KR20150062731A - Ribbon and solar cell module including the same - Google Patents

Ribbon and solar cell module including the same Download PDF

Info

Publication number
KR20150062731A
KR20150062731A KR1020130147689A KR20130147689A KR20150062731A KR 20150062731 A KR20150062731 A KR 20150062731A KR 1020130147689 A KR1020130147689 A KR 1020130147689A KR 20130147689 A KR20130147689 A KR 20130147689A KR 20150062731 A KR20150062731 A KR 20150062731A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
ribbon
width
electrode
present
Prior art date
Application number
KR1020130147689A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102110528B1 (en
Inventor
조해종
오동해
한원석
이진형
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020130147689A priority Critical patent/KR102110528B1/en
Publication of KR20150062731A publication Critical patent/KR20150062731A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102110528B1 publication Critical patent/KR102110528B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

A solar cell module according to the embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells which includes a first solar cell and a second solar cell, and a ribbon which connects the first solar cell to the second solar cell. The ribbon includes a first part which is located on the first solar cell, a second part which is located on the second solar cell, and a third part which connects the first part to the second part between the first part and the second part. At least one of a width and a thickness is different in at least two of the first to third parts.

Description

리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈{RIBBON AND SOLAR CELL MODULE INCLUDING THE SAME}RIBBON AND SOLAR CELL MODULE INCLUDING THE SAME [0002]

본 발명은 리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 구조를 개선한 리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ribbon and a solar cell module including the ribbon, and more particularly, to a ribbon having improved structure and a solar cell module including the same.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. With the recent depletion of existing energy sources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting attention as a next-generation battery that converts solar energy into electric energy.

이러한 태양 전지는 복수 개를 연결하여 태양 전지 모듈 형태로 제조된다. 이때, 복수 개의 태양 전지를 연결하는 구조에 따라 태양 전지 모듈의 출력이 달라지게 되는바, 태양 전지 모듈의 출력을 향상할 수 있도록 복수 개의 태양 전지를 연결하는 것이 요구된다. Such solar cells are manufactured in the form of a solar cell module by connecting a plurality of solar cells. At this time, the output of the solar cell module varies depending on the structure of connecting the plurality of solar cells, and it is required to connect a plurality of solar cells to improve the output of the solar cell module.

본 발명은 태양 전지 모듈의 출력을 향상할 수 있는 리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈을 제공하고자 한다. The present invention provides a ribbon capable of improving the output of the solar cell module and a solar cell module including the same.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 포함하는 복수의 태양 전지; 및 상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지를 연결하는 리본을 포함한다. 상기 리본은, 상기 제1 태양 전지 위에 위치하는 제1 부분과, 상기 제2 태양 전지 위에 위치하는 제2 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에서 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제3 부분을 포함한다. 상기 제1 내지 제3 부분 중 적어도 두 부분은 폭 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다르다. A solar cell module according to an embodiment of the present invention includes: a plurality of solar cells including a first solar cell and a second solar cell; And a ribbon connecting the first solar cell and the second solar cell. Wherein the ribbon has a first portion located on the first solar cell, a second portion located on the second solar cell, and a second portion located between the first portion and the second portion, And a third portion connecting the first and second portions. At least two of the first to third portions differ in at least one of a width and a thickness.

상기 제3 부분은 상기 제1 부분보다 폭이 클 수 있다. The third portion may be wider than the first portion.

상기 제1 부분의 폭 : 상기 제2 부분의 폭의 비율이 1:1.5 내지 1:5일 수 있다. The ratio of the width of the first portion to the width of the second portion may be from 1: 1.5 to 1: 5.

상기 제2 부분은 상기 제3 부분과 폭이 같거나, 상기 제1 부분과 폭이 같거나, 또는 상기 제1 부분보다 크고 상기 제3 부분보다 작은 폭을 가질 수 있다. The second portion may have the same width as the third portion, the same width as the first portion, or a width greater than the first portion and smaller than the third portion.

상기 제3 부분은 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지와 각기 이격하여 형성될 수 있다. The third portion may be formed separately from the first solar cell and the second solar cell.

상기 제3 부분과 상기 제1 또는 제2 태양 전지 사이의 거리가 0.3mm 내지 5mm일 수 있다. And the distance between the third portion and the first or second solar cell may be 0.3 mm to 5 mm.

상기 제1 부분이 상기 제1 태양 전지의 전면 위에 위치하고, 상기 제2 부분이 상기 제2 태양 전지의 후면 위에 위치하며, 상기 제3 부분과 상기 제2 태양 전지 사이의 거리가 상기 제3 부분과 상기 제1 태양 전지 사이의 거리와 같거나 그보다 작을 수 있다. Wherein the first portion is located on the front surface of the first solar cell, the second portion is located on the rear surface of the second solar cell, and the distance between the third portion and the second solar cell is larger than the distance between the third portion And may be equal to or less than the distance between the first solar cells.

상기 제3 부분은 상기 제1 태양 전지에 이격 위치하고, 상기 제2 태양 전지의 일부에 중첩될 수 있다. The third portion may be placed on the first solar cell and may be overlapped with a portion of the second solar cell.

상기 리본은, 상기 제1 부분이 복수 개로 구비되고, 상기 제2 부분이 복수 개로 구비되며, 상기 복수 개의 제1 부분과 상기 복수 개의 제2 부분이 하나의 상기 제3 부분에 연결될 수 있다. The ribbon may have a plurality of the first portions, a plurality of the second portions, and the plurality of first portions and the plurality of second portions may be connected to one third portion.

상기 제3 부분에 반사 구조가 형성될 수 있다. A reflective structure may be formed on the third portion.

상기 제3 부분 위에 형성된 반사층을 포함할 수 있다. And a reflective layer formed on the third portion.

상기 제3 부분의 표면 거칠기가 상기 제1 및 제2 부분의 표면 거칠기보다 클 수 있다. The surface roughness of the third portion may be greater than the surface roughness of the first and second portions.

상기 제1 부분이 상기 제1 태양 전지의 전면 위에 위치하고, 상기 제2 부분이 상기 제2 태양 전지의 후면 위에 위치하며, 상기 제3 부분은 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에서 이들과 경사지도록 배치될 수 있다. Wherein the first portion is located on the front surface of the first solar cell and the second portion is located on the rear surface of the second solar cell and the third portion is between the first portion and the second portion, As shown in FIG.

상기 제1 부분이 상기 제1 태양 전지의 전면 위에 위치하고, 상기 제2 부분이 상기 제2 태양 전지의 후면 위에 위치하며, 상기 제3 부분은, 상기 제1 부분에 인접한 부분에서 상기 제1 부분과 교차하는 세로부와, 상기 제2 부분으로부터 상기 세로부까지 연장되며 상기 제2 부분과 평행한 가로부를 포함할 수 있다. Wherein the first portion is located on the front surface of the first solar cell and the second portion is located on the rear surface of the second solar cell and the third portion is located at a portion adjacent to the first portion, An intersecting longitudinal portion and a transverse portion extending from the second portion to the longitudinal portion and parallel to the second portion.

상기 가로부에 반사 구조가 형성될 수 있다. A reflective structure may be formed on the transverse portion.

상기 제3 부분은 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 중 적어도 하나보다 두께가 클 수 있다. The third portion may be thicker than at least one of the first portion and the second portion.

상기 제2 부분은 상기 제1 부분보다 폭이 클 수 있다. The second portion may be wider than the first portion.

본 발명의 실시예에 따른 리본은, 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 연결하는 리본으로서, 제1 태양 전지 위에 위치하는 제1 부분과, 제2 태양 전지 위에 위치하는 제2 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에서 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제3 부분을 포함한다. 상기 제1 내지 제3 부분 중 적어도 두 부분은 폭 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다르다. A ribbon according to an embodiment of the present invention is a ribbon for connecting a first solar cell and a second solar cell, comprising: a first portion located on a first solar cell; a second portion located on a second solar cell; And a third portion connecting the first portion and the second portion between the first portion and the second portion. At least two of the first to third portions differ in at least one of a width and a thickness.

상기 제3 부분은 상기 제1 부분보다 폭이 클 수 있다. The third portion may be wider than the first portion.

상기 제3 부분에 반사 구조가 형성될 수 있다. A reflective structure may be formed on the third portion.

본 실시예에 따르면, 리본의 폭 및 두께를 조절하여 리본의 저항을 저감할 수 있다. 특히, 제1 태양 전지와 제2 태양 전지의 사이 부분에 대응하는 부분을 포함하는 제3 부분의 폭 및/또는 두께를 상대적으로 크게 하여 리본의 저항을 크게 줄일 수 있다. 이에 의하여 태양 전지들 사이의 사이의 직렬 저항을 저하시킬 수 있고, 이에 의하여 충밀도를 증가시킬 수 있다. 또한, 상대적으로 넓은 폭을 제3 부분에 반사 구조를 형성하여 광전 변환에 이용되는 광의 양을 증가시켜 단락 전류 밀도를 향상할 수 있다. 이에 따라 태양 전지 모듈의 출력을 크게 증가시킬 수 있다. According to this embodiment, it is possible to reduce the resistance of the ribbon by adjusting the width and thickness of the ribbon. In particular, the width and / or thickness of the third portion including the portion corresponding to the portion between the first solar cell and the second solar cell can be made relatively large, so that the resistance of the ribbon can be greatly reduced. As a result, the series resistance between the solar cells can be lowered, thereby increasing the filling density. In addition, it is possible to increase the short-circuit current density by increasing the amount of light used for photoelectric conversion by forming the reflective structure in the third portion with a relatively wide width. Accordingly, the output of the solar cell module can be greatly increased.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 개략적인 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 태양 전지 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용될 수 있는 태양 전지의 일 예를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 태양 전지의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5의 개략적인 평면도이다.
도 7은 도 5의 VII-VII 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용될 수 있는 태양 전지의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 12은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다. 1 is a schematic exploded perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view of the solar cell module cut along the line II-II in Fig.
3 is a cross-sectional view illustrating an example of a solar cell applicable to a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of the solar cell shown in Fig.
5 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a schematic plan view of Figure 5;
7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG.
8 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view showing another example of a solar cell applicable to a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
10 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention.
11 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention.
12 is a perspective view schematically illustrating first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention.
13 is a cross-sectional view schematically illustrating first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention.
15 is a cross-sectional view schematically illustrating first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention.
16 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments and can be modified into various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the same reference numerals are used for the same or similar parts throughout the specification. In the drawings, the thickness, the width, and the like are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to those shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. Wherever certain parts of the specification are referred to as "comprising ", the description does not exclude other parts and may include other parts, unless specifically stated otherwise. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it also includes the case where another portion is located in the middle as well as the other portion. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "directly on" another portion, it means that no other portion is located in the middle.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈을 상세하게 설명한다. Hereinafter, a ribbon according to an embodiment of the present invention and a solar cell module including the ribbon will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 개략적인 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 태양 전지 모듈의 개략적인 단면도이다. 참고로, 도 1 및 도 2에서는 간략하고 명확한 도시를 위하여 반사층(도 5의 참조부호 144)를 도시하지 않는다. FIG. 1 is a schematic exploded perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a solar cell module cut along a line II-II in FIG. For reference, the reflective layer (reference numeral 144 in FIG. 5) is not shown in FIGS. 1 and 2 for the sake of simplicity and clarity.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150), 태양 전지(150)의 전면 상에 위치하는 제1 기판(이하 "전면 기판")(110) 및 태양 전지(150)의 후면 상에 위치하는 제2 기판(이하 "후면 시트")(200)을 포함할 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이의 제1 밀봉재(131)와, 태양 전지(150)와 후면 시트(200) 사이의 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. 1, a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention includes a solar cell 150, a first substrate 110 (hereinafter referred to as a "front substrate") 110 disposed on the front surface of the solar cell 150, And a second substrate 200 (hereinafter referred to as a "rear sheet") 200 positioned on the rear surface of the solar cell 150. The solar cell module 100 includes a first sealing material 131 between the solar cell 150 and the front substrate 110 and a second sealing material 132 between the solar cell 150 and the rear sheet 200 . This will be explained in more detail.

먼저, 태양 전지(150)는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환부와, 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 전극을 포함하여 형성된다. 본 실시예에서는 일례로 반도체 기판(일 예로, 실리콘 웨이퍼)을 포함하는 광전 변환부가 적용될 수 있다. 이러한 구조의 태양 전지(150)의 일 예를 도 3 및 도 4를 참조하여 상세하게 설명한 다음, 다시 도 1을 참조하여 태양 전지 모듈(100)을 상세하게 설명한다. First, the solar cell 150 includes a photoelectric conversion unit for converting solar energy into electric energy, and an electrode electrically connected to the photoelectric conversion unit. In this embodiment, a photoelectric conversion portion including a semiconductor substrate (for example, a silicon wafer) can be applied as an example. An example of the solar cell 150 having such a structure will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. Next, the solar cell module 100 will be described in detail with reference to FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용될 수 있는 태양 전지의 일 예를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시한 태양 전지의 평면도이다. 도 4에서는 반도체 기판(160)과 제1 및 제2 전극(42, 44)을 위주로 도시하였다. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of a solar cell applicable to a solar cell module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the solar cell shown in FIG. 4, the semiconductor substrate 160 and the first and second electrodes 42 and 44 are mainly shown.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)는, 베이스 영역(10)을 포함하는 반도체 기판(160)과, 도전형 영역(20, 30)과, 베이스 영역(10) 및/또는 도전형 영역(20, 30)에 각기 연결되는 전극(42, 44)을 포함한다. 도전형 영역(20, 30)은 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)과 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역(30)을 포함할 수 있다. 그리고 전극(42, 44)은 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(42)과 베이스 영역(10) 또는 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결되는 제2 전극(44)을 포함할 수 있다. 제1 및/또는 제2 등의 용어는 단순히 구별을 위하여 사용한 것에 불과하고 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 그리고 태양 전지(150)에는 패시베이션막(22, 32), 반사 방지막(24) 등이 더 형성될 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. 3, a solar cell 150 according to the present embodiment includes a semiconductor substrate 160 including a base region 10, conductive regions 20 and 30, a base region 10 and / Or electrodes 42, 44 connected to the conductive regions 20, 30, respectively. The conductive regions 20 and 30 may include a first conductive type region 20 having a first conductivity type and a second conductive type region 30 having a second conductive type. The electrodes 42 and 44 may include a first electrode 42 electrically connected to the first conductivity type region 20 and a second electrode 42 electrically connected to the base region 10 or the second conductivity type region 30, (44). The terms such as the first and / or second are merely used for the distinction, and the present invention is not limited thereto. In addition, the solar cell 150 may further include passivation films 22 and 32, an antireflection film 24, and the like. This will be explained in more detail.

반도체 기판(160)은, 도전형 영역(20, 30)이 형성되는 영역과 도전형 영역(20, 30)이 형성되지 않는 부분인 베이스 영역(10)을 포함할 수 있다. 베이스 영역(10)은, 일례로 제2 도전형 불순물을 포함하는 실리콘(일 예로, 실리콘 웨이퍼)으로 구성될 수 있다. 실리콘으로는 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘이 사용될 수 있으며, 제2 도전형 불순물은 p형 또는 n형일 수 있다. The semiconductor substrate 160 may include a region in which the conductive regions 20 and 30 are formed and a base region 10 in which the conductive regions 20 and 30 are not formed. The base region 10 may be made of silicon (for example, a silicon wafer) containing a second conductivity type impurity, for example. As the silicon, single crystal silicon or polycrystalline silicon may be used, and the second conductivity type impurity may be p type or n type.

베이스 영역(10)이 p형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘(일 예로, 실리콘 웨이퍼)으로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘(일 예로, 실리콘 웨이퍼)으로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)은 상술한 물질 외의 다양한 물질을 사용할 수 있다. In the case where the base region 10 has a p-type, the base region 10 is formed of a single crystal or polycrystalline silicon (Al) doped with Group 3 elements such as boron (B), aluminum (Al), gallium For example, a silicon wafer). In the case where the base region 10 has an n-type, the base region 10 is formed of a single crystal or polycrystalline silicon (P) doped with Group 5 elements such as arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb) For example, a silicon wafer). The base region 10 can use various materials other than the above-mentioned materials.

일 예로, 베이스 영역(10)은 제2 도전형 불순물로 n형의 불순물을 가질 수 있다. 그러면, 베이스 영역(10)과 pn 접합을 이루는 제1 도전형 영역(20)이 p형을 가지게 된다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(160)의 제2 면(이하 "후면") 쪽으로 이동하여 제2 전극(44)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(160)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(42)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(160)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 변환 효율이 향상될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 영역(30)이 p형을 가지고 제1 도전형 영역(20)이 n형을 가지는 것도 가능하다. For example, the base region 10 may have an n-type impurity as the second conductivity type impurity. Then, the first conductivity type region 20 forming the pn junction with the base region 10 has p-type conductivity. When the pn junction is irradiated with light, electrons generated by the photoelectric effect move toward the second surface (hereinafter referred to as "back surface") of the semiconductor substrate 160 and are collected by the second electrode 44, 160 and is collected by the first electrode 42. [ Thereby, electric energy is generated. Then, holes having a slower moving speed than electrons may move to the front surface of the semiconductor substrate 160 rather than the rear surface thereof, thereby improving the conversion efficiency. However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible that the base region 10 and the second conductivity type region 30 have a p-type and the first conductivity type region 20 has an n-type.

반도체 기판(160)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)되어 피라미드 등의 형태의 요철을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(160)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(160)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 베이스 영역(10)과 제1 도전형 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 기판(160)의 전면 및 후면에 텍스쳐링에 의한 요철이 형성되지 않는 것도 가능하다. The front surface and / or the rear surface of the semiconductor substrate 160 may be textured to have irregularities in the form of a pyramid or the like. When the surface roughness of the semiconductor substrate 160 is increased by forming concavities and convexities on the front surface of the semiconductor substrate 160 by such texturing, the reflectance of light incident through the front surface of the semiconductor substrate 160 can be reduced. Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed at the interface between the base region 10 and the first conductive type region 20 can be increased, and the light loss can be minimized. However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible that the irregularities due to texturing are not formed on the front surface and the rear surface of the semiconductor substrate 160.

반도체 기판(160)의 전면 쪽에는 베이스 영역(10)과 반대되는 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)이 형성될 수 있다. 제1 도전형 영역(20)은 베이스 영역(10)과 pn 접합을 형성하여 광전 변환에 기여하는 에미터 영역을 구성한다. A first conductive type region 20 having a first conductivity type opposite to the base region 10 may be formed on the front side of the semiconductor substrate 160. The first conductivity type region 20 forms a pn junction with the base region 10 to form an emitter region contributing to photoelectric conversion.

제1 도전형 영역(20)이 n형일 때에는 인, 비소, 비스무스, 안티몬 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있고, p형일 때에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. When the first conductivity type region 20 is n-type, the first conductive type region 20 may be formed of single crystal or polycrystalline silicon doped with phosphorus, arsenic, bismuth, antimony, or the like. May be made of doped monocrystalline or polycrystalline silicon.

도면에서는 제1 도전형 영역(20)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 제1 도전형 영역(20)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 제1 도전형 영역(20) 중에서 제1 전극(42)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 제1 도전형 영역(20)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다. In the figure, the first conductivity type region 20 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, the first conductive region 20 may have a selective structure. In the selective structure, it is possible to have a high doping concentration and a low resistance in a portion of the first conductive type region 20 adjacent to the first electrode 42, and a low doping concentration and a high resistance in other portions. As the structure of the first conductivity type region 20, various other structures may be applied.

그리고 본 실시예에서는 반도체 기판(160)의 전면 쪽에 제1 도전형 불순물을 도핑하여 형성된 도핑 영역이 제1 도전형 영역(20)을 구성한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 도전형 영역(20)이 반도체 기판(160)의 전면 위에 별도의 층으로 구성되는 등 다양한 변형이 가능하다. In this embodiment, the doped region formed by doping the first conductivity type impurity on the front surface of the semiconductor substrate 160 constitutes the first conductivity type region 20. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible, for example, the first conductivity type region 20 is formed as a separate layer on the front surface of the semiconductor substrate 160.

반도체 기판(160) 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(160)에 형성된 제1 도전형 영역(20) 위에 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)이 차례로 형성되고, 제1 전극(42)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 제1 도전형 영역(20)에 접촉하여 형성된다. The passivation film 22 and the antireflection film 24 are sequentially formed on the semiconductor substrate 160 and more precisely on the first conductive type region 20 formed on the semiconductor substrate 160. The first electrode 42 is formed by passivation Is formed in contact with the first conductivity type region (20) through the film (22) and the antireflection film (24).

패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)은 제1 전극(42)에 대응하는 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(160)의 전면 전체에 형성될 수 있다. The passivation film 22 and the antireflection film 24 may be formed substantially entirely on the entire surface of the semiconductor substrate 160 except for the portion corresponding to the first electrode 42. [

패시베이션막(22)은 제1 도전형 영역(20)에 접촉하여 형성되어 제1 도전형 영역(20)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 반사 방지막(24)은 반도체 기판(160)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시킨다. 이에 의하여 반도체 기판(160)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율이 낮추는 것에 의하여 베이스 영역(10)과 제1 도전형 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.The passivation film 22 is formed in contact with the first conductivity type region 20 to passivate defects present in the surface or bulk of the first conductivity type region 20. [ Accordingly, it is possible to increase the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell 150 by removing recombination sites of the minority carriers. The antireflection film 24 reduces the reflectance of light incident on the front surface of the semiconductor substrate 160. Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed at the interface between the base region 10 and the first conductive type region 20 can be increased by lowering the reflectance of light incident through the entire surface of the semiconductor substrate 160. Accordingly, the short circuit current Isc of the solar cell 150 can be increased. As described above, the efficiency of the solar cell 150 can be improved by increasing the open-circuit voltage and the short-circuit current of the solar cell 150 by the passivation film 22 and the anti-reflection film 24.

패시베이션막(22)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 패시베이셔막(22)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 패시베이션막(22)은, 제1 도전형 영역(20)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 제1 도전형 영역(20)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. The passivation film 22 may be formed of various materials. For example, the passivation film 22 may be a single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 And may have a multi-layered film structure in which two or more films are combined. For example, the passivation film 22 may include a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like having a fixed positive charge if the first conductivity type region 20 has an n-type, and the first conductivity type region 20 and an aluminum oxide film having a negative negative charge if it has a p-type.

방사 방지막(24)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. The anti-radiation film 24 may be formed of various materials. For example, the antireflection film 24 may be a single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2, and CeO 2 , Layer structure having a combination of at least two layers. In one example, the antireflective film 24 may comprise silicon nitride.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 중 어느 하나가 반사 방지 역할 및 패시베이션 역할을 함께 수행하여 다른 하나가 구비되지 않는 것도 가능하다. 또는, 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(160) 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the passivation film 22 and the anti-reflection film 24 may include various materials. It is also possible that any one of the passivation film 22 and the antireflection film 24 functions as an anti-reflection role and passivation, so that the other is not provided. Alternatively, various films other than the passivation film 22 and the antireflection film 24 may be formed on the semiconductor substrate 160. Other variations are possible.

제1 전극(42)은 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 형성된 개구부(104)를 통하여(즉, 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여) 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제1 전극(42)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 전극(42)의 형상에 대해서는 도 4를 참조하여 추후에 다시 설명한다. The first electrode 42 is electrically connected to the first conductive type region (not shown) through the opening 104 formed in the passivation film 22 and the antireflection film 24 (that is, through the passivation film 22 and the antireflection film 24) 20, respectively. The first electrode 42 may be formed to have various shapes by various materials. The shape of the first electrode 42 will be described later with reference to FIG.

반도체 기판(160)의 후면 쪽에는 베이스 영역(10)과 동일한 제2 도전형을 가지되, 베이스 영역(10)보다 높은 도핑 농도로 제2 도전형 불순물을 포함하는 제2 도전형 영역(30)이 형성된다. 제2 도전형 영역(30)은 반도체 기판(160)의 후면 쪽에 제2 도전형 불순물을 도핑하여 형성된 도핑 영역으로 구성될 수 있다. 제2 도전형 영역(30)은 반도체 기판(160)에서 후면 전계(back surface field)를 형성하는 후면 전계 영역을 구성할 수 있다. A second conductivity type region 30 having a second conductivity type identical to that of the base region 10 and containing a second conductivity type impurity at a higher doping concentration than the base region 10 is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160, . The second conductive type region 30 may be formed as a doped region formed by doping a second conductive type impurity on the rear side of the semiconductor substrate 160. The second conductive type region 30 may form a back electric field region forming a back surface field in the semiconductor substrate 160.

본 실시예에서 제2 도전형 영역(30)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 제2 도전형 영역(30)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 제2 도전형 영역(30) 중에서 제2 전극(44)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2 도전형 영역(30)이 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. 국부적 구조에서는 제2 도전형 영역(30)이 제2 전극(44)이 형성된 부분에 대응하여 국부적으로 형성될 수 있다. In this embodiment, the second conductivity type region 30 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, the second conductivity type region 30 may have a selective structure. In the selective structure, it is possible to have a high doping concentration and a low resistance in a portion of the second conductivity type region 30 adjacent to the second electrode 44, and a low doping concentration and a high resistance in other portions. In yet another embodiment, the second conductivity type region 30 may have a local structure. In the local structure, the second conductivity type region 30 may be locally formed corresponding to the portion where the second electrode 44 is formed.

반도체 기판(160)의 후면 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(160)에 형성된 제2 도전형 영역(30) 위에 패시베이션막(32)이 형성되고, 제2 전극(44)이 패시베이션막(32)을 관통하여 제2 도전형 영역(30)에 연결된다. The passivation film 32 is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160 and more precisely on the second conductive type region 30 formed on the semiconductor substrate 160 and the second electrode 44 is formed on the passivation film 32 And is connected to the second conductivity type region 30 through the through hole.

패시베이션막(32)은 제2 전극(44)에 대응하는 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(160)의 후면 전체에 형성될 수 있다. The passivation film 32 may be formed substantially entirely on the rear surface of the semiconductor substrate 160 except for the portion corresponding to the second electrode 44. [

패시베이션막(32)은 제2 도전형 영역(30)에 접촉하여 형성되어 제2 도전형 영역(30)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. The passivation film 32 is formed in contact with the second conductivity type region 30 to passivate defects present in the surface or bulk of the second conductivity type region 30. Accordingly, it is possible to increase the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell 150 by removing recombination sites of the minority carriers.

패시베이션막(32)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 패시베이션막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 패시베이션막(32)은, 제2 도전형 영역(30)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 제2 도전형 영역(30)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. The passivation film 32 may be formed of various materials. For example, the passivation film 32 may be a single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2, and CeO 2 , Layer structure having a combination of at least two layers. For example, the passivation film 32 may include a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like having a fixed positive charge when the second conductivity type region 30 has an n-type, and the second conductivity type region 30 and an aluminum oxide film having a negative negative charge if it has a p-type.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션막(32)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 또는, 패시베이션막(32) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(160) 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the passivation film 32 may include various materials. Alternatively, various films other than the passivation film 32 may be formed on the semiconductor substrate 160. Other variations are possible.

제2 전극(44)은 패시베이션막(32)에 형성된 개구부(102)를 통하여 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 제2 전극(44)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다.The second electrode 44 is electrically connected to the second conductivity type region 30 through the opening 102 formed in the passivation film 32. The second electrode 44 may be formed to have various shapes by various materials.

도 4를 참조하면, 제1 및 제2 전극(42, 44)은 일정한 피치를 가지면서 서로 이격되는 복수의 핑거 전극(42a, 44a)을 포함할 수 있다. 도면에서는 핑거 전극(42a, 44a)이 서로 평행하며 반도체 기판(160)의 가장자리에 평행한 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 및 제2 전극(42, 44)은 핑거 전극들(42a, 44a)과 교차하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(42a, 44a)을 연결하는 버스바 전극(44a, 44b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스 전극(44a, 44b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 핑거 전극(42a, 44a)의 피치보다 더 큰 피치를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(42a, 44a)의 폭보다 버스바 전극(42b, 44b)의 폭이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 동일하거나 작은 폭을 가질 수 있다. Referring to FIG. 4, the first and second electrodes 42 and 44 may include a plurality of finger electrodes 42a and 44a spaced apart from each other with a predetermined pitch. Although the finger electrodes 42a and 44a are parallel to each other and parallel to the edge of the semiconductor substrate 160, the present invention is not limited thereto. The first and second electrodes 42 and 44 may include bus bar electrodes 44a and 44b formed in a direction crossing the finger electrodes 42a and 44a and connecting the finger electrodes 42a and 44a. have. Only one bus electrode 44a or 44b may be provided, or a plurality of bus electrodes 44a and 44b may be provided with a larger pitch than the pitch of the finger electrodes 42a and 44a as shown in FIG. At this time, the width of the bus bar electrodes 42b and 44b may be larger than the width of the finger electrodes 42a and 44a, but the present invention is not limited thereto and may have the same or small width.

단면 상으로 볼 때, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)은 모두 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(102)가 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)은 모두 패시베이션막(32)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(104)가 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(42b)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 위에 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a)이 패시베이션막(32)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(44b)은 패시베이션막(32) 위에 형성될 수 있다. The finger electrode 42a and the bus bar electrode 42b of the first electrode 42 may all be formed through the passivation film 22 and the antireflection film 24 as viewed in cross section. That is, the opening 102 may be formed corresponding to both the finger electrode 42a of the first electrode 42 and the bus bar electrode 42b. The finger electrode 44a and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44 may all be formed through the passivation film 32. [ That is, the opening 104 may be formed corresponding to both the finger electrode 44a and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44. [ However, the present invention is not limited thereto. As another example, the finger electrode 42a of the first electrode 42 is formed to pass through the passivation film 22 and the antireflection film 24, and the bus bar electrode 42b is formed through the passivation film 22 and the antireflection film 24 As shown in FIG. A finger electrode 44a of the second electrode 44 may be formed through the passivation film 32 and a bus bar electrode 44b may be formed on the passivation film 32. [

도면에서는 제1 전극(42)과 제2 전극(44)이 서로 동일한 형상을 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 전극(42)의 핑거 전극 및 버스바 전극의 폭, 피치 등은 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)의 폭, 피치 등과 서로 다른 값을 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(42)과 제2 전극(44)의 형상이 서로 다른 것도 가능하며, 그 외의 다양한 변형이 가능하다. In the drawing, the first electrode 42 and the second electrode 44 have the same shape. The width and pitch of the finger electrode and the bus bar electrode of the first electrode 42 are not limited to the width and pitch of the finger electrode 44a and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44, Pitch, and the like. The shapes of the first electrode 42 and the second electrode 44 may be different from each other, and various other modifications are possible.

본 실시예에와 같이 반도체 기판(160)의 전면에 제1 전극(42)이 형성되고 반도체 기판(160)의 후면에 제2 전극(44)이 형성되면, 제1 전극(42)에 연결되는 제1 도전형 영역(20)을 반도체 기판(160)의 전면에 전체적으로 형성할 수 있다. 이와 같이 에미터 영역으로 기능하는 제1 도전형 영역(20)을 넓은 면적으로 형성하여 광전 변환이 일어나는 면적을 최대화할 수 있다. When the first electrode 42 is formed on the front surface of the semiconductor substrate 160 and the second electrode 44 is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160 as shown in this embodiment, The first conductivity type region 20 may be formed entirely on the entire surface of the semiconductor substrate 160. [ In this manner, the first conductivity type region 20 functioning as the emitter region can be formed in a large area to maximize the area where photoelectric conversion occurs.

이때, 반도체 기판(160)의 전면에 소정의 패턴을 가지는 제1 전극(42)이 형성되고 반도체 기판(160)의 후면에 소정의 패턴을 가지는 제2 전극(44)이 형성되는 양면 수광형(bi-facial) 구조의 태양 전지(150)에서는 태양 전지(150)의 전면 및 후면에서 입사되는 광을 모두 광전 변환에 이용할 수 있다. 이에 의하여 광의 사용량을 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 및/또는 제2 전극(42, 44)의 형상이 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션막(32)이 구비되지 않고 제2 전극(44)이 반도체 기판(160)의 후면에 전체적으로 형성되어 반도체 기판(160)에 전체적으로 접촉하는 것도 가능하다. 또는, 도 9에 도시한 바와 같이, 제2 전극(44)이 반도체 기판(160)의 후면에 형성된 패시베이션막(32) 위에 전체적으로 형성되며, 패시베이션막(32)을 국부적으로 관통하여 반도체 기판(160)에 국부적으로 접촉하는 것도 가능하다. 도 9의 실시예에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. In this case, the first electrode 42 having a predetermined pattern is formed on the front surface of the semiconductor substrate 160 and the second electrode 44 having a predetermined pattern is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160. the bi-facial solar cell 150 can use the light incident on the front and rear surfaces of the solar cell 150 for photoelectric conversion. Thus, the efficiency of the solar cell 150 can be improved by increasing the amount of light used. However, the present invention is not limited thereto, and the shapes of the first and / or second electrodes 42 and 44 may be variously modified. For example, it is also possible that the passivation film 32 is not provided and the second electrode 44 is formed entirely on the rear surface of the semiconductor substrate 160 so as to entirely contact the semiconductor substrate 160. 9, the second electrode 44 is entirely formed on the passivation film 32 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160, and the passivation film 32 is locally penetrated to the semiconductor substrate 160 ). ≪ / RTI > The embodiment of Fig. 9 will be described in more detail later. Various other variations are possible.

상술한 설명에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 태양 전지(150)의 일 예를 설명하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 태양 전지(150)의 구조, 방식 등은 다양하게 변형될 수 있다. 일 예로, 태양 전지(150)는 화합물 반도체를 이용하거나, 염료 감응 물질을 이용하는 등의 다양한 구조를 가지는 광전 변환부가 적용될 수 있다. In the above description, an example of the solar cell 150 has been described with reference to Figs. 3 and 4. Fig. However, the present invention is not limited thereto, and the structure, mode, etc. of the solar cell 150 may be variously modified. For example, the solar cell 150 may be a photoelectric conversion unit having various structures such as using a compound semiconductor or using a dye sensitized material.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 태양 전지(150)는 리본(142)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있다. 구체적으로, 리본(142)은 태양 전지(150)의 전면 상에 형성된 제1 전극(도 3의 참조부호 42, 이하 동일)과, 인접한 다른 태양 전지(150)의 후면 상에 형성된 제2 전극(도 3의 참조부호 44, 이하 동일)을 태빙(tabbing) 공정에 의해 연결할 수 있다. 태빙 공정은 태양 전지(150)의 일면에 플럭스(flux)를 도포하고, 플럭스가 도포된 태양 전지(150)에 리본(142)을 위치시킨 다음, 소성 과정을 거쳐 수행될 수 있다. 플럭스는 솔더링을 방해하는 산화막을 제거하기 위한 것으로, 반드시 포함되어야 하는 것은 아니다. Referring again to FIGS. 1 and 2, the solar cells 150 may be electrically connected in series, in parallel, or in series and parallel by a ribbon 142. Specifically, the ribbon 142 includes a first electrode (reference numeral 42 in FIG. 3, hereinafter the same) formed on the front surface of the solar cell 150 and a second electrode 44 in FIG. 3, the same applies hereinafter) can be connected by a tabbing process. The tableting process may be performed by applying a flux to one surface of the solar cell 150, placing the ribbon 142 on the flux-applied solar cell 150, and then performing a firing process. The flux is intended to remove the oxide film which interferes with the soldering, and is not necessarily included.

또는, 태양 전지(150)의 일면과 리본(142) 사이에 전도성 필름(미도시)을 부착시킨 다음, 열 압착에 의해 복수의 태양 전지(150)를 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다. 전도성 필름(미도시)은 도전성이 우수한 금, 은, 니켈, 구리 등으로 형성된 도전성 입자가 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 등으로 형성된 필름 내에 분산된 것일 수 있다. 이러한 전도성 필름을 열을 가하면서 압착하면 도전성 입자가 필름의 외부로 노출되고, 노출된 도전성 입자에 의해 태양 전지(150)와 리본(142)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 전도성 필름(미도시)에 의해 복수의 태양 전지(150)를 연결하여 모듈화하는 경우는, 공정 온도를 저하시킬 수 있어 태양 전지(150)의 휘어짐을 방지할 수 있다. Alternatively, a conductive film (not shown) may be attached between one side of the solar cell 150 and the ribbon 142, and then a plurality of solar cells 150 may be connected in series or in parallel by thermocompression bonding. The conductive film (not shown) may be formed by dispersing electrically conductive particles formed of gold, silver, nickel, copper or the like having excellent conductivity in a film formed of an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a polycarbonate resin or the like. When the conductive film is compressed while being heated, the conductive particles are exposed to the outside of the film, and the solar cell 150 and the ribbon 142 can be electrically connected by the exposed conductive particles. When a plurality of solar cells 150 are modularized by the conductive film (not shown), the process temperature can be lowered, and warpage of the solar cell 150 can be prevented.

이와 같은 방식에 의하여 태양 전지(150)(좀더 상세하게는, 제1 및 제2 전극(42, 44))에 연결되는 본 실시예에 따른 리본(142)의 구조는 추후에 도 5 내지 도 7을 참조하여 상세하게 설명한다. The structure of the ribbon 142 according to the present embodiment, which is connected to the solar cell 150 (more specifically, the first and second electrodes 42 and 44) by such a method, Will be described in detail.

또한, 버스 리본(145)은 리본(142)에 의하여 연결된 하나의 열(列)의 태양 전지(150)의 리본(142)의 양끝단을 교대로 연결한다. 버스 리본(145)은 하나의 열을 이루는 태양 전지(150)의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은 태양 전지(150)가 생산한 전기를 모으며 전기가 역류되는 것을 방지하는 정션 박스(미도시)와 연결된다.The bus ribbon 145 alternately connects both ends of the ribbon 142 of the solar cell 150 in one row connected by the ribbon 142. [ The bus ribbons 145 may be arranged in the direction intersecting the ends of the solar cells 150 forming one row. The bus ribbon 145 is connected to a junction box (not shown) that collects electricity generated by the solar cell 150 and prevents electricity from flowing backward.

제1 밀봉재(131)는 태양 전지(150)의 수광면에 위치하고, 제2 밀봉재(132)는 태양 전지(150)의 이면에 위치할 수 있으며, 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 라미네이션에 의해 접착하여, 태양 전지(150)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단하며, 태양 전지(150)의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다. The first seal member 131 may be positioned on the light receiving surface of the solar cell 150 and the second seal member 132 may be positioned on the back surface of the solar cell 150. The first seal member 131 and the second seal member 132 Are adhered by lamination to cut off water and oxygen which may adversely affect the solar cell 150 and allow each element of the solar cell 150 to chemically bond.

이러한 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)는 그 외 다양한 물질을 이용하여 라미네이션 이외의 다른 방법에 의하여 형성될 수 있다. The first sealing material 131 and the second sealing material 132 may be made of ethylene vinyl acetate copolymer resin (EVA), polyvinyl butyral, silicon resin, ester resin, olefin resin, or the like. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the first and second sealing materials 131 and 132 may be formed by a method other than lamination using various other materials.

전면 기판(110)은 태양광을 투과하도록 제1 밀봉재(131) 상에 위치하며, 외부의 충격 등으로부터 태양 전지(150)를 보호하기 위해 강화유리인 것이 바람직하다. 또한, 태양광의 반사를 방지하고 태양광의 투과율을 높이기 위해 철분이 적게 들어간 저철분 강화유리인 것이 더욱 바람직하다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전면 기판(110)이 다른 물질 등으로 이루어질 수 있다. The front substrate 110 is positioned on the first sealing material 131 to transmit sunlight and is preferably made of tempered glass to protect the solar cell 150 from external impacts. Further, it is more preferable to use a low-iron-content tempered glass containing a small amount of iron in order to prevent the reflection of sunlight and increase the transmittance of sunlight. However, the present invention is not limited thereto, and the front substrate 110 may be formed of other materials.

후면 시트(200)는 태양 전지(150)의 이면에서 태양 전지(150)를 보호하는 층으로서, 방수, 절연 및 자외선 차단 기능을 한다. 후면 시트(200)는 필름 또는 시트 등의 형태로 구성될 수 있다. 후면 시트(200)은 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)의 적어도 일면에 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF) 수지 등이 형성된 구조일 수 있다. 폴리불화비닐리덴은 (CH2CF2)n의 구조를 지닌 고분자로서, 더블(Double)불소분자 구조를 가지기 때문에, 기계적 성질, 내후성, 내자외선성이 우수하다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(200)가 다른 물질 등으로 이루어질 수 있다. 이때, 후면 시트(200)는 전면 기판(110) 측으로부터 입사된 태양광을 반사하여 재이용될 수 있도록 반사율이 우수한 재질일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(200)가 태양광이 입사될 수 있는 투명 재질(예를 들어, 유리)로 형성되어 양면 수광형 태양 전지 모듈(100)을 구현할 수도 있다. The rear sheet 200 protects the solar cell 150 from the back surface of the solar cell 150, and functions as a waterproof, insulating, and ultraviolet shielding function. The backsheet 200 may be in the form of a film or sheet. The back sheet 200 may be a TPT (Tedlar / PET / Tedlar) type or a polyvinylidene fluoride (PVDF) resin formed on at least one surface of a polyethylene terephthalate (PET). Poly (vinylidene fluoride) is a polymer having a structure of (CH 2 CF 2 ) n and has a double fluorine molecular structure, and therefore has excellent mechanical properties, weather resistance, and ultraviolet ray resistance. However, the present invention is not limited thereto, and the backsheet 200 may be made of other materials. At this time, the rear sheet 200 may be made of a material having excellent reflectance so that sunlight incident from the front substrate 110 can be reflected and reused. However, the present invention is not limited thereto, and the back sheet 200 may be formed of a transparent material (for example, glass) into which solar light can enter, thereby realizing the double-side light receiving solar cell module 100.

상술한 리본(142)의 구체적인 구조를 도 5 내지 도 7을 참조하여 좀더 상세하게 설명한다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 리본(142)에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 6은 도 5의 개략적인 평면도이며, 도 7은 도 5의 VII-VII 선을 따라 잘라서 본 단면도이다. 도 5에서 태양 전지(150)는 반도체 기판(160)과 제1 및 제2 전극(42, 44)을 위주로 간략하게 도시하였으며, 하나의 리본(142)과, 이에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)를 도시하였다. 따라서, 도면에서 리본(142)이 연결되지 않은 제1 및 제2 전극(42, 44)은 또 다른 리본(142)에 의하여 다른 태양 전지(150)에 연결되는데, 이에 대해서는 도시를 생략한다. The specific structure of the ribbon 142 described above will be described in more detail with reference to FIGS. 5 to 7. FIG. FIG. 5 is a perspective view schematically showing first and second solar cells 151 and 152 connected by a ribbon 142 according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a schematic plan view of FIG. 5, 7 is a sectional view cut along the line VII-VII of FIG. 5, the solar cell 150 is schematically illustrated with a semiconductor substrate 160 and first and second electrodes 42 and 44 as a center, and includes a ribbon 142, first and second Solar cells 151 and 152 are shown. Accordingly, in the drawing, the first and second electrodes 42 and 44, to which the ribbon 142 is not connected, are connected to another solar cell 150 by another ribbon 142, which is not shown.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 리본(142)은 제1 태양 전지(151)의 전면에 위치한 제1 전극(42)과 제2 태양 전지(152)의 후면에 위치한 제2 전극(44)을 연결하도록 위치한다. 제1 또는 제2 전극(42, 44)이 복수 개 구비될 때 리본(142)은 이에 대응하는 개수로 복수 개로 구비될 수 있다. 5 to 7, the ribbon 142 includes a first electrode 42 disposed on the front surface of the first solar cell 151 and a second electrode 44 disposed on the rear surface of the second solar cell 152 Position. When a plurality of first or second electrodes 42 and 44 are provided, the plurality of ribbons 142 may be provided in a corresponding number.

좀더 구체적으로 각각의 리본(142)은, 제1 태양 전지(151)의 전면(좀더 정확하게는, 제1 태양 전지(151)의 제1 전극(42) 위)에 위치한 제1 부분(142a)과, 제2 태양 전지(152)의 후면(좀더 정확하게는, 제2 태양 전지(152)의 제2 전극(44) 위)에 위치한 제2 부분(142b)과, 제1 부분(142a)과 제2 부분(142b) 사이에서 이들을 연결하는 제3 부분(142c)을 포함한다. 여기서, 제3 부분(142c)은 제1 태양 전지(151)의 전면 및/또는 제2 태양 전지(152)의 후면과 겹쳐지는 영역에 위치한다고 하더라도 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152) 사이에 위치한 부분과 동일한 폭 및 두께를 가져 동일한 부분이라고 여겨질 수 있는 부분까지를 포함한다. More specifically, each of the ribbons 142 includes a first portion 142a located on the front surface of the first solar cell 151 (more precisely, on the first electrode 42 of the first solar cell 151) A second portion 142b located on the rear surface of the second solar cell 152 (more precisely on the second electrode 44 of the second solar cell 152) And a third portion 142c connecting them between portions 142b. Here, even if the third portion 142c is located in a region overlapping the front surface of the first solar cell 151 and / or the rear surface of the second solar cell 152, the first solar cell 151, Up to a portion that has the same width and thickness as the portion located between the upper portion 152 and the lower portion.

본 실시예에서 제1 부분(142a)의 폭(W1)보다 제3 부분(142c)의 폭(W3)이 클 수 있다. 제1 부분(142a)은 제1 태양 전지(151)의 전면 쪽에 위치한 부분이므로 그 폭을 증가시키면 제1 태양 전지(151)로 광이 입사되는 것을 방지하여 쉐이딩 손실(shading loss)가 발생할 수 있으므로 상대적으로 작은 폭(W1)을 가지도록 한다. 그리고 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152)에 위치하여 쉐이딩 손실과 관계되지 않는 제3 부분(142c)은 제1 부분(142a)보다 큰 폭(W3)을 가지도록 하여 리본(142)의 면적을 증가시켜 제1 및 제2 태양 전지(151, 152) 사이의 저항 성분을 줄여 직렬 저항을 저감할 수 있다. In this embodiment, the width W3 of the third portion 142c may be larger than the width W1 of the first portion 142a. Since the first portion 142a is located on the front side of the first solar cell 151, increasing the width of the first portion 142a prevents light from being incident on the first solar cell 151, thereby causing shading loss And has a relatively small width W1. The third portion 142c located in the first solar cell 151 and the second solar cell 152 and not related to the shading loss has a width W3 larger than the first portion 142a, 142 can be increased to reduce the resistance component between the first and second solar cells 151, 152, thereby reducing the series resistance.

일 예로, 제1 부분(142a)의 폭(W1) : 제3 부분(142c)의 폭(W3)의 비율이 1:1.5 이상일 수 있다. 상술한 비율이 1:1.5 미만이면 제3 부분(142c)의 폭(W3)에 의한 효과가 충분하지 않을 수 있다. 상술한 비율의 상한은 크게 한정되지 않으나, 일 예로, 제1 부분(142a)의 폭(W1) : 제3 부분(142c)의 폭(W3)의 비율이 1:5 이하(예를 들어, 1:3 이하)일 수 있다. 상술한 비율이 1:5를 초과하면, 제3 부분(142c)의 돌출된 부분이 원하지 않는 부분으로 꺽이거나 쳐져서 불필요한 션트 등이 발생할 수 있다. 제3 부분(142c)의 돌출된 부분에 의한 문제를 좀더 효과적으로 방지하기 위하여, 제1 부분(142a)의 폭(W1) : 제3 부분(142c)의 폭(W3)의 비율을 1:3 이하로 할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 부분(142a)의 폭(W1), 제3 부분(142c)의 폭(W3)이 상술한 바와 다른 값을 가질 수도 있다. For example, the ratio of the width W1 of the first portion 142a to the width W3 of the third portion 142c may be 1: 1.5 or more. If the ratio is less than 1: 1.5, the effect of the width W3 of the third portion 142c may not be sufficient. The ratio of the width W1 of the first portion 142a to the width W3 of the third portion 142c is 1: 5 or less (for example, 1 : 3 or less). If the ratio exceeds 1: 5, the protruded portion of the third portion 142c may be bent or knocked into an undesired portion, which may cause an unnecessary shunt or the like. The ratio of the width W1 of the first portion 142a to the width W3 of the third portion 142c is set to be 1: 3 or less in order to more effectively prevent the problem caused by the protruded portion of the third portion 142c . However, the present invention is not limited to this, and the width W1 of the first portion 142a and the width W3 of the third portion 142c may have different values from those described above.

본 실시예에서는 제2 부분(142b)의 폭(W2)보다 제3 부분(142c)의 폭(W3)이 크고, 제2 부분(142b)의 폭(W2)이 제1 부분(142a)의 폭(W1)과 같거나 극히 유사할 수 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 태양 전지(150)의 후면에 위치한 제2 전극(44)이 일정한 패턴을 가져 태양 전지(150)의 후면으로도 광이 입사할 수 있는 양면 수광형 구조에서는, 제2 태양 전지(152)의 후면에 위치한 제2 부분(142b)의 폭(W2)을 제1 부분(142a)의 폭(W1)과 같거나 극히 유사하게 하여 태양 전지(150)의 후면으로 입사하는 광의 쉐이딩 손실을 최소화할 수 있다. 이 경우에는, 제2 부분(142b)의 폭(W2) : 제3 부분(142c)의 폭(W3)의 비율이 1:1.5 이상(좀더 구체적으로는, 1:1.5 내지 1:5, 예를 들어, 1:1.5 내지 1:3)일 수 있다. 이에 대한 구체적인 이유는 제1 부분(142a)의 폭(W1)과 제3 부분(142c)의 폭(W3)의 비율에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명을 생략한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 부분(142b)의 폭(W2), 제3 부분(142c)의 폭(W3)이 상술한 바와 다른 값을 가질 수도 있다. The width W3 of the third portion 142c is larger than the width W2 of the second portion 142b and the width W2 of the second portion 142b is larger than the width W2 of the first portion 142a (W1) or may be very similar. 3, in the double-side light-receiving structure in which the second electrode 44 positioned on the rear surface of the solar cell 150 has a certain pattern and light can be incident on the rear surface of the solar cell 150, 2 is incident on the rear surface of the solar cell 150 with the width W2 of the second portion 142b located on the rear surface of the solar cell 152 equal to or extremely similar to the width W1 of the first portion 142a The shading loss of light can be minimized. In this case, the ratio of the width W2 of the second portion 142b to the width W3 of the third portion 142c is 1: 1.5 or more (more specifically, 1: 1.5 to 1: 5, For example, from 1: 1.5 to 1: 3). The detailed reason for this is the same as or similar to that described in the ratio of the width W1 of the first portion 142a to the width W3 of the third portion 142c, and thus a detailed description thereof will be omitted. However, the present invention is not limited to this, and the width W2 of the second portion 142b and the width W3 of the third portion 142c may have different values from those described above.

그리고 제3 부분(142c)은 이에 인접한 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)의 가장자리와 각기 이격되어 위치할 수 있다. 이에 의하여 제3 부분(142c)이 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)의 원하지 않는 부분과 접촉할 경우 발생할 수 있는 션트(shunt)를 방지할 수 있다. 일 예로, 제3 부분(142c)과 제1 태양 전지(151) 사이의 제1 거리(D1), 그리고 제3 부분(142c)과 제2 태양 전지(152) 사이의 제2 거리(D2)가 0.3mm 이상일 수 있다. 제1 및 제2 거리(D1, D2)가 0.3mm 미만이면, 공정 오차 등에 의하여 션트의 문제가 발생할 수 있다. 제1 및 제2 거리(D1, D2)의 상한은 크게 한정되지 않으나, 일 예로, 5mm 이내일 수 있다. 상술한 거리(D1, D2)가 5mm를 초과하면 제3 부분(142c)의 길이가 짧아져서 직렬 저항의 저감 효과가 충분하지 않을 수 있다. And the third portion 142c may be spaced apart from the edges of the first and second solar cells 151 and 152 adjacent to the third portion 142c. Thus, a shunt that may occur when the third portion 142c comes into contact with an undesired portion of the first and second solar cells 151 and 152 can be prevented. For example, the first distance D1 between the third portion 142c and the first solar cell 151 and the second distance D2 between the third portion 142c and the second solar cell 152 It may be 0.3 mm or more. If the first and second distances D1 and D2 are less than 0.3 mm, a problem of shunt may occur due to process errors or the like. The upper and lower limits of the first and second distances D 1 and D 2 are not particularly limited, but may be, for example, within 5 mm. If the above-described distances D1 and D2 exceed 5 mm, the length of the third portion 142c may be shortened, and the effect of reducing series resistance may not be sufficient.

도면에서는 제1 및 제2 거리(D1, D2)가 서로 동일한 것으로 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 거리(D1)보다 제2 거리(D2)가 작을 수 있다. 제1 태양 전지(151)의 전면에 형성되며 베이스 영역(도 3의 참조부호 10, 이하 동일)과 다른 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(도 3의 참조부호 20, 이하 동일)은 제2 도전형을 가지는 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 영역(도 3의 참조부호 30, 이하 동일)에 비하여 아주 작은 두께를 가지면서 형성된다. 리본(142)의 제3 부분(142c)에서 제1 태양 전지(151)와 인접한 부분이 제1 태양 전지(151)의 제1 도전형 영역(20) 이외의 영역에 접촉하게 되면 션트가 발생하는데, 제1 도전형 영역(20)의 두께가 매우 작으므로 션트가 발생할 가능성이 상대적으로 높다. 반대로, 리본(142)의 제3 부분(142c)에서 제2 태양 전지(152)와 인접한 부분이 제2 태양 전지(152)의 제1 도전형 영역(20)에 접촉하게 되면 션트가 발생하는데, 제1 도전형 영역(20)의 두께가 매우 작으므로 션트가 발생할 가능성이 상대적으로 낮다. 이에 따라 션트의 발생 가능성이 높은 제1 태양 전지(151)와의 제1 거리(D1)보다 션트 발생 가능성이 낮은 제2 태양 전지(152)와의 제2 거리(D2)를 작게 하여, 션트 발생 가능성을 낮게 유지하면서 제3 부분(142c)의 면적을 최대화할 수 있다. Although the first and second distances D1 and D2 are illustrated as being equal to each other in the drawing, the present invention is not limited thereto. As another example, the second distance D2 may be smaller than the first distance D1. A first conductive type region (reference numeral 20 in FIG. 3, hereinafter the same) having a first conductive type different from the base region (reference numeral 10 in FIG. 3, the same applies hereinafter) formed on the entire surface of the first solar cell 151 Is formed with a very small thickness as compared with the base region 10 having the second conductivity type and the second conductivity type region (reference numeral 30 in FIG. 3, hereinafter the same). A shunt is generated when a portion of the third portion 142c of the ribbon 142 adjacent to the first solar cell 151 is in contact with an area other than the first conductivity type region 20 of the first solar cell 151 , The thickness of the first conductivity type region 20 is very small, and the possibility of occurrence of a shunt is relatively high. Conversely, when a portion of the third portion 142c of the ribbon 142 adjacent to the second solar cell 152 comes into contact with the first conductive region 20 of the second solar cell 152, a shunt occurs, Since the thickness of the first conductivity type region 20 is very small, the possibility of generating a shunt is relatively low. Accordingly, the second distance D2 to the second solar cell 152, which is less likely to generate a shunt, is smaller than the first distance D1 to the first solar cell 151, which is highly likely to generate a shunt, The area of the third portion 142c can be maximized.

제3 부분(142c)은 제1 태양 전지(151)의 전면에 위치한 제1 부분(142a)으로부터 제2 태양 전지(152)의 후면에 위치한 제2 부분(142b)까지를 연결하도록 이들 사이에서 경사지게 위치할 수 있다. 이에 의하여 제3 부분(142c)이 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)와 접촉하게 될 가능성을 더 줄여 션트를 효과적으로 방지할 수 있다. The third portion 142c is inclined from the first portion 142a located on the front surface of the first solar cell 151 to the second portion 142b located on the rear surface of the second solar cell 152 Can be located. This further reduces the possibility that the third portion 142c is brought into contact with the first and second solar cells 151 and 152, thereby effectively preventing the shunt.

제3 부분(142c) 위에는 반사층(144)이 위치할 수 있다. 반사층(144)은 높은 반사도를 가지는 물질(일 예로, 금속)을 포함할 수 있다. 반사층(144)으로 사용될 수 있는 금속의 예로는 금, 은, 백금, 알루미늄 등을 포함할 수 있다. 이와 같이 제3 부분(142c) 위에 반사층(144)이 위치하면 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152) 사이를 지나가는 광이 반사층(144)에 의하여 반사되어 태양 전지 모듈(100)의 상부면을 향하게 된다. 이 중 일부는 제1 및/또는 제2 태양 전지(152)로 재입사한다. 또한, 태양 전지 모듈(100)의 상부면을 향하게 되는 광의 일부는 굴절률 차이에 의한 전반사(total reflection)에 의하여 다시 태양 전지(150) 쪽으로 이동하게 된다. 이에 따라 태양 전지(150)에 사용되는 광의 양을 늘려 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다. The reflective layer 144 may be positioned on the third portion 142c. The reflective layer 144 may comprise a material having a high reflectivity (e.g., metal). Examples of metals that can be used as the reflective layer 144 include gold, silver, platinum, aluminum, and the like. When the reflective layer 144 is positioned on the third portion 142c as described above, light passing between the first solar cell 151 and the second solar cell 152 is reflected by the reflective layer 144, As shown in FIG. Some of which are re-incident to the first and / or second solar cells 152. Also, a part of the light directed toward the upper surface of the solar cell module 100 is moved toward the solar cell 150 again by total reflection due to the difference in refractive index. Accordingly, the efficiency of the solar cell 150 can be improved by increasing the amount of light used in the solar cell 150.

일 예로, 반사층(144)은 제3 부분(142c)과 동일한 형상 및 동일한 면적을 가지도록 형성될 수 있다. 그러면, 반사층(144)의 면적을 최대화하여 반사층(144)에 의한 효율 향상 효과를 최대화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 반사층(144)이 제3 부분(142c)의 일부에만 형성되는 것도 가능하고 그 외의 다양한 변형이 가능하다. For example, the reflection layer 144 may be formed to have the same shape and the same area as the third portion 142c. Thus, the area of the reflective layer 144 can be maximized to maximize the efficiency improvement effect of the reflective layer 144. However, the present invention is not limited thereto. Therefore, it is also possible that the reflective layer 144 is formed only on a part of the third portion 142c, and various other modifications are possible.

본 실시예에서 반사층(144)은 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)의 전면 쪽을 향하는 제3 부분(142c)의 면에 형성되어 많은 양의 광이 입사되는 전면 쪽에서의 광을 반사한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 반사층(144)이 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)의 후면 쪽을 향하는 제3 부분(142c)의 면에 형성되는 것도 가능하고, 제3 부분(142c)의 양면에 형성되는 것도 가능하다. In this embodiment, the reflective layer 144 is formed on the surface of the third portion 142c facing the front side of the first and second solar cells 151 and 152, and reflects light from the front side, do. However, the present invention is not limited thereto. The reflective layer 144 may be formed on the surface of the third portion 142c facing the rear side of the first and second solar cells 151 and 152 and may be formed on both surfaces of the third portion 142c It is also possible.

본 실시예에서는 제3 부분(142c)에 반사층(144)을 형성하여 반사 구조를 형성하는 것을 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 반사층(144)을 형성하지 않고 반사를 유도할 수 있는 다양한 반사 구조가 적용될 수 있다. 이에 대한 일 예를 추후에 도 14를 참조하여 상세하게 설명한다. In this embodiment, the reflective layer 144 is formed on the third portion 142c to form the reflective structure, but the present invention is not limited thereto. Therefore, various reflection structures that can induce reflection without forming the reflection layer 144 can be applied. An example of this will be described later in detail with reference to FIG.

이와 같이 본 실시예에 따르면, 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152)의 사이 부분을 포함하여 광의 입사에 직접 관련되지 않는 리본(142)의 제3 부분(142c)의 폭(W3)을 제1 부분(142a) 및 제2 부분(142b)보다 크게 하여 리본(142)의 저항을 줄일 수 있다. 이에 의하여 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152) 사이의 직렬 저항을 저하시킬 수 있고, 이에 의하여 충밀도를 증가시킬 수 있다. 또한, 상대적으로 넓은 폭을 제3 부분(142c)에 반사 구조를 형성하여 광전 변환에 이용되는 광의 양을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 단락 전류 밀도(Isc)를 향상할 수 있다. 이에 따라 태양 전지 모듈(100)의 출력을 크게 증가할 수 있다. The width of the third portion 142c of the ribbon 142 that is not directly related to the incidence of light including the portion between the first solar cell 151 and the second solar cell 152 W3 can be made larger than the first portion 142a and the second portion 142b, and the resistance of the ribbon 142 can be reduced. Accordingly, the series resistance between the first solar cell 151 and the second solar cell 152 can be lowered, thereby increasing the filling density. In addition, it is possible to increase the amount of light used for photoelectric conversion by forming a reflective structure in the third portion 142c with a relatively wide width. Thus, the shortcircuit current density Isc can be improved. Accordingly, the output of the solar cell module 100 can be greatly increased.

상술한 실시예에서는 제3 부분(142c)의 폭(W3)을 제1 및 제2 부분(142a, 142b)의 폭(W1, W2)보다 크게 한 예를 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 내지 제3 부분(142a, 142b, 142c) 중 적어도 두 부분의 폭 및/또는 두께를 서로 다르게 하여 리본(142)의 저항을 저감하는 것이 가능하다. 이러한 다양한 예를 이하의 다른 실시예들에서 상세하게 설명한다.
The width W3 of the third portion 142c is greater than the width W1 and W2 of the first and second portions 142a and 142b in the above embodiment, no. Therefore, it is possible to reduce the resistance of the ribbon 142 by making the width and / or the thickness of at least two portions of the first to third portions 142a, 142b, and 142c different from each other. These various examples will be described in detail in the following other embodiments.

이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 태양 전지를 상세하게 설명한다. 상술한 설명과 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다. 그리고 상술한 실시예와 이하의 실시예들의 변형은 서로 함께 적용될 수 있다. Hereinafter, a solar cell according to another embodiment of the present invention will be described in detail. Detailed descriptions will be omitted for the same or extremely similar parts as those described above, and only different parts will be described in detail. And variations of the above-described embodiments and the following embodiments can be applied together.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용될 수 있는 태양 전지의 다른 예를 도시한 단면도이다. 참조로 도 8은 도 6에 대응하는 도면이고 도 9는 도 3에 대응하는 도면이다. FIG. 8 is a perspective view schematically illustrating first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention. FIG. 9 is a perspective view of a solar cell, which can be applied to a solar cell module according to an embodiment of the present invention. Fig. 8 is a view corresponding to Fig. 6, and Fig. 9 is a view corresponding to Fig.

도 8을 참조하면, 본 실시예에서 제2 부분(142b)의 폭(W2)은 제1 부분(142a)의 폭(W1)보다 크고 제3 부분(142c)의 폭(W3)과 같은 폭을 가진다. 즉, 제2 부분(142b)이 입사되는 광의 양이 상대적으로 작거나 태양 전지(150)의 후면에 위치한다는 점을 고려하여 제2 부분(142b)의 폭(W2)을 제1 부분(142a)의 폭(W1)보다 크게 한다. 이에 의하여 제2 부분(142b)에서의 면적을 상대적으로 크게 하여 리본(142)의 저항을 좀더 저감할 수 있다. 8, in this embodiment, the width W2 of the second portion 142b is greater than the width W1 of the first portion 142a and is equal to the width W3 of the third portion 142c I have. The width W2 of the second portion 142b is set to be smaller than the width W2 of the first portion 142a in consideration of the fact that the amount of light incident on the second portion 142b is relatively small or is located on the rear surface of the solar cell 150. [ Is greater than the width W1. As a result, the area of the second portion 142b is relatively increased, and the resistance of the ribbon 142 can be further reduced.

이러한 구조의 리본(142)은 도 9에 도시한 바와 같이 태양 전지(150)의 후면 쪽으로 광이 입사하지 않는 구조에 적용될 경우에 큰 효과를 가질 수 있다. 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)에서는 제2 전극(44)이, 반도체 기판(160)의 후면에 형성된 패시베이션막(32) 위에 전체적으로 형성되는 제1 전극부(44a)와, 패시베이션막(32)을 관통하여 제1 전극부(44a)와 반도체 기판(160)을 연결하는 제2 전극부(44b)를 포함할 수 있다. 제2 전극부(44b)는 부분적으로 제1 전극부(44a)와 반도체 기판(160)을 연결할 수 있는데, 일 예로, 점 컨택(point contact)에 의하여 제1 전극부(44a)와 반도체 기판(160)을 연결할 수 있다. 그리고 반도체 기판(160)의 후면은 반사가 잘 일어날 수 있도록 경면 연마되어 전면보다 작은 표면 거칠기를 가질 수 있다. As shown in FIG. 9, the ribbon 142 having such a structure can have a great effect when it is applied to a structure in which no light is incident on the rear surface of the solar cell 150. 9, in the solar cell 150 according to the present embodiment, the second electrode 44 includes a first electrode portion 44a formed entirely on the passivation film 32 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160, And a second electrode part 44b that passes through the passivation film 32 and connects the first electrode part 44a to the semiconductor substrate 160. [ The second electrode part 44b may partly connect the first electrode part 44a and the semiconductor substrate 160. For example, the first electrode part 44a and the semiconductor substrate 160 may be connected to each other by a point contact, 160 can be connected. The rear surface of the semiconductor substrate 160 may be mirror-polished to have a surface roughness smaller than that of the front surface so that reflection may occur.

이와 같이 반도체 기판(160)의 후면으로는 광이 입사되지 않는 태양 전지(150)의 구조에서는 제2 부분(142b)의 폭이 제1 부분(142a)보다 커져도 쉐이딩 손실을 발생하지 않으므로, 이와 같이 제2 부분(142b)의 폭을 크게 하여 리본(142)의 저항을 최대한 줄일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 구조의 리본(142)이 도 3에 도시한 바와 같이 태양 전지(150)의 후면으로도 광의 입사가 가능한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다. In the structure of the solar cell 150 in which no light is incident on the rear surface of the semiconductor substrate 160 as described above, even if the width of the second portion 142b is larger than the first portion 142a, no shading loss occurs. The width of the second portion 142b can be increased to reduce the resistance of the ribbon 142 to the utmost. However, the present invention is not limited thereto. It is needless to say that the ribbon 142 having the above-described structure may have a structure capable of allowing light to enter the rear surface of the solar cell 150 as shown in FIG.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다. 참조로 도 10은 도 6에 대응하는 도면이다. 10 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention. Figure 10 is a view corresponding to Figure 6.

도 10을 참조하면, 본 실시예에서 제2 부분(142b)의 폭(W2)은 제1 부분(142a)의 폭(W1)보다 크고 제3 부분(142c)의 폭(W3)보다 작을 수 있다. 즉, 제2 부분(142b)이 입사되는 광의 양이 상대적으로 작은 태양 전지(150)의 후면에 위치한다는 점을 고려하여 제2 부분(142b)의 폭(W2)을 제1 부분(142a)의 폭(W1)보다 크게 한 것이다. 이에 의하여 제2 부분(142b)에서의 면적을 상대적으로 크게 하여 리본(142)의 저항을 좀더 저감할 수 있다. 이때, 도 3에 도시한 바와 같이 태양 전지(150)의 후면에서도 광의 입사가 가능한 구조를 가질 수도 있고, 도 9에 도시한 바와 같이 태양 전지(150)의 후면에서 광의 입사가 이루어지지 않는 구조를 가질 수 있다. 10, in this embodiment, the width W2 of the second portion 142b may be greater than the width W1 of the first portion 142a and less than the width W3 of the third portion 142c . The width W2 of the second portion 142b is set to be larger than the width W2 of the first portion 142a in consideration of the fact that the amount of light incident on the second portion 142b is located on the rear surface of the solar cell 150, Is greater than the width W1. As a result, the area of the second portion 142b is relatively increased, and the resistance of the ribbon 142 can be further reduced. As shown in FIG. 3, the solar cell 150 may have a structure in which light can be incident on the rear surface of the solar cell 150, and a structure in which light is not incident on the rear surface of the solar cell 150 Lt; / RTI >

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다. 참조로 도 11은 도 6에 대응하는 도면이다. 11 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention. Figure 11 is a view corresponding to Figure 6.

도 11을 참조하면, 본 실시예에서 리본(142)은, 제1 태양 전지(151)의 전면(좀더 정확하게는, 제1 태양 전지(151)의 제1 전극(42) 위)에 위치한 제1 부분(142a)과, 제2 태양 전지(152)의 후면(좀더 정확하게는, 제2 태양 전지(152)의 제2 전극(44) 위)에 위치한 제2 부분(142b)과, 제1 부분(142a)과 제2 부분(142b) 사이에서 이들을 연결하는 제3 부분(142c)을 포함한다. 이때, 각 리본(142)에서 제1 및 제2 부분(142a)이 복수 개의 제1 및 제2 전극(도 5의 참조부호 42, 44, 이하 동일)에 각기 대응하도록 복수 개 구비되고, 복수 개의 제1 부분(142a)과 복수 개의 제3 부분(142c)이 하나의 제2 부분(142b)에 함께 연결된다. 즉, 제3 부분(142c)을 길게 연장하여 복수 개의 제1 및 제2 전극(42, 44)에 대응하는 제3 부분(142c)을 서로 공유하는 것에 의하여 복수 개의 제1 또는 제2 전극(42, 44)에 대응하는 리본(142)를 하나로 일체화한다. 이에 의하여 리본(142)의 개수를 줄여 부품 개수를 줄이는 것에 의하여 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 제3 부분(142c)의 면적을 최대화하여 저항을 최대한 감소할 수 있으며, 제3 부분(142c)에 형성되는 반사 구조(예를 들어, 반사층(144))의 면적을 최대화하여 이에 의한 효과를 최대화할 수 있다. Referring to Fig. 11, in this embodiment, the ribbon 142 is disposed on the front surface of the first solar cell 151 (more precisely, on the first electrode 42 of the first solar cell 151) A second portion 142b positioned on the rear surface of the second solar cell 152 (more precisely on the second electrode 44 of the second solar cell 152) And a third portion 142c connecting them between the first portion 142a and the second portion 142b. At this time, a plurality of first and second portions 142a of the respective ribbons 142 are provided so as to correspond to a plurality of first and second electrodes (42, 44, and the same reference numerals in FIG. 5) The first portion 142a and the plurality of third portions 142c are connected together in one second portion 142b. That is, by extending the third portion 142c so as to share the third portions 142c corresponding to the plurality of first and second electrodes 42 and 44, a plurality of first or second electrodes 42 And 44 are integrated into one. Accordingly, the number of the ribbons 142 can be reduced to reduce the number of parts, thereby simplifying the process. The area of the third portion 142c may be maximized to reduce the resistance as much as possible and the area of the reflective structure (e.g., the reflective layer 144) formed in the third portion 142c may be maximized, Can be maximized.

도 12은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다. 참조로 도 12는 도 6에 대응하는 도면이다. 12 is a perspective view schematically illustrating first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention. Figure 12 is a view corresponding to Figure 6.

도 12를 참조하면, 본 실시예에서는 리본(142)의 제3 부분(142c)이 제1 태양 전지(151)와 이격되어 위치하고, 제2 태양 전지(152)와는 일부가 겹쳐지게 형성될 수 있다. 즉, 리본(142)의 제3 부분(142c)의 일부가 제2 태양 전지(152)의 후면 쪽에 위치하도록 할 수 있다. 이는 제2 태양 전지(152)의 후면으로는 광의 입사가 상대적으로 적으므로 제3 부분(142c)의 일부가 제2 태양 전지(152)의 후면과 중첩되어 위치하더라도 쉐이딩 손실이 크게 발생하지 않기 때문이다. 또한, 상술한 바와 같이, 제2 태양 전지(152)와 제3 부분(142c)이 서로 접촉하더라도 션트 발생 가능성이 높지 않으므로 제3 부분(142c)을 제2 태양 전지(152)와 일부 중첩되도록 형성하여도 무방하다. 이와 같이 제3 부분(142c)을 제2 태양 전지(152)와 일부 겹치도록 형성하면, 제3 부분(142c)의 면적을 최대화하여 리본(142)의 저항을 좀더 저감할 수 있다. 12, in this embodiment, the third portion 142c of the ribbon 142 is spaced apart from the first solar cell 151, and may be partially overlapped with the second solar cell 152 . That is, a part of the third portion 142c of the ribbon 142 may be positioned on the rear side of the second solar cell 152. [ This is because the incidence of light is relatively small on the rear surface of the second solar cell 152, so that even if a part of the third portion 142c overlaps with the rear surface of the second solar cell 152, to be. Further, as described above, since the possibility of occurrence of shunts is not high even if the second solar cell 152 and the third part 142c are in contact with each other, the third part 142c is formed so as to partially overlap with the second solar cell 152 It is also acceptable. When the third portion 142c is partially overlapped with the second solar cell 152, the area of the third portion 142c can be maximized, and the resistance of the ribbon 142 can be further reduced.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다. 참조로 도 13은 도 7에 대응하는 도면이다. 13 is a cross-sectional view schematically illustrating first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention. 13 is a view corresponding to Fig. 7.

도 13을 참조하면, 본 실시예에서 리본(142)의 제3 부분(142c)은, 제1 부분(142a)에 인접한 부분에서 제1 부분(142a)과 교차하는 세로부(1421c)와, 제2 부분(142b)으로부터 세로부(1421c)까지 연장되며 제2 부분(142b)과 평행한 가로부(1422c)를 포함할 수 있다. 이때, 세로부(1421c)는 제1 태양 전지(151)와 이격하여 형성될 수 있다. 13, the third portion 142c of the ribbon 142 in this embodiment includes a vertical portion 1421c intersecting the first portion 142a at a portion adjacent to the first portion 142a, And a transverse portion 1422c extending from the second portion 142b to the vertical portion 1421c and parallel to the second portion 142b. At this time, the vertical part 1421c may be formed apart from the first solar cell 151.

이와 같이 세로부(1421c)를 제1 태양 전지(151)와 이격하여 위치시키면 세로부(1421c)와 제1 태양 전지(151)가 서로 평행하게 이격되므로 제3 부분(142c)과 제1 태양 전지(151)가 서로 단락될 위험을 최대한 줄일 수 있다. 그리고 가로부(1422c)에 반사 구조(일 예로, 반사층(144))을 형성하는 것에 의하여 태양 전지 모듈(100)의 전면 쪽으로 향하게 하는 반사 효과를 크게 향상할 수 있다. 이에 의하여 안정성 및 반사 효율을 향상할 수 있다. When the vertical part 1421c is positioned apart from the first solar cell 151 as described above, the vertical part 1421c and the first solar cell 151 are spaced apart in parallel with each other, so that the third part 142c, It is possible to reduce the risk of short-circuiting between the first and second electrodes 151 and 151 as much as possible. By forming the reflective structure (for example, the reflective layer 144) on the lateral portion 1422c, the reflection effect of directing the light toward the front surface of the solar cell module 100 can be greatly improved. Thus, the stability and the reflection efficiency can be improved.

상술한 구조의 리본(142)은 리본(142) 형성 시에 세로부(1421c)와 가로부(1422c)를 가지도록 형성하여 제조할 수도 있고, 리본(142)을 제1 및 제2 태양 전지(151, 152) 위에 태빙하는 공정에서 리본(142)에 압력을 주어 임의로 절곡하는 것에 의하여 형성될 수도 있다. The ribbon 142 having the above-described structure may be formed by forming the vertical portion 1421c and the lateral portion 1422c at the time of forming the ribbons 142 and by arranging the ribbons 142 at the first and second solar cells 151, 152) by bending the ribbons 142 under pressure.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다. 참조로 도 14는 도 7에 대응하는 도면이다. 14 is a cross-sectional view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention. 14 is a view corresponding to Fig.

도 14를 참조하면, 본 실시예에서는 제3 부분(142c)의 표면 거칠기를 제1 및 제2 부분(142b)보다 크게 하여 제3 부분(142c)에서 난반사가 일어나도록 유도한다. 즉, 본 실시예에서는 제3 부분(142c)을 에칭하는 등과 같은 표면 처리에 의하여 제3 부분(142c)에 큰 표면 거칠기를 가지는 반사 부분(144a)을 형성하는 것에 의하여 반사 구조를 형성한다. 이와 같이 본 실시예에서는 별도의 반사층(144)을 형성하지 않고 간단한 공정에 의하여 제3 부분(142c)에 반사 구조를 형성할 수 있다.Referring to Fig. 14, in this embodiment, the surface roughness of the third portion 142c is made larger than the first and second portions 142b to induce diffuse reflection in the third portion 142c. That is, in this embodiment, the reflective structure is formed by forming the reflective portion 144a having a large surface roughness in the third portion 142c by surface treatment such as etching the third portion 142c. As described above, in this embodiment, the reflection structure can be formed on the third portion 142c by a simple process without forming a separate reflection layer 144. [

도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다. 참조로 도 15는 도 7에 대응하는 도면이다. 15 is a cross-sectional view schematically illustrating first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention. Figure 15 is a view corresponding to Figure 7.

도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 리본(142)은 제3 부분(142c)의 두께(T3)가 제1 부분(142a) 및/또는 제2 부분(142b)의 두께(T1, T2)보다 클 수 있다. 이에 의하여 제1 태양 전지(151)과 제2 태양 전지(152)의 사이 공간에서 리본(142)의 제3 부분(142c)의 두께(T1)를 상대적으로 크게 하는 것에 의하여 태양 전지 모듈(100)의 두께를 증가시키지 않으면서도 리본(142)의 저항을 낮출 수 있다. 제1 부분(142a)의 두께(T1)는 제2 부분(142b)의 두께(T2)와 같거나, 이보다 작거나 클 수 있다. 일 예로, 제1 부분(142a)의 두께(T1)와 제2 부분(142b)의 두께(T1)를 같게 하여 구조적 안정성 및 전기적 안정성을 향상할 수 있다. 15, the ribbons 142 according to the present embodiment are configured such that the thickness T3 of the third portion 142c is greater than the thicknesses T1 and T2 of the first portion 142a and / or the second portion 142b. . The thickness T1 of the third portion 142c of the ribbon 142 is relatively increased in the space between the first solar cell 151 and the second solar cell 152, The resistance of the ribbon 142 can be lowered without increasing the thickness of the ribbon 142. The thickness T1 of the first portion 142a may be equal to or less than or greater than the thickness T2 of the second portion 142b. For example, the thickness T1 of the first portion 142a and the thickness T1 of the second portion 142b may be equal to each other to improve the structural stability and electrical stability.

도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다. 참조로 도 16은 도 6에 대응하는 도면이다. 16 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by a ribbon according to another embodiment of the present invention. 16 is a view corresponding to Fig.

도 16을 참조하면, 본 실시예에서는 제2 부분(142b)의 폭(W2)이 제1 부분(142a)의 폭(W1) 및 제3 부분(142c)의 폭(W2)보다 크다. 즉, 제2 부분(142b)이 입사되는 광의 양이 상대적으로 작은 태양 전지(150)의 후면에 위치한다는 점을 고려하여 제2 부분(142b)의 폭(W2)을 제1 부분(142a)의 폭(W1)보다 크게 한 것이다. 이에 의하여 제2 부분(142b)에서의 면적을 상대적으로 크게 하여 리본(142)의 저항을 좀더 저감할 수 있다. 16, in this embodiment, the width W2 of the second portion 142b is larger than the width W1 of the first portion 142a and the width W2 of the third portion 142c. The width W2 of the second portion 142b is set to be larger than the width W2 of the first portion 142a in consideration of the fact that the amount of light incident on the second portion 142b is located on the rear surface of the solar cell 150, Is greater than the width W1. As a result, the area of the second portion 142b is relatively increased, and the resistance of the ribbon 142 can be further reduced.

상술한 실시예들에서는 제3 부분(142c)의 폭(W3) 및 두께를 상대적으로 크게 하였는데, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 본 실시예와 같이 제2 부분(142b)이 제1 부분(142a) 및 제3 부분(142c)보다 큰 폭을 가지도록 할 수 있다. 다른 변형예로, 제2 부분(142b)이 제1 부분(142a) 및 제3 부분(142c)보다 큰 두께를 가지도록 할 수도 있다. Although the width W3 of the third portion 142c and the thickness of the third portion 142c are relatively large in the above-described embodiments, the present invention is not limited thereto. Therefore, the second portion 142b can have a greater width than the first portion 142a and the third portion 142c as in the present embodiment. Alternatively, the second portion 142b may have a greater thickness than the first portion 142a and the third portion 142c.

이러한 구조의 리본(142)은 도 9에 도시한 바와 같이 태양 전지(150)의 후면 쪽으로 광이 입사하지 않는 구조에 적용되어 큰 효과를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 구조의 리본(142)이 도 3에 도시한 바와 같이 태양 전지(150)의 후면으로도 광의 입사가 가능한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다. As shown in FIG. 9, the ribbon 142 having such a structure can be applied to a structure in which no light is incident on the rear surface of the solar cell 150, thereby having a great effect. However, the present invention is not limited thereto. It is needless to say that the ribbon 142 having the above-described structure may have a structure capable of allowing light to enter the rear surface of the solar cell 150 as shown in FIG.

상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects and the like according to the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

100: 태양 전지 모듈
150: 태양 전지
151: 제1 태양 전지
152: 제2 태양 전지
142: 리본
142a: 제1 부분
142b: 제2 부분
142c: 제3 부분
144: 반사층
144a: 반사 부분100: solar cell module
150: Solar cell
151: first solar cell
152: Second solar cell
142: Ribbon
142a: first part
142b: second part
142c: third part
144: Reflective layer
144a:

Claims (20)

제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 포함하는 복수의 태양 전지; 및
상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지를 연결하는 리본
을 포함하고,
상기 리본은, 상기 제1 태양 전지 위에 위치하는 제1 부분과, 상기 제2 태양 전지 위에 위치하는 제2 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에서 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제3 부분을 포함하고,
상기 제1 내지 제3 부분 중 적어도 두 부분은 폭 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다른 태양 전지 모듈. A plurality of solar cells including a first solar cell and a second solar cell; And
And a ribbon for connecting the first solar cell and the second solar cell
/ RTI >
Wherein the ribbon has a first portion located on the first solar cell, a second portion located on the second solar cell, and a second portion located between the first portion and the second portion, And a third portion connecting the first and second portions,
Wherein at least two of the first to third portions are different in width and / or thickness from each other. 제1항에 있어서,
상기 제3 부분은 상기 제1 부분보다 폭이 큰 태양 전지 모듈. The method according to claim 1,
And the third portion is wider than the first portion. 제2항에 있어서,
상기 제1 부분의 폭 : 상기 제2 부분의 폭의 비율이 1:1.5 내지 1:5인 태양 전지 모듈. 3. The method of claim 2,
And the width of the first portion: the width of the second portion is 1: 1.5 to 1: 5. 제2항에 있어서,
상기 제2 부분은 상기 제3 부분과 폭이 같거나, 상기 제1 부분과 폭이 같거나, 또는 상기 제1 부분보다 크고 상기 제3 부분보다 작은 폭을 가지는 태양 전지 모듈. 3. The method of claim 2,
Wherein the second portion has the same width as the third portion, the same width as the first portion, or a width larger than the first portion and smaller than the third portion. 제2항에 있어서,
상기 제3 부분은 상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지와 각기 이격하여 형성되는 태양 전지 모듈. 3. The method of claim 2,
And the third portion is formed separately from the first solar cell and the second solar cell. 제2항에 있어서,
상기 제3 부분과 상기 제1 또는 제2 태양 전지 사이의 거리가 0.3mm 내지 5mm인 태양 전지 모듈. 3. The method of claim 2,
And a distance between the third portion and the first or second solar cell is 0.3 mm to 5 mm. 제2항에 있어서,
상기 제1 부분이 상기 제1 태양 전지의 전면 위에 위치하고,
상기 제2 부분이 상기 제2 태양 전지의 후면 위에 위치하며,
상기 제3 부분과 상기 제2 태양 전지 사이의 거리가 상기 제3 부분과 상기 제1 태양 전지 사이의 거리와 같거나 그보다 작은 태양 전지 모듈. 3. The method of claim 2,
The first portion is located on the front surface of the first solar cell,
The second portion is located on the rear surface of the second solar cell,
And a distance between the third portion and the second solar cell is equal to or less than a distance between the third portion and the first solar cell. 제2항에 있어서,
상기 제3 부분은 상기 제1 태양 전지에 이격 위치하고, 상기 제2 태양 전지의 일부에 중첩되는 태양 전지 모듈. 3. The method of claim 2,
Wherein the third portion is located apart from the first solar cell and overlaps a portion of the second solar cell. 제2항에 있어서,
상기 리본은, 상기 제1 부분이 복수 개로 구비되고, 상기 제2 부분이 복수 개로 구비되며, 상기 복수 개의 제1 부분과 상기 복수 개의 제2 부분이 하나의 상기 제3 부분에 연결되는 태양 전지 모듈. 3. The method of claim 2,
Wherein the ribbon has a plurality of first portions and a plurality of second portions and the plurality of first portions and the plurality of second portions are connected to one third portion, . 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제3 부분에 반사 구조가 형성되는 태양 전지 모듈. 3. The method according to claim 1 or 2,
And a reflective structure is formed on the third portion. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제3 부분 위에 형성된 반사층을 포함하는 태양 전지 모듈. 3. The method according to claim 1 or 2,
And a reflective layer formed on the third portion. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제3 부분의 표면 거칠기가 상기 제1 및 제2 부분의 표면 거칠기보다 큰 태양 전지 모듈. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a surface roughness of the third portion is larger than a surface roughness of the first and second portions. 제1항에 있어서,
상기 제1 부분이 상기 제1 태양 전지의 전면 위에 위치하고,
상기 제2 부분이 상기 제2 태양 전지의 후면 위에 위치하며,
상기 제3 부분은 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에서 이들과 경사지도록 배치되는 태양 전지. The method according to claim 1,
The first portion is located on the front surface of the first solar cell,
The second portion is located on the rear surface of the second solar cell,
And the third portion is disposed between the first portion and the second portion so as to be inclined with respect to the first portion and the second portion. 제1항에 있어서,
상기 제1 부분이 상기 제1 태양 전지의 전면 위에 위치하고,
상기 제2 부분이 상기 제2 태양 전지의 후면 위에 위치하며,
상기 제3 부분은, 상기 제1 부분에 인접한 부분에서 상기 제1 부분과 교차하는 세로부와, 상기 제2 부분으로부터 상기 세로부까지 연장되며 상기 제2 부분과 평행한 가로부를 포함하는 태양 전지. The method according to claim 1,
The first portion is located on the front surface of the first solar cell,
The second portion is located on the rear surface of the second solar cell,
Wherein the third portion includes a vertical portion intersecting the first portion at a portion adjacent to the first portion and a transverse portion extending from the second portion to the vertical portion and parallel to the second portion. 제14항에 있어서,
상기 가로부에 반사 구조가 형성되는 태양 전지 모듈. 15. The method of claim 14,
And a reflective structure is formed on the transverse portion. 제1항에 있어서,
상기 제3 부분은 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 중 적어도 하나보다 두께가 큰 태양 전지 모듈. The method according to claim 1,
Wherein the third portion is thicker than at least one of the first portion and the second portion. 제1항에 있어서,
상기 제2 부분은 상기 제1 부분보다 폭이 큰 태양 전지 모듈. The method according to claim 1,
And the second portion is wider than the first portion. 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 연결하는 리본에 있어서,
제1 태양 전지 위에 위치하는 제1 부분과, 제2 태양 전지 위에 위치하는 제2 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에서 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제3 부분을 포함하고,
상기 제1 내지 제3 부분 중 적어도 두 부분은 폭 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다른 리본. In the ribbon for connecting the first solar cell and the second solar cell,
A first portion located on the first solar cell, a second portion located on the second solar cell, and a third portion connecting the first portion and the second portion between the first portion and the second portion, / RTI >
Wherein at least two of the first to third portions differ in at least one of a width and a thickness. 제18항에 있어서,
상기 제3 부분은 상기 제1 부분보다 폭이 큰 리본. 19. The method of claim 18,
And the third portion is wider than the first portion. 제18항에 있어서,
상기 제3 부분에 반사 구조가 형성되는 리본.
19. The method of claim 18,
And the third part has a reflective structure.
KR1020130147689A 2013-11-29 2013-11-29 Ribbon and solar cell module including the same KR102110528B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130147689A KR102110528B1 (en) 2013-11-29 2013-11-29 Ribbon and solar cell module including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130147689A KR102110528B1 (en) 2013-11-29 2013-11-29 Ribbon and solar cell module including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150062731A true KR20150062731A (en) 2015-06-08
KR102110528B1 KR102110528B1 (en) 2020-05-13

Family

ID=53500682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130147689A KR102110528B1 (en) 2013-11-29 2013-11-29 Ribbon and solar cell module including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102110528B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023014099A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-09 (주) 엔피홀딩스 Foldable solar module comprising solar cell groups
CN117352576A (en) * 2023-12-04 2024-01-05 中联云港数据科技股份有限公司 Photoelectric conversion element

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200515A (en) * 2002-12-19 2004-07-15 Kyocera Corp Solar cell module
JP2005072115A (en) * 2003-08-21 2005-03-17 Sekisui Jushi Co Ltd Solar cell module
KR20110120581A (en) * 2010-04-29 2011-11-04 엘지전자 주식회사 Solar cell module and manufacturing method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200515A (en) * 2002-12-19 2004-07-15 Kyocera Corp Solar cell module
JP2005072115A (en) * 2003-08-21 2005-03-17 Sekisui Jushi Co Ltd Solar cell module
KR20110120581A (en) * 2010-04-29 2011-11-04 엘지전자 주식회사 Solar cell module and manufacturing method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023014099A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-09 (주) 엔피홀딩스 Foldable solar module comprising solar cell groups
CN117352576A (en) * 2023-12-04 2024-01-05 中联云港数据科技股份有限公司 Photoelectric conversion element
CN117352576B (en) * 2023-12-04 2024-02-23 中联云港数据科技股份有限公司 Photoelectric conversion element

Also Published As

Publication number Publication date
KR102110528B1 (en) 2020-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101890324B1 (en) Solar cell module and ribbon assembly
US11139406B2 (en) Solar cell
KR101923658B1 (en) Solar cell module
KR102018649B1 (en) Solar cell
KR20150053551A (en) Solar cell
KR20160129670A (en) Solar cell and solar cell panel including the same
KR102366935B1 (en) Solar cell and solar cell module including the same
KR20140098305A (en) Solar cell module
KR20140095658A (en) Solar cell
KR20190041268A (en) Solar cell and solar cell panel including the same
KR101744535B1 (en) Solar cell and solar cell panel including the same
KR102196929B1 (en) Solar cell module and rear substrate for the same
KR102110528B1 (en) Ribbon and solar cell module including the same
KR101847054B1 (en) Solar cell panel
KR102298673B1 (en) Solar cell module and ribbon used for the same
KR101979271B1 (en) Solar cell module
KR102000063B1 (en) Solar cell module
KR101685350B1 (en) Solar cell module
KR20160041649A (en) Ribbon for solar cell and solar cell module including the same
KR20150060415A (en) Solar cell module
KR20150043872A (en) Solar cell module
KR20180048521A (en) Solar cell and solar cell panel including the same
KR102379388B1 (en) Solar cell and solar cell panel including the same
KR101846442B1 (en) Solar cell and solar cell panel including the same
KR20180138374A (en) Solar cell and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant