KR20160000851A - Light to heat conversion layer and donor sheet - Google Patents

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KR20160000851A
KR20160000851A KR1020150086826A KR20150086826A KR20160000851A KR 20160000851 A KR20160000851 A KR 20160000851A KR 1020150086826 A KR1020150086826 A KR 1020150086826A KR 20150086826 A KR20150086826 A KR 20150086826A KR 20160000851 A KR20160000851 A KR 20160000851A
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게이스케 마치다
겐이치 후지타
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스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
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    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]

Abstract

The present invention is to provide a light-to-heat conversion layer with visible light penetrability. The light-to-heat conversion layer contains tungsten compound particles and binder components. The tungsten compound particles are tungsten oxide particles and/or composite tungsten oxide particles, and a volume average particle size of the tungsten compound particles is 35 nm or greater and 500 nm or less.

Description

광열 변환층, 도너 시트{LIGHT TO HEAT CONVERSION LAYER AND DONOR SHEET}[0001] LIGHT TO HEAT CONVERSION LAYER AND DONOR SHEET [0002]

본 발명은 광열 변환층, 도너 시트에 관한 것이다.The present invention relates to a photo-thermal conversion layer and a donor sheet.

기판 상에 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 형성하는 방법으로서, 메탈 마스크법, 레이저 전사법, 잉크젯법 등이 검토되어 왔다. 메탈 마스크법은 차세대 대형 디스플레이 디바이스 등의 대면적화에 대한 대응이 곤란하고, 잉크젯법은 적용에 대한 기술적 과제가 많이 남아 있기 때문에, 대형 디스플레이용 프로세스로는 레이저 전사법이 주류가 될 것으로 보여지고 있다.As a method of forming an organic electroluminescence device on a substrate, a metal mask method, a laser transfer method, an ink jet method, and the like have been studied. Since the metal mask method is difficult to cope with large-sized next-generation large display devices, and the inkjet method has many technical problems to be applied, the laser transfer method is considered to be the mainstream process for large display processes .

레이저 전사법은 몇 가지 방법이 있지만, 도너 시트라고 불리는 필름을 이용하여 성막을 실시하는 방식이 주류이다. 도너 시트로는 예를 들어, 필름 기재에 광열 변환 (LTHC : Light To Heat Conversion) 층이라고 불리는 광을 흡수하는 층과, 피전사층으로서 예를 들어 일렉트로 루미네선스 특성을 갖는 유기 화합물의 층을 성막한 것이 이용되고 있다. 레이저 전사법에 의해 기판 상에 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 형성하는 방법에 대하여 다양한 제안이 이루어져 있지만, 기본적인 동작 원리는 공통된다. 즉, 광열 변환층의 특정 지점에 레이저광이 조사됨으로써, 광열 변환층에 광이 흡수되어 열이 발생하고, 열의 작용에 의해 피전사층으로서 형성된 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 전사할 수 있다.There are several methods of laser transfer, but the mainstream is to deposit films using a so-called donor sheet. Examples of the donor sheet include a layer for absorbing light called a light to heat conversion (LTHC) layer and a layer of an organic compound having an electroluminescent property, for example, And the one that has been formed is used. Various proposals have been made for a method of forming an organic electroluminescence device on a substrate by a laser transfer method, but the basic operation principle is common. That is, by irradiating the laser light to a specific point of the photo-thermal conversion layer, light is absorbed into the photo-thermal conversion layer to generate heat, and the organic electroluminescence device formed as the layer to be transferred by the action of heat can be transferred.

도너 시트의 광열 변환층의 광 흡수 재료로는 다양한 재료가 제안되어 있다. 예를 들어 특허문헌 1 에서는, 적외 영역에 있어서 광을 흡수하는 염료, 카본 블랙과 같은 유기 및 무기 흡수 재료, 금속류, 금속 산화물 또는 금속 황화물 및 그 밖에 이미 알려진 안료 및 흡수재가 개시되어 있다. 특허문헌 2 에서는 염료, 안료, 금속, 금속 화합물, 금속 필름 등이 개시되어 있다. 특허문헌 3 에서는 흑색 알루미늄이 개시되어 있다. 특허문헌 4 에서는 카본 블랙, 흑연이나 적외선 염료가 개시되어 있다.As the light absorbing material of the photo-thermal conversion layer of the donor sheet, various materials have been proposed. For example, Patent Document 1 discloses dyes that absorb light in the infrared region, organic and inorganic absorbing materials such as carbon black, metals, metal oxides or metal sulfides, and other pigments and absorbers that are already known. In Patent Document 2, dyes, pigments, metals, metal compounds, metal films and the like are disclosed. Patent Document 3 discloses black aluminum. In Patent Document 4, carbon black, graphite and infrared dyes are disclosed.

일본 공표특허공보 2000-515083호Japanese Patent Publication No. 2000-515083 일본 공표특허공보 2002-534782호Japanese Published Patent Application No. 2002-534782 일본 특허 제3562830호Japanese Patent No. 3562830 일본 공개특허공보 2004-200170호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-200170

이미 서술한 바와 같이 레이저 전사법에 의해, 예를 들어 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 형성하는 경우, 도너 시트의 광열 변환층 중 원하는 지점에 레이저광을 조사하고, 도너 시트에 포함되는 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 전사함으로써 실시할 수 있다. 그러나, 도너 시트 중에 예를 들어 이물질이나 도포 불균일 등의 결함이 포함되는 경우, 레이저 조사 지점의 유기 일렉트로 루미네선스 소자가 정상적으로 전사되지 않아, 디스플레이 디바이스로 되었을 때에 점등이 되지 않는 도트가 생기는 원인이 된다. 이 때문에, 수율 향상을 위해서는 레이저 전사 전에 결함을 포함하는 도너 시트를 육안 혹은 가시광 센서 등에 의해 검출하는 것이 필요하다.In the case of forming the organic electroluminescence element by the laser transfer method as described above, for example, the laser light is irradiated to a desired point in the photo-thermal conversion layer of the donor sheet, and the organic electroluminescent element It can be carried out by transferring the sist element. However, when the donor sheet contains defects such as foreign matter or coating unevenness, for example, the organic electroluminescence element at the laser irradiation point is not normally transferred, causing a dot not to light when turned into a display device do. For this reason, in order to improve the yield, it is necessary to detect the donor sheet including defects before the laser transfer by a naked eye or a visible light sensor or the like.

그러나, 광열 변환층에 적용하는 광 흡수 재료로서 특허문헌 1 ∼ 4 에 개시된 재료를 사용한 경우, 광열 변환층의 가시광의 투과성이 충분하지 않았다. 즉, 특허문헌 1 ∼ 4 에 개시된 광 흡수 재료를 사용한 경우, 광열 변환층은 광 투과성을 실질적으로 갖지 않는 매우 어두운 흑색을 나타내게 된다. 이 때문에, 이러한 광열 변환층을 도너 시트에 적용했을 경우, 육안이나 가시광 센서 등에 의해 결함을 검출하는 것은 불가능하였다.However, when the materials disclosed in Patent Documents 1 to 4 are used as the light absorbing material to be applied to the photo-thermal conversion layer, the visible light transmittance of the photo-thermal conversion layer is not sufficient. That is, when the light absorbing materials disclosed in Patent Documents 1 to 4 are used, the photo-thermal conversion layer exhibits a very dark black color having substantially no light transmittance. Therefore, when such a photo-thermal conversion layer is applied to a donor sheet, it is impossible to detect defects by a naked eye or a visible light sensor.

이와 같이 종래에는 결함이 있는 도너 시트라도 검사에 의해 충분히 검출할 수 없었기 때문에, 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 결함으로 이어져 디스플레이 디바이스의 수율 저하의 큰 원인이 되었다.In this way, even a defective donor sheet can not be sufficiently detected by inspection in the past, leading to defects of the organic electroluminescence device, which has been a major cause of a reduction in the yield of the display device.

그래서 상기 종래 기술이 갖는 문제를 감안하여, 본 발명의 일 측면에서는 가시광 투과성을 구비한 광열 변환층을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, in view of the problems of the prior art, one aspect of the present invention is to provide a photo-thermal conversion layer having visible light transmittance.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 양태에 의하면, 텅스텐 화합물 입자와 바인더 성분을 함유하는 광열 변환층으로서, According to one aspect of the present invention, there is provided a photo-thermal conversion layer containing tungsten compound particles and a binder component,

상기 텅스텐 화합물 입자는, 텅스텐 산화물 입자 및/또는 복합 텅스텐 산화물 입자이고, The tungsten compound particle is a tungsten oxide particle and / or a composite tungsten oxide particle,

상기 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인 광열 변환층을 제공한다.Wherein the tungsten compound particles have a volume average particle diameter of 35 nm or more and 500 nm or less.

본 발명의 광열 변환층의 일 양태에 의하면, 가시광 투과성을 구비한 광열 변환층을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the photo-thermal conversion layer of the present invention, a photo-thermal conversion layer having visible light transmittance can be provided.

도 1 은 육방정을 갖는 복합 텅스텐 산화물의 결정 구조의 모식도.
도 2 는 도너 시트의 단면 구성예의 설명도.
도 3 은 실시예 1 ∼ 3, 비교예 1, 2 에서 측정된 도너 시트의 투과 곡선.
1 is a schematic view of a crystal structure of a composite tungsten oxide having a hexagonal crystal structure.
2 is an explanatory diagram of an example of a cross-sectional configuration of a donor sheet;
3 is a transmission curve of the donor sheet measured in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2;

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 하기의 실시형태에 다양한 변형 및 치환을 추가할 수 있다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications and permutations may be added to the following embodiments without departing from the scope of the present invention. can do.

(광열 변환층) (Photo-thermal conversion layer)

본 실시형태에서는 우선, 광열 변환층의 일 구성예에 대하여 설명한다.In this embodiment, first, a structural example of the photo-thermal conversion layer will be described.

본 실시형태의 광열 변환층은, 텅스텐 화합물 입자와 바인더 성분을 함유할 수 있다. 그리고, 텅스텐 화합물 입자는, 텅스텐 산화물 입자 및/또는 복합 텅스텐 산화물 입자이며, 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.The photo-thermal conversion layer of the present embodiment may contain a tungsten compound particle and a binder component. The tungsten compound particles are preferably tungsten oxide particles and / or composite tungsten oxide particles, and the volume average particle diameter of the tungsten compound particles is preferably 35 nm or more and 500 nm or less.

본 실시형태의 광열 변환층에 함유되는 성분에 대하여 이하에 설명한다.The components contained in the photo-thermal conversion layer of the present embodiment will be described below.

우선, 텅스텐 화합물 입자에 대하여 설명한다.First, the tungsten compound particles will be described.

텅스텐 화합물 입자는, 광열 변환층에 레이저광을 조사했을 경우에, 이러한 레이저광을 흡수하여 열을 발생시키는 적외선 흡수성 입자로서 기능할 수 있다. 또, 본 실시형태의 광열 변환층은 가시광 투과성을 구비하고 있는 것이 바람직하기 때문에, 텅스텐 화합물 입자도 가시 영역의 광에 대해서는 투과성이 높은 재료인 것이 바람직하다.The tungsten compound particles can function as an infrared absorbing particle which absorbs such laser light to generate heat when laser light is irradiated to the photo-thermal conversion layer. Since the photo-thermal conversion layer of the present embodiment preferably has visible light transmittance, it is preferable that the tungsten compound particles also have high transmittance for light in the visible region.

그래서, 본 실시형태의 광열 변환층에 있어서는, 텅스텐 화합물 입자로서 텅스텐 산화물 입자 및/또는 복합 텅스텐 산화물 입자를 사용할 수 있다. 본 발명의 발명자들의 검토에 의하면, 텅스텐 산화물 입자 및/또는 복합 텅스텐 산화물 입자는, 가시 영역의 광에 대해서는 투과성을 나타내고, 적외 영역, 특히 근적외 영역의 레이저광을 흡수하여 열을 발생시킬 수 있다.Therefore, in the photo-thermal conversion layer of the present embodiment, tungsten oxide particles and / or composite tungsten oxide particles can be used as the tungsten compound particles. According to a study by the inventors of the present invention, the tungsten oxide particles and / or the composite tungsten oxide particles exhibit transmittance to light in the visible region and can generate heat by absorbing the laser light in the infrared region, particularly near infrared region .

그리고, 텅스텐 화합물 입자는 미립자인 것이 바람직하고, 구체적으로는 예를 들어 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 35 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 35 ㎚ 이상 90 ㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The tungsten compound particles are preferably fine particles. Specifically, for example, the volume average particle diameter of the tungsten compound particles is preferably 35 nm or more and 500 nm or less, more preferably 35 nm or more and 150 nm or less, And more preferably 90 nm or less.

또한, 체적 평균 입자경이란 레이저 회절·산란법에 의해 구한 입도 분포에 있어서의 적산치 50 % 에서의 입경을 의미하고 있고, 본 명세서에 있어서 다른 부분에서도 체적 평균 입자경은 동일한 의미를 갖고 있다.The volume average particle diameter means the particle diameter at an integrated value of 50% in the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method, and the volume average particle diameter has the same meaning in other parts in this specification.

텅스텐 화합물 입자에 대하여, 가시 영역의 광의 투과성을 높이기 위해서는 레일리 산란·미 산란에 의한 광의 확산을 억제하는 것이 바람직하다고 생각되며, 그러기 위해서는 입자경을 충분히 작게 하는 것이 바람직하다고 여겨지고 있었다. 이 때문에, 예를 들어 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 미만인 것이 바람직하다고 생각되었다.For tungsten compound particles, it is considered desirable to suppress the diffusion of light due to Rayleigh scattering and non-scattering in order to increase the transmittance of light in the visible region. For this reason, it has been considered desirable to reduce the particle size sufficiently. For this reason, it has been considered desirable that the volume average particle diameter is, for example, less than 35 nm.

