KR20150112101A - 유기전계발광표시장치 - Google Patents

유기전계발광표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150112101A
KR20150112101A KR1020140035329A KR20140035329A KR20150112101A KR 20150112101 A KR20150112101 A KR 20150112101A KR 1020140035329 A KR1020140035329 A KR 1020140035329A KR 20140035329 A KR20140035329 A KR 20140035329A KR 20150112101 A KR20150112101 A KR 20150112101A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
low
low reflection
display panel
substrate
Prior art date
Application number
KR1020140035329A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102256083B1 (ko
Inventor
양희정
한규원
호원준
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140035329A priority Critical patent/KR102256083B1/ko
Priority to US14/473,545 priority patent/US9165994B1/en
Priority to EP14189011.1A priority patent/EP2924758B1/en
Priority to CN201410594252.1A priority patent/CN104952901B/zh
Publication of KR20150112101A publication Critical patent/KR20150112101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102256083B1 publication Critical patent/KR102256083B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 서브 픽셀들이 형성된 표시 패널; 및 상기 표시 패널을 구동하는 구동부를 포함하되, 상기 표시 패널은 기판의 내부면 또는 외부면에 형성되고 상기 기판에 정의된 비개구부에 대응하여 위치하는 저반사층을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display Device}
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기전계발광소자는 전자(election) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
유기전계발광표시장치는 유기전계발광소자를 이용하여 표시 패널을 형성한다. 표시패널은 빛이 방출되는 방향에 따라 상부발광(Top-Emission) 방식, 하부발광(Bottom-Emission) 방식 및 양면발광(Dual-Emission) 등으로 구현될 수 있고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 구현될 수 있다.
유기전계발광표시장치는 외부광(Ambient Light)의 입사 등에 의한 영향으로 표시 품질(시감, 휘도 등)이 저하되는 문제가 있다. 이로 인하여, 종래에는 유기전계발광표시장치의 표시 패널 제작시, 표시 패널(150)의 외부면(또는 표시면)에 원편광판(Circular Polarizer)을 부착하는 방식으로 외부광에 대한 반사특성을 제한하였다.
그런데 표시 패널의 외부면에 원편광판을 부착할 경우, 표시 패널의 휘도가 감소(대략 50%)하게 됨은 물론 제조 비용의 증가를 초래하게 되는 문제가 있어 이를 대체 또는 개선할 수 있는 방안이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 표시 패널의 발광면에 위치하는 기판의 내부 비개구부에 저반사가 가능한 층을 형성하여 외부광에 대한 반사특성을 제한함과 더불어 개구부의 휘도 감소를 방지하고, 제조 비용을 절감하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 서브 픽셀들이 형성된 표시 패널; 및 상기 표시 패널을 구동하는 구동부를 포함하되, 상기 표시 패널은 기판의 내부면 또는 외부면에 형성되고 상기 기판에 정의된 비개구부에 대응하여 위치하는 저반사층을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
상기 저반사층은 상기 기판에 정의된 개구부를 제외한 모든 비개구부를 덮을 수 있다.
상기 저반사층은 상기 기판의 내부면 바로 위에 형성될 수 있다.
상기 저반사층은 상기 표시 패널의 데이터 라인, 게이트 라인, 스위칭 트랜지스터, 커패시터 및 구동 트랜지스터를 구성하는 전극층 및 외부 광을 차단하도록 상기 기판의 내부면 또는 외부면에 별도로 형성된 광차단층에 포함될 수 있다.
상기 저반사층은 N층(N은 2 이상 정수)으로 이루어질 수 있다.
상기 저반사층은 저반사 재료로 이루어진 층과 절연 재료로 이루어진 층으로 구성될 수 있다.
상기 저반사층은 저반사 재료로 이루어진 층들로 구성될 수 있다.
상기 저반사층은 층 간의 굴절률이 서로 상이할 수 있다.
