KR20150075016A

KR20150075016A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20150075016A
Application number: KR1020140153765A
Authority: KR
Inventors: 토시유키 마츠우라
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-12-24
Filing date: 2014-11-06
Publication date: 2015-07-02
Also published as: JP2015122198A

Abstract

탑 에미션형 표시 장치에 있어서 광이 투과하는 전극의 투과율을 향상시켜도, 휘도 저하 및 표시 불균일을 억제하는 표시 장치를 제공한다. 본 발명의 표시 장치는, 복수의 화소를 갖는 표시 장치 예로서, 화소마다 대응하여 마련된 화소 회로, 화소 회로 상에 마련된 절연층, 절연층 상에 마련되고, 적어도 복수의 화소에 걸쳐서 전기적으로 접속되어 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 마련된 발광층, 발광층 상에 화소마다 마련되고, 절연층에 마련된 개구부를 통해 화소 회로에 접속된 광투과성를 갖는 제2 전극을 구비한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치의 화질을 개선하는 기술에 관한 것이다.

최근, 유기 EL(Organic Electroluminescence) 등, 공급되는 전류에 따른 강도로 발광하는 소자를 사용한 표시 장치가 개발되고 있다. 이와 같은 표시 장치로서, 탑 에미션형 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이가 있다. 이 표시 장치에 의하면, 발광 소자의 발광 방향이 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)와는 역방향으로 된다. 여기서, 발광 소자의 발광 방향 측(TFT과는 역측)의 전극(이하, 상부 전극이라 함)은 광투과성을 갖는 정도로 박막화한 금속 전극이 사용되거나, 투명 도전성 산화물 전극이 사용될 수 있다. 그러나, 이들은 광의 투과율을 유지하고자 하면, 저저항화 하는 것이 곤란하고, 그 결과, 전압 강하에 따르는 화면 내의 휘도 분포가 발생한다.

화면 내 위치에 따른 휘도 편차는 고전류가 필요한 고휘도 일수록 또한, 대화면화 될수록 증가된다. 그러므로, 보조 배선을 사용하여 상부 전극과 접속함으로써, 전압 강하를 줄이는 시도가 이루어지고 있다(예를 들어, 특허문헌1, 2).

특허문헌1 일본 특허 공개 제2001-230086 호 공보 특허문헌2 일본 특허 공개 제2005-011810 호 공보

특허문헌1, 2에 있어서는, 보조 배선을 형성할 필요가 있기 때문에, 공정이 복잡하게 되고, 양산 시의 수율을 저하시키는 요인으로 될 수 있다. 또한, 보조 배선의 제조 방법, 보조 배선에 의한 레이아웃의 제한 등에 의해, 대형화, 고정밀화가 곤란하게 된다.

본 발명의 목적 중의 하나는 탑 에미션형 표시 장치에 있어서, 휘도 저하 및 표시 불균일을 억제하면서, 대형화 및 고정밀화가 가능한 구성을 실현하는 것에 있다.

본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 복수의 화소를 갖는 표시 장치는상기 복수의 화소들 각각에 대응하는 화소 회로, 상기 화소 회로 상에 배치된 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고, 적어도 상기 복수의 화소들 중 일부의 화소들에 걸쳐서 전기적으로 접속된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 상기 복수의 화소들 각각에 배치되고, 상기 절연층에 마련된 개구부를 통해 상기 화소 회로에 접속된 광투과성을 갖는 제2 전극을 포함한다.

이 표시 장치에 의하면, 광을 투과하는 전극은 상기 복수의 화소들의 전위를 제어하는 전극이 된다. 탑 에미션형 표시 장치에 있어서 휘도 저하 및 표시 불균일을 억제하면서, 대형화 및 고정밀화가 실현될 수 있다.

또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제1 전극의 시트 저항은 2 Ω/□ 이하일 수 있다. 이 표시 장치에 의하면, 표시 불균일을 더 저감할 수 있다.

또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 개구부를 둘러싸도록 형성된다. 또한 표시 장치는 보호층을 더 포함할 수 있다. 상기 보호층은 상기 개구부를 둘러싸는 상기 제1 전극의 단부를 덮는 제1 단부, 상기 제1 전극과 상기 유기 EL 층이 접속되는 영역을 정의하는 제2 단부, 및 인접하는 화소들의 경계 부분에 배치된 제3 단부를 포함한다. 상기 제3 단부의 테이퍼 각은 상기 제2 단부의 테이퍼 각보다도 클 수 있다.

이 표시 장치에 의하면, 제3 단부에 있어서 제2 전극을 인접하는 화소들과 분리할 수 있기 때문에, 화소의 개구율을 증가시킬 수 있다.

또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제3 단부의 테이퍼 각은 80 도 이상일 수 있다.

또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제2 단부의 테이퍼 각은 60 도 이하일 수 있다.

이 표시 장치에 의하면, 개구부를 통한 제2 전극과 화소 회로의 접속이 용이할 수 있다.

또한, 다른 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제1 전극은 어떤 상기 유기 EL 층과 접속된 부분 이외의 부분에 있어서도 존재하지 않는 부분(또 다른 개구부)을 포함할 수 있다.

이 표시 장치에 의하면, 제1 전극에 기인하는 응력을 저감할 수 있다.

본 발명에 의하면, 탑 에미션형 표시 장치에 있어서 휘도 저하 및 표시 불균일을 억제하면서, 대형화 및 고정밀화를 실현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 있어서 화소의 레이아웃을 설명하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b 각각은 도 2에 나타내는 A-A' 방향 및 B-B' 방향으로 본 단면의 모식도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 트랜지스터 및 절연막이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 전극이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 보호층이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다.
도 7은 보호층을 형성할 때의 포토마스크를 설명하는 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 유기 EL 층이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 전극이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 형태에 있어서 제1 전극의 패턴을 설명하는 도면이다.
도 11은 종래 기술에 있어서 하부 전극의 패턴을 설명하는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치에 대해 도면을 참조하면서, 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태는 본 발명의 실시 형태의 일 예로서, 본 발명은 이들의 실시 형태에 한정하여 해석되는 것이 아니라, 여러 가지의 변형을 행하여 실시하는 것이 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서 참조하는 도면에 있어서, 동일 부분 또는 동일한 기능을 갖는 부분에는 동일 부호 또는 유사한 부호(숫자 뒤에 A, B 등을 붙인 부호)를 붙이고, 그 반복의 설명은 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면의 크기 비율은 설명의 편의상 실제의 비율과는 다르거나, 구성의 일부가 도면으로부터 생략되는 경우가 있다. 또한, "기판 상에 형성되는" 이라 함은 기판에 접촉하여 형성되는 경우뿐만 아니라, 기판과의 사이에 다른 구성을 삽입하여 형성되는 경우를 포함한다.

본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치에 대해서 도면을 참조하면서, 상세히 설명한다.

[전체 구성]

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(1)의 구성을 나타내는 개략도이다. 표시 장치(1)은 탑 에미션형 유기 EL 디스플레이이다. 표시 장치(1)는 스마트폰, 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터, 텔레비젼 등, 영상을 표시하는 전자 기기에 사용될 수 있다. 기판(100)은 표시 영역(100), 상기 표시 영역(100)의 주위에 구동 회로(71, 72, 73, 74)가 배치되는 비표시 영역(200)을 포함한다.

표시 영역(100)에는, TFT에 의해 유기 EL 층의 발광이 제어되는 복수의 화소들, 복수의 화소들를 제어하기 위한 제어선(데이터 선(DL), 주사선(SL) 등)이 배치되어 있다. 구동 회로(71, 72, 73, 74)는 제어선을 통해 표시 영역(100)의 화소들 각각에 마련된 화소 회로를 제어하기 위한 드라이버이다.

[화소 부분의 구성]

도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 있어서 화소의 레이아웃을 설명하는 도면이다. 도 2는 표시 영역(100)의 각 화소의 구성을 평면도로 나타낸 것이다. 이 도면에 있어서는, 제2 전극(210) 및 분리 전극층(220)의 레이아웃을 나타낸 도면이고, 제2 전극(210)보다 하층의 구성의 일부에 대해서는, 파선으로 나타내고 있다. 분리 전극층(220)은 각 화소의 경계 부분에 배치되어 있다. 분리 전극층(220)으로 둘러싸인 영역에 제2 전극(210)이 배치되어 있다.

도 3a 및 도 3b 각각은 도 2에 나타내는 A-A' 방향 및 B-B ' 방향으로 본 단면의 모식도이다. 이하, 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하여, 표시 장치(1)의 표시 영역(100)을 설명한다.

기판(10) 상에는 트랜지스터(510)가 배치된다. 기판(10)은 유리 기판 등일 수 있다. 트랜지스터(510)는 저온 폴리실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 그 외의 반도체를 사용하여 형성된 박막 트랜지스터(TFT)이고, 상술한 화소 회로의 일부를 형성한다. 이하, 트랜지스터(510)가 형성된 기판(10)을 TFT 기판(500)으로 정의한다.

TFT 기판(500) 상에는 절연층(520)이 형성되어 있다. 절연층(520)은 예를 들어, 폴리이미드 등의 유기층을 포함할 수 있다. 절연층(520)에는 트랜지스터(510)의 전극(512)(소스 전극 또는 드레인 전극)으로 통하는 개구부(525)가 형성되어 있다. 절연층(520) 상에는 제1 전극(110, 120)이 형성되어 있다. 제1 전극의 제1 층(110)은 예를 들어, Ag 합금을 포함할 수 있고, 제1 전극의 제2 층(120)은 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide )를 포함할 수 있다. 제1 전극의 제1 층(110)은 평면에서 볼 때, 절연층(520)의 개구부(525)를 단부(115)가 둘러싸도록 형성되어 있다. 제1 전극(110)은 시트 저항(또는 면저항)이 2 Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 1 Ω/□ 이하 인 것이 더 바람직하다.

보호층(130)은 예를 들어, 폴리이미드 등의 유기층을 포함할 수 있다. 보호층(130)은 단부(115)를 덮는 제1 단부(135), 유기 EL 층(300)이 발광하는 영역을 규정하는 제2 단부(137), 및 인접하는 화소측의 제3 단부(133)를 갖도록 형성되어 있다. 다시 말해 제3 단부(133)는 인접하는 화소들의 경계 부분에 배치된다.

제3 단부(133)는 후술하는 바와 같이 제2 전극(210)을 다른 화소와 분리하기 위해서, 역 테이퍼 형상이고, 테이퍼 각이 둔각으로 되어 있다. 이 예와 같이 제3 단부(133)의 테이퍼 각이 둔각인 것이 바람직하지만, 80 도 이상일 수 있다. 한편, 제2 단부(137)는 제2 전극(210)의 연속성이 유지되도록 (절단되지 않도록) 할 필요가 있고, 테이퍼 각이 40 도 이하로 되어 있다. 이 예와 같이, 제2 단부(137)의 테이퍼 각은 40 도 이하인 것이 바람직하지만, 60 도 이하일 수 있다.

또한, 제1 단부(135)에 대해서도 제2 전극(210)으로 덮어진 경우에, 제2 전극(210)의 연속성이 유지되는 각도를 갖는 것이 바람직하다. 적어도 제2 전극(210)이 트랜지스터(510)의 전극(512)에 접속되면 충분하다. 이 예에서는, 개구부(525)의 내부의 절연층(520) 표면에도 보호층(130)이 형성되어 있지만, 제1 전극(110, 120)의 단부(115)가 덮여있으면 충분하고, 개구부(525)의 내부까지 보호층(130)이 형성되어 있을 필요는 없다.

유기 EL 층(300)은 이 예에서는 유기 EL 소자로서, 예를 들어, 홀 수송층(HTL, 310), 발광층(EML, 320) 및 전자 수송층(ETL, 330)을 포함한다. 유기 EL 층(300)은 제1 전극의 제2 층(120)과 접촉하고, 유기 EL 층(300)의 단부(305)는 보호층(130) 상에 존재한다.

제2 전극(210)은 예를 들어, MgAg 합금을 포함하는 도전층이다. 그 상층에 ITO 등의 투명 도전막이 더 배치될 수도 있다. 개구부(525)를 통해 화소 회로를 구성하는 트랜지스터(510)의 전극(512)에 접속되어 있다. 또한, 제2 전극(210)은 보호층(130)의 제3 단부(133)에 있어서 절단되어 있다. 절단된 나머지 부분은 분리 전극층(220)이다.

이와 같이 제2 전극(210)은 화소마다 분리되어 화소 회로에 접속되어 있다. 한편, 제1 전극(110, 120)은 복수의 화소에 걸쳐서 동 전위로 제어된 공통 전극의 기능을 갖는다. 이것에 의해 제1 전극(110, 120)과 제2 전극(210) 사이에는, 유기 EL 층(300)을 통해 전류가 흐른다. 그리고, 화소 회로에 의해 그 전류가 제어된다.

이 표시 장치(1)는 제2 전극(210)의 방향으로 유기 EL 층(300)으로부터의 광이 방출되는 탑 에미션 구조이고, 제2 전극(210)은 광투과성을 가질 필요가 있다. 제2 전극(210)이 MgAg 등의 도전층을 포함하는 경우, 광투과성을 갖도록 하기 위해서 MgAg의 도전층은 10nm으로부터 20nm 정도의 두께를 가질 수 잇다. 이때 MgAg의 도전층의 시트 저항은 제1 전극(110, 120)에 비해 큰 값을 가질 수 있다.

종래와 같이 광이 투과하는 부분의 전극이 공통 전극인 경우, 시트 저항이 높으면, 전압 강하에 의해 표시 불균일에 미치는 영향이 크다. 한편, 본 발명의 일 실시 형태와 같이, 광이 투과하는 부분의 전극인 제2 전극(210)이 광의 투과성을 가질수록 얇고, 시트 저항이 높아진다 할지라도, 복수의 화소들마다 분리되어 화소들마다 제어되는 전극이기 때문에, 화소의 전류 범위가 넓어져서 좋고 , 전압 강하에 의한 영향은 거의 없다. 또한, 공통 전극인 제1 전극(110, 120)에 있어서, 유기 EL 층(300)으로부터의 광을 투과시킬 필요가 없기 때문에, 두께를 증가시킬 수 있고, 그에 따라 시트 저항을 낮게 할 수 있다. 그러므로, 공통 전극에서의 전압 강하에 의한 표시 불균일을 억제할 수 있다.

또한, 상기에서 설명한 도면에 있어서는 기재를 생략하고 있지만, 유기 EL 층(300)이 외부 공기와 접촉되지 않도록 다른 유리 기판 등에 의해 유기 EL 층(300)이 존재하는 공간이 봉지된다.

[제조 방법]

이어서, 표시 장치(1)의 제조 방법에 대해서, 도 4a 내지 도 9b를 참조하여 설명한다. 또한, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 8a, 및 도 9a는 평면도를 도 4b, 도 5b, 도 6b, 도 8b, 및 도 9b는 도 2에 나타내는 A-A'에 대응하는 단면의 모식도를 나타내고 있다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(1)의 제조 방법에 있어서, 트랜지스터(510) 및 절연막(520)이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다. 또한, 도 4a에 있어서, 트랜지스터(510)을 나타내는 기재는 생략하고, 각 화소를 나타내는 범위(Pix) 만을 도시하였다. 도 4b에 나타내는 바와 같이, 기판(10)에 트랜지스터(510)을 형성한다. 트랜지스터(510)는 예를 들어, 저온 폴리실리콘 등의 반도체를 사용한 활성층, 활성층을 덮는 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극 및 활성층의 소스 드레인 영역으로부터 인출되는 전극(512)을 포함한다. 이어서, 트랜지스터(510)를 덮도록 폴리이미드 등의 유기층의 절연막(520)을 형성한다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(1)의 제조 방법에 있어서, 제1 전극(110, 120)이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다. 절연막(520) 상에, 제1 전극(110, 120)을 형성한다. 이 예에 있어서, 제1 전극의 제1 층(110)을 구성하는 Ag 합금층(예를 들어, 100nm) 및 제1 전극의 제2 층(120)을 구성하는 ITO층(예를 들어, 10nm)은 스퍼터링법에 의해 성막될 수 있다. 그 후, 포토리소그래피에 의해 제1 전극(110, 120)의 일부(개구부(525)가 형성되는 부분 및 주위)를 제거하여 단부(115)를 갖는 개구부(이하, 제1 전극(110, 120)의 제1 개구부)를 형성하고, 또한 절연막(520)에 개구부(525)를 형성한다. 본 발명의 일 실시예에서 절연막(520)에 개구부(525)를 형성한 후에, Ag 합금 및 ITO를 성막하여, 개구부(525)가 노출되도록 하여 단부(115)를 갖는 제1 전극(110, 120)을 형성할 수 있다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(1)의 제조 방법에 있어서, 보호층(130)이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다. 도 5a 및 도 5b와 같이 제1 전극(110, 120)이 형성된 기판에 보호층(130)을 형성한다. 이 예에 있어서, 보호층(130)을 구성하는 폴리이미드를 형성하고, 포토리소그래피에 의해 발광 영역(LA), 화소들 사이의 경계부분, 및 전극(512)이 각각 노출되도록 특히, 전극(512)은 개구부(525)에 의해 노출되도록 보호층(130)의 일부를 제거하였다. 화소들 사이의 경계 부분에 배치된 제3 단부(133)는 상술한 바와 같이, 역 테이퍼로 형성되고, 발광 영역(LA)을 규정하는 제2 단부(137) 및 단부(115)를 덮는 제1 단부(135)보다 큰 테이퍼 각을 갖는다.

도 7은 보호층(130)을 형성할 때 사용되는 포토마스크를 설명하는 도면이다. 본 실시예에서 보호층(130)을 구성하는 폴리이미드는 포지티브형 레지스트이다. 따라서, 제거되는 부분에는 광이 조사되게 이루어져 있다. 도 7에 나타내는 바와 같이 보호층(130)의 남는 부분은 차광부(130M)에 의해 차광되고, 테이퍼 각이 작아지는 제1 단부(135) 및 제2 단부(137)에 대응하는 부분은 완만한 차광율이 변화되는 하프톤 부(135M)(파선 부분)이고, 테이퍼 각이 커지는 제3 단부(133)에 대응하는 부분은 급격하게 차광율이 변화되는 에지부(133M)(실선 부분)로 이루어져 있다. 이러한 하프톤 마스크를 사용함으로써, 보호층(130)의 각 단부에 있어서 테이퍼 각을 다르게 할 수 있다.

도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(1)의 제조 방법에 있어서, 유기 EL 층(300)이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다. 도 6a 및 도 6b와 같이 보호층(130)이 형성된 기판에, 홀 수송층(HTL, 310), 발광층(EML, 320) 및 전자 수송층(ETL, 330)을 성막함으로써 유기 EL 층(300)을 형성한다. 이들은 증착법에 의해 형성될 수 있고, 마스크를 사용함으로써, 적어도 개구부(525)에는 성막되지 않도록 제어된다. 이 예에서는, 발광 영역(LA)(제1 전극(120)과 유기 EL 층(300)이 접촉하는 영역) 및 보호층(130)의 일부에 유기 EL 층(300)이 형성된다. 컬러 표시를 실현하는 경우에는, 예를 들어, 적, 녹, 청을 발광하는 화소마다, 대응하는 색을 발광하는 발광층(320)이 형성될 수도 있다.

도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(1)의 제조 방법에 있어서, 제2 전극(210)이 형성된 기판의 단면 및 상면을 각각 나타내는 모식도이다. 도 8a 및 도 8b에서 나타내는 바와 같이 유기 EL 층(300)이 형성된 기판에, 제2 전극(210) 및 분리 전극층(220)을 형성한다. 이 예에 있어서, Mg과 Ag과의 체적비가 10:1으로 되도록 조정한 금속(예를 들어, 15nm)을 성막하였다. 이 때, 보호층(130)의 제3 단부(133)의 테이퍼 각이 크기 때문에, 그 부분에 있어서 MgAg 합금이 절단된다. 그러므로, 개구부(525)를 통해 전극(512)에 접속되고, 화소마다 독립된 제2 전극(210)과, 제2 전극(210)과는 분리된 분리 전극층(220)이 형성된다.

이와 같이 하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(1)가 제조된다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에서는, 광이 투과하는 부분의 전극인 제2 전극(210)이 광의 투과성을 가질수록 얇고, 시트 저항이 높아져도, 각 화소에 있어서 분리되어 화소마다 제어되기 때문에, 화소의 전류 범위가 넓어져서 좋고, 전압 강하에 의한 영향은 거의 없다. 또한, 공통 전극인 제1 전극(110, 120)에 있어서는 유기 EL 층(300)으로부터의 광을 투과시킬 필요가 없기 때문에, 후막화하여 시트 저항을 낮게 할 수 있다. 그러므로, 공통 전극에서의 전압 강하에 의한 표시 불균일로의 영향을 억제할 수 있다.

또한, 종래와 같이 광을 투과하는 상부 전극에 보조 배선을 마련할 필요가 없기 때문에, 발광 영역(LA)을 크게 할 수 있다. 예를 들어, 도 11에 나타내는 바와 같이 보조 배선(SE)이 존재하면, 발광 영역(LA)에 전류를 공급하기 위한 전극(PE)의 면적이 감소되지만, 본원의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(1)에서는 발광 영역(LA)을 크게 할 수 있다.

또한, 다른 실시 형태로서 제1 전극(110, 120)의 발광 영역(LA) 이외의 일부분이 제거될 수도 있다. 이 일 예에 대해서, 도 10을 사용하여 설명한다.

도 10은 본 발명의 다른 실시 형태에 있어서 제1 전극(110, 120)의 패턴(또는 평면상 형상)을 설명하는 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이 제1 전극(110, 120)에는, 개구부(525)의 주위가 제거되어 있을 뿐만 아니라, 화소들 사이의 일부에 제거된 부분(GP, 이하 제1 전극(110, 120)의 제2 개구부)가 존재할 수 있다. 저저항화를 위해서 제1 전극(110, 120)을 두껍게 하면, 응력이 커지고, 각각의 특성에 악 영향을 미칠 수 있다. 이러한 경우에, 발광 영역(LA) 이외의 또 다른 일부를 제거함으로써, 응력을 완화시킬 수 있다. 또한, 이와 같이 또 다른 일부분이 제거되더라도, 제1 전극(110, 120)은 화소 단독으로 분리되지 않고, 일부의 화소들로 연속하여 배치된다. 그리고, 표시 영역(100)의 외측(비표시 영역(200, 도 1 참조))로부터 공통 전극으로 인가할 공통 전위가 제공되게 된다. 예를 들어, 도 10에 나타내는 예에서는, 제1 전극(110, 120)은 스트라이프 형상으로 형성되고, 표시 영역(100)의 외측 등에서 공통 전위가 인가될 수 있다.

또한, 제2 전극(210)은 보호층(130)의 제3 단부(133)의 테이퍼 각에 의해 화소마다 분리되어 있지만, 마스크를 사용하거나, 포토리소그래피를 사용하거나, 레이저 조사를 사용하거나 하여 화소마다 분리되도록 할 수 있다.

1: 표시 장치 10: 기판
71, 72, 73, 74: 구동 회로 100: 표시 영역
110, 120: 제1 전극 130: 보호층
210: 제2 전극 220: 분리 전극층
300: 유기 EL 층 500: TFT 기판
510: 트랜지스터 512: 전극
520: 절연막 525: 개구부

Claims

복수의 화소들을 포함하는 표시 장치에 있어서,
상기 복수의 화소들 각각에 대응하는 화소 회로;
상기 화소 회로 상에 배치된 절연층;
상기 절연층 상에 배치되고, 적어도 상기 복수의 화소들 중 일부의 화소들에 걸쳐서 전기적으로 접속된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 및
상기 발광층 상에 상기 복수의 화소들 각각에 대응하게 배치되고, 상기 절연층에 형성된 개구부를 통해 상기 화소 회로에 접속된 광투과성을 갖는 제2 전극;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극의 시트 저항은 2 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 2항에 있어서,
상기 제1 전극은, 상기 절연층의 개구부를 둘러싸도록 형성되고,
상기 절연층의 개구부를 둘러싸는 상기 제1 전극의 단부를 덮는 제1 단부, 상기 제1 전극과 상기 발광층이 접속되는 영역을 정의하는 제2 단부, 및 인접하는 화소들의 경계 부분에 배치된 제3 단부를 갖는 보호층을 더 포함하고,
상기 제3 단부의 테이퍼 각은 상기 제2 단부의 테이퍼 각보다도 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 3 항에 있어서,
상기 제3 단부의 테이퍼 각은 80 도 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 4 항에 있어서,
상기 제2 단부의 테이퍼 각은 60 도 이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극은, 상기 절연층의 개구부를 둘러싸도록 형성되고,
상기 절연층의 개구부를 둘러싸는 상기 제1 전극의 단부를 덮는 제1 단부, 상기 제1 전극과 상기 발광층이 접속되는 영역을 정의하는 제2 단부, 및 인접하는 화소들의 경계 부분에 배치된 제3 단부를 갖는 보호층을 더 포함하는,
상기 제3 단부의 테이퍼 각은, 상기 제2 단부의 테이퍼 각보다도 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 6 항에 있어서,
상기 제3 단부의 테이퍼 각은 80 도 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 7 항에 있어서,
상기 제2 단부의 테이퍼 각은 60 도 이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 절연층의 개구부에 대응하는 제1 개구부 및 상기 복수의 화소들 사이의 일부분이 제거된 제2 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.