KR20150107513A - Chemical cleaning equipment leak repair and reinforcement method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a chemical cleaning equipment leak repair and reinforcement method used for a semiconductor cleaning technique. The leak repair and reinforcement method of semiconductor chemical cleaning equipment like the present invention includes: a step of cleaning contaminants of the cleaning equipment and installing a cover plate for covering cracks on the bottom; a step of installing a barrier wall on the bottom of the lower part of the cleaning equipment and coating the inner wall and the outer wall of the barrier wall with an UV coating material, wherein a concave part is formed on the upper part of the barrier wall and a concavo-convex part is formed in the lower part of the inner wall; a step of installing a drain tube at one side of the barrier wall and filling the inner side of the barrier wall with a high corrosion resistance filling material to include the lower side of the inner wall of the barrier wall having the concavo-convex part; and a step of filling the concave part of the barrier wall with a bio-deodorant.

Description

반도체 케미컬 세정 장비 리크 보수보강 방법{Chemical cleaning equipment leak repair and reinforcement method}Technical Field [0001] The present invention relates to a chemical cleaning equipment leak repair and reinforcement method,

본 발명은 반도체 세정 기술에서 사용되는 세정 장비의 리크 보수보강 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a leak repairing and reinforcing method of a cleaning equipment used in semiconductor cleaning technology.

○ 반도체 세정 기술 개요○ Overview of semiconductor cleaning technology

극 초대규모 집적회로(ULSI) 제조 기술의 집적도 향상은 현재 수십 마이크론(micron) 영역에 도달하였고, 이에 따라 DRAM의 저장용량은 이미 기가 비트(Giga-bit)의 시대에 돌입하였으며 향후 나노급 소자 개발을 위한 연구가 폭넓게 진행되고 있다. 이와 같은 고집적화는 설계 기술의 선폭 감소에 따른 이차원적 감소 뿐만이 아니라, 게이트 절연막이나 다층 절연막과 구리를 포함한 배선재료와 캐패시터 등으로 대표되는 소자를 구성하는 여러 박막의 신 재료개발과 극미세 박막의 구현으로 발전되어 왔다. 한 예로, 반도체 집적화의 대표적인 예라 할 수 있는 게이트 절연막의 경우는 수 옹스트롱(Å)의 박막 두께에 이르렀고, 이에 따른 터널링 전류의 증가로 인해 새로운 고유전체 박막으로의 전환이 시도되고 있다. 이렇게 반도체 소자가 초고집적화 되면서 제조 공정 수는 증가되며, 각 공정 후에는 많은 잔류물 또는 오염물이 표면에 남게 되어 이것들을 제거하는 세정공정의 중요성은 더욱 부각되고 있는 추세다. 현재 반도체 소자 제조 공정은 약 400단계의 제조 공정을 가지고 있으며 이들 중 적어도 20% 이상의 공정이 웨이퍼의 오염을 막기 위한 세정공정과 표면 처리 공정으로 이루어져 있다. 반도체 소자 제조 공정 중 발생하는 오염물은 소자의 구조적 형상의 왜곡과 전기적 특성을 저하시킴으로써 그 소자의 성능, 신뢰성 및 수율 등에 특히 큰 영향을 미치기 때문에, 반드시 제거되어야 한다.In recent years, the integration of ULSI fabrication technology has reached the area of several tens of microns. As a result, the storage capacity of DRAM has already entered the age of giga-bit, Is widely studied. Such high integration is not only a two-dimensional reduction due to a reduction in the line width of design technology, but also a development of new materials for various thin films constituting devices represented by a gate insulating film, a multilayer insulating film and wiring materials and capacitors including copper, . For example, in the case of a gate insulating film, which is a typical example of semiconductor integration, the thickness of a thin film is about several tens of angstroms. As a result, the transition to a new high-dielectric film is attempted due to an increase in tunneling current. As semiconductor devices become so highly integrated, the number of manufacturing processes increases, and after each process, many residues or contaminants remain on the surface, and the importance of a cleaning process for removing them is becoming more important. Currently, the semiconductor device manufacturing process has about 400 manufacturing steps, and at least 20% of these processes consist of a cleaning process and a surface treatment process to prevent contamination of wafers. Contaminants generated during the semiconductor device manufacturing process must be removed because it degrades the structural shape of the device and degrades the electrical characteristics thereof, thereby greatly affecting the performance, reliability, and yield of the device.

○ 반도체 공정 사용 케미컬(chemical)○ Semiconductor process use Chemical

반도체 세정 약품으로는 1970년대 RCA. Lab의 W.kern이 제안한 과산화수소를 근간으로 한 RCA 세정 즉, 암모니아 과산화수소 혼합액(APM: Amonia Peroxide Mixture / 제품명: Standard Chemical-1, SC1)과 염산 과산화수소 혼합액(HPM: hydrochloric acid and peroxide mixture / 제품명: Standard Chemical-2)외에 황산 과산화수소 혼합액(SPM: Sulfuric acid Peroxide Mixture), 희석 불산 (희석불산: Diluted 불산, D불산), 완충 불산(BOE: Buffered Oxide Etchant), 유기계 세정약품이 일반적으로 사용되고 있다. 이 중 과산화수소를 사용하지 않는 플루오르(fluorine)계 약품은 산화막 제거에 이용된다.Semiconductor cleaning chemicals were RCA in the 1970s. (HCM), hydrochloric acid and peroxide mixture (product name: APM: Ammonia Peroxide Mixture / product name: Standard Chemical-1, SC1) and hydrogen peroxide mixture proposed by W. Kern, (Diluted hydrofluoric acid, diluted hydrofluoric acid, D-hydrofluoric acid), buffered oxide etchant (BOE), and organic cleaning chemicals are generally used in addition to the standard chemical-2. Of these, fluorine-based chemicals that do not use hydrogen peroxide are used to remove oxide films.

암모니아 과산화수소 혼합액은 미국 RCA사에서 개발하여 현재까지 사용하고 있으며, 가장 중요한 역할은 파티클과 같은 입자 오염의 제거로 다른 약액에 비해서 높은 효율을 가지고 있다. 비율은 사용 장비 및 주요 사용 공정에 따라 조금씩 다르지만 일반적으로 암모니아: 과산화수소: 물이 1:1:5에서 1:4:20으로 사용하고 있으며 온도 역시 섭씨 25도에서 70도까지 조금씩 다르게 적용하고 있다. 암모니아 과산화수소 혼합액의 경우 pH가 높은 알칼리 세정으로서 파티클 세정력이 우수하고 다른 웨이퍼로의 역 오염을 방지할 수 있으며 웨이퍼 표면을 식각하고 표면을 친수성으로 변환시키는 특징이 있다. 파티클 제거 성능을 향상시키기 위해서 계면활성제 등을 첨가하여 사용하는 경우도 있다.Ammonia hydrogen peroxide mixture was developed by RCA in USA and used until now. The most important role is to remove particle pollution such as particles, and it has higher efficiency than other chemical solutions. The ratio varies slightly depending on the equipment used and the main application process, but generally ammonia: hydrogen peroxide: water is used in a ratio of 1: 1: 5 to 1: 4: 20, and the temperature is slightly different from 25 ° C to 70 ° C. In the case of ammonia hydrogen peroxide mixed solution, alkali cleaning with high pH is excellent in particle washing ability and can prevent reverse contamination to other wafers and has a feature of etching the wafer surface and converting the surface to hydrophilic property. In order to improve the particle removal performance, a surfactant or the like may be added and used.

희석불산은 자연 산화막 제거와 같은 식각 공정에 사용되며 구리를 제외한 금속 오염과 같은 불순물 세정에 효과적이다. 보통 초순수와 혼합하여 50:1에서 1000:1 정도의 농도로 희석되어 사용되고 있다. 세정 약품으로써 산화막 식각용 희석불산, 완충불산과 파티클 제거용 암모니아 과산화수소 혼합액 처리의 조합은 필수적이다. 참고로 금속제거에 있어서는 희석 불산 외에 염산 과산화수소 혼합액을 사용하거나 또는 오존수를 사용하기도 하지만 최근에 금속막의 재료 사용 노출이 많아지면서 과산화수소를 포함하지 않는 산처리, 희석불산 처리, 유기계열의 약액처리가 필요하게 되었다. 황산 과산화수소 혼합액 용액은 강력한 산화재로써 황산과 과산화수소의 혼합액이다. 대표적으로 감광액(photoresist 또는 PR) 제거에 사용되며 메커니즘은 황산에 의해서 감광액이 탈수되고 남은 잔유물이 산화제인 과산화수소에 의하여 반응하여 제거된다. 황산은 유기 오염을 제거하는데 효과적이나 잔류한 황이 오염을 유발하기도 한다. 향후에는 황산 과산화수소 혼합액을 사용하는 감광액 잔유물 제거의 경우 일부 공정에 대해서 고농도 오존수의 조합으로 대체가 가능하지만 금속막 식각 이후의 감광액 제거에 대해서는 산에 의한 금속막 부식 문제점으로 무기 또는 유기계의 처리가 필수적이다.Diluted hydrofluoric acid is used in etching processes such as natural oxide removal and is effective for impurity cleaning such as metal contamination except copper. It is usually diluted to a concentration of about 50: 1 to 1000: 1 by mixing with ultrapure water. As a cleaning agent, a combination of dilute hydrofluoric acid for buffering oxide, buffered hydrofluoric acid and ammonia hydrogen peroxide mixture for removing particles is required. For reference, in the removal of metals, diluted hydrofluoric acid, hydrochloric acid hydrogen peroxide mixture or ozone water is used. However, recently, exposure of metal film materials is increased, and acid treatment which does not include hydrogen peroxide, diluted hydrofluoric acid treatment, . Sulfuric acid The hydrogen peroxide mixture solution is a strong acid fire and is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Typically, it is used to remove the photoresist (PR), and the mechanism is dehydrated by the sulfuric acid and the remnant is reacted and removed by the oxidizing agent hydrogen peroxide. Sulfuric acid is effective in removing organic contamination, but residual sulfur can also cause contamination. In the future, removal of the photoresist solution using a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide can be replaced by a combination of high concentration ozonated water for some processes. However, in the case of removing the sensitizing solution after metal film etching, inorganic or organic treatment is essential to be.

