KR20150075955A - Apparatus for treating a large area substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for treating a large-area substrate. More specifically, the purpose of the present invention is to provide a large-area substrate having the arrangement of shower holes, which are formed on a shower head, formed differently for each region of the shower head. For the purpose, the apparatus for treating a large-area substrate according to the present invention comprises; a chamber having a reaction space; a substrate supporting part for supporting a large-area substrate; a diffuser cover mounted on the upper end of the substrate supporting part inside the chamber and supplying gas to be deposited on the large-area substrate; a shower head having multiple shower holes formed thereon, mounted on the lower end of the diffuser cover, and spraying the gas through the shower holes toward the substrate supporting part; and a fixing bolt mounted between the shower head and the diffuser cover to connect the shower head to the diffuser cover, wherein the arrangement of the shower holes is different for each region of the shower head.

Description

대면적기판 처리장치{APPARATUS FOR TREATING A LARGE AREA SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR TREATING A LARGE AREA SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판에 가스를 분사하여 상기 기판에 박막을 형성하는 기판 처리장치에 관한 것으로서, 특히, 대면적기판에 가스를 분사하는, 대면적기판 처리장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for forming a thin film on a substrate by spraying a gas onto the substrate, and more particularly, to a large-area substrate processing apparatus for spraying a gas onto a large-

휴대전화, 테블릿PC, 노트북 등을 포함한 다양한 종류의 전자제품에는 평판표시장치(FPD : Flat Panel Display)가 이용되고 있다. 평판표시장치에는, 액정표시장치(LCD : Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 표시장치(PDP : Plasma Display Device), 유기발광표시장치(OLED : Organic Light Emitting Display Device) 등이 있으며, 최근에는 전기영동표시장치(EPD : ELECTROPHORETIC DISPLAY)도 널리 이용되고 있다. Flat panel displays (FPDs) are used in various types of electronic products including mobile phones, tablet PCs, and notebook computers. Examples of flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a plasma display device (PDP), and an organic light emitting display (OLED) Device (EPD: electrophoretic display) is also widely used.

평판표시장치(이하, 간단히 '표시장치'라 함)들 중에서, 액정표시장치는 양산화 기술, 구동 수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 장점으로 인하여 현재 가장 널리 상용화되고 있다. Of the flat panel display devices (hereinafter, simply referred to as 'display devices'), liquid crystal displays are most widely commercialized at present because of their advantages of mass production technology, ease of driving means, and high image quality.

표시장치들 중에서, 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는, 1ms 이하의 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮기 때문에, 차세대 표시장치로 주목받고 있다.Of the display devices, an organic light emitting display device has been attracting attention as a next generation display device because it has a high response speed of 1 ms or less and low power consumption.

최근 들어, 상기한 바와 같은 표시장치의 면적이 커짐에 따라, 상기 표시장치를 구성하는 패널의 면적 역시 커지고 있다. 대면적을 갖는 상기 패널은, 대면적기판에 다양한 종류의 박막들이 형성되는 것에 의해 제조된다. In recent years, as the area of the display device as described above increases, the area of the panel constituting the display device also increases. The panel having a large area is manufactured by forming various kinds of thin films on a large-area substrate.

다양한 종류의 상기 박막들은, 물리 기상 증착(PVD : Physical Vapor Deposition)(이하, 간단히 'PVD'라 함) 방법, 또는, 화학 기상 증착(CVD : Metal Organic Chemical Vapor Deposition)(이하, 간단히 'CVD'라 함) 방법과 같은 다양한 증착 방법에 의해, 상기 대면적기판에 증착될 수 있다.
Various types of the thin films can be formed by a physical vapor deposition (PVD) method or a CVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) (Hereinafter, referred to as " deposition method ").

도 1은 종래의 기판 처리장치의 일실시예 구성도로서, 특히, 상기 화학 기상 증착 방법을 이용하고 있는 CVD 장치의 일실시예 구성도이다. 도 2는 도 1에 도시된 종래의 기판 처리장치에 적용되는 샤워헤드의 평면도이다. FIG. 1 is a schematic view of an embodiment of a conventional substrate processing apparatus, particularly a CVD apparatus using the chemical vapor deposition method. FIG. 2 is a plan view of a showerhead applied to the conventional substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG.

종래의 기판 처리장치 중, 상기 CVD 방법을 이용하는 종래의 CVD 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판을 지지하는 기판 지지부(미도시), 상기 기판에 증착될 가스가 공급되는 가스공급관(70)이 장착되어 있는 디퓨저 커버(60), 연결부(30)에 의해 상기 디퓨저 커버(60)의 하단에 장착되어 있고, 상기 디퓨저 커버(60)와 일정 간격 이격되어 있으며, 상기 기판으로 상기 가스를 분사하기 위한 샤워헤드(20)를 포함하고 있다. 1, a conventional CVD apparatus using the CVD method includes a substrate support (not shown) for supporting a substrate, a gas supply pipe 70 for supplying a gas to be deposited on the substrate, The diffuser cover 60 and the connecting portion 30 are mounted on the lower end of the diffuser cover 60 and spaced apart from the diffuser cover 60 by a predetermined distance, And a showerhead 20 for supplying the water.

상기 디퓨저 커버(60)는 미도시된 챔버 내부에서, 상기 챔버에 장착되어 있다. 상기 디퓨저 커버(60)에는 상기 가스공급관(70)이 장착되어 있으며, 상기 가스공급관(70)과 연결되어 있는 가스공급부(미도시)로부터 공급된 가스는 상기 가스공급관(70)을 통해, 상기 디퓨저 커버(60)와 상기 샤워헤드(20) 사이에 형성되는 확산공간(40)으로 주입된다. The diffuser cover 60 is mounted in the chamber, not shown. The gas supply pipe 70 is mounted on the diffuser cover 60. The gas supplied from a gas supply unit (not shown) connected to the gas supply pipe 70 flows through the gas supply pipe 70, Is injected into the diffusion space (40) formed between the cover (60) and the showerhead (20).

상기 샤워헤드(20)는 상기 확산공간(40)으로 주입된 상기 가스를, 샤워홀(21)을 통해 상기 챔버(미도시) 내부로 분사하는 기능을 수행한다. 이를 위해, 상기 샤워헤드(20)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 복수의 샤워홀(21)이 형성되어 있다. The showerhead 20 functions to inject the gas injected into the diffusion space 40 into the chamber (not shown) through the shower hole 21. To this end, the showerhead 20 is provided with a plurality of shower holes 21 as shown in Fig.

상기한 바와 같이 구성되어 있는 종래의 기판 처리장치에서는, 상기 디퓨저 커버(60)와 상기 기판 지지부(미도시) 사이에 전원이 공급되며, 상기 전원에 의해 상기 샤워헤드(20)와 상기 기판 지지부 사이에 전기장이 형성된다. 이 경우, 상기 전원으로는 일반적으로 교류전원이 이용된다. 상기 샤워헤드(20)의 상기 샤워홀(21)을 통과한 상기 가스는, 상기 전기장에 의해 상기 기판 지지부 방향으로 이동되어, 상기 기판 지지부에 놓여져 있는 상기 기판에 증착된다. In the conventional substrate processing apparatus configured as described above, power is supplied between the diffuser cover 60 and the substrate supporting unit (not shown), and the power is supplied between the showerhead 20 and the substrate supporting unit An electric field is formed. In this case, an AC power source is generally used as the power source. The gas that has passed through the shower hole 21 of the showerhead 20 is moved toward the substrate supporting portion by the electric field and is deposited on the substrate placed on the substrate supporting portion.

상기한 바와 같이, 표시장치의 면적이 커짐에 따라, 상기 표시장치를 구성하는 패널의 면적 역시 커지고 있으며, 상기 패널을 구성하는 기판의 크기 역시 대면적화되고 있다. 이 경우, 상기 기판 처리장치의 상기 기판 지지부에도 대면적화된 기판(이하, 간단히 '대면적기판'이라 함)이 놓여지고 있다. 따라서, 상기 기판 처리장치의 전체적인 크기도 커지고 있다. 이에 따라, 상기 기판 지지부(미도시), 상기 샤워헤드(20) 및 상기 디퓨저 커버(60)의 면적도 커지고 있다. As described above, as the area of the display device increases, the area of the panel constituting the display device also increases, and the size of the substrate constituting the panel also becomes larger. In this case, a substrate (hereinafter, simply referred to as a large-area substrate) is placed on the substrate supporting portion of the substrate processing apparatus. Therefore, the overall size of the substrate processing apparatus is also increasing. Accordingly, the area of the substrate support (not shown), the showerhead 20, and the diffuser cover 60 is also increased.

상기 샤워헤드(20) 및 상기 디퓨저 커버(60)의 면적이 커짐에 따라, 상기 샤워헤드(20)의 중심부분에서 분사되는 가스의 양과, 상기 샤워헤드(20)의 외곽부분에서 분사되는 가스의 양에 차이가 발생되고 있으며, 상기 차이에 의해, 상기 대면적기판에 증착되는 박막의 균일도가 저하되고 있다. As the area of the showerhead 20 and the diffuser cover 60 increases, the amount of gas injected from the center portion of the showerhead 20 and the amount of gas injected from the outer portion of the showerhead 20 And the uniformity of the thin film deposited on the large area substrate is lowered due to the difference.

