KR20150113665A - Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 TFT array 배선형성을 위한 몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막에서 하부 금속산화물 층에 어택(Attack)을 최소화하고, 상부 몰리브덴 금속막에 대해 직진성이 우수한 테이퍼 프로파일(Taper Profile)을 형성하며, 상부 몰리브덴 금속막만 선택적으로 식각하는 식각액 조성물, 이를 이용한 배선 형성 방법 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention minimizes the attack on the lower metal oxide layer in the double film of the molybdenum metal film / metal oxide film for forming the TFT array wiring, forms a taper profile with excellent linearity with respect to the upper molybdenum metal film , An etchant composition for selectively etching only the upper molybdenum metal film, a wiring forming method using the same, and a method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device.
TFT-LCD와 같은 반도체장치의 금속 배선 물질로 기판의 종류, 요구되는 특성에 따라 여러가지 금속 또는 이의 합금이 사용되는데, 예를 들면, Al, Al-Cu, Ti-W, Ti-N 등이 제안되어 있으며, TFT-LCD의 소스/드레인 배선용으로는 전기저항이 작은 Al 또는 이들의 합금이 많이 사용되었었다. Al, Al-Cu, Ti-W, Ti-N, etc. are proposed as metal wiring materials for semiconductor devices such as TFT-LCDs, depending on the type of substrate and required characteristics. And Al or an alloy thereof having a small electric resistance is often used for the source / drain wiring of the TFT-LCD.
그러나, 최근에는 공정 단순화, 원가 절감 및 기판의 대형화에 따른 전기적 특성의 개선 등의 이유로, 기존의 Cr 단일막, Al 또는 Al 합금의 단일막 또는 다중막(예, Mp/Al-Nd 이중막 또는 Mp/Al-Nd/Mo 삼중막) 대신에, Mo로 이루어진 단일막의 적용이 시도되고 있다.However, in recent years, a single film or a multilayer of an existing Cr single film, Al or Al alloy (for example, Mp / Al-Nd double film or the like) has been used for reasons of process simplification, cost reduction, Mp / Al-Nd / Mo triple film), application of a single film made of Mo is attempted.
한편, 평판표시장치를 구동하기 위한 박막 트랜지스터의 반도체층은 주로 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 형성되는데, 비정질 실리콘은 성막 공정이 간단하고 생산 비용이 적게 드는 장점이 있지만 전기적 신뢰성이 확보되지 못하는 문제가 있고, 다결정 실리콘은 높은 공정 온도로 인하여 대면적 응용이 매우 곤란하며, 결정화 방식에 따른 균일도가 확보되지 못하는 문제점이 있다.On the other hand, the semiconductor layer of the thin film transistor for driving the flat panel display device is mainly formed of amorphous silicon or polycrystalline silicon. The amorphous silicon is advantageous in that the film forming process is simple and the production cost is low, but the electrical reliability can not be secured , Polycrystalline silicon is very difficult to apply to a large area due to a high process temperature, and uniformity can not be secured according to the crystallization method.
그런데, 산화물로 반도체층을 형성할 경우 낮은 온도에서 성막하여도 높은 이동도를 얻을 수 있으며 산소의 함량에 따라 저항의 변화가 커서 원하는 물성을 얻기가 매우 용이하기 때문에 최근 박막 트랜지스터로의 응용에 있어 큰 관심을 끌고 있다.However, when a semiconductor layer is formed using an oxide, a high mobility can be obtained even if the film is formed at a low temperature. Since the resistance varies depending on the content of oxygen, it is very easy to obtain desired physical properties. It attracts great attention.
예를 들어 TFT array 배선형성에 Mo 금속막/금속산화물로 이루어진 이중막을 적용한 박막 트랜지스터 제조 방법이 시도되고 있는데, 따라서 하부 금속산화물층에 대한 어택이 없이 몰리브덴 금속막만 선택적으로 식각할 수 있는 기술이 필요한 실정이다.For example, a thin film transistor manufacturing method in which a double film made of a Mo metal film / a metal oxide is applied to form a wiring of a TFT array is attempted. Accordingly, a technique capable of selectively etching only a molybdenum metal film without attacking the lower metal oxide layer It is necessary.
이와 관련하여 대한민국 공개특허 2010-0082094호는 과황산나트륨, 과황산칼륨 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 과산화물, 산화제, 함불소 화합물, 첨가제 및 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리합금막, 티타늄막, 티타늄합금막, 몰리브덴 금속막, 몰리브덴합금막 또는 이들이 적층된 다중막의 식각조성물을 개시하고 있고, 대한민국 공개특허 2007-0005275호는 인산, 질산, 무기 인산염계 화합물 또는 무기 질산염계 화합물, 및 잔량의 물(H2O)로 구성된 Mo, Al, Mo합금 또는 Al합금으로 이루어진 다층막 및 단일막을 습식 식각액 조성물을 개시하고 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 2010-0082094 discloses a copper film, a copper alloy film, a titanium film, a titanium film, a titanium film, a titanium film, and a titanium film including peroxides selected from sodium persulfate, potassium persulfate, Discloses an etching composition of an alloy film, a molybdenum metal film, a molybdenum alloy film, or a multilayer in which these films are laminated. Korean Patent Laid-Open Publication No. 2007-0005275 discloses an etching composition comprising phosphoric acid, nitric acid, an inorganic phosphate compound or an inorganic nitrate salt compound, H < 2 > O), Mo, Al, Mo alloy or Al alloy.
그러나 상기 식각액 조성물은 Mo 금속막/금속산화물로 이루어진 이중막을 적용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 몰리브덴 금속막 식각 시 하부 금속산화물층을 어택(attack)할 우려가 있다.However, the etchant composition may attack the lower metal oxide layer when the molybdenum metal film is etched in the method of manufacturing a thin film transistor using the double metal film of Mo metal / metal oxide.
본 발명은 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, TFT array의 배선형성 과정에서 몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막으로부터 상부 몰리브덴 금속막만 선택적으로 식각함으로써 하부 금속 산화물 막에 대한 어택(Attack)을 최소화하며, 상부 몰리브덴 금속막에 대해 직진성이 우수한 테이퍼 프로파일(Taper Profile)을 제공하는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thin film transistor, It is an object of the present invention to provide an etchant composition that minimizes attack and provides a taper profile with excellent linearity with respect to the upper molybdenum metal film.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a wiring forming method using the etchant composition and a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device.
본 발명은 The present invention
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여,The present invention relates to a composition,
A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%;A) 5.0 to 25.0% by weight hydrogen peroxide (H 2 O 2 );
B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof;
C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; 및C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; And
D) 잔량의 물을 포함하며,D) residual water,
몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막에서 상부 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물을 제공한다
Characterized in that the upper molybdenum metal film is selectively etched in the double film of molybdenum metal film / metal oxide film
또한, 본 발명은 In addition,
Ⅰ)기판 상에 금속 산화물막을 형성하는 단계;I) forming a metal oxide film on the substrate;
Ⅱ)상기 금속 산화물막 상에 몰리브덴 금속막을 형성하는 단계;II) forming a molybdenum metal film on the metal oxide film;
III)상기 몰리브덴 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및III) selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum metal film; And
Ⅳ)식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,IV) selectively etching said molybdenum metal film using an etchant composition,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; 및 D) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 배선 형성 방법을 제공한다.
Wherein the etchant composition comprises: A) from 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ); B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; And D) the remaining amount of water. The present invention also provides a method of forming a wiring of a liquid crystal display device.
