KR20150103354A - Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents

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KR20150103354A
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전수근
박은현
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Abstract

The present invention relates to a semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device is characterized by including: a plate for comprising: an insulating unit, and a first conductive unit and second conductive unit which are arranged to face a side surface placing the insulating unit in between, and electrically insulated by the insulating unit, and having the top surface and the bottom surface oppose the top surface, wherein the insulating unit is extended from the top surface to bottom surface; a nonconductive reflection film for covering the insulating unit at the top surface of the plate; a semiconductor light emitting chip for comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first semiconductor layer and second semiconductor layer for generating a light using the electron and hole recombination, a first electrode electrically connected with the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected with the second semiconductor layer by being fixed on the top surface of the plate; and a sealing unit formed to cover the semiconductor light emitting device chip at the top surface of the plate.

Description

반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 비도전성 반사막을 통해 반사 효율 저하를 방지할 수 있는 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device capable of preventing a reduction in reflection efficiency through a non-conductive reflective film and a method of manufacturing the same.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다. Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The III-nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 버퍼층(200)은 생략될 수 있다.FIG. 1 is a diagram showing a conventional semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200, a first semiconductor layer (not shown) having a first conductivity 300, an active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes, and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited, A conductive film 600 and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 300. An electrode 800 serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed and exposed. The buffer layer 200 may be omitted.

도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901), 전극막(902) 및 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다. FIG. 2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Flip Chip). The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a first semiconductor layer 300 having a first conductivity, An active layer 400 for generating light through recombination of holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the substrate 100, An electrode film 901, an electrode film 902 and an electrode film 903 are formed in three layers. An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300 have.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 제2 반도체층(500)에 제1 반도체층(300)으로 빛을 반사시키기 위한 금속 반사막(910)이 형성되어 있고, 지지 기판(930) 측에 전극(940)이 형성되어 있다. 금속 반사막(910)과 지지 기판(930)은 웨이퍼 본딩층(920)에 의해 결합된다. 제1 반도체층(300)에는 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다. FIG. 3 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Vertical Chip). The semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer 300 having a first conductivity, an active layer 300 that generates light through recombination of electrons and holes, A second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity is sequentially deposited on the first semiconductor layer 500 and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity is deposited on the second semiconductor layer 500, A reflective film 910 is formed, and an electrode 940 is formed on the side of the supporting substrate 930. The metal reflective film 910 and the supporting substrate 930 are joined by the wafer bonding layer 920. An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300.

도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 플립 칩의 형태로, 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 반사막(950)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있으며, 기판(100) 및 반도체층(300,400,500)을 둘러싸도록 봉지제(1000)가 형성되어 있다. 반사막(950)은 도 2에서와 같이 금속층으로 이루어질 수 있지만, 도 5에 도시된 바와 같이, SiO2/TiO2로 된 DBR(Distributed Bragg Reflector)과 같은 절연체 반사막으로 이루어질 수 있다. 반도체 발광소자는 전기 배선(820,960)이 구비된 PCB(1200; Printed Circuit Board)에 도전 접착제(830,970)를 통해 장착된다. 봉지제(1000)에는 주로 형광체가 함유된다. 여기서 반도체 발광소자는 봉지제(1000)를 포함하므로, 구분을 위해, 봉지제(1000)를 제외한 반도체 발광소자 부분을 반도체 발광소자 칩이라 부를 수 있다. 이러한 방법으로 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 발광소자 칩에 봉지제(1000)가 도포될 수 있다.4 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044, wherein a semiconductor light emitting device is formed on a substrate 100 and a substrate 100 in the form of a flip chip, An active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the first semiconductor layer 300, A reflective film 950 for reflecting light is formed on the substrate 100 side and an electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300. The substrate 100, An encapsulant 1000 is formed to surround the semiconductor layers 300, 400 and 500. The reflective layer 950 may be formed of a metal layer as shown in FIG. 2, but may be formed of an insulator reflective layer such as DBR (Distributed Bragg Reflector) made of SiO 2 / TiO 2 , as shown in FIG. The semiconductor light emitting device is mounted on a PCB (Printed Circuit Board) 1200 provided with electric wiring 820, 960 through conductive adhesive 830, 970. The encapsulant 1000 mainly contains a phosphor. Here, since the semiconductor light emitting device includes the sealing agent 1000, the semiconductor light emitting element portion excluding the sealing agent 1000 may be referred to as a semiconductor light emitting element chip. In this way, the encapsulant 1000 can be applied to the semiconductor light emitting device chip as shown in FIG.

도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, an n-type semiconductor layer (not shown) grown on the buffer layer 200, 300, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500, A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600 and an n-side bonding pad 800 formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching. A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600.

도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저 필름 또는 플레이트로 된 장착면(10) 위에, 반도체 발광소자 칩(20)이 놓인다. 다음으로, 격벽(82; Partition)과 개구부(81)가 구비된 스텐실 마스크(80)를, 반도체 발광소자 칩(20)이 노출되도록 장착면(10) 위에 놓는다. 다음으로, 봉지제(40)를 개구부(81)에 투입한 다음, 일정 시간 봉지제(40)를 경화한 후, 스텐실 마스크(80)를 장착면(10)으로부터 분리한다. 스텐실 마스크(80)는 주로 금속 재질로 이루어진다.6 and 7 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044. First, a semiconductor light emitting device chip 20 is mounted on a mounting surface 10 made of a film or a plate. Lt; / RTI > Next, a stencil mask 80 having a partition 82 and an opening 81 is placed on the mounting surface 10 such that the semiconductor light emitting device chip 20 is exposed. Next, after the encapsulant 40 is put into the opening 81, the encapsulant 40 is cured for a certain period of time, and then the stencil mask 80 is separated from the mounting surface 10. The stencil mask 80 is mainly made of a metal material.

