KR20150086670A - Lighting source module and light system having the same - Google Patents
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- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Abstract
Description
실시 예는 광원모듈 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light source module and an illumination system having the same.
발광 다이오드, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART Light emitting diodes, for example, light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light, and have been widely recognized as a next generation light source in place of conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 LCD는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛과 같은 조명 시스템을 필요로 한다.As a result, many researches for replacing the existing light source with light emitting diodes have been conducted. As information processing technology has developed, display devices such as LCD, PDP, and AMOLED have been widely used. Among these display devices, the LCD requires an illumination system such as a backlight unit capable of generating light in order to display an image.
실시 예는 길이가 너비에 비해 긴플레이트 상에 복수의 발광 칩을 배열한 광원모듈을 제공한다.Embodiments provide a light source module in which a plurality of light emitting chips are arranged on a plate whose length is longer than the width.
실시 예는 적어도 3개의 전극부로 이루어진 플레이트 상에 복수 개의 발광 칩을 탑재한 광원모듈을 제공한다.Embodiments provide a light source module having a plurality of light emitting chips mounted on a plate having at least three electrode portions.
실시 예는 플레이트의 너비와 동일한 너비를 갖는 몰딩 부재로 발광 칩을 덮고, 상기 몰딩 부재의 측면들 중에서 2개 또는 3개의 측면이 개방된 광원 모듈을 제공한다.An embodiment covers a light emitting chip with a molding member having a width equal to the width of the plate, and provides two or three side faces of the molding member with the light source module open.
실시 예에 따른 광원 모듈은, 제1방향의 길이가 상기 제2방향의 너비보다 길며, 복수의 전극부 및 상기 복수의 전극부 사이에 적어도 하나의 절연부를 갖는 플레이트; 상기 플레이트의 제1면 상에서 상기 제1방향으로 배열된 복수의 발광 칩; 및 상기 복수의 발광 칩을 덮는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 복수의 발광 칩은 상기 복수의 전극부에 전기적으로 연결되며, 상기 절연부는 상기 복수의 전극부와 동일한 재질을 포함하며, 상기 플레이트는 상기 제1면의 반대측 제2면으로부터 상기 제1면 방향으로 오목한 복수의 홈을 포함하며, 상기 복수의 홈은 상기 각 전극부에 적어도 하나가 배치된다.A light source module according to an embodiment includes a plate having a length in a first direction longer than a width in the second direction and having a plurality of electrode portions and at least one insulating portion between the plurality of electrode portions; A plurality of light emitting chips arranged on the first surface of the plate in the first direction; And a molding member covering the plurality of light emitting chips, wherein the plurality of light emitting chips are electrically connected to the plurality of electrode portions, the insulating portion includes the same material as the plurality of electrode portions, And a plurality of grooves recessed in the direction of the first surface from a second surface opposite to the first surface, wherein the plurality of grooves are disposed in at least one of the electrode portions.
실시 예는 발광 칩의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the heat radiation efficiency of the light emitting chip.
실시 예는 플레이트 상에 복수의 발광 칩을 탑재함으로써, 복수의 발광 칩이 패키징된 광원 모듈의 두께를 얇게 제공할 수 있다.Embodiments can provide a thin thickness of a light source module in which a plurality of light emitting chips are packaged by mounting a plurality of light emitting chips on a plate.
실시 예는 광원 모듈의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light source module.
실시 예는 광원 모듈을 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the reliability of an illumination system having a light source module.
도 1은 제1실시 예에 따른 광원모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1의 광원모듈의 측면도이다.
도 3은 도 1의 광원모듈의 사시도이다.
도 4는 도 2의 광원모듈의 제1전극부를 상세하게 나타낸 도면이다.
도 5는 도 2의 광원모듈의 제2전극부를 상세하게 나타낸 도면이다.
도 6은 도 2의 광원모듈의 제3전극부의 센터 영역을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 2의 광원모듈의 연결 단자를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 2의 광원모듈을 기판에 탑재한 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8의 광원모듈 및 기판의 A-A측 단면도이다.
도 10은 도 8의 광원모듈 및 기판의 B-B측 단면도이다.
도 11 및 도 12는 실시 예에 따른 광원모듈의 홈의 변형 예를 나타낸 측면도이다.
도 13 및 도 14는 실시 예에 있어서, 광원모듈의 플레이트에 홈의 개수 및 간격을 변형한 예이다.
도 15의 (A)(B)는 실시 예에 따른 광원모듈의 플레이트의 홈의 형상을 변경한 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 제2실시 예에 따른 광원모듈의 일부를 나타낸 측면도이다.
도 17은 제3실시 예에 따른 광원모듈을 나타낸 사시도이다.
도 18은 제4실시 예에 따른 광원모듈을 나타낸 측면도이다.
도 19는 도 2의 광원모듈이 기판에 탑재된 도면이다.
도 20 및 도 21은 도 1의 광원모듈의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 22은 실시 예에 따른 광원 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.1 is a plan view of a light source module according to a first embodiment.
2 is a side view of the light source module of FIG.
3 is a perspective view of the light source module of FIG.
4 is a detailed view of the first electrode unit of the light source module of FIG.
FIG. 5 is a detailed view of a second electrode portion of the light source module of FIG. 2. FIG.
6 is a view illustrating a center region of a third electrode portion of the light source module of FIG.
7 is a view illustrating connection terminals of the light source module of FIG.
8 is a view showing an example in which the light source module of FIG. 2 is mounted on a substrate.
9 is a cross-sectional view of the light source module and the substrate of Fig. 8 on the AA side.
10 is a cross-sectional side view of the light source module and the substrate of Fig. 8 on the BB side.
FIGS. 11 and 12 are side views showing a modification of the groove of the light source module according to the embodiment.
13 and 14 show an example in which the number and the interval of the grooves are modified in the plate of the light source module in the embodiment.
15A and 15B are views showing an example of changing the shape of the groove of the plate of the light source module according to the embodiment.
16 is a side view showing a part of the light source module according to the second embodiment.
17 is a perspective view showing a light source module according to the third embodiment.
18 is a side view showing a light source module according to the fourth embodiment.
FIG. 19 is a diagram showing the light source module of FIG. 2 mounted on a substrate.
20 and 21 are views showing a manufacturing process of the light source module of FIG.