또한, 본 발명은,Further, according to the present invention,
a)기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; a) forming a gate electrode on a substrate;
b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode;
c)상기 게이트 절연층 상에 금속 산화물막(액티브층)을 형성하는 단계; 및c) forming a metal oxide film (active layer) on the gate insulating layer; And
d)상기 금속 산화물 반도체층 상에 몰리브덴 금속막(소스/드레인 전극)을 형성하는 단계를 포함하며,d) forming a molybdenum metal film (source / drain electrode) on the metal oxide semiconductor layer,
상기 d)단계는 상기 금속 산화물 반도체층 상에 몰리브덴 금속막을 형성하고, 상기 몰리브덴 금속막을 식각액 조성물을 사용하여 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,The step d) includes forming a molybdenum metal film on the metal oxide semiconductor layer and selectively etching the molybdenum metal film using the etching composition,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; 및 D) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.Wherein the etchant composition comprises: A) from 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ); B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; And D) a residual amount of water. The present invention also provides a method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device.
본 발명의 식각액 조성물을 사용하는 경우, TFT array의 배선형성을 위하여 형성되는 몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막으로부터 상부 몰리브덴 금속막만을 선택적으로 식각하는 것이 가능하여, 하부 금속 산화물 막에 대한 어택(Attack)을 최소화할 수 있다.In the case of using the etching composition of the present invention, it is possible to selectively etch only the upper molybdenum metal film from the double film of the molybdenum metal film / metal oxide film formed for wiring formation of the TFT array, Attack can be minimized.
또한, 몰리브덴 금속막 식각시 직진성이 우수한 테이퍼 프로파일(Taper Profile)을 형성할 수 있기 때문에 매우 효율적으로 TFT array의 배선형성공정을 수행할 수 있다.In addition, since a taper profile having excellent linearity can be formed when the molybdenum metal film is etched, the wiring formation process of the TFT array can be performed very efficiently.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여,The present invention relates to a composition,
A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%;A) 5.0 to 25.0% by weight hydrogen peroxide (H 2 O 2 );
B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof;
C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량% 및C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound and
D) 잔량의 물을 포함하며,D) residual water,
몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막에서 상부 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물에 관한 것이다.
Characterized in that the upper molybdenum metal film is selectively etched in the double film of molybdenum metal film / metal oxide film.
본 발명에서 ‘금속 산화물막’은 통상 AxByCzO(A, B, C는 각각 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, Ta, 또는 Ti로부터 선택되며; x, y 및 z≥0이며, 여기서 x, y, z 중 2개 이상은 0이 아니다)의 조합으로 이루어진 삼성분계 또는 사성분계 산화물을 함유하여 구성된 막으로서, 산화물 반도체층이라고 불리거나 또는 산화물 반도체층을 구성하는 막일 수 있다.
In the present invention, 'metal oxide film' is usually selected from the group consisting of AxByCzO (where A, B and C are selected from Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, Ta or Ti; x, y, Wherein two or more of x, y, and z are not 0), and may be a film constituted by an oxide semiconductor layer or a film constituting an oxide semiconductor layer.
본 발명의 식각액 조성물의 몰리브덴 금속막 : 금속 산화물막의 식각비는 9.9 : 0.1 ~ 10.0 : 0.0이며, 바람직하게는 10.0 : 0.0이다. 하부 금속산화물막이 식각되면 Transistor특성이 변하게 되므로, 상기와 같은 식각비를 충족하여야 한다.
The etching ratio of the molybdenum metal film: metal oxide film of the etching solution composition of the present invention is 9.9: 0.1 to 10.0: 0.0, preferably 10.0: 0.0. When the lower metal oxide film is etched, the transistor characteristics are changed. Therefore, the etching rate as described above must be satisfied.
상기 A) 과산화수소(H2O2)는 상부 몰리브덴 금속막의 식각의 주산화제 역할을 한다. 상기 A) 과산화수소(H2O2)는 조성물 총 중량에 대하여, 5.0 내지 25.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 8.0 내지 20.0중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 식각력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 25.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 식각 속도가 전체적으로 빨라지기 때문에 공정 컨트롤이 어렵다.
