KR20160003184A - 마이크로전자 기판 전기 프로세싱 시스템 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼들 및 유사한 기판들을 전기도금하기 위한 프로세싱 시스템에서, 전기도금 프로세서의 콘택 링이 프로세서의 로터로부터 제거되고, 이전에 디플레이팅된 콘택 링과 교체된다. 이는, 프로세서가 계속 동작하면서, 콘택 링이 시스템의 링 서비스 모듈에서 디플레이팅(deplate)되게 허용한다. 웨이퍼 처리량이 개선된다. 콘택 링은, 링 서비스 모듈과 프로세서들 사이에서 콘택 링을 이동시키기 위해 척에 부착될 수 있고, 척은 신속하게, 로터에 부착가능하고 그로부터 제거가능하다.

Description

마이크로전자 기판 전기 프로세싱 시스템{MICROELECTRONIC SUBSTRATE ELECTRO PROCESSING SYSTEM}
[0001] 마이크로전자 디바이스들은 일반적으로, 반도체 웨이퍼, 또는 다른 타입의 기판 또는 워크피스(workpiece) 상에 형성된다. 전형적인 제조 프로세스에서, 마이크로전자 디바이스들을 생성하고 그리고/또는 디바이스들 사이에 전도성 라인들을 제공하기 위해, 웨이퍼 상에 하나 또는 그 초과의 얇은 금속 층들이 형성된다.
[0002] 금속 층들은 일반적으로, 전기도금(electroplating) 프로세서에서 전기화학 도금을 통해 웨이퍼들에 적용된다(applied). 전형적인 전기도금 프로세서는, 전기도금 용액을 보유하기 위한 베슬(vessel) 또는 볼(bowl), 전기도금 용액과 접촉하는, 볼에서의 하나 또는 그 초과의 애노드들, 및 웨이퍼를 터치(touch)하는 다수의 전기 콘택(electrical contact)들을 갖는 콘택 링(contact ring)을 갖는 헤드를 포함한다. 웨이퍼의 전방 표면이 전기도금 용액에 침지되고(immersed), 전기장이 전기도금 용액에서의 금속 이온들로 하여금 웨이퍼 상에 석출(plate out)되게 하여, 금속 층이 형성된다.
[0003] 소위 "웨트-콘택(wet-contact)" 프로세서들에서, 전기 콘택들은, 도금 사이클 동안에, 전기도금 용액에 노출된다. 결과적으로, 전기도금 용액에서의 금속 이온들이 또한, 콘택들 상에 석출된다. 그러나, 시간에 걸쳐 도금된 금속이 콘택들 상에 쌓임에 따라, 몇몇 콘택들이, 웨이퍼와 접촉하는 비교적 더 큰 또는 더 작은 표면적을 가질 수 있는 결과로, 콘택들은 상이한 레이트들로 도금할 수 있다. 이는, 웨이퍼 상에 도금되는 금속 층의 균일성을 감소시킨다. 이는 또한, 불량하게 부착된 금속 입자들이 콘택들로부터 분리되고 웨이퍼 상에 퇴적(deposit)되는 것을 통해, 웨이퍼를 오염시킬 수 있다. 이러한 결과를 피하기 위해, 반응기의 진행중인 유지보수의 일부로서, 콘택들은, 도금 사이클 동안에 콘택들 상에 도금된 금속을 제거하기 위해, 주기적으로 "디-플레이팅(de-plate)"되어야만 한다.
[0004] 전형적으로, 콘택들은, 도금 용액 내에 콘택 어셈블리를 침지시키면서, 이들을 통해 역 전류를 통과시킴으로써, 디플레이팅된다. 역 전류는 도금 사이클이 반전되게 하여, 금속을 콘택들로부터 용액 내로 다시 되돌려 보낸다. 그러나, 역 전류는, 도금 용액을 열화(degrading)시키는 것을 피하기 위해, 제한되어야만 한다. 디플레이팅의 레이트는 또한, 콘택들 주위의 도금 용액에 제공될 수 있는 교반(agitation)의 양에 의해 제한된다. 결과적으로, 콘택 디플레이팅 동작은 완료하는데 상당한 시간이 걸린다.
