KR20150078650A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20150078650A
KR20150078650A KR1020130168221A KR20130168221A KR20150078650A KR 20150078650 A KR20150078650 A KR 20150078650A KR 1020130168221 A KR1020130168221 A KR 1020130168221A KR 20130168221 A KR20130168221 A KR 20130168221A KR 20150078650 A KR20150078650 A KR 20150078650A
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송준호
이명진
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세메스 주식회사
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    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 챔버, 기판 지지 유닛, 가열 유닛, 퍼지 가스 공급 유닛, 차단판, 더미 플레이트 등을 포함한다. 더미 플레이트는 차단판 상면에 제공된다. 더미 플레이트와 차단판 사이에 간격을 형성함으로써, 더미플레이트를 통해 서셉터의 열이 빠져나가는 것을 최소화하고, 퍼지가스가 서셉터의 측면에 인접해 흐르는 양을 줄여 서셉터의 온도 저하를 방지함으로써, 서셉터의 온도 균일도와 에너지 효율을 개선한다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩이나 발광다이오드(LED)와 같은 집적회로의 제조 공정은 기판에 박막을 증착하는 공정을 포함한다. 최근 반도체 소자가 미세화되고, 고효율 및 고출력의 엘이디(LED)가 개발됨에 따라, 증착 공정 중 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이 각광받고 있다. 금속 유기 화학 기상 증착법은 화학 기상 증착법의 하나로, 유기금속의 열분해 반응을 이용해 기판상에 금속화합물을 퇴적 및 부착시키는 방법이다.
도1은 금속 유기 화학 기상 증착을 수행하는 장치를 보여주는 일 예로써, 도 1을 참조하면, 더미 플레이트(1)가 차단판(3) 상면에 제공되는 경우, 더미 플레이트(1)가 가열유닛으로부터 일부 유도되어 발생된 열이, 접촉되어 있는 차단판(3)으로 전달되며, 이로 인해 서셉터(2)의 열은 더미 플레이트(1)로 전달된다. 이에 따라 서셉터(2)의 온도가 떨어져 에너지 효율이 저하되고 서셉터(2)의 온도 균일도가 저하된다.
또한, 더미 플레이트(1)와 서셉터(2) 사이 공간으로 퍼지 가스가 상승하면서 서셉터(2) 가장자리 부분의 온도를 떨어뜨린다.
본 발명은 더미 플레이트를 통해 서셉터로부터 빠져나가는 열을 최소화하고, 퍼지가스로 인한 서셉터 가장자부의 온도 저하를 최소화하여 서셉터의 온도 균일도와 에너지 효율을 개선할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 챔버와; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판지지유닛과; 상기 챔버 내에서 상기 기판지지유닛의 하부에 위치하며, 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과; 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스공급유닛과; 상기 기판지지유닛과 상기 가열 유닛 사이에 위치되며, 상기 챔버 내부를 기판에 대해 처리가 이루어지는 상부 공간과 상기 가열 유닛이 위치된 하부 공간으로 분리하는 차단판과; 상기 차단판의 가장자리 영역 상부에 배치되며, 상기 서셉터를 둘러싸도록 제공된 더미 플레이트;를 포함하되, 상기 더미 플레이트와 상기 차단판 사이에는 간격이 제공된다.
또한, 상기 더미 플레이트는 상기 서셉터와의 사이에 사이 공간이 생기도록 배치되고, 상기 차단판과 상기 서셉터 사이에 틈새 공간이 생기도록 배치되며, 상기 간격, 상기 사이 공간 및 상기 틈새 공간은 서로 통하도록 제공된다.
또한, 상기 간격은, 상기 더미 플레이트와 상기 차단판 사이에 제공된 스페이서에 의해 형성되고, 상기 스페이서는 쿼츠를 포함하는 재질로 제공되며, 복수개 제공되고, 원통형으로 제공된 기판 처리 장치.
또한, 상기 더미 플레이트는, 서로 상기 기판지지유닛을 둘러싸도록 복수개 제공되고, 상기 스페이서는, 각각의 상기 더미 플레이트와 상기 차단판 사이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 더미 플레이트를 정렬시키는 정렬핀을 더 포함하고, 상기 더미 플레이트와 상기 차단판 중 적어도 하나에는 정렬핀이 삽입되는 정렬홀이 형성된다.
또한, 상기 스페이서는, 그 중심에 상기 정렬핀이 관통하는 핀 삽입홀 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 간격은, 상기 더미플레이트의 하면에 제공된 돌출부에 의해 제공된다.
또한, 상기 돌출부는 상기 더미 플레이트의 양 측부에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명은 더미 플레이트와 차단판 사이에 간격을 형성시켜 서셉터로부터 더미 플레이트로 빠져나가는 열을 최소화하고, 퍼지 가스의 일부를 상기 간격으로 흐르게 함으로써 서셉터 가장자리 부분의 온도 저하를 최소화 하여 서셉터의 온도 균일도 및 에너지 효율을 개선시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 다른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 서셉터를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 기판홀더를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2의 더미 플레이트가 상부 차단판 상면에 놓인 모습을 보여주는 평면도이다.
도 6은 스페이서와 정렬핀을 보여주는 사시도이다.
도 7은 정렬홀이 제공된 더미 플레이트의 저면을 보여주는 저면도이다.
도 8은 정렬핀이 스페이서를 관통하도록 더미플레이트와 상부 차단판 사이에 제공된 모습을 보여주는 단면도이다.
도 9는 정렬핀과 스페이서가 독립적으로 더미플레이트와 상부 차단판 사이에 제공된 모습을 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 엘이디(LED) 제조용 금속 유기 화학 기상 증착 장치이고, 기판은 사파이어 및 실리콘카바이드 기판일 수 있다. 이와 달리, 기판 처리 장치는 반도체 칩 제조용 화학 기상 증착 장치이고, 기판은 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버(200), 기판 지지 유닛(300), 가열 유닛(400), 차단판(500), 가스 공급 유닛(600), 퍼지 가스 공급 유닛(700) 그리고 더미 플레이트(101)를 포함한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 각 구성에 대해 상세히 설명한다.
챔버(200)는 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(200)는 직육면체의 통 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(200)는 상부벽(210), 측벽(230), 그리고 하부벽(240)을 가진다. 챔버(200)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가진다. 상부벽(210)은 내부를 개폐할 수 있는 구조로 제공될 수 있다. 작업자는 상부벽(210)을 개방하여 챔버(200) 내부에 제공되는 구조물을 유지 보수할 수 있다. 또한, 작업자는 상부벽(210)을 개방하여 챔버(200)로 기판(S)을 반입하거나, 챔버(200)로부터 기판을 반출할 수 있다. 챔버(200)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 챔버(200)는 스테인레스(stainless) 재질로 제공될 수 있다.
도 3은 도 2의 기판 지지 유닛(300)의 일 예를 보여주는 평면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 지지 유닛(300)은 챔버(200) 내부에서 기판(S)을 지지한다. 기판 지지 유닛(300)은 복수 매의 기판(S)을 동시에 지지한다. 기판 지지 유닛(300)은 서셉터(320), 기판 지지판(340), 가스 공급 라인(360), 그리고 서셉터 구동부(380)를 포함한다.
서셉터(320)는 챔버(200) 내부에 위치한다. 서셉터(320)는 기판(S)을 지지한다. 서셉터(320)는 대체로 원기둥 형상을 가진다. 서셉터(320)의 상면에는 복수의 기판 지지판 수용홈(322)이 제공된다. 기판 지지판 수용홈(322)은 원형 홈으로 제공될 수 있다. 기판 지지판 수용홈(322)들에는 기판 지지판(340)이 놓인다. 일 예에 의하면, 기판 지지판 수용홈(322)은 서셉터(320)의 상면 가장자리 영역에 제공된다. 기판 지지판 수용홈(322)들은 서로 조합하여 링 형상으로 배치될 수 있다.
기판 지지판 수용홈(322)들의 바닥면에는 돌기(323), 분사홀(324), 그리고 안내홈(325)이 형성된다. 돌기(323)는 기판 지지판 수용홈(322)의 바닥면 중앙에서 소정 높이로 돌출된다. 분사홀(324)은 돌기(323) 주변에 복수 개 형성된다. 분사홀(324)들은 가스를 공급하는 가스 공급 라인(360)들과 연결된다. 가스 공급 라인(360)들은 기판 지지판(340)의 하부에 배치된다. 분사홀(324)들로부터 분사된 가스는 기판 지지판 수용홈(322)에 놓인 기판 지지판(340)을 부양시킨다. 안내홈(325)은 복수 개 형성되며, 분사홀(324)들과 각각 연결된다. 안내홈(325)은 소정 길이를 가지며 라운드지게 제공된다. 안내홈(325)은 분사홀(324)에서 분사된 가스의 흐름을 안내한다. 가스는 안내홈(325)을 따라 이동하며, 부양된 기판 지지판(340)을 회전시킨다. 상술한 바와 달리 기판 지지판은 장치에 제공되지 않고, 기판 지지판 수용홈(322)에는 기판이 직접 놓일 수 있다.
서셉터(320)의 상면 중앙영역에는 중앙홈(321)이 형성된다. 중앙홈(321)에는 노즐(620)의 끝단이 위치될 수 있다.
서셉터 구동부(380)는 서셉터(320)의 하부에 위치한다. 서셉터 구동부(380)는 서셉터(320)를 지지, 회전 및 승강시킨다. 서셉터 구동부(380)는 회전축(381) 및 모터(382)를 포함한다. 회전축(381)은 서셉터(320)의 하부에서 서셉터(320)를 지지한다. 모터(382)는 회전축(381)을 회전시킨다. 일 예에 의하면, 모터(382)는 기판 지지판(340)이 회전되는 동안, 서셉터(320)를 회전시킬 수 있다.
도 4는 도 2의 기판 지지판(340)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 2 및 도 4을 참조하면, 기판 지지판(340)은 두께가 얇은 원판 형상을 가진다. 기판 지지판(340)은 공정 진행시 기판 지지판 수용홈(322)에 수용된다. 기판 지지판(340)의 상면에는 기판 수용홈(341)이 형성된다. 기판 수용홈(341)은 소정 깊이로 형성되며, 기판(S)을 수용한다. 기판 수용홈(341)은 기판(S)의 반경에 상응하거나 그보다 조금 큰 반경을 가질 수 있다. 기판 지지판(340)의 저면에는 고정홈(342)이 형성된다. 고정홈(342)에는 기판 지지판 수용홈(322)의 바닥면에 형성된 돌기(323)가 삽입된다. 기판 지지판(340)은 전기 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 지지판(340)은 흑연 재질로 제공될 수 있다. 기판 지지판(340)은 복수 개 제공되며, 하나의 기판 지지판(340)은 하나의 기판 지지판 수용홈(322)에 수용된다.
상술한 바와 달리 기판 지지판(340)에는 고정홈(342)이 제공되지 않고, 기판(S)은 기판 지지판(340)의 상면에 직접 놓일 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리 하나의 기판 지지판(340)에는 복수의 기판(S)이 동시에 놓일 수 있다.
가열 유닛(400)은 서셉터(320)의 하부에 위치한다. 가열 유닛(400)은 서셉터(320)의 하면으로부터 소정 거리 이격된다. 가열 유닛(400)은 코일로 제공될 수 있다. 코일은 동일 높이에서 나선 형상으로 회전축(381) 주변에 복수 회 감기도록 제공될 수 있다. 가열 유닛(400)에서 발생된 열은 서셉터(320)와 기판 지지판(340)을 통해 기판(S)으로 전달되며, 기판(S)을 가열한다. 가열 유닛(400)은 공정 진행시 챔버(200) 내부를 공정 온도로 유지한다. 일 예에 의하면, 기판(S)은 가열 유닛(400)에 의해 700? 내지 1300?로 가열될 수 있다.
차단판(500)은 상부 차단판(500a)과 측부 차단판(500b)을 포함한다. 상부 차단판(500a)은 서셉터(320)와 가열 유닛(400) 사이에 길이방향으로 배치된다. 측부 차단판(500b)은 상부 차단판(500a)과 가스 배기 유닛(900)의 내측면의 사이에 높이방향으로 배치된다. 차단판(500)은 처리 공간을 제1 공간(220a)과 제2 공간(220b)로 구획한다. 제1 공간(220a)은 기판(S)이 배치되어 처리 공정이 수행되는 공간이다. 제2 공간(220b)에는 가열 유닛(400)이 배치된다. 처리 공정이 진행되는 동안 발생되는 공정 가스 및 공정 부산물(이하, 공정 가스 등)은 가열 유닛(400)에 부착되어 가열 유닛(400)을 산화시키거나 파티클(particle)로 작용할 수 있다. 차단판(500)은 공정 가스 등이 제2 공간(220b) 내로 유입되는 것을 차단한다.
가스 공급 유닛(600)은 제1 공간(220a)으로 반응 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(600)은 노즐(620)과 반응 가스 분사구(640)를 포함한다.
노즐(620)은 서셉터(320)의 중앙영역과 대향되게 위치한다. 노즐(620)은 챔버(200)의 상부벽(210) 중앙에 장착된다. 노즐(620)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 배치된다. 따라서 노즐(620)은 그 길이방향이 서셉터(320)의 상면에 수직하게 배치된다. 일 예에 의하면, 노즐(620)은 서셉터(320)의 중심축 상에 놓일 수 있다. 노즐(620)의 끝단은 서셉터(320)의 중앙홈(321)에 위치한다. 노즐(620)의 상단은 챔버(200)의 상부벽(210)에 의해 지지될 수 있다. 노즐(620)은 내부에 복수 개로 구획된 공간을 가질 수 있다. 각각의 구획된 공간에는 다른 종류의 반응 가스가 공급될 수 있다.
노즐(620)의 측면에는 복수의 반응 가스 분사구(640)들이 형성된다. 반응 가스 분사구(640)들은 서로 다른 높이에 제공된다. 반응 가스 분사구(640)들은 각각 위에서 아래로 순차적으로 제공될 수 있다. 반응 가스 분사구(640)들은 각각 복수의 홀로 제공될 수 있다. 홀은 원형으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반응 가스 분사구(640)들은 각각 일정 높이에서 노즐(620)의 측벽을 따라 제공되어, 전체적으로 링 형상으로 배치될 수 있다. 반응 가스 분사구(640)들은 제1 공간(220a)으로 반응 가스를 공급한다. 각각의 반응 가스 분사구(640)들에서는 다른 종류의 반응 가스가 분사될 수 있다. 다른 종류의 반응 가스는 서로 반응하여 기판(S) 상에 증착된다.
퍼지 가스 공급 유닛(700)은 퍼지가스 공급라인(720)과 조절 밸브(730)을 포함한다. 서셉터(320)와 상부 차단판(500a) 사이에는 틈새 공간(220c)이 형성될 수 있다. 틈새 공간(220c)은 서셉터(320)의 하부와 상부 차단판(500a)의 상부에서 형성된다. 틈새 공간(220c)은 서셉터(320)의 회전 등 기판 처리 장치의 구조적 또는 기능적인 면으로 인해 형성될 수 있다. 틈새 공간(220c)은 서셉터(320)의 반경 방향의 외측단에서 제1 공간(220a)과 통하게 제공된다. 또한, 틈새 공간(220c)은 서셉터(320)의 내측단에서 제2 공간(220b)과 통하게 제공된다. 따라서 공정 가스 등은 틈새 공간(220c)을 통해 제2 공간(220b)으로 유입될 수 있다. 공정 가스 등은 상부 차단판(500a)과 제2 공간(220b)에 제공될 수 있다. 유입된 공정 가스 등은 상부 차단판(500a)에서 증착(deposition)되거나, 고온에 의한 변색 등의 문제를 발생시킨다. 더불어, 제2 공간(220b)에 위치하는 가열 유닛(400)에 부착되어 산화 등의 문제를 야기할 수 있다.
퍼지가스 공급라인(720)은 제2 공간(220b)을 통해 틈새 공간(220c)으로 퍼지 가스를 공급한다. 도 2의 챔버(200) 하부 영역의 실선 화살표는 퍼지가스 공급라인(720)을 통해 공급된 퍼지 가스의 흐름을 도시한 것이다. 퍼지가스 공급라인(720)은 서셉터 지지부(380)의 측면에 배치될 수 있다. 퍼지가스 공급라인(720)은 챔버(200)의 하부벽(240)을 관통하여 제2 공간(220b)으로 연결된다. 퍼지 가스 공급 라인(720)에 의한 제2 공간(220b)을 거친 퍼지 가스의 공급 방향은 서셉터(320)의 반경 방향과 평행하게 틈새 공간(220c)으로 공급한다. 퍼지 가스(purge gas)는 불활성이며 화학적으로도 안정된 질소(N2)나 수소(H2) 등이 이용될 수 있다.
기판 처리 장치는 퍼지가스 공급라인(720)을 통해 틈새 공간(220c)에 퍼지 가스를 공급함으로써, 제2 공간(220b) 및 틈새 공간(220c)에 공정 가스 등이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 퍼지가스 공급라인(720)에서 분사되는 퍼지 가스는 틈새 공간(220c)을 고압의 상태로 유지하여 공정 가스 등이 유입되는 것을 차단한다.
챔버(200) 외부의 퍼지가스 공급라인(720)에는 퍼지가스의 공급량을 조절할 수 있는 조절밸브(730)가 배치될 수 있다. 조절밸브(730)는 챔버(200)내 온도, 압력 또는 회전속도 등에 따라 퍼지가스의 공급량을 서로 독립적으로 조절할 수 있다.
라이너 유닛(800)은 공정 진행시 반응 부산물이 챔버(200) 내벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너 유닛(800)은 챔버(200) 내부에 위치하며, 챔버(200) 내벽을 보호한다. 라이너 유닛(800)은 챔버(200) 내벽에 반응 가스가 부착되거나, 챔버(200) 내벽이 손상되는 것을 방지한다. 라이너 유닛(800)은 상부 라이너(810)와 측부 라이너(820)를 포함한다.
상부 라이너(810)는 두께가 얇은 판 형상을 가진다. 상부 라이너(810)는 서셉터(320)의 상부에서 서셉터(320)의 상면과 나란하게 배치된다. 상부 라이너(810)는 챔버(200)의 상부벽(210)으로부터 아래 방향으로 이격하여 위치한다. 상부 라이너(810)는 서셉터(320)의 상면보다 큰 면적을 가진다. 상부 라이너(810)의 중심에는 통공이 형성된다. 통공에는 노즐(620)이 삽입된다. 챔버(200)의 상부벽(210)에는 상부 라이너(810)와 챔버(200)의 상부벽(210) 사이로 가스를 공급하는 가스 공급 라인(미도시)이 연결될 수 있다. 가스는 공정 진행시 상부 라이너(810)를 냉각한다.
측부 라이너(820)는 상·하면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된 통 형상을 가진다. 측부 라이너(820)는 상부 라이너(810)의 하부에서 상부 라이너(810)를 지지한다. 측부 라이너(820)는 상부 라이너(810)에 상응하는 반경을 가진다. 측부 라이너(820)의 상단에는 상부 라이너(810)가 놓인다. 측부 라이너(820)는 서셉터(320)의 상부 영역을 감싸도록 배치된다. 상부 라이너(810)와 측부 라이너(820)에 의해 감싸여지는 공간은 기판(S)에 대한 공정 처리가 수행되는 처리 공간(220)으로 제공된다.
상부 라이너(810)와 측부 라이너(820)는 챔버(200)보다 내열성이 우수한 재질로 제공된다. 예컨대, 상부 라이너(810)와 측부 라이너(820)는 그라파이트 재질로 제공될 수 있다.
상부 라이너(810)는 체결 부재(830)에 의해 챔버(200)의 상부벽(210)에 고정된다. 체결 부재(830)는 플랜지(831)와 볼트(832)를 포함한다. 플랜지(831)는 통공이 형성된 상부 라이너(810)의 내측단에 고정 체결된다. 볼트(832)는 챔버(200)의 상부벽(210)과 플랜지(831)를 체결한다.
가스 배기 유닛(900)의 상면 중 외측 영역에는 측부 라이너(820)가 놓인다. 가스 배기 유닛(900)의 상면은 측부 라이너(820)를 지지할 수 있다.
가스 배기 유닛(900)은 챔버(200) 내부를 공정 압력으로 유지하고, 챔버(200)에서 발생한 반응 부산물을 챔버(200) 외부로 배기한다. 가스 배기 유닛(900)은 배기홀(910)과 배기 유로(920)를 포함한다. 가스 배기 유닛(900)의 상면은 서셉터(320)의 상면에 대응하거나 그보다 낮게 위치할 수 있다. 가스 배기 유닛(900)의 상면 중 내측 영역에는 배기홀(910)이 형성된다. 배기홀(910)은 복수 개가 제공된다. 배기홀(910)들은 서로 조합되어 링 형상을 이루도록 배치된다.
가스 배기 유닛(900)의 내부에는 배기 유로(920)가 형성된다. 배기 유로(920)는 가스 배기 유닛(900)의 내부에 링 형상으로 형성될 수 있으며, 배기홀(910)들과 연통된다.
배기홀(910)들에 진공펌프(미도시)로부터 인가된 진공압은 제1 공간(220a)에 인가되며, 제1 공간(220a)에 머무르는 가스는 배기홀(910)들로 유입된다. 가스는 배기홀(910)들 각각에 균일하게 유입될 수 있다.
도 5는 더미 플레이트(101)가 상부 차단판(500a)의 상면에 제공된 모습을 나타낸 도면이다. 도 2 및 도 5를 참조하면, 더미 플레이트(101)는 상부 차단판(500a)의 상면 가장자리 영역에 배치되며, 서셉터(320)를 둘러싸도록 제공된다. 더미 플레이트(101)는 링을 그 중심을 기준으로 일정한 각도로 절단한 형상을 가진다. 더미 플레이트(101)는 복수개가 제공될 수 있다. 더미 플레이트(101)들은 상호 조합되어 링 형상을 이룬다. 더미 플레이트(101)와 상부 차단판(500a)사이에는 간격(101a)이 형성된다. 간격(101a)이 형성됨으로써, 가열 유닛(400)에 의해 일부 발생된 더미 플레이트(101)의 열이 차단판(500)을 통해 전달되는 것을 최소화 할 수 있다. 이에 따라 더미 플레이트(101)의 온도 하강을 최소화 되고 서셉터(320) 가장자리 부분의 열이 더미 플레이트(101)로 빠져나가는 것을 최소화 할 수 있다. 따라서 서셉터의 온도 균일도 및 에너지 효율이 개선된다.
더미 플레이트(101)는 서셉터(320)의 외측면과 일정한 사이 공간이 생기도록 제공된다. 더미 플레이트(101)와 서셉터(320)의 사이 공간과 간격(101a)은 틈새 공간(220c)과 통하도록 제공된다. 따라서 틈새 공간(200c)을 통해 분사되는 퍼지 가스는 더미 플레이트(101)와 서셉터(320)의 사이 공간 및 간격(101a)을 통해 흐른다. 이로 인해 퍼지 가스가 양쪽으로 분산되어 흐름으로써, 더미 플레이트(101)와 서셉터(320)의 사이 공간에서 수직상승하는 양이 상대적으로 적어짐에 따라, 서셉터(320)의 가장자리 부분의 온도 하강을 최소화 할 수 있다.
도 6 내지 도 9는 스페이서(110)에 의해 간격(101a)가 형성되는 경우를 설명하기 위한 도면들이다. 도 6 내지 도 8을 참고하면, 간격(101a)을 형성하기 위하여 각각의 더미 플레이트(101) 및 상부 차단판(500a)의 사이에 스페이서(110)가 제공될 수 있다. 스페이서(110)는 열전도율이 낮은 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 스페이서(110) 복수개 제공될 수 있다. 스페이서(110)는 원통형으로 제공될 수 있다.
더미 플레이트(101)를 상부 차단판(500a)에 정렬하기 위해, 더미 플레이트(101) 및 상부 차단판(500a)의 사이에는 정렬핀(120)이 제공될 수 있다. 정렬핀(120)이 제공되는 경우, 스페이서(110)는 그 중심에 정렬핀(120)이 관통하는 핀 삽입홀(112)이 형성될 수 있다. 또한, 더미 플레이트(101) 및 상부 차단판(500a) 중 적어도 하나에는 정렬핀(120)이 삽입되는 정렬홀(101b, 500c)이 형성될 수 있다. 스페이서(110), 정렬핀(120) 및 정렬홀(101b, 500c)은 같은 수로 제공된다.
정렬핀(120)은 더미 플레이트(101)에 제공되고, 정렬홀(500c)은 상부 차단판(500a)에 형성될 수 있다. 이와 달리, 정렬핀(120)은 상부 차단판(500a)에 제공되고, 정렬홀(101b)은 더미 플레이트(101)에 형성될 수 있다. 이와 달리, 정렬핀(120)은 더미 플레이트(101) 및 상부 차단판(500a)과 독립적으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 정렬홀(101b, 500c)은 더미 플레이트(101) 및 상부 차단판(500a) 2개 모두에 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상술한 바와 달리, 스페이서(110)는 정렬핀(120)과 이격되어 정렬핀(120)과 독립적으로 제공될 수 있다.
도 10은 돌출부(101c)에 의해 간격(101a)이 형성되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 10을 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 간격(101a)은 스페이서가 아닌 더미 플레이트(101)의 하면에 형성된 돌출부(101c)에 의해 형성될 수 있다. 돌출부(101c)는 더미 플레이트(101)의 향 측부에 형성될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
S: 기판
101: 더미 플레이트
101a: 간격
110: 스페이서
120: 정렬핀
200: 챔버
300: 기판 지지 유닛
400: 가열 유닛
500: 차단판
600: 가스 공급 유닛
700: 퍼지 가스 공급 유닛
800: 라이너 유닛
900: 가스 배기 유닛

Claims (2)

  1. 챔버와;
    상기 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판지지유닛과;
    상기 챔버 내에서 상기 기판지지유닛의 하부에 위치하며, 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과;
    상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스공급유닛과;
    상기 기판지지유닛과 상기 가열 유닛 사이에 위치되며, 상기 챔버 내부를 기판에 대해 처리가 이루어지는 상부 공간과 상기 가열 유닛이 위치된 하부 공간으로 분리하는 차단판과;
    상기 차단판의 가장자리 영역 상부에 배치되며, 상기 서셉터를 둘러싸도록 제공된 더미 플레이트;를 포함하되,
    상기 더미 플레이트와 상기 차단판 사이에는 간격이 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 더미 플레이트는 상기 서셉터와의 사이에 사이 공간이 생기도록 배치되고,
    상기 차단판과 상기 서셉터 사이에 틈새 공간이 생기도록 배치되며,
    상기 간격, 상기 사이 공간 및 상기 틈새 공간은 서로 통하도록 제공되는 기판 처리 장치.
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