The A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) acts as a peroxide for etching the upper molybdenum metal film. The A) hydrogen peroxide (H2O2) is included in an amount of 5.0 to 25.0% by weight, preferably 8.0 to 20.0% by weight, based on the total weight of the composition. If the amount is less than the above range, sufficient etching may not be performed due to insufficient etching force, and if it exceeds 25.0% by weight, process control is difficult because the etching speed is entirely accelerated.
상기 B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상은 pH를 적당히 맞추어 주어 식각액의 환경을 Mo 금속막이 식각되기 용이하게 만든다. And at least one selected from the above B) organic acids and salts thereof is suitably adjusted in pH to make the environment of the etching solution easy to etch the Mo metal film.
상기 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상은 상부 몰리브덴 금속막의 식각 속도를 높이고, 식각하는 용액에서 필연적으로 발생하는 잔사를 제거하며, 하부 금속산화물층에 어택(Attack)을 최소화 하는 역할을 한다.At least one selected from the above organic acids and their salts serves to increase the etching rate of the upper molybdenum metal film, to remove residues inevitably generated in the etching solution, and to minimize the attack on the lower metal oxide layer .
상기 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상은 조성물 총 중량에 대하여 1.0 내지 5.0중량%로 포함되며, 바람직하게는 3 내지 5중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 상부 몰리브덴 금속막의 식각속도가 저하되어 부분적 언에치(Unetch) 현상이나 잔사가 발생할 수 있고, 하부 금속산화물의 어택(Attack)이 심해질 수 있다. 5.0중량%를 초과하여 포함될 경우, 상부 몰리브덴 금속막이 과다하게 식각되어 금속막이 기판으로부터 리프트-오프(Lift-Off) 될 수 있다.At least one selected from the above organic acids and salts thereof is contained in an amount of 1.0 to 5.0% by weight, preferably 3 to 5% by weight based on the total weight of the composition. If it is contained within the above-mentioned range, the etching rate of the upper molybdenum metal film may be lowered, so that partial unetch phenomenon or residue may occur, and the attack of the lower metal oxide may become worse. If it is contained in an amount exceeding 5.0% by weight, the upper molybdenum metal film may be excessively etched and the metal film may be lifted off from the substrate.
상기 유기산 및 이들의 염의 구체적인 예로는 아세트산, 이미노디아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 부탄산, 시트르산, 이소시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 술포벤조산, 석신산, 술포석신산, 살리실산, 술포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 말산, 타르타르산, 프로펜산 등을 들 수 있다. 또한, 유기산의 염으로는 상기 유기산의 칼륨염, 나트륨염, 암모늄염 등을 들 수 있다.
Specific examples of the organic acids and salts thereof include acetic acid, iminodiacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, butanoic acid, citric acid, isocitric acid, formic acid, gluconic acid, glycolic acid, malonic acid, oxalic acid, pentanoic acid, sulfobenzoic acid, Sulfosuccinic acid, salicylic acid, sulfosalicylic acid, benzoic acid, lactic acid, glyceric acid, malic acid, tartaric acid, propenoic acid and the like. Examples of salts of organic acids include potassium salts, sodium salts and ammonium salts of the above organic acids.
상기 C) 고리형 아민 화합물은 몰리브덴막 식각시 식각 속도를 조절하고 프로파일을 형성하는 성분이다. 구체적인 예로는 5-아미노테트라졸, 톨리트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸벤조트리아졸, 이미다졸계 화합물, 인돌계 화합물, 푸린계화합물, 피라졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 피리미딘계 화합물, 피롤계 화합물, 피롤리딘계 화합물, 피롤린계 화합물 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The C) cyclic amine compound is a molybdenum film It is a component that adjusts etch rate and forms profile when etched. Specific examples thereof include 5-aminotetrazole, tolythriazole, benzotriazole, methylbenzotriazole, imidazole compounds, indole compounds, purine compounds, pyrazole compounds, pyridine compounds, pyrimidine compounds, A pyrrole compound, a pyrrole compound, and the like. These compounds may be used alone or in admixture of two or more.
상기 고리형 아민 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.5 내지 3중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서는 적정한 몰리브덴식각율과 테이퍼 각도를 형성할 수 있고 측면 식각량을 조절할 수 있다. 상기 함량이 0.1중량% 미만인 경우 몰리브덴의 식각 속도를 충분히 조절하기 어려워 과식각이 발생할 수 있고, 5중량% 초과인 경우 몰리브덴의 식각 속도가 저하되어 공정 상 식각 시간이 길어져 생산성을 저하시킬 수 있다.The cyclic amine compound may be contained in an amount of 0.1 to 5% by weight, preferably 0.5 to 3% by weight based on the total weight of the composition. The molybdenum etch rate and the taper angle can be appropriately set and the side etching amount can be controlled in the above content range. If the content is less than 0.1% by weight, it is difficult to control the etching rate of molybdenum sufficiently, and an overeating angle may occur. If the content is more than 5% by weight, the etching rate of molybdenum may be lowered.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 D)물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 좋다. 상기 C) 물은 본 발명의 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량 포함된다.The D) water contained in the etchant composition of the present invention is not particularly limited, but deionized water is preferred. More preferably, it is preferable to use deionized water having a resistivity value of water (i.e., the degree of removal of ions in water) of 18 M OMEGA .cm or more. The C) water is contained in such an amount that the total weight of the composition of the present invention is 100% by weight.
또한, 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 들 수 있다.
In addition to the above-described components, conventional additives may be further added. Examples of the additive include a metal ion blocking agent and a corrosion inhibitor.
본 발명에서 사용되는 A) 과산화수소(H2O2), B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 C) 고리형 아민 화합물, D)물은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 본 발명의 식각액 조성물은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
One or more C) cyclic amine compounds selected from the group consisting of A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), B) organic acids and salts thereof, D) water can be produced by a conventionally known method , The etchant composition of the present invention preferably has purity for semiconductor processing.
또한, 본 발명은 In addition,
Ⅰ)기판 상에 금속 산화물막을 형성하는 단계;I) forming a metal oxide film on the substrate;
Ⅱ)상기 금속 산화물막 상 위에 몰리브덴 금속막을 형성하는 단계;II) forming a molybdenum metal film on the metal oxide film;
III)상기 몰리브덴 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및III) selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum metal film; And
Ⅳ)식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,IV) selectively etching said molybdenum metal film using an etchant composition,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; 및 D) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 배선 형성 방법에 관한 것이다.Wherein the etchant composition comprises: A) from 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ); B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; And D) the remaining amount of water. The present invention also relates to a method of forming a wiring of a liquid crystal display device.
본 발명의 배선 형성방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
In the wiring forming method of the present invention, the photoreactive material is preferably a conventional photoresist material, and can be selectively left by a conventional exposure and development process.
또한, 본 발명은,Further, according to the present invention,
a)기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; a) forming a gate electrode on a substrate;
b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode;
c)상기 게이트 절연층 상에 금속 산화물막(액티브층)을 형성하는 단계; 및c) forming a metal oxide film (active layer) on the gate insulating layer; And
d)상기 금속 산화물 반도체층 상에 몰리브덴 금속막(소스/드레인 전극)을 형성하는 단계를 포함하며,d) forming a molybdenum metal film (source / drain electrode) on the metal oxide semiconductor layer,
상기 d)단계는 상기 금속 산화물 반도체층 상에 몰리브덴 금속막을 형성하고, 상기 몰리브덴 금속막을 식각액 조성물을 사용하여 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,The step d) includes forming a molybdenum metal film on the metal oxide semiconductor layer and selectively etching the molybdenum metal film using the etching composition,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; 및 D) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
Wherein the etchant composition comprises: A) from 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ); B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; And D) the remaining amount of water. The present invention also relates to a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device.
본 발명의 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막을 형성하는 것을 특징으로 한다. A manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal display of the present invention is characterized by forming a double film of a molybdenum metal film / metal oxide film.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다. 그리고, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 몰리브덴 금속막을 포함한다.
The array substrate for a liquid crystal display may be a thin film transistor (TFT) array substrate. The array substrate for a liquid crystal display includes a molybdenum metal film etched using the etching solution composition of the present invention.
상기 몰리브덴 금속막을 상기 식각액 조성물로 식각하는 단계는 당업계 주지의 방법에 따라 행해질 수 있으며, 침지, 흘리기 등을 예시할 수 있다. 식각 공정시의 온도는 일반적으로 20~50℃, 바람직하게는 30~45℃ 이며, 적정 공정 온도는 다른 공정 조건 및 요인에 의해 필요에 따라 정해진다.The step of etching the molybdenum metal film with the etchant composition may be performed according to a well-known method in the art, and examples thereof include immersion and shedding. The temperature in the etching process is generally 20 to 50 ° C, preferably 30 to 45 ° C, and the optimum process temperature is determined as necessary depending on other process conditions and factors.
상기 몰리브덴 금속막을 상기 식각액 조성물로 식각하는 시간은, 온도 및 박막의 두께 등에 따라 변할 수 있으나 일반적으로 수초 내지 수십분이다.
The time for etching the molybdenum metal film with the etchant composition may vary depending on the temperature and the thickness of the thin film, but is usually several seconds to several tens of minutes.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 식각된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
The present invention also provides an array substrate for a liquid crystal display comprising source and drain electrodes etched using the etchant composition.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the following embodiments are for further illustrating the present invention, and the scope of the present invention will be determined by the technical idea of the following claims.
실시예Example 1~4 및 1 to 4 and 비교예Comparative Example 1~2: 1 to 2: 식각액Etchant 조성물의 제조 Preparation of composition
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 각 성분을 혼합하여, 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 2의 식각액 조성물을 제조하였다.Each component was mixed according to the composition shown in the following Table 1 to prepare the etching solution compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2.
아세테이트ammonium
acetate
테트라졸5-amino
Tetrazole
◎: 매우 우수(CD Skew ≤ 1㎛, Taper Angle: 40°~ 60°) ⊚: excellent (CD Skew ≤ 1 μm, Taper Angle: 40 ° to 60 °)
○: 우수(1㎛ < CD Skew ≤ 1.5㎛, Taper Angle: 30°~ 60°) Good: Excellent (1 탆 <CD Skew ≤ 1.5 탆, Taper Angle: 30 캜 to 60 캜)
△: 양호(1.5㎛ < CD Skew ≤ 2㎛, Taper Angle: 20°~ 60°) ?: Good (1.5 탆 <CD Skew ≤ 2 탆, Taper Angle: 20 째 to 60 째)
×: 불량 (금속막 소실 및 잔사 발생)
X: Bad (metal film disappearance and residue formation)
시험예Test Example : : 식각액Etchant 조성물의 특성평가 Evaluation of composition characteristics
실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 2의 식각액 조성물을 이용하여 하부에 금속산화물막으로서 IGZO막이 적층되고, 상기 금속산화물막의 상부에 몰리브덴 금속막으로서 몰리브덴 단일막이 적층된 유리기판에 대한 식각 공정을 수행하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각 공정시 식각액 조성물의 온도는 약 40℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경될 수 있다. 식각 시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 통상 100초 정도로 진행한다. 상기 식각 공정에서 식각된 몰리브덴 금속막 및 금속산화물막의 이미지는 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였다.An IGZO film was stacked as a metal oxide film on the lower side using the etching solution compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 and a glass substrate on which a molybdenum single film as a molybdenum metal film was stacked on the metal oxide film was subjected to an etching process Respectively. (ETCHER (TFT), manufactured by SEMES) was used as the etchant, and the temperature of the etchant composition was set to about 40 ° C during the etching process. However, the optimum temperature was determined according to other process conditions and other factors can be changed. The etching time may vary depending on the etching temperature, but usually proceeds to about 100 seconds. The images of the molybdenum metal film and the metal oxide film that were etched in the etching process were examined using an SEM (product name: S-4700, manufactured by Hitachi).
상기 표 1에서 보는 것과 같이 실시예 1 내지 실시예 4의 식각액은 모두 양호한 식각 특성을 나타내었으며 잔사 또한 발생하지 않았다. .As shown in Table 1, all of the etching solutions of Examples 1 to 4 exhibited good etching characteristics and no residue was formed. .
또한 실시예 3의 식각액으로부터 유기산의 함량이 증가하였을 경우 몰리브덴 금속막의 식각속도가 증가함을 확인할 수 있었다.Also, it was confirmed that the etching rate of the metal film of molybdenum was increased when the content of organic acid was increased from the etching solution of Example 3.
비교예 1의 식각액은 과산화수소 함량이 상술한 범위보다 너무 높아 몰리브덴 금속막이 과식각 되어 PR lift off되었고, 비교예 2의 식각액은 식각속도 조절제인 고리형 아민 화합물이 포함되지 않음으로써 식각속도가 빨라져 과식각이 나타났으며, 금속산화물막에 대한 어텍도 확인되었다.
The etching solution of Comparative Example 1 had a higher hydrogen peroxide content than the above range, so that the molybdenum metal film was hyperfaded to lift off the PR, and the etching solution of Comparative Example 2 contained no cyclic amine compound as the etching rate controlling agent, An angle was observed and the metal oxide film was attached.
Claims (10)
b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 금속 산화물막(액티브층)을 형성하는 단계; 및
d)상기 금속 산화물막 상에 몰리브덴 금속막(소스/드레인 전극)을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 d)단계는 상기 금속 산화물막 상에 몰리브덴 금속막을 형성하고, 상기 몰리브덴 금속막을 식각액 조성물을 사용하여 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; 및 D) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.a) forming a gate electrode on a substrate;
b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode;
c) forming a metal oxide film (active layer) on the gate insulating layer; And
d) forming a molybdenum metal film (source / drain electrode) on the metal oxide film,
The step d) includes forming a molybdenum metal film on the metal oxide film and selectively etching the molybdenum metal film using the etching composition,
Wherein the etchant composition comprises: A) from 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ); B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; And D) the remaining amount of water.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법. The method according to claim 1,
Wherein the array substrate for a liquid crystal display is a thin film transistor (TFT) array substrate.
상기 금속 산화물막은 AxByCzO(A, B, C는 각각 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, Ta, 또는 Ti로부터 선택되며; x, y 및 z≥0이며, 여기서 x, y, z 중 2개 이상은 0이 아니다)의 조합으로 이루어진 삼성분계 또는 사성분계 산화물을 함유하여 구성된 막인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물. The method according to claim 1,
X, y, and z? 0, wherein x, y, z, and z are each independently selected from the group consisting of Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, Ta, Wherein at least two of the oxides are not 0). ≪ RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI >
A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%;
B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%;
C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; 및
D) 잔량의 물을 포함하며,
몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막에서 상부 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.With respect to the total weight of the composition,
A) 5.0 to 25.0% by weight hydrogen peroxide (H 2 O 2 );
B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof;
C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; And
D) residual water,
Wherein the upper molybdenum metal film is selectively etched in the double film of molybdenum metal film / metal oxide film.
상기 식각액 조성물의 몰리브덴 금속막 : 금속 산화물막의 식각비는 9.9 : 0.1 ~ 10.0 : 0.0인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The method of claim 4,
Wherein the etchant composition has an etch rate of molybdenum metal film: metal oxide film of 9.9: 0.1 to 10.0: 0.0.
상기 B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상은 아세트산, 이미노디아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 부탄산, 시트르산, 이소시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 술포벤조산, 석신산, 술포석신산, 살리실산, 술포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 말산, 타르타르산, 프로펜산, 및 이들의 칼륨염, 나트륨염, 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The method of claim 4,
At least one selected from the group consisting of B) organic acids and salts thereof is at least one selected from the group consisting of acetic acid, iminodiacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, butanoic acid, citric acid, isocitric acid, formic acid, gluconic acid, glycolic acid, malonic acid, oxalic acid, Characterized in that it is selected from the group consisting of sulfobenzoic acid, succinic acid, sulfosuccinic acid, salicylic acid, sulfosalicylic acid, benzoic acid, lactic acid, glyceric acid, malic acid, tartaric acid, propenoic acid and their potassium, sodium and ammonium salts Lt; / RTI >
상기 C) 고리형 아민 화합물은 5-아미노테트라졸, 톨리트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸벤조트리아졸, 이미다졸계 화합물, 인돌계 화합물, 푸린계화합물, 피라졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 피리미딘계 화합물, 피롤계 화합물, 피롤리딘계 화합물, 및 피롤린계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The method of claim 4,
The C) cyclic amine compound may be at least one compound selected from the group consisting of 5-aminotetrazole, tolithriazole, benzotriazole, methylbenzotriazole, imidazole compounds, indole compounds, purine compounds, pyrazole compounds, pyridine compounds, A pyrrole-based compound, a pyrrolidine-based compound, and a pyrroline-based compound.
Ⅱ)상기 금속 산화물막 상 위에 몰리브덴 금속막을 형성하는 단계;
III)상기 몰리브덴 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
Ⅳ)식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; 및 D) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 배선 형성 방법. I) forming a metal oxide film on the substrate;
II) forming a molybdenum metal film on the metal oxide film;
III) selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum metal film; And
IV) selectively etching said molybdenum metal film using an etchant composition,
Wherein the etchant composition comprises: A) from 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ); B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; And D) the remaining amount of water.
An array substrate for a liquid crystal display, comprising source and drain electrodes etched using the etchant composition of claim 4.
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505328B1 (en) * | 2002-12-12 | 2005-07-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | ETCHING SOLUTIONS AND METHOD TO REMOVE MOLYBDENUM RESIDUE FOR Cu MOLYBDENUM MULTILAYERS |
| US20060292888A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant, method for fabricating interconnection line using the etchant, and method for fabricating thin film transistor substrate using the etchant |
| KR20070005275A (en) | 2005-07-06 | 2007-01-10 | 테크노세미켐 주식회사 | Etchant composition for making metal electrodes of fpd |
| KR20100082094A (en) | 2009-01-08 | 2010-07-16 | 테크노세미켐 주식회사 | Etchant for thin film transistor-liquid crystal displays |
| KR20110019604A (en) * | 2009-08-20 | 2011-02-28 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for formation of metal line |
| JP2011216694A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | Thin film field-effect transistor and method of manufacturing the same |
| KR20110118297A (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-31 | 솔브레인 주식회사 | Etchant for thin film transistor liquid crystal display |
| KR20130016068A (en) * | 2011-08-04 | 2013-02-14 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505328B1 (en) * | 2002-12-12 | 2005-07-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | ETCHING SOLUTIONS AND METHOD TO REMOVE MOLYBDENUM RESIDUE FOR Cu MOLYBDENUM MULTILAYERS |
| US20060292888A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant, method for fabricating interconnection line using the etchant, and method for fabricating thin film transistor substrate using the etchant |
| KR20070005275A (en) | 2005-07-06 | 2007-01-10 | 테크노세미켐 주식회사 | Etchant composition for making metal electrodes of fpd |
| KR20100082094A (en) | 2009-01-08 | 2010-07-16 | 테크노세미켐 주식회사 | Etchant for thin film transistor-liquid crystal displays |
| KR20110019604A (en) * | 2009-08-20 | 2011-02-28 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for formation of metal line |
| JP2011216694A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | Thin film field-effect transistor and method of manufacturing the same |
| KR20110118297A (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-31 | 솔브레인 주식회사 | Etchant for thin film transistor liquid crystal display |
| KR20130016068A (en) * | 2011-08-04 | 2013-02-14 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
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