[0005] 소위 드라이 콘택(dry contact) 전기도금 프로세서들은, 도금 용액을 콘택들의 부분들로부터 떨어진 상태로 유지하기 위해, 밀봉재(seal)를 사용한다. 밀봉재는, 웨이퍼를 오염시키는 것을 피하고 효과적으로 작업하기 위해, 주기적으로 세정되어야만 한다. 밀봉재 및 콘택들을 유지하기 위한 필요성은, 전기도금 시스템의 처리량 또는 사용 효율을 감소시킨다. 따라서, 개선된 설계들이 요구된다.
[0007] 도면들에서, 동일한 참조 번호는 도면들 각각에서 동일한 엘리먼트를 표시한다.
[0008] 도 1은 프로세싱 시스템의 평면도이다.
[0009] 도 2 내지 도 5는, 도 1에서 도시된 바와 같은 프로세서의 투시도, 측면도, 정면도, 및 평면도이다.
[0010] 도 6은, 척 어셈블리를 홀딩하는 도 1에서의 로봇 암의 투시도이다.
[0011] 도 7은, 척 어셈블리를 프로세서로 이동시키는 로봇의 측면도이다.
[0012] 도 8은, 프로세서의 헤드 아래에서 이제 정렬된 척 어셈블리를 도시하는 측면도이다.
[0013] 도 9는, 로터(rotor)에 핸드오프되고 부착된 척 어셈블리를 도시하는 측면도이다.
[0014] 도 10a 및 도 10b는, 척 어셈블리가 로터에 부착된 헤드를 도시하는 측면도들이고, 헤드는 도 10a에서 리트랙팅되고(retracted), 도 10b에서 연장된다.
[0015] 도 11은, 회전 컴포넌트들이 다크 그레이 또는 블랙으로 도시된 헤드의 확대도이다.
[0016] 도 12는, 로터에 부착된 척의 확대된 단면도이다.
[0017] 도 13은, 로터에 부착된 척 어셈블리의 확대된 대안적인 단면도이다.
[0018] 도 14a는 콘택 링의 투시도이다.
[0019] 도 14b는, 로터 및 척과 링 콘택 상의 콘택 핑거들 사이의 전기 연결의 확대된 상세한 단면도이다.
[0020] 도 14c는 도 14a 및 도 14b에서 도시된 바와 같은 전기 콘택의 투시도이다.
[0021] 도 15는, 헤드의 전방, 상면, 및 좌측 투시도이다.
[0022] 도 16은 부가적인 엘리먼트들을 도시하는, 헤드의 측면도이다.
[0023] 도 17은, 틸팅된 배향(tilted orientation)의 헤드의 측면도이다.
[0024] 도 18은, 대안적인 헤드의 전방, 상면, 및 좌측 투시도이다.
[0025] 도 19는 도 18의 헤드의 측면도이다.
[0026] 도 20은 대안적인 척의 투시도이다.
[0027] 도 21은, 도 20에서 도시된 척과 함께 사용하도록 적응된 대안적인 로터의 단면도이다.
[0028] 도 22a 내지 도 22d는, 도 21의 로터로부터 도 20의 척 어셈블리를 언클램핑하기 위한 단계들의 시퀀스를 도시하는 단면도들이다.
[0029] 도 23은 대안적인 프로세싱 시스템의 평면도이다.