22 is a perspective view showing a display device having a light source module according to an embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both what is meant to be" directly "or" indirectly & . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
이하 실시 예에 따른 광원 모듈에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a light source module according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1실시 예에 따른 광원모듈의 평면도이며, 도 2는 도 1의 광원모듈의 측면도이고, 도 3은 도 1의 광원모듈의 사시도이며, 도 4는 도 2의 광원모듈의 제1전극부를 상세하게 나타낸 도면이고, 도 5는 도 2의 광원모듈의 제2전극부를 상세하게 나타낸 도면이며, 도 6은 도 2의 광원모듈의 제3전극부의 센터 영역을 나타낸 도면이며, 도 7은 도 2의 광원모듈의 발광 칩과 연결단자를 나타낸 도면이다.1 is a side view of the light source module of FIG. 1, FIG. 3 is a perspective view of the light source module of FIG. 1, and FIG. 4 is a cross- FIG. 6 is a view showing a center region of the third electrode portion of the light source module of FIG. 2, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the light source module of FIG. 2 is a view showing a light emitting chip and a connection terminal of the light source module of FIG. 2. FIG.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 광원 모듈(100)은, 복수의 전극부(11,13,15) 및 복수의 절연부(113,114)를 갖는 플레이트(10); 상기 플레이트(10)의 제1면(1) 위에 배치된 복수의 발광 칩(50: 51,53,55,57); 상기 플레이트(10)의 제2면(2)에 배치된 복수의 홈(31,32,33); 및 상기 복수의 발광 칩(50: 51,53,55,57)를 덮는 몰딩 부재(81)를 포함한다.1 to 7, the
상기 플레이트(10)는 복수의 발광 칩(50)이 배열된 제1면(1), 상기 제1면(1)의 반대측 제2면(2), 4개의 측면인 제1 내지 제4측면(3,4,5,6)을 포함한다. 상기 제1면(1)은 연속적인 수평 면으로 형성되며, 양단에 측벽부(12,14)가 돌출될 수 있다. 상기 제2면(2)은 수평 면 예컨대, 상기 홈(31,32,33)을 제외한 영역이 수평 면으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 절연부(113,114)의 표면은 상기 제1면(1), 제2면(2), 제3측면(5) 및 제4측면(6)에 대해 평탄한 수평 면으로 형성될 수 있다. 또한 상기 복수의 절연부(113,114)의 표면은 플레이트(10)의 표면과 동일 수평 면으로 형성될 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(5,6) 중 적어도 하나는 기판에 탑재되는 면이 되므로, 상기 광원 모듈(100)은 측 방향으로 광을 방출한다.The
상기 플레이트(10)는 복수의 절연부(113,114)에 의해 분할된 복수의 전극부(11,13,15)를 포함하며, 상기 복수의 절연부(113,114)는 2개 이상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예는 플레이트(10)는 길이(D2)가 너비(D1)보다 백 배 이상의 길게 배치되며, 상기 길이(D2)의 방향(Y)을 따라 복수의 발광 칩(50)이 일렬로 배열된다. 상기 플레이트(10)의 너비(D1)는 상기 발광 칩(50)의 어느 한 변의 길이보다 2배 이하의 너비로 형성될 수 있으며, 예컨대 발광 칩(50)이 직사각형인 경우 단변 또는 단변의 길이의 2배 이하일 수 있다. The
상기 플레이트(10)는 소정 길이(D2)를 갖는 바(bar) 형상으로 형성될 수 있으며, 10개 이상 예컨대, 15개 이상의 발광 칩(50)이 배열될 수 있다. 상기 플레이트(10)는 제1방향(Y)의 길이(D2)가 제2방향(X)의 너비(D1)의 100배 ~ 200배 범위로 긴 길이를 갖고, 상기 길이(D2)는 50mm 이상이 될 수 있으며, 예컨대, 50mm 내지 100mm 범위일 수 있다. 상기 플레이트(10)의 너비(D1)는 1mm 이하 예컨대, 0.35mm ~ 0. 5mm이 될 수 있다. 상기 플레이트(10)의 두께(T1)는 너비(D1)보다 두껍게 형성될 수 있다. 상기 플레이트(10)의 두께(T1)는 길이(D2)의 1/80 ~ 1/120 배 범위로 형성될 수 있으며, 예컨대 0.5mm~0.6mm 범위로 형성될 수 있다. 이러한 플레이트(10)의 두께(T1)는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)를 제외한 두께로서, 증가할수록 방열 표면적이 증가하므로, 방열 효율은 개선될 수 있다. 상기 플레이트(10)의 너비(D1)는 상기 발광 칩(50)의 너비 즉, 제2방향의 너비에 비해 3배 이하 예컨대, 2배 이하로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 플레이트(10)는 상기 발광 칩(50)의 너비와 더블어 공정 마진을 고려한 너비로 제공될 수 있다. 예컨대, 발광 칩(50)은 플레이트(10)의 제3 및 제4측면(5,6)으로부터 소정 간격 예컨대, 50㎛ 이상 예컨대, 50㎛~100㎛ 범위로 이격될 수 있다. 다른 예로서, 상기 플레이트(10)의 길이(D2)는 100mm 이상일 수도 있고, 발광 칩(10)이 예컨대, 2열 이상으로 배열될 수 있다. 상기 발광 칩(50)이 2열 이상인 경우 상기 너비(D1)는 2mm 이하가 될 수 있다.The
상기 플레이트(10)는 서로 대면하는 제1측벽부(12)와 제2측벽부(14)를 포함한다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)는 상기 플레이트(10)의 제1면(1)의 수평 선상보다 돌출되며, 발광 칩(50)으로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있으며, 몰딩 부재(81)의 넘침을 방지할 수 있다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)는 상기 플레이트(10)과 동일한 재질로서 돌출된 구조이거나, 다른 금속 재질로 부착될 수 있다. The
상기 제1 및 제2측벽부(12,14)는 상기 플레이트(10)의 너비(D1)와 동일한 너비를 갖고, 상면이 상기 발광 칩(50)의 상면보다 높게 예컨대, 상기 발광 칩(50)에 연결된 와이어(59)의 고점보다 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 상면은 상기 몰딩부재(81)의 상면과 동일한 위치에 위치할 수 있다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 두께(T2)는 상기 플레이트(10)의 너비(D1)와 같거나 더 두껍게 형성되며, 예컨대 0.4~0.45mm로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 두께(T2)는 상기 발광 칩(50)의 두께 및 와이어(59)의 고점 위치를 고려하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second
상기 플레이트(10)의 전 영역은 상기 발광 칩(50)로부터 발생된 열을 방열하고 전원을 공급하는 부재로 사용될 수 있다. 이러한 플레이트(10)는 제 1내지 제4측면(3,4,5,6)과 제2면(2)이 노출된다. The entire area of the
