반도체층(453)의 서로 만나는 양변이 서로 일치하는 구조가 가능하게 된다. 15A, when the mask 460 is arranged so as to be offset to one side at the intersection where the first line 456a and the second line 456b meet each other, the p-type conductivity of the semiconductor light- A structure in which the two sides of the layer 455 that meet each other and the n-type conductivity of the n-type conductivity semiconductor layer 453 coincide with each other can be made possible.

다른 예로서, 도 15b의 (b)를 참조하면, 마스크(560)가 제1라인(456a)과 제2라인(456b)이 서로 만나는 교차부분들 중 인접한 한쌍을 모두 덮도록 배치되면, p 도전형 반도체층(455)의 안쪽으로 n 도전형 반도체층(453)이 매몰되어 있는 구조가 형성될 수 있다. 또한, 도 15c의 (b)를 참조하면, 마스크(660)가 제1라인(456a)과 제2라인(456b)이 서로 만나는 교차부분을 기준으로 좌우대칭으로 상기 교차부분을 덮도록 배치되면, p 도전형 반도체층(455)에서 두개의 n 도전형 반도체층(453)을 공유하는 구조도 가능하게 된다.15B, if the mask 560 is arranged so as to cover all the adjacent pairs of the intersections where the first line 456a and the second line 456b meet with each other, -Type semiconductor layer 455 is buried in the inside of the n-type semiconductor layer 455 may be formed. 15B, when the mask 660 is disposed to cover the intersection portion symmetrically with respect to the intersection portion where the first line 456a and the second line 456b meet each other, a structure in which two n-type conductivity semiconductor layers 453 are shared by the p-type conductivity semiconductor layer 455 becomes possible.

이와 같이 본 발명의 제조방법에 의하면, 여러가지 구조의 반도체 발광소자의 구현이 가능하게 된다.As described above, according to the manufacturing method of the present invention, semiconductor light emitting devices having various structures can be realized.

이상에서 설명한 반도체 발광 소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The semiconductor light emitting device, the method of manufacturing the same, and the display device using the semiconductor light emitting device described above are not limited to the configurations and the methods of the embodiments described above, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments are selectively As shown in FIG.

Claims (15)

기판상에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 차례로 성장시키는 단계;
상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부를 식각하여, 상기 제2도전형 반도체층을 복수의 반도체층으로 구획하는 단계;
상기 복수의 반도체층에 마스크를 적층하는 단계; 및
상기 마스크를 적층한 후에, 식각을 통하여 상기 기판상에서 복수의 반도체 발광소자를 서로 고립(isolation)하는 단계를 포함하며,
상기 고립(isolation)하는 단계에서 상기 복수의 반도체층의 적어도 일부가 식각되도록, 상기 마스크는 상기 복수의 반도체층의 일부분을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.Growing a first conductivity type semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type semiconductor layer sequentially on a substrate;
Etching at least a part of the second conductivity type semiconductor layer to divide the second conductivity type semiconductor layer into a plurality of semiconductor layers;
Depositing a mask on the plurality of semiconductor layers; And
And isolating a plurality of semiconductor light emitting devices from each other on the substrate through etching after stacking the mask,
Wherein the mask is formed so as to cover a part of the plurality of semiconductor layers so that at least a part of the plurality of semiconductor layers is etched in the isolating step. 제1항에 있어서,
상기 복수의 반도체층은 상기 마스크에 의하여 덮이는 제1영역과, 상기 마스크에 의하여 덮이지 않는 제2영역으로 구획되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of semiconductor layers are divided into a first region covered by the mask and a second region not covered by the mask. 제2항에 있어서,
상기 제2영역은 상기 고립(isolation)하는 단계에서 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.3. The method of claim 2,
Wherein the second region is etched in the isolating step. 제3항에 있어서,
상기 마스크를 적층하는 단계에서 상기 제1도전형 반도체층은 상기 마스크에 의하여 덮이지 않는 노출영역을 포함하여,
상기 식각에 의하여 상기 노출영역이 완전히 제거된 후에도 상기 제2영역에 대한 식각은 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
Wherein the first conductivity type semiconductor layer includes an exposed region that is not covered by the mask in the step of laminating the mask,
Wherein the etching of the second region is maintained after the exposed region is completely removed by the etching. 제4항에 있어서,
상기 제2영역은 상기 고립(isolation)하는 단계에서 완전히 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.5. The method of claim 4,
Wherein the second region is completely removed in the isolating step. 제2항에 있어서,
상기 복수의 반도체 발광소자에서 상기 제1도전형 반도체층의 단부와 제2도전형 반도체층의 단부는 서로 동일평면상에 배치되어 상기 복수의 반도체 발광소자의 일측면을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.3. The method of claim 2,
The end portions of the first conductivity type semiconductor layer and the end portions of the second conductivity type semiconductor layer of the plurality of semiconductor light emitting devices are arranged on the same plane to form one side surface of the plurality of semiconductor light emitting devices A method of manufacturing a light emitting device. 제6항에 있어서,
상기 제1영역과 제2영역의 경계는 상기 일측면에 대응하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 6,
Wherein a boundary between the first region and the second region is positioned to correspond to the one side surface. 제1항에 있어서,
상기 복수의 반도체층은 상기 식각에 의하여 복수의 라인으로 분리되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of semiconductor layers are separated into a plurality of lines by the etching. 제8항에 있어서,
상기 마스크는 상기 복수의 라인과 수직한 방향으로 형성되는 복수의 마스크 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the mask has a plurality of mask lines formed in a direction perpendicular to the plurality of lines. 제9항에 있어서,
상기 복수의 반도체층은 적어도 일부가 상기 복수의 마스크 라인의 사이에서 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.10. The method of claim 9,
Wherein at least a part of the plurality of semiconductor layers is exposed between the plurality of mask lines. 제8항에 있어서,
상기 복수의 라인은 서로 교차하는 제1라인과 제2라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the plurality of lines include a first line and a second line intersecting with each other. 제11항에 있어서,
상기 마스크는 상기 제1라인 및 제2라인을 함께 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the mask is formed to cover the first line and the second line together. 제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층과 중첩되는 제2도전형 반도체층; 및
상기 제2도전형 반도체층과 상기 제1도전형 반도체층의 사이들에 각각 형성되는 활성층을 포함하고,
상기 제1도전형 반도체층의 적어도 일측면과 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일측면은 서로 동일평면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A first conductive semiconductor layer;
A second conductivity type semiconductor layer overlapping the first conductivity type semiconductor layer; And
And an active layer formed between the second conductivity type semiconductor layer and the first conductivity type semiconductor layer,
Wherein at least one side of the first conductivity type semiconductor layer and at least one side of the second conductivity type semiconductor layer are formed on the same plane. 제13항에 있어서,
상기 제1도전형 반도체층의 서로 만나는 양변은 상기 제2도전형 반도체층의 서로 만나는 양변과 동일위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.14. The method of claim 13,
Wherein the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer are disposed at the same positions as the opposite sides of the second conductivity type semiconductor layer. 제13항에 있어서,
상기 일측면들이 상기 동일평면상에서 형성되는 것은, 기판상에서 복수의 반도체 발광소자를 서로 고립(isolation)하는 과정에서 상기 제2도전형 반도체층의 적어도 일부가 상기 제1도전형 반도체층과 함께 식각됨에 의하여 구현되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.14. The method of claim 13,
The one side surfaces are formed on the same plane because at least a part of the second conductivity type semiconductor layer is etched together with the first conductivity type semiconductor layer in a process of isolating a plurality of semiconductor light emitting devices from each other on a substrate Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.
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