KR20150076800A - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150076800A
KR20150076800A KR1020130165392A KR20130165392A KR20150076800A KR 20150076800 A KR20150076800 A KR 20150076800A KR 1020130165392 A KR1020130165392 A KR 1020130165392A KR 20130165392 A KR20130165392 A KR 20130165392A KR 20150076800 A KR20150076800 A KR 20150076800A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
space
opening
chamber
substrate
Prior art date
Application number
KR1020130165392A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102189151B1 (ko
Inventor
문형철
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020130165392A priority Critical patent/KR102189151B1/ko
Publication of KR20150076800A publication Critical patent/KR20150076800A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102189151B1 publication Critical patent/KR102189151B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명에 의하면, 상기 챔버의 내측벽과 인접하게 설치되어 상기 처리공간에서 생성된 공정부산물이 상기 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너, 그리고 상기 개구의 양측부 중 상기 처리공간에 인접한 측부를 개폐하는 도어 어셈블리를 포함하되, 상기 도어어셈블리는 내측도어 및 상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함하고, 상기 내측도어 및 상기 실린더는 상기 일측벽의 내부에 제공되고, 상기 처리공간을 향하는 면이 개방된 장착 공간에 배치되며, 상기 라이너는 상기 처리공간과 상기 장착 공간을 서로 차단시킨다. 이로 인해 처리공간에 형성된 기류가 개구로 유입되거나, 개구에 형성된 기류가 처리공간으로 유입되어 불균일한 기류가 발생되는 것을 차단할 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
도1은 일반적으로 플라즈마 장치를 보여주는 단면도이고, 도2은 도1의 챔버의 개구영역을 보여주는 단면도이다. 도1 및 도2를 참조하면, 챔버(2) 내에는 기판지지유닛에 의해 기판(W)이 지지되고, 챔버(2) 내에는 플라즈마가 공급된다. 챔버(2)의 일측벽에는 기판(W)이 반출입되는 개구(4)가 형성되고, 챔버(2)의 내부에는 라이너가 위치된다. 라이너는 챔버(2)의 내측벽을 감싸 이를 보호하도록 제공된다. 라이너는 배플링(8) 및 외측링(6)을 포함한다. 배플링(8)은 개구(4)와 대향되도록 챔버(2)와 기판지지유닛 사이에 위치된다. 외측링(6)은 배플링(8)의 외측단으로부터 위로 연장되게 제공되며, 개구(4)와 대향되는 영역에 슬릿홀이 형성된다. 이로 인해 챔버(2)의 내부공간은 배플링(8)에 의해 제공되는 공정공간(12)과 이의 아래영역인 배기공간(14)으로 구획된다. 개구(4)에는 셔터(10)가 위치되며, 셔터(10)는 개구(4)에서 승강 또는 하강된다. 승강위치로 위치된 셔터(!0)는 공정공간과 개구(4)를 서로 차단한다.
그러나 셔터(10)가 승강위치에 위치된 상태에서 배기공간(14)과 개구(4)의 하부영역이 서로 통하도록 제공된다. 이로 인해 배기공간(14)에는 와류를 형성하거나 배기기류의 일부가 개구(4)에 정체된다.
본 발명은 챔버 내에 발생된 공정부산물이 균일하게 배기되는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 챔버 내에 배기공간과 기판이 반출입되는 개구가 서로 통하도록 제공되어 불균일한 기류가 발생되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 내부에 처리공간을 제공하며, 일측벽에 기판이 반출입 가능한 개구가 형성되는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 처리공간에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 상기 챔버의 내측벽과 인접하게 설치되어 상기 처리공간에서 생성된 공정부산물이 상기 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너, 그리고 상기 개구의 양측부 중 상기 처리공간에 인접한 측부를 개폐하는 도어 어셈블리를 포함하되, 상기 도어어셈블리는 내측도어 및 상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함하고, 상기 내측도어 및 상기 실린더는 상기 일측벽의 내부에 제공되고, 상기 처리공간을 향하는 면이 개방된 장착 공간에 배치되며, 상기 라이너는 상기 처리공간과 상기 장착 공간을 서로 차단시킨다.
상기 라이너는 상기 기판지지유닛의 외측부와 대향되는 내측링, 상기 챔버의 내측벽과 대향되는 외측링, 그리고 상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하도록 상기 내측링 및 상기 외측링으로부터 연장되게 제공되며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 포함하되, 상기 배플링은 상기 외측링의 상단 및 하단 사이에 위치되고, 상기 라이너에서 상기 처리공간과 상기 장착공간을 차단시키는 영역은 상기 외측링 중 상기 배플링보다 아래에 위치되는 영역으로 제공될 수 있다.
