KR20150067830A - 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판은 기판, 상기 기판 상에 서로 교차하도록 형성된 게이트 라인 및 리드 아웃 라인, 상기 게이트 라인 및 리드 아웃 라인이 교차하는 영역에 형성되며, 게이트 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 소스 전극, 드레인 전극, 제1 층간 절연막을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 PIN층, 및 상기 PIN층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하여 이루어진 PIN 다이오드, 상기 PIN 다이오드의 상부 전극과 연결되는 바이어스 라인, 및 상기 바이어스 라인과 상기 PIN 다이오드의 단차부가 중첩되는 영역 아래에 형성된 단차 보상층을 포함하는 것을 특징으로 하여, 상기 PIN 다이오드의 높은 단차를 감소시켜서 상기 바이어스 라인의 단선불량을 감소시킬 수 있다.
Description
본 발명은 엑스레이 검출기의 어레이 기판에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 단선 불량을 개선하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
엑스레이(X-ray)를 검출하기 위한 엑스레이 검출기는 엑스레이를 직접 검출하는 직접 방식과 엑스레이를 가시광선 영역의 광으로 변환한 후 변환된 가시광선 영역의 광을 이용하여 엑스레이를 검출하는 간접 방식이 있다.
상기 간접 방식의 엑스레이 검출기는 엑스레이를 가시광선 영역의 광으로 변환시키는 구성, 가시광선 영역의 광을 전자 신호로 변환시키는 구성, 및 상기 전자 신호를 영상 신호로 변환시키는 구성을 포함하여 이루어져, 결국, 조사된 엑스레이를 최종적으로 영상 신호로 변환시켜 엑스레이를 검출하는 장치이다.
도 1은 종래의 엑스레이 검출기의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 엑스레이 검출기는 기판(10), 박막 트랜지스터(25), PIN 다이오드(30), 및 신틸레이터(Scintillator, 40)를 포함하여 이루어진다.
상기 박막 트랜지스터(25)는 상기 기판(10) 상에 형성되며 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 이루어진다.
상기 PIN 다이오드(30)는 상기 박막 트랜지스터(25) 상에 형성되며 상기 박막 트랜지스터(25)와 전기적으로 연결되어 있다.
상기 신틸레이터(40)는 상기 PIN 다이오드(30) 상에 형성되며 엑스레이(X-ray)를 가시광선 영역의 광으로 변환시키는 역할을 한다.
이와 같은 엑스레이 검출기는 엑스레이(X-ray)가 상기 신틸레이터(40)로 조사되면 상기 신틸레이터(40)에서 엑스레이가 가시광선 영역의 광으로 변환되어 상기 PIN 다이오드(30)로 전달된다. 상기 PIN 다이오드(30)로 전달된 가시광선 영역의 광은 상기 PIN 다이오드(30)에서 전자 신호로 변환되고, 변환된 전자 신호는 상기 박막 트랜지스터(25)를 거쳐 영상 신호로 디스플레이 된다.
이하 도면을 참조로 종래 엑스레이 검출기의 어레이 기판에 대해서 설명하기로 한다.
도 2는 종래 엑스레이 검출기의 어레이 기판의 개략적인 도면이다.
도 2를 참조하면, 종래 엑스레이 검출기의 어레이 기판은, 기판(1) 상에 형성 되면서 게이트 전극(11), 액티브층(13), 소스/드레인 전극(14a, 14b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT), 게이트 절연막(12), 제1 층간절연막(15), PIN 다이오드(30), 제2 층간절연막(17), 리드아웃(Read out) 라인(18), 바이어스(bias) 라인(19), 및 보호막(20)을 포함하여 이루어진다.
이와 같은 종래의 엑스레이 검출기에서 소자 특성을 크게 좌우하는 것이 PIN 다이오드(30)이다. 상기 PIN 다이오드(30)는 하부 전극(16a), 상부 전극(16c), 및 상기 하부 전극(16a)과 상부 전극(16c) 사이에 형성되며, P(positive)형 반도체층, I(intrinsic)형 반도체층 및 N(negative)형 반도체층으로 이루어진 PIN층(16b)을 포함하여 이루어진다.
이러한 PIN 다이오드(30)는 제품의 성능이 PIN층(16b)의 두께에 비례하는 특성을 가지고 있어, 두꺼운 막으로 형성되어 있다. 이때 PIN 다이오드(30)와 연결되는 바이어스 라인(19)이 상기 PIN 다이오드(30)의 두꺼운 막에 의한 단차에 의해 상기 PIN 다이오드(30)의 단차부(S)에서 절단되는 문제점이 있다. 또한 상기 PIN 다이오드(30) 상부에 형성된 보호막(20)도 단차부(S)에서 정상적으로 형성되지 못하여 상기 PIN 다이오드(30)를 보호해 주지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 상기 PIN 다이오드(30)의 높은 단차를 감소시켜서 상기 바이어스 라인(19)의 단선불량을 감소시킬 수 있는 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판, 상기 기판 상에 서로 교차하도록 형성된 게이트 라인 및 리드 아웃 라인, 상기 게이트 라인 및 리드 아웃 라인이 교차하는 영역에 형성되며, 게이트 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 소스 전극, 드레인 전극, 제1 층간 절연막을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터, 상기 기판 상에 형성되면서 상기 소스 전극과 연결되는 연결층, 상기 연결층과 연결되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 PIN층, 및 상기 PIN층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하여 이루어진 PIN 다이오드, 및 상기 PIN 다이오드의 상부 전극과 연결되는 바이어스 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 제공한다.
본 발명은 또한, 기판 상에 게이트 전극, 연결층을 형성하는 공정, 상기 기판 상에서 연결층을 노출하는 개구부를 구비하는 게이트 절연막을 형성하는 공정, 상기 게이트 절연막 상에 액티브층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정, 상기 박막 트랜지스터 상에 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 컨택홀과 상기 연결층을 노출하는 개구부를 구비하는 제1 층간 절연막을 형성하는 공정, 상기 연결층 상에 상기 연결층과 연결되는 하부 전극, PIN층, 상부 전극을 포함하는 PIN 다이오드를 형성하는 공정, 상기 제1 층간 절연막 상에서 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 컨택홀과 상기 상부 전극을 노출하는 제2 컨택홀을 구비하는 제2 층간 절연막을 형성하는 공정, 및 상기 제1 컨택홀을 통해서 상기 드레인 전극과 연결되는 리드 아웃 라인 및 상기 제2 컨택홀을 통해서 상기 상부 전극과 연결되는 바이어스 라인을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판 제조 방법을 제공한다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명은 기판 상에 소스 전극과 연결되는 연결층 및 상기 연결층 상부를 노출하는 개구부를 형성하는 게이트 절연막, 상기 제1 층간 절연막을 형성하고, 상기 연결층 상에 PIN 다이오드를 형성함으로써, 상기 PIN 다이오드의 높은 단차를 감소시켜서 상기 바이어스 라인 및 보호막의 단선불량을 감소시킬 수 있다.
도 1은 종래의 엑스레이 검출기의 개략적인 단면도.
도 2는 종래 엑스레이 검출기의 어레이 기판의 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 나타내는 개략적인 평면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 나타내는 개략적인 단면도.
도 5a 내지 도 5d은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 제조하는 제조 공정도.
도 2는 종래 엑스레이 검출기의 어레이 기판의 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 나타내는 개략적인 평면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 나타내는 개략적인 단면도.
도 5a 내지 도 5d은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 제조하는 제조 공정도.
본 명세서에서 기술되는 "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
본 명세서에서 기술되는 "연결된다"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성과 직접적으로 연결되는 경우뿐만 아니라 어떤 구성이 제3의 구성을 통해서 다른 구성과 간접적으로 연결되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
본 명세서에서 기술되는 "제1" 및 "제2" 등의 수식어는 해당하는 구성들의 순서를 의미하는 것이 아니라 해당하는 구성들을 서로 구분하기 위한 것이다.
본 명세서에서 기술되는 "포함하다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하, 첨부되는 도면을 참고하여 상기 문제점을 해결하기 위해 고안된 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판은, 기판(100), 게이트 라인(115), 리드 아웃 라인(190), 박막 트랜지스터(250), 연결층(120), PIN 다이오드(300), 및 바이어스(bias) 라인(200)을 포함하여 이루어진다.
상기 게이트 라인(115)은 상기 기판(100) 상에서 제1 방향, 예를 들어 가로 방향으로 배열되어 있고, 상기 리드 아웃 라인(190)은 상기 기판(100) 상에서 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향, 예를 들어 세로 방향으로 배열되어 있다. 즉, 상기 게이트 라인(115)과 리드 아웃 라인(190)은 서로 교차하도록 배열되어 있다.
상기 박막 트랜지스터(250)은 상기 게이트 라인(115)과 리드 아웃 라인(190)이 교차하는 영역에 형성되어 있다.
상기 박막 트랜지스터(250)는 게이트 전극(110), 액티브층(130), 소스 전극(150a) 및 드레인 전극(150b)을 포함하여 이루어진다.
상기 게이트 전극(110)은 상기 게이트 라인(115)에서 연장되어 형성된다. 따라서, 상기 게이트 전극(110)은 상기 게이트 라인(115)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
이때, 상기 게이트 전극(110)과 동일한 층에는 연결층(120)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 연결층(120)은 상기 게이트 전극(110) 및 게이트 라인(115)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 액티브층(140)은 상기 게이트 전극(110)의 상측 및 상기 소스/드레인 전극(150a, 150b)의 하측에 형성된다. 즉 상기 액티브층(130)은 상기 게이트 전극(110)과 상기 소스/드레인 전극(150a, 150b) 사이의 중간층에 형성되어 전자가 이동하는 채널 역할을 한다.
상기 소스 전극(150a)은 상기 액티브층(130)의 일측에 형성되어 있다. 상기 소스 전극(150a)은 상기 연결층(120)과 연결되고, 상기 연결층(120)은 PIN 다이오드(300)와 연결되어 있다. 따라서, 상기 PIN 다이오드(300)에서 변환된 전자 신호는 상기 박막 트랜지스터(250)의 소스 전극(150a)을 통해 전달된다.
상기 드레인 전극(150b)는 상기 액티브층(130)의 타측에 형성되어 상기 소스 전극(150a)과 마주하고 있다. 상기 드레인 전극(150b)은 제1 컨택홀(H1)을 통해 상기 리드 아웃 라인(190)과 연결되어 있다. 따라서, 전자 신호는 상기 박막 트랜지스터(250)의 드레인 전극(150b) 및 상기 드레인 전극(150b)에 연결된 상기 리드 아웃 라인(190)을 거쳐서 영상 신호로 디스플레이 된다.
상기 PIN 다이오드(300)는 상기 연결층(120) 상에 형성되면서 상기 연결층(120)과 연결되고, 상기 연결층(120)은 상기 박막 트랜지스터(250)의 소스 전극(150a)과 연결되어 있다. 즉, 상기 PIN 다이오드(300)는 가시광선 영역의 광을 전자신호로 변환하여 상기 소스 전극(150a)으로 전달하게 된다.
상기 바이어스 라인(200)은 상기 PIN 다이오드(300) 위에 형성되며, 세로 방향으로 길게 연장 형성되어 있다. 상기 바이어스 라인(200)은 상기 박막 트랜지스터(250)의 상부를 지나가도록 형성될 수 있다.
상기 바이어스 라인(200)은 제2 컨택홀(H2)을 통해 상기 PIN 다이오드(300)와 연결되어 있다. 구체적으로, 상기 바이어스 라인(200)은 제2 컨택홀(H2)을 통해 상기 PIN 다이오드(300)의 상부 전극과 연결되어 있다.
여기서, 상기 PIN 다이오드(300)는 제품의 성능이 PIN 다이오드(300)의 두께에 비례하는 특성을 가지고 있어, 두꺼운 막으로 형성되어 있다. 이러한 두꺼운 PIN 다이오드(300)의 높이로 인해 PIN 다이오드(300)의 단차부에는 상기 바이어스 라인(200)이 절단되는 문제가 있다.
이를 개선하기 위해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판은 기판(100) 상의 상기 게이트 전극(110)과 동일한 층에 연결층(120)을 형성하고, 상기 연결층(120) 상에 PIN 다이오드(300)을 형성함으로써, 상기 PIN 다이오드(300)의 높은 단차를 감소시켜서 상기 바이어스 라인(200)의 단선불량을 감소시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 나타내는 개략적인 단면도로서, 이는 도 3의 A-B 라인의 단면에 해당하는 것이다.
도 4에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에는 게이트 전극(110) 및 연결층(120)이 형성되어 있다.
상기 게이트 전극(110)은 기판(100) 상에 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어진 물질로 형성될 수 있다.
상기 연결층(120)은 기판(100) 상에 상기 게이트 전극(110)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서 상기 연결층(120)은 상기 게이트 전극(110)과 동일한 두께로 형성될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 연결층(120)은 다양한 여러 가지 도전물질로 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극(110)을 포함한 기판(100) 상에는 개구부(OA)를 구비하는 게이트 절연막(130)이 형성되어 있다. 특히, 상기 게이트 절연막(130)은 상기 연결층(120) 상부를 노출시키는 개구부(OA)에는 형성되지 않는다.
상기 게이트 절연막(130) 상에는 액티브층(140)이 형성되어 있고, 상기 액티브층(140) 상에는 소스 전극(150a) 및 드레인 전극(150b)이 서로 마주하면서 이격 형성되어 있다.
상기 액티브층(130)은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있고, 상기 소스 전극(150a) 및 드레인 전극(150b)과 접촉하는 영역에 불순물이 도핑된 오믹콘택층(미도시)을 구비할 수 있다.
이때, 상기 소스 전극(150a)은 상기 연결층(120)과 연결되어 있다.
상기 소스 전극(150a) 및 드레인 전극(150b) 상에는 개구부(OA)를 구비하는 제1 층간절연막(160)이 형성되어 있다.
특히, 상기 제1 층간절연막(160)은 상기 연결층(120) 상부를 노출시키는 개구부(OA)에는 형성되지 않는다.
PIN 다이오드(300)는 상기 연결층(120) 상의 개구부(OA)에 형성되어 있다.
상기 PIN 다이오드(300)는 하부 전극(170a), PIN층(170b), 및 상부 전극(170c)을 포함하여 이루어진다.
상기 하부 전극(170a)는 상기 연결층(120) 상부에 형성되어 상기 연결층(120)을 통해 상기 소스 전극(150a)과 연결된다.
상기 PIN층(170b)은 상기 하부 전극(170a) 상에 형성된다. 상기 PIN층(170b)은 P(positive)형 반도체층, I(intrinsic)형 반도체층 및 N(negative)형 반도체층으로 이루어지는데, 상기 하부 전극(170a) 상에는 N형 반도체층, I형 반도체층, 및 P형 반도체층이 순서대로 적층될 수 있다. 이와 같은 PIN층(170b)에 광이 조사되면 상기 I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift) 되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집되게 된다.
상기 상부 전극(170c)은 상기 PIN층(170b) 상에 형성되며, 바이어스 라인(200)과 연결되게 된다.
이때, 상기 PIN 다이오드(300)는 제품의 성능이 상기 PIN층(170b)의 두께에 비례하는 특성을 가지고 있어, 두꺼운 막으로 형성되어 있고, 이는 상기 상부 전극(170c)과 연결되는 바이어스 라인(200)이 절단되는 불량을 야기한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판은 기판(100) 상에 소스 전극(150a)과 연결되는 연결층(120)을 형성하고, 상기 연결층(120) 상부를 노출하는 개구부(OA)를 형성하는 게이트 절연막(130), 상기 제1 층간 절연막(160)을 형성하고, 상기 연결층(120) 상부의 개구부(OA)에 PIN 다이오드(300)를 형성함으로써, 상기 PIN 다이오드(300)의 높은 단차(S)를 감소시켜서 바이어스 라인(200) 및 보호막(210)의 단선불량을 감소시킬 수 있다.
제2 층간절연막(180)은 상기 PIN 다이오드(300)을 포함하여 상기 기판(100) 상에 형성되어 있다. 상기 제2 층간절연막(180)의 소정 영역에는 제1 컨택홀(H1) 및 제2 컨택홀(H2)이 형성되어 있다.
상기 제1 컨택홀(H2)에 의해서 상기 드레인 전극(150b)이 노출되고, 상기 제2 컨택홀(H2)에 의해서 상기 상부 전극(170c)가 노출되게 된다.
리드 아웃 라인(190)은 상기 제2 층간절연막(180) 상에 형성되어 있다.
상기 리드 아웃 라인(190)은 상기 제1 층간절연막(160) 및 제2 층간절연막(180)에 구비된 제1 컨택홀(H1)을 통해 박막 트랜지스터(250)의 드레인 전극(150b)과 연결된다.
바이어스 라인(200)은 상기 제2 층간절연막(180) 상에 형성되어 있다.
상기 바이어스 라인(200)은 상기 제2 컨택홀(H2)을 통해 상기 상부 전극(170c)과 연결되어 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 상기 바이어스 라인(200)은 상기 박막 트랜지스터(250) 상부의 상기 제2 층간절연막(180) 상에도 형성되어 있다.
보호막(210)은 상기 리드 아웃 라인(190) 및 바이어스 라인(200)을 포함하여 상기 제2 층간절연막(180) 상 전면에 형성되어 있다.
도 5a 내지 도 5d은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판을 제조하는 제조 공정도로서, 이는 전술한 도 4에 따른 엑스레이 검출기의 어레이 기판의 제조 공정에 관한 것이다.
우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 마스크 공정을 통해서 기판(100) 상에 게이트 전극(110) 및 연결층(120)을 패턴 형성한다.
상기 게이트 전극(110) 및 연결층(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금을 PECVD법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 증착하고, 증착한 물질 위에 포토 레지스트 패턴을 형성한 후 노광, 현상 및 식각 공정을 차례로 수행하는 소위 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 이용하여 패턴 형성할 수 있다. 또한, 상기 포토리소그라피 공정 이외에, 금속물질의 페이스트를 이용하여 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 그라비아 프린팅(gravure printing), 그라비아 오프셋 프린팅(gravure offset printing), 리버스 오프셋 프린팅(reverse offset printing), 플렉소 프린팅(flexo printing), 또는 마이크로 콘택 프린팅(microcontact printing)과 같은 인쇄 공정을 통해 패턴 형성할 수도 있다. 이하에서 설명하는 각각의 구성에 대한 패턴형성도 상기와 같은 공정을 이용하여 수행할 수 있다.
즉, 상기 게이트 전극(110)과 연결층(120)은 동일한 마스크 공정을 이용하여 패턴 형성하므로, 상기 게이트 전극(110)과 연결층(120)은 동일한 물질로 동시에 패턴 형성될 수 있고, 동일한 두께로 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극(110) 및 연결층(120)을 형성한 다음, 상기 기판(100) 상에 게이트 절연막(120)을 패턴 형성한다.
이때, 상기 게이트 절연막(120)은 상기 연결층(120)을 노출하는 개구부(OA)를 구비하도록 패턴 형성된다.
다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 상기 게이트 절연막(120) 상에 마스크 공정을 통해서 액티브층(130)을 패턴 형성한다.
그 다음, 마스크 공정을 통해서 상기 액티브층(130) 상에서 이격되어 마주보도록 소스 전극(150a) 및 드레인 전극(150b)를 패턴 형성한다.
이때, 상기 소스 전극(150a)은 상기 연결층(120)과 연결되도록 형성된다.
그 다음, 상기 소스 및 드레인 전극(150a, 150b)이 형성된 기판(100) 상에 제1 층간절연막(160)을 증착한 후, 상기 연결층(120)을 노출되게 하는 개구부(OA)를 형성한다.
상기 개구부(OA)는 드라이 에칭(dry etching) 공정에 의해 형성될 수 있다.
다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 상기 연결층(120) 상에 하부 전극(170a), PIN층(170b), 및 상부 전극(170c)를 포함하는 PIN 다이오드(300)을 형성한다.
구체적으로, 마스크 공정을 통해서 상기 연결층(120) 상에 하부 전극(170a)을 패턴 형성한다. 상기 하부 전극(170a)은 상기 연결층(120)과 전기적으로 컨택된다.
그 뒤, 기판(100)의 전면에 광도전체막과 금속막을 순차적으로 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상부 전극(170c)을 먼저 형성하고, 이후 마스크 공정을 추가로 진행하여 상기 하부 전극(170a)과 상부 전극(170c) 사이에 PIN층(170b)을 형성하여 PIN 다이오드(300)을 완성한다.
상기 PIN층(170b)은 상기 하부 전극(170a) 보다 좁은 면적으로 형성하기 때문에 상기 하부 전극(170a)의 가장자리 영역에 상기 PIN층(170b)의 외측 가장자리 둘레를 따라 노출되어 있다.
상기와 같이, 기판(100) 상에 PIN 다이오드(300)가 형성되면, 상기 PIN 다이오드(300) 상부의 기판 상에 제2 층간절연막(180)을 형성한다.
그 뒤, 상기 드레인 전극(150b) 상에 형성된 상기 제1 층간절연막(160) 및 제2 층간절연막(180)에 상기 드레인 전극(150b)을 일부 노출되게 하는 제1 컨택홀(H1)을 형성한다.
상기 제1 컨택홀(H1)은 드라이 에칭(dry etching) 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 컨택홀(H1)과 동시에 제2 층간절연막(180)에 상기 상부 전극(170c)을 일부 노출되게 하는 제2 컨택홀(H2)을 형성한다.
다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 리드 아웃 라인(190) 및 바이어스 라인(200)을 형성한다.
상기 리드 아웃 라인(190)은 상기 제1 컨택홀(H1)이 형성된 제2 층간절연막(180) 상에 패턴 형성한다.
상기 리드 아웃 라인(190)은 상기 제1 컨택홀(H1)을 통해서 상기 드레인 전극(150b)과 전기적으로 컨택된다.
상기 바이어스 라인(200)은 상기 리드 아웃 라인(190)과 동시에 패턴 형성된다.
상기 바이어스 라인(200)은 제2 층간절연막(180) 상에 형성되어 상기 제2 컨택홀(H2)을 통해 상기 상부 전극(170c)와 전기적으로 컨택된다. 또한, 상기 바이어스 라인(200)은 상기 박막 트랜지스터(250) 상부의 상기 제2 층간절연막(180) 상에도 형성되어 있다.
그 뒤, 상기 리드 아웃 라인(190) 및 바이어스 라인(200)을 포함하여 상기 제2 층간절연막(180) 상 전면에 보호막(210)을 형성한다.
이상 설명한 각각의 구성들은 당업계에 공지된 다양한 재료를 당업계에 공지된 다양한 방법을 통해 패턴 형성할 수 있다. 이하에서는 각각의 구성들의 재료 및 패턴 형성 방법에 대한 예를 설명하지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 게이트 전극(110), 게이트 라인(115), 연결층(120), 소스 전극(150a), 드레인 전극(150b), 하부 전극(170a), 리드 아웃 라인(190), 및 바이어스 라인(200) 각각은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 절연막(120), 제1 층간절연막(160), 제2 층간절연막(180), 보호막(210)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 이루어질 수 있으며, 상기 산화막 또는 질화막의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.
상기 액티브층(130) 및 PIN층(170b)는 비정질 실리콘을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 상부 전극(170c)는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide)와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 기판 110: 게이트 전극
115: 게이트 라인 120: 연결층
130: 게이트 절연막 140: 액티브층
150a: 소스 전극 150b: 드레인 전극
160: 제1 층간 절연막 170a: 하부 전극
170b: PIN층 170c: 상부 전극
180: 제2 층간 절연막 190: 리드 아웃 라인
200: 바이어스 라인 250: 박막 트랜지스터
300: PIN 다이오드 H1: 제1 컨택홀
H2: 제2 컨택홀 OA: 개구부
S: 단차부
115: 게이트 라인 120: 연결층
130: 게이트 절연막 140: 액티브층
150a: 소스 전극 150b: 드레인 전극
160: 제1 층간 절연막 170a: 하부 전극
170b: PIN층 170c: 상부 전극
180: 제2 층간 절연막 190: 리드 아웃 라인
200: 바이어스 라인 250: 박막 트랜지스터
300: PIN 다이오드 H1: 제1 컨택홀
H2: 제2 컨택홀 OA: 개구부
S: 단차부
Claims (10)
- 기판;
상기 기판 상에 서로 교차하도록 형성된 게이트 라인 및 리드 아웃 라인;
상기 게이트 라인 및 리드 아웃 라인이 교차하는 영역에 형성되며, 게이트 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 소스 전극, 드레인 전극, 제1 층간 절연막을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터;
상기 기판 상에 형성되면서 상기 소스 전극과 연결되는 연결층;
상기 연결층과 연결되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 PIN층, 및 상기 PIN층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하여 이루어진 PIN 다이오드; 및
상기 PIN 다이오드의 상부 전극과 연결되는 바이어스 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판. - 제1항에 있어서,
상기 게이트 절연막 및 상기 제1 층간 절연막은 상기 연결층 상부를 노출하는 개구부를 구비하는 것을 특징으로 엑스레이 검출기의 어레이 기판. - 제2항에 있어서,
상기 PIN 다이오드는 상기 연결층 상부의 개구부에 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판. - 제1항에 있어서,
상기 게이트 전극은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판. - 제1항에 있어서,
상기 연결층은 상기 게이트 전극과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판. - 제1항에 있어서,
상기 연결층은 상기 게이트 전극과 동일한 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판. - 기판 상에 게이트 전극, 연결층을 형성하는 공정;
상기 기판 상에서 연결층을 노출하는 개구부를 구비하는 게이트 절연막을 형성하는 공정;
상기 게이트 절연막 상에 액티브층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정;
상기 박막 트랜지스터 상에 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 컨택홀과 상기 연결층을 노출하는 개구부를 구비하는 제1 층간 절연막을 형성하는 공정;
상기 연결층 상에 상기 연결층과 연결되는 하부 전극, PIN층, 상부 전극을 포함하는 PIN 다이오드를 형성하는 공정;
상기 제1 층간 절연막 상에서 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 컨택홀과 상기 상부 전극을 노출하는 제2 컨택홀을 구비하는 제2 층간 절연막을 형성하는 공정; 및
상기 제1 컨택홀을 통해서 상기 드레인 전극과 연결되는 리드 아웃 라인 및 상기 제2 컨택홀을 통해서 상기 상부 전극과 연결되는 바이어스 라인을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 연결층은 상기 게이트 전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 연결층은 상기 게이트 전극과 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 연결층은 상기 게이트 전극과 동일한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기의 어레이 기판 제조 방법.
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- 2013-12-10 KR KR1020130152848A patent/KR102195521B1/ko active IP Right Grant
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