KR20150083684A - 표시 장치 및 그것의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그것의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치는 복수의 화소 영역들 및 상기 화소 영역들 사이에 배치된 비화소 영역이 정의된 기판, 상기 각각의 화소 영역에서 상기 기판상에 배치된 터널 상 공동, 상기 터널 상 공동에 배치된 영상 표시층, 상기 터널 상 공동 상에 배치되며 평탄화되어 있는 루프층, 상기 비화소 영역에서 상기 기판상에 배치된 블랙 매트릭스 및 상기 각각의 화소 영역의 소정의 영역에서 상기 터널 상 공동의 하부에 배치되어 외부광을 반사시키는 반사 전극을 포함한다.

Description

표시 장치 및 그것의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그것의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 유기 전계 발광 표시장치(Organic Light Emitting Diode), 전기 습윤 표시 장치(Electro Wetting Display Device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel: PDP) 및 전기 영동 표시장치(Electrophoretic Display Device) 등 다양한 표시장치가 개발되고 있다.
일반적으로, 표시 장치는 서로 대향하는 두 기판들과 두 기판들 사이에 개재된 영상 표시부를 포함한다. 두 기판들은 서로 대향하여 접착된다. 두 기판들 사이에 영상 표시부가 구비되도록 두 기판들 사이의 간격이 유지된다.
표시 장치의 제조 공정시, 두 기판들 중 어느 하나의 기판에 두 기판들 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서가 형성된다. 접착제를 이용하여 스페이서와 다른 하나의 기판은 접착제에 의해 접착된다. 이러한 공정들로 인해, 표시 장치의 제조 공정이 복잡해지고 비용이 증가된다.
본 발명의 목적은 반 투과형 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는 복수의 화소 영역들 및 상기 화소 영역들 사이에 배치된 비화소 영역이 정의된 기판, 상기 각각의 화소 영역에서 상기 기판상에 배치된 터널 상 공동, 상기 터널 상 공동에 배치된 영상 표시층, 상기 터널 상 공동 상에 배치되며 평탄화되어 있는 루프층, 상기 비화소 영역에서 상기 기판상에 배치된 블랙 매트릭스 및 상기 각각의 화소 영역의 소정의 영역에서 상기 터널 상 공동의 하부에 배치되어 외부광을 반사시키는 반사 전극을 포함한다.
상기 각각의 화소 영역에서 상기 기판 상에 배치된 컬러 필터를 더 포함하고, 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터 중 어느 하나이다.
상기 컬러 필터상에 배치된 제1 전극 및 제1 방향으로 연장되며, 상기 화소 영역 및 상기 비화소 영역의 소정의 영역에서 상기 기판과 소정의 간격을 두고 상부로 이격되어 상기 터널 상 공동을 정의하는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 루프층은 상기 제2 전극상에 배치된다.
상기 각각의 화소 영역은, 광을 투과시키는 투과 영역 및 상기 반사 전극이 배치되는 반사 영역을 포함하고, 상기 비화소 영역은, 상기 제1 방향에서 상기 화소 영역들 사이에 배치되어 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제1 비화소 영역 및 상기 제2 방향에서 상기 화소 영역들 사이에 배치되어 상기 제1 방향으로 연장된 제2 비화소 영역을 포함하고, 상기 반사 영역은 상기 제1 영역에 인접하게 배치되며, 상기 제2 전극은 상기 제2 방향에서 상기 제2 비화소 영역의 소정의 영역으로 정의되는 제1 영역으로 연장된다.
상기 터널 상 공동은 상기 투과 영역에서 제1 높이를 갖고, 상기 반사 영역에서 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 갖고, 상기 제1 비화소 영역과 오버랩되지 않는 상기 제1 영역에서 상기 제2 높이보다 낮은 제3 높이를 갖는다.
상기 제2 전극은 상기 투과 영역에서 상기 컬러 필터와 상기 제1 높이를 갖고 이격되어 배치되며, 상기 반사 영역에서 상기 컬러 필터와 상기 제2 높이를 갖고 이격되어 배치되며, 상기 제1 비화소 영역과 오버랩되지 않는 상기 제1 영역에서 상기 블랙 매트릭스와 상기 제3 높이를 갖고 이격되어 배치된다.
상기 제3 높이는 1.1 마이크로 미터보다 작거나 같다.
상기 비화소 영역에서 상기 기판상에 형성되어 상기 제1 전극에 연결된 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판상에 배치되고, 상기 반사 영역에서 요철 구조를 갖는 절연막을 더 포함하고, 상기 반사 전극은 상기 반사 영역에서 상기 절연막 상에 배치되어 상기 요철구조를 갖고, 상기 컬러 필터 및 상기 블랙 매트릭스는 상기 절연막 상에 배치된다.
상기 터널 상 공동에서 상기 제2 전극의 내면 상에 배치되고, 상기 제1 전극을 덮도록 상기 기판상에 배치되는 배향막을 더 포함하고, 상기 반사 영역에 인접한 상기 제1 영역에서 상기 배향막은 상기 터널상 공동을 폐쇄시킨다.
상기 영상 표시층은 상기 투과 영역에서 상기 배향막 사이의 간격으로 정의되는 제1 간격을 갖고, 상기 반사 영역에서 상기 배향막 사이의 간격으로 정의되는 제2 간격을 가지며, 상기 제2 간격은 상기 제1 간격의 절반에 대응하는 높이를 갖는다.
상기 영상 표시층은 액정층이다.
상기 루프층 상에 상기 기판을 커버하도록 배치되어 상기 터널 상 공동을 밀폐하는 봉지층을 더 포함한다.
상기 봉지층은 유기막 또는 서로 적층된 유기막과 무기막을 포함한다.
상기 루프층은 유기막을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 복수의 화소 영역들 및 상기 화소 영역들 사이의 비화소 영역이 정의되고 상기 각각의 화소 영역의 소정의 영역에 배치되어 외부광을 반사시키는 반사 전극을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 각각의 화소 영역의 상기 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 기판상에 열 방향으로 연장되어 상기 각각의 화소 영역에서 제1 높이 및 상기 제1 높이보다 작은 제2 높이를 갖고, 상기 비화소 영역에서 상기 제2 높이보다 작은 제3 높이를 갖는 희생층을 형성하는 단계, 행 방향으로 연장되며, 상기 화소 영역 및 상기 비화소 영역의 소정의 영역에서 상기 희생층을 덮도록 상기 기판상에 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 전극의 상면을 덮고 평탄화되어 있는 루프층을 형성하는 단계, 상기 희생층을 습식 식각하여 상기 제2 전극과 상기 기판 사이에 터널상 공동을 형성하는 단계, 상기 터널 상 공동에 액정 층을 제공하는 단계 및 상기 루프층 상에 상기 기판을 커버하여 상기 터널 상 공동을 밀폐시키는 봉지층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 표시 장치는 반투과형의 구조를 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 표시 장치는 시야각을 넓힐 수 있고, 균일한 배향막을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널의 표시 영역의 일부 영역을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 화소의 레이 아웃이다.
도 4는 도 3에 도시된 I-I'선의 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'선의 단면도이다.
도 7은 도 3에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'선의 단면도이다.
도 8은 도 3에 도시된 V-V'선의 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 반사 모드의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 투과 모드의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 기판상에 형성된 희생층을 도시한 도면이다.
도 12a 및 도 12b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선의 단면에서 희생층의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 도 11에 도시된 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 희생층의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 14a 및 도 14b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 제2 전극이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 15a 및 도 15b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 루프층이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 16a 및 도 16b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 터널상 공동이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 17a 내지 도 17d는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 배향막이 형성되는 방법을 도시한 도면이다.
도 18a 및 도 18b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 터널 상 공동에 액정층이 형성되는 방법을 도시한 도면이다.
