KR20150027573A - 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층;으로서, 기판이 제거되어 노출되는 제1 반도체층이 위를 향하는 복수의 반도체층; 제2 반도체층 측에 위치하여 복수의 반도체층을 지지하는 지지 기판; 지지 기판과 복수의 반도체층 사이에 위치하며, 제2 반도체층과 전기적으로 절연되어 있고, 적어도 제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층의 가장자리에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 그리고, 적어도 제1 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 활성층 아래의 면에서 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 발광 면적의 감소를 줄인 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체(GaN, GaAs, InP 등) 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자가 예시되어 있다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되며 제1 도전성을 제1 반도체층(300; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 반도체층(300) 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합을 이용하여 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조), 활성층(400) 위에 성장되며 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: Mg 도핑된 GaN), 제2 반도체층(500) 위에 형성되는 전극(700), 제2 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 형성되는 전극(800), 그리고 보호막(900)을 포함한다. 보호막(900)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다. 바람직하게는, 반도체층(300,400,500)의 막질 향상을 위한 버퍼층(200)과, 원활한 전류 확산을 위한 전류 확산 전극(600; 예: ITO)이 구비된다. 제1 반도체층(300; 예: Si 도핑된 GaN)과 제2 반도체층(500; 예: Mg 도핑된 GaN)의 위치는 바뀔 수 있다.
도 2는 미국특허 제5,008,718호에 제시된 수직형 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 반도체층(500), 성장 기판이 제거된 측에 형성된 전극(800), 반도체층(500)에 전류를 공급하는 한편 반도체층(300,400,500)을 지지하는 지지 기판(S), 그리고 지지 기판(S)에 형성된 전극(700)을 포함한다.
도 3은 미국 등록특허공보 제8,008,683호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 반도체층(500)를 포함한다. 전류는 제1 반도체층(300)과 전기적으로 연통하는 전극 또는 전기적 연결(810)과, 제2 반도체층(500)과 전기적으로 연통하는 전극(700)에 의해 공급된다. 전극 또는 전기적 연결(810)은 비아 홀(H)을 통해 제1 반도체층(300)과 전기적으로 연결되어, 보호막 또는 절연층(910)에 의해 타 반도체층(400,500)과 전기적으로 절연되어 있다. 전극(700)은 전류 확산 전극 또는 금속 반사막(610; 예: TIO, Ag, Al)을 통해 제2 반도체층(500)과 전기적으로 연결되어 있다. 도 2에 도시된 반도체 발광소자와 달리, 전극(800; 도 2 참조)이 제1 반도체층(300) 위에 형성되어 있지 않으므로, 전극(800)에 의한 광 흡수를 막을 수 있으며, 소자 전체로의 전류 확산에 이점을 가진다. 그러나 비아 홀(H)의 존재 인해 발광 면적의 감소를 가져온다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며, 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층;으로서, 기판이 제거되어 노출되는 제1 반도체층이 위를 향하는 복수의 반도체층; 제2 반도체층 측에 위치하여 복수의 반도체층을 지지하는 지지 기판; 지지 기판과 복수의 반도체층 사이에 위치하며, 제2 반도체층과 전기적으로 절연되어 있고, 적어도 제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층의 가장자리에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 그리고, 적어도 제1 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 활성층 아래의 면에서 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
본 개시에 따른 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판을 이용하여, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층을 성장시키는 단계; 제1 반도체층 가장자리 및 기판이 노출되도록 복수의 반도체층의 일부를 제거하는 단계; 제2 반도체층과 전기적으로 절연되면서, 제1 반도체층의 가장자리와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계; 복수의 반도체층으로부터 기판을 분리하는 단계; 그리고, 복수의 반도체층을 기준으로 제1 전극의 반대 측에서 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국특허 제5,008,718호에 제시된 수직형 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 등록특허공보 제8,008,683호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4 및 도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6 내지 도 9는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 실시예 및 비교예들을 나타내는 도면,
도 11은 이들에 대한 결과를 나타내는 그래프들.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 4 및 도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 4는 도 5의 A-A' 라인을 따른 단면도의 일 예이다. 이하, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN), 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 구비하는 복수의 반도체(30,40,50)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있다. 복수의 반도체층(30,40,50)은 후술하는 바와 같이, 기판(예: Al2O3, Si, SiC)을 이용하여 성장된다. 기판과 제1 반도체층(30) 사이에는 버퍼층(예: AlN 또는 GaN 버퍼층)과 도핑되지 않은 반도체층(예: un-doped GaN)이 구비되는 것이 일반적이다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 도전성을 반대로 하여 형성될 수 있지만, 3족 질화물 반도체 발광소자의 경우에는 바람직하지는 않다. 기판이 제거되어 제1 반도체층(30)이 위를 향하고 있으며, 바람직하게는 제1 반도체층(30)에는 외부양자효율(EQE)을 높이기 위해 빛을 스캐터링하는 거친 표면(31)이 형성되어 있다. 제2 반도체층(50) 측에는 기판이 제거된 복수의 반도체층(30,40,50)을 지지하는 지지 기판(S)이 구비되어 있다. 전극(80)이 절연막(90)에 의해 제2 반도체층(50)과 전기적으로 절연되어 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연결되어 있다. 전극(70)은 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연결되어 있다. 전극(80)은 적어도 제2 반도체층(50)과 활성층(40)이 제거되어(제1 반도체층(30)의 일부는 제거될 수도 그렇지 않을 수도 있다.) 노출되는 제1 반도체층(30)의 가장자리(32)에 형성되어 있다. 가장자리(32)는 적어도 제2 반도체층(50)과 활성층(40)이 제거되어 노출되는 노출면(32a)과 노출면(32a)으로부터 위를 향해 이어지는 측면(32b)을 가진다. 도 4의 예에서, 전극(80)은 제1 반도체층(30)의 측면(32b)에까지 이어져 있다. 전극(80)은 균일한 전류확산을 위해 도 5에서 네 개의 가장자리 면(32a-1,32a-2,32a-3,32a-4)에 걸쳐서 형성되어 있으며, 적어도 두 개의 가장자리 면(32a-1,32a-2,32a-3,32a-4)에 형성되는 것이 바람직하다. 전극(70)은 적어도 제1 반도체층(30)과 활성층(30)이 제거되어 노출되는 활성층(40)의 아래의 면(61)에서 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연결되어 있다. 도전막(60)이 구비되는 경우에, 전극(70)은 제2 반도체층(50)도 제거되어 도전막(60)과 연결된다. 도전막(60)이 구비되지 않는 경우에, 활성층(40)의 아래의 면(61)은 식각되어 노출되는 제2 반도체층(50)에 의해 형성될 수 있다. 도전막(60)은 전류 확산 전극(예: ITO), 오믹 금속층(Cr, Ti 등), 반사 금속층(Al, Ag, 등) 등으로 형성될 수 있으며, 이들의 조합으로 이루어져도 좋다. 필요에 따라 절연막(91)이 더 구비될 수 있으며, 절연막(91,92)의 대표적인 물질은 SiO2이며, 이에 제한되지 않는다.
도 6 내지 도 9는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(10)에 복수의 반도체층(30,40,50)을 성장시킨 다음, 제1 반도체층(30)의 가장자리(32,32a,32b) 및 기판(10)이 노출되도록 복수의 반도체층(30,40,50)의 일부를 제거한다. 이 과정에서, 적절한 때에, 도전막(60)과 절연막(90)을 형성한다. 이러한 과정에서, 복수의 반도체층(30,40,50)은 개별의 칩을 형성하는 크기로 나뉘어질 수 있다. 다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 전극(80)이 제1 반도체층(30)의 가장자리(32,32a,32b)와 전기적으로 연결되도록 형성된다. 전극(80)은 스퍼터링 장비, E-빔 장비 등을 이용하여 증착될 수 있다. 전기적 연결을 형성할 수 있다면 어떠한 방법이 사용되어도 좋다. 제1 반도체층(30)과 접촉 면적이 넓어지도록 전극(80)이 제1 반도체층(30)의 노출면(32a)을 지나, 측면(32b)에까지 이어지며, 이는 도 3에 도시된 비아 홀(H)을 이용하는 반도체 발광소자와 큰 차이점이다. 도 7에서, 전극(80)은 기판(10)에까지 이어져 있다. 다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 지지 기판(S)을 형성한다. 지지 기판(S)은 당업자에게 이미 잘 알려진 웨이퍼 본딩법, 증착법, 도금법 등을 이용하여 전극(80)에 형성될 수 있으며, 도전성을 가지는 전극(80)을 이용하므로, 도금법(예: Cu 도금)을 이용하여 지지 기판(S)을 형성할 수 있다. 다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 제거하고, 바람직하게는 제1 반도체층(30)에 거친 표면(31)을 형성한다. 기판(10)의 제거에는 당업자에게 이미 잘 알려진 레이저 리프트-오프법, 습식 식각법, 연마법 등이 사용될 수 있다. 마지막으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 반도체층(30,40,50)의 일부를 제거하고, 도전막(60)을 노출시킨 다음, 도전막(60)에 전극(70)을 형성한다. 전극(70)을 형성하기에 앞서 필요에 따라 절연막(91)을 형성한다.
도 10은 본 개시에 따른 실시예 및 비교예들을 나타내는 도면이며, 도 11은 이들에 대한 결과를 나타내는 그래프들이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 본 개시에 따른 실시예(a; 비아홀 0개) 및 각각 비아홀이 1개, 3개, 8개, 15개인 비교예들(b,c,d,e)을 제조하고 테스트하였으며, 도 11에서와 같은 결과(출력, 구동전압(Vf), 효율)를 얻었다. 본 실시예가 약간 높은 구동전압을 가지지만, 출력과 효율의 측면에서 우수함을 알 수 있었다. 본 개시는 본 개시의 기술 구성에 추가적으로 비아홀을 구비하는 것을 배제하는 것은 아니다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며, 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층;으로서, 기판이 제거되어 노출되는 제1 반도체층이 위를 향하는 복수의 반도체층; 제2 반도체층 측에 위치하여 복수의 반도체층을 지지하는 지지 기판; 지지 기판과 복수의 반도체층 사이에 위치하며, 제2 반도체층과 전기적으로 절연되어 있고, 적어도 제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층의 가장자리에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 그리고, 적어도 제1 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 활성층 아래의 면에서 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(2) 제1 전극은 제1 반도체층의 가장자리에서 제1 반도체층의 두 개의 면과 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(3) 두 개의 면은 적어도 제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 노출면과 노출면으로부터 위를 향해 이어지는 측면으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(4) 제1 전극은 제1 반도체층의 적어도 두 개의 가장자리 면과 전기적으로 연결되도록 이어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(5) 제1 전극은 제1 반도체층의 네 개의 가장자리 면과 전기적으로 연결되도록 이어져 있는 것을 특징으로 반도체 발광소자.
(6) 제1 전극은 제1 반도체층의 적어도 두 개의 가장자리 면과 접촉하는 것을 특징으로 반도체 발광소자.
(7) 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 도전막;을 더 포함하며, 제2 전극은 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 도전막과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(8) 복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(9) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판을 이용하여, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층을 성장시키는 단계; 제1 반도체층 가장자리 및 기판이 노출되도록 복수의 반도체층의 일부를 제거하는 단계; 제2 반도체층과 전기적으로 절연되면서, 제1 반도체층의 가장자리와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계; 복수의 반도체층으로부터 기판을 분리하는 단계; 그리고, 복수의 반도체층을 기준으로 제1 전극의 반대 측에서 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(10) 제1 전극은 기판에까지 이어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(11) 제1 전극은 제1 반도체층의 가장자리에서 제1 반도체층의 두 개의 면과 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(12) 기판을 분리하는 단계에 앞서, 복수의 반도체층을 지지하도록 제1 전극에 지지 기판을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(13) 제1 전극을 형성하는 단계에 앞서, 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 도전막을 형성하는 단계;를 더 포함하며, 제2 전극은 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 도전막과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 의하면, 발광 면적의 감소를 줄인 반도체 발광소자를 제조할 수 있게 된다.
본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 의하면, 공정이 간소한 된 반도체 발광소자를 제조할 수 있게 된다.
100: 기판, 300: 제1 반도체층, 400: 활성층, 500: 제2 반도체층

Claims (13)

  1. 반도체 발광소자에 있어서,
    제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며, 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층;으로서, 기판이 제거되어 노출되는 제1 반도체층이 위를 향하는 복수의 반도체층;
    제2 반도체층 측에 위치하여 복수의 반도체층을 지지하는 지지 기판;
    지지 기판과 복수의 반도체층 사이에 위치하며, 제2 반도체층과 전기적으로 절연되어 있고, 적어도 제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층의 가장자리에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 그리고,
    적어도 제1 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 활성층 아래의 면에서 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제1 전극은 제1 반도체층의 가장자리에서 제1 반도체층의 두 개의 면과 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 청구항 2에 있어서,
    두 개의 면은 적어도 제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출되는 노출면과 노출면으로부터 위를 향해 이어지는 측면으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    제1 전극은 제1 반도체층의 적어도 두 개의 가장자리 면과 전기적으로 연결되도록 이어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 2에 있어서,
    제1 전극은 제1 반도체층의 네 개의 가장자리 면과 전기적으로 연결되도록 이어져 있는 것을 특징으로 반도체 발광소자.
  6. 청구항 3에 있어서,
    제1 전극은 제1 반도체층의 적어도 두 개의 가장자리 면과 접촉하는 것을 특징으로 반도체 발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    제2 반도체층과 전기적으로 연결된 도전막;을 더 포함하며,
    제2 전극은 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 도전막과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 1에 있어서,
    복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
    기판을 이용하여, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층을 성장시키는 단계;
    제1 반도체층 가장자리 및 기판이 노출되도록 복수의 반도체층의 일부를 제거하는 단계;
    제2 반도체층과 전기적으로 절연되면서, 제1 반도체층의 가장자리와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;
    복수의 반도체층으로부터 기판을 분리하는 단계; 그리고,
    복수의 반도체층을 기준으로 제1 전극의 반대 측에서 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    제1 전극은 기판에까지 이어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    제1 전극은 제1 반도체층의 가장자리에서 제1 반도체층의 두 개의 면과 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  12. 청구항 9에 있어서,
    기판을 분리하는 단계에 앞서, 복수의 반도체층을 지지하도록 제1 전극에 지지 기판을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  13. 청구항 9에 있어서,
    제1 전극을 형성하는 단계에 앞서, 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 도전막을 형성하는 단계;를 더 포함하며,
    제2 전극은 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 도전막과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
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