KR20150079808A - 샘플의 표면을 검사하는 장치 및 방법 - Google Patents

샘플의 표면을 검사하는 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150079808A
KR20150079808A KR1020157013723A KR20157013723A KR20150079808A KR 20150079808 A KR20150079808 A KR 20150079808A KR 1020157013723 A KR1020157013723 A KR 1020157013723A KR 20157013723 A KR20157013723 A KR 20157013723A KR 20150079808 A KR20150079808 A KR 20150079808A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
array
charged particle
spots
backscattered
detector
Prior art date
Application number
KR1020157013723A
Other languages
English (en)
Inventor
피터 크루이트
Original Assignee
테크니쉐 유니버시테이트 델프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 테크니쉐 유니버시테이트 델프트 filed Critical 테크니쉐 유니버시테이트 델프트
Publication of KR20150079808A publication Critical patent/KR20150079808A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
    • G01N2223/3307—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts source and detector fixed; object moves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40—Imaging
    • G01N2223/413—Imaging sensor array [CCD]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40—Imaging
    • G01N2223/418—Imaging electron microscope
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2446—Position sensitive detectors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 샘플을 검사하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 장치는 1차 하전 입자 빔들(33)의 어레이를 생성하는 생성기, 및 광축(38)을 갖는 하전 입자 광학 시스템을 포함한다. 광학 시스템은 모든 1차 빔들(33)을 중간 평면에서의 스폿들의 제 1 어레이에 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템(37, 310), 및 모든 1차 빔들(33)을 샘플 표면(315)상의 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템(313, 314)을 포함한다. 장치는 중간 평면에 또는 그 근처에 위치된 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기(311)를 포함한다. 제 2 렌즈 시스템은 모든 하전 입자 빔들에 대해 공통인 전자기 또는 정전기 렌즈를 포함한다. 바람직하게는, 2차 렌즈 시스템은 제 1 어레이에 관하여 비스듬히 하전 입자 스폿들의 제 2 어레이를 위치시키기 위해 광축(38) 주위에서 1차 빔들(33)의 어레이를 회전시키는 자기 렌즈를 포함한다.

Description

샘플의 표면을 검사하는 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING A SURFACE OF A SAMPLE}
본 발명은 샘플의 표면을 검사하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 멀티-빔 스캐닝 전자 현미경과 같은 복수의 하전 입자 빔들을 사용하여 샘플 표면을 검사하는 장치에 관한 것이다. 본 발명은 전자들, 양전자들, 이온들 등과 같은 임의의 타입의 하전 입자들에 적용될 수 있다.
본 발명은 전자들과 같은 후방산란 하전 입자들을 검출하는 장치에 관한 것이다. 이들 후방산란 하전 입자들은 1차 하전 입자들과 거의 동일한 에너지를 갖는다. 일반적으로, 하전 입자들은 다시 나오기 전에 샘플에서 수백 전자 볼트까지 잃는다는 것이 가정된다. 후방산란 하전 입자들의 각 분포는 1차 하전 입자 빔들의 각 분포 보다 훨씬 크다. 대응하는 1차 하전 입자 빔의 축에 근접하여 이동하는 후방산란 하전 입자들은 1차 하전 입자들과 매우 유사한 경로들을 따라 하전 입자 광학 시스템을 통해 역으로 이동하고, 1차 하전 입자 빔들과 거의 동일한 평면들에 포커싱된다.
이러한 장치는 예를 들어, 미국 특허 제7,732,762호에 개시되어 있다. 이러한 미국 특허는 사용중에, 검체의 표면을 향하는 복수의 1차 전자 빔들을 방출하는 전자 이미터를 포함하는 전자 현미경을 개시한다. 장치는 전자 이미터와 검체 표면 사이의 중간 평면에서 분리된 스폿들의 제 1 어레이로 전자 빔들을 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템을 포함한다. 장치는 중간 평면으로부터의 1차 전자 빔들을 검체 표면으로 향하게 하고 모든 1차 전자 빔들을 검체 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템을 더 포함한다. 특히, 제 2 렌즈 시스템은 렌즈들의 캐스케이드, 더욱 구체적으로는, 각 개별 전자 빔들에 대한 개별 마이크로렌즈를 포함하는 마이크로렌즈 어레이를 포함한다.
중간 평면에서, 형광 물질을 포함하는 박막 시트형 플레이트가 배치된다. 박막 시트는 1차 전자 빔들이 통과할 수 있도록 어퍼처들을 포함한다. 플레이트는 후방산란 전자들을 수집하여 수집된 전자들을 광자들로 변환한다. 광자들은 광학 렌즈 시스템에 의해 광 검출기들의 어레이로 적어도 부분적으로 향한다.
이러한 시스템의 단점은, 검체 표면상의 개별 스폿들 사이의 거리가 전자 빔 당 하나의 대물 마이크로렌즈의 사용으로 인해 비교적 크다는 것이다. 따라서, 공지의 시스템은 작은 샘플들을 검사하는데 있어서 덜 적합하다.
본 발명의 목적은 후방산란 전자들을 검출하는 새로운 검출 배열을 제공하는 샘플 표면을 검사하는 멀티 하전 입자 빔 장치를 제공하는 것이다.
제 1 양태에 따르면, 본 발명은 샘플의 표면을 검사하는 장치를 제공하고, 이 장치는 1차 하전 입자 빔들을 생성하는 멀티 빔 하전 입자 생성기 및 광축을 갖는 하전 입자 광학 시스템을 포함하고, 이 장치는:
1차 하전 입자 빔들을 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템, 및
중간 평면으로부터의 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면을 향하게 하고, 모든 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 적어도 1차 하전 입자 빔들에 대해 공통인 전자기 또는 정전기 대물 렌즈를 포함하는 제 2 렌즈 시스템을 포함하고,
장치는 중간 평면내에 또는 그 근처에 위치된 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기를 포함하고, 이 검출기는 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나 이상의 관통 개구들을 포함하며, 제 2 렌즈 시스템은 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이로부터의 후방산란 하전 입자들을 검출기상의 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이에 투사하기 위해 배열된다.
적어도 1차 하전 입자 빔들에 대해 공통인 단일 대물 렌즈를 사용하여, 샘플 표면상의 개별 스폿들은 모든 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 공통 렌즈의 사용으로 인해 서로 훨씬 더 근접하게 배열될 수 있다. 이것은 예를 들어, 1mm2 또는 그보다 더 작은 표면들을 갖는 더 작은 샘플들을 검사하는데 있어서 본 발명의 멀티-빔 장치를 더욱 적합하게 한다.
본 출원의 문맥에서, 샘플의 표면이 샘플의 경계면 바로 아래의 물질을 포함하는 샘플의 상부층을 포함한다는 것에 유의한다.
본 출원의 문맥에서, 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나 이상의 관통 개구들이 검출기에서 하나 이상의 홀들을 포함할 수 있으며, 검출기에 인접한 개구를 또한 포함할 수 있다는 것에 더 유의한다.
바람직하게는, 1차 빔들이 가장 작은 중간 평면은 후방산란 하전 입자들이 또한 포커싱되고, 검출기가 바람직하게 위치되는 평면에 근접한다.
일 실시예에서, 하나 이상의 관통 개구들은 홀들의 어레이를 포함하고, 여기서, 홀들의 어레이의 각 홀은 1차 하전 입자 빔들의 어레이 중 하나가 통과하도록 배열된다. 일 실시예에서, 홀들의 어레이들의 홀들의 직경은 홀들 사이의 피치 보다 실질적으로 작다. 검출기가 1차 하전 입자 빔들이 포커싱되는 중간 평면내에 또는 그 근처에 적어도 실질적으로 배열되기 때문에, 1차 하전 입자 빔들은 효율적인 검출을 허용하기 위해 검출기에서 충분한 표면적이 존재하도록 검출기에서 충분히 작은 홀들을 통과한다.
그러나, 본 발명에 따른 샘플 표면상에서 개별 스폿들을 서로에 훨씬 더 가깝게 배열하는 것은 샘플 표면상의 상이한 스폿들로부터 후방산란 하전 입자를 분리하고 구별하는 것을 더욱 어렵게 한다. 예를 들어, 미국 특허 제7,732,762호에 개시된 바와 같은 장치에 나타낸 바와 같이, 후방산란 전자들은 형광 물질의 플레이트에서 포커싱된 1차 빔들의 위치에서 또는 그 주위에서 이미징된다. 이러한 장치에서, 후방산란 전자들 중 일부가 형광 물질의 플레이트에서의 어퍼처를 통과하고 검출되지 않는다. 종래 기술의 장치에서, 1차 빔들과 동일한 스폿들에 포커싱되지 않고 형광 물질의 플레이트에서 흐릿한 스폿들을 형성하는 후방산란 전자들만이 검출될 수 있다.
한편으로는, 이러한 추가의 문제점은 제 2 렌즈 시스템이 중간 평면으로부터의 분리된 스폿들의 제 1 어레이를 0.01 내지 0.2 범위의 배율로 샘플 표면상에 이미징하기 위해 배열되는 실시예에 의해 해결될 수 있다. 따라서, 검출기에 인접한 스폿들 사이의 거리는 샘플 표면상의 인접한 스폿들 보다 100배까지 크다.
다른 한편으로는, 이러한 추가의 문제점은 본 발명의 실시예에서 해결될 수 있고, 여기서, 제 2 렌즈 시스템은 광축 주위에서 0도 보다 크고 바람직하게는 180도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 제 2 어레이를 위치시키기 위해, 중간 평면으로부터 샘플로의 도중에 광축 주위에서 1차 하전 입자 빔들을 회전시키기 위해 배열되는 하나 이상의 자기 렌즈들을 포함한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 자기 렌즈들은 광축 주위에서 0도 보다 크고 바람직하게는 360도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이를 회전시키기 위해 배열된다. 2개의 후자의 실시예들을 조합하는 것이 또한 가능하다는 것에 유의한다.
자기 렌즈를 사용함으로써, 제 2 어레이의 위치는 0도 와 180도 사이의 각도로 제 1 어레이에 관하여 회전된다. 바람직하게는, 동일한 자기 렌즈를 또한 통과하는 후방산란 하전 입자들은 0도와 180도 사이에서 실질적으로 동일한 각도로 제 2 어레이에 관하여 또한 회전된다. 후방산란 하전 입자들의 회전은 1차 하전 입자 빔들의 회전과 동일한 회전방향이라는 것에 유의한다. 따라서, 중간 평면에서 위치 감지 검출기상의 후방산란 하전 입자들의 스폿들의 어레이는 광축 주위에서 0도 보다 크고 360도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 회전된다. 이러한 회전은 중간 평면에서 또는 그 근처에서 1차 빔들의 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자들의 스폿들의 어레이 사이의 공간 분리를 제공하고, 이것은 후방산란 하전 입자들이 제 1 어레이의 위치로부터 적어도 실질적으로 벗어나는 위치에서 후방산란 하전 입자들의 스폿들의 어레이를 배열하게 한다. 따라서, 회전을 주의 깊게 선택함으로써, 중간 평면에서 또는 그 근처에서 후방산란 하전 입자들의 검출은 1차 하전 입자 빔들의 통과를 적어도 실질적으로 간섭하지 않는다. 본 발명에 따른 장치에서, 중간 평면에 적어도 실질적으로 포커싱되는 후방산란 하전 입자들이 또한 검출될 수 있다.
미국 특허 제7,732,762호에 따른 장치와는 대조적으로, 본 발명의 장치에서 검출기의 제 2 렌즈 시스템 및/또는 위치는 이제, 후방산란 하전 입자들의 스폿들의 흐릿함을 적어도 실질적으로 감소시키거나, 후방산란 하전 입자들을 작은 스폿들에 포커싱하기 위해 배열될 수 있고, 이것은 본 발명의 검출 배열의 해상도를 강화시킨다.
일 실시예에서, 제 2 렌즈 시스템은 후방산란 하전 입자들의 공통 크로스-오버(cross-over)를 통해 샘플 표면상의 개별 스폿들로부터의 후방산란 하전 입자들을 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기상의 실질적으로 개별 스폿들로 투사하기 위해 배열된다. 일 실시예에서, 어퍼처가 후방산란 하전 입자들의 공통 크로스-오버를 포함하는 평면내에 또는 그 근처에 배열된다. 샘플과 검출기 사이의 이러한 후방산란 빔 제한 어퍼처가 후방산란 하전 입자들의 수광각을 제한하고, 검출기상의 후방산란 입자들의 이미지에서 콘트라스트에 영향을 미치기 위해 사용된다. 어퍼처는 검출기상의 후방산란 입자들의 스폿들의 사이즈를 제어하고 제한하기 위해 또한 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 이 어퍼처는 다른 각도 방향들을 차단하면서 후방산란 하전 입자들의 특정한 각도 방향들의 통과를 허용하는 개방 영역들을 포함한다.
일 실시예에서, 하나 이상의 자기 렌즈들은 광축 주위에서 실질적으로 180도의 각도로 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이를 회전시키기 위해 배열된다. 일 실시예에서, 검출기는 이러한 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나의 관통 개구를 포함한다. 바람직하게는, 이러한 관통 개구는 검출기 또는 검출기의 감지 표면에 인접하게 배열된다.
일 실시예에서, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기는 후방산란 하전 입자 빔 마다 1개 보다 많은 픽셀을 포함한다. 후방산란 스폿들 보다 매우 많은 픽셀들을 갖는 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기를 사용할 때, 후방산란 신호가 검출기의 픽셀들을 판독함으로써 획득된다. 후방산란 스폿들이 향하게 되는 검출기 평면에서 위치를 사전에 결정할 필요가 없다.
일 실시예에서, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기는 후방산란 하전 입자들로부터 직접 신호를 얻는 CCD 카메라, CMOS 카메라, 애벌란시 포토 다이오드들의 어레이, 포토 멀티플라이어들 또는 PN 접합 반도체 검출기이다.
일 실시예에서, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기는 중간 평면내에 또는 그 근처에 적어도 실질적으로 배열된 형광 스크린 및 형광 스크린으로부터 CCD 카메라, CMOS 카메라, 애벌란시 포토 다이오드들의 어레이 또는 포토 멀티플라이어들로 광자들을 전달하는 광학 배열을 포함한다.
일 실시예에서, CCD 카메라, CMOS 카메라, 애벌란시 포토 다이오드들의 어레이 또는 포토 멀티플라이어들은 검출기 픽셀들의 어레이가 개별 후방산란 빔들의 이미지들의 어레이와 일치하도록 위치된다.
