KR20150101511A - 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 - Google Patents

포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 Download PDF

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KR20150101511A
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김승기
박광우
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Abstract

개시된 포토레지스트 조성물은, 포토레지스트 조성물은, 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함한다. 상기 노볼락 수지는, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드(salicylaldehyde)를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어진다.
상기 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 패턴의 내열성을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴은 하드베이크 공정 또는 드라이 에칭 공정과 같은 고온 환경에서 프로파일을 유지할 수 있으므로, 포토리소그라피 공정의 신뢰성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물이 터널상 공동을 갖는 표시 기판의 희생층 형성에 이용될 경우, 화소 주변 영역에서의 액정 텍스처 불량을 개선할 수 있다.

Description

포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법{PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 표시 장치에 이용되는 표시 기판은 각 화소 영역을 구동하기 위한 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 신호 배선 및 화소 전극을 포함한다. 상기 신호 배선은 게이트 구동 신호를 전달하는 게이트 배선과, 상기 게이트 배선과 교차하면서 데이터 구동 신호를 전달하는 데이터 배선을 포함한다.
일반적으로, 상기 박막 트랜지스터, 신호 배선 및 화소 전극을 형성하기 위하여 포토리소그라피 공정이 이용된다. 포토리소그라피 공정은 대상층 위에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 대상층을 패터닝함으로써 원하는 패턴을 얻는다. 상기 포토리소그라피 공정에서, 대상층은, 건식 식각 또는 습식 식각을 이용하여 식각될 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴은 고온에서 유동성이 증가하여 프로파일이 변형될 수 있다. 특히, 상기 대상층이 건식 식각을 통하여 식각되는 경우, 챔버 내 온도 증가에 의한 포토레지스트 패턴의 리플로우가 발생할 수 있으며, 이는 포토리소그라피 공정의 신뢰성을 저하시킬 수 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 내열성이 개선된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 표시 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은, 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함한다. 상기 노볼락 수지는, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드(salicylaldehyde)를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어진다.
일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 조성물은, 노볼락 수지 5 중량% 내지 30 중량%, 디아지드계 감광제 2 내지 10 중량% 및 여분의 용매를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 노볼락 수지는 아래의 화학식 1로 나타내진다.
<화학식 1>
Figure pat00001
(화학식 1에서, n, m, p 및 q는 각각 0보다 크며, 합은 100이다.)
일 실시예에 따르면, 상기 노볼락 수지의 중량평균분자량은 10,000 내지 25,000이다.
일 실시예에 따르면, 상기 모노머 혼합물은, 자일레놀 20중량% 내지 30중량%, 살리실알데하이드 30중량% 내지 50중량% 및 크레졸 혼합물 20중량% 내지 50중량%를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 크레졸 혼합물은 메타크레졸 및 파라크레졸을 포함하며, 상기 메타크레졸과 파라크레졸의 중량비는 7:3 내지 3:7이다.
일 실시예에 따르면, 상기 디아지드계 감광제는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 용매는 글리콜에테르류, 에틸렌글리콜 알킬에테르아세테이트류 및 디에틸렌글리콜류로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 조성물은, 계면활성제 및 접착력 강화제를 포함하는 첨가제 0.1 중량% 내지 3 중량%를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법에 따르면, 베이스 기판에 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성한다. 상기 게이트 금속 패턴을 커버하는 게이트 절연층을 형성한다. 상기 게이트 절연층 위에 반도체층을 형성한다. 상기 반도체층 위에 소스 금속층을 형성한다. 상기 소스 금속층 위에, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어진 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 코팅하여 포토레지스트층을 형성한다. 상기 포토레지스트층을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 소스 금속층 및 상기 반도체층을 식각하여, 소스 금속 패턴 및 액티브 패턴을 형성한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 소스 금속층을 습식 식각한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하여, 상기 소스 금속층을 부분적으로 노출하는 제2 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 소스 금속층 및 상기 반도체층을 건식 식각하여, 상기 소스 금속 패턴 및 상기 액티브 패턴을 형성한다.