선택적으로 상기 라이너는 상기 기판지지유닛의 외측부와 대향되는 내측링, 상기 챔버의 내측벽과 대향되는 외측링, 상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하도록 상기 내측링의 하단 및 상기 외측링의 하단으로부터 연장되게 제공되며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 포함하되, 상기 라이너에서 상기 처리공간과 상기 장착공간을 격리시키는 영역은 상기 외측링 중 상기 배플보다 위에 위치되는 영역으로 제공될 수 있다.
상기 개구는 서로 통하도록 제공되는 반출입공간과 상기 장착공간으로 제공되고, 상기 장착공간은 상기 반출입공간의 아래에 위치되며, 상기 외측링에는 상기 반출입공간과 대향되는 위치에 슬릿홀이 형성될 수 있다. 상기 실린더는 상기 내측도어는 개방위치 또는 차단위치로 이동시키되, 상기 개방위치는 상기 내측도어가 상기 장착위치에 배치되는 위치이고, 상기 차단위치는 상기 내측도어가 상기 반출입공간에 배치되는 위치로 제공될 수 있다.
또한 기판처리장치는 내부에 처리공간을 제공하며, 일측벽에 기판이 반출입 가능한 개구가 형성되는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 처리공간에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 상기 개구를 개폐하는 도어 어셈블리, 그리고 상기 처리공간에서 발생된 공정부산물이 상기 챔버의 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너를 포함하되, 상기 라이너는 상기 챔버의 내측벽을 감싸도록 제공되며, 상기 개구와 대향되게 위치되는 슬릿홀이 형성되는 외측링을 포함하되, 상기 슬릿홀은 상기 개구보다 작게 제공되고, 상기 외측링은 상기 슬릿홀을 제외한 상기 개구의 영역을 상기 처리공간과 차단하도록 제공된다.
상기 개구는 상기 슬릿홀과 대향되는 반출입공간과 상기 외측링의 외측면과 대향되는 장착공간을 가지며, 상기 도어 어셈블리는 내측도어 및 상기 내측도어가 상기 반출입공간 또는 상기 장착공간으로 이동되도록 상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함할 수 있다. 상기 라이너는 상기 기판지지유닛을 감싸는 내측링, 상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 더 포함하되, 상기 배플링은 상기 장착공간과 대향되게 위치될 수 있다.
선택적으로 상기 라이너는 상기 기판지지유닛을 감싸는 내측링, 상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 더 포함하되, 상기 배플링은 상기 장착공간보다 아래에 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 챔버 내에 제공된 처리공간과 챔버의 일측벽에 형성된 개구는 외측링 내측도어에 의해 서로 차단되므로, 처리공간에 형성된 기류가 개구로 유입되거나, 개구에 형성된 기류가 처리공간으로 유입되어 불균일한 기류가 발생되는 것을 차단할 수 있다.
도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 도1의 챔버의 개구를 확대해 보여주는 단면도이다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 라이너을 보여주는 사시도이다.
도5는 도3의 도어 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도6은 도5의 내측도어가 차단위치로 이동 시 형성되는 기류를 보여주는 단면도이다.
도7은 도3의 기판처리장치의 라이너의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 공정을 수행하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.
이하, 도3 내지 도7을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리장치는 챔버(100), 기판지지유닛(200), 가스공급유닛(300), 플라즈마소스(400), 라이너(500), 그리고 도어어셈블리(600)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간(112)을 제공한다. 챔버(100)는 몸체(110) 및 커버(120)를 포함한다. 몸체(110)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(110)의 상부를 개폐하도록 제공된다. 몸체(110)(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 몸체(110)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기라인을 통해 감압부재(160)에 연결된다. 감압부재(160)는 배기라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물은 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 몸체(110)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 수평방향을 향하도록 제공된다. 측부에서 바라볼 때 개구(130)는 챔버(100)의 원주방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 개구(130)가 형성되는 공간은 반출입공간(132) 및 장착공간(134)으로 제공된다. 반출입공간(132)은 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로서 기능한다. 장착공간(134)은 반출입공간(132)의 아래에 위치된다. 장착공간(134)은 반출입공간(132)과 통하도록 제공된다. 몸체(110)의 측벽에서 장착공간(134)을 형성하는 바닥면은 단차지도록 제공된다. 바닥면은 처리공간(112)을 향하는 내측부가 이의 외측부보다 낮은 높이를 가진다. 따라서 개구(130)의 양단부 중 처리공간(112)을 향하는 내측부의 개방된 영역은 챔버의 외부를 향하는 외측부의 개방된 영역보다 크게 제공된다.
기판지지유닛(200)은 처리공간(112)에서 기판(W)을 지지한다. 기판지지유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판지지유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 유전판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(210)의 상단은 챔버의 개구(130)와 대향되는 높이를 가질 수 있다. 유전판(210)의 상면에는 핀홀들(미도시)이 형성된다. 핀홀들은 복수 개로 제공된다. 예컨대 핀홀들은 3 개로 제공되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 핀홀들 각각에는 리프트핀(미도시)이 위치되며, 리프트핀은 승강이동될 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 하부전극(212)이 설치된다. 하부전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측포커스링(252) 및 외측포커스링(254)을 포함한다. 내측포커스링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측포커스링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측포커스링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측포커스링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측포커스링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측포커스링(254)은 내측포커스링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측포커스링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측포커스링(252)과 인접하게 위치된다. 외측포커스링(254)의 상면은 내측포커스링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 일 예에 의하면, 외측포커스링(254)의 상단은 센싱홀(110)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 외측포커스링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
가스공급유닛(300)은 기판지지유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정가스를 공급한다. 가스공급유닛(300)은 가스저장부(350), 가스공급라인(330), 그리고 가스유입포트(310)를 포함한다. 가스공급라인(330)은 가스저장부(350)와 가스유입포트(310)를 연결한다. 가스저장부(350)에 저장된 공정가스는 가스공급라인(330)을 통해 가스유입포트(310)으로 공급한다. 가스공급라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리공간(112)에 방전공간을 형성한다. 방전공간 내에 머무르는 공정가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
라이너(500)는 챔버의 내측벽을 보호한다. 도4는 도3의 라이너를 보여주는 사시도이다. 도3 및 도4를 참조하면, 라이너(500)는 내측링(510), 외측링(530), 그리고 배플링(550)을 포함한다. 내측링(510)은 기판지지유닛의 외측부를 감싸도록 제공된다. 내측링(510)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 내측링(510)은 유전판(210) 및 베이스의 외측면을 감싸도록 제공된다.
외측링(530)은 챔버의 내측벽을 감싸도록 제공된다. 외측링(530)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 외측링(530)은 내측링(510)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 외측링(530)은 챔버의 내측벽과 인접하게 위치된다. 이는 외측링(530)이 내측링(510)을 감싸는 형상으로 제공된다. 외측링(530)의 외측면 중 이의 상부영역은 외측방향으로 돌출되게 제공된다. 돌출영역은 몸체(110)의 상단에 걸치도록 제공된다. 외측링(530)에는 슬릿홀(532)이 형성된다. 슬릿홀(532)은 개구(130)와 대향되게 위치된다. 슬릿홀(532)은 개구(130)보다 작은 크기를 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 슬릿홀(532)은 개구(130)의 반출입공간(132)과 대향되게 위치될 수 있다. 따라서 측부에서 바라볼 때, 개구(130)의 장착공간(134)은 외측링(530)의 외측벽에 의해 가려지도록 제공된다.
배플링(550)은 내측링(510)과 외측링(530)을 서로 간에 연결한다. 배플링(550)은 외측링(530)의 상단과 하단 사이에 위치된다. 배플링(550)은 내측링(510)과 외측링(530) 각각으로부터 연장되게 제공된다. 배플링(550)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 또한 배플링(550)은 판 형상을 가지도록 제공된다. 배플링(550)에는 복수의 배플홀(552)들이 형성된다. 배플홀(552)들은 배플링(550)의 원주방향을 따라 순차적으로 배열된다. 배플홀(552)들 각각은 배플링(550)의 반경방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 각각의 배플홀(552)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 챔버(100) 내에 제공된 처리공간(112)은 배플링(550)에 의해 공정공간(114) 및 배기공간(116)으로 구획한다. 여기서 공정공간(114)은 배플링(550)을 기준으로 배플링(550)이 상부공간에 해당되는 영역이고, 배기공간(116)은 배플링(550)을 기준으로 배플링(550)의 하부공간에 해당되는 영역으로 정의한다. 일 예에 의하면, 배플링(550)은 개구(130)의 장착공간(134)과 대향되게 위치될 수 있다.
도어어셈블리(600)는 챔버의 개구(130)를 개폐한다. 도어어셈블리(600)는 챔버의 개구(130)를 2 중 차단한다. 도5는 도3의 도어어셈블리를 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 도어어셈블리(600)는 외측개폐부재(610) 및 내측개폐부재(630)를 포함한다. 외측개폐부재(610)는 외측도어(610) 및 구동부재(미도시)를 포함한다. 외측도어(610)는 챔버(100)의 외측면에 인접하게 위치된다. 외측도어(610)는 구동부재(미도시)에 의해 상하방향으로 이동 가능하다. 구동부재(미도시)는 외측도어(610)를 승강위치 또는 하강위치로 이동시킨다. 여기서 승강위치는 개구(130)와 챔버(100)의 외부영역을 서로 차단하는 위치이고, 하강위치는 개구(130)와 그 외부영역이 서로 통하도록 제공되는 위치이다.
내측개폐부재(630) 개구(130)를 개폐한다. 내측개폐부재(630)는 개구(130)에 위치된다. 내측개폐부재(630)는 내측도어(632) 및 구동부재(636)를 포함한다. 내측도어(632)는 장착공간(134)에 위치된다. 내측도어(632)는 개구(130)에서 이의 내측부와 인접하게 위치된다. 내측도어(632)는 외측링(530)과 인접하게 위치된다. 내측도어(632)는 수직판(634) 및 수평판(633)을 가진다. 수직판(634)은 개구(130)를 형성하는 바닥면의 단차진 영역에 위치된다. 수평판(633)은 수직판(634)의 상단으로부터 수직하게 연장된다. 수직판(634)은 수평판(633)을 기준으로 처리공간(112)을 향하는 방향과 반대방향을 향하도록 연장된다. 내측도어(632)는 구동부재(636)에 의해 상하방향으로 이동 가능하다. 내측도어(632)는 구동부재(636)에 의해 개방위치 또는 차단위치로 이동 가능하다. 예컨대 구동부재(636)는 실린더일 수 있다. 여기서 개방위치는 내측도어(632)가 반출입공간(132)으로 이동되는 위치이고, 차단위치는 내측도어(632)가 장착공간(134)로 이동되는 위치이다. 차단위치에 위치된 내측도어(632)는 외측링(530)의 슬릿홀(532)을 차단할 수 있다.
다음은 상술한 기판처리장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다.
외측도어(610)는 하강위치로 이동되고, 내측도어(632)는 개방위치로 이동되어 개구(130)를 개방한다. 기판은 반출입공간(132)을 통해 처리공간(112)으로 반입되어 유전판(210)에 놓여진다. 내측도어(632)는 차단위치로 이동되고, 외측도어(610)는 승강위치로 이동되어 개구(130)를 닫는다. 가스공급유닛은 처리공간(112)에 공정가스를 공급하고, 그 공정가스는 플라즈마 소스에 의해 플라즈마로 여기된다. 플라즈마는 기판(W)으로 공급되고, 공정공간(114)에 발생된 공정부산물은 배플홀(552)을 통해 배기공간(116)으로 배기된다. 도6은 도5의 내측도어가 차단위치로 이동 시 형성되는 기류를 보여주는 단면도이다. 도6을 참조하면, 배기공간(116)에서 형성된 배기기류는 라이너(500)에 차단되어 개구(130)로 유입되지 않는다. 이로 인해 배기기류는 배기공간(116)에서 균일한 상태로 배기된다. 플라즈마 공정이 완료되면, 내측도어(632)는 개방위치로 이동되고, 외측도어(610)는 하강위치로 이동된다. 기판(W)은 개구(130)를 통해 처리공간(112)으로부터 반출된다.
본 실시예에는 배플링(550)이 외측링(530)의 상단과 하단 사이에 위치되어 개구(130)의 장착공간(134)과 대향되도록 위치되는 것으로 설명하였다. 그러나 배플링(550)은 장착공간(134)보다 아래에 위치될 수 있다. 도7과 같이, 배플링(550)은 외측링(530)의 하단 및 내측링(510)의 하단 각각으로부터 연장되게 제공될 수 있다. 내측링(510), 외측링(530), 그리고 배플링(550)은 서로 조합되어 상부가 개방된 컵 형상으로 제공될 수 있다. 배플링(550)은 개구(130)의 장착공간(134)보다 아래에 위치될 수 있다.
또한 플라즈마 소스(400)는 용량결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 용량결합형 플라즈마는 챔버(100)의 내부에 위치하는 제1전극 및 제2전극을 포함할 수 있다. 제1전극 및 제2전극은 챔버의 내부에서 상부와 하부에 각각 배치되고, 각각의 전극은 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
100: 챔버 200: 기판지지유닛
300: 가스공급유닛 400: 플라즈마 소스
500: 라이너 530: 외측링
550: 배플링 600: 도어 어셈블리

Claims (2)

  1. 내부에 처리공간을 제공하며, 일측벽에 기판이 반출입 가능한 개구가 형성되는 챔버와;
    상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛과;
    상기 처리공간에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛과;
    상기 챔버의 내측벽과 인접하게 설치되어 상기 처리공간에서 생성된 공정부산물이 상기 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너와;
    상기 개구의 양측부 중 상기 처리공간에 인접한 측부를 개폐하는 도어 어셈블리를 포함하되,
    상기 도어어셈블리는,
    내측도어와;
    상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함하고,
    상기 내측도어 및 상기 실린더는 상기 일측벽의 내부에 제공되고, 상기 처리공간을 향하는 면이 개방된 장착 공간에 배치되며,
    상기 라이너는 상기 처리공간과 상기 장착 공간을 서로 차단시키는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 라이너는,
    상기 기판지지유닛의 외측부와 대향되는 내측링과;
    상기 챔버의 내측벽과 대향되는 외측링과;
    상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하도록 상기 내측링 및 상기 외측링으로부터 연장되게 제공되며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 포함하되,
    상기 배플링은 상기 외측링의 상단 및 하단 사이에 위치되고, 상기 라이너에서 상기 처리공간과 상기 장착공간을 차단시키는 영역은 상기 외측링 중 상기 배플링보다 아래에 위치되는 영역으로 제공되는 기판처리장치.

KR1020130165392A 2013-12-27 2013-12-27 기판처리장치 KR102189151B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130165392A KR102189151B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130165392A KR102189151B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150076800A true KR20150076800A (ko) 2015-07-07
KR102189151B1 KR102189151B1 (ko) 2020-12-09

Family

ID=53789694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130165392A KR102189151B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102189151B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180047236A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US20190131146A1 (en) * 2017-10-26 2019-05-02 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
KR20190135169A (ko) * 2018-05-28 2019-12-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20200049739A (ko) * 2017-10-26 2020-05-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10950419B2 (en) 2017-08-22 2021-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Shrouds and substrate treating systems including the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070004305A (ko) * 2005-07-04 2007-01-09 주식회사 아이피에스 건식식각장치
KR20070055075A (ko) * 2005-11-25 2007-05-30 주성엔지니어링(주) 배플
CN101206999A (zh) * 2006-12-18 2008-06-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 内衬及包含该内衬的反应腔室
KR20090126054A (ko) * 2008-06-03 2009-12-08 주식회사 테스 반도체 제조 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070004305A (ko) * 2005-07-04 2007-01-09 주식회사 아이피에스 건식식각장치
KR20070055075A (ko) * 2005-11-25 2007-05-30 주성엔지니어링(주) 배플
CN101206999A (zh) * 2006-12-18 2008-06-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 内衬及包含该内衬的反应腔室
KR20090126054A (ko) * 2008-06-03 2009-12-08 주식회사 테스 반도체 제조 장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180047236A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US10950419B2 (en) 2017-08-22 2021-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Shrouds and substrate treating systems including the same
US20190131146A1 (en) * 2017-10-26 2019-05-02 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
CN109712909A (zh) * 2017-10-26 2019-05-03 细美事有限公司 基板处理装置和基板处理方法
KR20200049739A (ko) * 2017-10-26 2020-05-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11049737B2 (en) 2017-10-26 2021-06-29 Semes Co. Ltd. Apparatus and method for treating substrate
KR20190135169A (ko) * 2018-05-28 2019-12-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102189151B1 (ko) 2020-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108878247B (zh) 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备
CN111430232B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台
KR101909478B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20150076800A (ko) 기판처리장치
KR102092150B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20170024215A (ko) 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR101974420B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102330281B1 (ko) 정전 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102278077B1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102278074B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102037169B1 (ko) 기판처리장치
KR102323320B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101966800B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101853367B1 (ko) 배기 배플, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102310460B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102186071B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20190046327A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101605719B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102477910B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102222460B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20130125528A (ko) 기판처리장치
KR20180014900A (ko) 기판처리장치
US9117633B2 (en) Plasma processing apparatus and processing gas supply structure thereof
KR101909484B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102239116B1 (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant