KR20150093452A - Apparatus and method of detecting anti-counterfeiting pattern - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 위조방지 패턴 감지장치 및 감지방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 가공시스템을 이용하여 생성한 위조방지 패턴을 감지하는 장치 및 감지하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for detecting an anti-fake pattern, and more particularly, to an apparatus and method for detecting an anti-fake pattern generated using a laser processing system.
최근 진위여부를 쉽게 가리기 어려울 정도로 정교하게 위조된 10만원권 위조 수표가 나타나는 등 위·변조 사건이 위험수위에 이르렀다고 판단한 금융감독당국은 위조 사건이 빈발한 수표의 불법 위·변조를 방지하기 위하여 수표의 사용 절차 개선 및 수표 디자인·재질 변경 등의 다양한 방안을 검토하고 있다고 한다.The Financial Supervisory Authority, which has determined that the incident occurred at a dangerous level, such as the appearance of counterfeit check for 100,000 won, which is so precisely falsified that it is difficult to easily hide the truth, recently, And to examine various methods such as improvement of the use procedure and design of the check and material change.
수표 위조 방지 분야에서는 돌출 은화, 무궁화 은화, 이색성 형광 잉크 등의 기술이 적용되고 있으나, 보통 자외선이나 밝은 빛을 비추어 위조 여부를 관찰하게 되어 있다. 대부분 육안으로 판정하기 때문에 판별자 개인에 따른 오차가 있을 수 있다.In the field of anti-counterfeiting checks, techniques such as protruding silver, mugunghwa silver, and dichromatic fluorescent ink are applied, but they are usually observed for falsification in the light of ultraviolet rays or bright light. Since it is mostly judged by the naked eye, there may be an error depending on the discriminator individual.
따라서 보다 적은 비용으로 보다 신속하게 위조방지 패턴을 생성하여 수표 등의 대상에 적용할 수 있는 위조방지 패턴 생성기술과 이러한 위조방지 패턴을 적은 비용으로 신속하게 감지할 수 있는 위조방지 패턴 감지기술의 도입이 요구되고 있다.Therefore, anti-countermeasure pattern generation technology that can generate anti-counterfeit patterns more quickly at a lower cost and can be applied to objects such as checks, and introduction of anti-countermeasure pattern detection technology capable of detecting these anti-counterfeit patterns at a low cost quickly .
뿐만 아니라, 수표 이외에도 명품, 보석류, 고문서, 기밀 문서, 여권 등 다양한 분야에서 위조방지 기술이 요구되고 있는 실정이다.In addition, anti-counterfeiting technology is required in various fields such as luxury goods, jewelery, old documents, confidential documents and passports in addition to checks.
상기한 바와 같은 기술적 배경을 바탕으로, 본 발명의 일 측면은 레이저 측정시스템을 이용하여 마이크로미터 또는 나노미터 스케일의 위조방지 패턴을 감지하는 장치를 제공하고자 한다.Based on the technical background as described above, one aspect of the present invention provides an apparatus for detecting an anti-fake pattern on a micrometer scale or a nanometer scale using a laser measurement system.
본 발명의 다른 일 측면은 레이저 측정시스템을 이용하여 마이크로미터 또는 나노미터 스케일의 위조방지 패턴을 감지하는 방법을 제공하고자 한다.Another aspect of the present invention is to provide a method for detecting an anti-fake pattern on a micrometer scale or a nanometer scale using a laser measurement system.
본 발명의 일 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치는, 위조방지 패턴이 형성된 대상물에서 상기 위조방지 패턴이 방향성을 갖는 복수 개의 미세 패턴부를 포함하고, 상기 미세 패턴부는 동일한 방향으로 연장된 복수 개의 미세 요철을 구비할 때, 상기 대상물로부터 상기 위조방지 패턴을 감지하는 장치로서, 레이저 빔을 방출하는 레이저 발진기와, 상기 레이저 빔을 집광하여 방향성을 갖는 미세 패턴부로 이루어진 상기 위조방지 패턴에 조사하는 제1 렌즈와, 상기 위조방지 패턴으로부터 반사되면서 회절된 인식 패턴을 촬영하는 촬영기, 및 상기 촬영된 인식 패턴을 분석하여 식별기호를 감지하는 감지기를 포함한다.The anti-fake pattern detecting apparatus according to an embodiment of the present invention includes a plurality of fine pattern units having directionality in an anti-fake pattern on an object on which an anti-fake pattern is formed, and the fine pattern unit includes a plurality of fine 1. An apparatus for detecting an anti-fake pattern from an object, the apparatus comprising: a laser oscillator for emitting a laser beam; a first laser source for condensing the laser beam to irradiate the anti- A lens, a photographing device for photographing a recognition pattern diffracted while being reflected from the anti-fake pattern, and a sensor for analyzing the photographed recognition pattern to detect an identification symbol.
상기 대상물과 상기 촬영기 사이에 위치하여 상기 위조방지 패턴으로부터 반사된 레이저 빔을 통과시켜 상기 촬영기로 전달하는 제2 렌즈를 더 포함할 수 있다.And a second lens positioned between the object and the photographing device to transmit the laser beam reflected from the anti-fake pattern to the photographing device.
상기 촬영기는 CCD (Charge-coupled Device) 카메라가 될 수 있다.The camera may be a CCD (Charge-coupled Device) camera.
상기 대상물을 지지하면서 이동 가능하도록 구성된 스테이지를 더 포함할 수 있다.And a stage configured to be movable while supporting the object.
상기 감지기는, 상기 촬영된 인식 패턴의 이미지를 변환하여 광 스팟 정렬각도를 산출하는 이미지 변환부와, 상기 이미지 변환기와 연결되며, 미리 설정된 가공 회전 정밀도를 기준으로 상기 산출된 광 스팟 정렬각도가 오차 범위 내에 속하는지 판단하는 오차 확인부, 및 상기 오차 확인부와 연결되며, 미리 설정된 식별기호 대응 기준에 따라 상기 측정된 광 스팟 정렬각도에 대응되는 식별기호를 산출하는 식별기호 산출부를 포함할 수 있다.Wherein the detector comprises: an image converter for converting an image of the photographed recognition pattern to calculate a light spot alignment angle; and a controller, connected to the image converter, And an identification symbol calculating unit connected to the error checking unit and calculating an identification symbol corresponding to the measured light spot alignment angle according to a preset reference symbol correspondence criterion .
상기 이미지 변환부는, 상기 위조방지 패턴에 포함된 기준 패턴부를 감지하여 상기 광 스팟 정렬각도의 측정 기준선을 제공할 수 있다.The image conversion unit may detect a reference pattern part included in the anti-fake pattern and provide a measurement reference line for the light spot alignment angle.
본 발명의 일 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지방법은, 위조방지 패턴이 형성된 대상물로부터 상기 위조방지 패턴을 감지하는 방법으로서, 레이저 발진기로부터 레이저 빔을 방출하는 단계와, 상기 레이저 빔을 집광하여 방향성을 갖는 미세 패턴부로 이루어진 상기 위조방지 패턴에 조사하는 단계와, 상기 위조방지 패턴으로부터 반사되면서 회절된 인식 패턴을 촬영하는 촬영단계, 및 상기 촬영된 인식 패턴을 분석하여 식별기호를 감지하는 감지단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for detecting an anti-fake pattern from an object having an anti-fake pattern, the method comprising: emitting a laser beam from a laser oscillator; A step of photographing a recognition pattern diffracted while being reflected from the anti-falsification pattern, and a sensing step of analyzing the photographed recognition pattern to detect an identification symbol .
상기 촬영단계는 CCD (Charge-coupled Device) 카메라를 이용하여 상기 인식 패턴을 촬영할 수 있다.The photographing step may photograph the recognition pattern using a CCD (Charge-coupled Device) camera.
상기 위조방지 패턴은 서로 다른 방향성을 갖는 복수 개의 미세 패턴부를 포함하고, 상기 촬영단계는, 상기 위조방지 패턴이 형성된 대상물을 이동하면서 복수 개의 미세 패턴부 각각에 상기 레이저 빔을 조사하여 반사된 각각의 상기 인식 패턴을 촬영할 수 있다.Wherein the anti-fake pattern includes a plurality of fine pattern portions having different directions, and the photographing step includes irradiating each of the plurality of fine pattern portions with the laser beam while moving the object on which the anti-fake pattern is formed, The recognition pattern can be photographed.
상기 방향성을 갖는 미세 패턴부 각각은 동일한 방향으로 연장된 복수 개의 미세 요철을 포함하고 있으며, 상기 복수 개의 미세 패턴부 각각에 대한 상기 인식 패턴은 상기 미세 요철의 연장 방향에 수직한 방향으로 정렬된 복수 개의 광 스팟(spot)으로 나타날 수 있다.Wherein each of the fine pattern portions having directionality includes a plurality of fine irregularities extending in the same direction, and the recognition pattern for each of the plurality of fine pattern portions includes a plurality of fine patterns arranged in a direction perpendicular to the extending direction of the fine irregularities Lt; RTI ID = 0.0 > light spots. ≪ / RTI >
상기 미세 요철의 피치는 100nm 내지 100㎛ 의 범위에 속하도록 형성될 수 있다.The pitch of the fine irregularities may be in the range of 100 nm to 100 탆.
상기한 바와 같은 위조방지 패턴 감지장치에 의하면, 보다 적은 비용으로 보다 신속하게 위조방지 패턴을 감지할 수 있다.According to the above-described anti-fake pattern detecting apparatus, the anti-fake pattern can be detected more quickly at a lower cost.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치를 이용하여 진위 여부 및 암호화된 식별기호를 확인하기 위한 대상물의 위조방지 패턴의 일례를 도시한 사시도이다.
도 2a, 2b 및 2c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치를 도시한 구성도로서, 도 2a는 제1 미세 패턴부를 감지하는 상태를 도시한 것이고, 도 2b는 제2 미세 패턴부를 감지하는 상태를 도시한 것이며, 도 2c는 제3 미세 패턴부를 감지하는 상태를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치의 감지기 구성을 도시한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지방법을 도시한 순서도이다.
도 5는 위조방지 패턴의 식별기호화 예시를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지방법에 의해 감지하는 위조방지 패턴의 일례를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지방법에 의해 감지하는 위조방지 패턴을 대상물에 부착한 일례를 도시한 도면이다.
도 8은 위조방지 패턴을 수표에 적용하여 생성하고 감지하는 과정을 도시한 순서도이다.1 is a perspective view illustrating an example of an anti-falsification pattern of an object for confirming authenticity and an encrypted identification using an anti-falsification pattern sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2A, 2B, and 2C are diagrams illustrating a device for detecting an anti-fog pattern according to a first embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A illustrates a state of sensing a first fine pattern portion, And FIG. 2C shows a state of sensing the third fine pattern portion.
3 is a block diagram illustrating the configuration of a detector of the anti-fake pattern detecting apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method for detecting an anti-fake pattern according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a view for explaining an example of the identification of the anti-fake pattern.
6 is a view illustrating an example of an anti-falsification pattern detected by the anti-falsification pattern detecting method according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view illustrating an example in which an anti-falsification pattern detected by the anti-falsification pattern sensing method according to the second embodiment of the present invention is attached to an object.
8 is a flowchart showing a process of generating and detecting an anti-falsification pattern by applying it to a check.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be readily apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.
본 발명에 있어서 "~상에"라 함은 대상부재의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력방향을 기준으로 상부에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.The term "on " in the present invention means to be located above or below the object member, and does not necessarily mean that the object is located on the upper side with respect to the gravitational direction.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치를 이용하여 진위 여부 및 암호화된 식별기호를 확인하기 위한 대상물의 위조방지 패턴의 일례를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating an example of an anti-falsification pattern of an object for confirming authenticity and an encrypted identification using an anti-falsification pattern sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 대상물에 가공된 위조방지 패턴(51)의 미세 패턴부(51a, 51b, 51c)에는 방향성을 갖는 미세 요철이 형성되는데, 상기 방향성을 갖는 미세 요철은 일정한 간격의 홈(groove, 표면에 오목하고 길게 팬 라인 형상)이 규칙적으로 배열된 구조를 의미한다. 이 때, 상기 미세 패턴부(51a, 51b, 51c)에 형성된 홈의 피치(pitch)는 100nm 내지 100㎛ 의 범위에 속하도록 형성될 수 있다. 상기 홈의 피치가 100㎛ 를 초과하는 경우에는 레이저 빔을 상기 미세 패턴부(51a, 51b, 51c)에 조사하더라도 회절 현상이 일어나지 않고 홈의 패턴이 그대로 반사되며, 100nm 미만인 경우에는 레이저 가공을 통해 형성하기 어려운 문제점이 있다.Referring to FIG. 1, the
상기 미세 패턴부(51a, 51b, 51c)는 각각 서로 다른 방향으로 미세 요철이 연장하도록 형성될 수 있는데, 제1 미세 패턴부(51a)는 세로방향(또는 미세 패턴부 배열방향에 수직한 방향)으로 연장된 미세 요철을 포함하고, 제2 미세 패턴부(51b)는 가로방향(또는 미세 패턴부 배열방향에 나란한 방향)으로 연장된 미세 요철을 포함하며, 제3 미세 패턴부(51c)는 사선방향으로 연장된 미세 요철을 포함할 수 있다.The
따라서 방향성을 갖는 미세 패턴부의 미세 요철 연장 방향을 바꾸어가며 형성하고, 각 방향에 따른 식별기호를 대응시켜 설정함으로써 위조방지 패턴을 암호화 할 수 있다.Therefore, it is possible to encrypt the anti-fake pattern by forming the minute concavo-convex extending direction of the directionally fine pattern portion with changing direction and by setting the identification symbol corresponding to each direction.
도 2a, 2b 및 2c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치를 도시한 구성도로서, 도 2a는 제1 미세 패턴부를 감지하는 상태를 도시한 것이고, 도 2b는 제2 미세 패턴부를 감지하는 상태를 도시한 것이며, 도 2c는 제3 미세 패턴부를 감지하는 상태를 도시한 것이다.2A, 2B, and 2C are diagrams illustrating a device for detecting an anti-fog pattern according to a first embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A illustrates a state of sensing a first fine pattern portion, And FIG. 2C shows a state of sensing the third fine pattern portion.
도 2a를 참조하면, 본 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치는 레이저 발진기(10), 제1 렌즈(46), 제2 렌즈(48), 촬영기(60) 및 감지기(70)를 포함하고 있다. 레이저 발진기(10)는 레이저 빔(L)을 방출하며, 상기 방출된 레이저 빔(L)은 제1 렌즈(46)에 의해 집광되어 위조방지 패턴(51)이 형성된 대상물(50)의 위조방지 패턴(51)에 조사된다. 상기 레이저 빔(L)은, 일례로, 632nm 파장의 레이저 빔을 이용할 수 있다. 레이저 빔(L)은 위조방지 패턴(51)에 의해 반사되면서 회절되어 제2 렌즈(48)를 통과하여 촬영기(60)에 도달한다. 촬영기(60)는 상기 도달한 레이저 빔(L)의 인식 패턴을 촬영하여 이미지를 저장한다. 감지기(70)는 저장된 인식 패턴으로부터 미리 설정된 식별기호를 감지해 낸다.2A, the anti-fake pattern detecting apparatus according to the present embodiment includes a
상기 제1 렌즈(46)의 일례로 집광 렌즈가 사용될 수 있고, 제2 렌즈(48)의 일례로 텔레센트릭 렌즈 또는 에프-쎄타 렌즈가 사용될 수 있다. 그리고 상기 촬영기(60)의 일례로 CCD(Charge-coupled Device) 카메라가 적용될 수 있다. As an example of the
위조방지 패턴(51)은 레이저 가공시스템을 이용하여 복수 개의 서로 다른 방향성의 미세 패턴부를 갖는 패턴으로 형성할 수 있다. 일례로, 상기 위조방지 패턴(51)은 제1 미세 패턴부(51a), 제2 미세 패턴부(51b) 및 제3 미세 패턴부(51c)를 포함할 수 있으며, 이들 각각은 서로 다른 연장방향을 갖는 미세 요철을 구비하고 있다. 상기 미세 요철은 피치가 마이크로미터 스케일 또는 나노미터 스케일이 되도록 형성될 수 있으며, 일례로, 상기 미세 요철에서 홈의 피치는 100nm 내지 100㎛ 의 범위에 속하도록 형성될 수 있다. 상기 위조방지 패턴(51)은 필요에 따라 다른 복수 개의 미세 패턴부를 구비할 수 있다.The
이와 같이 복수 개의 미세 패턴부를 구비한 위조방지 패턴(51)을 감지하기 위하여 본 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치는 상기 대상물(50)을 지지하면서 이동 가능하도록 구성된 스테이지(56)를 더 포함할 수 있다. 즉, 도 1a에 나타난 바와 같이 제1 미세 패턴부(51a)에 레이저 빔(L)을 조사하여 제1 미세 패턴부(51a)의 인식 패턴을 감지하고, 스테이지(56)를 이동시켜 도 2b 및 2c에 나타난 바와 같이 제2 미세 패턴부(51b) 및 제3 미세 패턴부(51c)에 각각 레이저 빔(L)을 조사하여 각 미세 패턴부의 인식 패턴을 감지할 수 있다.In order to sense the
즉, 도 2a를 참조하면, 제1 미세 패턴부(51a)에 레이저 빔(L)을 조사한 경우에 복수 개의 광 스팟이 한 방향으로 정렬된 회절 패턴이 생성될 수 있다. 이 때, 상기 회절 패턴 중에서 가운데 가장 밝은 광 스팟이 0차 회절광에 의한 것이고, 그 양 옆의 광 스팟이 1차 회절광에 의한 것이며, 그 외에 2차, 3차 등의 고차항 회절광이 일렬로 정렬하게 된다. 상기 회절 패턴의 광 스팟 정렬 방향은 상기 제1 미세 패턴부(51a)의 미세 요철 연장 방향에 수직한 방향이 될 수 있다.That is, referring to FIG. 2A, when the laser beam L is irradiated on the first
도 2b 및 도 2c를 참조하면, 제2 미세 패턴부(51b)와 제3 미세 패턴부(51c)에 레이저 빔(L)을 조사한 경우에는 각각 미세 요철 연장방향이 회전한 각도에 따라 생성되는 회절 패턴의 광 스팟 정렬 방향도 회전하게 된다. 따라서 측정 기준선을 미리 설정한 다음, 각 미세 패턴부로부터 생성되는 회절 패턴의 광 스팟 정렬 각도를 측정함으로써 미세 패턴부로 구성되는 위조방지 패턴의 식별기호를 감지해 낼 수 있다.2B and 2C, when the laser beam L is irradiated to the second
본 실시예에서는 스테이지(56)를 구비하여 대상물을 이동하면서 복수 개의 미세 패턴부를 감지하는 장치를 설명하였으나, 상기 위조방지 패턴(51)에 조사되는 레이저 빔(L)의 경로를 제어함으로써 복수 개의 미세 패턴부를 감지하는 장치를 구성할 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.The device for sensing a plurality of fine pattern portions while moving the object is provided with the
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치의 감지기 구성을 도시한 블록도이다.3 is a block diagram illustrating the configuration of a detector of the anti-fake pattern detecting apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 감지기(70)는 이미지 변환부(72), 오차 확인부(74), 식별기호 산출부(76) 및 디스플레이부(78)를 포함한다.3, the
이미지 변환부(72)는 촬영기(60)에 의해서 촬영된 회절 인식 패턴의 이미지를 변환하여 광 스팟 정렬 각도를 산출한다. 즉, 상기 회절 패턴으로부터 확인되는 광 스팟 정렬 방향을 측정하고, 미리 설정한 측정 기준선에 대한 상기 광 스팟 정렬 방향의 각도를 측정함으로써 광 스팟 정렬 각도를 산출할 수 있다.The
오차 확인부(74)는 미리 설정된 가공 회전 정밀도(가공오차 허용각도)를 기준으로 상기 산출된 광 스팟 정렬각도가 오차 범위에 속하는지를 판단한다. 상기 오차 확인부(74)는 디스플레이부(78)와 연결되어 광 스팟 정렬각도가 오차 범위를 벗어나는 경우에는 위조임을 표시하게 할 수 있다.The
식별기호 산출부(76)는 미리 설정된 식별기호 대응 기준에 따라 상기 측정된 광 스팟 정렬각도에 대응되는 식별기호로 변환한다. 식별기호는 문자 또는 숫자가 될 수 있으며, 복수 개의 미세 패턴부 각각에 대한 식별기호를 산출하게 되면 일련의 문자 또는 숫자 열이 확인되며, 이를 통해서 암호화된 위조방지 패턴을 검출할 수 있다.The
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지방법을 도시한 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method for detecting an anti-fake pattern according to a second embodiment of the present invention.
도 4를 참조하여, 상기한 위조방지 패턴 감지장치를 이용하여 위조방지 패턴 감지방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 4, the anti-falsification pattern detecting method using the anti-falsification pattern detecting apparatus will be described as follows.
먼저, 레이저 발진기(10)로부터 레이저 빔(L)을 방출한다(S110).First, the laser beam L is emitted from the laser oscillator 10 (S110).
다음으로, 상기 레이저 빔(L)을 집광하여 위조방지 패턴(51)이 형성된 대상물(50)의 상기 위조방지 패턴(51)에 조사한다(S120).Next, the laser beam L is condensed to irradiate the
즉, 레이저 발진기(10)로부터 방출된 레이저 빔(L)을 제1 렌즈(46)로 통과시켜 집광한 후 위조방지 패턴(51)에 조사한다. 상기 위조방지 패턴(51)에 조사된 레이저 빔(L)은 반사되면서 회절된 회절광이 되어 제2 렌즈(48)로 입사될 수 있다. 상기 제2 렌즈(48)를 통과한 회절광은 서로 간섭되어 인식 패턴을 형성한다.That is, the laser beam L emitted from the
상기 위조방지 패턴은 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 방향성을 갖는 미세 패턴부로 이루어질 수 있다.As described with reference to Fig. 1, the anti-fake pattern may be a fine pattern portion having a directionality.
다음으로, 상기 위조방지 패턴(51)으로부터 반사되면서 회절된 인식 패턴을 촬영한다(S130).Next, the recognition pattern diffracted while being reflected from the
촬영기로 CCD 카메라를 이용하여 상기 인식 패턴을 촬영할 수 있다. 인식 패턴은 상기 위조방지 패턴(51)의 각 미세 패턴부의 형상에 따라 서로 다른 형태의 인식 패턴을 나타낼 수 있다.The recognition pattern can be photographed using a CCD camera as a photographing device. The recognition pattern may represent different types of recognition patterns depending on the shape of each fine pattern portion of the
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 위조방지 패턴(51)은 서로 다른 각도의 미세 요철 연장방향을 갖는 제1 미세 패턴부(51a), 제2 미세 패턴부(51b) 및 제3 미세 패턴부(51c)를 구비할 수 있으며, 각 미세 패턴부로부터 반사되어 회절된 인식 패턴은 상기 각 미세 패턴부의 미세 요철 연장방향에 수직한 방향으로 정렬된 복수 개의 광 스팟(spot)으로 나타날 수 있다. 따라서 상기 인식 패턴은 미리 설정된 기준에 대해 상기 각 미세 패턴부의 미세 요철 연장방향 각도에 대응하는 광 스팟 정렬 각도를 나타낼 수 있다.2A to 2C, the
한편, 촬영기와 미세 패턴부 사이의 거리에 따라서 측정 정밀도가 달라질 수 있다. 일례로, 촬영기의 위치가 미세 패턴부로부터 더 멀리 떨어져 위치할수록 광 스팟 정렬 각도의 변화 또는 오차에 더 민감할 수 있다. 따라서 미세 패턴부의 가공 시 회전 정밀도에 따라서 최적의 촬영기 위치를 결정할 필요가 있다.On the other hand, the measurement accuracy may vary depending on the distance between the photographing device and the fine pattern portion. For example, as the position of the camera is further away from the fine pattern portion, it may be more sensitive to variations or errors in the light spot alignment angle. Therefore, it is necessary to determine the optimum camera position in accordance with the rotation accuracy during processing of the fine pattern portion.
다음으로, 촬영된 인식 패턴을 분석하여 식별기호를 감지한다(S140).Next, an identification symbol is detected by analyzing the photographed recognition pattern (S140).
상기 촬영단계에서 각 미세 패턴부에 따라 서로 다른 형태의 인식 패턴이 촬영되어 저장되며, 이러한 인식 패턴은 미리 설정된 기준에 따라 식별기호로 변환되어 감지할 수 있다. 즉, 상기 제1 미세 패턴부(51a), 제2 미세 패턴부(51b) 및 제3 미세 패턴부(51c)로부터 촬영된 제1 인식 패턴, 제2 인식 패턴 및 제3 인식 패턴은 각각 서로 다른 광 스팟 정렬 각도를 나타낼 수 있고, 이렇게 나타난 광 스팟 정렬 각도는 각도 값에 따라 정해진 식별기호로 변환될 수 있다. 상기 정해진 식별기호가 숫자인 경우에는 일련의 번호 값을 산출할 수 있고, 상기 정해진 식별기호가 알파벳과 같은 문자인 경우에는 일련의 문자열을 산출할 수 있다.In the photographing step, different types of recognition patterns are photographed and stored according to the respective fine pattern portions, and the recognition patterns are converted into identification symbols according to preset criteria and can be sensed. That is, the first recognition pattern, the second recognition pattern, and the third recognition pattern photographed from the first
도 5는 위조방지 패턴의 식별기호화 예시를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.Fig. 5 is a view for explaining an example of the identification of the anti-fake pattern.
위조방지 패턴의 미세 패턴부로 미리 설정된 미세 요철 연장방향 각도를 갖는 미세 패턴(나노미터 또는 마이크로미터 스케일의 패턴)이 형성되는 경우에 측정 기준선에 대한 인식 패턴의 광 스팟 정렬 각도 범위에 따라 문자를 대응시켜 식별기호를 산출할 수 있다.When a fine pattern (a pattern of a nanometer or micrometer scale) having a fine concavo-convex extending direction angle set in advance is formed in the fine pattern portion of the anti-fake pattern, the character corresponds to the light spot alignment angle range of the recognition pattern for the measurement reference line The identification symbol can be calculated.
일례로, 도 5를 참조하면, 인식 패턴의 광 스팟 정렬 각도가 9°~11° 범위에 속하는 경우 "A"라는 문자에 대응시키고, 19°~21° 범위에 속하는 경우 "B"라는 문자에 대응시키며, 29°~31°, 39°~41° 등은 각각 "C", "D" 등에 대응시킬 수 있다.For example, referring to FIG. 5, when the light spot alignment angle of the recognition pattern belongs to the range of 9 ° to 11 °, it corresponds to the letter "A", and when it belongs to the range of 19 ° to 21 °, And 29 ° to 31 °, 39 ° to 41 °, and the like can correspond to "C" and "D", respectively.
레이저 가공시스템을 이용하여 위조방지 패턴의 미세 패턴부를 가공할 때, 가공 회전 정밀도를 ±1°로 설정한 상태에서 가공 기준선에 대해 미세 요철 연장방향 각도가 각각 10°, 20° 등이 되도록 가공할 수 있으며, 이렇게 가공된 미세 패턴부로부터 감지된 인식 패턴은 적어도 상기 설정된 광 스팟 정렬 각도의 문자 대응 범위에 속하게 된다.When the fine pattern portion of the anti-fake pattern is machined using the laser processing system, the machining rotation accuracy is set to ± 1 °, and the machining base line is machined such that the angles in the fine concave and convex extending directions are 10 ° and 20 °, respectively And the recognition pattern sensed from the processed fine pattern part belongs to at least the character correspondence range of the set light spot alignment angle.
따라서 위조방지 패턴의 미세 패턴부로부터 감지된 인식 패턴의 광 스팟 정렬 각도가 측정 기준선에 대해 상기 문자 대응 범위를 벗어난 범위(D, 데드 존, dead zone)에 속하는 경우에는 위조된 패턴으로 판단할 수 있다. 도 5를 참조할 때, 측정된 광 스팟 정렬각도가 11°~19° 사이에 위치하게 된다면, 이러한 위조방지 패턴을 구비한 문서 등은 위조된 것으로 판단할 수 있다. 즉, 공식적인 위조방지 패턴 생성장치에 설정된 미세 패턴(나노미터 또는 마이크로미터 스케일의 패턴)의 미세 요철 연장방향 각도의 대응 식별기호 값과 가공 회전 정밀도(가공오차 허용각도)를 기밀사항으로 하면, 위조범이 미세 패턴부의 미세 요철 연장방향 각도를 알아 낸다고 하더라도 가공 회전 정밀도(가공오차 허용각도)를 알 수 없기 때문에 똑같은 미세 패턴부를 위조하는 것은 불가능하다고 할 수 있다.Therefore, when the light spot alignment angle of the recognition pattern detected from the fine pattern portion of the anti-fake pattern belongs to a range (D, dead zone) out of the character correspondence range with respect to the measurement reference line, have. Referring to FIG. 5, if the measured light spot alignment angle is between 11 degrees and 19 degrees, a document or the like having such an anti-falsification pattern can be judged to be falsified. That is, when the corresponding identification symbol value of the fine concavo-convex extension direction angle of the fine pattern (pattern of the nanometer or micrometer scale) set in the official anti-falsification pattern generating device and the machining rotation accuracy (machining error tolerance angle) It is impossible to forge the same fine pattern portion because it is impossible to know the machining rotation accuracy (machining error allowance angle) even if the angle of the fine pattern portion in the direction of extending the fine concave and convex is found.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지방법에 의해 감지하는 위조방지 패턴의 일례를 도시한 도면이다.6 is a view illustrating an example of an anti-falsification pattern detected by the anti-falsification pattern detecting method according to the second embodiment of the present invention.
위조방지 패턴이 복수 개의 미세 패턴부를 가지도록 가공된 경우 대상물의 고정 위치에 따라 상기 위조방지 패턴이 비뚤게 위치할 수 있으며, 이러한 상태에서 상기 미세 패턴부의 미세 요철 형성 각도를 측정하게 되면 대상물 고정 위치의 변동에 따라 측정 오차가 발생할 수 있다.When the anti-fake pattern is machined to have a plurality of fine pattern portions, the anti-fake pattern may be positioned in a skewed manner according to the fixed position of the object. In this state, when the fine unevenness forming angle of the fine pattern portion is measured, A measurement error may be generated.
따라서 위조방지 패턴 가공 시, 기준 패턴부를 가공하고, 위조방지 패턴 감지 시 기준 패턴부의 광 스팟 정렬 각도를 측정 기준선으로 나머지 미세 패턴부의 광 스팟 정렬 각도 값을 산출할 수 있다.Therefore, when processing the anti-fake pattern, the reference pattern portion can be processed and the light spot alignment angle value of the remaining fine pattern portion can be calculated using the light spot alignment angle of the reference pattern portion as the measurement reference line when the anti-fake pattern is detected.
일례로, 도 6에 도시된 바와 같이, 첫 번째 미세 패턴부(P1)와 마지막 미세 패턴부(Pn)의 홈 형성 각도는 동일하게 0°가 되도록 가공하고, 측정 시에 위조방지 패턴이 비뚤게 고정되어 각 미세 패턴부의 광 스팟 정렬 각도가 측정된 경우, 감지부에서 상기 첫 번째 미세 패턴부(P1)와 마지막 미세 패턴부(Pn)의 광 스팟 정렬 각도가 0°가 되도록 측정 기준선을 잡은 다음, 이 측정 기준선에 대한 다른 미세 패턴부의 광 스팟 정렬 각도의 회전 각도를 계산할 수 있다.For example, as shown in FIG. 6, the groove forming angles of the first fine pattern portion P1 and the last fine pattern portion Pn are processed so as to be equal to 0 °, and the anti- When the light spot alignment angle of each fine pattern portion is fixed, a sensing reference line is set so that the light spot alignment angle of the first fine pattern portion P1 and the last fine pattern portion Pn is 0 ° at the sensing portion , The rotation angle of the light spot alignment angle of the other fine pattern portion with respect to this measurement reference line can be calculated.
상기 감지부의 이미지 변환부는 상기 위조방지 패턴에 포함된 기준 패턴부를 감지하여 광 스팟 정렬각도의 측정 기준선을 제공할 수 있다.The image converting unit of the sensing unit may detect a reference pattern part included in the anti-fake pattern and provide a measurement reference line for a light spot alignment angle.
또는 스테이지(56)를 움직여 대상물을 정렬한 상태에서 측정하는 것도 가능하다.Alternatively, it is also possible to perform measurement while the object is aligned by moving the
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지방법에 의해 감지하는 위조방지 패턴을 대상물에 부착한 일례를 도시한 도면이다.FIG. 7 is a view illustrating an example in which an anti-falsification pattern detected by the anti-falsification pattern sensing method according to the second embodiment of the present invention is attached to an object.
도 7에 도시된 바와 같이, 위조방지 패턴을 형성할 때, 기준 패턴부의 다른 예로, 얼라인 마크(54)를 함께 가공하고, 감지 시에도 이러한 얼라인 마크(54)에 따라서 대상물을 정렬한 다음 위조방지 패턴(51)을 감지할 수도 있다.As shown in Fig. 7, when forming the anti-fake pattern, another example of the reference pattern portion is to process the alignment marks 54 together and arrange the objects according to the alignment marks 54 upon sensing The
상기 감지부의 이미지 변환부는 상기 위조방지 패턴에 포함된 얼라인 마크(54)를 감지하여 광 스팟 정렬각도의 측정 기준선을 제공할 수 있다.The image converting unit of the sensing unit senses the alignment mark 54 included in the anti-fake pattern to provide a measurement reference line of the light spot alignment angle.
도 8은 위조방지 패턴을 수표에 적용하여 생성하고 감지하는 과정을 도시한 순서도이다. 도 8을 참조하여, 위조방지 패턴을 수표에 적용하여 생성하고 감지하는 과정을 설명한다.8 is a flowchart showing a process of generating and detecting an anti-falsification pattern by applying it to a check. Referring to FIG. 8, a process of generating and detecting an anti-falsification pattern by applying it to a check will be described.
먼저, 암호화 패턴 발행 기관에서 수표에 암호화된 위조방지 패턴을 제작한다(S310). 이 때, 암호화된 기호(숫자 또는 문자)와 상기 수표의 정보(발행연도, 발행기관, 발행금액 등)를 대응시켜 저장해 둔다(S320).First, the encryption pattern issuing organization creates an encrypted anti-fake pattern in the check (S310). At this time, encrypted symbols (numbers or letters) and information of the check (publication year, issuing institution, issued amount, etc.) are stored in association with each other (S320).
다음으로, 시중 은행은 상기 수표를 발행하여 시중에 유통시킨다(S330).Next, the commercial bank issues the check and distributes it to the market (S330).
다음으로, 상기 수표가 다시 시중 은행으로 입수된다(S340).Next, the check is obtained again at a commercial bank (S340).
수표가 시중 은행으로 입수되면, 수표에 표시된 위조방지 패턴을 감지하여 진위 여부를 판단한다(S350). 이 때, 상기 위조방지 패턴의 미세 패턴부가 미리 설정된 오차 범위 내에 속하는지 아니면 데드 존(D)에 속하는지 확인한다. 상기 데드 존(D)에 속하면 위조된 것으로 판단하고 유관 기관에 신고할 수 있다.When the check is received by a commercial bank, the counterfeit prevention pattern displayed on the check is sensed to determine whether the check is authentic (S350). At this time, it is confirmed whether the fine pattern portion of the anti-fake pattern falls within a predetermined error range or belongs to the dead zone D. If it belongs to the dead zone D, it can be determined that it is falsified and reported to the related authority.
진품이라고 판단되면, 상기 위조방지 패턴으로 표시된 인식 패턴을 변환하여 식별기호를 분석해내고, 상기 수표의 일련번호를 확인한다(S360). If it is determined to be genuine, the recognition pattern displayed by the anti-fake pattern is converted to identify the identification number, and the serial number of the check is confirmed (S360).
상기 확인된 일련번호를 통해 수표의 발행연도, 발행기관, 발행 금액 등의 정보를 일치 여부를 확인한다(S370).In step S370, it is confirmed whether the information such as the issuance year, the issuing institution, and the issuance amount of the check is identical with the confirmed serial number.
따라서 본 실시예에 따른 위조방지 패턴이 표시된 수표를 발행하는 은행은 적어도 2가지의 암호화 정보를 보유하고 있을 수 있다. 첫 번째는 미세 패턴부의 광 스팟 정렬 각도에 따른 대응 식별기호 정보를 보유하고 있고, 두 번째는 미세 패턴부의 가공 시 설정되는 회전 정밀도의 범위 정보를 보유하고 있을 수 있다. 은행은 이러한 암호화 정보를 기초로 위조방지 패턴을 감지하고 식별하여 수표의 위조 여부를 판단하고, 수표의 정보를 확인할 수 있다.Therefore, the bank issuing the checks marked with the anti-fake pattern according to the present embodiment may have at least two types of encryption information. The first has corresponding identification symbol information according to the light spot alignment angle of the fine pattern portion and the second may have the range information of the rotation accuracy set when processing the fine pattern portion. Based on this encryption information, the bank can detect and identify the anti-falsification pattern to judge whether the check is falsified or not and check the information of the check.
상기한 바와 같은 방향성을 갖는 미세 패턴부로 이루어진 위조방지 패턴은 수표의 위조 방지 이외에도 명품 제품, 보석류, 고문서, 여권번호, 주민등록증 및 특수분야 마킹 등의 다양한 분야에 적용될 수 있으며, 이렇게 적용된 위조방지 패턴을 본 발명의 실시예에 따른 위조방지 패턴 감지장치를 이용하여 감지함으로써 위조품에 따른 피해를 예방할 수 있다.The anti-counterfeiting pattern made of the fine pattern portion having the above-mentioned direction can be applied to various fields such as a luxury product, a jewelry, an old document, a passport number, a personal identification card and a special field marking, By using the anti-fake pattern detecting device according to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent damage due to counterfeit goods.
예를 들어, 제품 출하 시에 생산 일자, 생산 장소, 모델명 등의 정보를 일련번호로 대응시켜 암호화할 수 있으며, 이 후 다시 대리점 등으로 회귀하였을 때 암호화된 일련번호를 확인하면 그 제품에 대한 진위 여부 뿐만 아니라, 생산 일자, 생산 장소 및 모델명 등을 확인할 수 있다.For example, when a product is shipped, information such as the date of production, place of production, model name, etc. can be encrypted in correspondence with a serial number. If the encrypted serial number is confirmed after returning to the agency, As well as the date of production, place of production and model name.
보석의 경우에도 보석의 내부에 방향성을 갖는 미세 패턴부로 이루어진 위조방지 패턴을 가공해 둔다면, 이러한 패턴을 이용해서 보석의 진위 여부, 가공 일자, 가공 장소, 모델명 등을 암호화 할 수 있고, 이후 감지장치를 통해 식별할 수 있다.In the case of jewels, if an anti-counterfeiting pattern made of a fine pattern portion having a directionality in the inside of the jewel is processed, the authenticity of the jewel, the date of processing, the place of work and the model name can be encrypted using the pattern, . ≪ / RTI >
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And it goes without saying that the invention belongs to the scope of the invention.
10: 레이저 발진기
46: 제1 렌즈
48: 제2 렌즈
50: 대상물
51: 위조방지 패턴
56: 스테이지
60: 촬영기
70: 감지기
72: 이미지 변환부
74: 오차 확인부
76: 식별기호 산출부
78: 디스플레이부
D: 데드 존(dead zone)
L: 레이저 빔10: laser oscillator 46: first lens
48: second lens 50: object
51: anti-fake pattern 56: stage
60: photographing machine 70: detector
72: image conversion unit 74: error check unit
76: identification symbol calculating section 78: display section
D: dead zone L: laser beam
Claims (11)
레이저 빔을 방출하는 레이저 발진기;
상기 레이저 빔을 집광하여 방향성을 갖는 미세 패턴부로 이루어진 상기 위조방지 패턴에 조사하는 제1 렌즈;
상기 위조방지 패턴으로부터 반사되면서 회절된 인식 패턴을 촬영하는 촬영기; 및
상기 촬영된 인식 패턴을 분석하여 식별기호를 감지하는 감지기
를 포함하는 위조방지 패턴 감지장치.Wherein the anti-fake pattern includes a plurality of micropattern portions having directionality in an object on which an anti-fake pattern is formed, and the micro pattern portion has a plurality of micro-irregularities extending in the same direction, The apparatus comprising:
A laser oscillator emitting a laser beam;
A first lens for condensing the laser beam to irradiate the anti-fake pattern formed of a fine pattern portion having a directionality;
A photographing device for photographing the recognition pattern diffracted while being reflected from the anti-fake pattern; And
A sensor for analyzing the photographed recognition pattern and detecting an identification symbol
For detecting an anti-fake pattern.
상기 대상물과 상기 촬영기 사이에 위치하여 상기 위조방지 패턴으로부터 반사된 레이저 빔을 통과시켜 상기 촬영기로 전달하는 제2 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위조방지 패턴 감지장치.The method according to claim 1,
Further comprising a second lens positioned between the object and the photographing device to transmit a laser beam reflected from the anti-fake pattern to the photographing device.
상기 촬영기는 CCD (Charge-coupled Device) 카메라인 것을 특징으로 하는 위조방지 패턴 감지장치.The method according to claim 1,
Wherein the photographing device is a CCD (Charge-coupled Device) camera.
상기 대상물을 지지하면서 이동 가능하도록 구성된 스테이지를 더 포함하는 위조방지 패턴 감지장치.The method according to claim 1,
Further comprising a stage configured to be movable while supporting the object.
상기 감지기는,
상기 촬영된 인식 패턴의 이미지를 변환하여 광 스팟 정렬각도를 산출하는 이미지 변환부;
상기 이미지 변환기와 연결되며, 미리 설정된 가공 회전 정밀도를 기준으로 상기 산출된 광 스팟 정렬각도가 오차 범위 내에 속하는지 판단하는 오차 확인부; 및
상기 오차 확인부와 연결되며, 미리 설정된 식별기호 대응 기준에 따라 상기 측정된 광 스팟 정렬각도에 대응되는 식별기호를 산출하는 식별기호 산출부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 위조방지 패턴 감지장치.The method according to claim 1,
The sensor comprises:
An image converting unit for converting an image of the photographed recognition pattern to calculate a light spot alignment angle;
An error checking unit connected to the image converter and determining whether the calculated optical spot alignment angle is within an error range based on a preset machining rotation accuracy; And
An identification symbol calculating unit connected to the error checking unit and calculating an identification symbol corresponding to the measured light spot alignment angle according to a preset reference symbol correspondence criterion,
And an anti-fake pattern detecting device for detecting the anti-fake pattern.
상기 이미지 변환부는, 상기 위조방지 패턴에 포함된 기준 패턴부를 감지하여 상기 광 스팟 정렬각도의 측정 기준선을 제공하는 것을 특징으로 하는 위조방지 패턴 감지장치.6. The method of claim 5,
Wherein the image conversion unit detects a reference pattern part included in the anti-fake pattern and provides a measurement reference line of the light spot alignment angle.
레이저 발진기로부터 레이저 빔을 방출하는 단계;
상기 레이저 빔을 집광하여 방향성을 갖는 미세 패턴부로 이루어진 상기 위조방지 패턴에 조사하는 단계;
상기 위조방지 패턴으로부터 반사되면서 회절된 인식 패턴을 촬영하는 촬영단계; 및
상기 촬영된 인식 패턴을 분석하여 식별기호를 감지하는 감지단계
를 포함하는 위조방지 패턴 감지방법.A method for detecting the anti-fake pattern from an object on which an anti-fake pattern is formed,
Emitting a laser beam from a laser oscillator;
Collecting the laser beam and irradiating the anti-fake pattern having a directional fine pattern portion;
An imaging step of photographing a recognition pattern diffracted while being reflected from the anti-fake pattern; And
A sensing step of analyzing the photographed recognition pattern and sensing an identification symbol
For detecting the anti-fake pattern.
상기 촬영단계는 CCD (Charge-coupled Device) 카메라를 이용하여 상기 인식 패턴을 촬영하는 것을 특징으로 하는 위조방지 패턴 감지방법.8. The method of claim 7,
Wherein the photographing step photographs the recognition pattern using a CCD (Charge-coupled Device) camera.
상기 위조방지 패턴은 서로 다른 방향성을 갖는 복수 개의 미세 패턴부를 포함하고,
상기 촬영단계는, 상기 위조방지 패턴이 형성된 대상물을 이동하면서 복수 개의 미세 패턴부 각각에 상기 레이저 빔을 조사하여 반사된 각각의 상기 인식 패턴을 촬영하는 것을 특징으로 하는 위조방지 패턴 감지방법.8. The method of claim 7,
Wherein the anti-fake pattern includes a plurality of fine pattern portions having different directions,
Wherein the photographing step radiates the laser beam to each of the plurality of fine pattern parts while moving the object on which the anti-fake pattern is formed, and photographs each of the reflected recognition patterns.
상기 방향성을 갖는 미세 패턴부 각각은 동일한 방향으로 연장된 복수 개의 미세 요철을 포함하고 있으며,
상기 복수 개의 미세 패턴부 각각에 대한 상기 인식 패턴은 상기 미세 요철의 연장방향에 수직한 방향으로 정렬된 복수 개의 광 스팟(spot)으로 나타나는 것을 특징으로 하는 위조방지 패턴 감지방법.10. The method of claim 9,
Each of the fine pattern portions having directionality includes a plurality of fine irregularities extending in the same direction,
Wherein the recognition pattern for each of the plurality of fine pattern portions is represented by a plurality of light spots aligned in a direction perpendicular to the extending direction of the fine irregularities.
상기 미세 요철의 피치는 100nm 내지 100㎛ 의 범위에 속하도록 형성된 것을 특징으로 하는 위조방지 패턴 감지방법.11. The method of claim 10,
Wherein the pitch of the fine irregularities is formed to fall within a range of 100 nm to 100 탆.
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