상기 데이터 라인, 상기 게이트 라인, 상기 스위칭 트랜지스터, 상기 커패시터 및 상기 구동 트랜지스터를 구성하는 전극층 및 외부 광을 차단하도록 상기 기판의 내부면 또는 외부면에 별도로 형성된 광차단층은 상기 저반사층과 비저반사층을 포함하되, 상기 저반사층은 상기 비저반사층 대비 외부광이 입사되는 방향에 더 가까울 수 있다.
본 발명은 표시 패널의 발광면에 위치하는 기판의 내부 비개구부에 저반사가 가능한 층을 형성하여 외부광에 대한 반사특성을 제한함과 더불어 개구부의 휘도 감소를 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 표시 패널 제작시 기판의 내부 비개구부에 저반사가 가능한 층을 형성하는 대신 원편광판을 제거하게 되므로 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 구성도.
도 2는 서브 픽셀의 회로 구성 예시도.
도 3은 종래에 제안된 유기전계발광표시장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 비교 설명하기 위한 도면.
도 4 및 도 5는 종래에 제안된 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀의 평면도 및 단면도.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀의 평면도 및 단면도.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀의 평면도 및 단면도.
도 10은 저반사층의 제1예시도.
도 11은 저반사층의 제2예시도.
도 12는 저반사층의 제3예시도.
도 13은 저반사층을 포함하는 구조물의 제1예시도.
도 14는 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터의 다양한 예시도.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 서브 픽셀의 회로 구성 예시도 이며, 도 3은 종래에 제안된 유기전계발광표시장치와 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 비교 설명하기 위한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에는 영상 처리부(110), 타이밍 제어부(120), 데이터 구동부(130), 게이트 구동부(140) 및 표시 패널(150)이 포함된다.
영상 처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(110)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다.
타이밍 제어부(120)는 영상 처리부(110)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(120)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다.
데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다. 데이터 구동부(130)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성된다.
게이트 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(140)는 게이트라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(140)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되거나 표시 패널(150)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.
표시 패널(150)은 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(140)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(150)은 영상을 표시하는 서브 픽셀들(SP)을 포함한다.
서브 픽셀은 구조에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 형성된다. 서브 픽셀들(SP)은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함하거나 백색 서브 픽셀, 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함한다. 서브 픽셀들(SP)은 발광 특성에 따라 하나 이상 다른 발광 면적을 가질 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 하나의 서브 픽셀에는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 보상회로(CC) 및 유기 발광다이오드(OLED)가 포함된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.
스위칭 트랜지스터(SW)는 제1게이트라인(GL1)을 통해 공급된 게이트신호에 응답하여 제1데이터라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터신호가 커패시터(Cst)에 데이터전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 따라 제1전원배선(VDD)과 제2전원배선(GND) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이다.
보상회로(CC)는 하나 이상의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양한바 이에 대한 구체적인 예시 및 설명은 생략한다.
도 2에서는 하나의 서브 픽셀에 보상회로(CC)가 포함된 것을 일례로 하였다. 하지만, 보상의 주체가 데이터구동부(130) 등과 같이 서브 픽셀의 외부에 위치하는 경우 보상회로(CC)는 생략될 수도 있다. 즉, 하나의 서브 픽셀은 기본적으로 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(OLED)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C 등으로 구성될 수도 있다.
한편, 유기전계발광표시장치는 외부광(Ambient Light)의 입사 등에 의한 영향으로 표시 품질(시감, 휘도 등)이 저하되는 문제가 있다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 종래 발명은 유기전계발광표시장치 표시 패널(150) 제작시, 영상(IMG)의 표시 품질을 개선하기 위해 원편광판(Circular Polarizer)(160)을 부착하는 방식으로 외부광에 대한 반사특성을 제한한다.
도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 유기전계발광표시장치의 표시 패널(150) 제작시, 영상(IMG)의 표시 품질을 개선하기 위해 원편광판을 제거하는 대신 저반사층을 이용한다.
구체적으로, 본 발명의 일 실시예는 표시 패널(150)의 내부에 포함된 저반사층을 이용하여 외부광에 대한 반사특성을 제한한다. 이때, 저반사층은 표시 패널(150)의 내부 또는 외부에 형성될 수 있다. 그러나, 공정의 편의를 고려할 때 저반사층은 표시 패널(150)의 내부에 형성되는 것이 바람직하다.