도 19a 및 도 19b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 봉지층이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제 1, 제 2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 소자, 제 1 구성요소 또는 제 1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 소자, 제 2 구성요소 또는 제 2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치(500)는 표시 패널(100), 게이트 구동부(200), 데이터 구동부(300), 및 구동 회로 기판(400)을 포함한다.
표시 패널(100)은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소들(PX11~PXnm)이 형성된 표시 영역(DA), 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비 표시 영역(NDA), 복수의 게이트 라인들(GL1~GLn), 게이트 라인들(GL1~GLn)과 절연되어 교차하는 복수의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함한다.
게이트 라인들(GL1~GLn)은 게이트 구동부(200)에 연결되어 순차적인 게이트 신호들을 수신할 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLm)은 데이터 구동부(300)에 연결되어 아날로그 형태의 데이터 전압들을 수신할 수 있다.
화소들(PX11~PXnm)은 게이트 라인들(GL1~GLn)과 데이터 라인들(DL1~DLm)이 교차하는 영역에 형성된다. 따라서 화소들(PX11~PXnm)은 서로 교차하는 n개의 행들 및 m개의 열들로 배열될 수 있다. m 및 n은 0보다 큰 정수이다.
화소들(PX11~PXnm)은 각각 대응하는 게이트 라인들(GL1~GLn)과 대응하는 데이터 라인들(DL1~DLm)에 연결된다. 화소들(PX11~PXnm)은 대응하는 게이트 라인들(GL1~GLn)을 통해 제공된 게이트 신호에 응답하여 대응하는 데이터 라인들(DL1~DLm)을 통해 데이터 전압을 제공받는다. 화소들(PX11~PXnm)은 데이터 전압에 대응하는 계조를 표시한다.
게이트 구동부(200)는 표시 영역(DA)의 일측에 인접한 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 구체적으로 게이트 구동부(200)는 표시 영역(DA)의 좌측에 인접한 비표시 영역(NDA)에 ASG(Amorphous Silicon TFT Gate driver circuit) 형태로 실장 될 수 있다.
게이트 구동부(200)는 구동 회로 기판(400)에 실장된 타이밍 컨트롤러(미 도시됨)로부터 제공된 게이트 제어 신호에 응답하여 게이트 신호들을 생성한다. 게이트 신호들은 게이트 라인들(GL1~GLn)을 통해 순차적으로 그리고 행 단위로 화소들(PX11~PXnm)에 제공된다. 그 결과 화소들(PX11~PXnm)은 행 단위로 구동될 수 있다.
데이터 구동부(300)는 타이밍 컨트롤러로부터 영상 신호들 및 데이터 제어 신호를 제공받는다. 데이터 구동부(300)는 데이터 제어 신호에 응답하여 영상 신호들에 대응하는 아날로그 데이터 전압들을 생성한다. 데이터 구동부(300)는 데이터 전압들을 데이터 라인들(DL1~DLm)을 통해 화소들(PX11~PXnm)에 제공한다.
데이터 구동부(300)는 복수의 소스 구동칩들(310_1~310_k)을 포함한다. k는 0보다 크고 m보다 작은 정수이다. 소스 구동칩들(310_1~310_k)은 대응하는 연성회로기판들(320_1~320_k) 상에 실장되어 구동 회로 기판(400)과 표시영역(DA)의 상부에 인접한 비 표시 영역(NDA)에 연결된다.
본 발명의 실시 예에서 소스 구동칩들(310_1~310_k)은 연성회로기판들(320_1~320_k) 상에 실장되는 테이프 캐리어 패키지(TCP: Tape Carrier Package) 방식을 예로 들었다. 그러나, 소스 구동칩들(310_1~310_k)은 표시영역(DA)의 상부에 인접한 비 표시 영역(NDA)에 칩 온 글래스(COG: Chip on Glass) 방식으로 실장 될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널의 표시 영역의 일부 영역을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(100)은 기판(110), 및 기판(110) 상에 형성되는 복수의 제1 및 제2 전극들(E1, E2)을 포함한다.
기판(110)의 평면상의 영역은 화소들(PX11~PXnm)에 대응하는 복수의 화소 영역들(PA) 및 화소 영역들(PA) 사이의 영역으로 정의되는 비화소 영역(NPA1,NPA2)을 포함한다. 화소 영역들(PA)은 화소들(PX11~PXnm)과 동일하게 매트릭스 형태로 배열된다. 비화소 영역(NPA1,NPA2)은 화소 영역들(PA) 사이의 경계 영역으로 정의될 수도 있다.
이하, 행 방향은 제1 방향(X1)으로 정의되고, 행 방향과 교차하는 열 방향은 제2 방향(X2)으로 정의된다.
비화소 영역(NPA1,NPA2)은 제1 비화소 영역(NPA1) 및 제2 비화소 영역(NPA2)을 포함한다. 제1 비화소 영역(NPA1)은 제1 방향(X1)에서 화소 영역들(PA) 사이에 배치되고, 제2 방향(X2)으로 연장된다. 제2 비화소 영역(NPA2)은 제2 방향(X2)에서 화소 영역들(PA) 사이에 배치되고, 제1 방향(X1)으로 연장된다. 따라서, 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)의 교차 지점에서 제1 비화소 영역(NPA1) 및 제2 비화소 영역(NPA2)은 오버랩될 수 있다.
기판(110)의 화소 영역들(PA)에는 화소들(PX11~PXnm)에 대응하는 복수의 제1 전극들(E1)이 배치된다. 제1 전극들(E1)은 화소 전극들로 정의될 수 있다.
기판(110) 상에는 서로 동일한 간격을 두고 이격되어 제1 방향(X1)으로 연장된 복수의 제2 전극들(E2)이 배치된다. 제2 전극들(E2)은 공통 전극들로 정의될 수 있다. 제2 전극들(E2)은 제1 방향(X1)에서 화소 영역들(PA) 및 제2 방향(X2)으로 제2 비화소 영역(NPA2)의 소정의 영역(A1)과 오버랩될 수 있다. 이하 제2 비화소 영역(NPA2)의 소정의 영역(A1)은 제1 영역(A1)으로 정의된다.
제2 전극들(E2)은 화소 영역(PA) 및 제2 비화소 영역(NPA2)의 제1 영역(A1)에서 기판(110)과 소정의 간격을 두고 상부로 이격되어 터널 상 공동(TSC:Tunnel Shaped Cavity)을 정의한다.
구체적으로, 제2 전극들(E2) 각각은 제1 방향(X1)으로 연장된 제1 서브 전극(SE1) 및 제2 서브 전극(SE2)을 포함한다. 제1 서브 전극(SE1)는 제1 방향(X1)으로 배열된 화소 영역들(PA) 및 제1 방향(X1)에서 화소 영역들(PA) 사이의 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩된다. 제1 서브 전극(SE1)는 제1 비화소 영역(NPA1)에서 기판(110)과 인접하고, 화소 영역들(PA)에서 기판(110)과 소정의 간격을 두고 상부로 이격되어 배치될 수 있다.
제2 서브 전극(SE2)는 제1 서브 전극(SE1)에 연결되고 제2 방향(X2)으로 제2 비화소 영역(NPA2)의 제1 영역(A1)까지 연장되어 제1 영역(A1)에 배치된다. 제2 서브 전극(SE2)는 제1 경계 영역(NPA1)과 오버랩되는 제1 영역(A1)에서 기판(110)과 인접하게 배치된다. 즉, 제1 방향에서 제2 서브 전극(SE2)은 제1 경계 영역(NPA1)에서 기판(110)과 인접하게 배치된다. 제2 서브 전극(SE2)은 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩되지 않는 제1 영역(A1)에서 상부로 이격되어 배치될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 서브 전극(SE1)는 화소 영역들(PA)에서 기판(110)과 서로 다른 두 개의 간격를 두고 상부로 이격된다. 제2 서브 전극(SE2)는 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩되지 않는 제1 영역(A1)에서 기판(110)과 제1 서브 전극(SE1) 사이의 간격보다 작은 간격을 두고 상부로 이격된다.
화소 영역들(PA)에서 제1 서브 전극(SE1)과 기판(110) 사이에 형성된 공간 및 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩되지 않는 제1 영역(A1)에서 제2 서브 전극(SE2)과 기판(110) 사이에 형성된 공간은 터널상 공동(TSC)으로 정의된다. 즉, 제2 전극(E2)에 의해 터널상 공동(TSC)이 형성될 수 있다.
터널상 공동(TSC)에는 영상 표시층(LC)이 배치된다. 영상 표시층(LC)은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)에 의해 형성된 전계에 따라서 영상을 표시한다. 영상 표시층(LC)은 액정층(LC)일 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 영상 표시층은 전기 영동층 및 전기 습윤층일 수도 있다. 이하, 영상 표시층(LC)은 액정층(LC)으로 정의된다.
터널 상 공동(TSC)은 제2 방향(X2)으로 연장된 형상을 가지며, 터널 상 공동(TSC)의 제2 방향(X2)의 양단부는 개구 된다. 도시하지 않았으나, 기판(110) 상에는 제2 전극(E2)의 상부면을 덮도록 제1 방향(X1)으로 연장된 루프층이 형성된다. 루프층 상에는 봉지층이 형성된다. 봉지층은 기판(110)을 커버하여 터널 상 공동(TSC)의 양단부를 밀폐할 수 있다.
도 2에는 설명의 편의를 위해 표시 패널(100)의 개략적인 구성만이 도시었으며, 표시 패널(100)의 보다 구체적인 구성은 후술될 것이다.
도 3은 도 1에 도시된 화소의 레이 아웃이다.
도 3에는 하나의 화소(PXij)가 도시되었으나, 도 1에 도시된 다른 화소들 역시 동일한 구성을 가질 것이다. 이하, 설명의 편의를 위해 하나의 화소(PXij)의 구성이 설명될 것이다.
도 3을 참조하면, 게이트 라인들(GLi-1,GLi)은 제1 방향(X1)으로 연장되고, 데이터 라인들(DLj,DLj+1))은 제2 방향(X2)으로 연장되어 게이트 라인들(GLi-1,GLi)과 교차한다. i는 0보다 크고 n보다 작거나 같은 정수이다. j는 0보다 크고 m보다 작거나 같은 정수이다. 데이터 라인들(DLj,DLj+1)은 제1 비화소 영역(NPA1)에 배치된다. 게이트 라인들(GLi-1,GLi)은 제2 비화소 영역(NPA2)에 배치된다.
화소(PXij)는 대응하는 데이터 라인(DLj) 및 대응하는 게이트 라인(GLi)에 연결된 박막 트랜지스터(TFT), 박막 트랜지스터(TFT)에 연결된 제1 전극(E1), 터널 상 공동(TSC)을 형성하는 제2 전극(E2), 제1 전극(E1)의 소정의 영역과 오버랩되는 제3 전극(E3), 및 터널 상 공동(TSC)에 제공되는 액정층(LC)을 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 제2 비화소 영역(NPA2)에 배치된다.
터널 상 공동(TSC)을 정의하는 제2 전극(E2) 및 터널 상 공동(TSC)에 제공되는 액정층(LC)은 이하, 도 4 내지 6을 참조하여 설명될 것이다.
화소(PXij)가 형성되는 영역은 화소 영역(PA) 및 화소 영역들(PA) 사이의 제1 및 제2 비화소 영역들(NPA1,NPA2)을 포함한다. 화소 영역(PA)은 영상이 표시되는 영역이며 제1 및 제2 비화소 영역들(NPA1,NPA2)은 광을 차단하여 영상이 표시되지 않는 영역이다.
화소 영역(PA)은 투과 영역(TA) 및 반사 영역(RA)을 포함한다. 투과 영역(TA)은 광을 투과시키는 영역으로 정의될 수 있다. 반사 영역(RA)은 외부 광을 반사시키는 영역으로 정의될 수 있다. 반사 영역(RA)은 제1 영역(A1)에 인접하게 배치된다.
제1 전극(E1)은 대응하는 화소 영역(PA)에 배치된다. 도 3에서 제1 전극(E1)의 하부 영역은 화소 영역(PA)과 오버랩되지 않도록 배치되었으나, 이에 한정되지 않고, 제1 전극(E1)은 화소 영역(PA) 전체와 오버랩되도록 형성될 수도 있다. 제1 전극(E1)은 화소 영역(PA)에서 제2 전극(E2)과 오버랩되도록 배치된다.
제2 전극(E2)은 제1 방향(X1)으로 연장되어 화소 영역(PA)과 오버랩된다. 제2 전극(E2)은 공통전압을 인가받을 수 있다.
제1 및 제2 전극들(E1,E2)은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극들(E1,E2)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
제3 전극(E3)은 반사 영역(RA)에서 제2 전극(E2)과 오버랩되도록 배치된다. 도 3에서 제1 방향(X1)으로 제3 전극(E3)의 폭은 제2 전극(E2)의 폭보다 작게 도시되었다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제1 방향(X1)으로 제3 전극(E3)의 폭은 제2 전극(E2)의 폭과 동일하거나 크게 형성될 수 있다.
제3 전극(E3)은 반사 전극으로 정의될 수 있다. 제3 전극(E3)은 광을 반사시키는 반사 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 전극(E3)은 알루미늄(Al) 및 은(Ag)과 같은 반사 금속으로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GLi)으로부터 분기된 게이트 전극(GE), 데이터 라인(DLj)으로부터 분기된 소스 전극(SE), 및 제1 전극(E1)에 연결된 드레인 전극(DE)을 포함한다. 드레인 전극(DE)은 연장되어 컨택홀(CH)을 통해 제1 전극(E1)에 전기적으로 연결된다.
도 4는 도 3에 도시된 I-I'선의 단면도이다. 도 5는 도 3에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면도이다. 도 6은 도 3에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'선의 단면도이다. 도 7은 도 3에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'선의 단면도이다. 도 8은 도 3에 도시된 V-V'선의 단면도이다.
도 4 내지 도 8을 참조하면, 기판(110)은 베이스 기판(111) 및 베이스 기판(111) 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT), 컬러 필터(CF), 및 블랙 매트릭스(BM)를 포함한다.
구체적으로, 베이스 기판(111) 상에 게이트 라인들(GLi-1,GLi)을 덥도록 제1 절연막(112)이 배치된다. 베이스 기판(111)은 투명 또는 불투명한 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(111)은 실리콘 기판, 유리 기판, 및 플라스틱 기판 등일 수 있다.
도시하지 않았으나, 베이스 기판(111)의 평면상의 영역은 기판(110)의 평면상의 영역과 동일하게 화소 영역들(PA) 및 화소 영역들(PA) 사이의 영역으로 정의되는 비화소 영역(NPA1,NPA2)을 포함한다.
제1 절연막(112)은 게이트 절연막으로 정의될 수 있다. 제1 절연막(112)은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다. 데이터 라인들(DLj,DLj+1)은 게이트 라인들(GLi-1,GLi)과 교차하도록 연장되어 제1 절연막(112) 상에 배치된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(111) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 반도체층(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GLi)으로부터 분기되어 형성된다. 따라서, 베이스 기판(111) 상에 게이트 전극(GE)을 덮도록 제1 절연막(112)이 배치된다.
게이트 전극(GE)을 덮고 있는 제1 절연막(112) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체 층(SM)이 배치된다. 도시하지 않았으나, 반도체 층(SM)은 각각 액티브 층 및 오믹 콘택층을 포함할 수 있다.
반도체 층(SM) 및 제1 절연막(112) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 서로 이격되어 배치된다. 반도체층(SM)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널(conductive channel)을 형성한다.
박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 제1 절연막(112) 상에 제2 절연막(113)이 배치된다. 제2 절연막(113)은 유기물질로 형성된 유기 절연막(113)으로 정의될 수 있다. 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이, 화소 영역(PA)의 반사 영역(RA)에서 제2 절연막(113)은 요철 구조를 가진다.
반사 영역(RA)에서 요철 구조를 갖는 제2 절연막(113) 상에 제3 전극(E3)이 배치된다. 반사 영역(RA)에서 제3 전극(E3)은 요철 구조를 갖는 제2 절연막(113) 상에 배치되어 제2 절연막(113)과 동일한 요철 구조를 갖는다. 요철 구조는 광 확산(또는, 산란) 기능을 갖는다. 요철 구조를 갖는 제3 전극(E3)은 표시 패널(100)의 상부에서 표시 패널(100)로 입사되는 외부광을 난반사 시킨다.
도시하지 않았으나, 제1 절연막(112) 및 제2 절연막(113) 사이에는 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 패시베이션막이 배치될 수 있다. 패시베이션막은 노출된 반도체층(SM)의 상부를 커버한다.
제2 절연막(113) 상에는 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM)가 배치된다. 또한, 컬러 필터(CF)는 제3 전극(E3)을 덮도록 제2 절연막(113) 상에 배치된다. 도 5, 도 6, 및 도 8에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(CF)는 화소 영역(PA)에 배치된다.
블랙 매트릭스(BM)는 제1 비화소 영역(NPA1) 및 제2 비화소 영역(NPA2)에 배치된다. 컬러 필터(CF)와 블랙 매트릭스(BM)는 화소 영역(PA) 및 제1 및 제2 비화소 영역들(NPA1,NPA2)의 경계에서 서로 중첩될 수 있다.
컬러 필터(CF)는 화소(PXij)를 투과하는 광에 색을 제공한다. 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터 중 어느 하나일 수 있으며, 화소 영역(PA)에 대응하여 제공될 수 있다.
컬러 필터(CF)는 백색 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 화소들(PX11~PXnm) 중 서로 인접한 화소들이 서로 다른 컬러를 나타내도록 서로 다른 색을 갖는 컬러 필터들(CF)이 배치될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 영상을 구현함에 있어 불필요한 광을 차단한다. 블랙 매트릭스(BM)는 화소 영역(PA)의 가장 자리에서 발생할 수 있는 액정 분자들의 이상 거동에 의한 빛 샘이나, 컬러 필터(CF)의 가장자리에서 나타날 수 있는 혼색을 차단할 수 있다.
컬러 필터(CF) 및 제2 비화소 영역(NPA2)에서 블랙 매트릭스(BM)의 일부 영역 상에 제1 전극(E1)이 배치된다. 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)은 연장되어 블랙 매트릭스(BM) 및 제2 절연막(113)을 관통하여 형성된 컨택홀(CH)을 통해 제1 전극(E1)에 전기적으로 연결된다.
제2 비화소 영역(NPA2)에서 제1 전극(E1)을 덮도록 블랙 매트릭스(BM) 상에 배향막(ALN)이 배치된다. 화소 영역(PA)에서 배향막(ALN)은 제1 전극(E1)을 덮도록 컬러 필터(CF) 상에 배치되고, 터널상 공동(TSC)에서 제2 전극(E2)의 내면 상에 배치된다. 배향막(ALN)은 폴리 이미드(PI:Polyimide)를 포함할 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)와 컬러 필터(CF) 상에 제1 방향(X1)으로 연장된 제2 전극(E2)이 배치된다. 제2 전극(E2)의 제1 서브 전극(SE1)는 제1 방향(X1)으로 배열된 화소 영역들(PA) 및 제1 방향(X1)에서 화소 영역들(PA) 사이의 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩된다. 제1 서브 전극(SE1)는 제1 비화소 영역(NPA1)에서 블랙 매트릭스(BM)와 인접하고, 화소 영역(PA)에서 컬러 필터(CF)와 소정의 간격을 두고 상부로 이격되어 배치될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제2 전극(E2)은 투과 영역(TA)에서 컬러 필터(CF)와 제1 높이(H1)를 갖고 이격되어 배치된다. 제2 전극(E2)은 반사 영역(RA)에서 컬러 필터(CF)와 제2 높이(H2)를 갖고 이격되어 배치되다. 제2 전극(E2)은 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩되지 않는 제1 영역(A1)에서 블랙 매트릭스(BM)와 제3 높이(H3)를 갖고 이격되어 배치된다.
구체적으로, 도 5 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 전극(E2)의 제1 서브 전극(SE1)은 투과 영역(TA)에서 컬러 필터(CF)와 제1 높이(H1)를 두고 배치된다. 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 서브 전극(SE1)는 반사 영역(RA)에서 컬러 필터(CF)와 제2 높이(H2)를 두고 배치된다. 제2 높이(H2)는 제1 높이(H1)보다 작다.
제2 서브 전극(SE2)는 제1 서브 전극(SE1)에 연결되고 제1 영역(A1)에 배치된다. 제2 서브 전극(SE2)는 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩되는 제1 영역(A1)에서 블랙 매트릭스(BM)와 인접하고, 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩되지 않는 제1 영역(A1)에서 블랙 매트릭스(BM)와 소정의 간격을 두고 상부로 이격되어 배치될 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 서브 전극(SE2)은 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩되지 않는 제1 영역(A1)에서 블랙 매트릭스(BM)와 제3 높이(H3)를 두고 이격되어 배치된다. 제3 높이(H3) 제2 높이(H2)보다 작다. 바람직하게 제3 높이(H3)는 1.1 마이크로미터(μm)보다 작거나 같을 수 있다.
화소 영역(PA)에서 제1 서브 전극(SE1)과 컬러 필터(CF) 사이에 형성된 공간 및 제1 영역(A1)에서 제2 서브 전극(SE2)과 블랙 매트릭스(BM) 사이에 형성된 공간은 터널상 공동(TSC)으로 정의된다.
따라서, 터널 상 공동(TSC)은 투과 영역(TA)에서 기판(110)으로부터 제1 높이(H1)를 갖고, 반사 영역(RA)에서 기판(110)으로부터 제2 높이(H2)를 갖는다. 또한, 터널 상 공동(TSC)은 제1 비화소 영역(NPA1)과 오버랩되지 않는 제1 영역(A1)에서 기판(110)으로부터 제3 높이(H3)를 갖는다.
터널상 공동(TSC)에서 제1 및 제2 서브 전극들(SE1,SE2)의 내면 상에 배향막(ALN)이 배치된다. 또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 배향막(ALN)은 제1 영역(A1)에서 터널상 공동(TSC)을 폐쇄시키도록 형성된다. 즉, 반사 영역(RA)에 인접한 제1 영역(A1)에서 배향막(ALN)은 터널상 공동(TSC)을 폐쇄시킨다. 터널상 공동(TSC)에는 액정층(LC)이 배치된다.
도 5, 도 6, 및 도 8에 도시된 바와 같이, 액정층(LC)은 투과 영역(TA)에서 제1 간격(d1)을 갖고, 반사 영역(RA)에서 제2 간격(d2)을 갖는다.
구체적으로, 제1 간격(d1)은 투과 영역(TA)에서 제1 전극(E1) 상에 배치된 배향막(ALN)과 제2 전극(E2)의 내면 상에 배치된 배향막(ALN) 사이의 높이 차로 정의된다. 제2 간격(d2)은 반사 영역(RA)에서 제1 전극(E1) 상에 배치된 배향막(ALN)과 제2 전극(E2)의 내면 상에 배치된 배향막(ALN) 사이의 높이 차로 정의된다. 제2 간격(d2)은 제1 간격(d1)보다 작으며, 바람직하게는 제1 간격(d1)의 절반에 대응하는 높이를 갖는다.
제1 간격(d1)은 제1 셀갭(d1)으로 정의되고, 제2 간격(d2)은 제2 셀갭(d2)으로 정의될 수 있다. 제1 셀갭(d1)은 투과 영역(TA)에서 액정층(LC)의 두께로 정의될 수 있다. 또한, 제2 셀갭(d2)은 반사 영역(RA)에서 액정층(LC)의 두께로 정의될 수 있다.
액정층(LC)의 액정 분자의 이방성 귤절률은 △n로 표기될 수 있다. 이러한 경우, 투과 영역(TA)에서 액정층(LC)은 △nd1의 광학 특성을 갖는다. 반사 영역(RA)에서 액정층(LC)은 △nd2의 광학 특성을 갖는다.
제1 및 제2 서브 전극들(SE1,SE2)의 상면을 따라 루프층(ROF)이 배치된다. 루프층(ROF)은 제1 및 제2 서브 전극들(SE1,SE2)의 연장 방향을 따라 제1 방향(X1)으로 연장되어 제1 및 제2 서브 전극들(SE1,SE2)의 상면을 덮도록 형성된다. 루프층(ROF)은 제2 전극(E2)의 상부를 평탄화시킨다. 즉, 루프층(ROF)의 상면은 평탄화되어 있다.
터널 상 공동(TSC)은 제2 방향(X2)으로 연장된 형상을 가지며, 터널 상 공동(TSC)의 제2 방향(X2)의 양 단부는 개구 된다. 즉, 터널 상 공동(TSC)의 평면상의 상부 방향의 단부 및 하부 방향의 단부는 루프층(ROF)이 형성되지 않기 때문에 개구 된다. 제1 영역(A1)에 인접한 터널 상 공동(TSC)의 단부는 개구되나, 전술한 바와 같이, 반사 영역(RA)에 인접한 제1 영역(A1)에서 배향막(ALN)은 터널상 공동(TSC)의 내부를 폐쇄시킨다.
도시하지 않았으나, 제2 전극(EL2)과 루프층(ROF) 사이에는 무기 절연막이 추가로 제공될 수 있다. 무기 절연막은 실리콘 질화물이나 실리콘 산화물과 같은 물질을 포함할 수 있다. 무기 절연막은 루프층(ROF)이 안정적으로 터널 상 공동(TSC)을 유지할 수 있도록 지지한다.
루프층(ROF) 상에는 봉지층(SL)이 배치된다. 봉지층(SL)은 베이스 기판(111)을 커버하여 터널 상 공동(TSC)의 양단의 개구를 막아 터널 상 공동(TSC)을 밀폐한다. 봉지층(SL)은 제1 영역(A1)에서 터널상 공동(TSC)을 폐쇄시키는 배향막(ALN)까지 제공될 수 있다.
루프층(ROF)은 유기물질로 형성된 유기막일 수 있다. 봉지층(SL)은 유기물질로 형성된 유기막일 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 봉지층(SL)은 유기물질로 형성된 유기막 및 무기물질로 형성된 무기막이 서로 적층되어 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GLi)을 통해 제공받은 게이트 신호에 응답하여 턴 온된다. 데이터 라인(DLj)을 통해 수신된 데이터 전압은 턴 온된 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 제1 전극(E1)에 제공된다. 제2 전극(E2)에는 공통 전압이 인가된다.
데이터 전압과 공통 전압의 레벨 차이에 따라서 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이에는 전계가 형성된다. 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이에 형성된 전계에 의해 액정층(LC)의 액정 분자들이 구동된다. 그 결과 액정층(LC)을 투과하는 광량이 변화되어 영상이 표시된다.
표시 장치(500)는 두 개의 기판을 사용하지 않고, 하나의 기판(110)을 사용한다. 따라서, 제조 비용이 절감될 수 있다.
제3 전극(E3)이 요철 구조를 갖고, 반사 영역(RF)에서 제1 전극(E1) 상에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 배향막(ALN)이 제3 전극(E3) 상에 배치되나, 제3 전극(E3)의 요철 구조에 의해 반사 영역(RF)에서 배향막(ALN)이 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 화소 영역(PA)에서 배향막(ALN)이 균일하게 형성되지 않을 수 있다.
그러나, 본 발명의 실시 예에서 제3 전극(E3)이 제1 전극(E1)의 하부에서 제2 절연막(113) 상에 배치되며, 제2 절연막(113) 상에 배치된 컬러 필터(CF) 상에 제1 전극(E1)이 배치된다. 평탄화된 컬러 필터(CF) 상에 배치된 제1 전극(E1)은 요철구조를 가지지 않고 평탄화된 상태이므로, 화소 영역(PA)에서 배향막(ALN)이 균일하게 형성될 수 있다.
표시 장치(500)는 반사 모드 및 투과 모드로 동작될 수 있다. 이하, 도 9a, 도 9b, 도 10a, 및 도 10b를 참조하여 반사 모드 및 투과 모드가 설명될 것이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 반사 모드의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 도 10a 및 도 10b는 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 투과 모드의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
예시적인 실시 예로서, 도 9a, 도 9b, 도 10a, 및 도 10b에 도시된 액정층(LC)은 액정층(LC)에 인가되는 전압이 없을 때 백색을 표시하는 노멀리 화이트 모드의 액정층(LC)일 수 있다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 표시 장치(500)는 표시 패널(100) 상부에 배치된 제1 편광판(10) 및 제1 위상 지연 필름(20)을 포함한다. 제1 위상 지연 필름(20)의 위상 지연 값은 λ/4 이다.
제1 및 제2 전극들(E1,E2)에 전압이 인가되지 않는 오프 상태의 반사 모드에서, 액정층(LC)은 구동되지 않는다. 반사 영역(RA)의 제2 셀갭(d2)은 투과 영역의 제1 셀갭(d1)의 절반이며, 오프 상태에서 반사 영역(RA)의 액정층(LC)의 위상 지연값은 λ/4 이다. 즉, 반사 영역(RA)의 액정층(LC)을 통과하는 광이 선편광일 경우, 원형 편광으로 바뀌고, 원형 편광일 경우, 선편광으로 바뀐다.
표시 패널(100)의 상부에서 표시 패널(100)에 입사되는 외부광(EX_L)은 제1 편광판(10)을 통과한 다음 선편광이 되고, 선편광은 제1 위상 지연 필름(20)을 통과해 좌원 편광이 될 수 있다. 그러나, 선편광은 제1 위상 지연 필름(20)을 통과해 우원 편광이 될 수도 있다. 이하, 제1 위상 지연 필름(20)을 통과한 광은 좌원 편광으로 설명될 것이다.
좌원 편광이 액정층(LC)을 통과할 때, 액정층(LC)의 액정 입자들(LCP)에 인가되는 전압이 없으므로 액정 입자들(LCP)은 수평 배열 상태를 유지한다. 이러한 수평 배열 상태의 액정층(LC)에 의해 좌원 편광의 위상은 λ/4만큼 위상이 변하여 선편광이 된다.
선편광은 제1 전극(E1)을 투과하여 제3 전극(E3)에서 반사되며, 제3 전극(E3)에서 반사된 선편광은 다시 액정층(LC)을 통과한다. 제3 전극(E3)에서 반사된 선편광은 액정층(LC)을 다시 지나면서 λ/4만큼 위상이 변하여 좌원 편광이 될 수 있다.
좌원 편광이 제1 위상 지연 필름(20)을 지나면서 처음에 입사된 외부 광(EX_L)과 동일한 선편광으로 변환된 후 제1 편광판(10)을 투과하여 출사된다. 따라서, 표시 장치(500)는 백색을 디스플레이한다.
반사 모드시, 표시 패널(100)의 상부에서 표시 패널(100)로 입사된 외부광(EX_L)은 요철 구조로 형성된 제3 전극(E3)에 의해 확산 되어 반사되므로 표시 장치(500)의 시야각이 넓어질 수 있다.
제1 전극(E1)에 데이터 전압이 제공되고, 제2 전극(E2)에 공통 전압이 인가되는 온 상태의 반사 모드에서, 액정층(LC)이 구동된다. 외부광(EX_L)은 제1 편광판(10)을 통과한 다음 선편광이 되고, 제1 위상 지연 필름(20)을 통과해 좌원 편광이 된다.
액정층(LC)의 액정 입자들(LCP)은 인가받은 전압에 의해 수직 배열된다. 따라서, 좌원 편광은 액정층(LC)을 그대로 통과한다. 액정층(LC)을 통과한 좌원 편광은 제1 전극(E1)을 투과하여 제3 전극(E3)에서 반사된다. 좌원 편광은 제3 전극(E3)에서 반사되어 우원 편광이 되고, 우원 편광은 액정층(LC)을 그대로 통과한다.
액정층(LC)을 통과한 우원 편광은 제1 위상 지연 필름(20)에 의해 위상이 λ/4만큼 변하여 λ/4 지연된 선편광이 된다. λ/4 지연된 선편광은 제1 편광판(10)을 투과하지 못한다. 따라서, 표시 장치(500)는 흑색을 디스플레이한다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 표시 장치(500)는 표시 패널(100) 상부에 배치된 제1 편광판(10) 및 제1 위상 지연 필름(20), 표시 패널(100) 상부에 배치된 제2 편광판(30) 및 제2 위상 지연 필름(40), 및 표시 패널(100) 하부에서 표시 패널(100)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU)을 포함한다. 제1 및 제2 위상 지연 필름들(20,40)의 위상 지연 값은 λ/4 이다.
제1 및 제2 전극들(E1,E2)에 전압이 인가되지 않는 오프 상태의 투과 모드에서 액정층(LC)은 구동되지 않는다. 투과 영역(TA)의 제1 셀갭(d1)은 반사 영역(RA)의 제2 셀갭(d2)의 두 배이며, 오프 상태에서 투과 영역(TA)의 액정층(LC)의 위상 지연값은 λ/2 이다. 즉, 투과 영역(TA)의 액정층(LC)을 통과하는 광이 선편광일 경우, 액정층(LC)을 통과하는 선편광은 편광 방향이 대칭되는 선형광으로 바뀐다.
백라이트(BLU)로부터 표시 패널(100)에 제공되는 광은 제2 편광판(30)을 통과하면서 선편광으로 변환되고, 선편광은 제2 위상 지연 필름(40)에 의해 우원 편광으로 변환된다. 우원 편광은 제1 전극(E1)을 경유하여 액정층(LC)에 제공된다. 우원 편광이 액정층(LC)을 통과할 때, 액정층(LC)의 액정 입자들(LCP)에 인가되는 전압이 없으므로, 액정 입자들(LCP)은 수평 배열 상태를 유지한다.
우원 편광은 수평 배열된 액정층(300)에 의해 좌원 편광으로 변환되고, 제1 위상 지연 필름(20)에 의해 위상이 λ/4 변환되어 선편광이 된다. 선편광은 제1 편광판(10)을 투과하여 출사된다. 따라서 표시 장치(500)는 백색을 디스플레이한다.
제1 전극(E1)에 데이터 전압이 제공되고, 제2 전극들(E2)에 공통 전압이 인가되는 온 상태의 투과 모드에서, 액정층(LC)이 구동된다. 백라이트(BLU)로부터 표시 패널(100)에 제공되는 광은 제2 편광판(30)을 통과하면서 선편광으로 변환되고, 선편광은 제2 위상 지연 필름(40)에 의해 우원 편광으로 변환된다.
우원 편광은 제1 전극(E1)을 경유하여 액정층(LC)에 제공된다. 액정층(LC)의 액정 입자들(LCP)은 인가받은 전압에 의해 수직 배열된다. 따라서, 우원 편광은 액정층(LC)을 그대로 통과한다.
액정층(LC)을 통과한 우원 편광은 제1 위상 지연 필름(20)에 의해 위상이 λ/4만큼 변하여 λ/4 지연된 선편광이 된다. λ/4 지연된 선편광은 제1 편광판(10)을 투과하지 못한다. 따라서, 표시 장치(500)는 흑색을 디스플레이한다.
전술한 바와 같이, 표시 장치(500)는 반사 모드 및 투과 모드로 동작되어 반 투과형으로 동작할 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치(500)는 시야각을 넓힐 수 있고, 균일한 배향막을 가지며, 반 투과형으로 동작할 수 있다.
도 11 내지 도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치(500)의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 이하 각 도면을 참조하여 표시 장치(500)의 제조 방법이 설명될 것이다. 도 11 내지 도 20에서 설명의 편의를 위해 화소 영역들(PA)에 배치된 제1 전극들(E1)은 생략하고 제1 기판(110)만을 도시하여 표시 장치(500)의 제조 방법이 설명될 것이다.
도 11은 기판상에 형성된 희생층을 도시한 도면이다. 도 12a 및 도 12b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선의 단면에서 희생층의 제조 방법을 도시한 도면이다. 도 13a 및 도 13b는 도 11에 도시된 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 희생층의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 11을 참조하면, 기판(110)이 준비되고, 기판(110) 상에 제2 방향(X2)으로 연장된 복수의 희생층들(SRC)이 형성된다. 기판(110)의 구성은 앞서 상세히 설명하였으므로, 생략한다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 기판(110)이 준비되고, 기판(110) 상에 제1 높이(H1)를 갖는 희생층(SRC)이 형성된다. 희생층(SRC)은 네거티브 타입 포토 레지스트로 형성될 수 있다.
희생층(SRC) 상부에 마스크(M)가 배치된다. 마스크(M)는 투과부(M1), 제1 반 투과부(M2), 및 제2 반 투과부(M3)을 포함한다. 제1 반 투과부(M2)는 제1 오픈부(OP1)를 포함한다. 제2 반 투과부(M3)는 제2 오픈부(OP2)를 포함한다. 제1 오픈부(OP1)는 제2 오픈부(OP2)보다 크게 형성된다.
마스크(M)를 통해 노광이 수행된다. 투과부(M1)에 대응되는 희생층(SRC)의 영역은 노광된다. 제1 반 투과부(M2) 및 제2 반 투과부(M3)에 대응되는 희생층(SRC)의 영역은 일부만 노광된다. 또한, 제1 오픈부(OP1)는 제2 오픈부(OP2)보다 크게 형성되므로 제1 반 투과부(M2)에 대응되는 희생층(SRC)의 영역은 제2 반 투과부(M3)에 대응되는 희생층(SRC)의 영역보다 더 많이 노광 된다.
희생층(SRC)은 네거티브 타임 포토 레지스트이므로, 노광된 부분이 현상 후 남는다. 따라서, 현상 후 투과부(M1)에 의해 노광된 희생층(SRC)의 영역은 제1 높이(H1)를 갖는다. 현상 후 제1 반 투과부(M2)에 의해 노광된 희생층(SRC)의 영역은 제2 높이(H2)를 가질 수 있고, 제2 반 투과부(M3)에 의해 노광된 희생층(SRC)의 영역은 제3 높이(H3)를 가질 수 있다.
전술한 바와 같이 제1 높이(H1)는 제2 높이(H2)보다 크다. 제3 높이(H3)는 제2 높이(H2)보다 작으며, 바람직하게는 1.1μm보다 작거나 같을 수 있다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 기판(110) 상에 제1 높이(H1)를 갖는 희생층(SRC)이 형성된다. 희생층(SRC) 상부에 마스크(M)가 배치된다. 마스크(M)은 투과부(M1) 및 차단부(M4)를 포함한다.
마스크(M)를 통해 노광이 수행된다. 투과부(M1)에 대응되는 희생층(SRC)의 영역은 노광된다. 차단부(M4)에 대응되는 희생층(SRC)의 영역은 노광되지 않는다. 현상 후 오픈부(M1)에 의해 노광된 희생층(SRC)의 영역은 제1 높이(H1)를 갖는다. 현상 후 차단부(M2)에 의해 노광되지 않은 희생층(SRC)의 영역은 제거된다.
도 14a 및 도 14b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 제2 전극이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 희생층(SRC) 상에 서로 동일한 간격을 두고 이격되어 제1 방향(X1)으로 연장된 복수의 제2 전극들(E2)이 형성된다. 제2 전극들(E2)은 각각 제1 방향(X1)에서 화소 영역들(PA) 및 제1 영역(A1)과 오버랩되도록 형성된다.
도시하지 않았으나, 제2 전극들(E2)은 희생층(SRC) 상에 도전층을 형성하고, 제2 전극들(E2)과 동일한 형상의 포토 레지스트 패턴을 도전층 상에 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 도전층을 식각하여 형성할 수 있다. 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 투명 도전성 물질을 포함한다. 제2 전극들(E2)이 형성된후 포토 레지스트 패턴은 제거된다.
도 15a 및 도 15b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 루프층이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 15a 및 도 15b를 참조하면, 기판(110) 상에는 제2 전극(E2)의 상부면을 덮도록 제1 방향(X1)으로 연장된 루프층(ROF)이 형성된다. 따라서 제2 전극(E2)과 루프층(ROF)은 평면상에서 중첩하며 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 제2 전극(E2) 및 루프층(ROF)이 형성되지 않은 영역에서 희생층(SRC)의 상면이 노출된다. 루프층(ROF)의 상면은 평탄화되어 있다.
도 16a 및 도 16b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 터널상 공동이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 16a 및 도 16b를 참조하면, 습식 식각 공정을 통해 희생층(SRC)이 제거되어 터널 상 공동(TSC)이 형성된다. 희생층(SRC)은 습식 식각에 의해 희생층(SRC)의 노출된 상면으로부터 희생층(SRC)의 내부까지 순차적으로 식각된다. 따라서, 희생층(SRC)이 제거된 후, 터널 상 공동(TSC)은 제2 방향(X2)으로 연장된 형상을 가지며, 터널 상 공동(TSC)의 제2 방향(X2)의 양단부는 개구 된다.
희생층(SRC)이 제거되어 터널 상 공동(TSC)이 형성되므로, 투과 영역(TA)에서 터널 상 공동(TSC)은 제1 높이(H1)를 갖는다. 또한, 반사 영역(RA)에서 터널 상 공동(TSC)은 제2 높이(H2)를 갖고, 제1 영역(A1)에서 터널 상 공동(TSC)은 제3 높이(H3)를 갖는다.
도 17a 내지 도 17d는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 배향막이 형성되는 방법을 도시한 도면이다.
도 17a를 참조하면, 기판(110) 상에 배향액(ALN_L)이 제공된다. 배향액(ALN_L)은 터널 상 공동(TSC)에 채워지도록 제공된다. 배향액(ALN_L)은 폴리 이미드(PI:Polyimide)를 포함할 수 있다.
도 17b, 도 17c, 및 도 17d를 참조하면, 배향액(ALN_L)이 건조되어 배향막(ALN)이 형성된다. 배향막(ALN)은 기판(110) 상에 형성되고, 터널 상 공동(TSC)의 제2 전극(E2)의 내면 상에 형성된다.
터널 상 공동(TSC)에서 배향액(ALN_L)의 건조 속도는 터널 상 공동(TSC)의 크기에 비례한다. 전술한 바와 같이 터널 상 공동(TSC)은 투과 영역(TA)에서 제1 높이(H1)를 갖고, 반사 영역(RA)에서 제2 높이(H2)를 갖고, 제1 영역(A1)에서 제3 높이(H3)를 갖는다. 따라서, 배향액(ALN_L)은 투과 영역(TA)에서 가장 높은 건조 속도를 갖고 제1 영역(A1)에서 가장 낮은 건조 속도를 갖는다.
배향액(ALN_L)은 투과 영역(TA)에서 빠르게 건조되고 제1 영역(A1)에서 느리게 건조된다. 투과 영역(TA)에서 건조되기 시작한 배향액(ALN_L)은 반사 영역(RA)에서 투과 영역(TA)보다 느리게 건조되나 제1 영역(A1)보다 빠르게 건조된다. 이러한 경우, 터널 상 공동(TSC)의 양단부에서 건조되기 시작한 배향액(ALN_L)은 건조 속도에 따라서 소정의 영역에서 서로 뭉쳐질 수 있다. 즉, 터널 상 공동(TSC)의 양단부에서 건조되기 시작한 배향액(ALN_L)은 건조 속도 차이에 의해 반사 영역(RA)에 인접한 제1 영역(A1)에서 뭉쳐질 수 있다.
예시적인 실시 예로서 제3 높이(H3)가 1.1 마이크로 미터(μm)보다 작게 형성될 경우, 배향액은 반사 영역(RA)에 인접한 제1 영역(A1)에서 뭉쳐질 수 있다. 즉, 투과 영역(TA)에서 건조되기 시작한 배향액(ALN_L)과 제1 영역(A1)에서 건조되기 시작한 배향액(ALN_L)은 반사 영역(RA)에 인접한 제1 영역(A1)에서 서로 뭉쳐질 수 있다. 따라서, 도 17c에 도시된 바와 같이, 배향막(ALN)은 제1 영역(A1)에서 터널상 공동(TSC)을 폐쇄시키도록 형성된다.
도 18a 및 도 18b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 터널 상 공동에 액정층이 형성되는 방법을 도시한 도면이다.
도 18a 및 도 18b를 참조하면, 터널상 공동(TSC)에 액정층(LC)이 형성된다. 액정층(LC)을 형성하기 위한 액정(LC)은 유체로서 터널 상 공동(TSC) 근처에 제공되고, 모세관 현상에 의해 터널 상 공동(TSC) 내로 이동된다. 액정층(LC)은 마이크로 피펫을 이용한 잉크젯을 이용하여 투과 영역(TA)에 형성된 터널 상 공동(TSC)의 일단부 근처에 제공될 수 있다.
터널 상 공동(TSC) 내에 제공된 액정층(LC)은 제1 영역(A1)에서 터널상 공동(TSC)을 폐쇄시는 배향막(ALN)에 의해 터널 상 공동(TSC)의 타 단부로 빠져나가지 못하고 터널 상 공동(TSC)에 채워진다.
도 19a 및 도 19b는 도 11에 도시된 VI-VI' 선 및 VⅡ-VⅡ' 선의 단면에서 봉지층이 형성된 상태를 도시한 도면이다.
도 19a 및 도 19b를 참조하면, 터널 상 공동(TSC) 이외의 액정이 제거되고 루프층(ROF) 상에 봉지층(SL)이 형성된다. 봉지층(SL)은 기판(110)을 커버하여 터널 상 공동(TSC)의 양단의 개구를 막아 터널 상 공동(TSC)을 밀폐하도록 형성된다. 봉지층(SL)은 제1 영역(A1)에서 터널상 공동(TSC)을 폐쇄시키는 배향막(ALN)까지 제공될 수 있다.
전술한 표시 장치의 제조 방법에 의해 화소 영역(PA)의 투과 영역(TA)에서 액정층(LC)의 두께는 제1 간격(d1)을 갖도록 형성된다. 또한, 화소 영역(PA)의 반사 영역(RA)에서 액정층(LC)의 두께는 제2 간격(d2)을 갖도록 형성된다.
따라서, 투과 영역(TA)에서 액정층(LC)은 △nd1의 광학 특성을 갖는다. 반사 영역(RA)에서 액정층(LC)은 △nd2의 광학 특성을 갖는다. 이러한 구성에 의해 전술한 바와 같이, 표시 장치(500)는 반사 모드 및 투과 모드로 동작될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 표시 장치(500)는 시야각을 넓힐 수 있고, 균일한 배향막을 가지며, 반 투과형으로 동작할 수 있다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100:표시 패널 200: 게이트 구동부
300: 데이터 구동부 400: 구동 회로 기판
500: 표시 장치 110: 기판 110: 기판
111: 베이스 기판 112: 제1 절연막
113: 제2 절연막 E1,E2,E3: 제1, 제2, 및 제3 전극
BM: 블랙 매트릭스 ROF: 루프층
SL: 봉지층 TSC: 터널 상 공동

Claims (22)

  1. 복수의 화소 영역들 및 상기 화소 영역들 사이에 배치된 비화소 영역이 정의된 기판;
    상기 각각의 화소 영역에서 상기 기판상에 배치된 터널 상 공동;
    상기 터널 상 공동에 배치된 영상 표시층;
    상기 터널 상 공동 상에 배치되며 평탄화되어 있는 루프층;
    상기 비화소 영역에서 상기 기판상에 배치된 블랙 매트릭스; 및
    상기 각각의 화소 영역의 소정의 영역에서 상기 터널 상 공동의 하부에 배치되어 외부광을 반사시키는 반사 전극을 포함하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 화소 영역에서 상기 기판 상에 배치된 컬러 필터를 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터 중 어느 하나인 표시 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 컬러 필터상에 배치된 제1 전극; 및
    제1 방향으로 연장되며, 상기 화소 영역 및 상기 비화소 영역의 소정의 영역에서 상기 기판과 소정의 간격을 두고 상부로 이격되어 상기 터널 상 공동을 정의하는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 루프층은 상기 제2 전극상에 배치되는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 각각의 화소 영역은,
    광을 투과시키는 투과 영역; 및
    상기 반사 전극이 배치되는 반사 영역을 포함하고,
    상기 비화소 영역은,
    상기 제1 방향에서 상기 화소 영역들 사이에 배치되어 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제1 비화소 영역; 및
    상기 제2 방향에서 상기 화소 영역들 사이에 배치되어 상기 제1 방향으로 연장된 제2 비화소 영역을 포함하고,
    상기 반사 영역은 상기 제1 영역에 인접하게 배치되며, 상기 제2 전극은 상기 제2 방향에서 상기 제2 비화소 영역의 소정의 영역으로 정의되는 제1 영역으로 연장되는 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 터널 상 공동은 상기 투과 영역에서 제1 높이를 갖고, 상기 반사 영역에서 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 갖고, 상기 제1 비화소 영역과 오버랩되지 않는 상기 제1 영역에서 상기 제2 높이보다 낮은 제3 높이를 갖는 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 투과 영역에서 상기 컬러 필터와 상기 제1 높이를 갖고 이격되어 배치되며, 상기 반사 영역에서 상기 컬러 필터와 상기 제2 높이를 갖고 이격되어 배치되며, 상기 제1 비화소 영역과 오버랩되지 않는 상기 제1 영역에서 상기 블랙 매트릭스와 상기 제3 높이를 갖고 이격되어 배치되는 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제3 높이는 1.1 마이크로미터보다 작거나 같은 표시 장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 비화소 영역에서 상기 기판상에 형성되어 상기 제1 전극에 연결된 박막 트랜지스터; 및
    상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판상에 배치되고, 상기 반사 영역에서 요철 구조를 갖는 절연막을 더 포함하고,
    상기 반사 전극은 상기 반사 영역에서 상기 절연막 상에 배치되어 상기 요철구조를 갖고, 상기 컬러 필터 및 상기 블랙 매트릭스는 상기 절연막 상에 배치되는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 터널 상 공동에서 상기 제2 전극의 내면 상에 배치되고, 상기 제1 전극을 덮도록 상기 기판상에 배치되는 배향막을 더 포함하고,
    상기 반사 영역에 인접한 상기 제1 영역에서 상기 배향막은 상기 터널상 공동을 폐쇄시키는 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 영상 표시층은 상기 투과 영역에서 상기 배향막 사이의 간격으로 정의되는 제1 간격을 갖고, 상기 반사 영역에서 상기 배향막 사이의 간격으로 정의되는 제2 간격을 가지며, 상기 제2 간격은 상기 제1 간격의 절반에 대응하는 높이를 갖는 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 영상 표시층은 액정층인 표시 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 루프층 상에 상기 기판을 커버하도록 배치되어 상기 터널 상 공동을 밀폐하는 봉지층을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 봉지층은 유기막 또는 서로 적층된 유기막과 무기막을 포함하는 표시 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 루프층은 유기막을 포함하는 표시 장치.
  16. 복수의 화소 영역들 및 상기 화소 영역들 사이의 비화소 영역이 정의되고 상기 각각의 화소 영역의 소정의 영역에 배치되어 외부광을 반사시키는 반사 전극을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 각각의 화소 영역의 상기 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판상에 열 방향으로 연장되어 상기 각각의 화소 영역에서 제1 높이 및 상기 제1 높이보다 작은 제2 높이를 갖고, 상기 비화소 영역에서 상기 제2 높이보다 작은 제3 높이를 갖는 희생층을 형성하는 단계;
    행 방향으로 연장되며, 상기 화소 영역 및 상기 비화소 영역의 소정의 영역에서 상기 희생층을 덮도록 상기 기판상에 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제2 전극의 상면을 덮고 평탄화되어 있는 루프층을 형성하는 단계;
    상기 희생층을 습식 식각하여 상기 제2 전극과 상기 기판 사이에 터널상 공동을 형성하는 단계;
    상기 터널 상 공동에 액정 층을 제공하는 단계; 및
    상기 루프층 상에 상기 기판을 커버하여 상기 터널 상 공동을 밀폐시키는 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 각각의 화소 영역은,
    광을 투과시키는 투과 영역; 및
    상기 반사 전극이 배치되는 반사 영역을 포함하고,
    상기 비화소 영역은,
    상기 제1 방향에서 상기 화소 영역들 사이에 배치되어 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제1 비화소 영역; 및
    상기 제2 방향에서 상기 화소 영역들 사이에 배치되어 상기 제1 방향으로 연장된 제2 비화소 영역을 포함하고,
    상기 반사 영역은 상기 제1 영역에 인접하게 배치되며, 상기 제2 전극은 상기 제2 방향에서 상기 제2 비화소 영역의 소정의 영역으로 정의되는 제1 영역으로 연장되는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 터널 상 공동은 상기 투과 영역에서 제1 높이를 갖고, 상기 반사 영역에서 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 갖고, 상기 제1 비화소 영역과 오버랩되지 않는 상기 제1 영역에서 상기 제2 높이보다 낮은 제3 높이를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제3 높이는 1.1 마이크로 미터보다 작거나 같게 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판상의 상기 터널 상 공동에 배향액을 제공하는 단계; 및
    상기 배향액을 건조시켜 상기 터널 상 공동에서 상기 제2 전극의 내면 상에 배치되고, 상기 제1 전극을 덮도록 상기 기판상에 배치되는 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 반사 영역에 인접한 상기 제1 영역에서 상기 배향막은 상기 터널상 공동을 폐쇄시키도록 뭉쳐지는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 액정층은 상기 투과 영역에서 상기 배향막 사이의 간격으로 정의되는 제1 간격을 갖고, 상기 반사 영역에서 상기 배향막 사이의 간격으로 정의되는 제2 간격을 가지며, 상기 제2 간격은 상기 제1 간격의 절반에 대응하는 높이를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 기판은,
    베이스 기판;
    상기 비화소 영역에서 상기 베이스 기판상에 형성되어 상기 제1 전극에 연결된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 베이스 기판상에 배치되고, 상기 반사 영역에서 요철 구조를 갖는 절연막;
    상기 화소 영역에서 상기 절연막 상에 배치된 컬러 필터; 및
    상기 비화소 영역에서 상기 절연막 상에 배치된 블랙 매트릭스를 포함하고,
    상기 반사 전극은 상기 반사 영역에서 상기 절연막 상에 배치되어 상기 요철구조를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
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