도 8은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 1에 도시된 반도체 발광소자 칩(1)가 장착된 패키지를 도시하고 있다. 패키지는 리드 프레임(4,5), 리드 프레임(4,5)을 고정하고 오목부(7)를 형성하는 몰드(6)를 구비한다. 반도체 발광소자(1; 반도체 발광소자 칩)가 리드 프레임(4)에 장착되어 있으며, 반도체 발광소자 칩(1)을 덮도록 봉지제(1000)가 오목부(7)를 채우고 있다. 주로 봉지제(1000)는 형광체를 포함한다. 이 경우에, 기판(100)이 아래에 놓이게 되며, 기판(100)의 두께가 80~150um에 이르게 되므로, 빛을 생성하는 활성층(400)이 이보다 높은 위치에 놓이게 되어, 오목부(7) 내에서 빛을 전체적으로 고르게 발광할 수 있게 되며, 봉지제(1000)에 형광체가 구비되는 경우에 이 형광체를 잘 여기할 수 있게 된다. 그러나 도 2에 도시된 반도체 발광소자가 패키지에 장착되는 경우에, 기판(100)이 위를 향하게 되므로, 빛을 생성하는 활성층(400)이 패키지 바닥으로부터 20um를 넘지 않는 범위 내에 위치하게 되며, 오목부(7) 내에서 빛을 전체적으로 고르게 발광하기가 쉽지 않으며, 봉지제(1000)에 형광체가 구비되는 경우에 이 형광체를 잘 여기하기가 쉽지 않게 된다. 따라서 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩이 사용되는 경우에, 도 8에서와 같이 디스펜서를 이용한 봉지제의 형성보다는 도 4에서와 같이 봉지제(1000)가 반도체 발광소자 칩을 균일하게 덮을 수 있는 방안이 고려되어야 한다.FIG. 8 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device, which shows a package on which the semiconductor light emitting device chip 1 shown in FIG. 1 is mounted. The package has a mold 6 for fixing the lead frames 4 and 5 and the lead frames 4 and 5 and forming the recesses 7. The semiconductor light emitting element 1 (semiconductor light emitting element chip) is mounted on the lead frame 4 and the sealing agent 1000 fills the recessed portion 7 so as to cover the semiconductor light emitting element chip 1. The sealing agent 1000 mainly includes a phosphor. In this case, since the substrate 100 is placed under the substrate 100 and the thickness of the substrate 100 reaches 80 to 150 mu m, the active layer 400 that generates light is placed at a higher position, The phosphor can be excited well when the encapsulant 1000 is provided with a phosphor. However, when the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2 is mounted on the package, since the substrate 100 faces upward, the active layer 400 that generates light is positioned within a range not exceeding 20 mu m from the bottom of the package, It is not easy to emit light uniformly throughout the portion 7 and it is difficult to excite the phosphor well when the encapsulant 1000 is provided with a phosphor. Therefore, when the flip chip as shown in FIG. 2 is used, the encapsulant 1000 can uniformly cover the semiconductor light emitting device chip as shown in FIG. 4, rather than forming the encapsulant using the dispenser as shown in FIG. The plan should be considered.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 절연부, 절연부를 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되며 절연부에 의해 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면과 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어진 플레이트; 플레이트의 상면 측에서 절연부를 덮는 비도전성 반사막; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 플레이트의 상면 측에 고정되는 반도체 발광소자 칩; 및 플레이트의 상면 측에서 반도체 발광소자 칩을 덮도록 형성되는 봉지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided an electrical connector comprising: an insulating portion; a first conductive portion and a second conductive portion disposed side by side with the insulating portion therebetween and electrically insulated by the insulating portion; A plate having an upper surface and a lower surface opposed to the upper surface, the insulating portion extending from the upper surface to the lower surface; A nonconductive reflective film covering the insulating portion on the upper surface side of the plate; A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A semiconductor light emitting device chip having a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, the semiconductor light emitting device chip being fixed to the upper surface side of the plate; And an encapsulation part formed to cover the semiconductor light emitting device chip on the upper surface side of the plate.

본 개시에 따른 다른 일 태양에 의하면, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 2 이상의 도전판을 절연재료를 사이에 두고 반복 적층한 적층체를 준비하는 단계; 적층체를 절단하여, 절연재료로 이루어진 절연부 및 도전판으로 이루어지며 절연부를 사이에 두고 측면이 마주하도록 배치되고 절연부에 의해 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면 및 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어지는 원판을 형성하는 단계; 원판의 상면 측에서 절연부를 덮도록 비도전성 반사막을 형성하는 단계; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 원판의 상면 측에 고정하는 단계; 반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 및 반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 원판과 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다. According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: preparing a laminate in which two or more conductive plates are repeatedly laminated with an insulating material interposed therebetween; And a first conductive portion and a second conductive portion formed of an insulating portion and a conductive plate made of an insulating material and disposed so as to face each other with the insulating portion therebetween and electrically insulated by the insulating portion, And a lower surface opposed to the upper surface, wherein the insulating portion extends from the upper surface to the lower surface; Forming a non-conductive reflective film on the upper surface side of the original plate so as to cover the insulating portion; A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, on the upper surface side of the circular plate; Covering the semiconductor light emitting device chip with an encapsulating material; And cutting the disk and the sealing agent together along a predetermined boundary of the semiconductor light emitting device.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 도 9의 반도체 발광소자를 부분적으로 분해하여 나타내는 도면,
도 11 내지 도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타낸 도면,
도 17은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 18은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device (lateral chip)
2 is a view showing another example (Flip Chip) of a conventional semiconductor light emitting device,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device (Vertical Chip)
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
5 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device,
6 and 7 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
8 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device,
9 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 10 is a partially exploded view of the semiconductor light emitting device of FIG. 9,
11 to 16 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
17 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
18 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
19 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
20 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 10은 도 9의 반도체 발광소자를 부분적으로 분해하여 나타내는 도면이다. FIG. 9 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 10 is a partially exploded view showing the semiconductor light emitting device of FIG.

반도체 발광소자는 플레이트(110), 비도전성 반사막(130), 반도체 발광소자 칩(150) 및 봉지부(170)를 포함한다. The semiconductor light emitting device includes a plate 110, a non-conductive reflective film 130, a semiconductor light emitting device chip 150, and an encapsulant 170.

플레이트(110)는 절연부(113)와, 절연부(113)를 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되는 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)를 구비한다. 플레이트(110)는 상면(116)과 상면(116)에 대향하는 하면(117)을 구비한다. 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112) 사이에 위치하는 절연부(113)가 상면(116)으로부터 하면(117)으로 이어지며, 따라서 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)가 절연부(113)에 의해 전기적으로 절연된다. The plate 110 includes an insulating portion 113 and a first conductive portion 111 and a second conductive portion 112 disposed to face each other with the insulating portion 113 interposed therebetween. The plate 110 has a top surface 116 and a bottom surface 117 facing the top surface 116. The insulating portion 113 located between the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 extends from the upper surface 116 to the lower surface 117 and thus the first conductive portion 111 and the second conductive The portion 112 is electrically insulated by the insulating portion 113.

제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)의 재질은 도전성 금속 또는 전도성 반도체라면 특별한 제한이 없으며, 이러한 재료로 W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, Cu, Si 등과 같은 재료 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 형태를 들 수 있고, 전기 전도성, 열 전도성, 반사율 등을 고려했을 때, Al을 적합한 예로 들 수 있다. 물론, 도전성 재료라면 특별한 제한이 없으며, 도전성을 가진다면 비금속 재료 또한 사용될 수 있을 것이다. The material of the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 is not particularly limited as long as it is a conductive metal or a conductive semiconductor and a material such as W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, And alloys including at least one of them. Al is a suitable example in consideration of electrical conductivity, thermal conductivity, reflectance, and the like. Of course, there is no particular restriction as long as it is a conductive material, and a non-metallic material having conductivity can also be used.

절연부(113)는 유색 또는 투명의 절연재료로 이루어진다. 절연부(113)는 점착성을 가지는 절연접착제로 이루어질 수도 있다. 절연부(113)는 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)를 전기적으로 절연하는 역할 뿐만 아니라, 플레이트(110)를 형성할 때 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)를 서로 접합시키는 역할 또한 수행하게 된다. The insulating portion 113 is made of a colored or transparent insulating material. The insulating portion 113 may be made of an insulating adhesive having adhesiveness. The insulating part 113 electrically insulates the first conductive part 111 from the second conductive part 112. The insulating part 113 has a function of electrically insulating the first conductive part 111 and the second conductive part 112, (112) to each other.

플레이트(110)의 상면(116)은 반도체 발광소자 칩(150)이 놓이게 되는 부분으로서, 플레이트(110)를 구성하는 절연부(113) 또한 상면(116)으로 부분적으로 노출된다. 절연부(113)의 플레이트(110) 상면(116)으로 노출되는 부분은 반도체 발광소자 칩(150)에서 방출되는 강한 빛에 노출되는 부분으로서, 탈색 및 변색에 취약하다. 절연부(113)가 탈색되거나 변색되면, 반도체 발광소자 칩(150)에서 방출된 빛의 플레이트(110) 상면(116)에서의 반사효율이 저하될 수 있다. The upper surface 116 of the plate 110 is part of the semiconductor light emitting device chip 150 and is partially exposed to the upper surface 116 of the insulating portion 113 constituting the plate 110. The exposed portion of the insulating portion 113 on the upper surface 116 of the plate 110 is exposed to strong light emitted from the semiconductor light emitting device chip 150 and is vulnerable to discoloration and discoloration. If the insulating portion 113 is discolored or discolored, the reflection efficiency of the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 150 on the upper surface 116 of the plate 110 may be reduced.

비도전성 반사막(130)은, 절연부(113)의 탈색 및 변색에 따른 반사효율 저하를 개선할 수 있도록 한 것으로서, 플레이트(110)의 상면(116) 측에서 절연부(113)를 덮도록 형성된다. The non-conductive reflective film 130 is formed so as to cover the insulating portion 113 on the upper surface 116 side of the plate 110, do.

비도전성 반사막(130)은 절연부(113)을 덮어 절연부(113)의 탈색 및 변색을 방지함으로써 플레이트(110) 상면(116)에서의 반사효율 저하를 방지할 뿐만아니라, 비도전성 반사막(130) 자체에 의한 반사효율 향상효과를 얻을 수 있도록 한다. The nonconductive reflective film 130 covers the insulating portion 113 to prevent discoloration and discoloration of the insulating portion 113 so as to prevent the lowering of the reflection efficiency on the upper surface 116 of the plate 110, So that it is possible to obtain an effect of improving the reflection efficiency by itself.

비도전성 반사막(130)은 반사막으로 기능하되, 빛의 흡수를 방지하도록 투광성 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 비도전성 반사막(150)은 예를 들어, SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2, SiN, SiON, Al2O3 등과 같은 투광성 유전체 물질로 구성될 수 있다. 비도전성 반사막(130)은, 예를 들어, SiOx, 및 TiOx 등과 같은 투광성 유전체 물질로 구성되는 단일 유전체 막, 굴절율이 다른 이질적인 복수의 유전체 막(예: SiO2/TiO2, SiO2/Ta2O5, SiO2/TiO2/Ta2O5 등), 바람직하게는 예를 들어 SiO2와 TiO2의 조합으로 된 단일의 분포 브래그 리플렉터(Distributed Bragg Reflector: DBR) 또는 유전체 막과 분포 브래그 리플렉터의 조합 등 다양한 구조로 이루어질 수 있다. The non-conductive reflective film 130 preferably functions as a reflective film, and is preferably made of a light transmitting material to prevent absorption of light. The non-conductive reflective film 150 may be made of a transparent dielectric material such as SiO x , TiO x , Ta 2 O 5 , MgF 2 , SiN, SiON, Al 2 O 3, and the like. The non-conductive reflective film 130 may include a single dielectric film made of a light transmissive dielectric material such as SiO x and TiO x , a plurality of heterogeneous dielectric films having different refractive indices (e.g., SiO 2 / TiO 2 , SiO 2 / Ta 2 O 5 , SiO 2 / TiO 2 / Ta 2 O 5, etc.), preferably a single distributed Bragg Reflector (DBR) or combination of SiO 2 and TiO 2 , And a combination of Bragg reflectors.

분포 브래그 리플렉터는 보다 많은 양의 빛을 반사시킬 수 있으며 특정 파장에 대한 설계가 가능하여 발생되는 빛의 파장에 대응하여 효과적으로 반사시킬 수 있다. 따라서, 비도전성 반사막(130)이 분포 브래그 리플렉터를 포함할 경우, 반사효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 분포 브래그 리플렉터는, 예를 들어 TiO2/SiO2의 조합으로 이루어지는 반복 적층 구조를 구비할 수 있으며, 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition), 그 중에서도 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 또는 스퍼터링법(Sputtering) 또는 열 증착법(Thermal Evaporation)에 의해 형성될 수 있다. Distribution Bragg reflectors can reflect more light and can be designed for specific wavelengths, effectively reflecting the wavelength of light generated. Therefore, when the non-conductive reflective film 130 includes the distributed Bragg reflector, the reflection efficiency can be further improved. The distributed Bragg reflector may have a repetitive laminated structure composed of, for example, a combination of TiO 2 / SiO 2 and may be formed by physical vapor deposition (PVD), in particular, E-Beam Evaporation or sputtering Sputtering) or thermal evaporation (thermal evaporation).

예를 들어, 분포 브래그 리플렉터가 TiO2층/SiO2층의 조합으로 구성되는 경우, 각 층은 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되며, 그 조합의 수는 4 ~ 20 페어(pairs)가 적합하다. 조합의 수가 너무 적으면 분포 브래그 리플렉터의 반사효율이 떨어지고, 조합의 수가 너무 많으면 두께가 과도하게 두꺼워지기 때문이다. 한편, 각 층은 기본적으로 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되지만, 고려 대상의 파장 대역에 따라서 주어진 파장의 1/4 보다 큰 광학 두께를 가지도록 설계될 수 있다. 이와 더불어, 분포 브래그 리플렉터는 각기 다른 광학 두께를 가지는 TiO2층/SiO2층의 조합들로 설계될 수도 있다. 정리하면, 분포 브래그 리플렉터는 반복 적층되는 복수의 TiO2층/SiO2층의 조합을 포함할 수 있고 하며, 복수의 TiO2층/SiO2층의 조합은 각각 서로 다른 광학 두께를 가질 수 있다. For example, if the distributed Bragg reflector is composed of a combination of TiO 2 layer / SiO 2 layer, each layer is designed to have an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, the number of combinations being 4 to 20 pairs ( pairs are suitable. If the number of combinations is too small, the reflection efficiency of the distributed Bragg reflector is deteriorated, and if the number of combinations is too large, the thickness becomes excessively thick. On the other hand, each layer is basically designed to have an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, but may be designed to have an optical thickness greater than 1/4 of a given wavelength depending on the wavelength band of interest. In addition, distributed Bragg reflectors may be designed with combinations of TiO 2 / SiO 2 layers having different optical thicknesses. To summarize, the distributed Bragg reflector may comprise a combination of multiple TiO 2 layers / SiO 2 layers that are repeatedly laminated, and combinations of a plurality of TiO 2 layers / SiO 2 layers may each have a different optical thickness.

플레이트(110)는 경면 처리된 상면(116)을 구비하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 플레이트(110)를 구성하는 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)가 Al로 이루어지고, 폴리싱(polishing) 등과 같은 방법으로 경면 처리가 수행되면, 플레이트(110)의 상면(116)은 높은 반사율을 가지게 된다. The plate 110 preferably has a mirror finished top surface 116. For example, when the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 constituting the plate 110 are made of Al and the mirror surface treatment is performed by a method such as polishing or the like, Gt; 116 < / RTI > has a high reflectivity.

따라서, 플레이트(110)의 상면(116) 측에서, 비도전성 반사막(130)에 의해 절연부(113)의 탈색 또는 변색이 방지됨에 따라 절연부(113)의 탈색 또는 변색으로 인한 반사효율 저하가 방지되고, 비도전성 반사막(130)으로 덮인 영역의 경우 비도전성 반사막(130) 자체에 의해 높은 반사율을 가지게 되며, 이와 더불어 비도전성 반사막(130)으로 덮이지 않은 영역의 경우에도 플레이트(110)의 상면(116)이 경면 처리에 의해 향상된 반사율을 가지게 되어, 반도체 발광소자는 더욱 향상된 반사효율을 가지게 된다. Therefore, the discoloration or discoloration of the insulating portion 113 is prevented by the non-conductive reflective film 130 on the upper surface 116 side of the plate 110, and the decrease in the reflection efficiency due to discoloration or discoloration of the insulating portion 113 And the area covered by the non-conductive reflective film 130 has a high reflectance due to the non-conductive reflective film 130. In addition, in the case of the area not covered with the non-conductive reflective film 130, The upper surface 116 has an improved reflectance by the mirror surface treatment, so that the semiconductor light emitting element has a further improved reflection efficiency.

반도체 발광소자 칩(150)은, 도 2, 도 4 및 도 5에 예시된 형태의 플립 칩으로서, 제1 도전성(예: n형)을 가지는 제1 반도체층(종래도면 참조), 제1 도전성과 다른 제2 도전성(예: p형)을 가지는 제2 반도체층(종래도면 참조), 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층(종래도면 참조), 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극(151), 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극(152)을 구비한다. 반도체 발광소자 칩(150)은, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 하부에 위치하여 플레이트(110)의 상면(116)과 마주하도록 배치된다. 반도체 발광소자 칩(150)은 플레이트(110)의 상면(116) 측에서 절연부(113)에 걸쳐서 위치하게 된다. 달리 표현하면, 반도체 발광소자 칩(150)은 비도전성 반사막(130)에 걸쳐서 위치하게 된다. 구체적으로, 플레이트(110)의 상면(116)에서, 제1 전극(151)은 비도전성 반사막(130) 좌측의 제1 도전부(111)에 접합되고, 제2 전극(152)은 비도전성 반사막(130) 우측의 제2 도전부(112)에 접합된다. 따라서, 비도전성 반사막(130)은, 플레이트(110)의 상면(116) 위에서, 제1 전극(151)과 제2 전극(152) 사이에 위치하게 된다. 접합은 Ag 페이스트를 이용하여 수행되거나, 납땜 등 반도체 발광소자 분야에 이미 알려진 다양한 방법이 사용될 수 있다. 반도체 발광소자 칩(150)은 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)와 넓은 면적에 걸쳐 접촉하게 되며, 따라서 반도체 발광소자 칩(150)에서 발생한 열은 플레이트(110)를 통해 효과적으로 방출될 수 있다. The semiconductor light-emitting device chip 150 is a flip chip having a shape exemplified in Figs. 2, 4 and 5, and includes a first semiconductor layer having a first conductivity (for example, n-type) An active layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generating light by recombination of electrons and holes (referred to as " active layer " A first electrode 151 electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode 152 electrically connected to the second semiconductor layer. The semiconductor light emitting device chip 150 is disposed so that the first electrode 151 and the second electrode 152 are located at the lower portion and face the upper surface 116 of the plate 110. [ The semiconductor light emitting device chip 150 is positioned over the insulating portion 113 from the upper surface 116 side of the plate 110. In other words, the semiconductor light emitting device chip 150 is positioned over the non-conductive reflective film 130. The first electrode 151 is bonded to the first conductive portion 111 on the left side of the nonconductive reflective layer 130 and the second electrode 152 is bonded to the first conductive portion 111 on the left side of the non- And the second conductive portion 112 on the right side of the first conductive portion 130. Therefore, the non-conductive reflective film 130 is positioned between the first electrode 151 and the second electrode 152 on the upper surface 116 of the plate 110. The bonding may be performed using Ag paste, or various methods already known in the semiconductor light emitting device field such as soldering may be used. The semiconductor light emitting device chip 150 is in contact with the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 over a large area so that the heat generated in the semiconductor light emitting device chip 150 flows through the plate 110 Can be effectively released.

봉지부(170)는 플레이트(110)의 상면(116) 측에서 반도체 발광소자 칩(150)을 덮도록 형성된다. 봉지부(170)는 투명재질의 수지와 형광체를 포함할 수 있다.
The sealing portion 170 is formed to cover the semiconductor light emitting device chip 150 on the upper surface 116 side of the plate 110. The sealing portion 170 may include a transparent resin and a fluorescent material.

상기한 바와 같은 반도체 발광소자는 다음과 같은 방법으로 제조될 수 있다. The semiconductor light emitting device as described above can be manufactured by the following method.

도 11 내지 도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타낸 도면이다. 11 to 16 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 11에 나타낸 것과 같이, 2 이상의 도전판(101)을 절연접착제(103) 등과 같은 절연재료를 사용하여 접착하는 방식으로 반복 적층하여 적층체(105)를 준비한다. 11, two or more conductive plates 101 are repeatedly laminated in such a manner that they are bonded to each other using an insulating material such as an insulating adhesive 103 or the like to prepare a laminated body 105. [

이와 같은 적층체(105)를 절단하여, 도 12에 나타낸 것과 같이, 절연접착제(103)로 이루어진 절연부(113') 및 도전판(101)으로 이루어진 도전부(111',112')가 반복되는 구조의 원판(110')을 형성한다. 원판(110')에서, 도전부(111')와 도전부(112') 사이에 절연부(113')가 위치하게 되며, 인접한 두 도전부(111',112')는 절연부(113')에 의해 전기적으로 절연된다. 원판(110')은 상면(116') 및 상면(116')에 대향하는 하면(117')을 구비하게 되며, 절연부(113')는 원판(110')의 상면(116')으로부터 하면(117')으로 이어지게 된다. 12, the insulating portion 113 'made of the insulating adhesive 103 and the conductive portions 111' and 112 'made of the conductive plate 101 are repeatedly formed by cutting the stacked body 105, To form a circular plate 110 'having a structure. In the circular plate 110 ', the insulating portion 113' is positioned between the conductive portion 111 'and the conductive portion 112', and the adjacent two conductive portions 111 'and 112' ). ≪ / RTI > The disk 110 'has a top surface 116' and a bottom surface 117 'opposite to the top surface 116', and the insulating portion 113 'extends from the top surface 116' of the disk 110 ' (117 ').

이후, 도 13에 나타낸 것과 같이, 원판(110')의 상면(116') 측에 절연부(113')를 덮도록 비도전성 반사막(130')을 형성한다. 비도전성 반사막(130)의 형성에 앞서 폴리싱 등과 같은 방법으로 원판(110')의 상면(116')에 대한 경면 처리가 수행될 수 있다. Thereafter, as shown in FIG. 13, a non-conductive reflective film 130 'is formed on the upper surface 116' side of the circular plate 110 'so as to cover the insulating portion 113'. Prior to the formation of the non-conductive reflective film 130, the mirror surface treatment of the upper surface 116 'of the circular plate 110' may be performed by a method such as polishing or the like.

이와 같이 준비된 원판(110') 위에, 도 14에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(150)이 고정된다. 반도체 발광소자 칩(150)은, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 하부에 위치하여 원판(110')의 상면(116')과 마주하도록 배치된다. 반도체 발광소자 칩(150)은 절연부(113')에 걸쳐서 위치하게 된다. 구체적으로, 원판(110')의 상면(116')에서, 제1 전극(151)은 절연부(113') 좌측의 원판(110') 상면(116')에 접합되고, 제2 전극(152)은 절연부(113) 우측의 원판(110') 상면(116')에 접합된다. 이러한 접합은 Ag 페이스트를 이용하여 수행되거나, 반도체 발광소자 분야에 이미 알려진 다양한 방법이 사용될 수 있다. 14, the semiconductor light emitting device chip 150 is fixed on the thus prepared circular plate 110 '. The semiconductor light emitting device chip 150 is disposed such that the first electrode 151 and the second electrode 152 are positioned below and face the upper surface 116 'of the circular plate 110'. The semiconductor light emitting device chip 150 is positioned over the insulating portion 113 '. Specifically, on the upper surface 116 'of the circular plate 110', the first electrode 151 is joined to the upper surface 116 'of the circular plate 110' on the left side of the insulating portion 113 ' Is bonded to the upper surface 116 'of the circular plate 110' on the right side of the insulating portion 113. Such bonding may be performed using an Ag paste, or various methods already known in the field of semiconductor light emitting devices may be used.

다음으로, 도 15에 나타낸 것과 같이, 모든 반도체 발광소자 칩(150)을 덮도록 원판(110')의 상면(116') 전체에 봉지제(170')를 디스펜싱하고, 이 봉지제(170)를 경화시킨다. 봉지제(170')는 실리콘 등과 같은 액상의 투명한 수지 재료와 형광체를 포함할 수 있다. 15, an encapsulant 170 'is dispensed onto the entire upper surface 116' of the circular plate 110 'so as to cover all the semiconductor light emitting device chips 150, and the encapsulant 170 ). The encapsulant 170 'may include a liquid transparent resin material such as silicon and a phosphor.

이어서, 도 16에 나타낸 것과 같이, 평면상에서 반도체 발광소자의 예정된 경계(A)를 따라 경화된 봉지제(170') 및 원판(110')를 함께 절단하여, 개별적인 반도체 발광소자로 완성된다. 도 9에 나타낸 것과 같은 완성된 반도체 발광소자에서, 봉지제(170')는 봉지부(170)를 이루게 되고, 원판(110')은 플레이트(110)를 이루게 되며, 플레이트(110)는 절연부(113) 및 절연부(113)를 사이에 두고 절연부(113)에 의해 절연되는 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)를 구비하게 된다.
Then, as shown in FIG. 16, the encapsulating agent 170 'and the circular plate 110', which are cured along the predetermined boundary A of the semiconductor light emitting element on a plane, are cut together to complete an individual semiconductor light emitting element. In the completed semiconductor light emitting device as shown in FIG. 9, the encapsulant 170 'forms the sealing part 170, the circular plate 110' forms the plate 110, The first conductive part 111 and the second conductive part 112 are insulated by the insulating part 113 with the insulating part 113 interposed therebetween.

도 17은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩(150)은 제1 전극(151) 및 제2 전극(152) 아래에 각각 위치하는 본딩 패드(141,142)를 구비할 수 있다. 본딩 패드(141,142)는 금속재료로 이루어질 수 있다. 이러한 본딩 패드(141,142)를 이용하여, 반도체 발광소자 칩(150)은 유태틱 본딩 방식으로 플레이트(110)에 접합될 수도 있다. 따라서, 완성된 반도체 발광소자에서, 제1 전극(151)과 플레이트(110)의 제1 도전부(111) 사이에 본딩 패드(141)가 위치하고, 제2 전극(152)과 플레이트(110)의 제2 도전부(112) 사이에 본딩 패드(142)가 위치하게 된다. 17 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure in which the semiconductor light emitting device chip 150 includes bonding pads 141 and 142 located under the first electrode 151 and the second electrode 152, . The bonding pads 141 and 142 may be made of a metal material. Using the bonding pads 141 and 142, the semiconductor light emitting device chip 150 may be bonded to the plate 110 in a eutectic bonding manner. The bonding pad 141 is located between the first electrode 151 and the first conductive portion 111 of the plate 110 and the bonding pad 141 is located between the second electrode 152 and the plate 110. [ And the bonding pads 142 are positioned between the second conductive parts 112.

도 18은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 비도전성 반사막(130)은 플레이트(110)의 상면(116) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 그리고, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 각각 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)와 전기적으로 연결될 수 있도록 하기 위한 것으로서, 비도전성 반사막(130)은 제1 도전부(111)를 부분적으로 노출시키는 제1 관통구멍(121) 및 제2 도전부(112)를 부분적으로 노출시키는 제2 관통구멍(122)를 구비한다. 제1 관통구멍(121)과 제2 관통구멍(122)은 각각 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 삽입될 수 있도록 하기 위해, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 놓일 위치에 제1 전극(151) 및 제2 전극(152) 보다 조금 크게 형성된다. 이와 같이, 비도전성 반사막(130)이 플레이트(110)의 상면(116)에 넓게 형성됨으로써, 더욱 향상된 반사효율을 달성할 수 있다. 18 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. The non-conductive reflective film 130 may be formed so as to cover the entire upper surface 116 of the plate 110. FIG. The first electrode 151 and the second electrode 152 may be electrically connected to the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 respectively. The first through hole 121 partially exposing the first conductive part 111 and the second through hole 122 partially exposing the second conductive part 112 are provided. The first through hole 121 and the second through hole 122 are formed in the first electrode 151 and the second electrode 152 in order to allow the first electrode 151 and the second electrode 152 to be inserted, The first electrode 151 and the second electrode 152 are formed slightly larger than the first electrode 151 and the second electrode 152, respectively. As described above, since the non-conductive reflective film 130 is formed on the upper surface 116 of the plate 110, a further improved reflection efficiency can be achieved.

한편, 플레이트(110)가 경면 처리된 상면(116)을 구비하고 이러한 경면 처리된 플레이트(110)의 상면(116)에 비도전성 반사막(130)이 형성될 경우, 경면 처리되지 않은 플레이트(110)의 상면(116)에 비도전성 반사막(130)이 형성될 경우와 비교하여, 상대적으로 얇은 두께의 비도전성 반사막(130)으로도 동등한 반사효율을 달성할 수 있다. 즉, 플레이트(110)의 상면(116)을 경면 처리함으로써, 비도전성 반사막(130)을 얇게 구성할 수 있게 된다. When the plate 110 has the mirror surface upper surface 116 and the non-conductive reflective film 130 is formed on the upper surface 116 of the mirror surface processed plate 110, The reflection efficiency equivalent to that of the non-conductive reflective film 130 having a relatively thin thickness can be achieved as compared with the case where the non-conductive reflective film 130 is formed on the upper surface 116 of the non-conductive reflective film 130. [ That is, by mirror-polishing the upper surface 116 of the plate 110, the non-conductive reflective film 130 can be made thin.

도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 마찬가지로 비도전성 반사막(130)은 플레이트(110)의 상면(116) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 그리고, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 각각 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)와 전기적으로 연결될 수 있도록 하기 위한 것으로서, 비도전성 반사막을 관통하는 형태의 제1 연결전극(131) 및 제2 연결전극(132)이 구비된다. 제1 연결전극(131)은 제1 도전부(111) 상부에서 비도전성 반사막(130)을 관통하도록 형성되고, 제2 연결전극(132)은 제1 도전부(112) 상부에서 비도전성 반사막(130)을 관통하도록 형성된다. 따라서, 제1 전극(151)은 제1 연결전극(131)에 접합되어 제1 연결전극(131)을 통해 제1 도전부(111)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극(152)은 제2 연결전극(132)에 접합되어 제2 연결전극(132)을 통해 제2 도전부(112)와 전기적으로 연결된다. 마찬가지로, 비도전성 반사막(130)이 플레이트(110)의 상면(116)에 넓게 형성됨으로써, 더욱 향상된 반사효율을 달성할 수 있다. FIG. 19 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. In the same manner, the non-conductive reflective film 130 may be formed to cover the entire upper surface 116 of the plate 110. The first electrode 151 and the second electrode 152 may be electrically connected to the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112, A first connection electrode 131 and a second connection electrode 132 are provided. The first connection electrode 131 is formed to penetrate the non-conductive reflective film 130 at the upper part of the first conductive part 111 and the second connection electrode 132 is formed at the upper part of the first conductive part 112, 130). The first electrode 151 is connected to the first connection electrode 131 and is electrically connected to the first conductive portion 111 through the first connection electrode 131 and the second electrode 152 is electrically connected to the second connection electrode 131. [ And is electrically connected to the second conductive portion 112 through the second connection electrode 132. [ Similarly, since the non-conductive reflective film 130 is formed on the upper surface 116 of the plate 110, it is possible to achieve a further improved reflection efficiency.

도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩(150)으로 도 1에 예시된 형태의 레터럴 칩이 사용되었다. 반도체 발광소자 칩(150')은 제1 전극(151') 및 제2 전극(152')이 상부에 위치하도록 배치된다. 플레이트(110) 위에 고정할 때, 반도체 발광소자 칩(150')은 절연부(113)에 걸쳐서 위치하게 된다. 제1 전극(151')은 제1 도전부(111)에 와이어 본딩 방식으로 연결되고, 제2 전극(152')은 제2 도전부(112)에 와이어 본딩 방식으로 연결된다. 따라서, 완성된 반도체 발광소자에서, 제1 전극(151')은 와이어(156)에 의해 제1 도전부(111)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(152')은 와이어(157)에 의해 제2 도전부(112)에 전기적으로 연결된다. 다만, 비도전성 반사막(130)이 플레이트의 상면(116) 전체를 덮도록 형성될 경우, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)은, 도 18에 나타낸 것과 같은 제1 관통구멍(121) 및 제2 관통구멍(122)을 통하거나, 도 19에 나타낸 것과 같은 제1 연결전극(131) 및 제2 연결전극(132)을 통해, 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)와 각각 와이어 본딩 방식으로 연결될 수 있을 것이다. 20 is a diagram showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which a letter chip of the type illustrated in Fig. 1 is used as the semiconductor light emitting device chip 150. Fig. The semiconductor light emitting device chip 150 'is disposed such that the first electrode 151' and the second electrode 152 'are located on the upper side. The semiconductor light emitting device chip 150 'is positioned over the insulating portion 113 when the semiconductor light emitting device chip 150' is fixed on the plate 110. The first electrode 151 'is connected to the first conductive portion 111 in a wire bonding manner and the second electrode 152' is connected to the second conductive portion 112 in a wire bonding manner. Therefore, in the completed semiconductor light emitting device, the first electrode 151 'is electrically connected to the first conductive portion 111 by the wire 156, and the second electrode 152' is electrically connected by the wire 157 And is electrically connected to the second conductive portion 112. When the non-conductive reflective film 130 is formed so as to cover the entire upper surface 116 of the plate, the first electrode 151 and the second electrode 152 are electrically connected to the first through hole 121 Through the second through hole 122 and the first connection electrode 131 and the second connection electrode 132 as shown in Fig. 19, the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 may be connected to each other by a wire bonding method.

별도로 도시하지는 않지만, 플레이트(110) 위에 고정할 때, 반도체 발광소자 칩(150')은 절연부(113)에 걸치지 않도록 배치될 수 있다. 이 경우, 반도체 발광소자 칩(150')은 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112) 중 어느 하나의 위에 위치하게 된다는 것만 다를 뿐, 제1 전극(151')이 와이어(156)에 의해 제1 도전부(111)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(152')이 와이어(157)에 의해 제2 도전부(112)에 전기적으로 연결되는 것은 동일하다. Although not shown separately, the semiconductor light emitting device chip 150 'may be arranged so as not to hang over the insulating portion 113 when the semiconductor light emitting device chip 150' is fixed on the plate 110. In this case, the semiconductor light emitting device chip 150 'is located on one of the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112, and the first electrode 151' And the second electrode 152 'is electrically connected to the second conductive portion 112 by the wire 157. The second conductive portion 112 is electrically connected to the first conductive portion 111 by the wire 157. [

한편, 역시 별도로 도시하지는 않지만, 도 3에 예시된 형태의 버티컬 칩 또한 사용될 수 있다. 이 경우, 반도체 발광소자 칩은 제1 도전부(111) 또는 제2 도전부(112) 위에 위치하고, 반도체 발광소자 칩의 하부에 위치하는 하나의 전극은 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112) 중 어느 하나에 직접 또는 간접적으로 접합되고, 반도체 발광소자 칩의 상부에 위치하는 다른 하나의 전극은 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112) 중 나머지 하나에 와이어 본딩 방식으로 접합된다.
On the other hand, although not shown separately, a vertical chip of the type illustrated in Fig. 3 may also be used. In this case, the semiconductor light emitting device chip is located on the first conductive portion 111 or the second conductive portion 112, and one electrode located under the semiconductor light emitting device chip is electrically connected to the first conductive portion 111 and the second conductive And the other electrode located on the upper side of the semiconductor light emitting device chip is connected to one of the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 by wire bonding .

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 비도전성 반사막은 분포 브래그 리플랙터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (1) A semiconductor light emitting device, wherein the non-conductive reflective film is composed of a distributed Bragg reflector.

(2) 플레이트는 경면 처리된 상면을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (2) The semiconductor light emitting device according to (2), wherein the plate has a mirror-finished upper surface.

(3) 플레이트는 경면 처리된 상면을 구비하고, 비도전성 반사막은 분포 브래그 리플랙터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (3) The semiconductor light emitting device according to (3), wherein the plate has a mirror-finished upper surface, and the non-conductive reflective film comprises a distributed Bragg reflector.

(4) 반도체 발광소자 칩은 플레이트의 상면 측에서 절연부에 걸쳐서 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (4) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the semiconductor light emitting device chip is located across the insulating portion from the upper surface side of the plate.

