KR20150108692A - 그래핀 전사 방법 - Google Patents

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KR20150108692A
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Abstract

그래핀 전사 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따르는 그래핀 전사 방법은 촉매금속필름의 적어도 한 면에, 적어도 하나의 층의 그래핀을 합성하는 단계, 상기 그래핀에 전사용 유연필름을 부착하여 제1 적층구조체를 형성하는 단계,상기 제1 적층구조체로부터 상기 촉매금속필름을 제거하여 제2 적층구조체를 형성하는 단계, 상기 제2 적층구조체의 그래핀과 타겟 기판을 서로 마주보게 하여 압착시켜 제3 적층구조체를 형성하는 단계, 상기 제3 적층구조체 상에 정전기 발생 장치를 이용하여 정전기를 발생시키는 단계 및 상기 전사용 유연필름을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

그래핀 전사 방법 {Method for transferring graphene}
본 발명의 실시예들은 그래핀 전사 방법에 관한 것이다.
현재, 탄소에 기반을 둔 재료로서, 풀러렌(fullerenes), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 다이아몬드(diamond), 그라파이트(graphite), 그래핀(graphene) 등이 다양한 분야에서 연구되고 있다.
이 중, 탄소나노튜브가 1990년대 이후부터 각광을 받아 오고 있으나 최근에는 판상 구조의 그래핀(graphene)이 많은 주목을 받고 있다. 그래핀은 탄소원자들이 2차원적으로 배열된 박막 물질로서, 그 내부에서 전하가 제로 유효 질량 입자(zero effective mass particle)로 작용하기 때문에 매우 높은 전기 전도도를 가지며, 또한 높은 열전도도, 탄성 등을 가지는 것으로 알려져 있다.
따라서, 그래핀이 연구된 이후로 그래핀에 대한 많은 특성 연구가 진행되고 있으며 다양한 분야에서 활용하기 위한 연구가 진행되고 있다. 특히, 그래핀은 전기 및 전자 장치에 필수적으로 설치되는 회로기판의 배선이나 투명 디스플레이 또는 휘어질 수 있는 디스플레이에 적용될 수 있다.
이러한 그래핀을 산업분야에 이용하기 위해서 대면적으로 그래핀을 합성하려는 시도가 활발히 이루어지고 있다.
그래핀은 일반적으로 촉매금속을 이용한 화학기상증착법(Chemical vapor deposition: CVD)을 이용하여 합성할 수 있다. 화학기상증착법(CVD)으로 합성된 그래핀을 제품에 응용하는 경우, 그래핀을 타겟 기판으로 전사하는 방법이 필요할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 합성된 그래핀을 타겟 기판으로 효율적으로 전사하는 그래핀 전사 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르는 그래핀 전사방법은,
촉매금속필름의 적어도 한 면에, 적어도 하나의 층의 그래핀을 합성하는 단계;
상기 그래핀에 전사용 유연필름을 부착하여 제1 적층구조체를 형성하는 단계;
상기 제1 적층구조체로부터 상기 촉매금속필름을 제거하여 제2 적층구조체를 형성하는 단계;
상기 제2 적층구조체의 그래핀과 타겟 기판을 서로 마주보게 하여 압착시켜 제3 적층구조체를 형성하는 단계;
상기 제3 적층구조체 상에 정전기 발생 장치를 이용하여 정전기를 발생시키는 단계; 및
상기 전사용 유연필름을 제거하는 단계;를 포함한다.
상기 제2 적층구조체와 상기 타겟 기판을 압착하는 단계 전에 상기 타겟 기판의 표면에 플라즈마 처리하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 처리는 산소, 아르곤, 질소, 수소, 프로판, 사불화탄소, 암모니아 및 헬륨 기체 중 적어도 하나를 이용하며, 상기 플라즈마 처리에 의해서 상기 타겟 기판의 표면에 π-π 결합이 가능한 관능기층이 형성될 수 있다.