이하, 외부광의 입사 등에 의한 문제 해결을 위한 종래의 방식과 본 발명에 따른 방식을 비교 설명한다.
도 4 및 도 5는 종래에 제안된 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀의 평면도 및 단면도이며, 도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀의 평면도 및 단면도이고, 도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀의 평면도 및 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 종래에 제안된 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀은 데이터 라인(DL1)과 게이트 라인 등을 기준으로 정의된다. 서브 픽셀은 하부전극(161) 등이 형성된 개구부와 데이터 라인(DL1), 게이트 라인, 스위칭 트랜지스터(SW), 커패시터(미도시) 및 구동 트랜지스터(DR) 등이 형성된 비개구부를 포함한다.
개구부는 빛을 발광하는 발광 영역에 해당하고, 비개구부는 빛을 비발광하는 비발광 영역에 해당한다. 통상 비개구부에 위치하는 전극이나 라인은 각종 신호나 전원 등을 전달하므로 개구부에 위치하는 전극 재료 대비 전기적 특성이 우수함은 물론 저항이 낮고 반사도가 높다.
종래에는 표시 패널(150)의 표시면 전체에 대하여 외부광에 대한 반사특성을 제한하기 위해 하부기판(150a)의 외부면(또는 표시면)에 원편광판(160)을 부착하는 단순한 방식을 사용하게 된 것이다. 그러나, 종래에 제안된 바와 같이 표시 패널(150)의 외부면에 원편광판(160)을 부착할 경우, 비개구부의 반사도를 감소시켜 영상의 표시 품질을 개선할 수는 있지만, 개구부의 휘도 감소를 해결하기 어렵다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀은 데이터 라인(DL1)과 게이트 라인 등을 기준으로 정의된다. 서브 픽셀은 하부전극(161) 등이 형성된 개구부와 데이터 라인(DL1), 게이트 라인, 스위칭 트랜지스터(SW) 및 구동 트랜지스터(DR) 등이 형성된 비개구부를 포함한다.
개구부는 빛을 발광하는 발광 영역에 해당하고, 비개구부는 빛을 비발광하는 비발광 영역에 해당한다. 통상 비개구부에 위치하는 전극 재료는 각종 신호나 전원 등을 전달하므로 개구부에 위치하는 전극 재료 대비 전기적 특성이 우수함은 물론 저항이 낮고 반사도가 높다.
본 발명의 일 실시예는 하부기판(150a)의 내부면 바로 위에 저반사층(151)을 형성하고, 저반사층(151)이 표시 패널(150)의 비개구부에 대응되도록 패턴하는데, 구동 트랜지스터(DR)의 단면을 기준으로 설명을 구체화하면 다음과 같다.
하부기판(150a)의 내부면의 전면에 저반사층(151)을 형성하고, 표시 패널(150)의 비개구부에 대응되도록 저반사층(151)을 패턴한다. 이때, 저반사층(151)은 적어도 2층 이상으로 형성한다. 다음, 저반사층(151) 상에 게이트전극(152)을 형성하고, 게이트전극(152)을 패턴한다. 다음, 게이트전극(152)을 덮도록 하부기판(150a)의 내부면 상에 제1절연막(153)을 형성한다. 다음, 제1절연막(153) 상에 반도체층(154)을 형성하고, 반도체층(154)을 패턴한다. 다음, 반도체층(154) 상에 에치스토퍼층(155)을 형성하고 소오스 및 드레인 영역을 노출하도록 에치스토퍼층(155)을 패턴한다. 에치스토퍼층(155) 상에 소오스전극(156) 및 드레인전극(157)을 형성하고, 소오스전극(156) 및 드레인전극(157)을 패턴한다.