그러나 본 발명의 발명자들이 검토를 실시한 결과, 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경을 35 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하로 한 경우에도 광열 변환층은 충분한 가시광 투과성을 갖는 것을 알아내었다. 또한, 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 이상인 텅스텐 화합물 입자를 함유하는 광열 변환층은, 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 미만인 텅스텐 화합물 입자를 동일한 중량 함유하는 광열 변환층과 비교하여 근적외 영역의 광의 흡수가 특히 강화되는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시켰다.However, the inventors of the present invention have found that the photo-thermal conversion layer has sufficient visible light transmittance even when the volume average particle diameter of the tungsten compound particles is 35 nm or more and 500 nm or less. The photo-thermal conversion layer containing the tungsten compound particles having a volume average particle diameter of 35 nm or more is superior to the photo-thermal conversion layer containing the same weight of the tungsten compound particles having a volume average particle diameter of less than 35 nm, And completed the present invention.

또, 종래 텅스텐 화합물 입자인 텅스텐 산화물 입자나, 복합 텅스텐 산화물 입자와 같은 국재 표면 플라즈몬 공명에서 기인하는 흡수를 갖는 물질은, 입경을 크게 하면 적외광의 흡수가 약화되어도 강화되지는 않는다고 생각되었다. 그런데 본 발명의 발명자들의 검토에 의하면, 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 이상인 텅스텐 화합물 입자를 함유하는 광열 변환층은 근적외 영역의 광의 흡수가 특히 강화되어 있다. 종래의 상식에 반하는 상기 현상의 원인은 명확하지는 않지만, 본 발명자들은 텅스텐 화합물 입자의 표면 부근의 열화에서 기인되는 것으로 생각하고 있다. 이 점에 대하여 이하에 설명한다.It has been considered that a material having absorption due to the local surface plasmon resonance such as tungsten oxide particles, which are conventional tungsten compound particles or composite tungsten oxide particles, is not strengthened even if absorption of infrared light is weakened by increasing the particle diameter. According to a study by the inventors of the present invention, the photo-thermal conversion layer containing tungsten compound particles having a volume average particle diameter of 35 nm or more has particularly enhanced absorption of light in the near-infrared region. The cause of the above-mentioned phenomenon contrary to the conventional sense is not clear, but the present inventors think that it is caused by deterioration in the vicinity of the surface of the tungsten compound particles. This point will be described below.

텅스텐 화합물 입자의 최표면은 산소 결함, 도프 원소의 탈리나 결정 구조의 표면 완화의 영향을 받아, 벌크의 텅스텐 화합물 입자와는 상이한 불완전한 결정 구조를 최표면에서 내측으로 수 원자 ∼ 십수 원자분의 영역에 갖는 것으로 생각된다. 그리고 텅스텐 화합물 입자의 입자경이 커질수록, 텅스텐 화합물 입자 중에서 이 근적외 영역의 광의 흡수에 거의 기여하지 않는 최표면의 불완전 영역이 차지하는 비율은 작아져 단위 중량당 흡수가 커지는 것으로 생각된다. 이 때문에, 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경을 35 ㎚ 이상으로 함으로써, 그 최표면의 불완전 영역의 비율을 작게 할 수 있어 근적외 영역의 광의 흡수를 강화할 수 있는 것으로 생각된다.The outermost surface of the tungsten compound particles is affected by oxygen defects, desorption of the doping element, and surface relaxation of the crystal structure, and an incomplete crystal structure different from that of the bulk tungsten compound particles is formed in the region from several atom to ten atoms . The larger the particle diameter of the tungsten compound particles, the smaller the ratio of the incomplete area on the outermost surface of the tungsten compound particles that does not substantially contribute to the absorption of light in the near infrared region, and the larger is the absorption per unit weight. Therefore, by setting the volume average particle diameter of the tungsten compound particles to 35 nm or more, it is possible to reduce the ratio of the incomplete area of the outermost surface, thereby enhancing the absorption of light in the near infrared region.

한편 본 발명의 발명자들은, 체적 평균 입자경이 500 ㎚ 보다 크면, 국재 표면 플라즈몬 공명이 약화되어 단위 중량당 광 흡수가 오히려 약해지는 경우가 있고, 또 광 산란이 커져 가시광의 투과성을 해칠 우려가 있는 것을 동시에 지견하였다. 이 때문에, 본 실시형태의 광열 변환층에 있어서는, 상기 서술한 바와 같이 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경은 500 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.On the other hand, the inventors of the present invention have found that when the volume average particle diameter is larger than 500 nm, the local surface plasmon resonance is weakened, so that the light absorption per unit weight is rather weak and the light scattering becomes large, At the same time. Therefore, in the photo-thermal conversion layer of the present embodiment, it is preferable that the volume average particle diameter of the tungsten compound particles is 500 nm or less as described above.

상기 서술한 바와 같이 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인 텅스텐 화합물 입자는 단위 중량당 근적외 영역의 광의 흡수 특성이 우수하다. 이 때문에, 광열 변환층에 근적외 영역의 광에 대하여 충분한 흡수를 나타내는 양의 텅스텐 화합물 입자를 첨가하는 경우에도 광열 변환층의 두께를 얇게 할 수 있다.As described above, the tungsten compound particles having a volume average particle diameter of 35 nm or more and 500 nm or less are excellent in light absorption characteristics in the near infrared region per unit weight. Therefore, even when an amount of tungsten compound particles exhibiting sufficient absorption in the near infrared region is added to the photo-thermal conversion layer, the thickness of the photo-thermal conversion layer can be reduced.

또, 이러한 텅스텐 화합물 입자를 함유하는 광열 변환층은 가시 영역에 큰 투과성을 가진다. 이 때문에, 예를 들어 이러한 광열 변환층을 도너 시트 등에 적용한 경우에도 육안이나 가시광 센서 등에 의한 결함의 검출이 매우 용이하게 가능해진다.The photo-thermal conversion layer containing such tungsten compound particles has high transmittance in the visible region. For this reason, even when such a photo-thermal conversion layer is applied to a donor sheet or the like, it is very easy to detect defects by the naked eye or a visible light sensor.

상기 서술한 바와 같이, 텅스텐 화합물 입자로는, 텅스텐 산화물 입자 및/또는 복합 텅스텐 산화물 입자를 바람직하게 사용할 수 있으며, 텅스텐 화합물 입자로는 1 종류의 재료에 한정되는 것은 아니고, 복수의 상이한 재료를 함유할 수 있다. 이 때문에 텅스텐 화합물 입자는, 예를 들어 텅스텐 산화물 입자와 복합 텅스텐 산화물 입자를 동시에 함유하고 있어도 된다. 또, 텅스텐 화합물 입자는, 텅스텐 산화물 입자와 복합 텅스텐 산화물 입자의 어느 일방만을 함유하고 있어도 된다. 단, 복합 텅스텐 산화물 입자가 텅스텐 산화물 입자보다 가시광의 투과율과 근적외의 광의 흡수가 우수한 점이 많기 때문에, 텅스텐 화합물 입자는 복합 텅스텐 산화물 입자를 함유하고 있는 것이 바람직하다.As described above, as the tungsten compound particles, tungsten oxide particles and / or composite tungsten oxide particles can be preferably used. The tungsten compound particles are not limited to one kind of material, but may contain a plurality of different materials can do. For this reason, the tungsten compound particles may contain, for example, tungsten oxide particles and composite tungsten oxide particles at the same time. The tungsten compound particles may contain only either one of tungsten oxide particles and composite tungsten oxide particles. However, since the composite tungsten oxide particles are superior in transmittance of visible light and absorption of near-infrared light than tungsten oxide particles, it is preferable that the tungsten compound particles contain the composite tungsten oxide particles.

텅스텐 화합물 입자의 구체적인 조성 등은 한정되는 것은 아니다. 단, 텅스텐 화합물 입자는 화학식이 WyOz (2.2≤z/y<3.0) 로 나타내어지는 텅스텐 산화물 입자와, 화학식이 MxWyOz (단, M 은 H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 원소, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi, I 중에서 선택되는 1 종류 이상의 원소, 0.001≤x/y≤0.8, 2.2≤z/y≤3.0) 로 나타내어지는 복합 텅스텐 산화물 입자에서 선택되는 1 종류 이상인 것이 보다 바람직하다.The specific composition of the tungsten compound particles is not limited. However, the tungsten compound particle is a tungsten oxide particle represented by the formula W y O z (2.2? Z / y < 3.0) and a tungsten oxide particle represented by the formula M x W y O z (wherein M is H, He, A rare earth element, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, , At least one element selected from among Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, x / y? 0.8, and 2.2? z / y? 3.0), more preferably at least one kind selected from the group consisting of composite tungsten oxide particles.

화학식 WyOz 로 나타내는 텅스텐 산화물 입자에 대하여 설명한다. 또한, 화학식 WyOz 중 W 는 텅스텐, O 는 산소를 나타내고 있다.The tungsten oxide particles represented by the formula W y O z will be described. In the formula W y O z , W represents tungsten and O represents oxygen.

일반적으로 삼산화텅스텐 (WO3) 중에는 유효한 자유 전자가 존재하지 않기 때문에 근적외 영역의 흡수 반사 특성이 적어, 적외선 흡수성 입자로는 충분한 기능을 발휘하지 않는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 발명자들의 검토에 의하면, 삼산화텅스텐의 텅스텐에 대한 산소의 비율을 3 보다 저감시킴으로써, 즉 상기 서술한 식에 있어서 z/y<3.0 으로 함으로써, 당해 텅스텐 산화물 중에 자유 전자를 생성할 수 있다. 이 때문에, 효율이 양호한 적외선 흡수성 입자로 할 수 있다.In general, since tungsten trioxide (WO 3 ) does not have effective free electrons, its absorption and reflection characteristics in the near infrared region are small, and the infrared absorbing particles may not exhibit sufficient functions. However, according to the study by the inventors of the present invention, by reducing the ratio of oxygen to tungsten in tungsten trioxide to less than 3, that is, by setting z / y <3.0 in the above-described formula, free electrons are generated in the tungsten oxide . For this reason, infrared absorbing particles having good efficiency can be obtained.

또, WO2 의 결정상은 가시 영역의 광에 대하여 흡수나 산란을 일으키게 하여 근적외 영역의 광의 흡수를 저하시킬 우려가 있다. 그래서, 상기 서술한 바와 같이 텅스텐 산화물 입자에 대하여 2.2≤z/y 로 함으로써, WO2 의 결정상이 생기는 것을 억제하는 것이 바람직하다. 또, z/y 를 상기 범위로 함으로써 재료로서의 화학적 안정성을 얻을 수 있고, 유효한 적외선 흡수성 입자로서 적용할 수 있기 때문에 바람직하다.In addition, the crystal phase of WO 2 causes absorption or scattering of light in the visible region, and there is a fear that the absorption of light in the near-infrared region is lowered. Therefore, as described above, it is preferable to suppress the generation of a crystalline phase of WO 2 by making 2.2? Z / y for the tungsten oxide particles. It is preferable to set z / y within the above range because chemical stability as a material can be obtained and applicable as effective infrared absorbing particles.

이 때문에, 텅스텐 산화물 입자 WyOz 에 있어서는, 2.2≤z/y<3.0 의 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.Therefore, in the tungsten oxide particles W y O z , it is preferable that the relationship of 2.2? Z / y &lt; 3.0 is satisfied.

또한, 일반식 WyOz 로 했을 때 2.45≤z/y<3.0 으로 나타내는 조성비를 갖는, 소위 「매그넬리상」은 화학적으로 안정적이며, 근적외 영역의 광의 흡수 특성도 양호하기 때문에, 적외선 흡수성 입자로서 바람직하다. 이 때문에, 텅스텐 산화물 입자 (WyOz) 에 대하여, 2.45≤z/y<3.0 의 관계를 만족시키는 것이 보다 바람직하다.The so-called &quot; Magneley phase &quot; having a composition ratio represented by the general formula W y O z of 2.45? Z / y &lt; 3.0 is chemically stable and has good absorption properties of light in the near infrared region, Particle. Therefore, it is more preferable to satisfy the relationship of 2.45? Z / y &lt; 3.0 with respect to the tungsten oxide particles (W y O z ).

다음으로, 화학식 MxWyOz 로 나타내는 복합 텅스텐 산화물 입자에 대하여 설명한다.Next, the composite tungsten oxide particles represented by the formula M x W y O z will be described.

텅스텐 화합물 입자로는, 상기 서술한 텅스텐 산화물에 추가로 원소 M 을 첨가한 복합 텅스텐 산화물 (MxWyOz) 을 사용할 수도 있다. 텅스텐 산화물에 원소 M 을 첨가하여 복합 텅스텐 산화물로 했을 경우, 당해 복합 텅스텐 산화물 중에 자유 전자가 생성되어, 근적외 영역에 자유 전자 유래의 보다 강한 흡수 특성이 발현된다. 이 때문에, 파장 1000 ㎚ 부근의 근적외선을 흡수하는 적외선 흡수성 재료로서 특히 유효해져 바람직하다.As the tungsten compound particles, a composite tungsten oxide (M x W y O z ) in which an element M is added in addition to the above-described tungsten oxide may also be used. When element M is added to tungsten oxide to form composite tungsten oxide, free electrons are generated in the composite tungsten oxide, and stronger absorption characteristics derived from free electrons are expressed in the near infrared region. For this reason, it is particularly effective as an infrared absorbing material for absorbing near infrared rays having a wavelength of about 1000 nm.

복합 텅스텐 산화물 입자를 나타내는 화학식 MxWyOz 중 W 는 텅스텐, O 는 산소를 나타내고 있다. 또, 상기 식 중의 원소 M 으로는 예를 들어, H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 원소, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Hf, Os, Bi, I 중에서 선택되는 1 종류 이상의 원소인 것이 바람직하다.In the formula M x W y O z representing the composite tungsten oxide particles, W represents tungsten and O represents oxygen. The element M in the above formula includes, for example, H, He, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth element, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Ta, Ti, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Re, Hf, Os, Bi, and I.

