KR20150109957A - Vacuum molding apparatus, substrate proecssing system having the same and substrate proecssing method using the same - Google Patents

Vacuum molding apparatus, substrate proecssing system having the same and substrate proecssing method using the same Download PDF

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KR20150109957A KR1020140033608A KR20140033608A KR20150109957A KR 20150109957 A KR20150109957 A KR 20150109957A KR 1020140033608 A KR1020140033608 A KR 1020140033608A KR 20140033608 A KR20140033608 A KR 20140033608A KR 20150109957 A KR20150109957 A KR 20150109957A
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Abstract

A substrate processing system according to the embodiment of the present invention includes: a warpage measuring unit which measures a warpage value for a plurality of units on a substrate including the units; an input unit which inputs the substrate including the units inside; a vacuum molding device which molds the substrate inputted by the input unit according to the unit by referring to the warpage value for the units measured in the warpage measuring unit; a paste printing unit which prints solder paste on the substrate molded by the vacuum molding device; a mounting unit which mounts an electronic device on the substrate printed with the solder paste; and a reflow unit which reflows the substrate mounting the electronic device. Therefore, a mounting yield and bonding reliability between bumps of the substrate and a chip die are improved by improving the warpage (CAW) of the substrate by limitedly forming the warpage (CAW) of the substrate.

Description

진공 성형기, 이를 구비한 기판처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법{VACUUM MOLDING APPARATUS, SUBSTRATE PROECSSING SYSTEM HAVING THE SAME AND SUBSTRATE PROECSSING METHOD USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a vacuum forming apparatus, a vacuum processing apparatus,

본 발명은 진공 성형기, 이를 구비한 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a vacuum molding machine, a substrate processing system having the same, and a substrate processing method using the same.

전자기기의 소형화, 경량화, 다기능화 추세에 따라 기판 및 그 위에 탑재되는 전자 소자의 집적도가 빠른 속도로 향상되고 있다. 기판은 갈수록 다층화되고, 기판에 형성되는 배선패턴 역시 조밀화되고 있다. 또한, 전자 소자들 역시 집적도가 높아지고 크기가 소형화되고 있다. As electronic devices become smaller, lighter, and multifunctional, the degree of integration of substrates and electronic devices mounted thereon is rapidly improving. The substrate becomes more and more multilayered, and the wiring pattern formed on the substrate is also becoming denser. In addition, electronic devices are also becoming more integrated and smaller in size.

특히, 인쇄회로기판 (PCB) 산업의 발전에 있어서 제품의 특성을 향상시키기 위한 여러 방법의 회로형성 기법에 있어서, 인쇄회로기판에 부착되는 실리콘 다이 (Si - Die) 역시 그 부착방법에 따라 고성능, 고기능화되고 있어 인쇄회로기판 사업의 핵심기술로 발전될 것으로 보여진다. In particular, in the development of the printed circuit board (PCB) industry, in various circuit forming techniques for improving the product characteristics, the silicon die (Si - Die) adhered to the printed circuit board also has high performance, It is expected to be developed as a core technology of printed circuit board business.

이처럼 인쇄회로기판 상에 실리콘 다이를 접촉하는 방법으로 플립 칩 (Flip- chip) 기술이 사용되고 있다. 이 중에서 붕괴 제어형 칩 접속 (controlled collapse chip connection ; C4) 방법이 있다. 여기서 붕괴 제어형 칩 접속 배선의 신뢰성은, 기판 상의 칩들의 제품 신뢰성을 향상시키기 위한 중요한 인자이다. Flip-chip technology is used as a method of contacting a silicon die on a printed circuit board. Among them, there is a controlled collapse chip connection (C4) method. Here, the reliability of the decoupling control type chip connection wiring is an important factor for improving the product reliability of the chips on the substrate.

이처럼 칩과 인쇄회로기판의 양호한 접속이 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는데, 상기 인쇄회로기판은 층간 구조를 갖도록 빌드업 (build-up)이 되는 각 공정을 거치면서 열을 제공받게 되고 열을 제공받은 인쇄회로기판은 팽창할 수 있다. 이러한 층간 구조는 잔류 구리 (Cu)의 두께 및 형상 (shape) 등에 의해서 제품의 휨 (Warpage)에 상당한 영향을 미치게 된다. In this way, good connection between the chip and the printed circuit board can improve the reliability of the product. The printed circuit board is supplied with heat while passing through each step of the build-up to have an interlayer structure, The printed circuit board can be inflated. Such an interlayer structure has a considerable effect on the warpage of the product due to the thickness and shape of the residual copper (Cu).

이와 같이, 형성된 인쇄회로기판에 플립칩 공정을 통해서 인쇄회로기판에 칩을 실장하게 된다. 이때, 플리칩 (Flip Chip) 공정에서는 150℃ 이상의 고온작업 조건이 많기 때문에 재료의 열팽창 계수 (Coefficient of Thermal Expansion; CTE)가 상승하는 원인이 될 수 있다. 이러한 팽창한 인쇄회로기판은 요철형상 (convex, concave) 등으로 형성되고, 상기 요철 형상 상에 칩을 실장하게 된다. 여기서 칩다이 (Die)와 인쇄회로기판의 범프 (bump)가 접속하는 영역을 붕괴 제어형 칩 접속 영역 (C4 Area)이라 한다. Thus, the chip is mounted on the printed circuit board through the flip chip process. At this time, in the Flip Chip process, high temperature working conditions of 150 ° C or more are high, which may cause the coefficient of thermal expansion (CTE) of the material to rise. Such an expanded printed circuit board is formed by convex or concave, and the chip is mounted on the concavo-convex shape. Here, a region where a chip die and a bump of a printed circuit board are connected is referred to as a disruption control type chip connection region (C4 Area).

상기 붕괴 제어형 칩 접속 영역 (C4 Area)의 잔동율 차이는 절연층 두께의 차이를 발생시키고 이러한 두께의 차이에 의해 앞면 (Front)과 뒷면 (Back-side)의 열팽창계수 (CTE)의 부정합 (mis-match)을 발생시키게 된다. 이러한 현상이 결국 붕괴 제어형 칩 접속 영역의 휨 (C4 Area Warpage; CAW)을 발생시키게 되는 것이다. The difference in the residual rate of the disruption control type chip connection area (C4 Area) causes a difference in the insulation layer thickness and the difference in the thickness causes the mismatch of the thermal expansion coefficient (CTE) of the front side and the back side -match). This phenomenon eventually results in C4 area warpage (CAW) in the decoupled control type chip connection area.

다시 말해, 인쇄회로기판과 칩 사이의 열팽창계수의 부정합은 열 공정 동안의 응력들을 생성할 수 있는데, 이러한 열 공정 동안의 응력들은 결국 칩-레벨 크래킹 (chip-level cracking) 및 필름 디라미네이션 (film delamination)을 초래할 수 있다. In other words, the mismatch of the thermal expansion coefficient between the printed circuit board and the chip can create stresses during the thermal process, which ultimately results in chip-level cracking and film delamination delamination.

이와 같이, 칩 다이의 형상 (Shape)과 인쇄회로기판의 범프 (다이와 전기적 특성을 연결하는 부위)영역의 형상 (shape)이 서로 반대 방향으로 형성되는 경우, 어셈블리 (assembly)가 제대로 되지 않는 현상이 발생할 수 있다. As described above, when the shapes of the chip die and the bumps of the printed circuit board (the portions connecting the dies and the electrical characteristics) are formed in opposite directions to each other, Lt; / RTI >

따라서 이러한 현상은 다이 어셈블리 (Die assembly) 공정의 실장 수율을 악화시키는 원인이 될 수 있다. Therefore, this phenomenon may cause deterioration of the packaging yield of the die assembly process.

이때, 다이 에셈블리 (Die assembly) 수율을 향상시키기 위한 방안으로 기판을 진공성형하게 된다. 그래서, 칩 다이와 인쇄회로기판의 형상이 서로 다를 경우 다이-오정렬 (Die mis-align)의 문제를 유발하며 이러한 문제를 개선하기 위하여 기판의 진공성형을 실시하게 된다. At this time, the substrate is vacuum-formed in order to improve the yield of the die assembly. Thus, when the shapes of the chip die and the printed circuit board are different from each other, a problem of die mis-alignment is caused, and vacuum molding of the substrate is performed in order to solve such a problem.

이러한 기판성형 방식의 장점은 다이 형상 (Die shape)에 맞춘 기판을 성형함으로써 기판과 칩다이 간의 접합 신뢰성 및 실장 수율을 향상시킬 수 있었다. An advantage of such a substrate forming method is that the bonding reliability between the substrate and the chip die and the packaging yield can be improved by forming a substrate matched to the die shape.

그러나 기판 내부의 구리 (Cu) 두께, 회로의 형상 (shape), 절연층 두께 등에 의해서 모두 동일한 붕괴 제어형 칩 접속 영역의 휨 (C4 Area Warpage; CAW, 이하 "휨"으로 통칭함) 값을 가지지 못한다. 다시 말해, 구리 (Cu) 두께, 절연층 두께 및 형상 (shape) 등에 의해서 동일한 압력으로 기판을 성형했다고 해도 동일한 휨 (CAW) 값으로 성형할 수 없는 문제점이 있다. 이렇게 불균일한 휨 (CAW) 값들은 기판제조 수율을 악화시키는 원인이 되며, 어셈블리 공정에서의 다이 영역 접합 신뢰성 및 수율을 떨어뜨리게 되는 원인이 된다. However, it does not have a C4 area warp (CAW) value (hereinafter, referred to as "warp") in the same decoupling control type chip connection area due to the copper thickness, the circuit shape, . In other words, even if the substrate is formed at the same pressure by copper (Cu) thickness, insulating layer thickness, shape, or the like, it can not be formed with the same CAW value. Such uneven warp (CAW) values cause the substrate production yield to deteriorate and cause the reliability and yield of the die area bonding in the assembly process to deteriorate.

따라서 칩다이와 인쇄회로기판의 접합신뢰성 및 어셈블리의 수율을 향상시키기 위해서는 휨 (CAW) 정도의 분포 즉, 휨의 산포를 개선할 필요가 있다. Therefore, in order to improve the reliability of bonding between the chip die and the printed circuit board and the yield of the assembly, it is necessary to improve the distribution of the warp (CAW), that is, the scattering of the warp.

일본공개특허공보 2006-173344호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-173344

이에 본 발명에서는 기판처리 시스템에 기판의 휨 (CAW)을 유닛별로 제어하여 기판의 휨(CAW)의 산포를 개선함으로써 칩다이와 기판의 접합신뢰성 및 실장 수율이 향상됨을 확인하였고, 본 발명은 이에 기초하여 완성되었다. In the present invention, it has been confirmed that the reliability of the bonding between the chip die and the substrate and the yield of packaging are improved by controlling the CAW of the substrate in each substrate processing system by improving the scattering of the CAW of the substrate, .

따라서, 본 발명의 하나의 관점은 기판의 휨 산포를 유닛별로 제어가능하여 접합 신뢰성 및 실장 수율이 향상된 기판처리 시스템을 제공하는 데 있다.Therefore, one aspect of the present invention is to provide a substrate processing system capable of controlling deflection dispersion of a substrate on a unit-by-unit basis, thereby improving bonding reliability and packaging yield.

본 발명의 다른 관점은 유닛별로 휨 산포를 제어하여 기판의 휨(CAW)의 형상을 자유로이 형성할 수 있어 기판의 휨 산포를 향상시키며, 요철형상 및 평탄한 형상 (concave, convex, flat) 등의 형상에 제한이 없는 성형이 가능한 진공 성형기를 제공하는데 있다. Another aspect of the present invention is to provide an apparatus and a method for controlling the deflection and dispersion of the substrate by controlling the deflection and dispersion of the substrate by a unit, The present invention provides a vacuum molding machine capable of molding without limitation.

본 발명의 또 다른 관점은 진공성형기 및 이를 포함하는 기판처리 시스템을 이용하여 어셈블리 기판의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 기판처리 방법을 제공하는 데 있다.
Another aspect of the present invention is to provide a substrate processing method capable of improving the production yield of an assembly substrate by using a vacuum forming machine and a substrate processing system including the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면은 다수개의 유닛을 포함하는 기판의 다수개의 유닛에 대한 휨값을 측정하여는 휨 측정기; 내부로 다수개의 유닛을 포함하는 기판을 투입하는 투입기; 상기 투입기로 투입된 기판을 상기 휨 측정기에서 측정된 다수개의 유닛에 대한 휨값을 참조하여 유닛별로 성형하는 진공 성형기; 상기 진공 성형기로 성형된 기판에 솔더 페이스트를 인쇄하는 페이스트 인쇄기; 상기 솔더 페이스트가 인쇄된 기판 상에 전자 소자를 실장하는 실장기; 및 상기 전자 소자가 실장된 기판에 리플로우를 수행하는 리플로우기를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for measuring a deflection of a plurality of units of a substrate including a plurality of units, An injector for injecting a substrate including a plurality of units therein; A vacuum molding machine for forming a substrate on the basis of a deflection value of a plurality of units measured by the deflector, into a unit by the unit; A paste printing machine for printing a solder paste on the substrate formed by the vacuum molding machine; An optical element mounted on the substrate on which the solder paste is printed; And a reflow process for reflowing the substrate on which the electronic device is mounted.

또한, 본 발명의 일측면의 상기 휨 측정기는 기판을 촬영하여 촬영 영상을 획득하는 카메라; 및 상기 카메라에 의해 생성된 촬영 영상으로부터 유닛별로 휨값을 측정하는 측정부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, the warpage measuring apparatus includes a camera for photographing a substrate to acquire a photographed image; And a measuring unit for measuring a deflection value for each unit from the photographed image generated by the camera.

또한, 본 발명의 일측면의 상기 진공 성형기는 상기 기판에 열을 제공하는 가열부; 및 상기 기판에 유닛별로 진공력을 제공하여 상기 기판의 휨을 형성하는 진공부를 포함한다.Further, the vacuum molding machine according to an aspect of the present invention includes: a heating unit for supplying heat to the substrate; And a vacuum to form a warp of the substrate by applying a vacuum force to the substrate on a unit basis.

또한, 본 발명의 일측면의 상기 가열부는 각각의 유닛에 대응되는 위치에 형성된 다수의 분사기; 열을 생성하여 해당 분사기에 제공하여 대응되는 유닛을 가열하기 위한 다수의 열 생성기; 및 상기 열 생성기를 제어하여 열을 생성하도록 하는 열 구동기를 포함한다.Further, the heating unit according to an aspect of the present invention includes a plurality of injectors formed at positions corresponding to respective units; A plurality of heat generators for generating heat to the corresponding injectors to heat corresponding units; And a column driver for controlling the column generator to generate heat.

또한, 본 발명의 일측면의 상기 열 구동기는 휨 측정기에서 제공되는 유닛별 휨값을 참조하여 휨값에 비례하게 열이 제공되도록 상기 다수의 열 생성기를 개별적으로 제어한다.In addition, the column driver according to an aspect of the present invention individually controls the plurality of column generators so that heat is provided in proportion to a deflection value, with reference to a unit deflection value provided by a deflection meter.

또한, 본 발명의 일측면의 상기 진공부는 베이스 몰드; 상기 베이스 몰드의 영역을 구획하며, 상기 기판을 지지하는 격벽; 상기 격벽으로 구획되어 동공으로 형성된 상기 진공 영역에 배치되는 다수의 흡입기; 다수의 흡입기에 각각 설치되어 있으며 유닛별로 진공 흡입하기 위한 다수의 진공 펌프; 및 각각의 진공 펌프를 개별적으로 구동할 수 있는 진공 컨트롤러를 포함한다.Further, the vacuum portion of one aspect of the present invention includes a base mold; A partition wall partitioning the region of the base mold and supporting the substrate; A plurality of inhalers disposed in the vacuum region partitioned by the partition walls and formed into a cavity; A plurality of vacuum pumps installed in the plurality of inhalers and adapted to inhale each unit; And a vacuum controller capable of individually driving each vacuum pump.

또한, 본 발명의 일측면의 상기 진공 컨트롤러는 휨 측정기로부터 기판에 대하여 유닛별로 구별된 휨값을 입력받아 입력받은 휨값에 따른 진공 압력으로 다수의 흡입기에 의해 기판의 유닛별로 개별적으로 진공 흡입되도록 다수의 진공 펌프를 개별적으로 구동한다.Further, the vacuum controller according to an aspect of the present invention is characterized in that the vacuum controller receives a deflection value, which is distinguished for each unit, from a warp measuring device, and a plurality of inhalers for individually vacuum- Vacuum pumps are individually driven.

한편, 본 발명의 다른 측면은 상기 기판에 열을 제공하는 가열부; 및 상기 기판에 유닛별로 진공 압력을 제공하여 상기 기판의 휨을 형성하는 진공부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a heating unit for supplying heat to a substrate; And a vacuum to form a warp of the substrate by applying a vacuum pressure to the substrate on a unit-by-unit basis.

또한, 본 발명의 다른 측면의 상기 가열부는 각각의 유닛에 대응되는 위치에 형성된 다수의 분사기; 열을 생성하여 해당 분사기에 제공하여 대응되는 유닛을 가열하기 위한 다수의 열 생성기; 및 상기 열 생성기를 제어하여 열을 생성하도록 하는 열 구동기를 포함한다.In another aspect of the present invention, the heating unit includes a plurality of injectors formed at positions corresponding to the respective units; A plurality of heat generators for generating heat to the corresponding injectors to heat corresponding units; And a column driver for controlling the column generator to generate heat.

또한, 본 발명의 다른 측면의 상기 열 구동기는 휨 측정기에서 제공되는 유닛별 휨값을 참조하여 휨값에 비례하게 열이 제공되도록 상기 다수의 열 생성기를 개별적으로 제어한다. In another aspect of the present invention, the column driver individually controls the plurality of column generators so that heat is provided in proportion to the deflection value, with reference to the unit deflection values provided by the deflection meter.

또한, 본 발명의 다른 측면의 상기 진공부는 베이스 몰드; 상기 베이스 몰드의 영역을 구획하며, 상기 기판을 지지하는 격벽; 상기 격벽으로 구획되어 동공으로 형성된 상기 진공 영역에 배치되는 다수의 흡입기; 다수의 흡입기에 각각 설치되어 있으며 유닛별로 진공 흡입하기 위한 다수의 진공 펌프; 및 각각의 진공 펌프를 개별적으로 구동할 수 있는 진공 컨트롤러를 포함한다.Further, in another aspect of the present invention, the vacuum section includes a base mold; A partition wall partitioning the region of the base mold and supporting the substrate; A plurality of inhalers disposed in the vacuum region partitioned by the partition walls and formed into a cavity; A plurality of vacuum pumps installed in the plurality of inhalers and adapted to inhale each unit; And a vacuum controller capable of individually driving each vacuum pump.

또한, 본 발명의 다른 측면의 상기 진공 컨트롤러는 휨 측정기로부터 기판에 대하여 유닛별로 구별된 휨값을 입력받아 입력받은 휨값에 따른 진공 압력으로 다수의 흡입기에 의해 기판의 유닛별로 개별적으로 진공 흡입되도록 다수의 진공 펌프를 개별적으로 구동한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a vacuum controller for a vacuum cleaner, comprising: a deflector for deflecting a plurality of deflectors to be individually vacuum-sucked by a plurality of inhalers, Vacuum pumps are individually driven.

한편, 본 발명의 또 다른 측면은 (A) 휨 측정기가 기판의 유닛별 휨값을 측정하는 단계; (B) 투입기가 기판을 진공 성형기 내부로 투입하는 단계; (C) 진공 성형기가 상기 기판에 유닛별 성형을 수행하는 단계; (D) 페이스트 인쇄기가 상기 기판에 솔더 페이스트를 인쇄하는 단계; (E) 실장기가 상기 기판 상부에 상기 전자 소자를 실장하는 단계; 및 (F) 리플로우기가 상기 기판에 리플로우를 수행하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: (A) (B) injecting the substrate into the vacuum molding machine; (C) performing a unit-by-unit molding on the substrate by a vacuum molding machine; (D) printing a solder paste on the substrate by a paste printing machine; (E) mounting the electronic device on the substrate; And (F) performing a reflow process on the substrate.

또한, 본 발명의 또 다른 측면의 상기 (C) 단계는 (C-1) 진공 성형기가 상기 기판에 열을 제공하는 단계; 및 (C-2) 진공 성형기가 상기 기판에 유닛별로 진공 압력을 제공하여 상기 기판의 휨을 형성하는 단계를 포함한다.Further, in the step (C) of another aspect of the present invention, the step (C-1) comprises the steps of: providing heat to the substrate; And (C-2) forming a warp of the substrate by providing a vacuum pressure for each unit to the substrate by a vacuum molding machine.

또한, 본 발명의 또 다른 측면의 상기 (E) 단계에서 상기 전자 소자는 상기 솔더 페이스트 상에 실장된다.Further, in the step (E) of still another aspect of the present invention, the electronic device is mounted on the solder paste.

또한, 본 발명의 또 다른 측면의 상기 (F) 단계에서 상기 기판 및 상기 솔더 페이스트에 열을 가하여 상기 기판과 상기 전자 소자를 접합시킨다.
Further, in the step (F) of still another aspect of the present invention, heat is applied to the substrate and the solder paste to bond the substrate and the electronic device.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 안되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor can properly define the concept of a term in order to describe its invention in the best possible way Should be construed in accordance with the principles and meanings and concepts consistent with the technical idea of the present invention.

본 발명의 구체 예에 따른 진공성형기 및 기판처리 시스템, 이를 이용한 기판처리 방법은 기판의 휨(CAW)을 유닛별로 제한적으로 형성하여 기판의 휨(CAW) 산포를 개선함으로써 칩다이와 기판의 범프 간의 접합 신뢰성 및 실장 수율을 향상시킬 수 있다.
The vacuum molding machine and the substrate processing system and the substrate processing method using the same according to the embodiment of the present invention can reduce the CAW dispersion of the substrate by forming the CAW of the substrate in a limited manner, Reliability and mounting yield can be improved.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부 도면에 따른 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 구체 예에 따른 기판처리 시스템을 나타낸 예시도이다.
도 2는 도 1의 휨 측정기의 구성도이다.
도 3a는 본 발명의 실시 예 1에 따른 기판 시스템을 통해 형성되는 기판과 칩의 형상을 도시한 도면이고, 도 3b는 본 발명의 비교 예 1에 따른 기판과 칩의 형상을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 구체 예에 따른 진공 성형기의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 구체 예에 따른 진공부의 평면도이다.
도 6은 도 4의 A에 따른 확대도이다.
도 7은 도 5의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 8a는 본 발명에 따른 진공 성형기로 성형된 기판의 실시예이고, 도 8b는 종래 기술에 따른 기판의 실시예이다.
도 9는 본 발명의 구체 예에 따른 기판처리 방법을 나타낸 순서도이다.
1 is an exemplary view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a block diagram of the bending measuring instrument of Fig. 1. Fig.
FIG. 3A is a view showing the shapes of a substrate and a chip formed through the substrate system according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a diagram showing the shapes of a substrate and a chip according to a first comparative example of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a vacuum molding machine according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view of a vacuum in accordance with an embodiment of the present invention.
Fig. 6 is an enlarged view according to Fig. 4A. Fig.
7 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of Fig.
FIG. 8A shows an embodiment of a substrate molded with a vacuum molding machine according to the present invention, and FIG. 8B shows an embodiment of a substrate according to the prior art.
9 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하기 전에, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어서는 아니되며, 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예의 구성은 본 발명의 바람직한 하나의 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Before describing the invention in more detail, it is to be understood that the words or words used in the specification and claims are not to be construed in a conventional or dictionary sense, It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the constitution of the embodiments described in the present specification is merely a preferred example of the present invention, and does not represent all the technical ideas of the present invention, so that various equivalents and variations And the like.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

도 1은 본 발명의 구체 예에 따른 기판처리 시스템을 나타낸 예시도이다. 도 2는 도 1의 휨 측정기의 구성도이고, 도 3은 도 1의 진공 성형기의 상세 구성도이다.1 is an exemplary view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is a configuration diagram of the bending measuring instrument of Fig. 1, and Fig. 3 is a detailed configuration diagram of the vacuum molding machine of Fig.

도 1 을 참조하면, 기판처리 시스템(1)은 휨 측정기(10), 투입기(20), 진공 성형기(30), 페이스트 인쇄기(50), 실장기(60), 리플로우기(70) 및 수취기(80)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a flexure meter 10, a dispenser 20, a vacuum molding machine 30, a paste printer 50, a sealant 60, a reflow unit 70, (80). ≪ / RTI >

상기 휨 측정기(10)는 다수개의 유닛이 구비된 기판을 카메라로 촬영하여 촬영 영상을 획득하고 획득된 촬영 영상을 이용하여 유닛별로 휨값을 측정한다.The warpage measuring apparatus 10 photographs a substrate having a plurality of units with a camera, acquires a shot image, and measures a deflection value for each unit using the shot image.

이러한 휨 측정기(10)는 도 2에 도시된 바와 같이 기판(2)을 촬영하여 촬영 영상을 획득하는 카메라(11) 및 생성된 촬영 영상으로부터 유닛별로 휨값을 측정하는 측정부(12)를 포함하고 있다.2, the bending meter 10 includes a camera 11 for photographing the substrate 2 to acquire a photographed image, and a measuring unit 12 for measuring a bending value for each unit from the photographed image have.

상기 측정부(12)가 촬영 영상으로부터 휨값을 측정하는 기술은 이미 널리 알려져 있으며 공개된 기술은 본 발명에서 적용가능하다.The technique by which the measuring unit 12 measures the bending value from the photographed image is already well known, and the disclosed technique is applicable to the present invention.

한편, 투입기(20)는 기판처리 시스템(10) 내부로 기판을 투입시킬 수 있다. 예를 들어, 투입기(20)는 로봇 암, 컨베이어, 롤러 등이 될 수 있다. 그러나 투입기(20)의 종류는 이에 한정되지 않으며, 외부에 위치한 기판을 기판처리 시스템(10) 내부로 이송시킬 수 있는 어느 것도 가능할 수 있다. 본 발명의 구체 예에서 기판은 다수개의 유닛을 포함할 수 있다. 여기서 유닛은 통상의 인쇄회로기판이 될 수 있다. On the other hand, the dispenser 20 can introduce the substrate into the substrate processing system 10. For example, the dispenser 20 may be a robot arm, a conveyor, a roller, or the like. However, the type of the dispenser 20 is not limited to this, and any one capable of transferring an externally positioned substrate into the substrate processing system 10 may be possible. In embodiments of the present invention, the substrate may comprise a plurality of units. Where the unit can be a conventional printed circuit board.

진공 성형기(30)는 기판의 성형을 수행할 수 있으며, 이를 위해 진공부 (350) 및 가열부(310)를 포함한다. 추후에 기판과 칩을 실장하게 되는데, 상기 기판 또는 칩은 형성과정 중에 휨이 발생하여 서로를 부착하는데 문제점이 발생할 수 있다. 그래서 기판을 성형하는 진공 성형기(30)를 이용하여 칩과 기판 간의 실장을 용이하도록 칩과 기판의 범프가 동일한 방향성을 갖도록 성형한다. The vacuum molding machine 30 can perform molding of the substrate and includes a vacuum 350 and a heating part 310 for this purpose. The substrate and the chip are mounted later. However, the substrate or the chip may be deflected during the forming process, thereby causing problems in attaching the substrate and the chip to each other. Thus, the bump of the chip and the substrate are formed to have the same directionality so as to facilitate the mounting between the chip and the substrate by using the vacuum molding machine 30 for molding the substrate.

이에 대해 보다 상세히 설명하기 위해 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 기판 (substrate; 2)은 빌드업(build-up)하는 과정 중에 열을 제공받으면서 기판의 휨 (Warpage; 워피지)이 발생할 수 있다. 이는 기판(2)의 일면 (front side)과 타면 (back side)의 잔동율이 서로 다르게 형성되는데, 이에 따라 도전층을 채워주는 절연물질의 함유량이 차이가 나게 된다. 이러한 절연체 함유량의 차이는 결국 열팽창계수(Coefficient of Thermal Expansion; CTE)의 차이를 발생시킬 수 있다. 게다가, 고온에서의 열팽창계수(CTE) 차이는 더욱 더 증가하게 되는데 플립칩(Flip Chip) 공법상 고온에서 작업을 거치는 경우가 많기 때문에 재료는 수축 팽창을 거치면서 기판(2)의 휨은 더욱 악화될 수 있다. 3A and 3B, the substrate 2 may be subjected to heat during a build-up process, and warpage of the substrate may occur . This is because the residues of the front side and the back side of the substrate 2 are different from each other, thereby causing a difference in the content of the insulating material filling the conductive layer. This difference in insulator content can eventually lead to differences in the coefficient of thermal expansion (CTE). In addition, the difference in thermal expansion coefficient (CTE) at a high temperature is further increased. Since the flip chip method is frequently used at a high temperature, the material undergoes shrinkage expansion and warpage of the substrate 2 is further deteriorated .

이처럼 발생한 기판(2)의 휨 방향이 칩다이(3)와 동일한 일방향으로 형성하여야만 실장하는데 용이할 수 있다. 즉, 도 3a와 같이, 기판(2)에 칩다이(3)를 실장함에 있어 중요한 것은 칩의 범프(3-1)와 기판의 범프(2-1)간 형상 (shape)의 일정한 방향성을 갖는 것이다. 그러나 도 3b와 같이, 칩의 범프(3-1)와 기판의 범프(2-1)가 서로 반대의 방향성을 갖는 경우, 범프를 실장함에 있어 크랙 및 박리가 발생할 확률이 높아져 불량이 발생할 수 있다. 따라서, 칩의 범프(3-1)와 기판의 범프(2-1)가 일치하는 방향성을 가지고 있어야 어셈블리(assembly) 공정에서의 실장 수율과 접합 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The bending direction of the substrate 2 generated in this way can be easily mounted only if it is formed in the same direction as the chip die 3. 3A, important in mounting the chip die 3 on the substrate 2 is that the shape between the bump 3-1 of the chip and the bump 2-1 of the substrate has a constant directionality will be. However, when the bump 3-1 of the chip and the bump 2-1 of the substrate have opposite directions as shown in Fig. 3B, the probability of occurrence of cracks and peeling in mounting the bumps increases and a failure may occur . Therefore, the bump 3-1 of the chip and the bump 2-1 of the substrate must have the matching direction so that the packaging yield and the bonding reliability in the assembly process can be improved.

이와 같이, 칩의 범프(3-1)와 기판의 범프(2-1)가 일치하는 방향성을 갖도록 진공 성형기(30)의 진공부(350)를 이용하여 기판(2)을 진공 흡입함으로써 성형을 수행할 수 있다. As described above, the substrate 2 is vacuum-sucked by using the vacuum 350 of the vacuum molding machine 30 so that the bumps 3-1 of the chip and the bumps 2-1 of the substrate have the same direction, Can be performed.

그리고, 진공 성형기(30)는 기판(2)을 진공 흡입하여 성형할 때, 가열부 (310)를 이용하여 기판(2)을 가열할 수 있다. 게다가 진공 성형기(30)는 진공부(350)에 적외선 히터(미도시)를 더 포함할 수 있고, 기판(2)에 상기 적외선 히터에서 제공된 열에너지와, 상기 진공부(350)에서 제공된 진공을 동시에 제공하여 기판(2)을 일방향으로 휘게 할 수 있다. The vacuum molding machine 30 can heat the substrate 2 by using the heating part 310 when the substrate 2 is vacuum-sucked and molded. In addition, the vacuum molding machine 30 may further include an infrared heater (not shown) in the vacuum 350, and simultaneously apply the heat energy provided by the infrared heater to the substrate 2 and the vacuum provided by the vacuum 350 So that the substrate 2 can be bent in one direction.

가열부(310)는 기판을 가열시킬 수 있다. 따라서, 가열부(310)에 의해서 기판(2)은 잘 휘어지는 상태가 될 수 있다. 즉, 딱딱한 고분자 재료들은 저온에서 딱딱한 성질을 가지지만 고온에서는 고무처럼 말랑말랑한 성질을 가지게 되는데 결국 유리전이온도(Glass Transition Temperature; TG)점 이상에서의 말랑말랑한 상태에서 진공성형을 진행해야 성형이 용이할 수 있다. 또한, 유리전이온도 이상에서의 열처리는 재료의 소성변형 시간을 줄일 수가 있다. 이와 같이, 진공 성형기(30)는 기판(2)에 열을 제공하면서 기판(2)을 진공 흡입하여 일 방향으로 휘어지도록 할 수 있다. 또한 진공 성형기(30)는 가열부(310)와 진공부(350)의 적외선 히터를 구비함으로써 기판(2)에 열에너지를 상/하부로 제공하여 안정적인 성형온도를 유지할 수 있다.The heating unit 310 can heat the substrate. Therefore, the substrate 2 can be bent by the heating unit 310. In other words, rigid polymer materials have a rigid property at a low temperature, but have a rubbery property at a high temperature. As a result, it is necessary to carry out vacuum molding in a soft state at a glass transition temperature (TG) can do. In addition, the heat treatment at a temperature higher than the glass transition temperature can reduce the plastic deformation time of the material. As described above, the vacuum molding machine 30 can vacuum the substrate 2 while providing heat to the substrate 2 so that it is bent in one direction. The vacuum molding machine 30 is provided with the heating unit 310 and the infrared heater of the vacuum 350 so that the substrate 2 can be provided with thermal energy up / down to maintain a stable molding temperature.

이처럼 본 발명의 실시 예에 따른 진공 성형기(30)는 기판을 성형 가능한 온도까지 열이 가해지는 온도범위를 조절함으로써, 기판의 휘어지는 정도 및 영역의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. As described above, the vacuum molding machine 30 according to the embodiment of the present invention can improve the degree of warping of the substrate and the reliability of the region by adjusting the temperature range in which heat is applied to the substrate.

진공 성형기(30)는 기판의 휨을 유닛별로 조절하여 기판 휨의 산포를 제어한다. 기판은 진공 성형기(30)에 의해서 기판을 성형하는데, 성형되는 기판은 진공에 의해서 휘게 된다. 이때, 기판은 동일 제품이라 해도 잔동률, 가열온도, 절연체 두께, 절연체 형상 등 다양한 이유로 인해 진공으로 휘는 정도를 제어하기 어렵다. 즉, 기판의 휨의 차이가 높아 즉, 휨 산포가 높아 동일 기판에서도 실장이 잘되는 영역과 실장이 안되는 영역이 존재하게 된다. 이는 곧 실장 수율의 저하를 야기할 수 있다. The vacuum molding machine 30 controls the deflection of the substrate by controlling the deflection of the substrate on a unit-by-unit basis. The substrate is molded by the vacuum molding machine 30, and the substrate to be molded is bent by vacuum. At this time, even if the substrate is the same product, it is difficult to control the degree of bending in vacuum due to various reasons such as a residual rate, a heating temperature, an insulating thickness, and an insulator shape. That is, the difference in warpage of the substrate is high, that is, the warp scattering is high, so that there is a region where mounting is good and a region where mounting is not possible even on the same substrate. This may lead to a decrease in the mounting yield.

이와 같은 이유로 진공 성형기(30)는 기판이 휘어지는 정도를 조절하여 기판의 휨 산포를 제어할 수 있다. 상기 진공 성형기(30)에 대한 자세한 설명은 도 4 내지 도 8을 통해서 설명하도록 한다. For this reason, the vacuum molding machine 30 can control the degree of bending of the substrate by controlling the degree of bending of the substrate. The vacuum molding machine 30 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 8. FIG.

페이스트 인쇄기(50)는 기판(2)상에 솔더 페이스트를 인쇄할 수 있다. 페이스트 인쇄기(50)는 기판처리 시스템(1) 내부로 투입된 기판(2)상에 개구부가 패터닝된 마스크를 위치시킬 수 있다. 여기서, 개구부는 추후 형성되는 범프와 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 페이스트 인쇄기(50)는 마스크 상부에서 솔더 페이스트를 도포하여 마스크의 개구부를 통해 기판 상에 솔더 페이스트를 인쇄할 수 있다. The paste printer 50 can print solder paste on the substrate 2. [ The paste printing machine 50 can place a mask on which an opening is patterned on a substrate 2 that has been introduced into the substrate processing system 1. [ Here, the opening portion may be formed at a position corresponding to the bump to be formed later. The paste printer 50 can apply solder paste on top of the mask to print solder paste on the substrate through openings in the mask.

실장기(60)는 기판(2) 상부에 전자 소자를 실장할 수 있다. 실장기(60)는 기판 상부 중에서 솔더 페이스트가 인쇄된 영역에 전자 소자를 실장할 수 있다. 여기서 전자소자는 예를 들어, 칩다이(3)일 수 있다. The semiconductor element 60 can mount an electronic element on the substrate 2. The semiconductor chip 60 can mount an electronic element in a region where the solder paste is printed in the upper portion of the substrate. Here, the electronic device may be, for example, a chip die 3.

리플로우기(70)는 기판에 리플로우를 수행할 수 있다. 리플로우기(70)는 기판에 인쇄된 솔더 페이스트를 가열하여 용융시킬 수 있다. 예를 들어, 리플로우기(70)는 열풍으로 솔더 페이스트를 가열할 수 있다. 이와 같이 리플로우기(70)에 의해서 솔더 페이스트가 용융됨으로써, 솔더 페이스트와 전자 소자의 접착력이 증가될 수 있다. The reflow unit 70 can perform reflow on the substrate. The reflow unit 70 can heat and melt the solder paste printed on the substrate. For example, the reflow furnace 70 can heat the solder paste with hot air. As described above, the solder paste is melted by the reflow unit 70, so that the adhesive force between the solder paste and the electronic device can be increased.

수취기(80)는 기판을 수취할 수 있다. 수취기(80)는 진공 성형기(30)에 의해서 일 방향으로 휘어지게 성형되고, 전자소자가 실장된 유닛을 포함하는 기판을 수취할 수 있다.The receiver 80 can receive the substrate. The receiver 80 is formed to be bent in one direction by a vacuum molding machine 30, and can receive a substrate including a unit in which an electronic device is mounted.

이와 같이, 기판처리 시스템(1)은 가열부(310) 및 진공부(350)를 포함하는 진공 성형기(30)를 이용하여 기판의 휨 정도를 유닛별로 제어하고, 칩다이와 기판의 휨 방향을 일치시켜 접합의 용이성을 확보하여 접합 신뢰성 및 실장 수율을 향상시킬 수 있다. As described above, the substrate processing system 1 controls the degree of bending of the substrate on a unit-by-unit basis by using the vacuum molding machine 30 including the heating unit 310 and the vacuum chamber 350, So that the ease of bonding can be ensured and the bonding reliability and the packaging yield can be improved.

도 4 내지 도 8은 본 발명의 구체 예에 따른 진공 성형기를 나타낸 예시도들이다. 도 4는 본 발명의 구체 예에 따른 진공 성형기의 단면도이고, 도 5는 본 발명의 구체 예에 따른 진공부의 평면도이고, 도 6은 도 5의 A에 따른 확대도이고, 도 7은 도 6의 I-I'에 따른 단면도이다. 그리고, 도 8a는 본 발명에 따른 진공 성형기로 성형된 기판의 실시예이고, 도 8b는 종래 기술에 따른 기판의 실시예이다.FIGS. 4 to 8 are illustrations showing a vacuum molding machine according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional view of a vacuum molding machine according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a plan view of a vacuum chamber according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is an enlarged view of FIG. Sectional view taken along line I-I 'of FIG. 8A is an embodiment of a substrate formed by a vacuum molding machine according to the present invention, and FIG. 8B is an embodiment of a substrate according to the prior art.

도 4를 참조하면, 진공 성형기(30)는 기판(2)을 사이에 두고 일면에 형성되는 가열부(310) 및 타면에 형성되는 진공부(350)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the vacuum molding machine 30 may include a heating unit 310 formed on one side of the substrate 2 and a vacuum 350 formed on the other side of the substrate 2.

가열부(310)는 진공 성형기(30)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있다. 예를 들어 설명하면, 가열부(310) 상에는 기판(2)이 정렬될 수 있다. 가열부(310)는 기판(2)에 열을 제공할 수 있다. The heating unit 310 may be formed on the upper portion or the lower portion of the vacuum molding machine 30. For example, the substrate 2 may be aligned on the heating portion 310. [ The heating portion 310 can provide heat to the substrate 2. [

가열부(310)에는 기판(2)에 형성된 유닛에 각각 열을 가할 수 있다. 가열부(310)는 유닛에 열을 가하는 범위를 조절할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 가열부(310)는 각각이 유닛에 대응되는 다수의 분사기(312)와, 다수의 열 생성기(314) 및 열구동기(316)을 포함할 수 있다. The heating unit 310 can apply heat to the units formed on the substrate 2, respectively. The heating unit 310 can adjust the range of heat applied to the unit. According to an embodiment of the present invention, the heating unit 310 may include a plurality of injectors 312 each corresponding to the unit, and a plurality of heat generators 314 and a fusing unit 316.

상기 다수의 분사기(312)는 각각의 유닛에 대응되어 해당 열 생성기(314)에 의해 생성된 열을 해당 유닛에 제공하여 가열한다. The plurality of injectors 312 correspond to the respective units, and heat generated by the corresponding heat generators 314 is provided to the corresponding units and heated.

그리고, 다수의 열 생성기(314)는 열 구동기(316)의 제어에 의해 열을 생성하여 출력한다.The plurality of column generators 314 generates and outputs heat under the control of the column driver 316.

열 구동기(316)는 열 생성기(314)를 제어하여 열을 생성하도록 할 수 있다. 이때, 열 구동기(316)는 모든 열 생성기(314)를 동일하게 구동할 수도 있지만, 이와 달리 휨측정기(10)에서 제공되는 유닛별 휨값을 참조하여 휨이 많은 유닛에는 많은 열을 제공하고, 휨이 없는 유닛에는 적은 열을 제공하여 용이하게 휨을 조절할 수 있도록 한다.The column driver 316 may control the column generator 314 to generate heat. At this time, the column driver 316 may drive all the heat generators 314 equally. However, by referring to the unit deflection value provided by the deflection meter 10, it is possible to provide a large amount of heat to the deflecting unit, So that it is easy to control the warpage.

진공부(350)는 진공 성형기(30)의 상부 또는 하부에 형성되며, 가열부(310)와 서로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 진공부(350)는 안정적인 성형 온도를 유지하기 위해서 적외선 히터를 더 구비할 수도 있다. 진공부(350)는 유닛별로 대응되는 다수의 흡입기(352)를 포함하며, 상기 다수의 흡입기(352)는 기판(2)에 대하여 유닛별로 진공 흡입하여 성형할 수 있다. 또한, 진공부(350)는 다수의 흡입기(352)에 설치되어 있으며 유닛별로 진공 흡입하기 위한 다수의 진공 펌프(354)를 구비하고 있다. 또한, 진공부(350)는 각각의 진공 펌프(354)를 개별적으로 구동할 수 있는 진공 컨트롤러(356)가 구비되어 있다.The vacuum chamber 350 may be formed at an upper portion or a lower portion of the vacuum molding machine 30 and may be disposed at a position corresponding to the heating portion 310. The vacuum chamber 350 may further include an infrared heater to maintain a stable forming temperature. The vacuum chamber 350 includes a plurality of suction units 352 corresponding to each unit, and the plurality of suction units 352 can be vacuum-sucked to the substrate 2 on a unit basis. In addition, the vacuum chamber 350 is provided in a plurality of inhalers 352 and has a plurality of vacuum pumps 354 for vacuum suctioning the units. In addition, the vacuum chamber 350 is provided with a vacuum controller 356 capable of individually driving each vacuum pump 354.

상기 진공 컨트롤러(356)는 휨 측정기(10)로부터 기판에 대하여 유닛별로 구별된 휨값을 입력받아 입력받은 휨값에 따른 진공 압력으로 흡입기(352)에 의해 기판의 유닛이 진공 흡입되도록 진공 펌프(354)를 개별적으로 구동한다.The vacuum controller 356 receives a deflection value for each unit from the deflector 10 and receives a deflection value for each unit. The vacuum controller 356 controls the vacuum pump 354 so that the unit of the substrate is vacuum- Respectively.

이때, 진공 컨트롤러(356)가 진공 펌프(354)를 구동할 때 일예로 아래 표1 과 같이 휨값에 대응되는 진공 압력이 발생하도록 진공 펌프(354)를 제어하여 구동할 수 있다.
At this time, when the vacuum controller 356 drives the vacuum pump 354, the vacuum pump 354 may be controlled and driven so that a vacuum pressure corresponding to the bending value is generated as shown in Table 1 below.

NONO 휨값(um)The deflection (um) 압력(kpa)Pressure (kpa) 1One -50um이하-50um or less 00 22 -40~-30um-40 ~ -30um 1010 33 -30~-20um-30 ~ -20um 2020 44 -20~-10um-20 ~ -10um 3030 55 -10~0um-10 ~ 0um 4040 66 0~10um0 ~ 10um 5050 77 10~20um10 ~ 20um 6060 88 20-30um20-30um 7070 99 30~40um30 ~ 40um 8080 1010 40~50um40 to 50um 9090

이때, 기판(2)은 가열부(310)에 의해서 기판(2)이 성형될 수 있는 온도로 가열된 상태일 수 있다. 다수의 흡입기(352)에 의해서 해당 유닛이 진공 흡입되면, 유닛은 일 방향으로 휘어지도록 성형될 수 있다. At this time, the substrate 2 may be heated to a temperature at which the substrate 2 can be formed by the heating unit 310. When the unit is vacuumed by a plurality of inhalers 352, the unit can be shaped to be bent in one direction.

한편, 도 5 내지 도 7을 참조하면, 진공 성형기(30)의 진공부(350)는 베이스 몰드(410)가 구비되고, 베이스 몰드(410)를 구획하는 격벽(430)이 마련된다. 상기 격벽(430)은 베이스 몰드(410)와 일체형으로 형성될 수 있다. 그리고 상기 격벽(430)은 베이스 몰드(410)의 면 방향에 수직한 방향으로 형성되고, 상기 격벽(430)의 상부는 기판(2)을 지지시키는 면이 될 수 있다. 5 to 7, the vacuum 350 of the vacuum molding machine 30 is provided with a base mold 410 and a partition 430 for partitioning the base mold 410. The barrier ribs 430 may be formed integrally with the base mold 410. The barrier ribs 430 are formed in a direction perpendicular to the plane direction of the base mold 410 and the upper portion of the barrier ribs 430 may be a surface for supporting the substrate 2.

상기 격벽(430)은 소정의 간격으로 배치되어 격벽(430)들 사이에 형성되는 동공(Cavity)으로 형성된 진공영역(420)이 형성된다. 상기 동공으로 형성된 진공영역(420)은 기판의 단위유닛에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 따라서 격벽 (430)의 배치에 따라서 동공의 형상이 결정될 수 있다. 즉, 격벽(430)의 배치에 따라 진공영역(420)의 형상이 결정된다. 환원하면, 단위 기판의 크기에 따라 격벽 (430)의 형상을 배치시킬 수 있다. 또는 격벽(430)은 쿼드(quad) 방식을 사용하기 격벽(430)을 전체 크기에 1/4로 분할하여 배치시킬 수도 있다.
The barrier ribs 430 are arranged at predetermined intervals to form a vacuum region 420 formed between the barrier ribs 430 and formed with cavities. The vacuum region 420 formed with the holes may be formed in a shape corresponding to a unit unit of the substrate. Accordingly, the shape of the pupil can be determined according to the arrangement of the barrier ribs 430. That is, the shape of the vacuum region 420 is determined by the arrangement of the barrier ribs 430. The shape of the barrier ribs 430 can be arranged according to the size of the unit substrate. Alternatively, the barrier ribs 430 may be divided into a quarter of the entire size of the barrier ribs 430 using the quad type.

*상기 진공영역(420)에 진공기(350)의 흡입기(352)가 배치된다. 흡입기(352)는 진공영역(420)에 진공을 형성하여 기판(2)을 당겨 기판(2)을 성형할 수 있다. An inhaler 352 of the purge air 350 is disposed in the vacuum region 420. Suction device 352 can vacuum form vacuum region 420 to pull substrate 2 to form substrate 2.

이처럼 흡입기(352)가 유닛별로 개별적으로 진공영역(420)에 진공을 형성하여 기판(2)을 당겨 기판(2)을 성형하면 도 8a에 도시된 바와 같이, 기판 휨의 정도 즉, 기판의 휨 산포가 향상되거나 일정하게 형성될 수 있다. As shown in FIG. 8A, when the suction unit 352 forms a vacuum in the vacuum region 420 individually by unit to pull the substrate 2 to form the substrate 2, the degree of substrate bending, that is, Scattering can be improved or formed constantly.

이러한 도 8a의 도면은 기판(2)의 모든 유닛에 대하여 동일하게 진공 흡착하는 종래 기술에 대한 기판의 휘어지는 정도를 나타내는 도 8b와 비교하면, 휨의 산포가 크게 형성되는 것을 알 수 있다. 8A shows that the scattering of the deflection is largely formed as compared with FIG. 8B showing the degree of warping of the substrate with respect to the conventional technique in which the same vacuum attraction is applied to all the units of the substrate 2. FIG.

즉, 도 8b에서 a와 b의 간격이 크게 형성되고, 이는 기판의 휨 산포가 크게 형성되었을 나타낸다. 이에 따라 추후에 칩다이를 기판에 실장함에 있어 접합신뢰성 및 실장 수율의 저하를 발생시킬 수 있다. That is, in FIG. 8B, a large gap between a and b is formed, which indicates that the substrate is largely deformed. As a result, bonding reliability and mounting yield may be lowered when the chip die is later mounted on the substrate.

이와 같이, 도 8a의 본 발명에 따라 기판(2)을 성형함에 있어, 진공기(350)가 유닛별로 기판의 휨을 제어하여 기판의 휨 산포를 제어할 수 있게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 진공 성형부(30)는 기판의 휨 정도를 제어함으로써 기판(2) 상에 칩다이를 실장함에 있어 접합 신뢰성 및 실장 수율을 향상시킬 수 있다.In this way, in forming the substrate 2 according to the present invention shown in FIG. 8A, the green air 350 can control the deflection of the substrate on a unit-by-unit basis, thereby controlling the deflection of the substrate. Therefore, the vacuum forming unit 30 according to the present invention can improve the bonding reliability and the packaging yield in mounting the chip die on the substrate 2 by controlling the degree of bending of the substrate.

도 9는 본 발명의 구체 예에 따른 기판처리 방법을 나타낸 순서도이다. 여기서 중복 설명을 회피하기 위해 도 1 내지 도 7을 인용하여 설명하기로 한다. 9 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. In order to avoid redundant description, the description will be made with reference to Figs. 1 to 7.

도 9를 참조하면, 우선, 휨 측정기를 사용하여 다수개의 유닛이 구비된 기판을 카메라로 촬영하여 촬영 영상을 획득하고 획득된 촬영 영상을 이용하여 유닛별로 휨값을 측정한다(S100).Referring to FIG. 9, first, a board having a plurality of units using a flexure meter is photographed by a camera to obtain a shot image, and a deflection value is measured for each unit using the shot image (S100).

이를 좀더 구체적으로 살펴보면, 휨 측정기는 도 2에 도시된 바와 같이 기판(2)을 촬영하여 촬영 영상을 획득하는 카메라 및 생성된 촬영 영상으로부터 유닛별로 휨값을 측정하는 측정부를 포함하고 있다. More specifically, as shown in FIG. 2, the bending meter includes a camera for photographing the substrate 2 to acquire a photographed image, and a measuring unit for measuring a bending value for each unit from the photographed image.

이러한 구성의 상기 휨 측정기에서 상기 카메라가 기판을 촬영하여 영상을 획득하면 상기 측정부가 생성된 촬영 영상으로부터 유닛별로 휨값을 측정하여 출력한다.When the camera captures an image of the substrate in the bending meter having such a configuration, the measuring unit measures and outputs a deflection value for each unit from the captured image.

다음에, 투입기가 기판을 기판처리 시스템의 내부로 투입할 수 있다(S810). 여기서, 기판처리 시스템은 기판 상부에 전자 소자를 실장 및 기판을 수취하는 시스템일 수 있다. 기판처리 시스템의 자세한 구성은 도 1을 참조하기로 한다. 기판은 투입기에 의해서 기판 내부로 투입될 수 있다. 여기서 투입기는 로봇 암, 컨베이어, 롤러 등이 될 수 있다. Next, the dispenser may insert the substrate into the substrate processing system (S810). Here, the substrate processing system may be a system for mounting an electronic element on a substrate and for receiving a substrate. The detailed configuration of the substrate processing system will be described with reference to FIG. The substrate can be introduced into the substrate by the injector. Here, the dispenser may be a robot arm, a conveyor, a roller, or the like.

이어서, 기판처리 시스템은 기판에 대하여 유닛별로 성형을 수행할 수 있다(S120). 기판의 유닛별 성형은 진공 성형기를 통해서 수행될 수 있다. Subsequently, the substrate processing system may perform the forming on a unit-by-unit basis with respect to the substrate (S120). Molding of the substrate by unit can be performed through a vacuum molding machine.

여기서 진공 성형기의 가열부는 기판에서 열에너지를 제공하고, 진공부는 적외선 히터로 열에너지를 제공하여 기판성형 온도를 안정적으로 유지할 수 있다. 예를 들면, 가열부는 기판에 200℃ 내지 220℃의 열에너지를 제공할 수 있고, 상기 적외선 히터는 90℃ 내지 110℃로 열에너지를 제공하여 기판의 성형 온도를 안정적으로 유지할 수 있다. Here, the heating part of the vacuum molding machine provides thermal energy from the substrate, and the vacuum part provides thermal energy to the infrared heater, thereby stably maintaining the substrate forming temperature. For example, the heating section can provide the substrate with thermal energy of 200 ° C to 220 ° C, and the infrared heater can provide the thermal energy from 90 ° C to 110 ° C to stably maintain the forming temperature of the substrate.

여기서 기판 성형의 수행은 진공 성형기에 형성되어 있는 진공부에 의해서 실시할 수 있다. 진공 성형기가 구비하고 있는 진공부는 기판 휨의 산포를 제어할 수 있는데, 진공영역에 진공기의 흡입기가 배치된다. 흡입기는 진공영역에 진공을 형성하여 기판을 당겨 기판을 성형할 수 있다. Here, the substrate molding can be performed by a vacuum formed in the vacuum molding machine. The vacuum part provided in the vacuum molding machine can control the dispersion of the substrate warpage, and the suction part of the vacuum air is arranged in the vacuum area. The inhaler can form a vacuum in the vacuum region to pull the substrate to form the substrate.

이처럼 흡입기가 유닛별로 개별적으로 진공영역에 진공을 형성하여 기판을 당겨 기판을 성형하면 도 8a에 도시된 바와 같이, 기판 휨의 정도 즉, 기판의 휨 산포가 향상되거나 일정하게 형성될 수 있다. As shown in FIG. 8A, the degree of substrate bending, that is, the flexural scattering of the substrate, can be improved or formed constantly when the substrate is pulled by forming the vacuum in the vacuum region individually by the suction unit.

이와 같은 기판의 성형은 칩다이와 방향성을 맞춰어 실장을 용이하게 하기 위해서 실시한다. 예를 들면, 기판을 빌드업하는 과정에서 상부 및 하부 간의 구리 밀도 차이로 기판이 어느 방향으로 휘어질수 있다. 여기서 기판의 휨 방향을 진공 성형기를 통해서 기판을 성형시킴으로써 칩과 기판의 휨 방향을 동일하게 할 수 있다. 기판 상에 실장되는 칩다이는 예를 들어 전자부품으로 인덕터 등이 될 수 있다. The formation of such a substrate is carried out in order to align the chip die with the direction and to facilitate the mounting. For example, in the process of building up the substrate, the substrate may be bent in any direction due to the difference in copper density between the upper and lower portions. Here, the bending directions of the chip and the substrate can be made the same by forming the substrate through the vacuum molding machine in the bending direction of the substrate. The chip die mounted on the substrate may be, for example, an inductor or the like as an electronic component.

이어서, 기판 처리 시스템은 기판에 솔더 페이스트를 인쇄할 수 있다(S130)솔더 페이스트 인쇄는 페이스트 인쇄기에 의해서 수행될 수 있다. 페이스트 인쇄기는 기판 상부에 개구부가 패터닝된 마스크를 위치시킬 수 있다. 여기서 개구부는 추후 형성되는 범프와 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 페이스트 인쇄기는 마스크 상부에서 솔더 페이스트를 도포하여 마스크의 개구부를 통해 기판 상에 솔더 페이스트를 인쇄할 수 있다. Subsequently, the substrate processing system may print the solder paste on the substrate (S130). Solder paste printing may be performed by a paste printer. The paste printing machine can position a mask with an opening patterned on the top of the substrate. Here, the opening may be formed at a position corresponding to the bump to be formed later. The paste press can apply solder paste on top of the mask to print solder paste on the substrate through openings in the mask.

이어서, 기판처리 시스템은 기판 상부에 전자 소자를 실장할 수 있다(S14). 전자 소자의 실장은 실장기에 의해서 수행될 수 있다. 실장기는 기판의 상부 중에서 솔더 페이스트가 인쇄된 영역에 전자 소자를 실장할 수 있다. Subsequently, the substrate processing system may mount an electronic device on the substrate (S14). The mounting of the electronic device can be performed by a mounting machine. The mounting apparatus can mount the electronic element in the area where the solder paste is printed in the upper part of the substrate.

이어서, 기판 처리 시스템은 리플로우를 수행할 수 있다(S150). 리플로우는 리플로우기를 통해서 수행될 수 있다. 리플로우기는 기판에 인쇄된 솔더 페이스트를 가열하여 용융시킬 수 있다. 예를 들어, 리플로우기는 열풍으로 솔더 페이스트를 가열할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 리플로우기는 열풍뿐만 아니라 솔더 페이스트를 용융할 수 있는 어떠한 열전달 매체도 이용할 수 있다. 이와 같이 리플로우기에 의해서 솔더 페이스트가 용융됨으로써, 솔더 페이스트 상부에 실장된 전자 소자와의 접착력이 증가될 수 있다. Subsequently, the substrate processing system may perform reflow (S150). Reflow can be performed through reflow. The solder paste printed on the reflowing substrate can be heated and melted. For example, the solder paste may be heated by reflowing hot air, but is not limited thereto. Any heat transfer medium capable of melting solder paste as well as reflowing hot air can be used. As such, the solder paste is melted by the reflow process, so that the adhesive force with the electronic device mounted on the solder paste can be increased.

본 발명의 실시 예에 따른 기판처리 방법은 진공 성형기를 통해 기판의 휨 (CAW)을 제한적으로 형성하여 기판의 휨 (CAW) 산포를 개선함으로써 칩 다이와 기판의 범프 간의 접합 신뢰성 및 실장 수율을 향상시킬 수 있다.
The substrate processing method according to the embodiment of the present invention improves the bonding reliability and the packaging yield between the bumps of the chip die and the substrate by limiting the CAW of the substrate by limiting the CAW of the substrate through the vacuum molding machine .

이상 본 발명을 구체적인 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the present invention. It is obvious that the modification or improvement is possible.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

1 : 기판처리 시스템 2 : 기판
10 : 휨 측정기 20 : 투입기
30 : 진공 성형기 40 : 페이스트 인쇄기
60 : 실장기 70 : 리플로우기
80 : 수취기 310 : 가열부
350 : 진공부 410 : 베이스 몰드
420 : 진공영역 430 : 격벽 1: substrate processing system 2: substrate
10: flexure meter 20: injector
30: vacuum molding machine 40: paste printing machine
60: Actual 70: Reflow
80: Receiver 310: Heating part
350: Evolution 410: Base mold
420: vacuum region 430: partition wall

Claims (16)

다수개의 유닛을 포함하는 기판의 다수개의 유닛에 대한 휨값을 측정하여는 휨 측정기;
내부로 다수개의 유닛을 포함하는 기판을 투입하는 투입기;
상기 투입기로 투입된 기판을 상기 휨 측정기에서 측정된 다수개의 유닛에 대한 휨값을 참조하여 유닛별로 성형하는 진공 성형기;
상기 진공 성형기로 성형된 기판에 솔더 페이스트를 인쇄하는 페이스트 인쇄기;
상기 솔더 페이스트가 인쇄된 기판 상에 전자 소자를 실장하는 실장기; 및
상기 전자 소자가 실장된 기판에 리플로우를 수행하는 리플로우기를 포함하는 기판처리 시스템.Measuring a deflection value for a plurality of units of a substrate including a plurality of units, the deflection meter comprising: a deflection meter;
An injector for injecting a substrate including a plurality of units therein;
A vacuum molding machine for forming a substrate on the basis of a deflection value of a plurality of units measured by the deflector, into a unit by the unit;
A paste printing machine for printing a solder paste on the substrate formed by the vacuum molding machine;
An optical element mounted on the substrate on which the solder paste is printed; And
And a reflow unit for reflowing the substrate on which the electronic device is mounted. 청구항 1에 있어서,
상기 휨 측정기는
기판을 촬영하여 촬영 영상을 획득하는 카메라; 및
상기 카메라에 의해 생성된 촬영 영상으로부터 유닛별로 휨값을 측정하는 측정부를 포함하는 기판처리 시스템.The method according to claim 1,
The flexure meter
A camera for photographing a substrate to acquire a photographed image; And
And a measurement unit for measuring a deflection value for each unit from the photographed image generated by the camera. 청구항 1에 있어서,
상기 진공 성형기는
상기 기판에 열을 제공하는 가열부; 및
상기 기판에 유닛별로 진공력을 제공하여 상기 기판의 휨을 형성하는 진공부를 포함하는 기판처리 시스템.The method according to claim 1,
The vacuum molding machine
A heating unit for supplying heat to the substrate; And
And evacuating the substrate by applying vacuum force to each of the substrates to form a warp of the substrate. 청구항 3에 있어서,
상기 가열부는
각각의 유닛에 대응되는 위치에 형성된 다수의 분사기;
열을 생성하여 해당 분사기에 제공하여 대응되는 유닛을 가열하기 위한 다수의 열 생성기; 및
상기 열 생성기를 제어하여 열을 생성하도록 하는 열 구동기를 포함하는 기판처리 시스템.The method of claim 3,
The heating unit
A plurality of injectors formed at positions corresponding to the respective units;
A plurality of heat generators for generating heat to the corresponding injectors to heat corresponding units; And
And a thermal driver to control the thermal generator to generate heat. 청구항 4에 있어서,
상기 열 구동기는 휨 측정기에서 제공되는 유닛별 휨값을 참조하여 휨값에 비례하게 열이 제공되도록 상기 다수의 열 생성기를 개별적으로 제어하는 기판처리 시스템.The method of claim 4,
Wherein the thermal driver individually controls the plurality of heat generators so that heat is provided in proportion to a deflection value with reference to a deflection value per unit provided in the deflection meter. 청구항 3에 있어서,
상기 진공부는
베이스 몰드;
상기 베이스 몰드의 영역을 구획하며, 상기 기판을 지지하는 격벽;
상기 격벽으로 구획되어 동공으로 형성된 상기 진공 영역에 배치되는 다수의 흡입기;
다수의 흡입기에 각각 설치되어 있으며 유닛별로 진공 흡입하기 위한 다수의 진공 펌프; 및
각각의 진공 펌프를 개별적으로 구동할 수 있는 진공 컨트롤러를 포함하는 기판처리 시스템.The method of claim 3,
The vacuum section
Base mold;
A partition wall partitioning the region of the base mold and supporting the substrate;
A plurality of inhalers disposed in the vacuum region partitioned by the partition walls and formed into a cavity;
A plurality of vacuum pumps installed in the plurality of inhalers and adapted to inhale each unit; And
And a vacuum controller capable of individually driving each vacuum pump. 청구항 6에 있어서,
상기 진공 컨트롤러는 휨 측정기로부터 기판에 대하여 유닛별로 구별된 휨값을 입력받아 입력받은 휨값에 따른 진공 압력으로 다수의 흡입기에 의해 기판의 유닛별로 개별적으로 진공 흡입되도록 다수의 진공 펌프를 개별적으로 구동하는 기판처리 시스템.The method of claim 6,
The vacuum controller includes a vacuum controller for individually receiving a deflection value for each unit from a deflector and a plurality of vacuum pumps for individually vacuum-sucking the substrates by a plurality of inhalers at a vacuum pressure corresponding to the input deflection value, Processing system. 상기 기판에 열을 제공하는 가열부; 및
상기 기판에 유닛별로 진공 압력을 제공하여 상기 기판의 휨을 형성하는 진공부를 포함하는 진공 성형기.A heating unit for supplying heat to the substrate; And
And a vacuum to form a warp of the substrate by applying a vacuum pressure to the substrate on a unit-by-unit basis. 청구항 8에 있어서,
상기 가열부는
각각의 유닛에 대응되는 위치에 형성된 다수의 분사기;
열을 생성하여 해당 분사기에 제공하여 대응되는 유닛을 가열하기 위한 다수의 열 생성기; 및
상기 열 생성기를 제어하여 열을 생성하도록 하는 열 구동기를 포함하는 진공 성형기.The method of claim 8,
The heating unit
A plurality of injectors formed at positions corresponding to the respective units;
A plurality of heat generators for generating heat to the corresponding injectors to heat corresponding units; And
And a heat driver for controlling the heat generator to generate heat. 청구항 9에 있어서,
상기 열 구동기는 휨 측정기에서 제공되는 유닛별 휨값을 참조하여 휨값에 비례하게 열이 제공되도록 상기 다수의 열 생성기를 개별적으로 제어하는 진공 성형기. The method of claim 9,
Wherein the thermal driver individually controls the plurality of heat generators so that the heat is provided in proportion to the deflection value with reference to the deflection value per unit provided by the deflection meter. 청구항 8에 있어서,
상기 진공부는
베이스 몰드;
상기 베이스 몰드의 영역을 구획하며, 상기 기판을 지지하는 격벽;
상기 격벽으로 구획되어 동공으로 형성된 상기 진공 영역에 배치되는 다수의 흡입기;
다수의 흡입기에 각각 설치되어 있으며 유닛별로 진공 흡입하기 위한 다수의 진공 펌프; 및
각각의 진공 펌프를 개별적으로 구동할 수 있는 진공 컨트롤러를 포함하는 진공 성형기.The method of claim 8,
The vacuum section
Base mold;
A partition wall partitioning the region of the base mold and supporting the substrate;
A plurality of inhalers disposed in the vacuum region partitioned by the partition walls and formed into a cavity;
A plurality of vacuum pumps installed in the plurality of inhalers and adapted to inhale each unit; And
And a vacuum controller capable of individually driving each of the vacuum pumps. 청구항 11에 있어서,
상기 진공 컨트롤러는 휨 측정기로부터 기판에 대하여 유닛별로 구별된 휨값을 입력받아 입력받은 휨값에 따른 진공 압력으로 다수의 흡입기에 의해 기판의 유닛별로 개별적으로 진공 흡입되도록 다수의 진공 펌프를 개별적으로 구동하는 진공 성형기.The method of claim 11,
The vacuum controller receives a deflection value for each unit from the deflector and receives a deflection value for each unit. The vacuum controller controls the vacuum pump to individually vacuum-suck the plurality of vacuum pumps by a plurality of inhalers, Molding machine. (A) 휨 측정기가 기판의 유닛별 휨값을 측정하는 단계;
(B) 투입기가 기판을 진공 성형기 내부로 투입하는 단계;
(C) 진공 성형기가 상기 기판에 유닛별 성형을 수행하는 단계;
(D) 페이스트 인쇄기가 상기 기판에 솔더 페이스트를 인쇄하는 단계;
(E) 실장기가 상기 기판 상부에 상기 전자 소자를 실장하는 단계; 및
(F) 리플로우기가 상기 기판에 리플로우를 수행하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법. (A) measuring a deflection value of each unit of the substrate by the deflection meter;
(B) injecting the substrate into the vacuum molding machine;
(C) performing a unit-by-unit molding on the substrate by a vacuum molding machine;
(D) printing a solder paste on the substrate by a paste printing machine;
(E) mounting the electronic device on the substrate; And
(F) performing a reflow process on the substrate. 청구항 13에 있어서,
상기 (C) 단계는
(C-1) 진공 성형기가 상기 기판에 열을 제공하는 단계; 및
(C-2) 진공 성형기가 상기 기판에 유닛별로 진공 압력을 제공하여 상기 기판의 휨을 형성하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
The step (C)
(C-1) a step in which a vacuum molding machine provides heat to the substrate; And
(C-2) a step of providing a vacuum pressure on a unit-by-unit basis to the substrate to form warping of the substrate. 청구항 13에 있어서,
상기 (E) 단계에서 상기 전자 소자는 상기 솔더 페이스트 상에 실장되는 기판 처리 방법. 14. The method of claim 13,
Wherein the electronic device is mounted on the solder paste in the step (E). 청구항 13에 있어서,
상기 (F) 단계에서 상기 기판 및 상기 솔더 페이스트에 열을 가하여 상기 기판과 상기 전자 소자를 접합시키는 기판 처리 방법. 14. The method of claim 13,
And heating the substrate and the solder paste to bond the substrate and the electronic device in the step (F).
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251948A (en) * 1996-03-18 1997-09-22 Fujitsu Ltd Apparatus and method for flatness correction
JP2004259921A (en) * 2003-02-26 2004-09-16 Seiko Epson Corp Circuit board, semiconductor device, semiconductor production system, method for producing circuit board and method for fabricating semiconductor device
JP2006173344A (en) 2004-12-15 2006-06-29 Seiko Epson Corp Substrate retaining device, substrate retaining method and substrate heating device
JP2006202783A (en) * 2005-01-17 2006-08-03 Fujitsu Ltd Process for manufacturing semiconductor device
KR20080067972A (en) * 2007-01-17 2008-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251948A (en) * 1996-03-18 1997-09-22 Fujitsu Ltd Apparatus and method for flatness correction
JP2004259921A (en) * 2003-02-26 2004-09-16 Seiko Epson Corp Circuit board, semiconductor device, semiconductor production system, method for producing circuit board and method for fabricating semiconductor device
JP2006173344A (en) 2004-12-15 2006-06-29 Seiko Epson Corp Substrate retaining device, substrate retaining method and substrate heating device
JP2006202783A (en) * 2005-01-17 2006-08-03 Fujitsu Ltd Process for manufacturing semiconductor device
KR20080067972A (en) * 2007-01-17 2008-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium

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