KR102199982B1 - Lighting source module and light system having the same - Google Patents

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Abstract

실시 예는 광원모듈에 관한 것이다.
실시 예에 따른 광원 모듈은, 제1방향의 길이가 상기 제2방향의 너비보다 길며, 복수의 전극부 및 상기 복수의 전극부 사이에 적어도 하나의 절연부를 갖는 플레이트; 상기 플레이트의 제1면 상에서 상기 제1방향으로 배열된 복수의 발광 칩; 및 상기 복수의 발광 칩을 덮는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 복수의 발광 칩은 상기 복수의 전극부에 전기적으로 연결되며, 상기 복수의 절연부는 상기 복수의 전극부와 동일한 재질을 포함하며, 상기 플레이트는 상기 제1면의 반대측 제2면으로부터 상기 제1면 방향으로 오목한 복수의 홈을 포함하며, 상기 복수의 홈은 상기 각 전극부에 적어도 하나가 배치된다.The embodiment relates to a light source module.
The light source module according to the embodiment may include a plate having a length in a first direction longer than a width in the second direction and having a plurality of electrode portions and at least one insulating portion between the plurality of electrode portions; A plurality of light emitting chips arranged in the first direction on the first surface of the plate; And a molding member covering the plurality of light emitting chips, wherein the plurality of light emitting chips are electrically connected to the plurality of electrode parts, the plurality of insulating parts include the same material as the plurality of electrode parts, and the plate Includes a plurality of grooves concave in the direction of the first surface from a second surface opposite to the first surface, and at least one of the plurality of grooves is disposed on each electrode portion.

Figure R1020140006616
Figure R1020140006616

Description

광원모듈 및 이를 구비한 조명 시스템{LIGHTING SOURCE MODULE AND LIGHT SYSTEM HAVING THE SAME}Light source module and lighting system equipped with it {LIGHTING SOURCE MODULE AND LIGHT SYSTEM HAVING THE SAME}

실시 예는 광원모듈 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a light source module and a lighting system including the same.

발광 다이오드, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.Light-emitting diodes, such as light-emitting diodes (Light Emitting Device), are a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and are in the spotlight as a next-generation light source by replacing conventional fluorescent and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since light-emitting diodes use semiconductor devices to generate light, they consume very little power compared to incandescent lamps that generate light by heating tungsten, or fluorescent lamps that generate light by colliding with a phosphor with ultraviolet rays generated through high-pressure discharge. .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of a semiconductor device, it has a longer lifespan, faster response characteristics, and eco-friendly characteristics compared to conventional light sources.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 LCD는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛과 같은 조명 시스템을 필요로 한다.Accordingly, many studies are being conducted to replace the existing light source with a light emitting diode, and as information processing technology develops, display devices such as LCD, PDP, and AMOLED are widely used. Among these display devices, the LCD requires a lighting system such as a backlight unit capable of generating light in order to display an image.

실시 예는 길이가 너비에 비해 긴플레이트 상에 복수의 발광 칩을 배열한 광원모듈을 제공한다.The embodiment provides a light source module in which a plurality of light emitting chips are arranged on a plate whose length is longer than that of the width.

실시 예는 적어도 3개의 전극부로 이루어진 플레이트 상에 복수 개의 발광 칩을 탑재한 광원모듈을 제공한다.The embodiment provides a light source module in which a plurality of light emitting chips are mounted on a plate including at least three electrode portions.

실시 예는 플레이트의 너비와 동일한 너비를 갖는 몰딩 부재로 발광 칩을 덮고, 상기 몰딩 부재의 측면들 중에서 2개 또는 3개의 측면이 개방된 광원 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light source module covering a light emitting chip with a molding member having the same width as the width of the plate, and having two or three sides of the molding member open.

실시 예에 따른 광원 모듈은, 제1방향의 길이가 상기 제1방향과 수직한 상기 제2방향의 너비보다 길며, 복수의 전극부 및 상기 복수의 전극부 사이에 적어도 하나의 절연부를 갖는 플레이트; 상기 플레이트의 제1면 상에서 상기 제1방향으로 배열된 복수의 발광 칩; 및 상기 복수의 발광 칩을 덮는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 복수의 발광 칩은 상기 복수의 전극부에 전기적으로 연결되며, 상기 플레이트는 상기 제1면의 반대측 제2면으로부터 상기 제1면 방향으로 오목한 복수의 홈을 포함하며, 상기 홈의 표면에 본딩층이 형성되며, 상기 복수의 홈은 상기 각 전극부에 적어도 하나가 배치될 수 있다.The light source module according to the embodiment includes: a plate having a length in a first direction longer than a width in the second direction perpendicular to the first direction, and having a plurality of electrode portions and at least one insulating portion between the plurality of electrode portions; A plurality of light emitting chips arranged in the first direction on the first surface of the plate; And a molding member covering the plurality of light emitting chips, wherein the plurality of light emitting chips are electrically connected to the plurality of electrode portions, and the plate is directed from a second surface opposite to the first surface to the first surface. It includes a plurality of concave grooves, a bonding layer is formed on a surface of the groove, and at least one of the plurality of grooves may be disposed on each electrode portion.

실시 예는 발광 칩의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment may improve the heat dissipation efficiency of a light emitting chip.

실시 예는 플레이트 상에 복수의 발광 칩을 탑재함으로써, 복수의 발광 칩이 패키징된 광원 모듈의 두께를 얇게 제공할 수 있다.According to the embodiment, by mounting a plurality of light emitting chips on a plate, the thickness of a light source module in which the plurality of light emitting chips are packaged may be provided thin.

실시 예는 광원 모듈의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment may improve the reliability of the light source module.

실시 예는 광원 모듈을 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment may improve the reliability of a lighting system including a light source module.

도 1은 제1실시 예에 따른 광원모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1의 광원모듈의 측면도이다.
도 3은 도 1의 광원모듈의 사시도이다.
도 4는 도 2의 광원모듈의 제1전극부를 상세하게 나타낸 도면이다.
도 5는 도 2의 광원모듈의 제2전극부를 상세하게 나타낸 도면이다.
도 6은 도 2의 광원모듈의 제3전극부의 센터 영역을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 2의 광원모듈의 연결 단자를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 2의 광원모듈을 기판에 탑재한 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8의 광원모듈 및 기판의 A-A측 단면도이다.
도 10은 도 8의 광원모듈 및 기판의 B-B측 단면도이다.
도 11 및 도 12는 실시 예에 따른 광원모듈의 홈의 변형 예를 나타낸 측면도이다.
도 13 및 도 14는 실시 예에 있어서, 광원모듈의 플레이트에 홈의 개수 및 간격을 변형한 예이다.
도 15의 (A)(B)는 실시 예에 따른 광원모듈의 플레이트의 홈의 형상을 변경한 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 제2실시 예에 따른 광원모듈의 일부를 나타낸 측면도이다.
도 17은 제3실시 예에 따른 광원모듈을 나타낸 사시도이다.
도 18은 제4실시 예에 따른 광원모듈을 나타낸 측면도이다.
도 19는 도 2의 광원모듈이 기판에 탑재된 도면이다.
도 20 및 도 21은 도 1의 광원모듈의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 22은 실시 예에 따른 광원 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.1 is a plan view of a light source module according to a first embodiment.
2 is a side view of the light source module of FIG. 1.
3 is a perspective view of the light source module of FIG. 1.
4 is a view showing in detail a first electrode of the light source module of FIG. 2.
5 is a view showing in detail a second electrode of the light source module of FIG. 2.
6 is a diagram illustrating a center area of a third electrode part of the light source module of FIG. 2.
7 is a diagram illustrating a connection terminal of the light source module of FIG. 2.
8 is a diagram illustrating an example in which the light source module of FIG. 2 is mounted on a substrate.
9 is a cross-sectional view of the light source module and the substrate of FIG. 8 on the AA side.
10 is a cross-sectional view of the light source module and the substrate of FIG. 8 on the BB side.
11 and 12 are side views illustrating a modified example of a groove of the light source module according to the embodiment.
13 and 14 are examples in which the number and spacing of grooves in the plate of the light source module are modified according to the embodiment.
15A and 15B are views showing an example of changing the shape of a groove of a plate of a light source module according to an embodiment.
16 is a side view showing a part of a light source module according to the second embodiment.
17 is a perspective view showing a light source module according to a third embodiment.
18 is a side view showing a light source module according to a fourth embodiment.
19 is a view in which the light source module of FIG. 2 is mounted on a substrate.
20 and 21 are views illustrating a manufacturing process of the light source module of FIG. 1.
22 is a perspective view illustrating a display device having a light source module according to an exemplary embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiment, each substrate, frame, sheet, layer or pattern, etc. is formed in "on" or "under" of each substrate, frame, sheet, layer or pattern In the case of being described as being "on" and "under", it includes both "directly" or "indirectly" formed . In addition, standards for the top or bottom of each component will be described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation, and does not mean a size that is actually applied.

이하 실시 예에 따른 광원 모듈에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a light source module according to an exemplary embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1실시 예에 따른 광원모듈의 평면도이며, 도 2는 도 1의 광원모듈의 측면도이고, 도 3은 도 1의 광원모듈의 사시도이며, 도 4는 도 2의 광원모듈의 제1전극부를 상세하게 나타낸 도면이고, 도 5는 도 2의 광원모듈의 제2전극부를 상세하게 나타낸 도면이며, 도 6은 도 2의 광원모듈의 제3전극부의 센터 영역을 나타낸 도면이며, 도 7은 도 2의 광원모듈의 발광 칩과 연결단자를 나타낸 도면이다.1 is a plan view of a light source module according to a first embodiment, FIG. 2 is a side view of the light source module of FIG. 1, FIG. 3 is a perspective view of the light source module of FIG. 1, and FIG. 4 is a first light source module of FIG. FIG. 5 is a view showing in detail the second electrode of the light source module of FIG. 2, FIG. 6 is a view showing a center area of the third electrode of the light source module of FIG. 2, and FIG. 7 2 is a view showing a light emitting chip and a connection terminal of the light source module.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 광원 모듈(100)은, 복수의 전극부(11,13,15) 및 복수의 절연부(113,114)를 갖는 플레이트(10); 상기 플레이트(10)의 제1면(1) 위에 배치된 복수의 발광 칩(50: 51,53,55,57); 상기 플레이트(10)의 제2면(2)에 배치된 복수의 홈(31,32,33); 및 상기 복수의 발광 칩(50: 51,53,55,57)를 덮는 몰딩 부재(81)를 포함한다.Referring to FIGS. 1 to 7, the light source module 100 includes a plate 10 having a plurality of electrode parts 11, 13 and 15 and a plurality of insulating parts 113 and 114; A plurality of light emitting chips (50:51,53,55,57) disposed on the first surface (1) of the plate 10; A plurality of grooves (31, 32, 33) disposed on the second surface (2) of the plate (10); And a molding member 81 covering the plurality of light emitting chips 50:51,53,55,57.

상기 플레이트(10)는 복수의 발광 칩(50)이 배열된 제1면(1), 상기 제1면(1)의 반대측 제2면(2), 4개의 측면인 제1 내지 제4측면(3,4,5,6)을 포함한다. 상기 제1면(1)은 연속적인 수평 면으로 형성되며, 양단에 측벽부(12,14)가 돌출될 수 있다. 상기 제2면(2)은 수평 면 예컨대, 상기 홈(31,32,33)을 제외한 영역이 수평 면으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 절연부(113,114)의 표면은 상기 제1면(1), 제2면(2), 제3측면(5) 및 제4측면(6)에 대해 평탄한 수평 면으로 형성될 수 있다. 또한 상기 복수의 절연부(113,114)의 표면은 플레이트(10)의 표면과 동일 수평 면으로 형성될 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(5,6) 중 적어도 하나는 기판에 탑재되는 면이 되므로, 상기 광원 모듈(100)은 측 방향으로 광을 방출한다.The plate 10 includes a first surface 1 on which a plurality of light emitting chips 50 are arranged, a second surface 2 opposite to the first surface 1, and first to fourth side surfaces ( 3,4,5,6). The first surface 1 is formed as a continuous horizontal surface, and sidewall portions 12 and 14 may protrude from both ends. The second surface 2 may be formed as a horizontal surface, for example, a region excluding the grooves 31, 32, and 33 as a horizontal surface. The surfaces of the plurality of insulating portions 113 and 114 may be formed as flat horizontal surfaces with respect to the first surface 1, the second surface 2, the third side surface 5, and the fourth side surface 6. In addition, the surfaces of the plurality of insulating parts 113 and 114 may be formed in the same horizontal plane as the surface of the plate 10. At least one of the third and fourth side surfaces 5 and 6 becomes a surface to be mounted on the substrate, so that the light source module 100 emits light in the lateral direction.