특히 원소 M 이 첨가된 당해 복합 텅스텐 산화물에 있어서의 안정성의 관점에서, 원소 M 은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 원소, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Hf, Os, Bi, I 중에서 선택되는 1 종류 이상의 원소인 것이 보다 바람직하다.In particular, from the viewpoint of stability in the composite tungsten oxide to which the element M is added, the element M is an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth element, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ti, Nb, V, Pb, Sb, B, F, P, Sb, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Mo, Ta, Re, Hf, Os, Bi, and I.

복합 텅스텐 산화물 입자의 적외선 흡수성 입자로서의 광학 특성, 내후성을 향상시키는 관점에서는, 상기 서술한 원소 M 으로서 보다 바람직한 원소 중, 알칼리 금속, 알칼리 토금속 원소, 천이 금속 원소 (희토류 원소, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Hf, Os) 에 속하는 것이 더욱 바람직하다.(Rare-earth element, Zr, Cr, Mn, or the like) among the more preferable elements as the above-described element M from the viewpoint of improving the optical characteristics and the weather resistance of the composite tungsten oxide particle as the infrared- And more preferably belong to Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Hf and Os.

복합 텅스텐 산화물에 대해서는, 텅스텐 산화물에 있어서 설명한 산소량의 제어와, 자유 전자를 생성하는 원소 M 의 첨가를 병용함으로써, 보다 효율이 양호한 적외선 흡수 재료를 얻을 수 있다. 산소량의 제어와, 자유 전자를 생성하는 원소 M 의 첨가를 병용했을 경우, 복합 텅스텐 산화물을 나타내는 화학식 MxWyOz 에 있어서, 0.001≤x/y≤0.8, 2.2≤z/y≤3.0 의 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.With respect to the composite tungsten oxide, by using the control of the oxygen amount described in the tungsten oxide and the addition of the element M for generating free electrons, a more excellent infrared absorbing material can be obtained. When the control of the amount of oxygen and the addition of the element M that generates the free electrons are used in combination, it is preferable that 0.001? X / y? 0.8 and 2.2? Z / y? 3.0 in the formula M x W y O z representing the complex tungsten oxide It is preferable to satisfy the relationship.

여기서, 상기 서술한 복합 텅스텐 산화물의 화학식 중의 원소 M 의 첨가량을 나타내는 x/y 의 값에 대하여 설명한다. x/y 의 값이 0.001 이상인 경우, 충분한 양의 자유 전자가 생성되어, 목적으로 하는 적외선 흡수 효과를 얻을 수 있기 때문에 바람직하다. 그리고, 원소 M 의 첨가량이 많을수록 자유 전자의 공급량이 증가하여 적외선 흡수 효율도 상승하는데, x/y 의 값이 0.8 정도에서 당해 효과도 포화된다. 또, x/y 의 값이 0.8 이하이면, 당해 적외선 흡수 재료 중에 불순물상이 생성되는 것을 회피할 수 있으므로 바람직하다.Here, the value of x / y representing the addition amount of the element M in the formula of the above-described composite tungsten oxide will be described. When the value of x / y is 0.001 or more, a sufficient amount of free electrons is generated and the desired infrared absorption effect can be obtained. As the addition amount of the element M increases, the supply amount of the free electrons increases and the infrared absorption efficiency increases. When the value of x / y is about 0.8, the effect is also saturated. When the value of x / y is 0.8 or less, the formation of an impurity phase in the infrared absorbing material can be avoided.

다음으로, 산소량의 제어를 나타내는 z/y 의 값에 대하여 설명한다. z/y 의 값에 대해서는, MxWyOz 로 표기되는 적외선 흡수 재료에 있어서도, 상기 서술한 WyOz 로 표기되는 적외선 흡수 재료와 동일한 기구가 작용하는 것과 더불어, z/y=3.0 에 있어서도 상기 서술한 원소 M 의 첨가량에 의한 자유 전자의 공급이 있다. 이 때문에, 2.2≤z/y≤3.0 이 바람직하다.Next, the value of z / y representing the control of the oxygen amount will be described. With regard to the value of z / y, in the infrared absorbing material represented by M x W y O z , the same mechanism as that of the infrared absorbing material represented by W y O z described above works, and z / y = 3.0 There is a supply of free electrons by the addition amount of the element M described above. Therefore, 2.2? Z / y? 3.0 is preferable.

복합 텅스텐 산화물 입자에 함유되는 복합 텅스텐 산화물의 결정 구조는 특별히 한정되는 것은 아니고, 임의의 결정 구조의 복합 텅스텐 산화물을 함유할 수 있다. 단, 복합 텅스텐 산화물 입자에 함유되는 복합 텅스텐 산화물이 육방정의 결정 구조를 갖는 경우, 당해 입자의 가시 영역의 광의 투과율, 및 근적외 영역의 광의 흡수가 특히 향상되기 때문에 바람직하다.The crystal structure of the composite tungsten oxide contained in the composite tungsten oxide particles is not particularly limited and may contain a composite tungsten oxide having an arbitrary crystal structure. However, when the composite tungsten oxide contained in the composite tungsten oxide particle has a hexagonal crystal structure, the transmittance of light in the visible region of the particle and the absorption of light in the near-infrared region are particularly improved.

이러한 육방정의 결정 구조의 모식적인 평면도를 도 1 에 나타낸다. 도 1 에 있어서, 부호 11 로 나타내는 WO6 단위에 의해 형성되는 팔면체가 6 개 집합하여 육각형의 공극 (터널) 이 구성되어 있다. 그리고, 당해 공극 중에 부호 12 로 나타내는 원소 M 을 배치하여 하나의 단위를 구성하고, 이 하나의 단위가 다수 집합하여 육방정의 결정 구조를 구성한다.A schematic plan view of such a hexagonal crystal structure is shown in Fig. In Fig. 1, six octahedral bodies formed by WO 6 units denoted by reference numeral 11 are assembled to form hexagonal voids (tunnels). An element M represented by the symbol 12 is arranged in the pores to constitute one unit, and a plurality of such units are assembled to constitute a hexagonal crystal structure.

이와 같이, 복합 텅스텐 산화물 입자가 WO6 단위로 형성되는 팔면체가 6 개 집합하여 육각형의 공극이 구성되고, 그 공극 중에 원소 M 을 배치한 단위 구조를 포함하는 복합 텅스텐 산화물을 함유하는 경우, 가시 영역의 광의 투과율 및 근적외 영역의 광의 흡수를 특히 향상시킬 수 있다. 또한, 복합 텅스텐 산화물 입자 전체가 도 1 에 나타낸 구조를 갖는 결정질의 복합 텅스텐 산화물 입자에 의해 구성되어 있을 필요는 없고, 예를 들어 국소적으로 이러한 구조를 갖는 경우라도 가시 영역의 광의 투과율 및 근적외 영역의 광의 흡수를 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 이 때문에, 복합 텅스텐 산화물 입자 전체적으로는 결정질이어도 되고 비정질이어도 된다.In this manner, when hexagonal voids are formed by assembling six octahedral bodies in which the composite tungsten oxide particles are formed in WO 6 units and a composite tungsten oxide containing a unit structure in which the element M is disposed in the voids, And the absorption of light in the near-infrared region can be particularly improved. Further, the composite tungsten oxide particles do not need to be composed of the crystalline composite tungsten oxide particles having the structure shown in Fig. 1. For example, even when the composite tungsten oxide particles have such a structure locally, the transmittance of light in the visible region, It is possible to obtain an effect of improving absorption of light in the region. Therefore, the composite tungsten oxide particle as a whole may be crystalline or amorphous.

그리고, 복합 텅스텐 산화물의 원소 M 으로서, 이온 반경이 큰 원소 M 을 첨가했을 때에 상기 서술한 육방정이 형성되기 쉽다. 구체적으로는 원소 M 으로서 예를 들어 Cs, Rb, K, Tl, In, Ba, Li, Ca, Sr, Fe, Sn 중 1 종류 이상을 첨가했을 때 육방정이 형성되기 쉽다. 또한, 육방정이 형성되기 위해서는, 이들 이외의 원소라도 WO6 단위로 형성되는 육각형의 공극에 원소 M 이 존재하면 되고, 원소 M 으로서 상기 원소를 첨가한 경우에 한정되는 것은 아니다.When the element M having a large ionic radius is added as the element M of the complex tungsten oxide, the hexagonal crystal described above tends to be formed. Concretely, hexagonal crystal is likely to be formed when at least one of Cs, Rb, K, Tl, In, Ba, Li, Ca, Sr, Fe and Sn is added as the element M. Further, in order to form a hexagonal crystal, the element M must be present in hexagonal pores formed by WO 6 units even if other elements are present, and the present invention is not limited to the case where the element M is added as the element M.

복합 텅스텐 산화물 입자에 함유되는 복합 텅스텐 산화물의 결정 구조를 균일한 육방정으로 하는 경우, 원소 M 의 첨가량은 x/y 의 값으로 0.20 이상 0.50 이하가 바람직하고, 0.25 이상 0.40 이하인 것이 더욱 바람직하다. z/y 에 대해서는 이미 서술한 바와 같이, 2.2≤z/y≤3.0 으로 하는 것이 바람직하다. 또한, z/y=3.0 일 때, x/y 의 값이 0.33 이 됨으로써, 원소 M 이 육각형의 공극 모두에 배치되는 것으로 생각된다.When the crystal structure of the composite tungsten oxide contained in the composite tungsten oxide particle is made uniform hexagonal crystal, the addition amount of the element M is preferably 0.20 or more and 0.50 or less and more preferably 0.25 or more and 0.40 or less in terms of x / y. z / y is preferably 2.2? z / y? 3.0 as described above. Further, when z / y = 3.0, it is considered that the value of x / y is 0.33, whereby the element M is disposed in all hexagonal voids.

또, 복합 텅스텐 산화물 입자에 함유되는 복합 텅스텐 산화물은, 상기 서술한 육방정 이외에 정방정, 입방정의 텅스텐 브론즈의 구조를 취할 수도 있으며, 이러한 구조의 복합 텅스텐 산화물도 적외선 흡수 재료로서 유효하다. 복합 텅스텐 산화물은 그 결정 구조에 따라 근적외 영역의 흡수 위치가 변화하는 경향이 있다. 예를 들어, 근적외 영역의 흡수 위치는, 입방정보다 정방정일 때가 장파장측으로 이동하고, 또한 육방정일 때는 정방정일 때보다 장파장측으로 이동하는 경향이 있다. 또, 당해 흡수 위치의 변동에 부수하여, 가시 영역의 광의 흡수는 육방정이 가장 적고, 다음으로 정방정이며, 입방정은 이들 중에서는 가시 영역의 광의 흡수가 가장 크다. 따라서, 가시 영역의 광의 투과율이 높고, 근적외 영역의 광의 흡수율이 높은 것이 요구되는 용도에는, 육방정의 텅스텐 브론즈를 사용하는 것이 바람직하다. 단, 여기서 서술한 광학 특성의 경향은 어디까지나 대략적인 경향으로, 첨가한 원소 M 의 종류나 첨가량, 산소량에 따라 변화하기도 한다. 이 때문에, 본 실시형태의 광열 변환층에 사용하는 적외 흡수성 입자의 재료가 이것에 한정되는 것은 아니다.The composite tungsten oxide contained in the composite tungsten oxide particles may have a structure of tetragonal or cubic tungsten bronze in addition to the hexagonal crystal described above, and the composite tungsten oxide having such a structure is also effective as an infrared absorbing material. The composite tungsten oxide tends to change its absorption position in the near infrared region depending on its crystal structure. For example, the absorption position of the near infrared region tends to move to the long wavelength side when it is tetragonal rather than cubic, and to the long wavelength side when it is hexagonal. In addition to the fluctuation of the absorption position, the absorption of light in the visible region is the least, and the cubic crystal is the most tetragonal, and the cubic crystal has the largest absorption of light in the visible region among these. Therefore, it is preferable to use hexagonal tungsten bronze for applications in which the transmittance of light in the visible region is high and the light absorption rate in the near infrared region is required to be high. However, the tendency of the optical characteristics described here is a rough tendency, and may vary depending on the kind of the added element M, the addition amount, and the oxygen amount. For this reason, the material of the infrared absorbing particle used in the photo-thermal conversion layer of the present embodiment is not limited thereto.

본 실시형태의 광열 변환층에 사용할 수 있는 복합 텅스텐 산화물 입자에 함유되는 복합 텅스텐 산화물의 결정 구조는 상기 서술한 바와 같이 한정되지 않고, 예를 들어 상이한 결정 구조의 복합 텅스텐 산화물을 동시에 함유하고 있어도 된다.The crystal structure of the composite tungsten oxide contained in the composite tungsten oxide particle that can be used for the photo-thermal conversion layer of the present embodiment is not limited to the above-described crystal structure and may include, for example, a composite tungsten oxide having a different crystal structure .

단, 상기 서술한 바와 같이 육방정의 복합 텅스텐 산화물 입자는 가시광의 투과율과 근적외의 광의 흡수를 높일 수 있기 때문에, 본 실시형태의 광열 변환층에 사용하는 텅스텐 화합물 입자로서 특히 바람직하게 사용할 수 있다. 그리고, 원소 M 으로서 예를 들어 세슘을 사용한 경우, 복합 텅스텐 산화물의 결정 구조가 육방정이 되기 쉬운 점에서, 복합 텅스텐 산화물 입자로서 육방정 세슘 산화텅스텐 입자를 보다 바람직하게 사용할 수 있다.However, as described above, the hexagonal-definite complex tungsten oxide particles can be particularly preferably used as the tungsten compound particles used in the photo-thermal conversion layer of the present embodiment, since the transmittance of visible light and the absorption of near-infrared light can be increased. When cesium is used as the element M, hexagonal cesium tungsten oxide particles can be more preferably used as the composite tungsten oxide particles since the crystal structure of the composite tungsten oxide tends to be hexagonal.

또, 이미 서술한 바와 같이 텅스텐 화합물 입자로서 복합 텅스텐 산화물 입자를 보다 바람직하게 사용할 수 있는 점에서, 텅스텐 화합물 입자로서 육방정 세슘 산화텅스텐 입자를 사용하는 것이 특히 바람직하다.It is particularly preferable to use hexagonal cesium oxide tungsten particles as the tungsten compound particles because the composite tungsten oxide particles can more preferably be used as the tungsten compound particles as described above.

본 발명의 발명자들의 검토에 의하면, 육방정 세슘 산화텅스텐 입자는 파장 1000 ㎚ 근방의 광에 대하여 몰 흡광 계수가 매우 높다. 또한, 가시 영역의 광의 투과율이 높고, 적외 영역, 특히 근적외 영역의 광의 투과율이 낮기 때문에, 가시 영역의 광의 투과율과 적외 영역의 광의 투과율의 콘트라스트가 크다. 따라서, 광열 변환층에 육방정 세슘 산화텅스텐 입자를 근적외 영역의 광을 흡수하기 위해서 충분한 양을 첨가한 경우라도, 특히 가시 영역의 광의 투과율을 높게 유지할 수 있어 텅스텐 화합물 입자로서 특히 바람직하게 사용할 수 있다.According to a study by the inventors of the present invention, hexacystic cesium oxide tungsten particles have a very high molar extinction coefficient with respect to light near a wavelength of 1000 nm. Further, since the transmittance of light in the visible region is high and the transmittance of light in the infrared region, particularly near infrared region, is low, the contrast of the light transmittance in the visible region and the light transmittance in the infrared region is large. Therefore, even when a sufficient amount of hexagonal cesium oxide-tungsten oxide particles for absorbing light in the near infrared region is added to the photo-thermal conversion layer, the transmittance of light in the visible region can be kept high, have.

다음으로 바인더 성분에 대하여 설명한다.Next, the binder component will be described.

바인더 성분으로는 특별히 한정되는 것은 아니고, 임의의 바인더 성분을 사용할 수 있다. 단, 본 실시형태에 있어서는 가시광 투과성을 구비한 광열 변환층을 제공하는 것을 목적으로 하는 점에서, 고체상으로 되었을 경우의 가시광 투과성이 우수한 바인더 성분을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 광열 변환층에 대하여 레이저광을 조사했을 경우에, 광열 변환층에 함유되는 적외선 흡수성 입자로서 기능하는 텅스텐 화합물 입자에 그 레이저광을 조사할 수 있도록, 적외 영역, 특히 근적외 영역의 광의 투과성도 우수한 바인더 성분을 사용하는 것이 바람직하다.The binder component is not particularly limited, and any binder component may be used. However, in the present embodiment, from the viewpoint of providing a photo-thermal conversion layer having visible light transmittance, it is preferable to use a binder component having excellent visible light transmittance when it becomes a solid phase. When laser light is irradiated to the photo-thermal conversion layer, the transmittance of light in the infrared region, particularly in the near infrared region, such that the laser light can be irradiated to the tungsten compound particles serving as the infrared absorbing particles contained in the photo- It is preferable to use an excellent binder component.

바인더 성분으로는 구체적으로는 예를 들어, UV 경화 수지 (자외선 경화 수지), 열 경화 수지, 전자선 경화 수지, 상온 경화 수지, 열가소 수지 등을 목적에 따라 선정 가능하다. 구체적으로는 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리염화비닐리덴 수지, 폴리비닐알코올 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 불소 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 단독 사용이어도 되고, 혼합 사용이어도 된다. 또, 바인더 성분으로서 금속 알콕시드의 이용도 가능하다. 금속 알콕시드로는 Si, Ti, Al, Zr 등의 알콕시드를 들 수 있다. 이들 금속 알콕시드를 사용한 바인더는, 가열 등에 의해 가수분해·축중합시킴으로써, 산화물막을 형성하는 것이 가능하다.As the binder component, for example, a UV curable resin (ultraviolet curable resin), a thermosetting resin, an electron beam curing resin, a room temperature curing resin, a thermoplastic resin and the like can be selected depending on the purpose. Specific examples thereof include polyethylene resins, polyvinyl chloride resins, polyvinylidene chloride resins, polyvinyl alcohol resins, polystyrene resins, polypropylene resins, ethylene vinyl acetate copolymers, polyester resins, polyethylene terephthalate resins, fluororesins, polycarbonate resins , Acrylic resin, polyvinyl butyral resin, and the like. These resins may be used alone or in combination. It is also possible to use a metal alkoxide as the binder component. Examples of the metal alkoxide include alkoxides such as Si, Ti, Al and Zr. The binder using these metal alkoxides can be hydrolyzed and condensed by heating to form an oxide film.

광열 변환층에 함유되는 텅스텐 화합물 입자와 바인더 성분의 비율은 특별히 한정되는 것은 아니고, 광열 변환층의 두께나, 광열 변환층에 요구되는 레이저광의 흡수 특성 등에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되는 것은 아니다. 단, 예를 들어 각종 용도에 있어서 광열 변환층을 사용할 때, 광열 변환층이 막의 형태를 유지할 수 있도록 텅스텐 화합물 입자와 바인더 성분의 비율을 선택하는 것이 바람직하다.The ratio of the tungsten compound particles to the binder component contained in the photo-thermal conversion layer is not particularly limited and may be arbitrarily selected depending on the thickness of the photo-thermal conversion layer, the absorption characteristics of laser light required for the photo-thermal conversion layer, and the like, and is not particularly limited . However, for example, when using a photo-thermal conversion layer in various applications, it is preferable to select the ratio of the tungsten compound particles and the binder component so that the photo-thermal conversion layer can maintain the film shape.

광열 변환층은, 상기 서술한 텅스텐 화합물 입자, 및 바인더 성분 이외에도 추가로 임의의 성분을 첨가할 수 있다. 예를 들어 적외선 흡수성의 입자로서 텅스텐 화합물 입자 이외의 성분을 첨가할 수도 있다. 단, 가시광의 투과성을 높여 근적외 영역의 광의 흡수를 충분히 높이기 위해서, 적외선 흡수성 입자로는 텅스텐 화합물 입자만을 함유하는 것이 바람직하다.In the photo-thermal conversion layer, in addition to the above-described tungsten compound particles and the binder component, an arbitrary component may be further added. For example, components other than the tungsten compound particles may be added as the infrared absorbing particles. However, it is preferable that the infrared absorbing particles contain only tungsten compound particles in order to enhance the transparency of visible light and sufficiently increase the absorption of light in the near infrared region.

또, 후술하는 바와 같이, 광열 변환층을 형성할 때, 광열 변환층의 원료가 되는 잉크에는 예를 들어 분산제나 용매 등을 첨가할 수 있고, 이들 성분이 잔류하여 광열 변환층에 함유되어 있어도 된다.Further, as described later, when forming the photo-thermal conversion layer, for example, a dispersant, a solvent and the like may be added to the ink serving as a raw material of the photo-thermal conversion layer, and these components may remain and be contained in the photo-thermal conversion layer .

그리고, 본 실시형태의 광열 변환층은, JIS R 3106 에 기초하여 산출되는 가시광 투과율이 50 % 이상인 것이 바람직하고, 60 % 이상인 것이 보다 바람직하고, 63 % 이상인 것이 더욱 바람직하다.The visible light transmittance of the photo-thermal conversion layer of the present embodiment calculated based on JIS R 3106 is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and still more preferably 63% or more.

광열 변환층의 가시광 투과율이 50 % 이상인 경우, 광열 변환층의 투명성을 충분히 높일 수 있다. 이 때문에, 예를 들어 도너 시트의 필름 기재 상에 광열 변환층, 피전사층을 형성했을 경우에, 필름 기재, 광열 변환층을 개재하여 피전사층 등을 시인하는 것이 가능해져 바람직하다.When the visible light transmittance of the photo-thermal conversion layer is 50% or more, the transparency of the photo-thermal conversion layer can be sufficiently enhanced. Therefore, for example, when a photo-thermal conversion layer and an image receiving layer are formed on a film substrate of a donor sheet, the image receiving layer and the like can be visually recognized via the film base and the photo-thermal conversion layer.

또, 본 실시형태의 광열 변환층은, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율이 10 % 이하인 것이 바람직하고, 9 % 이하인 것이 보다 바람직하다.In the photo-thermal conversion layer of the present embodiment, the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm is preferably 10% or less, more preferably 9% or less.

이는 예를 들어 도너 시트에 있어서 피전사층을 전사할 때에는 주로 근적외 영역, 특히 파장 1000 ㎚ 근방의 파장을 갖는 레이저광이 이용되고 있다. 이 때문에, 광열 변환층은 이러한 영역의 광의 흡수율이 높은 것이 바람직하다. 즉, 이러한 영역의 광의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 그리고, 파장 1000 ㎚ 이하의 광의 투과율이 10 % 이하인 경우, 광열 변환층은 파장 1000 ㎚ 근방의 광을 충분히 흡수하여 열을 발생시킬 수 있기 때문에 바람직하다.This is because, for example, laser light having a wavelength in the near infrared region, especially near the wavelength 1000 nm, is used when transferring the transfer layer in the donor sheet. Therefore, it is preferable that the photo-thermal conversion layer has a high absorption rate of light in this region. That is, it is preferable that the transmittance of light in this region is low. When the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm or less is 10% or less, the photo-thermal conversion layer is preferable because it can sufficiently absorb light near a wavelength of 1000 nm to generate heat.

광열 변환층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 광열 변환층에 첨가한 텅스텐 화합물 입자의 적외선의 흡수 특성, 광열 변환층 내의 텅스텐 화합물 입자의 충전 밀도, 요구되는 가시광 투과율, 파장 1000 ㎚ 이하의 광의 투과율 정도 등에 따라 임의로 선택할 수 있다.The thickness of the photo-thermal conversion layer is not particularly limited, and the infrared absorption characteristics of the tungsten compound particles added to the photo-thermal conversion layer, the filling density of the tungsten compound particles in the photo-thermal conversion layer, the required visible light transmittance, And the like.

단, 광열 변환층의 두께는 예를 들어 5 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 3 ㎛ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 이는 광열 변환층의 두께가 두꺼워지면, 광열 변환층에 레이저광을 조사했을 때에 생긴 열이 확산되기 쉬워지기 때문이다. 예를 들어 도너 시트의 광열 변환층으로서 사용한 경우, 레이저광을 조사한 점에서 면내 방향으로 열이 확산되면, 레이저광을 조사하고 있지 않는 부분에 대해서도 피전사층이 박리되어 전사될 우려가 있어 바람직하지 않기 때문이다.However, the thickness of the photo-thermal conversion layer is preferably 5 占 퐉 or less, for example, and more preferably 3 占 퐉 or less. This is because if the thickness of the photo-thermal conversion layer is increased, the heat generated when the laser light is irradiated to the photo-thermal conversion layer is likely to diffuse. For example, when used as a photo-thermal conversion layer of a donor sheet, if heat is diffused in the in-plane direction from the point of irradiation with laser light, the layer to be transferred may be peeled off and transferred to a portion not irradiated with laser light, It is not.

광열 변환층의 두께의 하한치는 특별히 한정되는 것은 아니고, 텅스텐 화합물 입자의 적외선 흡수 특성 등에 따라 임의로 선택할 수 있다. 이 때문에, 광열 변환층의 두께는 0 보다 크면 되지만, 500 ㎚ 이상인 것이 바람직하고, 1 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 이는 광열 변환층의 두께가 얇아지면, 레이저광을 조사했을 때에 생기는 열량을 소정치 이상으로 하기 위해서는, 광열 변환층 내에 충전되는 텅스텐 화합물 입자의 충전 밀도를 높일 필요가 생겨 막의 형상을 유지하는 것이 곤란해질 우려가 있기 때문이다.The lower limit of the thickness of the photo-thermal conversion layer is not particularly limited, and may be arbitrarily selected depending on the infrared absorption characteristics of the tungsten compound particles. For this reason, the thickness of the photo-thermal conversion layer may be larger than 0, but it is preferably 500 nm or more, more preferably 1 占 퐉 or more. If the thickness of the photo-thermal conversion layer is reduced, it is necessary to increase the filling density of the tungsten compound particles to be filled in the photo-thermal conversion layer to make the amount of heat generated when the laser light is irradiated to be not less than a predetermined value, This is because of concerns.

다음으로 광열 변환층의 제조 방법의 일 구성예에 대하여 설명한다.Next, a structural example of a method for manufacturing a photo-thermal conversion layer will be described.

상기 서술한 광열 변환층은, 예를 들어 텅스텐 화합물 입자, 분산제, 용매, 및 바인더 성분을 함유하는 잉크를 기재 상에 도포하고, 도포한 잉크를 건조시킨 후, 건조시킨 잉크를 경화시킴으로써 형성할 수 있다.The above-described photothermal conversion layer can be formed, for example, by applying an ink containing tungsten compound particles, a dispersant, a solvent and a binder component on a substrate, drying the applied ink, and then curing the dried ink have.

또한, 텅스텐 화합물 입자, 분산제, 용매, 및 바인더 성분을 함유하는 잉크를 도포하는 기재로는, 예를 들어 필름 기재를 함유하는 기재인 것이 바람직하다. 이 때문에, 기재는 필름 기재만으로 구성할 수도 있지만, 필름 기재 상에 임의의 층을 형성한 기재, 예를 들어 필름 기재의 잉크를 도포하는 측의 면에 중간층이 형성된 기재를 사용할 수도 있다.Further, as the substrate to which the ink containing the tungsten compound particles, the dispersant, the solvent, and the binder component is applied, it is preferable that the substrate is a substrate containing, for example, a film substrate. For this reason, the base material may be composed of only the film base material, but a base material on which an arbitrary layer is formed on the film base material, for example, a substrate having an intermediate layer formed on the side of the film base material side to which the ink is applied may also be used.

따라서, 텅스텐 화합물 입자, 분산제, 용매, 및 바인더 성분을 함유하는 잉크를 기재 상에 도포한다는 것은, 상기 서술한 잉크를 필름 기재 상에 직접 도포하는 경우에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 필름 기재 상에 후술하는 중간층 등을 형성하고, 필름 기재 상에 형성된 그 중간층 상에 이러한 잉크를 도포하는 경우도 포함한다. 이와 같이 필름 기재 상에 임의의 층을 배치한 경우도, 잉크를 도포 후, 잉크를 건조, 경화시킴으로써 광열 변환층을 형성할 수 있다.Therefore, the application of the ink containing the tungsten compound particles, the dispersant, the solvent, and the binder component onto the substrate is not limited to the case where the ink described above is directly applied onto the film substrate. For example, an intermediate layer or the like to be described later is formed on a film substrate, and the ink is applied on the intermediate layer formed on the film substrate. In the case where an arbitrary layer is disposed on the film substrate as described above, the photo-thermal conversion layer can be formed by applying ink and then drying and curing the ink.

광열 변환층의 제조 방법은 예를 들어 이하의 공정을 가질 수 있다.The method of manufacturing the photo-thermal conversion layer may have the following steps, for example.

텅스텐 화합물 입자, 분산제, 용매, 및 바인더 성분을 함유하는 잉크를 기재 상에 도포하는 도포 공정.An ink containing a tungsten compound particle, a dispersant, a solvent, and a binder component is applied onto a substrate.

기재 상에 도포한 잉크를 건조시키는 건조 공정.A drying process for drying ink applied on a substrate.

건조 공정에서 건조시킨 잉크를 경화시키는 경화 공정.A curing process in which the ink dried in the drying process is cured.

여기서 우선 도포 공정에 대하여 설명한다.First, the coating process will be described.

도포 공정에서 사용하는 잉크는 상기 서술한 바와 같이, 텅스텐 화합물 입자, 분산제, 용매, 바인더 성분을 함유할 수 있다.The ink used in the coating step may contain tungsten compound particles, a dispersant, a solvent, and a binder component as described above.

텅스텐 화합물 입자, 및 바인더 성분에 대해서는 이미 설명했기 때문에 설명을 생략한다.The tungsten compound particles, and the binder component have already been described, so the explanation is omitted.

분산제는 잉크로 했을 때에 텅스텐 화합물 입자를 용매 중에서 안정적으로 분산시키기 위한 첨가제로, 공지된 각종 분산제를 사용할 수 있다. 예를 들어 아크릴계 고분자 분산제 등의 고분자계 분산제나 실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 알루미늄계 커플링제 등을 바람직하게 사용할 수 있다.The dispersing agent is an additive for stably dispersing the tungsten compound particles in a solvent when the ink is used, and various known dispersing agents can be used. For example, a polymer dispersant such as an acrylic polymer dispersant, a silane coupling agent, a titanate coupling agent, and an aluminum coupling agent can be preferably used.

용매는 잉크로 했을 경우에 텅스텐 화합물 입자를 분산시키기 위한 용매로, 알코올계, 케톤계, 탄화수소계, 글리콜계, 수계 등 다양한 것을 선택하는 것이 가능하다. 구체적으로는 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 벤질알코올, 디아세톤알코올 등의 알코올계 용제 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론 등의 케톤계 용제 ; 3-메틸-메톡시-프로피오네이트 등의 에스테르계 용제 ; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜이소프로필에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트 등의 글리콜 유도체 ; 포름아미드, N-메틸포름아미드, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드류 ; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류 ; 에틸렌클로라이드, 클로르벤젠 등의 할로겐화 탄화수소류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 극성이 낮은 유기 용제가 바람직하고, 특히 이소프로필알코올, 에탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 디메틸케톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 톨루엔, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아세트산n-부틸 등이 보다 바람직하다. 이들 용매는 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The solvent is a solvent for dispersing the tungsten compound particles when the ink is used, and it is possible to select a variety of solvents such as an alcohol type, a ketone type, a hydrocarbon type, a glycol type, and an aqueous type. Specific examples thereof include alcohol solvents such as methanol, ethanol, 1-propanol, isopropanol, butanol, pentanol, benzyl alcohol and diacetone alcohol; Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and isophorone; Ester solvents such as 3-methyl-methoxy-propionate; Glycol derivatives such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol isopropyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate and propylene glycol ethyl ether acetate; Amides such as formamide, N-methylformamide, dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; And halogenated hydrocarbons such as ethylene chloride and chlorobenzene. Of these, organic solvents having a low polarity are preferable, and particularly preferred are organic solvents such as isopropyl alcohol, ethanol, 1-methoxy-2-propanol, dimethyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, propylene glycol monomethyl ether acetate, -Butyl and the like are more preferable. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

분산제, 용매의 첨가량에 관해서도 특별히 한정되는 것은 아니고, 분산제에 대해서는 텅스텐 화합물 입자의 첨가량과 분산제의 분산 성능 등에 따라 임의로 그 첨가량을 선택할 수 있다. 또, 용매에 대해서는 기재 상에 잉크를 도포할 때의 작업성이나, 도포 후의 건조 공정에 필요로 하는 시간 등을 고려하여 임의로 그 첨가량을 선택할 수 있다.The amount of the dispersing agent and the solvent to be added is not particularly limited, and the amount of the dispersing agent to be added may be arbitrarily selected depending on the addition amount of the tungsten compound particles and the dispersing ability of the dispersing agent. The amount of the solvent to be added can be arbitrarily selected in consideration of the workability at the time of applying the ink on the substrate and the time required for the drying step after coating.

또, 잉크에는 상기 서술한 텅스텐 화합물 입자, 분산제, 용매, 바인더 성분 이외에도 필요에 따라 임의의 첨가 성분을 첨가할 수 있다. 예를 들어 텅스텐 화합물 입자의 분산성을 높이기 위해서, 계면활성제 등의 코팅 보조제를 첨가해도 된다.In addition to the tungsten compound particles, the dispersant, the solvent, and the binder component described above, optional additives may be added to the ink, if necessary. For example, in order to enhance the dispersibility of the tungsten compound particles, a coating aid such as a surfactant may be added.

잉크를 조제하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 상기 서술한 잉크의 원료가 되는 재료를 원하는 비율이 되도록 칭량, 혼합함으로써 조제할 수 있다.The method of preparing the ink is not particularly limited, and the ink can be prepared by weighing and mixing the materials to be the raw materials of the ink described above to a desired ratio.

예를 들어, 텅스텐 화합물 입자와 분산제와 용매를 미리 분쇄·분산함으로써 분산액을 조제한 후, 얻어진 분산액에 바인더 성분을 첨가하여 잉크로 할 수 있다. 텅스텐 화합물 입자와 분산제와 용매를 분쇄·분산하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 페인트 쉐이커나, 초음파 조사, 비즈 밀, 샌드 밀 등을 이용하여 실시할 수 있다.For example, it is possible to prepare a dispersion by previously pulverizing and dispersing tungsten compound particles, a dispersant and a solvent, and then adding a binder component to the obtained dispersion to prepare an ink. The method of pulverizing and dispersing the tungsten compound particles, the dispersant, and the solvent is not particularly limited, and can be carried out using, for example, a paint shaker, ultrasonic irradiation, a bead mill, or a sand mill.

분산액에 있어서의 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경은 35 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 35 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 35 ㎚ 이상 90 ㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The volume average particle diameter of the tungsten compound particles in the dispersion is preferably 35 nm or more and 500 nm or less, more preferably 35 nm or more and 150 nm or less, still more preferably 35 nm or more and 90 nm or less.

분산액과 바인더 성분을 혼합하여 잉크로 할 때에는, 양자가 서로 충분히 섞일 정도로 혼합하면 된다. 이로 인해, 분산액의 단계에서 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경을, 광열 변환층에 있어서 바람직한 체적 평균 입자경으로 하는 것이 바람직하기 때문이다.When the dispersion liquid and the binder component are mixed to form an ink, they may be mixed sufficiently to each other. This is because it is preferable to set the volume average particle diameter of the tungsten compound particles to the volume average particle diameter desired in the photo-thermal conversion layer in the step of the dispersion.

분산액과 바인더 성분을 혼합하는 방법도 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 분산액을 조제할 때에 사용한 분쇄·분산 수단과 동일한 수단을 이용하여 분산액과 바인더 성분을 혼합할 수도 있다. 단, 상기 서술한 바와 같이 잉크를 조제할 때에는, 분산액과 바인더 성분이 서로 충분히 섞일 정도로 혼합하면 되고, 분산액을 조제했을 때보다 혼합 시간은 짧게 할 수 있다.The method of mixing the dispersion and the binder component is not particularly limited, and the dispersion and the binder component may be mixed by using the same means as the pulverizing and dispersing means used for preparing the dispersion, for example. However, when the ink is prepared as described above, the dispersion liquid and the binder component may be sufficiently mixed so that the mixing time can be shortened compared to when the dispersion liquid is prepared.

잉크를 기재 상에 도포하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 바 코트법, 그라비아 코트법, 스프레이 코트법, 딥 코트법 등에 의해 도포할 수 있다.The method of applying the ink on the substrate is not particularly limited, and it can be applied by, for example, a bar coating method, a gravure coating method, a spray coating method, a dip coating method, or the like.

또한, 기재에 대해서는 이미 서술한 바와 같이 필름 기재를 포함할 수 있다. 필름 기재로는 특별히 한정되는 것은 아니고, 용도에 따라 임의의 필름 기재를 사용할 수 있다. 예를 들어 후술하는 도너 시트의 경우와 동일한 필름 기재를 사용할 수도 있다.The substrate may include a film substrate as described above. The film substrate is not particularly limited, and any film substrate may be used depending on the application. For example, the same film substrate as the donor sheet described later may be used.

건조 공정에 있어서 잉크를 건조시키는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 사용한 용매의 비점에 따라 가열 온도를 선택하여 건조시킬 수 있다.The method for drying the ink in the drying step is not particularly limited, and for example, the drying temperature can be selected according to the boiling point of the solvent used to dry the ink.

경화 공정에 있어서, 건조 공정에서 건조시킨 잉크를 경화시키는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 바인더 성분의 수지 등에 따른 방법으로 경화시킬 수 있다. 예를 들어, 바인더 성분이 자외선 경화 수지인 경우에는 자외선을 조사함으로써 경화시킬 수 있다. 또, 바인더 성분이 열 경화 수지인 경우에는, 경화 온도까지 승온시킴으로써 경화시킬 수 있다.In the curing step, the method of curing the ink dried in the drying step is not particularly limited, and can be cured by a method such as the resin of the binder component. For example, when the binder component is an ultraviolet curing resin, it can be cured by irradiating ultraviolet rays. When the binder component is a thermosetting resin, it can be cured by raising the temperature to the curing temperature.

이상에 설명한 본 실시형태의 광열 변환층에 의하면, 가시광 투과성이 우수한 광열 변환층으로 할 수 있다. 이 때문에, 본 실시형태의 광열 변환층을 도너 시트 등에 적용했을 경우, 육안이나 가시광 센서 등에 의해 결함을 매우 용이하게 검출할 수 있게 된다.According to the light-heat conversion layer of the present embodiment described above, a light-heat conversion layer having excellent visible light transmittance can be obtained. Therefore, when the photo-thermal conversion layer of the present embodiment is applied to a donor sheet or the like, defects can be detected very easily by naked eyes or a visible light sensor.

또, 본 실시형태의 광열 변환층은, 특히 근적외 영역의 광의 흡수 특성이 우수한 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인 텅스텐 화합물 입자를 함유하고 있다. 이 때문에, 광열 변환층에 근적외 영역의 광에 대하여 충분한 흡수를 나타내는 양의 텅스텐 화합물 입자를 첨가하는 경우에도 광열 변환층의 두께를 얇게 할 수 있다.The photo-thermal conversion layer of the present embodiment contains tungsten compound particles having a volume average particle diameter of 35 nm or more and 500 nm or less, particularly excellent in absorption characteristics of light in the near-infrared region. Therefore, even when an amount of tungsten compound particles exhibiting sufficient absorption in the near infrared region is added to the photo-thermal conversion layer, the thickness of the photo-thermal conversion layer can be reduced.

본 실시형태의 광열 변환층은, 레이저광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열 변환층이 요구되는 각종 용도에 사용할 수 있고, 그 용도는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 도너 시트의 광열 변환층으로서 바람직하게 사용할 수 있다.The photo-thermal conversion layer of the present embodiment can be used for various applications requiring a photo-thermal conversion layer that absorbs laser light to generate heat, and its application is not particularly limited. For example, a photo-thermal conversion layer of a donor sheet Can be preferably used.

(도너 시트) (Donor sheet)

다음으로, 본 실시형태의 도너 시트의 일 구성예에 대하여 설명한다.Next, a configuration example of the donor sheet of the present embodiment will be described.

본 실시형태의 도너 시트는, 지금까지 설명한 광열 변환층과 필름 기재와 피전사층을 가질 수 있다.The donor sheet of the present embodiment may have the photo-thermal conversion layer, the film base, and the transfer layer described so far.

도 2 에 도너 시트의 단면 구성예를 나타낸다. 도 2 에 나타낸 바와 같이 도너 시트 (20) 는, 예를 들어 필름 기재 (21) 의 일방의 면 (21A) 상에 텅스텐 화합물 입자 (221) 를 함유하는 광열 변환층 (22) 과 피전사층 (23) 을 적층한 구조를 가질 수 있다.Fig. 2 shows an example of the sectional configuration of the donor sheet. 2, the donor sheet 20 includes a photo-thermal conversion layer 22 containing tungsten compound particles 221 on the one surface 21A of the film base 21, 23) may be stacked.

여기서, 도 2 에 나타낸 도너 시트 (20) 의 각 층의 구성예에 대하여 설명한다.Here, a configuration example of each layer of the donor sheet 20 shown in Fig. 2 will be described.

우선, 필름 기재 (21) 에 대하여 설명한다.First, the film base 21 will be described.

필름 기재 (21) 는 광열 변환층 (22) 이나, 피전사층 (23) 을 지지하는 층이다. 그리고, 도너 시트 (20) 에 대하여 레이저광을 조사하는 경우, 예를 들어 파장 1000 ㎚ 근방의 레이저광을 필름 기재 (21) 의 타방의 면 (21B) 측으로부터 조사하게 된다. 이 때문에, 필름 기재 (21) 는 이러한 레이저광이 광열 변환층 (22) 까지 투과할 수 있도록, 적외 영역, 특히 근적외 영역의 광의 투과성이 우수한 것이 바람직하다. 또, 도너 시트 (20) 중의 예를 들어 이물질이나 도포 불균일 등의 결함을 육안이나 가시광 센서 등에 의해 검출할 수 있도록, 필름 기재 (21) 는 가시광의 투과성에 대해서도 우수한 것이 바람직하다.The film substrate 21 is a layer for supporting the photo-thermal conversion layer 22 and the transfer source layer 23. When laser light is irradiated to the donor sheet 20, for example, laser light having a wavelength of about 1000 nm is irradiated from the other surface 21B side of the film base 21. For this reason, it is preferable that the film base material 21 has excellent transmittance of light in the infrared region, particularly in the near infrared region, so that the laser beam can be transmitted to the photo-thermal conversion layer 22. It is preferable that the film base material 21 is excellent also in the transparency of visible light so that defects such as foreign substances or coating unevenness in the donor sheet 20 can be detected with naked eyes or a visible light sensor.

이 때문에, 필름 기재 (21) 로는 가시광, 및 적외 영역, 특히 근적외 영역의 광의 투과성이 우수한 재료를 바람직하게 사용할 수 있다. 구체적으로는 예를 들어, 유리나, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 아크릴, 우레탄, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 염화비닐, 불소 수지 등에서 선택되는 1 종 이상의 재료를 필름 기재 (21) 로서 사용할 수 있다.For this reason, as the film base 21, a material having excellent transparency to visible light and infrared region, particularly near-infrared region, can be preferably used. Concretely, for example, at least one material selected from glass, polyethylene terephthalate (PET), acrylic, urethane, polycarbonate, polyethylene, ethylene vinyl acetate copolymer, vinyl chloride, Can be used.

필름 기재 (21) 의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 필름 기재 (21) 에 사용하는 재료의 종류나, 도너 시트에 요구되는 가시광이나 적외광의 투과성 등에 따라 임의로 선택할 수 있다.The thickness of the film substrate 21 is not particularly limited and can be arbitrarily selected depending on the kind of the material used for the film substrate 21 and the transparency of visible light or infrared light required for the donor sheet.

필름 기재 (21) 의 두께는 예를 들어, 1 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 2 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 이는 필름 기재 (21) 의 두께를 200 ㎛ 이하로 함으로써, 가시광이나 적외광의 투과성을 높일 수 있어 바람직하기 때문이다. 또, 필름 기재 (21) 의 두께를 1 ㎛ 이상으로 함으로써 필름 기재 (21) 상에 형성된 광열 변환층 (22) 등을 지지하여, 도너 시트 (20) 가 파손되는 것을 특히 방지할 수 있기 때문이다.The thickness of the film substrate 21 is preferably 1 m or more and 200 m or less, for example, and more preferably 2 m or more and 50 m or less. This is because the thickness of the film base 21 is preferably 200 占 퐉 or less because the transmittance of visible light or infrared light can be increased. It is also possible to prevent the donor sheet 20 from being damaged by supporting the photo-thermal conversion layer 22 or the like formed on the film base 21 by setting the thickness of the film base 21 to 1 m or more .

광열 변환층 (22) 에 대해서는 이미 서술하였기 때문에 설명을 생략한다.Since the light-to-heat conversion layer 22 has already been described, the description is omitted.

피전사층 (23) 은, 도너 시트 (20) 에 레이저광을 조사함으로써 도너 시트 (20) 로부터 박리되어 전사되는 층으로, 그 구성은 특별히 한정되는 것은 아니고, 임의의 층으로 할 수 있다. 또, 도 2 에서는 피전사층 (23) 이 1 층으로 구성된 예를 나타내고 있지만, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 2 층 이상으로 이루어지는 피전사층 (23) 을 구성할 수도 있다.The transfer source layer 23 is a layer that is peeled and transferred from the donor sheet 20 by irradiating the donor sheet 20 with a laser beam. The structure is not particularly limited, and may be any layer. 2 shows an example in which the transfer source layer 23 is composed of one layer. However, the present invention is not limited to this. For example, the transfer source layer 23 composed of two or more layers may be formed.

이미 서술한 바와 같이 도너 시트 (20) 는 예를 들어 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 형성할 때에 사용할 수 있다. 이 때문에, 피전사층 (23) 은, 예를 들어 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 구성하는 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 블로킹층, 전자 수송층 등에서 선택되는 1 층 이상을 포함하도록 구성할 수 있다.As described above, the donor sheet 20 can be used, for example, in forming an organic electroluminescence element. For this reason, the transfer source layer 23 may include at least one layer selected from a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, a blocking layer, and an electron transporting layer constituting the organic electroluminescence element Can be configured.

또한, 피전사층 (23) 의 형성 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 층을 구성하는 재료의 종류에 따라 임의의 방법에 의해 형성할 수 있다.The method of forming the transfer source layer 23 is not particularly limited and may be formed by any method depending on the kind of the material constituting the layer.

또, 도너 시트 (20) 는 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 형성하는 경우뿐만 아니라, 전자 회로, 저항기, 캐패시터, 다이오드, 정류기, 메모리 소자, 트랜지스터 등의 각종 전자 디바이스나, 광 도파로 등의 각종 광 디바이스 등을 형성하는 경우에도 사용할 수 있다. 이 때문에, 피전사층 (23) 은 용도에 따라 임의의 구성으로 할 수 있다.The donor sheet 20 can be used not only in the case of forming an organic electroluminescence device but also in various electronic devices such as electronic circuits, resistors, capacitors, diodes, rectifiers, memory devices and transistors, And the like. For this reason, the transfer source layer 23 can have any arbitrary configuration depending on the use.

지금까지 도너 시트의 일 구성예에 대하여 설명했지만, 도너 시트의 구성은 이러한 형태에 한정되는 것은 아니고, 추가로 임의의 층을 부가할 수도 있다. 예를 들어 필름 기재 (21) 와 광열 변환층 (22) 사이, 및/또는 광열 변환층 (22) 과 피전사층 (23) 사이에 중간층을 형성할 수 있다. 중간층을 형성함으로써 예를 들어, 피전사층 (23) 의 전사 부분의 손상 및 오염을 억제할 수 있다. 혹은 중간층에 의해 층과 층 사이의 밀착력을 조정할 수 있다. 혹은 레이저 조사에 의해 광열 변환층의 효과로 피전사층이 가열되었을 때에, 피전사층 (23) 이 기재로부터 양호하게 박리되어 기판측에 전사되도록, 젖음성 및 밀착력을 조정하도록 중간층을 구성할 수도 있다.Although a configuration example of the donor sheet has been described so far, the configuration of the donor sheet is not limited to this embodiment, and an arbitrary layer may be added. An intermediate layer may be formed between the film base material 21 and the photo-thermal conversion layer 22, for example, and / or between the photo-thermal conversion layer 22 and the transfer source layer 23. By forming the intermediate layer, for example, damage and contamination of the transferring portion of the transfer source layer 23 can be suppressed. Or the adhesion between the layer and the layer can be adjusted by the intermediate layer. Alternatively, the intermediate layer may be configured to adjust the wettability and the adhesion so that the transfer source layer 23 is well separated from the substrate and transferred to the substrate side when the transfer source layer is heated by the effect of the photo-thermal conversion layer by laser irradiation .

중간층의 구성은 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 폴리머 필름, 금속층, 무기층 (예를 들어, 실리카, 티타니아, 지르코니아 등의 무기 산화물층), 유기/무기 복합층 등에 의해 구성할 수 있다.The constitution of the intermediate layer is not particularly limited and can be constituted by, for example, a polymer film, a metal layer, an inorganic layer (for example, an inorganic oxide layer such as silica, titania or zirconia), an organic /

도너 시트의 각 층을 적층하는 순서도 도 2 의 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 필름 기재 (21) 의 일방의 면 (21A) 상에 피전사층 (23) 을, 타방의 면 (21B) 상에 광열 변환층 (22) 을 배치할 수도 있다.The sequence of laminating each layer of the donor sheet is not limited to the embodiment shown in Fig. For example, the transfer layer 23 may be disposed on one surface 21A of the film base 21, and the photo-thermal conversion layer 22 may be disposed on the other surface 21B.

이상에 본 실시형태의 도너 시트의 일 구성예에 대하여 설명했는데, 본 실시형태의 도너 시트는 상기 서술한 광열 변환층을 갖고 있다. 그리고, 이러한 광열 변환층은 가시광의 투과율이 높기 때문에, 광열 변환층을 통해서도 육안이나 가시광 센서 등에 의해 도너 시트 내의 결함을 검출하고, 결함이 있는 도너 시트에 대해서는 검사에 의해 제거할 수 있다. 이 때문에, 도너 시트를 이용하여 유기 일렉트로 루미네선스 소자 등의 전자 디바이스나, 광 디바이스 등을 제작했을 경우의 수율을 높이는 것이 가능해진다.As described above, one example of the structure of the donor sheet of the present embodiment has been described. The donor sheet of this embodiment has the above-described photo-thermal conversion layer. Since such a photothermal conversion layer has high transmittance of visible light, defects in the donor sheet can be detected by the naked eye or a visible light sensor through the photothermal conversion layer, and the defective donor sheet can be removed by inspection. For this reason, it is possible to increase the yield when an electronic device such as an organic electroluminescence device or an optical device is manufactured using a donor sheet.

실시예Example

이하에 구체적인 실시예를 예로 들어 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described by way of specific examples, but the present invention is not limited to these examples.

[실시예 1] [Example 1]

(광열 변환층의 제작) (Fabrication of photo-thermal conversion layer)

이하의 순서에 의해 광열 변환층을 제작하였다.The photo-thermal conversion layer was produced by the following procedure.

우선, 적외선 흡수성 입자로서 기능하는 텅스텐 화합물 입자와 분산제와 용매를 분쇄·분산하여 분산액을 조제하였다.First, tungsten compound particles serving as infrared absorbing particles, a dispersant and a solvent were pulverized and dispersed to prepare a dispersion.

이 때, 텅스텐 화합물 입자로는, 복합 텅스텐 산화물 입자인 Cs0.33WO3 (육방정 세슘 산화텅스텐) 을 이용하고, 분산액 중의 비율이 20 중량% 가 되도록 칭량하였다.At this time, as the tungsten compound particles, Cs 0.33 WO 3 (hexagonal cesium tungsten oxide), which is a composite tungsten oxide particle, was used and weighed so that the ratio in the dispersion was 20 wt%.

분산제로는, 관능기로서 아민을 함유하는 기를 갖는 아크릴계 고분자 분산제 (아민가 48 mgKOH/g, 분해 온도 250 ℃ 의 아크릴계 고분자 분산제) (이하, 분산제 a 라고 약칭한다) 를 이용하고, 분산액 중의 비율이 10 중량% 가 되도록 칭량하였다.As the dispersing agent, an acrylic polymer dispersant having an amine group as a functional group (an acrylic polymer dispersant having an amine value of 48 mg KOH / g and a decomposition temperature of 250 캜) (hereinafter, abbreviated as dispersant a) %.

용매로는, 메틸이소부틸케톤을 이용하고, 분산액 중의 비율이 70 중량% 가 되도록 칭량하였다.As the solvent, methyl isobutyl ketone was used and weighed so that the ratio in the dispersion was 70% by weight.

복합 텅스텐 산화물 입자와 분산제와 용매를 0.3 ㎜φ ZrO2 비즈를 넣은 페인트 쉐이커에 장전하고, 2.3 시간 분쇄·분산 처리하여 복합 텅스텐 산화물 입자 분산액 (이하, 분산액 A 라고 약칭한다) 을 얻었다.The composite tungsten oxide particles, the dispersant and the solvent were charged in a paint shaker with 0.3 mm? ZrO 2 beads and pulverized and dispersed for 2.3 hours to obtain a composite tungsten oxide particle dispersion (hereinafter referred to as dispersion A).

여기서, 분산액 A 에 있어서의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 레이저 회절/산란식 입자 분포 측정 장치 (닛키소 주식회사 제조 나노트럭 UPA-UT) 를 이용하여 측정한 결과 52 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다.Here, the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles in the dispersion A was measured using a laser diffraction / scattering particle distribution measuring device (Nano Truck UPA-UT, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), and it was confirmed that the particle size was 52 nm.

다음으로, 얻어진 분산액과 바인더 성분을 혼합하여 잉크를 조제하였다. 본 실시예에서는 바인더 성분으로서 하드 코트용 자외선 경화 수지를 사용하였다.Next, the obtained dispersion and the binder component were mixed to prepare an ink. In this embodiment, an ultraviolet curing resin for hard coating was used as a binder component.

분산액 A 100 중량부에 대하여, 하드 코트용 자외선 경화 수지이며, 아크릴 수지인 토아 합성 제조 아로닉스 UV-3701 (이하, UV-3701 이라고 약칭한다) 을 50 중량부 혼합하여 복합 텅스텐 산화물 입자를 함유하는 잉크로 하였다.50 parts by weight of Aronix UV-3701 (hereinafter abbreviated as UV-3701) manufactured by Toa Synthetic Manufacturing Co., Ltd., which is an ultraviolet ray hardening resin for hard coat, is mixed with 100 parts by weight of Dispersion Liquid A to obtain a composition containing composite tungsten oxide particles Ink.