[0031] 도 1에서 도시된 바와 같이, 프로세싱 시스템(20)은 인클로저(22) 내에 모듈들 또는 서브시스템들을 포함한다. FOUP(front opening unified pod) 컨테이너들과 같은 웨이퍼 또는 기판 컨테이너들(24)이 인클로저(22)의 전방에서 로딩/언로딩 스테이션(26)에 도킹될 수 있다. 사용되는 서브시스템들은, 시스템(20)에 의해 수행되는 특정 제조 프로세스들에 따라 변화될 수 있다. 도시된 예에서, 시스템(20)은 전방 인터페이스(28)를 포함하며, 그 전방 인터페이스(28)는, 시스템(20) 내로 또는 밖으로 이동될 웨이퍼들에 대한 일시적인 저장을 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 선택적으로, 다른 기능들을 제공할 수 있다. 제공되는 경우에, 어닐링 모듈(30), 린스/건조 모듈(32), 링 모듈(40), 및 전기도금 챔버들(42)이, 전방 인터페이스(28) 뒤에서 인클로저(22)에 순차적으로 배열될 수 있다. 로봇들은 서브시스템들 사이에서 웨이퍼들을 이동시킨다. 예컨대, 웨이퍼 로봇(48)은, 린스/건조 모듈(32)과 어닐링 모듈(30) 사이에서 웨이퍼들을 이동시키도록 위치된다. 척 로봇(60)은, 전기도금 챔버들(42)과 링 모듈(40) 사이에서, 웨이퍼를 홀딩하는 척 어셈블리들을 이동시키도록 위치된다. 기본적인 형태에서, 시스템(20)은 하나 또는 그 초과의 전기도금 챔버들 및 링 모듈(40)만을 포함할 수 있다.
[0032] 도 2 내지 도 5에서 도시된 바와 같이, 전기도금 챔버(42)는, 예컨대 국제 특허 공개 제 WO2012/158966 호에서 설명된 바와 같은, 애노드들, 전해질, 및 다른 컴포넌트들을 포함하는 베슬 또는 볼(50)을 포함할 수 있다. 전기도금 챔버 또는 프로세서(42)는 또한, 헤드(52)를 포함한다. 볼(50) 및 헤드(52)는 프레임(54) 상에 지지될 수 있고, 전력 공급부(56) 또는 다른 보조 컴포넌트들이 또한 프레임 상에 지지된다.
[0033] 종래의 전기도금 프로세서에서, 콘택 링은 일반적으로, 로터에 영구적으로 부착된다. 결과로서, 콘택 링이 디플레이팅되고 있는 동안에 그리고/또는 (사용되는 경우에) 콘택 링 밀봉재가 세정되고 있는 동안에, 프로세서는, 프로세서가 웨이퍼를 프로세싱하고 있지 않는다는 의미에서 유휴 상태에 있다. 시스템(20)에서, 이러한 결점은, 콘택 링이 프로세서의 로터로부터 제거가능하게 함으로써 극복된다. 이는, 콘택 링이 신속하게 제거되고, 이전에 디플레이팅된 콘택 링으로 교체되게 허용한다. 프로세서 유휴 상태 시간이 크게 감소된다.
[0034] 다시 도 1을 참조하면, 웨이퍼들(120)은, 웨이퍼 로봇(48)을 통해, 링 모듈(40) 내로 그리고 밖으로 로딩된다. 링 모듈(40) 내에서, 콘택 링들이 디플레이팅된다. 웨이퍼는 척 상에서 콘택 링에 의해 적소에 클램핑된다. 본원에서, 웨이퍼, 콘택 링, 및 척의 어셈블리 또는 유닛은 척 어셈블리(76)라고 지칭된다. 척 어셈블리(76)는 프로세서(42)로 이동된다.
[0035] 도 6 내지 도 9는, 척 로봇(60)에 의한 척 어셈블리(76)의 이러한 이동을 도시한다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 링 모듈(40)에서, 프로세서(42)에서 사용되는 콘택 링(70)이 척(72)에 부착되고, 이들 사이에 웨이퍼(120)가 클램핑되어, 척 어셈블리(76)가 형성된다. 그 후에, 척 로봇(60)은 척 어셈블리(76)를 프로세서(42)로 이동시킨다. 도 6에서 도시된 바와 같이, 척 로봇(60)은, 척(72)과 인게이징(engaging)하기 위한 반원형 엔드 이펙터(end effector) 또는 암(62)을 가질 수 있다. 프로세서(42)의 로터(80)는 볼(50)로부터 떨어지도록 위로 상승된다. 도 8을 참조하면, 로봇(60)은, 로터(80)와 정렬되도록 척 어셈블리(76)를 전진시킨다. 도 9에서 도시된 바와 같이, 그 후에, 척 어셈블리(76)는 로터(80)에 핸드오프되고(handed off), 척(72)은 로터에 고정적으로 부착되고, 로봇(60)은 철수된다.