(5) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트의 상면 위에 배치되고, 제1 전극은 제1 도전부에 접합되고, 제2 전극은 제2 도전부에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (5) The semiconductor light emitting device chip is disposed on the upper surface of the plate such that the first electrode and the second electrode are positioned below, the first electrode is bonded to the first conductive portion, and the second electrode is bonded to the second conductive portion Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(6) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극 아래에 각각 위치하는 본딩 패드를 구비하여, 유태틱 본딩 방식으로 플레이트에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (6) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the semiconductor light emitting device chip has bonding pads respectively located under the first electrode and the second electrode, and is bonded to the plate by a eutectic bonding method.

(7) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트의 상면 위에 배치되고, 비도전성 반사막은 플레이트의 상면 전체를 덮고, 제1 도전부를 부분적으로 노출시키는 제1 관통구멍 및 제2 도전부를 부분적으로 노출시키는 제2 관통구멍을 구비하며, 제1 전극은 제1 관통구멍을 통해 제1 도전부에 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 제2 관통구멍을 통해 제2 도전부에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (7) The semiconductor light emitting device chip is disposed on the upper surface of the plate such that the first electrode and the second electrode are positioned below, and the non-conductive reflective film covers the entire upper surface of the plate, And a second through hole partially exposing the second conductive portion, wherein the first electrode is electrically connected to the first conductive portion through the first through hole, and the second electrode is electrically connected to the second conductive portion through the second through hole, Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other.

(8) 제1 전극은 제1 관통구멍을 관통하여 제1 도전부에 접합되고, 제2 전극은 제2 관통구멍을 관통하여 제2 도전부에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (8) The semiconductor light emitting device according to (8), wherein the first electrode is bonded to the first conductive portion through the first through hole, and the second electrode is bonded to the second conductive portion through the second through hole.

(9) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트의 상면 위에 배치되고, 비도전성 반사막은 플레이트의 상면 전체를 덮도록 형성되며, 비도전성 반사막을 관통하는 제1 도전부 상부의 제1 연결전극 및 제2 도전부 상부의 제2 연결전극을 더 구비하며, 제1 전극은 제1 연결전극을 통해 제1 도전부에 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 제2 연결전극을 통해 제2 도전부에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (9) The semiconductor light emitting device chip is disposed on the upper surface of the plate such that the first electrode and the second electrode are positioned below the non-conductive reflective film. The non-conductive reflective film is formed to cover the entire upper surface of the plate, The first electrode may be electrically connected to the first conductive portion through the first connection electrode, and the second electrode may be electrically connected to the second connection portion through the second connection portion. And electrically connected to the second conductive portion through an electrode.

(10) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 상부에 위치하도록 플레이트 상면에 고정되며, 제1 전극 및 제2 전극은 각각 와이어 본딩 방식으로 제1 도전부 및 제2 도전부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (10) The semiconductor light emitting device chip is fixed to the upper surface of the plate so that the first electrode and the second electrode are positioned on the upper surface. The first electrode and the second electrode are electrically connected to the first and second conductive parts, respectively, And the second electrode is connected to the second electrode.

(11) 비도전성 반사막을 형성하는 단계 이전에, 원판의 상면을 경면 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(11) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising the step of mirror-polishing the upper surface of the disk before the step of forming the non-conductive reflective film.

(12) 적층체를 준비하는 단계에서, 절연접착제가 절연재료로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(12) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein an insulating adhesive is used as an insulating material in a step of preparing a laminate.

(13) 비도전성 반사막을 형성하는 단계에서, 비도전성 반사막은 원판의 상면 전체를 덮도록 형성되며, 반도체 발광소자 칩을 원판의 상면에 고정하는 단계 이전에, 비도전성 반사막을 관통하도록 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 각각 부분적으로 노출시키는 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(13) In the step of forming the non-conductive reflective film, the non-conductive reflective film is formed so as to cover the entire upper surface of the original plate, and before the step of fixing the semiconductor light emitting device chip to the upper surface of the original plate, And forming a first through hole and a second through hole for partially exposing the first conductive portion and the second conductive portion, respectively.

(14) 반도체 발광소자 칩을 원판의 상면에 고정하는 단계 이전에, 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍 내부에 각각 구비되는 제1 연결전극 및 제2 연결전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(14) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: forming a first connection electrode and a second connection electrode, respectively, provided in a first through hole and a second through hole, respectively, Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(15) 원판을 형성하는 단계에서, 적층체는 적층방향에 경사지게 절단되어, 절연부가 상면으로부터 하면으로 경사지게 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (15) In the step of forming the original plate, the laminate is cut obliquely in the laminating direction, and the insulating portion extends obliquely from the upper surface to the lower surface.

(16) 원판을 형성하는 단계에서, 적층체의 절단시 적층방향과의 경사를 조절하여 절연부의 경사를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (16) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the slope of the insulating portion is adjusted by adjusting the inclination with respect to the stacking direction when the laminate is cut.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 높은 광추출 효율을 달성할 수 있다. According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, high light extraction efficiency can be achieved.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 비도전성 반사막을 통해 반사 효율 저하를 방지할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to prevent a reduction in reflection efficiency through a non-conductive reflective film.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 반도체 발광소자 칩이 놓이는 플레이트의 상면을 경면 처리하여, 얇은 비도전성 반사막으로도 높은 반사효율을 달성할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the upper surface of the plate on which the semiconductor light emitting device chip is placed is subjected to a mirror surface treatment, so that a high reflection efficiency can be achieved even with a thin nonconductive reflective film.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 우수한 방열 성능을 달성할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, excellent heat radiation performance can be achieved.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 광추출 효율이 높은 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. According to the method for manufacturing a single semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a semiconductor light emitting device having high light extraction efficiency can be provided.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 복수의 반도체 발광소자 칩이 직렬 및/또는 병렬로 연결되는 다양한 배치구조의 반도체 발광소자를 용이하게 제공할 수 있다. According to another method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to easily provide semiconductor light emitting devices having various arrangements in which a plurality of semiconductor light emitting device chips are connected in series and / or in parallel.

101: 도전판 103: 절연접착제
105: 적층체 110: 플레이트
110': 원판 111: 제1 도전부
112: 제2 도전부 113: 절연부
116: 상면 117: 하면
121: 제1 관통구멍 122: 제2 관통구멍
130: 비도전성 반사막 131: 제1 연결전극
132: 제2 연결전극 141, 142: 본딩 패드
150, 150': 반도체 발광소자 칩 151, 151': 제1 전극
152, 152': 제2 전극 156, 157: 와이어
170: 봉지부 170': 봉지제101: conductive plate 103: insulating adhesive
105: laminate 110: plate
110 ': disk 111: first conductive part
112: second conductive part 113: insulating part
116: upper surface 117:
121: first through hole 122: second through hole
130: non-conductive reflective film 131: first connection electrode
132: second connection electrode 141, 142: bonding pad
150, 150 ': semiconductor light emitting device chip 151, 151': first electrode
152, 152 ': second electrode 156, 157: wire
170: sealing portion 170 ': sealing agent

Claims (16)

절연부, 절연부를 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되며 절연부에 의해 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면과 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어진 플레이트;
플레이트의 상면 측에서 절연부를 덮는 비도전성 반사막;
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 플레이트의 상면 측에 고정되는 반도체 발광소자 칩; 및
플레이트의 상면 측에서 반도체 발광소자 칩을 덮도록 형성되는 봉지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. A first conductive portion and a second conductive portion which are disposed to face each other with the insulating portion interposed therebetween so as to be electrically insulated by the insulating portion and have a lower surface opposed to the upper surface and the upper surface, An attached plate;
A nonconductive reflective film covering the insulating portion on the upper surface side of the plate;
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A semiconductor light emitting device chip having a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, the semiconductor light emitting device chip being fixed to the upper surface side of the plate; And
And an encapsulant formed to cover the semiconductor light emitting device chip on an upper surface side of the plate. 청구항 1에 있어서,
비도전성 반사막은 분포 브래그 리플랙터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the non-conductive reflective film comprises a distributed Bragg reflector. 청구항 1에 있어서,
플레이트는 경면 처리된 상면을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
And the plate has a mirror-finished upper surface. 청구항 1에 있어서,
플레이트는 경면 처리된 상면을 구비하고,
비도전성 반사막은 분포 브래그 리플랙터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
The plate has a mirror finished top surface,
Wherein the non-conductive reflective film comprises a distributed Bragg reflector. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 플레이트의 상면 측에서 절연부에 걸쳐서 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor light emitting device chip is located from the upper surface side of the plate to the insulating portion. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트의 상면 위에 배치되고,
제1 전극은 제1 도전부에 접합되고,
제2 전극은 제2 도전부에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device chip is disposed on the upper surface of the plate such that the first electrode and the second electrode are positioned below,
The first electrode is bonded to the first conductive portion,
And the second electrode is bonded to the second conductive portion. 청구항 6에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극 아래에 각각 위치하는 본딩 패드를 구비하여, 유태틱 본딩 방식으로 플레이트에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 6,
Wherein the semiconductor light emitting device chip has bonding pads respectively located under the first electrode and the second electrode, and is bonded to the plate by a eutectic bonding method. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트의 상면 위에 배치되고,
비도전성 반사막은 플레이트의 상면 전체를 덮고, 제1 도전부를 부분적으로 노출시키는 제1 관통구멍 및 제2 도전부를 부분적으로 노출시키는 제2 관통구멍을 구비하며,
제1 전극은 제1 관통구멍을 통해 제1 도전부에 전기적으로 연결되고,
제2 전극은 제2 관통구멍을 통해 제2 도전부에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device chip is disposed on the upper surface of the plate such that the first electrode and the second electrode are positioned below,
The non-conductive reflective film has a first through hole partially covering the entire upper surface of the plate and partially exposing the first conductive portion and a second through hole partially exposing the second conductive portion,
The first electrode is electrically connected to the first conductive portion through the first through hole,
And the second electrode is electrically connected to the second conductive portion through the second through hole. 청구항 8에 있어서,
제1 전극은 제1 관통구멍을 관통하여 제1 도전부에 접합되고,
제2 전극은 제2 관통구멍을 관통하여 제2 도전부에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 8,
The first electrode is bonded to the first conductive portion through the first through hole,
And the second electrode is bonded to the second conductive part through the second through hole. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트의 상면 위에 배치되고,
비도전성 반사막은 플레이트의 상면 전체를 덮도록 형성되며,
비도전성 반사막을 관통하는 제1 도전부 상부의 제1 연결전극 및 제2 도전부 상부의 제2 연결전극을 더 구비하며,
제1 전극은 제1 연결전극을 통해 제1 도전부에 전기적으로 연결되고,
제2 전극은 제2 연결전극을 통해 제2 도전부에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device chip is disposed on the upper surface of the plate such that the first electrode and the second electrode are positioned below,
The non-conductive reflective film is formed so as to cover the entire upper surface of the plate,
A first connection electrode on the first conductive portion passing through the non-conductive reflective film, and a second connection electrode on the second conductive portion,
The first electrode is electrically connected to the first conductive portion through the first connection electrode,
And the second electrode is electrically connected to the second conductive portion through the second connection electrode. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 상부에 위치하도록 플레이트 상면에 고정되며,
제1 전극 및 제2 전극은 각각 와이어 본딩 방식으로 제1 도전부 및 제2 도전부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device chip is fixed on the upper surface of the plate so that the first electrode and the second electrode are positioned on the upper side,
Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected to the first conductive portion and the second conductive portion by wire bonding, respectively. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
2 이상의 도전판을 절연재료를 사이에 두고 반복 적층한 적층체를 준비하는 단계;
적층체를 절단하여, 절연재료로 이루어진 절연부 및 도전판으로 이루어지며 절연부를 사이에 두고 측면이 마주하도록 배치되고 절연부에 의해 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면 및 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어지는 원판을 형성하는 단계;
원판의 상면 측에서 절연부를 덮도록 비도전성 반사막을 형성하는 단계;
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 원판의 상면 측에 고정하는 단계;
반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 및
반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 원판과 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Preparing a laminate in which two or more conductive plates are repeatedly laminated with an insulating material interposed therebetween;
And a first conductive portion and a second conductive portion formed of an insulating portion and a conductive plate made of an insulating material and disposed so as to face each other with the insulating portion therebetween and electrically insulated by the insulating portion, And a lower surface opposed to the upper surface, wherein the insulating portion extends from the upper surface to the lower surface;
Forming a non-conductive reflective film on the upper surface side of the original plate so as to cover the insulating portion;
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, on the upper surface side of the circular plate;
Covering the semiconductor light emitting device chip with an encapsulating material; And
And cutting the disk and the encapsulant together along a predetermined boundary of the semiconductor light emitting device. 청구항 12에 있어서,
비도전성 반사막을 형성하는 단계 이전에, 원판의 상면을 경면 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 12,
Further comprising the step of mirror-finishing the upper surface of the disk before the step of forming the non-conductive reflective film. 청구항 12에 있어서,
적층체를 준비하는 단계에서, 절연접착제가 절연재료로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 12,
Characterized in that, in the step of preparing the laminate, an insulating adhesive is used as an insulating material. 청구항 12에 있어서,
비도전성 반사막을 형성하는 단계에서, 비도전성 반사막은 원판의 상면 전체를 덮도록 형성되며,
반도체 발광소자 칩을 원판의 상면에 고정하는 단계 이전에, 비도전성 반사막을 관통하도록 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 각각 부분적으로 노출시키는 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 12,
In the step of forming the non-conductive reflective film, the non-conductive reflective film is formed so as to cover the entire upper surface of the original plate,
Forming a first through hole and a second through hole which are formed to penetrate the nonconductive reflective film and partially expose the first conductive portion and the second conductive portion, respectively, before the step of fixing the semiconductor light emitting device chip to the upper surface of the original plate; Wherein the step of forming the semiconductor light emitting device further comprises: 청구항 15에 있어서,
반도체 발광소자 칩을 원판의 상면에 고정하는 단계 이전에, 제1 관통구멍 및 제2 관통구멍 내부에 각각 구비되는 제1 연결전극 및 제2 연결전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.16. The method of claim 15,
Forming a first connection electrode and a second connection electrode respectively provided in the first through hole and the second through hole before the step of fixing the semiconductor light emitting device chip to the upper surface of the original plate, Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.
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