또한, 잉크로 한 후에 대해서도 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 상기 서술한 방법과 동일하게 측정한 결과 52 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다. 이 후의 조작에 있어서, 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경에 변화는 생기지 않는 것으로 생각되는 점에서, 후술하는 광열 변환층 내의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경도 동일하게 되어 있는 것이라고 할 수 있다.The volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles was measured in the same manner as described above even after the ink was formed, and it was confirmed to be 52 nm. In the subsequent operation, it is considered that there is no change in the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles. Therefore, it can be said that the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles in the photo-thermal conversion layer described later is also the same.

다음으로, 얻어진 잉크 (도포액) 를, 필름 기재인 두께가 50 ㎛ 인 PET 필름 (테이진 제조 HPE-50. 다른 실시예·비교예에서도 동일) 상에 바 No. 가 3 인 바 코터를 이용하여 도포하여 도포막을 형성하였다 (도포 공정).Next, the obtained ink (coating liquid) was applied onto a PET film (HPE-50 manufactured by Teijin Co., Ltd., the same as in the other examples and comparative examples) having a thickness of 50 탆. Was applied by a bar coater to form a coating film (coating step).

도포 공정에서 형성한 도포막을 80 ℃ 에서 60 초간 건조시켜 용매를 증발시켰다 (건조 공정).The coating film formed in the coating step was dried at 80 DEG C for 60 seconds to evaporate the solvent (drying step).

건조 공정 후에, 고압 수은 램프를 이용하여 바인더 성분을 경화시킴으로써, 복합 텅스텐 산화물 입자를 함유한 광열 변환층을 필름 기재 상에 제작하였다 (경화 공정).After the drying step, a photo-thermal conversion layer containing the composite tungsten oxide particles was formed on the film substrate (curing step) by curing the binder component using a high-pressure mercury lamp.

필름 기재의 단면에 대하여 TEM 관찰을 실시한 결과, 광열 변환층의 두께는 약 2.0 ㎛ 인 것을 확인할 수 있었다.As a result of TEM observation on the cross section of the film substrate, it was confirmed that the thickness of the photo-thermal conversion layer was about 2.0 탆.

광열 변환층을 필름 기재 상에 형성한 시트의 광학 특성을 분광 광도계 (히타치 제작소 (주) 제조 형식 : U-4100) 를 이용하여 측정하였다.The optical characteristics of the sheet on which the photo-thermal conversion layer was formed on the film substrate were measured using a spectrophotometer (model: U-4100, Hitachi, Ltd.).

사용한 필름 기재에만 대해서도 동일하게 하여 광학 특성을 측정하고, 상기 서술한 측정값으로부터 뺌으로써 열변환층의 광학 특성을 산출하였다.Optical characteristics were measured in the same manner for the used film substrate, and the optical characteristics of the thermal conversion layer were calculated from the above-described measured values.

산출한 광열 변환층의 광학 특성을 기초로, JIS R 3106 : 1998 에 기초하여 가시광 투과율을 산출하였다.Based on the optical characteristics of the photo-thermal conversion layer thus calculated, the visible light transmittance was calculated based on JIS R 3106: 1998.

또, 산출한 광열 변환층의 광학 특성을 기초로, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율을 산출하였다.Based on the calculated optical characteristics of the photo-thermal conversion layer, the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was calculated.

이상의 순서에 의해 광열 변환층의 가시광 투과율과 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율을 산출한 결과, 가시광 투과율은 66 % 인 것을 확인할 수 있었다. 또, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율은 8 % 인 것을 확인할 수 있었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The visible light transmittance of the photo-thermal conversion layer and the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm were calculated in the above procedure, and as a result, it was confirmed that the visible light transmittance was 66%. It was also confirmed that the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was 8%. The results are shown in Table 1.

또한, 표 1 에 있어서는, 「텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경」의 란에, 광열 변환층 중의 텅스텐 화합물 입자, 즉 본 실시예에서는 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 함께 나타낸다. 상기 서술한 바와 같이 잉크 중의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 광열 변환층 중의 복합 텅스텐 산화물 입자 (텅스텐 화합물 입자) 의 체적 평균 입자경으로 할 수 있다. 이하의 실시예, 비교예에 있어서도 동일하다고 할 수 있다.In Table 1, the volume average particle diameter of the tungsten compound particles in the photo-thermal conversion layer, that is, the composite tungsten oxide particles in this embodiment, is shown together with the column titled "volume average particle diameter of the tungsten compound particles". As described above, the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles in the ink can be made the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles (tungsten compound particles) in the photo-thermal conversion layer. The same can be said for the following examples and comparative examples.

또 측정 결과로부터 산출한 광열 변환층의 투과 곡선을 도 3 에 나타낸다.The transmission curve of the photo-thermal conversion layer calculated from the measurement results is shown in Fig.

(도너 시트의 제작) (Production of donor sheet)

또, 제작한 광열 변환층 상에 추가로 피전사층을 형성하고, 도너 시트를 형성하였다. 도너 시트는 도 2 에 나타낸 구조가 되도록 형성하였다.Further, a transfer target layer was further formed on the produced photo-thermal conversion layer to form a donor sheet. The donor sheet was formed so as to have the structure shown in Fig.

구체적으로는 광열 변환층 (22) 의 상면에 피전사층 (23) 을 형성하였다. 피전사층 (23) 으로는, 광열 변환층 (22) 측으로부터 순서대로 전자 수송층, 유기 발광층, 정공 수송층, 및 정공 주입층을 적층하였다.More specifically, the transfer target layer 23 was formed on the upper surface of the photo-thermal conversion layer 22. As the transfer source layer 23, an electron transporting layer, an organic light emitting layer, a hole transporting layer, and a hole injecting layer were laminated in this order from the light-heat conversion layer 22 side.

피전사층 (23) 에 포함되는 각 층은 이하와 같이 하여 성막하였다.Each layer included in the transfer source layer 23 was formed in the following manner.

전자 수송층은, Alq3 [tris(8-quinolinolato)aluminium (III)] 을 증착법에 의해 성막하고, 막두께를 20 ㎚ 로 하였다.As the electron transporting layer, Alq3 [tris (8-quinolinolato) aluminum (III)] was deposited by a vapor deposition method to have a thickness of 20 nm.

또, 유기 발광층은, 전자 수송성의 호스트 재료인 ADN (anthracene dinaphtyl) 에 청색 발광성의 게스트 재료인 4,4'≡비스[2≡{4≡(N,N≡디페닐아미노)페닐}비닐]비페닐 (DPAVBi) 을 2.5 중량% 로 혼합한 재료를 증착법에 의해 성막하고, 막두께는 약 25 ㎚ 로 하였다.The organic luminescent layer is formed by mixing 4,4'-bis [2? {4? (N, N? Diphenylamino) phenyl} vinyl] Phenyl (DPAVBi) at 2.5 wt% was formed by a vapor deposition method, and the film thickness was set to about 25 nm.

정공 수송층은, α-NPD [4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl] 를 증착법에 의해 성막하고, 막두께를 30 ㎚ 로 하였다.As the hole transport layer, α-NPD [4,4-bis (N-1-naphthyl-N-phenylamino) biphenyl] was deposited by a vapor deposition method to have a film thickness of 30 nm.

정공 주입층은, m-MTDATA [4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine] 를 증착법에 의해 성막하고, 막두께는 10 ㎚ 로 하였다.As the hole injection layer, m-MTDATA [4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine] was deposited by a vapor deposition method and the film thickness was set to 10 nm.

얻어진 도너 시트에 대해서는 필름 기재측으로부터 피전사층 (23) 을 육안으로 보고, 그 상태를 확인하였다.With respect to the obtained donor sheet, the transferred layer 23 was visually observed from the film substrate side, and the state thereof was confirmed.

[실시예 2][Example 2]

복합 텅스텐 산화물 입자 분산액을 조제할 때의, 페인트 쉐이커에 의한 분쇄·분산 시간을 3.4 시간으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 복합 텅스텐 산화물 입자 분산액 (이하, 분산액 B 로 약칭한다) 을 얻었다.A composite tungsten oxide particle dispersion (hereinafter abbreviated as dispersion B) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the time for pulverization and dispersion by the paint shaker was 3.4 hours in preparing the composite tungsten oxide particle dispersion.

여기서, 분산액 B 에 있어서의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 레이저 회절/산란식 입자 분포 측정 장치를 이용하여 측정한 결과 39 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다.Here, the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles in the dispersion B was measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer, and it was confirmed that it was 39 nm.

분산액 A 의 대체로서 분산액 B 를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 광열 변환층을 필름 기재 상에 제작하고, 평가를 실시하였다.A photo-thermal conversion layer was formed on a film substrate in the same manner as in Example 1 except that the dispersion B was used as a substitute for the dispersion A, and the evaluation was carried out.

또한, 분산액 B 에 바인더 성분을 혼합하여 잉크를 조제한 후의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정한 결과 39 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다. 이 후의 조작에 있어서, 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경에 변화는 생기지 않는 것으로 생각되는 점에서, 광열 변환층 내의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경도 동일하게 되어 있는 것이라고 할 수 있다.The volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles obtained by mixing the binder component with the dispersion B and preparing the ink was measured in the same manner as in Example 1, and it was confirmed to be 39 nm. In the subsequent operation, it is considered that the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle is not changed, so that the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle in the photo-thermal conversion layer can be said to be the same.

실시예 1 과 동일하게 하여 필름 기재의 단면에 대하여 TEM 관찰을 실시한 결과, 광열 변환층의 두께는 약 2.0 ㎛ 인 것을 확인할 수 있었다.As a result of TEM observation on the cross section of the film substrate in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the thickness of the photo-thermal conversion layer was about 2.0 탆.

실시예 1 과 동일하게 하여 광열 변환층의 가시광 투과율과 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율을 산출한 결과, 가시광 투과율은 69 % 인 것을 확인할 수 있었다. 또, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율은 9 % 인 것을 확인할 수 있었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The visible light transmittance of the photo-thermal conversion layer and the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm were calculated in the same manner as in Example 1. As a result, it was confirmed that the visible light transmittance was 69%. It was also confirmed that the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was 9%. The results are shown in Table 1.

또 측정 결과로부터 산출한 광열 변환층의 투과 곡선을 도 3 에 나타낸다.The transmission curve of the photo-thermal conversion layer calculated from the measurement results is shown in Fig.

또, 제작한 광열 변환층 상에 실시예 1 과 동일하게 하여 추가로 피전사층을 형성하고, 도너 시트를 제작하였다.Further, on the produced photo-thermal conversion layer, a transfer source layer was further formed in the same manner as in Example 1 to prepare a donor sheet.

[실시예 3][Example 3]

복합 텅스텐 산화물 입자 분산액을 조제할 때의, 페인트 쉐이커에 의한 분쇄·분산 시간을 1.0 시간으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 복합 텅스텐 산화물 입자 분산액 (이하, 분산액 C 로 약칭한다) 을 얻었다.A composite tungsten oxide particle dispersion (hereinafter abbreviated as dispersion C) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the time for pulverization and dispersion by the paint shaker was changed to 1.0 hour in preparing the composite tungsten oxide particle dispersion.

여기서, 분산액 C 에 있어서의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 레이저 회절/산란식 입자 분포 측정 장치를 이용하여 측정한 결과 98 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다.Here, the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle in the dispersion C was measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution measurement apparatus, and it was confirmed that it was 98 nm.

분산액 A 의 대체로서 분산액 C 를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 광열 변환층을 필름 기재 상에 제작하고, 평가를 실시하였다.A photo-thermal conversion layer was formed on a film substrate in the same manner as in Example 1 except that the dispersion C was used as a substitute for the dispersion A, and the evaluation was carried out.

또한, 분산액 C 에 바인더 성분을 혼합하여 잉크를 조제한 후의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정한 결과 98 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다. 이후의 조작에 있어서, 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경에 변화는 생기지 않는 것으로 생각되는 점에서, 광열 변환층 내의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경도 동일하게 되어 있는 것이라고 할 수 있다.The volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle after mixing the dispersion component C with the binder component to prepare the ink was measured in the same manner as in Example 1, and it was confirmed to be 98 nm. The volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles in the photothermal conversion layer is considered to be the same as the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles in the subsequent operation.

실시예 1 과 동일하게 하여 필름 기재의 단면에 대하여 TEM 관찰을 실시한 결과, 광열 변환층의 두께는 약 2.0 ㎛ 인 것을 확인할 수 있었다.As a result of TEM observation on the cross section of the film substrate in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the thickness of the photo-thermal conversion layer was about 2.0 탆.

실시예 1 과 동일하게 하여 광열 변환층의 가시광 투과율과 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율을 산출한 결과, 가시광 투과율은 56 % 인 것을 확인할 수 있었다. 또, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율은 10 % 인 것을 확인할 수 있었다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또 측정 결과로부터 산출한 광열 변환층의 투과 곡선을 도 3 에 나타낸다.The visible light transmittance of the photo-thermal conversion layer and the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm were calculated in the same manner as in Example 1. As a result, it was confirmed that the visible light transmittance was 56%. It was also confirmed that the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was 10%. The results are shown in Table 1. The transmission curve of the photo-thermal conversion layer calculated from the measurement results is shown in Fig.

또, 제작한 광열 변환층 상에 실시예 1 과 동일하게 하여 추가로 피전사층을 형성하고, 도너 시트를 제작하였다.Further, on the produced photo-thermal conversion layer, a transfer source layer was further formed in the same manner as in Example 1 to prepare a donor sheet.

[비교예 1][Comparative Example 1]

복합 텅스텐 산화물 입자 분산액을 조제할 때의, 페인트 쉐이커에 의한 분쇄·분산 시간을 10 시간으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 복합 텅스텐 산화물 입자 분산액 (이하, 분산액 α 로 약칭한다) 을 얻었다.A composite tungsten oxide particle dispersion (hereinafter abbreviated as dispersion?) Was obtained in the same manner as in Example 1, except that the time for pulverization and dispersion by the paint shaker was 10 hours in preparing the composite tungsten oxide particle dispersion.