[0036] 척 어셈블리(76)가 로터(80) 상에서 적소에 있으면, 프로세서(42)는 웨이퍼를 프로세싱할 준비가 된다. 헤드(52)는, 로터(80)를, 도 10a에서 도시된 로딩/언로딩 위치로부터 도 10b에서 도시된 도금 위치로 아래로 이동시키고, 그 도금 위치에서, (콘택 링과 척 사이에 클램핑된) 웨이퍼(120)는 볼(50)에서의 전해질과 접촉한다. 일반적으로, 로터는, 더 균일한 도금된 층을 제공하기 위해, 도금 프로세스 동안에, 웨이퍼를 회전시킨다. 도 11은, 예시의 목적을 위해, 회전 엘리먼트들이 블랙 또는 다크 그레이로 표시된 도 10b의 프로세서를 도시한다.
[0037] 도 12로 넘어가면, 콘택 링(70)은, 척 자석들(104)에 자기 흡인력을 가하는 콘택 링 자석들(102)을 통해, 척(72)에 부착될 수 있다. 척(72)은 유사하게, 로터(80)에서의 로터 자석들(106)에 대한 척 자석들(104)의 힘을 통해, 핸드오프 동안에, 로터(80)에 부착될 수 있다. 도 13에서 도시된 바와 같이, 척의 상단에서의 개구들 내로 돌출하는 정렬 핀들(122)은, 로터(80)와 척(72)을 정렬시키기 위해 사용될 수 있다. 콘택 링 및 척 부착들이 자동 파스너들 또는 클램프들과 같은 기계적인 엘리먼트들을 사용하여 이루어지면서, 자석들이 선택적으로 생략될 수 있다.
[0038] 도 14a 내지 도 14c에서 도시된 바와 같이, 콘택 링(70)은, 웨이퍼(120)와 실제로 물리적으로 그리고 전기적으로 접촉하는 다수의 개별적인 콘택 핑거들(74)을 갖는다. 전류는, 핑거들(74)로부터 링 전도체들(90)을 통해 척 상의 복수의 방사상으로 이격된 척 콘택들(132)로 흐른다. 척 콘택들(132)은, 척이 로터에 부착되는 경우에, 로터에서의 금속 링(130)을 터치한다. 금속 링(130)은, 헤드(52)에서의 전도성 엘리먼트들을 통해, 전형적으로 캐소드인 전류 소스에 연결된다.
[0039] 도 15 내지 도 17은, 도 10a 및 도 10b에서 도시된 바와 같이 로터(80)를 리프팅하고 하강시키는 것에 부가하여, 또한, 웨이퍼(120)가 비스듬히(at an angle) 전해질에 진입하게 허용하기 위해, 로터를 틸팅(tilt)할 수 있는 헤드 설계를 도시한다. 도 15 내지 도 17에서 도시된 설계에서, 로터 프레임(85)은 피벗(pivot) 액추에이터(66)에 의해 헤드 피벗 조인트들(64)을 중심으로 피벗팅된다(pivoted). 도 17에서 도시된 바와 같이, 로터 프레임(85)을 틸팅하는 것은, 대응하여, 웨이퍼(120)를 틸팅한다. 이는, 로터(80)가 웨이퍼(120)를 비스듬히 전해질 내로 이동시키게 허용하여, 웨팅(wetting) 특성들을 개선하고, 버블 트래핑(bubble trapping)을 감소시킨다. 도 18 및 도 19는, 로터 프레임이 고정되고(즉, 수직으로만 이동가능함) 로터(144)가 헤드 피벗 조인트들(142)을 중심으로 틸팅되는 대안적인 헤드(140)를 도시한다.
[0040] 도 20은, 도 21에서 도시된 대안적인 로터(160)와 함께 사용하기 위한 대안적인 척(150)을 도시한다. 척(150)은 슬롯 플레이트(152) 및 인입 리세스(lead-in recess)(154)를 갖는다. 로터(160)는 스프링(164)에 의해 위로 강제된(urged) 클램프 로드(rod)(166)를 갖는다. 헤드에서의 액추에이터(162)는, 클램프 로드(166)를, 스프링의 힘에 대항하여 아래로 이동시키도록 위치된다.
[0041] 도 22a 내지 도 22d는 척 언클램핑 시퀀스를 도시한다. 도 22a에서, 액추에이터가 오프된 상태에서, 스프링은 클램프 로드를 위로 홀딩한다. 클램프 로드(166)의 헤드(168)는, 척이 스프링의 힘을 통해 로터 상에 고정적으로 클램핑되도록, 슬롯 플레이트(152) 아래에서 고정된다. 도 22b에서, 액추에이터가 에너자이징되어(energized), 클램프 로드를 아래로 푸시(pushing)하고, 로터로부터 척을 분리시킨다. 도 22c에서, 척 로봇(60)은 척을 측방향으로(laterally) 이동시켜서, 클램프 로드의 헤드가 슬롯 플레이트 아래로부터 벗어나도록 그리고 리세스(154) 내로 이동하게 한다. 도 22d에서, 그 후에, 로봇(60)은 척 어셈블리(76)를 하강시키고 로터로부터 제거하고, 그 척 어셈블리(76)를 링 모듈(40)로 전달한다. 링 모듈(40)에서, 로봇(60)은 척 어셈블리(76)를 내려놓고(drop off), 프로세싱되지 않은 웨이퍼를 갖는 새로운 척 어셈블리(76)를 픽업(pick up)한다. 그 후에, 로봇(60)은 새로운 척 어셈블리(76)를 프로세서로 이동시키고, 그 프로세서에서, 그 새로운 척 어셈블리(76)는, 도 22a 내지 도 22d에서 도시된 단계들의 역 시퀀스를 사용하여 로딩된다. 로터들, 척들, 및 콘택 링들은, 척 어셈블리들이 교환가능하게 사용될 수 있도록, 균일할 수 있다(동일한 크기 및 형상을 가질 수 있다).
[0042] 링 모듈 내에서, 콘택 링들은 디플레이팅되고, 존재하는 경우에, 콘택 밀봉재들은 세정될 수 있다. 디플레이팅 및/또는 밀봉재 세정은, 콘택 링이 척에 부착된 상태로 수행될 수 있다. 이러한 타입의 시스템에서, 척 및 콘택 링은 서로에 대해 실질적으로 영구적으로 부착될 수 있다. 대안적으로, 척과 동일한 방식으로, 헤드에 대한 부착 및 핸들링에 대해 적합한 변형된 콘택 링이, 본질적으로, 콤비네이션(combination) 콘택 링/척으로서 사용될 수 있다. 이러한 설계에서, 별개의 척이 제공되지 않고, 척의 기능 엘리먼트들이 콘택 링에 포함된다. 예컨대, 통합된 백킹 플레이트가 콘택 링에 제공될 수 있고, 콘택 링의 콘택 핑거들이, 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하기 위해, 백킹 플레이트를 향하여 그리고 그 백킹 플레이트로부터 떨어지도록 이동가능하다.
[0043] 콘택 링은 또한, 디플레이팅 및/또는 세정 동안에, 척으로부터 디태칭(detach) 및 분리될 수 있다. 이러한 타입의 시스템에서, 각각의 디플레이팅된 콘택 링이 척에 부착되고, 이들 사이에, 프로세싱되지 않은 웨이퍼가 클램핑되며, 그 후에, 결과적인 척 어셈블리(76)는 로봇(60)에 의한 픽업을 위해 위치된다. 또한, 링 모듈(40) 내에서, 프로세서(42)로부터 복귀한 척 어셈블리들(76)이 개방되고, 즉, 프로세싱된 웨이퍼가 웨이퍼 로봇(48)에 의한 픽업을 위해, 언클램핑되고 제거된다.
[0044] 도 1에서 도시된 시스템(20)은 구리 다마신(Damascene) 도금을 위해 사용될 수 있다. 도 23은 웨이퍼 레벨 패키징(WLF)을 위해 사용될 수 있는 다른 시스템(180)의 상면도이다. 시스템(180)은 어닐링 챔버(30)를 생략할 수 있다. 스핀 린서 드라이어(spin rinser dryer) 챔버들(32)은, 지원 모듈(182)로 콘택 링 스테이션(40)과 조합될 수 있다. 지원 모듈(182)은 또한, 하나 또는 그 초과의 진공 프리웨트(prewet) 챔버들을 포함할 수 있다. 도 1에서 도시된 시스템(20)과 비교하면, 도 23에서 도시된 시스템(180)에서, 웨이퍼 척킹/디척킹 단계들은, 도 1에서와 같이 더 중앙의 위치에서보다는, 시스템의 전단 부근에서, 지원 모듈(182)에서 수행된다. 지원 모듈에는, 3개의 스핀 린서 드라이어 챔버들, 2개의 진공 프리웨트 챔버들, 및 2개의 콘택 링 스테이션들이 제공될 수 있다.
[0045] 여전히 도 23을 참조하면, 시스템(182)은, 구리, 니켈, 및 주석-은과 같은 3개의 상이한 금속들을 도금하기 위해 그룹들로 셋업된 최대 20개의 금속 도금 챔버들(42)을 가질 수 있다. 이러한 금속 도금 챔버들은 스택(stack) 구성으로 2개의 레벨들 상에 있을 수 있다. 시스템(20)에서 사용하기 위해 위에서 설명된 로봇들 및 척 동작들은 또한, 시스템(180)에서 사용될 수 있다.
[0046] 따라서, 신규한 시스템들 및 방법들이 도시되고 설명되었다. 당연히, 다양한 변화들 및 치환들이, 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은, 다음의 청구항들 및 이들의 등가물들에 의한 것을 제외하고, 제한되지 않아야 한다. 웨이퍼는, 실리콘 또는 다른 반도체 재료 웨이퍼, 또는 마이크로-전자, 마이크로-전기-기계, 또는 마이크로-광학 디바이스들을 제조하기 위해 사용되는 다른 타입의 기판 또는 워크피스를 의미한다. 설명되는 시스템들은, 150, 200, 300, 또는 450 mm 직경의 웨이퍼들과 함께 사용하는데 적합할 수 있다.

Claims (18)

  1. 기판을 전기도금(electroplating)하기 위한 시스템으로서,
    척과 콘택 링(contact ring) 사이에 기판을 클램핑(clamp)하도록 위치된, 상기 콘택 링 및 상기 척을 각각 포함하는 복수의 척 어셈블리들;
    척 어셈블리를 수용(receive)하도록 적응된 로터(rotor)를 각각 갖는 복수의 전기도금 프로세서들;
    콘택 링 디플레이터(deplater)를 갖는 링 모듈; 및
    상기 전기도금 프로세서들과 상기 링 모듈 사이에서 이동가능하고, 척 어셈블리와 인게이징(engaging)하기 위한 엔드 이펙터를 갖는 척 어셈블리 로봇
    을 포함하는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    웨이퍼들을 상기 링 모듈 내로 그리고 밖으로 이동시키기 위한 웨이퍼 로봇을 더 포함하는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 척은, 상기 척의 상단 표면으로부터 상기 콘택 링으로 연장되는 복수의 전기 콘택들을 갖는 실질적으로 원형인 플레이트를 포함하는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 척은, 상기 척의 상단 표면에서 하나 또는 그 초과의 가스 통로들을 갖는 실질적으로 원형인 플레이트를 포함하는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    각각의 프로세서는 프레임 상에 지지되는 헤드를 갖고, 상기 로터는 상기 헤드 상의 수직 슬라이드 트랙 액추에이터에 부착되는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 헤드를 틸팅(tilting)하기 위한 틸트 액추에이터를 더 포함하는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 콘택 링은 자석들을 통해 상기 척에 부착되는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 척은 자석들을 통해 상기 로터에 부착가능한,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 척은 슬롯 플레이트를 갖고, 상기 척은, 상기 슬롯 플레이트와 인게이징되는, 상기 로터에서의 클램프 로드(rod)를 통해 상기 로터에 부착되는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 링 모듈은, 상기 웨이퍼 로봇으로부터 웨이퍼를 수용하고, 상기 웨이퍼를 콘택 링과 척 사이에 클램핑하여, 척 어셈블리를 형성하기 위한 웨이퍼 로더(loader), 및 프로세싱된 웨이퍼를 척 어셈블리로부터 언클램핑(unclamp)하고, 상기 척 어셈블리의 상기 콘택 링을 상기 콘택 링 디플레이터로 이동시키기 위한 웨이퍼 언로더(unloader)를 더 포함하는,
    기판을 전기도금하기 위한 시스템.
  11. 웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    제 1 콘택 링과 제 1 척 사이에 제 1 웨이퍼를 클램핑하는 단계;
    프로세서의 로터에 상기 제 1 척을 부착하는 단계;
    상기 제 1 웨이퍼를 전해질과 접촉시키면서, 상기 전해질을 통해 전류를 통과시킴으로써, 상기 웨이퍼를 프로세싱하는 단계;
    상기 로터로부터 상기 제 1 척을 제거하는 단계;
    상기 제 1 척으로부터 상기 제 1 웨이퍼를 언클램핑하고 제거하는 단계; 및
    상기 프로세서로부터 떨어져서, 상기 제 1 콘택 링을 디플레이팅(deplating)하는 단계
    를 포함하는,
    웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    제 2 콘택 링과 제 2 척 사이에 제 2 웨이퍼를 클램핑하는 단계;
    상기 프로세서의 상기 로터에 상기 제 2 척을 부착하는 단계; 및
    상기 제 1 콘택 링을 디플레이팅하는 동안에, 상기 제 2 웨이퍼를 전해질과 접촉시키면서, 상기 전해질을 통해 전류를 통과시킴으로써, 상기 제 2 웨이퍼를 프로세싱하는 단계
    를 더 포함하는,
    웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 로터를 전해질의 표면에 대해 비스듬히(at an angle) 위치시키고, 상기 전해질과 접촉하도록 상기 웨이퍼를 하강시킴으로써, 상기 제 1 웨이퍼를 상기 전해질과 접촉시키는 단계를 더 포함하는,
    웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 척에서의 정렬 개구들 위로 상기 로터 상의 정렬 핀들을 위치시키기 위해, 상기 로터를 회전시킴으로써, 상기 로터를 상기 제 1 척과 정렬시키는 단계를 더 포함하는,
    웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 로터에 대하여 상기 제 1 척의 상단 표면을 밀봉(sealing)시키는 단계를 더 포함하는,
    웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 척과 인게이징하고, 상기 제 1 척을 제 1 로터와 인게이징하도록 풀링(pulling)하는 클램프 로드를 통해, 상기 제 1 척을 상기 로터에 부착하는 단계를 더 포함하는,
    웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 클램프 로드를 제 1 방향으로 강제(urge)하기 위해 스프링력(spring force)을 사용하는 단계를 더 포함하는,
    웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 클램프 로드를, 상기 제 1 방향과 반대인 제 2 방향으로 순간적으로(momentarily) 푸싱(pushing)하여, 상기 스프링을 압축하고, 상기 로터로부터 상기 척을 제거(release)하는 단계를 더 포함하는,
    웨이퍼를 프로세싱하기 위한 방법.
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