게이트전극(152), 소오스전극(156) 및 드레인전극(157)을 구성하는 재료는 Cu, Al, Au, Ag, Ti, Mo, W, Ta 및 이를 포함하는 하나 이상의 합금(Alloy)으로 선택될 수 있다. 그리고 합금의 원소는 Ca, Mg, Zn, Mn, Ti, Mo, Ni, Nd, Zr, Cd, Au, Ag, Co, Fe, Rh, In, Ta, Hf, W, Cr 로 선택될 수 있다. 반도체층(154)은 Si 계열, Oxide 계열, 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 Grephene 계열, Nitride 계열, 유기 반도체 계열 중 하나로 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시예와 같이 하부기판(150a)의 내부면에 저반사층(151)을 형성하면 저반사층(151)이 개구부를 제외한 비개구부를 모두 덮게 되므로 원편광판을 생략할 수 있게 된다. 다만, 저반사층(151)을 패턴할 때에는 비개구부에 위치하는 모든 전극이나 라인이 차지하는 영역보다 저반사층(151)이 차지하는 영역이 더 넓을수록 좋다.
그 이유는 상하 및 좌우 측면으로부터 입사되는 외부광의 반사도를 고려할 수 있기 때문이다. 그러므로, 저반사층(151)이 차지하는 영역은 개구부를 제외한 모든 영역이 될 수도 있다. 그러나, 이는 하나의 예시일 뿐, 저반사층(151)이 차지하는 영역은 비개구부에 위치하는 모든 전극이나 라인이 차지하는 영역에 일치할 수도 있다.
그러므로, 본 발명의 일 실시예는 하부기판(150a)의 내부면에 저반사층(151)을 형성하되, 저반사층(151)을 비개구부에 대응시켜 외부광에 대한 반사특성을 비개구부에 한하여 제한함과 더불어 개구부의 휘도 감소를 방지할 수 있다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀은 데이터 라인(DL1)과 게이트 라인 등을 기준으로 정의된다. 서브 픽셀은 하부전극(161) 등이 형성된 개구부와 데이터 라인(DL1), 게이트 라인, 스위칭 트랜지스터(SW), 커패시터(미도시) 및 구동 트랜지스터(DR) 등이 형성된 비개구부를 포함한다.
개구부는 빛을 발광하는 발광 영역에 해당하고, 비개구부는 빛을 비발광하는 비발광 영역에 해당한다. 통상 비개구부에 위치하는 전극이나 라인은 각종 신호나 전원 등을 전달하므로 개구부에 위치하는 전극 재료 대비 전기적 특성이 우수함은 물론 저항이 낮고 반사도가 높다.
본 발명의 다른 실시예는 비개구부에 위치하는 데이터 라인(DL1), 게이트 라인, 스위칭 트랜지스터(SW) 및 구동 트랜지스터(DR) 등과 같은 게이트 및 소오스/드레인 금속을 형성할 때, 저반사층이 포함되도록 전극 재료를 구성하는데, 구동 트랜지스터(DR)의 단면을 기준으로 설명을 구체화하면 다음과 같다.
하부기판(150a)의 내부면에 저반사층을 포함하는 게이트전극(152)을 형성하고, 게이트전극(152)을 패턴한다. 다음, 게이트전극(152)을 덮도록 하부기판(150a)의 내부면 상에 제1절연막(153)을 형성한다. 다음, 제1절연막(153) 상에 반도체층(154)을 형성하고, 반도체층(154)을 패턴한다. 다음, 반도체층(154) 상에 에치스토퍼층(155)을 형성하고 소오스 및 드레인 영역을 노출하도록 에치스토퍼층(155)을 패턴한다. 다음, 에치스토퍼층(155) 상에 저반사층을 포함하는 소오스전극(156) 및 드레인전극(157)을 형성하고, 소오스전극(156) 및 드레인전극(157)을 패턴한다.
본 발명의 다른 실시예와 같이 비개구부에 위치하는 데이터 라인(DL1), 게이트 라인, 스위칭 트랜지스터(SW) 및 구동 트랜지스터(DR) 등을 형성할 때, 저반사층이 포함되도록 전극 재료를 구성하면 저반사층이 개구부를 제외한 비개구부를 모두 덮게 되므로 원편광판을 생략할 수 있게 된다.