예를 들어, 종래의 대면적 처리기판에는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 샤워헤드(20)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(21)들의 크기가 일정하며, 상기 샤워홀(21)들이 상기 샤워헤드(20)의 전면에 일정한 간격으로 형성되어 있다. For example, in a conventional large-area processing board, as shown in FIGS. 1 and 2, the shower holes 21 formed in the shower head 20 are constant in size, and the shower holes 21 Are formed on the front surface of the shower head 20 at regular intervals.

또한, 상기 가스는 상기 디퓨저 커버(60)의 중심부분에 장착되어 있는 상기 가스공급관(70)을 통해 상기 확산공간(40)으로 주입된 후, 상기 확산공간(40)에서 확산된다. 상기 가스가 확산된다고 하더라도, 상기 확산공간(40)의 중심부분(X)과 상기 확산공간의 외곽부분(Y)의 가스밀도가 균일해 지기는 어렵다. Further, the gas is injected into the diffusion space 40 through the gas supply pipe 70 mounted at the central portion of the diffuser cover 60, and then diffused in the diffusion space 40. It is difficult for the gas density of the central portion X of the diffusion space 40 and the outer portion Y of the diffusion space to become uniform even if the gas is diffused.

따라서, 상기 샤워헤드(20)의 중심부분(X)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(21)을 통해 분사되는 가스의 양과, 상기 샤워헤드(20)의 외곽부분(Y)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(21)을 통해 분사되는 가스의 양이 다르며, 이에 따라, 상기 가스에 의해 상기 대면적기판에 증착되는 박막의 균일도가 저하된다. 즉, 상기 대면적기판 중, 상기 가스가 많이 분사되는 상기 샤워헤드(20)의 중심부분(X)에 대응되는 중심영역에는 많은 상기 가스에 의해 박막이 두껍게 증착되며, 상기 가스가 적게 분사되는 상기 샤워헤드(20)의 외곽부분(Y)에 대응되는 외곽영역에는 적은 상기 가스에 의해 박막이 얇게 증착되어, 상기 대면적기판의 박막의 균일도가 저하된다. The amount of gas injected through the shower hole 21 formed in the central portion X of the shower head 20 and the amount of gas injected through the shower 30 formed in the outer portion Y of the shower head 20 The amount of the gas injected through the holes 21 is different, and the uniformity of the thin film deposited on the large-area substrate is lowered by the gas. That is, in the central area corresponding to the center portion X of the showerhead 20 in which the gas is injected in a large amount, the thin film is deposited thickly by a large amount of the gas, The thin film is thinly deposited by the small amount of gas in the outer region corresponding to the outer portion Y of the showerhead 20 and the uniformity of the thin film of the large area substrate is lowered.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 샤워헤드에 형성되는 샤워홀들의 배치형태가, 상기 샤워헤드의 각 영역별로 다르게 형성되어 있는, 대면적기판 처리장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a large-area substrate processing apparatus in which the arrangement of shower holes formed in a showerhead is different for each region of the showerhead. do.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치는, 반응공간을 갖는 챔버; 대면적기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 지지부의 상단에 장착되며, 상기 대면적기판에 증착될 가스를 공급하는 디퓨저 커버; 복수의 샤워홀들이 형성되어 있고, 상기 디퓨저 커버의 하단에 장착되어 있으며, 상기 가스를 상기 샤워홀들을 통해 상기 기판 지지부 방향으로 분사하기 위한 샤워헤드; 및 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버의 사이에 장착되어 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버를 연결시키는 고정볼트를 포함하며, 상기 샤워홀들의 배치형태는, 상기 샤워헤드의 각 영역별로, 다른 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a large-area substrate processing apparatus including: a chamber having a reaction space; A substrate support for supporting a large area substrate; A diffuser cover mounted within the chamber to the top of the substrate support and supplying a gas to be deposited on the large area substrate; A showerhead having a plurality of shower holes formed therein and mounted at a lower end of the diffuser cover for spraying the gas in the direction of the substrate support through the shower holes; And a fixing bolt mounted between the showerhead and the diffuser cover and connecting the showerhead to the diffuser cover, wherein the arrangement of the shower holes is different for each area of the showerhead .

본 발명에 의하면, 대면적기판에 형성되는 박막의 두께의 균일도가 개선될 수 있다. According to the present invention, the thickness uniformity of a thin film formed on a large area substrate can be improved.

도 1은 종래의 기판 처리장치의 일실시예 구성도.
도 2는 도 1에 도시된 종래의 기판 처리장치에 적용되는 샤워헤드의 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치의 일실시예 구성도.
도 4는 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 디퓨저 커버 및 샤워헤드를 나타낸 예시도.
도 5는 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 샤워헤드의 평면도.
도 6은 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 샤워헤드의 또 다른 평면도. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram of a conventional substrate processing apparatus. FIG.
2 is a plan view of a showerhead applied to the conventional substrate processing apparatus shown in Fig.
3 is a block diagram of a large-area substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is an exemplary view showing a diffuser cover and a showerhead applied to a large area substrate processing apparatus according to the present invention.
5 is a plan view of a showerhead applied to a large area substrate processing apparatus according to the present invention.
6 is another plan view of a showerhead applied to a large area substrate processing apparatus according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치의 일실시예 구성도이다. 3 is a block diagram of a large-area substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

액정표시장치(LCD) 또는 유기발광표시장치(OLED) 등과 같은 표시장치의 크기가 커짐에 따라, 상기 표시장치를 구성하는 패널의 면적 역시 커지고 있다. As the size of a display device such as a liquid crystal display device (LCD) or an organic light emitting display device (OLED) increases, the area of the panel constituting the display device also increases.

따라서, 대면적의 상기 패널(이하, 간단히 '대면적패널'이라 함)을 구성하는 기판역시 대면적화되고 있다. 대면적화된 기판은 이하에서 간단히 대면적기판이라 한다. 이하에서는, 상기 대면적기판이 상기 대면적패널을 구성하는 기판인 경우를 일예로 하여 본 발명이 설명된다. 그러나, 상기 대면적기판은 반도체 제조공정에 이용되는 기판일 수도 있다. Therefore, the substrate constituting the large-area panel (hereinafter, simply referred to as a large-area panel) is also becoming larger. The oversized substrate is hereinafter simply referred to as a large-area substrate. Hereinafter, the present invention will be described as an example in which the large-area substrate is a substrate constituting the large-area panel. However, the large area substrate may be a substrate used in a semiconductor manufacturing process.

상기 대면적기판에 다양한 종류의 박막들이 형성됨으로써, 상기 대면적패널이 제조되고 있다.The large-area panel is manufactured by forming various kinds of thin films on the large-area substrate.

상기 대면적기판에 상기 박막들을 증착하는 방법에는, 물리 기상 증착(PVD : Physical Vapor Deposition)(이하, 간단히 'PVD'라 함) 방법, 또는, 화학 기상 증착(CVD : Metal Organic Chemical Vapor Deposition)(이하, 간단히 'CVD'라 함) 방법 등이 있다. Methods for depositing the thin films on the large-area substrate include physical vapor deposition (PVD) (hereinafter simply referred to as 'PVD') or chemical vapor deposition (CVD) Hereinafter, simply referred to as " CVD ").

상기 대면적기판에 박막이 증착됨에 따라, 상기 대면적기판에 박막을 증착시키는 상기 증착장치(이하, 간단히 '대면적기판 처리장치'라 함)들의 규모 역시 커지고 있다.As a thin film is deposited on the large-area substrate, the size of the deposition apparatus (hereinafter simply referred to as a large-area substrate processing apparatus) for depositing a thin film on the large-area substrate is also increasing.

본 발명에 따른 대면적기판 처리장치는, 가스를 공급하여 상기 대면적기판 상에 박막을 형성하는 장치로서, 예를 들어, 상기 CVD 방법을 이용하는 장치(이하, 간단히 'CVD 장치'라 함)가 될 수 있고, 또는, 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD : Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하는 장치(이하, 간단히 'MOCVD 장치'라 함)가 될 수 있으며, 이외에도 다양한 장치들이 될 수 있다. The large-area substrate processing apparatus according to the present invention is an apparatus for forming a thin film on the large-area substrate by supplying gas. For example, an apparatus using the CVD method (hereinafter simply referred to as a "CVD apparatus" Or may be a device using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method (hereinafter, simply referred to as an 'MOCVD device'), or may be various devices.

본 발명에 따른 대면적기판 처리장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 반응공간을 갖는 챔버(110), 대면적기판(200)을 지지하는 기판 지지부(190), 상기 챔버(110)의 내부에서 상기 기판 지지부(190)의 상단에 장착되며, 상기 대면적기판(200)에 증착될 가스를 공급하는 디퓨저 커버(160), 복수의 샤워홀(121)들이 형성되어 있고, 상기 디퓨저 커버(160)의 하단에 장착되어 있으며, 상기 가스를 상기 샤워홀(121)들을 통해 상기 기판 지지부(190) 방향으로 분사하기 위한 샤워헤드(120) 및 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160)의 사이에 장착되어 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160)를 연결시키는 고정볼트(180)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the large-area substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber 110 having a reaction space, a substrate support 190 for supporting a large-area substrate 200, A diffuser cover 160 mounted on an upper end of the substrate supporter 190 for supplying a gas to be deposited on the large area substrate 200 and a plurality of shower holes 121 are formed, A showerhead 120 for spraying the gas in the direction of the substrate support 190 through the shower holes 121 and a showerhead 120 for spraying the showerhead 120 and the diffuser cover 160 And a fixing bolt (180) mounted between the shower head (120) and the diffuser cover (160).

여기서, 상기 샤워홀들의 배치형태는, 상기 샤워헤드(120)의 각 영역별로, 다르게 형성되어 있다.
Here, the arrangement of the shower holes is different for each region of the showerhead 120.

우선, 상기 챔버(110)는, 밀폐된 공간을 형성하고 있다. 상기 밀폐된 공간에는, 상기 디퓨저 커버(160), 상기 샤워헤드(120) 및 상기 기판 지지부(190)가 장착되어 있다. 상기 샤워헤드(120)로부터 분사된 상기 가스는 상기 밀폐된 공간을 통해 상기 기판 지지부(190) 방향으로 이동되어, 상기 기판 지지부(190)에 배치되어 있는 상기 대면적기판(200)에 증착된다. First, the chamber 110 forms a closed space. In the closed space, the diffuser cover 160, the showerhead 120, and the substrate support 190 are mounted. The gas injected from the showerhead 120 is moved in the direction of the substrate support 190 through the closed space and deposited on the large area substrate 200 disposed on the substrate support 190.

상기 가스가 상기 대면적기판(200)에 증착됨으로써, 상기 박막이 형성된다. The gas is deposited on the large-area substrate 200, thereby forming the thin film.

상기 챔버(110)에는 상기 대면적기판(200)이 유입 또는 유출되는 도어(미도시)가 형성되어 있다.
The chamber 110 is formed with a door (not shown) through which the large-area substrate 200 flows or flows.

다음, 상기 디퓨저 커버(160)는, 상기 디퓨저 커버(160)의 외곽 방향에서, 상기 챔버(110)의 측면들로부터 돌출되거나, 또는 상기 측면들에 장착되어 있는 지지부(150)에 의해, 상기 챔버(110)의 내부에 장착될 수 있다.Next, the diffuser cover 160 is supported by the support 150 protruding from the side surfaces of the chamber 110 or mounted on the side surfaces in the outward direction of the diffuser cover 160, (Not shown).

상기 디퓨저 커버(160)에는 가스가 공급되는 가스공급관(170)이 장착되어 있다. 상기 가스공급관(170)은 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분에 장착될 수 있다.The diffuser cover 160 is equipped with a gas supply pipe 170 through which gas is supplied. The gas supply pipe 170 may be mounted at a central portion of the diffuser cover 160.

상기 가스공급관(170)은 상기 챔버(110)의 외부에 구비되어 있는 가스공급부(미도시)와 연결되어 있다. 상기 가스공급부(미도시)는 상기 박막의 증착에 이용되는 가스를 상기 가스공급관(170)으로 공급한다.The gas supply pipe 170 is connected to a gas supply unit (not shown) provided outside the chamber 110. The gas supply unit (not shown) supplies gas used for deposition of the thin film to the gas supply pipe 170.

상기 가스에는, 상기 박막의 구성에 따라, 적어도 하나 이상의 서로 다른 가스들이 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 가스공급부는 적어도 하나 이상의 서로 다른 가스들을 개별적으로 상기 가스공급관(170)으로 공급할 수 있다. The gas may include at least one or more different gases depending on the configuration of the thin film. In this case, the gas supply unit may separately supply at least one or more different gases to the gas supply pipe 170.

상기 디퓨저 커버(160)는 상기에서 설명된 바와 같이, 상기 챔버(110)의 측면에 장착되어 있는 상기 지지부(150)에 의해 상기 챔버(110)의 내부에 장착될 수 있으나, 추가적으로, 챔버볼트(300)에 의해 상기 챔버(110)에 장착될 수 있다.The diffuser cover 160 may be mounted inside the chamber 110 by the support 150 mounted on the side of the chamber 110 as described above, 300 to the chamber 110.

상기 디퓨저 커버(160)가, 상기 디퓨저 커버(160)의 외곽부에 장착되어 있는 상기 지지부(150)에 의해서만 상기 챔버(100)에 장착되어 있는 경우, 상기 디퓨저 커버(160)의 무게에 의해, 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분이 상기 기판 지지부(190) 방향으로 처질 수 있다.When the diffuser cover 160 is attached to the chamber 100 only by the support portion 150 mounted on the outer frame portion of the diffuser cover 160 according to the weight of the diffuser cover 160, The central portion of the diffuser cover 160 may be deformed in the direction of the substrate support 190.

예를 들어, 상기 대면적기판(200)에 상기 박막을 형성하기 위해서는, 상기 디퓨저 커버(160) 및 상기 샤워헤드(120)의 면적 역시 커져야 한다. For example, in order to form the thin film on the large area substrate 200, the area of the diffuser cover 160 and the showerhead 120 must also be large.

상기 디퓨저 커버(160)의 면적이 증가하면, 상기 디퓨저 커버(160)의 무게 또한 증가된다.As the area of the diffuser cover 160 increases, the weight of the diffuser cover 160 also increases.

상기 디퓨저 커버(160)의 면적이 커지고, 상기 디퓨저 커버(160)의 무게가 증가되면, 상기 디퓨저 커버(160)의 외곽에 장착되어 있는 상기 지지부(150) 만에 의해서는, 상기 디퓨저 커버(160)가 상기 기판 지지부(190)와 나란하게 상기 챔버(110) 내부에 배치될 수 없다. 즉, 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분이 상기 기판 지지부(190) 방향으로 처지는 현상이 발생될 수 있다.When the area of the diffuser cover 160 is increased and the weight of the diffuser cover 160 is increased only by the support 150 mounted on the outer periphery of the diffuser cover 160, Can not be disposed within the chamber 110 in parallel with the substrate support 190. That is, a central portion of the diffuser cover 160 may sag in the direction of the substrate support 190.

상기한 바와 같은 처짐 현상을 방지하기 위해, 본 발명에서는, 상기 챔버볼트(300)가 이용될 수 있다. In order to prevent the deflection phenomenon as described above, the chamber bolt 300 may be used in the present invention.

상기 챔버볼트(300)는 상기 챔버(110)의 상면과 상기 디퓨저 커버(160)의 상단면을 연결시키고 있다. The chamber bolt 300 connects the upper surface of the chamber 110 and the upper surface of the diffuser cover 160.

예를 들어, 상기 챔버볼트(300)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(300)의 상단면 외곽으로부터, 상기 챔버(110)를 관통하여 상기 디퓨저 커버(160)의 상면에 장착되어 있다.3, the chamber bolt 300 may be mounted on the upper surface of the diffuser cover 160 through the chamber 110 from the outside of the upper surface of the chamber 300 have.

이 경우, 상기 챔버볼트(300)는 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분에 장착될 수 있다. 또한, 적어도 두 개 이상의 상기 챔버볼트(300)가 상기 디퓨저 커버(160)에 장착될 수 있다.In this case, the chamber bolt 300 may be mounted on the central portion of the diffuser cover 160. At least two of the chamber bolts 300 may be mounted on the diffuser cover 160.

상기 챔버볼트(300)에 의해 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분이 처지는 현상이 방지될 수 있다. The center portion of the diffuser cover 160 can be prevented from sagging by the chamber bolts 300.

상기 챔버볼트(300)는 볼트 형태로 형성되어, 상기 디퓨저 커버(160)와 상기 챔버(110)를 연결시킬 수 있으나, 볼트 이외에도 다양한 형태로 형성되어, 상기 디퓨저 커버(160)와 상기 챔버(110)를 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 바(Bar) 및 고리로 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 고리는 상기 디퓨저 커버(160)의 상면과 상기 챔버(110)의 상면 내측에 장착될 수 있으며, 상기 바가 상기 두 개의 고리에 장착될 수 있다.
The chamber bolt 300 may be formed in a bolt shape to connect the diffuser cover 160 and the chamber 110. The chamber bolt 300 may be formed in various shapes other than the bolt, Can be connected. For example, it may be formed of the bar and the ring. In this case, the ring may be mounted on the upper surface of the diffuser cover 160 and the upper surface of the chamber 110, and the bar may be mounted on the two rings.

다음, 상기 기판 지지부(190)는 상기 챔버(110) 내부에 장착되어 있으며, 특히, 상기 디퓨저 커버(160) 및 상기 샤워헤드(120)의 하단부에 장착되어 있다.The substrate support 190 is mounted within the chamber 110 and is mounted on the lower end of the showerhead 120 and the diffuser cover 160.

상기 기판 지지부(190)는 상기 대면적기판(200)을 지지하는 기능을 수행한다. 상기 대면적기판(200)은 상기 표시장치를 구성하는 상기 패널의 제조에 이용되는 것일 수 있으나, 상기 표지장치 이외에도 다양한 장치에 이용되는 것일 수도 있다. 예를 들어, 상기 대면적기판(200)은 반도체 공정에 이용되는 기판일 수도 있다.
The substrate support 190 supports the large area substrate 200. The large-area substrate 200 may be used for manufacturing the panel constituting the display device, but may be used for various devices other than the marking device. For example, the large-area substrate 200 may be a substrate used in a semiconductor process.

다음, 상기 샤워헤드(120)는, 상기 디퓨저 커버(160)의 하단에 장착되어, 상기 디퓨저 커버(160)에 의해 상기 챔버(110) 내부로 유입된 상기 가스를, 상기 기판 지지부(190) 방향으로 분사하는 기능을 수행한다. 상기 기판 지지부(190) 방향으로 분사된 상기 가스는 상기 대면적기판(200)에 증착되어 상기 박막을 형성한다.The shower head 120 is mounted on the lower end of the diffuser cover 160 and guides the gas introduced into the chamber 110 by the diffuser cover 160 toward the substrate support 190 As shown in FIG. The gas injected toward the substrate support 190 is deposited on the large-area substrate 200 to form the thin film.

상기 샤워헤드(120)는, 연결부(130)에 의해 상기 디퓨저 커버(160)의 하단부에 장착된다.The showerhead 120 is attached to the lower end of the diffuser cover 160 by a connection part 130.

상기 샤워헤드(120)와, 상기 연결부(130)와, 상기 디퓨저 커버(160)에 의해 확산공간(140)이 형성된다.A diffusion space 140 is formed by the showerhead 120, the connection part 130, and the diffuser cover 160.

상기 디퓨저 커버(160)에 장착되어 있는 상기 가스공급관(170)을 통해 상기 디퓨터 커버(160)로 유입된 상기 가스는 상기 확산공간(140)으로 확산된다. The gas flowing into the diffuser cover 160 through the gas supply pipe 170 mounted on the diffuser cover 160 is diffused into the diffusion space 140.

상기 샤워헤드(120)에는 복수의 샤워홀(121)들이 형성되어 있다. 상기 확산공간(140)으로 확산된 상기 가스는, 상기 샤워홀(121)을 통해, 상기 챔버의 반응공간으로 분사된다.The shower head 120 has a plurality of shower holes 121 formed therein. The gas diffused into the diffusion space 140 is injected into the reaction space of the chamber through the shower hole 121.

여기서, 상기 샤워홀(121)들의 배치형태는, 상기 샤워헤드(120)의 각 영역별로, 다르게 형성되어 있다. Here, the arrangement of the shower holes 121 is formed differently for each area of the showerhead 120.

예를 들어, 상기 샤워홀(121)들의 크기가 다를 수 있으며, 또는 상기 샤워홀(121)들의 간격이 다를 수도 있다. 도 3에는 상기 샤워홀(121)들의 크기가 다른 상기 샤워헤드(120)가 도시되어 있다. 상기 샤워홀(121)의 크기란, 상기 샤워홀(121)의 내경을 의미한다. For example, the size of the shower holes 121 may be different, or the intervals of the shower holes 121 may be different. FIG. 3 shows the showerhead 120 having different sizes of the shower holes 121. The size of the shower hole 121 means the inner diameter of the shower hole 121.

상기 샤워홀들의 배치형태는, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 상세히 설명된다.
The arrangement of the shower holes will be described in detail with reference to Figs. 4 to 6. Fig.

마지막으로, 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160)는, 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160)를 연결시키는 고정볼트(180)에 의해 일정한 갭을 이룬 상태로 배치될 수 있다. The showerhead 120 and the diffuser cover 160 may be arranged in a state of being formed with a predetermined gap by the fixing bolts 180 connecting the showerhead 120 and the diffuser cover 160 have.

상기 고정볼트(180)는 상기 샤워헤드(120)가 상기 기판 지지부(190) 방향으로 처지는 현상을 방지할 수 있다.The fixing bolt 180 may prevent the shower head 120 from being sagged toward the substrate supporting part 190.

또한, 상기 고정볼트(180)는 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160) 사이에 형성되는 상기 확산공간(140)의 높이를 일정하게 유지시킬 수 있다. The fixing bolt 180 may maintain a constant height of the diffusion space 140 formed between the shower head 120 and the diffuser cover 160.

상기 고정볼트(180)는 상기 샤워헤드(120)의 중심부분에 장착될 수 있으며, 적어도 두 개 이상의 상기 고정볼트(180)가 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160) 사이에 장착될 수 있다. The fixing bolt 180 may be mounted on the central portion of the shower head 120 and at least two fixing bolts 180 may be mounted between the shower head 120 and the diffuser cover 160 .

첫째, 상기 고정볼트(180)에는, 상기 디퓨저 커버(160)와 상기 샤워헤드(120)에 의해 형성되는 확산공간(140)과 상기 샤워헤드(120)에 형성되어 있는 헤드홀(121)을 관통하는 볼트홀(미도시)이 형성될 수 있다.First, the fixing bolt 180 is provided with a diffusion space 140 formed by the diffuser cover 160 and the showerhead 120, and a head hole 121 formed in the showerhead 120, A bolt hole (not shown) may be formed.

상기 볼트홀은, 상기 헤드홀(121)과 다양한 각도들 중 어느 하나를 갖도록 형성될 수 있다. The bolt hole may be formed to have any one of various angles with the head hole 121.

상기 확산공간(140)으로 확산된 상기 가스는, 상기 볼트홀을 통해, 상기 헤드홀(121) 방향으로 이동하며, 상기 헤드홀(121)을 통해 상기 반응공간으로 분사된다. The gas diffused into the diffusion space 140 moves in the direction of the head hole 121 through the bolt hole and is injected into the reaction space through the head hole 121.

상기 볼트홀은 상기 헤드홀(121)과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 상기 고정볼트(180)에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 볼트홀이 두 개 이상 형성되어 있는 경우, 두 개 이상의 상기 볼트홀은 20도 내지 160도 중 어느 하나의 각도를 이룰 수 있다. The bolt hole may be formed in the fixing bolt 180 so as to have an angle of 100 ° to 170 ° with the head hole 121. Therefore, when two or more of the bolt holes are formed, the two or more bolt holes may have an angle of 20 to 160 degrees.

즉, 상기 고정볼트(180)에는 적어도 두 개 이상의 상기 볼트홀이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 볼트홀은, 상기 고정볼트(180)의 외주면으로부터 상기 고정볼트(180)의 내면을 관통하여 직접 상기 헤드홀(121)과 연결될 수 있다.That is, at least two or more bolt holes may be formed in the fixing bolt 180. In this case, the bolt hole may be directly connected to the head hole 121 through the inner surface of the fixing bolt 180 from the outer circumferential surface of the fixing bolt 180.

상기 볼트홀이 상기 헤드홀(121)과 이루는 각도, 또는 두 개 이상의 상기 볼트홀들이 이루는 각도는, 상기 확산공간(140)의 높이, 상기 고정볼트(180)의 길이, 상기 고정볼트(180)의 두께 및 상기 헤드홀(121)의 내경에 따라 다양하게 설정될 수 있다.The angle formed by the bolt hole with the head hole 121 or the angle formed by the two or more bolt holes may be set to a value corresponding to a height of the diffusion space 140, a length of the fixing bolt 180, The inner diameter of the head hole 121,

이 경우, 상기 볼트홀이 상기 헤드홀(121)과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 유지하고 있기 때문에, 상기 볼트홀은, 상기 디퓨저 커버(160)를 향하고 있다. In this case, the bolt hole is directed to the diffuser cover 160 because the bolt hole maintains an angle of 100 ° to 170 ° with the head hole 121.

상기 가스는 상기 디퓨터 커버(160)로부터 상기 디퓨저 커버(160)의 하단 방향에 형성되는 상기 확산공간(140)으로 확산된다. 따라서, 상기 확산공간의 하단방향으로 확산되는 상기 가스는 자연스럽게 상기 볼트홀로 유입되어, 상기 헤드홀(121)을 통해 상기 챔버(110) 내부의 반응공간으로 분사될 수 있다. The gas is diffused from the diffuser cover 160 into the diffusion space 140 formed in the lower end of the diffuser cover 160. Therefore, the gas diffused in the lower end of the diffusion space can flow into the bolt hole naturally, and can be injected into the reaction space inside the chamber 110 through the head hole 121.

둘째, 상기 볼트홀은, 상기 헤드홀(121)과 나란하게 형성되어 있는 제1홀(미도시) 및 상기 제1홀과 관통되어 있고, 상기 제1홀과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 형성되어 있는 제2홀(미도시)을 포함할 수 있다. Second, the bolt hole has a first hole (not shown) formed parallel to the head hole 121, and a second hole (not shown) penetrating the first hole, And a second hole (not shown) formed to have an angle.

예를 들어, 상기 볼트홀은, 상기에서 설명된 바와 같이, 상기 고정볼트(180)의 외주면으로부터 상기 고정볼트(180)의 내면을 관통하여 직접 상기 헤드홀(121)과 연결될 수 있다.For example, the bolt hole may be directly connected to the head hole 121 through the inner surface of the fixing bolt 180 from the outer circumferential surface of the fixing bolt 180, as described above.

