KR20150060415A - Solar cell module - Google Patents

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KR20150060415A
KR20150060415A KR1020130144808A KR20130144808A KR20150060415A KR 20150060415 A KR20150060415 A KR 20150060415A KR 1020130144808 A KR1020130144808 A KR 1020130144808A KR 20130144808 A KR20130144808 A KR 20130144808A KR 20150060415 A KR20150060415 A KR 20150060415A
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Abstract

A solar cell module according to the embodiment of the present invention includes a solar cell, a front sealing material which is located on the front side of the solar cell, and a rear sealing material which is located on the rear side of the solar cell. The front sealing material or the rear sealing material includes a first sealing layer which is located near the solar cell and a second sealing layer which is located on the first sealing layer and includes a material which is different from the material of the first sealing layer.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 밀봉 구조를 개선한 태양 전지 모듈에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell module, and more particularly, to a solar cell module having an improved sealing structure.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. With the recent depletion of existing energy sources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting attention as a next-generation battery that converts solar energy into electric energy.

이러한 태양 전지는 외부 환경에 장기간 노출되어야 하므로, 태양 전지를 보호하기 위한 패키징(packaging) 공정에 의하여 모듈 형태로 제조된다. 이렇게 제조된 태양 전지 모듈은 다양한 환경에서 발전을 하여야 하므로 다양한 환경에서 오랜 시간 동안 발전을 할 수 있도록 높은 장기 신뢰성을 가져야 한다. Since the solar cell must be exposed to the external environment for a long time, it is manufactured in a module form by a packaging process for protecting the solar cell. Since the solar cell module manufactured in this way needs to be developed in various environments, it must have high long-term reliability so that it can be generated in various environments for a long time.

그런데 고온다습한 환경에서 태양 전지 모듈의 발전 효율이 감소하는 현상(potential induced degradation, PID)(이하, "PID 현상")이 많이 발생하고 있다. 여기서, PID 현상이란 고온다습한 환경에서 유리 내에 포함된 이온 등이 태양 전지 모듈로 이동하여 태양 전지 모듈이 손상되는 것에 의하여 태양 전지 모듈의 출력이 저하되는 현상을 말한다. 이에 따라 PID 현상을 개선하여 태양 전지 모듈의 장기 신뢰성을 향상하는 것이 요구된다.However, a phenomenon in which the power generation efficiency of a solar cell module is reduced in a high temperature and high humidity environment (PID) (hereinafter referred to as "PID phenomenon") is frequently occurring. Here, the PID phenomenon refers to a phenomenon in which the output of the solar cell module is lowered due to damage of the solar cell module due to movement of ions contained in the glass to the solar cell module in a high temperature and high humidity environment. Accordingly, it is required to improve the PID phenomenon to improve the long-term reliability of the solar cell module.

본 발명은 우수한 장기 신뢰성을 가지는 태양 전지 모듈을 제공하고자 한다.The present invention provides a solar cell module having excellent long-term reliability.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 태양 전지; 상기 태양 전지의 전면에 위치하는 전면 밀봉재; 및 상기 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 밀봉재를 포함한다. 상기 전면 밀봉재 및 상기 후면 밀봉재 중 적어도 하나는, 상기 태양 전지에 인접하여 위치하는 제1 밀봉층과, 상기 제1 밀봉층 위에 위치하며 상기 제1 밀봉층과 다른 물질을 포함하는 제2 밀봉층을 포함한다. A solar cell module according to an embodiment of the present invention includes: a solar cell; A front sealing material disposed on a front surface of the solar cell; And a rear sealing material disposed on the rear surface of the solar cell. Wherein at least one of the front sealing material and the rear sealing material includes a first sealing layer positioned adjacent to the solar cell and a second sealing layer located on the first sealing layer and including a material different from the first sealing layer .

제1 조건에서 상기 제2 밀봉층의 비저항이 상기 제1 밀봉층의 비저항과 같거나 그보다 작을 수 있다. The resistivity of the second sealing layer in the first condition may be equal to or less than the resistivity of the first sealing layer.

상기 제1 조건의 온도가 20 내지 30℃이고, 20 내지 30℃보다 높은 온도의 제2 조건에서 상기 제2 밀봉층의 비저항이 상기 제1 밀봉층의 비저항과 같거나 그보다 클 수 있다. The resistivity of the second sealing layer may be equal to or greater than the resistivity of the first sealing layer under the second condition of the temperature of the first condition being 20 to 30 DEG C and higher than the temperature of 20 to 30 DEG C. [

상기 제1 조건보다 상기 제2 조건의 습도가 더 높고, 상기 제2 조건의 온도가 60℃ 이상이고 습도가 50% 이상일 수 있다. The humidity of the second condition may be higher than that of the first condition, and the temperature of the second condition may be 60C or more and the humidity may be 50% or more.

온도 증가에 따른 상기 제2 밀봉층의 비저항의 감소분보다 상기 제1 밀봉층의 비저항의 감소분이 더 클 수 있다. The decrease in the resistivity of the first sealing layer may be larger than the decrease in the resistivity of the second sealing layer with increasing temperature.

상기 제1 밀봉층의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1016 Ωcm이고, 상기 제2 밀봉층의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1015 Ωcm일 수 있다. The resistivity of the first sealing layer may be 1 X 10 14 ? Cm to 1 X 10 16 ? Cm, and the resistivity of the second sealing layer may be 1 X 10 14 ? Cm to 1 X 10 15 ? Cm.

상기 제2 밀봉층의 수분 투습도가 상기 제1 밀봉층의 수분 투습도와 같거나 그보다 작을 수 있다. The moisture permeability of the second sealing layer may be equal to or less than the moisture permeability of the first sealing layer.

상기 전면 밀봉재 위에 위치하는 투광성의 전면 기판; 및 상기 후면 밀봉재 위에 위치하는 투광성의 후면 기판을 더 포함할 수 있다. A transparent front substrate disposed on the front sealing material; And a light-transmissive rear substrate disposed on the backside sealing material.

상기 제1 또는 제2 밀봉층의 두께가 400um 내지 500um일 수 있다. The thickness of the first or second sealing layer may be 400um to 500um.

상기 제1 밀봉층의 두께 : 상기 제2 밀봉층의 두께의 비율이 1:0.8 내지 1:1.2일 수 있다. The ratio of the thickness of the first sealing layer to the thickness of the second sealing layer may be from 1: 0.8 to 1: 1.2.

상기 제1 밀봉층이 가교 결합된 물질을 포함할 수 있다. The first sealing layer may comprise a crosslinked material.

상기 제1 밀봉층이 에폭시 수지, 에틸렌비닐아세테이트, 가교 결합된 폴리메탄, 폴리실리콘, 폴리아르가노실록산, 가교 결합된 폴리아크릴레이트에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. The first sealing layer may comprise at least one material selected from epoxy resin, ethylene vinyl acetate, crosslinked polymethane, polysilicon, polyarginosiloxane, crosslinked polyacrylate, or combinations thereof.

상기 제1 밀봉층이 에틸렌비닐아세테이트를 포함할 수 있다. The first sealing layer may comprise ethylene vinyl acetate.

상기 제2 밀봉층이 열가소성 물질을 포함할 수 있다. The second sealing layer may comprise a thermoplastic material.

상기 제2 밀봉층이 아이오노머, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리비닐부티랄, 열가소성 풀리우레탄, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스티롤, 실록산 도는 이들의 코폴리머 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. Wherein the second sealing layer is selected from the group consisting of an ionomer, polymethyl methacrylate, polyamide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyolefin, polyvinyl butyral, thermoplastic pulley urethane, polypropylene, polyethylene, polystyrol, siloxane, At least one material selected from the group or combinations thereof.

상기 제2 밀봉층이 폴리올레핀을 포함할 수 있다. The second sealing layer may comprise a polyolefin.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 태양 전지; 상기 태양 전지의 전면에 위치하며, 서로 다른 물질을 포함하는 제1 전면 밀봉층과 제2 전면 밀봉층을 포함하는 전면 밀봉재; 및 상기 태양 전지의 후면에 위치하며, 서로 다른 물질을 포함하는 제2 전면 밀봉층을 포함하는 후면 밀봉재를 포함한다. A solar cell module according to an embodiment of the present invention includes: a solar cell; A front sealing material disposed on the front surface of the solar cell, the front sealing material including a first front sealing layer and a second front sealing layer containing different materials; And a rear sealing material disposed on the rear surface of the solar cell and including a second front sealing layer containing different materials.

상기 전면 밀봉재 위에 위치하는 투광성의 전면 기판; 및 상기 후면 밀봉재 위에 위치하는 투광성의 후면 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 전면 밀봉층이 상기 태양 전지에 인접하여 위치하고, 상기 제2 전면 밀봉층이 상기 제1 전면 밀봉층과 상기 전면 기판 사이에 위치할 수 있다. 상기 제1 후면 밀봉층이 상기 태양 전지에 인접하여 위치하고, 상기 제2 후면 밀봉층이 상기 제1 후면 밀봉층과 상기 후면 기판 사이에 위치할 수 있다. 상기 제1 전면 밀봉층과 상기 제1 후면 밀봉층이 서로 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2 후면 밀봉층과 상기 제2 후면 밀봉층이 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. A transparent front substrate disposed on the front sealing material; And a light-transmissive rear substrate disposed on the backside sealing material. The first front sealing layer may be positioned adjacent to the solar cell, and the second front sealing layer may be positioned between the first front sealing layer and the front substrate. The first backside sealing layer may be located adjacent to the solar cell and the second backside sealing layer may be located between the first backside sealing layer and the backside substrate. The first front seal layer and the first rear seal layer may include the same material, and the second rear seal layer and the second rear seal layer may comprise the same material.

상기 제1 전면 밀봉층 및 상기 제1 후면 밀봉층이 각기 에틸렌비닐아세테이트를 포함하고, 상기 제2 전면 밀봉층 및 상기 제2 후면 밀봉층이 각기 폴리올레핀을 포함할 수 있다. The first front seal layer and the first back seal layer each include ethylene vinyl acetate, and the second front seal layer and the second back seal layer may each comprise a polyolefin.

상기 전면 기판 및 상기 후면 기판이 각기 유리 기판을 포함할 수 있다. The front substrate and the rear substrate may each include a glass substrate.

본 실시예에 따른 태양 전지 모듈에서는, 전면 밀봉재 및/또는 후면 밀봉재가, 태양 전지에 인접하여 위치하는 제1 밀봉층과, 전면 기판 또는 후면 기판에 인접하여 위치하는 제2 밀봉층을 포함한다. 이때, 제1 밀봉층과 제2 밀봉층의 물질, 특성 등을 다르게 하여 태양 전지 모듈의 다양한 특성을 함께 향상할 수 있다. 즉, PID 현상을 일으킬 수 있는 물질을 포함할 수 있는 전면 기판 또는 후면 기판에 인접하여 위치하는 제2 밀봉층은 PID 현상을 감소할 수 있는 물질로 형성할 수 있다. 그리고 태양 전지에 인접한 제1 밀봉층은 가격이 저렴하고 투과도가 높은 물질을 사용할 수 있다. 이에 따라 태양 전지 모듈의 비용을 절감할 수 있고, PID 현상을 방지하여 장기 신뢰성을 향상할 수 있다. In the solar cell module according to the present embodiment, the front sealing material and / or the rear sealing material include a first sealing layer positioned adjacent to the solar cell and a second sealing layer positioned adjacent to the front substrate or the rear substrate. At this time, the materials, characteristics, and the like of the first sealing layer and the second sealing layer are made different, and various characteristics of the solar cell module can be improved together. That is, the second sealing layer adjacent to the front substrate or the rear substrate, which may include a substance capable of causing the PID phenomenon, may be formed of a material capable of reducing the PID phenomenon. And the first sealing layer adjacent to the solar cell can be made of a material that is inexpensive and has high transparency. Accordingly, the cost of the solar cell module can be reduced, and the PID phenomenon can be prevented, thereby improving the long-term reliability.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 태양 전지 모듈의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 태양 전지의 평면도이다.
1 is an exploded perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the solar cell module cut along the line II-II in FIG.
3 is a cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of the solar cell shown in Fig.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments and can be modified into various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the same reference numerals are used for the same or similar parts throughout the specification. In the drawings, the thickness, the width, and the like are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to those shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. Wherever certain parts of the specification are referred to as "comprising ", the description does not exclude other parts and may include other parts, unless specifically stated otherwise. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it also includes the case where another portion is located in the middle as well as the other portion. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "directly on" another portion, it means that no other portion is located in the middle.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 상세하게 설명한다. Hereinafter, a solar cell module according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 태양 전지 모듈의 단면도이다. FIG. 1 is an exploded perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of the solar cell module cut along a line II-II in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150), 태양 전지(150)의 전면 상에 위치하는 전면 기판(110) 및 태양 전지(150)의 후면 상에 위치하는 후면 기판(200)을 포함할 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이의 전면 밀봉재(131)와, 태양 전지(150)와 후면 기판(200) 사이의 후면 밀봉재(132)를 포함할 수 있다. 이때, 본 실시예에서는 전면 밀봉재(131) 및 후면 밀봉재(132) 중 적어도 하나는 서로 다른 물질을 포함하는 복수 개의 층이 적층되어 태양 전지 모듈(100)의 장기 신뢰성을 향상할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. 1 and 2, a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention includes a solar cell 150, a front substrate 110 positioned on a front surface of the solar cell 150, 150 disposed on the backside of the substrate 200. The solar cell module 100 includes a front sealing material 131 between the solar cell 150 and the front substrate 110 and a rear sealing material 132 between the solar cell 150 and the rear substrate 200 . At this time, in the present embodiment, at least one of the front sealing material 131 and the rear sealing material 132 may be laminated with a plurality of layers including different materials to improve the long-term reliability of the solar cell module 100. This will be explained in more detail.

먼저, 태양 전지(150)는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환부와, 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 전극을 포함하여 형성된다. 본 실시예에서는 일례로 반도체 기판(일례로, 실리콘 웨이퍼)과 도전형 영역을 포함하는 광전 변환부가 적용될 수 있다. 이러한 구조의 태양 전지(150)를 도 3 및 도 4를 참조하여 상세하게 설명한 다음, 다시 도 1 및 도 2를 참조하여 태양 전지 모듈(100)에 대하여 상세하게 설명한다. First, the solar cell 150 includes a photoelectric conversion unit for converting solar energy into electric energy, and an electrode electrically connected to the photoelectric conversion unit. In this embodiment, a photoelectric conversion portion including a semiconductor substrate (for example, a silicon wafer) and a conductive type region can be applied as an example. The solar cell 150 having such a structure will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. Next, the solar cell module 100 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시한 태양 전지의 평면도이다. 도 4에서는 반도체 기판(152)과 제1 및 제2 전극(42, 44)을 위주로 도시하였다. FIG. 3 is a cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the solar cell shown in FIG. In FIG. 4, the semiconductor substrate 152 and the first and second electrodes 42 and 44 are mainly shown.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)는, 베이스 영역(10)을 포함하는 반도체 기판(152)과, 도전형 영역(20, 30)과, 베이스 영역(10) 및/또는 도전형 영역(20, 30)에 각기 연결되는 전극(42, 44)을 포함한다. 이하에서는 제1 도전형 영역을 에미터 영역(20)으로 칭하고, 제2 도전형 영역을 후면 전계 영역(30)으로 칭한다. 제1 및 제2 도전형 영역의 용어는 단순히 구별을 위하여 사용한 것에 불과하고 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 전극(42)은 에미터 영역(20)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(44)은 베이스 영역(10) 또는 후면 전계 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 그리고 패시베이션막(22, 32), 반사 방지막(24), 캡핑막(34) 등이 더 형성될 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. 3, a solar cell 150 according to the present embodiment includes a semiconductor substrate 152 including a base region 10, conductive regions 20 and 30, a base region 10 and / Or electrodes 42, 44 connected to the conductive regions 20, 30, respectively. Hereinafter, the first conductive type region will be referred to as an emitter region 20, and the second conductive type region will be referred to as a rear electric field region 30. The terms of the first and second conductivity type regions are merely used for the purpose of distinction, and the present invention is not limited thereto. The first electrode 42 is electrically connected to the emitter region 20 and the second electrode 44 is electrically connected to the base region 10 or the rear electric field region 30. Further, the passivation films 22 and 32, the antireflection film 24, the capping film 34, and the like may be further formed. This will be explained in more detail.

반도체 기판(152)은, 도전형 영역(20, 30)이 형성되는 영역과 도전형 영역(20, 30)이 형성되지 않는 부분인 베이스 영역(10)을 포함한다. 베이스 영역(10)은, 일례로 제1 도전형 불순물을 포함하는 실리콘(일 예로, 실리콘 웨이퍼)으로 구성될 수 있다. 실리콘으로는 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘이 사용될 수 있으며, 제1 도전형 불순물은 p형 또는 n형일 수 있다. The semiconductor substrate 152 includes a region in which the conductive type regions 20 and 30 are formed and a base region 10 in which the conductive type regions 20 and 30 are not formed. The base region 10 may be composed of silicon (for example, a silicon wafer) containing a first conductivity type impurity, for example. As the silicon, single crystal silicon or polycrystalline silicon can be used, and the first conductivity type impurity can be p-type or n-type.

베이스 영역(10)이 p형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)은 상술한 물질 외의 다양한 물질을 사용할 수 있다. When the base region 10 has a p-type, the base region 10 is formed of monocrystalline or polycrystalline silicon doped with Group 3 elements such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga) Lt; / RTI > When the base region 10 has an n-type, the base region 10 is formed of single crystal or polycrystalline silicon doped with a Group 5 element (P), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb) Lt; / RTI > The base region 10 can use various materials other than the above-mentioned materials.

이때, 베이스 영역(10)은 제1 도전형 불순물로 n형의 불순물을 가질 수 있다. 그러면, 베이스 영역(10)과 pn 접합을 이루는 에미터 영역(20)이 p형을 가지게 된다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(152)의 제2 면(이하 "후면") 쪽으로 이동하여 제2 전극(44)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(152)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(42)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(152)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 변환 효율이 향상될 수 있다. 다만, 이와 같이 n형의 베이스 영역(10)을 가지는 태양 전지(150)에서 PID 현상이 좀더 쉽게 발생될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(10) 및 후면 전계 영역(30)이 p형을 가지고 에미터 영역(20)이 n형을 가지는 것도 가능하다. At this time, the base region 10 may have an n-type impurity as the first conductivity type impurity. Then, the emitter region 20 forming the pn junction with the base region 10 has a p-type. When the pn junction is irradiated with light, electrons generated by the photoelectric effect move toward the second surface (hereinafter referred to as "rear surface") of the semiconductor substrate 152 and are collected by the second electrode 44, 152 to be collected by the first electrode 42. The first electrode 42 is connected to the first electrode 42, Thereby, electric energy is generated. Then, holes having a slower moving speed than electrons may move to the front surface of the semiconductor substrate 152 rather than the rear surface thereof, thereby improving conversion efficiency. However, the PID phenomenon can be more easily generated in the solar cell 150 having the n-type base region 10 as described above. However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible that the base region 10 and the rear electric field region 30 have the p-type and the emitter region 20 has the n-type.

반도체 기판(152)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)되어 피라미드 등의 형태의 요철을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(152)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(152)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 베이스 영역(10)과 에미터 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 기판(152)의 전면 및 후면에 텍스쳐링에 의한 요철이 형성되지 않는 것도 가능하다. The front surface and / or the rear surface of the semiconductor substrate 152 may be textured to have irregularities such as pyramids. When the surface roughness of the semiconductor substrate 152 is increased by forming concavities and convexities on the front surface of the semiconductor substrate 152 by such texturing, the reflectance of light incident through the front surface of the semiconductor substrate 152 can be reduced. Therefore, the amount of light reaching the pn junction formed at the interface between the base region 10 and the emitter region 20 can be increased, and the light loss can be minimized. However, the present invention is not limited to this, and it is also possible that the irregularities due to texturing are not formed on the front surface and the rear surface of the semiconductor substrate 152.

반도체 기판(152)의 전면 쪽에는 베이스 영역(10)과 반대되는 제2 도전형을 가지는 에미터 영역(20)이 형성될 수 있다. 에미터 영역(20)이 n형일 때에는 인, 비소, 비스무스, 안티몬 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있고, p형일 때에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. An emitter region 20 having a second conductivity type opposite to the base region 10 may be formed on the front side of the semiconductor substrate 152. When the emitter region 20 is n-type, it may be made of monocrystal or polycrystalline silicon doped with phosphorus, arsenic, bismuth, antimony or the like. When the emitter region 20 is p-type, aluminum (Al), gallium Single crystal or polycrystalline silicon.

도면에서는 에미터 영역(20)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 에미터 영역(20)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 에미터 영역(20) 중에서 제1 전극(42)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 에미터 영역(20)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다. The figure illustrates that the emitter region 20 has a homogeneous structure with a uniformly uniform doping concentration. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, the emitter region 20 may have a selective structure. The selective structure may have a high doping concentration and a low resistance in a portion of the emitter region 20 adjacent to the first electrode 42, and a low doping concentration and a high resistance in other portions. As the structure of the emitter region 20, various other structures may be applied.

그리고 본 실시예에서는 반도체 기판(152)의 전면 쪽에 제2 도전형 불순물을 도핑하여 형성된 도핑 영역이 에미터 영역(20)을 구성한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 에미터 영역(20)이 반도체 기판(152)의 전면 위에 별도의 층으로 구성되는 등 다양한 변형이 가능하다. In this embodiment, the doped region formed by doping the second conductive impurity on the front surface of the semiconductor substrate 152 constitutes the emitter region 20. [ However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible, for example, the emitter region 20 is formed as a separate layer on the front surface of the semiconductor substrate 152.

반도체 기판(152) 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(152)에 형성된 에미터 영역(20) 위에 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)이 차례로 형성되고, 제1 전극(42)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 에미터 영역(20)에 접촉하여 형성된다. The passivation film 22 and the antireflection film 24 are sequentially formed on the semiconductor substrate 152 and more precisely on the emitter region 20 formed on the semiconductor substrate 152. The first electrode 42 is formed on the passivation film 22 and the antireflection film 24 and in contact with the emitter region 20.

패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)은 제1 전극(42)에 대응하는 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(152)의 전면 전체에 형성될 수 있다. The passivation film 22 and the antireflection film 24 may be formed on the entire front surface of the semiconductor substrate 152 substantially except for the portion corresponding to the first electrode 42. [

패시베이션막(22)은 에미터 영역(20)에 접촉하여 형성되어 에미터 영역(20)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 반사 방지막(24)은 반도체 기판(152)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시킨다. 이에 의하여 반도체 기판(152)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율이 낮추는 것에 의하여 베이스 영역(10)과 에미터 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.The passivation film 22 is formed in contact with the emitter region 20 to passivate defects present in the surface or bulk of the emitter region 20. Accordingly, it is possible to increase the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell 150 by removing recombination sites of the minority carriers. The antireflection film 24 reduces the reflectivity of light incident on the front surface of the semiconductor substrate 152. Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed at the interface between the base region 10 and the emitter region 20 can be increased by lowering the reflectance of light incident through the entire surface of the semiconductor substrate 152. Accordingly, the short circuit current Isc of the solar cell 150 can be increased. As described above, the efficiency of the solar cell 150 can be improved by increasing the open-circuit voltage and the short-circuit current of the solar cell 150 by the passivation film 22 and the anti-reflection film 24.

패시베이션막(22)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 패시베이셔막(22)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 패시베이션막(22)은, 에미터 영역(20)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 에미터 영역(20)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. The passivation film 22 may be formed of various materials. For example, the passivation film 22 may be a single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 And may have a multi-layered film structure in which two or more films are combined. For example, when the emitter region 20 has an n-type, the passivation film 22 may include a silicon oxide film having a fixed positive charge, a silicon nitride film, or the like, and the emitter region 20 may have a p- An aluminum oxide film having a fixed negative charge, and the like.

방사 방지막(24)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. The anti-radiation film 24 may be formed of various materials. For example, the antireflection film 24 may be a single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2, and CeO 2 , Layer structure having a combination of at least two layers. In one example, the antireflective film 24 may comprise silicon nitride.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 중 어느 하나가 반사 방지 역할 및 패시베이션 역할을 함께 수행하여 다른 하나가 구비되지 않는 것도 가능하다. 또는, 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(152) 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the passivation film 22 and the anti-reflection film 24 may include various materials. It is also possible that any one of the passivation film 22 and the antireflection film 24 functions as an anti-reflection role and passivation, so that the other is not provided. Alternatively, various films other than the passivation film 22 and the antireflection film 24 may be formed on the semiconductor substrate 152. Other variations are possible.

제1 전극(42)은 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 형성된 개구부(104)를 통하여(즉, 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여) 에미터 영역(20)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제1 전극(42)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 전극(42)의 형상에 대해서는 도 4를 참조하여 추후에 다시 설명한다. The first electrode 42 is formed in the emitter region 20 through the opening 104 formed in the passivation film 22 and the antireflection film 24 (i.e., passing through the passivation film 22 and the antireflection film 24) As shown in FIG. The first electrode 42 may be formed to have various shapes by various materials. The shape of the first electrode 42 will be described later with reference to FIG.

반도체 기판(152)의 후면 쪽에는 베이스 영역(10)과 동일한 제1 도전형을 가지되, 베이스 영역(10)보다 높은 도핑 농도로 제1 도전형 불순물을 포함하는 후면 전계 영역(30)이 형성된다. 후면 전계 영역(30)은 반도체 기판(152)의 후면 쪽에 제2 도전형 불순물을 도핑하여 형성된 도핑 영역으로 구성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 후면 전계 영역(30)이 반도체 기판(152)의 후면 위에 별도의 층으로 구성되는 등 다양한 변형이 가능하다. A back electric field region 30 having a first conductivity type identical to that of the base region 10 and including a first conductivity type impurity at a doping concentration higher than that of the base region 10 is formed on the rear surface side of the semiconductor substrate 152 do. The rear electric field region 30 may be a doped region formed by doping a second conductive impurity on the rear surface of the semiconductor substrate 152. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible, such that the rear electric field area 30 is formed as a separate layer on the rear surface of the semiconductor substrate 152.

본 실시예에서 후면 전계 영역(30)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 후면 전계 영역(30)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 후면 전계 영역(30) 중에서 제2 전극(44)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 또 다른 실시예로, 후면 전계 영역(30)이 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. 국부적 구조에서는 후면 전계 영역(30)이 제2 전극(44)이 형성된 부분에 대응하여 국부적으로 형성될 수 있다. In the present embodiment, the back electric field region 30 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, the rear field regions 30 may have a selective structure. The selective structure may have a high doping concentration and a low resistance in a portion of the rear electric field area 30 adjacent to the second electrode 44, and a low doping concentration and a high resistance in other portions. In yet another embodiment, the back electric field region 30 may have a local structure. In the local structure, the rear electric field area 30 may be locally formed corresponding to the portion where the second electrode 44 is formed.

반도체 기판(152)의 후면 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(152)에 형성된 후면 전계 영역(30) 위에 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)이 차례로 형성되고, 제2 전극(44)이 패시베이션막(32) 및 반사 방지막(34)을 관통하여 후면 전계 영역(30)에 연결된다. The passivation film 32 and the capping film 34 are sequentially formed on the rear surface of the semiconductor substrate 152 and more precisely on the rear surface electric field area 30 formed on the semiconductor substrate 152 and the second electrode 44 is passivation And is connected to the rear electric field area 30 through the film 32 and the antireflection film 34.

패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)은 제2 전극(44)에 대응하는 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(152)의 후면 전체에 형성될 수 있다. The passivation film 32 and the capping film 34 may be formed substantially entirely on the rear surface of the semiconductor substrate 152 except for a portion corresponding to the second electrode 44. [

패시베이션막(32)은 후면 전계 영역(30)에 접촉하여 형성되어 후면 전계 영역(30)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 캡핑막(34)은 패시베이션막(32)이 오염되거나 원하지 않는 물질이 패시베이션막(32)으로 확산하는 것을 방지하는 역할을 한다. 예를 들어, 캡핑막(34)은 제2 전극(44)의 형성 공정 등에서 제2 전극(44)을 형성하기 위한 물질 등이 패시베이션막(32)으로 확산하는 것을 방지할 수 있다. The passivation film 32 is formed in contact with the rear electric field area 30 to passivate defects existing in the surface or bulk of the rear electric field area 30. Accordingly, it is possible to increase the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell 150 by removing recombination sites of the minority carriers. The capping film 34 serves to prevent the passivation film 32 from being contaminated or preventing unwanted substances from diffusing into the passivation film 32. For example, the capping layer 34 can prevent a material or the like for forming the second electrode 44 from diffusing into the passivation layer 32 in the process of forming the second electrode 44 or the like.

패시베이션막(32)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 패시베이션막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 패시베이션막(32)은, 후면 전계 영역(30)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 후면 전계 영역(30)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. The passivation film 32 may be formed of various materials. For example, the passivation film 32 may be a single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2, and CeO 2 , Layer structure having a combination of at least two layers. For example, the passivation film 32 may include a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like having a fixed positive charge when the rear electric field area 30 has an n-type, and the rear electric field area 30 may have a p- An aluminum oxide film having a fixed negative charge, and the like.

캡핑막(34)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 캡핑막(34)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 캡핑막(34)은 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다. The capping layer 34 may be formed of various materials. For example, the capping layer 34 may be a single layer selected from the group consisting of a silicon nitride layer, a silicon nitride layer containing hydrogen, a silicon oxide layer, a silicon oxynitride layer, an aluminum oxide layer, MgF 2 , ZnS, TiO 2, and CeO 2 , Layer structure having a combination of at least two layers. As an example, the capping film 34 may comprise aluminum oxide.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 캡핑막(34)을 구비하지 않는 것도 가능하다. 또는, 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(152) 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the passivation film 32 and the capping film 34 may include various materials. It is also possible that the capping film 34 is not provided. Alternatively, various films other than the passivation film 32 and the capping film 34 may be formed on the semiconductor substrate 152. Other variations are possible.

제2 전극(44)은 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)에 형성된 개구부(102)를 통하여 후면 전계 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 제2 전극(44)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다.The second electrode 44 is electrically connected to the rear electric field area 30 through the opening 102 formed in the passivation film 32 and the capping film 34. The second electrode 44 may be formed to have various shapes by various materials.

도 4를 참조하면, 제1 및 제2 전극(42, 44)은 일정한 피치를 가지면서 서로 이격되는 복수의 핑거 전극(42a, 44a)을 포함할 수 있다. 도면에서는 핑거 전극(42a, 44a)이 서로 평행하며 반도체 기판(152)의 가장자리에 평행한 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 및 제2 전극(42, 44)은 핑거 전극들(42a, 44a)과 교차하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(42a, 44a)을 연결하는 버스바 전극(42b, 44b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스 전극(42b, 44b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 핑거 전극(42a, 44a)의 피치보다 더 큰 피치를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(42a, 44a)의 폭보다 버스바 전극(42b, 44b)의 폭이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 동일하거나 작은 폭을 가질 수 있다. Referring to FIG. 4, the first and second electrodes 42 and 44 may include a plurality of finger electrodes 42a and 44a spaced apart from each other with a predetermined pitch. Although the finger electrodes 42a and 44a are parallel to each other and parallel to the edge of the semiconductor substrate 152, the present invention is not limited thereto. The first and second electrodes 42 and 44 may include bus bar electrodes 42b and 44b formed in a direction crossing the finger electrodes 42a and 44a to connect the finger electrodes 42a and 44a. have. Only one bus electrode 42b or 44b may be provided or a plurality of bus electrodes 42b and 44b may be provided with a larger pitch than the pitch of the finger electrodes 42a and 44a as shown in FIG. At this time, the width of the bus bar electrodes 42b and 44b may be larger than the width of the finger electrodes 42a and 44a, but the present invention is not limited thereto and may have the same or small width.

단면 상으로 볼 때, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)은 모두 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(102)가 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)은 모두 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(104)가 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(42b)이 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 위에 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a)이 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(44b)은 패시베이션막(32) 및 캡핑막(34) 위에 형성될 수 있다. The finger electrode 42a and the bus bar electrode 42b of the first electrode 42 may all be formed through the passivation film 22 and the antireflection film 24 as viewed in cross section. That is, the opening 102 may be formed corresponding to both the finger electrode 42a of the first electrode 42 and the bus bar electrode 42b. The finger electrode 44a and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44 may all be formed through the passivation film 32 and the capping film 34. [ That is, the opening 104 may be formed corresponding to both the finger electrode 44a and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44. [ However, the present invention is not limited thereto. As another example, the finger electrode 42a of the first electrode 42 is formed to pass through the passivation film 22 and the antireflection film 24, and the bus bar electrode 42b is formed through the passivation film 22 and the antireflection film 24 As shown in FIG. A finger electrode 44a of the second electrode 44 is formed through the passivation film 32 and the capping film 34 and the bus bar electrode 44b is formed on the passivation film 32 and the capping film 34 .

본 실시예에서는 태양 전지(150)의 제1 및 제2 전극(42, 44)이 일정한 패턴을 가져 태양 전지(150)가 반도체 기판(152)의 전면 및 후면으로 광이 입사될 수 있는 양면 수광형(bi-facial) 구조를 가진다. 이에 의하여 태양 전지(150)에서 사용되는 광량을 증가시켜 태양 전지(150)의 효율 향상에 기여할 수 있다. Since the first and second electrodes 42 and 44 of the solar cell 150 have a certain pattern and the solar cell 150 can receive light from the front and back sides of the semiconductor substrate 152, Bi-facial structure. Accordingly, the amount of light used in the solar cell 150 can be increased to contribute to the efficiency improvement of the solar cell 150.

도면에서는 제1 전극(42)과 제2 전극(44)이 서로 동일한 형상을 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 전극(42)의 핑거 전극 및 버스바 전극의 폭, 피치 등은 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)의 폭, 피치 등과 서로 다른 값을 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(42)과 제2 전극(44)의 형상이 서로 다른 것도 가능하며, 그 외의 다양한 변형이 가능하다. In the drawing, the first electrode 42 and the second electrode 44 have the same shape. The width and pitch of the finger electrode and the bus bar electrode of the first electrode 42 are not limited to the width and pitch of the finger electrode 44a and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44, Pitch, and the like. The shapes of the first electrode 42 and the second electrode 44 may be different from each other, and various other modifications are possible.

상술한 설명에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 태양 전지(150)의 일 예를 설명하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 태양 전지(150)의 구조, 방식 등은 다양하게 변형될 수 있다. 일 예로, 태양 전지(150)는 화합물 반도체를 이용하거나, 염료 감응 물질을 이용하는 등의 다양한 구조를 가지는 광전 변환부가 적용될 수 있다. In the above description, an example of the solar cell 150 has been described with reference to Figs. 3 and 4. Fig. However, the present invention is not limited thereto, and the structure, mode, etc. of the solar cell 150 may be variously modified. For example, the solar cell 150 may be a photoelectric conversion unit having various structures such as using a compound semiconductor or using a dye sensitized material.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 태양 전지(150)는 리본(142)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있다. 구체적으로, 리본(142)은 태양 전지(150)의 전면에 형성된 제1 전극(도 3 및 도 4의 참조부호 42)과, 인접한 다른 태양 전지(150)의 후면에 형성된 제2 전극(도 3 및 도 4의 참조부호 44)을 태빙(tabbing) 공정에 의해 연결할 수 있다. 태빙 공정은 태양 전지(150)의 일면에 플럭스(flux)를 도포하고, 플럭스가 도포된 태양 전지(150)에 리본(142)을 위치시킨 다음, 소성 과정을 거쳐 수행될 수 있다. 플럭스는 솔더링을 방해하는 산화막을 제거하기 위한 것으로, 반드시 포함되어야 하는 것은 아니다. Referring again to FIGS. 1 and 2, the solar cells 150 may be electrically connected in series, in parallel, or in series and parallel by a ribbon 142. 3 and 4) formed on the front surface of the solar cell 150 and a second electrode (see FIG. 3) formed on the rear surface of another adjacent solar cell 150. The second electrode And 44 in FIG. 4) may be connected by a tabbing process. The tableting process may be performed by applying a flux to one surface of the solar cell 150, placing the ribbon 142 on the flux-applied solar cell 150, and then performing a firing process. The flux is intended to remove the oxide film which interferes with the soldering, and is not necessarily included.

또는, 태양 전지(150)와 리본(142) 사이에 전도성 필름(미도시)을 부착시킨 다음, 열 압착에 의해 복수의 태양 전지(150)를 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다. 전도성 필름(미도시)은 도전성이 우수한 금, 은, 니켈, 구리 등으로 형성된 도전성 입자가 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 등으로 형성된 필름 내에 분산된 것일 수 있다. 이러한 전도성 필름을 열을 가하면서 압착하면 도전성 입자가 필름의 외부로 노출되고, 노출된 도전성 입자에 의해 태양 전지(150)와 리본(142)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 전도성 필름(미도시)에 의해 복수의 태양 전지(150)를 연결하여 모듈화하는 경우는, 공정 온도를 저하시킬 수 있어 태양 전지(150)의 휘어짐을 방지할 수 있다. Alternatively, a conductive film (not shown) may be attached between the solar cell 150 and the ribbon 142, and then a plurality of solar cells 150 may be connected in series or in parallel by thermocompression bonding. The conductive film (not shown) may be formed by dispersing electrically conductive particles formed of gold, silver, nickel, copper or the like having excellent conductivity in a film formed of an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a polycarbonate resin or the like. When the conductive film is compressed while being heated, the conductive particles are exposed to the outside of the film, and the solar cell 150 and the ribbon 142 can be electrically connected by the exposed conductive particles. When a plurality of solar cells 150 are modularized by the conductive film (not shown), the process temperature can be lowered, and warpage of the solar cell 150 can be prevented.

또한, 버스 리본(145)은 리본(142)에 의하여 연결된 하나의 열(列)의 태양 전지(150)의 리본(142)의 양끝단을 교대로 연결한다. 버스 리본(145)은 하나의 열을 이루는 태양 전지(150)의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은 태양 전지(150)가 생산한 전기를 모으며 전기가 역류되는 것을 방지하는 정션 박스(미도시)와 연결된다. The bus ribbon 145 alternately connects both ends of the ribbon 142 of the solar cell 150 in one row connected by the ribbon 142. [ The bus ribbons 145 may be arranged in the direction intersecting the ends of the solar cells 150 forming one row. The bus ribbon 145 is connected to a junction box (not shown) that collects electricity generated by the solar cell 150 and prevents electricity from flowing backward.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 태양 전지(150) 사이의 연결 구조, 태양 전지(150)와 외부의 연결 구조 등은 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)이 복수 개의 태양 전지(150)를 구비하지 않고 하나의 태양 전지(150)로 구성되는 것도 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the connection structure between the solar cells 150, the connection structure between the solar cell 150 and the outside may be variously modified. Also, it is possible that the solar cell module 100 is composed of one solar cell 150 without a plurality of solar cells 150.

전면 밀봉재(131)를 사이에 두고 태양 전지(150)의 전면 위에 위치하는 전면 기판(110)은 태양광을 투과하는 투광성을 가지면서 외부 충격, 환경 등으로부터 태양 전지(150)를 보호할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 전면 기판(110)은 유리 기판 또는 아크릴 수지를 포함하는 플레이트 등으로 구성될 수 있다. 전면 기판(110)이 유리 기판으로 구성될 때, 전면 기판(110)이 나트륨을 포함하지 않거나 나트륨의 함량이 적은 유리 기판일 수 있다. 전면 기판(110)이 나트륨을 많은 양으로 포함하는 유리 기판으로 이루어지는 경우에는 유리 기판 내부의 나트륨 이온이 전기장 작용하에서 전하를 운반(이온 전도)를 하여 전기 절연 특성이 저하되고 표면의 수분과 반응하여 표면 누설을 일으킬 수 있기 때문이다. 이와 같은 나트륨에 의한 문제 현상은 높은 온도에서 더 쉽게 일어날 수 있다. 이에 따라 본 실시예에서는 전면 기판(110)을 나트륨을 포함하지 않거나 적은 양으로 포함하는 유리 기판, 또는 아크릴 수지 등으로 구성되도록 하여 고온에서의 PID 현상 방지에 기여할 수 있도록 한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 전면 기판(110)이 일반적인 유리, 또는 그 외의 다양한 물질 등으로 이루어질 수 있다. The front substrate 110 positioned on the front surface of the solar cell 150 with the front sealing member 131 interposed therebetween is capable of protecting the solar cell 150 from external impact, ≪ / RTI > For example, the front substrate 110 may be formed of a glass substrate, a plate including an acrylic resin, or the like. When the front substrate 110 is formed of a glass substrate, the front substrate 110 may be a glass substrate that does not include sodium or has a low content of sodium. In the case where the front substrate 110 is made of a glass substrate containing a large amount of sodium, the sodium ion inside the glass substrate carries charges (ion conduction) under the action of an electric field, thereby deteriorating the electrical insulating property and reacting with moisture on the surface Surface leakage may occur. Such problems with sodium can occur more easily at higher temperatures. Accordingly, in the present embodiment, the front substrate 110 is made of a glass substrate containing no or little sodium, acrylic resin or the like to contribute to the prevention of the PID phenomenon at a high temperature. However, the present invention is not limited thereto, and the front substrate 110 may be made of general glass or various other materials.

본 실시예에서 후면 밀봉재(132)를 사이에 두고 태양 전지(150)의 후면 위에 위치하는 후면 기판(200)은 태양광을 투과하는 투광성을 가지는 물질로 구성될 수 있다. 그러면, 태양 전지 모듈(100)이 후면 기판(200)을 통하여 태양광이 입사하도록 하는 양면 수광형 모듈을 구성하여 태양 전지(150)에 도달하는 광의 양을 최대화할 수 있다. 그리고 후면 기판(200)은 외부 충격, 환경 등으로부터 태양 전지(150)를 보호할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 후면 기판(200)은 유리 기판 또는 아크릴 수지를 포함하는 플레이트 등으로 구성될 수 있다. 후면 기판(200)이 유리 기판으로 구성될 때, 후면 기판(200)이 나트륨을 포함하지 않거나 나트륨의 함량이 적은 유리 기판일 수 있다. 후면 기판(200)이 나트륨을 많은 양으로 포함하는 유리 기판으로 이루어지는 경우에는 유리 기판 내부의 나트륨 이온이 전기장 작용하에서 전하를 운반(이온 전도)를 하여 전기 절연 특성이 저하되고 표면의 수분과 반응하여 표면 누설을 일으킬 수 있기 때문이다. 이와 같은 나트륨에 의한 문제 현상은 높은 온도에서 더 쉽게 일어날 수 있다. 이에 따라 본 실시예에서는 후면 기판(200)을 나트륨을 포함하지 않거나 적은 양으로 포함하는 유리 기판, 또는 아크릴 수지 등으로 구성되도록 하여 고온에서의 PID 현상 방지에 기여할 수 있도록 한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 기판(200)이 일반적인 유리 기판, 또는 그 외의 다양한 물질 등으로 이루어질 수 있다. In this embodiment, the rear substrate 200 positioned on the rear surface of the solar cell 150 with the rear sealing material 132 interposed therebetween may be made of a light-transmitting material that transmits sunlight. Thus, the amount of light reaching the solar cell 150 can be maximized by constructing a double-side light-receiving module for allowing the solar cell module 100 to receive sunlight through the rear substrate 200. The rear substrate 200 may include a material capable of protecting the solar cell 150 from an external impact, environment, or the like. For example, the rear substrate 200 may be composed of a glass substrate or a plate including an acrylic resin. When the rear substrate 200 is composed of a glass substrate, the rear substrate 200 may be a glass substrate that does not contain sodium or that has a low content of sodium. In the case where the rear substrate 200 is formed of a glass substrate containing a large amount of sodium, the sodium ion in the glass substrate carries charges (ion conduction) under the action of an electric field, thereby deteriorating the electrical insulation characteristics and reacting with moisture on the surface Surface leakage may occur. Such problems with sodium can occur more easily at higher temperatures. Accordingly, in the present embodiment, the rear substrate 200 may be formed of a glass substrate containing no or little sodium or acrylic resin so as to contribute to prevention of the PID phenomenon at a high temperature. However, the present invention is not limited thereto, and the rear substrate 200 may be formed of a general glass substrate or various other materials.

전면 밀봉재(131)는 태양 전지(150)의 전면 위에서 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이에 위치할 수 있고, 후면 밀봉재(132)는 태양 전지(150)의 후면 위에서 태양 전지(150)와 후면 기판(200) 사이에 위치할 수 있다. 좀더 구체적으로, 전면 밀봉재(131)는 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이에서 이들과 접촉하여 위치할 수 있고, 후면 밀봉재(132)는 태양 전지(150)와 후면 기판(200) 사이에서 이들과 접촉하여 위치할 수 있다. 이에 의하여 전면 밀봉재(131)와 후면 밀봉재(132)는 태양 전지(150)를 감싸면서 밀봉하여, 태양 전지(150)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단하며, 태양 전지의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다. 전면 밀봉재(131)와 후면 밀봉재(132)는 라미네이션 등에 의하여 서로 접착될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The front sealing member 131 may be positioned between the solar cell 150 and the front substrate 110 on the front surface of the solar cell 150 and the rear sealing member 132 may be positioned between the rear surface of the solar cell 150 and the solar cell 150 And the rear substrate 200, as shown in FIG. The front seal member 131 can be positioned between the solar cell 150 and the front substrate 110 and the rear seal member 132 can be positioned between the solar cell 150 and the rear substrate 200. [ As shown in FIG. As a result, the front sealing member 131 and the rear sealing member 132 seal the solar cell 150 while sealing it, thereby blocking moisture and oxygen which may adversely affect the solar cell 150, As shown in FIG. The front sealing member 131 and the rear sealing member 132 may be adhered to each other by lamination or the like. However, the present invention is not limited thereto.

본 실시예에서, 전면 밀봉재(131) 및 후면 밀봉재(132) 중 적어도 하나는 서로 다른 특성을 가지는 다른 물질로 구성된 제1 밀봉층(131a, 132a)과 제2 밀봉층(131b, 132b)를 포함할 수 있다. 일 예로, 본 실시예에서는 전면 밀봉재(131)가 제1 전면 밀봉층(131a)과 제2 전면 밀봉층(131b)을 구비하고 후면 밀봉재(132)가 제1 후면 밀봉층(132a)과 제2 후면 밀봉층(132b)를 구비한다. 여기서, 제1 전면 밀봉층(131a)은 태양 전지(150) 위에서 태양 전지(150)와 제2 전면 밀봉층(131b) 사이에 위치하고, 제2 전면 밀봉층(131b)은 제1 전면 밀봉층(131a)과 전면 기판(110) 사이에서 전면 기판(110)에 인접하여 위치한다. 그리고 제1 후면 밀봉층(132a)은 태양 전지(150) 위에서 태양 전지(150)와 제2 후면 밀봉층(132b) 사이에 위치하고, 제2 후면 밀봉층(132b)은 제1 후면 밀봉층(132a) 위에서 제1 전면 밀봉층(131a)과 전면 기판(110) 사이에서 전면 기판(110)에 인접하여 위치한다. 이에 의하여 비용을 절감하고 PID 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. At least one of the front sealing material 131 and the rear sealing material 132 includes the first sealing layers 131a and 132a and the second sealing layers 131b and 132b made of different materials having different properties can do. For example, in the present embodiment, the front sealing material 131 includes the first front sealing layer 131a and the second front sealing layer 131b, and the rear sealing material 132 includes the first rear sealing layer 132a and the second front sealing layer 131b. And a rear sealing layer 132b. The first front sealing layer 131a is positioned between the solar cell 150 and the second front sealing layer 131b on the solar cell 150 and the second front sealing layer 131b is located between the solar cell 150 and the first front sealing layer 131b. 131a between the front substrate 110 and the front substrate 110, The first rear sealing layer 132a is disposed on the solar cell 150 between the solar cell 150 and the second rear sealing layer 132b and the second rear sealing layer 132b is disposed on the first rear sealing layer 132a And between the first front sealing layer 131a and the front substrate 110 on the front substrate 110. Thus, the cost can be reduced and the PID phenomenon can be effectively prevented. This will be explained in more detail.

PID 현상은 다양한 이유에 의하여 발생할 수 있는데, 일 예로, 고온 다습한 제2 조건에서 전면 기판(110) 또는 후면 기판(200) 등에 포함된 이온성 물질의 높은 이동성에 의하여 이온성 물질이 태양 전지(150)에 도달하는 것에 의하여 발생할 수 있다. 따라서, 태양 전지 모듈(100)의 외면을 구성하는 전면 기판(110) 및 후면 기판(200)에 접촉하여 위치하는 제2 전면 밀봉층(131b) 및 제2 후면 밀봉층(132b)의 물질, 특성 등이 PID 현상을 방지하는 데 큰 영향을 미치게 된다. 본 실시예와 같이 양면 수광형 모듈과 같이 전면 기판(110) 및 후면 기판(200)이 모두 투광성을 가지는 경우에는, 전면 기판(110)과 후면 기판(200)이 투광성을 위한 물질을 구비하여야 하므로 이들에 사용되는 물질에 한계가 있을 수 있다. 특히, 전면 기판(110)과 후면 기판(200)이 모두 우수한 강도 및 투광성을 가지는 유리를 포함할 경우에는 이온성 물질(예를 들어, 나트륨 이온 등을)을 많이 포함하게 되므로 이에 인접하여 위치하는 제2 전면 밀봉층(131b) 및 제2 후면 밀봉층(132b)의 물질, 특성 등이 PID 현상에 미치는 영향이 좀더 커질 수 있다. The PID phenomenon may occur for various reasons. For example, when the ionic material is transferred to the solar cell (or the solar cell) by the high mobility of the ionic material contained in the front substrate 110 or the rear substrate 200 under the second condition of high temperature and high humidity 150 < / RTI > Therefore, the materials and properties of the second front sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b, which are located in contact with the front substrate 110 and the rear substrate 200, which form the outer surface of the solar cell module 100, Etc. have a great influence on preventing the PID phenomenon. When the front substrate 110 and the rear substrate 200 are both transmissive as in the case of the double-side light receiving module according to the present embodiment, the front substrate 110 and the rear substrate 200 must have a material for transmitting light There may be a limit to the materials used for these. Particularly, when the front substrate 110 and the rear substrate 200 each include glass having excellent strength and light transmittance, they contain a large amount of ionic materials (for example, sodium ions) The influence of the material, characteristics, etc. of the second front sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b on the PID phenomenon may be further increased.

즉, PID 현상은 전면 기판(110) 및 후면 기판(200)에 인접한 제2 전면 밀봉층(131b) 및 제2 후면 밀봉층(132b)이 낮은 수분 투습도 및 높은 비저항을 가질 때 효과적으로 방지될 수 있다. 좀더 구체적으로, 제2 전면 밀봉층(131b) 및 제2 후면 밀봉층(132b)의 수분 투습도가 낮거나 비저항이 높으면, 전면 기판(110) 및 후면 기판(200)에 포함된 이온성 물질의 이동을 방해하게 되므로, 전면 기판(110) 및 후면 기판(200)에 포함된 이온성 물질이 태양 전지(150)에 도달할 확률이 낮아지게 된다. 이에 따라 제1 조건보다 고온 다습한 제2 조건에서 전면 기판(110)에 포함된 이온성 물질에 의하여 유도될 수 있는 PID 현상을 방지할 수 있다. That is, the PID phenomenon can be effectively prevented when the second front sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b adjacent to the front substrate 110 and the rear substrate 200 have low moisture permeability and high resistivity . More specifically, if the moisture permeability of the second front sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b is low or the resistivity is high, the movement of the ionic substances included in the front substrate 110 and the rear substrate 200 The probability of the ionic material contained in the front substrate 110 and the rear substrate 200 reaching the solar cell 150 is lowered. Accordingly, the PID phenomenon that can be induced by the ionic material included in the front substrate 110 can be prevented under the second condition of high temperature and high humidity than the first condition.

이와 같이 제2 전면 밀봉층(131b) 및 제2 후면 밀봉층(132b)은 각기 제2 전면 밀봉층(131b) 및 제2 후면 밀봉층(132b)보다 PID 현상을 방지하기에 좀더 적합한 물질, 특성 등을 가져야 한다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. As such, the second front sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b are made of a material, material, or the like more suitable for preventing the PID phenomenon than the second front sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b, And so on. This will be explained in more detail.

일 예로, 온도 증가에 따른 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항의 감소분보다 제1 전면 밀봉층(131a)의 비저항의 감소분이 더 크도록 하여, 상대적으로 높은 온도(제2 온도) 및 상대적으로 높은 습도(제2 습도)의 제2 조건에서 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항이 제1 전면 밀봉층(131a)의 비저항보다 클 수 있다. 일 예로, 제2 조건의 제2 온도는 60℃ 이상일 수 있고 제2 습도가 50% 이상일 수 있다. 좀더 구체적으로 제2 온도가 60 내지 70℃(일 예로, 65℃)이고 제2 습도가 70 내지 90%(일 예로, 85%)일 수 있다. 이에 의하여 제2 조건에서 제2 전면 밀봉층(131b)의 높은 비저항이 전면 기판(110)에 포함된 이온성 물질의 이동을 방지하는 역할을 하게 되는바, PID 현상을 방지할 수 있다. For example, the lowering of the resistivity of the first front sealing layer 131a is greater than the lowering of the resistivity of the second front sealing layer 131b with increasing temperature, so that the relatively higher temperature (second temperature) The resistivity of the second front sealing layer 131b may be greater than the resistivity of the first front sealing layer 131a under the second condition of high humidity (second humidity). As an example, the second temperature of the second condition may be greater than or equal to 60 ° C and the second humidity may be greater than or equal to 50%. More specifically, the second temperature may be between 60 and 70 캜 (for example, 65 캜) and the second humidity may be between 70 and 90% (for example, 85%). Accordingly, in the second condition, the high resistivity of the second front sealing layer 131b prevents the ionic material included in the front substrate 110 from moving, thereby preventing the PID phenomenon.

그리고 제2 전면 밀봉층(131b)의 수분 투습도를 제1 전면 밀봉층(131a)의 수분 투습도와 같거나 그보다 작게 하면, PID 현상을 좀더 효과적으로 향상할 수 있다. 일 예로, 37.8℃의 온도에서 수분 투습도 분석기(water vapor transmission rate, WVTR)를 이용하여 측정하면, 제1 및 제2 전면 밀봉층(131a, 131b)의 수분 투습도가 10g/m2/일(day) 내지 50g/m2/일의 값을 가지면서 제2 전면 밀봉층(131b)의 수분 투습도가 제1 전면 밀봉층(131a)의 수분 투습도와 같거나 그보다 작을 수 있다. 이때, 37.8℃는 수분 투습도를 측정하는 데 일반적으로 사용되는 온도이다. When the moisture permeability of the second front sealing layer 131b is equal to or smaller than the moisture permeability of the first front sealing layer 131a, the PID phenomenon can be more effectively improved. Moisture permeability of the first and second front seal layers 131a and 131b is 10 g / m 2 / day (day), for example, when measured at a temperature of 37.8 ° C. using a water vapor transmission rate (WVTR) ) To 50 g / m 2 / day, and the moisture permeability of the second front sealing layer 131b may be equal to or less than the moisture permeability of the first front sealing layer 131a. At this time, 37.8 ° C is a temperature commonly used to measure moisture permeability.

이와 같이 제2 전면 밀봉층(131b)으로 온도 증가에 따른 비저항의 감소분이 상대적으로 작고 수분 투습도가 상대적으로 작은 물질을 사용하여야 한다. 이와 같은 특성을 가지는 물질은 제1 전면 밀봉층(131a)에 비하여 상대적으로 비싼 가격을 가지게 된다. 이때, 상대적으로 낮은 제1 온도(일 예로, 20 내지 30℃, 좀더 구체적으로, 25℃) 및 제1 습도(일 예로, 50% 미만)의 제1 조건에서 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항이 증가할수록 제2 전면 밀봉층(131b)의 가격이 증가한다. 이는 비저항을 조절하기 위하여 제2 전면 밀봉층(131b)의 조성을 변화시키거나 첨가물을 첨가하는데, 이에 의하여 제2 전면 밀봉층(131b)의 비용이 달라지기 때문이다. 본 실시예에서는 제1 조건에서는 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항을 전면 밀봉재(132)의 비저항과 같거나 이보다 작게 하여, 즉, 상대적으로 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항을 작게 하여, 상대적으로 고가인 제2 전면 밀봉층(131b)의 가격을 절감할 수 있다. As described above, the second front sealing layer 131b should be made of a material having a relatively small decrease in resistivity due to an increase in temperature and a relatively small moisture permeability. The material having such characteristics has a relatively higher price than the first front sealing layer 131a. At this time, in the first condition of the relatively low first temperature (for example, 20 to 30 占 폚, more specifically, 25 占 폚) and the first humidity (for example, less than 50% As the resistivity increases, the price of the second front sealing layer 131b increases. This is because the composition of the second front sealing layer 131b is changed or an additive is added in order to adjust the resistivity, thereby changing the cost of the second front sealing layer 131b. In this embodiment, the resistivity of the second front sealing layer 131b is made equal to or smaller than the resistivity of the front sealing material 132 under the first condition, that is, the resistivity of the second front sealing layer 131b is relatively reduced , And the cost of the second front sealing layer 131b, which is relatively expensive, can be reduced.

일 예로, 제1 조건인 20 내지 30℃(일 예로, 25℃)의 온도에서 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1015 Ωcm이고, 제1 전면 밀봉층(131a)의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1016 Ωcm이면서, 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항이 제1 전면 밀봉층(131a)의 비저항과 같거나 이보다 작을 수 있다. 제1 조건에서 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 미만이면, 제1 조건에서의 비저항이 낮아 제2 조건의 비저항 또한 낮으므로 제2 조건에서 PID 현상을 효과적으로 방지하기 어려울 수 있다. 제1 조건에서 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항이 1 X 1015 Ωcm를 초과하면, 비용을 절감하기 어려울 수 있다. 제1 조건에서 제1 전면 밀봉층(131a)의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 미만이거나 1 X 1016 Ωcm를 초과하면, 제1 전면 밀봉층(131a)의 제조 비용이 증가할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the resistivity of the second front sealing layer 131b is 1 × 10 14 Ωcm to 1 × 10 15 Ωcm at a temperature of 20 to 30 ° C. (for example, 25 ° C.) The resistivity of the second front sealing layer 131a may be equal to or less than the resistivity of the first front sealing layer 131a while the specific resistance of the second front sealing layer 131a may be 1 X 10 14 ? Cm to 1 X 10 16 ? Cm. If the resistivity of the second front seal layer 131b in the first condition is less than 1 X 10 < 14 > OMEGA cm, the specific resistance in the first condition is low and the resistivity in the second condition is also low. . If the resistivity of the second front seal layer 131b in the first condition exceeds 1 X 10 < 15 > OMEGA cm, it may be difficult to reduce the cost. If the resistivity of the first front sealing layer 131a is less than 1 X 10 14 ? Cm or more than 1 X 10 16 ? Cm under the first condition, the manufacturing cost of the first front sealing layer 131a may increase. However, the present invention is not limited thereto.

그리고 PID 현상과 크게 관련되지 않는 제1 전면 밀봉층(131a)은 온도가 상승할 때 비저항 감소분이 상대적으로 크며 수분 투습도가 상대적으로 큰 물질을 사용할 수 있다. 이에 의하여 제1 전면 밀봉층(131a)은 제2 전면 밀봉층(131b)보다 가격이 저렴한 물질을 사용하여 비용 절감을 도모할 수 있다. 또한, 제1 전면 밀봉층(131a)은 광 투과도가 우수하여 광 손실을 최소화할 수 있다. The first front sealing layer 131a, which is not largely related to the PID phenomenon, can use a material having a relatively large resistivity reduction and a relatively large moisture permeability when the temperature rises. As a result, the cost of the first front sealing layer 131a can be reduced by using a material that is less expensive than the second front sealing layer 131b. In addition, the first front sealing layer 131a has excellent light transmittance and can minimize light loss.

이때, 원하는 특성을 고려하여 제1 전면 밀봉층(131a)의 두께(T11)와 제2 전면 밀봉층(131b)의 두께(T12)를 조절할 수 있다. 즉, 출력을 향상하고자 하는 경우에는 제1 전면 밀봉층(131a)의 두께(T11)보다 투과율이 우수한 제2 전면 밀봉층(131a)의 두께(T12)를 크게 할 수 있다. 이 경우에는 가격이 저렴한 제1 전면 밀봉층(131a)을 상대적으로 두껍게 사용하여 비용적으로도 유리하다. 이와 달리, PID 현상을 효과적으로 방지하고자 할 경우에는 제2 전면 밀봉층(131b)의 두께(T12)를 제1 전면 밀봉층(131a)의 두께(T11)보다 크게 할 수 있다. 제1 및 제2 전면 밀봉층(131a, 131b)의 두께 차이가 커지면 한 특성이 크게 저하될 수 있으므로, 제1 전면 밀봉층(131a)의 두께(T11) : 제2 전면 밀봉층(131b)의 두께(T12)의 비율은 1:0.8 내지 1:1.2의 값을 가질 수 있다. At this time, the thickness T11 of the first front sealing layer 131a and the thickness T12 of the second front sealing layer 131b can be adjusted in consideration of the desired characteristics. That is, in order to improve the output, the thickness T12 of the second front sealing layer 131a having a higher transmittance than the thickness T11 of the first front sealing layer 131a can be increased. In this case, the first front sealing layer 131a, which is inexpensive, is relatively thick, which is advantageous in terms of cost. The thickness T12 of the second front sealing layer 131b may be greater than the thickness T11 of the first front sealing layer 131a in order to effectively prevent the PID phenomenon. The thickness T11 of the first front sealing layer 131a may be larger than the thickness T11 of the second front sealing layer 131b because the difference in thickness between the first and second front sealing layers 131a and 131b may greatly deteriorate. The ratio of the thickness T12 may have a value of 1: 0.8 to 1: 1.2.

일 예로, 제1 전면 밀봉층(131a) 및 제2 전면 밀봉층(131b)의 두께(T11, T12)는 각기 400um 내지 500um일 수 있다. 상술한 두께(T11, T12)가 400um 미만이면 각 층의 효과가 충분하지 않을 수 있고, 500um를 초과하면 태양 전지 모듈(100)의 두께가 증가하여 박형화가 어려울 수 있다. For example, the thicknesses T11 and T12 of the first front sealing layer 131a and the second front sealing layer 131b may be in the range of 400 to 500 μm, respectively. If the thicknesses T11 and T12 are less than 400 μm, the effect of each layer may not be sufficient. If the thicknesses of the solar cell module 100 are more than 500 μm, the thickness of the solar cell module 100 may increase.

구체적으로, 제1 전면 밀봉층(131a)은 가교 결합된 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전면 밀봉층(131a)이 에폭시 수지, 에틸렌비닐아세테이트, 가교 결합된 폴리메탄, 폴리실리콘, 폴리아르가노실록산, 가교 결합된 폴리아크릴레이트에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이 중에서도 에틸렌비닐아세테이트는 우수한 접착성, 유연성, 충격 흡수성 등을 가지면서도 가격이 낮다. 이와 같은 에틸렌비닐아세테이트를 전면 기판(110)과 인접하지 않아 PID 현상과 상대적으로 적게 관련되는 태양 전지(150)의 인접 부분에 위치시켜 접착성 및 투과도를 향상시키면서도 비용을 향상할 수 있다. Specifically, the first front sealing layer 131a may include a crosslinked material. For example, when the first front sealing layer 131a is at least one material selected from an epoxy resin, ethylene vinyl acetate, crosslinked polymeth- ane, polysilicon, polyarginosiloxane, crosslinked polyacrylate, or a combination thereof . ≪ / RTI > Among these, ethylene vinyl acetate has excellent adhesiveness, flexibility, impact absorbability, etc., but is low in price. Ethylene vinyl acetate may be positioned adjacent to the solar cell 150, which is not adjacent to the front substrate 110 and is relatively less related to the PID phenomenon, thereby improving the adhesiveness and transparency and improving the cost.

제2 전면 밀봉층(131b)이 열가소성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 전면 밀봉층(131b)이 아이오노머, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리비닐부티랄, 열가소성 풀리우레탄, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스티롤, 실록산 도는 이들의 코폴리머 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이 중에서도 폴리올레핀은 온도 상승에 따른 비저항의 감소분이 작으므로 높은 온도의 PID 조건에서 높은 비저항을 가질 수 있고, 수분 투습도가 낮다. 이에 의하여 고온 조건에서 전면 기판(110)에 포함된 물질 등이 태양 전지(150) 쪽으로 이동하여 발생할 수 있는 PID 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. And the second front sealing layer 131b may include a thermoplastic material. For example, when the second front sealing layer 131b is an ionomer, polymethyl methacrylate, polyamide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyolefin, polyvinyl butyral, thermoplastic pullyurethane, polypropylene, polyethylene, polystyrol , Siloxane or the like, at least one material selected from the copolymer group of these, or a combination thereof. Among them, the polyolefin has a low specific resistance due to the temperature rise, so it can have a high specific resistance at a high temperature PID condition, and the moisture permeability is low. Accordingly, the PID phenomenon that may occur due to the movement of the substances included in the front substrate 110 to the solar cell 150 under high temperature conditions can be effectively prevented.

상술한 바와 같이 상온에서 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항을 제1 전면 밀봉층(131a)의 비저항과 같거나 그보다 작게 하는 방법으로는 다양한 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 비저항을 비교하여 비저항이 작은 물질을 제2 전면 밀봉층(131b)로 사용하고 비저항이 높은 물질을 제1 전면 밀봉층(131a)로 사용할 수 있다. 또는, 제2 전면 밀봉층(131b) 및 제1 전면 밀봉층(131a)의 조성을 조절하는 것에 의하여 비저항을 조절할 수 있다. 제2 전면 밀봉층(131b)이 폴리올레핀을 포함하고 제1 전면 밀봉층(131a)이 에틸렌비닐아세테이트를 포함하는 경우를 예시로 하여 설명한다. 제2 전면 밀봉층(131b)은 폴리올레핀과 함께 커플링제를 포함하게 되는데, 일 예로, 실란계 커플링제를 포함하게 된다. 제2 전면 밀봉층(131b)의 실란계 커플링제의 증가시키면 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항을 낮출 수 있으므로, 이를 고려하여 제2 전면 밀봉층(131b)의 비저항을 조절할 수 있다. 제1 전면 밀봉층(131a)은 에틸렌과 중합되는 비닐아세테이트의 함량을 조절하거나 에틸렌비닐아세테이트의 단위밀도를 조절하는 것에 의하여 제1 전면 밀봉층(131a)의 비저항을 조절할 수 있다. 일 예로, 제1 전면 밀봉층(131a)은 비닐아세테이트를 28 wt% 이상(좀더 구체적으로, 33 wt% 내지 95 wt%, 예를 들어 33 wt% 내지 50 wt%) 포함할 수 있다. 비닐아세테이트가 감소하면 제1 전면 밀봉층(131a)의 접착성 등이 우수한 값을 가지기 어려울 수 있다. 그리고 비닐아세테이트의 양이 증가하면 에틸렌 비닐아세테이트의 제조 비용이 증가할 수 있다. 이를 고려하여 비닐아세테이트의 양을 상술한 범위로 한정한 것이다. As described above, various methods can be used to make the resistivity of the second front sealing layer 131b equal to or smaller than the resistivity of the first front sealing layer 131a at room temperature. For example, a resist having a low specific resistance may be used as the second front sealing layer 131b and a material having a high resistivity may be used as the first front sealing layer 131a. Alternatively, the resistivity can be controlled by adjusting the composition of the second front sealing layer 131b and the first front sealing layer 131a. The case where the second front sealing layer 131b includes polyolefin and the first front sealing layer 131a includes ethylene vinyl acetate will be described as an example. The second front sealing layer 131b may include a coupling agent together with the polyolefin, for example, a silane coupling agent. Since the resistivity of the second front sealing layer 131b can be lowered by increasing the silane coupling agent of the second front sealing layer 131b, the resistivity of the second front sealing layer 131b can be controlled in consideration of this. The first front sealing layer 131a may control the specific resistance of the first front sealing layer 131a by adjusting the content of vinyl acetate to be polymerized with ethylene or by controlling the unit density of ethylene vinyl acetate. For example, the first front sealing layer 131a may contain 28 wt% or more (more specifically, 33 wt% to 95 wt%, for example, 33 wt% to 50 wt%) of vinyl acetate. If the amount of vinyl acetate is reduced, the adhesion of the first front sealing layer 131a may not be excellent. And an increase in the amount of vinyl acetate may increase the production cost of ethylene vinyl acetate. Considering this, the amount of vinyl acetate is limited to the above-mentioned range.

본 실시예에서 제1 후면 밀봉층(132a)은 제1 전면 밀봉층(131a)과 동일한 특성, 물질 등을 가질 수 있고, 제2 후면 밀봉층(132b)은 제2 전면 밀봉층(131b)와 동일한 특성, 물질 등을 가질 수 있다. 따라서, 상술한 제1 및 제2 전면 밀봉층(131a, 131b)에 대한 설명은 제1 및 제2 후면 밀봉층(132a, 132b)에 각기 적용될 수 있다. 그리고 제1 전면 밀봉층(131a)의 두께(T11) 및 제2 전면 밀봉층(131b)의 두께(T12)에 대한 설명은 제1 후면 밀봉층(132a)의 두께(T21) 및 제2 후면 밀봉층(132b)의 두께(T22)에 각기 적용될 수 있다. In this embodiment, the first rear sealing layer 132a may have the same properties, materials, and the like as the first front sealing layer 131a, and the second rear sealing layer 132b may include the second front sealing layer 131b and the second front sealing layer 132b. The same properties, materials, and the like. Therefore, the description of the first and second front sealing layers 131a and 131b may be applied to the first and second rear sealing layers 132a and 132b, respectively. The thickness T11 of the first front sealing layer 131a and the thickness T12 of the second front sealing layer 131b are the same as the thickness T21 of the first rear sealing layer 132a, And the thickness T22 of the layer 132b.

이때, 제1 전면 밀봉층(131a)과 제1 후면 밀봉층(132a)으로 동일한 물질(일 예로, 에틸렌 비닐아세테이트)을 사용하고, 제1 후면 밀봉층(131b)과 제2 후면 밀봉층(132b)으로 동일한 물질(일 예로, 폴리올레핀)을 사용하면, 사용되는 물질의 종류를 줄여 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 태양 전지(150)를 사이에 두고 서로 접촉하는 제1 전면 밀봉층(131a)과 제1 후면 밀봉층(132a)이 동일한 물질을 가지므로, 접촉 특성을 향상할 수 있으며 열적 스트레스의 발생이 최소화될 수 있다. At this time, the same material (for example, ethylene vinyl acetate) is used for the first front sealing layer 131a and the first rear sealing layer 132a, and the first rear sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b ), The use of the same material (for example, polyolefin) can reduce the kinds of materials used and simplify the process. In addition, since the first front sealing layer 131a and the first rear sealing layer 132a, which contact each other with the solar cell 150 therebetween, have the same material, the contact characteristics can be improved and the occurrence of thermal stress Can be minimized.

이와 같이 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)에서는, 전면 기판(110) 또는 후면 기판(200)에 인접하여 위치하는 제2 전면 밀봉층(131b) 및 제2 후면 밀봉층(132b)(즉, 제2 밀봉층(131b, 132b))와, 태양 전지(150)에 인접하여 위치하는 제1 전면 밀봉층(131a) 및 제1 후면 밀봉층(132a)(즉, 제1 밀봉층(131a, 132a))의 특성을 다르게 하여, 다양한 특성을 향상할 수 있다. 즉, PID 현상을 일으킬 수 있는 물질을 포함할 수 있는 전면 기판(110) 또는 후면 기판(200)에 인접하여 위치하는 제2 밀봉층(131b, 132b)은 온도 상승에 따른 비저항 감소분이 상대적으로 작은 물질을 사용하여 온도가 상승하여도 제2 밀봉층(131b, 132b)의 비저항이 상대적으로 높은 값을 유지할 수 있도록 한다. 반대로, 제1 밀봉층(131a)은 온도 상승에 따른 비저항 감소분이 상대적으로 큰 물질을 사용할 수 있다. 이에 따라 제1 조건에서는 제2 밀봉층(131b. 132b)의 비저항이 제1 밀봉층(131a, 132a)의 비저항과 같거나 이보다 작아 비용을 절감할 수 있고, PID 현상이 쉽게 일어날 수 있는 고온 다습한 제2 조건에서는 제2 밀봉층(131b, 132b)의 비저항이 제1 밀봉층(131a, 132a)의 비저항보다 커져서 PID 현상을 방지할 수 있다. 그리고 제2 밀봉층(131b, 132b)의 수분 투습도는 제1 밀봉층(131a, 131b)의 수분 투습도보다 작게 하여 PID 현상을 크게 감소할 수 있다. 이에 따라 태양 전지 모듈(100)의 비용을 절감할 수 있고, PID 현상을 방지하여 장기 신뢰성을 향상할 수 있다. As described above, in the solar cell module 100 according to the present embodiment, the second front sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b (that is, the first front sealing layer 131b and the second rear sealing layer 132b) positioned adjacent to the front substrate 110 or the rear substrate 200 The first sealing layer 131a and the first sealing layer 132a adjacent to the solar cell 150 and the first sealing layer 131a and the first sealing layer 132a located adjacent to the solar cell 150, 132a) may be made different from each other, so that various characteristics can be improved. That is, the second sealing layers 131b and 132b positioned adjacent to the front substrate 110 or the rear substrate 200, which may include a substance that may cause a PID phenomenon, The resistivity of the second sealing layers 131b and 132b can be maintained at a relatively high value even when the temperature rises using the material. On the contrary, the first sealing layer 131a can use a material having a relatively small resistivity reduction due to a rise in temperature. Accordingly, under the first condition, the resistivity of the second sealing layers 131b and 132b is equal to or smaller than the resistivity of the first sealing layers 131a and 132a, and the cost can be reduced. In addition, since the PID phenomenon can easily occur, Under the second condition, the resistivity of the second sealing layers 131b and 132b becomes larger than the resistivity of the first sealing layers 131a and 132a, thereby preventing the PID phenomenon. The water vapor permeability of the second sealing layers 131b and 132b is made smaller than the moisture permeability of the first sealing layers 131a and 131b, and the PID phenomenon can be greatly reduced. Accordingly, the cost of the solar cell module 100 can be reduced, and the PID phenomenon can be prevented, thereby improving the long-term reliability.

이때, 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 양면 수광형 태양 전지(150)를 구비하는 태양 전지 모듈(100)에서 PID 현상이 더 쉽게 발생할 수 있다. 이에 따라 본 실시예에는 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 양면 수광형 태양 전지(150)를 구비하는 태양 전지 모듈(100)에 적용되어 PID 현상을 좀더 효과적으로 방지할 수 있다.At this time, the PID phenomenon may more easily occur in the solar cell module 100 including the double-side light-receiving solar cell 150 having the n-type base region 10. Accordingly, in this embodiment, the base region 10 is applied to the solar cell module 100 having the n-type double-side light-receiving solar cell 150, thereby more effectively preventing the PID phenomenon.

상술한 실시예에서는 전면 밀봉재(131)가 제1 전면 밀봉층(131a)과 제2 전면 밀봉층(131b)을 포함하고, 후면 밀봉재(132)가 제1 후면 밀봉층(132a)과 제2 후면 밀봉층(132b)을 구비하는 것을 예시하였다. 그러면, 전면 기판(110) 및 후면 기판(200)이 모두 투광성을 가지는 양면 수광형 모듈에 적용되어 큰 효과를 나타낼 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 전면 밀봉재(131)가 제1 전면 밀봉층(131a) 및 제2 전면 밀봉층(131b)을 구비하고 후면 밀봉재(132)가 단일층으로 구성될 수 있다. 또는, 후면 밀봉재(132)가 제1 후면 밀봉층(132a) 및 제2 후면 밀봉층(132b)을 구비하고 전면 밀봉재(131)가 단일층으로 구성될 수 있다. 또한, 상술한 실시예에서는 전면 및 후면 밀봉재(131, 132)가 두 개의 층을 구비하는 것을 예시하였으나, 제1 및/또는 후면 밀봉재(131, 132)가 서로 다른 물질을 포함하는 세 개 이상의 층을 구비하는 것도 가능하다. 그 외의 다양한 변형이 가능함은 물론이다. The front sealing material 131 includes the first front sealing layer 131a and the second front sealing layer 131b and the rear sealing material 132 includes the first rear sealing layer 132a and the second rear sealing layer 131b, And the sealing layer 132b. Then, the front substrate 110 and the rear substrate 200 are both applied to the double-side light-receiving module having a light-transmitting property, thereby achieving a great effect. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the front sealing material 131 may include a first front sealing layer 131a and a second front sealing layer 131b, and the rear sealing material 132 may be a single layer. Alternatively, the back sealing member 132 may include the first back sealing layer 132a and the second back sealing layer 132b, and the front sealing member 131 may be composed of a single layer. Although the front and rear sealing members 131 and 132 are illustrated as having two layers in the above embodiments, the first and / or the rear sealing members 131 and 132 may include three or more layers including different materials, As shown in Fig. It goes without saying that various other modifications are possible.

즉, 상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. That is, the features, structures, effects, and the like according to the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

100: 태양 전지 모듈
110: 전면 기판
131: 전면 밀봉재
131a: 제1 전면 밀봉층
132a: 제2 전면 밀봉층
132: 후면 밀봉재
132a: 제1 후면 밀봉층
132b: 제2 후면 밀봉층
150: 태양 전지
200: 후면 기판
100: solar cell module
110: front substrate
131: Front sealant
131a: first front sealing layer
132a: second front sealing layer
132: rear sealing material
132a: first rear seal layer
132b: second rear sealing layer
150: Solar cell
200: rear substrate

Claims (20)

태양 전지;
상기 태양 전지의 전면에 위치하는 전면 밀봉재; 및
상기 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 밀봉재
를 포함하고,
상기 전면 밀봉재 및 상기 후면 밀봉재 중 적어도 하나는, 상기 태양 전지에 인접하여 위치하는 제1 밀봉층과, 상기 제1 밀봉층 위에 위치하며 상기 제1 밀봉층과 다른 물질을 포함하는 제2 밀봉층을 포함하는 태양 전지 모듈.
Solar cell;
A front sealing material disposed on a front surface of the solar cell; And
And a rear sealing material
Lt; / RTI >
Wherein at least one of the front sealing material and the rear sealing material includes a first sealing layer positioned adjacent to the solar cell and a second sealing layer located on the first sealing layer and including a material different from the first sealing layer Including a solar cell module.
제1항에 있어서,
제1 조건에서 상기 제2 밀봉층의 비저항이 상기 제1 밀봉층의 비저항과 같거나 그보다 작은 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein a specific resistance of the second sealing layer in the first condition is equal to or less than a specific resistance of the first sealing layer.
제2항에 있어서,
상기 제1 조건의 온도가 20 내지 30℃이고,
20 내지 30℃보다 높은 온도의 제2 조건에서, 상기 제2 밀봉층의 비저항이 상기 제1 밀봉층의 비저항과 같거나 그보다 큰 태양 전지 모듈.
3. The method of claim 2,
The temperature of the first condition is 20 to 30 DEG C,
Wherein a specific resistance of the second sealing layer is equal to or greater than a specific resistance of the first sealing layer in a second condition at a temperature higher than 20 to 30 占 폚.
제3항에 있어서,
상기 제1 조건보다 상기 제2 조건의 습도가 더 높고,
상기 제2 조건의 온도가 60℃ 이상이고 습도가 50% 이상인 태양 전지 모듈.
The method of claim 3,
The humidity of the second condition is higher than the first condition,
Wherein the temperature of the second condition is not less than 60 DEG C and the humidity is not less than 50%.
제1항에 있어서,
온도 증가에 따른 상기 제2 밀봉층의 비저항의 감소분보다 상기 제1 밀봉층의 비저항의 감소분이 더 큰 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein a decrease in the resistivity of the first sealing layer is larger than a decrease in the resistivity of the second sealing layer with an increase in temperature.
제1항에 있어서,
상기 제1 밀봉층의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1016 Ωcm이고,
상기 제2 밀봉층의 비저항이 1 X 1014 Ωcm 내지 1 X 1015 Ωcm인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the first sealing layer has a resistivity of 1 X 10 14 ? Cm to 1 X 10 16 ? Cm,
And the second sealing layer has a specific resistance of 1 X 10 14 ? Cm to 1 X 10 15 ? Cm.
제1항에 있어서,
상기 제2 밀봉층의 수분 투습도가 상기 제1 밀봉층의 수분 투습도와 같거나 그보다 작은 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the moisture permeability of the second sealing layer is equal to or lower than the moisture permeability of the first sealing layer.
제1항에 있어서,
상기 전면 밀봉재 위에 위치하는 투광성의 전면 기판; 및
상기 후면 밀봉재 위에 위치하는 투광성의 후면 기판
을 더 포함하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
A transparent front substrate disposed on the front sealing material; And
And a light-transmissive rear substrate
Further comprising a solar cell module.
제1항에 있어서,
상기 제1 또는 제2 밀봉층의 두께가 400um 내지 500um인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
And the thickness of the first or second sealing layer is 400um to 500um.
제9항에 있어서,
상기 제1 밀봉층의 두께 : 상기 제2 밀봉층의 두께의 비율이 1:0.8 내지 1:1.2인 태양 전지 모듈.
10. The method of claim 9,
Wherein a ratio of a thickness of the first sealing layer to a thickness of the second sealing layer is 1: 0.8 to 1: 1.2.
제1항에 있어서,
상기 제1 밀봉층이 가교 결합된 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the first sealing layer comprises a crosslinked material.
제11항에 있어서,
상기 제1 밀봉층이 에폭시 수지, 에틸렌비닐아세테이트, 가교 결합된 폴리메탄, 폴리실리콘, 폴리아르가노실록산, 가교 결합된 폴리아크릴레이트에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지 모듈.
12. The method of claim 11,
Wherein the first sealing layer comprises at least one material selected from an epoxy resin, ethylene vinyl acetate, crosslinked polymeth- ane, polysilicon, polyarginosiloxane, crosslinked polyacrylate, or a combination thereof.
제12항에 있어서,
상기 제1 밀봉층이 에틸렌비닐아세테이트를 포함하는 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
Wherein the first sealing layer comprises ethylene vinyl acetate.
제1항에 있어서,
상기 제2 밀봉층이 열가소성 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the second sealing layer comprises a thermoplastic material.
제14항에 있어서,
상기 제2 밀봉층이 아이오노머, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리비닐부티랄, 열가소성 풀리우레탄, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스티롤, 실록산 도는 이들의 코폴리머 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지 모듈.
15. The method of claim 14,
Wherein the second sealing layer is selected from the group consisting of an ionomer, polymethylmethacrylate, polyamide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyolefin, polyvinyl butyral, thermoplastic pulley urethane, polypropylene, polyethylene, polystyrol, siloxane, At least one material selected from the group, or a combination thereof.
제15항에 있어서,
상기 제2 밀봉층이 폴리올레핀을 포함하는 태양 전지 모듈.
16. The method of claim 15,
And the second sealing layer comprises a polyolefin.
태양 전지;
상기 태양 전지의 전면에 위치하며, 서로 다른 물질을 포함하는 제1 전면 밀봉층과 제2 전면 밀봉층을 포함하는 전면 밀봉재; 및
상기 태양 전지의 후면에 위치하며, 서로 다른 물질을 포함하는 제2 전면 밀봉층을 포함하는 후면 밀봉재
를 포함하는 태양 전지 모듈.
Solar cell;
A front sealing material disposed on the front surface of the solar cell, the front sealing material including a first front sealing layer and a second front sealing layer containing different materials; And
And a second sealing material layer disposed on the rear surface of the solar cell and containing a different material,
And a solar cell module.
제17항에 있어서,
상기 전면 밀봉재 위에 위치하는 투광성의 전면 기판; 및
상기 후면 밀봉재 위에 위치하는 투광성의 후면 기판
을 더 포함하고,
상기 제1 전면 밀봉층이 상기 태양 전지에 인접하여 위치하고, 상기 제2 전면 밀봉층이 상기 제1 전면 밀봉층과 상기 전면 기판 사이에 위치하고,
상기 제1 후면 밀봉층이 상기 태양 전지에 인접하여 위치하고, 상기 제2 후면 밀봉층이 상기 제1 후면 밀봉층과 상기 후면 기판 사이에 위치하며,
상기 제1 전면 밀봉층과 상기 제1 후면 밀봉층이 서로 동일한 물질을 포함하고,
상기 제2 후면 밀봉층과 상기 제2 후면 밀봉층이 서로 동일한 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
18. The method of claim 17,
A transparent front substrate disposed on the front sealing material; And
And a light-transmissive rear substrate
Further comprising:
The first front sealing layer is located adjacent to the solar cell, the second front sealing layer is located between the first front sealing layer and the front substrate,
Wherein the first back sealing layer is located adjacent to the solar cell and the second back sealing layer is located between the first back sealing layer and the rear substrate,
Wherein the first front seal layer and the first rear seal layer comprise the same material,
Wherein the second rear seal layer and the second rear seal layer comprise the same material.
제18항에 있어서,
상기 제1 전면 밀봉층 및 상기 제1 후면 밀봉층이 각기 에틸렌비닐아세테이트를 포함하고,
상기 제2 전면 밀봉층 및 상기 제2 후면 밀봉층이 각기 폴리올레핀을 포함하는 태양 전지 모듈.
19. The method of claim 18,
Wherein the first front seal layer and the first back seal layer each comprise ethylene vinyl acetate,
Wherein the second front seal layer and the second rear seal layer each comprise a polyolefin.
제18항에 있어서,
상기 전면 기판 및 상기 후면 기판이 각기 유리 기판을 포함하는 태양 전지 모듈.
19. The method of claim 18,
Wherein the front substrate and the rear substrate each include a glass substrate.
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