○ 반도체 소자 제작의 세정 공정○ Cleaning process of semiconductor device fabrication

반도체 공정 첫 번째 세정은 실리콘 기판위에 섭씨 1000도 이상의 고온 환경에서 산소 가스를 이용한 제 1산화막을 증착하기 전 실리콘 표면에 대한 불순 및 파티클 제거를 위해 암모니아 과산화수소 혼합액 세정액 및 초음파 세정을 이용하여 전처리 공정을 진행한다. 제 1산화막 이후 액티브 실리콘 식각된 사이 건식 식각 공정의 마스크로 사용되는 질화막을 증착한 후 노광, 건식 식각 공정을 진행하게 된다.The first cleaning of the semiconductor process is a pretreatment process using an ammonia hydrogen peroxide mixture cleaning solution and ultrasonic cleaning to remove impurities and particles on the silicon surface before depositing the first oxide film using oxygen gas in a high temperature environment of 1000 ° C. or more above the silicon substrate Go ahead. After the first oxide film, a nitride film used as a mask of an active silicon etched polysilicon etching process is deposited, followed by an exposure and a dry etching process.

액티브 반도체 소자 제작 후 세정은 건식 플라즈마 에칭 후 유기 잔유물 제거를 위해 황산 과산화수소 혼합액과 암모니아 과산화수소 혼합액 세정으로 진행하게 된다. 실리콘 기판 위에 제 1산화막, 마스크 질화막이 완료되면 그 위에 촬영 공정을 진행하게 되는데 촬영(exposure), 노광(develop)공정으로 1차 반도체 소자 제작 후 1차 감광액 마스크, 2차 질화막 마스크, 3차 실리콘 기질을 차례대로 건조 플라즈마로 플루오르, 염소 가스를 이용하여 식각하게 된다. 건식 식각 공정이 완료되면 황산, 과수 혼합액과 암모니아 과산화수소 혼합액을 사용하여 기판 표면 및 패턴 사이에 잔류하고 있는 유기물질 및 파티클을 제거하게 되고 이로써 액티브 반도체 소자 제작이 완료되게 된다.After the active semiconductor device is cleaned, the dry plasma etching is performed to remove the organic residues by washing the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide and ammonia hydrogen peroxide. When the first oxide film and the mask nitride film are completed on the silicon substrate, the photolithography process is performed on the first oxide film and the mask nitride film. The first photoresist mask, the second nitride film mask, the third silicon nitride film, Substrates are successively etched in a dry plasma using fluorine and chlorine gas. After the dry etching process is completed, organic materials and particles remaining between the surface of the substrate and the pattern are removed using a mixture of sulfuric acid, hydrofluoric acid mixture and ammonia hydrogen peroxide, thereby completing the fabrication of the active semiconductor device.

액티브 반도체 소자 제작 공정이 완료되면 패턴 간 전기적 고립을 위해 산화막 막질을 채워 넣는 공정을 미세간격 고립이라고 하고, 이 때 산화막 막질 영역을 필드(field)라고 한다.When the active semiconductor device fabrication process is completed, the process of filling the oxide film for electrical isolation between the patterns is called fine gap isolation, and the oxide film quality region is referred to as a field.

질화막 후퇴(Pull-Back) 세정은 미세간격 고립 영역에 필드 산화막의 증착 시 산화막의 삼중점에 발생하는 구멍 현상을 개선하기 위해 상부 마스크 질화막을 실리콘 안쪽으로 밀어 넣기 위한 세정으로 후퇴 세정 후에 액티브 실리콘과 필드 산화막의 경계 및 실리콘 표면을 보호하기 위한 질산화규소(SiON) 증착 공정을 진행한다. 이 질산화규소를 안감(liner) 막질이라고 한다. 하지만 안감 질산화규소 막질과 액티브 실리콘 계면 간에 파티클이 존재할 경우 후속 필드 영역에 산화막을 채울때 정상적인 채움이 어려우며, 이로 인한 필드 산화막 내부의 구멍을 유발할 수 있기 때문에 안감 질산화규소 막질을 증착 전 희석 불산과 암모니아 과산화수소 혼합액 세정액을 사용하여 표면의 파티클 및 자연 산화막을 제거하는 공정이 진행된다. 이 때 세정액의 막질 식각 능력으로 인해 액티브 실리콘 상단의 제 1산화막도 양 옆으로 식각되게 되어 후퇴하게 되며, 이 공정으로 측면 식각된 상부 마스크 질화막과의 식각 정도에 따라 산화막 채우는 정도에 차이를 보이게 된다. 또한 불산 세정액이 적용됨으로 인해 패드 산화막이 식각되고 하부 액티브 실리콘이 드러나게 되면 후속 안감 증착 공정 시 질산화규소가 실리콘 상부에서 생장되게 된다. 이 후 저압 LP 화학 증착 방식의 산화막으로 액티브 실리콘사이의 식각된 사이 영역을 채우게 되고 화학적 기계 연마 공정을 진행하면 반도체의 트랜지스터를 이루는 기본적인 기질 구조인 액티브 공정이 완료된다.Pull-back cleaning is a cleaning process for pushing the upper mask nitride film into the silicon to improve the hole phenomenon occurring at the triple point of the oxide film when the field oxide film is deposited in the fine gap isolation region, A silicon oxynitride (SiON) deposition process is performed to protect the oxide film boundary and the silicon surface. This silicon oxynitride is called a liner film. However, if there is a particle between the lining silicon oxide film and the active silicon interface, it is difficult to fill the oxide film in the subsequent field region and it may cause a hole in the field oxide film. Therefore, the lining silicon oxide film is pre- A process of removing particles and a natural oxide film on the surface is carried out using a cleaning liquid for a hydrogen peroxide mixture. At this time, the first oxide film on the upper surface of the active silicon is also etched and retreated due to the film-like etching ability of the cleaning liquid, and the degree of the oxide film filling is different according to the degree of etching with the upper mask nitride film . In addition, when the pad oxide film is etched due to the application of the fluorine cleaning liquid and the lower active silicon is exposed, the silicon nitride is grown on the silicon in the subsequent lining deposition process. After that, a low-pressure chemical vapor deposition (CVD) process is used to fill the etched spaces between the active silicon layers. When the chemical mechanical polishing process is performed, the active process, which is a basic substrate structure of the semiconductor transistors, is completed.

이 때 안감 막질 증착 전 세정은 액티브 상부 및 측벽의 자연 산화막을 제거하고, 표면의 불순물을 제거하기 위해 희석 불산 세정액과 암모니아 과산화수소 혼합액의 조합으로 진행되게 되는데, 이 때 사용되는 불산 세정액은 액티브 실리콘과 상부 마스트 질화막 사이에 있는 패드 산화막을 측방향으로 식각 시키게 된다.At this time, the cleaning before the lining film deposition process proceeds with the combination of the diluted hydrofluoric acid cleaning liquid and the ammonia hydrogen peroxide mixture in order to remove the natural oxide film on the active top and side walls and to remove the impurities on the surface. The pad oxide film between the upper mast nitride films is laterally etched.

이와 같이 반도체 세정 기술에서 사용되는 세정액은 강한 산화제인 과산화수소, 불산 등을 포함하기 때문에 세정설비를 부식시키고, 종종 작업바닥으로까지 비산하여 작업환경을 저해하는 문제점이 있었다.
Since the cleaning liquid used in the semiconductor cleaning technology includes hydrogen peroxide and hydrofluoric acid which are strong oxidizing agents, there is a problem that the cleaning equipment is corroded and often scattered to the floor of the work, which hinders the working environment.

등록특허공보 제10-1017102호(공고일자 2011년02월25일)Patent Registration No. 10-1017102 (Publication date February 25, 2011)

본 발명의 목적은 반도체 세정 기술에서 사용되는 세정액에 의해 손상된 세정 장비를 보수 보강하여 세정액으로부터 추가 피해를 예방할 수 있는 세정 장비의 보수 보강 방법을 제공하려는데 있다.It is an object of the present invention to provide a method of repairing and reinforcing a cleaning equipment damaged or damaged by a cleaning liquid used in a semiconductor cleaning technology to prevent further damage from a cleaning liquid.

본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기와 같은 본 발명의 목적은 The object of the present invention as described above

반도체 케미컬 세정 장비의 리크 보수보강 방법에 있어서,A method of repairing and reinforcing semiconductor chemical cleaning equipment,

상기 세정 장비의 오염물을 크리닝하고, 바닥의 크랙 부위를 막기 위한 막음판을 설치하는 단계와;Cleaning the contaminants of the cleaning equipment and installing a blocking plate for blocking cracks on the floor;

상기 세정 장비의 하부측 바닥에는 울타리 벽체를 설치하되 울타리 벽체의 상부는 오목부가, 내벽의 하부는 요철이 형성된 것으로, 울타리 벽체의 내벽에는 UV 코팅제로 코팅하고, 외벽에는 UV 필러로 코팅하는 단계와;A step of coating the inner wall of the fence wall with a UV coating agent and coating the outer wall with a UV filler; ;

상기 울타리 벽체의 일측에 드레인관을 설치하고, 요철이 형성된 울타리 벽체의 내벽의 하부측이 포함되도록 울타리 벽체의 내측에 고내식성 충진제를 충진하는 단계와;Filling a high corrosion resistant filler on the inside of the fence wall so that the drain pipe is provided on one side of the fence wall and the lower side of the inner wall of the fence wall having the irregularities is included;

상기 울타리 벽체의 오목부에 바이오 탈취제를 충진하는 단계;Filling the concave portion of the fence wall with a bio-deodorant;

를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 케미컬 세정 장비 리크 보수보강 방법에 의해 달성된다.
The semiconductor chemical cleaning apparatus according to claim 1,

본 발명에 의하면, 일체형 강화구조로 완벽한 실링 효과를 갖는다.According to the present invention, the integral reinforcing structure has a perfect sealing effect.

또한 케미컬 다중방호 시스템 적용으로 취수부 전체 중화, 탈취막을 형성한다. 또한 환경친화성 소재 사용으로 작업환경이 개선된다. 또한 고기능성 코팅제 도포시스템이 적용되어 작업성이 개선된다.
In addition, a chemical multi-protection system is applied to form a neutralization and deodorization membrane as a whole. In addition, the use of environmentally friendly materials improves the working environment. In addition, a high-performance coating agent application system is applied to improve workability.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 케미컬 세정 장비 리크 보수보강 방법에 의해 보수보강된 세정 장비를 나타낸 도면,
도 2 내지 도 6은 본 발명에 따른 반도체 케미컬 세정 장비 리크 보수보강 방법의 과정을 설명하기 위한 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view of a cleaning apparatus reinforced by a semiconductor chemical cleaning equipment leak repairing and reinforcing method according to the present invention,
FIGS. 2 to 6 are diagrams for explaining a process of a semiconductor chemical cleaning equipment leak repairing and reinforcing method according to the present invention.

본 발명은 반도체 케미컬 세정 장비(200)의 리크 보수보강 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a leak repairing and reinforcing method of a semiconductor chemical cleaning equipment (200).

본 발명에 따른 반도체 케미컬 세정 장비(200)의 리크 보수보강 방법은 The leakage repairing and reinforcing method of the semiconductor chemical cleaning equipment 200 according to the present invention

상기 세정 장비(200)의 오염물(310)을 크리닝하고, 바닥(220)의 크랙 부위(221)를 막기 위한 막음판(11,12)을 설치하는 단계(S100)와;A step S100 of installing the blocking plates 11 and 12 for cleaning the contaminants 310 of the cleaning equipment 200 and blocking the cracks 221 of the floor 220;

상기 세정 장비(200)의 하부측 바닥(220)에는 울타리 벽체(20)를 설치되되 울타리 벽체(20)의 상부는 오목부(21)가, 내벽의 하부는 요철이 형성된 것으로, 울타리 벽체(20)의 내벽과 외벽에는 UV 코팅제(31,32)로 코팅하는 단계(S200)와;A fence wall 20 is provided on the bottom side 220 of the cleaning equipment 200. The fence wall 20 has a concave portion 21 at its upper portion and a concave and a convex at its lower portion. (S200) coating UV coating agents (31, 32) on the inner wall and the outer wall of the substrate;

상기 울타리 벽체(20)의 일측에 드레인관(40)을 설치하고, 요철이 형성된 울타리 벽체(20)의 내벽의 하부측이 포함되도록 울타리 벽체(20)의 내측에 고내식성 충진제(50)를 충진하는 단계(S300)와;A drain pipe 40 is installed on one side of the fence wall 20 and a high corrosion resistant filler 50 is filled in the inside of the fence wall 20 so that the lower side of the inner wall of the fence wall 20 having irregularities is included (S300);

상기 울타리 벽체(20)의 오목부(21)에 바이오 탈취제(60)를 충진하는 단계(S400);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.(S400) filling the concave portion (21) of the fence wall (20) with the bio-deodorant (60).

한편, 상기 UV 코팅제(31,32)와, 고내식성 충진제(50)와, 바이오 탈취제(60)는 On the other hand, the UV coatings 31 and 32, the high corrosion resistant filler 50, and the bio-deodorant 60

각각을 2000으로 기준으로 하여, 각각에 패각분말 0.5 ~ 3을 배합하여 이루어진 것일 수 있다.
Each of which is 2000 as a standard, and 0.5 to 3 shell powder is added to each of them.

이하, 본 발명의 양호한 실시예를 도시한 첨부도면들을 참조하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 케미컬 세정 장비(200)의 리크 보수보강 방법으로 최종 보수 보강된 반도체 케미컬 세정 장비(200)의 상태를 나타낸 것으로, 구체적 과정은 도 2 내지 도 6에 도시하였다.FIG. 1 shows a state of a semiconductor chemical cleaning apparatus 200 that has been finally repaired and reinforced by a leak repairing and reinforcing method of a semiconductor chemical cleaning apparatus 200 according to the present invention, and a detailed procedure is shown in FIG. 2 to FIG.

도 2는 리크(leak)에 의해 세정 장비(200)의 주변에 오염물(310)이 침전되거나 고착된 상태를 나타낸 것이다. 그리고 세정 장비(200)의 바닥(220)에는 세정 약품으로 인한 크랙 부위(221)가 발생할 수 있다.FIG. 2 shows a state in which the contaminants 310 are deposited or adhered to the periphery of the cleaning apparatus 200 by a leak. A crack site 221 due to a cleaning agent may be formed on the bottom 220 of the cleaning apparatus 200.

따라서, 본 발명은 먼저 도 3과 같이 세정 장비(200)의 오염물(310)을 크리닝하고, 바닥(220)의 크랙 부위(221)를 막기 위한 막음판(11,12)을 설치하는 단계(S100)를 실시한다. 막음판(11,12)은 크랙 부위(221)의 발생 위치와 관계 없이 바닥(220)면 중 울타리 벽체(20)의 바닥면을 형성하는 면을 커버하는 구성이거나, 크랙 부위(221)만을 국부적으로 커버하는 구성일 수 있으며, 도 1 및 도 4 내지 도 6에 도시된 막음판(11)은 전자의 구성으로 도시하였다.3, the steps of cleaning the contaminants 310 of the cleaning equipment 200 and installing blocking plates 11 and 12 for blocking the cracks 221 of the floor 220 ). The blocking plates 11 and 12 may be configured so as to cover the surface forming the bottom surface of the fence wall 20 of the bottom 220 regardless of the position where the crack region 221 is generated, And the barrier plate 11 shown in Figs. 1 and 4 to 6 is shown as an electron configuration.

도 4는 세정 장비(200)의 하부측 바닥(220)에 설치된 울타리 벽체(20) 및 상기 울타리 벽체(20)의 내벽과 외벽에 UV코팅제(31,32)를 코팅한 상태(S200)를 도시한 것으로서, 울타리 벽체(20)의 내벽의 일부는 상기 막음판(11)의 외주면과 면 접촉되도록 설치된다. 그리고 울타리 벽체(20)는 특히 상부는 오목부(21)가, 그리고 내벽의 하부는 요철이 형성된다. 이와 같은 요철은 UV 코팅제(31)의 부착성을 증대시킨다. 또 후술되는 고내식성 충진제(50)의 부착성을 증대시켜 고내식성 충진제(50)로 인해 울타리 벽체(20)의 내주면의 하부측이 일체형 강화구조로 되어 완벽한 실링(Sealing) 효과를 같게 한다.4 shows a state where the fence walls 20 installed on the bottom side 220 of the cleaning equipment 200 and the UV coating agents 31 and 32 are coated on the inner and outer walls of the fence walls 20 A part of the inner wall of the fence wall 20 is provided so as to be in surface contact with the outer circumferential surface of the barrier plate 11. The fence wall 20 is formed with concave and convex portions, in particular, the concave portion 21 at the upper portion and the lower portion of the inner wall. Such irregularities increase the adhesion of the UV coating agent 31. [ Further, since the highly corrosion-resistant filler 50 enhances the adhesion of the highly corrosion-resistant filler 50 to be described later, the lower portion of the inner circumferential surface of the fence wall 20 becomes an integral reinforcing structure, thereby achieving a perfect sealing effect.

도 5 및 도 6은 울타리 벽체(20)의 일측에 드레인관(40)을 설치하고, 요철이 형성된 울타리 벽체(20)의 내벽의 하부측이 포함되도록 울타리 벽체(20)의 내측에 고내식성 충진제(50)를 충진하는 단계(S300)를 나타낸 것으로, 드레인관(40)은 울타리 벽체(20)에 수용된 세정 약품을 수거하기 위하여 설치되는 것이고, 고내식성 충진제(50)는 전술한 바와 같이 울타리 벽체(20)의 내주면의 하부측이 일체형 강화구조가 되도록 하고, 세정 장비(200)에서 낙하되는 세정 약품을 수용할 수 있을 정도의 충분한 내식성을 갖추고 있어 울타리 벽체(20)가 완벽한 실링(Sealing)이 되도록 한다.5 and 6 are views showing an example in which a drain pipe 40 is installed on one side of the fence wall 20 and a high corrosion resistant filler is applied to the inside of the fence wall 20 so that the lower side of the inner wall of the fence wall 20, The drain pipe 40 is installed to collect cleaning chemicals contained in the fence wall 20 and the high corrosion resistant filler 50 is filled in the fence wall 20 as described above, The lower side of the inner circumferential surface of the fence member 20 has an integral reinforcing structure and is sufficiently corrosion-resistant so as to accommodate the cleaning agent dropped in the cleaning equipment 200, so that the fence wall 20 is completely sealed .

울타리 벽체(20)의 오목부(21)에 바이오 탈취제(60)를 충진하는 단계(S400)는 도 1에 도시되어 있으며, 바이오 탈취제(60)는 울타리 벽체(20)의 바닥에서부터 상승하는 케미컬 흄 입자 포집 및 분해를 하기 위한 구성으로서 케미컬 흄 입자의 외부유출을 차단한다.
The step of filling the concave portion 21 of the fence wall 20 with the bio-deodorant 60 is shown in FIG. 1, and the bio-deodorant 60 is filled with the chemical fume rising from the bottom of the fence wall 20 As a constitution for particle collection and decomposition, external leakage of chemical fume particles is blocked.

한편, UV 코팅제(31,32)와, 고내식성 충진제(50)와, 바이오 탈취제(60)는 각각을 2000으로 기준으로 하여, 각각에 패각분말 0.5 ~ 3을 배합하여 이루어진 것으로서, UV 코팅제(31,32)는 UV 코팅제(31,32) 대비 패각분말이 2000:0.5 ~ 3이고, 고내식성 충진제(50)는 고내식성 충진제(50) 대비 패각분말이 2000:0.5 ~ 3이며, 바이오 탈취제(60)는 바이오 탈취제(60) 대비 패각분말이 2000:0.5 ~ 3이다.On the other hand, the UV coating agents 31 and 32, the high corrosion resistant filler agent 50 and the bio-deodorant agent 60 are each prepared by blending 0.5 to 3 shell powders on the basis of 2000, And 32 are respectively 2000: 0.5 ~ 3 shell powder versus UV coating agents 31 and 32 and shell corrosion resistant filler 50 is 2000: 0.5 ~ 3 shell powder compared to high corrosion resistant filler 50, ) Is 2000: 0.5 ~ 3 in shell powder compared to bio-deodorant (60).

패각은 조개의 종류에 따라 분쇄하였을 때 그 질감과 색상이 매우 미려하고 다양하게 나타날 뿐만 아니라 생물 화학적으로 조성된 다공성의 칼슘성분으로 인하여 상당한 단열성능을 가지고 있고, 주변 공기와의 호흡을 통해 공기 중의 오염물질 등을 흡착하는 능력을 가지고 있는 위생적이고 친환경적인 재료로 알려져 있다. 또한, 원적외선이 방사되고, 항균 및 탈취 능력이 우수하다.The shell is very fine and varied in color when crushed according to the type of shell, and has a considerable heat insulation performance due to the biochemically formed porous calcium component. It is known as a hygienic and eco-friendly material that has the ability to adsorb pollutants and the like. Furthermore, far-infrared rays are radiated, and the antibacterial and deodorizing ability is excellent.

이와 같은 패각 미세분말을 제조단계별로 살펴보면 다음과 같다.The shell-like fine powder was prepared as follows.

패각 세척 단계; 세척된 패각을 열처리하는 패각 열처리 단계; 열처리된 패각을 분쇄하는 1차 분쇄단계; 상기 1차 분쇄에 의한 패각분말을 2차 분쇄하면서 중금속을 제거하는 중금속 제거단계; 상기 중금속이 제거된 패각분말을 1500메쉬 이상으로 분쇄하는 3차 분쇄단계; 여기서, 중금속 제거단계는 세라믹 볼 및 자석이 수용된 회전통을 회전시켜 패각분말을 더욱 분쇄하면서 패각분말에 포함된 중금속을 상기 자석을 통해 제거하는 것을 특징으로 하고 있고, 상기 패각열처리 단계는 800℃ 이상의 열로 이루어진다.Shell washing step; A shell heat treatment step of heat treating the washed shell; A first crushing step of crushing the heat-treated shell; A heavy metal removing step of removing the heavy metal while secondarily pulverizing the shell powder by the first milling; A third milling step of milling the shell powder from which the heavy metal has been removed to 1500 mesh or more; Here, the heavy metal removing step is characterized in that heavy metal contained in the shell powder is removed through the magnet while the crusher containing the ceramic ball and the magnet is rotated to further crush the shell powder, Heat.

또한, 3차 분쇄단계는 에어를 이용한 기류분쇄방식으로 패각분말을 1500메쉬 이상으로 분쇄하는 것을 특징으로 한다.The third pulverization step is characterized by pulverizing the shell powder to 1500 mesh or more by an air flow pulverization method using air.

구체적으로, 패각은 예를들면, 꼬막, 모시조개, 홍합, 굴 및 맛조개 등을 포함하며, 이러한 패각을 먼저 세척한 후 미세분말 제조 및 패각으로부터 원적외선이 방사되도록 하기 위해 800℃ 이상의 열로 열처리한다. 바람직하게는 1300℃ 이상의 열로 열처리하면 패각에서 원적외선이 방사되면서도 패각 미세분말 제조시 분쇄가 용이하다.Specifically, the shell includes, for example, a shell, a clam, a mussel, an oyster and a shellfish, and after the shell is washed first, the shell is heat-treated at a temperature of 800 ° C or more to manufacture fine powder and emit far-infrared rays from the shell. Preferably, heat treatment at a temperature of 1300 占 폚 or more allows the far infrared rays to be radiated from the shell and to be easily pulverized when producing the shell fine powder.

열처리한 패각은 1차 분쇄단계를 거쳐 대략 10 ~ 50메쉬로 분쇄된다. 다음 2차 분쇄 및 중금속 제거단계를 통해 10 ~ 50메쉬로 분쇄된 패각분말이 더욱 분쇄되며 패각분말에 포함된 중금속이 제거된다.The heat-treated shell is pulverized to approximately 10 to 50 mesh through a first pulverizing step. The second crushed and heavy metal removal step further crushes the crushed shell powder with 10-50 mesh and the heavy metal contained in the shell powder is removed.

여기서 2차 분쇄 및 중금속 제거를 위해서는 회전되는 회전통을 3 ~ 12시간 이용하여 분쇄 및 중금속을 제거하는데, 이를 위해서 회전통의 내부에는 자석과 세라믹볼이 구비되어 있다.In order to remove the secondary pulverization and heavy metal, the pulverizing and heavy metals are removed by using the rotating pulverizer for 3 to 12 hours. For this purpose, a magnet and a ceramic ball are provided inside the pulverizer.

세라믹 볼은 회전통의 회전과 연동되어 패각분말을 사이에 두고 서로 부딪혀 패각분말을 더욱 분쇄하고, 자석은 세라믹 볼이 패각분말을 더욱 분쇄할 때 패각분말에 포함된 중금속을 자력으로 수집한다.The ceramic ball is interlocked with the rotation of the spinneret to crush the shell powder through the shell powder to further crush the shell powder, and the magnet collects the heavy metal contained in the shell powder when the ceramic ball further crushes the shell powder.

따라서, 회전통은 패각분말을 분쇄하면서도 중금속을 수집하기에 적합하나, 당업자는 이와 같은 구성에 연연하지 않고 다른 구성들로 패각분말을 분쇄하면서도 중금속을 수집할 수 있을 것은 현 기술상황으로 볼 때 자명하기에 본 발명은 패각분말을 더욱 분쇄하면서도 중금속을 제거하는 구성을 이와 같은 회전통의 구성으로 한정하지 않는다.Therefore, it is suitable for collecting heavy metals while pulverizing shell powder, but those skilled in the art will be able to collect heavy metals while crushing shell powder with other compositions without contradiction to such a configuration, In the following, the present invention does not limit the constitution of removing the heavy metal while crushing the shell powder further to the structure of the above-mentioned crusher.

다음으로 2차 분쇄를 통해 더욱 분쇄된 패각분말을 3차 분쇄하는 단계를 거치는데, 본 발명에서의 패각분말은 3차 분쇄단계를 거치면 입자의 크기가 대략 1500메쉬 ~ 나노입자가 되고, 이 정도의 입자 크기가 되면 주변 공기와의 호흡을 통해 공기 중의 오염물질 등을 흡착하는 능력이 우수해진다. 이를 위해 본 발명에서는 2차 분쇄된 패각 분말을 통상의 에어를 이용한 기류분쇄장치(Air Zet Mill)로 1 ~ 3시간 분쇄하는데, 이러한 기류분쇄장치의 원리는 다음과 같다. 휘드호파(Feed Hopper)로부터 투입되어 벤추리노즐에 의해 초음속으로 가속되어밀(Mill) 내부로 들어간 원료는 밀(Mill) 내부의 안쪽 원호에 같은 간격으로 6 ~ 8등분된 그라인팅 노즐로부터 토출되는 에어(Air)에 의해 형성된 분쇄존(Zone) 내에서 상호충돌과 마찰로 인하여 분쇄가 이루어지며, 분쇄후 미분이 되면 원심력을 상실하여 분쇄기 중심으로 모이게 되면서 초미분만이 생산된다. 조립자(租砬子)는 원심력을 상실할때까지 분쇄존(Zone) 안에서 분쇄된다.Next, the further crushed shell powder is subjected to a third crushing step through secondary crushing. In the present invention, the crushed shell powder has a grain size of about 1500 mesh to nanoparticles when subjected to the third crushing step, The particle size of the air becomes excellent in the ability to adsorb pollutants in the air through respiration with the surrounding air. For this purpose, in the present invention, the secondary pulverized shell powder is pulverized for 1 to 3 hours using an air jet mill using an ordinary air. The principle of such an air pulverizer is as follows. The raw material which is injected from the feed hopper and accelerated at supersonic speed by the venturi nozzle and injected into the mill is discharged from the grinding nozzle which is divided into six to eight equally spaced in the inner arc of the inside of the mill The pulverization is performed due to the collision and friction in the pulverizing zone formed by the air. When the pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized pulverized. The coagulant is crushed in the crushing zone until the centrifugal force is lost.

위와 같은 기류분쇄방식으로 분쇄된 패각 미세분말은 대략 입자의 크기가 1500메쉬 ~ 나노입자가 되는데, 이러한 입자크기의 패각 미세분말이 최종 완성품이 되며 본 발명은 UV 코팅제(31,32)와, 고내식성 충진제(50)와, 바이오 탈취제(60) 각각에 이와 같이 최종 완성된 패각 분말을 배합한다.
The shell fine powder pulverized by the above-mentioned air current pulverization method has a particle size of about 1500 mesh to nanoparticles. The shell fine powder having such a particle size becomes the final product, and the present invention is applicable to the UV coating agents 31 and 32, The corrosion-resistant filler 50 and the bio-deodorant 60 are each mixed with the thus-finished shell powder.

이상 본 발명이 양호한 실시예와 관련하여 설명되었으나, 본 발명의 기술 분야에 속하는 자들은 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에 다양한 변경 및 수정을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 진정한 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications, and variations will readily occur to those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, it should be understood that the disclosed embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense, and that the true scope of the invention is indicated by the appended claims rather than by the foregoing description, and all differences within the scope of equivalents thereof, .

200: 세정 장비 20: 울타리 벽체
21: 오목부 31,32: UV 코팅제
40: 드레인관 50: 고내식성 충진제
60: 바이오 탈취제200: Cleaning equipment 20: Fence wall
21: recess 31, 32: UV coating
40: drain pipe 50: high corrosion resistant filler
60: Bio-deodorant

Claims (2)

반도체 케미컬 세정 장비(200)의 리크 보수보강 방법에 있어서,
상기 세정 장비(200)의 오염물(310)을 크리닝하고, 바닥(220)의 크랙 부위(221)를 막기 위한 막음판(11,12)을 설치하는 단계(S100)와;
상기 세정 장비(200)의 하부측 바닥(220)에는 울타리 벽체(20)를 설치되되 울타리 벽체(20)의 상부는 오목부(21)가, 내벽의 하부는 요철이 형성된 것으로, 울타리 벽체(20)의 내벽과 외벽에는 UV 코팅제(31,32)로 코팅하는 단계(S200)와;
상기 울타리 벽체(20)의 일측에 드레인관(40)을 설치하고, 요철이 형성된 울타리 벽체(20)의 내벽의 하부측이 포함되도록 울타리 벽체(20)의 내측에 고내식성 충진제(50)를 충진하는 단계(S300)와;
상기 울타리 벽체(20)의 오목부(21)에 바이오 탈취제(60)를 충진하는 단계(S400);
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 케미컬 세정 장비 리크 보수보강 방법.
A method of repairing and reinforcing semiconductor chemical cleaning equipment (200)
A step S100 of installing the blocking plates 11 and 12 for cleaning the contaminants 310 of the cleaning equipment 200 and blocking the cracks 221 of the floor 220;
A fence wall 20 is provided on the bottom side 220 of the cleaning equipment 200. The fence wall 20 has a concave portion 21 at its upper portion and a concave and a convex at its lower portion. (S200) coating UV coating agents (31, 32) on the inner wall and the outer wall of the substrate;
A drain pipe 40 is installed on one side of the fence wall 20 and a high corrosion resistant filler 50 is filled in the inside of the fence wall 20 so that the lower side of the inner wall of the fence wall 20 having irregularities is included (S300);
(S400) filling the concave portion (21) of the fence wall (20) with the bio-deodorant (60);
Wherein the semiconductor chemical cleaning equipment includes a plurality of semiconductor wafers.
제 1항에 있어서,
상기 UV 코팅제(31,32)와, 고내식성 충진제(50)와, 바이오 탈취제(60)는
각각을 2000으로 기준하였을 때 각각에 패각분말 0.5 ~ 3을 배합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 케미컬 세정 장비 리크 보수보강 방법.
The method according to claim 1,
The UV coatings 31, 32, the high corrosion resistant filler 50, the bio-deodorant 60,
Wherein the shell powder is mixed with 0.5 to 3 shell powder, respectively, based on 2000.
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