KR101478761B1 - Semiconductor light emimitting device - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제2 반도체층과 활성층을 부분적으로 제거하여 제1 반도체층이 노출되는 접촉영역; 활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록, 제2 반도체층 및 접촉영역을 덮도록 형성되는 비도전성 반사막; 비도전성 반사막과 제2 반도체층 사이에서 연장되는 제1 가지 전극; 비도전성 반사막을 관통하여 제1 가지 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전기적 연결; 및 비도전성 반사막을 관통하여 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 직접연결형 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor device comprising a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer having a second conductivity different from that of the first semiconductor layer, A plurality of semiconductor layers having active layers for generating light through recombination of electrons and holes; A contact region in which the first semiconductor layer is exposed by partially removing the second semiconductor layer and the active layer; A non-conductive reflective film formed to cover the second semiconductor layer and the contact region so as to reflect light from the active layer to the first semiconductor layer side which is the growth substrate side; A first branched electrode extending between the non-conductive reflective film and the second semiconductor layer; A first electrical connection that is electrically connected to the first branched electrode through the non-conductive reflective film; And a first direct connection type electrical connection electrically connected to the second semiconductor layer through the non-conductive reflective film.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMIMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광추출 효율을 향상시킨 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(500)은 그 도전성을 반대로 하여 좋다. 바람직하게는, 기판(100)과 n형 반도체층(300) 사이에 버퍼층(도시 생략)이 구비된다. 이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 반대 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.FIG. 1 shows an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, electrodes 901, 902 and 903 functioning as reflective films formed on the p-type semiconductor layer 500, And an n-side bonding pad 800 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300. The conductivity of the n-type semiconductor layer 300 and the p-type semiconductor layer 500 may be reversed. Preferably, a buffer layer (not shown) is provided between the substrate 100 and the n-type semiconductor layer 300. A chip having such a structure, that is, a chip in which both the electrodes 901, 902, 903 and the electrode 800 are formed on the opposite side of the substrate 100, and the electrodes 901, 902, 903 function as a reflection film, is called a flip chip. Electrodes 901,902 and 903 may be formed of a highly reflective electrode 901 (e.g., Ag), an electrode 903 (e.g., Au) for bonding, and an electrode 902 (not shown) to prevent diffusion between the electrode 901 material and the electrode 903 material. For example, Ni). Such a metal reflection film structure has a high reflectance and an advantage of current diffusion, but has a disadvantage of light absorption by a metal.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 전도막(600), 투광성 전도막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 전도막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수는 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활하지 못한 단점이 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, a buffer layer 200, a buffer layer 200 formed on the substrate 100, An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500 grown on the n- A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600, and an n-side bonding pad (not shown) formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching 800). A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the light transmissive conductive film 600. According to such a configuration, light absorption by the metal reflection film 904 is reduced, but current diffusion is relatively slow compared to using the electrodes 901, 902, and 903.

도 3은 일본 공개특허공보 제2009-164423호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 복수의 반도체층(300,400,500)에 분포 브래그 리플렉터(900)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있으며, 그 대향하는 측에 형광체(1000)가 구비되어 있고, 금속 반사막(904)과 n측 본딩 패드(800)가 외부 전극(1100,1200)과 전기적으로 연결되어 있다. 외부 전극(1100,1200)은 패키지의 리드 프레임이거나 COB(Chip on Board) 또는 PCB(Printed Circuit Board)에 구비된 전기 패턴일 수 있다. 형광체(1000)는 컨포멀(conformal)하게 코팅될 수 있으며, 에폭시 수지에 혼합되어 외부 전극(1100,1200)을 덮는 형태여도 좋다. 형광체(1000)는 활성층(400)에서 발생한 빛을 흡수하여, 이보다 긴 파장 또는 짧은 파장의 빛으로 변환한다. 3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-164423. The Bragg reflector 900 and the metal reflection film 904 are provided in a plurality of semiconductor layers 300, 400 and 500, And the metal reflection film 904 and the n-side bonding pad 800 are electrically connected to the external electrodes 1100 and 1200. In addition, The external electrodes 1100 and 1200 may be a lead frame of the package, or an electric pattern provided on a COB (Chip on Board) or a PCB (Printed Circuit Board). The phosphor 1000 may be conformally coated, or it may be mixed with an epoxy resin to cover the external electrodes 1100 and 1200. The phosphor 1000 absorbs light generated in the active layer 400 and converts the light into light having a longer wavelength or shorter wavelength.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제2 반도체층과 활성층을 부분적으로 제거하여 제1 반도체층이 노출되는 접촉영역; 활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록, 제2 반도체층 및 접촉영역을 덮도록 형성되는 비도전성 반사막; 비도전성 반사막과 제2 반도체층 사이에서 연장되는 제1 가지 전극; 비도전성 반사막을 관통하여 제1 가지 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전기적 연결; 및 비도전성 반사막을 관통하여 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 직접연결형 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, a first semiconductor layer having a first conductivity, which is sequentially grown using a growth substrate, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes; A contact region in which the first semiconductor layer is exposed by partially removing the second semiconductor layer and the active layer; A non-conductive reflective film formed to cover the second semiconductor layer and the contact region so as to reflect light from the active layer to the first semiconductor layer side which is the growth substrate side; A first branched electrode extending between the non-conductive reflective film and the second semiconductor layer; A first electrical connection that is electrically connected to the first branched electrode through the non-conductive reflective film; And a first direct connection type electrical connection electrically connected to the second semiconductor layer through the non-conductive reflective film.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 일본 공개특허공보 제2009-164423호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 도 4의 A-A 라인을 따라 취한 단면도,
도 6은 도 4의 B-B 라인을 따라 취한 단면도,
도 7은 도 4의 반도체 발광소자에서 p측 전극 및 n측 전극과 비도전성 반사막을 제거한 상태를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-120913,
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-164423,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 4,
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 4,
7 is a view showing a state in which a p-side electrode, an n-side electrode and a non-conductive reflective film are removed in the semiconductor light emitting device of Fig. 4,
8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 5는 도 4의 A-A 라인을 따라 취한 단면도이며, 도 6은 도 4의 B-B 라인을 따라 취한 단면도이며, 도 7은 도 4의 반도체 발광소자에서 p측 전극 및 n측 전극과 비도전성 반사막을 제거한 상태를 나타내는 도면이다. 4 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 4, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 4, and FIG. 7 is a cross- 4A and 4B show a state in which the p-side electrode, the n-side electrode, and the non-conductive reflective film are removed.

반도체 발광소자(1)는 대략 직사각형 형태의 평면 형상을 가질 수 있으며, 이하의 설명에서, 설명의 편의를 위해 도 4에 나타낸 반도체 발광소자(1)의 좌측에 위치하는 단변을 제1 변(101), 우측에 위치하며 제1 변(101)과 대향하는 단변을 제2 변(102)으로 정의한다. The semiconductor light emitting element 1 may have a substantially rectangular planar shape. In the following description, for convenience of explanation, the short side located on the left side of the semiconductor light emitting element 1 shown in FIG. 4 is referred to as a first side 101 , And a short side opposite to the first side 101 is defined as a second side 102. As shown in Fig.

반도체 발광소자(1)는 기판(10), 기판(10)에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20)위에 성장되는 n형 반도체층(30), n형 반도체층(30) 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 반도체층(50)을 구비한다. The semiconductor light emitting element 1 is grown on the substrate 10, the buffer layer 20 grown on the substrate 10, the n-type semiconductor layer 30 grown on the buffer layer 20 and the n-type semiconductor layer 30, An active layer 40 for generating light through recombination of holes and a p-type semiconductor layer 50 grown on the active layer 40.

반도체 발광소자(1)는 또한, p형 반도체층(50)과 활성층(40)을 부분적으로 제거하여 n형 반도체층(30)이 노출되는 접촉영역(35), 활성층(40)으로부터의 빛을 성장 기판(10) 측인 n형 반도체층(30) 측으로 반사시키기 위해 p형 반도체층(50) 및 접촉영역(35)을 덮도록 형성되는 비도전성 반사막(91), 비도전성 반사막(91) 위의 제1 변(101) 측에 형성되어 p형 반도체층(50)에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 p측 전극(92), 및 비도전성 반사막(91) 위의 제2 변(102) 측에 p측 전극(92)과 떨어져 형성되어 접촉영역(35)를 통해 n형 반도체층(30)에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 n측 전극(80)을 구비한다. The semiconductor light emitting device 1 further includes a contact region 35 in which the n-type semiconductor layer 30 is exposed by partially removing the p-type semiconductor layer 50 and the active layer 40, light from the active layer 40 A non-conductive reflective film 91 formed to cover the p-type semiconductor layer 50 and the contact region 35 for reflecting the light toward the n-type semiconductor layer 30 side of the growth substrate 10, A p-side electrode 92 formed on the side of the first side 101 for supplying one of electrons and holes to the p-type semiconductor layer 50 and a p-side electrode 92 on the side of the second side 102 on the non- and an n-side electrode 80 formed apart from the p-side electrode 92 and supplying the remaining one of electrons and holes to the n-type semiconductor layer 30 through the contact region 35.

기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. 기판(10)이 제거되거나 도전성을 가지는 경우에 n측 전극(80)은 기판(10)이 제거된 n형 반도체층(30) 측 또는 도전성 기판(10) 측에 형성될 수 있다. n형 반도체층(30)과 p형 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. 각각의 반도체층(20,30,40,50)이 다층으로 구성될 수 있으며, 추가의 층이 구비될 수도 있다. The substrate 10 is mainly made of sapphire, SiC, Si, GaN or the like, and the substrate 10 can be finally removed, and the buffer layer 20 can be omitted. The n-side electrode 80 may be formed on the side of the n-type semiconductor layer 30 from which the substrate 10 is removed or the side of the conductive substrate 10 when the substrate 10 is removed or has conductivity. The positions of the n-type semiconductor layer 30 and the p-type semiconductor layer 50 can be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device. Each semiconductor layer 20, 30, 40, 50 may be composed of multiple layers, and additional layers may be provided.

p형 반도체층(50)과 비도전성 반사막(91) 사이에 3개의 p측 가지 전극(93)이 구비된다. p측 가지 전극(93)은 p측 전극(92) 아래에서 n측 전극(80)에 인접한 영역의 하부에서부터 n측 전극(80) 방향으로 연장되며, n측 전극(80)의 하부까지 연장될 수 있다. 즉, p측 가지 전극(93)은 반도체 발광소자의 제1 변(101) 측에서부터 제2 변(102) 방향으로 길게 뻗어 있다. 이와 같이 길게 뻗어 있는 복수의 p측 가지 전극(93)에 의해 소자가 뒤집혀 탑재부(예: PCB, 서브마운트, 패키지, COB(Chip on Board))에 놓였을 때, 기울어짐 없이 놓이게 할 수 있다. 이러한 관점에서, p측 가지 전극(93)은 가능한 한 길게 형성하는 것이 바람직하다. p측 가지 전극(93)은 또한 길쭉하게 연장되는 가지부(98)와 넓은 폭을 가지는 연결부(99)로 구분될 수 있다. 연결부(99)는 p측 전극(92) 중 n측 전극(80)에 인접한 영역의 하부에 위치하는 p측 가지 전극(93)의 제1 변(101) 측 단부에 위치하게 된다. p측 가지 전극(93)의 수는 3개로 국한되지 않으며, 하나 이상의 다양한 개수로 구비될 수 있다. three p-side branch electrodes 93 are provided between the p-type semiconductor layer 50 and the non-conductive reflective film 91. [ The p-side branch electrode 93 extends from the lower portion of the region adjacent to the n-side electrode 80 below the p-side electrode 92 toward the n-side electrode 80 and extends to the lower portion of the n- . That is, the p-side branch electrode 93 extends long from the first side 101 side of the semiconductor light emitting element to the second side 102 side. When the device is turned upside down by a plurality of p-side branch electrodes 93 extending long as described above, it can be placed without tilting when placed on a mounting portion (e.g., PCB, submount, package, COB (Chip on Board)). From this point of view, the p-side branch electrode 93 is preferably formed as long as possible. The p-side branch electrode 93 may also be divided into an elongated branch portion 98 and a connection portion 99 having a wide width. The connecting portion 99 is located at the end of the p side electrode 92 on the side of the first side 101 of the p side branch electrode 93 located below the region adjacent to the n side electrode 80. The number of the p-side branch electrodes 93 is not limited to three, and may be provided in one or more various numbers.

p측 가지 전극(93)과 p측 전극(92)을 전기적으로 연결하는 p측 전기적 연결(94)이 구비된다. p측 전기적 연결(94)은 p측 전극(92) 중 n측 전극(80)에 인접한 영역의 하부, 즉 p측 가지 전극(93)의 연결부(99) 위치에서 비도전성 반사막(91)을 관통하도록 형성된다. a p-side electrical connection 94 for electrically connecting the p-side branch electrode 93 and the p-side electrode 92 is provided. the p-side electrical connection 94 penetrates the non-conductive reflective film 91 at the position of the connection portion 99 of the p-side electrode 92 below the region adjacent to the n-side electrode 80, .

또한, p형 반도체층(50)과 p측 전극(92)을 직접적으로 연결하는 p측 직접연결형 전기적 연결(104)이 구비된다. p측 직접연결형 전기적 연결(104)은 p측 전극(92) 아래에서 p측 전기적 연결(94)보다 n측 전극(80)에서 멀리 떨어진 영역1의 하부, 즉 제1 변(101)에 인접한 영역의 하부에서 비도전성 반사막(91)을 관통하도록 형성된다. 비록, 도 4 및 도 7에, p측 전기적 연결(94)과 p측 직접연결형 전기적 연결(104)이 3개씩 구비된 실시예가 도시되어 있지만, 이들의 수는 변경될 수 있으며, 서로 다를 수도 있다. 한편, p측 전기적 연결(94)의 하부에 놓이는 p측 가지 전극(93)의 연결부(99)와 유사하게, p측 직접연결형 전기적 연결(104)의 하부에도 상대적으로 넓은 폭을 가지는 받침 전극(106)이 구비될 수 있다. 받침 전극(106)은 비도전성 반사막(91)의 형성 이전에 p측 가지 전극(93)과 함께 형성될 수 있다. 받침 전극(106)은 필수적인 것은 아니며, 생략될 수 있다. Further, a p-side direct connection type electrical connection 104 for directly connecting the p-type semiconductor layer 50 and the p-side electrode 92 is provided. The p-side direct connection type electrical connection 104 is formed under the p-side electrode 92 and below the p-side electrical connection 94 in the region 1 far from the n-side electrode 80, Conductive film 91 at the bottom of the non-conductive reflective film 91. Although FIGS. 4 and 7 illustrate embodiments in which three p-side electrical connections 94 and three p-side direct electrical connections 104 are provided, the numbers may vary and may be different . Similarly to the connection portion 99 of the p-side branch electrode 93 placed under the p-side electrical connection 94, a supporting electrode having a relatively wide width at the lower portion of the p-side direct connection type electrical connection 104 106 may be provided. The supporting electrode 106 may be formed together with the p-side branch electrode 93 before the formation of the non-conductive reflective film 91. The supporting electrode 106 is not essential and may be omitted.

접촉 영역(35)은 비도전성 반사막(91)이 형성되기 이전에, n형 반도체층(30)이 노출되도록 메사식각 공정을 통해 p형 반도체층(50)과 활성층(40)을 부분적으로 제거하여 형성된다. 접촉 영역(35)은 선형 접촉 구역(31)과 점형 접촉 구역(33)을 포함할 수 있다. 선형 접촉 구역(31)은 n측 전극(80) 중 p측 전극(92)에 인접한 영역의 하부로부터 p측 전극 방향으로 연장되며, p측 전극(92)의 하부까지 연장될 수 있다. 점형 접촉 구역(33)은 선형 접촉 구역(31)과 떨어져, n측 전극(80) 중 p측 전극(92)에서 멀리 떨어진 영역, 즉 제2 변(102)에 인접한 영역의 하부에 위치하게 된다. 2개의 선형 접촉 구역(31) 및 2개의 점형 접촉 구역(33)이 구비되며, 2개의 선형 접촉 구역(31)은 p측 가지 전극들(92) 사이에서 p측 가지 전극들(92)과 나란하게 연장된다. 선형 접촉 구역(31) 및 점형 접촉 구역(33)은 반도체 발광소자의 측면 방향으로 개방될 수도 있지만, 어느 한 측면으로도 개방되지 않고 그 둘레가 활성층(40)과 p형 반도체층(50)으로 둘러싸여 막힐 수도 있다. 비록 , 도 4 및 도 7에, 선형 접촉 구역(31) 및 점형 접촉 구역(33)이 2개씩 구비된 실시예가 도시되어 있지만, 이들의 수는 변경될 수 있으며, 서로 다를 수도 있다. 선형 접촉 구역(31) 및 점형 접촉 구역(33)의 배열 형태 또한 변경될 수 있다.The contact region 35 is formed by partially removing the p-type semiconductor layer 50 and the active layer 40 through a mesa etching process so that the n-type semiconductor layer 30 is exposed before the non-conductive reflective film 91 is formed . The contact area 35 may comprise a linear contact area 31 and a point contact area 33. The linear contact area 31 extends from the lower portion of the n-side electrode 80 in the vicinity of the p-side electrode 92 toward the p-side electrode and extends to the lower side of the p- The dotted contact area 33 is located apart from the linear contact area 31 and below the area far from the p-side electrode 92 of the n-side electrode 80, that is, the area adjacent to the second side 102 . Two linear contact areas 31 and two point contact areas 33 are provided and two linear contact areas 31 are formed between the p side branch electrodes 92 and the p side branch electrodes 92, . The linear contact area 31 and the point contact area 33 may be opened in the lateral direction of the semiconductor light emitting device but may not be opened to any one side but may be formed around the active layer 40 and the p- It can be surrounded and blocked. Although Figures 4 and 7 illustrate embodiments with two linear contact zones 31 and two point contact zones 33, the number of these may vary and may be different. The arrangement of the linear contact area 31 and the contact area 33 can also be changed.

각 선형 접촉 구역(31) 내부의 n형 반도체층(30)과 비도전성 반사막(91) 사이에 n측 가지 전극(81)이 구비된다. n측 가지 전극(81)은 선형 접촉 구역(31)을 따라 n측 전극(80) 하부로부터 p측 전극(92) 방향으로 연장된다. n측 가지 전극(81)은 n측 전극(80) 중 p측 전극(92)에 인접한 영역의 하부에서부터 p측 전극(92) 방향으로 연장되며, p측 전극(92)의 하부까지 연장될 수 있다. 즉, n측 가지 전극(81)은 반도체 발광소자의 제2 변(102) 측에서부터 제1 변(101) 방향으로 길게 뻗어 있다. n측 가지 전극(80)은 또한 길쭉하게 연장되는 가지부(88)와 넓은 폭을 가지는 연결부(89)로 구분될 수 있다. 연결부(89)는 n측 전극(80) 중 p측 전극(92)에 인접한 영역의 하부에 위치하는 n측 가지 전극(81)의 제2 변(102) 측 단부에 위치하게 된다. 이에 대응하여, 선형 접촉 구역(31)은 n측 가지 전극(81)의 가지부(88)가 위치하는 부분에서 좁은 폭으로 형성되고, n측 가지 전극(81)의 연결부(89)가 위치하는 부분에서 넓은 폭으로 형성될 수 있다. An n-side branch electrode 81 is provided between the n-type semiconductor layer 30 and the non-conductive reflective film 91 in each linear contact region 31. The n-side branch electrode 81 extends from the lower portion of the n-side electrode 80 along the linear contact area 31 toward the p-side electrode 92. The n-side branch electrode 81 extends from the lower portion of the n-side electrode 80 adjacent to the p-side electrode 92 toward the p-side electrode 92 and extends to the lower portion of the p- have. That is, the n-side branch electrodes 81 extend long from the second side 102 side of the semiconductor light emitting element to the first side 101 direction. The n-side branch electrode 80 can also be divided into an elongated branch portion 88 and a wide-width connecting portion 89. The connecting portion 89 is located at the end of the n-side electrode 80 on the side of the second side 102 of the n-side branch electrode 81 located under the region adjacent to the p- Corresponding to this, the linear contact area 31 is formed to have a narrow width at the portion where the branch portion 88 of the n-side branch electrode 81 is located and the connection portion 89 of the n-side branch electrode 81 is located In the width direction.

n측 가지 전극(81)과 n측 전극(80)을 전기적으로 연결하는 n측 전기적 연결(82)이 구비된다. n측 전기적 연결(82)은 n측 전극(80) 중 p측 전극(92)에 인접한 영역의 하부, 즉 n측 가지 전극(81)의 연결부(89) 위치에서 비도전성 반사막(91)을 관통하도록 형성된다. and an n-side electrical connection 82 for electrically connecting the n-side branch electrode 81 and the n-side electrode 80 are provided. The n-side electrical connection 82 penetrates the non-conductive reflective film 91 at the position of the connecting portion 89 of the n-side electrode 80 below the region adjacent to the p-side electrode 92, .

또한, 점형 접촉 구역(33) 내부의 n형 반도체층(30)과 n측 전극(80)을 직접적으로 연결하는 n측 직접연결형 전기적 연결(112)이 구비된다. n측 직접연결형 전기적 연결(112)은 n측 전극(80) 중 n측 전기적 연결(82)보다 p측 전극(92)에서 멀리 떨어진 영역의 하부, 즉 제2 변(101)에 인접한 영역의 하부에서 비도전성 반사막(91)을 관통하도록 형성된다. 도 4 및 도 7에 나타낸 것과 같은 실시예에서, n측 전기적 연결(82)과 n측 직접연결형 전기적 연결(112)은 선형 접촉 구역(31) 및 점형 접촉 구역(33)의 수에 대응하여 2개씩 구비되지만, 선형 접촉 구역(31) 및 점형 접촉 구역(33)과 마찬가지로, 이들의 수는 변경될 수 있으며, 서로 다를 수도 있다. 한편, n측 전기적 연결(82)의 하부에 놓이는 n측 가지 전극(81)의 연결부(89)와 유사하게, n측 직접연결형 전기적 연결(112)의 하부에도 상대적으로 넓은 폭을 가지는 받침 전극(114)이 구비될 수 있다. 받침 전극(114)은 비도전성 반사막(91)의 형성 이전에 n측 가지 전극(81)과 함께 형성될 수 있다. 받침 전극(114)은 필수적인 것은 아니며, 생략될 수 있다. Further, an n-side direct connection type electrical connection 112 for directly connecting the n-type semiconductor layer 30 and the n-side electrode 80 inside the point contact region 33 is provided. The n-side direct connection type electrical connection 112 is formed in the lower portion of the region remote from the p-side electrode 92, that is, the lower portion of the region adjacent to the second side 101, The non-conductive reflective film 91 is formed. 4 and 7, the n-side electrical connection 82 and the n-side direct connection electrical connection 112 correspond to the number of linear contact areas 31 and the number of the point contact areas 33, But as with the linear contact area 31 and the point contact area 33, the number of these may be varied and may be different from each other. Similarly to the connection portion 89 of the n-side branch electrode 81 placed under the n-side electrical connection 82, a supporting electrode having a relatively wide width is formed on the lower portion of the n-side direct connection type electrical connection 112 114 may be provided. The supporting electrode 114 may be formed together with the n-side branch electrode 81 before the formation of the non-conductive reflective film 91. The supporting electrode 114 is not essential and may be omitted.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 개시에 따른 반도체 발광소자에서, 비도전성 반사막(91) 아래에 위치하는 p형 반도체층(50)에 전류를 공급하기 위해, p측 전극(92) 아래의 영역은 주로 p측 직접연결형 전기적 연결(104)을 통해 전류를 공급하고, n측 전극(80) 아래의 영역은 n측 전극(80) 아래로 연장되는 p측 가지 전극(93) 및 p측 전극(92)과 p측 가지 전극(93)을 전기적으로 연결하는 p측 전기적 연결(94)을 통해 전류를 공급한다. 즉, p측 직접연결형 전기적 연결(104)을 형성할 수 있는 영역은 p측 직접연결형 전기적 연결(104)을 통해, p측 직접연결형 전기적 연결(104)을 형성할 수 없는 n측 전극(80) 및 n측 전극(80)과 p측 전극(92) 사이의 영역은 p측 가지 전극(93) 및 p측 전기적 연결(94)을 통해 전류를 공급한다. 마찬가지로, 비도전성 반사막(91) 아래에 위치하는 n형 반도체층(30)에 전류를 공급하기 위해, n측 전극(80) 아래의 영역은 주로 n측 직접연결형 전기적 연결(112)을 통해 전류를 공급하고, p측 전극(92) 아래의 영역은 p측 전극(92) 아래로 연장되는 n측 가지 전극(81) 및 n측 전극(80)과 n측 가지 전극(81)을 전기적으로 연결하는 n측 전기적 연결(82)을 통해 전류를 공급한다. 즉, n측 직접연결형 전기적 연결(112)을 형성할 수 있는 영역은 n측 직접연결형 전기적 연결(112)을 통해, n측 직접연결형 전기적 연결(112)을 형성할 수 없는 p측 전극(92) 및 n측 전극(80)과 p측 전극(92) 사이의 영역은 n측 가지 전극(81) 및 n측 전기적 연결(82)을 통해 전류를 공급한다. As described above, in the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in order to supply current to the p-type semiconductor layer 50 located under the nonconductive reflective film 91, the region beneath the p- side electrode 93 and the p-side electrode 92, which extend under the n-side electrode 80. The p-side branched electrode 93 and the p-side electrode 92 are connected to each other through the p- Side branch electrode 93 and a p-side electrical connection 94 for electrically connecting the p-side branch electrode 93 with each other. That is, the region where the p-side direct connection type electrical connection 104 can be formed is the n-side electrode 80 which can not form the p-side direct connection type electrical connection 104 through the p-side direct connection type electrical connection 104, And the region between the n-side electrode 80 and the p-side electrode 92 supply current through the p-side branch electrode 93 and the p-side electrical connection 94. [ Likewise, in order to supply current to the n-type semiconductor layer 30 located under the nonconductive reflective film 91, a region under the n-side electrode 80 mainly supplies current through the n-side direct connection type electrical connection 112 Side electrode 81 and the n-side branched electrode 80 and the n-side branched electrode 81, which extend under the p-side electrode 92, are electrically connected to each other and supplies an electric current through the n-side electrical connection 82. That is, the region where the n-side direct connection type electrical connection 112 can be formed is the p-side electrode 92 which can not form the n-side direct connection type electrical connection 112 through the n-side direct connection type electrical connection 112, And the region between the n-side electrode 80 and the p-side electrode 92 supply current through the n-side branch electrode 81 and the n-side electrical connection 82. [

이와 같이 비도전성 반사막(91) 아래에 위치하는 n형 반도체층(30) 및 p형 반도체층(50)에 전류를 공급하기 위해, 가지 전극(81,93) 전적으로 의존하지 않고, 전극(80,92) 아래의 영역은 직접연결형 전기적 연결(112,104)을 이용하여 효과적인 전류 공급 및 확산이 가능하다. 즉, n측 가지 전극(81)은 n측 전극(80) 아래의 영역으로 연장되지 않고, p측 가지 전극(93)은 p측 전극(92) 아래의 영역으로 연장되지 않는 것과 같이, 상대적으로 가지 전극(81,93)을 짧게 구성할 수 있다. 이로 인해, 가지 전극에 의한 빛 흡수를 감소시켜, 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. In order to supply current to the n-type semiconductor layer 30 and the p-type semiconductor layer 50 located below the non-conductive reflective film 91 as described above, the electrodes 80, 92) are capable of effective current supply and diffusion using direct-connect electrical connections (112, 104). That is, the n-side branch electrode 81 does not extend to the region below the n-side electrode 80, and the p-side branch electrode 93 does not extend to the region below the p-side electrode 92, The branch electrodes 81 and 93 can be shortened. Thus, light absorption by the branch electrodes can be reduced, and the light extraction efficiency can be improved.

한편, n형 반도체층(30)이 p형 반도체층(50) 보다 전류 확산이 원활한 특성을 가지는 경우, n측 가지 전극(81)과 n측 전기적 연결(82)의 조합이 생략되거나, n측 직접연결형 전기적 연결(112)이 생략될 수도 있다. On the other hand, when the n-type semiconductor layer 30 has more current-spreading characteristics than the p-type semiconductor layer 50, the combination of the n-side branch electrode 81 and the n-side electrical connection 82 may be omitted, The direct connection type electrical connection 112 may be omitted.

p측 가지 전극(93)과 n측 가지 전극(81)의 높이는 2um ~ 3um가 적당하다. 너무 얇은 두께의 경우 동작전압의 상승을 야기하며, 너무 두꺼운 가지 전극은 공정의 안정성과 재료비 상승을 야기할 수 있기 때문이다. The height of the p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81 is preferably from 2 [mu] m to 3 [mu] m. Too thin a thickness causes an increase in the operating voltage, while an excessively thick branch electrode can cause process stability and material cost increase.

바람직하게, p측 가지 전극(93)의 형성에 앞서, p측 가지 전극(93) 및 p측 직접연결형 전기적 연결(104)의 아래에 해당하는 p형 반도체층(50) 위에 각각 광 흡수 방지막(95)이 형성될 수 있다. 광 흡수 방지막(95)은 p측 가지 전극(93) 및 p측 직접연결형 전기적 연결(104)보다 조금 넓은 폭으로 형성된다. 광 흡수 방지막(95)은 활성층(40)에서 생성된 빛이 p측 가지 전극(93) 및 p측 직접연결형 전기적 연결(104)에 의해 흡수되는 것을 방지한다. 광 흡수 방지막(95)은 활성층(40)에서 발생한 빛의 일부 또는 전부를 반사하는 기능만을 가져도 좋고, p측 가지 전극(93) 및 p측 직접연결형 전기적 연결(104)로부터의 전류가 p측 가지 전극(93) 및 p측 직접연결형 전기적 연결(104)의 바로 아래로 흐르지 못하도록 하는 기능만을 가져도 좋으며, 양자의 기능을 모두 가져도 좋다. 이들의 기능을 위해, 광 흡수 방지막(95)은 p형 반도체층(50)보다 굴절률이 낮은 투광성 물질로 된 단일층(예: SiO2) 또는 다층(예: Si02/TiO2/SiO2), 또는 분포 브래그 리플렉터, 또는 단일층과 분포 브래그 리플렉터의 결합 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 광 흡수 방지막(95)은 비도전성 물질(예: SiOx, TiOx와 같은 유전물질)로 이루어질 수 있다. 광 흡수 방지막(95)의 두께는 구조에 따라 0.2um ~ 3.0um가 적당하다. 광 흡수 방지막(95)의 두께가 너무 얇으면 기능이 약하고, 너무 두꺼우면 광 흡수 방지막(95) 위에 형성되는 투광성 전도막(60)의 증착이 어려워질 수 있다. 광 흡수 방지막(95)이 반드시 투광성 물질로 구성될 필요는 없으며, 또한 반드시 비도전성 물질로 구성될 필요도 없다. 다만 투광성 유전체 물질을 이용함으로써, 보다 그 효과를 높일 수 있게 된다. Preferably, before forming the p-side branch electrode 93, a light absorption prevention film (not shown) is formed on the p-type semiconductor electrode 50 corresponding to the p-side branch electrode 93 and the p- 95 may be formed. The light absorption prevention film 95 is formed to have a slightly wider width than the p-side branch electrode 93 and the p-side direct connection type electrical connection 104. The light absorption prevention film 95 prevents light generated in the active layer 40 from being absorbed by the p-side branch electrode 93 and the p-side direct connection type electrical connection 104. The light absorption prevention film 95 may have a function of reflecting a part or all of the light generated in the active layer 40 and the current from the p side branch electrode 93 and the p side direct connection type electrical connection 104 may be the p side Side direct connection type electrical connection 104 and the branch electrode 93 and the p-side direct connection type electrical connection 104, and may have both functions. For these functions, the light absorbing film 95 is a single layer of a p-type semiconductor layer 50, the low light-transmissive material than the refractive index (for example: SiO 2) or multiple layers (for example: Si0 2 / TiO 2 / SiO 2) , Or a distributed Bragg reflector, or a combination of a single layer and a distributed Bragg reflector, and the like. In addition, the light absorption preventing film 95 may be made of a non-conductive material (e.g., a dielectric material such as SiO x , TiO x ). The thickness of the light absorption preventing film 95 is suitably from 0.2 탆 to 3.0 탆, depending on the structure. If the thickness of the light absorption preventing film 95 is too small, the function is weak. If the thickness is too large, deposition of the light transmitting conductive film 60 formed on the light absorption preventing film 95 may be difficult. The light absorption preventing film 95 does not necessarily need to be made of a light transmitting material, and it is not necessarily made of a non-conductive material. However, by using a translucent dielectric material, the effect can be further enhanced.

바람직하게, 광 흡수 방지막(95)의 형성에 이어 p측 가지 전극(93)을 형성하기 이전에, 투광성 전도막(60)이 p형 반도체층(50) 위에 형성될 수 있다. 투광성 전도막(60)은 메사식각 공정을 통해 형성되는 접촉영역(35)을 제외한 p형 반도체층(50) 위의 거의 대부분을 덮도록 형성된다. 따라서, 투광성 전도막(60)과 p형 반도체층(50) 사이에 광 흡수 방지막(95)이 놓이게 된다. 특히 p형 GaN의 경우에 전류 확산 능력이 떨어지며, p형 반도체층(50)이 GaN으로 이루어지는 경우에, 대부분 투광성 전도막(60)의 도움을 받아야 한다. 예를 들어, ITO, Ni/Au와 같은 물질이 투광성 전도막(60)으로 사용될 수 있다. 투광성 전도막(60)의 형성에 이어 광 흡수 방지막(95)이 위치하는 투광성 전도막(60) 위에 p측 가지 전극(93)이 형성되고, 접촉 영역(35) 내부에 n측 가지 전극(81)이 형성될 것이다. The transmissive conductive film 60 may be formed on the p-type semiconductor layer 50 before the p-side branch electrode 93 is formed subsequent to the formation of the light absorption prevention film 95. [ The transmissive conductive film 60 is formed so as to cover almost all of the p-type semiconductor layer 50 except for the contact region 35 formed through the mesa etching process. Therefore, the light absorption preventing film 95 is placed between the light transmissive conductive film 60 and the p-type semiconductor layer 50. In particular, in the case of p-type GaN, the current diffusion ability is lowered. In the case where the p-type semiconductor layer 50 is made of GaN, most of the light transmitting conductive film 60 should be assisted. For example, a material such as ITO, Ni / Au may be used as the translucent conductive film 60. The p-side branch electrode 93 is formed on the translucent conductive film 60 where the light absorption prevention film 95 is located after the formation of the translucent conductive film 60 and the n side branch electrodes 81 Will be formed.

비도전성 반사막(91)은, n측 가지 전극(81)과 p측 가지 전극(93)이 형성된 후, 선형 접촉 구역(31)과 점형 접촉 구역(33)을 포함하는 접촉영역(35)과 n측 가지 전극(81), 및 p측 가지 전극(93)을 포함한 p형 반도체층(50)을 전체적으로 덮도록 형성된다. 비도전성 반사막(91)은 활성층(40)으로부터의 빛을, 성장에 사용되는 기판(10) 측 또는 기판(10)이 제거된 경우에 n형 반도체층(30) 측으로 반사하는 역할을 수행한다. 비도전성 반사막(91)은 p형 반도체층(50)의 상면과 접촉영역(35)의 상면을 연결하는 p형 반도체층(50)과 활성층(40)의 노출된 측면을 또한 덮는 것이 바람직하다. 그러나, 비도전성 반사막(91)이 반드시 기판(10) 반대 측의 식각으로 노출된 n형 반도체층(30)과 p형 반도체층(50) 위의 모든 영역을 덮어야 하는 것은 아니라는 점을 당업자는 염두에 두어야 한다. 예를 들어, 식각을 통해 노출되는 n형 반도체층(30), 즉 접촉 영역(35)은 비도전성 반사막(91)으로 덮이지 않을 수 있다. The non-conductive reflective film 91 is formed by forming the n-side branch electrode 81 and the p-side branch electrode 93 and then forming the contact region 35 including the linear contact region 31 and the pouched contact region 33 and n The p-type semiconductor layer 50 including the side branch electrode 81 and the p-side branch electrode 93 is entirely covered. The non-conductive reflective film 91 serves to reflect light from the active layer 40 toward the substrate 10 used for growth or toward the n-type semiconductor layer 30 when the substrate 10 is removed. The non-conductive reflective film 91 preferably covers the exposed side of the active layer 40 and the p-type semiconductor layer 50 connecting the upper surface of the p-type semiconductor layer 50 and the upper surface of the contact region 35. However, it should be understood by those skilled in the art that the non-conductive reflective film 91 does not necessarily cover all the regions on the n-type semiconductor layer 30 and the p-type semiconductor layer 50 exposed by etching on the opposite side of the substrate 10 . For example, the n-type semiconductor layer 30 exposed through the etching, that is, the contact region 35 may not be covered with the non-conductive reflective film 91.

비도전성 반사막(91)은 반사막으로 기능하되, 빛의 흡수를 방지하도록 투광성 물질로 구성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2와 같은 투광성 유전체 물질로 구성될 수 있다. 비도전성 반사막(91)은, 예를 들어 SiOx 등과 같은 투광성 유전체 물질로 구성되는 단일 유전체 막, 예를 들어 SiO2와 TiO2의 조합으로 된 단일의 분포 브래그 리플렉터, 이질적인 복수의 유전체 막 또는 유전체 막과 분포 브래그 리플렉터의 조합 등 다양한 구조로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 3 ~ 8um의 두께로 형성될 수 있다. 유전체 막은 p형 반도체층(50; 예: GaN)에 비해 낮은 굴절률을 가지므로 임계각 이상의 빛을 기판(10) 측으로 일부 반사시킬 수 있게 되고, 분포 브래그 리플렉터는 보다 많은 양의 빛을 기판(10) 측으로 반사시킬 수 있으며 특정 파장에 대한 설계가 가능하여 발생되는 빛의 파장에 대응하여 효과적으로 반사시킬 수 있다. Non-conductive reflective film 91, but functions as a reflection film, and preferably made of a translucent material so as to prevent the absorption of light, for example, a translucent dielectric material such as SiO x, TiO x, Ta 2 O 5, MgF 2 Lt; / RTI > The non-conductive reflective film 91 may be formed of a single dielectric film made of a light transmitting dielectric material such as SiO x or the like, for example, a single distributed Bragg reflector in combination of SiO 2 and TiO 2 , a plurality of different dielectric films or dielectrics A combination of a film and a distributed Bragg reflector, and may be formed to have a thickness of 3 to 8 袖 m, for example. Since the dielectric film has a lower refractive index than that of the p-type semiconductor layer 50 (for example, GaN), it is possible to partially reflect the light with a critical angle or more toward the substrate 10, and the distributed Bragg reflector emits a larger amount of light to the substrate 10, And it is possible to design a specific wavelength so that it can be effectively reflected according to the wavelength of generated light.

바람직하게, 도 5 및 도 6에 도시된 것과 같이, 비도전성 반사막(91)은 분포 브래그 리플렉터(91a)와 유전체 막(91b)으로 된 이중 구조를 가진다. 정밀성을 요하는 분포 브래그 리플렉터(91a)의 증착에 앞서, 일정 두께의 유전체 막(91b)을 형성함으로써, 분포 브래그 리플렉터(91a)를 안정적으로 제조할 수 있게 되며, 빛의 반사에도 도움을 줄 수 있다. Preferably, as shown in Figs. 5 and 6, the non-conductive reflective film 91 has a double structure consisting of the distributed Bragg reflector 91a and the dielectric film 91b. By forming the dielectric film 91b having a certain thickness prior to the deposition of the distribution Bragg reflector 91a requiring precision, it is possible to stably manufacture the distribution Bragg reflector 91a and also to help the reflection of light have.

본 개시에 따라 반도체 발광소자를 형성함에 있어서, n측 접촉영역(31)을 형성하기 위한 메사식각으로 단차가 존재하게 되고, p측 가지 전극(93) 또는 n측 가지 전극(81)과 같은 단차를 수반하는 구성요소가 필요하며, 비도전성 반사막(91)을 형성한 후에도 이하에 상세히 설명되는 것과 같이 비도전성 반사막(91)에 구멍을 뚫는 공정을 필요로 하므로, 유전체 막(91b)을 형성할 때 특히 주의를 할 필요가 있다. In forming the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a step is formed by a mesa etching for forming the n-side contact region 31, and a stepped portion such as the p-side branch electrode 93 or the n- It is necessary to form a hole in the non-conductive reflective film 91 as described in detail below even after the non-conductive reflective film 91 is formed, so that the dielectric film 91b is formed You need to pay particular attention when.

유전체 막(91b)의 재질은 SiO2가 적당하며, 그 두께는 0.2um ~ 1.0um가 바람직하다. 유전체 막(91b)의 두께가 너무 얇은 경우에는 높이가 2um ~ 3um정도인 n측 가지 전극(81)과 p측 가지 전극(93)을 충분히 잘 덮기에 불충분할 수 있고, 너무 두꺼운 경우에는 후속하는 구멍 형성공정에 부담이 될 수 있다. 유전체 막(91b)의 두께는 그 뒤에 후속하는 분포 브래그 디플렉터(91a)의 두께보다 두꺼울 수도 있다. 또한, 유전체 막(91b)은 소자 신뢰성 확보에 보다 적합한 방법으로 형성할 필요가 있다. 예를 들어, SiO2로 된 유전체 막(91b)은 화학 기상 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 그 중에서도 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD; Plasma Enhanced CVD)에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 메사식각으로 형성되는 접촉영역(35), p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81)을 형성함에 따라 단차가 존재하게 되고, 단차 영역을 덮는데(step coverage), 화학 기상 증착법이 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 등과 같은 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition)에 비해 유리하기 때문이다. 구체적으로, 전자선 증착법(E-Beam Evaporation)으로 유전체 막(91b)를 형성하면, 단차를 갖는 p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81)의 측면이나 메사식각으로 인해 생성되는 경사진 단차면 등에서 유전체 막(91b)이 얇게 형성될 수 있고, 이와 같이 단차면에 유전체 막(91b)이 얇게 형성되면, 특히 p측 가지 전극(93)과 n측 가지 전극(81)이 p측 전극(92)과 n측 전극(80) 아래에 놓이는 경우, 전극들 간에 단락(short)이 발생할 수 있기 때문에, 유전체 막(91b)은 확실한 절연을 위해 화학 기상 증착법으로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 반도체 발광소자의 신뢰성을 확보하면서도 비도전성 반사막(91)으로서의 기능을 확보할 수 있게 된다. SiO 2 is suitable as the material of the dielectric film 91b, and its thickness is preferably 0.2 um to 1.0 um. If the thickness of the dielectric film 91b is too thin, it may be insufficient to sufficiently cover the n-side branch electrode 81 and the p-side branch electrode 93 having a height of about 2 탆 to 3 탆. If the thickness is too thick, It may become a burden on the hole forming process. The thickness of the dielectric film 91b may then be thicker than the thickness of the subsequent distributed Bragg deflector 91a. Further, the dielectric film 91b needs to be formed by a method that is more suitable for ensuring reliability of the device. For example, the dielectric film 91b made of SiO 2 is preferably formed by CVD (Chemical Vapor Deposition), in particular, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The chemical vapor deposition method is a step coverage in which the step is formed by forming the contact region 35, the p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81 formed by mesa etching, (PVD) such as electron beam evaporation (E-Beam Evaporation). Specifically, when the dielectric film 91b is formed by E-Beam Evaporation, the side surface of the p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81 having stepped portions, The p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81 can be formed on the p-side electrode 91b, It is preferable that the dielectric film 91b is formed by a chemical vapor deposition method for reliable insulation because a short may occur between the electrodes when they are placed under the n-side electrode 92 and the n-side electrode 80. [ Therefore, it is possible to secure the function as the nonconductive reflective film 91 while ensuring the reliability of the semiconductor light emitting element.

분포 브래그 리플렉터(91a)는 유전체 막(91b) 위에 형성되어 유전체 막(91b)과 함께 비도전성 반사막(91)을 구성한다. 예를 들어, TiO2/SiO2의 조합으로 이루어지는 반복 적층 구조의 분포 브래그 리플렉터(91a)는, 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition), 그 중에서도 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 또는 스퍼터링법(Sputtering) 또는 열 증착법(Thermal Evaporation)에 의해 형성하는 것이 바람직하다. The distributed Bragg reflector 91a is formed on the dielectric film 91b to form the non-conductive reflective film 91 together with the dielectric film 91b. For example, the distributed Bragg reflector 91a having a repetitive lamination structure composed of a combination of TiO 2 / SiO 2 can be formed by physical vapor deposition (PVD), in particular, E-Beam Evaporation or Sputtering ) Or thermal evaporation (thermal evaporation).

예를 들어, 분포 브래그 리플렉터(91a)가 TiO2층/SiO2층의 조합으로 구성되는 경우, 각 층은 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 기본적으로 가지도록 설계되지만, 빛의 입사 각도에 대한 영향과 패키지 안에서 발생할 수 있는 빛의 파장(blue, Green, yellow, red 등)을 고려하여 최적설계가 되면 각 층의 광학 두께는 1/4을 정확하게 유지할 필요는 없으며, 그 조합의 수는 4 ~ 20 페어(pairs)가 적합하다. 조합의 수가 너무 적으면 분포 브래그 리플렉터의 반사효율이 떨어지고, 조합의 수가 너무 많으면 두께가 과도하게 두꺼워지기 때문이다. 한편, 각 층은 기본적으로 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되지만, 고려 대상의 파장 대역에 따라서 주어진 파장의 1/4 보다 큰 광학 두께를 가지도록 설계될 수 있다. 이와 더불어, 분포 브래그 리플렉터(91a)는 각기 다른 광학 두께를 가지는 TiO2층/SiO2층의 조합들로 설계될 수도 있다. 정리하면, 분포 브래그 리플렉터(91a)는 반복 적층되는 복수의 TiO2층/SiO2층의 조합을 포함할 수 있고, 복수의 TiO2층/SiO2층의 조합은 각각 서로 다른 광학 두께를 가질 수 있다.For example, when the distributed Bragg reflector 91a is composed of a combination of TiO 2 layer / SiO 2 layer, each layer is designed so as to have basically an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, The optical thickness of each layer does not need to be kept exactly 1/4 in consideration of the influence of light and the wavelength of light (blue, green, yellow, red, etc.) ~ 20 pairs are suitable. If the number of combinations is too small, the reflection efficiency of the distributed Bragg reflector is deteriorated, and if the number of combinations is too large, the thickness becomes excessively thick. On the other hand, each layer is basically designed to have an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, but may be designed to have an optical thickness greater than 1/4 of a given wavelength depending on the wavelength band of interest. In addition, the distributed Bragg reflector 91a may be designed with combinations of TiO 2 layers / SiO 2 layers having different optical thicknesses. In summary, the distributed Bragg reflector 91a may comprise a combination of multiple layers of TiO 2 / SiO 2 that are repeatedly laminated, and combinations of the plurality of TiO 2 layers / SiO 2 layers may each have a different optical thickness have.

이와 같은 비도전성 반사막(91)의 형성으로 인해 p측 가지 전극(93)과 n측 가지 전극(81)은 비도전성 반사막(91)에 의해 완전히 덮이게 된다. p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81)이 p측 전극(92) 및 n측 전극(80)과 전기적으로 연통될 수 있도록 하기 위해, 비도전성 반사막(91)을 관통하는 형태의 구멍이 형성되고, 구멍 내에 전극 물질로 채워진 구조의 전기적 연결(94,82)이 형성된다. 또한, p측 전극(92) 및 n측 전극(80)이 각각 투광성 전도막(60) 및 n형 반도체층(30)과 직접적으로 연통될 수 있도록 하기 위해, 비도전성 반사막(91)을 관통하는 형태의 구멍이 형성되고, 구멍 내에 전극 물질로 채워진 구조의 직접연결형 전기적 연결(104,112)이 형성된다. 이러한 구멍은 건식 식각 또는 혹은 습식 식각, 또는 이 둘을 병행하는 방법으로 형성되는 것이 바람직하다. p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81) 각각의 가지부(98,88)는 좁은 폭으로 형성되기 때문에, 전기적 연결(94,82)은 p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81) 각각의 연결부(99,89) 위에 위치하는 것이 바람직하다. The p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81 are completely covered by the non-conductive reflective film 91 due to the formation of the non-conductive reflective film 91. in order to allow the p side branch electrode 93 and the n side branch electrode 81 to be in electrical communication with the p side electrode 92 and the n side electrode 80, Holes are formed and electrical connections 94 and 82 of a structure filled with an electrode material in the hole are formed. In order to allow the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 to communicate directly with the translucent conductive film 60 and the n-type semiconductor layer 30, And a direct connection type electrical connection (104, 112) of a structure filled with an electrode material in the hole is formed. Such holes are preferably formed by dry etching or wet etching, or a combination of both. Since the branch portions 98 and 88 of each of the p side branch electrode 93 and the n side branch electrode 81 are formed to have a narrow width, the electrical connections 94 and 82 are formed on the p side branch electrode 93 and the n side Are preferably located above the connecting portions (99, 89) of the branch electrodes (81).

p측 전극(92)과 n측 전극(80)은 전기적 연결(94, 82)의 형성에 이어 비도전성 반사막(91) 위에 형성된다. p측 전극(92)과 n측 전극(80)은, 활성층(40)으로부터의 빛을 기판(10) 측으로 반사하는데 일조한다는 관점에서, 비도전성 반사막(91) 위의 전부 또는 거의 대부분을 덮도록 넓은 면적에 걸쳐 형성될 수 있으며, 도전성 반사막의 역할을 수행한다. 다만, p측 전극(92)과 n측 전극(80)은 단락을 방지하기 위해 비도전성 반사막(91) 위에서 서로 거리를 두고 떨어져 있는 것이 바람직하며, 따라서 비도전성 반사막(91) 위에 p측 전극(92) 또는 n측 전극(80)으로 덮이지 않는 부분이 존재하게 된다. p측 전극(92)과 n측 전극(80)은 비도전성 반사막(91) 위에서 동일한 면적에 걸쳐 형성될 수도 있고, 서로 다른 면적을 갖도록 형성될 수도 있다. n형 반도체층(30)이 p형 반도체층(50) 보다 전류 확산이 원활한 특성을 가지는 경우, p측 전극(92)이 가지 전극(81,93)의 연장 방향으로 n측 전극(80)보다 더 넓은 폭을 가지도록 형성될 수 있다. 한편, 접촉 영역(35)이 비도전성 반사막(91)으로 덮이지 않는 경우, 예외적으로 n측 전극(80)은 넓은 면적에 걸쳐 형성되지 않고 내에 접촉 영역(35) 내에 형성될 수도 있다. The p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 are formed on the non-conductive reflective film 91 subsequent to the formation of the electrical connections 94 and 82. the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 are formed so as to cover all or almost all of the non-conductive reflective film 91 from the viewpoint of helping to reflect light from the active layer 40 toward the substrate 10. [ Can be formed over a large area, and serves as a conductive reflective film. It is preferable that the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 are spaced apart from each other on the non-conductive reflective film 91 in order to prevent short-circuiting, 92 or the portion not covered with the n-side electrode 80 exists. The p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 may be formed over the same area over the non-conductive reflective film 91, or may have different areas. the n-type semiconductor layer 30 has a better current spreading property than the p-type semiconductor layer 50. The p-side electrode 92 is closer to the n-side electrode 80 in the extending direction of the branched electrodes 81 and 93 And can be formed to have a wider width. On the other hand, when the contact region 35 is not covered with the nonconductive reflective film 91, the n-side electrode 80 may not be formed over a large area but may be formed within the contact region 35.

p측 전극(92)과 n측 전극(80)의 재질은 반사율이 좋은 Al, Ag 등이 적합하지만, 안정적 전기적 접촉에는 Cr, Ti, Ni, Au 또는 이들의 합금 등의 물질들과 조합으로 Al, Ag 등과 같은 고반사 금속이 사용되는 것이 바람직하다. The p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 are preferably made of Al, Ag or the like having good reflectivity. However, stable electrical contact may be made with Al, Ti, Ni, Au, , Ag, or the like is preferably used.

이와 같은 p측 전극(92)과 n측 전극(80)은 p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81)에 전류를 공급하는 역할, 반도체 발광소자를 외부 기기와 연결하는 기능, 및 넓은 면적에 걸쳐 형성되어 활성층(40)으로부터의 빛을 반사하는 기능 및/또는 방열 기능을 수행한다. 이와 같이 p측 전극(92)과 n측 전극(80)이 모두 비도전성 반사막(91) 위에 형성됨에 따라, p측 전극(92) 측과 n측 전극(80) 측의 높이 차가 최소화되며, 따라서 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 탑재부(예: PCB, 서브마운트, 패키지, COB)에 결합할 때 이점을 가지게 된다. 이러한 이점은 유테틱 본딩(eutectic bonding) 방식의 결합을 이용하는 경우에 특히 커진다. 한편, p측 전극(92)과 n측 전극(80)은 반도체 발광소자에 포함되지 않고, 반도체 발광소자가 설치될 탑재부 위에 형성될 수도 있을 것이다. The p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 serve to supply current to the p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81, to connect the semiconductor light emitting element to an external device, And is formed over a large area to perform a function of reflecting light from the active layer 40 and / or a heat dissipation function. Since the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 are both formed on the non-conductive reflective film 91, the height difference between the p-side electrode 92 side and the n-side electrode 80 side is minimized, The advantage is obtained when the semiconductor light emitting device according to the present disclosure is coupled to a mount (e.g., PCB, submount, package, COB). This advantage is particularly large when using a combination of eutectic bonding methods. On the other hand, the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 may not be included in the semiconductor light emitting element, but may be formed on the mounting portion on which the semiconductor light emitting element is to be mounted.

이와 같이 p측 전극(92)과 n측 전극(80)이 비도전성 반사막(91) 위에 넓게 형성됨에 따라, 비도전성 반사막(91)의 아래에 놓이게 되는 p측 가지 전극(93)과 n측 가지 전극(81) 중, p측 가지 전극(93)은 비도전성 반사막(91)의 위에 놓이는 n측 전극(80) 아래를 통과하여 길게 뻗게 되고, n측 가지 전극(81)은 비도전성 반사막(91)의 위에 놓이는 p측 전극(92) 아래를 통과하여 길게 뻗게 된다. p측 전극(92) 및 n측 전극(80)과 p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81) 사이에 비도전성 반사막(91)이 존재함에 따라, 전극(92,80)과 가지 전극(93,81) 간의 단락이 방지된다. 또한 이상과 같은 p측 가지 전극(93)과 n측 가지 전극(81)을 도입함으로써, 플립 칩을 구성함에 있어서, 제약 없이 요구되는 반도체층 영역에 전류를 공급할 수 있게 된다. As described above, since the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 are formed on the non-conductive reflective film 91, the p-side branched electrode 93 and the n-side branched electrode 93, The n-side branched electrodes 81 extend from the non-conductive reflecting film 91 to the non-conductive reflecting film 91. The p-side branched electrode 93 extends under the n-side electrode 80 lying on the non-conductive reflecting film 91, Side electrode 92 lying on top of the p-side electrode 92. The p- the presence of the non-conductive reflective film 91 between the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80 and the p-side branch electrode 93 and the n-side branched electrode 81 causes the electrodes 92, Shorting between the electrodes 93 and 81 is prevented. Further, by introducing the p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81 as described above, current can be supplied to the semiconductor layer region which is required without any restriction in constituting the flip chip.

일반적으로, p측 전극(92), n측 전극(80), p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81)은 복수의 금속 층으로 구성된다. p측 가지 전극(93)의 경우 최하층은 투광성 전도막(60)과 결합력이 높아야 하며, Cr, Ti와 같은 물질이 주로 사용되며, Ni, Ti, TiW 등도 사용될 수 있으며, 특별히 제한되는 것은 아니다. 당업자는 p측 가지 전극(93)과 n측 가지 전극(81)에도 반사율이 좋은 Al, Ag 등을 사용할 수 있음을 염두에 두어야 한다. In general, the p-side electrode 92, the n-side electrode 80, the p-side branch electrode 93, and the n-side branch electrode 81 are formed of a plurality of metal layers. In the case of the p-side branch electrode 93, the lowest layer should have a high bonding force with the transparent conductive film 60, and materials such as Cr and Ti are mainly used. Ni, Ti, TiW and the like may also be used. It should be noted that a person skilled in the art can use Al, Ag or the like having high reflectance also in the p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81.

p측 전극(92)과 n측 전극(80)의 경우 최상층은 와이어 본딩 또는 외부 전극과 연결을 위해, Au이 사용된다. 그리고, Au의 양을 줄이고, 상대적으로 무른 Au의 특성을 보완하기 위해, In the case of the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80, Au is used as the uppermost layer for wire bonding or connection with an external electrode. In order to reduce the amount of Au and to complement the characteristics of the relatively loosened Au,

p측 전극(92)과 n측 전극(80)의 경우 최상층은 외부 전극과 연결을 위해, Au가 사용될 수 있으나, 본딩 기법에 따라서 다른 금속들도 사용될 수 있다. 예를 들어, Sn, Ni, Ti, Pt, W, TiW, Cu 또는 이들로 이루어진 합금이 사용 가능하며, 이에 한정하는 것은 아니다. 최하층과 최상층 사이에, 요구되는 사양에 따라, Ni, Ti, TiW, W 등이 사용되거나, 높은 반사율이 요구되는 경우에, Al, Ag 등이 사용된다. 본 개시에 있어서, p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81)은 전기적 연결(94,82)과 전기적으로 연결되어야 하므로, 최상층으로 Au를 고려할 수 있을 것이다. 그러나 본 발명자들은 p측 가지 전극(93) 및 n측 가지 전극(81)의 최상층으로서 Au을 사용하는 것이 부적합하다는 것을 알게 되었다. Au 위에 비도전성 반사막(91) 증착시에 양자 간의 결합력이 약해서 쉽게 벗겨지는 문제가 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, Au 대신에 Ni, Ti, W, TiW, Cr, Pd, Mo와 같은 물질로 가지 전극의 최상층을 구성하게 되면 그 위에 증착될 비도전성 반사막(91)과의 접착력이 유지되어 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한 비도전성 반사막(91)에 전기적 연결(94)을 위한 구멍을 형성하는 공정에서 위 금속이 디퓨전 장벽(diffusion barrier) 역할을 충분히 하여 후속공정 및 전기적 연결(94,82)의 안정성을 확보하는데 도움이 된다.
In the case of the p-side electrode 92 and the n-side electrode 80, Au may be used for connection to the external electrode at the uppermost layer, but other metals may also be used according to the bonding technique. For example, Sn, Ni, Ti, Pt, W, TiW, Cu, or alloys thereof may be used, but are not limited thereto. Ni, Ti, TiW, W or the like is used between the lowermost layer and the uppermost layer according to the required specifications, or Al or Ag is used when high reflectance is required. In this disclosure, the p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81 should be electrically connected to the electrical connections 94 and 82, so that Au may be considered as the uppermost layer. However, the present inventors have found that it is not suitable to use Au as the uppermost layer of the p-side branch electrode 93 and the n-side branch electrode 81. There is a problem in that when the non-conductive reflective film 91 is deposited on Au, the bonding force between the two is weak, so that it easily peels off. In order to solve such a problem, if the uppermost layer of the branch electrodes is made of a material such as Ni, Ti, W, TiW, Cr, Pd, or Mo instead of Au, the adhesive force to the non-conductive reflective film 91 to be deposited is maintained So that the reliability can be improved. In addition, in the process of forming holes for the electrical connection 94 in the non-conductive reflective film 91, the above metal is sufficient to serve as a diffusion barrier to help ensure the stability of the subsequent processes and electrical connections 94, .

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면이다.8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

p측 가지 전극(93)은 n측 전극(80) 하부에서 가지부(98)와 경사지게 추가로 연장되는 연장 가지부(96)를 구비한다. 연장 가지부(96)는 선형 접촉 구역(31)과 점형 접속 구역(33) 사이의 영역으로 연장되는 것이 바람직하다. 연장 가지부(96)는 도 8에 나타낸 것과 같이 가지부(98)의 중간에서 연장될 수도 있지만, 가지부(98)의 제2 변(102) 측 단부에서 연장될 수도 있다. 연장 가지부(96)는 도 8에 나타낸 것과 같이 가지부(98)에 대해 직각 방향으로 연장될 수도 있지만, 다른 각도의 방향으로 연장될 수도 있다. 연장 가지부(96)는 또한 도 8에 나타낸 것과 같이 가지부(98)에 대해 한쪽으로만 직각 방향으로 연장될 수도 있지만, 양쪽으로 연장될 수도 있다. 나아가, 도 8에 나타낸 것과 같이 복수의 p측 가지 전극(93) 중 일부만 연장 가지부(96)를 구비할 수도 있고, 모든 p측 가지 전극(93)이 연장 가지부(96)를 구비할 수도 있다. The p-side branch electrode 93 has an extended branch portion 96 which extends obliquely further from the branch portion 98 below the n-side electrode 80. The p- The extended branch portion 96 preferably extends into the region between the linear contact zone 31 and the pointed connection zone 33. The extended branch portion 96 may extend from the middle of the branch portion 98 as shown in FIG. 8, but may also extend from the end of the branch portion 98 on the second side 102 side. The elongate prongs 96 may extend at right angles to the prongs 98, as shown in FIG. 8, but may extend at other angles. The elongate prongs 96 may also extend in a direction perpendicular to the prongs 98, as shown in Fig. 8, but may extend in both directions. 8, only a part of the plurality of p-side branch electrodes 93 may have the extended branch portion 96, and all of the p-side branch electrodes 93 may have the extended branch portion 96 have.

n측 가지 전극(81) 또한 p측 전극(92) 하부에서 가지부(88)와 경사지게 추가로 연장되는 연장 가지부(87)를 구비한다. 연장 가지부(87)는 p측 전기적 연결(94)과 p측 직접연결형 전기적 연결(104) 사이의 영역으로 연장되는 것이 바람직하다. n측 가지 전극(81)의 연장 가지부(87)를 형성하기 위해, 선형 접촉 구역(31)이 연장 가지부(87)가 놓일 영역을 따라 추가로 연장되는 추가 연장 접촉 구역(32)을 구비해야 할 것이다. 연장 가지부(87)는 도 8에 나타낸 것과 같이 가지부(88)의 중간에서 연장될 수도 있지만, 가지부(88)의 제1 변(101) 측 단부에서 연장될 수도 있다. 연장 가지부(87)는 도 8에 나타낸 것과 같이 가지부(88)에 대해 직각 방향으로 연장될 수도 있지만, 다른 각도의 방향으로 연장될 수도 있다. 연장 가지부(87)는 또한 도 8에 나타낸 것과 같이 가지부(88)에 대해 양쪽으로 연장될 수도 있지만, 한쪽으로만 연장될 수도 있다. 나아가, 도 8에 나타낸 것과 같이 복수의 n측 가지 전극(81) 모두 연장 가지부(87)를 구비할 수도 있고, 일부의 n측 가지 전극(81)만이 연장 가지부(87)를 구비할 수도 있다. The n-side branch electrode 81 also has an extended branch portion 87 which further extends obliquely from the branch portion 88 under the p-side electrode 92. [ The extended branch 87 preferably extends into a region between the p-side electrical connection 94 and the p-side direct electrical connection 104. [ the linear contact zone 31 is provided with an additional extended contact zone 32 which extends further along the area where the extended branch 87 is to be placed, in order to form an extended branch 87 of the n side branch electrodes 81 I will. The extended branch 87 may extend from the middle of the branch 88 as shown in Fig. 8, but may extend from the first side 101 side of the branch 88 as well. The extended branch 87 may extend in a direction perpendicular to the branch 88 as shown in FIG. 8, but may extend in another direction. The extended branch 87 may also extend on both sides with respect to the branch 88 as shown in Fig. 8, but may extend only on one side. 8, all of the plurality of n-side branch electrodes 81 may have the extended branch portions 87, and only some of the n-side branched electrodes 81 may have the extended branch portions 87 have.

한편, p측 직접연결형 전기적 연결(104)은 도 8에 나타낸 것과 같이 p측 가지 전극(93)보다 더 많은 수로 구비될 수도 있고, 반대로 더 적은 수로 구비될 수도 있다. 또한, p측 직접연결형 전기적 연결(104)은 반드시 일렬로 배열되어야 하는 것은 아니다.
On the other hand, the p-side direct connection type electrical connection 104 may be provided in a greater number than the p-side branch electrodes 93 as shown in FIG. 8, or may be provided in a smaller number. Also, the p-side direct connection type electrical connections 104 are not necessarily arranged in a line.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이다.9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

복수의 p측 가지 전극(93)에 구비되는 연장 가지부(96)가 n측 전극(80) 하부에서 서로 연결될 수 있다. 연장 가지부(96)들이 서로 연결될 수 있다. The extended branch portions 96 provided on the plurality of p side branch electrodes 93 can be connected to each other below the n side electrode 80. [ The extended branch portions 96 can be connected to each other.

마찬가지로, 복수의 n측 가지 전극(81)에 구비되는 연장 가지부(87) 또한 p측 전극(92) 하부에서 서로 연결될 수 있다. 이때, 복수의 선형 접촉 구역(31)에 구비되는 추가 연장 접촉 구역(32) 또한 서로 연결되어야 할 것이다. Likewise, the extended branch portions 87 provided in the plurality of n-side branch electrodes 81 may be connected to each other under the p-side electrode 92. At this time, the additional extended contact areas 32 provided in the plurality of linear contact areas 31 should also be connected to one another.

한편, 도 9에 나타낸 것과 같이, 모든 p측 가지 전극(93)의 길이가 반드시 동일할 필요는 없다. 또한, n측 직접연결형 전기적 연결(112)은 n측 가지 전극(81)보다 더 적은 수로 구비될 수도 있고, 반대로 더 많은 수로 구비될 수도 있다.
On the other hand, as shown in Fig. 9, the lengths of all the p-side branch electrodes 93 do not necessarily have to be the same. Further, the n-side direct connection type electrical connection 112 may be provided in a smaller number than the n-side branch electrodes 81, or vice versa.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 비도전성 반사막 위에서 제1 전기적 연결 및 제1 직접연결형 전기적 연결을 덮도록 형성되며, 제2 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 및 비도전성 반사막 위에서 제1 전극과 떨어져 형성되며, 접촉영역을 통해 제1 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (1) a first electrode formed on the non-conductive reflective film so as to cover the first electrical connection and the first direct connection type electrical connection, and supplying one of electrons and holes to the second semiconductor layer; And a second electrode formed apart from the first electrode on the non-conductive reflective film, and supplying a remaining one of electrons and holes to the first semiconductor layer through the contact region.

(2) 제1 전기적 연결은 제1 전극 중 제2 전극과 인접한 영역의 하부에 위치하고, 제1 직접연결형 전기적 연결은 제1 전극 중 제1 전기적 연결보다 제2 전극에서 멀리 떨어진 영역의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (2) the first electrical connection is located below the region of the first electrode adjacent to the second electrode, and the first direct connection type electrical connection is located below the first electrical connection of the first electrode, Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(3) 제1 가지 전극은 제1 전기적 연결에서부터 제2 전극 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (3) The semiconductor light emitting device of claim 1, wherein the first branched electrode extends from the first electrical connection to the second electrode.

(4) 접촉 영역은 제2 전극의 하부에 위치하는 점형 접촉 구역을 포함하며, 비도전성 반사막을 관통하여 제2 전극과 점형 접촉 구역 내부의 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 직접연결형 전기적 연결;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (4) the contact region comprises a pointed contact region located below the second electrode, the second direct-coupled electrical contact for electrically connecting the second electrode to the first semiconductor layer through the non- Further comprising: a light emitting diode (LED).

(5) 접촉 영역은, 제2 전극 중 제1 전극에 인접한 영역의 하부로부터 제1 전극 방향으로 연장되는 선형 접촉 구역 및 선형 접촉 구역과 떨어져 제2 전극 중 제1 전극에서 멀리 떨어진 영역의 하부에 위치하는 점형 접촉 구역을 포함하며, 선형 접촉 구역 내부의 제1 반도체층과 비도전성 반사막 사이에서, 제2 전극 하부로부터 제1 전극 방향으로 연장되는 제2 가지 전극; 비도전성 반사막을 관통하여 제2 전극과 제2 가지 전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결; 및 비도전성 반사막을 관통하여 제2 전극과 점형 접촉 구역 내부의 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 직접연결형 전기적 연결;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (5) The contact region includes a linear contact region extending from the bottom of the region adjacent to the first electrode to the first electrode and a linear contact region extending from the bottom of the region of the second electrode away from the first electrode, A second branched electrode extending in a direction from the lower portion of the second electrode to the first electrode between the first semiconductor layer and the non-conductive reflective film within the linear contact region; A second electrical connection for electrically connecting the second electrode and the second branched electrode through the non-conductive reflective film; And a second direct connection type electrical connection electrically connecting the second electrode and the first semiconductor layer inside the point contact region through the non-conductive reflective film.

(6) 제1 가지 전극은 제2 전극 하부에서 제1 가지 전극과 경사지게 추가로 연장되는 제1 연장 가지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (6) The semiconductor light emitting device according to (6), wherein the first branched electrode has a first extended branch portion which further extends obliquely from the first branched electrode below the second electrode.

(7) 제1 가지 전극은, 제2 전극 중 제2 전기적 연결과 제2 직접연결형 전기적 연결 사이의 영역 하부에서 제1 가지 전극과 경사지게 추가로 연장되는 제1 연장 가지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (7) The first branched electrode has a first extended branch portion which further extends obliquely with the first branched electrode below the region between the second one of the second electrodes and the second direct-coupled electrical connection Semiconductor light emitting device.

(8) 제1 가지 전극은 2이상 구비되며, 2이상의 제1 가지 전극에 각각 구비되는 제1 연장 가지부는 제2 전극 하부에서 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (8) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein at least two first branched electrodes are provided, and the first extended branch portions provided at the two or more first branched electrodes are connected to each other at a lower portion of the second electrode.

(9) 선형 접촉 구역은, 제1 전극 중 제1 전기적 연결과 제1 직접연결형 전기적 연결 사이의 영역 하부에서 선형 접촉 구역과 경사지게 추가로 연장되는 추가 연장 접촉 구역을 구비하며, 제2 가지 전극은 추가 연장 접촉 구역을 따라 추가로 연장되는 제2 연장 가지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (9) The linear contact zone has an additional extended contact zone which further extends obliquely to the linear contact zone below the region between the first one of the first electrodes and the first direct connection type electrical connection, And a second extended branch portion extending further along the additional extended contact region.

(10) 선형 접촉 구역 및 제2 가지 전극은 각각 2이상 구비되며, 2이상의 제2 가지 전극에 각각 구비되는 제2 연장 가지부는 제1 전극 하부에서 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (10) The semiconductor light emitting device of claim 1, wherein at least two linear contact regions and a plurality of second branched electrodes are provided, and the second extended branch portions provided at the two or more second branched electrodes are connected to each other at a lower portion of the first electrode.

(11) 제1 전극이 제2 전극보다 제1 가지 전극의 연장 방향으로 더 넓은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (11) The semiconductor light emitting device according to (11), wherein the first electrode has a wider width in the extending direction of the first branched electrode than the second electrode.

(12) 제1 가지 전극 및 제1 직접연결형 전기적 연결과 제2 반도체층 사이에 각각 형성되는 광 흡수 방지막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (12) a light absorption prevention film formed between the first branched electrode and the first direct connection type electrical connection and the second semiconductor layer, respectively.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 광 추출 효율을 개선할 수 있게 된다.According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, light extraction efficiency can be improved.

또한 본 개시에 따른 다른 반도체 발광소자에 의하면, 새로운 형태의 플립 칩을 구현할 수 있게 된다. Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a new type of flip chip can be realized.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 전극을 도입한 반사막 구조를 구현할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to realize a reflective film structure incorporating a branch electrode.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 전극을 도입한 플립 칩을 구현할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a flip chip incorporating a branch electrode can be realized.

1: 반도체 발광소자 10: 기판
20: 버퍼층 30: n형 반도체층
31: 선형 접촉 구역 32: 추가 연장 접촉 구역
33: 점형 접촉 구역 35: 접촉영역
40: 활성층(40) 50: p형 반도체층
80: n측 전극 81: n측 가지 전극
82: n측 전기적 연결 91: 비도전성 반사막
92: p측 전극 93: p측 가지 전극
94: p측 전기적 연결 95: 광 흡수 방지막
104: p측 직접연결형 전기적 연결
106, 114: 받침 전극
112: n측 직접연결형 전기적 연결1: Semiconductor light emitting device 10: Substrate
20: buffer layer 30: n-type semiconductor layer
31: linear contact zone 32: additional extended contact zone
33: point contact zone 35: contact zone
40: active layer (40) 50: p-type semiconductor layer
80: n-side electrode 81: n-side branched electrode
82: n-side electrical connection 91: Non-conductive reflective film
92: p-side electrode 93: p-side branched electrode
94: p-side electrical connection 95: light absorption barrier
104: p-side direct connection type electrical connection
106, 114:
112: n-side direct connection type electrical connection

Claims (13)

성장 기판을 이용해 순차로 성장되는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;
제2 반도체층과 활성층을 부분적으로 제거하여 제1 반도체층이 노출되는 접촉영역;
활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록, 제2 반도체층 및 접촉영역을 덮도록 형성되는 비도전성 반사막;
비도전성 반사막과 제2 반도체층 사이에서 연장되는 제1 가지 전극;
비도전성 반사막을 관통하여 제1 가지 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전기적 연결; 및
비도전성 반사막을 관통하여 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 직접연결형 전기적 연결;을 포함하며,
비도전성 반사막 위에서 제1 전기적 연결 및 제1 직접연결형 전기적 연결을 통해 제2 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하도록 형성되는 제1 전극; 및
비도전성 반사막 위에서 제1 전극과 떨어져 형성되며, 접촉영역을 통해 제1 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. A second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, the first semiconductor layer having a first conductivity, A plurality of semiconductor layers having active layers for generating light through recombination of the semiconductor layers;
A contact region in which the first semiconductor layer is exposed by partially removing the second semiconductor layer and the active layer;
A non-conductive reflective film formed to cover the second semiconductor layer and the contact region so as to reflect light from the active layer to the first semiconductor layer side which is the growth substrate side;
A first branched electrode extending between the non-conductive reflective film and the second semiconductor layer;
A first electrical connection that is electrically connected to the first branched electrode through the non-conductive reflective film; And
And a first direct connection type electrical connection electrically connected to the second semiconductor layer through the nonconductive reflective film,
A first electrode formed on the non-conductive reflective film to supply one of electrons and holes to the second semiconductor layer through a first electrical connection and a first direct connection type electrical connection; And
And a second electrode formed on the non-conductive reflective film and separated from the first electrode and supplying the remaining one of electrons and holes to the first semiconductor layer through the contact region. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
제1 직접연결형 전기적 연결은 제1 전기적 연결보다 제2 전극에서 멀리 떨어진 영역의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the first direct connection type electrical connection is located at a lower portion of a region remote from the second electrode than the first electrical connection. 청구항 3에 있어서,
제1 가지 전극은 제1 전기적 연결에서부터 제2 전극 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 3,
Wherein the first branched electrode extends in a direction from the first electrical connection to the second electrode. 청구항 4에 있어서,
접촉 영역은 제2 전극의 하부에 위치하는 점형 접촉 구역을 포함하며,
비도전성 반사막을 관통하여 제2 전극과 점형 접촉 구역 내부의 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 직접연결형 전기적 연결;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 4,
The contact area includes a pointed contact area located below the second electrode,
And a second direct connection type electrical connection for electrically connecting the second electrode and the first semiconductor layer in the point contact region through the non-conductive reflective film. 청구항 4에 있어서,
접촉 영역은, 제2 전극 중 제1 전극에 인접한 영역의 하부로부터 제1 전극 방향으로 연장되는 선형 접촉 구역 및 선형 접촉 구역과 떨어져 제2 전극 중 제1 전극에서 멀리 떨어진 영역의 하부에 위치하는 점형 접촉 구역을 포함하며,
선형 접촉 구역 내부의 제1 반도체층과 비도전성 반사막 사이에서, 제2 전극 하부로부터 제1 전극 방향으로 연장되는 제2 가지 전극;
비도전성 반사막을 관통하여 제2 전극과 제2 가지 전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결; 및
비도전성 반사막을 관통하여 제2 전극과 점형 접촉 구역 내부의 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 직접연결형 전기적 연결;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 4,
The contact area includes a linear contact area extending from the bottom of the area adjacent to the first electrode to the first electrode and a linear contact area extending from the bottom of the area of the second electrode away from the first electrode, Comprising a contact zone,
A second branched electrode extending from the lower portion of the second electrode toward the first electrode between the first semiconductor layer and the non-conductive reflective film in the linear contact region;
A second electrical connection for electrically connecting the second electrode and the second branched electrode through the non-conductive reflective film; And
And a second direct connection type electrical connection for electrically connecting the second electrode and the first semiconductor layer in the point contact region through the non-conductive reflective film. 청구항 4에 있어서,
제1 가지 전극은 제2 전극 하부에서 제1 가지 전극과 경사지게 추가로 연장되는 제1 연장 가지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 4,
Wherein the first branched electrode has a first extended branch portion that extends further from the first branched electrode below the second electrode. 청구항 6에 있어서,
제1 가지 전극은, 제2 전극 중 제2 전기적 연결과 제2 직접연결형 전기적 연결 사이의 영역 하부에서 제1 가지 전극과 경사지게 추가로 연장되는 제1 연장 가지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 6,
Wherein the first branched electrode comprises a first elongated branch portion further extending obliquely to the first branched electrode below the region between the second electrical connection and the second direct connection type electrical connection of the second electrode. . 청구항 8에 있어서,
제1 가지 전극은 2이상 구비되며, 2이상의 제1 가지 전극에 각각 구비되는 제1 연장 가지부는 제2 전극 하부에서 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 8,
Wherein at least two first branched electrodes are provided and at least two first extended branch portions provided at the two or more first branched electrodes are connected to each other at a lower portion of the second electrode. 청구항 6에 있어서,
선형 접촉 구역은, 제1 전극 중 제1 전기적 연결과 제1 직접연결형 전기적 연결 사이의 영역 하부에서 선형 접촉 구역과 경사지게 추가로 연장되는 추가 연장 접촉 구역을 구비하며,
제2 가지 전극은 추가 연장 접촉 구역을 따라 추가로 연장되는 제2 연장 가지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 6,
The linear contact zone has an additional extended contact zone which further extends obliquely with the linear contact zone below the region between the first one of the first electrodes and the first direct connection type electrical connection,
And the second branch electrode has a second extended branch portion extending further along the additional extension contact region. 청구항 10에 있어서,
선형 접촉 구역 및 제2 가지 전극은 각각 2이상 구비되며, 2이상의 제2 가지 전극에 각각 구비되는 제2 연장 가지부는 제1 전극 하부에서 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 10,
Wherein at least two of the linear contact regions and the second branched electrodes are provided and the second extended branch portions provided at the two or more second branched electrodes are connected to each other at a lower portion of the first electrode. 청구항 4에 있어서,
제1 전극이 제2 전극보다 제1 가지 전극의 연장 방향으로 더 넓은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 4,
Wherein the first electrode has a wider width in the extending direction of the first branched electrode than the second electrode. 청구항 1에 있어서,
제1 가지 전극 및 제1 직접연결형 전기적 연결과 제2 반도체층 사이에 각각 형성되는 광 흡수 방지막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
And a light absorption prevention layer formed between the first branched electrode and the first direct connection type electrical connection and the second semiconductor layer, respectively.
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