저반사층이 포함되도록 전극 재료를 구성할 경우, 이는 적어도 2층 이상의 복층으로 형성된다. 예컨대, 게이트전극(152)이 비저반사층(저반사층 대비 반사도가 높은 금속층 또는 외부광을 흡수할 수 있는 절연층을 의미함)과 저반사층으로 구성되고 외부광이 하부기판(150a)을 통해 입사될 경우, 제1층은 저반사층이 차지하고 제2층은 비저반사층이 차지하게 된다. 이와 같이, 저반사층은 비저반사층 대비 외부광이 입사되는 방향에 더 가까울수록 좋다. 그 이유는 비저반사층 대비 저반사층의 반사도가 상대적으로 낮기 때문이다.
그러므로, 본 발명의 다른 실시예는 비개구부에 위치하는 전극이나 라인 등의 구조물에 저반사층을 포함시켜 외부광에 대한 반사특성을 비개구부에 한하여 제한함과 더불어 개구부의 휘도 감소를 방지할 수 있다.
이하, 저반사층 또는 저반사층을 포함하는 구조물의 계층 구조에 대해 설명한다.
도 10은 저반사층의 제1예시도이고, 도 11은 저반사층의 제2예시도이며, 도 12는 저반사층의 제3예시도이고, 도 13은 저반사층을 포함하는 구조물의 제1예시도이며, 도 14는 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터의 다양한 예시도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 저반사층(151)은 하부기판(150a)의 내부면에 2층 구조로 형성될 수 있다. 저반사층(151)은 외부광이 하부기판(150a)의 내부로 입사되는 것을 방지함은 물론 반사광의 발생을 억제한다.
저반사층(151)은 자신의 상부에 형성되는 층의 재료에 따라 제1층(151a) 및 제2층(151b) 중 적어도 하나가 저반사 재료로 선택되거나 제1층(151a) 및 제2층(151b)이 모두 저반사 재료로 선택된다. 예컨대, 제1층(151a)이 저반사 재료로 선택된 경우, 제2층(151b)은 버퍼층으로 선택된다.
도 11에 도시된 바와 같이, 저반사층(151)은 하부기판(150a)의 내부면에 3층 구조로 형성될 수 있다. 저반사층(151)은 외부광이 하부기판(150a)의 내부로 입사되는 것을 방지함은 물론 반사광의 발생을 억제한다.
저반사층(151)은 자신의 상부에 형성되는 층의 재료에 따라 제1층(151a), 제2층(151b) 및 제3층(151c) 중 적어도 하나가 저반사 재료로 선택되거나 제1층(151a) 내지 제3층(151c)이 모두 저반사 재료로 선택된다. 예컨대, 제1층(151a) 및 제2층(151b)이 저반사 재료로 선택된 경우, 제3층(151c)은 버퍼층으로 선택된다.
도 12에 도시된 바와 같이, 저반사층(151)은 하부기판(150a)의 내부면에 4층 구조로 형성될 수 있다. 저반사층(151)은 외부광이 하부기판(150a)의 내부로 입사되는 것을 방지함은 물론 반사광의 발생을 억제한다.
저반사층(151)은 자신의 상부에 형성되는 층의 재료에 따라 제1층(151a), 제2층(151b), 제3층(151c) 및 제4층(151d) 중 적어도 하나가 저반사 재료로 선택되거나 제1층(151a) 내지 제4층(151d)이 모두 저반사 재료로 선택된다. 예컨대, 제2층(151b) 및 제3층(151c)이 저반사 재료로 선택된 경우, 제1층(151a) 및 제4층(151d)은 버퍼층으로 선택된다.
이상의 예를 통해 알 수 있듯이, 저반사층(151)은 N층(N은 2 이상 정수)으로 형성될 수 있으며, 이를 구성하는 층은 모두 저반사 재료로 선택되거나 적어도 하나는 버퍼층으로 선택된다.
도 13에 도시된 바와 같이, 게이트전극(152) 및 드레인전극(157)(소오스전극 포함)은 저반사층을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 게이트전극(152) 및 드레인전극(157)은 저반사층과 비저반사층을 포함하며, 저반사층은 외부광이 하부기판(150a)의 내부로 입사되는 것을 방지함은 물론 반사광의 발생을 억제한다.