여기서, 분산액 α 에 있어서의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 레이저 회절/산란식 입자 분포 측정 장치를 이용하여 측정한 결과 21 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다.Here, the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle in the dispersion liquid? Was measured using a laser diffraction / scattering particle distribution measuring apparatus, and it was confirmed that it was 21 nm.

분산액 A 의 대체로서 분산액 α 를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 광열 변환층을 필름 기재 상에 제작하고, 평가를 실시하였다.A photo-thermal conversion layer was formed on a film base material in the same manner as in Example 1 except that the dispersion solution? Was used as a substitute for the dispersion solution A, and the evaluation was carried out.

또한, 분산액 α 에 바인더 성분을 혼합하여 잉크를 조제한 후의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정한 결과 21 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다. 이 후의 조작에 있어서, 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경에 변화는 생기지 않는 것으로 생각되는 점에서, 광열 변환층 내의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경도 동일하게 되어 있는 것이라고 할 수 있다.The volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles after mixing the binder component with the dispersion solution? To prepare an ink was measured in the same manner as in Example 1. As a result, it was confirmed that the composite tungsten oxide particles had a volume average particle diameter of 21 nm. In the subsequent operation, it is considered that the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle is not changed, so that the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle in the photo-thermal conversion layer can be said to be the same.

실시예 1 과 동일하게 하여 필름 기재의 단면에 대하여 TEM 관찰을 실시한 결과, 광열 변환층의 두께는 약 2.0 ㎛ 인 것을 확인할 수 있었다.As a result of TEM observation on the cross section of the film substrate in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the thickness of the photo-thermal conversion layer was about 2.0 탆.

실시예 1 과 동일하게 하여 광열 변환층의 가시광 투과율과 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율을 산출한 결과, 가시광 투과율은 75 % 인 것을 확인할 수 있었다. 또, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율은 15 % 인 것을 확인할 수 있었다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또 측정 결과로부터 산출한 광열 변환층의 투과 곡선을 도 3 에 나타낸다.The visible light transmittance of the photo-thermal conversion layer and the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm were calculated in the same manner as in Example 1. As a result, it was confirmed that the visible light transmittance was 75%. It was also confirmed that the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was 15%. The results are shown in Table 1. The transmission curve of the photo-thermal conversion layer calculated from the measurement results is shown in Fig.

또, 제작한 광열 변환층 상에 실시예 1 과 동일하게 하여 추가로 피전사층을 형성하고, 도너 시트를 제작하였다.Further, on the produced photo-thermal conversion layer, a transfer source layer was further formed in the same manner as in Example 1 to prepare a donor sheet.

[비교예 2][Comparative Example 2]

복합 텅스텐 산화물 입자 분산액을 조제할 때의, 페인트 쉐이커에 의한 분쇄·분산 시간을 0.2 시간으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 복합 텅스텐 산화물 입자 분산액 (이하, 분산액 β 로 약칭한다) 을 얻었다.A composite tungsten oxide particle dispersion (hereinafter abbreviated as dispersion?) Was obtained in the same manner as in Example 1, except that the time for pulverization and dispersion by a paint shaker was 0.2 hour in preparing the composite tungsten oxide particle dispersion.

여기서, 분산액 β 에 있어서의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 레이저 회절/산란식 입자 분포 측정 장치를 이용하여 측정한 결과 537 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다. 분산액 A 의 대체로서 분산액 β 를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 광열 변환층을 필름 기재 상에 제작하고, 평가를 실시하였다.Here, the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles in the dispersion β was measured using a laser diffraction / scattering particle distribution measuring apparatus, and it was confirmed that the volume average particle diameter was 537 nm. A photo-thermal conversion layer was formed on a film base material in the same manner as in Example 1 except that the dispersion solution? Was used as a substitute for the dispersion solution A, and the evaluation was carried out.

또한, 분산액 β 에 바인더 성분을 혼합하여 잉크를 조제한 후의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정한 결과 537 ㎚ 인 것을 확인할 수 있었다. 이 후의 조작에 있어서, 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경에 변화는 생기지 않는 것으로 생각되는 점에서, 광열 변환층 내의 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경도 동일하게 되어 있는 것이라고 할 수 있다.Further, the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle after mixing the binder component with the dispersion beta and preparing the ink was measured in the same manner as in Example 1. As a result, it was confirmed that the composite tungsten oxide particle was 537 nm. In the subsequent operation, it is considered that the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle is not changed, so that the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particle in the photo-thermal conversion layer can be said to be the same.

실시예 1 과 동일하게 하여 필름 기재의 단면에 대하여 TEM 관찰을 실시한 결과, 광열 변환층의 두께는 약 2.0 ㎛ 인 것을 확인할 수 있었다.As a result of TEM observation on the cross section of the film substrate in the same manner as in Example 1, it was confirmed that the thickness of the photo-thermal conversion layer was about 2.0 탆.

실시예 1 과 동일하게 하여 광열 변환층의 가시광 투과율과 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율을 산출한 결과, 가시광 투과율은 60 % 인 것을 확인할 수 있었다. 또, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율은 35 % 인 것을 확인할 수 있었다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또 측정 결과로부터 산출한 광열 변환층의 투과 곡선을 도 3 에 나타낸다.The visible light transmittance of the photo-thermal conversion layer and the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm were calculated in the same manner as in Example 1, and as a result, it was confirmed that the visible light transmittance was 60%. It was also confirmed that the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was 35%. The results are shown in Table 1. The transmission curve of the photo-thermal conversion layer calculated from the measurement results is shown in Fig.

또, 제작한 광열 변환층 상에 실시예 1 과 동일하게 하여 추가로 피전사층을 형성하고, 도너 시트를 제작하였다.Further, on the produced photo-thermal conversion layer, a transfer source layer was further formed in the same manner as in Example 1 to prepare a donor sheet.

Figure pat00001
Figure pat00001

이상의 결과에 의하면, 실시예 1 ∼ 실시예 3 에 대해서는, 가시광 투과율은 50 % 이상으로, 충분한 가시광 투과율을 갖고 있는 것도 확인할 수 있었다. 또, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율이 10 % 이하로 낮아져 있는 것을 확인할 수 있었다.According to the above results, it was confirmed that the visible light transmittance of Examples 1 to 3 was 50% or more, and the visible light transmittance was sufficient. It was also confirmed that the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was lowered to 10% or less.

여기서, 실시예 1 ∼ 실시예 3 및 비교예 1, 비교예 2 에서는, 광열 변환층을 형성할 때, 동일한 복합 텅스텐 산화물을 동일 농도로 분산시킨 분산액을 동일 비율로 바인더와 혼합한 잉크를 이용하고 있다. 그리고, 동일한 바 No. 의 바 코터를 이용하여 잉크를 도포하고 있어, 얻어진 광열 변환층의 막두께도 거의 일정하였다. 즉, 모든 실시예 및 비교예에 있어서, 광열 변환층의 단위 면적당 함유되는 텅스텐 화합물 입자인 복합 텅스텐 산화물 입자의 중량은 동일하였다.In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, an ink in which a dispersion liquid in which the same composite tungsten oxide was dispersed at the same ratio was mixed with a binder in the same ratio at the time of forming the photo-thermal conversion layer was used have. In addition, And the film thickness of the obtained photo-thermal conversion layer was almost constant. That is, in all Examples and Comparative Examples, the weight of the composite tungsten oxide particles as the tungsten compound particles contained in the unit area of the photo-thermal conversion layer was the same.

그러나, 복합 텅스텐 산화물 입자의 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 미만인 비교예 1 은, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율이 15 % 로 되어 있어, 실시예 1 ∼ 실시예 3 의 경우와 비교하여 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율이 매우 높아져 있는 것을 확인할 수 있었다.However, in Comparative Example 1 in which the volume average particle diameter of the composite tungsten oxide particles was less than 35 nm, the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was 15%, and the transmittance of light with a wavelength of 1000 nm And it was confirmed that it is very high.

복합 텅스텐 산화물 입자 등의 텅스텐 화합물 입자의 최표면은, 산소 결함이나 도프 원소의 탈리나 결정 구조의 표면 완화의 영향을 받아, 벌크의 텅스텐 화합물 입자와는 상이한 불완전한 결정 구조를 가지며, 근적외 영역의 광의 흡수에 거의 기여하지 않는 불완전 영역으로 되어 있는 것으로 생각된다.The outermost surface of the tungsten compound particle such as the composite tungsten oxide particle has an incomplete crystal structure different from that of the bulk tungsten compound particle due to the influence of the oxygen deficiency and the desorption of the doping element or the surface relaxation of the crystal structure, And is considered to be an incomplete area which hardly contributes to absorption of light.

그리고, 비교예 1 과 같이 복합 텅스텐 산화물 입자의 입경이 35 ㎚ 미만인 경우, 이러한 불완전 영역이 차지하는 비율이 높아져 근적외 영역의 광의 흡수율이 저하되는 것으로 생각된다. 이 때문에, 비교예 1 에 있어서는, 실시예 1 ∼ 실시예 3 과 단위 면적당 복합 텅스텐 산화물 입자의 중량은 동일함에도 불구하고, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율이 높아진 것으로 생각된다.When the particle diameter of the composite tungsten oxide particles is less than 35 nm as in Comparative Example 1, the ratio of the incomplete region is increased and the absorption rate of light in the near infrared region is considered to be lowered. Therefore, in Comparative Example 1, although the weight of the composite tungsten oxide particles per unit area was the same as in Examples 1 to 3, it was considered that the transmittance of light with a wavelength of 1000 nm was increased.

또, 비교예 2 에 대해서도, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율이 35 % 로 실시예 1 ∼ 실시예 3 과 비교하여 매우 높아지는 것을 확인할 수 있었다. 이는 비교예 2 에서는, 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경을 537 ㎚ 로 500 ㎚ 를 초과하여 크게 했기 때문에, 입자의 미립화에 수반되는 현상인 국재 표면 플라즈몬 공명이 충분히 발현되지 않아, 근적외 영역의 광의 흡수율이 저하되고, 파장 1000 ㎚ 의 광의 투과율이 높아진 것으로 생각된다.Also in Comparative Example 2, it was confirmed that the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm was 35%, which was much higher than those of Examples 1 to 3. This is because in Comparative Example 2, since the volume average particle diameter of the tungsten compound particles was made larger than 500 nm at 537 nm, the local surface plasmon resonance, which is a phenomenon accompanied by particle atomization, was not sufficiently manifested, And the transmittance of light having a wavelength of 1000 nm is increased.

또, 각 실시예, 비교예에서 제작한 도너 시트는, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 에 관해서는 피전사층의 상태를 필름 기재측으로부터 육안으로 확인할 수 있었지만, 비교예 2 에 대해서는 조대한 복합 텅스텐 산화물에서 기인되는 강한 광 산란에 의해 광열 변환층의 투명성이 충분하지 않아, 피전사층의 상태를 육안으로 확인할 수 없었다.With respect to the donor sheet produced in each of the examples and the comparative examples, the state of the transferable layer can be visually confirmed from the film base side with respect to the examples 1 to 3 and the comparative example 1, The transparency of the photo-thermal conversion layer was not sufficient due to strong light scattering caused by the composite tungsten oxide, and the state of the transferred layer could not be visually confirmed.

20 도너 시트
21 필름 기재
22 광열 변환층
23 피전사층
20 donor sheet
21 film base
22 photo-thermal conversion layer
23 Transferred layer

Claims (6)

텅스텐 화합물 입자와 바인더 성분을 함유하는 광열 변환층으로서,
상기 텅스텐 화합물 입자는, 텅스텐 산화물 입자 및/또는 복합 텅스텐 산화물 입자이며,
상기 텅스텐 화합물 입자의 체적 평균 입자경이 35 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인, 광열 변환층.
As a photo-thermal conversion layer containing tungsten compound particles and a binder component,
Wherein the tungsten compound particles are tungsten oxide particles and / or composite tungsten oxide particles,
Wherein the volume average particle diameter of the tungsten compound particles is 35 nm or more and 500 nm or less.
제 1 항에 있어서,
상기 텅스텐 화합물 입자가, 화학식이 WyOz (2.2≤z/y<3.0) 로 나타내어지는 텅스텐 산화물 입자와, 화학식이 MxWyOz (단, M 은 H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 원소, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi, I 중에서 선택되는 1 종류 이상의 원소, 0.001≤x/y≤0.8, 2.2≤z/y≤3.0) 로 나타내어지는 복합 텅스텐 산화물 입자에서 선택되는 1 종류 이상인, 광열 변환층.
The method according to claim 1,
Wherein the tungsten compound particles have a composition represented by W y O z (2.2? Z / y &lt; 3.0) and a tungsten oxide particle represented by the formula M x W y O z (wherein M is H, He, A rare earth element, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, , At least one element selected from among Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, x / y? 0.8, and 2.2? z / y? 3.0).
제 2 항에 있어서,
상기 텅스텐 화합물 입자가 육방정 세슘 산화텅스텐 입자인, 광열 변환층.
3. The method of claim 2,
Wherein the tungsten compound particles are hexagonal cesium tungsten oxide particles.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
두께가 5 ㎛ 이하인, 광열 변환층.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And a thickness of 5 탆 or less.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 텅스텐 화합물 입자, 분산제, 용매, 및 상기 바인더 성분을 함유하는 잉크를 기재 상에 도포하고, 상기 도포한 잉크를 건조시킨 후, 건조시킨 잉크를 경화시킴으로써 형성된, 광열 변환층.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
A photo-thermal conversion layer formed by applying the ink containing the tungsten compound particles, the dispersant, the solvent, and the binder component onto a substrate, drying the applied ink, and then curing the dried ink.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 광열 변환층과 필름 기재와 피전사층을 갖는, 도너 시트.A donor sheet comprising the photo-thermal conversion layer according to any one of claims 1 to 5, a film base and an image receiving layer.
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