상기 정전기 발생 장치는 막대 형상으로 되어 있을 수 있다.
상기 정전기 발생 장치는 제3 적층 구조체의 일 면으로부터 0.5m 이하의 거리에서 10 kV 내지 100 kV의 전압을 발생시킬 수 있다.
상기 촉매금속필름은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 로지움(Rh), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 전사용 유연필름은 열박리 테이프, 실리콘계 테이프, 아크릴계 테이프, 및 폴리머 코팅 필름 중 어느 하나일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 그래핀 전사 방법은 전기장을 인가하여 그래핀과 타겟 기판 사이에 기포(void)의 발생을 줄일 수 있으며 접착력이 강화되어 균일한 면저항을 갖는 그래핀을 수득할 수 있다.
도 1 내지 도 7은 그래핀을 타겟 기판으로 전사하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 8은 그래핀을 타겟 기판으로 전사하는 과정을 나타낸 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 관한 그래핀의 전사 방법의 구성과 작용을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
또한, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다" 및/또는 "포함하는"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
도 1 내지 도 7은 그래핀을 타겟 기판으로 전사하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 8은 그래핀을 타겟 기판으로 전사하는 과정을 나타낸 순서도이다.
도 8에 나타난 그래핀 전사 방법은 촉매금속필름(110)의 적어도 한 면에, 적어도 하나의 층의 그래핀(120)을 합성하는 단계(S1), 상기 그래핀(120)에 전사용 유연필름(130)을 부착하여 제1 적층구조체(10)를 형성하는 단계(S2), 상기 제1 적층구조체(10)로부터 상기 촉매금속필름(110)을 제거하여 제2 적층구조체(20)를 형성하는 단계(S3), 상기 제2 적층구조체(20)의 그래핀(120)과 타겟 기판(140)을 서로 마주보게 하여 압착시켜 제3 적층구조체(30)를 형성하는 단계(S5), 상기 제3 적층구조체(30) 상에 정전기 발생 장치(200)를 이용하여 정전기를 발생시키는 단계(S6), 및 상기 전사용 유연필름(130)을 제거하는 단계(S7)를 포함한다.
또한, 본 실시예에 따른 그래핀 전사 방법은 상기 제2 적층구조체(20)와 상기 타겟 기판(140)을 압착하는 단계(S5) 전에 상기 타겟 기판(140)의 표면에 플라즈마 처리하는 단계(S4)를 더 포함할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여, 본 실시예에 따르는 그래핀 전사 방법 과정에 대해서 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 1을 참조하면, 먼저 촉매금속필름(110)의 적어도 한 면에 그래핀(120)을 합성한다. (S1)
그래핀(graphene, 120)은 복수 개의 탄소원자들이 서로 공유결합으로 연결되어 2차원 평면 시트 형태를 형성한 것으로서, 공유결합으로 연결된 탄소원자들은 기본 반복단위로서 6원환을 형성하나, 5원환 및/또는 7원환을 더 포함하는 것도 가능하다. 따라서 그래핀(120)은 서로 공유 결합된 탄소원자들(통상 sp2 결합)의 단일층을 이룬다. 그래핀(120)은 다양한 구조를 가질 수 있으며, 이와 같은 구조는 그래핀(120) 내에 포함될 수 있는 5원환 및/또는 7원환의 함량에 따라 달라질 수 있다.
그래핀(120)을 합성하기 위해서 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition : CVD), 열 화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition: TCVD), 급속 열 화학기상증착법(Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition: RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착법(Inductive Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: ICP-PECVD), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition: ALD) 등 다양한 공정이 이용될 수 있다.
상기의 공정에 의해서 그래핀(120)을 합성하는 경우, 촉매금속필름(110)과 탄소를 포함하는 가스(CH4, C2H2, C2H4, CO 등)을 챔버에 넣고 가열함으로써, 촉매금속필름(110)에 탄소가 흡수되도록 한다. 이어, 급속히 냉각을 수행하여 탄소를 결정화시키는 방법으로 그래핀을 성장시킨다.
촉매금속필름(110)은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 로지움(Rh), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그래핀(120)은 하나의 층으로 형성되기도 하나 촉매금속필름(110)의 종류 또는 합성 챔버 내의 환경에 따라서 복수의 층으로 형성될 수도 있다.
도 2를 참조하면, 그래핀(120)에 전사용 유연필름(130)을 부착하여 제1 적층구조체(10)를 형성한다. (S2)
전사용 유연필름(130)은 그래핀(120)을 지지하여 타겟 기판에 전사하는 과정까지 핸들링이 용이하도록 도와주는 역할을 할 수 있다. 촉매금속필름(110)의 양면에 그래핀(120)이 합성되어 있는 경우, 전사용 유연필름(130)은 전사할 그래핀(120)에 형성할 수 있다.
일부 실시예에서, 전사용 유연필름(130)은 열박리 테이프(Thermal Release Tape:TRT)일 수 있다. 열박리 테이프(TRT)는 상온에서 그 일면이 접착성을 가지지만, 소정 박리 온도 이상으로 가열되면 접착성을 잃는 성질을 가지는 것으로, 다양한 박리 온도를 구비한 제품을 선택할 수 있다.
일부 실시예에서, 전사용 유연필름(130)은 폴리머 코팅 필름일 수 있다. 이 경우, 그래핀(120) 상에 액상의 폴리머를 드롭 코팅(drop coating)한 후 굳히는 것으로 전사용 유연필름(130)을 형성할 수 있다. 폴리머로는 폴리메틸메타크릴레이트 (Polymethylmethacrylate:PMMA), 폴리아마이드 (polyamide:PA), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (poly(butylenes terephtalate):PBT), 폴리카보네이트 (Polycarbonate:PC), 폴리에틸렌 (polyethylene:PE), 폴리옥시메틸렌 (poly(oxymethylene):POM), 폴리프로필렌 (polypropylene:PP), 폴리페닐에테르 (poly(phenylenether):PPE), 폴리스타이렌 (Polystylene:PS), 폴리설폰 (polysulfone:PSU), 리퀴드크리스탈폴리머 (liquid crystal polymer:LCP), 폴리에테르에테르케톤 (poly(etheretherketone):PEEK), 폴리에테르이미드 (poly(etherimide):PEI), 폴리랙타이드 (polylactide:PLA), 폴리디메틸실록산 (poly(dimethylsiloxane:PDMS), 및 시클로올레핀코폴리머 (cycloolefin copolymer:COC) 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
그러나, 전사용 유연필름(130)은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전사용 유연필름(130)은 그래핀(120)을 전사 대상 타겟 기판에 이송하기 위하여 사용되는 것이라면 열박리 테이프 또는 폴리머 코팅 필름 이외에도 실리콘 및 아크릴계 등의 다양한 캐리어 필름이 사용될 수 있다.
다음으로 도 3을 참조하면, 촉매금속필름(110)을 제거하여 제2 적층구조체(20)을 형성한다. (S3)
촉매금속필름(110)은 습식 식각 공정에 의해서 제거될 수 있다. 일부 실시예에서, 습식 식각 공정에 사용되는 식각액은 염화철(FeCl3), 질산철(Fe(No3)3), 염화동(CuCl2), 암모늄퍼설페이트((NH4)2S2O8), 소듐퍼설페이트(Na2S2O8) 용액 및 과수황산타입 용액 중 적어도 어느 하나를 이용할 수 있다.
상기 식각액은 스프레이타입(spray-type), 바스타입(bath-type) 또는 그들의 조합 중 어느 하나의 방식을 통해 촉매금속필름(110)에 공급될 수 있다. 스프레이타입의 경우, 식각액이 분사되어 촉매금속필름(110)으로 공급되며, 소량의 식각액으로 촉매금속필름(110)을 제거할 수 있는 특징이 있다. 바스타입의 경우 수조 속에 식각액을 채워넣고 촉매금속필름(110)을 식각액에 담궈 제거하는 것이며, 스프레이타입에 비해서 많은 식각액이 필요하나 촉매금속필름(110) 전반에 식각액이 접촉하여 식각을 수행할 수 있는 장점이 있다.
다음으로, 제2 적층구조체(20)에 대해서 세정 및 건조 공정이 진행될 수 있다. 세정 및 건조 공정에 의해서 그래핀(120)에 잔류할 수 있는 식각액이 제거될 수 있다. 세정공정은 D.I. water로 불순물을 닦아내는 것으로 수행될 수 있다.
도 4를 참조하면, 타겟 기판(140)의 표면에 플라즈마 처리할 수 있다. (S5)
타겟 기판(140)은 그래핀(120)이 전사될 기판으로 글라스 재질, 플라스틱 재질 등 다양한 재질로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 타겟 기판(140)은 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethylene terephthalate:PET), 폴리카보나이트(polycarbonate:PC), 폴리이미드 (polyimide:PI), 올레핀, 폴리스타이렌(polystyrene:PS), Poly(methyl methacrylate)(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS: polydimethylsiloxane), 글라스, 플라스틱, 합성 고무, 및 천연 고무 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
플라즈마 처리는 산소, 아르곤, 질소, 수소, 프로판, 사불화탄소, 암모니아, 헬륨 가스 중에서 하나 이상을 선택해서 수행될 수 있다. 일부 실시예에서, 플라즈마를 구동하는 파워는 대략 150 내지 200 W일 수 있다. 일부 실시예에서, 플라즈마 처리시 사용되는 가스는 수 내지 수십 sccm으로 유입될 수 있다. 플라즈마 처리에 의해서 타겟 기판(140)의 표면에는 그래핀(120) 표면의 탄소원자와 π-π 결합이 가능한 관능기층이 형성될 수 있다.예를 들어, 관능기층은 카르복실 그룹(-COOH), 아민 그룹(-NH2), 불소화탄소 그룹 (-CxFx)으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 후술한 정전기에 의한 전사 과정(S6)에서 타겟 기판(140)과 그래핀(120)의 접착력을 높일 수 있다.
도 5를 참조하면, 타겟 기판(140)과 제2 적층구조체(20)의 그래핀(120)을 서로 마주보게 하여 압착시킨다. (S5)
압착 공정은 제2 적층구조체(20)의 그래핀(120)이 노출된 면과 타겟 기판(140)을 서로 마주보게 배치한 후, 소정의 압력으로 눌러주는 것으로 수행될 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 압착 공정은 롤러에 의해 눌러주는 롤러 전사 방식으로 수행될 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(140)과 그래핀(120) 사이에는 두 계면에서 발생하는 정전기힘에 의해 거시 수준(macroscopic level)에서 타겟 기판(140)과 그래핀(120)의 접착이 형성될 수 있다.
일반적으로, 이러한 압착 공정만으로 타겟 기판(140)과 그래핀(120)을 전사하는 경우에는 롤러의 압력 등 외부의 영향에 의한 손상 가능성이 높아질 수 있으며, 수백 um에서 수십 nm의 기포(void)가 많이 발생할 수 있다. 수십 um 이상의 기포는 롤러의 평탄도나 압력 조건을 조절하여 최소화할 수 있으나, 수 um 이하의 기포는 롤러조건을 변화시켜 제거하기 힘들 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예들에 있어서는 타겟 기판(140)과 그래핀(120)의 두 계면 사이에 정전기힘이 미시 수준 (microscopic level)까지 발생할 수 있도록 외부에서 전기장을 인가하는 단계를 추가하여 압착 공정을 보완할 수 있다.
압착 공정의 조건, 예를 들면, 롤러의 압력 등은 후술할 전기장 인가의 세기를 고려하여 조절될 수 있다.
도 6을 참조하면, 타겟 기판(140)/그래핀(120)/전사용 유연필름(130)로 구성된 제3 적층구조체(30)에 정전기 발생 장치(200)를 이용하여 정전기를 발생시킨다.
도면에서 정전기 발생 장치(200)는 제1 도체(210)와 제2 도체(220)가 서로 떨어져 있는 구조로 도시되어 있으나, 정전기 발생 장치(200)는 제1 도체(210) 또는 제2 도체(220) 만으로 구성될 수 있다.
제1 도체(210)와 제2 도체(220)가 모두 있는 경우, 제1 도체(210)과 제2 도체(220) 사이에 전압(V)을 걸어주어 제1 도체(210)와 제2 도체(220) 사이에 전기장이 형성될 수 있도록 구성될 수 있다.
제3 적층구조체(30)는 제1 도체(210)와 제2 도체(220) 사이에 배치되어, 정전기 발생 장치(200)에 의한 전기장을 인가받게 된다. 이에 따라, 제3 적층구조체(30)의 그래핀(120)과 타겟 기판(140)은 정전기가 유도되며, 이러한 정전기힘에 의해서 서로 간의 접착력이 향상될 수 있다.
정전기 발생 장치(200)가 제1 도체(210) 또는 제2 도체(220)만으로 구성된 경우, 제1 도체(210) 또는 제2 도체(220)는 막대 형상으로 제3 적층구조체(30)로 부터 소정의 거리만큼 (예를 들어, 약 0.5m 이하의 거리) 떨어진 위치에서 (+) 또는 (-) 전하를 발생시킬 수 있다.
제3 적층구조체(30)는 정전기 발생 장치(200)에 의해 형성된 전기장에 의해서 정전기힘을 받게 되고, 그래핀(120)과 타겟 기판(140) 사이의 접착력이 향상될 수 있다.
그래핀(120)과 타겟 기판(140)의 내부에서는 상기 전기장에 의해서 분극 현상이 발생하게 되며, 그래핀(120)과 타겟 기판(140)이 서로 맞닿는 계면 사이에서는 서로 다른 극성의 전하가 몰리게 된다. 이에 따라, 그래핀(120)과 타겟 기판(140)의 접착이 형성될 수 있다. 이러한 계면에서의 분극 현상은 타겟 기판(140)을 플라즈마 처리하는 단계(S4)에서 조절할 수 있다.
일부 실시예에서, 정전기 발생 장치(200)에 인가되는 전압은 약 10 kV 내지 100 kV가 될 수 있다. 일부 실시예에서, 정전기 발생 장치(200)는 제3 적층구조체(30)의 최상면으로 부터 약 0.5m (50cm) 이하의 거리에 배치될 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 도체(210)와 제2 도체(220) 중 적어도 하나는 막대 형상으로 구성될 수 있다. 이에 따라, 대면적의 제3 적층구조체(30)에 짧은 시간 내에 정전기 유도가 일어날 수 있다.
제3 적층구조체(30)에 전기장을 인가하여 그래핀(120)과 타겟 기판(140) 사이에 정전기를 발생시키는 경우, 기포(void)의 발생을 줄일 수 있으며 접착력이 강화되어 균일한 면저항을 갖는 그래핀(120)을 수득할 수 있다.
도 7을 참조하면, 제3 적층구조체(30)에서 전사용 유연필름(130)을 제거하여 그래핀 전사 공정을 완료한다. (S7)
전사용 유연필름(130)이 열박리 테이프인 경우 소정의 열을 가하여 그래핀(120)과 열박리 테이프를 분리한다. 한편, 전사용 유연필름(130)가 폴리머 코팅 필름, 실리콘, 또는 아크릴 계열의 캐리어 필름인 경우 아세톤과 같은 유기용매로 폴리머 코팅 필름을 제거할 수 있다. 도 7은 는 전사용 유연필름(130)이 제거된 타겟 기판(140)/그래핀(120)의 적층구조체를 나타낸 것이다.
마지막으로 도 7의 적층구조체에 도핑공정, 건조공정 및 분석공정이 더 진행될 수 있다. 이와 같이 전사된 그래핀(120)은 플렉서블 디스플레이, 유기발광소자, 솔라셀, 터치스크린 등에 사용될 수 있다
한편, 표 1 및 표 2는 플라즈마 표면 처리 및 정전기 발생 장치에 인가한 전압에 따른 면저항 값 및 균일도를 나타낸 것이다.
아르곤(lpm) 산소(sccm) 플라즈마 발생장치의 파워(W) 정전기 발생 전압(kV)
실시예 1-1 8 8 180 10
실시예 1-2 8 8 180 30
실시예 2-1 8 32 180 10
실시예 2-2 8 32 180 30
면저항
(ohm/sq)		 실시예1-1 실시예1-2 실시예2-1 실시예2-2
10kV 30kV 10kV 30kV
평균면저항 366 321 343 329
표준편차 92 32 24 24
균일도(%) 61 18 13 11
여기서, 균일도는 대면적 그래핀(120) 상의 여러 지점에 대한 면저항을 측정하여, 그 중 최대값과 최소값의 차이를 평균면저항으로 나누어 백분율로 표시한 값이다. 즉, 균일도가 낮을수록 그래핀(120)의 면저항이 균일하다는 것을 의미한다.
상기 표 1 및 표 2를 살펴보면, 정전기 발생 전압이 높을수록 평균면저항은 감소하고 표준편차는 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 즉, 그래핀(120)과 타겟 기판(140)에 높은 정전기를 발생시킬수록 특성이 좋은 그래핀(120)을 수득할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
110: 촉매금속필름
120: 그래핀
130: 전사용 유연 필름
140: 타겟 기판
200: 정전기 발생 장치

Claims (6)

  1. 촉매금속필름의 적어도 한 면에, 적어도 하나의 층의 그래핀을 합성하는 단계;
    상기 그래핀에 전사용 유연필름을 부착하여 제1 적층구조체를 형성하는 단계;
    상기 제1 적층구조체로부터 상기 촉매금속필름을 제거하여 제2 적층구조체를 형성하는 단계;
    상기 제2 적층구조체의 그래핀과 타겟 기판을 서로 마주보게 하여 압착시켜 제3 적층구조체를 형성하는 단계;
    상기 제3 적층구조체 상에 정전기 발생 장치를 이용하여 정전기를 발생시키는 단계; 및
    상기 전사용 유연필름을 제거하는 단계;를 포함하는 그래핀 전사 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 적층구조체와 상기 타겟 기판을 압착하는 단계 전에 상기 타겟 기판의 표면에 플라즈마 처리하는 단계;를 더 포함하는 그래핀 전사 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리는 산소, 아르곤, 질소, 수소, 프로판, 사불화탄소, 암모니아 및 헬륨 기체 중 적어도 하나를 이용하며,
    상기 플라즈마 처리에 의해서 상기 타겟 기판의 표면에 π-π 결합이 가능한 관능기층이 형성되는 그래핀 전사 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 정전기 발생 장치는 막대 형상으로 되어 있는 그래핀 전사 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 정전기 발생 장치는 제3 적층 구조체의 일 면으로부터 0.5m 이하의 거리에서 10 kV 내지 100 kV의 전압을 발생시키는 그래핀 전사 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 촉매금속필름은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 로지움(Rh), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 전사용 유연필름은 열박리 테이프, 실리콘계 테이프, 아크릴계 테이프, 및 폴리머 코팅 필름 중 어느 하나인 그래핀 전사 방법.
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