게이트전극(152)은 제3층(152c) 대비 제1층(152a) 및 제2층(152b)이 저반사 재료로 선택될 수 있다. 즉, 비저반사층이 되는 제3층(152c) 대비 저반사층이 되는 제1층(152a) 및 제2층(152b)이 외부광이 입사되는 방향에 더 가깝게 형성된다. 드레인전극(157) 또한 제3층(157c) 대비 제1층(157a) 및 제2층(157b)이 저반사 재료로 선택될 수 있다. 즉, 비저반사층이 되는 제3층(157c) 대비 저반사층이 되는 제1층(157a) 및 제2층(157b)이 외부광이 입사되는 방향에 더 가깝게 형성된다.
게이트전극(152) 및 드레인전극(157)은 저반사 재료를 포함하는 형태로 동일한 적층 구조(예컨대, 게이트전극 및 드레인전극 모두 3층 구조)를 취할 수 있다. 또한, 게이트전극(152) 및 드레인전극(157)은 저반사 재료를 포함하되 상이한 적층 구조(예컨대, 게이트전극은 3층 구조, 드레인전극은 4층 구조)를 취할 수 있다.
이상의 예를 통해 알 수 있듯이, 게이트전극(152) 및 드레인전극(157)(소오스전극 포함) 형성시 저반사층을 포함하는 다층 구조로 형성하면 저반사층을 형성하는 별도의 공정을 생략할 수 있는 이점이 있다.
한편, 도 10 내지 도 13의 설명에서 설명된 저반사층 또는 저반사층을 포함하는 구조물에 포함된 저반사 재료는 ITO, MoTi 등의 금속 또는 산화물 금속으로 선택될 수 있고, 비저반사 재료는 SiOx, SiNx 등의 절연 재료로 선택될 수 있다.
예컨대, 도 12에 도시된 저반사층(151)의 제1층(151a)은 SiO2, 제2층(151b)은 MoTi, 제3층(151c)은 ITO, 제4층(151d)은 SiO2로 선택될 수 있다. 그리고, 도 13에 도시된 게이트전극(152)의 제1층(152a)은 ITO, 제2층(152b)은 MoTi, 제3층(153c)은 Cu로 선택될 수 있다.
더 나아가, 저반사층 또는 저반사층을 포함하는 구조물은 반사도를 낮추기 위해 층 간의 굴절률을 서로 상이하게 설정할 수 있다. 또한, 저반사층 또는 저반사층을 포함하는 구조물은 3층 이상으로 구성 시, 중간층의 상하에 위치하는 층들의 재료 및 굴절률이 동일할 수 있다. 또한, 저반사층 또는 저반사층을 포함하는 구조물은 굴절률이 다른 금속이나 금속 산화물(Metal Oxide) 또는 금속 질화물(Metal Nitride)(예컨대, AlN, TiAlN) 등이 더 포함될 수 있다. 이 밖에, 저반사층 또는 저반사층을 포함하는 구조물은 금속층/절연층/금속층, 금속층/산화물금속층/금속층, 절연층/제1금속층/제2금속층/절연층 등과 같이 다양한 형태로 위치할 수 있다.
도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 위의 설명에서는 트랜지스터가 역 스테거드(Staggered) 형 ES(Etch Stopper) 구조인 것을 예로 설명하였다. 그러나, 트랜지스터는 도 14의 (b)에 도시된 바와 같은 역 스테거드(Staggered) 형 BCE(Back Channel Etched) 구조 또는 도 14의 (c)에 도시된 바와 같은 코플라나(Coplanar) 구조 등의 형상 취할 수 있다. 도면에서, G는 게이트전극, S는 소오스전극, D는 드레인전극, A는 반도체층을 의미한다.
한편, 도 14의 (c)와 같은 코플라나 구조는 기판의 내부면 바로 위에 형성된 광차단층이 포함될 수 있다. 광차단층은 트랜지스터의 반도체층으로 입사되는 광을 차단하는 역할을 하며, 이는 반도체층의 면적에 대응하여 형성되거나 반도체층의 면적보다 더 크게 형성될 수 있다. 이때, 광차단층은 메쉬 형태(mesh type)이나 섬 형태(Island type) 등으로 형성된다.
코플라나 구조와 같이 광차단층이 포함된 경우, 저반사층은 광차단층의 상부면이나 하부면에 더 형성되는 형태로 위치할 수 있다. 그러므로, 저반사층은 특정 층에 단독으로 존재하거나 다른 층에 포함되는 형태로 위치할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
이상 본 발명은 표시 패널의 발광면에 위치하는 기판의 내부 비개구부에 저반사가 가능한 층을 형성하여 외부광에 대한 반사특성을 제한함과 더불어 개구부의 휘도 감소를 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 표시 패널 제작시 기판의 내부 비개구부에 저반사가 가능한 층을 형성하는 대신 원편광판을 제거하게 되므로 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
161: 하부전극 SW: 스위칭 트랜지스터
DR: 구동 트랜지스터 150: 표시 패널
150a: 하부기판 151: 저반사층
152: 게이트전극 157: 드레인전극
160: 원편광판 DL1: 제1데이터 라인

Claims (9)

  1. 서브 픽셀들이 형성된 표시 패널; 및
    상기 표시 패널을 구동하는 구동부를 포함하되,
    상기 표시 패널은 기판의 내부면 또는 외부면에 형성되고 상기 기판에 정의된 비개구부에 대응하여 위치하는 저반사층을 포함하는 유기전계발광표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 저반사층은
    상기 기판에 정의된 개구부를 제외한 모든 비개구부를 덮는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 저반사층은
    상기 기판의 내부면 바로 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 저반사층은
    상기 표시 패널의 데이터 라인, 게이트 라인, 스위칭 트랜지스터, 커패시터 및 구동 트랜지스터를 구성하는 전극층 및 외부 광을 차단하도록 상기 기판의 내부면 또는 외부면에 별도로 형성된 광차단층에 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 저반사층은
    N층(N은 2 이상 정수)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 저반사층은
    저반사 재료로 이루어진 층과 절연 재료로 이루어진 층으로 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 저반사층은
    저반사 재료로 이루어진 층들로 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 저반사층은
    층 간의 굴절률이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 데이터 라인, 상기 게이트 라인, 상기 스위칭 트랜지스터, 상기 커패시터 및 상기 구동 트랜지스터를 구성하는 전극층 및 외부 광을 차단하도록 상기 기판의 내부면 또는 외부면에 별도로 형성된 광차단층은 상기 저반사층과 비저반사층을 포함하되,
    상기 저반사층은 상기 비저반사층 대비 외부광이 입사되는 방향에 더 가까운 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
KR1020140035329A 2014-03-26 2014-03-26 유기전계발광표시장치 KR102256083B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140035329A KR102256083B1 (ko) 2014-03-26 2014-03-26 유기전계발광표시장치
US14/473,545 US9165994B1 (en) 2014-03-26 2014-08-29 Organic light emitting display
EP14189011.1A EP2924758B1 (en) 2014-03-26 2014-10-15 Organic light emitting display comprising reflection reduction layers
CN201410594252.1A CN104952901B (zh) 2014-03-26 2014-10-29 有机发光显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140035329A KR102256083B1 (ko) 2014-03-26 2014-03-26 유기전계발광표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150112101A true KR20150112101A (ko) 2015-10-07
KR102256083B1 KR102256083B1 (ko) 2021-05-26

Family

ID=51690967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140035329A KR102256083B1 (ko) 2014-03-26 2014-03-26 유기전계발광표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9165994B1 (ko)
EP (1) EP2924758B1 (ko)
KR (1) KR102256083B1 (ko)
CN (1) CN104952901B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170050229A (ko) * 2015-10-30 2017-05-11 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치
US10475872B2 (en) 2015-10-23 2019-11-12 Lg Display Co., Ltd. Display device with light blocking layer and manufacturing method thereof
KR20200079734A (ko) * 2018-12-26 2020-07-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170050729A (ko) * 2015-10-30 2017-05-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109427998B (zh) * 2017-09-01 2020-01-14 京东方科技集团股份有限公司 用于有机电致发光显示器件的盖板及其制作方法、有机电致发光显示器件以及显示设备
CN109119452A (zh) * 2018-09-18 2019-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN109656099B (zh) * 2018-11-07 2020-07-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板
CN110797381B (zh) * 2019-11-07 2022-09-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN111047971A (zh) * 2019-11-26 2020-04-21 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板及电子装置
CN110941115B (zh) * 2019-12-25 2022-09-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010041201A (ko) * 1998-02-23 2001-05-15 고스티치 엠. 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20010050803A (ko) * 1999-10-01 2001-06-25 다카노 야스아키 Ｅｌ 표시 장치
KR20030054707A (ko) * 2001-12-26 2003-07-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR20140023779A (ko) * 2012-08-17 2014-02-27 삼성디스플레이 주식회사 차광 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744198B2 (en) * 2001-03-19 2004-06-01 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing display device, display device, and electronic apparatus
TWI340607B (en) * 2005-08-12 2011-04-11 Au Optronics Corp Organic electroluminescent display panel and fabricating method thereof
TWI299239B (en) * 2005-11-10 2008-07-21 Au Optronics Corp Organic light emitting display
JP5476878B2 (ja) * 2009-09-14 2014-04-23 カシオ計算機株式会社 発光パネルの製造方法
KR101125566B1 (ko) * 2009-11-30 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20120042520A (ko) * 2010-10-25 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130085541A (ko) * 2011-12-19 2013-07-30 한국전자통신연구원 패킷 전송 장치 및 패킷 전송 방법
KR20140023492A (ko) * 2012-08-16 2014-02-27 삼성코닝정밀소재 주식회사 스퍼터링 타겟 및 이에 의해 증착된 블랙 매트릭스를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010041201A (ko) * 1998-02-23 2001-05-15 고스티치 엠. 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20010050803A (ko) * 1999-10-01 2001-06-25 다카노 야스아키 Ｅｌ 표시 장치
KR20030054707A (ko) * 2001-12-26 2003-07-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR20140023779A (ko) * 2012-08-17 2014-02-27 삼성디스플레이 주식회사 차광 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10475872B2 (en) 2015-10-23 2019-11-12 Lg Display Co., Ltd. Display device with light blocking layer and manufacturing method thereof
KR20170050229A (ko) * 2015-10-30 2017-05-11 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치
KR20200079734A (ko) * 2018-12-26 2020-07-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN104952901B (zh) 2018-08-31
EP2924758A1 (en) 2015-09-30
US9165994B1 (en) 2015-10-20
CN104952901A (zh) 2015-09-30
EP2924758B1 (en) 2019-08-07
KR102256083B1 (ko) 2021-05-26
US20150279917A1 (en) 2015-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102256083B1 (ko) 유기전계발광표시장치
US10418430B2 (en) Display device
CN107664862B (zh) 显示装置及其制造方法
KR101980757B1 (ko) 유기발광 표시장치
US8803167B2 (en) Organic light emitting diode display
US9876065B2 (en) Organic light emitting display having fourth insulating layer fully covers a contact hole
US10741615B2 (en) Display device
KR102311454B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US10109692B2 (en) Organic light-emitting display device
JP6204209B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP7148482B2 (ja) 表示装置
KR20180035983A (ko) 유기전계발광표시장치
KR102109741B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
KR20160053043A (ko) 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR101949675B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR102394650B1 (ko) 유기발광 표시장치
US10833142B2 (en) Electroluminescence display device
KR102462238B1 (ko) 유기발광표시장치
KR20190077673A (ko) 유기 발광 표시 장치
TWI679468B (zh) 顯示裝置及其製造方法
KR20170071816A (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR101936124B1 (ko) 유기발광표시장치
KR102590336B1 (ko) 표시장치
KR20230102838A (ko) 표시장치
KR102089320B1 (ko) 유기전계발광표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant