KR20150120543A - Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same - Google Patents

Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20150120543A
KR20150120543A KR1020140045764A KR20140045764A KR20150120543A KR 20150120543 A KR20150120543 A KR 20150120543A KR 1020140045764 A KR1020140045764 A KR 1020140045764A KR 20140045764 A KR20140045764 A KR 20140045764A KR 20150120543 A KR20150120543 A KR 20150120543A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
shadow mask
pattern
exposure
photoresist
Prior art date
Application number
KR1020140045764A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101663818B1 (en
Inventor
안종영
박성길
Original Assignee
주식회사 웨이브일렉트로닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 웨이브일렉트로닉스 filed Critical 주식회사 웨이브일렉트로닉스
Priority to KR1020140045764A priority Critical patent/KR101663818B1/en
Publication of KR20150120543A publication Critical patent/KR20150120543A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101663818B1 publication Critical patent/KR101663818B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display (OLED), a shadow mask thereof and a method for manufacturing the OLED using the same and more particularly, to the method for manufacturing the shadow mask for the OLED using a photo mask including a micro pattern, the shadow mask thereof and the method for manufacturing the OLED using the same. According to the present invention, disclosed is the method for manufacturing the shadow mask for the OLED, which includes the steps of: forming a photoresist film on a top surface of a substrate for plating; locating the photo mask on an upper part of the photoresist film; proceeding exposure during a fixed time; forming a photoresist pattern having an open side of a controlled shape by developing the photoresist film; and forming a shadow mask pattern having an open side of a controlled shape by proceeding a plating process on the substrate for plating where the photoresist pattern is formed. The photo mask includes a blocking region for blocking a light of a wavelength used in the exposure, one or more transmission regions for transmitting the light of the wavelength used in the exposure, and one or more micro pattern regions for surrounding the transmission region. The micro pattern region controls the shape of the open side of the photoresist pattern by adjusting the amount of exposure of the photoresist film located on a bottom thereof.

Description

미세 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법，그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법 {Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display using a photomask including a fine pattern, a shadow mask thereof, and a manufacturing method of an organic light emitting display using the same. and method for producing OLED using the same}

본 발명은 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법, 그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 미세 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법, 그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display, a shadow mask thereof, and a method of manufacturing an organic light emitting display using the shadow mask. More particularly, A shadow mask thereof, and a method of manufacturing an organic light emitting display using the shadow mask.

근래에 들어 평면 디스플레이가 일반화되고 다양한 분야에 적용이 되면서 관련 기술이 비약적으로 발전하고 있다. 평면 디스플레이 분야에서는 근래 가장 많이 활용되는 LCD(Liquid Crystal Display)를 필두로 하여 PDP(Plasma Display Panel), VFD(Visual Fluorescent Display), FED(Field Emission Display), LED(Light Emitting Diode), EL(Electroluminescence) 등의 디스플레이 소자가 각각 시인성, 색감, 제조공정 등에서 지속적인 개선을 이루면서 경쟁을 벌이고 있는 상황이다.In recent years, the flat display has become generalized and applied to various fields, and the related technology is rapidly developing. In the field of flat panel display, a liquid crystal display (PDP), a VFD (Visual Fluorescent Display), an FED (Field Emission Display), an LED (Light Emitting Diode) ) Have been competing with each other for continuous improvement in visibility, color and manufacturing process.

특히, 최근에는 디스플레이 장치가 지속적으로 대형화됨에 따라 백라이트(back-light) 등이 필요없어 공간 점유가 적고 플렉서블 디스플레이의 구현이 가능한 유기발광디스플레이(OLED)가 주목받고 있다. 유기발광디스플레이는 유기 EL 디스플레이라고도 하며, 두께가 매우 얇을 뿐 아니라, 매트릭스 형태로 어드레스 할 수 있으며, 15V 이하의 낮은 전압으로도 구동이 가능한 장점을 가지고 있다. 이와 같은 유기발광디스플레이 패널을 만드는데 있어서 유기물 증착 영역 및 제 2 전극을 형성하기 위해서는 통상 새도우 마스크(shadow mask)가 사용되는데, 특히 RGB 화소를 포함하는 풀-컬러 유기발광디스플레이를 만들 경우에는 새도우 마스크를 사용하여 각 RGB 화소(픽셀) 영역들을 형성하고 있다. 이에 따라, 새도우 마스크의 해상도가 좋아야 함은 물론이고, 기판과 새도우 마스크의 정렬(align)이 유기발광디스플레이의 화질을 결정하는 매우 중요한 요소로서 작용하게 된다.In particular, recently, an organic light emitting display (OLED) has been attracting attention as a display device is continuously enlarged and a backlight is not required, so that space occupation is small and a flexible display can be realized. Organic light emitting displays, also referred to as organic EL displays, have the advantage of being very thin, addressable in a matrix form, and capable of driving with voltages as low as 15 V or less. Generally, a shadow mask is used to form the organic material deposition region and the second electrode in the organic light emitting display panel. In particular, when a full-color organic light emitting display including RGB pixels is formed, To form respective RGB pixel (pixel) regions. Accordingly, not only the resolution of the shadow mask needs to be good, but alignment of the substrate and the shadow mask functions as a very important factor for determining the image quality of the organic light emitting display.

유기발광디스플레이용 새도우 마스크를 제조함에 있어서, 종래에는 금속 시트에 포토레지스트(PR)을 도포하고, 포토마스크를 이용한(또는 노광기를 이용하여 마스크 없이 직접 패턴 형성) 노광 및 현상 공정에 의해 패턴을 형성한 후, 습식 식각(WET ETCHING)에 의하여 금속 시트에 패턴을 전사함으로써 새도우 마스크를 제조하는 방식이 널리 이용되어 왔다. 그러나, 습식 식각에 의한 방식은 식각의 등방성(isotropy)에 의해 식각 과정에서의 패턴 폭의 정밀한 제어가 곤란한 문제점이 있어, 특정한 해상도 이상의 고해상도의 패턴을 얻기 어려운 한계를 가지므로, 보다 고해상도의 패턴을 얻기 위하여 도금에 의한 새도우 마스크 제조 방식이 검토되고 있다. 예를 들어, 대한민국 특허공개공보 제10-2007-0070940호(2007년 7월 4일 공개)에서는 전주도금(electro-forming) 방식으로 형성된 새도우마스크에 대하여 개시하고 있다.Conventionally, a photoresist (PR) is applied to a metal sheet, and a pattern is formed by a photolithography (or a direct pattern formation without using a mask using an exposure apparatus) by exposure and development processes in the manufacture of a shadow mask for an organic light emitting display A method of manufacturing a shadow mask by transferring a pattern onto a metal sheet by wet etching has been widely used. However, in the wet etching method, it is difficult to precisely control the pattern width in the etching process due to the isotropy of the etching, so that it is difficult to obtain a high resolution pattern over a specific resolution. Therefore, A method of manufacturing a shadow mask by plating is being studied. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2007-0070940 (published on July 4, 2007) discloses a shadow mask formed by an electro-forming method.

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따라 얻어진 포토레지스트 패턴을 도금 공정에 적용하여 새도우 마스크를 형성하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIGS. 1A to 1C are diagrams illustrating a process of forming a shadow mask by applying a photoresist pattern obtained according to a conventional technique to a plating process.

도 1a에 나타난 바와 같이, 포토마스크(14)를 사용한 노광을 할 경우, 도금용 기판(20) 상의 포토레지스트 막(12)에 대하여 소정의 패턴이 형성된 포토마스크(14)를 정렬하여 노광(exposure)을 진행한다.1A, when the exposure using the photomask 14 is performed, the photomask 14 having a predetermined pattern formed on the photoresist film 12 on the substrate 20 for plating is aligned, ).

이후, 베이크(bake), 현상(develop)을 거치면 도 1b에 나타난 바와 같이, 기판(20) 상의 원하는 위치에 포토레지스트(12) 패턴이 형성된다. 도 1a 내지 도 1b의 포토레지스트(12) 패턴을 얻는 과정은 종래의 습식 식각을 통한 새도우 마스크 제조 방식의 경우와 차이가 없다.Then, after bake and develop, a photoresist 12 pattern is formed at a desired position on the substrate 20, as shown in Fig. 1B. The process of obtaining the pattern of the photoresist 12 of FIGS. 1A to 1B is not different from that of the conventional wet mask etching method.

그러나, 이러한 포토레지스트(12) 패턴을 이용하여 도금 공정을 진행하면 도 1c에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(12) 패턴이 형성되지 않은 영역에 도금에 의한 금속 막(10)이 형성되는데, 그 형상은 포토레지스트(12) 패턴의 형상에 의존하게 되므로, 도금 막(10)의 형성 이후, 포토레지스트(12) 패턴 및 기판(20)을 제거하면 수직한 측벽을 갖는 개구들이 형성된 새도우 마스크(10)가 얻어지게 된다.However, when the plating process is performed using such a photoresist pattern 12, a metal film 10 is formed by plating on a region where the pattern of the photoresist 12 is not formed, as shown in FIG. 1C. The shadow mask 10 having openings with vertical sidewalls upon removal of the photoresist 12 pattern and the substrate 20 after formation of the plated film 10 will depend on the shape of the photoresist 12 pattern. Is obtained.

도 2는 위의 종래 기술과 동일한 노광 공정을 진행하고, 도금을 통해 얻어진 새도우 마스크(10)를 유기발광디스플레이 제조 공정에 적용한 경우의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining a problem in the case where the same exposure process as in the prior art is performed and the shadow mask 10 obtained through plating is applied to an organic light emitting display manufacturing process.

도 1a 내지 도 1c와 같이 종래 기술의 노광 공정을 그대로 사용하고 습식 식각을 단순히 도금 공정으로 대체하게 되면, 기존에 비해 고해상도의 패턴을 얻을 수 있다는 장점이 있으나, 도금 공정에서는 새도우 마스크의 개구 측벽의 경사를 제어하기 곤란하여 측벽의 경사가 지나치게 수직하게 형성됨으로써 개구 하부의 일부 영역에서 개구 측벽에 의한 가려짐 효과가 발생하여 유기발광재료의 균일한 도포가 이루어지지 못하는 문제점이 발생하게 된다.As shown in FIGS. 1A to 1C, when the conventional exposure process is used as it is and the wet etching is simply replaced with a plating process, there is an advantage in that a pattern of high resolution can be obtained compared with the conventional method. However, in the plating process, It is difficult to control the inclination and the inclination of the side wall is formed to be excessively vertical, so that a clogging effect due to the opening sidewall occurs in a part of the lower portion of the opening, resulting in a problem that the organic light emitting material can not be uniformly coated.

도 2에 도시된 바와 같이 새도우 마스크 개구 측벽(11′) 경사가 지나치게 수직 형성되어 있다면 개구 하부의 기판(1)상 화소 영역(6′)에 유기발광재료가 균일하게 도포되지 못하게 되는데, 그 이유는 도시된 바와 같은 유기물 소스(2)와의 위치 관계에 따라 일부 개구 하부에 대한 유기발광재료의 공급 경로(3)가 측벽에 의해 가려짐으로써 해당 개구 측벽 바로 하부의 일정 영역(5)에는 유기발광재료가 원활하게 공급되지 못하는 현상이 발생하기 때문이다. 이러한 현상은 유기발광 디스플레이 소자의 화소 패턴의 정밀도를 저하시켜 고해상도를 얻는 것을 곤란하게 하여 화질의 저하로 이어지게 된다.If the slope of the shadow mask opening sidewall 11 'is formed to be excessively vertical as shown in FIG. 2, the organic light emitting material is not uniformly applied to the pixel region 6' on the substrate 1 under the opening, The supply path 3 of the organic luminescent material with respect to the lower portion of the opening is covered by the side wall according to the positional relationship with the organic material source 2 as shown in the figure, This is because the material can not be supplied smoothly. This phenomenon lowers the precision of the pixel pattern of the organic light emitting display device, making it difficult to obtain a high resolution, leading to a reduction in image quality.

이에 따라, 포토레지스트 패턴 측벽의 형상을 제어함으로써 상기 포토레지스트 패턴을 이용한 도금에 의해 최종적으로 얻어지는 새도우 마스크의 개구 측벽의 형상을 제어하여 개구 저면 방향의 유기발광디스플레이 기판상에 도포되는 유기발광재료의 균일한 도포가 이루어지도록 하고, 나아가 유기발광디스플레이 소자의 고해상도와 화질 개선을 달성할 수 있으며, 또한 유기발광디스플레이가 우수한 화소 균일도(uniformity)를 가질 수 있도록 전면에 걸친 우수한 균일도와 재현성을 갖는 안정적인 공정을 구현할 수 있는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법, 그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법이 요구되고 있으나, 이에 대한 적절한 해결책이 아직 제시되지 못하고 있는 실정이다.Thus, by controlling the shape of the sidewalls of the photoresist pattern, the shape of the opening sidewall of the shadow mask finally obtained by plating using the photoresist pattern can be controlled to form the organic light emitting display material The organic light emitting display can be uniformly applied and further improved in resolution and image quality of the organic light emitting display device and stable uniformity and reproducibility over the entire surface can be obtained so that the organic light emitting display has excellent pixel uniformity There is a need for a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display, a shadow mask thereof, and a method of manufacturing an organic light emitting display using the shadow mask. However, a proper solution has not yet been proposed.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포토레지스트 패턴 측벽의 형상을 제어함으로써 상기 포토레지스트 패턴 및 도금 공정을 통해 최종적으로 얻어지는 새도우 마스크의 개구 측벽의 형상을 제어하여 개구 저면 방향의 유기발광디스플레이 기판상에 도포되는 유기발광재료의 균일한 도포가 이루어지도록 하며, 또한 유기발광디스플레이 소자의 고해상도와 화질 개선을 달성할 수 있고, 나아가 유기발광디스플레이가 우수한 화소 균일도(uniformity)를 가질 수 있도록 전면에 걸친 우수한 균일도와 재현성을 갖는 안정적인 공정을 구현할 수 있는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법, 그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display in which the shape of the sidewall of the photoresist pattern is controlled to control the shape of the opening side wall of the shadow mask finally obtained through the photoresist pattern and the plating process It is possible to uniformly apply the organic light emitting material to be coated on the substrate and to achieve high resolution and image quality of the organic light emitting display device and further to improve the pixel uniformity of the organic light emitting display. A method for manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display capable of realizing a stable process with excellent uniformity and reproducibility over time, a shadow mask thereof, and a method for manufacturing an organic light emitting display using the shadow mask.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 한 측면에 따른 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법은 도금용 기판의 상면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 막의 상부에 포토마스크를 위치시키는 단계; 소정의 시간 동안 노광을 진행하는 단계; 상기 포토레지스트 막을 현상하여 제어된 형상의 개구 측벽을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 제어된 형상의 개구 측벽을 가지는 새도우 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 포토마스크는 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 차단하는 차단 영역과, 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 투과시키는 하나 이상의 투과 영역 및 상기 투과 영역을 둘러싸는 하나 이상의 미세 패턴 영역을 포함하며, 이때 상기 미세 패턴 영역은 그 하부에 위치하는 포토레지스트 막의 노광량을 조절하여 포토레지스트 패턴의 개구 측벽의 형상을 제어하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display, comprising: forming a photoresist film on a top surface of a substrate; Positioning a photomask on top of the photoresist film; Conducting exposure for a predetermined period of time; Developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a controlled sidewall sidewall; And forming a shadow mask pattern having an opening sidewall of a controlled shape by performing a plating process on the plating substrate having the photoresist pattern formed thereon, And at least one micropatterned region surrounding the transmissive region, wherein the micropatterned region comprises a photoresist located below the micropatterned region, wherein the micropatterned region comprises a photoresist The shape of the opening sidewall of the photoresist pattern is controlled by adjusting the exposure amount of the film.

여기서, 상기 미세 패턴 영역은 상기 투과 영역의 형상에 대응하는 형상을 가지는 하나 이상의 미세 투과 영역과 미세 차단 영역을 포함하여 구성될 수 있다.Here, the fine pattern region may include at least one fine transmission region having a shape corresponding to the shape of the transmission region and a fine blocking region.

또한, 상기 미세 투과 영역과 미세 차단 영역의 폭은 5μm 이하일 수 있다.In addition, the width of the micro-transparent region and the micro-transparent region may be 5 탆 or less.

또한, 상기 하나 이상의 미세 차단 영역과 미세 투과 영역은 상기 투과 영역을 둘러싸면서, 상호 교차하는 반복적인 패턴을 이룰 수 있다.In addition, the at least one micro-blocking region and the micro-transmissive region may form a repetitive pattern that intersects and crosses the transmissive region.

또한, 상기 미세 차단 영역과 미세 투과 영역의 반복적인 패턴의 간격과 폭은 형성하고자 하는 포토레지스트의 패턴 개구 측벽의 형상을 고려하여 결정될 수 있다.The interval and the width of the repetitive patterns of the micro-blocking region and the micro-permeation region can be determined in consideration of the shape of the pattern opening sidewall of the photoresist to be formed.

또한, 상기 노광 이후 상기 현상 이전에 베이크(bake) 공정을 진행하는 단계를 더 포함할 수 있다.Further, the method may further include a step of performing a bake process after the exposure and before the development.

본 발명의 다른 측면에 따른 유기발광디스플레이용 새도우 마스크는 도금용 기판의 상면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막의 상부에 포토마스크를 위치시키는 단계, 소정의 시간 동안 노광을 진행하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 제어된 형상의 개구 측벽을 가지는 새도우 마스크 패턴을 형성하는 단계를 진행함으로써 형성되고, 이때 상기 포토마스크는 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 차단하는 차단 영역, 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 투과시키는 하나 이상의 투과 영역 및 상기 투과 영역을 둘러싸는 하나 이상의 미세 투과 영역과 미세 차단 영역을 포함하는, 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a shadow mask for an organic light emitting display, comprising: forming a photoresist film on a top surface of a substrate for plating; locating a photomask on top of the photoresist film; Developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a patterned sidewall-controlled sidewall; and performing a plating process on the plating substrate on which the photoresist pattern is formed to form a shadow mask Wherein the photomask has a blocking region for blocking light of a wavelength used for the exposure, at least one transmitting region for transmitting light of a wavelength used for the exposure, and at least one transmitting region for transmitting light of a wavelength used for the exposure, The at least one micro-permeable region and the microcarrier That is, the opening side wall including a region having a controlled shape features.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 유기발광디스플레이 제조 방법은 도금용 기판의 상면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막의 상부에 포토마스크를 위치시키는 단계, 소정의 시간 동안 노광을 진행하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 제어된 형상의 개구 측벽을 가지는 새도우 마스크를 형성하는 단계를 포함하여 새도우 마스크를 형성하며, 이때, 상기 포토마스크는 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 차단하는 차단 영역, 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 투과시키는 하나 이상의 투과 영역 및 상기 투과 영역을 둘러싸는 하나 이상의 미세 차단 영역 및 미세 투과 영역을 포함하며, 상기 새도우 마스크를 이용하여 유기발광재료를 증착하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display, comprising: forming a photoresist film on a top surface of a plating substrate; locating a photomask on top of the photoresist film; Developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a patterned sidewall-controlled sidewall; and performing a plating process on the plating substrate on which the photoresist pattern is formed to form a shadow mask Wherein the photomask includes a blocking region for blocking light of a wavelength used for the exposure, at least one transmitting region for transmitting light of a wavelength used for the exposure, At least one micro-blocking region surrounding the transmissive region, Comprises a transmissive region, characterized in that the deposition of the organic light emitting material by using the shadow mask.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 새도우 마스크를 제작하기 위한 도금 공정에서 미세 패턴을 가지는 포토마스크를 사용하여 노광 공정을 진행하고 도금에 의하여 새도우 마스크를 형성함으로써, 개구 저면 방향의 유기발광디스플레이 기판상에 도포되는 유기발광재료의 균일한 도포가 이루어지도록 하며, 또한 유기발광디스플레이 소자의 고해상도와 화질 개선을 달성할 수 있고, 나아가 유기발광디스플레이가 우수한 화소 균일도(uniformity)를 가질 수 있도록 전면에 걸친 우수한 균일도와 재현성을 갖는 안정적인 공정을 구현할 수 있는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법, 그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a shadow mask, in which a photomask having a fine pattern is used in a plating process to form a shadow mask by plating, It is possible to uniformly apply the organic light emitting material applied on the display substrate and to achieve high resolution and image quality of the organic light emitting display device and to further improve the uniformity of the organic light emitting display The present invention also provides a method for manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display, which can realize a stable process with excellent uniformity and reproducibility over a long period of time, and a method for manufacturing an organic light emitting display using the shadow mask.

본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따라 형성된 포토레지스트 패턴에 도금 공정을 그대로 적용하여 새도우 마스크 제조를 제조하는 공정에 대한 설명도이다.
도 2는 도1의 종래 기술에 따른 노광 공정을 진행하고, 도금을 통해 얻어진 새도우 마스크를 유기발광디스플레이 제조 공정에 적용한 경우의 문제점에 대한 설명도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크를 유기발광디스플레이 소자의 제조 공정 중 유기발광재료의 증착 공정에 적용한 경우의 설명도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크를 제조하기 위한 미세 패턴을 가지는 포토마스크의 단위 개구에 대한 상면도이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴을 가지는 포토마스크와 네거티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 새도우 마스크를 제조하기 위한 2단계 미세 패턴을 가지는 포토마스크의 단위 개구에 대한 상면도이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 2단계 미세 패턴을 가지는 포토마스크와 네거티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 내지 도 8b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 포지티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다양한 미세 패턴을 가지는 포토마스크의 단위 개구에 대한 상면도이다.
도 10a 내지 도 10b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3단계 미세 패턴을 가지는 포토마스크와 네거티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of the specification, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.
FIGS. 1A to 1C are explanatory diagrams of a process of manufacturing a shadow mask by applying a plating process directly to a photoresist pattern formed according to a conventional technique.
FIG. 2 is an explanatory view of a problem in the case where the exposure process according to the prior art of FIG. 1 is performed and the shadow mask obtained through plating is applied to an organic light emitting display manufacturing process.
FIG. 3 is an explanatory view of a shadow mask according to an exemplary embodiment of the present invention applied to a process of depositing an organic light emitting material during a process of manufacturing an organic light emitting display device.
4 is a top view of a unit opening of a photomask having a fine pattern for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention.
5A to 5E are views for explaining a method of manufacturing a shadow mask having a tapered sidewall using a photomask and a negative PR having a fine pattern according to an embodiment of the present invention.
6 is a top view of a unit opening of a photomask having a two-step fine pattern for manufacturing a shadow mask according to another embodiment of the present invention.
7A to 7E are views for explaining a method of manufacturing a shadow mask having a tapered sidewall using a photomask having a two-step fine pattern and a negative PR according to another embodiment of the present invention.
8A to 8B are views for explaining a method of manufacturing a shadow mask having a tapered sidewall using a positive PR according to another embodiment of the present invention.
9 is a top view of a unit aperture of a photomask having various fine patterns according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 10A and 10B are views for explaining a photomask having a three-step fine pattern and a method of manufacturing a shadow mask having a taper opening sidewall using a negative PR according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 이하에서는 특정 실시예들을 첨부된 도면을 기초로 상세히 설명하고자 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms, and the terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another Is used.

이하에서는, 본 발명에 따른 미세 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법, 그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법의 예시적인 실시형태들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of a method for manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display using a photomask including a fine pattern according to the present invention, a shadow mask thereof, and a method of manufacturing an organic light emitting display using the shadow mask will be described with reference to the accompanying drawings. Will be described in detail.

도 3은 본 발명에 따른 새도우 마스크(10)를 유기발광디스플레이 소자의 제조를 위한 유기발광재료의 증착 공정에 적용한 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3 is a view for explaining an embodiment in which the shadow mask 10 according to the present invention is applied to a deposition process of an organic light emitting material for manufacturing an organic light emitting display device.

유기발광디스플레이 소자 제조를 위한 기판(1)으로는 유리나 또는 플라스틱 등의 유연성(flexible) 기판이 사용될 수 있으며, 증착 공정에서는 기판(1)상의 원하는 영역에 유기발광재료를 공급하기 위한 유기발광재료 소스(2)가 기판(1)의 전면에 이격 배치되며, 기판(1)과 유기발광재료 소스(2)의 사이에는 새도우 마스크(10)가 배치되는데, 새도우 마스크(10)에는 기판(1) 상의 화소 영역(6)에 유기발광재료 등을 증착 형성시키기 위한 소정의 개구 패턴이 형성된다.A flexible substrate such as glass or plastic may be used as the substrate 1 for manufacturing an organic light emitting display device. In the deposition process, an organic light emitting material source (not shown) for supplying an organic light emitting material to a desired region on the substrate 1 A shadow mask 10 is disposed between the substrate 1 and the organic light emitting material source 2. The shadow mask 10 is provided on the substrate 1 with a light- A predetermined opening pattern for forming an organic light emitting material or the like on the pixel region 6 is formed.

본 발명의 새도우 마스크(10)는 도금에 의해 제조되는 것으로서, 패턴 개구(opening) 측벽(11)이 제어된 형상을 갖는 것을 특징으로 하며, 도 3에 예시된 바와 같이 개구 측벽(11)이 소정의 경사를 갖는 테이퍼(taper) 유사의 형상으로 되어 개구의 한쪽 방향 입구가 반대 방향의 입구보다 넓도록 형성되는 것일 수 있다.The shadow mask 10 of the present invention is manufactured by plating and is characterized in that the pattern opening side wall 11 has a controlled shape and the opening side wall 11 is formed by a predetermined Like tapered shape with an inclination of < RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

이와 같이 제어된 테이퍼 형상의 측벽을 갖는 개구는, 앞서 도 2에 도시된 유기발광재료 증착 공정에서의 개구 측벽(11)에 의한 유기발광재료 공급경로의 차폐 효과를 방지하여 개구 하부의 기판(1)상 화소 영역(6)상에 보다 균일하고 해상도 높은 유기발광재료의 도포가 가능하도록 한다.The opening having the tapered sidewall thus controlled prevents the shielding effect of the organic light emitting material supply path by the opening sidewall 11 in the organic light emitting material deposition process shown in FIG. 2, ) Phase-picture element region 6 with a uniform and high-resolution organic light-emitting material.

도 4에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크(10)를 제조하기 위한 미세 패턴을 가지는 포토마스크의 단위 개구에 대한 상면도를 도시하고 있다.4 shows a top view of a unit opening of a photomask having a fine pattern for manufacturing a shadow mask 10 according to an embodiment of the present invention.

도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크(10)를 제조하기 위한 미세 패턴을 가지는 포토마스크는 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 차단하는 차단 영역(14a)과, 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 투과시키는 하나 이상의 투과 영역(14b), 상기 투과 영역(14b)에 대응하는 하나 이상의 미세 차단 영역(14f) 및 미세 투과 영역(14e)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 4, the photomask having a fine pattern for manufacturing the shadow mask 10 according to the embodiment of the present invention includes a blocking region 14a for blocking light of a wavelength used for the exposure, , At least one transmissive region 14b for transmitting light of a wavelength used for the exposure, at least one micro-blocking region 14f corresponding to the transmissive region 14b, and a micro-transmissive region 14e. have.

이때, 얻고자 하는 새도우 마스크(10)의 개구 측벽(11)의 형상을 고려하여, 하나 이상의 각 미세 차단 영역(14f) 및 미세 투과 영역(14e)의 폭을 조절함으로써 그 하부에 위치하는 포토레지스트 막의 노광량을 조절하여 포토레지스트 패턴의 개구 측벽의 형상을 제어할 수 있고, 그에 따라 최종적으로 원하는 형상의 개구 측벽을 가지는 새도우 마스크(10)를 형성할 수 있게 된다.At this time, in consideration of the shape of the opening sidewalls 11 of the shadow mask 10 to be obtained, by adjusting the widths of the at least one fine intercepting region 14f and the fine transmissive region 14e, The shape of the opening sidewall of the photoresist pattern can be controlled by adjusting the exposure amount of the film, and the shadow mask 10 having the opening sidewall of a desired shape can be finally formed.

나아가, 상기 미세 투과 영역(14e)과 미세 차단 영역(14f)의 폭은 노광량에 따른 포토레지스트 패턴의 개구 측벽을 테이퍼 형상으로 적절하게 제어하기 위하여 5μm 이하로 하는 것이 바람직하다.Further, the widths of the micro-transparent region 14e and the micro-transparent region 14f are preferably set to 5 탆 or less in order to appropriately control the opening sidewall of the photoresist pattern depending on the exposure dose in a tapered shape.

도 5a 내지 도 5e에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴을 가지는 포토마스크와 네거티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하고 있다.5A to 5E illustrate a method of manufacturing a shadow mask having a tapered sidewall using a photomask having a fine pattern and a negative PR according to an embodiment of the present invention.

도 5e에 도시된 바와 같이, 전주도금 등을 이용한 도금 공정에서는 도금용 기판(20) 상의 포토레지스트 패턴(12′)에 의해 가려지지 않은 개구 하부 노출 부분의 전계에 의해 금속 재료의 이온(ion)이 표면에 누적됨으로써 도금 막(10)이 형성되며, 형성 중의 도금 막(10)은 다시 그 자체가 도금용 기판(20)의 표면과 같은 역할을 하여 전계를 형성함으로써 그 상부에 계속하여 도금 막(10)이 성장되어 간다. 결과적으로 도금 막(10)의 성장 과정은 포토레지스트 패턴(12′)에 의해 형성된 개구를 하부로부터 순차적으로 채우는 형태가 된다.5E, in the plating process using electroplating or the like, the ion of the metal material is removed by the electric field of the lower exposed portion not covered by the photoresist pattern 12 'on the plating substrate 20, The plating film 10 is formed on the surface of the substrate 20 so that the plating film 10 itself forms the electric field again like the surface of the substrate 20 for plating, (10) is growing. As a result, the growth process of the plated film 10 is such that the opening formed by the photoresist pattern 12 'is sequentially filled from the bottom.

채워진 도금 막은 새도우 마스크(10)를 형성하게 되므로, 도금에 의해 형성되는 새도우 마스크(10)의 개구 측벽 형상은 포토레지스트(12)의 패턴 측벽 형상에 의해 결정되게 된다. 그러므로 새도우 마스크(10)의 개구 측벽(11) 형상을 제어하여, 예컨대 도 3과 같은 테이퍼 유사의 형상을 갖도록 하기 위해서는 포토레지스트 패턴의 측벽 형상을 제어하는 방법이 효과적일 수 있다.The shape of the opening sidewall of the shadow mask 10 formed by plating is determined by the shape of the sidewall of the pattern of the photoresist 12 because the filled plating film forms the shadow mask 10. [ Therefore, in order to control the shape of the opening sidewall 11 of the shadow mask 10 to have a taper-like shape as shown in Fig. 3, a method of controlling the shape of the sidewall of the photoresist pattern may be effective.

도금용 기판(20)으로는 일반적으로 SUS(스테인레스) 등의 금속 시트나 ITO가 도포된 유리 기판 등이 사용될 수 있다. 그 상면에 포토레지스트(12)가 도포되며, 마스크(14)를 이용한 노광을 하는 등의 방법이 가능하다.As the substrate 20 for plating, a metal sheet such as stainless steel (SUS) or a glass substrate coated with ITO may be used. A method in which a photoresist 12 is applied to the upper surface thereof, exposure is performed using the mask 14, and the like.

포토레지스트(PR)(12)는 포지티브(positive)PR과 네거티브(negative)PR의 두 가지 방식이 있는데, 포지티브PR은 노광 부분이 현상에 의해 제거되는 PR을 말하며, 네거티브PR은 노광 부분이 현상에 의해 잔류하는 특성을 갖는 PR을 말한다.There are two types of photoresist (PR) 12, that is, positive PR and negative PR. Positive PR refers to PR in which the exposed portion is removed by development, (PR). ≪ / RTI >

도 5a 내지 도 5e에 도시된 실시형태에서는, 우선, 도 5a에 나타낸 바와 같이 기판(20)에 네거티브 포토레지스트(12) 막을 도포하며, 도 5b와 같이 미세 투과 영역(14e)과 미세 차단 영역(14f)을 포함하는 포토마스크(14)를 이용하여 노광을 진행한다.5A to 5E, a negative photoresist 12 film is first applied to the substrate 20 as shown in Fig. 5A, and the micro-transparent region 14e and the micro-blocking region 14e The exposure is carried out using the photomask 14 including the photoresists 14f.

상기 미세 투과 영역(14e)과 미세 차단 영역(14f)의 패턴과 폭은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻도록, 필요에 따라 컴퓨터 시뮬레이션이나 실험을 통해 최적화될 수 있고, 이를 통하여 패턴 측벽의 경사 및 형상을 적절하게 조절할 수 있게 된다.The pattern and width of the micro-transmissive region 14e and the micro-blocking region 14f can be optimized through computer simulation or experimentation as necessary to finally obtain a desired pattern side wall shape, The shape can be appropriately adjusted.

또한, 노광시의 광량이나 노출시간 등의 공정변수를 조정하여 노광 세기를 다르게 조정할 수도 있다. 이때, 노광 세기의 조정은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻을 수 있도록 필요에 따라 실험적으로 최적화될 수 있다.In addition, the exposure intensity may be adjusted by adjusting process parameters such as the amount of light during exposure and exposure time. At this time, the adjustment of the exposure intensity can be experimentally optimized as necessary so as to finally obtain a desired pattern side wall shape.

이후, 도 5c와 같이 포토레지스트(12)의 베이크(bake) 공정과 현상 공정을 거치면 도 5d와 같이 테이퍼 또는 테이퍼 유사 형상의 측벽을 갖는 포토레지스트 패턴(12′)이 얻어지게 된다. 이때, 베이크 공정의 조건 설정 역시 최종적으로 얻어지는 포토레지스트 패턴(12′)의 측벽 형상에 영향을 미칠 수 있으므로 필요에 따라 실험적으로 최적화될 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 5C, a photoresist pattern 12 'having side walls of a tapered or tapered shape is obtained as shown in FIG. 5D by performing the bake process and the developing process of the photoresist 12. At this time, the condition setting of the baking process may also affect the shape of the side wall of the finally obtained photoresist pattern 12 ', so that it can be experimentally optimized as necessary.

이러한 포토레지스트 패턴(12′)을 이용하여 도금 공정을 진행하면 도 5e에 개략적으로 예시한 바와 같이 제어된 형상, 예컨대 테이퍼 형상의 개구 측벽을 갖는 도금 막(10)이 얻어지며, 도금 공정 완료 후 포토레지스트 패턴(12′)과 기판(20)을 제거하면 제어된 형상, 예컨대 테이퍼 형상의 개구 측벽을 갖는 본 발명의 새도우 마스크(10)가 최종적으로 얻어지게 된다. 얻어진 포토레지스트 패턴의 형상은 새도우 마스크(10) 전면에 걸쳐 우수한 균일도(uniformity)와 재현성을 가져야 하는데, 본 발명에 의한 포토레지스트(12) 형상 제어를 적용함으로써 이를 달성할 수 있다.When the plating process is performed using such a photoresist pattern 12 ', a plating film 10 having a controlled shape, for example, a tapered opening sidewall is obtained as schematically illustrated in FIG. 5E. After the completion of the plating process Removal of the photoresist pattern 12 'and substrate 20 finally results in a shadow mask 10 of the present invention having a controlled shape, such as a tapered opening sidewall. The shape of the obtained photoresist pattern should have excellent uniformity and reproducibility over the entire surface of the shadow mask 10. This can be achieved by applying the shape control of the photoresist 12 according to the present invention.

여기서, 도금 막(10)의 재료로는 다양한 금속 재료가 사용 가능하며, 예컨대 열팽창계수가 적절하도록 소정의 합금 비율(니켈 약 36 중량%)로 조정한 Fe와 Ni합금(관용명칭으로 "인바" 또는 "Invar"라고도 함)을 사용할 수 있다.The plated film 10 may be made of various metal materials. For example, Fe and Ni alloy (commonly referred to as "Invar") having a predetermined coefficient of alloy (nickel of about 36 wt% Or "Invar").

이어서, 도 6에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 새도우 마스크를 제조하기 위한 2단계 미세 패턴을 가지는 포토마스크의 단위 개구에 대한 상면도를 도시하고 있다. 도 6에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 새도우 마스크를 제조하기 위한 2단계 미세 패턴을 가지는 포토마스크는 노광에 사용되는 파장의 빛을 차단하는 차단 영역(14a)과, 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 투과시키는 하나 이상의 투과 영역(14b) 및 상기 투과 영역(14b)을 둘러싸는 2개의 미세 차단 영역(14f) 및 미세 투과 영역(14e)을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 미세 차단 영역(14f) 및 미세 투과 영역(14e)의 경우 그 하부에 배치되는 포토레지스트의 노광량을 고려하여 사용되는 패턴의 형상 및 간격 등의 배치를 조절할 수 있다.FIG. 6 is a top view of a unit opening of a photomask having a two-step fine pattern for manufacturing a shadow mask according to another embodiment of the present invention. 6, a photomask having a two-step fine pattern for fabricating a shadow mask according to another embodiment of the present invention includes a blocking region 14a for blocking light having a wavelength used for exposure, One or more transmissive regions 14b for transmitting light of a wavelength used for exposure, and two micro-blocking regions 14f and a micro-transmissive region 14e surrounding the transmissive regions 14b. In the case of the micro-transparent region 14f and the micro-transparent region 14e, the arrangement and arrangement of the pattern to be used may be adjusted in consideration of the exposure amount of the photoresist disposed under the micro-transparent region 14f.

또한, 도 6에서 볼 수 있는 바와 같이, 복수의 미세 차단 영역(14f) 과 미세 투과 영역(14e)이 사용될 경우, 상기 미세 차단 영역(14f) 과 미세 투과 영역은 상기 투과 영역(14e)을 둘러싸면서 상호 교차하는 반복적인 패턴을 이루도록 함으로써 상기 포토레지스트 패턴의 개구 측벽의 형상을 테이퍼 형상 등 적절하게 조절할 수 있어 보다 바람직하다.6, when a plurality of micro-blocking regions 14f and a micro-transmitting region 14e are used, the micro-blocking region 14f and the micro-transmitting region surround the transmitting region 14e The shape of the opening sidewall of the photoresist pattern can be appropriately adjusted such as a taper shape.

또한, 도 7a 내지 도 7e에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 2단계 미세 패턴을 가지는 포토마스크와 네거티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크(10)의 제조 방법을 설명하고 있다.7A to 7E illustrate a method of manufacturing a shadow mask 10 having a tapered sidewall using a photomask having a two-step fine pattern and a negative PR according to another embodiment of the present invention.

도 7a에 도시된 바와 같이, 도금용 기판(20)상에 포토레지스트(12) 막을 도포하며, 도 7b와 같이 2단계 미세 패턴 영역을 가지는 포토마스크를 사용하여 노광 공정을 진행한다. As shown in FIG. 7A, a photoresist 12 film is coated on a substrate 20 for plating, and a photomask having a two-step fine pattern region is used as shown in FIG. 7B.

이어서, 도 7c와 같이 포토레지스트(12)의 베이크(bake) 공정과 현상 공정을 거치면, 도 7d와 같이 노광을 거친 부분이 남게 되어(네가티브 PR의 특성) 원하는 소정 형상, 예컨대 다단계의 테이퍼나 테이퍼 유사 형상의 측벽을 갖는 포토레지스트 패턴(12′)이 얻어지게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 7C, after the baking process and the developing process of the photoresist 12 are performed, exposed portions are left as shown in FIG. 7D (characteristic of the negative PR), and a desired predetermined shape such as a multi- A photoresist pattern 12 'having sidewalls of a similar shape is obtained.

미세 차단 영역(14f) 과 미세 투과 영역(14e)의 폭과 형상은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻도록, 필요에 따라 컴퓨터 시뮬레이션이나 실험을 통해 최적화될 수 있다.The width and shape of the fine intercepting region 14f and the fine transmission region 14e can be optimized by computer simulation or experimentation as necessary so as to finally obtain a desired pattern side wall shape.

여기서, 2단계 미세 패턴 영역의 폭과 투과도, 즉 2개의 미세 차단 영역(14f) 및 미세 투과 영역(14e)의 폭과 투과도를 달리하면서, 그와 함께 광량이나 노출시간 등의 공정변수를 조정하여 노광 세기를 다르게 조정할 수도 있다. 이때, 노광 세기의 조정은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻을 수 있도록 필요에 따라 실험적으로 최적화될 수 있다.Here, the width and the transmittance of the two-step fine pattern region, that is, the widths and the transmittances of the two fine intercepting regions 14f and the fine transmissive regions 14e are changed, and the process parameters such as the light amount and the exposure time are adjusted The exposure intensity may be adjusted differently. At this time, the adjustment of the exposure intensity can be experimentally optimized as necessary so as to finally obtain a desired pattern side wall shape.

이러한 포토레지스트 패턴(12′)을 이용하여 도금 공정을 진행하면 도 7e에 나타난 바와 같이 원하는 소정 형상, 예컨대 다단계의 테이퍼 형상의 측벽을 갖는 도금 막(10)이 얻어지며, 도금 공정 완료 후 포토레지스트 패턴(12′)과 기판(20)을 제거하면 다단계의 테이퍼(또는 테이퍼 유사 형상의) 개구 측벽을 갖는 본 발명의 새도우 마스크(10)가 얻어지게 된다.When the plating process is performed using the photoresist pattern 12 ', a plating film 10 having a desired predetermined shape, for example, a sidewall of a tapered multi-step shape is obtained as shown in FIG. 7E. Removal of the pattern 12 'and substrate 20 results in a shadow mask 10 of the present invention having a multistage tapered (or tapered) opening sidewall.

도 8a 내지 도 8b에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 포지티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크(10)의 제조 방법을 설명하고 있다.8A to 8B illustrate a method of manufacturing a shadow mask 10 having a tapered sidewall using a positive PR according to another embodiment of the present invention.

상술한 네거티브 PR을 이용하는 경우와 비교하면 포지티브PR을 이용하는 경우의 새도우 마스크(10)는 측벽의 기울기가 상하 반대로 되어 있는(MIRROR 이미지 형태) 차이가 있는데, 유기발광재료 증착 공정에서는 유기발광재료 소스를 향한 방향의 개구 폭이 반대쪽 개구 폭보다 넓어야 하므로, 포지티브PR을 이용하는 경우에는 상하를 뒤집어 도 3과 같이 유기발광재료 소스 방향의 개구가 폭이 넓도록 배치하여, 네거티브 PR을 이용하는 경우와 마찬가지로 증착 공정에 새도우 마스크(10)로 사용이 가능하게 된다.Compared with the case of using the above-mentioned negative PR, the shadow mask 10 in the case of using the positive PR differs in the slope of the sidewall (in the form of MIRROR image). In the organic light emitting material deposition process, When the positive PR is used, the openings in the direction of the source material of the organic luminescent material are arranged to be wide as shown in Fig. 3 by inverting the top and bottom. In the same manner as in the case of using the negative PR, The shadow mask 10 can be used as the shadow mask 10.

또한, 도 9에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다양한 미세 패턴을 가지는 포토마스크의 단위 개구에 대한 상면도를 도시하고 있다.9 is a top view of a unit aperture of a photomask having various fine patterns according to another embodiment of the present invention.

도 9(a)에서 볼 수 있는 바와 같이, 3단계의 미세 차단 영역(14f)과 미세 투과 영역(14e)이 투과 영역(14b)의 형상과 대응하는 형상을 가지면서 상호 교차하면서 반복적인 패턴을 이루는 형태로 포토마스크(14)를 구성할 수도 있고, 도 9(b)에서 볼 수 있는 바와 같이, 필요한 포토마스크(14)의 개구 격벽의 형상에 따라서는, 미세 투과 영역(14e)의 일부가 다시 차단되는 형태를 가질 수도 있다.As can be seen from Fig. 9 (a), the three-step fine intercepting region 14f and the fine transmissive region 14e intersect with each other while having a shape corresponding to the shape of the transmissive region 14b, 9 (b), depending on the shape of the opening barrier wall of the photomask 14 required, a portion of the fine transmissive region 14e may be formed in It may have a form that is blocked again.

이러한 다양한 형상의 미세 투과 영역(14e)과 미세 차단 영역(14f)을 가지는 포토마스크(14)를 이용하여, 보다 다양한 형상의 새도우 마스크(10)를 형성할 수 있게 된다.By using the photomask 14 having the micro-transparent areas 14e and the micro-transparent areas 14f of various shapes, it is possible to form the shadow mask 10 having various shapes.

이어서, 도 10a 내지 도 10b에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3단계 미세 패턴을 가지는 포토마스크와 네거티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제보 방법을 설명하고 있다.10A to 10B illustrate a method of generating a shadow mask having a tapered sidewall using a photomask having a three-step fine pattern and a negative PR according to another embodiment of the present invention.

필요한 새도우 마스크(10)의 개구 측벽(11)의 형상에 따라서는, 도 9(a)에서와 같이 3단계의 미세 차단 영역(14f) 및 미세 투과 영역(14e)을 포함하는 포토마스크(14)를 이용하여 새도우 마스크(10)를 형성할 수도 있다. 이때, 상기 각 미세 차단 영역(14f) 및 미세 투과 영역(14e)의 폭을 조절함으로써 포토마스크(14)의 개구 측벽의 형상을 조절하고, 나아가 새도우 마스크(10)의 개구 측벽을 제어하고자 하는 형상으로 만들 수 있게 된다. 또한, 이러한 본 발명의 실시형태는 일반적인 n단계 이상의 미세 차단 영역(14f)과 미세 투과 영역(14e)을 포함하는 포토마스크(14)를 이용하는 경우로 확장이 가능하며, 이와 함께, 각 노광 시의 노광 영역을 조정하거나 필요에 따라 노광 세기를 조정하여 보다 정밀한 패턴 기울기의 제어가 가능하게 된다.Depending on the shape of the opening side wall 11 of the necessary shadow mask 10, the photomask 14 including the three-step fine intercepting region 14f and the fine transmission region 14e as shown in Fig. 9 (a) The shadow mask 10 may be formed. At this time, the shape of the opening sidewall of the photomask 14 is adjusted by adjusting the widths of the micro-blocking regions 14f and the micro-transparent regions 14e, and furthermore, the shape of the opening sidewall of the shadow mask 10 . In addition, this embodiment of the present invention can be extended to the case of using the photomask 14 including the n-step or more fine intercepting region 14f and the fine transmissive region 14e, and at the same time, It is possible to control the pattern inclination more precisely by adjusting the exposure area or adjusting the exposure intensity as necessary.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to illustrate the present invention. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the scope of the present invention.

1 : 기판
2 : 유기발광재료 소스
6 : 유기발광재료 증착 영역
10 : 새도우 마스크
11 : 새도우 마스크 개구 측벽
12 : 포토레지스트
14 : 포토마스크
14a : 차단 영역
14b : 투과 영역
14e : 미세 투과 영역
14f : 미세 차단 영역
20 : 도금용 기판1: substrate
2: Organic light emitting material source
6: Organic light emitting material deposition area
10: Shadow mask
11: Shadow mask opening side wall
12: Photoresist
14: Photomask
14a:
14b:
14e: fine transmission region
14f: fine blocking area
20: substrate for plating

Claims (8)

도금용 기판의 상면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 막의 상부에 포토마스크를 위치시키는 단계;
소정의 시간 동안 노광을 진행하는 단계;
상기 포토레지스트 막을 현상하여 제어된 형상의 개구 측벽을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 제어된 형상의 개구 측벽을 가지는 새도우 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 포토마스크는 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 차단하는 차단 영역과, 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 투과시키는 하나 이상의 투과 영역 및 상기 투과 영역을 둘러싸는 하나 이상의 미세 패턴 영역을 포함하며,
이때 상기 미세 패턴 영역은 그 하부에 위치하는 포토레지스트 막의 노광량을 조절하여 포토레지스트 패턴의 개구 측벽의 형상을 제어하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.Forming a photoresist film on an upper surface of a substrate for plating;
Positioning a photomask on top of the photoresist film;
Conducting exposure for a predetermined period of time;
Developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a controlled sidewall sidewall; And
Forming a shadow mask pattern having a controlled opening sidewall by performing a plating process on the plating substrate on which the photoresist pattern is formed,
Wherein the photomask includes a blocking region for blocking light of a wavelength used for the exposure, at least one transmitting region transmitting light of a wavelength used for the exposure, and at least one fine pattern region surrounding the transmitting region,
Wherein the shape of the opening sidewall of the photoresist pattern is controlled by adjusting the exposure amount of the photoresist film located below the fine pattern region. 제1항에 있어서,
상기 미세 패턴 영역은 상기 투과 영역의 형상에 대응하는 형상을 가지는 하나 이상의 미세 투과 영역과 미세 차단 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the fine pattern region comprises at least one fine transmissive region and a fine blocking region having a shape corresponding to the shape of the transmissive region. 제1항에 있어서,
상기 미세 투과 영역과 미세 차단 영역의 폭은 5μm 이하인 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the width of the micro-transparent region and the micro-transparent region is 5 占 퐉 or less. 제2항에 있어서,
상기 하나 이상의 미세 차단 영역과 미세 투과 영역은 상기 투과 영역을 둘러싸면서, 상호 교차하는 반복적인 패턴을 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the at least one micro-blocking region and the micro-transmissive region form a repetitive pattern that intersects the transmissive region and intersects with each other. 제4항에 있어서,
상기 미세 차단 영역과 미세 투과 영역의 반복적인 패턴의 간격과 폭은 형성하고자 하는 포토레지스트의 패턴 개구 측벽의 형상을 고려하여 결정되는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the interval and the width of the repetitive pattern of the micro-transparent region and the micro-transparent region are determined in consideration of the shape of the pattern opening sidewall of the photoresist to be formed. 제1항에 있어서,
상기 노광 이후 상기 현상 이전에 베이크(bake) 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.The method according to claim 1,
Further comprising a step of performing a bake process after the exposure and before the development of the shadow mask. 도금용 기판의 상면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막의 상부에 포토마스크를 위치시키는 단계, 소정의 시간 동안 노광을 진행하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 제어된 형상의 개구 측벽을 가지는 새도우 마스크 패턴을 형성하는 단계를 진행함으로써 형성되고,
이때 상기 포토마스크는 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 차단하는 차단 영역, 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 투과시키는 하나 이상의 투과 영역 및 상기 투과 영역을 둘러싸는 하나 이상의 미세 투과 영역과 미세 차단 영역을 포함하는,
개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크.Forming a photoresist film on an upper surface of a substrate for plating, placing a photomask on top of the photoresist film, exposing the photoresist film for a predetermined time, developing the photoresist film so that the pattern opening sidewall has a controlled shape And forming a shadow mask pattern having an opening sidewall of a controlled shape by performing a plating process on the plating substrate on which the photoresist pattern is formed,
At this time, the photomask includes a blocking region for blocking light of a wavelength used for the exposure, at least one transmitting region transmitting light of a wavelength used for the exposure, at least one micro-transmitting region surrounding the transmitting region, / RTI >
Wherein the opening sidewalls have a controlled shape. ≪ RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI > 도금용 기판의 상면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막의 상부에 포토마스크를 위치시키는 단계, 소정의 시간 동안 노광을 진행하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 제어된 형상의 개구 측벽을 가지는 새도우 마스크를 형성하는 단계를 포함하여 새도우 마스크를 형성하고,
이때, 상기 포토마스크는 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 차단하는 차단 영역, 상기 노광에 사용되는 파장의 빛을 투과시키는 하나 이상의 투과 영역 및 상기 투과 영역을 둘러싸는 하나 이상의 미세 차단 영역 및 미세 투과 영역을 포함하며,
상기 새도우 마스크를 이용하여 유기발광재료를 증착하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이 제조 방법.Forming a photoresist film on an upper surface of a substrate for plating, placing a photomask on top of the photoresist film, exposing the photoresist film for a predetermined time, developing the photoresist film so that the pattern opening sidewall has a controlled shape Forming a shadow mask having a controlled opening sidewall by performing a plating process on the plating substrate on which the photoresist pattern is formed, forming a shadow mask,
The photomask may include a blocking region for blocking light of a wavelength used for the exposure, at least one transmitting region transmitting light of a wavelength used for the exposure, at least one micro-blocking region surrounding the transmitting region, Region,
Wherein the organic light emitting material is deposited using the shadow mask.
KR1020140045764A 2014-04-17 2014-04-17 Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same KR101663818B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140045764A KR101663818B1 (en) 2014-04-17 2014-04-17 Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140045764A KR101663818B1 (en) 2014-04-17 2014-04-17 Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150120543A true KR20150120543A (en) 2015-10-28
KR101663818B1 KR101663818B1 (en) 2016-10-11

Family

ID=54428716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140045764A KR101663818B1 (en) 2014-04-17 2014-04-17 Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101663818B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111893432A (en) * 2020-08-11 2020-11-06 京东方科技集团股份有限公司 Mask plate and manufacturing method thereof, display substrate and manufacturing method thereof
WO2022158687A1 (en) * 2021-01-21 2022-07-28 풍원정밀(주) Fine metal mask for large-area display and method for manufacturing same
EP4044266A1 (en) * 2019-01-25 2022-08-17 Microsoft Technology Licensing, LLC Fabrication methods

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200056525A (en) 2018-11-14 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 Mask and method of manufacturing mask
KR102501481B1 (en) 2022-07-12 2023-02-21 (주)세우인코퍼레이션 Method for manufacturing fine metal mask for deposition of ultra high definition class

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001042500A (en) * 1999-07-29 2001-02-16 Toshiba Corp Hard mask for shadow mask and its production
JP2002105621A (en) * 2000-09-27 2002-04-10 Tokyo Process Service Kk Metal plate, its manufacturing method and aligner
JP2002266085A (en) * 2001-03-08 2002-09-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method for manufacturing shadow mask
KR20050079109A (en) * 2004-02-04 2005-08-09 엘지전자 주식회사 Mask of electro luminescence device and method of fabricating the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001042500A (en) * 1999-07-29 2001-02-16 Toshiba Corp Hard mask for shadow mask and its production
JP2002105621A (en) * 2000-09-27 2002-04-10 Tokyo Process Service Kk Metal plate, its manufacturing method and aligner
JP2002266085A (en) * 2001-03-08 2002-09-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method for manufacturing shadow mask
KR20050079109A (en) * 2004-02-04 2005-08-09 엘지전자 주식회사 Mask of electro luminescence device and method of fabricating the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4044266A1 (en) * 2019-01-25 2022-08-17 Microsoft Technology Licensing, LLC Fabrication methods
CN111893432A (en) * 2020-08-11 2020-11-06 京东方科技集团股份有限公司 Mask plate and manufacturing method thereof, display substrate and manufacturing method thereof
WO2022158687A1 (en) * 2021-01-21 2022-07-28 풍원정밀(주) Fine metal mask for large-area display and method for manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101663818B1 (en) 2016-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101663818B1 (en) Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same
KR101468405B1 (en) method for producing shadow mask for OLED fabrication by multiple exposure and electroplating
WO2018138824A1 (en) Vapor deposition mask, method for producing vapor deposition mask, and method for producing organic el display device
WO2018205537A1 (en) Display panel and manufacturing method therefor, and display device
CN103794630A (en) Method of fabricating organic electroluminescent device
CN106384744B (en) Method for manufacturing organic light emitting display device
KR102220552B1 (en) Deposition Metal Mask for OLED and Manufacturing Method of the same
WO2006109921A1 (en) Manufacturing method of slanted-pyramid microlens and its application to light guide plate
WO2016187987A1 (en) Display panel and manufacturing method therefor, and display device
US20220131076A1 (en) Production of Precision Micro-Mask and the AMOLED Display Manufactured Therefrom
KR101603282B1 (en) Method for producing shadow mask using photomask including halftone pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same
KR102228334B1 (en) Deposition Metal Mask for OLED and Manufacturing Method of the same
KR101469441B1 (en) method for producing shadow mask having dummy pattern for OLED fabrication
KR100647663B1 (en) Mask for depositing thin film of flat panel display and method for fabricating the same
KR101939133B1 (en) Method for Manufacturing Shadow Mask Using Heat Treatment Process
US9930787B2 (en) Film thickness regulator and manufacturing method thereof, film thickness regulating method and evaporation apparatus
CN108277455B (en) Mask plate assembly and preparation method thereof
KR100674207B1 (en) Method for manufacturing stamper for the light guide plate use
JP4968429B2 (en) Manufacturing method of color filter forming substrate for liquid crystal display device
US8013524B2 (en) Organic EL display
CN107272325B (en) Photomask and exposure method based on photomask
KR20070065072A (en) Color filter substrate for liquid crystal display and method for manufacturing the same
CN109817692A (en) Pixel defining layer, color filter film and manufacturing method, light-emitting display panel
US11081537B2 (en) Substrate and manufacturing method thereof
CN110568640B (en) Substrate and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right