KR20170000465U - Carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber - Google Patents

Carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber Download PDF

Info

Publication number
KR20170000465U
KR20170000465U KR2020167000065U KR20167000065U KR20170000465U KR 20170000465 U KR20170000465 U KR 20170000465U KR 2020167000065 U KR2020167000065 U KR 2020167000065U KR 20167000065 U KR20167000065 U KR 20167000065U KR 20170000465 U KR20170000465 U KR 20170000465U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
carrier
transport path
processing chamber
supporting
Prior art date
Application number
KR2020167000065U
Other languages
Korean (ko)
Inventor
랄프 린덴버그
볼프강 클라인
지몬 라우
토마스 베르거
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20170000465U publication Critical patent/KR20170000465U/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어(100)가 제공된다. 캐리어(100)는, 선형 운송 경로(133)를 따른 운송을 위해 구성된 캐리어 본체(110), 및 캐리어 본체(110)에 제공되고 기판(101)을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트(120)를 포함하며, 기판 지지 어레인지먼트(120)는, 적어도 하나의 굽힘축(130)을 기판(101)에 대해 정의하도록 구성되고, 그리고 적어도 하나의 굽힘축(130)은 본질적으로 수직 배향을 갖는다.A carrier (100) for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path is provided. The carrier 100 includes a carrier body 110 configured for transport along a linear transport path 133 and at least one substrate support arrangement 120 provided in the carrier body 110 and configured to support the substrate 101. [ Wherein the substrate support arrangement 120 is configured to define at least one bending axis 130 relative to the substrate 101 and at least one bending axis 130 has an essentially vertical orientation.

Description

진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어 및 방법{CARRIER AND METHOD FOR SUPPORTING A SUBSTRATE IN A VACUUM PROCESSING CHAMBER}≪ Desc / Clms Page number 1 > CARRIER AND METHOD FOR SUPPORTING A SUBSTRATE IN A VACUUM PROCESSING CHAMBER < RTI ID =

[0001] 본 개시물의 실시예들은, 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어 및 방법에 관한 것이며, 기판 상에 층을 증착시키기 위한 장치에 관한 것이다. 실시예들은 특히, 예컨대, 층 증착을 위한 기판 프로세싱을 위한 캐리어들, 그리고 대면적 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치에서 대면적 기판을 지지하기 위한 캐리어들에 관한 것이다.[0001] Embodiments of the present disclosure relate to a carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber, and to an apparatus for depositing a layer on a substrate. Embodiments are particularly directed to, for example, carriers for supporting substrates for layer deposition, and carriers for supporting large area substrates in a processing apparatus for processing large area substrates.

[0002] 기판 상에 재료를 증착시키기 위한 여러 방법들이 공지되어 있다. 예컨대, 기판들은 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세스, 등에 의해 코팅될 수 있다. 프로세스는, 코팅될 기판이 로케이팅되는, 프로세싱 장치 또는 프로세싱 챔버에서 수행될 수 있다. 증착 재료가 프로세싱 장치에 제공된다. 복수의 재료들뿐만 아니라 그러한 재료들의 산화물들, 질화물들, 또는 탄화물들이, 기판 상에서의 증착을 위해 사용될 수 있다. 또한, 에칭, 구조화(structuring), 또는 어닐링, 등과 같은 다른 프로세싱 단계들이 프로세싱 챔버들에서 수행될 수 있다.[0002] Various methods for depositing material on a substrate are known. For example, the substrates may be coated by a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, The process may be performed in a processing apparatus or processing chamber where the substrate to be coated is located. A deposition material is provided to the processing apparatus. Oxides, nitrides, or carbides of such materials as well as a plurality of materials can be used for deposition on a substrate. Further, other processing steps such as etching, structuring, or annealing, etc. may be performed in the processing chambers.

[0003] 코팅되는 재료들은 여러 어플리케이션들 및 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 반도체 디바이스들을 생성하는 것과 같은 어플리케이션은 마이크로전자 분야에 속한다. 또한, 디스플레이들을 위한 기판들은, 종종, PVD 프로세스에 의해 코팅된다. 추가적인 어플리케이션들은, 절연 패널들, 유기 발광 다이오드(OLED) 패널들, TFT를 구비한 기판들, 또는 컬러 필터들, 등을 포함한다.[0003] The coated materials can be used in a variety of applications and in various technical fields. For example, applications such as creating semiconductor devices belong to the field of microelectronics. In addition, substrates for displays are often coated by a PVD process. Additional applications include insulating panels, organic light emitting diode (OLED) panels, substrates with TFTs, or color filters, and the like.

[0004] 특히, 디스플레이 생산, 박막 태양 전지들의 제조, 및 유사한 어플리케이션들과 같은 분야들의 경우에, 대면적 유리 기판들이 프로세싱된다. 유리 기판들의 크기를 증가시키는 것은, 예컨대, 유리 파손에 의해 처리량을 희생시키지 않으면서 그러한 기판들을 취급하고, 지지하며, 프로세싱하는 것을 어렵게 만든다.[0004] In particular, in areas such as display production, the manufacture of thin film solar cells, and similar applications, large area glass substrates are processed. Increasing the size of the glass substrates makes it difficult to handle, support, and process such substrates without sacrificing throughput, for example, by glass breakage.

[0005] 기판들은, 특히 기판의 프로세싱 동안, 캐리어들 상에서 지지될 수 있다. 캐리어는 프로세싱 장치를 통하여 유리 또는 기판을 움직인다(drive). 캐리어는 기판의 표면을, 예컨대, 기판의 둘레를 따라서 또는 표면 그 자체를 따라서 지지할 수 있다. 특히, 프레임 형상(frame shaped) 캐리어는, 유리 기판을 마스킹하는(mask) 데에 사용될 수 있고, 캐리어는, 노출되는 기판 부분 상에 증착될 코팅 재료를 위한 개구(aperture), 또는 그러한 기판 부분 상에 작용하는 다른 프로세싱 단계들을 위한 개구를 제공하는데, 그러한 기판 부분은 개구에 의해서 노출된다.[0005] The substrates can be supported on carriers, particularly during processing of the substrate. The carrier drives the glass or substrate through the processing device. The carrier can support the surface of the substrate, for example, along the periphery of the substrate or along the surface itself. In particular, a frame shaped carrier may be used to mask the glass substrate, and the carrier may be an aperture for the coating material to be deposited on the exposed substrate portion, Such that the substrate portion is exposed by the aperture.

[0006] 기판이 더 커지고 또한 더 얇아지는 경향은, 특히 기판이 수직 정렬로 운반될 때, 예컨대, 기판의 임의의 굽힘(bending), 처짐(sagging) 및/또는 부풀음(bulging)에 기인하여, 그리고/또는 층들의 증착 동안 기판에 가해지는 응력(stress)에 기인하여, 기판 포지셔닝의 불안정성을 초래할 수 있다. 결과적으로, 기판 포지셔닝의 불안정성은, 증가하는 파손 가능성, 유지 디바이스들 또는 고정들에서의 높은 응력, 배기(venting) 동안의 흔들림(shaking) 등으로 인해, 문제들을 야기할 수 있다. 또한, 증착되는 층들의 품질, 예컨대, 균일성이 감소될 수 있다.[0006] The tendency of the substrate to become larger and thinner is particularly important because of the bending, sagging and / or bulging of the substrate, especially when the substrate is being transported in vertical alignment, and / Can lead to instability of substrate positioning due to the stress applied to the substrate during deposition of the layers. As a result, the instability of substrate positioning can cause problems, such as increased fracture probability, high stresses in holding devices or fixtures, shaking during venting, and the like. Also, the quality, e.g., uniformity, of the deposited layers can be reduced.

[0007] 기판 또는 기판 포지션을 안정화하고, 그리고 캐리어가, 더 크고 더 얇은 기판들을 파손 없이 운송할 수 있게 하며, 그리고 증착되는 층들의 품질을 개선하려는 필요가 존재한다.[0007] There is a need to stabilize the substrate or substrate position and to allow the carrier to transport larger and thinner substrates without breakage and to improve the quality of the deposited layers.

[0008] 상기 내용을 고려하여, 본 개시물의 목적은, 당업계의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는, 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어 및 방법을 제공하는 것이다.[0008] In view of the foregoing, it is an object of the present disclosure to provide a carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber that overcomes at least some of the problems in the art.

[0009] 상기 내용에 비추어, 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어 및 방법, 및 기판 상에 층을 증착시키기 위한 장치가 제공된다. 본 개시물의 추가적인 양태들, 이점들, 및 특징들은 청구항들, 상세한 설명, 및 첨부한 도면들로부터 자명하다.[0009] In view of the above, a carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber, and an apparatus for depositing a layer on a substrate are provided. Additional aspects, advantages, and features of the disclosure are apparent from the claims, the description, and the accompanying drawings.

[0010] 본 개시물의 양태에 따르면, 선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어가 제공된다. 캐리어는, 선형 운송 경로를 따른 운송을 위해 구성된 캐리어 본체, 및 캐리어 본체에 제공되고 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트를 포함하며, 기판 지지 어레인지먼트는, 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하도록 구성되고, 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 갖는다.[0010] According to an aspect of the disclosure, there is provided a carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path. The carrier includes a carrier body configured for transport along a linear transport path and at least one substrate support arrangement provided in the carrier body and configured to support the substrate, wherein the substrate support arrangement defines at least one bending axis with respect to the substrate And at least one of the bending axes has an essentially vertical orientation.

[0011] 본 개시물의 다른 양태에 따르면, 기판 상에 층을 증착시키기 위한 장치가 제공된다. 장치는, 선형 운송 경로를 갖고 내부에서의 층 증착을 위해 이루어진 진공 프로세싱 챔버, 프로세싱 챔버 내의 캐리어, 및 층을 형성하는 재료를 증착시키기 위한 증착 소스를 포함한다. 캐리어는, 선형 운송 경로를 따른 운송을 위해 구성된 캐리어 본체, 및 캐리어 본체에 제공되고 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트를 포함하며, 기판 지지 어레인지먼트는, 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하도록 구성되고, 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 갖는다.[0011] According to another aspect of the disclosure there is provided an apparatus for depositing a layer on a substrate. The apparatus includes a vacuum processing chamber having a linear transport path and configured for layer deposition therein, a carrier in the processing chamber, and a deposition source for depositing the material forming the layer. The carrier includes a carrier body configured for transport along a linear transport path and at least one substrate support arrangement provided in the carrier body and configured to support the substrate, wherein the substrate support arrangement defines at least one bending axis with respect to the substrate And at least one of the bending axes has an essentially vertical orientation.

[0012] 본 개시물의 또 다른 양태에 따르면, 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 적어도 하나의 굽힘축을 중심으로 기판을 굽히는 단계를 포함하며, 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 갖는다.[0012] According to yet another aspect of the present disclosure, a method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber is provided. The method includes bending the substrate about at least one bending axis, wherein the at least one bending axis has an essentially vertical orientation.

[0013] 본 개시물의 또 다른 양태에 따르면, 선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어가 제공된다. 캐리어는, 선형 운송 경로를 따른 운송을 위해 구성된 캐리어 본체 - 캐리어 본체는 기판을 수직 배향으로 지지하도록 구성됨 -, 캐리어 본체에 제공되고 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트를 포함하며, 기판 지지 어레인지먼트는, 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하도록 구성되고, 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 갖는다. 기판 지지 어레인지먼트는, 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 지지 표면 중 적어도 하나를 더 포함하며, 적어도 하나의 지지 표면은 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하는 커버쳐(curvature), 및 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들을 갖고, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 기판을 제 1 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 1 거리에 그리고 제 2 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열되며, 제 1 거리는 제 2 거리보다 더 크다.[0013] According to another aspect of the disclosure, there is provided a carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path. The carrier comprising: a carrier body configured for transport along a linear transport path, the carrier body configured to support the substrate in a vertical orientation; at least one substrate support arrangement provided to the carrier body and configured to support the substrate, The arrangement is configured to define at least one bending axis with respect to the substrate, and wherein at least one of the bending axes has an essentially vertical orientation. The substrate support arrangement further includes at least one of at least one support surface configured to support a substrate, wherein at least one support surface includes a curvature defining at least one bend axis with respect to the substrate, Two or more of the holding devices are arranged to maintain the substrate at a first distance from the linear transport path at the first position and at a second distance from the linear transport path at the second position, Is greater than the second distance.

[0014] 실시예들은 또한, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 각각의 설명된 방법 단계를 수행하기 위한 장치 파트들(parts)을 포함한다. 이러한 방법 단계들은, 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된(programmed) 컴퓨터에 의해, 상기 2가지의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시물에 따른 실시예들은 또한, 설명된 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 방법은, 장치의 모든 기능을 수행하기 위한 방법 단계들을 포함한다.[0014] Embodiments also relate to devices for performing the disclosed methods and include device parts for performing each of the described method steps. These method steps may be performed by hardware components, by a computer programmed by appropriate software, by any combination of the two, or in any other manner. In addition, embodiments in accordance with the present disclosure also relate to methods for operating the described apparatus. The method includes method steps for performing all functions of the device.

[0015] 본 개시물의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 개시물의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부한 도면들은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이고, 이하에서 설명된다.
도 1a는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어의 사시도를 예시하고;
도 1b는, 기판을 지지하는, 도 1a의 캐리어의 평면도를 예시하며;
도 2a는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 다른 캐리어의 사시도를 예시하고;
도 2b는, 기판을 지지하는, 도 2a의 캐리어의 평면도를 예시하며;
도 3a는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 또 다른 캐리어의 사시도를 예시하고;
도 3b는, 기판을 지지하는, 도 3a의 캐리어의 평면도를 예시하며;
도 4a는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 또 다른 캐리어의 사시도를 예시하고;
도 4b는, 기판을 지지하는, 도 4a의 캐리어의 평면도를 예시하며;
도 5a 및 5b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어들의 평면도들을 예시하고;
도 6a, 6b, 및 6c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어들의 평면도들을 예시하며;
도 7은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어를 활용하여 기판 상에 재료의 층을 증착시키기 위한 장치의 단면도를 도시하고; 그리고
도 8은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어를 활용하여 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0015] In the manner in which the recited features of the disclosure can be understood in detail, a more particular description of the disclosure, briefly summarized above, may be had by reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below.
IA illustrates a perspective view of a carrier according to embodiments described herein;
1B illustrates a top view of the carrier of FIG. 1A, supporting a substrate;
2A illustrates a perspective view of another carrier in accordance with additional embodiments described herein;
Figure 2b illustrates a top view of the carrier of Figure 2a supporting the substrate;
Figure 3A illustrates a perspective view of another carrier in accordance with further embodiments described herein;
Figure 3b illustrates a top view of the carrier of Figure 3a supporting the substrate;
Figure 4a illustrates a perspective view of another carrier in accordance with further embodiments described herein;
Figure 4b illustrates a top view of the carrier of Figure 4a supporting the substrate;
Figures 5A and 5B illustrate plan views of carriers according to embodiments described herein;
Figures 6A, 6B, and 6C illustrate plan views of the carriers in accordance with the embodiments described herein;
Figure 7 illustrates a cross-sectional view of an apparatus for depositing a layer of material on a substrate utilizing a carrier according to embodiments described herein; And
Figure 8 shows a flow diagram of a method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber utilizing a carrier according to embodiments described herein.

[0016] 이제, 본 개시물의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에 예시된다. 도면들에 대한 이하의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시물의 설명으로서 제공되고, 본 개시물의 제한으로서 의미되지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 사용되거나 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 상세한 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.[0016] Reference will now be made in detail to the various embodiments of the disclosure, and examples of one or more of the various embodiments are illustrated in the drawings. In the following description of the drawings, like reference numerals refer to like components. In general, only differences for the individual embodiments are described. Each example is provided as a description of the disclosure and is not meant as a limitation of the disclosure. Further, the features illustrated or described as part of one embodiment may be used with other embodiments, or may be used for other embodiments, to create further embodiments. The detailed description is intended to cover such modifications and variations.

[0017] 본 개시물의 양태에 따르면, 선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어가 제공된다. 캐리어는, 선형 운송 경로를 따른 운송을 위해 구성된 캐리어 본체, 및 캐리어 본체에 제공되고 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트를 포함하며, 기판 지지 어레인지먼트는, 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하도록 구성되고, 그리고 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 갖는다.[0017] According to an aspect of the disclosure, there is provided a carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path. The carrier includes a carrier body configured for transport along a linear transport path and at least one substrate support arrangement provided in the carrier body and configured to support the substrate, wherein the substrate support arrangement defines at least one bending axis with respect to the substrate And at least one bending axis has an essentially vertical orientation.

[0018] 몇몇 실시예들에서, 예컨대, 수직 포지션에서 기판을 안정화하기 위해, 기판은 적어도 하나의 굽힘축을 중심으로 굽혀진다. 굽힘축을 중심으로 기판을 굽힘으로써 기판에 형상을 적용하는 것은, 기판의 구조적 강도가 증가시킬 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 하나 초과의 굽힘축이 제공된다. 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하도록 구성된 기판 지지 어레인지먼트에 의해, 기판은 안정적으로 캐리어 상에 포지셔닝될 수 있고, 캐리어에 의해 유지될 수 있다.[0018] In some embodiments, for example, to stabilize a substrate at a vertical position, the substrate is bent about at least one bending axis. Applying the shape to the substrate by bending the substrate about the bending axis can increase the structural strength of the substrate. In some embodiments, more than one bending axis is provided. By means of a substrate support arrangement configured to define at least one bending axis with respect to the substrate, the substrate can be stably positioned on the carrier and held by the carrier.

[0019] 기판 지지 어레인지먼트는, 적어도 하나의 굽힘축, 즉, n개의 굽힘축들을 정의하도록 구성되며, n은 1과 동일하거나 그 초과(n ≥ 1)인 정수이다. n은, 예컨대, 1 내지 10의 범위, 특히 1 내지 5의 범위, 그리고 더 특히, 1, 2, 3, 4, 또는 5일 수 있다.[0019] The substrate support arrangement is configured to define at least one bending axis, i.e., n bending axes, wherein n is an integer equal to or greater than 1 (n > = 1). n may range, for example, from 1 to 10, especially from 1 to 5, and more particularly 1, 2, 3, 4, or 5.

[0020] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지 어레인지먼트는, 오목 또는 볼록 형상을 기판에 적용하기 위해, 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하도록 구성된다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "오목"이라는 용어는, 적어도 하나의 굽힘축을 중심으로 안쪽으로 만곡되거나(curving in) 내측으로 라운딩되는(inwardly rounded) 것을 의미하며, 적어도 하나의 굽힘축은, 기판에 적용되는 오목 형상의 대칭축일 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "볼록"이라는 용어는, 예컨대, 적어도 하나의 굽힘축을 중심으로 외측으로 만곡되거나 라운딩되는 것을 의미하며, 적어도 하나의 굽힘축은, 기판에 적용되는 볼록 형상의 대칭축일 수 있다.[0020] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate support arrangement is configured to define at least one bending axis with respect to the substrate to apply a concave or convex shape to the substrate. The term "concave " as used herein means to be curved inwardly rounded about at least one bending axis, and at least one bending axis is applied to the substrate It may be a symmetrical axis of a concave shape. As used herein, the term "convex" means to be curved or rounded outward, for example, around at least one bending axis, and at least one bending axis may be a symmetrical axis of the convex shape applied to the substrate.

[0021] 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는, 디스플레이 제조를 위해 사용될 수 있는 기판들, 예컨대, 유리 또는 플라스틱 기판들을 포함할 것이다. 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판들은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel), 등을 위해 사용될 수 있는 기판들을 포함할 것이다. "기판"이라는 용어는 "대면적 기판"으로 이해될 수 있다.[0021] The term "substrate " as used herein will include substrates that may be used for display manufacture, such as glass or plastic substrates. For example, the substrates as described herein will include substrates that can be used for liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and the like. The term "substrate" can be understood as a "large area substrate ".

[0022] 몇몇 실시예들에 따르면, 기판은 적어도 0.174㎡의 크기를 가질 수 있다. 크기는 약 1.4㎡ 내지 약 8㎡, 특히 약 2㎡ 내지 약 9㎡ 또는 심지어 12㎡ 까지일 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 대면적 기판은, 약 1.4㎡ 기판들(1.1m x 1.3m)에 대응하는 5 세대, 약 4.39㎡ 기판들(1.95m x 2.25m)에 대응하는 7.5 세대, 약 5.5㎡ 기판들(2.2m x 2.5m)에 대응하는 8.5 세대, 또는 심지어, 약 8.7㎡ 기판들(2.85m x 3.05m)에 대응하는 10 세대일 수 있다. 심지어 11 세대 및 12 세대와 같은 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.[0022] According to some embodiments, the substrate may have a size of at least 0.174 m < 2 >. The size can range from about 1.4 m 2 to about 8 m 2, particularly from about 2 m 2 to about 9 m 2 or even up to 12 m 2. In some embodiments, the large area substrate is a fifth generation, corresponding to about 1.4 m 2 substrates (1.1 m x 1.3 m), a 7.5 generation substrate corresponding to about 4.39 m 2 substrates (1.95 m x 2.25 m) Or 8.5 generations, or even 10 generations, corresponding to about 8.7 square meters (2.85 square meters, 3.05 meters), corresponding to 2.2 square meters (2.2 square meters). Even larger generations such as the eleventh and twelfth generations and corresponding substrate areas can similarly be implemented.

[0023] 몇몇 구현예들에서, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 만들어질 수 있다. 예컨대, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는, 유리(예컨대, 소다-라임(soda-lime) 유리, 보로실리케이트(borosilicate) 유리, 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 또는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 만들어질 수 있다. 기판의 프로세싱에 또한 영향을 줄 수 있는, 기판 또는 기판 포지셔닝의 불안정성은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어들에 의해서 감소될 수 있다. 특히, 불안정성이 특정한 양태인 유리 기판들 또는 세라믹 기판들의 경우, 캐리어들은 기판 또는 기판 포지셔닝의 안정성을 개선할 수 있다. 본원에서 개시되는 실시예들에 따른 캐리어는, 300마이크로미터 미만의 두께를 갖는 기판들, 예컨대, 유리 기판들에게 안정적인 포지셔닝을 제공할 수 있다.[0023] In some embodiments, the substrate may be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate may be a glass (e.g., soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, compound materials, or any other material that can be coated by a deposition process Or a combination of other materials. The instability of substrate or substrate positioning, which may also affect the processing of the substrate, can be reduced by carriers according to the embodiments described herein. In particular, in the case of glass substrates or ceramic substrates where instability is a particular aspect, the carriers can improve the stability of the substrate or substrate positioning. A carrier according to embodiments disclosed herein can provide stable positioning to substrates having a thickness of less than 300 micrometers, e.g., glass substrates.

[0024] 도 1a는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어(100)의 사시도를 예시하고, 도 1b는, 기판(101)을 지지하는, 도 1a의 캐리어(100)의 평면도를 예시한다.[0024] 1A illustrates a perspective view of a carrier 100 according to embodiments described herein, and Fig. IB illustrates a top view of the carrier 100 of Fig. 1A that supports a substrate 101. Fig.

[0025] 캐리어(100)는, 선형 운송 경로를 따른 운송을 위해 구성된 캐리어 본체(110), 및 캐리어 본체(110)에 제공되고 기판(101)을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트(120)를 포함하며, 기판 지지 어레인지먼트(120)는, 적어도 하나의 굽힘축(130)을 기판(101)에 대해 정의하거나 제공하도록 구성되고, 그리고 적어도 하나의 굽힘축(130)은 본질적으로 수직 배향을 갖는다.[0025] The carrier 100 includes a carrier body 110 configured for transport along a linear transport path and at least one substrate support arrangement 120 provided in the carrier body 110 and configured to support the substrate 101 The substrate support arrangement 120 is configured to define or provide at least one bending axis 130 with respect to the substrate 101 and at least one bending axis 130 has an essentially vertical orientation.

[0026] "수직 방향" 또는 "수직 배향"이라는 용어는, "수평 방향" 또는 "수평 배향"에 대해서 구별되는 것으로 이해된다. 즉, "수직 방향" 또는 "수직 배향"은, 예컨대, 기판 및 캐리어의 실질적으로 수직인 배향에 관한 것이며, 정확한 수직 방향 또는 수직 배향으로부터 몇 도, 예컨대, 10°까지 또는 심지어 15°까지의 편차는 여전히 "수직 방향" 또는 "수직 배향"으로 여겨진다. 도면들에서, 수직 방향 또는 수직 배향은 참조 번호 131로 표시된다. 수직 방향은 중력에 실질적으로 평행할 수 있다.[0026] The terms "vertical direction" or "vertical orientation" are understood to be distinguished for "horizontal direction" or "horizontal orientation". Quot; vertical orientation "refers to, for example, a substantially vertical orientation of the substrate and carrier, and may vary from a precise vertical or vertical orientation to several degrees, e.g., up to 10 degrees, or even up to 15 degrees Quot; vertical orientation "or" vertical orientation ". In the figures, the vertical or vertical orientation is denoted by reference numeral 131. The vertical direction may be substantially parallel to gravity.

[0027] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지 어레인지먼트(120)는, 기판(101)을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 지지 표면(121)을 갖고, 적어도 하나의 지지 표면(121)은 적어도 하나의 굽힘축(130)을 기판(101)에 대해 정의하는 커버쳐를 갖는다. 몇몇 실시예들에서, 적어도 하나의 지지 표면(121)은 연속적인 또는 중단되지 않은 표면이다. 다른 실시예들에서, 적어도 하나의 지지 표면(121)은 둘 또는 그 초과의 세그먼트들, 특히 분리된 세그먼트들, 그리고 더 특히 공간적으로 분리된 세그먼트들을 포함할 수 있다.[0027] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate support arrangement 120 may have at least one support surface 121 configured to support a substrate 101, The support surface 121 has a cover chuck which defines at least one bending axis 130 relative to the substrate 101. In some embodiments, the at least one support surface 121 is a continuous or uninterrupted surface. In other embodiments, the at least one support surface 121 may include two or more segments, particularly discrete segments, and more particularly spatially discrete segments.

[0028] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 지지 표면(121)은 커버쳐를 갖는다. 즉, 적어도 하나의 지지 표면(121)은 만곡된 또는 성형된 표면이다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "커버쳐"라는 용어는, 편평하지 않은 표면을 지칭할 수 있고, 그리고 특히, 적어도 하나의 지지 표면(121)이, 편평한 것으로부터 벗어난 양을 지칭할 수 있다. 커버쳐는 오목 커버쳐일 수 있다. 다른 실시예들에서, 커버쳐는 볼록 커버쳐일 수 있다.[0028] According to some embodiments described herein, at least one of the support surfaces 121 has a cover click. That is, at least one support surface 121 is a curved or molded surface. The term "coverer " as used herein may refer to a non-flat surface, and in particular, at least one support surface 121 may refer to an amount deviating from a flat surface. The cover cover can be a concave cover cover. In other embodiments, the cover chute may be a convex cover chute.

[0029] 몇몇 구현예들에서, 커버쳐는 원형 형상을 갖는데, 특히, 커버쳐는 원의 세그먼트이다. 도 1a 및 1b에 도시된 바와 같이, 커버쳐는 반경을 갖는다. 반경은 원의 세그먼트를 정의하기 위해 일정할 수 있다. 커버쳐의 다른 형상들, 예컨대, 이후에 도 6을 참조하여 설명될 바와 같은 파형 형상(wavelike shape)이 가능하다.[0029] In some implementations, the coverture has a circular shape, and in particular, the covercher is a segment of the circle. As shown in Figs. 1A and 1B, the cover portion has a radius. The radius can be constant to define the segment of the circle. Other shapes of coverers, e.g., wavelike shapes as described with reference to Figure 6, are possible.

[0030] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 지지 표면(121)은 제 1 방향(132)으로 연장되고, 적어도 하나의 굽힘축(130)은 제 1 방향(132)에 대해 실질적으로 수직이다. 제 1 방향(132)은 적어도 하나의 지지 표면(121)의 세로 방향일 수 있다.[0030] The at least one support surface 121 extends in a first direction 132 and the at least one bending axis 130 is substantially perpendicular to the first direction 132. In accordance with some embodiments described herein, to be. The first direction 132 may be the longitudinal direction of the at least one support surface 121.

[0031] 예로서, 제 1 방향은 수평 방향이고, 특히, 수평 방향은 중력에 대해 실질적으로 수직이다. "수평 방향" 또는 "수평 배향"이라는 용어는, 상기-언급된 "수직 방향"에 대해서 구별되는 것으로 이해된다. 즉, "수평 방향"은 실질적으로 수평한, 즉, 중력에 대해 실질적으로 수직인 배향에 관한 것이며, 정확한 수평 방향 또는 수평 배향으로부터 몇 도, 예컨대, 10°까지 또는 심지어 15°까지의 편차는 여전히 "수평 방향" 또는 "수평 배향"으로 여겨진다.[0031] By way of example, the first direction is a horizontal direction, and in particular, the horizontal direction is substantially perpendicular to gravity. The terms "horizontal direction" or "horizontal orientation" are understood to be distinguished from the above-mentioned "vertical direction ". That is, the "horizontal direction" relates to a substantially horizontal orientation, i.e., an orientation that is substantially perpendicular to gravity, and deviations of up to several degrees, e.g., up to 10 degrees or even up to 15 degrees, Quot; horizontal orientation "or" horizontal orientation ".

[0032] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어 본체(110)는, 하나 또는 그 초과의 프레임 엘리먼트들을 갖는 프레임을 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 프레임 엘리먼트들은 제 1 프레임 엘리먼트 및 제 2 프레임 엘리먼트를 포함하고, 적어도 하나의 지지 표면은, 제 1 프레임 엘리먼트에 의해 제공되는 제 1 지지 표면 및 제 2 프레임 엘리먼트에 의해 제공되는 제 2 지지 표면을 포함한다.[0032] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the carrier body 110 includes a frame having one or more frame elements. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, one or more of the frame elements includes a first frame element and a second frame element, A first support surface provided by the frame element and a second support surface provided by the second frame element.

[0033] 도 1a에 도시된 바와 같이, 캐리어 본체(110)의 프레임은 제 1 프레임 엘리먼트(111), 제 2 프레임 엘리먼트(113), 제 3 프레임 엘리먼트(112), 및 제 4 프레임 엘리먼트(114)를 포함한다. 제 1 프레임 엘리먼트(111)는 지지 어레인지먼트(120)의 제 1 지지 표면(121)을 제공하고, 제 2 프레임 엘리먼트(113)는 지지 어레인지먼트(120)의 제 2 지지 표면(121')을 제공한다. 제 1 프레임 엘리먼트(111)와 제 2 프레임 엘리먼트(113)는 실질적으로 평행하게 배향될 수 있고, 그리고/또는 제 3 프레임 엘리먼트(112)와 제 4 프레임 엘리먼트(114)는 실질적으로 평행하게 배향될 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 제 1 프레임 엘리먼트(111) 및 제 2 프레임 엘리먼트(113)는 수평 방향으로 실질적으로 평행하게 연장되며, 특히, 수평 방향은 중력에 대해 실질적으로 수직이다. 제 1 프레임 엘리먼트(111) 및 제 2 프레임 엘리먼트(113)는, 각각, 정상부 바아(top bar) 및 바닥부(bottom) 바아로 지칭될 수 있다. 제 3 프레임 엘리먼트(112) 및 제 4 프레임 엘리먼트(114)는 측면 바아들로 지칭될 수 있다.[0033] 1A, the frame of the carrier body 110 includes a first frame element 111, a second frame element 113, a third frame element 112, and a fourth frame element 114 do. The first frame element 111 provides a first support surface 121 of the support arrangement 120 and the second frame element 113 provides a second support surface 121 ' of the support arrangement 120 . The first frame element 111 and the second frame element 113 may be oriented substantially parallel and / or the third frame element 112 and the fourth frame element 114 may be oriented substantially parallel . In some embodiments, the first frame element 111 and the second frame element 113 extend substantially parallel in the horizontal direction, and in particular, the horizontal direction is substantially perpendicular to gravity. The first frame element 111 and the second frame element 113 may be referred to as a top bar and a bottom bar, respectively. The third frame element 112 and the fourth frame element 114 may be referred to as side bars.

[0034] 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트, 특히 적어도 하나의 지지 표면은, 예컨대, 대면적 기판(101)을 지지하도록 구성된다. 적어도 하나의 지지 표면(121)은 기판(101)의 둘레 부분과 접촉하도록 구성될 수 있다. 몇몇 구현예들에 따르면, 적어도 하나의 기판 지지 표면(121)은 또한, "기판 수용 표면"으로 지칭될 수 있다.[0034] At least one substrate support arrangement, in particular at least one support surface, is configured to support a large area substrate 101, for example. At least one support surface 121 may be configured to contact a peripheral portion of the substrate 101. According to some embodiments, at least one substrate support surface 121 may also be referred to as a "substrate receiving surface ".

[0035] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어 본체는 기판을 수직 배향으로 지지하도록 구성된다.[0035] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the carrier body is configured to support the substrate in a vertical orientation.

[0036] 예로서, 본원에서 설명되는 캐리어들 및 본원에서 설명되는 캐리어들을 활용하기 위한 장치들은 수직적 기판 프로세싱을 위한 것이다. "수직적 기판 프로세싱"이라는 용어는, "수평적 기판 프로세싱"에 대해서 구별되는 것으로 이해된다. 즉, 수직적 기판 프로세싱은, 기판 프로세싱 동안의 기판 및 캐리어의 실질적으로 수직인 배향에 관한 것이며, 정확한 수직 배향으로부터 몇 도, 예컨대, 10°까지 또는 심지어 15°까지의 편차는 여전히 수직적 기판 프로세싱으로 여겨진다.[0036] By way of example, the devices described herein for utilizing the carriers and the carriers described herein are for vertical substrate processing. The term "vertical substrate processing" is understood to be distinguished from "horizontal substrate processing ". That is, vertical substrate processing refers to a substantially vertical orientation of the substrate and the carrier during substrate processing, and deviations of up to several degrees, e.g., up to 10 degrees, or even up to 15 degrees, from the correct vertical orientation are still considered vertical substrate processing .

[0037] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어 본체는 기판을 수용하도록 구성된 개구 구멍(aperture opening)을 갖는다. 예로서, 프레임의 하나 또는 그 초과의 프레임 엘리먼트들은, 기판(101)을 수용하도록 구성되는 개구 구멍, 예컨대, 개구 구멍(115)을 형성한다. 개구 구멍(115)은 또한, "윈도우(window)"로 지칭될 수 있다.[0037] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the carrier body has an aperture opening configured to receive a substrate. By way of example, one or more of the frame elements of the frame form an aperture hole, e.g., aperture hole 115, configured to receive the substrate 101. The aperture opening 115 may also be referred to as a "window ".

[0038] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어 본체는 금속 또는 플라스틱으로 만들어진다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 프레임 엘리먼트들을 갖는 프레임은 금속 또는 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어 본체(110)는 알루미늄, 알루미늄 합금들, 티타늄, 티타늄의 합금들, 또는 스테인리스 스틸, 등으로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 예컨대, 5 세대 또는 그 미만의 작은 대면적 기판들의 경우, 캐리어 본체(110)는 단일 피스(single piece)로부터 제조될 수 있는데, 즉, 캐리어 본체(110)는 일체형으로(integrally) 형성될 수 있다. 그러나, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어 본체(110)는 프레임 엘리먼트들, 예컨대, 정상부 바아, 측면바아들, 및 바닥부 바아와 같은 둘 또는 그 초과의 단일 엘리먼트들을 포함할 수 있다.[0038] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the carrier body is made of metal or plastic. By way of example, a frame having one or more frame elements may be made of metal or plastic. According to some embodiments, the carrier body 110 may be made of aluminum, aluminum alloys, alloys of titanium, titanium, or stainless steel, or the like. For example, the carrier body 110 may be manufactured from a single piece, i.e., the carrier body 110 may be integrally formed, for example, in small, . However, according to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the carrier body 110 may include two or more of the frame elements, such as top bars, side bars, and bottom bars, ≪ / RTI >

[0039] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어들은, PVD 증착 프로세스들, CVD 증착 프로세스들, 기판 구조화 에징(edging), 가열(예컨대, 어닐링), 또는 임의의 종류의 기판 프로세싱을 위해서 활용될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 캐리어들의 실시예들 및 그러한 캐리어들을 활용하기 위한 방법들은 비-정지형(non-stationary)에 대해서, 즉 연속적인 기판 프로세싱에 대해서 특히 유용하다. 캐리어들은, 수직으로 배향된 대면적 유리 기판들을 프로세싱하기 위해 제공될 수 있다. 비-정지형 프로세싱은 전형적으로, 캐리어가 또한 프로세스를 위한 마스킹 엘리먼트들을 제공할 것을 요구한다.[0039] Carriers in accordance with the embodiments described herein may be utilized for PVD deposition processes, CVD deposition processes, substrate structuring edging, heating (e.g., annealing), or any type of substrate processing. Embodiments of carriers as described herein and methods for utilizing such carriers are particularly useful for non-stationary, i.e., continuous substrate processing. The carriers may be provided for processing vertically oriented large area glass substrates. Non-stationary processing typically requires that the carrier also provide masking elements for the process.

[0040] 특히, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어는 또한, 기판을 마스킹할 수 있다. 예로서, 프레임 또는 캐리어 본체의 개구 구멍은, 노출되는 기판 부분 상에 증착될 코팅 재료를 위한 개구, 또는 그러한 기판 부분 상에 작용하는 다른 프로세싱 단계들을 위한 개구를 제공할 수 있는데, 그러한 기판 부분은 개구에 의해서 노출된다. 또한, 코팅 재료가 오직, 마스크 디바이스에 의해 노출되는 기판 부분들 상에만 증착될 수 있도록, 기판의 부분들을 마스킹하도록 구성된 마스킹 디바이스가 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 챔버에 제공될 수 있는 개별 에지 배제 마스크(edge exclusion mask)에 의해 마스킹이 제공될 수 있다.[0040] In particular, the carrier according to the embodiments described herein can also mask the substrate. By way of example, the aperture of the frame or carrier body may provide an opening for the coating material to be deposited on the exposed substrate portion, or an opening for other processing steps to act on such substrate portion, Is exposed by the opening. A masking device configured to mask portions of the substrate may also be provided such that the coating material can only be deposited on portions of the substrate exposed by the mask device. According to some embodiments, masking may be provided by a separate edge exclusion mask that may be provided to the processing chamber.

[0041] 도 2a는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 캐리어(200)의 사시도를 예시하고, 도 2b는, 기판(101)을 지지하는, 도 2a의 캐리어(200)의 평면도를 예시한다.[0041] 2A illustrates a perspective view of a carrier 200 according to further embodiments described herein and FIG. 2B illustrates a top view of the carrier 200 of FIG. 2A supporting a substrate 101. FIG.

[0042] 도 2a 및 2b의 캐리어(200)는 도 1a 및 1b에 관하여 상기 설명된 캐리어(100)와 유사하며, 차이점은, 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트의 구성이다. 동일한 피쳐들(features)의 유사한 상기 주어진 설명들이 또한, 도 2a 및 2b의 실시예에도 적용되며 반복되지 않는다.[0042] The carrier 200 of FIGS. 2A and 2B is similar to the carrier 100 described above with respect to FIGS. 1A and 1B, with the difference being the construction of at least one substrate support arrangement. Similar given explanations of the same features also apply to the embodiment of Figures 2a and 2b and are not repeated.

[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지 어레인지먼트는 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들을 포함하고, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 기판을 제 1 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 1 거리에 그리고 제 2 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열되며, 제 1 거리는 제 2 거리보다 더 크다.[0043] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a substrate support arrangement may include two or more retaining devices, two or more retaining devices may be used to hold the substrate in a first position A first distance from the linear transport path and a second distance from the linear transport path in the second position, wherein the first distance is greater than the second distance.

[0044] 몇몇 구현예들에서, 기판 지지 어레인지먼트는 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들을 포함하고, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 기판(101)을 제 1 포지션에서 캐리어 본체(110) 또는 프레임으로부터 제 1 거리에 그리고 제 2 포지션에서 캐리어 본체(110) 또는 프레임으로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열되며, 제 1 거리는 제 2 거리보다 더 크다.[0044] In some embodiments, the substrate support arrangement includes two or more retaining devices, and two or more of the retaining devices support the substrate 101 at a first position from the carrier body 110 or frame at a first distance And a second distance from the carrier body 110 or frame at a second position, wherein the first distance is greater than the second distance.

[0045] 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 유지 디바이스들은 기판(101)을 캐리어 본체(110) 또는 프레임에 고정시키고, 예컨대, 증착 프로세스 동안 기판(101)을 제 위치에(in place) 유지하도록 구성된다. 몇몇 구현예들에서, 선형 운송 경로(133)는 제 1 방향(132)에 대해 본질적으로 평행하고, 제 1 방향(132)은 수평 방향일 수 있다.[0045] According to some embodiments, one or more of the holding devices may be used to secure the substrate 101 to the carrier body 110 or frame and to maintain the substrate 101 in place during, for example, a deposition process . In some embodiments, the linear transport path 133 may be essentially parallel to the first direction 132 and the first direction 132 may be horizontal.

[0046] 도 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들, 예컨대, 2개의 제 1 유지 디바이스들(210) 및 제 2 유지 디바이스(220)가 제공된다. 제 1 유지 디바이스들(210)은 기판(101)을 제 1 포지션에서 선형 운송 경로(133)로부터 제 1 거리에 유지하도록 배열된다. 예로서, 제 1 유지 디바이스들(210)은 기판(101)을 제 1 포지션에서 캐리어 본체(110) 또는 프레임으로부터 제 1 거리에 유지하도록 배열된다. 제 2 유지 디바이스(220)는 기판(101)을 제 2 포지션에서 선형 운송 경로(133)로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열되고, 제 1 거리는 제 2 거리보다 더 크다. 예로서, 제 2 유지 디바이스(220)는 기판(101)을 제 2 포지션에서 캐리어 본체(110) 또는 프레임으로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열된다. 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 원형 형상 또는 파형 형상을, 특히, 오목 또는 볼록 형상을 기판(101)에 적용하도록 구성될 수 있다.[0046] Two or more retaining devices, e.g., two first retaining devices 210 and a second retaining device 220, are provided, as shown in Figures 2A and 2B. The first holding devices 210 are arranged to maintain the substrate 101 at a first distance from the linear transport path 133 in the first position. By way of example, the first holding devices 210 are arranged to maintain the substrate 101 at a first distance from the carrier body 110 or frame at a first position. The second retention device 220 is arranged to maintain the substrate 101 at a second distance from the linear transport path 133 in the second position and the first distance is greater than the second distance. By way of example, the second retention device 220 is arranged to maintain the substrate 101 at a second distance from the carrier body 110 or frame at the second position. Two or more of the holding devices may be configured to apply a circular or corrugated shape, particularly a concave or convex shape, to the substrate 101.

[0047] 몇몇 구현예들에서, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들(210, 220) 중 적어도 하나는, 선형 운송 경로(133)로부터 제 1 거리 또는 제 2 거리를 제공하는 거리 엘리먼트, 예컨대, 거리 엘리먼트들(211 및 221), 및 기판(101)과 접촉하고 그리고/또는 기판(101)을 유지하도록 구성된 유지 엘리먼트, 예컨대, 유지 엘리먼트들(212 및 222)을 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 매달린(hanging) 또는 현수된(suspended) 포지션에서 기판(101)을 유지하기 위해 걸이형 또는 장착형 현수부(suspension)를 포함할 수 있다. 예로서, 유지 디바이스의 유지 엘리먼트는 행잉 또는 서스펜디드 포지션에서 기판(101)을 유지하도록 구성될 수 있다.[0047] In some implementations, at least one of the two or more retention devices 210, 220 may include a distance element, e.g., distance elements (e.g., 211 and 221 and a retaining element such as retaining elements 212 and 222 that are configured to contact and / or hold the substrate 101 with the substrate 101. According to some embodiments, two or more of the holding devices may include a hanger or mountable suspension to hold the substrate 101 in a hanging or suspended position . By way of example, the retaining element of the retaining device can be configured to hold the substrate 101 in the hanging or suspended position.

[0048] 몇몇 구현예들에서, 하나 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 기판(101)의 연장된 표면들에, 예컨대, 코팅될 연장된 표면 상에 유지력을 가하는 것에 의해 기판을 유지하도록 구성된다. 예로서, 기판(101)을 유지하거나 클램핑하기 위해, 클램프는 연장된 표면들 양쪽 모두와 접촉한다.[0048] In some embodiments, one or more of the holding devices are configured to hold the substrate by applying retention force on the extended surfaces of the substrate 101, e.g., on the extended surface to be coated. By way of example, to hold or clamp the substrate 101, the clamp contacts both extended surfaces.

[0049] 3개의 유지 디바이스들, 즉, 유지 디바이스들(210 및 220)이 도 2a 및 2b에 도시되었지만, 본 개시물은 이에 제한되지 않는다. 3개 초과의 유지 디바이스들이 제공될 수 있다. 예로서, 하나 초과의 유지 디바이스가, 제 1 프레임 엘리먼트(111), 제 2 프레임 엘리먼트(113), 제 3 프레임 엘리먼트(112) 및/또는 제 4 프레임 엘리먼트(114) 중 적어도 하나에 제공될 수 있다.[0049] Although three holding devices, i.e., holding devices 210 and 220, are shown in Figures 2A and 2B, the present disclosure is not so limited. More than three retention devices may be provided. As an example, more than one retention device may be provided on at least one of the first frame element 111, the second frame element 113, the third frame element 112 and / or the fourth frame element 114 have.

[0050] 도 3a는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 캐리어(300)의 사시도를 예시하고, 도 3b는, 기판(101)을 지지하는, 도 3a의 캐리어(300)의 평면도를 예시한다.[0050] 3A illustrates a perspective view of a carrier 300 according to further embodiments described herein and FIG. 3B illustrates a top view of the carrier 300 of FIG. 3A that supports a substrate 101. FIG.

[0051] 도 3a 및 3b의 캐리어(300)는 도 1a 및 1b에 관하여 상기 설명된 캐리어(100)와 유사하며, 차이점은, 하나 또는 그 초과의 유지 디바이스들(310)이 제공되고 기판 지지 어레인지먼트(320)는 기판(101)에 볼록 형상을 적용하도록 구성된다는 점이다. 동일한 피쳐들의 유사한 상기 주어진 설명들이 또한, 도 3a 및 3b의 실시예에도 적용되며 반복되지 않는다. 하나 또는 그 초과의 유지 디바이스들(310)은, 도 2a 및 2b에 관하여 상기 설명된 유지 디바이스들과 유사하게 또는 동일하게 구성될 수 있다.[0051] The carrier 300 of Figures 3A and 3B is similar to the carrier 100 described above with respect to Figures 1A and 1B except that one or more of the holding devices 310 are provided and the substrate support arrangement 320 is provided, Is configured to apply a convex shape to the substrate (101). Similar given explanations of the same features also apply to the embodiment of Figures 3a and 3b and are not repeated. One or more of the retaining devices 310 may be configured similar or similar to the retaining devices described above with respect to Figures 2A and 2B.

[0052] 하나 또는 그 초과의 유지 디바이스들(310)은, 적어도 하나의 굽힘축(130)을 기판(101)에 대해 정의하거나 제공하기 위한 커버쳐를 갖는 적어도 하나의 지지 표면, 예컨대, 제 1 지지 표면(321) 및 제 2 지지 표면(321')에서 기판(101)을 유지하도록 구성될 수 있으며, 특히, 커버쳐는 볼록 커버쳐이다. 몇몇 구현예들에서, 하나 또는 그 초과의 유지 디바이스들(310)은, 기판(101)의 연장된 표면들에, 예컨대, 코팅될 연장된 표면 상에 유지력을 가하는 것에 의해 기판(101)을 유지하도록 구성된다. 예로서, 기판(101)을 유지하거나 클램핑하기 위해, 클램프는 연장된 표면들 양쪽 모두와 접촉한다.[0052] One or more of the retaining devices 310 may include at least one support surface having a cover chuck for defining or providing at least one bending axis 130 with respect to the substrate 101, 321 and the second support surface 321 ', and in particular, the cover chute is a convex cover chaser. In some embodiments, one or more of the holding devices 310 may be configured to hold the substrate 101 by applying retention forces on the extended surfaces of the substrate 101, . By way of example, to hold or clamp the substrate 101, the clamp contacts both extended surfaces.

[0053] 4개의 유지 디바이스들이 도 3a 및 3b에 도시되었지만, 본 개시물은 이에 제한되지 않는다. 4개 초과의 유지 디바이스들이 제공될 수 있다. 예로서, 하나 초과의 유지 디바이스(310)가, 제 1 프레임 엘리먼트(111), 제 2 프레임 엘리먼트(113), 제 3 프레임 엘리먼트(112) 및/또는 제 4 프레임 엘리먼트(114) 중 적어도 하나에 제공될 수 있다.[0053] Although four holding devices are shown in Figures 3a and 3b, the present disclosure is not so limited. More than four retention devices may be provided. By way of example, more than one retention device 310 may be attached to at least one of the first frame element 111, the second frame element 113, the third frame element 112 and / or the fourth frame element 114 Can be provided.

[0054] 도 4a는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 캐리어(400)의 사시도를 예시하고, 도 4b는, 기판(101)을 지지하는, 도 4a의 캐리어(400)의 평면도를 예시한다.[0054] 4A illustrates a perspective view of a carrier 400 according to further embodiments described herein, and Fig. 4B illustrates a top view of the carrier 400 of Fig. 4A supporting a substrate 101. Fig.

[0055] 도 4a 및 4b의 캐리어(400)는 도 1 내지 3에 관하여 상기 설명된 캐리어들과 유사하다. 동일한 피쳐들의 유사한 상기 주어진 설명들이 또한, 도 4a 및 4b의 실시예에도 적용되며 반복되지 않는다.[0055] The carrier 400 of Figures 4A and 4B is similar to the carriers described above with respect to Figures 1-3. Similar given explanations of the same features also apply to the embodiment of Figures 4A and 4B and are not repeated.

[0056] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지 어레인지먼트는 플레이트(410), 예컨대, 굽혀진 플레이트를 포함하거나, 그러한 플레이트이다. 플레이트는 지지 표면, 예컨대, 지지 표면(411)을 가질 수 있다. 플레이트(410)는 원통형 형상을 가질 수 있고, 특히, 플레이트(410)는 원통의 세그먼트이다. 원통은 반경을 가질 수 있다. 반경은 원통의 세그먼트를 정의하기 위해 일정할 수 있다. 플레이트(410)의 다른 형상들, 예컨대, 파형 형상, 특히, 사인파(sinusoidal) 형상이 가능하다. 몇몇 구현예들에서, 플레이트는 오목하게 또는 볼록하게 성형될 수 있다.[0056] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate support arrangement includes a plate 410, e.g., a bent plate, or such a plate. The plate may have a support surface, e.g., a support surface 411. The plate 410 may have a cylindrical shape, and in particular, the plate 410 is a segment of a cylinder. The cylinder can have a radius. The radius can be constant to define the segment of the cylinder. Other shapes of the plate 410, e.g., a wave shape, in particular a sinusoidal shape, are possible. In some embodiments, the plate may be concave or convexly shaped.

[0057] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지 어레인지먼트는 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들을 포함하고, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 기판을 제 1 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 1 거리에 그리고 제 2 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열되며, 제 1 거리는 제 2 거리보다 더 크다.[0057] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a substrate support arrangement may include two or more retaining devices, two or more retaining devices may be used to hold the substrate in a first position A first distance from the linear transport path and a second distance from the linear transport path in the second position, wherein the first distance is greater than the second distance.

[0058] 몇몇 구현예들에서, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 전기장, 특히 정전기장을 생성하도록 구성된 적어도 하나의 전극을 포함한다. 적어도 하나의 전극은, 기판(101)을 지지 표면(411)에서, 예컨대, 정전기적으로 유지하도록 구성될 수 있다. 예로서, 적어도 하나의 전극(412)이 플레이트(410)에 매립될 수 있거나, 또는 지지 표면(411)에 대향하는(opposite) 플레이트(410) 측에 제공될 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 기판 지지 어레인지먼트, 그리고 특히, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은 척(chuck)으로서 구성될 수 있다.[0058] In some embodiments, two or more of the holding devices include at least one electrode configured to generate an electric field, particularly an electrostatic field. At least one electrode can be configured to hold the substrate 101 electrostatically, e.g., at the support surface 411. As an example, at least one electrode 412 may be embedded in the plate 410, or may be provided on the side of the plate 410 opposite to the support surface 411. In some embodiments, the substrate support arrangement, and in particular two or more of the holding devices, can be configured as a chuck.

[0059] 도 5a 및 5b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어들의 평면도들을 예시한다. 도 5a에서, 커버쳐를 갖는 적어도 하나의 지지 표면을 구비한 기판 지지 어레인지먼트의 구성이 도시된다. 도 5b에서, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들을 갖는 기판 지지 어레인지먼트의 구성이 도시된다.[0059] Figures 5A and 5B illustrate plan views of carriers in accordance with the embodiments described herein. In Figure 5a, the configuration of a substrate support arrangement with at least one support surface having a cover chuck is shown. In Fig. 5b, the configuration of a substrate support arrangement having two or more retention devices is shown.

[0060] 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어 본체(110)는 기판(101)과 접촉하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 접촉 표면들을 가질 수 있다. 예로서, 캐리어 본체(110), 그리고 특히, 캐리어 본체(110)의 프레임은, 접촉 표면들을 제공하는 하나 또는 그 초과의 라운딩된 에지들을 가질 수 있다. 예로서, 제 3 프레임 엘리먼트(112) 및 제 4 프레임 엘리먼트(114)는 각각, 예컨대, 제 3 프레임 엘리먼트(112) 및 제 4 프레임 엘리먼트(114)의 라운딩된 에지들에 의해 제공되는 접촉 표면을 가질 수 있다.[0060]  According to some embodiments, the carrier body 110 may have one or more contact surfaces configured to contact the substrate 101. By way of example, the carrier body 110, and in particular the frame of the carrier body 110, may have one or more rounded edges that provide contact surfaces. For example, the third frame element 112 and the fourth frame element 114 may each have a contact surface provided by the rounded edges of, for example, the third frame element 112 and the fourth frame element 114 Lt; / RTI >

[0061] 도 6a, 6b, 및 6c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어들의 평면도들을 예시한다.[0061] Figures 6A, 6B, and 6C illustrate plan views of the carriers in accordance with the embodiments described herein.

[0062] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지 어레인지먼트는, 파형 형상, 특히 사인파 형상을 기판에 적용하기 위해, 둘 또는 그 초과의 굽힘축들을 기판에 대해 정의하도록 구성된다.[0062] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate support arrangement may be configured to define two or more bending axes relative to the substrate to apply a corrugated shape, particularly a sinusoidal shape, .

[0063] 몇몇 구현예들에서, 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판 지지 어레인지먼트(420)의 지지 표면(421)의 커버쳐는 파형 형상, 특히 사인파 형상을 갖는다. 예로서, 기판 지지 어레인지먼트(420)의 지지 표면(421)의 커버쳐는 둘 또는 그 초과의 굽힘축들(422)을 기판(101)에 대해 정의하거나 기판(101)에 제공한다. 둘 또는 그 초과의 굽힘축(422)에 의해, 파형 형상, 특히 사인파 형상이 기판(101)에 적용될 수 있다.[0063] In some embodiments, the cover portion of the support surface 421 of the substrate support arrangement 420 has a corrugated shape, particularly a sinusoidal shape, as shown in FIG. 6A. As an example, the cover portion of the support surface 421 of the substrate support arrangement 420 defines two or more bending axes 422 relative to the substrate 101 or provides it to the substrate 101. By means of two or more bending axes 422, a corrugation shape, in particular a sinusoidal shape, can be applied to the substrate 101.

[0064] 도 6b 및 6c에 도시된 바와 같이, 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들(440, 441)이 제공된다. 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들(440, 441)은, 기판(101)을 제 1 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 1 거리에 그리고 제 2 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열되며, 제 1 거리는 제 2 거리보다 더 크다. 도 6b 및 6c에서, 기판(101)을 제 1 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 1 거리에, 그리고 특히, 캐리어 본체 또는 프레임, 예컨대, 제 1 프레임 엘리먼트(111)로부터 제 1 거리에 유지하기 위해, 둘 또는 그 초과의 제 1 유지 디바이스들(440)이 제공된다. 기판(101)을 제 2 포지션에서 선형 운송 경로로부터 제 2 거리에, 그리고 특히, 캐리어 본체 또는 프레임, 예컨대, 제 1 프레임 엘리먼트(111)로부터 제 2 거리에 유지하기 위해, 둘 또는 그 초과의 제 2 유지 디바이스들(441)이 제공된다. 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들(440, 441)에 의해, 파형 형상, 특히 사인파 형상이 기판(101)에 적용될 수 있다.[0064] As shown in Figures 6b and 6c, two or more retention devices 440, 441 are provided. Two or more of the holding devices 440 and 441 are arranged to maintain the substrate 101 at a first distance from the linear transport path at the first position and at a second distance from the linear transport path at the second position, The first distance is larger than the second distance. 6B and 6C, in order to maintain the substrate 101 at a first distance from the linear transport path in the first position and in particular at a first distance from the carrier body or frame, e.g., the first frame element 111, Two or more first retaining devices 440 are provided. In order to maintain the substrate 101 at a second distance from the linear transport path in the second position, and in particular at a second distance from the carrier body or frame, e.g., the first frame element 111, 2 holding devices 441 are provided. By means of two or more retaining devices 440, 441, a corrugation shape, in particular a sinusoidal shape, can be applied to the substrate 101.

[0065] 도 7은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어(510)를 활용하여 기판(101) 상에 재료의 층을 증착시키기 위한 장치(500)의 도면을 도시한다.[0065] Figure 7 illustrates a view of an apparatus 500 for depositing a layer of material on a substrate 101 utilizing a carrier 510 according to embodiments described herein.

[0066] 장치(500)는, 선형 운송 경로를 갖고 내부에서의 층 증착을 위해 이루어진 진공 프로세싱 챔버(512), 프로세싱 챔버(512) 내의 캐리어(510), 및 층을 형성하는 재료를 증착시키기 위한 증착 소스(530)를 포함한다. 캐리어(510)는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 구성된다. 캐리어(510)는, 예컨대, 도 1 내지 6에 관하여 상기 설명된 캐리어들 중 임의의 캐리어로서 구성될 수 있다.[0066] The apparatus 500 includes a vacuum processing chamber 512 having a linear transport path and configured for layer deposition therein, a carrier 510 in the processing chamber 512, and a deposition source (not shown) for depositing the material forming the layer 530). Carrier 510 is configured in accordance with the embodiments described herein. Carrier 510 may be configured, for example, as any of the carriers described above with respect to Figures 1-6.

[0067] 프로세싱 챔버(512)는 PVD 또는 CVD 프로세스와 같은 증착 프로세스를 위해서 이루어진다. 기판(101)은 기판 운송 디바이스(520) 상의 캐리어(510) 내에 또는 캐리어(510)에 로케이팅되어 있는 것으로 도시된다. 증착 소스(530)는, 코팅될 기판(101)의 측과 대면하여, 챔버에 제공된다. 증착 소스(530)는 기판(101) 상에 증착될 증착 재료를 제공한다.[0067] The processing chamber 512 is made for a deposition process such as a PVD or CVD process. The substrate 101 is shown as being located in or on the carrier 510 on the substrate transport device 520. The deposition source 530 is provided in the chamber, facing the side of the substrate 101 to be coated. The deposition source 530 provides an evaporation material to be deposited on the substrate 101.

[0068] 도 7에서, 증착 소스(530)는, 증착 재료를 상부에 갖는 타겟, 또는 기판(101) 상에서의 증착을 위해서 재료가 방출되는(released) 것을 허용하는 임의의 다른 어레인지먼트일 수 있다. 증착 소스(530)는 회전 가능한 타겟일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 소스(530)는, 소스를 포지셔닝하기 위해서 그리고/또는 교체하기 위해서, 이동 가능할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 증착 소스(530)는 평면형(planar) 타겟일 수 있다.[0068] In Fig. 7, the deposition source 530 can be a target having an evaporation material on top, or any other arrangement that allows the material to be released for deposition on the substrate 101. The deposition source 530 may be a rotatable target. According to some embodiments, the deposition source 530 may be movable, to position and / or replace the source. According to other embodiments, the deposition source 530 may be a planar target.

[0069] 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 소스(530)는 캐소드 어레이일 수 있거나 또는 캐소드 어레이를 포함할 수 있다. 캐소드 어레이는 복수의 재료 소스 디바이스들을 포함할 수 있다.[0069] According to some embodiments, the deposition source 530 may be a cathode array or may comprise a cathode array. The cathode array may include a plurality of material source devices.

[0070] 캐소드 어레이의 복수의 재료 소스 디바이스들은, 기판(101)에 대해 상이한 거리들을 갖도록 기판(101)에 대하여 배열될 수 있다. 즉, 평면도에서, 캐소드 어레이의 재료 소스 디바이스들은 굽혀진 또는 만곡된 선을 따라서 배열될 수 있다. 캐소드 어레이의 재료 소스 디바이스들을 기판에 대해 상이한 거리들에 배열함으로써, 그리고 특히, 캐소드 어레이의 단부 섹션의 재료 소스 디바이스들을, 캐소드 어레이의 중앙 섹션의 재료 소스 디바이스들보다 기판에 대해 더 가까이 배열함으로써, 코팅되는 층들의 균일성이 증가될 수 있다.[0070] The plurality of material source devices of the cathode array may be arranged with respect to the substrate 101 so as to have different distances relative to the substrate 101. That is, in plan view, the material source devices of the cathode array can be arranged along bent or curved lines. By arranging the material source devices of the cathode array at different distances to the substrate and in particular by arranging the material source devices of the end section of the cathode array closer to the substrate than the material source devices of the central section of the cathode array, The uniformity of the layers to be coated can be increased.

[0071] 몇몇 다른 구현예들에서, 복수의 재료 소스 디바이스들은 실질적으로 직선 상에 포지셔닝될 수 있고, 캐리어(510)의 굽힘축은 기판(101)에 굽힘을 적용하도록 구성되며, 이로써, 캐소드 어레이의 재료 소스 디바이스들은 기판에 대하여 상이한 거리들에 배열된다. 특히, 캐소드 어레이의 단부 섹션의 재료 소스 디바이스들은, 캐소드 어레이의 중앙 섹션의 재료 소스 디바이스들보다 기판에 대해 더 가까이 배열될 수 있고, 코팅되는 층들의 균일성이 증가될 수 있다.[0071] In some other embodiments, the plurality of material source devices can be positioned substantially in a straight line, and the bending axis of the carrier 510 is configured to apply a bend to the substrate 101, Are arranged at different distances with respect to the substrate. In particular, the material source devices of the end section of the cathode array can be arranged closer to the substrate than the material source devices of the central section of the cathode array, and the uniformity of the layers coated can be increased.

[0072] 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 재료는 증착 프로세스에 따라서, 그리고 기판(101)의 추후의 어플리케이션에 따라서 선택될 수 있다. 예컨대, 증착 소스(530)의 증착 재료는: 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄, 또는 구리 등과 같은 금속, 실리콘, 인듐 주석 산화물, 및 기타 투명 전도성 산화물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료일 수 있다. 그러한 재료들을 포함할 수 있는 산화물-층, 질화물-층 또는 탄화물-층은, 증착 소스(530)로부터 재료를 제공하는 것에 의해서 또는 반응성 증착에 의해서, 즉, 증착 소스(530)로부터의 재료가 프로세싱 가스로부터의 산소, 질화물, 또는 탄소와 같은 원소들과 반응하는 것에 의해서, 증착될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 실리콘산화물들, 실리콘산질화물들, 실리콘질화물들, 알루미늄산화물, 알루미늄산질화물들 같은 박막 트랜지스터 재료들이 증착 재료로서 사용될 수 있다.[0072] According to some embodiments, the deposition material may be selected according to the deposition process and according to the subsequent application of the substrate 101. For example, the deposition material of the deposition source 530 may be a material selected from the group consisting of: metals such as aluminum, molybdenum, titanium, or copper, silicon, indium tin oxide, and other transparent conductive oxides. An oxide-layer, a nitride-layer, or a carbide-layer, which may include such materials, may be formed by providing material from a deposition source 530 or by reactive deposition, For example, by reacting with elements such as oxygen, nitride, or carbon from the gas. According to some embodiments, thin film transistor materials such as silicon oxides, silicon oxynitrides, silicon nitrides, aluminum oxides, aluminum oxynitrides can be used as the deposition material.

[0073] 기판(101)은, 특히 비-정지형(non-stationary) 증착 프로세스들을 위해서, 에지 배제 마스크로서 또한 역할을 할 수 있는 캐리어(510) 내에 또는 그러한 캐리어(510)에 제공된다. 파선들(dashed lines)(565)은 장치(500)의 동작 동안의 증착 재료의 경로를 예시적으로 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 다른 실시예들에 따르면, 챔버(512)에 제공되는 개별 에지 배제 마스크에 의해 마스킹이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어는 정지형 프로세스들에 대해서 그리고 또한 비-정지형 프로세스들에 대해서 유익할 수 있다.[0073] The substrate 101 is provided in or on a carrier 510 that may also serve as an edge exclusion mask, particularly for non-stationary deposition processes. Dashed lines 565 illustrate the path of the deposition material during operation of the apparatus 500 by way of example. According to other embodiments that may be combined with other embodiments described herein, masking may be provided by a separate edge exclusion mask provided in the chamber 512. Carriers in accordance with the embodiments described herein may be beneficial for stationary processes and also for non-stationary processes.

[0074] 도 8은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 방법(800)의 흐름도를 도시한다. 방법은, 기판을 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트에 포지셔닝하는 단계(블록(810)), 및 기판을 적어도 하나의 굽힘축을 중심으로 굽히는 단계(블록(820)) - 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 가짐 - 를 포함할 수 있다.[0074] Figure 8 shows a flow diagram of a method 800 for supporting a substrate in a vacuum processing chamber in accordance with embodiments described herein. The method includes positioning the substrate in at least one substrate support arrangement (block 810), and bending the substrate about the at least one bending axis (block 820), wherein the at least one bending axis is in an essentially vertical orientation - < / RTI >

[0075] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 방법은, 컴퓨터 프로그램들, 소프트웨어, 컴퓨터 소프트웨어 제품들, 및 상호 관계된 제어기들에 의해 수행될 수 있으며, 상호 관계된 제어기들은, CPU, 메모리, 사용자 인터페이스, 및 대면적 기판을 프로세싱하기 위한 장치의 대응하는 컴포넌트들과 통신하는 입력 및 출력 수단을 가질 수 있다.[0075] According to embodiments described herein, a method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber may be performed by computer programs, software, computer software products, and correlated controllers, May have input and output means for communicating with the CPU, memory, user interface, and corresponding components of the apparatus for processing large area substrates.

[0076] 실시예들은, 특히, 기판들이 길이 및 높이 면에서 점점 더 커지고 있지만, 기판들의 두께는 감소된다는 사실을 고려하여, 기판 또는 기판 포지셔닝의 안정화를 제공할 수 있다.[0076] Embodiments can provide stabilization of substrate or substrate positioning, especially in view of the fact that the thickness of the substrates is reduced, especially as the substrates are getting larger in length and height.

[0077] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 개시물의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 개시물의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.[0077] While the foregoing is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the disclosure can be devised without departing from the basic scope thereof, and the scope of the disclosure is determined by the claims that follow.

Claims (15)

선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어(carrier)로서,
상기 선형 운송 경로를 따른 운송을 위해 구성된 캐리어 본체; 및
상기 캐리어 본체에 제공되고 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트(arrangement)를 포함하고, 상기 기판 지지 어레인지먼트는, 적어도 하나의 굽힘축(bending axis)을 상기 기판에 대해 정의하도록 구성되며, 상기 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 갖는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
1. A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path,
A carrier body configured for transport along said linear transport path; And
Wherein the substrate support arrangement is configured to define at least one bending axis with respect to the substrate, and wherein the substrate support arrangement is configured to define at least one bending axis with respect to the substrate, The at least one bending axis having an essentially vertical orientation,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 1 항에 있어서,
상기 기판 지지 어레인지먼트는, 상기 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 지지 표면을 갖고, 상기 적어도 하나의 지지 표면은 적어도 하나의 굽힘축을 상기 기판에 대해 정의하는 커버쳐(curvature)를 갖는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate support arrangement has at least one support surface configured to support the substrate, the at least one support surface having a curvature defining at least one bending axis with respect to the substrate,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 지지 표면은 제 1 방향으로 연장되고, 상기 적어도 하나의 굽힘축은 상기 제 1 방향에 대해 실질적으로 수직이며, 특히, 상기 제 1 방향은 수평 방향인,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
3. The method of claim 2,
Wherein said at least one support surface extends in a first direction and wherein said at least one bending axis is substantially perpendicular to said first direction and in particular said first direction is a horizontal direction,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 커버쳐는 원형 형상을 갖고, 특히, 상기 커버쳐는 원의 세그먼트(segment)이거나, 또는 상기 커버쳐는 파형(wavelike) 형상, 특히, 사인파(sinusoidal) 형상을 갖는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
The method according to claim 2 or 3,
The cover chute has a circular shape, and in particular, the cover chute is a circle segment, or the cover choker has a wavelike shape, in particular a sinusoidal shape,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 지지 어레인지먼트는, 파형 형상, 특히 사인파 형상을 상기 기판에 적용하기 위해, 둘 또는 그 초과의 굽힘축을 상기 기판에 대해 정의하도록 구성되는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the substrate support arrangement is configured to define two or more bending axes for the substrate to apply a corrugation shape, particularly a sinusoidal shape,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 본체는 하나 또는 그 초과의 프레임 엘리먼트들을 갖는 프레임을 포함하는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the carrier body comprises a frame having one or more frame elements,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 6 항에 있어서,
상기 하나 또는 그 초과의 프레임 엘리먼트들은 제 1 프레임 엘리먼트 및 제 2 프레임 엘리먼트를 포함하고, 특히, 상기 적어도 하나의 지지 표면은, 상기 제 1 프레임 엘리먼트에 의해 제공되는 제 1 지지 표면 및 상기 제 2 프레임 엘리먼트에 의해 제공되는 제 2 지지 표면을 포함하는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
The method according to claim 6,
Wherein the one or more frame elements comprise a first frame element and a second frame element and in particular the at least one support surface comprises a first support surface provided by the first frame element and a second support surface provided by the second frame, Comprising a second support surface provided by the element,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 프레임 엘리먼트 및 상기 제 2 프레임 엘리먼트는 수평 방향으로 실질적으로 평행하게 연장되며, 특히, 상기 수평 방향은 중력에 대해 실질적으로 수직인,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
8. The method of claim 7,
Wherein the first frame element and the second frame element extend substantially parallel in a horizontal direction, and in particular, the horizontal direction is substantially perpendicular to gravity,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 지지 어레인지먼트는,
둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들(holding devices)을 더 포함하고, 상기 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 상기 기판을 제 1 포지션에서 상기 선형 운송 경로로부터 제 1 거리에 그리고 제 2 포지션에서 상기 선형 운송 경로로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열되며, 상기 제 1 거리는 상기 제 2 거리보다 더 큰,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the substrate support arrangement comprises:
Two or more holding devices, wherein the two or more holding devices are configured to move the substrate from a first position to a first distance from the linear transport path and from a second position to the linear position The first distance being greater than the second distance,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 9 항에 있어서,
상기 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들 중 적어도 하나는, 전기장을 생성하도록 구성된 적어도 하나의 전극을 포함하는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
10. The method of claim 9,
Wherein at least one of the two or more retention devices comprises at least one electrode configured to generate an electric field,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 본체는 상기 기판을 수직 배향으로 지지하도록 구성되는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the carrier body is configured to support the substrate in a vertical orientation,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 본체는, 상기 기판을 수용하도록 구성된 개구 구멍(aperture opening)을 갖는,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
12. The method according to any one of claims 1 to 11,
The carrier body having an aperture opening configured to receive the substrate,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
기판 상에 층을 증착시키기 위한 장치로서,
선형 운송 경로를 갖고 내부에서의 층 증착을 위해 이루어진 진공 프로세싱 챔버,
프로세싱 챔버 내의, 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 캐리어; 및
층을 형성하는 재료를 증착시키기 위한 증착 소스를 포함하는,
기판 상에 층을 증착시키기 위한 장치.
An apparatus for depositing a layer on a substrate,
A vacuum processing chamber having a linear transport path and configured for layer deposition therein,
12. A processing chamber, comprising: a carrier according to any one of claims 1 to 12; And
And a deposition source for depositing a material forming the layer.
An apparatus for depositing a layer on a substrate.
진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 방법으로서,
상기 방법은,
적어도 하나의 굽힘축을 중심으로 기판을 굽히는 단계를 포함하며, 상기 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 갖는,
진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 방법.
A method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber,
The method comprises:
Bending a substrate about at least one bending axis, said at least one bending axis having an essentially vertical orientation,
A method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber.
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어로서,
선형 운송 경로를 따른 운송을 위해 구성된 캐리어 본체 - 상기 캐리어 본체는 기판을 수직 배향으로 지지하도록 구성됨 -; 및
상기 캐리어 본체에 제공되고 상기 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 기판 지지 어레인지먼트를 포함하고, 상기 기판 지지 어레인지먼트는, 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하도록 구성되며, 상기 적어도 하나의 굽힘축은 본질적으로 수직 배향을 갖고,
상기 기판 지지 어레인지먼트는,
상기 기판을 지지하도록 구성된 적어도 하나의 지지 표면 - 상기 적어도 하나의 지지 표면은 적어도 하나의 굽힘축을 기판에 대해 정의하는 커버쳐를 가짐 - 및,
둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들 중 적어도 하나를 더 포함하며,
상기 둘 또는 그 초과의 유지 디바이스들은, 상기 기판을 제 1 포지션에서 상기 선형 운송 경로로부터 제 1 거리에 그리고 제 2 포지션에서 상기 선형 운송 경로로부터 제 2 거리에 유지하도록 배열되며, 상기 제 1 거리는 상기 제 2 거리보다 더 큰,
선형 운송 경로를 갖는 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어.
1. A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path,
A carrier body configured for transport along a linear transport path, the carrier body configured to support the substrate in a vertical orientation; And
Wherein the substrate support arrangement is configured to define at least one bending axis with respect to the substrate, the at least one bending axis being substantially perpendicular to the substrate Orientation,
Wherein the substrate support arrangement comprises:
At least one support surface configured to support the substrate, the at least one support surface having a cover chuck defining at least one bending axis relative to the substrate,
Further comprising at least one of two or more retaining devices,
Wherein the two or more holding devices are arranged to maintain the substrate at a first distance from the linear transport path at a first position and at a second distance from the linear transport path at a second position, Larger than the second distance,
A carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber having a linear transport path.
KR2020167000065U 2014-05-30 2014-05-30 Carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber KR20170000465U (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2014/061280 WO2015180798A1 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170000465U true KR20170000465U (en) 2017-02-02

Family

ID=50928080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020167000065U KR20170000465U (en) 2014-05-30 2014-05-30 Carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20170000465U (en)
CN (1) CN206927946U (en)
TW (1) TW201607906A (en)
WO (1) WO2015180798A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102013066B1 (en) * 2018-04-05 2019-08-21 최병수 Loading device for printed circuit board
KR20220037345A (en) * 2020-09-17 2022-03-24 유나이티드 세미컨덕터 재팬 씨오. 엘티디. Mask structure for deposition device, deposition device, and operation method thereof

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10068787B2 (en) 2016-12-30 2018-09-04 Sunpower Corporation Bowing semiconductor wafers
CN108893721A (en) * 2018-09-26 2018-11-27 光驰科技(上海)有限公司 A kind of general polyhedron Sputting film-plating apparatus and its design method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2020392B1 (en) * 2007-08-03 2013-10-23 Fuji Electric Co., Ltd. Apparatus for manufacturing thin-film laminated member
KR101730498B1 (en) * 2010-10-22 2017-04-27 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for organic layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same
EP2761051B1 (en) * 2011-09-27 2018-11-07 Applied Materials, Inc. Carrier for thin glass substrates and use thereof
EP2773165B1 (en) * 2011-10-24 2017-07-12 Nitto Denko Corporation Organic electroluminescence device manufacturing method and manufacturing apparatus
US20150114297A1 (en) * 2012-06-08 2015-04-30 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102013066B1 (en) * 2018-04-05 2019-08-21 최병수 Loading device for printed circuit board
KR20220037345A (en) * 2020-09-17 2022-03-24 유나이티드 세미컨덕터 재팬 씨오. 엘티디. Mask structure for deposition device, deposition device, and operation method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW201607906A (en) 2016-03-01
WO2015180798A1 (en) 2015-12-03
CN206927946U (en) 2018-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2761051B1 (en) Carrier for thin glass substrates and use thereof
EP2971225B1 (en) Carrier for a substrate and method for carrying a substrate
KR102245762B1 (en) Holder, carrier having the same, and method for fixing a substrate
KR20170000465U (en) Carrier and method for supporting a substrate in a vacuum processing chamber
JP6268198B2 (en) Substrate carrier
TW201607370A (en) Substrate edge masking system and apparatus having the same and method for masking edges of a substrate
JP6549731B2 (en) Method and support for holding a substrate
KR200493207Y1 (en) Carrier for supporting a substrate and apparatus therefor
JP2018085523A (en) Carrier for substrates
TW201828406A (en) Holder for substrates

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application