KR20150087287A - Dc-dc 컨버터들을 갖는 시스템-온-칩 - Google Patents

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Abstract

시스템-온-칩(21)은 스위칭형 전력 컨버터(23)의 전력단의 스위칭 엘리먼트(26)를 구동하기 위해 스위칭 신호를 생성하기 위한 컨트롤러(24)를 포함한다. 전력단은 스위칭 신호에 따른 출력 전압 및 스위칭 엘리먼트에 의한 입력 전압을 생성한다. 컨트롤러(24)는 시스템-온-칩(21)과 동일한 칩 상에 위치되고, 여기서 출력 전압이 시스템-온-칩의 공급 도메인에 전력을 공급하기 위해 생성된다.

Description

DC-DC 컨버터들을 갖는 시스템-온-칩{SYSTEM-ON-CHIP WITH DC-DC CONVERTERS}
[0001] 본 개시물은 전력 컨버터들을 갖는 시스템-온-칩(SoC)에 관한 것이다.
[0002] 시스템-온-칩의 코어들은 통상적으로 별도의 집적 회로 상의 시스템-온-칩 외부에 위치된 전력 컨버터들에 의해 전력 공급된다. 도 1은 시스템-온-칩(11)을 나타내며, 여기서 칩 바운더리는 점선으로 표시된다. 시스템-온-칩(11)은 복수의 코어들(12)(코어-1, ..., 코어-n)을 포함하고, 여기서 각각의 코어는 복수의 전력 컨버터들의 별도의 전력 컨버터(13)에 의해 전력 공급된다. 대안적으로, 각각의 코어는 수많은 상이한 코어들과 전력 컨버터를 공유할 수 있다. 각각의 전력 컨버터(13)는, 시스템-온-칩 외부에 각각 위치된, 스위칭가능 전력단(16), 드라이버(15), 및 컨트롤러(14)를 포함하는 것으로 관찰된다. 각각의 전력 컨버터(13)는 스위칭형 DC-DC 컨버터이다. 각각의 전력 컨버터는 전력 스테이지(16) 및 컨트롤러(14) 마다 복수의 위상들을 포함한다. 각각의 컨트롤러(14)는, 디지털 펄스 폭 변조(DPWM; digital pulse width modulation) 신호에 의해 전력단(16)을 구동시키는 드라이버(15)를 제어하기 위한 제어 신호를 결정하기 위한 제어 법칙을 구현한다. 드라이버는 스위칭가능 전력단을 스위칭하기 위한 DPWM 신호를 생성하는 펄스 폭 변조기를 포함한다. 드라이버를 제어하기 위해 생성된 제어 신호는 DPWM 신호의 듀티 사이클을 정의하는 듀티비이다. 듀티비 및 반복 레이트는 사이클 당 기준으로(on cycle to cycle bases) 조절될 수 있다. 게다가, 시스템-온-칩은 복수의 전력 레일들(레일-1, 레일-2, 레일-x)을 포함하고, 이 전력 레일들 각각은 전력 레일 칩 인터페이스(110)를 포함한다. 전력 레일은 전력 컨버터(13)를 코어(12)와 연결시킨다. 게다가, 동적 전압 및 주파수 스케일링을 위한 수단은, 제어 버스 칩 인터페이스(111)로부터 저속(slow) 주변 제어-버스(19)를 통해 전력 컨버터(13)의 각각의 컨트롤러(14)에 연결된 시스템-온-칩(18) 상에 계속(onwards) 제공된다. 컨트롤러는 제어 신호를 결정하기 위해 동적 전압 및 주파수 스케일링을 위한 수단에 의해 제공된 정보를 프로세싱한다. 저속 주변 제어-버스(19)는 시스템-온-칩 외부에 위치된다.
[0003] 본 발명은, 스위칭형 전력 컨버터의 전력단의 스위칭 엘리먼트를 구동시키기 위해 스위칭 신호를 생성하기 위한 컨트롤러를 포함하는 시스템-온-칩에 관한 것이고, 이 전력단은 스위칭 신호에 따른 출력 전압 및 스위칭 엘리먼트의 수단에 의한 입력 전압을 생성하며, 여기서 컨트롤러는 시스템-온-칩과 동일한 칩 상에 위치되고, 출력 전압이 시스템-온-칩의 공급 도메인에 전력을 공급하기 위해 생성된다. 더욱이, 출력 전압이 시스템-온-칩 상에 존재하지 않는 추가적인 레일들에 전력을 공급하기 위해 생성될 수 있다.
[0004] SoC 자체와 동일한 실리콘 상에 컨트롤러를 갖는 것은, 부하와 컨트롤러 사이에서 더 쉽고 더 빠른 인터페이스의 이점을 갖는다.
[0005] 일 실시예에서, 공급 도메인은 시스템-온-칩 내부에 코어를 포함한다. 이러한 이유로, 컨트롤러는 코어와 동일한 칩 상에 위치된다.
[0006] 일 실시예에서, 코어는 전력 컨버터의 컨트롤러에 연결된 동적 전압 및 주파수 스케일링을 위한 수단에 연결된다. 전력 컨버터의 컨트롤러가 시스템-온-칩과 동일한 칩 상에 위치되기 때문에, 동적 전압 및 주파수 스케일링을 위한 수단은 고속 온 칩 제어 버스를 통해 컨트롤러에 연결된다.
[0007] 일 실시예에서, 전력 컨버터의 전력 스테이지 및 드라이버는 별도의 집적 회로로서 구현된다.
[0008] 대안적으로, 전력 컨버터의 드라이버는 복수의 코어들과 동일한 칩 상에 위치된다. 구체적으로, 드라이버는 칩의 상단에 적층될 수 있다.
[0009] 일 실시예에서, 공급 도메인은 컨트롤러를 포함한다. 이러한 이유로, 컨트롤러는 별도의 전력 서플라이를 필요로 하지 않는다.
[0010] 본 개시물은 또한, SoC 내에 집적된 컨트롤러를 갖는 전력 컨버터에 대한 양방향 통신들 및 제어를 포함하는 SoC에 관한 것이다. SoC는, 외부 메모리 및 별도의 다른 IC들을 갖는 마이크로-컨트롤러 또는 독립형 SoC일 수 있다. SoC 내부의 복수의 컨트롤러뿐만 아니라, 가능하게는 SoC 외부의 외부 컨트롤러에 대한 양방향 통신들을 확립하기 위해 공통의 인터페이스가 제공된다. 게다가, 컨트롤러가 제어하고 있는 전력단 및/또는 컨트롤러 사이의 양방향 통신을 확립하기 위해 각각의 컨트롤러에 대한 전력 인터페이스가 제공된다. 게다가, SoC 내부의 관리 모듈은, 조절된 전력 제어를 유지하기 위해 외부 전력단에 SoC 내부의 컨트롤러로부터의 아날로그 또는 디지털 신호들이 제공될 수 있는지 여부를 제어할 수 있다.
[0011] 하나의 애플리케이션은 오직 하나의 공급 도메인을 갖는 SoC이다. 이 경우, DC-DC 컨트롤러가 SoC와 동일한 실리콘 및 공급 도메인 상에 상주한다. 다른 애플리케이션은 다수의 공급 도메인들을 갖는 SoC이며, 여기서 각각의 공급 도메인은 동일한 공급 도메인 상에 자신의 DC-DC 컨트롤러를 가질 수 있거나, 또는 마스터 공급 도메인은 단지 하나 초과의 공급 도메인에 대한 컨트롤러만 갖는다. 다른 애플리케이션은, 시스템이 별도의 실리콘 기판들 상에 별도의 IC들을 갖는 마스터 SoC를 갖는 것이다. 이 경우, 마스터 SoC 상의 집적된 DC-DC 컨트롤러는, 마스터 SoC 상에 집적된 전체 시스템에 대한 DC-DC 컨트롤러들을 가짐으로써, 마스터 SoC가 완전한 시스템 전력 관리를 제어하는 것을 가능하게 할 것이다. 다른 애플케이션에서, 관리 기능은, SoC 내부에 또는 SoC 외부에 있든지 간에, 개별 DC-DC 컨트롤러들을 관리하는 별도의 셀이다. DC-DC 컨트롤러들로부터 관리 또는 다른 DC-DC 컨트롤러들로 통신들이 전송될 수 있다. 컨트롤러들은 그후 외부 전력을 직접 통신/구동한다.
[0012] 첨부된 도면들에 대한 참조가 행해질 것이다.
[0013] 도 1은, SoC 내부에 복수의 코어들 및 SoC 완전 외부에 복수의 전력 컨버터들을 포함하는 SoC를 나타낸다.
[0014] 도 2는, SoC 내부에 복수의 코어들 및 SoC 내부에 컨트롤러를 각각 갖는 복수의 전력 컨버터들을 포함하는 SoC를 나타낸다.
[0015] 도 3은, 단일 위상, 단일 공급 도메인에 대한 DC-DC 컨버터의 블록도를 나타낸다.
[0016] 도 4는, 단일 위상, 다수의 공급 도메인들에 대한 DC-DC 컨버터의 블록도를 나타낸다.
[0017] 도 5는, 마스터 SoC 내부에 DC-DC 컨트롤러를 갖는, 시스템 전력 관리를 위한 DC-DC 컨버터의 블록도를 나타낸다.
[0018] 도 6은, SoC 내부에 멀티-레일 컨트롤러를 갖는 DC-DC 컨버터의 블록도를 나타낸다.
[0019] 도 7은, SoC 내부에 멀티-위상-컨트롤러를 갖는 DC-DC 컨버터의 블록도를 나타낸다.
[0020] 도 8은, SoC 내부에 컨트롤러를 갖는 복수의 DC-DC 컨버터들을 제어하기 위한 양방향 통신들을 포함하는 SoC를 나타낸다.
[0021] 도 2는 복수의 코어들(22)(코어-1, ..., 코어-n)을 포함하는 시스템-온-칩을 나타내고, 여기서 각각의 코어(22)는 복수의 전력 컨버터들의 별도의 전력 컨버터(23)에 의해 전력 공급된다. 각각의 전력 컨버터(23)는, 스위칭가능 전력단(26), 드라이버(25), 및 디지털 컨트롤러(24)를 포함하는 스위칭형 DC-DC 컨버터이다. 각각의 컨트롤러(24)는, 스위칭가능 전력단(26)을 구동하는 자체 드라이버(25)를 제어하기 위한 제어 신호를 결정하기 위한 제어 법칙을 구현한다.
[0022] 각각의 컨트롤러(24)는 복수의 코어들(22)을 포함하는 시스템-온-칩(21)과 동일한 칩 상에 있는 것으로 관찰될 수 있다. 이러한 이유로, 각각의 컨트롤러(24)는 완전하게 집적된 디지털 컨트롤러이다.
[0023] 게다가, 각각의 코어(22)는 동적 전압 및 주파수 스케일링(28)을 위한 수단에 연결된다. 동적 전압 및 주파수(28)를 위한 수단은, 초고속 온 칩 제어 버스(29)를 통해 전력 컨버터의 각각의 디지털 컨트롤러에 연결된다. 각각의 드라이버(25)는 칩의 상단에 적층된다. 각각의 디지털 컨트롤러(24)를 그 컨트롤러가 제어하고 있는 드라이버(25)에 연결시키기 위해 드라이버-제어-인터페이스(211)가 제공된다. 각각의 드라이버(25)는, 각각의 스위칭가능 전력단을 스위칭하기 위한 DPWM 신호를 생성하는 펄스 폭 변조기를 포함한다. 드라이버를 제어하기 위해 생성된 제어 신호는, DPWM 신호의 듀티 사이클을 정의하는 듀티비(duty ratio)이다. 듀티비 및 반복 레이트는, 사이클 당 기준으로 조절될 수 있다. DPWM 신호는, 드라이버 - 칩 바운더리 상에 위치된 전력단 인터페이스(212) - 를 통해 스위칭가능 전력단(26)에 제공된다. 게다가, 시스템-온-칩은 복수의 전력 레일들(레일-1, 레일-2, 레일-x)을 포함하고, 각각은 전력 레일 칩 인터페이스(210)를 포함한다. 각각의 전력 레일(17)은 전력 컨버터(23)를 코어(22)와 연결한다.
[0024] 이 실시예는 각각의 코어(22)에 대해 최적화된 전력 레일들(27)을 가지면서 "냉각-실리콘" 접근방식을 허용한다. 레일당 레이팅(ratings)이 감소됨에 따라, 외부 컴포넌트들은 더 작게 만들어질 수 있다. SoC 내부에 컨트롤러의 집적은, 작은 폼 팩터의 더 작은 코일들로 인해 DC-DC 컨버터들의 더 빠른 과도 응답을 초래한다. 게다가, 본 솔루션은 동적 효율의 최적화를 허용한다. 게다가, 더 낮은 등급의 칩 인덕터들이 채용될 수 있다. 본 발명이 디지털 솔루션이기 때문에, 디지털 아키텍쳐로 인한 원숙한 기술이 채용됨에 따라 위험은 감소된다. 더욱이, 집적 드라이버 금속-산화물 반도체(MOS)를 갖는 최적으로 적층된 다이는 고전압 입력 레일들을 허용한다.
[0025] 도 3은, SoC(31)에 전력 공급하기 위한 전력 컨버터의 일 실시예를 나타낸다. 전력 컨버터는, 스위칭 신호에 따른 출력 전압 및 스위칭 엘리먼트(35)에 의한 입력 전압을 생성하기 위한 전력단(32)을 포함한다. 전력단은 인덕턴스(36) 및 커패시터(37)를 더 포함한다. 충전 페이즈에서, 커패시터(37)는 인덕터(36)를 통해 충전된다. 방전 페이즈에서, 커패시터(37)는 방전된다. 스위칭 엘리먼트(35)는 컨트롤러(33)에 의해 제어된다. 컨트롤러(33)는 제어 법칙에 따라 스위칭 신호를 생성한다. 제어 법칙은 출력 전압 및 인덕터 전류를 프로세싱할 수 있다. 출력 전압은 출력 전압(38)을 감지하기 위한 수단에 의해 제공되고, 인덕터 전류는 인덕터 전류(39)를 감지하기 위한 수단에 의해 제공된다.
[0026] 컨트롤러는 시스템-온-칩과 동일한 칩 상에 위치된다. 출력 전압이 시스템-온-칩(31)의 공급 도메인(34)에 전력 공급을 위해 생성된다. 공급 도메인(34)은 컨트롤러(33)를 포함한다.
[0027] 이러한 이유로, 이 실시예는 단일 위상, 단일 공급 도메인에 관한 것이다. 컨트롤러가 SoC와 동일한 칩 상에 위치되고 컨트롤러가 제어하기 위해 채용된 동일한 전력 컨버터에 의해 다시 전력 공급된 SoC의 단일 공급 도메인에 의해 전력 공급되기 때문에, 컨트롤러의 전용 전력 서플라이는 생략될 수 있다.
[0028] 도 4는, 멀티 공급 도메인에 대한 전력 컨버터의 일 실시예를 나타낸다. 스위칭형 전력 컨버터는, 제 1 출력 전압 Vsup1을 생성하기 위해 제 1 컨트롤러(43)에 의해 구동된 제 1 전력단(42) 및 제 2 출력 전압 Vsup2를 생성하기 위해 제 2 컨트롤러(411)에 의해 구동된 제 2 전력단(410)을 포함한다. 제 1 컨트롤러(43) 및 제 2 컨트롤러(411)는 시스템-온-칩(21)과 동일한 칩 상에 위치된다. 제 1 출력 전압 Vsup1은 시스템-온-칩(41)의 제 1 공급 도메인(44)에 전력을 공급하기 위해 생성된다. 제 2 출력 전압 Vsup2는 시스템-온-칩(41)의 제 2 공급 도메인(412)에 전력을 공급하기 위해 생성된다. 제 1 공급 도메인(44)은 제 1 컨트롤러(43)를 포함하고, 제 2 공급 도메인(412)은 제 2 컨트롤러(411)를 포함한다.
[0029] 전력단들(42, 410)은 동일할 수 있다. 전력단들은, 스위칭 엘리먼트(45, 413), 인덕턴스(45, 414), 커패시터(47, 415), 출력 전압을 감지하기 위한 수단(48, 416), 및 인덕터 전류를 감지하기 위한 수단(49, 417)을 포함한다.
[0030] 제 1 출력 전압 및 제 2 출력 전압은 동상(in-phase)일 수 있으며, 단일 위상의 멀티 공급 도메인에 대응할 수 있다. 대안적으로, 제 1 출력 전압 및 제 2 출력 전압은 이상(out-of-phase)일 수 있다.
[0031] 도 5는, SoC에 대한 전력 컨버터의 다른 실시예를 나타낸다. 스위칭형 전력 컨버터는, 제 1 출력 전압 Vsup1을 생성하기 위해 제 1 컨트롤러(53)에 의해 구동되는 제 1 전력단(52) 및 제 2 출력 전압 Vsup2을 생성하기 위해 제 2 컨트롤러(511)에 의해 구동되는 제 2 전력단(510)을 포함한다.
[0032] 제 1 컨트롤러(53) 및 제 2 컨트롤러(511)는 시스템-온-칩(51)과 동일한 칩 상에 위치된다. 제 1 출력 전압 Vsup1은 시스템-온-칩(51)의 제 1 공급 도메인(54)에 전력을 공급하기 위해 생성된다. 제 1 공급 도메인은 제 1 컨트롤러(53) 및 제 2 컨트롤러(511)를 포함한다. 제 2 출력 전압은 시스템-온-칩(51) 외부의 제 2 전력 도메인(512)에 전력을 공급하기 위해 생성된다. SoC(51)는 마스터 SoC로서 간주될 수 있다. 제 2 공급 도메인은 슬레이브 SoC 또는 마스터 SoC 외부의 임의의 다른 집적 회로에 속할 수 있다.
[0033] 전력단들(53, 510)은 동일할 수 있다. 전력단들은, 스위칭 엘리먼트(55, 513), 인덕턴스(55, 514), 커패시터(57, 515), 출력 전압을 감지하기 위한 수단(58, 516), 및 인덕터 전류를 감지하기 위한 수단(59, 517)을 포함한다.
[0034] 도 6은 SoC에 대한 전력 컨버터의 다른 실시예를 나타낸다. 스위칭형 전력 컨버터는 제 1 출력 전압 Vsup1을 생성하기 위한 제 1 전력단(62) 및 제 2 출력 전압 Vsup2을 생성하기 위한 제 2 전력단(610)을 포함한다. 제 1 및 제 2 전력단들(62, 610)은, 시스템-온-칩(61)과 동일한 칩 상에 위치된 단일 컨트롤러(63)에 의해 구동된다. 제 1 출력 전압 Vsup1은, 단일 컨트롤러(63)를 포함하는 시스템-온-칩의 제 1 공격 도메인(64)에 전력을 공급하기 위해 생성된다. 제 2 출력 전압 Vsup1은 시스템-온-칩의 제 2 공급 도메인(612)에 전력을 공급하기 위해 생성된다.
[0035] 전력단들(63, 610)은 동일할 수 있다. 전력단들은, 스위칭 엘리먼트(65, 613), 인덕턴스(65, 614), 커패시터(67, 615), 출력 전압을 감지하기 위한 수단(68, 616), 및 인덕터 전류를 감지하기 위한 수단(69, 617)을 포함한다.
[0036] 도 7은 SoC에 대한 전력 컨버터의 다른 실시예를 나타낸다. 스위칭형 전력 컨버터(71)는, 제 1 전력단(71) 및 제 2 전력단이 제 1(71) 및 제 2 전력단에 의해 충전된 그리고 방전된 단일의 커패시터(77)를 포함하도록, 출력 전압 Vsup을 생성하기 위한 제 1 전력단(72) 및 제 1 전력단에 커플링된 제 2 전력단을 포함한다. 제 1 전력단은, 스위칭 엘리먼트(75), 인덕턴스(76), 단일 커패시터(77), 출력 전압을 감지하기 위한 수단(78) 및 인덕터 전류를 감지하기 위한 수단(79)을 포함한다. 제 2 전력단은, 스위칭 엘리먼트(710), 인덕턴스(711), 인덕터 전류를 감지하기 위한 수단(79), 단일 커패시턴스(77) 및 출력 전압을 감지하기 위한 수단(78)을 포함한다.
[0037] 제 1 및 제 2 전력단들은, 시스템-온-칩(71)과 동일한 칩 상에 위치된 컨트롤러(73)에 의해 구동된다. 출력 전압 Vsup은, 시스템-온-칩(71)의 공급 도메인(74)에 전력을 공급하기 위해 생성된다. 공급 도메인(74)은 컨트롤러(73)를 포함한다.
[0038] 도 8은, 스위칭형 전력 컨버터의 전력단(83)의 스위칭 엘리먼트를 구동시키기 위해 스위칭 신호를 생성하기 위한 컨트롤러(82)를 포함하는 시스템-온-칩을 나타내며, 이 전력단은 스위칭 신호에 따른 출력 전압 및 스위칭 엘리먼트에 의한 입력 전압을 생성하고, 여기서 컨트롤러(82)는 시스템-온-칩(81)과 동일한 칩 상에 위치되고, 출력 전압은 시스템-온-칩의 공급 도메인에 전력을 공급하기 위해 생성된다. 시스템-온-칩은 컨트롤러(82)를 다른 스위칭형 전력 컨버터의 다른 컨트롤러에 연결하는 양방향 통신 버스(84)를 더 포함한다.
[0039] 양방향 통신 버스(84)는, 다른 스위칭형 전력 컨버터의 전력단(810)을 제어하는 다른 컨트롤러(89)에 컨트롤러(82)를 연결한다. 다른 컨트롤러(89)는 시스템-온-칩(61)과 동일한 칩 상에 위치된다.
[0040] 양방향 통신 버스는, 시스템-온-칩(81) 외부에 위치된 다른 스위칭형 전력 컨버터의 전력단(87)을 제어하는 다른 컨트롤러(86)에 컨트롤러(82)를 추가로 연결한다.
[0041] 시스템-온-칩(81)은 양방향 통신 버스(84)에 연결된 관리 컨트롤러(85)를 더 포함한다. 관리 컨트롤러(65)는, 시스템-온-칩과 동일한 칩 상의 컨트롤러(82, 89)에 의해 생성된 아날로그 또는 디지털 신호들이 시스템-온-칩 외부에 위치된 다른 컨트롤러(86)에 제공되어야만 하는지를 제어한다.
[0042] 게다가, 양방향 통신 버스(84)는 레귤레이터(88)에 연결된다.
[0043] 컨트롤러(82)는, 양방향 전력 버스(811)에 의해 이 컨트롤러가 제어하고 있는 전력단(83)에 연결된다.

Claims (22)

  1. 시스템-온-칩(21)으로서,
    스위칭형 전력 컨버터(23)의 전력단(26)의 스위칭 엘리먼트를 구동시키기 위한 스위칭 신호를 생성하기 위한 컨트롤러(24)를 포함하고,
    상기 전력단(26)은 상기 스위칭 신호에 따른 출력 전압 및 상기 스위칭 엘리먼트에 의한 입력 전압을 생성하고,
    상기 컨트롤러(24)는 상기 시스템-온-칩(21)과 동일한 칩 상에 위치되고,
    상기 출력 전압은 상기 시스템-온-칩(21)의 공급 도메인에 전력을 공급하기 위해 생성되는,
    시스템-온-칩(21).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 도메인은 코어(22)를 포함하고,
    상기 코어(22)는 동적 전압 및 주파수 스케일링을 위한 수단(28)에 연결되고,
    상기 동적 전압 및 주파수 스케일링을 위한 수단(28)은 온 칩 제어 버스(29)를 통해 상기 컨트롤러(24)에 연결되어 있는,
    시스템-온-칩(21).
  3. 제 1 항에 있어서,
    복수의 공급 도메인들을 포함하고,
    상기 복수의 공급 도메인들 각각은, 복수의 전력 컨버터들의 별도의 전력 컨버터(23)에 의해 전력 공급되는 코어(22)를 포함하고,
    상기 전력 컨버터(23) 각각은 스위칭형 DC-DC 컨버터이고,
    각각의 컨트롤러(24)는 상기 시스템-온-칩(21)과 동일한 칩 상에 있고,
    각각의 코어(22)는 상기 동적 전압 및 주파수 스케일링을 위한 수단(28)에 연결되며,
    상기 동적 전압 및 주파수 스케일링을 위한 수단(28)은 온 칩 제어 버스(29)를 통해 상기 복수의 전력 컨버터들 중 일 전력 컨버터의 각각의 컨트롤러에 연결되어 있는,
    시스템-온-칩(21).
  4. 제 1 항에 있어서,
    드라이버(25)는 상기 칩의 상단에 적층되는,
    시스템-온-칩(21).
  5. 제 1 항에 있어서,
    드라이버(25)는, 상기 칩의 상단에 적층된 집적된 MOS(metal-oxide-semiconductor)인,
    시스템-온-칩(21).
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전력 컨버터(23)의 드라이버(25) 및 상기 전력단(26)은 별도의 집적 회로로서 구현되는,
    시스템-온-칩(21).
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전력 컨버터(23)의 드라이버(25)는 상기 복수의 코어들(22)과 동일한 칩 상에 있는,
    시스템-온-칩(21).
  8. 제 1 항에 있어서,
    드라이버(25)는 스위칭가능 전력단(26)을 스위칭하기 위한 PWM 신호를 생성하는 펄스 폭 변조기를 포함하고,
    드라이버(25)를 제어하기 위한 제어 신호는, 상기 PMW 신호의 듀티 사이클을 정의하는 듀티비인,
    시스템-온-칩(21).
  9. 제 1 항에 있어서,
    드라이버(25)는, 스위칭가능 전력단(26)을 스위칭하기 위한 PWM 제어 신호를 생성하는 펄스 폭 변조기를 포함하고,
    상기 드라이버(25)를 제어하기 위한 제어 신호는 상기 PWM 신호의 듀티 사이클을 정의하는 듀티비이며, 상기 듀티비 및 반복 레이트는 사이클 당 기준으로(on cycle to cycle bases) 조절되는,
    시스템-온-칩(21).
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 전력단(26)은 전력 레일(27)을 통해 상기 코어(22)에 연결되고,
    상기 전력 레일은 칩-인터페이스를 포함하는,
    시스템-온-칩(21).
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 도메인(34)은 컨트롤러(33)를 포함하는,
    시스템-온-칩(21).
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭형 전력 컨버터는, 제 1 출력 전압을 생성하기 위해 제 1 컨트롤러(43)에 의해 구동되는 제 1 전력단(42) 및 제 2 출력 전압을 생성하기 위해 제 2 컨트롤러(411)에 의해 구동되는 제 2 전력단(410)을 포함하고,
    상기 제 1 컨트롤러(43) 및 상기 제 2 컨트롤러(411)는 시스템-온-칩(41)과 동일한 칩 상에 위치되고,
    상기 제 1 출력 전압은 상기 시스템-온-칩(41)의 제 1 공급 도메인(44)에 전력을 공급하기 위해 생성되며,
    상기 제 2 출력 전압은 상기 시스템-온-칩(41)의 제 2 공급 도메인(412)에 전력을 공급하기 위해 생성되는,
    시스템-온-칩(41).
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 출력 전압 및 상기 제 2 출력 전압은 동상(in-phase)이거나 또는 이상(out-of-phase)인,
    시스템-온-칩(41).
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭형 전력 컨버터는, 제 1 출력 전압을 생성하기 위해 제 1 컨트롤러(53)에 의해 구동되는 제 1 전력 스테이지(52) 및 제 2 출력 전압을 생성하기 위해 제 2 컨트롤러(511)에 의해 구동되는 제 2 전력 스테이지(510)를 포함하고,
    상기 제 1 컨트롤러(53) 및 상기 제 2 컨트롤러(511)는 시스템-온-칩(51)과 동일한 칩 상에 위치되고,
    상기 제 1 출력 전압은 상기 시스템-온-칩(51)의 제 1 공급 도메인(54)에 전력을 공급하기 위해 생성되고,
    상기 제 2 출력 전압은 상기 시스템-온-칩(51) 외부의 제 2 공급 도메인(512)에 전력을 공급하기 위해 생성되는,
    시스템-온-칩(51).
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 공급 도메인은, 상기 제 1 컨트롤러(53) 및 상기 제 2 컨트롤러(511)를 포함하는,
    시스템-온-칩(51).
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭형 전력 컨버터는, 제 1 출력 전압을 생성하기 위한 제 1 전력단(62) 및 제 2 출력 전압을 생성하기 위한 제 2 전력단(610)을 포함하고,
    상기 제 1 전력단 및 상기 제 2 전력단은, 시스템-온-칩(61)과 동일한 칩 상에 위치된 단일의 컨트롤러(63)에 의해 구동되고,
    상기 제 1 출력 전압은 상기 단일의 컨트롤러(63)를 포함하는 상기 시스템-온-칩의 제 1 공급 도메인(64)에 전력을 공급하기 위해 생성되고,
    상기 제 2 출력 전압은 상기 시스템-온-칩(61)의 제 2 공급 도메인(612)에 전력을 공급하기 위해 생성되는,
    시스템-온-칩(51).
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭형 전력 컨버터(71)는 출력 전압을 생성하기 위한 제 1 전력단(72) 및 상기 제 1 전력단에 커플링된 제 2 전력단을 포함하여, 상기 제 1 전력단 및 상기 제 2 전력단이 상기 제 1 전력단(71) 및 상기 제 2 전력단에 의해 충전되고 방전되는 단일의 커패시터(77)를 포함하며,
    상기 제 1 전력단 및 상기 제 2 전력단은 상기 시스템-온-칩과 동일한 칩 상에 위치된 컨트롤러(73)에 의해 구동되고,
    상기 출력 전압은 상기 시스템-온-칩의 공급 도메인(74)에 전력을 공급하기 위해 생성되며,
    상기 공급 도메인(74)은 상기 컨트롤러(73)를 포함하는,
    시스템-온-칩.
  18. 제 1 항에 있어서,
    컨트롤러(82)를 다른 스위칭형 전력 컨버터의 다른 컨트롤러에 연결하는 양방향 통신 버스(84)를 더 포함하는,
    시스템-온-칩.
  19. 제 17 항에 있어서,
    양방향 통신 버스(84)는, 상기 시스템-온-칩(61)과 동일한 칩 상에 위치된 다른 스위칭형 전력 컨버터의 다른 컨트롤러(89)에 상기 컨트롤러(82)를 연결하는,
    시스템-온-칩.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 양방향 통신 버스(84)는, 상기 시스템-온-칩(81) 외부에 위치된 다른 스위칭형 전력 컨버터의 다른 컨트롤러(86)에 상기 컨트롤러(82)를 연결하는,
    시스템-온-칩.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 시스템-온-칩과 동일한 칩 상의 컨트롤러(82, 89)에 의해 생성된 아날로그 또는 디지털 신호들이 상기 시스템-온-칩 외부에 위치된 다른 컨트롤러(86)에 제공되어야 할지를 제어하는, 상기 양방향 통신 버스(84)에 연결된 관리 컨트롤러(85)를 더 포함하는,
    시스템-온-칩.
  22. 제 17 항에 있어서,
    컨트롤러(82)는, 양방향 전력 버스(811)에 의해 이 컨트롤러가 제어하는 전력단(83)에 연결되는,
    시스템-온-칩.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9110643B2 (en) 2012-06-11 2015-08-18 Arm Limited Leakage current reduction in an integrated circuit
GB2520290B (en) * 2013-11-14 2018-02-28 Advanced Risc Mach Ltd Leakage current reduction in an integrated circuit
US10146296B2 (en) 2014-11-06 2018-12-04 Qualcomm Incorporated Independent asynchronous framework for embedded subsystems
US10535394B2 (en) * 2017-07-20 2020-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device including dynamic voltage and frequency scaling switch and method of operating the same
US10529407B2 (en) 2017-07-20 2020-01-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device including a plurality of power rails and method of operating the same
KR102699043B1 (ko) * 2019-03-21 2024-08-27 삼성전자주식회사 스위칭 레귤레이터 및 이를 포함하는 전자 장치
CN211152533U (zh) * 2019-07-23 2020-07-31 精进电动科技股份有限公司 一种汽车高压集成控制器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5592118A (en) * 1994-03-09 1997-01-07 Cooper Industries, Inc. Ignition exciter circuit with thyristors having high di/dt and high voltage blockage
JP4963144B2 (ja) * 2000-06-22 2012-06-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
US7570036B2 (en) * 2004-09-10 2009-08-04 Primarion Corporation Multi-threshold multi-gain active transient response circuit and method for digital multiphase pulse width modulated regulators
US7239116B2 (en) * 2004-12-21 2007-07-03 Primarion, Inc. Fine resolution pulse width modulation pulse generator for use in a multiphase pulse width modulated voltage regulator
US7262628B2 (en) * 2004-07-02 2007-08-28 Primarion, Inc. Digital calibration with lossless current sensing in a multiphase switched power converter
US8008901B2 (en) * 2006-02-28 2011-08-30 Infineon Technologies Austria Ag Regulated power supply with multiple regulators sharing the total current supplied to a load
US7492134B2 (en) * 2004-07-02 2009-02-17 Primarion, Inc. Multiphase power regulator with load adaptive phase control
US8499230B2 (en) * 2008-05-07 2013-07-30 Lsi Corporation Critical path monitor for an integrated circuit and method of operation thereof
US20090296426A1 (en) 2008-06-03 2009-12-03 Gregory Lynn Jones Switch mode power supply
US8009090B2 (en) * 2009-05-05 2011-08-30 Sirf Technology, Inc. System and method for dynamic voltage scaling in a GPS receiver
US8930733B2 (en) * 2009-06-12 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Separating power domains of central processing units
US8892931B2 (en) * 2009-10-20 2014-11-18 Empire Technology Development Llc Power channel monitor for a multicore processor
JP5494177B2 (ja) 2010-04-21 2014-05-14 富士通株式会社 半導体装置
EP2533126B1 (en) * 2011-05-25 2020-07-08 Dialog Semiconductor GmbH A low drop-out voltage regulator with dynamic voltage control
EP2775601B1 (en) * 2013-03-04 2020-02-12 Dialog Semiconductor GmbH Adaptation of operating mode ranges of switching regulators by means of programmable voltage thresholds
EP3005545A1 (en) * 2013-05-24 2016-04-13 Zentrum Mikroelektronik Dresden AG Non pwm digital dc-dc converter
EP3008476B1 (en) * 2013-06-13 2018-05-02 IDT Europe GmbH Power converter with current sensing
US20160154449A1 (en) * 2014-11-27 2016-06-02 Eui Choel LIM System on chips for controlling power using workloads, methods of operating the same, and computing devices including the same
KR102301639B1 (ko) * 2015-01-23 2021-09-14 삼성전자주식회사 SoC(System-on Chip), 그의 전력 관리 방법 및 전자 장치
US9595876B2 (en) * 2015-02-11 2017-03-14 Schneider Electric It Corporation DC-DC converter
EP3065281A1 (en) * 2015-03-04 2016-09-07 Zentrum Mikroelektronik Dresden AG Switched power converter with dual mode PWM / COT control

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AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
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