KR20150025173A - Exhaust system and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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KR20150025173A
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Abstract

The present invention relates to an exhaust device and a substrate processing apparatus having the same. The present invention includes: a chamber which forms a process space for processing a substrate, an exhaust device which exhausts byproducts generated in processing the substrate to the outside of the chamber, a substrate support unit which supports the substrate in the internal space of the chamber, and a laser generation part which emits a laser beam to the substrate arranged on the substrate support unit. The exhaust device includes: at least one exhaust port in a sidewall except the upper and lower parts of the chamber, thereby discharging process byproducts generated in processing the substrate to the outside of the chamber. Therefore, the present invention can prevent the contamination of process facilitates due to byproducts so that the quality of products produced after a final process is finished can be improved. Also, because a substrate processing apparatus does not require the vacuum of a chamber, the amount of nitrogen consumed due to the process of a vacuum state can be reduced.

Description

배기장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 {Exhaust system and substrate processing apparatus having the same}[0001] The present invention relates to an exhaust system and a substrate processing apparatus including the same,

본 발명은 배기장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정 중에 발생하는 부산물을 챔버 외부로 용이하게 배출시킬 수 있는 배기장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust apparatus and a substrate processing apparatus including the same, and more particularly, to an exhaust apparatus and a substrate processing apparatus including the same.

최근 들어 엑시머 레이저(Eximer Laser) 빔의 안정성과 출력이 향상됨에 따라 반도체 물질을 가공하는 공정으로까지 그 사용 범위가 넓어지고 있다. In recent years, as the stability and power of the Eximer laser beam have been improved, the use range of the semiconductor material has been extended to the processing of the semiconductor material.

특히, 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)와 같은 소자를 형성하기 위해, 레이저 빔(Laser beam)을 발생시키는 레이저 가공장치를 통해, 웨이퍼 기판 위의 박막을 분리하는 공정이 주로 이루어지고, 이러한 공정을 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off : LLO)공정이라고 한다. (여기서, 도 1은 종래의 레이저 가공장치를 설명하기 위한 도면이다.)Particularly, in order to form an element such as a light emitting diode (LED), a process of separating a thin film on a wafer substrate is mainly performed through a laser processing apparatus that generates a laser beam, Is referred to as a laser lift off (LLO) process. (Here, FIG. 1 is a view for explaining a conventional laser machining apparatus).

도 1을 참조하면, 레이저 가공장치(1)는 내부에 기판(S)을 수용하기 위한 공간을 형성하는 챔버(10)를 포함하고, 챔버(10)에는 가스 유입구(12) 및 가스 배출구(14)가 마련되며 상단에는 투과창(30)이 설치된다. 투과창(30)의 상측에는 레이저 조사수단(50)이 설치되며, 레이저 조사수단(50)에서 조사되는 레이저 빔(55)은 투과창(30)을 통과하여 챔버(10) 내의 기판(S)에 도달한다.1, the laser processing apparatus 1 includes a chamber 10 for forming a space for accommodating a substrate S therein, and the chamber 10 is provided with a gas inlet 12 and a gas outlet 14 And a transmission window 30 is installed at an upper end thereof. A laser irradiation means 50 is provided on the upper side of the transmission window 30 and a laser beam 55 irradiated by the laser irradiation means 50 passes through the transmission window 30 to the substrate S in the chamber 10, Lt; / RTI >

도 2는 도 1의 레이저 조사수단(50)에서 조사되는 레이저빔(55)의 형태를 설명하기 위한 도면으로서, 도 2(a)는 기판을 위에서 내려다 본 상태를 나타낸 도면이며, 도 2(b)는 기판의 사시도이다. 도 2에 도시된 바와 같이 레이저빔(55)은 라인 형태로 기판(S)에 조사된다. 기판(S)은 레이저빔(55)의 라인에 대해서 수직 방향(화살표 방향)으로 수평 이동함으로써 기판(S)의 전면에 레이저빔(55)의 조사가 이루어진다.2 is a view for explaining the shape of the laser beam 55 irradiated by the laser irradiating means 50 of FIG. 1. FIG. 2 (a) is a view showing a state where the substrate is viewed from above and FIG. 2 ) Is a perspective view of the substrate. As shown in Fig. 2, the laser beam 55 is irradiated onto the substrate S in the form of a line. The substrate S is horizontally moved in the direction perpendicular to the line of the laser beam 55 (arrow direction) so that the entire surface of the substrate S is irradiated with the laser beam 55. [

이와 같은 공정이 완료된 후 챔버(10) 내의 부산물(P)을 배출시키는 배기장치는 도 3에 도시된 바와 같이 형성되어 챔버(10) 하부 측면에 가스 배출구(14a, 14b)를 통해 공정 중에 발생한 부산물(P)을 배출시킬 수 있다. 그러나, 챔버(10) 내의 부산물을 배출하는 가스의 흐름을 살펴보면, 상대적으로 기판이 배치되는 지점보다 낮은 위치에 형성되는 가스 배출구에 의해 기판의 상부에 위치하는 부산물은 가스 배출구에 의해 배출되지 못해 챔버 내에 잔류하게 된다. 또한, 챔버(10) 상부의 부산물(P)을 배출한다 하더라도, 부산물(P)이 배출구로 이동하는 것이 용이하지 않아 챔버(10) 내의 청정도를 증가시키는 것이 용이하지 않다. The exhaust apparatus for discharging the by-product P in the chamber 10 after the above process is completed is formed as shown in FIG. 3, and the by-product generated during the process through the gas outlets 14a and 14b on the lower side of the chamber 10 (P) can be discharged. However, as for the flow of the gas for discharging the by-product in the chamber 10, the by-product located at the upper portion of the substrate by the gas outlet formed at a position lower than the position where the substrate is relatively disposed can not be discharged by the gas outlet, Respectively. Even if the by-product P on the upper portion of the chamber 10 is discharged, it is not easy for the by-product P to move to the discharge port, so that it is not easy to increase the cleanliness in the chamber 10.

이처럼 발생하는 부산물은 레이저 가공장치 내의 다른 구성요소들을 오염시켜 손상을 발생시키고, 레이저 가공장치의 내구성이 저하되는 문제점을 야기한다.Such by-products cause contamination of other components in the laser processing apparatus to cause damage, and cause a problem that the durability of the laser processing apparatus is deteriorated.

또한, 배기구가 배치되는 위치에 의해 웨이퍼 기판의 상부에 존재하는 부산물은 용이하게 배기구를 통해 배출되지 못하기 때문에 결과적으로 공정이 완료된 제품의 품질이 저하되는 문제점이 있다. In addition, by-products disposed at the upper portion of the wafer substrate can not be easily discharged through the exhaust port due to the position of the exhaust port, resulting in a problem of deteriorating the quality of the finished product.

이에, 종래에는 레이저 가공장치의 공정을 진공상태에서 진행함으로써 챔버 내의 파티클을 제거하였으나, 진공상태로 진행되는 공정으로 인해 공정의 수율 및 공정이 완료되고 진공을 파괴하기 위해 사용되는 질소의 양이 과대해지는 문제점이 발생한다. 또한, 밀폐된 질소가스 분위기에서 공정을 진행하여 외부의 파티클 유입은 방지하였지만 내부에서 발생하는 부산물의 제거는 용이하지 않게 된다. Conventionally, the particles in the chamber are removed by proceeding the vacuum processing of the laser processing apparatus. However, due to the vacuum process, the yield and process of the process are completed and the amount of nitrogen used to break the vacuum is excessive Problems arise. Further, the process is performed in a closed nitrogen gas atmosphere to prevent the inflow of particles from the outside, but it is not easy to remove the by-products generated in the inside.

KRKR 2004-00963172004-0096317 A1A1

본 발명은 기판 처리 시 발생하는 공정 부산물이 용이하게 배출될 수 있는 배기장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides an exhaust apparatus capable of easily discharging process by-products generated during substrate processing, and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명은 공정의 효율성 및 생산성을 증가시킬 수 있는 배기장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides an exhaust apparatus capable of increasing process efficiency and productivity and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명은 공정 설비의 내구성을 증가시킬 수 있는 배기장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides an exhaust apparatus capable of increasing the durability of a process facility and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 내부 공간을 형성하는 챔버, 상기 기판의 처리시 발생되는 부산물을 상기 챔버 외부로 배출시키는 배기장치, 상기 챔버 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지기 및 상기 기판 지지기 상에 배치된 상기 기판에 레이저 빔을 조사하는 레이저 발생부를 포함하며, 상기 배기장치는 상기 챔버 상하부를 제외한 측벽에 형성되며, 상기 측벽에 적어도 하나 이상 구비되는 배기 포트를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber for forming an internal space in which a substrate is processed, an exhaust device for discharging a byproduct generated during processing of the substrate to the outside of the chamber, And a laser generator for irradiating a laser beam onto the substrate disposed on the substrate holder, wherein the exhaust apparatus is formed on a side wall excluding the upper and lower portions of the chamber, And the substrate processing apparatus.

상기 배기포트는 상기 챔버 상하부를 제외한 상기 챔버 측벽 전체에 형성되거나, 상기 챔버 상하부 및 상기 기판의 출입구가 형성된 측벽을 제외한 상기 챔버 측벽 전체에 형성될 수 있다. The exhaust port may be formed on the entire sidewall of the chamber except the upper and lower portions of the chamber, or may be formed on the entire sidewall of the chamber except the upper and lower portions of the chamber and the sidewall on which the inlet and the outlet of the substrate are formed.

상기 배기 포트의 상측에 배치되어 하부로 가스를 분사하는 분사노즐을 구비하는 분사기를 포함할 수 있다.And an injector disposed above the exhaust port and having an injection nozzle for injecting gas to the lower portion.

상기 분사노즐에는 복수개의 분사홀이 형성되고 상기 분사홀은 상기 챔버의 측벽 방향으로 가스를 분사하도록 형성될 수 있다.The injection nozzle may be formed with a plurality of injection holes, and the injection holes may be formed to inject gas toward the side walls of the chamber.

상기 레이저 발생부에서 발생된 레이저 빔이 통과되는 투과창이 상기 챔버 상측에 형성되고 상기 분사노즐은 상기 투과창을 둘러싸며 배치될 수 있다.A transmission window through which the laser beam generated by the laser generation unit passes may be formed on the upper side of the chamber, and the injection nozzle may be disposed to surround the transmission window.

상기 챔버는 상기 기판 지지기가 상부에 배치되는 하부블럭과, 상기 하부블럭 상부를 커버하여 상기 하부블럭을 밀폐하는 리드를 포함하고, 상기 리드의 상부 측벽을 제외한 측벽 중 적어도 어느 한 측벽에는 상기 챔버 내부로 기판이 출입가능한 기판 출입구가 형성될 수 있다.The chamber includes a lower block on which the substrate holder is disposed, and a lid that covers the upper portion of the lower block to seal the lower block. At least one side wall of the lid, except the upper side wall, A substrate entry / exit port through which the substrate can enter and exit can be formed.

상기 기판 지지기의 양측 하부에는 상기 챔버 내부 하측에 잔류하는 부산물을 흡입하기 위한 흡입기가 구비되고, 상기 흡입기는 상기 부산물을 흡입하기 위한 압력을 조절하는 압력조절부와 상기 부산물이 흡입되는 흡입홀이 형성된 흡입노즐을 포함할 수 있다.The inhaler includes a pressure regulator for regulating a pressure for sucking the by-product, and a suction hole for sucking the by-product. The sucker includes a suction hole for sucking residual by- And a suction nozzle formed thereon.

상기 기판 지지기는 상기 챔버 내부에서 상기 기판을 이송시킬 수 있는 기판 이송기일 수 있다.The substrate holder may be a substrate transferor capable of transferring the substrate within the chamber.

상기 기판 이송기는 상기 흡입노즐의 양단부에 교차하는 방향으로 배치되고 제 1축 방향으로 상호 이격된 한 쌍의 가이드 레일과, 상기 가이드 레일 사이를 잇는 제 2축 방향의 길이를 갖고, 상기 흡입노즐과 함께 상기 가이드 레일을 따라 제 1축 방향으로 전후진 슬라이딩되는 제 1축 이송대, 상기 제 1축 이송대의 상부에 배치되며 제 1축 이송대를 따라 제 2축 방향으로 전후진 슬라이딩되는 제 2축 이송대, 상기 제 2축 이송대의 중앙 내부에 삽입되는 회전축 가이드, 상기 회전축 가이드 상부에 마련되는 기판 지지판을 포함할 수 있다.
Wherein the substrate transfer device has a pair of guide rails arranged in a direction crossing both ends of the suction nozzle and spaced apart from each other in a first axis direction and a second axial direction connecting the guide rails, A first axis feeder which is slidable in the first axis direction along the guide rail, a second axis feeder which is disposed on the upper side of the first axis feeder and slides forward and backward in the second axis direction along the first axis feeder, A rotation shaft guide inserted into the center of the second axis feeder, and a substrate support plate provided on the rotation shaft guide.

본 발명의 실시 예에 따른 배기장치는 기판을 처리하는 장치에 이용되는 장치로서, 상기 기판의 측면에 구비되는 배기 포트와, 상기 기판상에 이격되어 구비되는 적어도 하나 이상의 분사노즐과, 상기 분사노즐로 가스를 공급하는 공급부를 구비하는 분사기를 포함한다.An exhaust apparatus according to an embodiment of the present invention is an apparatus used in an apparatus for processing a substrate, comprising: an exhaust port provided on a side surface of the substrate; at least one injection nozzle spaced on the substrate; And an injector having a supply part for supplying gas to the combustion chamber.

상기 배기포트는 상기 기판의 상하부를 제외한 측면 전체에 형성되거나, 상기 기판의 상하부 및 상기 기판의 출입방향을 제외한 상기 기판의 측면 전체에 형성될 수 있다.The exhaust port may be formed on the entire side surface excluding the upper and lower portions of the substrate, or may be formed on the entire side surface of the substrate except for the upper and lower portions of the substrate and the direction in which the substrate enters and exits.

상기 분사노즐은 일 방향으로 복수 개가 나란하게 배치되는 제1 분사노즐과, 상기 제1 분사노즐의 외측에서 상기 일 방향과 교차하는 타 방향으로 나란하게 배치되는 제2 분사노즐을 포함하고, 상기 분사노즐은 상기 기판의 외측 방향으로 가스를 분사하도록 형성될 수 있다. Wherein the injection nozzles include a first injection nozzle having a plurality of nozzles arranged in parallel in one direction and a second injection nozzle arranged in parallel with the other direction crossing the one direction on the outer side of the first injection nozzle, The nozzle may be formed to inject gas in the outward direction of the substrate.

상기 기판의 하부에 이격되어 구비되고, 상기 기판의 하부에 존재하는 부산물을 흡입하는 흡입기가 구비될 수 있다. And an aspirator which is disposed at a lower portion of the substrate and sucks a by-product present in the lower portion of the substrate.

본 발명의 실시 형태에 의하면, 가압 분위기에서 수행되는 공정에서 발생하는 부산물이 용이하게 배출될 수 있다. 예컨대, 레이저 가공장치의 레이저 리프트 오프 공정에서 웨이퍼 기판상에 형성된 박막 분리시 발생하는 폴리머 등의 부산물이 장치 외부로 용이하게 배출되어 부산물이 공정 설비를 오염시키는 것을 억제할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, by-products generated in a process performed in a pressurized atmosphere can be easily discharged. For example, byproducts such as polymer generated during thin film separation formed on the wafer substrate in the laser lift-off process of the laser processing apparatus can be easily discharged to the outside of the apparatus, thereby preventing the byproducts from contaminating the process equipment.

또한, 챔버에서 기판이 출입하는 측벽을 제외한 모든 측벽에 배기 포트를 적어도 하나 이상 형성함으로써, 부산물의 챔버 외부로의 배출 속도를 증가시킬 수 있어 공정의 효율성 및 생산성을 증가시킬 수 있다. In addition, by forming at least one exhaust port in all the side walls of the chamber except the side wall in which the substrate enters and exits, the discharge speed of the by-product to the outside of the chamber can be increased, and the efficiency and productivity of the process can be increased.

그리고 종래의 챔버에 구비된 배기장치의 위치 특성상, 기판 상부에 부상하는 부산물은 제거가 용이하지 않기 때문에, 기판 상부에 부상하는 부산물을 상부에서부터 가스를 분사하여 챔버 외부로 신속하게 배출할 수 있다. 이에, 공정 완료 후 생산품의 품질을 증가시킬 수 있다. In addition, due to the positional characteristics of the exhaust device provided in the conventional chamber, the byproducts floating on the substrate are not easily removed, so that the byproducts floating on the substrate can be rapidly discharged from the chamber by injecting gas from above. Thus, the quality of the product after completion of the process can be increased.

그리고 본 발명의 기판 처리 장치는 챔버의 진공이 불필요하기 때문에 종래에 진공상태에서의 공정으로 인해 소모되는 질소량을 감소시킬 수 있다. Further, since the vacuum of the chamber is unnecessary, the substrate processing apparatus of the present invention can reduce the amount of nitrogen consumed due to the process in the conventional vacuum state.

도 1은 종래의 레이저 가공장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 레이저 빔의 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 종래의 배기장치 및 배기 흐름을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 배기장치를 구비하는 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 배기 포트 및 분사기가 구비된 리드를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 리드 내측 상면을 나타내는 도면.
도 7은 도 6의 분사노즐에서 분사되는 가스의 분사방향을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지기 및 흡입기를 나타내는 도면이다.1 is a view for explaining a conventional laser machining apparatus.
2 is a view for explaining the shape of a laser beam.
3 is a view schematically showing a conventional exhaust device and an exhaust flow.
4 is a view showing a substrate processing apparatus provided with an exhaust apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a lead provided with an exhaust port and an injector according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing the top surface of the lead in Fig. 5; Fig.
Fig. 7 is a view showing the injection direction of the gas injected from the injection nozzle of Fig. 6; Fig.
8 is a view illustrating a substrate holder and an aspirator according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

이하에서는 배기장치를 포함하는 기판 처리 장치로서 레이저 가공장치를 예를 들어 설명하나, 본 발명의 실시 예에 따른 배기장치가 적용은 이에 한정되지 않고 레이저 가공장치 이외에도 소정 공간 내에서 발생하는 부산물을 효과적으로 제거하여야 하고, 기판을 처리하는 다양한 장치에 적용될 수 있다.
Hereinafter, a laser processing apparatus will be described as an example of a substrate processing apparatus including an exhaust apparatus. However, the present invention is not limited to this, and other than the laser processing apparatus, the exhaust apparatus according to the embodiment of the present invention can effectively And can be applied to various devices for processing substrates.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 가공장치를 나타내는 도면이다. 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 배기 포트 및 분사기가 구비된 리드를 나타내는 도면이다. 도 6은 도 5의 리드 내측 상면을 나타내는 도면이다. 도 7은 도 6의 분사노즐에서 분사되는 가스의 분사방향을 나타내는 도면이다. 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지기 및 흡입기를 나타내는 도면이다.
4 is a view showing a laser machining apparatus according to an embodiment of the present invention. 5 is a view showing a lead provided with an exhaust port and an injector according to an embodiment of the present invention. Fig. 6 is a top view of the inner side of the lead of Fig. 5; Fig. 7 is a view showing the injection direction of the gas injected from the injection nozzle of Fig. 6; Fig. 8 is a view illustrating a substrate holder and an aspirator according to an embodiment of the present invention.

레이저 가공장치는 레이저(Laser)를 이용하여 PI박막과 유리기판 경계면을 분리시키는 장치이다. 레이저 가공장치는, 기판(S)이 처리되는 내부 공간을 형성하는 챔버(100)와, 챔버(100) 내의 부산물을 챔버(100) 외부로 배출시키는 배기장치(200), 챔버(100) 내부 공간에서 기판(S)을 지지하는 기판 지지기(300), 기판 지지기(300) 상에 배치된 기판에 레이저 빔(551)을 조사하는 레이저 발생부(500)를 포함한다. The laser processing apparatus is a device for separating the PI thin film from the glass substrate interface using a laser. The laser processing apparatus includes a chamber 100 for forming an internal space in which the substrate S is processed and an exhaust device 200 for discharging the byproducts in the chamber 100 to the outside of the chamber 100, And a laser generator 500 for irradiating a laser beam 551 onto a substrate disposed on the substrate holder 300. The laser generator 551 may be a semiconductor laser.

또한, 기판(S)과 대향하는 챔버(100)의 일측면에는 투과창(400)이 설치되고, 챔버(100)의 외측에서 투과창(400) 상측에 대향 배치되는 반사경(550)을 포함한다.
A transmissive window 400 is provided on one side of the chamber 100 facing the substrate S and a reflector 550 is disposed on the outside of the chamber 100 to face the transmissive window 400 .

챔버(100)는 상부가 개방된 하부 블록(110)과, 하부 블록(110)의 상부에 배치되어 하부 블록(110)을 밀폐하는 리드(130)로 구성된다. 이때, 챔버(100)의 구조는 이에 한정하지 않고 일체형으로도 형성 가능하다. 이와 같이 일체로 챔버가 형성될 경우에는, 챔버(100)의 적어도 어느 한 곳에 도어(미도시)가 구비될 수도 있다. The chamber 100 includes a lower block 110 having an open top and a lid 130 disposed at an upper portion of the lower block 110 to seal the lower block 110. At this time, the structure of the chamber 100 is not limited to this, but may be integrally formed. When a chamber is integrally formed as described above, a door (not shown) may be provided in at least one of the chambers 100.

하부블럭(110)은 상부에 기판 지지기(300)가 배치되고, 이에 상부면이 평평한 소정의 두께를 갖는 형태를 갖고 형성된다. 이때, 하부블럭(110)에는 도면에 도시되어 있지는 않으나, 기판 지지기(300) 및 배기장치(200)에 연결될 수 있는 다양한 수단으로부터 공급되는 라인이 연결되는 통로를 형성할 수도 있다. The lower block 110 has a substrate holder 300 disposed thereon, and the upper surface of the lower block 110 is formed with a flat shape having a predetermined thickness. At this time, although not shown in the figure, the lower block 110 may form a passage through which lines supplied from various means connectable to the substrate holder 300 and the exhaust apparatus 200 are connected.

리드(130)는 하부블럭(110) 상부를 커버하여 밀폐하는 역할을 한다. 이때, 리드의 상부면을 제외한 측벽 중 적어도 어느 한 측벽에는 챔버(100)에 기판을 제공하는 로드락 챔버(미도시)가 연결되는 경우, 기판이 출입가능할 수 있도록 기판 출입구(135)가 형성된다.
The lid 130 covers and covers the upper portion of the lower block 110. In this case, when a load lock chamber (not shown) for providing a substrate to the chamber 100 is connected to at least one side wall of the side walls except the upper surface of the lead, a substrate entrance 135 is formed so that the substrate can be taken in and out .

이하에서는, 본 발명의 배기장치(200)에 포함되는 배기 포트(220), 분사기(240) 및 흡입기(260)에 대해 자세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, the exhaust port 220, the injector 240, and the inhaler 260 included in the exhaust apparatus 200 of the present invention will be described in detail.

배기장치(200)는 기판을 처리하는 장치에 이용되는 장치로서, 챔버(100) 내에 기판(S)의 처리 시 발생하는 부산물을 챔버(100) 외부로 배출시키는 역할을 한다. 배기창치(200)는 챔버(100) 상하부를 제외한 측벽에 형성되는 배기 포트(220)와, 챔버(100) 내부에서 리드의 바닥면에 구비되는 분사기(240) 및 기판(S)을 이송하는 이송기(300)의 양측에 장착되어 챔버(100) 바닥부의 부산물을 흡입하는 흡입기(260)를 포함한다.
The exhaust apparatus 200 is an apparatus used in an apparatus for processing a substrate and serves to discharge by-products generated during the processing of the substrate S in the chamber 100 to the outside of the chamber 100. The exhaust port 200 includes an exhaust port 220 formed on a side wall excluding upper and lower portions of the chamber 100 and a feeder 240 for transporting the substrate S and the injector 240 provided on the bottom surface of the reed in the chamber 100 And an aspirator 260 mounted on both sides of the vessel 300 to suck byproducts from the bottom of the chamber 100.

배기 포트(220)는 챔버(100) 상하부를 제외한 측벽에 적어도 하나 이상 형성되어 챔버(100) 내의 부산물을 배출하는 것으로서, 본 발명의 실시 형태와 같이 형성됨으로써 챔버(100) 내부의 부산물이 신속하고 용이하게 배출될 수 있다. 배기 포트(220)는 챔버(100) 상하부를 제외한 측벽 전체에 형성되거나, 챔버(100) 상하부 및 기판 출입구(135)가 형성된 측벽을 제외한 나머지 측벽 전체에 형성될 수도 있다. 이처럼, 배기 포트(220)가 챔버 측벽 거의 전체에 형성되고 측벽마다 다수개의 배기 포트(220)가 형성되는 경우, 챔버(100) 내의 부산물이 외부로 신속하게 배출될 수 있는 장점이 있다. The exhaust port 220 is formed on at least one side wall of the chamber 100 except the upper and lower portions thereof to discharge the byproducts in the chamber 100. By forming the exhaust port 220 according to the embodiment of the present invention, It can be easily discharged. The exhaust port 220 may be formed on the entire sidewall except the upper and lower portions of the chamber 100 or on the entire sidewall except the sidewalls on which the upper and lower portions of the chamber 100 and the substrate entrance 135 are formed. When the exhaust port 220 is formed almost entirely on the side wall of the chamber and a plurality of exhaust ports 220 are formed on each side wall, the by-product in the chamber 100 can be quickly discharged to the outside.

이때, 배기 포트(220)에는 외부로 부산물을 배출시킬 수 있는 관(미도시) 또는 호스(미도시)가 연결되어 부산물이 관이나 호스를 통해 챔버 외부로 배출될 수도 있다. 그러나, 본 발명에서는 배기 포트(220)가 챔버(100)에 다수 개 구비되는 것에 만족하고 배기 포트(220)에 연결되는 구성요소에 대해서는 한정하지 않는다. At this time, a pipe (not shown) or a hose (not shown) capable of discharging by-products can be connected to the exhaust port 220, and the by-product may be discharged to the outside of the chamber through a pipe or a hose. However, the present invention is not limited to the constituent elements satisfying that the exhaust port 220 is provided in the chamber 100 and connected to the exhaust port 220.

분사기(240)는 배기 포트(220)의 상측에 배치되어 챔버(100) 내부에 있는 부산물을 아래 방향(챔버 내부의 하측)으로 밀어내주는 역할을 한다. 더욱 자세하게는, 챔버(100) 내측의 상면(리드(130) 내측의 상면)에 다수 개 구비된다. 분사기(240)는 챔버(100) 외부에 구비되어 가스를 공급하는 공급부(미도시)와, 공급부로부터 공급받은 가스를 챔버 내부로 분사하는 분사노즐(245)을 구비한다. 이때, 분사노즐(245)은 챔버(100) 내부 상측에 장착되고, 분사노즐(245)에는 가스가 배출되는 분사홀(247)이 복수로 형성된다. 더욱 상세하게 설명하면, 분사노즐(245)은 챔버(100)를 구성하는 리드(130)의 안측 상부면에 복수개 장착되고, 가스를 챔버 내부로 분사하기 위해 챔버(100) 외부에 구비되는 공급부로부터 가스를 공급받을 수 있도록 연결된다.The injector 240 is disposed on the upper side of the exhaust port 220 to push the by-products in the chamber 100 downward (downward into the chamber). More specifically, a plurality of the upper surface (the upper surface inside the lead 130) on the inside of the chamber 100 are provided. The injector 240 is provided outside the chamber 100 and includes a supply unit (not shown) for supplying gas and an injection nozzle 245 for injecting the gas supplied from the supply unit into the chamber. At this time, the injection nozzle 245 is mounted on the upper side of the chamber 100, and the injection nozzle 245 has a plurality of injection holes 247 through which the gas is discharged. More specifically, a plurality of injection nozzles 245 are mounted on the upper side of the inner side of the leads 130 constituting the chamber 100, and a plurality of injection nozzles 245 are provided from a supply portion provided outside the chamber 100 to inject gas into the chamber So that gas can be supplied.

한편, 복수개의 분사노즐(245)은 챔버(100) 각각의 측벽에 이격되어 챔버의 측벽에 나란한 방향으로 장착될 수 있다. 이에, 도 6에 도시된 바와 같이 복수개의 분사노즐(245)은 각각 소정 개수가 챔버(100)의 측벽에 나란한 방향으로 구비되어 각각 챔버 측벽방향으로의 방향성을 갖고 장착될 수 있다. 더욱 자세하게는, 분사노즐(245)은 일 방향으로 복수 개가 나란하게 배치되는 제1 분사노즐과, 제1 분사노즐의 외측에서 일 방향에 교차하는 타 방향으로 나란하게 배치되는 제2 분사노즐을 포함한다. 이에, 제1 분사노즐과 제2 분사노즐은 투과창(400)을 둘러싸고 배치된다.On the other hand, the plurality of injection nozzles 245 may be mounted on the side wall of each of the chambers 100 in a direction parallel to the side wall of the chamber. 6, a predetermined number of the plurality of injection nozzles 245 may be installed in a direction parallel to the side wall of the chamber 100, and each of the plurality of the injection nozzles 245 may be mounted with directionality in the chamber side wall direction. More specifically, the injection nozzles 245 include a first injection nozzle arranged in parallel in a single direction and a second injection nozzle arranged in parallel in the other direction crossing one direction at the outside of the first injection nozzle do. Thus, the first injection nozzle and the second injection nozzle are disposed to surround the transmission window 400. [

또한, 분사노즐(245)에 형성된 분사홀(247)은 챔버(100) 각각의 측벽 방향으로 홀이 형성되어 분사홀(247)을 통해 분사되는 가스가 방향성을 가질 수 있도록 할 수 있다. 즉, 챔버 측벽으로 치우쳐져서 형성되는 분사홀(247)로부터 분사되는 가스 또한 측벽으로 이동할 수 있도록 한다. 이에, 가스를 챔버 상부와 직교하는 방향인 기판의 상부로 분사하는 경우 부산물이 기판 상부에 떨어지는 것을 억제하여 기판의 오염을 억제할 수 있고, 배기 포트(220) 쪽으로 방향성을 갖는 가스로 인해 챔버 내의 부산물이 신속하게 배기 포트(220)를 통해 챔버 외부로 배출될 수 있다. 또한, 기판에서 분리되는 부산물이 기판 상부에 배치되는 투과창(400)에 달라붙는 경우에 투과창(400)이 제 기능을 잃게 되기 때문에 투과창(400)에 부산물이 흡착되지 않도록 챔버의 하부로 부산물을 밀어줄 수도 있다.
The injection holes 247 formed in the injection nozzles 245 may be formed in the direction of the sidewalls of the chambers 100 so that the gas injected through the injection holes 247 may have a directionality. That is, the gas injected from the injection hole 247 formed by being biased toward the chamber side wall can also be moved to the side wall. Accordingly, when the gas is injected onto the upper portion of the substrate, which is perpendicular to the upper portion of the chamber, it is possible to prevent the byproducts from falling on the upper portion of the substrate to suppress contamination of the substrate, The by-product can be quickly discharged to the outside of the chamber through the exhaust port 220. In addition, when the byproduct separated from the substrate adheres to the transmission window 400 disposed on the upper portion of the substrate, the transmission window 400 loses its function, so that the by- It can also push out byproducts.

전술한 바와 같이 형성된 배기장치(200)에는 챔버(100) 내부의 바닥면(즉, 하부블럭(110)의 상부면)에 존재하는 부산물을 흡입하여 부산물을 제거할 수 있는 흡입기(260)가 구비될 수도 있다.The exhaust device 200 formed as described above is provided with an inhaler 260 capable of sucking by-products present on the bottom surface (i.e., the upper surface of the lower block 110) inside the chamber 100 to remove by- .

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지기 및 분사기를 나타내는 도면이다. 도 8a는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지기 및 분사기가 장착된 하부블럭의 사시도이고, 도 8b는 도 8a의 평면도이며, 도 8c는 흡입기의 사시도이다.
8 is a view showing a substrate holder and an injector according to an embodiment of the present invention. FIG. 8A is a perspective view of a lower block equipped with a substrate holder and an injector according to an embodiment of the present invention, FIG. 8B is a plan view of FIG. 8A, and FIG. 8C is a perspective view of an inhaler.

흡입기(260)는 기판 지지기(300)의 양 측면 하부에 구비되어 하부블럭(110)의 상부면에 존재하는 부산물을 흡입하는 장치이다. 즉, 분사기(240)에 의해 챔버 하부로 밀어져 내려와 챔버 내부 바닥부에 잔류하는 부산물을 흡입기(260)가 빨아들이는 역할을 한다. 이에, 흡입기(260)는 챔버 외부에 구비되는 압력조절부(미도시)와 압력조절부로부터 흡입하는 힘에 의해 부산물이 빨려들어가는 흡입홀(267)이 형성된 흡입노즐(265)이 구비된다. The suction unit 260 is provided below both side surfaces of the substrate holder 300 to suck by-products present on the upper surface of the lower block 110. That is, it is pushed down to the lower part of the chamber by the injector 240 and the aspirator 260 sucks the byproduct remaining in the bottom of the chamber. The suction nozzle 260 is provided with a pressure adjusting unit (not shown) provided outside the chamber and a suction nozzle 265 having a suction hole 267 through which the by-product is sucked by a force sucked from the pressure adjusting unit.

압력조절부는 챔버(100) 내부에 배치되는 흡입노즐(265)과 연결되어 부산물이 흡입홀(267)을 통해 빨려들어갈 수 있도록 압력을 조절하는 장치이다. 이에, 압력조절부는 챔버 내부의 기체를 흡입하여 부산물이 흡입홀(267) 쪽으로 이동할 수 있도록 한다.The pressure regulating unit is connected to the suction nozzle 265 disposed inside the chamber 100 to adjust the pressure so that the by-product can be sucked through the suction hole 267. Accordingly, the pressure regulator sucks the gas inside the chamber so that the by-product can move toward the suction hole 267. [

흡입노즐(265)은 이송기(300)의 측면 중 적어도 한 측면에 구비되어 기판이 이동할 때 이송기(300)의 움직임에 따라 움직일 수 있어, 이송기(300)의 이동 범위 내의 부산물을 흡입할 수 있다. 이때, 흡입노즐(265)은 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 바 형상으로 형성되어 기판 지지기(300)의 양 측면에 고정될 수 있다. The suction nozzle 265 is provided on at least one side of the side surface of the conveyor 300 so that it can move according to the movement of the conveyor 300 when the substrate moves and sucks the by-products in the moving range of the conveyor 300 . At this time, the suction nozzle 265 may be formed in a bar shape and fixed to both sides of the substrate holder 300, as shown in FIG. 8 (c).

이때, 본 발명에서는 하나의 기판을 지지하는 하나의 지지기가 구비되어 챔버 내에서 작동하기 때문에 챔버 내부의 부산물을 용이하게 처리하기 위해 지지기의 양 측면에 흡입노즐이 구비되는 것으로 나타나 있으나, 기판의 수율을 높이기 위해 복수의 지지기가 사용되는 경우(예컨대 2개의 이송기), 흡입노즐은 각각의 지지기에 적어도 하나가 구비될 수도 있다.
At this time, in the present invention, since a single supporting device for supporting one substrate is operated to operate in the chamber, it is shown that suction nozzles are provided on both sides of the supporting device to easily process the by-products in the chamber, In the case where a plurality of supports are used to increase the yield (e.g., two feeders), the suction nozzles may be provided with at least one in each support.

이때, 기판을 지지하는 기판 지지기(300)는 챔버(100) 내부에서 기판(S)을 수평 이송시킬 수 있는 기판 이송기일 수 있다. 이에, 도 8에 도시된 도면을 참고하여 기판 이송기에 대해 설명하기로 한다. At this time, the substrate holder 300 supporting the substrate may be a substrate transferer capable of horizontally transferring the substrate S within the chamber 100. Hereinafter, the substrate conveyor will be described with reference to the drawing shown in FIG.

우선, 기판(S)은 레이저 빔(551)의 라인에 대해서 수직한 방향(화살표 방향)으로 수평 이동함으로써 기판(S)의 전면에 레이저 빔(551)의 조사가 이루어진다. 기판을 이동시키는 기판 이송기는 LM(liner Motor) 가이드를 통하여 이루어진다. 즉, 가이드 레일을 따라 선형 이동하는 구조를 가진다. The substrate S is horizontally moved in a direction perpendicular to the line of the laser beam 551 so as to irradiate the entire surface of the substrate S with the laser beam 551. [ The substrate conveyor for moving the substrate is made through a LM (Liner Motor) guide. That is, linearly moving along the guide rails.

도 8에 도시된 바와 같이 LM 가이드에서 제 1축 이송대(330)는 LM 가이드 레일(310)을 따라 움직이고, 기판 지지판 역할을 하는 제 2축 이송대(350)는 제 1축 이송대(330)를 따라 움직인다. 따라서 기판(S)은 열처리 시에 제1축 방향뿐만 아니라 제2 방향 및 수평 회전 운동을 통하여 적절한 위치에 자리 잡게 된다. 여기서, 제1축 및 제2축은 2차원 평면을 구성하는 임의의 축으로서, 간단하게는 X축 및 Y축으로 표현할 수도 있다.8, the first axis feeder 330 moves along the LM guide rail 310 in the LM guide, and the second axis feeder 350, which serves as a substrate support plate, moves along the first axis feeder 330 ). Accordingly, the substrate S is positioned at a proper position through the second rotational direction and the horizontal rotational motion as well as the first axial direction during the heat treatment. Here, the first axis and the second axis are arbitrary axes constituting a two-dimensional plane, and may be expressed simply as an X axis and a Y axis.

가이드 레일(310)은 두 개의 레일로 된 한 쌍으로 구현되어 Y축인 제1축 방향으로 하부블럭 상면(챔버 바닥면)에 이격되어 나란히 놓여 진다. 즉, 가이드 레일(310)은 상기에 전술한 흡입노즐(265)의 양단부에 교차하며 배치되고, 제 1축 방향으로 상호 이격되어 구비된다. The guide rails 310 are implemented as a pair of two rails and are arranged side by side in a first axis direction which is the Y axis, away from the upper surface (chamber bottom surface) of the lower block. That is, the guide rails 310 are disposed so as to intersect at both ends of the above-described suction nozzle 265 and are spaced apart from each other in the first axial direction.

제 1축 이송대(330)는 한 쌍의 가이드 레일(310) 사이를 잇는 제2축 방향의 길이를 가지며 흡입노즐(265)과 함께 제1축 방향으로 전후진 슬라이딩한다. 도 8의 (b)를 참조하면, 제 1축 이송대(330)는 U자 형태의 라인 홈이 파여진 길이를 가져, 제1축 이송대 몸체의 내부가 라인 형태로 파여진 공간을 가지도록 한다.The first axis feed bar 330 has a length in the second axial direction connecting between the pair of guide rails 310 and slides forward and backward in the first axis direction together with the suction nozzle 265. Referring to FIG. 8 (b), the first axis feed bar 330 has a U-shaped line groove having a length that is wider than the first axis, so that the interior of the first axis feed bar body has a line- do.

제 2축 이송대(350)는 제 1축 이송대(330)의 상부에 마련되며, 제1축 이송대를 따라 제2축 방향으로 전후진 슬라이딩한다. 제 2축 이송대(350)는 제1축 이송대를 상부에서 오목하게 감싸도록 설치한다. 이에 제 2축 이송대(350)가 제 1축 이송대(330)를 오목하게 감싸도록 설치됨으로써 기판 지지기(300)의 전체적인 높이를 낮출 수 있다. The second axis feeder 350 is provided on the upper side of the first axis feeder 330 and slides forward and backward in the second axis direction along the first axis feeder. The second axis feeder (350) is installed so as to concave the first axis feeder at the top. The second axis feeder 350 is installed so as to concavely surround the first axis feeder 330 so that the overall height of the substrate holder 300 can be reduced.

또한, 제 2축 이송대(350)의 중앙 내부에도 회전축 가이드(미도시)가 삽입되는 형태로 설치되어 있어서, 이러한 형태도 기판 지지기(300)의 전체적인 높이를 낮추는 데 기여하고 있다. 이러한 구조를 택한 이유는 제 2축 이송대(350)가 제 1축 이송대(330) 상에, 회전축 가이드가 제 2축 이송대(350) 상에 각각 그대로 적층될 경우, 기판 지지기의 전체적인 높이가 증가되어 많은 공간을 차지할 뿐만 아니라 기판 이송의 안정성이 감소되는 것을 보완하기 위함이다. In addition, a rotation shaft guide (not shown) is also inserted into the center of the second axis feeder 350, which contributes to lowering the overall height of the substrate holder 300. The reason for adopting this structure is that when the second axis feed bar 350 is stacked on the first axis feed bar 330 and the rotation axis guide is directly stacked on the second axis feed bar 350, To compensate for the increase in height, which not only occupies much space, but also reduces the stability of substrate transport.

기판 지지기(300)는 상기에서 서술한 구조를 가짐으로써, 제 1축 이송대(330)는 두 개가 평행하게 설치된 가이드 레일(310)을 활주하고, 제 2축 이송대(350)는 제 1축 이송대(330)를 활주하게 된다. 제 2축 이송대(350)의 중앙 내부에는 회전축 가이드(미도시)가 삽입되어 있으며, 그 회전축 가이드 상에 기판 지지판(355)가 설치되어 있다. 제 1축 이송대(330)와 제 2축 이송대(350)는 리니어 모터(linear motor)에 의해 움직이며, 회전축 가이드는 기판에 회전 동작을 부여한다. 이와 같이 기판 지지기(300)를 통해 기판(S)을 이송한다.
The substrate holder 300 has the structure described above so that the first axis feed bar 330 slides on two guide rails 310 parallel to each other and the second axis feed bar 350 slides on the first Thereby sliding the axis feed bar 330. A rotation shaft guide (not shown) is inserted into the center of the second axis feeder 350, and a substrate support plate 355 is provided on the rotation shaft guide. The first axis feed bar 330 and the second axis feed bar 350 are moved by a linear motor, and the rotation axis guide imparts rotational motion to the substrate. The substrate S is transferred through the substrate holder 300 as described above.

한편, 본 발명의 변형 예에 따른 기판 처리 장치는 두개의 이송기를 구비하여 공정이 진행될 수 있다. 이에, 하나의 이송기에 의해 이송되는 기판의 공정이 완료된 후, 즉시 다음 기판의 공정을 진행할 수 있어 기판의 수율을 증가시킬 수 있다. Meanwhile, the substrate processing apparatus according to the modified embodiment of the present invention may be provided with two conveyers. Therefore, after the process of the substrate transferred by one conveyor is completed, the next substrate process can be performed immediately, and the yield of the substrate can be increased.

이때, 이송기가 복수개 구비된 기판 처리 장치는 복수의 이송기가 구비되기 때문에, 이송기에 구비되는 흡입노즐의 형성위치가 이송기의 양 측면 중 하나에 형성되어 2개의 이송기의 이동으로 인해 챔버의 부산물을 처리할 수 있다. At this time, since the substrate processing apparatus having a plurality of conveying units is provided with a plurality of conveying units, the forming positions of the suction nozzles included in the conveying unit are formed on one of both sides of the conveying unit, Lt; / RTI >

이에, 본 발명의 변형 예에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 구성요소들은 동일 혹은 유사한 기능을 갖고 변형 예의 기판 처리 장치에 적용될 수 있다.
Therefore, the components included in the substrate processing apparatus according to the modified embodiment of the present invention have the same or similar function and can be applied to the substrate processing apparatus of the modified example.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 배기장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는, 기판의 공정이 수행되는 챔버 내의 부산물을 용이하게 챔버 외부로 배출할 수 있다. 즉, 리드 내측의 상면에 구비된 분사기를 통해 부산물이 상부에 부유하지 않고 하부로 밀려나도록 한다. As described above, the exhaust apparatus and the substrate processing apparatus including the same according to the embodiment of the present invention can easily discharge the by-products in the chamber in which the substrate processing is performed, to the outside of the chamber. That is, the byproducts are prevented from being floated to the upper side through the injector provided on the upper surface of the inside of the reed, so that they are pushed downward.

또한, 분사기에 구비되는 분사노즐은 챔버의 양 측면 방향으로 소정각도를 형성하며 구비되기 때문에 분사노즐을 통해 분사되는 가스가 방향성을 갖고 부산물을 처리할 수 있다. 이에, 챔버 리드 측면에 형성되는 각각의 배출홀을 통해 부산물이 신속하고 용이하게 배출될 수 있다. Also, since the injection nozzle provided in the injector is provided at a predetermined angle in both lateral directions of the chamber, the gas injected through the injection nozzle can direct the by-products. By-products can be quickly and easily discharged through the respective discharge holes formed in the side surface of the chamber lid.

그리고, 기판을 챔버 내에서 이동시키는 이송기의 이송대의 양 측면 하부에 챔버 하부에 잔류하는 부산물을 제거하기 위해 흡입기를 구비하여 흡입노즐로부터 부산물을 흡입하여 챔버 바닥부에 존재하는 부산물을 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 흡입 노즐은 이송기의 이동에 따라 이동할 수 있기 때문에 지정된 위치의 부산물만을 제거하는 것이 아닌 이송기의 이동에 따라 챔버 바닥면의 거의 모든 영역의 부산물을 제거할 수 있다.
An inhaler for removing by-products remaining in the lower portion of the chamber is disposed below both sides of the transfer table of the transfer device for moving the substrate in the chamber. The by-product is sucked from the suction nozzle to easily remove the by- can do. Also, since the suction nozzle can move with the movement of the conveyor, it is possible to remove by-products in almost all areas of the chamber bottom surface in accordance with the movement of the conveyor, rather than only removing the by-

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술 되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the present invention is not limited thereto but is limited by the following claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit of the following claims.

S : 기판 1000 : 기판 처리 장치
100 : 챔버 110 : 하부 블록
130 : 리드 200 : 배기장치
220 : 배기 포트 240 : 분사기
260 : 흡입기 300 : 기판 지지기
400 : 투과창 500 : 레이저 발생부S: substrate 1000: substrate processing apparatus
100: chamber 110: bottom block
130: lead 200: exhaust device
220: exhaust port 240: injector
260: Sucker 300: Substrate holder
400: transmission window 500: laser generator

Claims (13)

기판이 처리되는 내부 공간을 형성하는 챔버;
상기 기판의 처리시 발생되는 부산물을 상기 챔버 외부로 배출시키는 배기장치;
상기 챔버 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지기; 및
상기 기판 지지기 상에 배치된 상기 기판에 레이저 빔을 조사하는 레이저 발생부;를 포함하며,
상기 배기장치는,
상기 챔버 상하부를 제외한 측벽에 형성되며, 상기 측벽에 적어도 하나 이상 구비되는 배기 포트;를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber defining an interior space in which the substrate is processed;
An exhaust device for exhausting by-products generated during the processing of the substrate to the outside of the chamber;
A substrate holder for supporting the substrate in the chamber interior space; And
And a laser generator for irradiating a laser beam onto the substrate disposed on the substrate holder,
In the exhaust device,
And an exhaust port formed on a side wall excluding the upper and lower portions of the chamber, wherein the exhaust port is provided on at least one side wall of the chamber. 청구항 1 에 있어서,
상기 배기포트는 상기 챔버 상하부를 제외한 상기 챔버 측벽 전체에 형성되거나, 상기 챔버 상하부 및 상기 기판의 출입구가 형성된 측벽을 제외한 상기 챔버 측벽 전체에 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the exhaust port is formed on the entire sidewall of the chamber except the upper and lower portions of the chamber, or formed on the entire sidewall of the chamber except the upper and lower portions of the chamber and the sidewall on which the inlet and the outlet of the substrate are formed. 청구항 2 에 있어서,
상기 배기 포트의 상측에 배치되어, 하부로 가스를 분사하는 분사노즐을 구비하는 분사기;를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
And an injector disposed above the exhaust port and having an injection nozzle for injecting a gas downward. 청구항 3 에 있어서,
상기 분사노즐에는 복수개의 분사홀이 형성되고,
상기 분사홀은 상기 챔버의 측벽 방향으로 가스를 분사하도록 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
A plurality of injection holes are formed in the injection nozzle,
Wherein the injection hole is formed to inject gas in a direction of the side wall of the chamber. 청구항 4 에 있어서,
상기 레이저 발생부에서 발생된 레이저 빔이 통과되는 투과창이 상기 챔버 상측에 형성되고,
상기 분사노즐은 상기 투과창을 둘러싸며 배치되는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
A transmission window through which the laser beam generated by the laser generation unit passes is formed on the upper side of the chamber,
Wherein the injection nozzle is disposed so as to surround the transmission window. 청구항 1 에 있어서,
상기 챔버는,
상기 기판 지지기가 상부에 배치되는 하부블럭과;
상기 하부블럭 상부를 커버하여 상기 하부블럭을 밀폐하는 리드;를 포함하고
상기 리드의 상부 측벽을 제외한 측벽 중 적어도 어느 한 측벽에는, 상기 챔버 내부로 기판이 출입가능한 기판 출입구;가 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The chamber may comprise:
A lower block on which the substrate holder is disposed;
And a lid covering the upper portion of the lower block to seal the lower block
Wherein at least one side wall of the sidewall, except the upper sidewall of the lead, is provided with a substrate entry / exit port through which the substrate can enter into the chamber. 청구항 5 에 있어서,
상기 기판 지지기의 양측 하부에는,
상기 챔버 내부 하측에 잔류하는 부산물을 흡입하기 위한 흡입기가 구비되고,
상기 흡입기는,
상기 부산물을 흡입하기 위한 압력을 조절하는 압력조절부와;
상기 부산물이 흡입되는 흡입홀이 형성된 흡입노즐;을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
On both lower sides of the substrate holder,
And an aspirator for sucking the by-products remaining in the lower side of the chamber,
The inhaler includes:
A pressure regulator for regulating a pressure for sucking the by-product;
And a suction nozzle having a suction hole through which the by-product is sucked. 청구항 7 에 있어서,
상기 기판 지지기는,
상기 챔버 내부에서 상기 기판을 이송시킬 수 있는 기판 이송기인 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The substrate holder may include:
Wherein the substrate transfer device is capable of transferring the substrate within the chamber. 청구항 8 에 있어서,
상기 기판 이송기는,
상기 흡입노즐의 양단부에 교차하는 방향으로 배치되고, 제 1축 방향으로 상호 이격된 한 쌍의 가이드 레일과;
상기 가이드 레일 사이를 잇는 제 2축 방향의 길이를 갖고, 상기 흡입노즐과 함께 상기 가이드 레일을 따라 제 1축 방향으로 전후진 슬라이딩되는 제 1축 이송대;
상기 제 1축 이송대의 상부에 배치되며, 제 1축 이송대를 따라 제 2축 방향으로 전후진 슬라이딩되는 제 2축 이송대;
상기 제 2축 이송대의 중앙 내부에 삽입되는 회전축 가이드;
상기 회전축 가이드 상부에 마련되는 기판 지지판;을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The substrate transfer device includes:
A pair of guide rails disposed in a direction crossing both ends of the suction nozzle and spaced apart from each other in the first axial direction;
A first axis feeder having a length in a second axial direction connecting between the guide rails and sliding along the guide rails along the guide rails in the forward and backward directions along the guide rails;
A second axis feeder disposed above the first axis feeder and slidable back and forth in a second axis direction along the first axis feeder;
A rotation shaft guide inserted into the center of the second axis feeder;
And a substrate support plate provided on the rotary shaft guide. 기판을 처리하는 장치에 이용되는 배기장치로서,
상기 기판의 측면에 구비되는 배기 포트와;
상기 기판상에 이격되어 구비되는 적어도 하나 이상의 분사노즐과; 상기 분사노즐로 가스를 공급하는 공급부;를 구비하는 분사기;를 포함하는 배기장치.An exhaust apparatus used in an apparatus for processing a substrate,
An exhaust port provided on a side surface of the substrate;
At least one jet nozzle spaced apart from the substrate; And a supply unit for supplying gas to the injection nozzle. 청구항 10 에 있어서,
상기 배기포트는 상기 기판의 상하부를 제외한 측면 전체에 형성되거나, 상기 기판의 상하부 및 상기 기판의 출입방향을 제외한 상기 기판의 측면 전체에 형성되는 배기장치.The method of claim 10,
Wherein the exhaust port is formed on the entire side surface excluding the upper and lower portions of the substrate, or formed on the entire side surface of the substrate except the upper and lower portions of the substrate and the direction in which the substrate is in and out. 청구항 10 에 있어서,
상기 분사노즐은 일 방향으로 복수 개가 나란하게 배치되는 제1 분사노즐과,
상기 제1 분사노즐의 외측에서 상기 일 방향과 교차하는 타 방향으로 나란하게 배치되는 제2 분사노즐을 포함하고,
상기 분사노즐은 상기 기판의 외측 방향으로 가스를 분사하도록 형성되는 배기장치.The method of claim 10,
Wherein the plurality of injection nozzles are arranged in parallel in one direction,
And a second injection nozzle arranged in parallel to the first spray nozzle at an outer side thereof and in a second direction crossing the first direction,
Wherein the injection nozzle is formed so as to inject gas in an outward direction of the substrate. 청구항 10 에 있어서,
상기 기판의 하부에 이격되어 구비되고, 상기 기판의 하부에 존재하는 부산물을 흡입하는 흡입기가 구비되는 배기장치.The method of claim 10,
And an aspirator which is disposed at a lower portion of the substrate and sucks a by-product present in a lower portion of the substrate.
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