상기 플레이트(10)는 복수의 절연부(113,114)에 의해 분할된 복수의 전극부(11,13,15)를 포함하며, 상기 복수의 절연부(113,114)는 2개 이상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예는 플레이트(10)는 길이(D2)가 너비(D1)보다 백 배 이상의 길게 배치되며, 상기 길이(D2)의 방향(Y)을 따라 복수의 발광 칩(50)이 일렬로 배열된다. 상기 플레이트(10)의 너비(D1)는 상기 발광 칩(50)의 어느 한 변의 길이보다 2배 이하의 너비로 형성될 수 있으며, 예컨대 발광 칩(50)이 직사각형인 경우 단변 또는 단변의 길이의 2배 이하일 수 있다. The plate 10 includes a plurality of electrode portions 11, 13 and 15 divided by a plurality of insulating portions 113 and 114, and the plurality of insulating portions 113 and 114 may be formed in two or more, It is not limited to this. In an embodiment, the plate 10 has a length D2 that is one hundred times longer than the width D1, and a plurality of light emitting chips 50 are arranged in a line along the direction Y of the length D2. The width D1 of the plate 10 may be formed to be less than twice as long as the length of any one side of the light emitting chip 50. For example, when the light emitting chip 50 is rectangular, the length of the short side or the short side It may be less than 2 times.

상기 플레이트(10)는 소정 길이(D2)를 갖는 바(bar) 형상으로 형성될 수 있으며, 10개 이상 예컨대, 15개 이상의 발광 칩(50)이 배열될 수 있다. 상기 플레이트(10)는 제1방향(Y)의 길이(D2)가 제2방향(X)의 너비(D1)의 100배 ~ 200배 범위로 긴 길이를 갖고, 상기 길이(D2)는 50mm 이상이 될 수 있으며, 예컨대, 50mm 내지 100mm 범위일 수 있다. 상기 플레이트(10)의 너비(D1)는 1mm 이하 예컨대, 0.35mm ~ 0. 5mm이 될 수 있다. 상기 플레이트(10)의 두께(T1)는 너비(D1)보다 두껍게 형성될 수 있다. 상기 플레이트(10)의 두께(T1)는 길이(D2)의 1/80 ~ 1/120 배 범위로 형성될 수 있으며, 예컨대 0.5mm~0.6mm 범위로 형성될 수 있다. 이러한 플레이트(10)의 두께(T1)는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)를 제외한 두께로서, 증가할수록 방열 표면적이 증가하므로, 방열 효율은 개선될 수 있다. 상기 플레이트(10)의 너비(D1)는 상기 발광 칩(50)의 너비 즉, 제2방향의 너비에 비해 3배 이하 예컨대, 2배 이하로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 플레이트(10)는 상기 발광 칩(50)의 너비와 더블어 공정 마진을 고려한 너비로 제공될 수 있다. 예컨대, 발광 칩(50)은 플레이트(10)의 제3 및 제4측면(5,6)으로부터 소정 간격 예컨대, 50㎛ 이상 예컨대, 50㎛~100㎛ 범위로 이격될 수 있다. 다른 예로서, 상기 플레이트(10)의 길이(D2)는 100mm 이상일 수도 있고, 발광 칩(10)이 예컨대, 2열 이상으로 배열될 수 있다. 상기 발광 칩(50)이 2열 이상인 경우 상기 너비(D1)는 2mm 이하가 될 수 있다.The plate 10 may be formed in a bar shape having a predetermined length D2, and 10 or more, for example, 15 or more light emitting chips 50 may be arranged. The plate 10 has a length (D2) in the first direction (Y) of 100 to 200 times the width (D1) in the second direction (X), and the length (D2) is 50 mm or more. It may be, for example, it may be in the range of 50mm to 100mm. The width D1 of the plate 10 may be 1 mm or less, for example, 0.35 mm to 0.5 mm. The thickness T1 of the plate 10 may be thicker than the width D1. The thickness T1 of the plate 10 may be formed in a range of 1/80 to 1/120 times the length D2, for example, in a range of 0.5 mm to 0.6 mm. The thickness T1 of the plate 10 is a thickness excluding the first and second sidewall portions 12 and 14, and as the thickness increases, the heat dissipation surface area increases, so that the heat dissipation efficiency can be improved. The width D1 of the plate 10 may be 3 times or less, for example, 2 times or less than the width of the light emitting chip 50, that is, the width in the second direction. Here, the plate 10 may be provided with a width in consideration of the width of the light emitting chip 50 and a process margin. For example, the light emitting chip 50 may be spaced apart from the third and fourth side surfaces 5 and 6 of the plate 10 by a predetermined distance, for example, 50 μm or more, for example, 50 μm to 100 μm. As another example, the length D2 of the plate 10 may be 100 mm or more, and the light emitting chips 10 may be arranged in two or more rows, for example. When the light emitting chip 50 is in two or more rows, the width D1 may be 2 mm or less.

상기 플레이트(10)는 서로 대면하는 제1측벽부(12)와 제2측벽부(14)를 포함한다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)는 상기 플레이트(10)의 제1면(1)의 수평 선상보다 돌출되며, 발광 칩(50)으로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있으며, 몰딩 부재(81)의 넘침을 방지할 수 있다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)는 상기 플레이트(10)과 동일한 재질로서 돌출된 구조이거나, 다른 금속 재질로 부착될 수 있다. The plate 10 includes a first side wall portion 12 and a second side wall portion 14 facing each other. The first and second sidewall portions 12 and 14 protrude from the horizontal line of the first surface 1 of the plate 10 and reflect light emitted from the light emitting chip 50, and The overflow of the member 81 can be prevented. The first and second sidewall portions 12 and 14 may have the same material as the plate 10 and have a protruding structure, or may be attached to another metal material.

상기 제1 및 제2측벽부(12,14)는 상기 플레이트(10)의 너비(D1)와 동일한 너비를 갖고, 상면이 상기 발광 칩(50)의 상면보다 높게 예컨대, 상기 발광 칩(50)에 연결된 와이어(59)의 고점보다 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 상면은 상기 몰딩부재(81)의 상면과 동일한 위치에 위치할 수 있다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 두께(T2)는 상기 플레이트(10)의 너비(D1)와 같거나 더 두껍게 형성되며, 예컨대 0.4~0.45mm로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 두께(T2)는 상기 발광 칩(50)의 두께 및 와이어(59)의 고점 위치를 고려하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second sidewall portions 12 and 14 have the same width as the width D1 of the plate 10, and the upper surface is higher than the upper surface of the light emitting chip 50, for example, the light emitting chip 50 It may be disposed higher than the high point of the wire 59 connected to. The top surfaces of the first and second sidewall portions 12 and 14 may be positioned at the same position as the top surfaces of the molding member 81. The thickness T2 of the first and second sidewall portions 12 and 14 is equal to or thicker than the width D1 of the plate 10, and may be formed to be, for example, 0.4 to 0.45 mm. The thickness T2 of the first and second sidewall portions 12 and 14 may be formed in consideration of the thickness of the light emitting chip 50 and the high point position of the wire 59, but is not limited thereto.

상기 플레이트(10)의 전 영역은 상기 발광 칩(50)로부터 발생된 열을 방열하고 전원을 공급하는 부재로 사용될 수 있다. 이러한 플레이트(10)는 제 1내지 제4측면(3,4,5,6)과 제2면(2)이 노출된다. The entire area of the plate 10 may be used as a member for dissipating heat generated from the light emitting chip 50 and supplying power. The plate 10 has the first to fourth side surfaces 3, 4, 5, 6 and the second surface 2 exposed.

상기 플레이트(10)의 재질은 금속 중에서 방열 효율이 높은 금속 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 상기 플레이트(10)은 다른 금속 재질, 예를 들어, 철(Fe), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 상기 금속의 선택적인 합금, 또는 세라믹 재질 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 또한 상기 플레이트(10)의 표면에는 금(Au)과 같은 도금층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 플레이트(10)은 상기 금속들을 선택적으로 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The material of the plate 10 may be formed of a metal having high heat dissipation efficiency, such as aluminum (Al) or a ceramic material. The plate 10 is a different metal material, for example, iron (Fe), titanium (Ti), magnesium (Mg), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum It may further include at least one of nium (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), a selective alloy of the metal, or a ceramic material. In addition, a plating layer such as gold (Au) may be formed on the surface of the plate 10, but the embodiment is not limited thereto. The plate 10 may be formed in multiple layers by selectively using the metals, but the embodiment is not limited thereto.

또한 상기 플레이트(10)은 상기 발광 칩(50)로부터 방출된 광에 대해 반사 효율이 70% 이상인 금속 예컨대, 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 금(Au) 재질과 같은 금속으로 형성될 수 있다. 이러한 플레이트(10)는 방열 효율과 반사 효율을 고려하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plate 10 may be formed of a metal having a reflection efficiency of 70% or more with respect to the light emitted from the light emitting chip 50, for example, a metal such as aluminum (Al), silver (Ag), and gold (Au). have. The plate 10 may be formed in consideration of heat dissipation efficiency and reflection efficiency, but is not limited thereto.

상기 복수의 전극부(11,13,15)는 일렬로 배치되며, 인접한 두 전극부(11,13,15) 사이에 배치된 절연부(113,114)에 의해 이격되고 절연된다. 상기 플레이트(10)에는 1개의 절연부가 배치된 경우, 전극부가 2개가 형성될 수 있으며, 2개의 절연부가 배치된 경우, 전극부는 3개가 형성될 수 있다. 이는 전극부의 개수가 절연부의 개수보다 1개 많게 형성된다. 상기 복수의 전극부(11,13,15)가 3개인 경우, 서로 반대측에 배치된 제1전극부(11) 및 제2전극부(13)와, 상기 제1 및 제2전극부(11,13) 사이에 배치된 제3전극부(15)를 포함한다. 상기 제1 및 제2전극부(11,13)는 동일한 극성의 전원에 연결될 수 있고 상기 제3전극부(15)에 연결된 극성의 전원과는 다른 극성의 전원에 연결될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2전극부(11,13)는 전원의 마이너스(-) 단자에 연결되며, 상기 제3전극부(15)는 전원의 정(+) 단자에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of electrode portions 11, 13, and 15 are arranged in a line, and are spaced apart and insulated by insulating portions 113 and 114 disposed between adjacent two electrode portions 11, 13, and 15. When one insulating portion is disposed on the plate 10, two electrode portions may be formed, and when two insulating portions are disposed, three electrode portions may be formed. In this case, the number of electrode portions is one more than the number of insulating portions. When the plurality of electrode portions 11, 13, and 15 are three, the first and second electrode portions 11 and 13 are disposed opposite to each other, and the first and second electrode portions 11, 13) and a third electrode unit 15 disposed therebetween. The first and second electrode portions 11 and 13 may be connected to a power source having the same polarity and may be connected to a power source having a polarity different from that of the power source connected to the third electrode unit 15. For example, the first and second electrode parts 11 and 13 may be connected to a negative (-) terminal of a power source, and the third electrode part 15 may be connected to a positive (+) terminal of a power source, It is not limited to this.

상기 절연부(113,114)는 제1금속을 갖는 금속 산화물로 형성된다. 상기 플레이트(10)의 전극부(11,13,15)는 제1금속 예컨대, 단일 금속 또는 합금일 수 있다. 예컨대 상기 제1금속은 알루미늄(Al)으로 형성되거나, 알루미늄을 포함하는 합금일 수 있다. 상기 절연부(113,114)는 상기 제1금속을 갖는 금속 산화물 예컨대, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성될 수 있다.The insulating portions 113 and 114 are formed of a metal oxide having a first metal. The electrode portions 11, 13, and 15 of the plate 10 may be a first metal, such as a single metal or an alloy. For example, the first metal may be formed of aluminum (Al) or may be an alloy containing aluminum. The insulating parts 113 and 114 may be formed of a metal oxide having the first metal, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ).

여기서, 상기 복수의 절연부(113,114)는 상기 플레이트(10)의 양극 산화(anodizing) 과정에 의해 형성된 아노다이징된 영역일 수 있다. 상기 각 절연부(113,114)는 예컨대, 알루미늄 금속에 대한 산화 피막으로 형성되며, 그 형성 방법은 금속 표면 처리 방법으로서 양극과 음극 중 양극 처리(anodizing)하는 방법이며, 전자를 잘 모아야 하므로 산화 피막이 입혀진다. 이러한 처리 공법을 아노다이징, 알루마이트(Alumite), 알루미늄 산화 피막 처리라 하며 알루미늄 금속 표면에 산화 피막을 형성하게 된다. 이에 따라 플레이트(10)는 복수의 절연부(113,114) 및 복수의 전극부(11,13,15)를 구비할 수 있다. Here, the plurality of insulating parts 113 and 114 may be anodized regions formed by an anodizing process of the plate 10. Each of the insulating parts 113 and 114 is formed of, for example, an oxide film on aluminum metal, and the formation method is a method of anodizing among the anode and the cathode as a metal surface treatment method. Since electrons must be well collected, an oxide film is applied. Lose. Such a treatment method is called anodizing, anodizing, and aluminum oxide film treatment, and an oxide film is formed on the surface of the aluminum metal. Accordingly, the plate 10 may include a plurality of insulating parts 113 and 114 and a plurality of electrode parts 11, 13 and 15.

상기 절연부(113,114)는 상기 플레이트(10)의 두께와 동일한 높이를 갖고 있어, 인접한 두 전극부(11,15)(15,13)와의 경계 영역에 계면을 갖지 않고 형성될 수 있다. 상기 플레이트(10) 내의 절연부(113,114)가 양극 산화 과정에 의해 형성됨으로써, 전극부(11,13,15)와 상기 절연부(113,114)의 경계 면이 존재하지 않을 수 있고, 상기 전극부(11,13,15)의 표면과 동일 수평 면으로 형성될 수 있다. Since the insulating portions 113 and 114 have the same height as the thickness of the plate 10, they may be formed without having an interface at a boundary region between the adjacent two electrode portions 11, 15, 15 and 13. Since the insulating portions 113 and 114 in the plate 10 are formed by an anodic oxidation process, the boundary surface between the electrode portions 11, 13 and 15 and the insulating portions 113 and 114 may not exist, and the electrode portion ( 11, 13, 15) may be formed in the same horizontal plane as the surface.

상기 각 절연부(113,114)의 폭은 인접한 전극부(11,13,15) 사이의 간격으로서, 공급되는 정격 전압에 의해 인접한 두 전극부(11,13,15) 간의 간섭이 발생되지 않는 간격일 수 있다. 상기 각 절연부(113,114)의 폭은 상기 발광 칩(50)의 어느 한 변의 너비보다는 작게 형성될 수 있다. 상기 각 절연부(113,114)의 폭은 예컨대, 70㎛ 이상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 플레이트(10) 내에 절연부(113,114)의 개수가 증가할수록 플레이트(10)의 강성은 저하된다. 이는 길이가 긴 플레이트(10) 내에 다른 재질의 절연부(113,114)가 배치됨으로써, 길이 방향의 강성을 저하시키는 원인이 된다. The width of each of the insulating parts 113 and 114 is a gap between adjacent electrode parts 11, 13 and 15, and is a gap at which interference between two adjacent electrode parts 11, 13 and 15 does not occur due to the supplied rated voltage. I can. The width of each of the insulating parts 113 and 114 may be formed to be smaller than the width of either side of the light emitting chip 50. The width of each of the insulating parts 113 and 114 may be, for example, 70 μm or more, but is not limited thereto. As the number of insulating portions 113 and 114 in the plate 10 increases, the rigidity of the plate 10 decreases. This is a cause of lowering the stiffness in the longitudinal direction by disposing the insulating portions 113 and 114 of different materials in the long plate 10.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 제1전극부(11)의 길이 즉, 제1방향(Y)의 길이(B1)는 플레이트(10)의 제1측면(3)과 제1절연부(113) 사이의 간격이며, 상기 제2전극부(13)의 길이(B2)는 플레이트(10)의 제2측면(4)과 제2절연부(114) 사이의 간격이 된다. 상기 제1전극부(11)의 길이(B1)는 상기 제2전극부(13)의 길이(B2)와 같거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 길이(B1,B2)는 상기 제1 및 제2절연부(113,114)의 위치에 따라 변경될 수 있다. 상기 제1 및 제2전극부(11,13) 상에는 하나 또는 복수의 발광 칩(51,53)이 배치되거나, 발광 칩이 배치되지 않을 수 있다.3 to 5, the length of the first electrode 11, that is, the length B1 in the first direction Y is the first side surface 3 of the plate 10 and the first insulating part ( 113), and the length B2 of the second electrode part 13 is a gap between the second side surface 4 and the second insulating part 114 of the plate 10. The length B1 of the first electrode part 11 may be the same as or different from the length B2 of the second electrode part 13, but is not limited thereto. The lengths B1 and B2 of the first and second electrode portions 11 and 13 may be changed according to the positions of the first and second insulating portions 113 and 114. One or a plurality of light emitting chips 51 and 53 may be disposed on the first and second electrode portions 11 and 13, or the light emitting chip may not be disposed.

상기 제3전극부(15)의 길이는 상기 절연부들(113,114) 사이의 간격일 수 있으며, 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 길이(B1,B2)의 합보다 2배 이상 길게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3전극부(15) 상에는 발광 칩(50) 중 80% 이상이 탑재될 수 있다.The length of the third electrode part 15 may be a distance between the insulating parts 113 and 114 and is more than twice the sum of the lengths B1 and B2 of the first and second electrode parts 11 and 13 It may be formed long, but is not limited thereto. More than 80% of the light emitting chips 50 may be mounted on the third electrode unit 15.

도 2와 같이, 상기 플레이트(10)의 제1면(1) 위에는 상기 복수의 발광 칩(50) 예컨대, 10개 이상의 발광 칩(50)이 일렬로 배열될 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(50)은 복수개가 직렬로 연결된 어레이(50A,50B)를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1어레이(50A)와 제2어레이(50B)를 포함한다. 상기 제1어레이(50A)는 양단에 위치한 제1 및 제2발광 칩(51,55)이 직렬로 연결되며, 제1 및 제3전극부(11,15)와 전기적으로 연결된다. 상기 제2어레이(50B)는 양단에 위치한 제3 및 제4발광 칩(53,57)이 직렬로 연결되며, 제2 및 제3전극부(13,15)와 전기적으로 연결된다. 상기 제1어레이(50A)와 상기 제2어레이(50B)는 상기 제3전극부(15)를 공통 전극으로 연결될 수 있다. 상기 제1어레이(50A)의 발광 칩의 연결 개수와 제2어레이(50B)의 발광 칩의 연결 개수는 동일하게 배치될 수 있다. As shown in FIG. 2, the plurality of light emitting chips 50, for example, 10 or more light emitting chips 50 may be arranged in a line on the first surface 1 of the plate 10. The plurality of light emitting chips 50 may include a plurality of arrays 50A and 50B connected in series, for example, a first array 50A and a second array 50B. In the first array 50A, first and second light emitting chips 51 and 55 located at both ends are connected in series, and are electrically connected to the first and third electrode parts 11 and 15. In the second array 50B, third and fourth light emitting chips 53 and 57 located at both ends are connected in series, and are electrically connected to the second and third electrode portions 13 and 15. The first array 50A and the second array 50B may connect the third electrode part 15 to a common electrode. The number of connection of light emitting chips of the first array 50A and the number of connection of light emitting chips of the second array 50B may be the same.

상기 제1어레이(50A)와 상기 제2어레이(50B) 사이의 센터 영역(17)은 공통 전극으로서, 제2발광 칩(55)과 제4발광 칩(57)이 와이어(59)로 본딩된다. 상기 센터 영역(17)에는 별도의 연결 단자를 구비하지 않을 수 있다. 이에 따라 상기 센터 영역(17)에 인접한 제1어레이(50A)의 발광 칩들과 제2어레이(50B)의 발광 칩들 간의 간격은 각 어레이(50A,50B) 내의 발광 칩 간의 간격과 같거나, 다를 수 있다.The center region 17 between the first array 50A and the second array 50B is a common electrode, and the second light emitting chip 55 and the fourth light emitting chip 57 are bonded to each other with a wire 59. . A separate connection terminal may not be provided in the center region 17. Accordingly, the spacing between the light emitting chips of the first array 50A adjacent to the center region 17 and the light emitting chips of the second array 50B may be the same as or different from the spacing between the light emitting chips in each of the arrays 50A and 50B. have.

상기 제1전극부(11)에는 상기 제1발광 칩(51)이 와이어(59)로 연결되며, 상기 제2전극부(13)에는 상기 제3발광 칩(53)이 와이어(59)로 연결된다. 상기 제1전극부(11)에서 와이어(59)로 연결되는 영역은 상기 제1발광 칩(51)과 상기 제1측벽부(12) 사이의 영역이며, 상기 제2전극부(13)에서 와이어(59)로 연결되는 영역은 상기 제3발광 칩(53)과 제2측벽부(14) 사이의 영역이 된다. The first light emitting chip 51 is connected to the first electrode part 11 by a wire 59, and the third light emitting chip 53 is connected to the second electrode part 13 by a wire 59 do. An area connected to the first electrode part 11 by a wire 59 is an area between the first light emitting chip 51 and the first side wall part 12, and the second electrode part 13 The area connected by 59 becomes an area between the third light emitting chip 53 and the second sidewall 14.

상기 제3전극부(15)의 영역 중 상기 와이어(59)로 연결되는 영역은 복수의 영역이거나 상기 플레이트(10)의 센터 영역(17)이거나, 상기 제2 및 제4발광 칩(55,57) 사이의 영역이 된다. 또한 제1 내지 제3전극부(11,13,15)에서 와이어(59)로 연결되는 영역은 서로 동일한 평면 상에 위치할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Among the regions of the third electrode 15, the regions connected by the wires 59 are a plurality of regions, the center region 17 of the plate 10, or the second and fourth light emitting chips 55 and 57 ). In addition, regions connected by the wires 59 in the first to third electrode portions 11, 13, and 15 may be located on the same plane, but the embodiment is not limited thereto.

상기 복수의 발광 칩(50)은 플레이트(10) 상에서 2개 이상의 어레이(50A,50B)로 구분하여, 전기적 및 회로적으로 안정화된 구동 회로를 제공하게 된다. 또한 복수의 발광 칩(50)을 2개의 어레이(50A,50B)로 배치한 경우, 구동 드라이버의 허용 용량을 초과하는 것을 방지할 수 있다. The plurality of light emitting chips 50 are divided into two or more arrays 50A and 50B on the plate 10 to provide a driving circuit that is electrically and circuitly stabilized. In addition, when the plurality of light emitting chips 50 are arranged in two arrays 50A and 50B, it is possible to prevent exceeding the allowable capacity of the driving driver.

상기 각 발광 칩(50)은 LED 칩으로서, II족 내지 VI족의 원소를 선택적으로 갖는 화합물 반도체 예컨대, II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나를 갖는 반도체층들을 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(50)은 적색, 녹색, 청색, 백색과 같은 가시광선 대역 또는 자외선(Ultra Violet) 대역을 발광하는 칩(chip)으로 구현될 수 있다. 상기 발광 칩(50)는 칩 내의 두 전극이 인접하게 배치된 수평형 칩, 또는 칩 내의 두 전극이 서로 반대 측면에 배치된 수직형 칩으로 구현될 수 있으며, 상기 수평형 칩은 적어도 2개의 와이어로 연결될 수 있고, 수직형 칩은 적어도 1개의 와이어에 연결될 수 있다. 상기 적어도 하나의 발광 칩(50)은 플립 구조로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예는 수평형 칩에 와이어들이 본딩될 수 있다. 상기 각 발광 칩(50)은 예컨대, 2개의 와이어(59)로 연결될 수 있다. Each of the light-emitting chips 50 is an LED chip, and includes semiconductor layers having at least one of a group II-VI compound semiconductor and a group III-V compound semiconductor selectively having an element of Group II to VI. Can include. The light emitting chip 50 may be implemented as a chip that emits light in a visible light band such as red, green, blue, or white or an ultra violet band. The light emitting chip 50 may be implemented as a horizontal chip in which two electrodes in the chip are disposed adjacent to each other, or a vertical chip in which two electrodes in the chip are disposed on opposite sides, and the horizontal chip includes at least two wires. May be connected to, and the vertical chip may be connected to at least one wire. The at least one light emitting chip 50 may be mounted in a flip structure, but the embodiment is not limited thereto. In an embodiment, wires may be bonded to a horizontal chip. Each of the light emitting chips 50 may be connected by, for example, two wires 59.

상기 발광 칩(50)은 하부에 미도시된 지지 기판 예컨대, 전도성, 절연성, 또는 투광성 재질의 지지기판이 배치될 수 있으며, 상기 지지기판은 상기 플레이트(10)의 제1면(1) 상에 접착제로 접착될 수 있다. The light emitting chip 50 may have a support substrate not shown below, for example, a support substrate made of a conductive, insulating, or translucent material, and the support substrate is on the first surface 1 of the plate 10. Can be glued together.

상기 복수의 발광 칩(50) 중 인접한 두 발광 칩 사이에는 연결 단자(171)가 배치되며, 상기 연결 단자(171)는 인접한 두 발광 칩을 연결해 주는 중간 연결 단자로 기능하며 와이어(59)로 연결된다. 또한 연결 단자(171)의 개수는 발광 칩(50)의 전체 개수보다 작은 개수로 배치되며, 발광 칩(50) 간의 간격에 따라 증가되거나 감소될 수 있다. A connection terminal 171 is disposed between two adjacent light emitting chips among the plurality of light emitting chips 50, and the connection terminal 171 functions as an intermediate connection terminal connecting two adjacent light emitting chips, and is connected by a wire 59 do. In addition, the number of connection terminals 171 is disposed to be smaller than the total number of the light emitting chips 50, and may increase or decrease according to the interval between the light emitting chips 50.

상기 연결 단자(171)의 두께는 상기 발광 칩(50)의 두께보다 얇게 형성될 수 있으며, 이러한 두께로 인해 와이어(59)의 양단의 높이 차이를 줄여주어, 와이어(59)가 쳐지는 것을 방지하고, 와이어(59)에 작용하는 인장력이 개선될 수 있다. The thickness of the connection terminal 171 may be formed to be thinner than the thickness of the light emitting chip 50, and due to this thickness, the height difference between both ends of the wire 59 is reduced to prevent the wire 59 from being struck. And, the tensile force acting on the wire 59 can be improved.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 연결 단자(171)는 전도층(175) 및 절연층(173)을 포함하며, 상기 절연층(173)은 상기 전도층(175)과 플레이트(10)의 제1면(1) 사이에 배치된다. 상기 전도층(175)은 상기 절연층(173)과 수직 방향으로 오버랩되며, 인접한 두 발광 칩(50: 51,53,55,57)을 전기적으로 연결시켜 준다. 상기 절연층(171)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질이거나 테이프와 같은 재질을 포함하며, 상기 전도층(175)은 본딩을 위한 재질 예컨대, 금, 금 합금을 포함하거나, 반사도가 높은 금속(Al, Ag)와 같은 금속을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.4 to 6, the connection terminal 171 includes a conductive layer 175 and an insulating layer 173, and the insulating layer 173 is formed of the conductive layer 175 and the plate 10. It is arranged between the first side (1). The conductive layer 175 overlaps the insulating layer 173 in a vertical direction, and electrically connects the two adjacent light emitting chips 50:51,53,55,57. The insulating layer 171 is made of a resin material such as silicon or epoxy or a material such as tape, and the conductive layer 175 is made of a material for bonding, such as gold or a gold alloy, or a metal with high reflectivity (Al , Ag) may include a metal such as, but is not limited thereto.

상기 연결 단자(171) 간의 간격은 상기 발광 칩(50) 간의 간격과 동일하거나 더 좁게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 단자(171)의 크기는 상기 발광 칩(50)의 크기보다 작은 크기로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 단자(171)는 상기 발광 칩(50)들 사이의 영역에 배치되고 몰딩 부재(81)에 의해 노출되지 않게 몰딩될 수 있다. 다른 예로서, 상기 연결 단자(171)는 일부가 상기 몰딩 부재(81)의 측면 예컨대, 플레이트(10)의 제3 또는 제4측면 상에 노출될 수 있다.The spacing between the connection terminals 171 may be equal to or narrower than the spacing between the light emitting chips 50, but is not limited thereto. The size of the connection terminal 171 may be formed to be smaller than the size of the light emitting chip 50, but is not limited thereto. The connection terminal 171 may be disposed in a region between the light emitting chips 50 and may be molded so as not to be exposed by the molding member 81. As another example, a portion of the connection terminal 171 may be exposed on a side surface of the molding member 81, for example, a third or fourth side surface of the plate 10.

모든 연결단자(171)는 상기 제3전극부(15) 상에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 길이를 짧게 형성할 수 있다. 다른 예로서, 적어도 하나의 연결 단자는 상기 절연부(113,114) 위에 접촉되거나 오버랩되게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 단자(171)는 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 복수의 발광 칩(50)은 와이어로 서로 연결될 수 있다.All of the connection terminals 171 may be disposed on the third electrode unit 15, and thus, the lengths of the first and second electrode units 11 and 13 may be shortened. As another example, at least one connection terminal may be disposed to be in contact with or overlap on the insulating portions 113 and 114, but the embodiment is not limited thereto. The connection terminal 171 may be removed, and in this case, the plurality of light emitting chips 50 may be connected to each other by wires.

상기 플레이트(10)의 제1면(1) 상에는 몰딩 부재(81)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(81)는 제1측벽부(12)과 제2측벽부(14) 사이에 배치된다. 상기 몰딩 부재(81)는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)에 접촉되며 상기 복수의 발광 칩(50), 연결단자(171) 및 와이어(59)를 덮는다. 상기 몰딩 부재(81)의 길이는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14) 사이의 간격이며, 그 너비는 상기 플레이트(10)의 너비(D1)로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81)의 두께는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 높이(T2)와 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 몰딩 부재(81)의 적어도 일부는 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 높이(T2)보다 더 두껍거나 더 얇게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A molding member 81 is disposed on the first surface 1 of the plate 10, and the molding member 81 is disposed between the first side wall portion 12 and the second side wall portion 14. The molding member 81 contacts the first and second sidewall portions 12 and 14 and covers the plurality of light emitting chips 50, connection terminals 171, and wires 59. The length of the molding member 81 is a distance between the first and second sidewall portions 12 and 14, and the width may be formed as the width D1 of the plate 10. The thickness of the molding member 81 may be the same as the height T2 of the first and second sidewall portions 12 and 14, but is not limited thereto. As another example, at least a portion of the molding member 81 may be formed to be thicker or thinner than the height T2 of the first and second sidewall portions 12 and 14, but is not limited thereto.

상기 몰딩 부재(81)는 상면 및 양 측면이 노출되며, 상기 노출된 면을 통해 광이 추출된다. 상기 몰딩 부재(81)의 양 측면은 상기 플레이트(10)의 제3 및 제4측면(5,6)과 동일 평면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The upper surface and both sides of the molding member 81 are exposed, and light is extracted through the exposed surface. Both sides of the molding member 81 may be disposed on the same plane as the third and fourth side surfaces 5 and 6 of the plate 10, but the embodiment is not limited thereto.

상기 몰딩 부재(81)는 상면과 양 측면 사이의 모서리 부분이 각면으로 형성되거나, 모깎기로 처리된 면이거나, 곡면일 수 있다. 이에 따라 상기 몰딩 부재(81)는 측 단면이 다각형 형상이거나, 반구형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The molding member 81 may have a corner portion between an upper surface and both side surfaces of each surface, a surface treated with a fillet, or a curved surface. Accordingly, the molding member 81 may be formed in a polygonal shape or a hemispherical shape in side cross section, but is not limited thereto.

상기 몰딩 부재(81)의 상면은 평탄한 수평 면이거나, 오목한 곡면 또는 볼록한 곡면으로 형성될 수 있다. 또는 상기 몰딩 부재(81)의 상면은 러프한 면으로 형성될 수 있다.The upper surface of the molding member 81 may be a flat horizontal surface, a concave curved surface or a convex curved surface. Alternatively, the upper surface of the molding member 81 may be formed as a rough surface.

상기 몰딩 부재(81)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지 재질을 포함할 수 있으며, 내부에 형광체 또는 확산제가 선택적으로 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 예를 들면, YAG 계열, 실리케이트(Silicate)계열, 또는 TAG 계열의 형광 물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재(81) 위에는 광학 렌즈(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 광학 렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있다.The molding member 81 may include a light-transmitting resin material such as epoxy or silicone, and a phosphor or a diffusing agent may be selectively added therein, but the embodiment is not limited thereto. The phosphor may include, for example, a YAG series, a silicate series, or a TAG series fluorescent material. An optical lens (not shown) may be formed on the molding member 81, and the optical lens may include a concave lens shape, a convex lens shape, a lens having a concave portion and a convex shape in another portion.

상기 몰딩 부재(81)와 상기 플레이트(10) 사이의 계면에는 접착층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접착층은 상기 몰딩 부재(81)와 동일한 재질이거나, 상이한 재질이거나, 실리콘 또는 에폭시와 같은 재질일 수 있다. 상기 접착층에는 TiO2 또는 SiO2와 같은 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An adhesive layer may be further formed at the interface between the molding member 81 and the plate 10, and the adhesive layer may be the same material as the molding member 81, a different material, or a material such as silicon or epoxy. have. A metal oxide such as TiO 2 or SiO 2 may be added to the adhesive layer, but the embodiment is not limited thereto.

실시 예의 광원 모듈(100)은 복수의 발광 칩(50) 아래에 복수의 전극부(11,13,15)를 갖는 플레이트를 배치함으로써, 얇은 두께로 제공할 수 있다. 예를 들면, 발광 칩 패키지는 몸체 내의 리드 프레임 상에 발광 칩을 탑재하고 몰딩 부재(81)로 패키징한 후 제조하고, 이렇게 제조된 발광 칩 패키지를 기판(PCB) 상에 배열하여 광원 모듈로 제공하게 되므로, 광원 모듈의 두께가 두꺼워지고 공정 수가 복잡한 문제가 있다. The light source module 100 of the embodiment may be provided with a thin thickness by disposing a plate having a plurality of electrode portions 11, 13, and 15 under the plurality of light emitting chips 50. For example, the light emitting chip package is manufactured after mounting the light emitting chip on the lead frame in the body and packaging it with the molding member 81, and the light emitting chip package thus manufactured is arranged on a substrate (PCB) and provided as a light source module. Therefore, there is a problem that the thickness of the light source module becomes thick and the number of processes is complicated.

실시 예에 따른 광원 모듈(100)은 선 광원으로 제공될 수 있으며, 복수의 발광 칩(50)은 직렬 연결, 직-병렬 연결, 또는 병렬 연결 중에서 선택될 수 있다.The light source module 100 according to the embodiment may be provided as a linear light source, and the plurality of light emitting chips 50 may be selected from a series connection, a series-parallel connection, or a parallel connection.

도 8은 도 2의 광원 모듈을 기판 상에 탑재한 예이고, 도 9는 도 8의 광원모듈의 A-A측 단면도이며, 도 10은 도 8의 광원 모듈의 B-B측 단면도이다.8 is an example in which the light source module of FIG. 2 is mounted on a substrate, FIG. 9 is a cross-sectional view of the light source module of FIG. 8 on the A-A side, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the light source module of FIG. 8 on the B-B side.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 상기 플레이트(10)가 알루미늄 재질과 같이 접착력이 약한 금속인 경우, 기판(191)과의 본딩 접합을 위해 별도의 재질로 도금된 층을 포함할 수 있다. 도금된 층은 플레이트(10)의 제2면(2), 제3 및 제4측면(5,6) 중 적어도 하나에 제공될 수 있다. 상기 도금된 층은 광원 모듈(100)의 제조 공정 상의 효율을 위해, 제2면(2) 상에 제공될 수 있다. 상기 플레이트(10)의 제1 내지 제4측면(3,4,5,6)은 커팅된 면이 될 수 있으며, 상기 제1 내지 제4측면(3,4,5,6)에 도금 층을 형성하는 데 어려움이 있다. 여기서, 상기 커팅된 제 1내지 제4측면(3,4,5,6)은 제2면(2)에 비해 더 거친 면 예컨대, 거칠기를 가질 수 있다. Referring to FIGS. 8 to 10, when the plate 10 is a metal having a weak adhesive strength such as an aluminum material, a layer plated with a separate material may be included for bonding and bonding with the substrate 191. The plated layer may be provided on at least one of the second surface 2 and the third and fourth side surfaces 5 and 6 of the plate 10. The plated layer may be provided on the second surface 2 for efficiency in the manufacturing process of the light source module 100. The first to fourth side surfaces 3,4,5,6 of the plate 10 may be cut surfaces, and a plating layer is formed on the first to fourth side surfaces 3,4,5,6. Difficulty forming. Here, the cut first to fourth side surfaces 3, 4, 5, and 6 may have a rougher surface, such as roughness, than the second surface 2.

여기서, 상기 플레이트(10)에 수직하게 관통된 비아 구조를 형성할 수 있으나, 상기 몰딩 부재(81)를 몰딩할 때 상기 몰딩 부재(81)가 비아 구조로 침투하는 문제가 있다. 이로 인해 상기 플레이트를 기판에 본딩할 때, 본딩 불량이 발생하는 문제가 있다. 또한 비아 구조를 플레이트에 복수로 형성할 경우, 강성이 저하될 수 있는 문제가 있다. 또한 비아 구조를 플레이트(10)의 제3 및 제4측면(5,6) 상에 형성할 경우, 공정 마진이 작아지는 문제가 있다.Here, a via structure vertically penetrating the plate 10 may be formed, but there is a problem that the molding member 81 penetrates into the via structure when the molding member 81 is molded. For this reason, when bonding the plate to the substrate, there is a problem that bonding failure occurs. In addition, when a plurality of via structures are formed on the plate, there is a problem in that rigidity may decrease. In addition, when the via structure is formed on the third and fourth side surfaces 5 and 6 of the plate 10, there is a problem that the process margin is reduced.

도 4 내지 도 10을 참조하면, 실시 예는 플레이트(10)에 비아 구조를 형성하지 않고, 상기 플레이트(10)의 제2면(2)에 복수의 홈(31,32,33)을 제공하고, 본딩층(26)을 형성할 수 있다. 상기 플레이트(10)는 제2면(2)에 의해 제3측면(5) 또는 제4측면(6)으로 기판(191)에 실장이 가능한 구조로 제공될 수 있으며, 또한 비아 구조로 인한 몰딩 부재(81)의 누출을 방지할 수 있으며, 플레이트(10)의 강성 저하를 방지할 수 있으며, 광원 모듈의 제조 공정시 마진(Margin)을 개선할 수 있다. 4 to 10, the embodiment provides a plurality of grooves 31, 32, 33 on the second surface 2 of the plate 10 without forming a via structure in the plate 10, and , A bonding layer 26 may be formed. The plate 10 may be provided in a structure capable of being mounted on the substrate 191 with the third side 5 or the fourth side 6 by the second side 2, and a molding member due to the via structure Leakage of 81 can be prevented, rigidity of the plate 10 can be prevented from deteriorating, and a margin can be improved during the manufacturing process of the light source module.

도 2 내지 도 6을 참조하면, 상기 플레이트(10)에는 복수의 홈(31,32,33)을 포함한다. 상기 복수의 홈(31,32,33)은 상기 플레이트(10)의 제2면(2)으로부터 제1면(1) 방향으로 오목하게 형성된다. 플레이트(10)의 제2면(2)에 배치된 홈(31,32,33) 간의 간격(D3)는 예컨대, 발광 칩(50)간의 간격보다 넓게 형성될 수 있다. 상기 간격(D3)는 10mm 이하 예컨대, 7mm 내지 9mm 범위로 형성될 수 있으며, 이러한 간격(D3)은 홈(31,32,33)의 개수에 따라 달라질 수 있다. 2 to 6, the plate 10 includes a plurality of grooves 31, 32, and 33. The plurality of grooves 31, 32, 33 are formed concave in the direction from the second surface 2 to the first surface 1 of the plate 10. The spacing D3 between the grooves 31, 32, and 33 disposed on the second surface 2 of the plate 10 may be formed to be wider than the spacing between the light emitting chips 50, for example. The spacing D3 may be 10 mm or less, for example, in the range of 7 mm to 9 mm, and the spacing D3 may vary depending on the number of grooves 31, 32, and 33.

상기 복수의 홈(31,32,33)의 깊이(T4)는 상기 플레이트(10)의 두께(T1) 미만으로서, 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 높이(T2)보다는 낮은 깊이로 형성될 수 있다. 상기 복수의 홈(31,32,33)의 깊이(T4)는 상기 플레이트(10)의 두께의 30% 내지 70% 범위로 형성될 수 있으며, 예컨대 0.27mm 내지 0.33mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제2홈(33)과 상기 제1면(1) 사이의 간격(T5)는 0.25mm 내지 0.3mm 범위로서, 상기 홈(31,32,33)의 깊이(T4)보다 작을 수 있다. The depth (T4) of the plurality of grooves (31, 32, 33) is less than the thickness (T1) of the plate 10, lower than the height (T2) of the first and second side wall portions (12, 14) Can be formed in depth. The depth T4 of the plurality of grooves 31, 32, 33 may be formed in a range of 30% to 70% of the thickness of the plate 10, for example, may be formed in a range of 0.27mm to 0.33mm. The distance T5 between the second groove 33 and the first surface 1 is in the range of 0.25 mm to 0.3 mm, and may be smaller than the depth T4 of the grooves 31, 32, and 33.

상기 각 홈(31,32,33)은 너비(T3)와 깊이(T4)가 같거나 다를 수 있으나, 너비(T3)가 깊이(T4)보다 더 넓게 배치될 수 있다. 이는 길이(D2)가 긴 플레이트(10)에 배치된 홈(31,32,33)의 너비(T3)를 넓게 함으로써, 본딩 면적을 효율적으로 증가시켜 줄 수 있다. 상기 홈(31,32,33)의 너비(T3)는 상기 홈(31,32,33)의 깊이(T4)보다 넓게 예컨대, 상기 홈(31,32,33)의 깊이(T4)의 140% 내지 200% 범위로 형성될 수 있으며, 예컨대 0.4mm~0.6mm범위로 형성될 수 있다. Each of the grooves 31, 32, and 33 may have the same or different width T3 and depth T4, but the width T3 may be wider than the depth T4. This can increase the bonding area efficiently by increasing the width T3 of the grooves 31, 32, and 33 disposed on the plate 10 having a long length D2. The width (T3) of the grooves (31, 32, 33) is wider than the depth (T4) of the grooves (31, 32, 33), for example, 140% of the depth (T4) of the grooves (31, 32, 33) It may be formed in the range of to 200%, for example, it may be formed in the range of 0.4mm to 0.6mm.

여기서, 상기 복수의 홈(31,32,33)은 서로 동일한 너비이거나, 적어도 하나 또는 적어도 2개가 다른 너비로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3홈(33)의 깊이가 제1 및 제2홈(31,32)의 깊이보다 얇을 수 있으며, 이는 플레이트(10)의 센터 영역의 강성을 확보할 수 있다. 또한 제3홈(33)의 개수가 복수로 배치됨으로써, 전기적인 신뢰성을 개선할 수 있다. 상기 제3홈(33) 중 어느 하나는 상기 플레이트(10)의 센터 영역(17) 즉, 상기 제1 및 제2홈(31,32)과 동일한 간격을 갖고 배치되거나, 제1 및 제2홈(31,32) 사이의 중앙에 배치될 수 있다. Here, the plurality of grooves 31, 32, and 33 may have the same width, or at least one or at least two may have different widths, but the embodiment is not limited thereto. The depth of the third groove 33 may be thinner than that of the first and second grooves 31 and 32, and this may secure the rigidity of the center region of the plate 10. In addition, since the number of the third grooves 33 is arranged in plural, electrical reliability can be improved. One of the third grooves 33 is disposed at the same distance as the center region 17 of the plate 10, that is, the first and second grooves 31 and 32, or the first and second grooves It can be placed in the center between (31,32).

상기 각 홈(31,32,33)의 길이는 상기 플레이트(10)의 너비(D1)와 동일하게 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 각 홈(31,32,33)의 길이는 상기 몰딩 부재(81)의 너비와 동일할 수 있다. 또한 상기 각 홈(31,32,33)의 길이는 상기 제1 내지 제3전극부(11,13,15)의 너비와 동일하거나, 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 너비와 동일할 수 있다. 상기 각 홈(31,32,33)은 길이가 너비(T3)보다 더 길게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 홈(31,32,33)의 길이 방향은 상기 플레이트(10)의 너비 방향으로서, 상기 플레이트(10)의 길이 방향과 직교하는 방향이다.The length of each of the grooves 31, 32 and 33 may be formed equal to the width D1 of the plate 10. Accordingly, the length of each of the grooves 31, 32, and 33 may be the same as the width of the molding member 81. In addition, the length of each of the grooves (31, 32, 33) is the same as the width of the first to third electrode portions (11, 13, 15), or the width of the first and second side wall portions (12, 14) Can be the same as Each of the grooves 31, 32, and 33 may have a length longer than the width T3. Here, the longitudinal direction of the grooves 31, 32 and 33 is a width direction of the plate 10 and is a direction orthogonal to the longitudinal direction of the plate 10.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 복수의 홈(31,32,33)은 각 전극부(11,13,15)에 적어도 하나의 홈(31,32,33)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1전극부(11) 및 제2전극부(13)는 적어도 하나의 홈(31,32)을 구비할 수 있으며, 상기 제1전극부(11)의 제1홈(31)은 상기 제1측벽부(12)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치되며, 상기 제2전극부(13)의 제2홈(32)은 상기 제2측벽부(14)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치된다.4 to 6, at least one groove 31, 32, 33 may be disposed in each of the electrode portions 11, 13, and 15 in the plurality of grooves 31, 32, and 33. For example, the first electrode part 11 and the second electrode part 13 may have at least one groove 31 and 32, and the first groove 31 of the first electrode part 11 ) Is disposed to overlap the first side wall part 12 in a vertical direction, and the second groove 32 of the second electrode part 13 is disposed to overlap the second side wall part 14 in a vertical direction. do.

상기 제3전극부(15)는 하나 또는 복수의 제3홈(33)이 배치될 수 있다. 상기 제3전극부(15)의 제3홈(33)은 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 홈(31,32)의 개수보다는 많은 개수로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3전극부(15)의 제3홈(33)은 상기 플레이트(10)의 고정을 위해 복수개가 일정한 간격이거나 불규칙한 간격으로 배치될 수 있다. 상기 제3홈(33)은 상기 플레이트(10)의 센터 영역(17)에 가까울수록 그 간격이 점차 넓어질 수 있으며, 이는 주변 영역보다 상대적으로 취약한 센터 영역(17)의 강성이 약해지는 것을 방지할 수 있다.One or a plurality of third grooves 33 may be disposed in the third electrode part 15. The third groove 33 of the third electrode part 15 may be disposed in a larger number than the number of the grooves 31 and 32 of the first and second electrode parts 11 and 13, but limited to this I don't. A plurality of third grooves 33 of the third electrode part 15 may be disposed at regular or irregular intervals to fix the plate 10. The distance of the third groove 33 may be gradually increased as it approaches the center region 17 of the plate 10, which prevents the stiffness of the center region 17, which is relatively weaker than the surrounding region, from weakening. can do.

상기 각 홈(31,32,33)에는 본딩층(26)이 형성될 수 있다. 상기 본딩층(26)은 상기 플레이트(10)와 다른 재질일 수 있으며, 예컨대 도 9의 본딩 부재(199)와의 접착력이 상기 플레이트(10)의 재질보다 더 좋고, 전기 전도도 및 열 전도도가 상기 플레이트(10)보다 높은 재질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(26)은 예컨대, 은 또는 은 합금으로 형성될 수 있다. 또한 상기 본딩층(26)과 상기 플레이트(10) 사이에 다른 층 예컨대, 하지 도금층이 형성될 수 있다. 상기 하지 도금층은 니켈, 구리, 니켈 합금, 또는 구리 합금을 포함한다. A bonding layer 26 may be formed in each of the grooves 31, 32, and 33. The bonding layer 26 may be of a material different from that of the plate 10. For example, the adhesive strength with the bonding member 199 of FIG. 9 is better than that of the plate 10, and electrical and thermal conductivity of the plate It can be formed of a material higher than (10). The bonding layer 26 may be formed of, for example, silver or a silver alloy. In addition, another layer, such as a base plating layer, may be formed between the bonding layer 26 and the plate 10. The underlying plating layer includes nickel, copper, a nickel alloy, or a copper alloy.

상기 홈(31,32,33)에 본딩층(26)이 형성되면, 상기 본딩층(26)은 상기 제2면(2), 제3 및 제4측면(5,6)에 노출될 수 있다. 상기 본딩층(26)은 상기 홈(31,32,33)의 표면에 박막으로 배치되므로, 각 본딩층(26)의 내측 영역(25)은 개방된 홈으로서 상기 제2면(2), 제3 및 제4측면(5,6)이 개방된다. 도 8 내지 도 10과 같이, 상기 플레이트(10)의 제3측면(5)이 기판(191)에 탑재될 때, 상기 플레이트(10)의 홈(31,32,33)의 본딩층(26)과 상기 기판(191)의 패드(195)는 상기 본딩 부재(199)로 본딩된다. 이때 상기 본딩 부재(199)는 상기 홈(31,32,33)의 내측 영역(25) 내에 배치될 수 있어, 본딩층(26)과의 접착 면적이 증가될 수 있다. 상기 본딩 부재(199)는 본딩층(26)을 통해 상기 제1 내지 제3전극부(11,13,15)와 기판(191)을 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 기판(191)의 패드(195)의 면적은 상기 홈(31,32,33)의 면적보다는 크게 형성될 수 있다. When the bonding layer 26 is formed in the grooves 31, 32, and 33, the bonding layer 26 may be exposed to the second surface 2, the third and fourth side surfaces 5 and 6 . Since the bonding layer 26 is disposed as a thin film on the surfaces of the grooves 31, 32, 33, the inner region 25 of each bonding layer 26 is an open groove. The third and fourth sides 5 and 6 are open. 8 to 10, when the third side surface 5 of the plate 10 is mounted on the substrate 191, the bonding layer 26 of the grooves 31, 32, 33 of the plate 10 And the pad 195 of the substrate 191 are bonded to the bonding member 199. In this case, the bonding member 199 may be disposed in the inner region 25 of the grooves 31, 32, and 33, so that the bonding area with the bonding layer 26 may be increased. The bonding member 199 may electrically connect the first to third electrode portions 11, 13, and 15 to the substrate 191 through the bonding layer 26. Here, the area of the pad 195 of the substrate 191 may be formed larger than the area of the grooves 31, 32, and 33.

이에 따라 상기 각 전극부(11,13,15)의 홈(31,32,33)과 기판(191)은 본딩 부재(199)로 서로 연결되므로, 상기 기판(191)은 상기 각 전극부(11,13,15)과 전기적으로 연결될 수 있다. Accordingly, the grooves 31, 32, 33 of each of the electrode portions 11, 13, 15 and the substrate 191 are connected to each other by the bonding member 199, so that the substrate 191 is ,13,15) and can be electrically connected.

상기 광원 모듈(100)로부터 방출된 광은 몰딩 부재(81)를 통해 방출될 수 있다. 여기서, 플레이트(10)의 실장 면인 제3측면(5)은 상기 기판(191)에 접촉되거나 이격될 수 있으며, 또한 상기 몰딩 부재(81)의 어느 한 측면은 상기 기판(191)에 접촉되거나, 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 즉, 상기 플레이트(10)의 제3측면(5)이 상기 기판(191)에 실장되면, 상기 플레이트(10)의 제3측면(5) 및 상기 몰딩 부재(81)의 한 측면은 상기 기판(191) 상에 접촉될 수 있으며, 이 경우 광 손실을 줄여줄 수 있다.The light emitted from the light source module 100 may be emitted through the molding member 81. Here, the third side surface 5, which is the mounting surface of the plate 10, may contact or be spaced apart from the substrate 191, and either side of the molding member 81 may contact the substrate 191 or, It may be spaced apart, but is not limited thereto. That is, when the third side surface 5 of the plate 10 is mounted on the substrate 191, the third side surface 5 of the plate 10 and one side of the molding member 81 are formed on the substrate ( 191) can be contacted, and in this case, light loss can be reduced.

상기 제3전극부(15)는 복수의 제3홈(33) 중에서 상기 기판(191)과 전기적으로 연결되지 않은 홈들을 포함할 수 있으며, 예컨대 상기 제3전극부(15)의 센터 영역(17)에 배치된 홈(33)이 기판(191)과 전기적으로 연결되고, 나머지 홈들은 기판(191)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 이는 전기적으로 연결된 홈들이 아닌 홈들에 의해 방열 효율은 개선될 수 있다. 상기 전기적으로 연결되지 않은 홈들을 위해, 상기 기판(191)에는 다른 패드와 별도로 방열 패드나 더미 패드가 구비될 수 있다.
The third electrode part 15 may include grooves not electrically connected to the substrate 191 among the plurality of third grooves 33, for example, the center region 17 of the third electrode part 15 The groove 33 disposed in) may be electrically connected to the substrate 191, and the remaining grooves may not be electrically connected to the substrate 191. This may improve heat dissipation efficiency by grooves other than electrically connected grooves. For the grooves that are not electrically connected, a heat dissipation pad or a dummy pad may be provided on the substrate 191 separately from other pads.

도 11 및 도 12는 실시 예에 따른 광원 모듈에서 홈의 개수를 변형한 예를 나타낸 도면이다. 도 11 및 도 12를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.11 and 12 are diagrams illustrating an example in which the number of grooves is changed in the light source module according to the embodiment. In describing FIGS. 11 and 12, the same configuration as in the first embodiment will be described with reference to the description of the first embodiment.

도 11을 참조하면, 플레이트(10)는 제3전극부(15)에 배치된 복수의 제3홈(33,34)을 포함하며, 복수의 제3홈(33,34) 중에서 플레이트(10)의 센터 영역(17)에 배치된 홈(33)의 개수가 인접한 영역에 배치된 홈(34)의 개수보다 작게 형성될 수 있다. 상기 센터 영역(17)의 홈(33)은 강성을 위해 단일 구조로 형성되며, 상기 센터 영역(17)으로부터 이격된 영역의 홈(34)은 멀티 구조로 형성될 수 있다. 상기 멀티 구조는 상기 발광 칩(50)들의 간격(B3) 내에 2개 이상의 홈(34) 및 2개 이상의 돌기(34A)가 배치된 구조를 포함한다.Referring to FIG. 11, the plate 10 includes a plurality of third grooves 33 and 34 disposed in the third electrode unit 15, and among the plurality of third grooves 33 and 34, the plate 10 The number of grooves 33 disposed in the center region 17 of may be smaller than the number of grooves 34 disposed in an adjacent region. The groove 33 of the center region 17 may be formed in a single structure for rigidity, and the groove 34 of the region spaced apart from the center region 17 may be formed in a multi-structure. The multi-structure includes a structure in which two or more grooves 34 and two or more protrusions 34A are disposed within a gap B3 between the light emitting chips 50.

도 11의 멀티 구조의 홈(34)은 3개의 홈이 상기 간격(B3) 내에 집단적으로 배치되며, 도 12의 멀티 구조의 홈(35)은 5개의 홈(35) 및 돌기(35A)이 상기 간격(B3) 내에 집단적으로 배치된다. 도 11 및 도 12의 멀티 구조의 홈(34,35)의 너비(A2,A3)는 발광 칩(50)의 간격(B3)보다 작은 영역에 형성될 수 있으며, 이를 벗어날 경우 강성이 취약해 지는 문제가 있다. 또한 멀티 구조의 홈(34,35)의 너비는 센터 영역의 홈(33)과 같거나 좁을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 멀티 구조의 홈(34,35)의 표면에 본딩층을 형성해 줌으로써, 본딩 부재와의 접착 면적이 증가될 수 있다. 이러한 접착 면적이 증가됨으로써, 전기 전도도 및 열 전도도가 개선될 수 있다.
In the multi-structure groove 34 of FIG. 11, three grooves are collectively disposed within the gap B3, and the multi-structure groove 35 of FIG. 12 includes five grooves 35 and a protrusion 35A. It is placed collectively within the gap B3. The widths A2 and A3 of the multi-structured grooves 34 and 35 of FIGS. 11 and 12 may be formed in an area smaller than the spacing B3 of the light emitting chip 50, and if it deviates from this, there is a problem. In addition, the widths of the grooves 34 and 35 of the multi-structure may be the same as or narrower than the grooves 33 of the center region, but are not limited thereto. By forming a bonding layer on the surfaces of the multi-structured grooves 34 and 35, an area of bonding to the bonding member may be increased. By increasing this bonding area, electrical conductivity and thermal conductivity can be improved.

도 13 및 도 14은 실시 예에 있어서, 광원 모듈의 개수를 조절한 예이다.13 and 14 are examples in which the number of light source modules is adjusted according to the embodiment.

도 13의 플레이트(10)에는 도 2의 홈(31,32,33)의 개수보다 작은 5개의 홈(31,32,33)이 배치될 수 있고, 도 14은 도 2의 홈(32,32,33)의 개수보다 많은 17개의 홈(31,32,33)이 배치될 수 있다. 이러한 홈(31,32,33)들은 홀수로 배열될 수 있으며, 일정한 간격(D4,D6)을 갖는다. 예컨대, 제1전극부(11), 제2전극부(13) 및 제3전극부(15)의 센터 영역(17)에 배치된 홈들(31,32,33)은 고정되며, 그 사이의 홈들의 간격을 조절하여 증가시키거나 감소시킬 수 있다. 도 13 내지 도 14를 참조하면, 플레이트(10)의 홈(31,32,33)들은 제3전극부(15)의 홈(33)들 간의 간격(D6>D3>D4)이 좁아질수록 그 개수는 더 증가함을 알 수 있으며,
In the plate 10 of FIG. 13, five grooves 31, 32, and 33 that are smaller than the number of grooves 31, 32, and 33 of FIG. 2 may be disposed, and FIG. 14 shows the grooves 32 and 32 of FIG. 17 grooves 31, 32, 33 may be arranged more than the number of ,33). These grooves (31, 32, 33) may be arranged in an odd number, and have a constant interval (D4, D6). For example, the grooves 31, 32, and 33 disposed in the center region 17 of the first electrode part 11, the second electrode part 13, and the third electrode part 15 are fixed, and the grooves therebetween They can be increased or decreased by adjusting the spacing of them. 13 to 14, the grooves 31, 32, and 33 of the plate 10 increase as the gap (D6>D3>D4) between the grooves 33 of the third electrode part 15 becomes narrower. It can be seen that the number increases further,

도 15의 (A)(B)는 플레이트의 홈을 변형한 예이다. 15A and 15B are examples in which the grooves of the plate are modified.

도 15의 (A)와 같이, 플레이트(10)의 홈(36)은 다각형 형상 예컨대, 상부가 넓고 하부가 좁은 형상일 수 있으며, 그 표면에 본딩층(26)이 형성된다. 상기 홈(36)의 내측 영역(25A)은 경사진 측면에 의해 본딩 부재와의 접착 면적이 증가될 수 있다.As shown in FIG. 15A, the groove 36 of the plate 10 may have a polygonal shape, for example, a wide upper portion and a narrow lower portion, and a bonding layer 26 is formed on the surface thereof. The inner region 25A of the groove 36 may have an increased adhesion area with the bonding member due to the inclined side surface.

도 15의 (B)와 같이, 플레이트(10)의 홈(37)은 반구형 형상일 수 있으며, 상기 홈(37)의 형상에 따라 본딩층(26) 및 내측 영역(25B)도 반구형 형상으로 형성될 수 있다.
15B, the groove 37 of the plate 10 may have a hemispherical shape, and the bonding layer 26 and the inner region 25B are also formed in a hemispherical shape according to the shape of the groove 37. Can be.

도 16은 제2실시 예에 따른 광원모듈의 사시도이다. 제2실시 예의 설명에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.16 is a perspective view of a light source module according to a second embodiment. In the description of the second embodiment, the same portions as those of the first embodiment will be referred to the description of the first embodiment.

도 16을 참조하면, 광원 모듈은 플레이트(10)의 제1전극부(11) 및 제2전극부(13)의 아래에 제1 및 제2홈(31,32)이 배치되고, 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 서브 홈(121,122,141,142)이 배치된다.Referring to FIG. 16, in the light source module, first and second grooves 31 and 32 are disposed under the first electrode part 11 and the second electrode part 13 of the plate 10, and the first And sub grooves 121, 122, 141 and 142 are disposed on the third and fourth side surfaces of the second electrode portions 11 and 13.

상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)은 반구형 형상이거나 다각형 형상일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)은 상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 아래에 배치된 제1 및 제2홈(31,32)과 수직 방향으로 오버랩되거나 어긋나게 배치될 수 있다. The sub grooves 121, 122, 141, and 142 disposed on the third and fourth side surfaces of the first and second electrode portions 11 and 13 may have a hemispherical shape or a polygonal shape. The sub-grooves 121, 122, 141, and 142 disposed on the third and fourth side surfaces overlap the first and second grooves 31 and 32 disposed under the first and second electrode parts 11 and 13 in a vertical direction. It may be arranged or misaligned.

상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 형성된 서브 홈(121,122,141,142)은 수직 방향 예컨대, 상기 플레이트(10)의 두께 방향으로 형성될 수 있다. The sub grooves 121, 122, 141, and 142 formed on the third and fourth side surfaces of the first and second electrode portions 11 and 13 may be formed in a vertical direction, for example, in a thickness direction of the plate 10.

상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)은 상기 몰딩 부재(81)와의 접촉이 되지 않기 때문에, 상기 몰딩 부재(81)에 의한 불량 발생을 방지할 수 있다. 이에 따라 제3 및 제4측면에 서브 홈(121,122,141,142)이 배치된 경우, 상기 제1 및 제2전극부(11,13) 아래의 제1 및 제2홈(31,32)과 본딩 부재로 접착되므로, 본딩 효율이 개선될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극부(11,13) 아래의 홈은 제거될 수 있다.Since the sub grooves 121, 122, 141, and 142 disposed on the third and fourth side surfaces of the first and second electrode portions 11 and 13 do not come into contact with the molding member 81, the molding member 81 It can prevent the occurrence of defects. Accordingly, when the sub-grooves 121, 122, 141, and 142 are disposed on the third and fourth sides, the first and second grooves 31 and 32 under the first and second electrode parts 11 and 13 are bonded to each other by a bonding member. Therefore, bonding efficiency can be improved. As another example, the grooves under the first and second electrode portions 11 and 13 may be removed.

상기 제1 및 제2전극부(11,13)의 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)은 상기 플레이트(10)의 너비 미만으로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 플레이트(10)의 너비의 30% 이하의 깊이로 형성될 수 있다. 상기 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142)의 깊이는 0.35mm 미만으로 형성되거나, 반구형인 경우 0.6mm~0.8mm의 곡률로 형성될 수 있다.The sub-grooves 121, 122, 141, and 142 disposed on the third and fourth side surfaces of the first and second electrode portions 11 and 13 may be formed to be less than the width of the plate 10, for example, of the plate 10. It can be formed to a depth of less than 30% of the width. The depths of the sub-grooves 121, 122, 141, and 142 disposed on the third and fourth sides may be formed to be less than 0.35 mm, or may have a curvature of 0.6 mm to 0.8 mm in the case of a hemispherical shape.

또한 상기 제3 및 제4측면에 배치된 서브 홈(121,122,141,142) 간의 간격은 상기 발광 칩(50)의 너비 이하로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 서브 홈(121,122,141,142)에는 본딩층이 형성될 수 있다.
In addition, the spacing between the sub-grooves 121, 122, 141, and 142 disposed on the third and fourth sides may be formed to be less than the width of the light emitting chip 50, but is not limited thereto. A bonding layer may be formed in the sub grooves 121, 122, 141, and 142.

도 17은 제3실시 예에 따른 광원모듈의 측면도이다. 도 17을 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.17 is a side view of a light source module according to a third embodiment. In describing FIG. 17, the same configuration as in the first embodiment will be described with reference to the description of the first embodiment.

도 17을 참조하면, 광원 모듈은 복수의 발광 칩(50)을 갖는 플레이트(10)의 제1 및 제2전극부(11,13)의 변형한 구조이다. 상기 제1 및 제2전극부(11,13)에는 제2면에 제1 및 제2홈(31,32)이 배치되고, 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)에 서브 홈(31A,32A)이 배치된다. 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)에 배치된 서브 홈(31A,32A)은 상기 제1 및 제2측벽부(12,14)의 상면으로부터 소정 깊이로 리세스되고, 상기 플레이트(10)의 너비와 같은 길이를 갖는다.Referring to FIG. 17, the light source module is a modified structure of the first and second electrode portions 11 and 13 of the plate 10 having a plurality of light emitting chips 50. First and second grooves 31 and 32 are disposed on the second surface of the first and second electrode portions 11 and 13, and sub grooves ( 31A, 32A) are placed. The sub grooves 31A and 32A disposed in the first and second side wall portions 12 and 14 are recessed to a predetermined depth from the upper surfaces of the first and second side wall portions 12 and 14, and the plate ( It has the same length as the width of 10).

상기 제1 및 제2홈(31,32) 및 서브 홈(31A,32A)의 길이 및 너비는 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 서브 홈(31A,32A)에는 상기 홈(31,33,35)에 형성된 본딩층(26)이 형성될 수 있다. 이러한 서브 홈(31A,32A) 중 적어도 하나는 본딩 부재에 의해 본딩될 수 있다. 여기서, 상기 서브 홈(31A,32A)은 상기 제1 및 제2전극부(13,15)에 배치된 홈(31,32)과 반대측에 배치되므로, 본딩 위치도 서로 반대일 수 있다.
The length and width of the first and second grooves 31 and 32 and the sub grooves 31A and 32A may be the same or different, but are not limited thereto. A bonding layer 26 formed in the grooves 31, 33, and 35 may be formed in the sub grooves 31A and 32A. At least one of these sub-grooves 31A and 32A may be bonded by a bonding member. Here, since the sub-grooves 31A and 32A are disposed on opposite sides to the grooves 31 and 32 disposed in the first and second electrode parts 13 and 15, bonding positions may be opposite to each other.

도 18은 제4실시 예에 따른 광원 모듈의 일부를 나타낸 측면도이다. 도 18을 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.18 is a side view showing a part of a light source module according to a fourth embodiment. In describing FIG. 18, the same configuration as in the first embodiment will be described with reference to the description of the first embodiment.

도 18을 설명하면, 인접한 발광 칩(50) 사이의 영역에 연결 단자(171)가 복수로 배치되며, 상기 복수의 연결 단자(171)는 인접한 두 발광 칩(50)을 서로 연결해 준다. 상기 복수의 연결 단자(171)는 와이어(59)에 의해 인접한 두 발광 칩(50)을 직렬로 연결해 줌으로써, 인접한 두 발광 칩(50) 간의 간격(B4>B3)이 넓어질 수 있다. 이에 따라 광원 모듈 내의 발광 칩(50)의 개수도 줄어들 수 있다.
Referring to FIG. 18, a plurality of connection terminals 171 are disposed in a region between adjacent light emitting chips 50, and the plurality of connection terminals 171 connect two adjacent light emitting chips 50 to each other. The plurality of connection terminals 171 connect two adjacent light emitting chips 50 in series by a wire 59, so that a distance (B4>B3) between two adjacent light emitting chips 50 may be widened. Accordingly, the number of light emitting chips 50 in the light source module may be reduced.

도 19은 제3실시 예에 따른 광원 모듈을 갖는 발광 장치를 나타낸 도면이다.19 is a diagram illustrating a light emitting device having a light source module according to a third embodiment.

도 19를 참조하면, 광원 모듈(100)은 기판(191) 상에 탑재된다. 상기 광원 모듈(100)의 플레이트(10)의 어느 한 측면이 상기 기판(191) 상에 대면하고, 상기 플레이트(10)의 홈(31,32,33)에 본딩 부재를 본딩하여 상기 기판(191)의 패드에 탑재된다. 이에 따라 상기 플레이트(10)의 제1 내지 제3전극부(11,13,15)는 상기 기판(191)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 복수의 발광 칩(50)은 광을 방출하게 된다. Referring to FIG. 19, the light source module 100 is mounted on a substrate 191. One side of the plate 10 of the light source module 100 faces the substrate 191, and a bonding member is bonded to the grooves 31, 32, 33 of the plate 10, and the substrate 191 ) Is mounted on the pad. Accordingly, the first to third electrode portions 11, 13, and 15 of the plate 10 may be electrically connected to the substrate 191, and the plurality of light emitting chips 50 emit light.

상기 기판(191)은 상기 플레이트(10)의 제1전극부(11), 제2전극부(13) 및 제3전극부(15)에 각각 연결된 라인 패턴(P1,P2,P3)을 포함하며, 상기 라인 패턴(P1,P2,P3)은 적어도 3개의 라인이 각 전극부(11,13,15)에 연결될 수 있다. The substrate 191 includes line patterns P1, P2, P3 connected to the first electrode part 11, the second electrode part 13, and the third electrode part 15 of the plate 10, respectively, , In the line patterns P1, P2, and P3, at least three lines may be connected to each of the electrode portions 11, 13, and 15.

상기 기판(191)은 플렉시블 기판이거나, 수지 재질의 기판, 또는 세라믹 재질의 기판, 또는 금속층을 갖는 기판을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 191 may be a flexible substrate, a resin substrate, a ceramic substrate, or a substrate having a metal layer, but is not limited thereto.

상기 도 19에서, 제1전극부(11), 제2전극부(13) 및 제3전극부(15)의 센터 영역에 배치된 홈(31,32,33)들은 기판(191)과 라인 패턴(P3)에 의해 전기적으로 연결되며, 상기 제3전극부(15)의 센터 영역 이외의 홈들은 상기 기판(191)과 전기적으로 연결되거나, 연결되지 않을 수 있다. 이는 제3전극부(15)의 센터 영역 이외의 홈들을 전기적으로 연결하지 않을 경우, 방열 목적으로만 사용할 수 있어, 방열 효율은 더 개선될 수 있다. 또한, 상기 제3전극부(15)의 센터 영역 이외의 홈들에 대응되는 영역에 기판(191)의 방열 패드(들)을 배치할 수 있다. 상기 방열 패드는 상기 라인 패턴(P1,P2,P3)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
In FIG. 19, the grooves 31, 32, and 33 disposed in the center regions of the first electrode part 11, the second electrode part 13, and the third electrode part 15 are the substrate 191 and the line pattern. Electrically connected by P3, grooves other than the center region of the third electrode unit 15 may or may not be electrically connected to the substrate 191. This can be used only for heat dissipation purposes when the grooves other than the center region of the third electrode unit 15 are not electrically connected, and thus heat dissipation efficiency may be further improved. In addition, the heat dissipation pad(s) of the substrate 191 may be disposed in regions corresponding to grooves other than the center region of the third electrode unit 15. The heat dissipation pad may not be electrically connected to the line patterns P1, P2, and P3.

도 20 및 도 21은 제1실시 예의 광원모듈의 제조 과정의 일부를 나타낸 도면이다.20 and 21 are views illustrating a part of a manufacturing process of the light source module according to the first embodiment.

도 20 및 도 21을 참조하면, 원판(100B)의 길이 방향(x축 방향)에 서로 이격된 절연부(113,114)를 배치하고, 상기 원판(100B)의 소정 영역(A1)이 오목한 제1면이 배치되고, 도 21과 같이 상기 제1면의 반대측 제2면에 복수의 홈(31,32,33)을 Y축 방향으로 길게 형성한다. 여기서, 상기 복수의 발광 칩(50)이 배치된 제1면의 위치는 상기 측벽부의 상면보다 낮게 위치할 수 있다. 여기서, 상기 복수의 홈(31,32,33)에는 도금 공정에 의해 본딩층을 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 20 and 21, insulating portions 113 and 114 spaced apart from each other are disposed in the longitudinal direction (x-axis direction) of the original plate 100B, and a first surface in which a predetermined area A1 of the original plate 100B is concave. Is disposed, and as shown in FIG. 21, a plurality of grooves 31, 32, and 33 are formed long in the Y-axis direction on the second surface opposite to the first surface. Here, the position of the first surface on which the plurality of light emitting chips 50 are disposed may be located lower than the upper surface of the sidewall part. Here, a bonding layer may be formed in the plurality of grooves 31, 32, and 33 by a plating process, but the embodiment is not limited thereto.

이후, 상기 원판(100B)의 개별 플레이트 영역(100A)의 제1면 상에 복수의 발광 칩(50)을 탑재한 후, 와이어로 연결하고, 몰딩 부재(81)로 몰딩하게 된다. 이후 x축 방향으로 개별 플레이트 영역(100A)의 너비 단위로 커팅하게 되며, Y축 방향으로 플레이트 영역(100A)의 길이 크기로 커팅하게 된다. 이에 따라 개별 광원 모듈의 플레이트 영역(100A)의 제2면에 복수의 홈(31,32,33)이 제공될 수 있고, 상기 절연부(113,114)에 의해 복수의 전극부가 구비된다. 또한 각 전극부에는 홈(31,32,33)이 배치됨으로써, 기판과의 전기적인 연결이 가능하게 된다.
Thereafter, a plurality of light emitting chips 50 are mounted on the first surface of the individual plate region 100A of the original plate 100B, connected with wires, and molded with a molding member 81. Thereafter, cutting is performed in units of the width of the individual plate area 100A in the x-axis direction, and the length of the plate area 100A is cut in the Y-axis direction. Accordingly, a plurality of grooves 31, 32, and 33 may be provided on the second surface of the plate region 100A of the individual light source module, and a plurality of electrode portions are provided by the insulating portions 113 and 114. In addition, since the grooves 31, 32, and 33 are disposed in each electrode portion, electrical connection with the substrate is possible.

<조명 시스템><Lighting system>

실시예에 따른 광원 모듈은 기판 상에 탑재되어 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 광원 모듈을 포함하며, 도 22에 도시된 표시 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light source module according to the embodiment may be mounted on a substrate and applied to a lighting system. The lighting system includes a light source module, includes the display device shown in FIG. 22, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, and an electric sign.

도 22는 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 22 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 22를 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 실시 예에 따른 광원모듈(100) 및 기판(1033)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원모듈(100) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 22, a display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light source module 100 and a substrate 1033 according to an embodiment providing light to the light guide plate 1041, and under the light guide plate 1041. A reflective member 1022, an optical sheet 1051 over the light guide plate 1041, a display panel 1061 over the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light source module 100, and a reflective member ( It may include a bottom cover 1011 accommodating the 1022, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 광원모듈(100), 기판(1033), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the light source module 100, the substrate 1033, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 광원모듈(100)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse the light provided from the light source module 100 to form a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin series such as PMMA (polymethyl methacrylate), PET (polyethylene terephthalate), PC (polycarbonate), COC (cycloolefin copolymer), and PEN (polyethylene naphtha late). ) It may contain one of the resins.

상기 광원모듈(100)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 100 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of a display device.

상기에 개시된 광원모듈(100)은 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원모듈(100)은 실시 예에 따른 모듈 중에서 선택될 수 있다. At least one light source module 100 disclosed above is disposed in the bottom cover 1011, and may directly or indirectly provide light from one side of the light guide plate 1041. The light source module 100 may be selected from modules according to an embodiment.

상기 광원 모듈(100)과 상기 바텀 커버(1011)의 측면 사이에는 절연성 접착 시트가 부착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An insulating adhesive sheet may be attached between the light source module 100 and the side surface of the bottom cover 1011, but the embodiment is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011) 내에는 방열 플레이트가 배치될 수 있으며, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. A heat dissipation plate may be disposed in the bottom cover 1011, and a portion of the heat dissipation plate may contact an upper surface of the bottom cover 1011.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies it to the display panel 1061, thereby improving the luminance of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원모듈(100), 기판(1033) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light source module 100, the substrate 1033 and the reflective member 1022. To this end, the bottom cover 1011 may include a receiving portion 1012 having a box shape with an open top surface, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 광원 모듈(100)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates made of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, and the structure of the polarizing plate is not limited thereto. The display panel 1061 transmits or blocks light provided from the light source module 100 to display information. The display device 1000 may be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and video display devices such as televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041, and includes at least one translucent sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a horizontal/vertical prism sheet, and a brightness enhanced sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, the horizontal or/and vertical prism sheet condenses incident light to the display panel 1061, and the brightness enhancement sheet reuses lost light to improve luminance. Let me do it. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the embodiment is not limited thereto.

상기 광원 모듈(100)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the light path of the light source module 100, but the embodiment is not limited thereto.

상기의 실시 예에 개시된 광원모듈은 탑뷰 형태의 백라이트 유닛에 적용되거나, 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 직하 타입의 광원모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 광원모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light source module disclosed in the above embodiment may be applied to a top-view type backlight unit, or to a backlight unit such as a portable terminal or a computer, as well as a lighting device such as a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlamp, an electric signboard, and a street light. Not limited. In addition, the light guide plate may not be disposed in the direct type light source module, but the embodiment is not limited thereto. In addition, a light-transmitting material such as a lens or glass may be disposed on the light source module, but the embodiment is not limited thereto.

상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.It is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is limited by the appended claims. Therefore, it will be apparent to those of ordinary skill in the art that various types of substitutions, modifications and changes are possible within the scope of the technical spirit of the present invention described in the claims, and the appended claims It will be said to belong to the technical idea described in.

10: 플레이트 11,13,15: 전극부
12,14: 측벽부 31,32,33,34,35: 홈
26: 본딩층 50,51,53,55,57: 발광 칩
81: 몰딩 부재 100: 광원 모듈
113,114: 절연부 171: 연결 단자
191: 기판10: plate 11, 13, 15: electrode part
12,14: sidewall 31,32,33,34,35: groove
26: bonding layer 50,51,53,55,57: light emitting chip
81: molding member 100: light source module
113,114: insulation part 171: connection terminal
191: substrate

Claims (16)

제1방향의 길이가 상기 제1방향과 수직한 제2방향의 너비보다 길며, 복수의 전극부 및 상기 복수의 전극부 사이에 적어도 하나의 절연부를 갖는 플레이트;
상기 플레이트의 제1면 상에서 상기 제1방향으로 배열된 복수의 발광 칩; 및
상기 복수의 발광 칩을 덮는 몰딩 부재를 포함하며,
상기 복수의 발광 칩은 상기 복수의 전극부에 전기적으로 연결되며,
상기 복수의 전극부는 상기 플레이트로 이루어진 제1전극부 내지 제3전극부를 포함하며,
상기 제3전극부는 상기 제1전극부 및 상기 제2전극부 사이에 배치되며,
상기 플레이트는 상기 제1면의 반대측 제2면으로부터 상기 제1면 방향으로 오목한 복수의 홈을 포함하며,
상기 홈의 표면에 본딩층이 형성되며,
상기 복수의 홈은
상기 제1전극부 상에 형성되는 제1홈;
상기 제2전극부 상에 형성되는 제2홈; 및
상기 제3전극부 상에 형성되는 복수의 제3홈을 포함하고,
상기 제1 내지 제3홈의 제2방향 너비는 상기 플레이트의 제2방향 너비와 동일하고,
상기 제1 및 제2홈의 깊이는 상기 제3홈의 깊이보다 깊고,
상기 복수의 제3홈은,
상기 제3전극부의 센터 영역에 배치되는 제3-1홈; 및
상기 제3전극부의 센터 영역과 이격되며, 상기 센터 영역보다 상기 제1 및 제2전극부와 인접한 이격 영역에 배치되는 제3-2홈을 포함하고,
상기 제3-2홈의 개수는 상기 제3-1홈의 개수보다 많고,
상기 제3-2홈은 인접한 상기 발광 칩들의 간격 내에 2개 이상의 홈 및 2개 이상의 돌기가 배치된 구조를 가지는 광원 모듈.A plate having a length in a first direction longer than a width in a second direction perpendicular to the first direction and having a plurality of electrode portions and at least one insulating portion between the plurality of electrode portions;
A plurality of light emitting chips arranged in the first direction on the first surface of the plate; And
And a molding member covering the plurality of light emitting chips,
The plurality of light emitting chips are electrically connected to the plurality of electrode units,
The plurality of electrode portions include a first electrode portion to a third electrode portion made of the plate,
The third electrode part is disposed between the first electrode part and the second electrode part,
The plate includes a plurality of grooves concave in the direction of the first surface from a second surface opposite to the first surface,
A bonding layer is formed on the surface of the groove,
The plurality of grooves
A first groove formed on the first electrode portion;
A second groove formed on the second electrode portion; And
Including a plurality of third grooves formed on the third electrode portion,
The width in the second direction of the first to third grooves is the same as the width in the second direction of the plate,
The depth of the first and second grooves is deeper than the depth of the third groove,
The plurality of third grooves,
A 3-1 groove disposed in the center area of the third electrode part; And
And a 3-2 groove spaced apart from the center region of the third electrode part and disposed in a spaced region adjacent to the first and second electrode parts than the center region,
The number of the 3-2 grooves is greater than the number of the 3-1 grooves,
The 3-2 groove has a structure in which two or more grooves and two or more protrusions are disposed within a gap between adjacent light emitting chips. 제1항에 있어서,
상기 제3전극부의 제1방향 길이는 제1 및 제2전극부의 제1방향 길이의 합의 2배 이상 길고,
상기 제3전극부 상에는 상기 복수의 발광 칩 중 80% 이상이 배치되고,
상기 절연부는 상기 제1 및 제3전극부 사이에 배치되는 제1절연부 및 상기 제2 및 제3전극부 사이에 배치되는 제2절연부를 포함하고,
상기 절연부는 상기 전극부의 표면과 동일 수평면으로 형성되는 광원 모듈.The method of claim 1,
The length of the third electrode portion in the first direction is at least twice as long as the sum of the lengths of the first and second electrode portions in the first direction,
80% or more of the plurality of light emitting chips are disposed on the third electrode part,
The insulating part includes a first insulating part disposed between the first and third electrode parts and a second insulating part disposed between the second and third electrode parts,
The insulator module is formed in the same horizontal plane as the surface of the electrode part. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1전극부는 상기 플레이트의 제1면보다 돌출된 제1측벽부를 포함하며,
상기 제2전극부는 상기 플레이트의 제1면보다 돌출되며 상기 제1측벽부와 대면하는 제2측벽부를 포함하며,
상기 제1측벽부 및 상기 제2측벽부는 상기 몰딩 부재와 접촉되는 광원 모듈.The method according to claim 1 or 2,
The first electrode portion includes a first sidewall portion protruding from the first surface of the plate,
The second electrode part includes a second side wall part protruding from the first surface of the plate and facing the first side wall part,
The first side wall part and the second side wall part are in contact with the molding member. 제3항에 있어서,
상기 제1홈은 상기 제1측벽부와 수직 방향으로 오버랩되고,
상기 제2홈은 상기 제2측벽부와 수직 방향으로 오버랩되는 광원 모듈.The method of claim 3,
The first groove overlaps the first side wall in a vertical direction,
The second groove is a light source module overlapping the second side wall in a vertical direction. 제3항에 있어서,
상기 플레이트는 상기 제1면 및 상기 제2면 사이에 배치되는 제1 내지 제4측면을 포함하고,
상기 제1 및 제2측면은 상기 제1방향으로 마주하고,
상기 제3 및 제4측면은 상기 제2방향으로 마주하고,
상기 몰딩 부재는 상면 및 양 측면이 노출되며,
상기 몰딩 부재의 노출된 양 측면은 상기 플레이트의 제3측면 및 제4측면과 동일 평면에 배치되는 광원 모듈.The method of claim 3,
The plate includes first to fourth side surfaces disposed between the first surface and the second surface,
The first and second sides face in the first direction,
The third and fourth sides face in the second direction,
The molding member has an upper surface and both sides exposed,
A light source module in which both exposed sides of the molding member are disposed on the same plane as the third side and the fourth side of the plate. 제5항에 있어서,
상기 본딩층은 상기 제2면 및 상기 제3측면과 상기 제4측면에서 노출되고,
상기 본딩층의 내측 영역은 상기 제2면 및 상기 제3측면과 상기 제4측면에서 개방되는 광원 모듈.The method of claim 5,
The bonding layer is exposed on the second and third sides, and on the fourth side,
An inner region of the bonding layer is a light source module that is open from the second surface, the third side, and the fourth side. 제5항에 있어서,
상기 제1전극부 및 상기 제2전극부는 상기 제3측면 및 상기 제4측면에 각각 서브 홈을 포함하고,
상기 제3측면에 형성된 상기 서브 홈은 상기 제3측면에서 상기 제4측면 방향으로 오목하고,
상기 제4측면에 형성된 상기 서브 홈은 상기 제4측면에서 상기 제3측면 방향으로 오목하고,
상기 제1전극부의 상기 제3측면 및 상기 제4측면에 각각 형성된 서브 홈은 상기 제1홈과 오버랩되거나 어긋나게 배치되고,
상기 제2전극부의 상기 제3측면 및 상기 제4측면에 각각 형성된 서브 홈은 상기 제2홈과 오버랩되거나 어긋나게 배치되는 광원 모듈.The method of claim 5,
The first electrode part and the second electrode part each include sub grooves on the third side and the fourth side,
The sub-groove formed on the third side is concave from the third side to the fourth side,
The sub-groove formed on the fourth side is concave from the fourth side to the third side,
Sub-grooves formed on the third side and the fourth side of the first electrode part are disposed to overlap or deviate from the first groove,
The sub-grooves formed on the third side and the fourth side of the second electrode part, respectively, are disposed to overlap or deviate from the second groove. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206637330U (en) * 2016-09-30 2017-11-14 深圳市玲涛光电科技有限公司 Strip source and backlight module, the electronic equipment using the strip source

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207542A (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Kyocera Corp Package for storing light emitting element and light emitting device
JP2010199253A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2011507228A (en) * 2007-12-06 2011-03-03 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド LED package and method of manufacturing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008059650A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-22 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate
KR101114197B1 (en) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and lighing system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207542A (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Kyocera Corp Package for storing light emitting element and light emitting device
JP2011507228A (en) * 2007-12-06 2011-03-03 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド LED package and method of manufacturing the same
JP2010199253A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp Optical semiconductor device and method of manufacturing the same

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