그러나, 상기 볼트홀은, 상기 헤드홀(121)과 나란하게 형성되어 있는 상기 제1홀 및 상기 제1홀과 관통되어 있고, 상기 헤드홀(121)과 연결되어 있는 제홀을 포함할 수 있다. However, the bolt hole may include the first hole formed through the first hole and the first hole formed in parallel with the head hole 121, and a hole connected to the head hole 121.

이 경우, 상기 제1홀과 상기 제2홀은, 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 이룰 수 있다. In this case, the first hole and the second hole may have an angle of 100 to 170 degrees.

상기 제1홀의 내경은, 상기 헤드홀(121)의 내경과 동일하게 형성될 수도 있고, 작게 형성될 수도 있으며, 크게 형성될 수도 있다. 상기 제1홀의 내경은, 상기 가스의 종류, 상기 헤드홀(121)의 크기, 상기 헤드홀(121)의 갯수 등에 따라 다양하게 설정될 수 있다. The inner diameter of the first hole may be the same as the inner diameter of the head hole 121, or may be smaller or larger. The inner diameter of the first hole may be variously set according to the kind of the gas, the size of the head hole 121, the number of the head holes 121, and the like.

셋째, 상기 고정볼트(180)는, 상기 디퓨저 커버(160)에 고정되는 헤드부(미도시) 및 상기 샤워헤드(120)에 체결되는 체결부(미도시)를 포함한다. Third, the fixing bolt 180 includes a head portion (not shown) fixed to the diffuser cover 160 and a fastening portion (not shown) fastened to the shower head 120.

상기 헤드부는 상기 디퓨저 커버(160)의 상면 외부에서, 상기 디퓨저 커버(160)에 밀착되어 고정될 수 있다. The head portion may be fixedly attached to the diffuser cover 160 on the outside of the upper surface of the diffuser cover 160.

상기 체결부는 상기 헤드부와 연결되어 있으며, 바(Bar) 형태로 길게 형성되어 있다. 상기 체결부는 다각형으로 형성될 수 있으나, 원통형으로 형성될 수도 있다. The fastening portion is connected to the head portion and is formed long in the form of a bar. The fastening portion may be formed in a polygonal shape, but may be formed in a cylindrical shape.

상기 체결부가 상기 샤워헤드(120)에 체결될 수 있도록, 상기 체결부의 하단의 외주면에는, 나사부(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 나사부는, 상기 샤워헤드(120)에 형성되어 있는 체결홈의 내주면에 형성되어 있는 나사부와 체결될 수 있다. 상기 체결부의 상기 나사부와 상기 체결홈의 상기 나사부가 체결됨에 따라, 상기 체결부는 상기 샤워헤드(120)에 고정될 수 있다. A threaded portion (not shown) may be formed on the outer peripheral surface of the lower end of the fastening portion so that the fastening portion can be fastened to the shower head 120. The threaded portion can be fastened to a threaded portion formed on the inner circumferential surface of the coupling groove formed in the shower head 120. [ As the threaded portion of the fastening portion and the threaded portion of the fastening groove are fastened, the fastening portion can be fixed to the shower head 120.

상기 볼트홀은, 상기 체결홈에 삽입되어 고정되는 상기 체결부에 형성되어 있다. 상기 볼트홀은 상기 헤드홀(121)과 연결되어야 한다. 따라서, 상기 체결홈에는 상기 헤드홀(121)이 노출되어 있어야 한다.The bolt hole is formed in the fastening portion inserted and fixed in the fastening groove. The bolt hole should be connected to the head hole 121. Therefore, the head hole 121 must be exposed in the fastening groove.

즉, 상기 체결홈에 상기 헤드홀이 형성되어 있어야, 상기 체결홈에 삽입되는, 상기 체결부에 형성되어 있는, 상기 볼트홀이 상기 헤드홀(121)과 연결될 수 있다. That is, if the head hole is formed in the coupling groove, the bolt hole formed in the coupling portion inserted into the coupling groove can be connected to the head hole 121.

넷째, 상기 체결부의 중앙에는 상기 제1홀이 형성되어 있으며, 상기 제2홀은, 상기 체결부의 외주면으로부터 형성되어 상기 제1홀과 관통된다. Fourth, the first hole is formed at the center of the coupling portion, and the second hole is formed from the outer peripheral surface of the coupling portion and penetrates the first hole.

즉, 상기 볼트홀이 상기 제1홀 및 상기 제2홀을 포함하는 경우, 상기 제1홀은 상기 체결부의 중앙에 형성되어 있다. 예를 들어, 상기 볼트홀이 원통형상으로 형성된 경우, 상기 제1홀은 상기 볼트홀의 중심축 상에 형성될 수 있다.That is, when the bolt hole includes the first hole and the second hole, the first hole is formed at the center of the coupling portion. For example, when the bolt hole is formed into a cylindrical shape, the first hole may be formed on the center axis of the bolt hole.

상기 제2홀은 상기 체결부의 외주면에 노출되어 있으며, 상기 제2홀은 상기 제1홀과 관통되어 있다. The second hole is exposed on an outer peripheral surface of the coupling portion, and the second hole penetrates the first hole.

다섯째, 상기 제2홀은, 상기 고정볼트(180)에 적어도 두 개 이상 형성될 수 있다.
Fifth, at least two or more of the second holes may be formed in the fixing bolts 180.

도 4는 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 디퓨저 커버 및 샤워헤드를 나타낸 예시도이고, 도 5는 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 샤워헤드의 평면도이며, 도 6은 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 샤워헤드의 또 다른 평면도이다. 5 is a plan view of a showerhead applied to a large-area substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 6 is a cross- 1 is another plan view of a showerhead applied to a large area substrate processing apparatus according to the present invention.

상기 샤워헤드(120)는, 상기 디퓨저 커버(160)의 하단에 장착되어, 상기 디퓨저 커버(160)에 의해 상기 챔버(110) 내부로 유입된 상기 가스를, 상기 기판 지지부(190) 방향으로 분사하는 기능을 수행한다. The showerhead 120 is installed at a lower end of the diffuser cover 160 and injects the gas introduced into the chamber 110 by the diffuser cover 160 toward the substrate support 190 .

상기 기판 지지부(190) 방향으로 분사된 상기 가스는 상기 대면적기판(200)에 증착되어 상기 박막을 형성한다.The gas injected toward the substrate support 190 is deposited on the large-area substrate 200 to form the thin film.

상기 샤워헤드(120)는, 상기 연결부(130)에 의해 상기 디퓨저 커버(160)의 하단부에 장착된다.The showerhead 120 is mounted to the lower end of the diffuser cover 160 by the connection part 130.

상기 샤워헤드(120)와, 상기 연결부(130)와, 상기 디퓨저 커버(160)에 의해 확산공간(140)이 형성된다.A diffusion space 140 is formed by the showerhead 120, the connection part 130, and the diffuser cover 160.

상기 디퓨저 커버(160)에 장착되어 있는 상기 가스공급관(170)을 통해 상기 디퓨터 커버(160)로 유입된 상기 가스는 상기 확산공간(140)으로 확산된다. The gas flowing into the diffuser cover 160 through the gas supply pipe 170 mounted on the diffuser cover 160 is diffused into the diffusion space 140.

상기 샤워헤드(120)에는 복수의 샤워홀(121)들이 형성되어 있다. 상기 확산공간(140)으로 확산된 상기 가스는, 상기 샤워홀(121)을 통해, 상기 챔버의 반응공간으로 분사된다.The shower head 120 has a plurality of shower holes 121 formed therein. The gas diffused into the diffusion space 140 is injected into the reaction space of the chamber through the shower hole 121.

여기서, 상기 샤워홀(121)들의 배치형태는, 상기 샤워헤드(120)의 각 영역별로, 다르게 형성되어 있다.
Here, the arrangement of the shower holes 121 is formed differently for each area of the showerhead 120.

첫째, 상기 샤워홀(121)들의 크기는, 상기 샤워헤드(120)의 각 영역별로, 다르게 형성될 수 있다. First, the size of the shower holes 121 may be differently formed for each area of the showerhead 120.

예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 샤워홀(121)들의 크기는, 상기 샤워헤드(120)의 각 영역별로 다르게 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 샤워홀(121)들의 간격은 동일하게 형성될 수 있다. 상기 샤워홀(121)의 크기란, 상기 샤워홀(121)의 내경을 의미한다. 상기 샤워홀(121)의 크기, 즉, 내경이 커지면, 상기 샤워홀(121)을 통해 분사되는 가스의 양이 많아지게 되며, 상기 샤워홀(121)의 크기가 작아지면, 상기 샤워홀(121)을 통해 분사되는 가스의 양이 적어지게 된다. For example, as shown in FIG. 5, the size of the shower holes 121 may be different for each region of the showerhead 120. In this case, the intervals of the shower holes 121 may be the same. The size of the shower hole 121 means the inner diameter of the shower hole 121. As the size of the shower hole 121 increases, the amount of gas injected through the shower hole 121 increases. When the size of the shower hole 121 decreases, the shower hole 121 The amount of gas to be injected through the combustion chamber becomes small.

제1영역(A)에 형성되는 상기 샤워홀(121)들의 크기가 제일 크다고 할 때, 제3영역(C)에 형성되는 상기 샤워홀(121)들의 크기는 제일 작게 형성된다. 또한, 상기 제1영역(A)과 상기 제3영역(C) 사이의 제2영역(B)에 형성되는 상기 샤워홀(121)들의 크기는, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 샤워홀의 크기보다는 작고, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 샤워홀의 크기보다는 크게 형성될 수 있다. The size of the shower holes 121 formed in the first area A is the largest, and the size of the shower holes 121 formed in the third area C is the smallest. The size of the shower holes 121 formed in the second area B between the first area A and the third area C may be the same as the size of the shower hole 121 formed in the first area A, Holes may be smaller than the size of the holes and larger than the size of the shower holes formed in the third region C.

상기 제1영역(A)은 상기 샤워헤드(120)의 외곽부분을 의미하고, 상기 제3영역(C)은 상기 샤워헤드(120)의 중심부분을 의미하며, 상기 제2영역(B)은 상기 제3영역(A)과 상기 제2영역(B)의 사이를 의미한다.The first region A refers to the outer portion of the showerhead 120 and the third region C refers to the central portion of the showerhead 120. The second region B Means a region between the third region (A) and the second region (B).

상기 샤워헤드(120)의 중심부분에 대응되는 위치에 장착되어 있는 상기 가스공급관(170)을 통해 상기 확산공간(140)으로 유입된 가스는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 확산공간(140)에서 상기 샤워헤드(120)의 외곽부분으로 확산된다. 그러나, 상기 샤워헤드(140)의 외곽부분으로 확산되는 상기 가스의 양은, 상기 샤워헤드(140)의 중심부분으로 확산되는 상기 가스의 양보다는 작다. 이 경우, 상기 샤워헤드(140)의 중심부분에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 상기 가스의 밀도가, 상기 샤워헤드(140)의 외곽부분에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 상기 가스의 밀도보다 클 수 있다. 분사되는 상기 가스의 밀도 차이에 의해, 상기 대면적기판에 형성되는 박막의 두께의 균일도가 저하될 수 있다.As shown in FIG. 4, the gas introduced into the diffusion space 140 through the gas supply pipe 170 mounted at a position corresponding to the central portion of the showerhead 120 flows into the diffusion space 140 To the outer portion of the shower head 120. [ However, the amount of the gas diffused into the outer portion of the showerhead 140 is smaller than the amount of the gas diffused into the central portion of the showerhead 140. In this case, the density of the gas injected through the shower holes 121 formed in the central portion of the shower head 140 is lower than the density of the shower holes 140 formed in the shower hole 140 The density of the gas being injected through the nozzles. The uniformity of the thickness of the thin film formed on the large area substrate may be lowered due to the difference in density of the gas to be injected.

상기한 바와 같은 가스 밀도의 차이를 방지하기 위해, 본 발명에 적용되는 상기 샤워헤드(120)에서는, 상기한 바와 같이, 상기 샤워헤드(120)의 외곽부분에 대응되는 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기가, 상기 샤워헤드(120)의 중심부분에 대응되는 상기 제3영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기보다 크게 형성된다. In order to prevent the difference in gas density as described above, in the showerhead 120 according to the present invention, the first region A corresponding to the outer portion of the showerhead 120, as described above, The size of the shower holes 121 formed in the third region A is larger than the size of the shower holes 121 formed in the third region A corresponding to the center portion of the shower head 120. [

상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기가 크기 때문에, 상기 제3영역(C)에 비해 상기 제1영역(A)으로 확산되는 상기 가스의 양이 적다고 하더라도, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 상기 가스의 양은, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 상기 가스의 양과 동일 또는 유사해질 수 있다. Even if the amount of the gas diffused into the first region A is smaller than that of the third region C because the size of the shower holes 121 formed in the first region A is large, The amount of the gas injected through the shower holes 121 formed in the first region A is greater than the amount of the gas injected through the shower holes 121 formed in the third region C, Or the like.

따라서, 상기 기판 지지부(190)에 배치되어 있는 상기 대면적기판(200) 중, 상기 제1영역(A)과 상기 제3영역(C)과 대응되는 영역에 증착되는 박막의 두께가 균일해 질 수 있다. The thickness of the thin film deposited on the area corresponding to the first area A and the third area C of the large area substrate 200 disposed on the substrate supporting part 190 is made uniform .

또한, 상기 제2영역(B)에는, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 샤워홀의 크기보다는 작고, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 샤워홀의 크기보다는 큰 샤워홀(121)들이 형성되어 있기 때문에, 상기 제2영역(B)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 가스의 양은, 상기 제1영역(A) 및 상기 제3영역(C)을 통해 분사되는 가스의 양과 동일하거나 또는 유사해질 수 있다. In the second area B, shower holes 121 smaller than the size of the shower hole formed in the first area A and larger than the size of the shower hole formed in the third area C The amount of the gas injected through the shower holes 121 formed in the second region B is greater than the amount of the gas injected through the first region A and the third region C Or the like.

상기 설명에서는, 상기 제1영역(A), 상기 제2영역(B) 및 상기 제3영역(C) 별로, 상기 샤워홀(121)들의 크기가 다른 경우를 일예로 본 발명이 설명되었으나, 상기 샤워홀(121)들의 크기는, 상기 샤워헤드(120)의 중심부분으로부터 상기 샤워헤드(120)의 외곽방향으로 가면서, 순차적으로 증가될 수도 있다. Although the present invention has been described above with reference to the case where the size of the shower holes 121 is different for each of the first area A, the second area B and the third area C, The size of the shower holes 121 may be sequentially increased from the central portion of the showerhead 120 toward the outer periphery of the showerhead 120. [

예를 들어, 도 5에 도시된 상기 샤워헤드(120)에서는, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기는 모두 동일하고, 상기 제2영역(B)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기는 모두 동일하며, 상기 제3영역(B)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기는 모두 동일하다. For example, in the showerhead 120 shown in FIG. 5, the shower holes 121 formed in the first region A are all the same size, and the shower holes 121 formed in the second region B And the size of the shower holes 121 formed in the third region B are all the same.

그러나, 본 발명의 또 다른 실시예에서는, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기가 상기 외곽방향으로 갈수록, 순차적으로 증가될 수 있고, 상기 제2영역(B)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기가 상기 외곽방향으로 갈수록, 순차적으로 증가될 수 있으며, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 크기가 상기 외곽방향으로 갈수록, 순차적으로 증가될 수 있다.
However, in another embodiment of the present invention, the size of the shower holes 121 formed in the first area A may be increased sequentially as the outer area increases, and the second area B The size of the shower holes 121 formed in the third region C may increase sequentially as the size of the shower holes 121 is increased toward the outskirts, , The number of times can be increased sequentially.

둘째, 상기 샤워홀(121)들 간의 간격은, 상기 샤워헤드(120)의 각 영역별로, 다르게 형성될 수 있다. Second, the interval between the shower holes 121 may be formed differently for each region of the showerhead 120.

예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 샤워홀(121)들의 간격은, 상기 샤워헤드(120)의 각 영역별로 다르게 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 샤워홀(121)들의 크기는 서로 동일하게 형성될 수 있다. 상기 샤워홀(121)들의 간격이 다르다는 것은, 상기 샤워홀(121)들의 밀도가 다르다는 것을 의미한다. 상기 샤워홀(121)들의 밀도가 큰 영역으로부터 분사되는 가스의 양은, 상기 샤워홀(121)들의 밀도가 작은 영역으로부터 분사되는 가스의 양보다 크게 된다. For example, as shown in FIG. 6, the intervals between the shower holes 121 may be different for each region of the showerhead 120. In this case, the shower holes 121 may have the same size. The difference in the intervals of the shower holes 121 means that the shower holes 121 have different densities. The amount of gas injected from the area having a large density of the shower holes 121 becomes larger than the amount of gas injected from the area having a small density of the shower holes 121.

제1영역(A)에 형성되는 상기 샤워홀(121)들의 간격이 제일 작다고 할 때, 제3영역(C)에 형성되는 상기 샤워홀(121)들의 간격은 제일 크게 형성된다. 또한, 상기 제1영역(A)과 상기 제3영역(C) 사이의 제2영역(B)에 형성되는 상기 샤워홀(121)들의 간격은, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 샤워홀들의 간격보다는 크고, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 샤워홀들의 간격보다는 작게 형성될 수 있다. 부연하여 설명하면, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 밀도가 제일크고, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 밀도가 제일 작으며, 상기 제2영역(C)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 밀도는 중간이 될 수 있다. The distance between the shower holes 121 formed in the first area A is the smallest and the interval between the shower holes 121 formed in the third area C is the largest. The interval of the shower holes 121 formed in the second area B between the first area A and the third area C is set to be shorter than the interval between the shower areas 121 formed in the first area A, Holes may be formed to be larger than the spacing of the holes and smaller than the spacing of the shower holes formed in the third region (C). In other words, the density of the shower holes 121 formed in the first region A is the highest, and the density of the shower holes 121 formed in the third region C is the largest And the density of the shower holes 121 formed in the second region C may be intermediate.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 샤워헤드(120)의 중심부분에 대응되는 위치에 장착되어 있는 상기 가스공급관(170)을 통해 상기 확산공간(140)으로 유입된 가스는, 상기 확산공간(140)에서 상기 샤워헤드(120)의 외곽부분으로 확산된다. 그러나, 상기 샤워헤드(140)의 외곽부분으로 확산되는 상기 가스의 양은, 상기 샤워헤드(140)의 중심부분으로 확산되는 상기 가스의 양보다는 작다. 이 경우, 상기 샤워헤드(140)의 중심부분에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 상기 가스의 밀도가, 상기 샤워헤드(140)의 외곽부분에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 상기 가스의 밀도보다 클 수 있다. 분사되는 상기 가스의 밀도 차이에 의해, 상기 대면적기판에 형성되는 박막의 두께의 균일도가 저하될 수 있다.4, the gas introduced into the diffusion space 140 through the gas supply pipe 170 mounted at a position corresponding to the central portion of the showerhead 120 flows into the diffusion space 140 To the outer portion of the shower head 120. [ However, the amount of the gas diffused into the outer portion of the showerhead 140 is smaller than the amount of the gas diffused into the central portion of the showerhead 140. In this case, the density of the gas injected through the shower holes 121 formed in the central portion of the shower head 140 is lower than the density of the shower holes 140 formed in the shower hole 140 The density of the gas being injected through the nozzles. The uniformity of the thickness of the thin film formed on the large area substrate may be lowered due to the difference in density of the gas to be injected.

상기한 바와 같은 가스 밀도의 차이를 방지하기 위해, 본 발명에 적용되는 상기 샤워헤드(120)에서는, 상기한 바와 같이, 상기 샤워헤드(120)의 외곽부분에 대응되는 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격이, 상기 샤워헤드(120)의 중심부분에 대응되는 상기 제3영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격보다 작게 형성된다. In order to prevent the difference in gas density as described above, in the showerhead 120 according to the present invention, the first region A corresponding to the outer portion of the showerhead 120, as described above, The interval between the shower holes 121 formed in the third region A corresponding to the central portion of the shower head 120 is smaller than the interval between the shower holes 121 formed in the third region A.

상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격이 작기 때문에, 상기 제3영역(C)에 비해 상기 제1영역(A)으로 확산되는 상기 가스의 양이 적다고 하더라도, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 상기 가스의 양은, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 상기 가스의 양과 동일 또는 유사해질 수 있다. Since the distance between the shower holes 121 formed in the first region A is small and the amount of the gas diffused into the first region A is smaller than that of the third region C The amount of the gas injected through the shower holes 121 formed in the first region A is greater than the amount of the gas injected through the shower holes 121 formed in the third region C, Or the like.

따라서, 상기 기판 지지부(190)에 배치되어 있는 상기 대면적기판(200) 중, 상기 제1영역(A)과 상기 제3영역(C)과 대응되는 영역에 증착되는 박막의 두께가 균일해 질 수 있다. The thickness of the thin film deposited on the area corresponding to the first area A and the third area C of the large area substrate 200 disposed on the substrate supporting part 190 is made uniform .

또한, 상기 제2영역(B)에는, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 샤워홀들의 간격보다는 크고, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 샤워홀들의 간격보다는 작은 간격을 갖는 상기 샤워홀(121)들이 형성되어 있기 때문에, 상기 제2영역(B)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들을 통해 분사되는 가스의 양은, 상기 제1영역(A) 및 상기 제3영역(C)을 통해 분사되는 가스의 양과 동일하거나 또는 유사해질 수 있다. In the second region B, the first region A may be formed to have a width that is larger than the interval between the shower holes formed in the first region A and smaller than the interval between the shower holes formed in the third region C, The amount of the gas injected through the shower holes 121 formed in the second region B is less than that of the first region A and the third region C The amount of gas that is injected through the first and second nozzles may be the same or similar.

상기 설명에서는, 상기 제1영역(A), 상기 제2영역(B) 및 상기 제3영역(C) 별로, 상기 샤워홀(121)들의 간격이 다른 경우를 일예로 본 발명이 설명되었으나, 상기 샤워홀(121)들의 간격은, 상기 샤워헤드(120)의 중심부분으로부터 상기 샤워헤드(120)의 외곽방향으로 가면서, 순차적으로 감소될 수도 있다. Although the present invention has been described above with reference to the case where the intervals of the shower holes 121 are different for each of the first area A, the second area B and the third area C, The intervals of the shower holes 121 may be sequentially decreased from the central portion of the showerhead 120 toward the outer periphery of the showerhead 120. [

예를 들어, 도 6에 도시된 상기 샤워헤드(120)에서는, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격은 모두 동일하고, 상기 제2영역(B)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격은 모두 동일하며, 상기 제3영역(B)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격은 모두 동일하다. For example, in the showerhead 120 shown in FIG. 6, the shower holes 121 formed in the first region A are all spaced apart from each other, and the shower holes 120 formed in the second region B And the intervals of the shower holes 121 formed in the third region B are all the same.

그러나, 본 발명의 또 다른 실시예에서는, 상기 제1영역(A)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격이 상기 외곽방향으로 갈수록, 순차적으로 감소될 수 있고, 상기 제2영역(B)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격이 상기 외곽방향으로 갈수록, 순차적으로 감소될 수 있으며, 상기 제3영역(C)에 형성되어 있는 상기 샤워홀(121)들의 간격이 상기 외곽방향으로 갈수록, 순차적으로 감소될 수 있다.
However, according to another embodiment of the present invention, the interval of the shower holes 121 formed in the first area A may be sequentially decreased toward the outside, and the second area B The interval between the shower holes 121 formed in the third region C may be gradually decreased as the distance from the shower hole 121 formed in the third region C decreases toward the outward direction, , And can be sequentially decreased.

셋째, 상기 샤워홀(121)들의 크기 및 상기 샤워홀(121)들 간의 간격은, 상기 샤워헤드(1210)의 각 영역별로 다르게 형성될 수 있다. Third, the size of the shower holes 121 and the distance between the shower holes 121 may be different for each region of the showerhead 1210.

예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 샤워홀(121)들은, 상기 샤워홀(121)들의 크기가 상기 샤워헤드(120)의 외곽방향으로 갈 수록 커지고, 상기 샤워홀(121)들의 간격이 상기 샤워헤드(120)의 외곽방향으로 갈 수록 작아지도록, 형성될 수 있다. 4, the shower holes 121 are formed such that the size of the shower holes 121 increases toward the outer edge of the shower head 120, So that the distance between the shower head 120 and the shower head 120 decreases.

부연하여 설명하면, 상기 샤워홀(121)들은, 도 5에 도시된 형태와, 도 6에 도시된 형태가 혼합된 형태로, 도 4에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다.
To be more specific, the shower holes 121 may be formed as shown in FIG. 4 in a form of a mixture of the shape shown in FIG. 5 and the shape shown in FIG.

넷째, 상기 각 영역은 원형 또는 사각형으로 형성될 수 있다.Fourth, each of the areas may be formed in a circular shape or a square shape.

예를 들어, 상기 샤워홀(121)들 크기 또는 상기 샤워홀(121)들의 간격을 구분하는 상기 영역들은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 사각형 형태로 형성될 수 있다. 그러나, 상기 대면적기판이, 반도체 제조공정에 이용되는 원형의 웨이퍼인 경우, 상기 영역들은, 상기 웨이퍼의 형태와 동일하게 원형으로 형성될 수도 있다.
For example, the areas that divide the size of the shower holes 121 or the intervals of the shower holes 121 may be formed in a rectangular shape, as shown in FIGS. 5 and 6. However, when the large-area substrate is a circular wafer used in a semiconductor manufacturing process, the regions may be formed in a circular shape similar to the shape of the wafer.

다섯째, 상기 각 영역은, 적어도 두 개 이상으로 구분될 수 있다. Fifth, each of the areas may be divided into at least two areas.

예를 들어, 도 5 및 도 6에는, 3개의 영역으로 구분되어 있는 상기 샤워헤드(120)가 도시되어 있다. For example, Figures 5 and 6 show the showerhead 120 divided into three regions.

이 경우, 상기 제1영역(A), 상기 제2영역(B) 및 상기 제3영역(C) 별로, 상기 샤워홀(121)의 크기 및 상기 샤워홀(121)들의 간격 중 적어도 어느 하나가 상이할 수 있다.In this case, at least one of the size of the shower hole 121 and the interval of the shower holes 121 may be set for each of the first area A, the second area B, and the third area C Can be different.

그러나, 상기 영역은 두 개로 구분될 수도 있으며, 네 개 이상으로 구분될 수도 있다. However, the region may be divided into two, or may be divided into four or more regions.

특히, 상기 샤워홀(121)의 크기 및 상기 샤워홀(121)들의 간격이 순차적으로 증가하거나 감소되는 형태로 상기 샤워홀(121)들이 형성되어 있는 경우, 상기 영역(121)은, 매우 많이 형성될 수 있다.
Particularly, when the shower holes 121 are formed in such a manner that the size of the shower holes 121 and the intervals of the shower holes 121 are sequentially increased or decreased, .

여섯째, 상기 각 영역은, 상기 샤워헤드의 외곽부분에 형성되는 제1영역 및 상기 샤워헤드의 중심부분에 형성되는 제2영역 내지 제n영역으로 구분될 수 있다. Sixth, each of the regions may be divided into a first region formed on an outer portion of the showerhead and a second region formed on a central portion of the showerhead.

즉, 도 5 및 도 6에는, 상기 샤워헤드의 외곽부분에 형성되는 상기 제1영역, 상기 샤워헤드의 중심부분에 형성되는 상기 제2영역 및 상기 제3(=n)영역으로 구분되어 있는 상기 샤워헤드(120)가 도시되어 있다.
5 and 6, the shower head is divided into the first region formed at the outer portion of the showerhead, the second region formed at the central portion of the showerhead, and the third region (= n) A showerhead 120 is shown.

일곱째, 상기 제1영역 내지 제n영역들 중, 제m(m은 n보다 작은 자연수)영역은 제m+1영역의 외곽을 감싸고 있다. Seventh, among the first to n-th regions, the m-th (m is a natural number smaller than n) region surrounds the outer periphery of the (m + 1) th region.

예를 들어, 도 5 및 도 6에 도시된 상기 제1(=m)영역(A)은 상기 제2(=m+1)영역(B)의 외곽을 감싸고 있으며, 상기 제2(=m)영역(B)은 상기 제3(=m+1)영역(C)의 외곽을 감싸고 있다.
For example, the first (= m) area A shown in FIG. 5 and FIG. 6 surrounds the outer area of the second (= m + 1) area B, And the region B surrounds the outer periphery of the third (= m + 1) region (C).

여덟째, 상기에서는, 상기 영역들(A, B, C)이, 상기 샤워헤드의 중심부분(또는 외곽부분)으로부터, 상기 샤워헤드의 외곽부분(또는 중심부분)으로 형성되어 있으며, 상기 외곽부분의 영역이, 상기 중심부분의 영역을 감싸고 있는 형태로, 상기 영역들이 형성되어 있는 상기 샤워헤드(120)가 설명되었다. (8) In the above, the regions A, B, and C are formed as the outer portion (or the center portion) of the shower head from the central portion (or outer portion) of the showerhead, The showerhead 120 in which the regions are formed in the form of surrounding the region of the center portion has been described.

그러나, 상기 샤워헤드(120)에서, 상기 영역들은, 상기 샤워헤드(120)의 일측방향으로부터 타측방향으로, 순차적으로 형성될 수도 있다. However, in the showerhead 120, the areas may be sequentially formed from one side of the showerhead 120 to the other.

예를 들어, 제1영역은 상기 샤워헤드(120)의 좌측에 형성되고, 제3영역은 상기 샤워헤드(120)의 우측에 형성되며, 제2영역은 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 형성될 수 있다.
For example, a first region is formed on the left side of the showerhead 120, a third region is formed on the right side of the showerhead 120, and a second region is formed between the first region and the second region As shown in FIG.

상기한 바와 같이, 상기 샤워홀(121)들의 크기 및 간격 등은, 상기 대면적기판에 형성되는 박막의 균일도가 최적화될 수 있도록, 다양한 형태로 형성될 수 있다.As described above, the size and spacing of the shower holes 121 may be variously formed so as to optimize the uniformity of the thin film formed on the large-area substrate.

이 경우, 상기 샤워홀(121)들의 모양도 변경될 수 있다. 예를 들어, 도 4 내지 도 6에서는, 상기 샤워홀(121)이 원형으로 형성되어 있으나, 상기 샤워홀(121)은 사각형으로 형성될 수도 있고, 기타 다양한 형태로 형성될 수도 있다. In this case, the shape of the shower holes 121 may be changed. For example, although the shower hole 121 is formed in a circular shape in FIGS. 4 to 6, the shower hole 121 may be formed in a square shape or in various other shapes.

상기한 바와 같은 본 발명에 의하면, 대면적기판에 형성되는 박막의 두께의 균일도가 개선될 수 있다. According to the present invention as described above, the thickness uniformity of a thin film formed on a large area substrate can be improved.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

110 : 챔버 120 : 샤워헤드
130 : 연결부 140 : 확산공간
150 : 지지부 160 : 디퓨저 커버
170 : 가스공급관 180 : 고정볼트
190 : 기판 지지부 200 : 대면적 기판
300 : 챔버볼트110: chamber 120: shower head
130: connection part 140: diffusion space
150: Support part 160: Diffuser cover
170: gas supply pipe 180: fixing bolt
190: substrate supporting part 200: large area substrate
300: chamber bolt

Claims (10)

반응공간을 갖는 챔버;
대면적기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 챔버의 내부에서 상기 기판 지지부의 상단에 장착되며, 상기 대면적기판에 증착될 가스를 공급하는 디퓨저 커버;
복수의 샤워홀들이 형성되어 있고, 상기 디퓨저 커버의 하단에 장착되어 있으며, 상기 가스를 상기 샤워홀들을 통해 상기 기판 지지부 방향으로 분사하기 위한 샤워헤드; 및
상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버의 사이에 장착되어 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버를 연결시키는 고정볼트를 포함하며,
상기 샤워홀들의 배치형태는, 상기 샤워헤드의 각 영역별로, 다른 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.A chamber having a reaction space;
A substrate support for supporting a large area substrate;
A diffuser cover mounted within the chamber to the top of the substrate support and supplying a gas to be deposited on the large area substrate;
A showerhead having a plurality of shower holes formed therein and mounted at a lower end of the diffuser cover for spraying the gas in the direction of the substrate support through the shower holes; And
And a fixing bolt mounted between the showerhead and the diffuser cover for connecting the showerhead and the diffuser cover,
Wherein the arrangement of the shower holes is different for each region of the showerhead. 제 1 항에 있어서,
상기 샤워홀들의 크기가, 상기 샤워헤드의 각 영역별로, 다른 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.The method according to claim 1,
Characterized in that the size of the shower holes is different for each area of the showerhead. 제 2 항에 있어서,
상기 샤워홀들의 간격은 동일한 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치. 3. The method of claim 2,
Wherein a distance between the shower holes is the same. 제 1 항에 있어서,
상기 샤워홀들 간의 간격이, 상기 샤워헤드의 각 영역별로, 다른 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치. The method according to claim 1,
Wherein a distance between the shower holes is different for each area of the showerhead. 제 4 항에 있어서,
상기 샤워홀들의 크기는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.5. The method of claim 4,
And the size of the shower holes is equal to each other. 제 1 항에 있어서,
상기 각 영역은 원형 또는 사각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.The method according to claim 1,
Wherein each of the areas is formed in a circular or square shape. 제 1 항에 있어서,
상기 각 영역은, 적어도 두 개 이상으로 구분되는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치. The method according to claim 1,
Wherein each of the regions is divided into at least two or more regions. 제 1 항에 있어서,
상기 각 영역은, 상기 샤워헤드의 외곽부분에 형성되는 제1영역 및 상기 샤워헤드의 중심부분에 형성되는 제2영역 내지 제n영역으로 구분되는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치. The method according to claim 1,
Wherein each of the regions is divided into a first region formed in an outer portion of the showerhead and a second region formed in a central portion of the showerhead. 제 8 항에 있어서,
상기 제1영역 내지 제n영역들 중, 제m(m은 n보다 작은 자연수)영역은 제m+1영역의 외곽을 감싸고 있는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치. 9. The method of claim 8,
Wherein the m-th (m is a natural number smaller than n) one of the first to n-th regions surrounds an outer periphery of the (m + 1) th region. 제 1 항에 있어서,
상기 각 영역은, 상기 샤워헤드의 일측방향으로부터 타측방향으로, 순차적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치. The method according to claim 1,
Wherein each of the areas is formed sequentially from one side to the other side of the showerhead.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101700273B1 (en) * 2015-08-11 2017-01-26 성균관대학교산학협력단 Chemical vapor deposition device
KR20180072551A (en) * 2016-12-21 2018-06-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Gas treatment apparatus and gas treatment method
CN110273140A (en) * 2018-03-15 2019-09-24 台湾积体电路制造股份有限公司 Gas shower head, film-forming apparatus and the method for being used to form semiconductor structure
CN116288265A (en) * 2021-12-21 2023-06-23 Tes股份有限公司 Spray header assembly

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101700273B1 (en) * 2015-08-11 2017-01-26 성균관대학교산학협력단 Chemical vapor deposition device
KR20180072551A (en) * 2016-12-21 2018-06-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Gas treatment apparatus and gas treatment method
CN110273140A (en) * 2018-03-15 2019-09-24 台湾积体电路制造股份有限公司 Gas shower head, film-forming apparatus and the method for being used to form semiconductor structure
US11041242B2 (en) * 2018-03-15 2021-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Gas shower head with plural hole patterns and with corresponding different plural hole densities and film formation method
CN110273140B (en) * 2018-03-15 2022-02-11 台湾积体电路制造股份有限公司 Gas shower head, film forming apparatus, and method for forming semiconductor structure
CN116288265A (en) * 2021-12-21 2023-06-23 Tes股份有限公司 Spray header assembly

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