일 실시예에서, 샘플 표면상의 분리된 스폿들의 제 2 어레이에서의 스폿들 사이의 피치는 0.3과 30 마이크로미터 사이이다.
일 실시예에서, 제 2 렌즈 시스템은 샘플을 통해 1차 하전 입자를 스캐닝하는 자기 및/또는 정전기 하전 입자 디플렉터들을 포함한다. 일 실시예에서, 자기 및/또는 정전기 하전 입자 디플렉터들은 스캐닝 동안 검출기상의 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이의 실질적으로 정지 포지셔닝을 획득하기 위해 배열되고 그리고/또는 제어가능하다. 자기 디플렉터는 샘플로부터 검출기로 이동하는 하전 입자들과 반대 방향으로 샘플을 향하는 도중에 하전 입자들을 디플렉팅한다. 후자는 1차 빔들 스캐닝하면서 검출기상의 후방산란 전자 스폿들의 이동을 초래한다. 반대로, 정전기 디플렉터는 입자들의 방향과 독립적인 방향으로 하전 입자의 빔들을 디플렉팅한다. 따라서, 정전기 디플렉터를 이용하는 것은 검출기상에서 스폿들의 이동이 없음을 보장하는 것으로 보인다. 그러나, 자기 렌즈에 의한 이미지의 회전이 여전히 이동을 남길 수 있다. 자기 및 정전기 디플렉터들 양자의 이중 시스템은, 스캐닝 동안 검출기상의 안정한 스폿 위치를 보장하기 위해 동작 동안 세팅이 선택될 수 있는 충분한 조정가능한 파라미터들을 제공한다.
일 실시예에서, 제 2 렌즈 시스템은 공통 크로스-오버를 통해 1차 하전 입자 빔들을 투사하기 위해 배열되고, 여기서, 장치는 공통 크로스-오버를 포함하는 평면내에 또는 그 근처에 적어도 실질적으로 위치된 위치 감지 2차 전자 검출기를 포함한다. 네덜란드 특허 출원 제2009053호에 더욱 상세히 논의되어 있는 바와 같이, 본 실시예는 2차 전자들이 검출가능한 검출 시스템을 제공한다. 본 실시예는 2차 전자들과 1차 하전 입자들 사이의 에너지 차이를 활용하고, 예를 들어, SEM에서, 1차 전자들의 에너지는 일반적으로 1 keV 내지 30 keV이고, 2차 전자들의 에너지는 일반적으로 0 eV 내지 50 eV이다. 이러한 에너지 차이의 결과는, 제 2 렌즈 시스템이 2차 전자들에 대서와는 상이하게 1차 하전 입자들에 대해 수행한다는 것이다. 한편, 2차 렌즈 시스템은 모든 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면상의 개별 스폿들의 어레이에 포커싱하기 위해 배열된다. 반면에, 동일한 렌즈 시스템이 2차 전자 빔들을 공통 크로스-오버의 평면을 향하게 하기 위해 사용된다. 2차 전자들이 1차 하전 입자들의 에너지 보다 훨씬 작은 에너지를 갖기 때문에, 렌즈 시스템은 공통 크로스-오버를 본질적으로 둘러싸는 면적에 걸쳐 2차 전자들을 확산시키도록 배열된다. 따라서, 이러한 공통 크로스-오버를 포함하는 평면에서 또는 그 근처에서, 대부분의 2차 전자 빔들은 공통 크로스-오버에 모두 집중되는 1차 하전 입자 빔들로부터 공간적으로 분리된다. 후방산란 하전 입자들이 공통 크로스-오버에 적어도 실질적으로 또한 집중되어, 2차 전자 빔들로부터 공간적으로 분리된다는 것에 유의한다.
이러한 공통 크로스-오버를 포함하고, 바람직하게는, 공통 크로스-오버에 인접하고 그리고/또는 공통 크로스-오버를 둘러싸는 평면내에 또는 그 근처에 위치 감지형 2차 전자 검출기를 적어도 실질적으로 위치시킴으로써, 대부분의 2차 전자 빔들은 1차 하전 입자 빔들 또는 후방산란 하전 입자들에 대한 어떠한 간섭없이 검출될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 특히, 본 실시예에 따른 장치에서, 후방산란 하전 입자들은 장치의 하전 광학 컬럼에 배열된 검출기들을 사용하여 검출가능하다. 또한, 후방산란 하전 입자들 및 2차 전자들 모두는 개별적으로 그리고 실질적으로 동시에 검출될 수 있다.
제 2 양태에 따르면, 본 발명은 하기의 단계들을 포함하는 샘플의 표면을 검사하는 방법을 제공한다:
멀티 빔 하전 입자 생성기를 사용하여 1차 하전 입자 빔들의 어레이를 생성하는 단계;
제 1 렌즈 시스템을 사용하여, 1차 하전 입자 빔들을 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 포커싱하는 단계;
제 2 렌즈 시스템을 사용하여 중간 평면으로부터의 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면을 향하게 하고, 적어도 1차 하전 입자 빔들에 대해 공통인 전자기 또는 정전기 대물 렌즈를 사용하여 모든 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 단계;
제 2 렌즈 시스템을 사용하여 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이로부터의 후방산란 하전 입자들을 중간 평면상의 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이로 투사하는 단계; 및
중간 평면내에 또는 그 근처에 위치된 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기를 사용하여 후방산란 하전 입자들을 검출하는 단계를 포함하고, 검출기는 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나 이상의 관통 개구들을 포함한다.
일 실시예에서, 제 2 렌즈 시스템은 중간 평면으로부터 샘플을 향하는 도중에 광축 주위에서 1차 하전 입자 빔들의 어레이를 회전시키고, 광축 주위에서 0도 보다 크고 바람직하게는 180도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 제 2 어레이를 위치시키기 위해 배열되는 하나 이상의 자기 렌즈들을 포함한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 자기 렌즈들은 광축 주위에서 0도 보다 크고 바람직하게는 360도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이를 회전시키기 위해 배열된다.
일 실시예에서, 하나 이상의 자기 렌즈들은 광축 주위에서 실질적으로 180도의 각도로 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이를 회전시키기 위해 배열된다. 일 실시예에서, 검출기는 이러한 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나의 관통 개구를 포함한다.
일 실시예에서, 제 2 렌즈 시스템은 샘플을 통해 1차 하전 입자를 스캐닝하는 자기 및/또는 정전기 하전 입자 디플렉터들을 포함한다. 일 실시예에서, 자기 및/또는 정전기 하전 입자 디플렉터들은 스캐닝 동안 검출기상의 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이의 실질적으로 정지 포지셔닝을 획득하기 위해 배열되고 그리고/또는 제어가능하다.
일 실시예에서, 샘플 표면은 제 1 방향으로 정속도로 이동되는 반면에, 1차 하전 입자 빔들은 제 1 방향과 적어도 실질적으로 수직인 제 2 방향으로 반복적으로 스캐닝된다. 이것은 스캐닝 하전 입자 빔 현미경: 오프-라인 현미경으로 샘플들을 연구하는 새로운 방식을 제공하고, 여기서, 예를 들어, 1 평방 밀리미터의 면적에 걸친 전체 샘플 표면이 나노 해상도로 스캐닝되고 이미징되고, 그 후, 전체 샘플 표면은 현미경의 뒷면 대신에, 컴퓨터상에서 이미지를 연구하고 그리고/또는 검사하는 전문가, 예를 들어, 생물학자에게 이용가능하다.
제 3 양태에 따르면, 본 발명은 샘플의 표면을 검사하는 장치를 제공하고, 이 장치는 1차 하전 입자 빔들을 생성하는 멀티 빔 하전 입자 생성기 및 광축을 갖는 하전 입자 광학 시스템을 포함하고, 이 장치는:
1차 하전 입자 빔들을 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템, 및
중간 평면으로부터의 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면을 향하게 하고 모든 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템을 포함하고,
장치는 중간 평면내에 또는 그 근처에 적어도 실질적으로 위치된 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기를 포함하고, 제 2 렌즈 시스템은 적어도 1차 하전 입자 빔들에 대해 공통이고, 광축 주위에서 0도 보다 크고 180도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 제 2 어레이를 위치시키기 위해 광축 주위에서 1차 하전 입자 빔들의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는 전자기 렌즈를 포함한다.
일 실시예에서, 제 2 렌즈 시스템은 단일 대물 렌즈를 포함한다. 일 실시예에서, 이러한 단일 대물 렌즈는 광축 주위에서 1차 하전 입자들 빔들의 어레이들 회전시키기 위해 배열되는 전자기 렌즈이다. 대안의 실시예에서, 단일 대물 렌즈는 전자기 렌즈와 샘플 사이의 추가의 렌즈이다. 이러한 대안의 실시예에서, 단일 대물 렌즈는 전자기 렌즈 또는 정전기 렌즈를 포함한다.
본 명세서에 설명되고 도시된 다양한 양태들 및 특징들은 가능하면 어디에나 개별적으로 적용될 수 있다. 이들 개별 양태들, 특히, 첨부된 종속항들에 기재된 양태들 및 특징들은 분할 특허 출원의 대상으로 이루어질 수 있다.
본 발명은 첨부한 도면들에 도시된 예시적인 실시예에 기초하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 멀티-빔 스캐닝 전자 현미경(MBSEM)의 일례를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 MBSEM의 제 2 예의 빔 경로의 일부를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 MBSEM의 제 3 예의 빔 경로의 일부를 도시한다.
도 4는 본 발명의 중간 평면에서 본 발명에 따른 MBSEM의 예의 빔 경로의 개략적 단면을 도시한다.
도 5는 본 발명의 중간 평면에서 본 발명에 따른 MBSEM의 다른 예의 빔 경로의 개략적 단면을 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 멀티-빔 스캐닝 전자 현미경(MBSEM)의 다른 예를 도시한다.
도 1은 본 발명의 멀티-빔 스캐닝 전자 현미경(MBSEM)의 일례를 도시한다.
MBSEM(1)은 1차 하전 입자 빔들(3)의 어레이, 이러한 경우에서는, 1차 전자 빔들(3)의 어레이를 생성하는 멀티 빔 하전 입자 생성기(2)를 포함한다. 멀티 빔 전자 생성기(2)는 발산 전자 빔(5)을 생성하는 적어도 하나의 전자 소스(4)를 포함한다. 발산 전자 빔(5)은 어퍼처 렌즈 어레이(6)에 의해 포커싱된 1차 전자 빔들(3)로 스플릿된다. 그 후, 1차 전자 빔들(3)은 화살표 P로 개략적으로 표시된 바와 같이 샘플(15)을 향한다.
소스(4)의 다중의 이미지들이 가속기 렌즈(7)의 객체 원리 평면(object principle plane)상에 위치된다. 가속기 렌즈(7)는 1차 전자 빔들(3)을 광축(8)을 향하게 하고, 모든 1차 전자 빔들(3)의 제 1 공통 크로스-오버(9)를 생성한다.
제 1 공통 크로스-오버(9)는 전류 제한 어퍼처로서 작용하는 가변 어퍼처(16)상으로 자기 집광 렌즈(10)에 의해 이미징된다. 가변 어퍼처(16)에서, 모든 1차 전자 빔들(3)의 제 2 공통 크로스-오버가 생성된다.
MBSEM은 가변 어퍼처(16)에서 공통 크로스-오버로부터의 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면(15)을 향하게 하고, 모든 1차 하전 입자 빔들(3)을 샘플 표면(15)상의 개별 스폿들의 어레이에 포커싱하는 렌즈 시스템(13, 14)을 포함한다. 렌즈 시스템은 가변 어퍼처(16)를 대물 렌즈(14)의 코마 프리(coma free) 평면상으로 이미징하는 중간 자기 렌즈(13)를 포함하고, 이 대물 렌즈(14)가 샘플 표면(15)상에 포커싱된 1차 전자 빔들의 어레이를 생성한다.
또한, MBSEM에는 샘플 표면(15)에 걸쳐 포커싱된 1차 전자 빔들의 어레이를 스캐닝하는 스캔 코일들(18)이 제공된다.
도 1에 도시된 MBSEM에서, 후방산란 하전 입자들을 검출하는데 적합한 적어도 2개의 대안의 위치들이 존재한다:
제 1 위치가 중간 자기 렌즈(13)와 대물 렌즈(14) 사이에서 발견될 수 있다. 이러한 경우에, 중간 자기 렌즈(13)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기(11)가 배열되는 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이로 1차 전자 빔들(3)을 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 대물 렌즈(14)는 검출기(11) 평면으로부터의 1차 전자 빔들(3)을 샘플(15)의 표면을 향하게 하고, 모든 1차 하전 입자 빔들(3)을 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 대물 렌즈(14)는 도 4 및 도 5의 논의에서 더욱 상세히 후술하는 바와 같이, 1차 전자 빔들(3)에 대해 공통이고, 광축(8) 주위에서 0도 보다 크고 180도 보다 작은 각도로 검출기(11) 평면에서 제 1 어레이에 관하여 타겟(15)상에 제 2 어레이를 위치시키기 위해 광축(8) 주위에서 1차 전자 빔들(3)의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는 전자기 렌즈를 포함한다.
제 2 위치가 어퍼처 렌즈 어레이(6)와 자기 집광 렌즈(10) 사이에서 발견될 수 있다. 이러한 경우에, 어퍼처 렌즈 어레이(6)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기(12)가 배열되는 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이로 1차 전자 빔들(3)을 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 자기 대물 렌즈(10)는 검출기(12) 평면으로부터의 1차 전자 빔들(3)을 샘플(15)의 표면을 향하게 하고, 모든 1차 하전 입자 빔들(3)을 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 제 2 렌즈 시스템은 1차 전자 빔들(3)에 대해 공통인 전자기 렌즈를 포함한다. 자기 대물 렌즈(10), 중간 자기 렌즈(13), 및 대물 렌즈(14) 중 하나 이상은 도 4 및 도 5의 논의에서 더욱 상세히 후술하는 바와 같이, 광축(8) 주위에서 0도 보다 크고 180도 보다 작은 각도로 검출기(12) 평면에서 제 1 어레이에 관하여 타겟(15)상에 제 2 어레이를 위치시키기 위해 광축(8) 주위에서 1차 전자 빔들(3)의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는 전자기 렌즈를 포함한다.
