KR20150012859A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20150012859A KR1020130088944A KR20130088944A KR20150012859A KR 20150012859 A KR20150012859 A KR 20150012859A KR 1020130088944 A KR1020130088944 A KR 1020130088944A KR 20130088944 A KR20130088944 A KR 20130088944A KR 20150012859 A KR20150012859 A KR 20150012859A
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 상에 박막을 증착하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 서셉터, 상기 서셉터에 지지된 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 그리고 전자기장을 발생하여 공정가스가 기판을 향하도록 유도시키는 마그네틱부재를 가지는 자력발생유닛을 포함한다. 기판과 대향되게 위치되는 마그네틱 부재가 전자기장을 발생하므로, 기판 상에 공급되는 공정가스의 증착률을 향상시킬 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 박막을 증착하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩이나 발광다이오드(LED)와 같은 집적회로의 제조 공정은 기판에 박막을 증착하는 공정을 포함한다. 최근 반도체 소자가 미세화되고, 고효율 및 고출력의 엘이디(LED)가 개발됨에 따라, 증착 공정 중 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이 각광받고 있다. 금속 유기 화학 기상 증착법은 화학 기상 증착법의 하나로, 유기금속의 열분해 반응을 이용해 기판상에 금속화합물을 퇴적 및 부착시키는 방법이다.
도1은 금속 유기 화학 기상 증착 공정을 수행하는 장치의 일 예를 보여주는 도면이다. 도1을 참조하면, 공정가스는 챔버 내에 공급되고, 이는 기판 상에 증착되어 박막을 형성한다. 그러나 일부 공정가스만이 기판 상에 증착되며, 나머지 공정가스는 기판과 반응하지 않은 채로 배기된다. 이로 인해 기판 상에 증착되는 박막 증착률은 낮고, 기설정 두께의 박막을 형성하기 위해서는 오랜시간동안 공정을 진행해야 한다.
한국 특허 공개번호 제 2011-0114416 호
본 발명은 금속 유기 화학 기상 증착 공정을 효율적으로 수행할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 기판 상에 공급되는 공정가스의 증착률을 향상시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판 상에 박막을 증착하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 서셉터, 상기 서셉터에 지지된 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 그리고 전자기장을 발생하여 공정가스가 기판을 향하도록 유도시키는 마그네틱부재를 가지는 자력발생유닛을 포함한다.
상기 서셉터의 아래에서 상기 서셉터에 지지된 기판을 가열하는 히터를 더 포함하되, 상기 마그네틱 부재는 상기 서셉터와 상기 히터 사이에 위치될 수 있다. 상기 서셉터의 상면에는 상기 기판수용홈은 복수 개로 형성되며, 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 위치되되, 상기 마그네틱 부재는 상기 기판수용홈과 대향되도록 위치될 수 있다. 상기 가스공급유닛은 상기 서셉터의 위에서 공정가스를 분사하는 노즐 및 상기 노즐에 공정가스를 공급하는 가스공급라인을 포함할 수 있다. 상기 마그네틱 부재는 상기 기판수용홈들이 서로 조합된 형상과 대응되는 환형의 링 형상을 가지는 마그네틱을 포함할 수 있다. 상기 마그네틱은 복수 개로 제공되며, 서로 간에 이격되게 위치될 수 있다. 상기 마그네틱은 전자석으로 제공되며, 상기 자력발생유닛은 상기 마그네틱이 전자기장을 발생하도록 상기 마그네틱에 전력을 제공하는 전원을 더 포함할 수 있다. 상기 노즐은 상기 기판수용홈들이 서로 조합되어 형성된 환형의 링보다 작은 직경의 원통 형상을 가지며, 외주면에는 공정가스를 분사하는 분사홀이 복수 개로 형성될 수 있다. 상기 노즐은 상기 서셉터의 상면과 대응되는 크기를 가지는 통 형상으로 제공되며, 저면에는 공정가스를 분사하는 분사홀들이 복수 개로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판과 대향되게 위치되는 마그네틱 부재가 전자기장을 발생하므로, 기판 상에 공급되는 공정가스의 증착률을 향상시킬 수 있다.
도1은 일반적인 금속 유기 화학 기상 증착 공정을 수행하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도3은 도2의 서셉터를 보여주는 평면도이다.
도4는 도2의 기판홀더를 보여주는 단면도이다.
도5는 도2의 가스공급유닛을 보여주는 수직 단면도이다.
도6은 도5의 노즐을 보여주는 수평 단면도이다.
도7은 도2의 가스배기유닛을 보여주는 사시도이다.
도8은 도2의 자력발생유닛을 보여주는 사시도이다.
도9는 도8의 자력발생유닛의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도10은 도2의 기판처리장치의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 따라서 도면에서의 도시된 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
이하, 도2 내지 도10을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
기판처리장치는 기판 상에 박막을 증착하는 공정을 수행한다. 도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리장치는 챔버(200), 기판 지지 유닛(300), 라이너 유닛(400), 히터(500), 가스 공급 유닛(600), 가스 배기 유닛(700), 그리고 자력발생유닛(800)을 포함한다. 챔버(200)는 내부에 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 기판 지지 유닛(300)은 기판(S)을 지지하며, 라이너 유닛(400)은 챔버(200) 내벽을 보호한다. 히터(500)는 기판(S)을 가열한다. 가스 공급 유닛(600)은 기판(S)으로 공정 가스를 공급하고, 가스 배기 유닛(700)은 기판 처리에 제공된 공정 가스를 챔버(200) 외부로 배기한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명한다.
챔버(200)의 내부에는 기판이 처리되는 처리공간이 형성된다. 챔버(200)는 원통 형상을 가지며, 상부벽(210), 측벽(220), 그리고 하부벽(230)이 조합되어 처리 공간을 형성한다. 상부벽(210)은 챔버(200) 내부를 개방할 수 있다. 작업자는 챔버(200) 내부에 제공되는 장치를 유지 보수할 경우, 상부벽(210)을 개방한다. 또한, 챔버(200)에 기판(S)이 출입하는 경우, 상부벽(210)이 개방될 수 있다. 챔버(200)는 내열성이 약한 금속 재질로 제공될 수 있다. 챔버(200)는 스테인레스 재질로 제공될 수 있다.
기판 지지 유닛(300)은 챔버(200) 내부에서 기판(S)을 지지한다. 기판 지지 유닛(300)은 복수 매의 기판(S)을 동시에 지지할 수 있다. 실시예에 의하면, 기판 지지 유닛(300)은 서셉터(310), 기판 홀더(320), 그리고 서셉터 구동부(330)를 포함한다.
도3은 도2의 서셉터를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도3을 참조하면, 서셉터(310)는 챔버(200) 내부에 위치한다. 서셉터(310)는 소정 두께를 갖는 원판으로, 상면이 저면보다 큰 반경을 가지고, 측면이 하향 경사질 수 있다. 도 3과 같이, 서셉터(310)의 상면에는 중앙홈(311) 및 기판 수용홈(312)이 형성된다. 중앙홈(311) 및 기판 수용홈(312) 각각은 원형 홈으로, 소정 깊이로 형성될 수 있다. 중앙홈(311)은 서셉터(310)의 상면 중앙영역에 형성된다. 중앙홈(311)에는 노즐(610)의 끝단이 위치될 수 있다.
기판 수용홈(312)은 복수 개로 제공된다. 기판 수용홈(312)들은 서셉터(310)의 상면 가장자리영역에 형성된다. 기판 수용홈(312)들은 중앙홈(311)의 주변에 형성된다. 기판 수용홈(312)들은 다양한 형상으로 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 기판 수용홈들(312)은 10 개로 제공되며, 각각은 서로 조합하여 링 형상으로 배치될 수 있다. 각각의 기판 수용홈들(312)은 중앙홈(311)으로부터 거리가 동일하게 제공될 수 있다. 서로 인접한 기판 수용홈들(312) 간에 간격은 동일하게 제공될 수 있다.
기판 수용홈(312)들의 바닥면에는 돌기(313), 분사홀(314), 그리고 안내홈(315)이 형성된다. 돌기(313)는 기판 수용홈(312)의 바닥면 중앙에서 소정 높이로 돌출된다. 분사홀(314)은 돌기(313) 주변에 복수 개 형성된다. 분사홀(314)들은 가스를 공급하는 가스 공급 유로(317)들과 연결되며, 가스를 분사한다. 분사된 가스는 기판 수용홈(312)에 놓인 기판 홀더(320)을 부양시킨다.
안내홈(315)은 분사홀(314)에서 분사된 가스의 흐름을 안내한다. 안내홈(315)은 분사홀(314)들에 각각 연결된다. 안내홈(315)은 소정 길이를 가지며, 라운드지게 제공된다. 분사홀(314)에서 분사된 가스는 안내홈(315)을 따라 이동하며, 부양된 기판 홀더(320)을 회전시킨다.
서셉터 구동부(330)는 서셉터(310)를 회전 및 승강시킨다. 서셉터 구동부(330)는 회전축(331) 및 모터(332)를 포함한다. 회전축(331)은 서셉터(310)의 하부에서 서셉터(310)를 지지한다. 모터(332)는 회전축(331)을 회전 및 승강시킨다. 실시예에 의하면, 기판 홀더(320)가 회전되는 동안, 모터(332)는 서셉터(310)를 회전시킬 수 있다.
도4는 도2의 기판홀더를 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 기판 홀더(320)는 두께가 얇은 원판으로 기판 수용홈(312)에 수용된다. 기판 홀더(320)의 상면에는 안착홈(321)이 형성된다. 안착홈(321)은 소정 깊이로 형성되며, 기판(S)을 수용한다. 안착홈은 기판홀더의 내측면과 바닥면에 의해 정의될 수 있다. 일 예에 의하면, 안착홈은 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 안착홈(321)은 기판(S)의 반경에 상응하거나 그보다 큰 반경을 가질 수 있다. 기판 홀더(320)의 저면에는 고정홈(322)이 형성된다. 고정홈(322)에는 기판 수용홈(312)의 바닥면에 형성된 돌기(313)가 삽입 가능하다. 기판 홀더(320)는 전기 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 기판 홀더(320)는 흑연 재질로 제공될 수 있다. 기판 홀더(320)는 복수 개 제공되며, 기판 수용홈(312)들 각각에 수용된다.
다시 도2를 참조하면, 라이너 유닛(400)은 챔버(200) 내부에 위치하며, 챔버(200) 내벽을 보호한다. 라이너 유닛(400)은 챔버(200) 내벽에 공정 가스가 부착되거나, 챔버(200) 내벽과 공정 가스가 반응하는 것을 차단한다. 라이너 유닛(400)은 상부 라이너(410), 측부 라이너(420), 그리고 체결 부재(430)를 포함한다.
상부 라이너(410)는 두께가 얇은 판으로, 서셉터(310)의 상부에서 서셉터(310)의 상면과 나란하게 배치된다. 상부 라이너(410)는 챔버(200)의 상부벽(210)으로부터 소정 거리 이격하여 위치한다. 상부 라이너(410)는 서셉터(310)의 상면보다 큰 면적을 가진다. 실시예에 의하면, 상부 라이너(410)는 원판이며, 서셉터(310)의 상면보다 큰 반경을 가진다. 상부 라이너(410)의 중심에는 삽입공이 형성된다. 삽입공에는 노즐(610)이 위치한다.
측부 라이너(420)는 상·저면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된 통 형상을 가진다. 측부 라이너(420)는 상부 라이너(410)의 하부에서 상부 라이너(410)를 지지한다. 측부 라이너(420)는 상부 라이너(410)에 상응하는 반경을 가지며, 상단에 상부 라이너(410)가 놓인다. 측부 라이너(420)는 서셉터(310)의 주변을 에워싸도록 배치된다. 상부 라이너(410)와 측부 라이너(420)에 의해 구획되는 공간은 기판에 대한 공정 처리가 수행되는 처리 공간(422)으로 제공된다.
상부 라이너(410)와 측부 라이너(420)는 챔버(200)보다 내열성이 우수한 재질로 제공된다. 상부 라이너(410)와 측부 라이너(420)는 그라파이트 재질로 제공될 수 있다.
체결 부재(430)는 상부 라이너(410)를 챔버(200)의 상부벽(210)에 고정시킨다. 체결 부재(430)는 플랜지(431)와 볼트(432)를 포함한다. 플랜지(431)는 삽입공이 형성된 상부 라이너(410)의 내측단에 고정 체결된다. 볼트(432)는 챔버(200)의 상부벽(210)과 플랜지(431)를 체결한다. 체결 부재(430)에 의하여, 상부 라이너(410)와 챔버(200)의 상부벽(210)과 일체로 이동한다. 상부벽(210)이 챔버(200)의 내부를 개방하는 경우, 상부 라이너(410)는 상부벽(210)과 함께 이동한다.
히터(500)는 서셉터(310)의 아래에 위치한다. 히터(500)는 서셉터(310)의 저면으로부터 소정 거리 이격된다. 히터(500)는 코일로 제공되며, 동일 높이에서 나선 형상으로 회전축(331) 주변에 복수 회 감긴다. 히터(500)에서 발생된 열은 서셉터(310)와 기판 홀더(320)를 통해 기판(S)으로 전달되며, 기판(S)을 가열한다. 히터(500)는 기판(S)을 고온으로 가열한다. 실시예에 의하면, 기판(S)은 700℃ 내지 1300℃로 가열될 수 있다.
가스 공급 유닛(600)은 상부 라이너(410)와 서셉터(310) 사이 공간으로 퍼지 가스 및 이온화된 공정가스를 공급한다.
도5은 도2의 가스 공급 유닛을 나타내는 단면도이고, 도6은 도5의 노즐을 나타내는 수평 단면도이다. 도5 및 도6을 참조하면, 가스 공급 유닛(600)은 노즐(610), 제1가스 공급라인(641), 제2가스 공급라인(642), 그리고 퍼지 가스 공급라인(643)을 포함한다.
노즐(610)은 챔버(200)의 상부벽(210) 중앙으로부터 아래로 제공되며, 그 끝단이 서셉터(310)의 중앙홈(311)에 위치한다. 노즐(610)은 상단이 챔버(200)의 상부벽(210)에 걸쳐 지지될 수 있다. 노즐(610)의 내부는 복수의 공간으로 구획되어 형성된다. 실시예에 의하면, 노즐(610)이 내부에는 3개의 공간(611 내지 613)이 형성된다. 제1공간(611)은 노즐(610)의 중앙영역에 형성된다. 제2공간(612)은 제1공간(611)의 둘레를 따라 링 형상으로 형성된다. 제3공간(613)은 제2공간(612)의 둘레를 따라 링 형상으로 형성된다. 제1 내지 제3공간(611 내지 613)은 구획벽에 의해 구획되며 서로 간에 차단된다.
노즐(610)의 측벽에는 퍼지가스 분사구(621, 622)와 공정가스 분사구(623 내지 625)가 형성될 수 있다.
퍼지가스 분사구(621, 622)는 상부 라이너(410)에 인접한 노즐(610) 영역과 노즐(610) 끝단에 인접한 영역에 각각 형성될 수 있다. 퍼지가스 분사구(621, 622)는 노즐(610) 둘레를 따라 복수 개 형성된다. 퍼지가스 분사구(621, 622)는 제3공간(613)과 연통된다. 제3공간(613)에 공급된 퍼지 가스는 퍼지 가스 분사구(621, 622)들을 통해 처리 공간(422)으로 분사된다. 일 예에 의하면, 노즐(610) 끝단에 인접한 영역에 형성된 퍼지가스 분사구(622)는 중앙홈(311) 내에 위치될 수 있다.
공정 가스 분사구(623 내지 625)는 제1가스를 분사하는 제1가스 분사구(623)와, 제2가스를 분사하는 제2가스 분사구(624, 625)로 구분된다. 제1가스 분사구(623)는 상부에 형성된 퍼지 가스 분사구(621)들과 하부에 형성된 퍼지 가스 분사구(622)들 사이에 형성된다. 제1가스 분사구(623)는 노즐(610)의 둘레를 따라 복수 개 형성된다. 제1가스 분사구(623)는 제1내관(631)을 통해 제1공간(611)과 연통된다. 제1내관(631)은 복수 개가 제1공간(611)을 중심으로 방사상으로 배치되며, 제1가스 분사구(623)들 각각과 연결된다. 제1공간(611)으로 공급된 제1가스는 제1내관(631)과 제1가스 분사구(623)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(422)으로 분사된다.
제2가스 분사구(624, 625)는 상부에 형성된 퍼지 가스 분사구(621)들과 제1가스 분사구(623)들 사이 영역, 그리고 제1가스 분사구(623)들과 하부에 형성된 퍼지 가스 분사구(622)들 사이 영역에 각각 형성된다. 제2가스 분사구(624, 625)는 노즐(610)의 둘레를 따라 복수 개 형성된다. 제2가스 분사구(624, 625)는 제2내관(632, 633)을 통해 제2공간(612)과 연통된다. 제2내관(632, 633)은 복수 개가 제2공간(612)을 중심으로 방사상으로 배치되며, 제2가스 분사구(624, 625)들 각각과 연결된다. 제2공간(612)으로 공급된 제2가스는 제2내관(632, 625)과 제2가스 분사구(624, 625)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(422)으로 분사된다. 제1가스 분사구(623)와 제2가스 분사구(624, 625)에서 분사된 제1 및 제2가스는 처리 공간(422)에서 혼합되고 기판(S)에 증착된다.
제1가스 공급라인(641)은 노즐(610)의 상단에서 제1공간(611)과 연결된다. 제1가스 공급라인(641)은 제1공간(611)으로 제1가스를 공급한다. 제1가스는 유기금속인 Ⅲ족 원소의 가스일 수 있다. 제1가스는 트리메틸갈륨(TMG) 또는 트리메틸알루미늄(TMA)일 수 있다.
제2가스 공급라인(642)은 노즐(610)의 상단에서 제2공간(612)과 연결될 수 있다. 제2가스 공급 라인(642)은 제2공간(612)으로 제2가스를 공급한다. 제2가스는 V족원소가 수소화물로서 제공될 수 있다. 제2가스는 포스핀(PH3), 수소화비소(AsH3), 또는 암모니아(NH3)일 수 있다.
퍼지 가스 공급라인(643)은 노즐(610)의 상단에서 제3공간(613)과 연결될 수 있다. 퍼지 가스 공급라인(643)은 제3공간(613)으로 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지가스는 질소가스(N2)일 수 있다.
가스 배기 유닛(700)은 기판(S) 처리 후 처리 공간(422)에 머무르는 가스를 챔버(200) 외부로 배기한다. 도7는 도2의 가스 배기 유닛을 나타내는 사시도이다. 도2 및 도7을 참조하면, 가스 배기 유닛(700)은 배기판(710), 배기관(720), 탄성 부재(730)를 포함한다. 배기판(710)은 링 형상의 판으로, 서셉터(310)의 둘레를 따라 제공된다. 배기판(710)의 상면은 서셉터(31)의 상면에 상응하거나 그보다 낮게 위치할 수 있다. 배기판(710)의 상면에는 측부 라이너(420)가 놓인다. 배기판(710)의 상면 영역 중 측부 라이너(420)가 놓인 영역 내측에는 배기홀(711)이 형성된다. 배기홀(711)은 배기판(710)의 상면을 따라 복수 개 형성된다.
배기판(710)의 내부에는 배기 유로(712)가 형성된다. 배기 유로(712)는 배기판(710)의 둘레를 따라 링 형상으로 형성되며, 배기홀(711)들과 연통된다.
배기관(720)은 배기판(710)의 저면과 연결되며, 배기 유로(712)와 연통된다. 실시예에 의하면, 배기관(720)은 복수 개 제공되며, 서로 상이한 위치에서 배기판(710)과 결합된다. 배기관(720)들은 단계별로 합쳐져 중간 배기관(721)으로 연결되고, 중간 배기관(721)들은 하나의 메인 배기관(722)으로 합쳐진다. 메인 배기관(722)에는 진공 펌프(미도시)가 설치된다. 실시예에 의하면, 배기관(720)들은 4개 지점에서 배기판(710)과 연결되고, 한 쌍씩 중간 배기관(721)으로 합쳐진다. 그리고 2개의 중간 배기관(721)은 메인 배기관(722)으로 합쳐진다.
진공 펌프에서 인가된 진공압은 메인 배기관(722), 중간 배기관(721), 배기관(720), 그리고 배기 유로(712)를 순차적으로 거쳐 배기홀(711)들 각각에 인가된다. 진공압은 배기 유로(712)를 거치므로, 배기홀(711)들 각각에는 진공압이 균일하게 인가될 수 있다. 배기홀(711)들에 인가된 진공압은 처리 공간(422)에 인가되며, 처리 공간(422)에 머무르는 가스는 배기홀(711)들로 유입된다. 가스는 배기홀(711)들 각각에 균일하게 유입될 수 있다.
탄성 부재(730)는 배기판(710)의 저면에 제공된다. 탄성 부재(730)는 배기판(710)에 힘이 가해지는 경우, 배기판(710)에 탄성력을 인가한다. 예컨대, 배기판(710)의 상면에 측부 라이너(420)가 놓이거나, 상부 라이너(410)가 개방되는 경우, 탄성력을 제공하여 배기판(710)을 안정적으로 지지한다. 탄성 부재(730)는 스프링이 제공될 수 있다. 스프링(730)은 배기판(710)의 둘레를 따라 복수 개 제공될 수 있다.
자력발생유닛(800)은 노즐로부터 분사된 공정가스를 기판으로 유도한다. 도8은 도2의 자력발생유닛을 보여주는 사시도이다. 도8을 참조하면, 자력발생유닛(800)은 마그네틱부재(820) 및 전원(840)을 포함한다. 마그네틱 부재(820)는 전자기장을 발생하여 공정가스가 기판(S)을 향하도록 공정가스의 흐름을 유도한다. 예컨대, 마그네틱 부재(820)는 전자석으로 제공될 수 있다. 마그네틱 부재(820)는 서셉터(310)와 히터(500) 사이에서 서셉터(310)와 대향되게 위치될 수 있다. 마그네틱 부재(820)는 회전축(331)을 감싸도록 제공된다. 마그네틱 부재(820)는 복수 개의 마그네틱(822)으로 제공된다. 각각의 마그네틱(822)은 동일 수평면 상에서 서로 이격되게 위치된다. 각각의 마그네틱(822)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 마그네틱들(822)은 기판수용홈(311)들의 수직 하향된 위치에 제공될 수 있다. 전원(840)은 각각의 마그네틱(822)에 전력을 제공한다. 전원(840)으로부터 인가된 전력으로 인해 마그네틱(822)은 전자기장을 발생할 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 마그네틱(822)은 기판(S)과 대향된 위치에서 전자기장을 발생한다. 공정가스는 히터(500)에 의해 가열된 처리공간(422)에서 이온화되고, 전자기장에 의해 기판(S)이 위치된 영역으로 유도될 수 있다. 이로 인해 기판(S) 상에 공정가스의 증착률을 보다 향상될 수 있으며, 박막 증착 공정의 러닝타임을 감소될 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 마그네틱 부재(820)는 복수 개의 마그네틱들(822)을 포함하는 것을 설명하였다. 그러나 마그네틱 부재(820)는 하나의 마그네틱(824)으로 제공될 수 있다. 도 9과 같이, 마그네틱(824)은 환형의 링 형상을 가질 수 있다.
또한 가스공급유닛(600)의 노즐(610)은 외주면에 분사구(621,623,625)가 형성되는 인젝터 타입의 분사부재로 설명하였다. 그러나 도 10과 같이, 노즐(610a)은 샤워헤드 타입의 분사부재로 제공될 수 있다. 노즐(610a)은 서셉터(310)와 대응되는 크기를 가지는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 노즐(610a)의 저면에는 복수의 분사구들(621a)이 형성될 수 있다.
또한 마그네틱 부재(820)는 전원으로부터 전력을 인가받아 전자기장을 형성하는 것을 설명하였다. 그러나 마그네틱 부재(820)는 영구자석으로 제공되어 별도의 전력을 인가받지 않고, 공정가스를 유도할 수 있다.
200: 챔버 310: 서셉터
600: 가스공급유닛 800: 자력발생유닛
820: 마그네틱부재 840: 전원

Claims (2)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 챔버와;
    상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 서셉터와
    상기 서셉터에 지지된 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급유닛과;
    전자기장을 발생하여 공정가스가 기판을 향하도록 유도시키는 마그네틱부재를 가지는 자력발생유닛을 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터의 아래에서 상기 서셉터에 지지된 기판을 가열하는 히터를 더 포함하되,
    상기 마그네틱 부재는 상기 서셉터와 상기 히터 사이에 위치되는 기판처리장치.
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