일 실시예에 따르면, 상기 소스 금속층은 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴의 3중층을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 반도체층은 비정질 실리콘을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법에 따르면, 베이스 기판에 게이트 전극, 액티브 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성한다. 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성한다. 상기 제1 전극 위에, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어진 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 코팅하여 희생층을 형성한다. 상기 희생층을 커버하는 절연층을 형성한다. 상기 절연층 위에 제2 전극을 형성한다. 상기 희생층을 제거하여 터널상 공동을 형성한다. 상기 터널상 공동 내에 액정층을 형성한다.
일 실시예에 따르면, 상기 희생층을 제거하기 위하여, 상기 희생층을 노광한 후, 상기 희생층에 현상액을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 패턴의 내열성을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴은 하드베이크 공정 또는 드라이 에칭 공정과 같은 고온 환경에서 프로파일을 유지할 수 있으므로, 포토리소그라피 공정의 신뢰성을 개선할 수 있다.
또한, 상기 포토레지스트 조성물이 터널상 공동을 갖는 표시 기판의 희생층 형성에 이용될 경우, 화소 주변 영역에서의 액정 텍스처 불량을 개선할 수 있다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 9 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 대해서 먼저 설명하고, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 표시 기판의 제조 방법을, 첨부한 도면들을 참조하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.
포토레지스트 조성물
본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함한다. 예를 들어, 상기 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지 약 5 중량% 내지 약 30 중량%, 디아지드계 감광제 약 2 내지 약 10 중량 및 여분의 용매를 포함할 수 있다.
상기 노볼락 수지는 알칼리 가용성이며, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드(salicylaldehyde)를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어질 수 있다. 상기 크레졸 혼합물은 메타크레졸과 파라크레졸을 포함할 수 있으며, 상기 모노머 혼합물은 포름알데하이드를 더 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 모노머 혼합물은 메타크레졸과 파라크레졸을 포함하는 크레졸 혼합물 약 20 중량% 내지 약 50 중량%, 자일레놀 약 20 중량% 내지 약 30 중량% 및 살리실알데하이드 약 30 중량% 내지 약 50 중량%를 포함할 수 있다. 상기 크레졸 혼합물에서, 상기 메타크레졸과 파라크레졸의 중량비는 약 3:7 내지 7:3일 수 있다.
예를 들어, 상기 노볼락 수지는 아래의 화학식 1로 나타내질 수 있다. 바람직하게, 상기 노볼락 수지의 중량평균분자량은 약 10,000 내지 25,000이다.
<화학식 1>
Figure pat00002
화학식 1에서, n, m, p 및 q는 각각 0보다 크며, 합은 100이다.
n, m, p 및 q는 상기 노볼락 수지 내에서 각 반복 유닛의 몰분율(%)을 나타낼 수 있다. 예를 들어, n은 10 내지 40, m은 20 내지 50, p는 10 내지 40, q는 5 내지 30일 수 있다.
상기 노볼락 수지는, 메타크레졸, 파라크레졸 및 포름알데하이드의 축합 반응으로 얻어진 노볼락 수지와 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 노볼락 수지가 상기 포토레지스트 조성물 전체 중량의 약 5 중량% 미만인 경우, 포토레지스트 조성물의 내열성이 저하될 수 있다. 상기 노볼락 수지가 상기 포토레지스트 조성물 전체 중량의 약 30 중량%를 초과하는 경우, 포토레지스트 패턴의 접착력, 감도, 잔막률 등이 저하될 수 있다. 이에 따라, 상기 노볼락 수지는 상기 포토레지스트 조성물 전체 중량의 약 5 중량% 내지 약 30 중량%인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 약 10 중량% 내지 약 25 중량%일 수 있다.
상기 노볼락 수지의 중량평균분자량이 약 10,000 미만인 경우, 포토레지스트 패턴의 내열성이 저하될 수 있다. 상기 노볼락 수지의 중량평균분자량이 약 25,000를 초과하는 경우, 현상 후, 잔사가 발생할 수 있다.
상기 디아지드계 감광제는 퀴논 디아지드계 화합물을 예로 들수 있다. 상기 퀴논 디아지드계 화합물은 나프토퀴논디아지드 술폰산 할로겐 화합물과 페놀 화합물을 약염기하에서 반응시켜 수득할 수 있다.
상기 페놀 화합물의 구체적인 예로서는, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 트리(p-히드록시페닐) 메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐) 에탄, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]디페놀 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 나프토퀴논디아지드 술폰산 할로겐 화합물의 구체적인 예로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
구체적으로, 상기 디아지드계 감광제는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 등을 포함할 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 디아지드계 감광제가 상기 포토레지스트 조성물 전체의 약 2 중량% 미만인 경우, 비노광부의 용해도가 증가하여 포토레지스트 패턴을 형성할 수 없다. 상기 디아지드계 감광제가 상기 포토레지스트 조성물 전체의 약 10 중량%를 초과하는 경우, 노광부의 용해도가 감소하여 알칼리 현상액에 의한 현상을 행할 수 없다. 따라서, 상기 디아지드계 감광제는 상기 포토레지스트 조성물 전체 중량의 약 2 중량% 내지 약 10 중량%인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 약 3 중량% 내지 약 8 중량%일 수 있다.
상기 용매의 구체적인 예로서는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르 아세테이트류; 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜류; 프로필렌글리콜 메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 프로필렌글리콜 프로필에테르, 프로필렌글리콜 부틸에테르 등의 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜 메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르프로피오네이트의 프로필렌글리콜 알킬에테르아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-하이드록시 4-메틸 2-펜타논 등의 케톤류; 및 초산 메틸, 초산 에틸, 초산 프로필, 초산 부틸, 2-하이드록시 프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시초산 메틸, 하이드록시초산 에틸, 하이드록시초산 부틸, 유산 메틸, 유산 에틸, 유산 프로필, 유산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시초산 메틸, 메톡시초산 에틸, 메톡시초산 프로필, 메톡시초산 부틸, 에톡시초산 메틸, 에톡시초산 에틸, 에톡시초산 프로필, 에톡시초산 부틸, 프로폭시초산 메틸, 프로폭시초산에틸, 프로폭시초산 프로필, 프로폭시초산 부틸, 부톡시초산 메틸, 부톡시초산 에틸, 부톡시초산 프로필, 부톡시초산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부톡시프로피온산 에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로피온산 부틸, 3-프로폭시프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산 에틸, 3-프로폭시프로피온산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시프로피온산 에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등의 에스테르류 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있으며, 바람직하게는, 용해성 및 각 성분과의 반응성이 우수하고 코팅이 용이한 글리콜에테르류, 에틸렌글리콜 알킬에테르아세테이트류 및 디에틸렌글리콜류가 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 용매의 함량은 상기 포토레지스트 조성물 전체 중량에 대하여 약 60 중량% 내지 약 90 중량%일 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 약 0.1 중량% 내지 3 중량%의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 첨가제는, 계면활성제 및 접착력 강화제를 포함할 수 있다.
상기 계면 활성제는 상기 포토레지스트 조성물로 형성하는 코팅막과 기판 사이의 계면 장력을 감소시켜, 상기 코팅막을 균일하게 형성할 수 있다. 상기 계면 활성제의 구체적인 예로서는, FZ-2110(상품명, Dow Corning사, 미국), FZ-2122, BYK-345(상품명, BYK사, 미국), BYK-346, 또는 BYK-34 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.
상기 접착력 강화제는 상기 기판이 무기물로 형성되는 유리 기판인 경우, 유기물인 상기 포토레지스트 조성물과 상기 유리 기판 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 접착력 강화제는 화합물 내에 유기 작용기와 무기 작용기를 모두 포함하는 실란 커플링제 또는 멜라민 가교제 등을 포함할 수 있다.
상기 실란 커플링제의 예로서는, KBM-303(상품명, Shitetsu사, 일본), KBM-403, KBE-402 또는 KBE-40 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 멜라민 가교제의 예로서는, MW-30M(상품명, 비전테크, 한국), MX-706(상품명, 비전테크, 한국) 등을 들 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 내열성이 증가된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴은 고온에서 프로파일을 유지할 수 있으므로, 포토리소그라피 공정의 신뢰성을 개선할 수 있다.
표시 기판의 제조 방법
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 베이스 기판(100) 위에 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성한다. 상기 게이트 금속 패턴은 상기 게이트 전극(GE)과 연결되는 게이트 라인을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 베이스 기판(100) 위에 게이트 금속층을 형성한 후, 이를 패터닝하여, 상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극(GE)을 형성한다. 상기 베이스 기판(100)으로는 유리 기판, 쿼츠 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 게이트 금속층은 구리, 은, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 망간, 알루미늄 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 구조 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 금속층은, 구리층 및 상기 구리층의 상부 및/또는 하부에 형성된 티타늄층을 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극(GE)을 커버하는 게이트 절연층(110)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(110)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연층(110)은 단일층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연층(110)은 실리콘 질화물을 포함하는 하부 절연층과 실리콘 산화물을 포함하는 하부 절연층을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 게이트 절연층(110) 위에, 반도체층(120), 오믹 콘택층(130) 및 소스 금속층(140)을 순차적으로 형성한다.
상기 반도체층(110)은 비정질 실리콘을 포함할 수 있으며, 상기 오믹 콘택층(120)은 n+ 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘을 포함할 수 있다.
상기 소스 금속층(140)은 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴의 삼중층을 포함할 수 있다. 상기 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 삼중층은 습식 식각 또는 건식 식각으로 식각될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 소스 금속층(140)은 건식 식각이 가능한 다른 금속의 단일층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 소스 금속층(140) 위에 포토레지스트 조성물을 도포하여, 포토레지스트층을 형성한 후, 이를 패터닝하여, 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성한다.
상기 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함한다. 예를 들어, 상기 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지 약 5 중량% 내지 약 30 중량%, 디아지드계 감광제 약 2 내지 약 10 중량 및 여분의 용매를 포함할 수 있다. 상기 노볼락 수지는 알칼리 가용성이며, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어질 수 있다. 상기 크레졸 혼합물은 메타크레졸 및 파라크레졸을 포함할 수 있으며, 상기 모노머 혼합물은 포름알데하이드를 더 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 모노머 혼합물은 메타크레졸과 파라크레졸을 포함하는 크레졸 혼합물 약 20 중량% 내지 약 50 중량%, 자일레놀 약 20 중량% 내지 약 30 중량% 및 살리실알데하이드 약 30 중량% 내지 약 50 중량%를 포함할 수 있다. 상기 크레졸 혼합물에서, 상기 메타크레졸과 파라크레졸의 중량비는 약 3:7 내지 7:3일 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물은 기설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물과 동일하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
상기 포토레지스트 조성물은 파지티브 타입이며, 프리베이크, 노광, 현상 및 하드베이크를 거쳐, 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)이 형성될 수 있다. 상기 프리베이크는 약 80℃ 내지 약 120℃에서 진행될 수 있으며, 상기 하드베이크는 약 120℃ 내지 약 150℃에서 진행될 수 있다.
상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하며, 두께 구배를 갖는다. 구체적으로, 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)은, 제1 두께부(TH1)와 상기 제1 두께부(TH1)보다 작은 두께를 갖는 제2 두께부(TH2)를 갖는다. 상기 제2 두께부(TH2)는 상기 게이트 전극(GE)과 중첩한다.
상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)은 증가된 내열성을 갖는다. 따라서, 하드베이크 공정에서 프로파일을 유지할 수 있으며, 이는 포토리소그라피 공정의 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 마스크로 이용하여, 상기 소스 금속층(142)을 패터닝하여, 소스 금속 패턴(142)을 형성한다. 상기 소스 금속 패턴은 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 소스 금속층(142)은 에천트를 이용한 습식 식각에 의해 패터닝될 수 있다. 이에 따라, 상기 오믹 콘택층(130)의 상면이 부분적으로 노출된다.
도 5를 참조하면, 애싱(ahing) 공정을 통하여, 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 부분적으로 제거한다. 결과적으로, 상기 제2 두께부(TH2)가 제거되고, 상기 제1 두께부(TF1)가 부분적으로 잔류하여, 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)은 상기 소스 금속 패턴(142)을 부분적으로 노출한다.
도 6을 참조하면, 건식 식각을 통하여, 상기 소스 금속 패턴(142)의 노출된 부분 및 상기 오믹 콘택층의 일부를 제거하여, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE), 을 형성한다. 또한, 상기 건식 식각 과정에서, 상기 포토레지스트 패턴이 형성되지 않은 영역의 오믹 콘택층(130) 및 반도체층(120)이 제거되어, 액티브 패턴(AP) 및 상기 액티브 패턴(AP) 위에 배치되는 오믹 콘택 패턴을 형성한다. 상기 오믹 콘택 패턴은, 상기 소스 전극(SE)과 접촉하는 제1 오믹 콘택 패턴(132) 및 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하는 제2 오믹 콘택 패턴(134)을 포함한다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 높은 내열성을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하므로, 상기 건식 식각 과정에서 상기 포토레지스트 패턴의 리플로우를 방지할 수 있다. 따라서, 액티브 돌출부의 형성을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 실질적으로 채널의 길이를 감소시켜, 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 개선할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 커버하는 패시베이션층(150)을 형성하고, 상기 패시베이션층(150) 위에 유기 절연막(160)을 형성한 후, 상기 패시베이션층(150)과 상기 유기 절연막(160)을 관통하는 콘택홀(CH)을 형성하여, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시킨다.
상기 패시베이션층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 상기 유기 절연막(160)은 유기 절연 물질을 포함하여 기판을 평탄화할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 유기 절연막(160) 위에 도전층을 형성하고, 상기 도전층을 패터닝하여, 화소 전극(PE)을 형성한다. 상기 화소 전극(PE)은 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다.
상기 표시 기판은, 액정 표시 장치의 표시 기판 또는 유기 전계 발광 장치의 표시 기판 등으로 사용될 수 있다.
도 9 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 베이스 기판(200) 위에, 게이트 라인 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성한다. 상기 게이트 금속 패턴을 커버하는 게이트 절연층(210)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(210) 위에, 상기 게이트 전극과 중첩하는 액티브 패턴을 형성한 후, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인(DL)을 포함하는 소스 금속 패턴을 형성한다. 상기 소스 금속 패턴을 커버하는 패시베이션층(220)을 형성한다.
상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 액티브 패턴은 박막 트랜지스터를 구성한다.
도 10을 참조하면, 상기 패시베이션층(220) 위에, 상기 데이터 라인(DL)과 중첩하는 블랙 매트릭스(BM)을 형성한다. 또한, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 게이트 라인과 중첩할 수 있다. 상기 블랙매트릭스(BM)는, 카본블랙 등의 안료를 포함하는 포토레지스트 조성물로부터 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 패시베이션층(220) 위에, 컬러 필터(CF)를 형성한다. 상기 컬러 필터(CF)는 잉크젯 방식 또는 포토리소그라피를 이용하여 형성될 수 있으며, 부분적으로 상기 블랙 매트릭스(BM)를 커버할 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 컬러 필터(CF) 상에는 상기 제1 전극(EL1)을 형성한다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 화소 전극일 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(EL1) 위에는 하부 절연층(230)이 형성된다. 상기 하부 절연층(230)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
도 13을 참조하면, 상기 하부 절연층(230) 위에 포토레지스트 조성물을 코팅하여 희생층(SL)을 형성한다. 상기 희생층(SL)은 상기 제1 전극(EL1)과 중첩하는 복수의 패턴 어레이를 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함한다. 예를 들어, 상기 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지 약 5 중량% 내지 약 30 중량%, 디아지드계 감광제 약 2 내지 약 10 중량 및 여분의 용매를 포함할 수 있다. 상기 노볼락 수지는 알칼리 가용성이며, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어질 수 있다. 상기 크레졸 혼합물은 메타크레졸 및 파라크레졸을 포함할 수 있으며, 상기 모노머 혼합물은 포름알데하이드를 더 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 모노머 혼합물은 메타크레졸과 파라크레졸을 포함하는 크레졸 혼합물 약 20 중량% 내지 약 50 중량%, 자일레놀 약 20 중량% 내지 약 30 중량% 및 살리실알데하이드 약 30 중량% 내지 약 50 중량%를 포함할 수 있다. 상기 크레졸 혼합물에서, 상기 메타크레졸과 파라크레졸의 중량비는 약 3:7 내지 7:3일 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물은 기설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물과 동일하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
상기 희생층(SL)은 프리베이크, 노광, 현상 및 하드베이크를 거쳐, 형성될 수 있다. 상기 프리베이크는 약 80℃ 내지 약 120℃에서 진행될 수 있으며, 상기 하드베이크는 약 120℃ 내지 약 150℃에서 진행될 수 있다.
도 14를 참조하면, 희생층(SL)을 커버하는 상부 절연층(240)을 형성하고, 상기 상부 절연층(240) 위에 제2 전극(EL2)을 형성한다.
상기 상부 절연층(240)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극(EL2)은 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다.
도 15를 참조하면, 현상액을 이용하여 상기 희생층(SL)을 제거한다.
예를 들어, 상기 희생층을 제거하기 위하여, 상기 상부 절연층(240)의 일부를 제거하여 현상액 주입구를 형성한다. 상기 현상액 주입구를 형성하는 과정에서,상기 희생층은 광에 노출된다. 상기 포토레지스트 조성물은 파지티브 타입이므로, 노광에 의해 용해도가 증가하여, 상기 현상액에 의해 제거 될 수 있다.
상기 희생층을 제거하면, 상기 희생층이 위치하던 자리에 터널상 공동이 형성된다.
도 16을 참조하면, 상기 터널상 공동 내에 배향막(310)을 형성한다. 상기 배향막(310)을 형성하기 위하여, 배향액을 상기 터널상 공동 내에 제공한다.
상기 배향액은 상기 배향액(AS)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 배향 물질과 용매를 포함한다. 상기 배향액이 상기 터널상 공동 근처에 제공되면 모세관 현상에 의해 상기 현상액 주입구를 통해 상기 터널상 공동 내로 이동한다. 상기 배향액에 열이 가해지면 용매가 제거되어 상기 배향막(310)이 형성된다.
도 17을 참조하면, 상기 배향막(310)이 형성된 상기 터널상 공동에 액정을 주입하여 액정층(300)을 형성한다. 상기 상부 절연층(240) 및 상기 제2 전극(EL2) 상에는 보호층(500)이 형성된다. 상기 베이스 기판(200) 하부와 상기 보호층(500) 상부에는 편광판이 배치될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 희생층(SL)은 높은 내열성을 가지며, 따라서, 하드베이크와 같은 고온 공정에서 프로파일을 유지할 수 있다. 따라서, 상기 희생층(SL)이 제거되어 형성되는 터널상 공동도 큰 테이퍼 각을 갖는 프로파일을 가질 수 있으며, 이는 상기 공동의 주변 영역에서 발생할 수 있는 액정 텍스처 불량을 개선할 수 있다.
이하에서는, 구체적인 실험예 및 비교예의 실험 결과를 통하여, 본 발명의 실시예들의 효과를 구체적으로 설명하기로 한다.
실시예 - 포토레지스트 조성물
자일레놀, 살리실알데하이드 및 여분의 크레졸 혼합물을 하기의 표 1에 따라 축합중합하여 얻어지며, 중량평균분자량이 약 20,000인 노볼락 수지 약 20g, 감광성 화합물로서, 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 약 5g, 및 용매로서 프로필레글리콜 메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 약 70g을 포함하는 포토레지스트 조성물을 준비하였다. 상기 크레졸 혼합물은 중량비 약 5:5의 메타크레졸과 파라크레졸을 포함하였다.
자일레놀 (중량%) 살리실알데하이드 (중량%)
실시예 1 10 10
실시예 2 10 30
실시예 3 10 50
실시예 4 20 10
실시예 5 20 30
실시예 6 20 50
실시예 7 30 10
실시예 8 30 30
실시예 9 30 50
실시예 10 10 60
실시예 11 30 60
실시예 12 40 10
실시예 13 40 50
비교예 1 0 10
비교예 2 0 50
비교예 3 10 0
비교예 4 30 0
비교예 5 40 0
실험 1 - 잔막률
실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 5의 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하여 코팅막을 형성한 후, 약 0.5torr의 압력에서 진공 챔버 건조(VCD)를 진행한 후, 약 110℃에서 약 150초간 가열하여 약 2.0㎛의 두께를 갖는 필름을 형성하였다. 상기 필름에 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액을 이용하여 약 75초 동안 현상한 후, 상기 필름의 두께를 측정하여 잔막률(현상 후 필름의 두께/현상 전 필름의 두께)을 측정하였다.
실험 2 - 내열성
실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 5의 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하여 코팅막을 형성한 후, 약 0.5torr의 압력에서 진공 챔버 건조(VCD)를 진행한 후, 약 110℃에서 약 150초간 가열하여 약 2.0㎛의 두께를 갖는 필름을 형성하였다. 상기 필름을 노광한 후, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액을 이용하여 약 75초 동안 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 상기 포토레지스트 패턴을 일정한 온도에서 약 150초간 가열한 후, 패턴의 프로파일을 관찰하여, 리플로우가 발생하는 온도를 측정하였다.
실험 3 - 잔사
실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 5의 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하여 코팅막을 형성한 후, 약 0.5torr의 압력에서 진공 챔버 건조(VCD)를 진행한 후, 약 110℃에서 약 150초간 가열하여 약 2.0㎛의 두께를 갖는 필름을 형성하였다. 상기 필름을 노광한 후, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액을 이용하여 약 75초 동안 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 잔사의 발생 여부를 관찰하였다.
실험 1 내지 3의 측정 결과를 아래의 표 2에 나타내었다.
잔막률(%) 리플로우 온도 (℃) 잔사
실시예 1 94 135 X
실시예 2 91 140 X
실시예 3 86 140 X
실시예 4 96 140 X
실시예 5 93 145 X
실시예 6 88 145 X
실시예 7 98 140 X
실시예 8 96 145 X
실시예 9 91 145 X
실시예 10 67 140 X
실시예 11 69 150 X
실시예 12 99 140 O
실시예 13 81 150 O
비교예 1 90 120 X
비교예 2 80 125 X
비교예 3 95 120 X
비교예 4 99 125 X
비교예 5 99 125 O
실시예 - 포토레지스트 조성물
실시예 5에서 사용된 것과 동일한 제1 노볼락 수지와, 중량비 약 4:6의 메타크레졸과 파라크레졸을 포름알데하이드와 반응시켜 얻어지며, 중량평균분자량이 약 10,000인 제2 노볼락 수지를 하기의 표 3에 따라 혼합한 노볼락 수지 약 20g, 감광성 화합물로서, 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 약 5g, 및 용매로서 프로필레글리콜 메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 약 70g을 포함하는 포토레지스트 조성물을 준비하였다.
제1 노볼락 수지 : 제2 노볼락 수지 (중량비)
실시예 14 10:0
실시예 15 8:2
실시예 16 5:5
실시예 17 2:8
비교예 6 0:10
실험 4 - 내열성
실시예 14 내지 17 및 비교예 6의 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하여 코팅막을 형성한 후, 약 0.5torr의 압력에서 진공 챔버 건조(VCD)를 진행한 후, 약 110℃에서 약 150초간 가열하여 약 2.0㎛의 두께를 갖는 필름을 형성하였다. 상기 필름을 노광한 후, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액을 이용하여 약 75초 동안 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 상기 포토레지스트 패턴을 일정한 온도에서 약 150초간 가열한 후, 패턴의 프로파일을 관찰하여, 리플로우가 발생하는 온도를 측정하였다. 얻어진 측정 결과는 아래의 표 4에 나타내었다.
리플로우 온도 (℃)
실시예 14 145
실시예 15 140
실시예 16 135
실시예 17 130
비교예 6 125
상기 실험 결과들을 참조하면, 본 발명의 실시예들을 이용하여 내열성이 개선된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있음을 알 수 있다. 다만, 살리실알데하이드의 함량이 과도하게 큰 경우, 잔막률이 저하될 수 있으며, 자일레놀의 함량이 과도하게 큰 경우, 잔사가 발생할 수 있다. 따라서, 노볼락 수지를 형성하기 위한 모노머 혼합물에서, 살리실알데하이드의 함량은 약 30중량% 내지 약 50중량%, 자일레놀의 함량은 약 20중량% 내지 30중량%인 것이 보다 바람직할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 200: 베이스 기판 PR1, PR2 : 포토레지스트 패턴
GE : 게이트 전극 SE : 소스 전극
DE : 드레인 전극 PE : 화소 전극
SL : 희생층 110 : 게이트 절연층
120 : 반도체층 130 : 오믹 콘택층
140 : 소스 금속층 150 : 패시베이션층
160 : 유기 절연층

Claims (20)

  1. 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드(salicylaldehyde)를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어진 노볼락 수지;
    디아지드계 감광제; 및
    용매를 포함하는 포토레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 노볼락 수지 5 중량% 내지 30 중량%, 디아지드계 감광제 2 내지 10 중량% 및 여분의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 노볼락 수지는 아래의 화학식 1로 나타내지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
    <화학식 1>
    Figure pat00003

    (화학식 1에서, n, m, p 및 q는 각각 0보다 크며, 합은 100이다.)
  4. 제2항에 있어서, 상기 노볼락 수지의 중량평균분자량은 10,000 내지 25,000인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 상기 모노머 혼합물은, 자일레놀 20중량% 내지 30중량%, 살리실알데하이드 30중량% 내지 50중량% 및 크레졸 혼합물 20중량% 내지 50중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 크레졸 혼합물은 메타크레졸 및 파라크레졸을 포함하며, 상기 메타크레졸과 파라크레졸의 중량비는 7:3 내지 3:7인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  7. 제2항에 있어서, 상기 디아지드계 감광제는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  8. 제2항에 있어서, 상기 용매는 글리콜에테르류, 에틸렌글리콜 알킬에테르아세테이트류 및 디에틸렌글리콜류로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  9. 제2항에 있어서, 계면활성제 및 접착력 강화제를 포함하는 첨가제 0.1 중량% 내지 3 중량%를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  10. 베이스 기판에 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트 금속 패턴을 커버하는 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연층 위에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 반도체층 위에 소스 금속층을 형성하는 단계;
    상기 소스 금속층 위에, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어진 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 코팅하여 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트층을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 소스 금속층 및 상기 반도체층을 식각하여, 소스 금속 패턴 및 액티브 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시 기판의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 소스 금속 패턴 및 상기 액티브 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 소스 금속층을 습식 식각하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하여, 상기 소스 금속층을 부분적으로 노출하는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 소스 금속층 및 상기 반도체층을 건식 식각하여, 상기 소스 금속 패턴 및 상기 액티브 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 소스 금속층은 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴의 3중층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 반도체층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은, 노볼락 수지 5 중량% 내지 30 중량%, 디아지드계 감광제 2 내지 10 중량% 및 여분의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 노볼락 수지는 아래의 화학식 1로 나타내지는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
    <화학식 1>
    Figure pat00004

    (화학식 1에서, n, m, p 및 q는 각각 0보다 크며, 합은 100이다.)
  16. 제14항에 있어서, 상기 모노머 혼합물은, 자일레놀 20중량% 내지 30중량%, 살리실알데하이드 30중량% 내지 50중량% 및 크레졸 혼합물 20중량% 내지 50중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  17. 베이스 기판에 게이트 전극, 액티브 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 위에, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어진 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 코팅하여 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층을 커버하는 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 위에 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 희생층을 제거하여 터널상 공동을 형성하는 단계; 및
    상기 터널상 공동 내에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 기판의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 희생층을 제거하는 단계는,
    상기 희생층을 노광하는 단계; 및
    상기 희생층에 현상액을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 노볼락 수지는 아래의 화학식 1로 나타내지는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
    <화학식 1>
    Figure pat00005

    (화학식 1에서, n, m, p 및 q는 각각 0보다 크며, 합은 100이다.)
  20. 제17항에 있어서, 상기 모노머 혼합물은, 자일레놀 20중량% 내지 30중량%, 살리실알데하이드 30중량% 내지 50중량% 및 크레졸 혼합물 20중량% 내지 50중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
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