상기 플레이트(10)의 재질은 금속 중에서 방열 효율이 높은 금속 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 상기 플레이트(10)은 다른 금속 재질, 예를 들어, 철(Fe), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 상기 금속의 선택적인 합금, 또는 세라믹 재질 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 또한 상기 플레이트(10)의 표면에는 금(Au)과 같은 도금층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 플레이트(10)은 상기 금속들을 선택적으로 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The material of the
또한 상기 플레이트(10)은 상기 발광 칩(50)로부터 방출된 광에 대해 반사 효율이 70% 이상인 금속 예컨대, 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 금(Au) 재질과 같은 금속으로 형성될 수 있다. 이러한 플레이트(10)는 방열 효율과 반사 효율을 고려하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 복수의 전극부(11,13,15)는 일렬로 배치되며, 인접한 두 전극부(11,13,15) 사이에 배치된 절연부(113,114)에 의해 이격되고 절연된다. 상기 플레이트(10)에는 1개의 절연부가 배치된 경우, 전극부가 2개가 형성될 수 있으며, 2개의 절연부가 배치된 경우, 전극부는 3개가 형성될 수 있다. 이는 전극부의 개수가 절연부의 개수보다 1개 많게 형성된다. 상기 복수의 전극부(11,13,15)가 3개인 경우, 서로 반대측에 배치된 제1전극부(11) 및 제2전극부(13)와, 상기 제1 및 제2전극부(11,13) 사이에 배치된 제3전극부(15)를 포함한다. 상기 제1 및 제2전극부(11,13)는 동일한 극성의 전원에 연결될 수 있고 상기 제3전극부(15)에 연결된 극성의 전원과는 다른 극성의 전원에 연결될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2전극부(11,13)는 전원의 마이너스(-) 단자에 연결되며, 상기 제3전극부(15)는 전원의 정(+) 단자에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of
상기 절연부(113,114)는 제1금속을 갖는 금속 산화물로 형성된다. 상기 플레이트(10)의 전극부(11,13,15)는 제1금속 예컨대, 단일 금속 또는 합금일 수 있다. 예컨대 상기 제1금속은 알루미늄(Al)으로 형성되거나, 알루미늄을 포함하는 합금일 수 있다. 상기 절연부(113,114)는 상기 제1금속을 갖는 금속 산화물 예컨대, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성될 수 있다.The insulating
여기서, 상기 복수의 절연부(113,114)는 상기 플레이트(10)의 양극 산화(anodizing) 과정에 의해 형성된 아노다이징된 영역일 수 있다. 상기 각 절연부(113,114)는 예컨대, 알루미늄 금속에 대한 산화 피막으로 형성되며, 그 형성 방법은 금속 표면 처리 방법으로서 양극과 음극 중 양극 처리(anodizing)하는 방법이며, 전자를 잘 모아야 하므로 산화 피막이 입혀진다. 이러한 처리 공법을 아노다이징, 알루마이트(Alumite), 알루미늄 산화 피막 처리라 하며 알루미늄 금속 표면에 산화 피막을 형성하게 된다. 이에 따라 플레이트(10)는 복수의 절연부(113,114) 및 복수의 전극부(11,13,15)를 구비할 수 있다. Here, the plurality of insulating
상기 절연부(113,114)는 상기 플레이트(10)의 두께와 동일한 높이를 갖고 있어, 인접한 두 전극부(11,15)(15,13)와의 경계 영역에 계면을 갖지 않고 형성될 수 있다. 상기 플레이트(10) 내의 절연부(113,114)가 양극 산화 과정에 의해 형성됨으로써, 전극부(11,13,15)와 상기 절연부(113,114)의 경계 면이 존재하지 않을 수 있고, 상기 전극부(11,13,15)의 표면과 동일 수평 면으로 형성될 수 있다. The insulating
상기 각 절연부(113,114)의 폭은 인접한 전극부(11,13,15) 사이의 간격으로서, 공급되는 정격 전압에 의해 인접한 두 전극부(11,13,15) 간의 간섭이 발생되지 않는 간격일 수 있다. 상기 각 절연부(113,114)의 폭은 상기 발광 칩(50)의 어느 한 변의 너비보다는 작게 형성될 수 있다. 상기 각 절연부(113,114)의 폭은 예컨대, 70㎛ 이상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 플레이트(10) 내에 절연부(113,114)의 개수가 증가할수록 플레이트(10)의 강성은 저하된다. 이는 길이가 긴 플레이트(10) 내에 다른 재질의 절연부(113,114)가 배치됨으로써, 길이 방향의 강성을 저하시키는 원인이 된다. The width of each of the
도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 제1전극부(11)의 길이 즉, 제1방향(Y)의 길이(B1)는 플레이트(10)의 제1측면(3)과 제1절연부(113) 사이의 간격이며, 상기 제2전극부(13)의 길이(B2)는 플레이트(10)의 제2측면(4)과 제2절연부(114) 사이의 간격이 된다. 상기 제1전극부(11)의 길이(B1)는 상기 제2전극부(13)의 길이(B2)와 같거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 길이(B1,B2)는 상기 제1 및 제2절연부(113,114)의 위치에 따라 변경될 수 있다. 상기 제1 및 제2전극부(11,13) 상에는 하나 또는 복수의 발광 칩(51,53)이 배치되거나, 발광 칩이 배치되지 않을 수 있다.3 to 5, the length of the
상기 제3전극부(15)의 길이는 상기 절연부들(113,114) 사이의 간격일 수 있으며, 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 길이(B1,B2)의 합보다 2배 이상 길게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3전극부(15) 상에는 발광 칩(50) 중 80% 이상이 탑재될 수 있다.The length of the
도 2와 같이, 상기 플레이트(10)의 제1면(1) 위에는 상기 복수의 발광 칩(50) 예컨대, 10개 이상의 발광 칩(50)이 일렬로 배열될 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(50)은 복수개가 직렬로 연결된 어레이(50A,50B)를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1어레이(50A)와 제2어레이(50B)를 포함한다. 상기 제1어레이(50A)는 양단에 위치한 제1 및 제2발광 칩(51,55)이 직렬로 연결되며, 제1 및 제3전극부(11,15)와 전기적으로 연결된다. 상기 제2어레이(50B)는 양단에 위치한 제3 및 제4발광 칩(53,57)이 직렬로 연결되며, 제2 및 제3전극부(13,15)와 전기적으로 연결된다. 상기 제1어레이(50A)와 상기 제2어레이(50B)는 상기 제3전극부(15)를 공통 전극으로 연결될 수 있다. 상기 제1어레이(50A)의 발광 칩의 연결 개수와 제2어레이(50B)의 발광 칩의 연결 개수는 동일하게 배치될 수 있다. As shown in FIG. 2, the plurality of
상기 제1어레이(50A)와 상기 제2어레이(50B) 사이의 센터 영역(17)은 공통 전극으로서, 제2발광 칩(55)과 제4발광 칩(57)이 와이어(59)로 본딩된다. 상기 센터 영역(17)에는 별도의 연결 단자를 구비하지 않을 수 있다. 이에 따라 상기 센터 영역(17)에 인접한 제1어레이(50A)의 발광 칩들과 제2어레이(50B)의 발광 칩들 간의 간격은 각 어레이(50A,50B) 내의 발광 칩 간의 간격과 같거나, 다를 수 있다.The
상기 제1전극부(11)에는 상기 제1발광 칩(51)이 와이어(59)로 연결되며, 상기 제2전극부(13)에는 상기 제3발광 칩(53)이 와이어(59)로 연결된다. 상기 제1전극부(11)에서 와이어(59)로 연결되는 영역은 상기 제1발광 칩(51)과 상기 제1측벽부(12) 사이의 영역이며, 상기 제2전극부(13)에서 와이어(59)로 연결되는 영역은 상기 제3발광 칩(53)과 제2측벽부(14) 사이의 영역이 된다. The first
상기 제3전극부(15)의 영역 중 상기 와이어(59)로 연결되는 영역은 복수의 영역이거나 상기 플레이트(10)의 센터 영역(17)이거나, 상기 제2 및 제4발광 칩(55,57) 사이의 영역이 된다. 또한 제1 내지 제3전극부(11,13,15)에서 와이어(59)로 연결되는 영역은 서로 동일한 평면 상에 위치할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The area of the
상기 복수의 발광 칩(50)은 플레이트(10) 상에서 2개 이상의 어레이(50A,50B)로 구분하여, 전기적 및 회로적으로 안정화된 구동 회로를 제공하게 된다. 또한 복수의 발광 칩(50)을 2개의 어레이(50A,50B)로 배치한 경우, 구동 드라이버의 허용 용량을 초과하는 것을 방지할 수 있다. The plurality of
상기 각 발광 칩(50)은 LED 칩으로서, II족 내지 VI족의 원소를 선택적으로 갖는 화합물 반도체 예컨대, II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나를 갖는 반도체층들을 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(50)은 적색, 녹색, 청색, 백색과 같은 가시광선 대역 또는 자외선(Ultra Violet) 대역을 발광하는 칩(chip)으로 구현될 수 있다. 상기 발광 칩(50)는 칩 내의 두 전극이 인접하게 배치된 수평형 칩, 또는 칩 내의 두 전극이 서로 반대 측면에 배치된 수직형 칩으로 구현될 수 있으며, 상기 수평형 칩은 적어도 2개의 와이어로 연결될 수 있고, 수직형 칩은 적어도 1개의 와이어에 연결될 수 있다. 상기 적어도 하나의 발광 칩(50)은 플립 구조로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예는 수평형 칩에 와이어들이 본딩될 수 있다. 상기 각 발광 칩(50)은 예컨대, 2개의 와이어(59)로 연결될 수 있다. Each of the
상기 발광 칩(50)은 하부에 미도시된 지지 기판 예컨대, 전도성, 절연성, 또는 투광성 재질의 지지기판이 배치될 수 있으며, 상기 지지기판은 상기 플레이트(10)의 제1면(1) 상에 접착제로 접착될 수 있다. The light-emitting
상기 복수의 발광 칩(50) 중 인접한 두 발광 칩 사이에는 연결 단자(171)가 배치되며, 상기 연결 단자(171)는 인접한 두 발광 칩을 연결해 주는 중간 연결 단자로 기능하며 와이어(59)로 연결된다. 또한 연결 단자(171)의 개수는 발광 칩(50)의 전체 개수보다 작은 개수로 배치되며, 발광 칩(50) 간의 간격에 따라 증가되거나 감소될 수 있다. A
상기 연결 단자(171)의 두께는 상기 발광 칩(50)의 두께보다 얇게 형성될 수 있으며, 이러한 두께로 인해 와이어(59)의 양단의 높이 차이를 줄여주어, 와이어(59)가 쳐지는 것을 방지하고, 와이어(59)에 작용하는 인장력이 개선될 수 있다. The thickness of the
도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 연결 단자(171)는 전도층(175) 및 절연층(173)을 포함하며, 상기 절연층(173)은 상기 전도층(175)과 플레이트(10)의 제1면(1) 사이에 배치된다. 상기 전도층(175)은 상기 절연층(173)과 수직 방향으로 오버랩되며, 인접한 두 발광 칩(50: 51,53,55,57)을 전기적으로 연결시켜 준다. 상기 절연층(171)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질이거나 테이프와 같은 재질을 포함하며, 상기 전도층(175)은 본딩을 위한 재질 예컨대, 금, 금 합금을 포함하거나, 반사도가 높은 금속(Al, Ag)와 같은 금속을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.4 to 6, the
상기 연결 단자(171) 간의 간격은 상기 발광 칩(50) 간의 간격과 동일하거나 더 좁게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 단자(171)의 크기는 상기 발광 칩(50)의 크기보다 작은 크기로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 단자(171)는 상기 발광 칩(50)들 사이의 영역에 배치되고 몰딩 부재(81)에 의해 노출되지 않게 몰딩될 수 있다. 다른 예로서, 상기 연결 단자(171)는 일부가 상기 몰딩 부재(81)의 측면 예컨대, 플레이트(10)의 제3 또는 제4측면 상에 노출될 수 있다.The interval between the
모든 연결단자(171)는 상기 제3전극부(15) 상에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 길이를 짧게 형성할 수 있다. 다른 예로서, 적어도 하나의 연결 단자는 상기 절연부(113,114) 위에 접촉되거나 오버랩되게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 단자(171)는 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 복수의 발광 칩(50)은 와이어로 서로 연결될 수 있다.All the
상기 플레이트(10)의 제1면(1) 상에는 몰딩 부재(81)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(81)는 제1측벽부(12)과 제2측벽부(14) 사이에 배치된다. 상기 몰딩 부재(81)는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)에 접촉되며 상기 복수의 발광 칩(50), 연결단자(171) 및 와이어(59)를 덮는다. 상기 몰딩 부재(81)의 길이는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14) 사이의 간격이며, 그 너비는 상기 플레이트(10)의 너비(D1)로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81)의 두께는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 높이(T2)와 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 몰딩 부재(81)의 적어도 일부는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 높이(T2)보다 더 두껍거나 더 얇게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A molding
상기 몰딩 부재(81)는 상면 및 양 측면이 노출되며, 상기 노출된 면을 통해 광이 추출된다. 상기 몰딩 부재(81)의 양 측면은 상기 플레이트(10)의 제3 및 제4측면(5,6)과 동일 평면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 몰딩 부재(81)는 상면과 양 측면 사이의 모서리 부분이 각면으로 형성되거나, 모깎기로 처리된 면이거나, 곡면일 수 있다. 이에 따라 상기 몰딩 부재(81)는 측 단면이 다각형 형상이거나, 반구형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 몰딩 부재(81)의 상면은 평탄한 수평 면이거나, 오목한 곡면 또는 볼록한 곡면으로 형성될 수 있다. 또는 상기 몰딩 부재(81)의 상면은 러프한 면으로 형성될 수 있다.The upper surface of the
상기 몰딩 부재(81)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지 재질을 포함할 수 있으며, 내부에 형광체 또는 확산제가 선택적으로 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 예를 들면, YAG 계열, 실리케이트(Silicate)계열, 또는 TAG 계열의 형광 물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재(81) 위에는 광학 렌즈(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 광학 렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있다.The
상기 몰딩 부재(81)와 상기 플레이트(10) 사이의 계면에는 접착층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접착층은 상기 몰딩 부재(81)와 동일한 재질이거나, 상이한 재질이거나, 실리콘 또는 에폭시와 같은 재질일 수 있다. 상기 접착층에는 TiO2 또는 SiO2와 같은 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An adhesive layer may be further formed on the interface between the molding
실시 예의 광원 모듈(100)은 복수의 발광 칩(50) 아래에 복수의 전극부(11,13,15)를 갖는 플레이트를 배치함으로써, 얇은 두께로 제공할 수 있다. 예를 들면, 발광 칩 패키지는 몸체 내의 리드 프레임 상에 발광 칩을 탑재하고 몰딩 부재(81)로 패키징한 후 제조하고, 이렇게 제조된 발광 칩 패키지를 기판(PCB) 상에 배열하여 광원 모듈로 제공하게 되므로, 광원 모듈의 두께가 두꺼워지고 공정 수가 복잡한 문제가 있다. The
실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 선 광원으로 제공될 수 있으며, 복수의 발광 칩(50)은 직렬 연결, 직-병렬 연결, 또는 병렬 연결 중에서 선택될 수 있다.The
도 8은 도 2의 광원 모듈을 기판 상에 탑재한 예이고, 도 9는 도 8의 광원모듈의 A-A측 단면도이며, 도 10은 도 8의 광원 모듈의 B-B측 단면도이다.FIG. 8 is an example of mounting the light source module of FIG. 2 on a substrate, FIG. 9 is a sectional view of the light source module of FIG. 8 on the A-A side, and FIG. 10 is a sectional view of the light source module of FIG. 8 on the B-B side.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 상기 플레이트(10)가 알루미늄 재질과 같이 접착력이 약한 금속인 경우, 기판(191)과의 본딩 접합을 위해 별도의 재질로 도금된 층을 포함할 수 있다. 도금된 층은 플레이트(10)의 제2면(2), 제3 및 제4측면(5,6) 중 적어도 하나에 제공될 수 있다. 상기 도금된 층은 광원 모듈(100)의 제조 공정 상의 효율을 위해, 제2면(2) 상에 제공될 수 있다. 상기 플레이트(10)의 제1 내지 제4측면(3,4,5,6)은 커팅된 면이 될 수 있으며, 상기 제1 내지 제4측면(3,4,5,6)에 도금 층을 형성하는 데 어려움이 있다. 여기서, 상기 커팅된 제 1내지 제4측면(3,4,5,6)은 제2면(2)에 비해 더 거친 면 예컨대, 거칠기를 가질 수 있다. Referring to FIGS. 8 to 10, when the
여기서, 상기 플레이트(10)에 수직하게 관통된 비아 구조를 형성할 수 있으나, 상기 몰딩 부재(81)를 몰딩할 때 상기 몰딩 부재(81)가 비아 구조로 침투하는 문제가 있다. 이로 인해 상기 플레이트를 기판에 본딩할 때, 본딩 불량이 발생하는 문제가 있다. 또한 비아 구조를 플레이트에 복수로 형성할 경우, 강성이 저하될 수 있는 문제가 있다. 또한 비아 구조를 플레이트(10)의 제3 및 제4측면(5,6) 상에 형성할 경우, 공정 마진이 작아지는 문제가 있다.Here, although a via structure vertically penetrating the
도 4 내지 도 10을 참조하면, 실시 예는 플레이트(10)에 비아 구조를 형성하지 않고, 상기 플레이트(10)의 제2면(2)에 복수의 홈(31,32,33)을 제공하고, 본딩층(26)을 형성할 수 있다. 상기 플레이트(10)는 제2면(2)에 의해 제3측면(5) 또는 제4측면(6)으로 기판(191)에 실장이 가능한 구조로 제공될 수 있으며, 또한 비아 구조로 인한 몰딩 부재(81)의 누출을 방지할 수 있으며, 플레이트(10)의 강성 저하를 방지할 수 있으며, 광원 모듈의 제조 공정시 마진(Margin)을 개선할 수 있다. 4 to 10, the embodiment provides a plurality of
도 2 내지 도 6을 참조하면, 상기 플레이트(10)에는 복수의 홈(31,32,33)을 포함한다. 상기 복수의 홈(31,32,33)은 상기 플레이트(10)의 제2면(2)으로부터 제1면(1) 방향으로 오목하게 형성된다. 플레이트(10)의 제2면(2)에 배치된 홈(31,32,33) 간의 간격(D3)는 예컨대, 발광 칩(50)간의 간격보다 넓게 형성될 수 있다. 상기 간격(D3)는 10mm 이하 예컨대, 7mm 내지 9mm 범위로 형성될 수 있으며, 이러한 간격(D3)은 홈(31,32,33)의 개수에 따라 달라질 수 있다. Referring to FIGS. 2 to 6, the
상기 복수의 홈(31,32,33)의 깊이(T4)는 상기 플레이트(10)의 두께(T1) 미만으로서, 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 높이(T2)보다는 낮은 깊이로 형성될 수 있다. 상기 복수의 홈(31,32,33)의 깊이(T4)는 상기 플레이트(10)의 두께의 30% 내지 70% 범위로 형성될 수 있으며, 예컨대 0.27mm 내지 0.33mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제2홈(33)과 상기 제1면(1) 사이의 간격(T5)는 0.25mm 내지 0.3mm 범위로서, 상기 홈(31,32,33)의 깊이(T4)보다 작을 수 있다. The depth T4 of the plurality of
상기 각 홈(31,32,33)은 너비(T3)와 깊이(T4)가 같거나 다를 수 있으나, 너비(T3)가 깊이(T4)보다 더 넓게 배치될 수 있다. 이는 길이(D2)가 긴 플레이트(10)에 배치된 홈(31,32,33)의 너비(T3)를 넓게 함으로써, 본딩 면적을 효율적으로 증가시켜 줄 수 있다. 상기 홈(31,32,33)의 너비(T3)는 상기 홈(31,32,33)의 깊이(T4)보다 넓게 예컨대, 상기 홈(31,32,33)의 깊이(T4)의 140% 내지 200% 범위로 형성될 수 있으며, 예컨대 0.4mm~0.6mm범위로 형성될 수 있다. The widths T3 and T4 of the
여기서, 상기 복수의 홈(31,32,33)은 서로 동일한 너비이거나, 적어도 하나 또는 적어도 2개가 다른 너비로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3홈(33)의 깊이가 제1 및 제2홈(31,32)의 깊이보다 얇을 수 있으며, 이는 플레이트(10)의 센터 영역의 강성을 확보할 수 있다. 또한 제3홈(33)의 개수가 복수로 배치됨으로써, 전기적인 신뢰성을 개선할 수 있다. 상기 제3홈(33) 중 어느 하나는 상기 플레이트(10)의 센터 영역(17) 즉, 상기 제1 및 제2홈(31,32)과 동일한 간격을 갖고 배치되거나, 제1 및 제2홈(31,32) 사이의 중앙에 배치될 수 있다. Here, the plurality of
상기 각 홈(31,32,33)의 길이는 상기 플레이트(10)의 너비(D1)와 동일하게 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 각 홈(31,32,33)의 길이는 상기 몰딩 부재(81)의 너비와 동일할 수 있다. 또한 상기 각 홈(31,32,33)의 길이는 상기 제1 내지 제3전극부(11,13,15)의 너비와 동일하거나, 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 너비와 동일할 수 있다. 상기 각 홈(31,32,33)은 길이가 너비(T3)보다 더 길게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 홈(31,32,33)의 길이 방향은 상기 플레이트(10)의 너비 방향으로서, 상기 플레이트(10)의 길이 방향과 직교하는 방향이다.The length of each of the
도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 복수의 홈(31,32,33)은 각 전극부(11,13,15)에 적어도 하나의 홈(31,32,33)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1전극부(11) 및 제2전극부(13)는 적어도 하나의 홈(31,32)을 구비할 수 있으며, 상기 제1전극부(11)의 제1홈(31)은 상기 제1측벽부(12)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치되며, 상기 제2전극부(13)의 제2홈(32)은 상기 제2측벽부(14)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치된다.4 to 6, at least one
상기 제3전극부(15)는 하나 또는 복수의 제3홈(33)이 배치될 수 있다. 상기 제3전극부(15)의 제3홈(33)은 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 홈(31,32)의 개수보다는 많은 개수로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3전극부(15)의 제3홈(33)은 상기 플레이트(10)의 고정을 위해 복수개가 일정한 간격이거나 불규칙한 간격으로 배치될 수 있다. 상기 제3홈(33)은 상기 플레이트(10)의 센터 영역(17)에 가까울수록 그 간격이 점차 넓어질 수 있으며, 이는 주변 영역보다 상대적으로 취약한 센터 영역(17)의 강성이 약해지는 것을 방지할 수 있다.The
상기 각 홈(31,32,33)에는 본딩층(26)이 형성될 수 있다. 상기 본딩층(26)은 상기 플레이트(10)와 다른 재질일 수 있으며, 예컨대 도 9의 본딩 부재(199)와의 접착력이 상기 플레이트(10)의 재질보다 더 좋고, 전기 전도도 및 열 전도도가 상기 플레이트(10)보다 높은 재질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(26)은 예컨대, 은 또는 은 합금으로 형성될 수 있다. 또한 상기 본딩층(26)과 상기 플레이트(10) 사이에 다른 층 예컨대, 하지 도금층이 형성될 수 있다. 상기 하지 도금층은 니켈, 구리, 니켈 합금, 또는 구리 합금을 포함한다. A
상기 홈(31,32,33)에 본딩층(26)이 형성되면, 상기 본딩층(26)은 상기 제2면(2), 제3 및 제4측면(5,6)에 노출될 수 있다. 상기 본딩층(26)은 상기 홈(31,32,33)의 표면에 박막으로 배치되므로, 각 본딩층(26)의 내측 영역(25)은 개방된 홈으로서 상기 제2면(2), 제3 및 제4측면(5,6)이 개방된다. 도 8 내지 도 10과 같이, 상기 플레이트(10)의 제3측면(5)이 기판(191)에 탑재될 때, 상기 플레이트(10)의 홈(31,32,33)의 본딩층(26)과 상기 기판(191)의 패드(195)는 상기 본딩 부재(199)로 본딩된다. 이때 상기 본딩 부재(199)는 상기 홈(31,32,33)의 내측 영역(25) 내에 배치될 수 있어, 본딩층(26)과의 접착 면적이 증가될 수 있다. 상기 본딩 부재(199)는 본딩층(26)을 통해 상기 제1 내지 제3전극부(11,13,15)와 기판(191)을 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 기판(191)의 패드(195)의 면적은 상기 홈(31,32,33)의 면적보다는 크게 형성될 수 있다. When the
이에 따라 상기 각 전극부(11,13,15)의 홈(31,32,33)과 기판(191)은 본딩 부재(199)로 서로 연결되므로, 상기 기판(191)은 상기 각 전극부(11,13,15)과 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 광원 모듈(100)로부터 방출된 광은 몰딩 부재(81)를 통해 방출될 수 있다. 여기서, 플레이트(10)의 실장 면인 제3측면(5)은 상기 기판(191)에 접촉되거나 이격될 수 있으며, 또한 상기 몰딩 부재(81)의 어느 한 측면은 상기 기판(191)에 접촉되거나, 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 즉, 상기 플레이트(10)의 제3측면(5)이 상기 기판(191)에 실장되면, 상기 플레이트(10)의 제3측면(5) 및 상기 몰딩 부재(81)의 한 측면은 상기 기판(191) 상에 접촉될 수 있으며, 이 경우 광 손실을 줄여줄 수 있다.The light emitted from the
상기 제3전극부(15)는 복수의 제3홈(33) 중에서 상기 기판(191)과 전기적으로 연결되지 않은 홈들을 포함할 수 있으며, 예컨대 상기 제3전극부(15)의 센터 영역(17)에 배치된 홈(33)이 기판(191)과 전기적으로 연결되고, 나머지 홈들은 기판(191)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 이는 전기적으로 연결된 홈들이 아닌 홈들에 의해 방열 효율은 개선될 수 있다. 상기 전기적으로 연결되지 않은 홈들을 위해, 상기 기판(191)에는 다른 패드와 별도로 방열 패드나 더미 패드가 구비될 수 있다.
The
도 11 및 도 12는 실시 예에 따른 광원 모듈에서 홈의 개수를 변형한 예를 나타낸 도면이다. 도 11 및 도 12를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.11 and 12 are views showing an example in which the number of grooves is modified in the light source module according to the embodiment. 11 and 12, the same configuration as that of the first embodiment will be described with reference to the description of the first embodiment.
도 11을 참조하면, 플레이트(10)는 제3전극부(15)에 배치된 복수의 제3홈(33,34)을 포함하며, 복수의 제3홈(33,34) 중에서 플레이트(10)의 센터 영역(17)에 배치된 홈(33)의 개수가 인접한 영역에 배치된 홈(34)의 개수보다 작게 형성될 수 있다. 상기 센터 영역(17)의 홈(33)은 강성을 위해 단일 구조로 형성되며, 상기 센터 영역(17)으로부터 이격된 영역의 홈(34)은 멀티 구조로 형성될 수 있다. 상기 멀티 구조는 상기 발광 칩(50)들의 간격(B3) 내에 2개 이상의 홈(34) 및 2개 이상의 돌기(34A)가 배치된 구조를 포함한다.11, the
도 11의 멀티 구조의 홈(34)은 3개의 홈이 상기 간격(B3) 내에 집단적으로 배치되며, 도 12의 멀티 구조의 홈(35)은 5개의 홈(35) 및 돌기(35A)이 상기 간격(B3) 내에 집단적으로 배치된다. 도 11 및 도 12의 멀티 구조의 홈(34,35)의 너비(A2,A3)는 발광 칩(50)의 간격(B3)보다 작은 영역에 형성될 수 있으며, 이를 벗어날 경우 강성이 취약해 지는 문제가 있다. 또한 멀티 구조의 홈(34,35)의 너비는 센터 영역의 홈(33)과 같거나 좁을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 멀티 구조의 홈(34,35)의 표면에 본딩층을 형성해 줌으로써, 본딩 부재와의 접착 면적이 증가될 수 있다. 이러한 접착 면적이 증가됨으로써, 전기 전도도 및 열 전도도가 개선될 수 있다.
The
도 13 및 도 14은 실시 예에 있어서, 광원 모듈의 개수를 조절한 예이다.13 and 14 show an example in which the number of light source modules is adjusted in the embodiment.
도 13의 플레이트(10)에는 도 2의 홈(31,32,33)의 개수보다 작은 5개의 홈(31,32,33)이 배치될 수 있고, 도 14은 도 2의 홈(32,32,33)의 개수보다 많은 17개의 홈(31,32,33)이 배치될 수 있다. 이러한 홈(31,32,33)들은 홀수로 배열될 수 있으며, 일정한 간격(D4,D6)을 갖는다. 예컨대, 제1전극부(11), 제2전극부(13) 및 제3전극부(15)의 센터 영역(17)에 배치된 홈들(31,32,33)은 고정되며, 그 사이의 홈들의 간격을 조절하여 증가시키거나 감소시킬 수 있다. 도 13 내지 도 14를 참조하면, 플레이트(10)의 홈(31,32,33)들은 제3전극부(15)의 홈(33)들 간의 간격(D6>D3>D4)이 좁아질수록 그 개수는 더 증가함을 알 수 있으며,
13 may have five
도 15의 (A)(B)는 플레이트의 홈을 변형한 예이다. 15A and 15B show an example in which the groove of the plate is modified.
도 15의 (A)와 같이, 플레이트(10)의 홈(36)은 다각형 형상 예컨대, 상부가 넓고 하부가 좁은 형상일 수 있으며, 그 표면에 본딩층(26)이 형성된다. 상기 홈(36)의 내측 영역(25A)은 경사진 측면에 의해 본딩 부재와의 접착 면적이 증가될 수 있다.As shown in FIG. 15A, the
도 15의 (B)와 같이, 플레이트(10)의 홈(37)은 반구형 형상일 수 있으며, 상기 홈(37)의 형상에 따라 본딩층(26) 및 내측 영역(25B)도 반구형 형상으로 형성될 수 있다.
The
도 16은 제2실시 예에 따른 광원모듈의 사시도이다. 제2실시 예의 설명에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.16 is a perspective view of a light source module according to the second embodiment. In the description of the second embodiment, the same portions as those of the first embodiment will be described with reference to the description of the first embodiment.
도 16을 참조하면, 광원 모듈은 플레이트(10)의 제1전극부(11) 및 제2전극부(13)의 아래에 제1 및 제2홈(31,32)이 배치되고, 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 서브 홈(121,122,141,142)이 배치된다.16, the light source module has first and
상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)은 반구형 형상이거나 다각형 형상일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)은 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 아래에 배치된 제1 및 제2홈(31,32)과 수직 방향으로 오버랩되거나 어긋나게 배치될 수 있다. The sub-grooves 121, 122, 141 and 142 disposed on the third and fourth side surfaces of the first and
상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 형성된 서브 홈(121,122,141,142)은 수직 방향 예컨대, 상기 플레이트(10)의 두께 방향으로 형성될 수 있다. The sub-grooves 121, 122, 141 and 142 formed on the third and fourth side surfaces of the first and
상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)은 상기 몰딩 부재(81)와의 접촉이 되지 않기 때문에, 상기 몰딩 부재(81)에 의한 불량 발생을 방지할 수 있다. 이에 따라 제3 및 제4측면에 서브 홈(121,122,141,142)이 배치된 경우, 상기 제1 및 제2전극부(11,13) 아래의 제1 및 제2홈(31,32)과 본딩 부재로 접착되므로, 본딩 효율이 개선될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극부(11,13) 아래의 홈은 제거될 수 있다.Since the sub-grooves 121, 122, 141 and 142 disposed on the third and fourth side surfaces of the first and
상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)은 상기 플레이트(10)의 너비 미만으로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 플레이트(10)의 너비의 30% 이하의 깊이로 형성될 수 있다. 상기 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)의 깊이는 0.35mm 미만으로 형성되거나, 반구형인 경우 0.6mm~0.8mm의 곡률로 형성될 수 있다.The sub-grooves 121, 122, 141 and 142 disposed on the third and fourth sides of the first and
또한 상기 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142) 간의 간격은 상기 발광 칩(50)의 너비 이하로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 서브 홈(121,122,141,142)에는 본딩층이 형성될 수 있다.
The spacing between the sub-grooves 121, 122, 141, and 142 disposed on the third and fourth sides may be less than the width of the
도 17은 제3실시 예에 따른 광원모듈의 측면도이다. 도 17을 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.17 is a side view of the light source module according to the third embodiment. In the description of FIG. 17, the same configuration as that of the first embodiment will be described with reference to the description of the first embodiment.
도 17을 참조하면, 광원 모듈은 복수의 발광 칩(50)을 갖는 플레이트(10)의 제1 및 제2전극부(11,13)의 변형한 구조이다. 상기 제1 및 제2전극부(11,13)에는 제2면에 제1 및 제2홈(31,32)이 배치되고, 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)에 서브 홈(31A,32A)이 배치된다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)에 배치된 서브 홈(31A,32A)은 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 상면으로부터 소정 깊이로 리세스되고, 상기 플레이트(10)의 너비와 같은 길이를 갖는다.Referring to FIG. 17, the light source module is a modified structure of the first and
상기 제1 및 제2홈(31,32) 및 서브 홈(31A,32A)의 길이 및 너비는 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 서브 홈(31A,32A)에는 상기 홈(31,33,35)에 형성된 본딩층(26)이 형성될 수 있다. 이러한 서브 홈(31A,32A) 중 적어도 하나는 본딩 부재에 의해 본딩될 수 있다. 여기서, 상기 서브 홈(31A,32A)은 상기 제1 및 제2전극부(13,15)에 배치된 홈(31,32)과 반대측에 배치되므로, 본딩 위치도 서로 반대일 수 있다.
The lengths and widths of the first and
도 18은 제4실시 예에 따른 광원 모듈의 일부를 나타낸 측면도이다. 도 18을 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.18 is a side view showing a part of the light source module according to the fourth embodiment. In explaining FIG. 18, the same configuration as that of the first embodiment will be described with reference to the description of the first embodiment.
도 18을 설명하면, 인접한 발광 칩(50) 사이의 영역에 연결 단자(171)가 복수로 배치되며, 상기 복수의 연결 단자(171)는 인접한 두 발광 칩(50)을 서로 연결해 준다. 상기 복수의 연결 단자(171)는 와이어(59)에 의해 인접한 두 발광 칩(50)을 직렬로 연결해 줌으로써, 인접한 두 발광 칩(50) 간의 간격(B4>B3)이 넓어질 수 있다. 이에 따라 광원 모듈 내의 발광 칩(50)의 개수도 줄어들 수 있다.
Referring to FIG. 18, a plurality of
도 19은 제3실시 예에 따른 광원 모듈을 갖는 발광 장치를 나타낸 도면이다.19 is a view showing a light emitting device having a light source module according to the third embodiment.
도 19를 참조하면, 광원 모듈(100)은 기판(191) 상에 탑재된다. 상기 광원 모듈(100)의 플레이트(10)의 어느 한 측면이 상기 기판(191) 상에 대면하고, 상기 플레이트(10)의 홈(31,32,33)에 본딩 부재를 본딩하여 상기 기판(191)의 패드에 탑재된다. 이에 따라 상기 플레이트(10)의 제1 내지 제3전극부(11,13,15)는 상기 기판(191)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 복수의 발광 칩(50)은 광을 방출하게 된다. Referring to FIG. 19, the
상기 기판(191)은 상기 플레이트(10)의 제1전극부(11), 제2전극부(13) 및 제3전극부(15)에 각각 연결된 라인 패턴(P1,P2,P3)을 포함하며, 상기 라인 패턴(P1,P2,P3)은 적어도 3개의 라인이 각 전극부(11,13,15)에 연결될 수 있다. The
상기 기판(191)은 플렉시블 기판이거나, 수지 재질의 기판, 또는 세라믹 재질의 기판, 또는 금속층을 갖는 기판을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 도 19에서, 제1전극부(11), 제2전극부(13) 및 제3전극부(15)의 센터 영역에 배치된 홈(31,32,33)들은 기판(191)과 라인 패턴(P3)에 의해 전기적으로 연결되며, 상기 제3전극부(15)의 센터 영역 이외의 홈들은 상기 기판(191)과 전기적으로 연결되거나, 연결되지 않을 수 있다. 이는 제3전극부(15)의 센터 영역 이외의 홈들을 전기적으로 연결하지 않을 경우, 방열 목적으로만 사용할 수 있어, 방열 효율은 더 개선될 수 있다. 또한, 상기 제3전극부(15)의 센터 영역 이외의 홈들에 대응되는 영역에 기판(191)의 방열 패드(들)을 배치할 수 있다. 상기 방열 패드는 상기 라인 패턴(P1,P2,P3)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
19, the
도 20 및 도 21은 제1실시 예의 광원모듈의 제조 과정의 일부를 나타낸 도면이다.20 and 21 are views showing a part of the manufacturing process of the light source module of the first embodiment.
도 20 및 도 21을 참조하면, 원판(100B)의 길이 방향(x축 방향)에 서로 이격된 절연부(113,114)를 배치하고, 상기 원판(100B)의 소정 영역(A1)이 오목한 제1면이 배치되고, 도 21과 같이 상기 제1면의 반대측 제2면에 복수의 홈(31,32,33)을 Y축 방향으로 길게 형성한다. 여기서, 상기 복수의 발광 칩(50)이 배치된 제1면의 위치는 상기 측벽부의 상면보다 낮게 위치할 수 있다. 여기서, 상기 복수의 홈(31,32,33)에는 도금 공정에 의해 본딩층을 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 20 and 21, insulating
이후, 상기 원판(100B)의 개별 플레이트 영역(100A)의 제1면 상에 복수의 발광 칩(50)을 탑재한 후, 와이어로 연결하고, 몰딩 부재(81)로 몰딩하게 된다. 이후 x축 방향으로 개별 플레이트 영역(100A)의 너비 단위로 커팅하게 되며, Y축 방향으로 플레이트 영역(100A)의 길이 크기로 커팅하게 된다. 이에 따라 개별 광원 모듈의 플레이트 영역(100A)의 제2면에 복수의 홈(31,32,33)이 제공될 수 있고, 상기 절연부(113,114)에 의해 복수의 전극부가 구비된다. 또한 각 전극부에는 홈(31,32,33)이 배치됨으로써, 기판과의 전기적인 연결이 가능하게 된다.
Thereafter, a plurality of
<조명 시스템><Lighting system>
실시예에 따른 광원 모듈은 기판 상에 탑재되어 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 광원 모듈을 포함하며, 도 22에 도시된 표시 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light source module according to the embodiment may be mounted on a substrate and applied to an illumination system. The lighting system includes a light source module and includes the display device shown in Fig. 22, and may include an illumination lamp, a traffic light, a vehicle headlight, an electric signboard, and the like.
도 22는 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 22 is an exploded perspective view of the display device according to the embodiment.
도 22를 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 실시 예에 따른 광원모듈(100) 및 기판(1033)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원모듈(100) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.22, a
상기 바텀 커버(1011), 광원모듈(100), 기판(1033), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 상기 광원모듈(100)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 광원모듈(100)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기에 개시된 광원모듈(100)은 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원모듈(100)은 실시 예에 따른 모듈 중에서 선택될 수 있다. At least one
상기 광원 모듈(100)과 상기 바텀 커버(1011)의 측면 사이에는 절연성 접착 시트가 부착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An insulating adhesive sheet may be attached between the side surfaces of the
상기 바텀 커버(1011) 내에는 방열 플레이트가 배치될 수 있으며, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. A heat radiation plate may be disposed in the
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원모듈(100), 기판(1033) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 광원 모듈(100)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 광원 모듈(100)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The optical path of the
상기의 실시 예에 개시된 광원모듈은 탑뷰 형태의 백라이트 유닛에 적용되거나, 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 직하 타입의 광원모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 광원모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light source module disclosed in the above embodiments can be applied to a backlight unit of a top view type, a backlight unit of a portable terminal, a computer, and the like, as well as a lighting device such as an illumination light, a traffic light, a vehicle headlight, an electric signboard, a streetlight, It is not limited. Further, the light guide plate may not be disposed in the direct-type light source module, and the present invention is not limited thereto. Further, a light transmitting material such as a lens or glass may be disposed on the light source module, but the present invention is not limited thereto.
상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiment and the attached drawings, but is defined by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims, As will be described below.
10: 플레이트
11,13,15: 전극부
12,14: 측벽부
31,32,33,34,35: 홈
26: 본딩층
50,51,53,55,57: 발광 칩
81: 몰딩 부재
100: 광원 모듈
113,114: 절연부
171: 연결 단자
191: 기판10:
12, 14:
26:
81: molding member 100: light source module
113, 114: insulation part 171: connection terminal
191: substrate
Claims (16)
상기 플레이트의 제1면 상에서 상기 제1방향으로 배열된 복수의 발광 칩; 및
상기 복수의 발광 칩을 덮는 몰딩 부재를 포함하며,
상기 복수의 발광 칩은 상기 복수의 전극부에 전기적으로 연결되며,
상기 절연부는 상기 상기 복수의 전극부와 동일한 재질을 포함하며,
상기 플레이트는 상기 제1면의 반대측 제2면으로부터 상기 제1면 방향으로 오목한 복수의 홈을 포함하며,
상기 복수의 홈은 상기 각 전극부에 적어도 하나가 배치되는 광원 모듈. A plate having a length in a first direction longer than a width in the second direction and having a plurality of electrode portions and at least one insulating portion between the plurality of electrode portions;
A plurality of light emitting chips arranged on the first surface of the plate in the first direction; And
And a molding member covering the plurality of light emitting chips,
Wherein the plurality of light emitting chips are electrically connected to the plurality of electrode units,
Wherein the insulating portion includes the same material as the plurality of electrode portions,
Wherein the plate includes a plurality of grooves recessed from a second side opposite to the first side in the first surface direction,
Wherein at least one of the plurality of grooves is disposed in each of the electrode portions.
상기 플레이트는 금속 재질을 포함하며,
상기 플레이트의 표면은 상기 복수의 절연부와 동일한 수평 면을 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the plate comprises a metal material,
Wherein a surface of the plate has the same horizontal surface as the plurality of insulating portions.
상기 절연부는 상기 전극부의 개수보다 작은 개수를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the insulating portion has a smaller number than the number of the electrode portions.
상기 복수의 전극부는 상기 플레이트로 이루어진 제1 내지 제3전극부를 포함하며,
상기 제3전극부는 상기 제1 및 제2전극부 사이에 배치되며,
상기 제3전극부 상에는 상기 복수의 발광 칩 중 80% 이상이 배치되는 광원 모듈.The method according to claim 1,
The plurality of electrode portions include first to third electrode portions formed of the plate,
The third electrode portion is disposed between the first and second electrode portions,
And at least 80% of the plurality of light emitting chips is disposed on the third electrode unit.
상기 제1전극부는 상기 플레이트의 제1면보다 돌출된 제1측벽부를 포함하며,
상기 제2전극부는 상기 플레이트의 제1면보다 돌출되며 상기 제1측벽부와 대면하는 제2측벽부를 포함하며,
상기 제1 및 제2측벽부는 상기 몰딩 부재와 접촉되는 광원 모듈.5. The method of claim 4,
Wherein the first electrode portion includes a first side wall portion protruding from a first surface of the plate,
The second electrode portion includes a second side wall portion protruding from the first surface of the plate and facing the first side wall portion,
And the first and second side wall portions are in contact with the molding member.
상기 복수의 홈은 상기 제1전극부 아래에 배치된 제1홈; 상기 제2전극부의 아래에 배치된 제2홈; 및 상기 제3전극부의 아래에 배치된 복수의 제3홈을 포함하며,
상기 제1내지 제3홈은 상기 플레이트의 너비와 동일한 길이를 갖는 광원 모듈.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The plurality of grooves may include a first groove disposed below the first electrode portion; A second groove disposed below the second electrode portion; And a plurality of third grooves disposed under the third electrode portion,
Wherein the first to third grooves have a length equal to the width of the plate.
상기 제3홈은 상기 제1 및 제2홈의 개수의 합보다 더 많은 개수를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 6,
And the third groove has a larger number than the sum of the numbers of the first and second grooves.
상기 제1홈은 상기 제1측벽부와 오버랩되게 배치되며, 상기 제2홈은 상기 제2측벽부와 오버랩되게 배치되며,
상기 제3홈 중 어느 하나는 상기 제1홈과 제2홈과 동일한 간격을 갖고 배치되는 광원 모듈. The method according to claim 6,
Wherein the first groove is overlapped with the first sidewall portion and the second groove is overlapped with the second sidewall portion,
And one of the third grooves is disposed at the same interval as the first groove and the second groove.
상기 각 연결 단자는 상기 플레이트의 제1면 위에 절연층 및 상기 절연층 위에 전도층을 포함하는 광원 모듈.10. The light emitting device according to claim 9, further comprising a plurality of connection terminals for connecting adjacent two light emitting chips among the plurality of light emitting chips, wherein at least one connection terminal is disposed between the adjacent two light emitting chips,
Wherein each of the connection terminals includes an insulating layer on a first surface of the plate and a conductive layer on the insulating layer.
상기 각 홈에 상기 플레이트의 재질과 다른 본딩층을 포함하는 광원 모듈.
2. The plate of claim 1, wherein each groove has a depth ranging from 30% to 70% from the underside of the second surface of the plate,
And a bonding layer different from the material of the plate in each of the grooves.
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---|---|---|---|
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- 2014-01-20 KR KR1020140006616A patent/KR102199982B1/en active IP Right Grant
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