후방산란 전자들을 검출하기 위해, 검출기가 제 1 검출기(11)의 위치, 또는 제 2 검출기(12)의 위치에 배열된다는 것에 유의한다. 후방산란 전자 검출기(11, 12)는 샘플 표면(15)상의 각 단일 1차 전자 빔 스폿의 개별 후방산란 전자 이미지를 획득하도록 배열된다. 이것은, 샘플 표면(15)이 이러한 MBSEM(1)에서 스캐닝될 때, 다중의 이미지들이 하나의 단일 스캔 주기에서 동시에 획득될 수 있다는 것을 의미한다.
도 2는 도 1의 동일한 셋-업의 개략적이고 간략화된 표현이고, 특히, 도 2에 도시된 바와 같은 예는 도 1에서의 2개의 공통 크로스-오버 대신에 가변 어퍼처(216)의 위치에서 하나의 공통 크로스-오버만을 포함한다. 하나의 공통 크로스-오버만을 사용할 때, 도 1에 도시된 바와 같은 자기 집광 렌즈(10)는 생략될 수 있다.
다시, 도 2에 도시된 바와 같은 셋업에서, 후방산란 하전 입자들을 검출하는데 적합한 2개의 위치들이 존재한다:
제 1 위치가 중간 자기 렌즈(213)와 대물 렌즈(214) 사이에서 발견될 수 있다. 이러한 경우에, 중간 자기 렌즈(213)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기(211)가 배열되는 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이로 1차 전자 빔들(23)을 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 대물 렌즈(214)는 검출기(211) 평면으로부터의 1차 전자 빔들(23)을 샘플(215)의 표면을 향하게 하고, 모든 1차 하전 입자 빔들(23)을 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 대물 렌즈(214)는 도 4 및 도 5의 논의에서 더욱 상세히 후술하는 바와 같이, 1차 전자 빔들(23)에 대해 공통이고, 광축(28) 주위에서 0도 보다 크고 180도 보다 작은 각도로 검출기(211) 평면에서 제 1 어레이에 관하여 타겟(215)상에 제 2 어레이를 위치시키기 위해 광축(28) 주위에서 1차 전자 빔들(23)의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는 전자기 렌즈를 포함한다.
대물 렌즈(214)에서, 가변 어퍼처(217)가 샘플(215)과 검출기(211) 사이에 후방산란 빔 제한 어퍼처로서 배열된다는 것에 유의한다. 후방산란 빔 제한 어퍼처(217)는 후방산란 전자들의 수광각을 제한하고, 검출기(211)의 후방산란 입자들의 이미지에서 콘트라스트에 영향을 미치도록 사용된다. 어퍼처(217)는 검출기(211)상의 후방산란 입자들의 스폿들의 사이즈를 제어하고 제한하기 위해 또한 사용될 수 있다.
대안으로는, 위치 감지 전자 검출기(212)가 중간 자기 렌즈(213) 위의 제 2 위치에 배열된다. 검출기(212) 위에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기(212)가 배열되는 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 1차 전자 빔들(23)을 포커싱하는, 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같은 멀티 빔 생성기(2)와 동일한 제 1 렌즈 시스템(미도시)이 배열된다. 중간 자기 렌즈(213)는 검출기(212) 평면으로부터의 1차 전자 빔들(23)을 샘플(215)의 표면을 향하게 하고, 모든 1차 하전 입자 빔들(23)을 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 제 2 렌즈 시스템은 1차 전자 빔들(23)에 대해 공통인 전자기 렌즈를 포함한다. 중간 자기 렌즈(213) 및 대물 렌즈(214) 중 하나 이상은 도 4 및 도 5의 논의에서 더욱 상세히 후술하는 바와 같이, 광축(8) 주위에서 0도 보다 크고 180도 보다 작은 각도로 검출기(212) 평면에서 제 1 어레이에 관하여 타겟(215)상에 제 2 어레이를 위치시키기 위해 광축(28) 주위에서 1차 전자 빔들(23)의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는 전자기 렌즈를 포함한다.
도 3은 후방산란 전자들을 검출하는 MBSEM에서의 광학 셋업의 다른 예를 도시한다. 이러한 셋업에서, 위치 감지 후방산란 전자 검출기(311)가 시준 렌즈(310)와 포커싱 렌즈(313) 사이에 배열된다. 가속기 렌즈(37) 및 시준 렌즈(310)는 도 3에 도시된 바와 같이, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기(311)가 배열되는 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 1차 전자 빔들(33)을 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 포커싱 렌즈(313) 및 대물 렌즈(314)는 검출기(311) 평면으로부터의 1차 전자 빔들(33)을 샘플(315)의 표면을 향하게 하고, 모든 1차 하전 입자 빔들(33)을 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템의 적어도 일부이다. 포커싱 렌즈(313) 및 대물 렌즈(314) 중 하나 이상은 도 4 및 도 5의 논의에서 더욱 상세히 후술하는 바와 같이, 1차 전자 빔들(33)에 대해 공통이고, 광축(38) 주위에서 0도 보다 크고 180도 보다 작은 각도로 검출기(311) 평면에서 제 1 어레이에 관하여 타겟(315)상에 제 2 어레이를 위치시키기 위해 광축(38) 주위에서 1차 전자 빔들(33)의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는 전자기 렌즈를 포함한다. 대물 렌즈(314)에서, 가변 어퍼처(317)가 샘플(315)과 검출기(311) 사이에 후방산란 빔 제한 어퍼처로서 배열된다.
포커싱 렌즈(313)가 광축(38) 주위에서 1차 전자 빔들(33)의 어레이를 회전시키기는 전자기 렌즈로서 사용될 때, 대물 렌즈(314)는 정전기 렌즈로서 또한 사용될 수 있다. 정전기 렌즈는 광축(38) 주위에서 전자 빔들의 회전을 제공하지 않는다는 것에 유의한다.
광축(8, 28, 38) 주위의 전자 빔들(3, 13, 33)의 회전의 효과가 도 4 및 도 5에 설명되어 있다.
도 4는 표면이 샘플과 대면하는 위치 감지 후방산란 전자 검출기(411)의 예의 표면의 개략도를 도시한다. 검출기(411)에는 1차 하전 입자 빔들(42)을 하전 입자 소스(2)로부터 샘플 표면(15)을 향하는 도중에 통과시키는 홀들(42)의 어레이가 제공된다. 검출기(411)가 하전 입자 빔들(43)이 포커싱되는 중간 평면내에 또는 그 근처에 적어도 실질적으로 배열되기 때문에, 검출기(411)는 1차 하전 입자 빔들(43)이 가장 작은 평면에 배열된다. 따라서, 검출기(411)에서의 홀들(42)은 후방산란 하전 입자들을 검출하기 위한 충분한 표면적을 남기도록 충분히 작다. 홀들(42)은 하전 입자 빔들(43)이 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 포커싱되는 위치에 위치된다.
검출기(411)와 샘플 사이에서, 모든 하전 입자 빔들에 대해 공통이고, 광축(48) 주위에서 1차 빔들의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는 전자기 렌즈에 의해, 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이의 위치가 0도와 180도 사이의 각도로 홀들(42)에 관하여 회전된다. 동일한 전자기 렌즈를 또한 통과하는 후방산란 하전 입자들은 0도와 180도 사이에서 실질적으로 동일한 각도로 제 2 어레이에 관하여 또한 회전된다. 따라서, 중간 평면에서 위치 감지 검출기(411)상의 후방산란 하전 입자들의 스폿들(44)의 어레이는 광축(48) 주위에서 0도 보다 크고 360도 보다 작은 각도(α)로 1차 하전 입자 빔들(43)에 관하여 회전된다. 이러한 회전은 홀들(42)에 관하여 후방산란 하전 입자들의 스폿들(44)의 어레이 사이에서 공간 분리를 제공하고, 이것은 후방산란 하전 입자들이 1차 빔들(43) 위치로부터 적어도 실질적으로 벗어나는 위치에서 후방산란 하전 입자들의 스폿들(44)의 어레이를 배열하게 한다. 후방산란 하전 입자들(44)이 검출기의 표면상에 부딪힐 때, 이들은 판독되는 신호로 변환되고, 이러한 데이터는 저장 및/또는 다른 평가를 위해 컴퓨터에 전송된다.
도 4의 예에 도시되어 있는 바와 같이, 1차 빔들(43)이 가장 작고 홀들(42)을 통해 이동하는 평면은, 후방산란 하전 입자들이 작은 스폿들(44)에 또한 포커싱되는 평면에 근접하거나 그 평면내에 배열된다.
위치 감지 검출기(411)의 표면은 다수의 픽셀들에 의해 커버되고, 검출기(411)상의 후방산란 하전 입자들의 스폿들(44)은 스폿들(44) 중 하나 이상이 홀들(42) 중 하나 이상 위에 놓이는 한은 검출가능하다. 다수의 픽셀들, 후방산란 스폿들(44) 보다 훨씬 많은 픽셀들을 갖는 위치 감지 검출기(411)를 사용할 때, 후방산란 스폿들(44)이 검출기(411)상에서 정확하게 향하게 되는 위치를 사전에 결정할 필요가 없다.
도 5는 표면이 샘플과 대면하는 위치 감지 후방산란 전자 검출기(511)의 다른 예의 표면의 개략도를 도시한다. 이러한 검출기(511)에는 홀들의 어레이가 제공되지 않는다. 대신에, 검출기(511)는 광축(58)에 인접하게 배열되고, 하전 입자 광학 시스템의 광 빔 경로의 절반을 실질적으로 커버한다. 나머지 절반은 1차 하전 입자 빔들(53)을 하전 입자 소스(2)로부터 샘플 표면(15)을 향하는 도중에 통과시키는 검출기(511)의 장애물이 아니다.
다시, 전자기 렌즈가 검출기(511)와 샘플 사이에 배열되고, 이 렌즈는 모든 하전 입자 빔들에 대해 공통이며 광축(58) 주위에서 1차 빔들(53)의 어레이를 회전시키기 위해 배열된다. 이러한 예에서, 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이의 위치는 광축(58) 주위에서 대략 90도의 각도로 1차 빔들(53)에 관하여 회전된다. 동일한 전자기 렌즈를 또한 통과하는 후방산란 하전 입자들은 동일한 방향에서 그리고 대략 90도의 실질적으로 동일한 각도로 제 2 어레이에 관하여 또한 회전된다. 따라서, 중간 평면에서 위치 감지 검출기(511)상의 후방산란 하전 입자들의 스폿들(54)의 어레이는 광축(58) 주위에서 대략 180도의 각도로 1차 하전 입자 빔들(53)에 관하여 회전된다. 이러한 회전으로 인해, 후방산란 하전 입자들의 스폿들(54)의 어레이는 검출기(511)가 위치되는 광 빔 경로의 측면으로 이동된다. 후방산란 하전 입자들(54)이 검출기(511)의 표면상에 부딪힐 때, 이들은 판독되는 신호로 변환되고, 이러한 데이터는 저장 및/또는 다른 평가를 위해 컴퓨터에 전송된다.
일 실시예에서, 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기(411, 511)는 후방산란 하전 입자들로부터 직접 신호를 얻는 CCD 카메라, CMOS 카메라, 애벌란시 포토 다이오드들의 어레이, 포토 멀티플라이어들 또는 PN 접합 반도체 검출기이다. 대안의 실시예에서, 검출기(411, 511)는 참조로 여기 통합되는 네덜란드 특허 출원 제2009053호에 더욱 상세히 기재된 바와 같이, 중간 평면에서 형광 스크린, 및 형광 스크린으로부터 CCD 카메라와 같은 광자 검출기상으로 광자들을 전달하는 광학 배열을 포함한다.
도 6은 도 1에 도시된 바와 같이 그리고 상세히 상술한 바와 본질적으로 동일한 MBSEM을 도시하고, 여기서, 후방산란 전자 검출기(12)는 어퍼처 렌즈 어레이(6)와 자기 집광 렌즈(10) 사이의 위치에 존재한다. 도 6에 도시된 바와 같은 MBSEM에는 공통 크로스-오버를 포함하는 평면내에 또는 그 근처에, 이러한 경우에서는, 가변 어퍼처(16) 바로 아래에 실질적으로 위치된 위치 감지 2차 전자 검출기(17)가 또한 제공된다. 이러한 2차 전자 검출기(17)는 샘플 표면(15)상의 각 단일 1차 전자 빔 스폿의 개별 2차 전자 이미지를 획득하기 위해 배열되고, 후방산란 전자 검출기(12)는 샘플 표면(15)상의 각 단일 1차 전자 빔 스폿의 개별 후방산란 전자 이미지를 획득하기 위해 배열된다. 이것은, 샘플 표면(15)이 이러한 MBSEM(1)에서 스캐닝될 때, 후방산란 전자들 및 2차 전자들의 다중의 이미지들이 하나의 단일 스캔 주기에서 동시에 획득될 수 있다는 것을 의미한다.
요약하면, 본 발명은 샘플을 검사하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 장치는 1차 하전 입자 빔들의 어레이를 생성하는 생성기, 및 광축을 갖는 하전 입자 광학 시스템을 포함한다. 광학 시스템은 모든 1차 빔들을 중간 평면에서의 스폿들의 제 1 어레이에 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템, 및 모든 1차 빔들을 샘플 표면상의 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 제 2 렌즈 시스템을 포함한다. 장치는 중간 평면에 또는 그 근처에 위치된 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기를 포함한다. 제 2 렌즈 시스템은 모든 하전 입자 빔들에 대해 공통인 전자기 또는 정전기 렌즈를 포함한다. 바람직하게는, 2차 렌즈 시스템은 제 1 어레이에 관하여 비스듬히 제 2 어레이를 위치시키기 위해 광축 주위에서 1차 빔들의 어레이를 회전시키는 자기 렌즈를 포함한다.
상기 설명이 바람직한 실시예들의 동작을 예시하기 위해 포함되고 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 의미되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 이상의 논의로부터, 본 발명의 사상 및 범위내에 포함되는 다수의 변형들이 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (27)

  1. 샘플의 표면을 검사하는 장치로서,
    상기 장치는 1차 하전 입자 빔들의 어레이를 생성하는 멀티 빔 하전 입자 생성기와, 광축을 갖는 하전 입자 광학 시스템을 포함하고,
    상기 1차 하전 입자 빔들을 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 포커싱하는 제 1 렌즈 시스템, 및
    상기 중간 평면으로부터의 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면을 향하게 하고, 모든 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 적어도 1차 하전 입자 빔들에 대해 공통인 전자기 또는 정전기 대물 렌즈를 포함하는 제 2 렌즈 시스템을 포함하고,
    상기 장치는 중간 평면내에 또는 그 근처에 위치된 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기를 포함하고, 상기 검출기는 상기 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나 이상의 관통 개구들을 포함하며, 상기 제 2 렌즈 시스템은 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이로부터의 후방산란 하전 입자들을 검출기상의 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이에 투사하기 위해 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 관통 개구들은 홀들의 어레이를 포함하고, 홀들의 어레이의 각 홀은 상기 1차 하전 입자 빔들의 어레이 중 하나가 통과하도록 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 홀들의 어레이들의 홀들의 직경은 홀들 사이의 피치 보다 실질적으로 작은, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  4. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 렌즈 시스템은 광축 주위에서 0도 보다 크고 바람직하게는 180도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 제 2 어레이를 위치시키기 위해 상기 중간 평면으로부터 샘플을 향하는 도중에 광축 주위에서 1차 하전 입자 빔들의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는 하나 이상의 자기 렌즈들을 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 자기 렌즈들은 광축 주위에서 0도 보다 크고 바람직하게는 360도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 자기 렌즈들은 광축 주위에서 실질적으로 180도의 각도로 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 검출기는 상기 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나의 관통 개구를 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 렌즈 시스템은 후방산란 하전 입자들의 공통 크로스-오버(cross-over)를 통해 샘플 표면상의 개별 스폿들로부터의 후방산란 하전 입자들을 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기상의 실질적으로 개별 스폿들로 투사하기 위해 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 후방산란 하전 입자들의 공통 크로스-오버를 포함하는 평면내에 또는 그 근처에 어퍼처(aperture)가 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 어퍼처는 다른 각도 방향들을 차단하면서 후방산란 하전 입자들의 특정한 각도 방향들의 통과를 허용하는 개방 영역들을 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기는 후방산란 하전 입자 빔 마다 1개 보다 많은 픽셀을 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기는 후방산란 하전 입자들로부터 신호를 직접 얻는 CCD 카메라, CMOS 카메라, 애벌란시 포토 다이오드들의 어레이, 포토 멀티플라이어들 또는 PN 접합 반도체 검출기인, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기는 상기 중간 평면내에 또는 그 근처에 적어도 실질적으로 배열된 형광 스크린과, 형광 스크린으로부터 CCD 카메라, CMOS 카메라, 애벌란시 포토 다이오드들의 어레이 또는 포토 멀티플라이어들로 광자들을 전달하는 광학 배열을 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 CCD 카메라, CMOS 카메라, 애벌란시 포토 다이오드들의 어레이 또는 포토 멀티플라이어들은 검출기 픽셀들의 어레이가 개별 후방산란 빔들의 이미지들의 어레이와 일치하도록 위치되는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 렌즈 시스템은 상기 중간 평면으로부터의 분리된 스폿들의 제 1 어레이를 0.01 내지 0.2 범위의 배율로 샘플 표면상에 이미징하기 위해 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 샘플 표면상의 분리된 스폿들의 제 2 어레이에서 스폿들 사이의 피치는 0.3과 30 마이크로미터 사이인, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 렌즈 시스템은 공통 크로스-오버를 통해 1차 하전 입자 빔들을 투사하기 위해 배열되고, 상기 장치는 상기 공통 크로스-오버를 포함하는 평면내에 또는 그 근처에 적어도 실질적으로 위치된 위치 감지 2차 전자 검출기를 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 렌즈 시스템은 샘플을 통해 1차 하전 입자를 스캐닝하는 자기 및/또는 정전기 하전 입자 디플렉터(deflector)들을 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 자기 및/또는 정전기 하전 입자 디플렉터들은 스캐닝 동안 검출기상의 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이의 실질적으로 정지 포지셔닝(stationary positioning)을 획득하기 위해 배열되고 그리고/또는 제어가능한, 샘플의 표면을 검사하는 장치.
  20. 샘플의 표면을 검사하는 방법으로서,
    멀티 빔 하전 입자 생성기를 사용하여 1차 하전 입자 빔들의 어레이를 생성하는 단계;
    제 1 렌즈 시스템을 사용하여, 1차 하전 입자 빔들을 중간 평면에서의 분리된 스폿들의 제 1 어레이에 포커싱하는 단계;
    제 2 렌즈 시스템을 사용하여 중간 평면으로부터의 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면을 향하게 하고, 적어도 1차 하전 입자 빔들에 대해 공통인 전자기 또는 정전기 대물 렌즈를 사용하여 모든 1차 하전 입자 빔들을 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이에 포커싱하는 단계;
    상기 제 2 렌즈 시스템을 사용하여 샘플 표면상의 개별 스폿들의 제 2 어레이로부터의 후방산란 하전 입자들을 중간 평면상의 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이로 투사하는 단계; 및
    상기 중간 평면내에 또는 그 근처에 위치된 위치 감지 후방산란 하전 입자 검출기를 사용하여 상기 후방산란 하전 입자들을 검출하는 단계를 포함하고,
    상기 검출기는 상기 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나 이상의 관통 개구들을 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 2 렌즈 시스템은 상기 중간 평면으로부터 샘플을 향하는 도중에 광축 주위에서 1차 하전 입자 빔들의 어레이를 회전시키고, 광축 주위에서 0도 보다 크고 바람직하게는 180도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 제 2 어레이를 위치시키기 위해 배열되는 하나 이상의 자기 렌즈들을 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 자기 렌즈들은 광축 주위에서 0도 보다 크고 바람직하게는 360도 보다 작은 각도로 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 자기 렌즈들은 광축 주위에서 실질적으로 180도의 각도로 제 1 어레이에 관하여 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이를 회전시키기 위해 배열되는, 샘플의 표면을 검사하는 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 검출기는 상기 1차 하전 입자 빔들을 통과시키는 하나의 관통 개구를 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 방법.
  25. 제 20 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 렌즈 시스템은 샘플을 통해 1차 하전 입자를 스캐닝하는 자기 및/또는 정전기 하전 입자 디플렉터들을 포함하는, 샘플의 표면을 검사하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 자기 및/또는 정전기 하전 입자 디플렉터들은 스캐닝 동안 검출기상의 후방산란 하전 입자 스폿들의 어레이의 실질적으로 정지 포지셔닝을 획득하기 위해 배열되고 그리고/또는 제어가능한, 샘플의 표면을 검사하는 방법.
  27. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서,
    상기 샘플 표면은 제 1 방향으로 정속도로 이동되는 반면에, 상기 1차 하전 입자 빔들은 제 1 방향과 적어도 실질적으로 수직인 제 2 방향으로 반복적으로 스캐닝되는, 샘플의 표면을 검사하는 방법.
KR1020157013723A 2012-10-25 2013-10-24 샘플의 표면을 검사하는 장치 및 방법 KR20150079808A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2009696A NL2009696C2 (en) 2012-10-25 2012-10-25 Apparatus and method for inspecting a surface of a sample.
NL2009696 2012-10-25
PCT/NL2013/050746 WO2014065663A1 (en) 2012-10-25 2013-10-24 Apparatus and method for inspecting a surface of a sample

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150079808A true KR20150079808A (ko) 2015-07-08

Family

ID=47360260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157013723A KR20150079808A (ko) 2012-10-25 2013-10-24 샘플의 표면을 검사하는 장치 및 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9449789B2 (ko)
EP (1) EP2912442B1 (ko)
JP (1) JP6389465B2 (ko)
KR (1) KR20150079808A (ko)
CN (1) CN104903710B (ko)
IL (1) IL238425A0 (ko)
NL (1) NL2009696C2 (ko)
WO (1) WO2014065663A1 (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2012780B1 (en) 2014-05-08 2016-02-23 Univ Delft Tech Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams.
US10903042B2 (en) 2014-05-08 2021-01-26 Technische Universiteit Delft Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams
NL2013411B1 (en) * 2014-09-04 2016-09-27 Univ Delft Tech Multi electron beam inspection apparatus.
US9905391B2 (en) 2015-04-29 2018-02-27 Kla-Tencor Corporation System and method for imaging a sample with an electron beam with a filtered energy spread
US10192716B2 (en) 2015-09-21 2019-01-29 Kla-Tencor Corporation Multi-beam dark field imaging
US10460905B2 (en) 2015-09-23 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Backscattered electrons (BSE) imaging using multi-beam tools
KR20200007103A (ko) * 2015-11-30 2020-01-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전된 입자 빔의 장치
KR102480232B1 (ko) * 2016-01-27 2022-12-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전 입자 빔들의 장치
US9922796B1 (en) * 2016-12-01 2018-03-20 Applied Materials Israel Ltd. Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device
US10245448B2 (en) * 2017-07-21 2019-04-02 Varian Medical Systems Particle Therapy Gmbh Particle beam monitoring systems and methods
CN115206757A (zh) * 2017-08-02 2022-10-18 Asml荷兰有限公司 用于带电粒子浸没以增强电压对比缺陷信号的系统和方法
WO2019161297A1 (en) 2018-02-15 2019-08-22 Neiser Paul Apparatus and methods for selectively transmitting objects
US20190255536A1 (en) * 2018-02-17 2019-08-22 Paul NEISER Apparatus and method for filtering
EP3550585B1 (en) * 2018-04-05 2021-06-23 FEI Company Studying dynamic specimens in a transmission charged particle microscope
EP3579263A1 (en) * 2018-06-07 2019-12-11 FEI Company Improved multi-beam electron microscope
WO2020135963A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Asml Netherlands B.V. An apparatus for multiple charged-particle beams
US10748743B1 (en) * 2019-02-12 2020-08-18 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Device and method for operating a charged particle device with multiple beamlets
EP3703100A1 (en) * 2019-02-27 2020-09-02 FEI Company Charged particle beam device for inspection of a specimen with a plurality of charged particle beamlets
EP3716313A1 (en) * 2019-03-28 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Aperture array with integrated current measurement
US20200373115A1 (en) * 2019-05-23 2020-11-26 Fei Company Multi-beam scanning electron microscope
DE102019133658A1 (de) * 2019-12-10 2021-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer mikrostrukturierten Komponente
NL2024606B1 (en) 2020-01-06 2021-09-07 Delmic Ip B V Method and apparatus for inspecting a sample by means of multiple charged particle beamlets
EP3975222A1 (en) * 2020-09-24 2022-03-30 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
JP2023509397A (ja) 2020-01-06 2023-03-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子評価ツール、検査方法
EP3882951A1 (en) * 2020-03-19 2021-09-22 FEI Company Charged particle beam device for inspection of a specimen with a plurality of charged particle beamlets
EP4090421A4 (en) * 2020-04-17 2023-01-18 Shanghai United Imaging Healthcare Co., Ltd. SYSTEMS AND METHODS OF ELECTRON BEAM CONTROL IN RADIOTHERAPY
EP3937205A1 (en) * 2020-07-06 2022-01-12 ASML Netherlands B.V. Charged-particle multi-beam column, charged-particle multi-beam column array, inspection method
CN113555267A (zh) * 2021-06-22 2021-10-26 纳境鼎新粒子科技(广州)有限公司 电子显微镜系统

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4823006A (en) * 1987-05-21 1989-04-18 Electroscan Corporation Integrated electron optical/differential pumping/imaging signal detection system for an environmental scanning electron microscope
JP3321477B2 (ja) * 1993-04-09 2002-09-03 株式会社日立製作所 排気浄化装置の診断装置
US7425703B2 (en) * 2004-02-20 2008-09-16 Ebara Corporation Electron beam apparatus, a device manufacturing method using the same apparatus, a pattern evaluation method, a device manufacturing method using the same method, and a resist pattern or processed wafer evaluation method
EP1619495A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method and Apparatus for inspecting a specimen surface and use of fluorescent materials
US8039813B2 (en) * 2005-09-06 2011-10-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Charged particle-optical systems, methods and components
WO2008010777A1 (en) * 2006-07-21 2008-01-24 National University Of Singapore A multi-beam ion/electron spectra-microscope
CN100592065C (zh) * 2006-11-03 2010-02-24 中国科学院金属研究所 一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法
JP5227512B2 (ja) * 2006-12-27 2013-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置
WO2008101713A2 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Applied Materials Israel Ltd. High throughput sem tool
JP4451475B2 (ja) * 2007-10-03 2010-04-14 株式会社荏原製作所 試料面観察方法
JP5292412B2 (ja) * 2009-01-15 2013-09-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置
EP2365514B1 (en) * 2010-03-10 2015-08-26 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Twin beam charged particle column and method of operating thereof
DE102013014976A1 (de) * 2013-09-09 2015-03-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenoptisches System
US9263233B2 (en) * 2013-09-29 2016-02-16 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same
DE102013019855A1 (de) * 2013-11-25 2015-05-28 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Elektronenmikroskop
EP2879155B1 (en) * 2013-12-02 2018-04-25 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi-beam system for high throughput EBI
EP2887381B1 (en) * 2013-12-18 2016-09-21 Fei Company Method of investigating the wavefront of a charged-particle beam

Also Published As

Publication number Publication date
US20150270095A1 (en) 2015-09-24
CN104903710A (zh) 2015-09-09
IL238425A0 (en) 2015-06-30
WO2014065663A1 (en) 2014-05-01
US9449789B2 (en) 2016-09-20
EP2912442B1 (en) 2020-05-13
EP2912442A1 (en) 2015-09-02
CN104903710B (zh) 2017-11-07
JP2016502732A (ja) 2016-01-28
NL2009696C2 (en) 2014-04-29
JP6389465B2 (ja) 2018-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150079808A (ko) 샘플의 표면을 검사하는 장치 및 방법
US11657999B2 (en) Particle beam system and method for the particle-optical examination of an object
US10453649B2 (en) Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams
JP6268169B2 (ja) サンプルの表面を検査する装置および方法
JP2017017031A (ja) 適応２次荷電粒子光学系を用いて２次荷電粒子ビームを画像化するシステムおよび方法
US10903042B2 (en) Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams
US7105814B2 (en) Electron microscopy system and electron microscopy method
NL2033047B1 (en) Method for operating a multi-beam particle microscope in a contrast operating mode with defocused beam guiding, computer program product and multi-beam particle microscope
CN111755302A (zh) 用于通过多个带电粒子分束来检查样品的带电粒子束装置
JP2023537146A (ja) ミラー動作モードを有する複数粒子ビームシステム、ミラー動作モードを有する複数粒子ビームシステムを動作させる方法、および関連するコンピュータプログラム製品
JP2006156134A (ja) 反射結像型電子顕微鏡
TWI842995B (zh) 用於多束帶電粒子束系統的偵測器系統與粒子束系統

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid